JP2013004710A - Surface etching device for semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor substrate having uneven shape formed on the surface thereof by using the surface etching device - Google Patents

Surface etching device for semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor substrate having uneven shape formed on the surface thereof by using the surface etching device Download PDF

Info

Publication number
JP2013004710A
JP2013004710A JP2011133972A JP2011133972A JP2013004710A JP 2013004710 A JP2013004710 A JP 2013004710A JP 2011133972 A JP2011133972 A JP 2011133972A JP 2011133972 A JP2011133972 A JP 2011133972A JP 2013004710 A JP2013004710 A JP 2013004710A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
gas
etching
nozzle
injecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011133972A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Tanabe
浩 田辺
Ichiro Nakayama
一郎 中山
Hiroshi Taniguchi
泰士 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2011133972A priority Critical patent/JP2013004710A/en
Publication of JP2013004710A publication Critical patent/JP2013004710A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for etching the surface of a mass-producible semiconductor substrate by using gas of ClF, XeF, BrFand BrF.SOLUTION: A device for etching the surface of a semiconductor substrate comprises a reaction chamber in which the pressure can be reduced to ambient pressure or less, a moving stage which is movable in the reaction chamber and on which a semiconductor substrate is mounted, a nozzle for jetting etching gas containing one or more gas selected from the group consisting of ClF, XeF, BrFand BrF, a nozzle for jetting cooling gas containing nitrogen gas or inert gas to the semiconductor substrate, a cleaning chamber in which the pressure can be reduced to ambient pressure or less, a moving stage which is movable in the cleaning chamber and on which the semiconductor substrate is mounted, a nozzle for jetting etching gas containing one or more gas comprising pure water and hydrogen fluoride water to the surface of the semiconductor substrate, and a nozzle for jetting dry gas containing nitrogen gas or inert gas to the semiconductor substrate.

Description

本発明は、半導体基板の表面エッチング装置、および表面に凹凸形状が形成された半導体基板を製造する方法に関する。   The present invention relates to a surface etching apparatus for a semiconductor substrate and a method for manufacturing a semiconductor substrate having a concavo-convex shape formed on the surface.

シリコン太陽電池（光電変換素子）などにおいて、シリコン基板の受光面にテクスチャと称される凹凸形状を設けて、入射光の反射を抑え、かつシリコン基板に取り込んだ光を外部に漏らさないようにしている。シリコン基板の表面へのテクスチャ形成は、一般的にアルカリ（ＫＯＨ）水溶液をエッチャントとするウェットプロセスにより行われている。ウェットプロセスによるテクスチャ形成は、後処理としてフッ化水素による洗浄工程や、熱処理工程などが必要とされる。そのため、シリコン基板表面を汚染する恐れがあるばかりか、コスト面からも不利な点があった。   In silicon solar cells (photoelectric conversion elements), etc., an uneven shape called texture is provided on the light receiving surface of the silicon substrate to suppress reflection of incident light and prevent leakage of light taken into the silicon substrate to the outside. Yes. Texture formation on the surface of a silicon substrate is generally performed by a wet process using an alkaline (KOH) aqueous solution as an etchant. Texture formation by a wet process requires a cleaning process using hydrogen fluoride, a heat treatment process, and the like as post-processing. For this reason, there is a risk of contaminating the surface of the silicon substrate, and there is a disadvantage in terms of cost.

一方で、シリコン基板の表面へのテクスチャ形成をドライプロセスにて行う方法も提案されている。例えば、１）プラズマによる反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）と呼ばれる手法を用いる方法、２）シリコン基板のある大気圧雰囲気下の反応室に、ＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5の何れかのガスを導入することで、シリコン基板表面をエッチングする方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 On the other hand, a method for forming a texture on the surface of a silicon substrate by a dry process has also been proposed. For example, 1) a method using a method called reactive ion etching using plasma, and 2) any of ClF 3 , XeF 2 , BrF 3, and BrF 5 in a reaction chamber under atmospheric pressure with a silicon substrate. A method of etching the surface of a silicon substrate by introducing such a gas has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開平１０−３１３１２８号公報JP-A-10-313128

しかしながら、プラズマによる反応性イオンエッチングを用いると、シリコン基板の表面がプラズマによってダメージを受けやすく、デバイス（例えば太陽電池）としての性能に悪影響を及ぼすことがあった。また、プラズマ発生装置などが必要なため、装置コストが高くなるという問題もあった。   However, when reactive ion etching using plasma is used, the surface of the silicon substrate is easily damaged by plasma, which may adversely affect performance as a device (for example, a solar cell). In addition, since a plasma generator or the like is required, there is a problem that the cost of the apparatus increases.

一方で、上記特許文献１に記載のように、ＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5のガスを用いることでシリコン基板表面をエッチングすることができるが、そのエッチング反応は発熱反応であり、シリコン基板の温度が上昇すると所望のエッチングができない。そのため、エッチング工程と冷却工程とを繰り返しながらシリコン基板表面をエッチングしなければならず、量産化に適した方法ではない面があった。そこで本発明は、半導体基板と発熱反応を起こすガスをエッチングガスとして用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供することを課題とする。 On the other hand, the silicon substrate surface can be etched by using ClF 3 , XeF 2 , BrF 3, and BrF 5 gases as described in Patent Document 1, but the etching reaction is an exothermic reaction, When the temperature of the silicon substrate rises, the desired etching cannot be performed. Therefore, the surface of the silicon substrate has to be etched while repeating the etching process and the cooling process, and there is a surface that is not a method suitable for mass production. Therefore, an object of the present invention is to provide an apparatus for etching a surface of a semiconductor substrate that can be used for mass production while using a gas that causes an exothermic reaction with the semiconductor substrate as an etching gas.

また、ＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5のガスをエッチングガスとすると、一定のエッチング形状は得られるものの、例えば、フッ素や塩素成分が基板表面に残留することで必ずしも太陽電池のシリコン基板にとって適切なテクスチャ構造を得ることはできない場合があった。 Further, when a gas of ClF 3 , XeF 2 , BrF 3 and BrF 5 is used as an etching gas, a certain etching shape can be obtained. However, for example, a fluorine or chlorine component remains on the substrate surface, so that it is not necessarily a silicon substrate of a solar cell. In some cases, an appropriate texture structure could not be obtained.

そこで本発明は、ＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5を含むエッチングガス組成を好適化した後に、連続的に同一装置で後処理を施すことによってシリコン基板にダメージを与えることなく、太陽電池のシリコン基板にとって適切なテクスチャ構造を形成した装置を提供することを課題とする。 Accordingly, the present invention provides a solar cell without damaging a silicon substrate by optimizing an etching gas composition containing ClF 3 , XeF 2 , BrF 3, and BrF 5 , and then continuously performing post-processing with the same apparatus. It is an object of the present invention to provide an apparatus having a texture structure suitable for a silicon substrate.

すなわち本発明の第一は、以下に示す半導体基板の表面エッチング装置に関する。   That is, the first of the present invention relates to the following semiconductor substrate surface etching apparatus.

大気圧以下に減圧可能な反応室と、上記反応室内において半導体基板を搬送可能な移動ステージＡと、上記反応室内に配置される上記半導体基板の表面に向けてエッチングガスを噴射するノズルＡと、上記反応室内に配置される上記半導体基板に向けて冷却ガスを噴射するノズルＢと、大気圧以下に減圧可能であり、かつ上記反応室よりも下流側に設けられる洗浄室と、上記洗浄室内において上記半導体基板を搬送可能とする移動ステージＢと、上記洗浄室内に配置される上記半導体基板の表面に向けて洗浄用液体材料を噴射するノズルａと、上記洗浄室内に配置される上記半導体基板に向けて乾燥用ガスを噴射するノズルｂと、を有する半導体基板の表面エッチング装置。   A reaction chamber that can be depressurized below atmospheric pressure, a moving stage A capable of transporting a semiconductor substrate in the reaction chamber, a nozzle A that jets an etching gas toward the surface of the semiconductor substrate disposed in the reaction chamber, A nozzle B for injecting a cooling gas toward the semiconductor substrate disposed in the reaction chamber; a cleaning chamber that can be depressurized to an atmospheric pressure or lower and provided downstream of the reaction chamber; A moving stage B that can transport the semiconductor substrate, a nozzle a that ejects a cleaning liquid material toward the surface of the semiconductor substrate disposed in the cleaning chamber, and the semiconductor substrate disposed in the cleaning chamber. A semiconductor substrate surface etching apparatus comprising: a nozzle b that injects a drying gas toward the semiconductor substrate.

また、本発明の第二は、以下に示す表面に凹凸形状が形成された半導体基板表面の製造方法に関する。   A second aspect of the present invention relates to a method for producing a semiconductor substrate surface having a concavo-convex shape formed on the surface as described below.

減圧された反応室内に半導体基板を準備し、上記反応室内に配置された移動ステージを移動させながら、上記移動ステージ上に載置された上記半導体基板の表面にエッチングガスを吹き付け、次いで、上記移動ステージを移動させながら上記半導体基板の表面に冷却ガスを吹き付けた後、上記半導体基板を大気圧以下に減圧された洗浄室に移動させ、上記半導体基板の表面に洗浄用液体材料を吹き付けた後、上記半導体基板を移動させ、次いで、
上記半導体基板の表面に乾燥用ガスを噴射する方法。 A semiconductor substrate is prepared in a reduced-pressure reaction chamber, and an etching gas is sprayed on the surface of the semiconductor substrate placed on the moving stage while moving the moving stage arranged in the reaction chamber, and then the moving After spraying a cooling gas on the surface of the semiconductor substrate while moving the stage, the semiconductor substrate is moved to a cleaning chamber whose pressure is reduced to atmospheric pressure or less, and a cleaning liquid material is sprayed on the surface of the semiconductor substrate. Moving the semiconductor substrate, then
A method of spraying a drying gas onto the surface of the semiconductor substrate.

本発明の半導体基板の表面エッチング装置によれば、半導体基板の表面を効率的にドライエッチングすることができる。しかも、プロセス中の半導体基板の温度上昇を抑制することができるので量産化にも対応できる。更に、エッチングガスの組成を好適化することで、これまで実現されなかった微細凹凸のテクスチャ構造を半導体基板表面に形成することができる。   According to the semiconductor substrate surface etching apparatus of the present invention, the surface of the semiconductor substrate can be efficiently dry etched. In addition, since the temperature rise of the semiconductor substrate during the process can be suppressed, it can cope with mass production. Furthermore, by optimizing the composition of the etching gas, it is possible to form a texture structure with fine irregularities that has not been realized so far on the surface of the semiconductor substrate.

更に、エッチング終了後に基板表面に洗浄用液体材料を噴射することで表面に付着した不純物成分を除去することができる。更に好適には、太陽電池として適切な半導体基板を提供することができ、太陽電池の光電変換率を高めることができる。   Furthermore, the impurity component adhering to the surface can be removed by spraying the cleaning liquid material onto the substrate surface after the etching is completed. More preferably, a semiconductor substrate suitable as a solar cell can be provided, and the photoelectric conversion rate of the solar cell can be increased.

本発明の半導体基板の表面エッチング装置の概要を示す図であり、図１（ａ）は、装置を側面から見たときの透視図、図１（ｂ）は、装置を上面から見たときの透視図It is a figure which shows the outline | summary of the surface etching apparatus of the semiconductor substrate of this invention, FIG.1 (a) is a perspective view when an apparatus is seen from the side surface, FIG.1 (b) is when an apparatus is seen from an upper surface. Perspective view 図２（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の表面エッチング装置でエッチングした後に純水で洗浄後に窒素ガスで乾燥した後の基板方位面（１００）のシリコン基板表面の状態を示す光学顕微鏡写真を示す図であり、図２（Ｄ）は、本発明の表面エッチング装置でエッチングした後に純水で洗浄後に窒素ガスで乾燥した後の基板方位面（１１１）のシリコン基板表面の状態を示す光学顕微鏡写真を示す図2A to 2C are optical micrographs showing the state of the silicon substrate surface of the substrate orientation surface (100) after being etched with the pure water after being etched with the surface etching apparatus of the present invention and dried with nitrogen gas. FIG. 2D is an optical diagram showing the state of the silicon substrate surface of the substrate orientation surface (111) after being etched with the surface etching apparatus of the present invention, washed with pure water and dried with nitrogen gas. Figure showing a photomicrograph 実施例１および比較例１のシリコン基板のライフタイム値を示すグラフを示す図The figure which shows the graph which shows the lifetime value of the silicon substrate of Example 1 and Comparative Example 1 ライフタイムの測定結果を図Fig. Lifetime measurement results

１．半導体基板の表面エッチング装置について
本発明の半導体基板の表面エッチング装置（以下、単に「表面エッチング装置」と言う場合もある。）は、反応室と、上記反応室内の半導体基板を搬送可能な移動ステージＡと、エッチングガスを噴射するノズルＡと、冷却ガスを噴射するノズルＢと、上記反応室に連結する洗浄室と、洗浄室内の半導体基板を搬送可能な移動ステージＢと、洗浄用液体材料を噴射するノズルａと、乾燥用ガスを噴射するノズルｂとを有する。 1. Semiconductor substrate surface etching apparatus The semiconductor substrate surface etching apparatus of the present invention (hereinafter sometimes simply referred to as “surface etching apparatus”) includes a reaction chamber and a movable stage capable of transporting the semiconductor substrate in the reaction chamber. A, a nozzle A for injecting an etching gas, a nozzle B for injecting a cooling gas, a cleaning chamber connected to the reaction chamber, a moving stage B capable of transporting a semiconductor substrate in the cleaning chamber, and a cleaning liquid material It has the nozzle a which injects, and the nozzle b which injects the gas for drying.

本発明の表面エッチング装置の反応室の内部は減圧状態にすることができ、減圧条件下にてエッチングプロセスを行う。エッチングプロセス中の反応室の内部圧力は、１ＫＰａ〜１００ＫＰａの範囲に調整され、通常１０ＫＰａ〜９０ＫＰａに制御され、好ましくは３０ＫＰａ〜６０ＫＰａに制御される。   The inside of the reaction chamber of the surface etching apparatus of the present invention can be in a reduced pressure state, and the etching process is performed under reduced pressure conditions. The internal pressure of the reaction chamber during the etching process is adjusted to a range of 1 KPa to 100 KPa, and is usually controlled to 10 KPa to 90 KPa, preferably 30 KPa to 60 KPa.

反応室内には、半導体基板を搬送するための移動ステージＡが配置される。移動ステージＡは反応室内において、半導体基板を搬送することができ、後述のノズル（エッチングガスを噴射するノズルＡと冷却ガスを噴射するノズルＢ）と半導体基板との相対位置関係を調整することができることが好ましい。それにより、半導体基板表面の所望の位置に、ノズルからのガスが吹き付けられる。   A moving stage A for transporting the semiconductor substrate is disposed in the reaction chamber. The moving stage A can transport the semiconductor substrate in the reaction chamber, and can adjust the relative positional relationship between the semiconductor substrate and a later-described nozzle (nozzle A for injecting etching gas and nozzle B for injecting cooling gas) and the semiconductor substrate. Preferably it can be done. Thereby, the gas from a nozzle is sprayed on the desired position of the semiconductor substrate surface.

本発明の表面エッチング装置は、エッチングガスを噴射するノズルＡを有する。エッチングガスは、半導体基板の材質などによって適宜選択されるが；典型的には、ＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5のうちの少なくとも一つのガスを含む。これらのガス分子は、半導体基板の表面に物理吸着して、エッチングサイトに移動する。エッチングサイトに到達したガス分子は分解し、半導体材料（典型的にはシリコン）と反応して揮発性のフッ素化合物を生成する。それにより、半導体基板表面がエッチングされ、凹凸形状が形成される。 The surface etching apparatus of the present invention has a nozzle A for injecting an etching gas. The etching gas is appropriately selected depending on the material of the semiconductor substrate and the like; typically, it contains at least one gas of ClF 3 , XeF 2 , BrF 3 and BrF 5 . These gas molecules are physically adsorbed on the surface of the semiconductor substrate and move to the etching site. Gas molecules that have reached the etching site are decomposed and react with a semiconductor material (typically silicon) to produce a volatile fluorine compound. As a result, the surface of the semiconductor substrate is etched to form an uneven shape.

エッチングガスには、その分子内に酸素原子を含有するガスが含まれていることが好ましい。酸素原子を含有するガスとは、典型的には酸素ガス（Ｏ2）であるが、二酸化炭素（ＣＯ2）などであっても良い。エッチングガスにおける酸素原子含有ガスの濃度（体積濃度）は、ＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5のガスの合計濃度の２倍以上であることが好ましい。エッチングガスに酸素原子含有ガスを含ませることで、太陽電池のテクスチャ構造として適切な凹凸形状を、半導体基板表面に形成することができる。 The etching gas preferably contains a gas containing oxygen atoms in the molecule. The gas containing oxygen atoms is typically oxygen gas (O 2 ), but may be carbon dioxide (CO 2 ) or the like. The concentration (volume concentration) of the oxygen atom-containing gas in the etching gas is preferably at least twice the total concentration of ClF 3 , XeF 2 , BrF 3 and BrF 5 gases. By including an oxygen atom-containing gas in the etching gas, it is possible to form an uneven shape suitable for the texture structure of the solar cell on the surface of the semiconductor substrate.

その理由は、必ずしも明らかではないが、例えばＣｌＦ3ガスがシリコン表面に物理吸着すると、シリコンと反応してＳｉＦ4となってガス化する。このとき、シリコンネットワーク構造のダングリングボンドに酸素原子がターミネートすることで、Ｓｉ−Ｏ結合が部分的に構成される。それにより、エッチングされやすい領域（Ｓｉ−Ｓｉ）と、エッチングされにくい領域（Ｓｉ−Ｏ）とができる。そのエッチングレートの差でケミカルな反応が促進され、形状制御が可能となると考えられる。 The reason is not necessarily clear, but for example, when ClF 3 gas is physically adsorbed on the silicon surface, it reacts with silicon and becomes SiF 4 to be gasified. At this time, oxygen atoms are terminated in the dangling bonds of the silicon network structure, so that Si—O bonds are partially configured. Thereby, a region (Si—Si) that is easily etched and a region (Si—O) that is difficult to etch are formed. It is considered that the chemical reaction is promoted by the difference in the etching rate and the shape can be controlled.

更に、エッチングガスには窒素ガスまたは不活性ガスが含まれていても良い。エッチングガスにおけるＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5の濃度が高すぎると、等方的にエッチングが進行しやすい場合があり、半導体基板表面に所望の凹凸形状が得られないことがある。そのため、窒素ガスまたは不活性ガスを希釈ガスとして混合させる場合がある。 Further, the etching gas may contain nitrogen gas or inert gas. If the concentration of ClF 3 , XeF 2 , BrF 3, and BrF 5 in the etching gas is too high, etching may proceed isotropically, and a desired uneven shape may not be obtained on the surface of the semiconductor substrate. Therefore, nitrogen gas or inert gas may be mixed as a dilution gas.

また、本発明の表面エッチング装置は、冷却ガスを噴射するノズルＢを有する。冷却ガスとは、半導体基板の材質と発熱反応しないガスであればよく、窒素ガスや不活性ガス（ヘリウムガスやアルゴンガスなど）などが例示される。前述の通り、ＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5は半導体と反応するが、その反応は発熱反応であるため、半導体基板温度が上昇する。半導体基板温度が上昇すると、等方的にエッチングが進行しやすくなり、半導体基板表面に所望の凹凸形状が得られない。そのため、エッチング反応によって発熱した半導体基板に冷却ガスを吹き付けることで、半導体基板を冷却する。 Moreover, the surface etching apparatus of this invention has the nozzle B which injects cooling gas. The cooling gas may be any gas that does not exothermically react with the material of the semiconductor substrate, and examples thereof include nitrogen gas and inert gas (such as helium gas and argon gas). As described above, ClF 3 , XeF 2 , BrF 3 and BrF 5 react with the semiconductor, but since the reaction is an exothermic reaction, the semiconductor substrate temperature rises. When the temperature of the semiconductor substrate rises, etching is likely to proceed isotropically, and a desired uneven shape cannot be obtained on the surface of the semiconductor substrate. Therefore, the semiconductor substrate is cooled by spraying a cooling gas on the semiconductor substrate that has generated heat by the etching reaction.

半導体基板の温度は、１３０℃以下に保持されることが好ましく、１００℃以下に保持されることがより好ましく、８０℃以下に保持されることが更に好ましい。一方、半導体基板の温度は、噴射されるエッチングガスの沸点以上に保持されていれば良い。例えばＣｌＦ3の沸点は約１２℃であるので、ＣｌＦ3を用いる場合には、半導体基板の温度を１２℃以上に保持する。 The temperature of the semiconductor substrate is preferably maintained at 130 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower, and further preferably 80 ° C. or lower. On the other hand, the temperature of the semiconductor substrate should just be hold | maintained more than the boiling point of the etching gas injected. For example, since the boiling point of ClF 3 is about 12 ° C., the temperature of the semiconductor substrate is kept at 12 ° C. or higher when using ClF 3 .

更に、本発明の表面エッチング装置は、エッチングガスを噴射するノズルＡを２つ以上有していても良いし、冷却ガスを噴射するノズルＢを２つ以上有していても良い。各ノズルの配列は、特に限定されないものの、搬送方向（半導体基板の相対移動方向、より具体的には、移動ステージの移動方向）に沿って配列されていることが好ましい。   Furthermore, the surface etching apparatus of the present invention may have two or more nozzles A for injecting an etching gas, or may have two or more nozzles B for injecting a cooling gas. The arrangement of the nozzles is not particularly limited, but is preferably arranged along the transport direction (the relative movement direction of the semiconductor substrate, more specifically, the movement direction of the moving stage).

このとき、エッチングガスを噴射するノズルＡと冷却ガスを噴射するノズルＢとは、規則的に配列していることが好ましい。例えば、搬送方向に沿って、エッチングガスを噴射するノズルＡと冷却ガスを噴射するノズルＢとが交互に配列していても良い。或いは、搬送方向に沿って、エッチングガスを噴射するノズルＡと複数の冷却ガスを噴射するノズルＢとが、繰り返して配置されていても良い。   At this time, it is preferable that the nozzle A for injecting the etching gas and the nozzle B for injecting the cooling gas are regularly arranged. For example, nozzles A for injecting etching gas and nozzles B for injecting cooling gas may be alternately arranged along the transport direction. Alternatively, the nozzle A for injecting the etching gas and the nozzle B for injecting the plurality of cooling gases may be repeatedly arranged along the transport direction.

但し、通常は、２つのエッチングガスを噴射するノズルが連続して配列されないことが好ましい。   However, it is usually preferable that the nozzles for injecting two etching gases are not arranged in succession.

また、各ノズルの形状は特に制限されないが、半導体基板表面の広面積にガスを吹き付けることができるように、ノズルの吐出口にむかって末広がりになっていると好ましい場合がある。   Further, the shape of each nozzle is not particularly limited, but it may be preferable that the nozzle is widened toward the nozzle outlet so that gas can be blown over a large area of the surface of the semiconductor substrate.

また、本発明の表面エッチング装置は、マスク形成用ガスを噴射するノズルを有していても良い。マスク形成用ガスはフッ化炭素ガスであることが好ましく、フッ化炭素ガスの例には４フッ化メタン（ＣＦ4）や、６フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）などが含まれる。マスク形成用ガスの分子が半導体基板表面に吸着すると、その吸着部分はエッチングされにくくなる。そのため、選択的に半導体基板表面をエッチングすることができ、所望の凹凸形状を得られやすくなることがある。 Moreover, the surface etching apparatus of this invention may have a nozzle which injects the gas for mask formation. The mask forming gas is preferably a fluorocarbon gas. Examples of the fluorocarbon gas include tetrafluoromethane (CF 4 ) and hexafluoroethane (C 2 F 6 ). When the molecules of the mask forming gas are adsorbed on the surface of the semiconductor substrate, the adsorbed portion becomes difficult to be etched. Therefore, the surface of the semiconductor substrate can be selectively etched, and a desired uneven shape may be easily obtained.

また、処理後の基板表面にはエッチングガスの成分や雰囲気中の不純物成分が吸着したままの状態が部分的に残留するため、エッチング処理後には、速やかに表面を純水で表面を洗浄し乾燥することが望ましい。洗浄用純水が噴射するノズルａと乾燥用ノズルｂが交互に配置されていても良い。或いは、搬送方向に沿って、洗浄用純水を噴射するノズルａと複数の乾燥用ガスを噴射するノズルｂとが、繰り返して配置されていても良い。但し、通常は、２つの洗浄用ノズルが連続して配列されないことが好ましい。   In addition, since the etching gas components and the impurity components in the atmosphere remain partially adsorbed on the substrate surface after the treatment, the surface is immediately cleaned with pure water and dried after the etching treatment. It is desirable to do. The nozzles a and the drying nozzles b from which the cleaning pure water is jetted may be alternately arranged. Or the nozzle a which injects the pure water for washing | cleaning, and the nozzle b which injects several drying gas along the conveyance direction may be arrange | positioned repeatedly. However, it is usually preferable that the two cleaning nozzles are not arranged in succession.

エッチングで加工された基板表面には、例えば、ＣｌＦ3の場合、シリコン基板表面に接触することで、２Ｓｉ＋４ＣｌＦ3→３ＳｉＦ4↑＋２Ｃｌ2↑のように、シリコンと発熱反応が発生する。このようにして、シリコンのフッ化化合物と塩素のように揮発性ガスがエッチングを進行させるが、エッチングガスの供給を停止した場合でも、基板表面に到達し、未反応のＣｌＦ3ガスが応物理的に吸着したフッ素や塩素成分がエッチング反応を進行させ、液化することでエッチング形状を制御できない。 In the case of ClF 3 , for example, in the case of ClF 3 , the substrate surface processed by etching causes an exothermic reaction with silicon as 2Si + 4ClF 3 → 3SiF 4 ↑ + 2Cl 2 ↑. In this way, volatile gases such as silicon fluoride and chlorine advance the etching, but even when the supply of the etching gas is stopped, it reaches the substrate surface, and unreacted ClF 3 gas is generated in response to the physical reaction. The fluorine or chlorine component adsorbed on the surface advances the etching reaction and liquefies, so that the etching shape cannot be controlled.

連続的に例えば、純水で表面を洗浄することでこの残留成分を除去することで、表面のフッ素を除去することがエッチング形状の制御性に効果的である。   It is effective for the controllability of the etching shape to remove fluorine on the surface by removing this residual component by continuously washing the surface with pure water, for example.

本発明の表面エッチング装置によって、表面に凹凸形状を形成される半導体基板とは、典型的にはシリコン基板であるが、ゲルマニウム基板、シリコンカーバイドなどであっても良い。更に、表面エッチングされる基板は、半導体基板以外のサファイア基板などであっても良い。また、シリコン基板は、通常は単結晶シリコンであるが、多結晶シリコンであっても、アモルファスシリコンであっても良い。   The semiconductor substrate having a concavo-convex shape formed on the surface by the surface etching apparatus of the present invention is typically a silicon substrate, but may be a germanium substrate, silicon carbide, or the like. Furthermore, the substrate whose surface is etched may be a sapphire substrate other than the semiconductor substrate. The silicon substrate is usually single crystal silicon, but may be polycrystalline silicon or amorphous silicon.

単結晶シリコン基板は、基板面方位（１００）のシリコン基板であっても良いし、基板面方位（１１１）のシリコン基板であっても良いし、他の基板面方位のシリコン基板であっても良い。基板面方位（１１１）のシリコン基板を、従来のアルカリ水溶液を用いたウェットプロセスによるエッチングを行うと、基板表面に凹凸形状を形成できず、単に表面が等方的にエッチングされる。ところが、本発明の表面エッチング装置によれば、基板面方位（１１１）のシリコン基板にも、基板表面に凹凸形状を形成することができるという特徴がある。   The single crystal silicon substrate may be a silicon substrate with a substrate surface orientation (100), a silicon substrate with a substrate surface orientation (111), or a silicon substrate with another substrate surface orientation. good. When a silicon substrate having a substrate surface orientation (111) is etched by a conventional wet process using an alkaline aqueous solution, the uneven surface cannot be formed on the substrate surface, and the surface is simply isotropically etched. However, according to the surface etching apparatus of the present invention, the silicon substrate having the substrate surface orientation (111) can also be formed with uneven shapes on the substrate surface.

半導体基板は、半導体ウェハであっても良いし、他の基板に成膜された半導体薄膜であっても良い。   The semiconductor substrate may be a semiconductor wafer or a semiconductor thin film formed on another substrate.

２．エッチング方法について
本発明の表面エッチング装置を用いて、表面に凹凸形状が形成された半導体基板を製造することができる。 2. Etching Method Using the surface etching apparatus of the present invention, a semiconductor substrate having a concavo-convex shape formed on the surface can be manufactured.

具体的には、本発明の表面エッチング装置に半導体基板を準備して、反応室内を減圧する。その後、移動ステージにセットした半導体基板を、ノズルに対して相対移動させる。半導体基板を相対移動させながら、半導体基板の表面に、エッチングガスを噴射するノズルＡからエッチングガスを吹き付け、かつ、冷却ガスを噴射するノズルＢから冷却ガスを吹き付ける。   Specifically, a semiconductor substrate is prepared in the surface etching apparatus of the present invention, and the pressure in the reaction chamber is reduced. Thereafter, the semiconductor substrate set on the moving stage is moved relative to the nozzle. While relatively moving the semiconductor substrate, the etching gas is sprayed from the nozzle A that jets the etching gas and the cooling gas is blown from the nozzle B that jets the cooling gas to the surface of the semiconductor substrate.

冷却ガスを吹き付けることで、半導体基板の温度を１３０℃以下、好ましくは１００℃以下、より好ましくは８０℃以下に保持する。   By blowing the cooling gas, the temperature of the semiconductor substrate is maintained at 130 ° C. or lower, preferably 100 ° C. or lower, more preferably 80 ° C. or lower.

このとき、移動ステージで半導体基板を移動させながら、半導体基板を振動させても良いし、或いはノズルを振動させても良い。それにより、より微細な凹凸形状が半導体基板の表面に形成されうる。また、半導体基板の相対移動は、一方向である必要はなく、２次元方向に移動しても良いし、３次元方向に移動しても良い。更に、移動ステージは往復移動をしても良い。   At this time, the semiconductor substrate may be vibrated while the semiconductor substrate is moved by the moving stage, or the nozzle may be vibrated. Thereby, a finer uneven shape can be formed on the surface of the semiconductor substrate. Further, the relative movement of the semiconductor substrate does not have to be in one direction, and may be moved in a two-dimensional direction or may be moved in a three-dimensional direction. Furthermore, the moving stage may reciprocate.

図１には、本発明の表面エッチング装置の概要が示される。同図において、図１（ａ）は、装置を側面から見たときの透視図であり、図１（ｂ）は、装置を上面から見たときの透視図である。   FIG. 1 shows an outline of the surface etching apparatus of the present invention. 1A is a perspective view when the apparatus is viewed from the side, and FIG. 1B is a perspective view when the apparatus is viewed from the top.

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示される表面エッチング装置は、ロードロック室１０と、反応室２０と、洗浄室３０と、アンロードロック室４０とを有する。ロードロック室１０と、反応室２０と、アンロードロック室４０の内部は、何れも減圧されることができる。つまり、ロードロック室１０には、ドライポンプ１２と、バルブ１３と、ゲートバルブ１４が設けられ、アンロードロック室には、ドライポンプ１２と、バルブ１３と、ゲートバルブ１４が設けられている。洗浄室３０内部は大気圧を維持する。   The surface etching apparatus shown in FIGS. 1A and 1B includes a load lock chamber 10, a reaction chamber 20, a cleaning chamber 30, and an unload lock chamber 40. The interiors of the load lock chamber 10, the reaction chamber 20, and the unload lock chamber 40 can all be decompressed. That is, the load lock chamber 10 is provided with a dry pump 12, a valve 13, and a gate valve 14, and the unload lock chamber is provided with a dry pump 12, a valve 13, and a gate valve 14. The inside of the cleaning chamber 30 is maintained at atmospheric pressure.

ロードロック室１０には、基板供給部５から半導体基板１が供給される。半導体基板１は、移動ステージに載置されてロードロック室１０に供給される。例えば、トレイなどの容器などに収容されてロードロック室１０に供給されても良い。１つの容器に、１００枚程度の半導体基板１が収容されていても良い。   The semiconductor substrate 1 is supplied from the substrate supply unit 5 to the load lock chamber 10. The semiconductor substrate 1 is placed on a moving stage and supplied to the load lock chamber 10. For example, the load lock chamber 10 may be supplied in a container such as a tray. About 100 semiconductor substrates 1 may be accommodated in one container.

ロードロック室１０から反応室２０、洗浄室３０を経てアンロードロック室４０にまで、搬送機構となるローラ搬送機５０が設けられている。ローラ搬送機５０に載置された半導体基板１は、ロードロック室１０から反応室２０及び洗浄室３０を経てアンロードロック室４０にまで搬送させることができる。   A roller transport machine 50 serving as a transport mechanism is provided from the load lock chamber 10 to the unload lock chamber 40 through the reaction chamber 20 and the cleaning chamber 30. The semiconductor substrate 1 placed on the roller transporter 50 can be transported from the load lock chamber 10 to the unload lock chamber 40 through the reaction chamber 20 and the cleaning chamber 30.

反応室２０には、エッチングガス供給ノズル６０と、冷却ガス供給ノズル７０とが設けられており、反応室２０の内部で搬送される半導体基板１の表面に、ガスを吹き付けることができる。エッチングガス供給ノズル６０と冷却ガス供給ノズル７０とは、搬送方向に沿って、交互に設けられている。また、反応室２０にはドライポンプ２２と、バルブ１３とが設けられており、エッチング反応で発生したガスなどを排気することができる。   In the reaction chamber 20, an etching gas supply nozzle 60 and a cooling gas supply nozzle 70 are provided, and gas can be blown onto the surface of the semiconductor substrate 1 transported inside the reaction chamber 20. The etching gas supply nozzle 60 and the cooling gas supply nozzle 70 are provided alternately along the transport direction. In addition, a dry pump 22 and a valve 13 are provided in the reaction chamber 20 so that gas generated by the etching reaction can be exhausted.

ローラ搬送機５０は、ロードロック室１０からアンロードロック室４０にまで一方向に半導体基板１を搬送しても良いが、往復移動させながら（図において左右に移動させながら）搬送しても良い。   The roller transporter 50 may transport the semiconductor substrate 1 in one direction from the load lock chamber 10 to the unload lock chamber 40, but may transport it while reciprocating (moving left and right in the figure). .

アンロードロック室４０にまで搬送された半導体基板１は、基板排出部３５に排出されて回収される。半導体基板１のノズル（エッチングガス供給ノズル６０と冷却ガス供給ノズル７０）と対向する表面には、所望の凹凸形状が形成されている。その後、半導体基板１は、純水洗浄下で残留したフッ素成分を除去するための処理を施す。また、この純水の代わりに高温アニールを施されたり、プラズマ処理を施されたりしても良い。   The semiconductor substrate 1 transported to the unload lock chamber 40 is discharged to the substrate discharge unit 35 and collected. On the surface of the semiconductor substrate 1 facing the nozzles (etching gas supply nozzle 60 and cooling gas supply nozzle 70), a desired uneven shape is formed. Thereafter, the semiconductor substrate 1 is subjected to a treatment for removing the remaining fluorine component under pure water cleaning. Further, high-temperature annealing or plasma treatment may be performed instead of the pure water.

［実施例１］
本発明の表面エッチング装置を用いて、基板方位面（１００）のシリコン基板表面に凹凸形状を形成した。まず、反応室内にシリコン基板をセットして、反応室の内圧を９０Ｋｐａに維持した。反応室内にセットされたシリコン基板の表面に、ＣｌＦ3ガス７７３ｃｃ、Ｎ2ガス２３０００ｃｃを含むエッチングガスを３分間かけて吹き付けた。このエッチング前に希ＨＦ溶液でのウエット処理のある場合とない場合、更にエッチング後に純水洗浄をする場合としない場合での処理を実施し表面のＸＰＳ分析を実施し残留の組成分析を実施した。その結果、得られたシリコン基板表面の光学顕微鏡写真を図２に示す。図２（Ｂ）に示されるように、基板表面に四角錘状の孔が形成されていることがわかる。 [Example 1]
Using the surface etching apparatus of the present invention, an uneven shape was formed on the silicon substrate surface of the substrate orientation surface (100). First, a silicon substrate was set in the reaction chamber, and the internal pressure of the reaction chamber was maintained at 90 Kpa. An etching gas containing 773 cc of ClF 3 gas and 23000 cc of N 2 gas was sprayed over the surface of the silicon substrate set in the reaction chamber for 3 minutes. Before and after the etching, the case where there was a wet treatment with a dilute HF solution, and the case where the pure water was washed after the etching, and the case where the pure water was washed were performed, and the XPS analysis of the surface was performed, and the residual composition analysis was performed. . As a result, an optical micrograph of the obtained silicon substrate surface is shown in FIG. As shown in FIG. 2B, it can be seen that a quadrangular pyramidal hole is formed on the surface of the substrate.

次に、図３に示されるシリコン基板のライフタイムを測定した。測定は、半導体基板１の表面をヨウ素パッシベーション（ヨウ素／エタノール法）をした後に行った。ライフタイムとは、半導体基板の表面及び内部で発生した過剰キャリア（電子又は正孔）が、再結合により消滅し所定値まで減少するまでの時間を言う。ライフタイムの測定は、μ−ＰＣＤ法（マイクロ波光導電率減衰法）によって行った。測定装置は、ＬＴＡ−１５１０（ＫＯＢＥＬＣＯ科研）を用いた。具体的な測定条件は、マイクロ波プローブの周波数１０ＧＨｚ，レーザー波長９０４ｎｍとした。照射したレーザー光は２種であり、レベル２（注入量：１Ｅ１４／ｃｍ2）と、レベル３（注入量：：１Ｅ１５／ｃｍ2）とした。ライフタイムの測定結果を図４に示す。 Next, the lifetime of the silicon substrate shown in FIG. 3 was measured. The measurement was performed after the surface of the semiconductor substrate 1 was subjected to iodine passivation (iodine / ethanol method). The lifetime refers to the time until excess carriers (electrons or holes) generated on and inside the semiconductor substrate disappear due to recombination and decrease to a predetermined value. The lifetime was measured by the μ-PCD method (microwave photoconductivity decay method). As a measuring apparatus, LTA-1510 (KOBELCO Kaken) was used. The specific measurement conditions were a microwave probe frequency of 10 GHz and a laser wavelength of 904 nm. There were two types of laser light irradiated, level 2 (injection amount: 1E14 / cm 2 ) and level 3 (injection amount: 1E15 / cm 2 ). The measurement result of the lifetime is shown in FIG.

図３に実施例１のシリコン基板のライフタイム値が示される。図３に示されるように、実施例１のシリコン基板のライフタイム値は、従来のウエット処理によるライフタイム値とほぼ匹敵していることがわかる。   FIG. 3 shows lifetime values of the silicon substrate of Example 1. As shown in FIG. 3, it can be seen that the lifetime value of the silicon substrate of Example 1 is almost equal to the lifetime value obtained by the conventional wet process.

本発明の表面エッチング装置によれば、半導体基板の表面を効率的にドライエッチングすることができる。しかも、プロセス中の半導体基板の温度上昇を抑制することができるので量産化にも対応できる。また、ドライエッチング後に連続的に洗浄処理を施すことによって残留のエッチング成分を除去することができエッチング形状の制御性を向上させることができる。   According to the surface etching apparatus of the present invention, the surface of the semiconductor substrate can be efficiently dry etched. In addition, since the temperature rise of the semiconductor substrate during the process can be suppressed, it can cope with mass production. Further, by performing a cleaning process continuously after dry etching, residual etching components can be removed, and the controllability of the etching shape can be improved.

更に、エッチングガスの組成を好適化することで、これまで実現されなかった微細凹凸のテクスチャ構造を半導体基板表面に形成することができ；光反射率を低減し、ライフタイムを向上させることができる。よって、太陽電池の製造プロセスに、特に好適に応用されうる。   Furthermore, by optimizing the composition of the etching gas, it is possible to form a texture structure with fine irregularities that has not been realized so far on the surface of the semiconductor substrate; it is possible to reduce the light reflectance and improve the lifetime. . Therefore, it can be particularly suitably applied to a solar cell manufacturing process.

１ 半導体基板
５ 基板供給部
１０ ロードロック室
１２ ドライポンプ
１３ バルブ
１４ ゲートバルブ
２０ 反応室
２２ ドライポンプ
３０ 洗浄室
４０ アンロードロック室
３２ ドライポンプ
３５ 基板排出部
５０ ローラ搬送機
６０ エッチングガス供給ノズル
７０ 冷却ガス供給ノズル
８０ 洗浄用液体供給ノズル
９０ 乾燥用ガスノズル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate 5 Substrate supply part 10 Load lock chamber 12 Dry pump 13 Valve 14 Gate valve 20 Reaction chamber 22 Dry pump 30 Washing chamber 40 Unload lock chamber 32 Dry pump 35 Substrate discharge part 50 Roller conveyance machine 60 Etching gas supply nozzle 70 Cooling gas supply nozzle 80 Liquid supply nozzle for cleaning 90 Gas nozzle for drying

Claims (15)

大気圧以下に減圧可能な反応室と、
上記反応室内において半導体基板を搬送可能な移動ステージＡと、
上記反応室内に配置される上記半導体基板の表面に向けてエッチングガスを噴射するノズルＡと、
上記反応室内に配置される上記半導体基板に向けて冷却ガスを噴射するノズルＢと、
大気圧以下に減圧可能であり、かつ上記反応室よりも下流側に設けられる洗浄室と、
上記洗浄室内において上記半導体基板を搬送可能とする移動ステージＢと、
上記洗浄室内に配置される上記半導体基板の表面に向けて洗浄用液体材料を噴射するノズルａと、
上記洗浄室内に配置される上記半導体基板に向けて乾燥用ガスを噴射するノズルｂと を有すること、
を特徴とする半導体基板の表面エッチング装置。 A reaction chamber that can be depressurized below atmospheric pressure;
A moving stage A capable of transporting a semiconductor substrate in the reaction chamber;
A nozzle A for injecting an etching gas toward the surface of the semiconductor substrate disposed in the reaction chamber;
A nozzle B for injecting a cooling gas toward the semiconductor substrate disposed in the reaction chamber;
A cleaning chamber that can be depressurized to an atmospheric pressure or lower and provided downstream of the reaction chamber;
A moving stage B that enables the semiconductor substrate to be transported in the cleaning chamber;
A nozzle a for injecting a cleaning liquid material toward the surface of the semiconductor substrate disposed in the cleaning chamber;
A nozzle b for injecting a drying gas toward the semiconductor substrate disposed in the cleaning chamber,
An apparatus for etching a surface of a semiconductor substrate. 上記エッチングガスは、ＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5からなる群から選ばれる一以上のガスを含む、
請求項１に記載の表面エッチング装置。 The etching gas includes one or more gases selected from the group consisting of ClF 3 , XeF 2 , BrF 3, and BrF 5 .
The surface etching apparatus according to claim 1. 上記エッチングガスは、分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含む、請求項２に記載の表面エッチング装置。   The surface etching apparatus according to claim 2, wherein the etching gas further includes a gas containing an oxygen atom in a molecule. 上記冷却ガスは、窒素ガスまたは不活性ガスを含む、請求項１〜３の何れか一項に記載の表面エッチング装置。   The surface etching apparatus according to claim 1, wherein the cooling gas includes nitrogen gas or inert gas. 上記移動ステージに載置される半導体基板表面に向けて、フッ化炭素ガスを含むマスク形成用ガスを噴射するノズルをさらに有する、
請求項１〜４の何れか一項に記載の表面エッチング装置。 A nozzle for injecting a mask forming gas containing a fluorocarbon gas toward the surface of the semiconductor substrate placed on the moving stage;
The surface etching apparatus as described in any one of Claims 1-4. 上記反応室内の圧力は、１ＫＰａ〜１００ＫＰａの範囲に調整可能である、請求項１〜５の何れか一項に記載の表面エッチング装置。   The surface etching apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the pressure in the reaction chamber can be adjusted to a range of 1 KPa to 100 KPa. 上記エッチングガスを噴射するノズル及び上記冷却ガスを噴射するノズルを、それぞれ複数有する、請求項１〜６の何れか一項に記載の表面エッチング装置。   The surface etching apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a plurality of nozzles for injecting the etching gas and a nozzle for injecting the cooling gas. 上記複数のエッチングガスを噴射するノズル及び冷却ガスを噴射するノズルは、上記移動ステージの移動方向に沿って配列されている、請求項７に記載の表面エッチング装置。   The surface etching apparatus according to claim 7, wherein the plurality of nozzles for injecting the etching gas and the nozzle for injecting the cooling gas are arranged along a moving direction of the moving stage. 上記洗浄用液体材料を噴射するノズル及び上記乾燥用ガスを噴射するノズルを、それぞれ複数有する、請求項１に記載の表面エッチング装置。   The surface etching apparatus according to claim 1, wherein the surface etching apparatus includes a plurality of nozzles that inject the cleaning liquid material and nozzles that inject the drying gas. 上記複数の洗浄用ガスを噴射するノズル及び乾燥用ガスを噴射するノズルは、上記移動ステージの移動方向に沿って配列されている、請求項９に記載の表面エッチング装置。   The surface etching apparatus according to claim 9, wherein the plurality of nozzles for injecting the cleaning gas and the nozzle for injecting the drying gas are arranged along a moving direction of the moving stage. 上記半導体基板は、基板面方位（１００）のシリコン基板である、請求項１に記載の表面エッチング装置。   The surface etching apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor substrate is a silicon substrate having a substrate surface orientation (100). 上記半導体基板は、基板面方位（１１１）のシリコン基板である、請求項１に記載の表面エッチング装置。   The surface etching apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor substrate is a silicon substrate having a substrate surface orientation (111). 減圧された反応室内に半導体基板を準備し、
上記反応室内に配置された移動ステージを移動させながら、上記移動ステージ上に載置された上記半導体基板の表面にエッチングガスを吹き付け、次いで、
上記移動ステージを移動させながら上記半導体基板の表面に冷却ガスを吹き付けた後、
上記半導体基板を大気圧以下に減圧された洗浄室に移動させ、
上記半導体基板の表面に洗浄用液体材料を吹き付けた後、上記半導体基板を移動させ、次いで、
上記半導体基板の表面に乾燥用ガスを噴射すること、
を特徴とする凹凸形状が形成された半導体基板を製造する方法。 Prepare a semiconductor substrate in the reaction chamber under reduced pressure,
While moving the moving stage disposed in the reaction chamber, an etching gas is sprayed on the surface of the semiconductor substrate placed on the moving stage, and then
After spraying a cooling gas on the surface of the semiconductor substrate while moving the moving stage,
Move the semiconductor substrate to a cleaning chamber depressurized below atmospheric pressure,
After spraying a cleaning liquid material on the surface of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate is moved, and then
Spraying a drying gas onto the surface of the semiconductor substrate;
A method for manufacturing a semiconductor substrate having a concavo-convex shape formed thereon. 上記半導体基板の温度を１３０℃以下に保持する、請求項１３記載の凹凸形状が形成された半導体基板を製造する方法。   The method for producing a semiconductor substrate having an uneven shape according to claim 13, wherein the temperature of the semiconductor substrate is maintained at 130 ° C. or lower. 上記移動ステージを移動させながら上記半導体基板を振動させる、請求項１３または１４に記載の凹凸形状が形成された半導体基板を製造する方法。   15. The method of manufacturing a semiconductor substrate having an uneven shape according to claim 13 or 14, wherein the semiconductor substrate is vibrated while moving the moving stage.
JP2011133972A 2011-06-16 2011-06-16 Surface etching device for semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor substrate having uneven shape formed on the surface thereof by using the surface etching device Withdrawn JP2013004710A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011133972A JP2013004710A (en) 2011-06-16 2011-06-16 Surface etching device for semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor substrate having uneven shape formed on the surface thereof by using the surface etching device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011133972A JP2013004710A (en) 2011-06-16 2011-06-16 Surface etching device for semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor substrate having uneven shape formed on the surface thereof by using the surface etching device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013004710A true JP2013004710A (en) 2013-01-07

Family

ID=47672968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011133972A Withdrawn JP2013004710A (en) 2011-06-16 2011-06-16 Surface etching device for semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor substrate having uneven shape formed on the surface thereof by using the surface etching device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013004710A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2014208353A1 (en) * 2013-06-24 2017-02-23 三菱電機株式会社 Method for manufacturing substrate for solar power generation apparatus and apparatus for manufacturing substrate for solar power generation apparatus
CN111696852A (en) * 2020-06-22 2020-09-22 徐文凯 Method for cleaning third generation semiconductor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2014208353A1 (en) * 2013-06-24 2017-02-23 三菱電機株式会社 Method for manufacturing substrate for solar power generation apparatus and apparatus for manufacturing substrate for solar power generation apparatus
CN111696852A (en) * 2020-06-22 2020-09-22 徐文凯 Method for cleaning third generation semiconductor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6373150B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
KR101668729B1 (en) Method for Texturing the Surface of a Silicon Substrate, and Textured Silicon Substrate for a Solar Cell
CN103299403B (en) Diaphragm formation chemical solution
JP2011171378A (en) Method and device for etching silicon nitride
JP2005183937A (en) Manufacturing method of semiconductor device and cleaning device for removing resist
JPH10303443A (en) Solar battery, manufacture thereof, and semiconductor manufacturing device
JP2013541212A (en) Compound semiconductor wafer cleaning method
JP7208318B2 (en) processing equipment
JP5488758B2 (en) Semiconductor substrate surface etching apparatus and surface etching method
TWI666697B (en) Substrate processing method, substrate processing device and memory medium
KR102003361B1 (en) Method and apparatus for in-situ dry clean processing
TW202117841A (en) Etching method and substrate processing system
JP2012222300A (en) Silicon substrate including texture formation surface, and manufacturing method of the same
JP2013004710A (en) Surface etching device for semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor substrate having uneven shape formed on the surface thereof by using the surface etching device
JP2012186283A (en) Semiconductor substrate surface etching device, and a manufacturing method of semiconductor substrate with surface formed of uneven shape by using the same
JP2012114291A (en) Method and device for cleaning semiconductor wafer
JP2013131670A (en) Semiconductor substrate surface etching apparatus, semiconductor substrate surface etching method for forming asperities on surface using the same, and gas nozzle unit
JP2007324165A (en) Surface treatment method of silicon substrate and fabrication process of solar cell
KR101375898B1 (en) Semiconductor device cleaning method
Kim et al. Dry etching of germanium using inductively coupled Ar/CCl 2 F 2/Cl 2 plasma
TWI850387B (en) Method for dry etching compound materials
CN114141919B (en) Semiconductor substrate and preparation method thereof, semiconductor device and preparation method thereof
US20140246092A1 (en) Silicon substrate and manufacturing method thereof
US9653282B2 (en) Silicon-containing substrate cleaning procedure
JP2013222917A (en) Device and method for surface etching of semiconductor substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140902