JP2012247637A - Method for manufacturing optical waveguide, and dry film resist - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an optical waveguide with less optical loss.SOLUTION: The method for manufacturing an optical waveguide includes the following steps (I) to (III). They are: (I) a step of forming a photocurable resin composition layer 4 containing a photo-radical initiator and a polymerizable compound, and a water-soluble non-photocurable resin composition layer 3, in this order from below, on a lower clad 1 formed on a substrate 2; (II) an exposure step of exposing the photocurable resin composition layer 4 by use of a photomask 6 to form a core part 8; and (III) an alkali development step of removing an unexposed part of the photocurable resin composition layer 4 and the water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 with an alkali developing solution.

Description

本発明は、特にネガ型フォトレジストを用いた光導波路の製造方法及び光導波路に好適に使用できるドライフィルムレジストに関するものである。   The present invention particularly relates to a method for producing an optical waveguide using a negative photoresist and a dry film resist that can be suitably used for the optical waveguide.

近年、光部品の小型化・低コスト化を目指して、光導波路及びこれを用いた光集積回路や光モジュールの研究が活性化している。特に、ポリマー材料を用いた光導波路は、塗布等の方法により基板上に容易に作製でき量産性も優れて低コスト化も期待できることから、近年注目されており、光導波路のパターンの形成にフォトレジストを使用することも提案されている。光導波路に用いられるポリマー材料としては、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリシロキサン等の透明性の高い樹脂が挙げられる。特にポリシロキサンは、透明性及び耐熱性に優れたポリマー材料であり、ポリシロキサンを使用した光導波路(例えば、特許文献1を参照)は、耐熱性が要求される用途、例えば、光導波路が形成された基板への光学素子の表面実装への応用が期待できる。   In recent years, research on optical waveguides and optical integrated circuits and optical modules using the same has been activated with the aim of reducing the size and cost of optical components. In particular, an optical waveguide using a polymer material has been attracting attention in recent years because it can be easily produced on a substrate by a method such as coating, and can be expected to reduce mass production and cost reduction. It has also been proposed to use a resist. Examples of the polymer material used for the optical waveguide include highly transparent resins such as polymethacrylate, polycarbonate, polyimide, and polysiloxane. In particular, polysiloxane is a polymer material having excellent transparency and heat resistance, and an optical waveguide using polysiloxane (see, for example, Patent Document 1) is used for applications requiring heat resistance, such as an optical waveguide. Application to the surface mounting of the optical element on the formed substrate can be expected.

光導波路の形成は、ポジ型フォトレジストやネガ型フォトレジストを用いて行われている。ネガ型フォトレジストを用いる場合は、パターン化された光を照射することにより、ネガ型フォトレジストの露光部分の現像液への溶解性が低下し、現像後に非露光部分が現像液に溶解・分散することにより、露光部分のパターンが形成される。   The optical waveguide is formed using a positive photoresist or a negative photoresist. In the case of using a negative photoresist, irradiation with patterned light reduces the solubility of the exposed portion of the negative photoresist in the developer, and the unexposed portion is dissolved and dispersed in the developer after development. By doing so, a pattern of an exposed portion is formed.

ポリシロキサン系のネガ型フォトレジストとしては、アクリル系ポリマーとエポキシポリシロキサンとの配合物(例えば、特許文献2を参照)、アクリル系ポリマーのシロキサン変性物(例えば、特許文献3を参照)が知られている。   Known polysiloxane negative photoresists include blends of acrylic polymers and epoxy polysiloxanes (see, for example, Patent Document 2), and siloxane modified products of acrylic polymers (see, for example, Patent Document 3). It has been.

しかしながら、特許文献1〜3記載の樹脂を使用したネガ型フォトレジストは、硬化物自体の透明性は高いが、ネガ型フォトレジストの原料となる光硬化性樹脂組成物を塗布した基板をパターン露光し、現像して不要な部分を除去し、必要なパターンを形成する方法により光導波路を製造すると、光損失が高くなってしまうという問題があった。   However, the negative photoresist using the resins described in Patent Documents 1 to 3 has high transparency of the cured product itself, but pattern exposure is performed on a substrate coated with a photocurable resin composition that is a raw material for the negative photoresist. However, if an optical waveguide is manufactured by a method in which an unnecessary portion is removed by development and a necessary pattern is formed, there is a problem that optical loss increases.

これまで、密着性の向上及び酸素遮断を目的として、光硬化性樹脂組成物層と支持フィルム層の間に非光硬化性樹脂組成物層としてポリビニルアルコール層を設けたドライフィルムレジスト(例えば、特許文献4及び特許文献5を参照)が知られているが、このようなドライフィルムレジストのポリマー型光導波路への応用は知られていない。   Conventionally, for the purpose of improving adhesion and blocking oxygen, a dry film resist in which a polyvinyl alcohol layer is provided as a non-photocurable resin composition layer between a photocurable resin composition layer and a support film layer (for example, a patent However, the application of such a dry film resist to a polymer type optical waveguide is not known.

特開2006−195175号公報JP 2006-195175 A 特開平8−320564号公報Japanese Patent Laid-Open No. 8-320564 特開2008−209739号公報JP 2008-209739 A 特開平2−213849号公報JP-A-2-213849 特開平5−72724号公報JP-A-5-72724

したがって、本発明の目的は、光損失が少ない光導波路の製造方法を提供すること及び該製造方法に有用な光導波路用ドライフィルムレジストを提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical waveguide with little optical loss and to provide a dry film resist for an optical waveguide useful for the manufacturing method.

本発明者は上記に鑑み鋭意研究の結果、本発明に到達した。
即ち、本発明は、下記(I)〜(III)の工程を含む光導波路の製造方法を提供するも
のである。
(I)基板上に形成された下部クラッド上に、下から順に、光ラジカル開始剤及び重合性
化合物を含有する光硬化性樹脂組成物層、並びに水溶性非光硬化性樹脂組成物層が形成される工程
(II)コア部を形成するために、フォトマスクを使用して上記光硬化性樹脂組成物層を露光する露光工程
(III)上記光硬化性樹脂組成物層の未露光部分及び上記水溶性非光硬化性樹脂組成物層をアルカリ現像液で除去するアルカリ現像工程
As a result of intensive studies in view of the above, the present inventors have reached the present invention.
That is, the present invention provides an optical waveguide manufacturing method including the following steps (I) to (III).
(I) A photocurable resin composition layer containing a photoradical initiator and a polymerizable compound, and a water-soluble non-photocurable resin composition layer are formed on the lower clad formed on the substrate in order from the bottom. Step (II) An exposure step (III) of exposing the photocurable resin composition layer using a photomask to form a core part (III) An unexposed portion of the photocurable resin composition layer and the above Alkali development process for removing water-soluble non-photocurable resin composition layer with alkali developer

また、本発明は、支持フィルム上に、水溶性非光硬化性樹脂組成物層、光ラジカル開始剤及び重合性化合物を含有する光硬化性樹脂組成物層、必要に応じ保護フィルムがこの順で形成されていることを特徴とするドライフィルムレジストを提供するものである。   In the present invention, a water-soluble non-photocurable resin composition layer, a photocurable resin composition layer containing a photoradical initiator and a polymerizable compound, and a protective film as necessary in this order on a support film. The present invention provides a dry film resist characterized by being formed.

本発明の効果は、光損失の少ない光導波路の製造方法及び該製造方法に有用な光導波路用ドライフィルムレジストを提供したことにある。   The effect of the present invention is to provide an optical waveguide manufacturing method with little optical loss and an optical waveguide dry film resist useful for the manufacturing method.

図1は、本発明の光導波路の製造方法の一例を模式的に示す工程図である。FIG. 1 is a process diagram schematically showing an example of a method of manufacturing an optical waveguide according to the present invention. 図2は、本発明のドライフィルムレジストの一例を示す断面の模式図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the dry film resist of the present invention. 図3は、上部又は下部クラッド形成用ドライフィルムレジストの一例を示す断面の模式図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a dry film resist for forming an upper or lower clad.

以下、本発明の光導波路の製造方法及びドライフィルムレジストについて、好ましい実施形態に基づき詳細に説明する。
本発明の光導波路の製造方法は、下記(I)〜(III)の工程を含む製造方法であり、
光損失が少ない光導波路を提供できる。
(I)基板上に形成された下部クラッド上に、下から順に、光ラジカル開始剤及び重合性
化合物を含有する光硬化性樹脂組成物層、並びに水溶性非光硬化性樹脂組成物層が形成される工程
(II)コア部を形成するために、フォトマスクを使用して上記光硬化性樹脂組成物層を露光する露光工程
(III)上記光硬化性樹脂組成物層の未露光部分及び上記水溶性非光硬化性樹脂組成物層をアルカリ現像液で除去するアルカリ現像工程
以下、本発明の光導波路の製造方法について、図1〜図3を用いて、各工程順に説明する。
尚、図1は、本発明の光導波路の製造方法の一例を模式的に示す工程図である。図1中、1は下部クラッド、2は基板、3は水溶性非光硬化性樹脂組成物層、4は光硬化性樹脂組成物層、5は活性エネルギー線、6はフォトマスク、7は未露光部分、8はコア部及び9は上部クラッドを示している。また図2は、本発明のドライフィルムレジストの一例を示す断面の模式図である。図2中、3は水溶性非光硬化性樹脂組成物層、4は光硬化性樹脂組成物層、10は支持フィルム、11は保護フィルム、12はドライフィルムレジストを示している。
また図3は、主として、上部クラッド9又は下部クラッド1の形成に使用されるドライフィルムレジストの一例を示す断面の模式図である。図3中、4は光硬化性樹脂組成物層、10は支持フィルム、11は保護フィルム、13はドライフィルムレジストを示している。
Hereinafter, the manufacturing method and dry film resist of the optical waveguide of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments.
The optical waveguide manufacturing method of the present invention is a manufacturing method including the following steps (I) to (III):
An optical waveguide with little optical loss can be provided.
(I) A photocurable resin composition layer containing a photoradical initiator and a polymerizable compound, and a water-soluble non-photocurable resin composition layer are formed on the lower clad formed on the substrate in order from the bottom. Step (II) An exposure step (III) of exposing the photocurable resin composition layer using a photomask to form a core part (III) An unexposed portion of the photocurable resin composition layer and the above Alkaline development process for removing the water-soluble non-photocurable resin composition layer with an alkaline developer Hereinafter, the method for producing an optical waveguide of the present invention will be described in the order of each process with reference to FIGS.
FIG. 1 is a process diagram schematically showing an example of a method for manufacturing an optical waveguide according to the present invention. In FIG. 1, 1 is a lower clad, 2 is a substrate, 3 is a water-soluble non-photocurable resin composition layer, 4 is a photocurable resin composition layer, 5 is an active energy ray, 6 is a photomask, and 7 is not yet used. An exposed portion, 8 is a core portion, and 9 is an upper clad. FIG. 2 is a schematic sectional view showing an example of the dry film resist of the present invention. In FIG. 2, 3 is a water-soluble non-photocurable resin composition layer, 4 is a photocurable resin composition layer, 10 is a support film, 11 is a protective film, and 12 is a dry film resist.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view mainly showing an example of a dry film resist used for forming the upper clad 9 or the lower clad 1. In FIG. 3, 4 is a photocurable resin composition layer, 10 is a support film, 11 is a protective film, and 13 is a dry film resist.

本発明の光導波路の製造方法では、先ず、(I)工程に入る前工程として、図1(a)に示すように、基板2上に、下部クラッド形成用の光硬化性樹脂組成物層を形成し、この光硬化性樹脂組成物層を硬化させて、所望の厚さの下部クラッド1を形成する。   In the method for producing an optical waveguide of the present invention, first, as a step before entering the step (I), a photocurable resin composition layer for forming a lower clad is formed on a substrate 2 as shown in FIG. Then, the photocurable resin composition layer is cured to form the lower cladding 1 having a desired thickness.

光硬化性樹脂組成物を用いた下部クラッド1の形成は、光硬化性樹脂組成物を基板2上に塗布した後、常法により硬化させてもよいし、図3に示す光硬化性樹脂組成物層4を保護フィルム11と支持フィルム10でラミネートしたドライフィルムレジスト13を使用してもよい。   The formation of the lower clad 1 using the photocurable resin composition may be performed by applying the photocurable resin composition on the substrate 2 and then curing by a conventional method, or the photocurable resin composition shown in FIG. You may use the dry film resist 13 which laminated the physical layer 4 with the protective film 11 and the support film 10. FIG.

ドライフィルムレジスト13を用いる場合には、ドライフィルムレジスト13の保護フィルム11を剥離し、光硬化性樹脂組成物層4の面を基板2に貼り合わせた後、常法により硬化させるとよい。   When the dry film resist 13 is used, the protective film 11 of the dry film resist 13 is peeled off and the surface of the photocurable resin composition layer 4 is bonded to the substrate 2 and then cured by a conventional method.

下部クラッド形成用の光硬化性樹脂組成物としては、屈折率がコア部8より低い樹脂であれば、特に限定されないが、硬化後の線膨張係数がコア部8と近いものを使用することが好ましく、後述するコア部8の好ましい樹脂と同じ樹脂を使用することがより好ましい。   The photocurable resin composition for forming the lower clad is not particularly limited as long as it has a lower refractive index than that of the core part 8, but a resin having a linear expansion coefficient close to that of the core part 8 after curing may be used. Preferably, it is more preferable to use the same resin as that of the core part 8 described later.

下部クラッド1が形成される基板2としては、基板として使用されているものならば特に限定されず、用途に応じて、シリコン基板、ガラス基板、金属板、プラスチックス板等が用いられる。尚、基板の厚さは特に限定されない。   The substrate 2 on which the lower cladding 1 is formed is not particularly limited as long as it is used as a substrate, and a silicon substrate, a glass substrate, a metal plate, a plastics plate, or the like is used depending on the application. The thickness of the substrate is not particularly limited.

<(I)工程>
本工程では、図1(b)に示すように、基板2上に形成された下部クラッド1上に、下から順に、光硬化性樹脂組成物層4、及び水溶性非光硬化性樹脂組成物層3を形成する。
<Process (I)>
In this step, as shown in FIG. 1B, a photocurable resin composition layer 4 and a water-soluble non-photocurable resin composition are sequentially formed on the lower clad 1 formed on the substrate 2 from the bottom. Layer 3 is formed.

光硬化性樹脂組成物層4及び水溶性光硬化性樹脂組成物層3は、塗布等の方法により2段階で形成してもよいし、図2に示す本発明のドライフィルムレジスト12を用いて1段階で形成してもよい。
塗布により上記2層の形成を行う場合は、図1(b)に示すように、下部クラッド1上に光硬化性樹脂組成物層4を形成させ、その上に水溶性非光硬化性樹脂組成物層3を形成すればよい。
また、本発明のドライフィルムレジスト12を使用することにより上記2層を形成する場合は、図2に示すコア部形成用に作製したドライフィルムレジスト12から保護フィルム11を剥離し、下部クラッド1に、光硬化性樹脂組成物層4の面を張り合わせることで、光硬化性樹脂組成物層4及び水溶性非光硬化性樹脂組成物層3を形成すればよい。
上記2層の形成方法としては、操作が簡略になり、大量生産に適しているため、本発明のドライフィルムレジスト12を使用するほうが好ましい。
The photocurable resin composition layer 4 and the water-soluble photocurable resin composition layer 3 may be formed in two stages by a method such as coating, or by using the dry film resist 12 of the present invention shown in FIG. You may form in one step.
When the two layers are formed by coating, as shown in FIG. 1 (b), a photocurable resin composition layer 4 is formed on the lower cladding 1, and a water-soluble non-photocurable resin composition is formed thereon. The material layer 3 may be formed.
Further, when the two layers are formed by using the dry film resist 12 of the present invention, the protective film 11 is peeled off from the dry film resist 12 produced for forming the core portion shown in FIG. The photocurable resin composition layer 4 and the water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 may be formed by bonding the surfaces of the photocurable resin composition layer 4 together.
As the method for forming the two layers, it is preferable to use the dry film resist 12 of the present invention because the operation is simplified and suitable for mass production.

上述した塗布により層を形成する場合の塗布方法は、特に限定されず、例えば、浸漬塗工、フロー塗工、刷毛塗工、スプレー塗工、押出塗工、スピン塗工、ロール塗工、バー塗工等を使用することができ、スクリーン塗工やロール転写等の方法によればパターニングされた膜形成をすることができる。   The coating method in the case of forming a layer by the above-mentioned coating is not particularly limited, and examples thereof include dip coating, flow coating, brush coating, spray coating, extrusion coating, spin coating, roll coating, bar coating, and the like. Coating or the like can be used, and a patterned film can be formed by a method such as screen coating or roll transfer.

水溶性非光硬化性樹脂組成物3を塗布する際に使用できる溶剤としては上記水溶性非光硬化性樹脂組成物が溶解すれば特に限定されるものではないが、メタノールやエタノール等の水溶性のアルコール又は水を使用することが好ましく、水がより好ましい。   The solvent that can be used when the water-soluble non-photocurable resin composition 3 is applied is not particularly limited as long as the water-soluble non-photocurable resin composition dissolves, but is soluble in water such as methanol and ethanol. It is preferable to use alcohol or water, and water is more preferable.

水溶性非光硬化性樹脂組成物層3の膜厚は、特に限定されないが通常2〜50μmの範囲内であり、3〜10μmの範囲内が好ましい。膜厚が2μm未満の場合、均一なフィルムを製造することが困難となる場合があり、膜厚が50μmを超える場合、アルカリ現像液の使用量が増加する場合や、現像に時間がかかる場合がある。   The film thickness of the water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 is not particularly limited, but is usually in the range of 2 to 50 μm, and preferably in the range of 3 to 10 μm. If the film thickness is less than 2 μm, it may be difficult to produce a uniform film. If the film thickness exceeds 50 μm, the amount of alkali developer used may increase, or development may take time. is there.

水溶性非光硬化性樹脂組成物層3に使用される水溶性非光硬化性樹脂は、アルカリ水溶液に可溶であり、光硬化性樹脂組成物層4に使用される重合性化合物が有する重合性基(重合性のアクリル基、メタアクリル基等)を有さない樹脂である。かかる水溶性非光硬化性樹脂としては、公知の樹脂を使用すればよく、例えば、特開平2−213849号公報及び特開平5−72724号公報に記載の樹脂等が挙げられる。
具体的には、ポリビニルエーテル/無水マレイン酸重合体、カルボキシアルキルセルロースの水溶性塩、カルボキシアルキル澱粉の水溶性塩、水溶性セルロースエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、各種のポリアクリルアミド類、各種の水溶性ポリアミド類、ポリアクリル酸の水溶性塩、ゼラチン、エチレンオキサイド重合体、各種の澱粉及びその類似物からなる群の水溶性塩、スチレン/マレイン酸の共重合体、及びマレイネート樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、透過性が高く、溶剤溶解性に優れるため、ポリビニルアルコール又はポリビニルピロリドンを使用することが好ましく、ポリビニルアルコールを使用することがより好ましい。水溶性非光硬化性樹脂組成物は1種単独で使用しても2種以上で使用してもよい。
The water-soluble non-photocurable resin used for the water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 is soluble in an alkaline aqueous solution, and the polymerization compound used in the photocurable resin composition layer 4 has a polymerization. It is a resin that does not have a functional group (polymerizable acrylic group, methacrylic group, etc.). As such a water-soluble non-photocurable resin, a known resin may be used, and examples thereof include resins described in JP-A-2-213849 and JP-A-5-72724.
Specifically, polyvinyl ether / maleic anhydride polymer, water-soluble salt of carboxyalkyl cellulose, water-soluble salt of carboxyalkyl starch, water-soluble cellulose ether, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, various polyacrylamides, various water-soluble Water-soluble salt of polyacrylic acid, water-soluble salt of polyacrylic acid, gelatin, ethylene oxide polymer, water-soluble salt of the group consisting of various starches and the like, styrene / maleic acid copolymer, maleate resin, etc. .
Among these, since it has high permeability and excellent solvent solubility, it is preferable to use polyvinyl alcohol or polyvinyl pyrrolidone, and it is more preferable to use polyvinyl alcohol. The water-soluble non-photocurable resin composition may be used alone or in combination of two or more.

光硬化性樹脂組成物層4を塗布により形成する場合は、溶剤を使用してもよい。溶剤を使用する場合は、光硬化性樹脂組成物層4を形成した後に、層中の溶剤を除去する目的で加熱処理を行う。加熱処理の条件は、使用した溶剤の沸点や蒸気圧、光硬化性樹脂組成物層4の厚さ、層を形成した対象物の耐熱温度に応じて、適宜選択されるが、60〜150℃で30秒〜10分の加熱処理が目安となる。   When forming the photocurable resin composition layer 4 by coating, a solvent may be used. When using a solvent, after forming the photocurable resin composition layer 4, it heat-processes in order to remove the solvent in a layer. The conditions for the heat treatment are appropriately selected according to the boiling point and vapor pressure of the solvent used, the thickness of the photocurable resin composition layer 4, and the heat resistance temperature of the object on which the layer is formed. Heat treatment for 30 seconds to 10 minutes is a standard.

使用できる溶剤としては、例えば、ベンゼン、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、スチレン、トリメチルベンゼン、ジエチルベンゼン、テトラヒドロナフタレン等の芳香族炭化水素化合物;ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、ヘプタン、イソヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、イソノナン、デカン、イソデカン、イソドデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、メンタン、デカヒドロナフタレン等の飽和炭化水素化合物;ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等のエーテル系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸シクロヘキシル等のエステル系溶媒;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエステル系溶媒等が挙げられる。これらの溶剤は、単独あるいは2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the solvent that can be used include aromatic hydrocarbon compounds such as benzene, xylene, toluene, ethylbenzene, styrene, trimethylbenzene, diethylbenzene, and tetrahydronaphthalene; pentane, isopentane, hexane, isohexane, heptane, isoheptane, octane, isooctane, and nonane. , Isononane, decane, isodecane, isododecane, cyclohexane, methylcyclohexane, menthane, decahydronaphthalene and the like saturated hydrocarbon compounds; diethyl ether, dipropyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, tetrahydrofuran, 1, Ether solvents such as 4-dioxane; acetone, methyl ethyl ketone, methyl Ketone solvents such as sobutyl ketone, diethyl ketone, dipropyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone; ester solvents such as ethyl acetate, methyl acetate, butyl acetate, propyl acetate, cyclohexyl acetate; propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl Examples include glycol ester solvents such as ether acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, and diethylene glycol monoethyl ether acetate. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

光硬化性樹脂組成物層4の膜厚は、特に限定されないが、用いられる光源やファイバーに合わせた膜厚が好ましく、光導波路としての性能を維持するために3〜100μmであることが好ましい。   Although the film thickness of the photocurable resin composition layer 4 is not specifically limited, the film thickness according to the light source and fiber used is preferable, and it is preferable that it is 3-100 micrometers in order to maintain the performance as an optical waveguide.

光硬化性樹脂組成物層4に使用される光硬化性樹脂組成物は、光ラジカル開始剤及び重合性化合物を含有することを特徴とする。光ラジカル開始剤は特定波長の光によりラジカルを発生する化合物であり、ラジカルを発生することで光ラジカル重合の開始剤として使用される化合物である。重合性化合物は重合性のアクリル基、メタクリル基等の置換基を有するラジカル重合性の化合物である。   The photocurable resin composition used for the photocurable resin composition layer 4 contains a photo radical initiator and a polymerizable compound. A photoradical initiator is a compound that generates radicals by light of a specific wavelength, and is a compound that is used as an initiator for photoradical polymerization by generating radicals. The polymerizable compound is a radical polymerizable compound having a substituent such as a polymerizable acrylic group or methacryl group.

<重合性化合物>
光硬化性樹脂組成物に使用される重合性化合物としては、例えば、単官能アクリル化合物、多官能アクリル化合物、重合性シロキサン化合物等が挙げられる。
尚、本発明において多官能アクリル化合物とは、ケイ素を含まないアクリル基又はメタクリル基を少なくとも2つ有するアクリル化合物をいい、例えば、多官能アクリレート化合物、多官能エポキシアクリレート化合物、多官能ウレタンアクリレート化合物等が挙げられる。
<Polymerizable compound>
Examples of the polymerizable compound used in the photocurable resin composition include a monofunctional acrylic compound, a polyfunctional acrylic compound, and a polymerizable siloxane compound.
In the present invention, the polyfunctional acrylic compound refers to an acrylic compound having at least two acrylic groups or methacrylic groups not containing silicon, such as a polyfunctional acrylate compound, a polyfunctional epoxy acrylate compound, a polyfunctional urethane acrylate compound, and the like. Is mentioned.

上記単官能アクレート化合物としては、例えば、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸−n−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸−n−ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸−tert−ブチル、(メタ)アクリル酸−n−ペンチル、(メタ)アクリル酸−n−ヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸−n−ヘプチル、(メタ)アクリル酸−n−オクチル、(メタ)アクリル酸−2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸トルイル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸−2−メトキシエチル、(メタ)アクリル酸−3−メトキシブチル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ステアリル、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸2−アミノエチル、(メタ)アクリル酸2−(ジメチルアミノ)エチル、γ−(メタクリロイルオキシプロピル)トリメトキシシラン、(メタ)アクリル酸のエチレンオキサイド付加物、(メタ)アクリル酸トリフルオロメチルメチル、(メタ)アクリル酸2−トリフルオロメチルエチル、(メタ)アクリル酸2−パーフルオロエチルエチル、(メタ) アクリル酸2−パーフルオロエチル−2−パーフルオロブチルエチル、(メタ)アクリル酸2−パーフルオロエチル、(メタ)アクリル酸パーフルオロメチル、(メタ)アクリル酸ジパーフルオロメチルメチル、(メタ)アクリル酸2−パーフルオロメチル−2−パーフルオロエチルメチル、(メタ)アクリル酸2−パーフルオロヘキシルエチル、(メタ)アクリル酸2−パーフルオロデシルエチル、(メタ)アクリル酸2−パーフルオロヘキサデシルエチル等の(メタ)アクリル酸系モノマー等が挙げられる。
これらの単官能アクリレート化合物の中でも、硬化時間が早いため、アクリル基を有する化合物が好ましい。
Examples of the monofunctional acrylate compound include (meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, (meth) acrylate-n-propyl, isopropyl (meth) acrylate, (meth) Acrylic acid-n-butyl, (meth) acrylic acid isobutyl, (meth) acrylic acid-tert-butyl, (meth) acrylic acid-n-pentyl, (meth) acrylic acid-n-hexyl, (meth) acrylic acid cyclohexyl , (Meth) acrylic acid-n-heptyl, (meth) acrylic acid-n-octyl, (meth) acrylic acid-2-ethylhexyl, (meth) acrylic acid nonyl, (meth) acrylic acid decyl, (meth) acrylic acid Dodecyl, phenyl (meth) acrylate, toluyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, (meth) a 2-methoxyethyl toluate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, (meth ) Glycidyl acrylate, 2-aminoethyl (meth) acrylate, 2- (dimethylamino) ethyl (meth) acrylate, γ- (methacryloyloxypropyl) trimethoxysilane, ethylene oxide adduct of (meth) acrylic acid, (Meth) acrylic acid trifluoromethyl methyl, (meth) acrylic acid 2-trifluoromethyl ethyl, (meth) acrylic acid 2-perfluoroethyl ethyl, (meth) acrylic acid 2-perfluoroethyl-2-perfluorobutyl Ethyl, 2-perfluoroethyl (meth) acrylate, (meth) a Perfluoromethyl laurate, diperfluoromethyl methyl (meth) acrylate, 2-perfluoromethyl-2-perfluoroethyl methyl (meth) acrylate, 2-perfluorohexyl ethyl (meth) acrylate, (meth) And (meth) acrylic acid monomers such as 2-perfluorodecylethyl acrylate and 2-perfluorohexadecylethyl (meth) acrylate.
Among these monofunctional acrylate compounds, a compound having an acrylic group is preferable because the curing time is fast.

上記多官能アクリル化合物の一つである多官能アクリレート化合物としては、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、プロピレンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジアクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジアクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート等のポリ(メタ)アクリル酸エステル等が挙げられる。   Examples of the polyfunctional acrylate compound that is one of the polyfunctional acrylic compounds include ethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, Methylolpropane tri (meth) acrylate, ethylene oxide modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ethylene oxide Modified pentaerythritol tetra (meth) acrylate, propylene oxide modified pentaerythritol tetra (meth) acrylate Poly (meth) such as rate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, bisphenol A diacrylate, ethylene oxide modified bisphenol A diacrylate, urethane (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, etc. Examples include acrylic acid esters.

上記多官能アクリル化合物の一つである上記多官能エポキシアクリレート化合物は、グリシジル基、脂環式エポキシ基等のエポキシ環を有するエポキシ化合物に(メタ)アクリル酸を付加反応させた化合物である。エポキシアクリレート化合物に用いられるエポキシ化合物としては、例えば、フェノールノボラックポリグリシジルエーテル、クレゾールノボラックポリグリシジルエーテル、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ化合物;トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、ネオペンチルジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、(ポリ)エチレングリコールジグリシジルエーテル、(ポリ)プロピレングリコールジグリシジルエーテル、(ポリ)テトラメチレングリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ化合物;トリグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルトリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート等のヘテロ環構造を有するエポキシ化合物;3,4−エポキシ−3−メチルシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシ−3−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシ−5−メチルシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシ−5−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、1−エポキシエチル−3,4−エポキシシクロヘキサン、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、メチレンビス(3,4−エポキシシクロヘキサン)、イソプロピリデンビス(3,4−エポキシシクロヘキサン)、ジシクロペンタジエンジエポキシド、エチレンビス(3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、1,2−エポキシ−2−エポキシエチルシクロヘキサン等の脂環族エポキシ化合物等が挙げられる。エポキシアクリレート化合物は、以上挙げたエポキシ化合物に(メタ)アクリル酸等を付加させることにより得ることができる。   The polyfunctional epoxy acrylate compound, which is one of the polyfunctional acrylic compounds, is a compound obtained by adding (meth) acrylic acid to an epoxy compound having an epoxy ring such as a glycidyl group or an alicyclic epoxy group. Examples of the epoxy compound used for the epoxy acrylate compound include aromatic epoxy compounds such as phenol novolac polyglycidyl ether, cresol novolac polyglycidyl ether, bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether; trimethylolpropane polyglycidyl ether, Aliphatic epoxy compounds such as neopentyl diglycidyl ether, hexanediol diglycidyl ether, (poly) ethylene glycol diglycidyl ether, (poly) propylene glycol diglycidyl ether, (poly) tetramethylene glycol diglycidyl ether; triglycidyl isocyanurate , Having a heterocyclic structure such as triglycidyltris (2-hydroxyethyl) isocyanurate Epoxy compounds; 3,4-epoxy-3-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-3-methylcyclohexanecarboxylate, 3,4-epoxy-5-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-5-methylcyclohexane Carboxylate, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexanecarboxylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 1-epoxyethyl- 3,4-epoxycyclohexane, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, methylene bis (3,4-epoxycyclohexane), isopropylidenebis (3,4-epoxycyclohexane), dicyclopentadiene Epoxides, ethylenebis (3,4-epoxycyclohexane carboxylate), alicyclic epoxy compounds such as 1,2-epoxy-2-epoxy ethyl cyclohexane. The epoxy acrylate compound can be obtained by adding (meth) acrylic acid or the like to the above-described epoxy compound.

上記多官能アクリル化合物の一つである上記多官能ウレタンアクリレート化合物は、イソシアネート基を少なくとも2つ有するイソシアネート化合物のイソシアネート基に、ヒドロキシメチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の水酸基を有するアクリル化合物の水酸基を反応させた化合物である。ウレタンアクリレート化合物に用いられるウレタン化合物としては、例えば、パラフェニレンジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、4,4'−ジフェニルメタンジイソシアネート等の芳香族イソシアネート化合物;ヘキサメチレンジイソシアネート、リジンメチルエステルジイソシアネート、2,4,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネート等の脂肪族イソシアネート化合物;イソホロンジイソシアネート、4,4'−メチレンビス(シクロヘキシルイソシアネート)等の脂環族イソシアネート化合物等が挙げられる。   The polyfunctional urethane acrylate compound, which is one of the polyfunctional acrylic compounds, has a hydroxyl group such as hydroxymethyl (meth) acrylate or hydroxyethyl (meth) acrylate in an isocyanate group of an isocyanate compound having at least two isocyanate groups. A compound obtained by reacting a hydroxyl group of an acrylic compound. Examples of the urethane compound used in the urethane acrylate compound include aromatic isocyanate compounds such as paraphenylene diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, and 4,4′-diphenylmethane diisocyanate; hexamethylene diisocyanate. Aliphatic isocyanate compounds such as lysine methyl ester diisocyanate, 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate and dimer acid diisocyanate; alicyclic isocyanate compounds such as isophorone diisocyanate and 4,4′-methylenebis (cyclohexyl isocyanate) It is done.

これらの多官能アクリル化合物の中でも、硬化時間が早いため、アクリル基を有する化合物が好ましい。   Among these polyfunctional acrylic compounds, a compound having an acrylic group is preferable because the curing time is fast.

上記重合性シロキサン化合物は、分子内にシロキサン構造、ラジカル重合性の反応性の官能基((メタ)アクリル基等)を1つ又は2つ以上有するシロキサン化合物であり、その分子量及び製造方法は特に限定されない。
上記重合性シロキサン化合物としては、アルカリ現像性に優れるため、カルボキシル基を有する化合物が好ましく、特に、コア部8の光硬化後のパターニング性に優れるため、下記一般式(1)で表わされる不飽和シラン化合物、下記一般式(2)で表わされるシラン化合物及び下記一般式(3)で表わされる環状シロキサン化合物を加水分解縮合反応して得られる重合性シロキサン化合物がより好ましい。
The polymerizable siloxane compound is a siloxane compound having one or more siloxane structures and radical polymerizable reactive functional groups ((meth) acryl group, etc.) in the molecule, and the molecular weight and production method thereof are particularly It is not limited.
As the polymerizable siloxane compound, a compound having a carboxyl group is preferable because it is excellent in alkali developability, and in particular, because it is excellent in patterning property after photocuring of the core portion 8, it is represented by the following general formula (1). A polymerizable siloxane compound obtained by hydrolytic condensation reaction of a silane compound, a silane compound represented by the following general formula (2) and a cyclic siloxane compound represented by the following general formula (3) is more preferable.

Figure 2012247637
(式中、R1は水素原子又はメチル基を表わし、R2は炭素原子数2〜6の2価の飽和炭化水素基を表わし、R3は炭素原子数1〜4のアルキル基を表わし、X1は炭素原子数1〜4のアルコキシ基又は塩素原子を表わし、aは2又は3の数を表わす。)
Figure 2012247637
(Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 2 to 6 carbon atoms, R 3 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X 1 represents an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a chlorine atom, and a represents a number of 2 or 3.)

Figure 2012247637
(式中、R4は同一でも異なってもよい炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表わし、X2は炭素原子数1〜4のアルコキシ基又は塩素原子を表わし、bは1又は2の数を表わす。)
Figure 2012247637
Wherein R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be the same or different, and X 2 is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a chlorine atom. And b represents a number of 1 or 2.)

Figure 2012247637
(式中、R5は炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表わし、X3は下記一般式(4)で表わされる基又は下記一般式(5)で表わされる基を表わし、cは1分子あたりの下記一般式(4)で表わされる基の数である1〜5の数を表わし、dは1分子あたりの下記一般式(5)で表わされる基の数である1〜5の数を表わす。但し、c+dは3〜6の数である。)
Figure 2012247637
(In the formula, R 5 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and X 3 represents a group represented by the following general formula (4) or the following general formula (5). C represents a number of 1 to 5 which is the number of groups represented by the following general formula (4) per molecule, and d represents a group represented by the following general formula (5) per molecule. Represents the number of 1 to 5 which is the number of (where c + d is the number of 3 to 6).

Figure 2012247637
(式中、R6は炭素原子数2〜8の2価の炭化水素基を表わす。)
Figure 2012247637
(In the formula, R 6 represents a divalent hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms.)

Figure 2012247637
(式中、R7は炭素原子数2〜8の2価の脂肪族炭化水素基を表わし、R8及びR9は同一でも異なってもよい炭素原子数1〜4のアルキル基を表わし、eは2又は3の数を表わす。)
Figure 2012247637
(In the formula, R 7 represents a divalent aliphatic hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms, R 8 and R 9 represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be the same or different, and e Represents a number of 2 or 3.)

以下、上記一般式(1)で表わされる不飽和シラン化合物、上記一般式(2)で表わされるシラン化合物及び上記一般式(3)で表わされる環状シロキサン化合物を加水分解縮合反応して得られる重合性シロキサン化合物(以下、本発明の重合性シロキサン化合物という場合がある)について説明する。   Hereinafter, polymerization obtained by hydrolytic condensation reaction of the unsaturated silane compound represented by the general formula (1), the silane compound represented by the general formula (2), and the cyclic siloxane compound represented by the general formula (3). The polymerizable siloxane compound (hereinafter sometimes referred to as the polymerizable siloxane compound of the present invention) will be described.

上記一般式(1)において、R1は水素原子又はメチル基を表わし、保存安定性が良好であることから、メチル基が好ましい。
2は炭素原子数2〜6の2価の飽和炭化水素基を表わす。炭素原子数2〜6の2価の飽和炭化水素基としては、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、ヘプタメチレン、オクタメチレン、1−メチルエチレン、2−メチルエチレン、2−メチルプロピレン、2−メチルブチレン、3−メチルブチレン、シクロペンタン−1,3−ジイル、シクロヘキサン−1,4−ジイル等が挙げられる。
2としては、光硬化性樹脂組成物から得られる硬化物の耐熱性、及び原料となるモノマーの工業的な入手の容易さの点から、エチレン、プロピレン及びブチレンが好ましく、エチレン及びプロピレンが更に好ましく、プロピレンが最も好ましい。
In the above general formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group because of good storage stability.
R 2 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 2 to 6 carbon atoms. Examples of the divalent saturated hydrocarbon group having 2 to 6 carbon atoms include ethylene, propylene, butylene, pentamethylene, hexamethylene, heptamethylene, octamethylene, 1-methylethylene, 2-methylethylene, 2-methylpropylene, Examples include 2-methylbutylene, 3-methylbutylene, cyclopentane-1,3-diyl, cyclohexane-1,4-diyl and the like.
R 2 is preferably ethylene, propylene and butylene, more preferably ethylene and propylene, from the viewpoint of the heat resistance of the cured product obtained from the photocurable resin composition and the industrial availability of the raw material monomer. Propylene is preferred and most preferred.

3は炭素原子数1〜4のアルキル基を表わす。炭素原子数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、2級ブチル、イソブチル、t−ブチル等が挙げられる。R3としては、加水分解反応が容易であり、耐熱性も向上することから、メチル、エチル及びプロピルが好ましく、メチル及びエチルが更に好ましく、メチルが最も好ましい。
1は炭素原子数1〜4のアルコキシ基又は塩素原子を表わす。炭素原子数1〜4のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、2級ブトキシ、イソブトキシ、t−ブトキシ等が挙げられる。
1としては、加水分解反応が容易であることから、メトキシ、エトキシ及び塩素原子が好ましく、メトキシ及びエトキシが更に好ましく、メトキシが最も好ましい。aは2又は3の数を表わし、硬化物の耐熱性が向上することから、3の数が好ましい。
R 3 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, secondary butyl, isobutyl, t-butyl and the like. R 3 is preferably methyl, ethyl and propyl, more preferably methyl and ethyl, and most preferably methyl because hydrolysis reaction is easy and heat resistance is improved.
X 1 represents an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a chlorine atom. Examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms include methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, secondary butoxy, isobutoxy, t-butoxy and the like.
X 1 is preferably a methoxy, ethoxy and chlorine atom, more preferably methoxy and ethoxy, and most preferably methoxy because hydrolysis reaction is easy. a represents the number of 2 or 3, and the number of 3 is preferable since the heat resistance of the cured product is improved.

aが2の数である上記一般式(1)で表わされる不飽和シラン化合物のうち、好ましい化合物としては、(3−アクリロキシプロピル)メチルジメトキシシラン、(3−アクリロキシプロピル)メチルジエトキシシラン、3−アクリロキシプロピル)メチルジクロロシラン、(3−アクリロキシプロピル)エチルジメトキシシラン、(3−アクリロキシプロピル)エチルジエトキシシラン、(3−アクリロキシプロピル)エチルジクロロシラン、(3−メタクリロキシプロピル)メチルジメトキシシラン、(3−メタクリロキシプロピル)メチルジエトキシシラン、(3−メタクリロキシプロピル)メチルジクロロシラン、(3−メタクリロキシプロピル)エチルジメトキシシラン、(3−メタクリロキシプロピル)エチルジエトキシシラン、(3−メタクリロキシプロピル)エチルジメトキシシラン、及び(3−メタクリロキシプロピル)エチルジクロロシラン等が挙げられる。   Of the unsaturated silane compounds represented by the general formula (1) in which a is a number 2, preferred compounds include (3-acryloxypropyl) methyldimethoxysilane and (3-acryloxypropyl) methyldiethoxysilane. , 3-acryloxypropyl) methyldichlorosilane, (3-acryloxypropyl) ethyldimethoxysilane, (3-acryloxypropyl) ethyldiethoxysilane, (3-acryloxypropyl) ethyldichlorosilane, (3-methacryloxy) Propyl) methyldimethoxysilane, (3-methacryloxypropyl) methyldiethoxysilane, (3-methacryloxypropyl) methyldichlorosilane, (3-methacryloxypropyl) ethyldimethoxysilane, (3-methacryloxypropyl) ethyldiethoxy Silane (3-methacryloxypropyl) ethyl dimethoxy silane, and (3-methacryloxypropyl) ethyldichlorosilane, and the like.

aが3の数である上記一般式(1)で表わされる不飽和シラン化合物のうち、好ましい化合物としては、(3−アクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、(3−アクリロキシプロピル)トリエトキシシラン、(3−アクリロキシプロピル)トリクロロシラン、(3−メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、(3−メタクリロキシプロピル)トリエトキシシラン、及び(3−メタクリロキシプロピル)トリクロロシラン等が挙げられる。   Among the unsaturated silane compounds represented by the general formula (1) in which a is a number of 3, preferred compounds include (3-acryloxypropyl) trimethoxysilane, (3-acryloxypropyl) triethoxysilane, (3-acryloxypropyl) trichlorosilane, (3-methacryloxypropyl) trimethoxysilane, (3-methacryloxypropyl) triethoxysilane, (3-methacryloxypropyl) trichlorosilane and the like.

上記一般式(2)において、R4は炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表わす。炭素原子数1〜4のアルキル基としては、上記一般式(1)のR3の説明で例示したアルキル基等が挙げられ、炭素原子数6〜10のアリール基としては、例えば、フェニル、エチルフェニル、トルイル、クメニル、キシリル、プソイドクメニル、メシチル、t−ブチルフェニル、ベンジル、フェネチル等が挙げられる。R4としては、耐熱性が向上することから、メチル、エチル及びフェニルが好ましく、メチル、及びフェニルが更に好ましく、フェニルが最も好ましい。
2は炭素原子数1〜4のアルコキシ基又は塩素原子を表わす。炭素原子数1〜4のアルコキシ基としては、上記一般式(1)のX1の説明で例示したアルコキシ基等が挙げられる。
2としては、加水分解反応が容易であることから、メトキシ、エトキシ及び塩素原子が好ましく、メトキシ及びエトキシが更に好ましく、メトキシが最も好ましい。bは1又は2の数を表わし、耐クラック性が向上することから、2の数が好ましい。
In the general formula (2), R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include the alkyl groups exemplified in the description of R 3 in the general formula (1). Examples of the aryl group having 6 to 10 carbon atoms include phenyl and ethyl. Examples include phenyl, toluyl, cumenyl, xylyl, pseudocumenyl, mesityl, t-butylphenyl, benzyl, phenethyl and the like. R 4 is preferably methyl, ethyl and phenyl, more preferably methyl and phenyl, and most preferably phenyl, because of improved heat resistance.
X 2 represents an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a chlorine atom. Examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms include the alkoxy groups exemplified in the description of X 1 in the general formula (1).
X 2 is preferably methoxy, ethoxy and a chlorine atom, more preferably methoxy and ethoxy, and most preferably methoxy because hydrolysis reaction is easy. b represents the number of 1 or 2, and the number of 2 is preferable because crack resistance is improved.

上記一般式(2)で表わされるシラン化合物は1種のみを使用してもよいが、硬化物の耐熱性が向上することから、bが1の数であるシラン化合物と、bが2の数であるシラン化合物とを組み合わせて使用することが好ましい。bが1の数であるシラン化合物と、bが2の数であるシラン化合物とを組み合わせて使用する場合は、bが2の数であるシラン化合物に対する、bが1の数であるシラン化合物のモル比が0〜10であることが好ましく、0.5〜5であることが更に好ましく、1〜3であることが最も好ましい。
また、R4が異なるシラン化合物を組み合わせて使用してもよいが、少なくとも一方はR4がフェニルであるシラン化合物が好ましい。R4が異なるシラン化合物を組み合わせて使用する場合、R4のうちフェニル基の割合が10モル%以上であることが好ましく、20モル%以上であることが更に好ましく、30モル%以上であることが最も好ましい。
The silane compound represented by the general formula (2) may be used alone, but since the heat resistance of the cured product is improved, the silane compound in which b is 1 and the number in which b is 2 It is preferable to use in combination with a silane compound which is When a silane compound in which b is the number 1 and a silane compound in which b is the number 2 are used in combination, the silane compound in which b is the number 1 is compared with the silane compound in which b is the number 2. The molar ratio is preferably 0 to 10, more preferably 0.5 to 5, and most preferably 1 to 3.
Further, silane compounds having different R 4 may be used in combination, but at least one of them is preferably a silane compound in which R 4 is phenyl. When silane compounds having different R 4 are used in combination, the proportion of phenyl groups in R 4 is preferably 10 mol% or more, more preferably 20 mol% or more, and 30 mol% or more. Is most preferred.

bが1の数である上記一般式(2)で表わされるシラン化合物のうち好ましい化合物としては、例えば、メチルトリメトシキシシラン、メチルトリエトシキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリクロロシラン、エチルトリメトシキシシラン、エチルトリエトシキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリクロロシラン、フェニルトリメトシキシシラン、フェニルトリエトシキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、及びフェニルトリクロロシラン等が挙げられる。
bが2の数である上記一般式(2)で表わされるシラン化合物のうち好ましい化合物としては、例えば、ジメチルジメトシキシシラン、ジメチルジエトシキシシラン、ジメチルジクロロシラン、ジエチルジメトシキシシラン、ジエチルジエトシキシシラン、ジエチルジクロロシラン、メチルフェニルジメトシキシシラン、メチルフェニルジエトシキシシラン、メチルフェニルジクロロシラン、エチルフェニルジメトシキシシラン、エチルフェニルジエトシキシシラン、エチルフェニルジクロロシラン、ジフェニルジメトシキシシラン、ジフェニルジエトシキシシラン、及びジフェニルジクロロシラン等が挙げられる。
Preferred examples of the silane compound represented by the general formula (2) in which b is the number 1 include, for example, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriisopropoxysilane, methyltrichlorosilane, ethyl Examples include trimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, ethyltrichlorosilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltriisopropoxysilane, and phenyltrichlorosilane.
Among the silane compounds represented by the above general formula (2) in which b is the number 2, preferred examples include dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldichlorosilane, diethyldimethoxysilane, and diethyl. Dietoxysilane, Diethyldichlorosilane, Methylphenyldimethoxysilane, Methylphenyldiethoxysilane, Methylphenyldichlorosilane, Ethylphenyldimethoxysilane, Ethylphenyldiethoxysilane, Ethylphenyldichlorosilane, Diphenyldimethoxy Examples include silane, diphenyldiethoxysilane, and diphenyldichlorosilane.

上記一般式(3)において、R5は炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表わす。炭素原子数1〜4のアルキル基としては、上記一般式(1)のR3の説明で例示したアルキル基等が挙げられ、炭素原子数6〜10のアリール基としては、上記一般式(2)のR4の説明で例示したアリール基等が挙げられる。
5としては、耐熱性が向上することから、メチル、エチル及びフェニルが好ましく、メチル及びフェニルが更に好ましく、メチルが最も好ましい。
In the general formula (3), R 5 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include the alkyl groups exemplified in the description of R 3 in the general formula (1), and examples of the aryl group having 6 to 10 carbon atoms include the general formula (2 And the aryl group exemplified in the description of R 4 in FIG.
R 5 is preferably methyl, ethyl and phenyl, more preferably methyl and phenyl, and most preferably methyl, because of improved heat resistance.

3は上記一般式(4)で表わされる基又は上記一般式(5)で表わされる基を表わす。上記一般式(4)において、R6は炭素原子数2〜8の2価の炭化水素基を表わす。炭素原子数2〜8の2価の炭化水素基としては、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、ヘプタメチレン、オクタメチレン、1−メチルエチレン、2−メチルエチレン、2−メチルプロピレン、2−メチルブチレン、3−メチルブチレン等の2価の脂肪族炭化水素基;シクロペンタン−1,3−ジイル、シクロヘキサン−1,4−ジイル、2−シクロヘキシルエタン−1,4'−ジイル等の2価の脂環族炭化水素基;2−フェニルエタン−1,4'−ジイル等の2価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
6としては、光硬化性樹脂組成物から得られる硬化物の耐熱性、及び原料となるモノマーの工業的な入手の容易さの点から、エチレン、2−メチルエチレン、及び2−フェニルエタン−1,4'−ジイルが好ましく、2−メチルエチレン、及び2−フェニルエタン−1,4'−ジイルが更に好ましく、2−メチルエチレンが最も好ましい。
X 3 represents a group represented by the general formula (4) or a group represented by the general formula (5). In the above general formula (4), R 6 represents a divalent hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms. Examples of the divalent hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms include ethylene, propylene, butylene, pentamethylene, hexamethylene, heptamethylene, octamethylene, 1-methylethylene, 2-methylethylene, 2-methylpropylene, 2 A divalent aliphatic hydrocarbon group such as methylbutylene or 3-methylbutylene; 2 such as cyclopentane-1,3-diyl, cyclohexane-1,4-diyl, 2-cyclohexylethane-1,4′-diyl, etc. Valent alicyclic hydrocarbon group; divalent aromatic hydrocarbon group such as 2-phenylethane-1,4′-diyl and the like.
As R 6 , ethylene, 2-methylethylene, and 2-phenylethane—from the viewpoint of heat resistance of a cured product obtained from the photocurable resin composition and industrial availability of the raw material monomer. 1,4′-diyl is preferred, 2-methylethylene and 2-phenylethane-1,4′-diyl are more preferred, and 2-methylethylene is most preferred.

上記一般式(5)において、R7は炭素原子数2〜8の2価の脂肪族炭化水素基を表わす。炭素原子数2〜8の2価の脂肪族炭化水素基としては、上記一般式(4)のR6の説明で例示した2価の脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
8及びR9は炭素原子数1〜4のアルキル基を表わす。炭素原子数1〜4のアルキル基としては、上記一般式(1)のR3の説明で例示したアルキル基等が挙げられる。
8及びR9としては、加水分解反応が容易であることから、メチル及びエチルが好ましく、メチルが更に好ましい。
eは2又は3の数を表わし、硬化後の線膨張係数が小さいため、3の数が好ましい。cは1分子あたりの上記一般式(4)で表わされる基を数である1〜5の数を表わし、dは1分子あたりの上記一般式(5)で表わされる基を数である1〜5の数を表わす。但し、c+dは3〜6の数である。
c+dとしては、原料の工業的な入手の容易さから、3〜5の数が好ましく、3〜4の数が更に好ましく、4の数が最も好ましい。
In the general formula (5), R 7 represents a divalent aliphatic hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms. Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms include the divalent aliphatic hydrocarbon groups exemplified in the description of R 6 in the general formula (4).
R 8 and R 9 represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include the alkyl groups exemplified in the description of R 3 in the general formula (1).
R 8 and R 9 are preferably methyl and ethyl, and more preferably methyl, because the hydrolysis reaction is easy.
e represents a number of 2 or 3, and since the linear expansion coefficient after curing is small, a number of 3 is preferable. c represents the number of 1 to 5 which is the number of groups represented by the above general formula (4) per molecule, and d is the number of the group represented by the above general formula (5) per molecule. Represents the number 5. However, c + d is a number of 3-6.
As c + d, the number of 3-5 is preferable, the number of 3-4 is more preferable, and the number of 4 is the most preferable from the industrial availability of a raw material.

上記一般式(3)で表わされる環状シロキサン化合物は、下記一般式(3a)で表わされる化合物のSiH基に、下記一般式(4a)で表わされる化合物及び下記一般式(5a)で表わされる化合物の不飽和基をヒドロシリル化反応させることにより得ることができる。   The cyclic siloxane compound represented by the general formula (3) includes a compound represented by the following general formula (4a) and a compound represented by the following general formula (5a) on the SiH group of the compound represented by the following general formula (3a). Can be obtained by a hydrosilylation reaction.

Figure 2012247637
(式中、R5、c及びdは上記一般式(3)と同義である。)
Figure 2012247637
(In the formula, R 5 , c and d have the same meaning as in the general formula (3).)

Figure 2012247637
(式中、R10はSiH基の水素原子と反応してR6となる不飽和基を表わす。)
Figure 2012247637
(In the formula, R 10 represents an unsaturated group that reacts with a hydrogen atom of the SiH group to become R 6. )

Figure 2012247637
(式中、R11はSiH基の水素原子と反応してR7となる不飽和基を表わし、R8、R9及びeは上記一般式(5)と同義である。)
Figure 2012247637
(In the formula, R 11 represents an unsaturated group that reacts with a hydrogen atom of the SiH group to become R 7, and R 8 , R 9, and e have the same meaning as in the general formula (5).)

上記一般式(3a)において、R5、c及びdは上記一般式(3)と同義である。上記一般式(3a)で表わされる環状シロキサン化合物のうち好ましい化合物としては、例えば、2,4,6−トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8−テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8,10−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、及び2,4,6,8,10,12−ヘキサメチルシクロヘキサシロキサン等が挙げられる。 In the general formula (3a), R 5 , c and d have the same meaning as in the general formula (3). Preferred examples of the cyclic siloxane compound represented by the general formula (3a) include 2,4,6-trimethylcyclotrisiloxane, 2,4,6,8-tetramethylcyclotetrasiloxane, 2,4, 6,8-tetraethylcyclotetrasiloxane, 2,4,6,8-tetraphenylcyclotetrasiloxane, 2,4,6,8,10-pentamethylcyclopentasiloxane, and 2,4,6,8,10, Examples thereof include 12-hexamethylcyclohexasiloxane.

上記一般式(4a)において、R10はSiH基の水素原子と反応してR6となる不飽和基を表わす。上記一般式(5a)で表わされる化合物のうち好ましい化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、3−メチル−3−ブテン酸、4−ペンテン酸、5−ヘキセン酸、6−ヘプテン酸、7−オクテン酸、2−ビニルシクロヘキサンカルボン酸、3−ビニルシクロヘキサンカルボン酸、4−ビニルシクロヘキサンカルボン酸、2−ビニル安息香酸、3−ビニル安息香酸、及び4−ビニル安息香酸等が挙げられる。 In the general formula (4a), R 10 represents an unsaturated group that reacts with a hydrogen atom of a SiH group to become R 6 . Preferred examples of the compound represented by the general formula (5a) include acrylic acid, methacrylic acid, 3-methyl-3-butenoic acid, 4-pentenoic acid, 5-hexenoic acid, 6-heptenoic acid, 7 -Octenoic acid, 2-vinylcyclohexanecarboxylic acid, 3-vinylcyclohexanecarboxylic acid, 4-vinylcyclohexanecarboxylic acid, 2-vinylbenzoic acid, 3-vinylbenzoic acid, 4-vinylbenzoic acid and the like.

上記一般式(5a)において、R11はSiH基の水素原子と反応してR7となる不飽和基を表わし、R8、R9及びeは上記一般式(5)と同義である。上記一般式(5a)で表わされる不飽和シラン化合物のうち好ましい化合物としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、及びアリルトリエトキシシラン等が挙げられる。 In the general formula (5a), R 11 represents an unsaturated group that reacts with a hydrogen atom of the SiH group to become R 7, and R 8 , R 9, and e have the same meaning as in the general formula (5). Preferred examples of the unsaturated silane compound represented by the general formula (5a) include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, and allyltriethoxysilane.

本発明の重合性シロキサン化合物の反応では、上記一般式(1)で表わされる不飽和シラン化合物の反応比が、あまりに少ない場合には硬化が不十分となり、あまりに多い場合には耐クラック性が低下することから、上記一般式(1)で表わされる不飽和シラン化合物の反応比は、10〜90モル%であることが好ましく、20〜75モル%であることが更に好ましく、25〜65モル%であることが最も好ましい。   In the reaction of the polymerizable siloxane compound of the present invention, when the reaction ratio of the unsaturated silane compound represented by the general formula (1) is too small, curing is insufficient, and when it is too large, crack resistance is reduced. Therefore, the reaction ratio of the unsaturated silane compound represented by the general formula (1) is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 20 to 75 mol%, and more preferably 25 to 65 mol%. Most preferably.

本発明の重合性シロキサン化合物の反応では、上記一般式(2)で表わされるシラン化合物の反応比が、あまりに少ない場合には硬化が不十分となり、あまりに多い場合には耐クラック性が低下することから、上記一般式(2)で表わされるシラン化合物の反応比は、5〜80モル%であることが好ましく、10〜70モル%であることが更に好ましく、15〜60モル%であることが最も好ましい。   In the reaction of the polymerizable siloxane compound of the present invention, when the reaction ratio of the silane compound represented by the general formula (2) is too small, curing is insufficient, and when it is too large, crack resistance is reduced. Therefore, the reaction ratio of the silane compound represented by the general formula (2) is preferably 5 to 80 mol%, more preferably 10 to 70 mol%, and 15 to 60 mol%. Most preferred.

本発明の重合性シロキサン化合物の反応では、上記一般式(3)で表わされる環状シロキサン化合物の反応比が、あまりに少ない場合にはアルカリ現像性が不十分となり、あまりに多い場合には現像時の膜減りが大きくなることから、上記一般式(3)で表わされる環状シロキサン化合物の反応比は、5〜80モル%であることが好ましく、10〜75モル%であることが更に好ましく、15〜70モル%であることが最も好ましい。   In the reaction of the polymerizable siloxane compound of the present invention, if the reaction ratio of the cyclic siloxane compound represented by the general formula (3) is too small, the alkali developability becomes insufficient, and if it is too large, the film at the time of development is insufficient. Since the reduction increases, the reaction ratio of the cyclic siloxane compound represented by the general formula (3) is preferably 5 to 80 mol%, more preferably 10 to 75 mol%, and more preferably 15 to 70. Most preferably, it is mol%.

以上、光硬化性樹脂組成物に使用される重合性化合物について説明したが、これらの重合性化合物の中では、コア部形成には耐熱性が要求されることから、重合性シロキサン化合物が好ましい。
上記重合性化合物として重合性シロキサン化合物を使用する場合は、硬化物の機械的強度が向上することから、単官能アクリル化合物又は多官能アクリル化合物を併用することが好ましく、多官能アクリル化合物がより好ましい。
その含有量は、重合性シロキサン化合物100質量部に対して、単官能アクリル化合物又は多官能アクリル化合物が5〜250質量部であることが好ましく、10〜200質量部であることがより好ましく、20〜150質量部であることが更に好ましい。
As mentioned above, although the polymerizable compound used for a photocurable resin composition was demonstrated, since heat resistance is requested | required for core part formation in these polymerizable compounds, a polymerizable siloxane compound is preferable.
When a polymerizable siloxane compound is used as the polymerizable compound, it is preferable to use a monofunctional acrylic compound or a polyfunctional acrylic compound, more preferably a polyfunctional acrylic compound, because the mechanical strength of the cured product is improved. .
The content of the monofunctional acrylic compound or polyfunctional acrylic compound is preferably 5 to 250 parts by mass, more preferably 10 to 200 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the polymerizable siloxane compound. More preferably, it is -150 mass parts.

更に、上記重合性化合物として重合性シロキサン化合物を使用する場合は、基板との密着性が向上することから、多官能エポキシ化合物を併用することが好ましい。   Furthermore, when a polymerizable siloxane compound is used as the polymerizable compound, it is preferable to use a polyfunctional epoxy compound in combination because adhesion to the substrate is improved.

上記多官能エポキシ化合物は、中心構造にケイ素構造を含まない多官能エポキシ化合物であり、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、1,8−オクタンジオールジグリシジルエーテル、1,10−デカンジオールジグリシジルエーテル、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリエチレングリコールジグリシジルエーテル、テトラエチレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサエチレングリコールジグリシジルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、1,1,1−トリ(グリシジルオキシメチル)プロパン、1,1,1−トリ(グリシジルオキシメチル)エタン、1,1,1−トリ(グリシジルオキシメチル)メタン、1,1,1,1−テトラ(グリシジルオキシメチル)メタンの脂肪族エポキシ化合物;ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールAノボラック型エポキシ化合物等の芳香族エポキシ樹脂;3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、1−エポキシエチル−3,4−エポキシシクロヘキサン等の脂環族エポキシ化合物;フタル酸ジグリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のグリシジルエステル類;テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジルP−アミノフェノール、N,N−ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン類;1,3−ジグリシジル−5,5−ジメチルヒダントイン、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物;ジシクロペンタジエンジオキシド等のジオキシド化合物;ナフタレン型エポキシ化合物、トリフェニルメタン型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物等が挙げられる。
これらの多官能エポキシ化合物の中でも、基板との密着性が一層向上することから、芳香族エポキシ樹脂が好ましい。
The polyfunctional epoxy compound is a polyfunctional epoxy compound that does not contain a silicon structure in the central structure. For example, ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6- Hexanediol diglycidyl ether, 1,8-octanediol diglycidyl ether, 1,10-decanediol diglycidyl ether, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, triethylene glycol Diglycidyl ether, tetraethylene glycol diglycidyl ether, hexaethylene glycol diglycidyl ether, 1,4-cyclohexanedimethanol diglycidyl ether, 1,1,1 Tri (glycidyloxymethyl) propane, 1,1,1-tri (glycidyloxymethyl) ethane, 1,1,1-tri (glycidyloxymethyl) methane, 1,1,1,1-tetra (glycidyloxymethyl) Aliphatic epoxy compounds of methane; aromatic epoxy resins such as bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, phenol novolac type epoxy compounds, biphenyl novolac type epoxy compounds, cresol novolac type epoxy compounds, bisphenol A novolak type epoxy compounds; 3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexanecarboxylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate And alicyclic epoxy compounds such as 1-epoxyethyl-3,4-epoxycyclohexane; glycidyl esters such as diglycidyl phthalate, diglycidyl tetrahydrophthalate and glycidyl dimer; tetraglycidyl diaminodiphenylmethane, tri Glycidylamines such as glycidyl P-aminophenol and N, N-diglycidylaniline; heterocyclic epoxy compounds such as 1,3-diglycidyl-5,5-dimethylhydantoin and triglycidyl isocyanurate; dicyclopentadiene dioxide and the like A diphthalene type epoxy compound, a triphenylmethane type epoxy compound, a dicyclopentadiene type epoxy compound, and the like.
Among these polyfunctional epoxy compounds, an aromatic epoxy resin is preferable because adhesion to the substrate is further improved.

上記多官能エポキシ化合物の含有量は、上記重合性シロキサン化合物100質量部に対して、1〜50質量部であることが好ましく、1〜30質量部であることがより好ましく、5〜30質量部であることが更に好ましい。   The content of the polyfunctional epoxy compound is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 1 to 30 parts by mass, and 5 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable siloxane compound. More preferably.

次に、光ラジカル開始剤について説明する。本発明において光ラジカル開始剤とは、活性エネルギー線照射によりラジカル重合の重合反応を開始させることが可能な化合物をいい、活性エネルギー線としては、紫外線、電子線、X線、放射線、高周波等が挙げられる。光ラジカル発生剤としては、アセトフェノン系化合物、ジケトン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物等のケトン系化合物が好ましい。   Next, the photo radical initiator will be described. In the present invention, the photo radical initiator means a compound capable of initiating a polymerization reaction of radical polymerization by irradiation with active energy rays, and the active energy rays include ultraviolet rays, electron beams, X-rays, radiation, high frequencies, and the like. Can be mentioned. As the photoradical generator, ketone compounds such as acetophenone compounds, diketone compounds, benzophenone compounds, and thioxanthone compounds are preferable.

上記光ラジカル開始剤の含有量は、重合性化合物100質量部に対して、1〜15質量部であることが好ましく、1〜10質量部であることがより好ましく、2〜7質量部であることが更に好ましい。   The content of the photo radical initiator is preferably 1 to 15 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, and 2 to 7 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable compound. More preferably.

上記光硬化性樹脂組成物層は、このほか、必要に応じて、光増感剤、可塑剤、チクソ性付与剤、光酸発生剤、熱酸発生剤、分散剤、消泡剤、顔料、染料等を配合することができる。   In addition to the above, the photocurable resin composition layer, if necessary, a photosensitizer, a plasticizer, a thixotropic agent, a photoacid generator, a thermal acid generator, a dispersant, an antifoaming agent, a pigment, Dye etc. can be mix | blended.

<(II)工程>
本工程では、コア部8を形成するために、フォトマスク6を使用して、上記(I)工程で形成した光硬化性樹脂組成物層4に露光する。
具体的には、図1(c)に示すように、フォトマスク6を通して、光硬化性樹脂組成物層4に、活性エネルギー線5を照射する(露光する)ことにより、光硬化性樹脂組成物層4は、図1(d)に示すようにコア部8となる部分のみが硬化する。このような露光工程を通じて、コア部8が形成される。
<Process (II)>
In this step, the photocurable resin composition layer 4 formed in the step (I) is exposed using the photomask 6 to form the core portion 8.
Specifically, as shown in FIG. 1C, the photocurable resin composition layer 4 is irradiated (exposed) with the active energy ray 5 through the photomask 6, thereby exposing the photocurable resin composition. As for the layer 4, only the part used as the core part 8 is hardened | cured as shown in FIG.1 (d). Through such an exposure process, the core portion 8 is formed.

本工程においては、活性エネルギー線5を照射することにより光硬化性樹脂組成物層4が硬化するが、硬化物の層と基板2との密着性を向上させるために加熱処理をしてもよい。このような加熱処理は、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下に、100〜260℃の温度で15分〜2時間行うことが好ましい。   In this step, the photocurable resin composition layer 4 is cured by irradiating the active energy ray 5, but heat treatment may be performed to improve the adhesion between the cured product layer and the substrate 2. . Such heat treatment is preferably performed at a temperature of 100 to 260 ° C. for 15 minutes to 2 hours in an inert gas atmosphere such as nitrogen, helium, or argon.

活性エネルギー線5を照射する光源としては、超高圧水銀灯、DeepUVランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマレーザー、蛍光灯、発光ダイオード、タングステンランプ、キセノンランプ、カーボンアーク灯、半導体レーザー等が挙げられ、これらの光源は、使用される光ラジカル開始剤の感光波長に応じて適宜選択される。
活性エネルギー線5の照射エネルギーは、光硬化性樹脂組成物層4及び水溶性非光硬化性樹脂組成物層3の厚さや光ラジカル開始剤の種類や使用量により適宜選択される。
As the light source for irradiating the active energy ray 5, ultra high pressure mercury lamp, deep UV lamp, high pressure mercury lamp, low pressure mercury lamp, metal halide lamp, excimer laser, fluorescent lamp, light emitting diode, tungsten lamp, xenon lamp, carbon arc lamp, semiconductor laser, etc. These light sources are appropriately selected according to the photosensitive wavelength of the photo radical initiator used.
The irradiation energy of the active energy ray 5 is appropriately selected depending on the thickness of the photocurable resin composition layer 4 and the water-soluble non-photocurable resin composition layer 3, the type and amount of the photoradical initiator.

<(III)工程>
本工程では、図1(e)に示すように、光硬化性樹脂組成物層4の未露光部分7及び水溶性非光硬化性樹脂組成物層3をアルカリ現像液で除去して、光導波路のコア部8を残す。
<Process (III)>
In this step, as shown in FIG. 1 (e), the unexposed portion 7 and the water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 of the photocurable resin composition layer 4 are removed with an alkali developer to obtain an optical waveguide. The core part 8 is left.

上記アルカリ現像液としては、特に限定されないが、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ類;エチルアミン、n−プロピルアミン等の1級アミン類;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の2級アミン類;トリメチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエチルアミン等の3級アミン類;ジメチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の3級アルカノールアミン類;ピロール、ピペリジン、N−メチルピペリジン、N−メチルピロリジン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン等の環状3級アミン類;ピリジン、コリジン、ルチジン、キノリン等の芳香族3級アミン類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩の水溶液等のアルカリ類の水溶液を用いることができ、その濃度は、従来のネガ型光硬化性樹脂組成物層の除去に用いられる現像液のアルカリ濃度でよい。これらアルカリ類の水溶液は、更に、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒及び/又は界面活性剤を適当量含有してもよい。   The alkali developer is not particularly limited, and examples thereof include inorganic alkalis such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium carbonate, sodium carbonate, sodium silicate, and ammonia; primary amines such as ethylamine and n-propylamine. Secondary amines such as diethylamine and di-n-propylamine; tertiary amines such as trimethylamine, methyldiethylamine, dimethylethylamine and triethylamine; tertiary alkanolamines such as dimethylethanolamine, methyldiethanolamine and triethanolamine Pyrrole, piperidine, N-methylpiperidine, N-methylpyrrolidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, etc. Cyclic tertiary amines; An aqueous solution of an alkali such as an aromatic tertiary amine such as chloroquine, collidine, lutidine and quinoline; an aqueous solution of a quaternary ammonium salt such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide can be used. The alkali concentration of the developing solution used for the removal of the conventional negative type photocurable resin composition layer may be sufficient. These alkaline aqueous solutions may further contain an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol and ethanol and / or a surfactant.

上記アルカリ現像液との接触方法としては、例えば、液盛り法、浸漬法、シャワー法、スプレー法等の何れの方法も利用することができ、接触時間は、使用する光硬化性樹脂組成物の分子量、現像液の温度等によって異なるが、通常30〜180秒間である。アルカリ溶解性の向上した部分をアルカリ現像液で除去した後、流水又はシャワーにより水でリンスすることが好ましく、必要により50〜120℃の範囲で、脱水乾燥させてもよい。   As the contact method with the alkali developer, for example, any method such as a liquid piling method, a dipping method, a shower method, or a spray method can be used, and the contact time is determined by the photocurable resin composition to be used. Although it varies depending on the molecular weight, the temperature of the developer, etc., it is usually 30 to 180 seconds. After removing the portion having improved alkali solubility with an alkaline developer, it is preferably rinsed with running water or shower, and may be dehydrated and dried in the range of 50 to 120 ° C. if necessary.

本発明に係る(III)工程の後に、コア部8と基板2等の対象物との密着性を向上させるために加熱処理をしてもよい。このような加熱処理は、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下に、100〜260℃の温度で15分〜2時間行うことが好ましい。   After the step (III) according to the present invention, heat treatment may be performed to improve the adhesion between the core portion 8 and the object such as the substrate 2. Such heat treatment is preferably performed at a temperature of 100 to 260 ° C. for 15 minutes to 2 hours in an inert gas atmosphere such as nitrogen, helium, or argon.

本発明に係る(III)工程の後、上記加熱処理を行う場合はその後に、図1(f)に示すように、コア部8を埋め込むように、下部クラッド形成用に使用した光硬化性樹脂組成物で覆い、常法により硬化させて上部クラッド9を形成することにより、光損失の少ない光導波路が作製できる。   After the step (III) according to the present invention, when the above heat treatment is performed, the photocurable resin used for forming the lower clad so as to embed the core portion 8 as shown in FIG. An optical waveguide with little optical loss can be produced by covering with a composition and curing by a conventional method to form the upper clad 9.

光硬化性樹脂組成物を用いた上部クラッド9の形成は、下部クラッド1の形成と同様に、光硬化性樹脂組成物を塗布した後、常法により硬化させてもよいし、図3に示す光硬化性樹脂組成物層4を保護フィルム11と支持フィルム10でラミネートしたドライフィルムレジスト13を使用してもよい。   In the formation of the upper clad 9 using the photocurable resin composition, as with the formation of the lower clad 1, the photocurable resin composition may be applied and then cured by a conventional method, as shown in FIG. You may use the dry film resist 13 which laminated the photocurable resin composition layer 4 with the protective film 11 and the support film 10. FIG.

ドライフィルムレジスト13を用いる場合には、ドライフィルムレジスト13の保護フィルム11を剥離し、光硬化性樹脂組成物層4の面をコア部8が形成された面に貼り合わせた後、常法により硬化すればよい。   When the dry film resist 13 is used, the protective film 11 of the dry film resist 13 is peeled off, and the surface of the photocurable resin composition layer 4 is bonded to the surface on which the core portion 8 is formed. It only has to be cured.

以上説明した本発明の光導波路の製造方法により得られる光導波路は、光導波路デバイス、光集積回路、光配線基板等の光デバイス、特に、面発光レーザーを光源とする光デバイスに好適に利用できる。   The optical waveguide obtained by the optical waveguide manufacturing method of the present invention described above can be suitably used for optical devices such as optical waveguide devices, optical integrated circuits, and optical wiring boards, in particular, optical devices using a surface emitting laser as a light source. .

また、本発明の光導波路の製造方法により得られる光導波路は、光硬化性樹脂組成物層4に使用している樹脂が、透明性、絶縁性、耐熱性、耐薬品性等に優れることから、光硬化性樹脂組成物層4を層間絶縁膜とする、液晶表示装置、有機EL表示装置等に用いられるアクティブマトリクス基板、中でも、多結晶シリコン薄膜を活性層とするTFTを有するアクティブマトリクス基板として極めて有用である。   Further, in the optical waveguide obtained by the method for manufacturing an optical waveguide of the present invention, the resin used for the photocurable resin composition layer 4 is excellent in transparency, insulation, heat resistance, chemical resistance, and the like. As an active matrix substrate having a photocurable resin composition layer 4 as an interlayer insulating film and used in a liquid crystal display device, an organic EL display device, etc., among others, an active matrix substrate having a TFT having a polycrystalline silicon thin film as an active layer Very useful.

この他、本発明の光導波路の製造方法により得られる光導波路は、光硬化性樹脂組成物層4を、ウエハコート材料(表面保護膜、バンプ保護膜、MCM(multi-chip module)層間保護膜、ジャンクションコート)、又はパッケージ材(封止材、ダイボンディング材)とする、半導体素子、多層配線板等としても有用である。半導体素子としては、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体素子、DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー)、SRAM(スタティック・ランダム・アクセス・メモリー)、EPROM(イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー)、マスクROM(マスク・リード・オンリー・メモリー)、EEPROM(エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー)、フラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサー、DSP、ASIC等の理論回路素子、MMIC(モノリシック・マイクロウェーブ集積回路)に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路(ハイブリッドIC)、発光ダイオード、電荷結合素子等の光電変換素子等が挙げられる。また、多層配線板としては、MCM等の高密度配線板等が挙げられる。   In addition, the optical waveguide obtained by the method of manufacturing an optical waveguide of the present invention includes a photocurable resin composition layer 4 and a wafer coating material (surface protective film, bump protective film, MCM (multi-chip module) interlayer protective film). , Junction coating) or a package material (sealing material, die bonding material), which is also useful as a semiconductor element, a multilayer wiring board, or the like. As semiconductor elements, individual semiconductor elements such as diodes, transistors, compound semiconductors, thermistors, varistors, thyristors, DRAM (dynamic random access memory), SRAM (static random access memory), EPROM (erasable programmable)・ Read-only memory (ROM), mask ROM (mask read-only memory), EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory), storage elements such as flash memory, microprocessors, DSP, ASIC, etc. Theoretical circuit elements, integrated circuit elements such as compound semiconductors represented by MMIC (monolithic microwave integrated circuit), hybrid integrated circuits (hybrid IC), light emitting diodes Such a photoelectric conversion element such as a charge coupled device and the like. Examples of the multilayer wiring board include a high-density wiring board such as MCM.

次に、本発明のドライフィルムレジストについて図2を用いて説明する。   Next, the dry film resist of the present invention will be described with reference to FIG.

図2に示すように、本発明のドライフィルムレジスト12は、支持フィルム10上に、水溶性非光硬化性樹脂組成物層3、光硬化性樹脂組成物層4がこの順で形成されており、必要に応じ、光硬化性樹脂組成物層4の上に保護フィルム11が形成される。   As shown in FIG. 2, in the dry film resist 12 of the present invention, a water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 and a photocurable resin composition layer 4 are formed on a support film 10 in this order. The protective film 11 is formed on the photocurable resin composition layer 4 as necessary.

本発明のドライフィルムレジスト12を構成する水溶性非光硬化性樹脂組成物層3及び光硬化性樹脂組成物層4としては前述の光導波路の製造方法で説明した各層の構成の好ましい条件がそのまま適用される。   As the water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 and the photocurable resin composition layer 4 constituting the dry film resist 12 of the present invention, preferred conditions of the respective layers described in the method for producing an optical waveguide are the same. Applied.

支持フィルム10としては、例えば、PETフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等を用いることができるが、支持フィルム10としての熱的特性及び機械的特性に優れることから、PETフィルムが好ましい。支持フィルム10の膜厚は、通常1〜5μmの範囲内であり、光導波路のクラッドやコア部の形成が容易であることから、10〜100μmの範囲内が好ましい。   As the support film 10, for example, a PET film, a polyethylene film, a polypropylene film, and the like can be used, but a PET film is preferable because of excellent thermal characteristics and mechanical characteristics as the support film 10. The film thickness of the support film 10 is usually in the range of 1 to 5 μm, and it is preferable to be in the range of 10 to 100 μm because it is easy to form the clad and core portion of the optical waveguide.

必要に応じ形成される保護フィルム11としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下、PETと略す)フィルム、ポリエチレンフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム等を用いることができるが、安価であり、表面の滑り性に優れることから、ポリエチレンフィルムが好ましい。保護フィルム11の膜厚は、通常1〜500μmの範囲内であり、剥離が容易であることから、5〜100μmの範囲内が好ましい。   As the protective film 11 formed as necessary, for example, a polyethylene terephthalate (hereinafter abbreviated as PET) film, a polyethylene film, an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film, or the like can be used, but it is inexpensive. A polyethylene film is preferable because of excellent surface slipperiness. The film thickness of the protective film 11 is usually in the range of 1 to 500 μm, and is preferably in the range of 5 to 100 μm because peeling is easy.

次に、本発明のドライフィルムレジストの好ましい製造方法の一例について説明する。
先ず、図2に示すように、支持フィルム10上に所望の厚さの水溶性非光硬化性樹脂組成物層3、及び光硬化性樹脂組成物層4をこの順で形成する。
Next, an example of the preferable manufacturing method of the dry film resist of this invention is demonstrated.
First, as shown in FIG. 2, a water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 and a photocurable resin composition layer 4 having a desired thickness are formed on the support film 10 in this order.

支持フィルム10上に水溶性非光硬化性樹脂組成物層3を形成する方法及び水溶性非光硬化性樹脂組成物層3上に光硬化性樹脂組成物層4を形成する方法は上述した光導波路を製造する方法と同様の方法で行えば良く、好ましい溶剤や膜厚もそれらと同じである。   The method for forming the water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 on the support film 10 and the method for forming the photocurable resin composition layer 4 on the water-soluble non-photocurable resin composition layer 3 are the above-mentioned optical The method may be the same as the method for manufacturing the waveguide, and preferred solvents and film thicknesses are also the same.

支持フィルム10上に上記の2層を形成した後、プリベークして、層中の溶剤を除去し、光硬化性樹脂組成物層4上に保護フィルム11を形成してドライフィルムレジスト12が作製される。   After the above two layers are formed on the support film 10, pre-baking is performed to remove the solvent in the layers, and a protective film 11 is formed on the photocurable resin composition layer 4 to produce a dry film resist 12. The

光硬化性樹脂組成物層4上に保護フィルム11を形成させる方法は特に限定されないが、例えば、塗工機を使用し貼り付ければよい。   Although the method to form the protective film 11 on the photocurable resin composition layer 4 is not specifically limited, For example, what is necessary is just to stick using a coating machine.

本発明のドライフィルムレジスト12を使用する場合は、ドライフィルムレジスト12から保護フィルム11を剥がした後、対象物に熱圧着して、対象物に貼り付け、必要に応じて支持フィルム10を剥がした後、上記の条件で露光、現像等を行えばよい。   When using the dry film resist 12 of this invention, after peeling off the protective film 11 from the dry film resist 12, it thermocompression-bonded to the target object, affixed on the target object, and the support film 10 was peeled off as needed. Thereafter, exposure, development, and the like may be performed under the above conditions.

以上説明した本発明のドライフィルムレジストは、光導波路、特に光導波路のコア部の形成に好適であり、上記水溶性非光硬化性樹脂組成物層に使用される水溶性非光硬化性樹脂が、ポリビニルアルコール又はポリビニルピロリドンであり、上記光硬化性樹脂組成物層に使用される重合性化合物が、上記一般式(1)で表わされる不飽和シラン化合物、上記一般式(2)で表わされるシラン化合物及び上記一般式(3)で表わされる環状シロキサン化合物を加水分解縮合反応して得られる重合性シロキサン化合物であるドライフィルムレジストは、耐熱性等に優れるため、光導波路のコア部の形成に特に好適である   The dry film resist of the present invention described above is suitable for forming an optical waveguide, particularly a core portion of the optical waveguide. The water-soluble non-photocurable resin used for the water-soluble non-photocurable resin composition layer is the above-described dry film resist. , Polyvinyl alcohol or polyvinylpyrrolidone, and the polymerizable compound used in the photocurable resin composition layer is an unsaturated silane compound represented by the general formula (1) and a silane represented by the general formula (2). The dry film resist, which is a polymerizable siloxane compound obtained by hydrolytic condensation reaction of the compound and the cyclic siloxane compound represented by the general formula (3), is excellent in heat resistance and the like. Is preferred

以下に実施例及び比較例を挙げ、本発明を更に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、実施例中の「部」や「%」は質量基準によるものである。   EXAMPLES The present invention will be further described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these. In the examples, “parts” and “%” are based on mass.

○ コア部形成用光硬化性樹脂組成物の製造
〔製造例1−1:本発明の重合性シロキサン化合物A−1の製造〕
<ステップ1:環状シロキサン化合物a−1の製造>
撹拌器、温度計及び還流器を有する反応容器に、溶媒としてトルエン300g、上記一般式(3a)で表わされる化合物として2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン120g(0.5モル)、及び触媒として白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体(Karstedt触媒)0.0001gを仕込んだ。攪拌しながら、60℃で、メタクリル酸t−ブチルエステル213g(1.5モル)を1時間かけ添加して、更に4時間撹拌し熟成させた。次に、上記一般式(5a)で表わされる化合物としてビニルトリメトキシシラン77g(0.52モル)を1時間かけ添加して、更に70℃で5時間撹拌し熟成させた。この反応液から溶媒を60℃で減圧留去させ、環状シロキサン化合物a(上記一般式(4)中のカルボキシル基がt−ブチル基でキャップ(保護)された、上記一般式(3)で表わされる環状シロキサン化合物a−1)を得た。
○ Manufacture of photocurable resin composition for forming core part [Production Example 1-1: Production of polymerizable siloxane compound A-1 of the present invention]
<Step 1: Production of cyclic siloxane compound a-1>
In a reaction vessel having a stirrer, a thermometer and a refluxer, 300 g of toluene as a solvent and 120 g (0.5 mol) of 2,4,6,8-tetramethylcyclotetrasiloxane as a compound represented by the above general formula (3a) , And 0.0001 g of a platinum-divinyltetramethyldisiloxane complex (Karstedt catalyst) was charged as a catalyst. While stirring, 213 g (1.5 mol) of methacrylic acid t-butyl ester was added over 1 hour at 60 ° C., and the mixture was further aged by stirring for 4 hours. Next, 77 g (0.52 mol) of vinyltrimethoxysilane was added as a compound represented by the general formula (5a) over 1 hour, and the mixture was further aged by stirring at 70 ° C. for 5 hours. The solvent was distilled off from this reaction solution under reduced pressure at 60 ° C., and the cyclic siloxane compound a (represented by the above general formula (3) in which the carboxyl group in the above general formula (4) was capped (protected) with a t-butyl group. Cyclic siloxane compound a-1) was obtained.

<ステップ2:本発明の重合性シロキサン化合物A−1の製造>
撹拌器、温度計及び還流器を有する反応容器に、上記一般式(1)で表わされる化合物として3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン122.5g(0.50モル)、上記一般式(3)で表わされる化合物として環状シロキサン化合物a−1の246.7g(0.3モル)、上記一般式(2)で表わされる化合物としてフェニルトリメトキシシラン90g(0.45モル)及びジフェニルジメトキシシラン46.23g(0.2モル)、並びに溶媒としてトルエン100gを仕込み、氷冷しながら5〜10℃で5%シュウ酸水溶液30gを1時間かけて滴下し、更に10℃で15時間撹拌した。
50℃、減圧下で還流脱水・脱アルコール処理し、50℃減圧下で溶媒のトルエンをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAという)へと溶媒交換を行い、25%PGMEA溶液とした。t−ブチル基を脱離するために、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体5gを加えて、80℃で3時間攪拌の後、酸性物質の吸着剤(協和化学工業製、商品名:キョーワード500SH)30gを加え、更に80℃で1時間攪拌した。
得られたスラリー液について、濾過により固形物を除去した後、減圧して濃縮し、本発明の重合性シロキサン化合物A−1の50%PGMEA溶液を得た。得られた本発明の重合性シロキサン化合物A−1の質量平均分子量をGPC分析により求めた。結果を下記〔表1〕に示す。
<Step 2: Production of polymerizable siloxane compound A-1 of the present invention>
In a reaction vessel having a stirrer, a thermometer and a refluxer, 122.5 g (0.50 mol) of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane as a compound represented by the above general formula (1), and the above general formula (3) 246.7 g (0.3 mol) of cyclic siloxane compound a-1 as the compound represented, 90 g (0.45 mol) of phenyltrimethoxysilane and 46.23 g of diphenyldimethoxysilane as the compound represented by the general formula (2) (0.2 mol) and 100 g of toluene as a solvent were added, 30 g of a 5% oxalic acid aqueous solution was added dropwise at 5 to 10 ° C. over 1 hour with ice cooling, and the mixture was further stirred at 10 ° C. for 15 hours.
Reflux dehydration and dealcoholization treatment was performed at 50 ° C. under reduced pressure, and the solvent toluene was changed to propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter referred to as PGMEA) at 50 ° C. under reduced pressure to obtain a 25% PGMEA solution. In order to remove the t-butyl group, 5 g of boron trifluoride diethyl ether complex was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 3 hours, and then an acidic substance adsorbent (trade name: Kyoward 500SH, manufactured by Kyowa Chemical Industry). 30 g was added and further stirred at 80 ° C. for 1 hour.
About the obtained slurry liquid, after removing a solid substance by filtration, it concentrated under reduced pressure and the 50% PGMEA solution of polymeric siloxane compound A-1 of this invention was obtained. The mass average molecular weight of the obtained polymerizable siloxane compound A-1 of the present invention was determined by GPC analysis. The results are shown in [Table 1] below.

〔製造例1−2〜1−4:本発明の重合性シロキサン化合物A−2〜A−4の製造〕
上記一般式(1)〜(3)で表わされる化合物の使用量を下記〔表1〕に示すモル数(〔表1〕中の( )内の数字)に変更した以外は、製造例1−1と同様の操作を行い、本発明の重合性シロキサン化合物A−2〜A−4の50%PGMEA溶液を得た。得られた本発明の重合性シロキサン化合物A−2〜A−4の質量平均分子量をGPC分析により求めた。結果を下記〔表1〕に示す。
尚、下記〔表1〕には、製造例1−1で使用した上記一般式(1)〜(3)で表わされる化合物の使用量、得られた重合性シロキサン化合物の末端構造についても併せて示す。
[Production Examples 1-2 to 1-4: Production of polymerizable siloxane compounds A-2 to A-4 of the present invention]
Production Example 1 except that the amount of the compound represented by the general formulas (1) to (3) was changed to the number of moles shown in the following [Table 1] (number in () in [Table 1]). The same operation as 1 was performed to obtain a 50% PGMEA solution of the polymerizable siloxane compounds A-2 to A-4 of the present invention. The mass average molecular weights of the obtained polymerizable siloxane compounds A-2 to A-4 of the present invention were determined by GPC analysis. The results are shown in [Table 1] below.
In [Table 1] below, the amount of the compound represented by the general formulas (1) to (3) used in Production Example 1-1 and the terminal structure of the resulting polymerizable siloxane compound are also shown. Show.

Figure 2012247637
Figure 2012247637

〔製造例1−5:重合性シロキサン化合物A−5の製造〕
製造例1−1において、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの使用量を122.5g(0.50モル)から56.4g(0.23モル)に減らし、環状シロキサン化合物aの246.7g(0.3モル)の代わりに2−(t−ブトキシカルボニル)プロピルトリメトキシシラン118.8g(0.45モル)を使用し、フェニルトリメトキシシランの使用量を90g(0.45モル)から60g(0.3モル)に減らし、ジフェニルジメトキシシランの使用量を46.2g(0.2モル)から36.5g(0.15モル)に減らした以外は、製造例1−1と同様の操作を行い、重合性シロキサン化合物A−5の50質量%PGMEA溶液を得た。得られた重合性シロキサン化合物A−5のGPC分析による質量平均分子量は3200であった。
[Production Example 1-5: Production of polymerizable siloxane compound A-5]
In Production Example 1-1, the amount of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane used was reduced from 122.5 g (0.50 mol) to 56.4 g (0.23 mol), and 246.7 g of cyclic siloxane compound a ( 2- (t-butoxycarbonyl) propyltrimethoxysilane 118.8 g (0.45 mol) is used instead of 0.3 mol), and the amount of phenyltrimethoxysilane used is 90 g (0.45 mol) to 60 g. (0.3 mol) and the same operation as in Production Example 1-1 except that the amount of diphenyldimethoxysilane used was reduced from 46.2 g (0.2 mol) to 36.5 g (0.15 mol). And a 50 mass% PGMEA solution of polymerizable siloxane compound A-5 was obtained. The obtained polymerizable siloxane compound A-5 had a mass average molecular weight of 3,200 as determined by GPC analysis.

〔製造例1−6:重合性シロキサン化合物A−6の製造〕
特開2008−201881号公報の合成例1−1に準じ、重合性シロキサン化合物A−6の50質量%PGMEA溶液を得た。得られた重合性シロキサン化合物A−6のGPC分析による質量平均分子量は12000であった。
[Production Example 1-6: Production of polymerizable siloxane compound A-6]
A 50 mass% PGMEA solution of polymerizable siloxane compound A-6 was obtained according to Synthesis Example 1-1 of JP-A-2008-201881. The obtained polymerizable siloxane compound A-6 had a mass average molecular weight of 12,000 as determined by GPC analysis.

〔コア部形成用光硬化性樹脂組成物の調製〕
重合性シロキサン化合物としてA−1〜A−6、光ラジカル開始剤として2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパノン−1(B−1)、溶媒としてPEGMEA(C−1)、多官能アクリル化合物としてトリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートのトリ(メタ)アクリレート(D−1)を用いて、下記〔表2〕に示す組成になるように配合した後、ろ過して、光硬化性樹脂組成物X−1〜X−6を調製した。
[Preparation of photocurable resin composition for core formation]
A-1 to A-6 as a polymerizable siloxane compound, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropanone-1 (B-1) as a photo radical initiator, and PEGMEA ( C-1), using tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate (D-1) as a polyfunctional acrylic compound, after blending to have the composition shown in Table 2 below, Filtration was performed to prepare photocurable resin compositions X-1 to X-6.

Figure 2012247637
Figure 2012247637

○ 下部及び上部クラッド形成用光硬化性樹脂組成物Y−1の製造
〔製造例2−1:ケイ素含有重合体Aの製造〕
特開2007−238868号公報の実施例に準拠し、以下の方法で下部及び上部クラッド形成用のケイ素含有重合体Aを得た。
○ Manufacture of photocurable resin composition Y-1 for forming lower and upper clads [Production Example 2-1: Production of silicon-containing polymer A]
In accordance with the examples of JP 2007-238868 A, a silicon-containing polymer A for forming lower and upper clads was obtained by the following method.

反応槽1において、フェニルトリメトキシシラン119.0g(0.6mol)、ジメチルジメトキシシラン48.1g(0.4mol)、触媒として0.032%リン酸水溶液を108.0g混合して、10℃にて2時間の攪拌の後、0.5mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を6.06g加えた。
また、反応槽2において、3,4−エポキシシクロへキシルエチルトリメトキシシランを246.4g(1.00mol)、エタノール108.0gを混合して、0.032%のリン酸水溶液108.0gを反応液の温度が10℃を超えないように注意しながら5分間かけて滴下し、10℃以下で2時間攪拌した。その後、0.5mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を6.06g加えた。
In the reaction vessel 1, 119.0 g (0.6 mol) of phenyltrimethoxysilane, 48.1 g (0.4 mol) of dimethyldimethoxysilane, and 108.0 g of 0.032% phosphoric acid aqueous solution as a catalyst were mixed and heated to 10 ° C. After stirring for 2 hours, 6.06 g of 0.5 mol / L sodium hydroxide aqueous solution was added.
In the reaction vessel 2, 246.4 g (1.00 mol) of 3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane and 108.0 g of ethanol were mixed, and 108.0 g of 0.032% phosphoric acid aqueous solution was mixed. The reaction solution was added dropwise over 5 minutes while being careful not to exceed 10 ° C, and stirred at 10 ° C or lower for 2 hours. Then, 6.06 g of 0.5 mol / L sodium hydroxide aqueous solution was added.

上記の反応槽1に反応槽2中の反応液を添加し、混合した後、トルエンを1200ml、及びエタノールを1200ml加え、外浴を130℃に加熱した。共沸により水を除去しながら、ケイ素含有重合体の重量平均分子量が9000以上となるまで重縮合を行った。オルトギ酸トリエチル1780g(12mol)を添加して130℃まで加温し、130℃到達後、1時間加熱攪拌した。吸着剤を90g加え、100℃で1時間加熱攪拌した。吸着剤をろ過して除去後、60℃、20mmHgにて揮発成分を除去し、トルエン45g、及びメタノール1000gを加えて2層分離した。下層を60℃、3mmHgにて揮発成分を除去し、ケイ素含有重合体Aを得た。
ケイ素含有重合体Aの質量平均分子量は12000、電位差法により測定したエポキシ当量は307であり、1H−NMRによる分析ではシラノール基(Si−OH)は検出されなかった。
The reaction liquid in the reaction tank 2 was added to the reaction tank 1 and mixed, and then 1200 ml of toluene and 1200 ml of ethanol were added, and the outer bath was heated to 130 ° C. While removing water by azeotropic distillation, polycondensation was performed until the weight-average molecular weight of the silicon-containing polymer reached 9000 or more. 1780 g (12 mol) of triethyl orthoformate was added and heated to 130 ° C. After reaching 130 ° C., the mixture was heated and stirred for 1 hour. 90 g of adsorbent was added, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. for 1 hour. After removing the adsorbent by filtration, volatile components were removed at 60 ° C. and 20 mmHg, and 45 g of toluene and 1000 g of methanol were added to separate the two layers. Volatile components were removed from the lower layer at 60 ° C. and 3 mmHg to obtain a silicon-containing polymer A.
The mass average molecular weight of the silicon-containing polymer A was 12000, the epoxy equivalent measured by the potentiometric method was 307, and no silanol group (Si—OH) was detected by analysis by 1 H-NMR.

ケイ素重合体Aに対して、光ラジカル開始剤としてビス−[4−(ビス(4−ブトキシフェニル)スルホニオ)フェニル]スルフィドヘキサフルオロアンチモネート(B−2)、溶剤としてPGMEA(C−1)、多官能エポキシ化合物として2,2−ビス(3,4−エポキシシクロへキシル)プロパン(E−1)及び3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(E−2)を用いて、下記〔表3〕に示す組成になるように配合した後、ろ過して下部及び上部クラッド形成用樹脂組成物を調製した。   For silicon polymer A, bis- [4- (bis (4-butoxyphenyl) sulfonio) phenyl] sulfide hexafluoroantimonate (B-2) as a photo radical initiator, PGMEA (C-1) as a solvent, 2,2-bis (3,4-epoxycyclohexyl) propane (E-1) and 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate (E-2) are used as polyfunctional epoxy compounds. Then, after blending so as to have the composition shown in [Table 3] below, the resin composition for forming lower and upper clads was prepared by filtration.

Figure 2012247637
Figure 2012247637

○ ドライフィルムレジストの作製
以下のドライフィルムレジストの作製は、何れも特開2007−238868号公報に準拠して行った。
Preparation of dry film resist The following dry film resists were prepared according to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-238868.

〔コア部形成用ドライフィルムレジストの作製〕
コア部形成用のドライフィルムレジスト作製を、下記作製例3−1及び比較作製例3−1により行った。尚、支持フィルム(保護フィルム)及び水溶性非光硬化性樹脂組成物は下記のものを使用した。
[Preparation of dry film resist for core formation]
Preparation of a dry film resist for forming a core part was performed according to the following Preparation Example 3-1 and Comparative Preparation Example 3-1. In addition, the following were used for the support film (protective film) and the water-soluble non-photocurable resin composition.

<支持フィルム、保護フィルム>
PET(東洋紡績社製、商品名:TN‐200)
<Support film, protective film>
PET (product name: TN-200, manufactured by Toyobo Co., Ltd.)

<水溶性非光硬化性樹脂組成物>
ポリビニルアルコール(以下PVAと略す、和光純薬工業社製、商品名:ポリビニルアルコール重合度500)
<Water-soluble non-photocurable resin composition>
Polyvinyl alcohol (hereinafter abbreviated as PVA, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name: polyvinyl alcohol polymerization degree 500)

[作製法3−1]
支持フィルムとなるPETフィルム上にアプリケーターを用いて、水溶性非光硬化性樹脂組成物層形成用のポリビニルアルコール(PVA)水溶液を約10μmとなるよう塗膜し、100℃のオーブンで10分間加熱し乾燥させた。
次に、形成した水溶性非光硬化性樹脂組成物層(PVA層)にアプリケーターを用いて、上記〔表2〕記載の光硬化性樹脂組成物X−1〜X−6を乾燥後の厚さが約30μmとなるよう塗膜し、100℃に設定したオーブンで10分間加熱し乾燥させた。オーブンから取り出して空冷後、光硬化性樹脂組成物層の上に保護フィルムとしてPETフィルムを貼り付け、本発明のコア部形成用ドライフィルムレジストを作製した。
尚、光硬化性樹脂組成物X−3を使用して作製法3−1によりドライフィルムレジストを作製した場合、支持フィルム(PETフィルム)上に塗工し乾燥後の樹脂に流動性があり流れてしまうため作製後、保管することが困難であった。
[Production Method 3-1]
Using an applicator on the PET film as the support film, a polyvinyl alcohol (PVA) aqueous solution for forming a water-soluble non-photocurable resin composition layer is coated to a thickness of about 10 μm and heated in an oven at 100 ° C. for 10 minutes. And dried.
Next, the thickness after drying the photocurable resin compositions X-1 to X-6 described in [Table 2] above using the applicator for the water-soluble non-photocurable resin composition layer (PVA layer) formed. The film was coated to a thickness of about 30 μm, and dried by heating in an oven set at 100 ° C. for 10 minutes. After taking out from the oven and air-cooling, a PET film was attached as a protective film on the photocurable resin composition layer to prepare a dry film resist for forming a core part of the present invention.
In addition, when the dry film resist is produced by the production method 3-1 using the photocurable resin composition X-3, the resin after being coated on the support film (PET film) and dried is fluid and flows. Therefore, it was difficult to store after production.

[比較作製法3−1]
支持フィルムとなるPETフィルム上にアプリケーターを用いて、上記〔表2〕記載の光硬化性樹脂組成物X−1〜X−6を乾燥後の厚さが約30μmとなるよう塗膜し、100℃に設定したオーブンで10分間加熱し乾燥させた。オーブンから取り出して空冷後、光硬化性樹脂組成物層の上に保護フィルムとしてPETフィルムを貼り付け、比較のコア部形成用ドライフィルムレジストを作製した。
[Comparative Manufacturing Method 3-1]
Using an applicator on the PET film to be the support film, the photocurable resin compositions X-1 to X-6 described in [Table 2] are coated so that the thickness after drying is about 30 μm. It was dried by heating for 10 minutes in an oven set at ° C. After taking out from the oven and air-cooling, a PET film was attached as a protective film on the photocurable resin composition layer, and a comparative dry film resist for forming a core part was produced.

〔下部クラッド形成用ドライフィルムレジストの作製〕
支持フィルムとなるPETフィルム上にアプリケーターを用いて、光硬化性樹脂組成物Y−1を、乾燥後の厚さが約30μmとなるよう塗膜し、100℃に設定したオーブンで10分間加熱し乾燥させた。オーブンから取り出して空冷後、光硬化性樹脂組成物層上に保護フィルムとしてPETフィルムを貼り付け、下部クラッド形成用ドライフィルムレジストを作製した。
[Production of dry film resist for forming lower clad]
Using an applicator on the PET film to be the support film, the photocurable resin composition Y-1 was coated so that the thickness after drying was about 30 μm, and heated in an oven set at 100 ° C. for 10 minutes. Dried. After taking out from the oven and air-cooling, a PET film was attached as a protective film on the photocurable resin composition layer to prepare a dry film resist for forming a lower clad.

〔上部クラッド形成用ドライフィルムレジストの作製〕
支持フィルムとなるPETフィルム上にアプリケーターを用いて、光硬化性樹脂組成物Y−1を、乾燥後の厚さが約70μmとなるよう塗膜し、100℃に設定したオーブンで10分間加熱し乾燥させた。オーブンから取り出して空冷後、光硬化性樹脂組成物層上に保護フィルムとしてPETフィルムを貼り付け、上部クラッド形成用ドライフィルムレジストを作製した。
[Production of dry film resist for upper clad formation]
Using an applicator on the PET film to be the support film, the photocurable resin composition Y-1 was coated so that the thickness after drying was about 70 μm, and heated in an oven set at 100 ° C. for 10 minutes. Dried. After taking out from the oven and air-cooling, a PET film was attached as a protective film on the photocurable resin composition layer to prepare a dry film resist for forming an upper clad.

○ 光導波路の作製
上記で得られた下部クラッド形成用、上部クラッド形成用及びコア部形成用のドライフィルムレジスト、並びにSiウエハ基板を用いて、下記の手順により、光導波路を作製した。
Production of Optical Waveguide Using the dry film resist for forming the lower clad, the upper clad and the core formed as described above, and the Si wafer substrate, an optical waveguide was produced by the following procedure.

〔下部クラッドの形成〕
下部クラッド形成用ドライフィルムレジストの保護フィルムを剥離し、光硬化性樹脂組成物層の面を、Siウエハ基板上に乗せ、ダイアフラム式真空ラミネーター(ニチゴーモートン社製、型式:V−130)にセットした。温度60℃、真空度1Pa以下で、60秒間減圧した後、温度60℃、圧力0.5MPa、加圧時間60秒の条件でドライフィルムを基板に貼り合わせて下部クラッド材料層を形成した。真空ラミネーター装置から取り出して空冷し、支持フィルムを剥離した後、90℃のオーブンで1分間加熱を行うことで、光硬化性樹脂組成物層からなる下部クラッド材料層の表面を平坦化させた。その後、下部クラッド材料層に超高圧水銀灯により、2000mJ/cm2(波長365nm露光換算)の紫外線を照射し、更に180℃のオーブンで15分間加熱して硬化させることにより、下部クラッドを形成した。
[Formation of lower cladding]
The protective film of the dry clad forming dry film resist is peeled off, the surface of the photocurable resin composition layer is placed on the Si wafer substrate, and set in a diaphragm type vacuum laminator (manufactured by Nichigo Morton, model: V-130). did. After reducing the pressure for 60 seconds at a temperature of 60 ° C. and a degree of vacuum of 1 Pa or less, the dry film was bonded to the substrate under the conditions of a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a pressurization time of 60 seconds to form a lower clad material layer. After taking out from the vacuum laminator device and air-cooling and peeling off the support film, the surface of the lower clad material layer made of the photocurable resin composition layer was flattened by heating in an oven at 90 ° C. for 1 minute. Thereafter, the lower clad material layer was irradiated with 2000 mJ / cm 2 (converted to a wavelength of 365 nm exposure) with an ultra-high pressure mercury lamp, and further heated and cured in an oven at 180 ° C. for 15 minutes to form the lower clad.

〔コア部の形成〕
[作製法4−1:本発明のドライフィルムレジストを使用したコア部の形成、空気下での露光工程]
作製法3−1により作製した、本発明のコア部形成用ドライフィルムレジストの保護フィルムを剥離し、光硬化性樹脂組成物層の面を、上記で得られた下部クラッド上に乗せ、ダイアフラム式真空ラミネーターにセットした。温度60℃、真空度1Pa以下で、60秒間減圧した後、温度60℃、圧力0.6MPa、加圧時間60秒の条件でコア部形成用ドライフィルムレジストを下部クラッドに貼り合わせて、下から順に、基板、下部クラッド、光硬化性樹脂組成物層、水溶性非光硬化性樹脂組成物層、支持フィルムであるコア材料層を形成した。真空ラミネーター装置から取り出して空冷し、支持フィルムを剥離した後、90℃のオーブンで1分間加熱を行うことで、コア材料層の表面を平坦化させた。空冷後、コア材料層に、フォトマスク(マスク幅40μm、マスク間距離100μm)を介して超高圧水銀灯により、2000mJ/cm2(波長365nm露光換算)の紫外線を、空気雰囲気下で照射した。紫外線照射後、現像として0.3wt%−NaOH水溶液で15秒間現像を行い、超純水リンスで60秒間洗浄を行った。この後、後ベーキングとして、180℃のオーブンで30分間加熱し、コア部を形成した。
[Formation of core part]
[Production Method 4-1: Formation of Core Using Dry Film Resist of the Present Invention, Exposure Step under Air]
The protective film of the dry film resist for forming a core part of the present invention produced by the production method 3-1 is peeled off, the surface of the photocurable resin composition layer is placed on the lower clad obtained above, and the diaphragm type Set to vacuum laminator. After reducing the pressure for 60 seconds at a temperature of 60 ° C. and a degree of vacuum of 1 Pa or less, the core film-forming dry film resist was bonded to the lower cladding under the conditions of a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.6 MPa, and a pressurization time of 60 seconds. In this order, a substrate, a lower clad, a photocurable resin composition layer, a water-soluble non-photocurable resin composition layer, and a core material layer as a support film were formed. After taking out from the vacuum laminator apparatus and air-cooling and peeling off the support film, the surface of the core material layer was flattened by heating in an oven at 90 ° C. for 1 minute. After air cooling, the core material layer was irradiated with 2000 mJ / cm 2 (converted to a wavelength of 365 nm exposure) under an air atmosphere with a super high pressure mercury lamp through a photomask (mask width 40 μm, mask-to-mask distance 100 μm). After ultraviolet irradiation, development was performed with 0.3 wt% -NaOH aqueous solution for 15 seconds, and washing was performed with ultrapure water rinse for 60 seconds. Then, as post-baking, it heated for 30 minutes in 180 degreeC oven, and the core part was formed.

[作製法4−2:塗布によるコア部の形成、空気雰囲気下での露光工程]
上記で得られた下部クラッド上にアプリケーターを用いて、上記〔表2〕記載の光硬化性樹脂組成物を乾燥後の厚さが約30μmとなるよう塗膜し、120℃に設定したオーブンで10分間加熱し乾燥させ、光硬化性樹脂組成物層を得た。次に、PVA水溶液を、約10μmとなるよう塗膜し、120℃のオーブンで10分間加熱し乾燥させて、下から順に、基板、下部クラッド、光硬化性樹脂組成物層、水溶性非光硬化性樹脂組成物層となるコア材料層を形成した。コア材料層に、フォトマスク(マスク幅40μm、マスク間距離100μm)を介して超高圧水銀灯により、2000mJ/cm2(波長365nm露光換算)の紫外線を、空気雰囲気下で照射した。紫外線照射後、現像として0.3wt%−NaOH水溶液で15秒間現像を行い、超純水リンスで60秒間洗浄を行った。この後、後ベーキングとして、180℃のオーブンで30分間加熱し、コア部を形成した。
[Production Method 4-2: Formation of Core Part by Application, Exposure Step in Air Atmosphere]
Using an applicator on the lower clad obtained above, the photocurable resin composition described in [Table 2] was coated so that the thickness after drying was about 30 μm, and the oven was set at 120 ° C. Heated for 10 minutes and dried to obtain a photocurable resin composition layer. Next, a PVA aqueous solution was applied to a thickness of about 10 μm, heated in an oven at 120 ° C. for 10 minutes and dried, and in order from the bottom, the substrate, the lower cladding, the photocurable resin composition layer, the water-soluble non-light A core material layer to be a curable resin composition layer was formed. The core material layer was irradiated with ultraviolet rays of 2000 mJ / cm 2 (wavelength 365 nm exposure conversion) in an air atmosphere by a super high pressure mercury lamp through a photomask (mask width 40 μm, mask distance 100 μm). After ultraviolet irradiation, development was performed with 0.3 wt% -NaOH aqueous solution for 15 seconds, and washing was performed with ultrapure water rinse for 60 seconds. Then, as post-baking, it heated for 30 minutes in 180 degreeC oven, and the core part was formed.

[比較作製法4−1:作製法4−1において水溶性非光硬化性樹脂組成物樹脂層を形成しない工程]
上記作製法4−1において、作製法3−1で作製したコア部形成用ドライフィルムレジスト12の代わりに比較作製法3−1の方法で作製したコア部形成用ドライフィルムレジストを使用した以外は作製法4−1と同様の方法で製造し、コア部を形成した。
[Comparative production method 4-1: Step of not forming a water-soluble non-photocurable resin composition resin layer in production method 4-1]
In the production method 4-1, except that the core part forming dry film resist produced by the method of comparative production method 3-1 was used instead of the core part forming dry film resist 12 produced by the production method 3-1. Manufactured in the same manner as in Production method 4-1, and a core part was formed.

[比較作製法4−2:作製法4−1において水溶性非光硬化性樹脂組成物層の代わりに非水溶性非光硬化性樹脂組成物層(PET層)を形成する工程]
比較作製法3−1の方法で作製したコア部形成用ドライフィルムレジストの保護フィルムを剥離し、光硬化性樹脂組成物層の面を、上記で得られた下部クラッド上に乗せ、ダイアフラム式真空ラミネーターにセットした。温度60℃、真空度1Pa以下で、60秒間減圧した後、温度60℃、圧力0.6MPa、加圧時間60秒の条件でコア部形成用ドライフィルムレジストを下部クラッドに貼り合わせて、下から順に、基板、下部クラッド、光硬化性樹脂組成物層、支持フィルムとなるコア材料層を形成した。空冷後、コア材料層に、フォトマスク(マスク幅40μm、マスク間距離100μm)を介して超高圧水銀灯により2000mJ/cm2(波長365nm露光換算)の紫外線を、空気雰囲気下で照射した。紫外線照射後、支持フィルムを剥離し、0.3wt%−NaOH水溶液で15秒間現像を行い、超純水リンスで60秒間洗浄を行った。180℃のオーブンで30分間加熱し、コア部を形成した。
[Comparative production method 4-2: Step of forming a water-insoluble non-photocurable resin composition layer (PET layer) instead of the water-soluble non-photocurable resin composition layer in Production method 4-1]
The protective film of the dry film resist for forming a core part produced by the method of Comparative production method 3-1 is peeled off, the surface of the photocurable resin composition layer is placed on the lower clad obtained above, and a diaphragm type vacuum Set in the laminator. After reducing the pressure for 60 seconds at a temperature of 60 ° C. and a degree of vacuum of 1 Pa or less, the core film-forming dry film resist was bonded to the lower cladding under the conditions of a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.6 MPa, and a pressurization time of 60 seconds. In this order, a substrate, a lower clad, a photocurable resin composition layer, and a core material layer serving as a support film were formed. After air cooling, the core material layer was irradiated with ultraviolet rays of 2000 mJ / cm 2 (wavelength 365 nm exposure conversion) with an ultrahigh pressure mercury lamp through a photomask (mask width 40 μm, distance between masks 100 μm) in an air atmosphere. After the ultraviolet irradiation, the support film was peeled off, developed with a 0.3 wt% -NaOH aqueous solution for 15 seconds, and washed with ultrapure water rinse for 60 seconds. The core portion was formed by heating in an oven at 180 ° C. for 30 minutes.

[比較作製法4−3:作製法4−1において露光を窒素雰囲気下で行う工程]
上記比較作製法4−1において、紫外線照射時は空気雰囲気下ではなく窒素雰囲気下で行った以外は比較作製法4−1と同様の方法で、コア部を形成した。
[Comparative manufacturing method 4-3: Step of performing exposure in a nitrogen atmosphere in manufacturing method 4-1]
In the comparative manufacturing method 4-1, the core portion was formed by the same method as the comparative manufacturing method 4-1, except that the ultraviolet irradiation was performed in a nitrogen atmosphere instead of an air atmosphere.

[比較作製法4−4:作製法4−2において水溶性非光硬化性樹脂組成物樹脂層を形成しない工程]
上記で得られた下部クラッド上にアプリケーターを用いて、上記〔表2〕記載の光硬化性樹脂組成物を乾燥後の厚さが約30μmとなるよう塗膜し、120℃に設定したオーブンで10分間加熱し乾燥させ、光硬化性樹脂組成物層を得て、下から順に、基板、下部クラッド、光硬化性樹脂組成物層となるコア材料層を形成した。コア材料層に、フォトマスク(マスク幅40μm、マスク間距離100μm)を介して超高圧水銀灯により2000mJ/cm2(波長365nm露光換算)の活性エネルギー線を、空気雰囲気下で照射した。紫外線照射後、現像として0.3wt%−NaOH水溶液で15秒間現像を行い、超純水リンスで60秒間洗浄を行った。この後、後ベーキングとして、180℃のオーブンで30分間加熱し、コア部を形成した。
[Comparative production method 4-4: Step of not forming a water-soluble non-photocurable resin composition resin layer in production method 4-2]
Using an applicator on the lower clad obtained above, the photocurable resin composition described in [Table 2] was coated so that the thickness after drying was about 30 μm, and the oven was set at 120 ° C. The mixture was heated for 10 minutes and dried to obtain a photocurable resin composition layer, and a core material layer serving as a substrate, a lower clad, and a photocurable resin composition layer was formed in this order from the bottom. The core material layer was irradiated with an active energy ray of 2000 mJ / cm 2 (converted to a wavelength of 365 nm exposure) with an ultrahigh pressure mercury lamp through a photomask (mask width 40 μm, distance between masks 100 μm) in an air atmosphere. After ultraviolet irradiation, development was performed with 0.3 wt% -NaOH aqueous solution for 15 seconds, and washing was performed with ultrapure water rinse for 60 seconds. Then, as post-baking, it heated for 30 minutes in 180 degreeC oven, and the core part was formed.

〔上部クラッドの形成:光導波路の作製〕
上部クラッド形成用ドライフィルムレジストの保護フィルムを剥離し、光硬化性樹脂組成物層の面を、上記で得られたコア部上に乗せ、ダイアフラム式真空ラミネーターにセットした。温度60℃、真空度1Pa以下で、60秒間減圧した後、温度60℃、圧力0.6MPa、加圧時間60秒の条件でドライフィルムを基板に貼り合わせて、上部クラッド材料層を形成した。真空ラミネーター装置から取り出して空冷し、支持フィルムを剥離した後、90℃のオーブンで1分間加熱を行うことで、光硬化性樹脂組成物からなる上部クラッド材料層の表面を平坦化させた。その後、上部クラッド材料層に超高圧水銀灯により4000mJ/cm2(波長365nm露光換算)の紫外線を照射し、更に180℃のオーブンで15分間加熱して硬化させることにより、上部クラッドを形成することで、下記〔表4〕記載の光導波路を作製した。
[Formation of upper cladding: Fabrication of optical waveguide]
The protective film of the upper clad forming dry film resist was peeled off, and the surface of the photocurable resin composition layer was placed on the core part obtained above and set in a diaphragm type vacuum laminator. After reducing the pressure for 60 seconds at a temperature of 60 ° C. and a vacuum of 1 Pa or less, the dry film was bonded to the substrate under the conditions of a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.6 MPa, and a pressurization time of 60 seconds to form an upper clad material layer. After taking out from the vacuum laminator apparatus and air-cooling and peeling off the support film, the surface of the upper clad material layer made of the photocurable resin composition was flattened by heating in an oven at 90 ° C. for 1 minute. After that, the upper clad material layer is irradiated with ultraviolet rays of 4000 mJ / cm 2 (wavelength 365 nm exposure conversion) with an ultra-high pressure mercury lamp, and further heated and cured in an oven at 180 ° C. for 15 minutes to form the upper clad. The optical waveguides described in [Table 4] below were produced.

〔評価用の光導波路の試験片の作製〕
上記で得られた基板付の光導波路をダイシングして端面出し、光路長5cmの光導波路とした。その後、基板から光導波路を剥離し、光路方向の長さが5cm、幅40μm、厚みが40μmの光導波路の試験片を作製した。
[Production of optical waveguide test piece for evaluation]
The optical waveguide with a substrate obtained above was diced to obtain an end face to obtain an optical waveguide having an optical path length of 5 cm. Thereafter, the optical waveguide was peeled from the substrate, and an optical waveguide test piece having a length in the optical path direction of 5 cm, a width of 40 μm, and a thickness of 40 μm was produced.

〔挿入損失測定方法〕
挿入損失は、JPCA規格の「高分子光導波路の試験方法(JPCA−4PE02−05−1S−2008)」の挿入損失の測定方法に準拠して測定した。なお、駿河精機社製の調芯機を用い、測定用光源としては、0.85μmのASE光源(ファイバーラボ社製、型式:ASE0850−05)を使用した。シングルモードファイバーで試験片の一方の端面(入射端)から光を入射し、試験片の他方の端面(出射端)から出射した光を200PCFファイバーで受光し、ファイバーで受けた光を光検出器(アンリツ社製、型式MU931422A)で計測した。測定の際、入射端、出射端にそれぞれ屈折率整合剤を使用した。
(Insertion loss measurement method)
The insertion loss was measured in accordance with the method for measuring insertion loss of “Test method for polymer optical waveguide (JPCA-4PE02-05-1S-2008)” of the JPCA standard. In addition, an aligning machine manufactured by Suruga Seiki Co., Ltd. was used, and a 0.85 μm ASE light source (manufactured by Fiber Lab, model: ASE0850-05) was used as a measurement light source. Light is incident from one end face (incident end) of the test piece with a single mode fiber, light emitted from the other end face (exit end) of the test piece is received by the 200 PCF fiber, and the light received by the fiber is a photodetector. (Measured by Anritsu, model MU931422A). In the measurement, a refractive index matching agent was used for each of the incident end and the exit end.

Figure 2012247637
Figure 2012247637

以上の結果より、本発明の製造方法により作製した光導波路は、水溶性非光硬化性樹脂組成物を使用したことで酸素による阻害を受けにくく、デザイン通りの形状のパターンが得られるため光損失が少ないことが確認された。また、本発明の製造方法はアルカリ現像工程に悪影響を与えず、不活性ガスを必要とせず、製造工程も簡便であることが分かる。   From the above results, the optical waveguide produced by the production method of the present invention is less susceptible to oxygen inhibition due to the use of the water-soluble non-photocurable resin composition, and the optical loss is obtained because a pattern with the shape as designed is obtained. It was confirmed that there were few. Further, it can be seen that the production method of the present invention does not adversely affect the alkali development process, does not require an inert gas, and the production process is simple.

1 下部クラッド
2 基板
3 水溶性非光硬化性樹脂組成物層
4 光硬化性樹脂組成物層
5 活性エネルギー線
6 フォトマスク
7 未露光部分
8 コア部
9 上部クラッド
10 支持フィルム
11 保護フィルム
12 本発明のドライフィルムレジスト
13 ドライフィルムレジスト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lower clad 2 Board | substrate 3 Water-soluble non-photocurable resin composition layer 4 Photocurable resin composition layer 5 Active energy ray 6 Photomask 7 Unexposed part 8 Core part 9 Upper clad 10 Support film 11 Protective film 12 This invention Dry film resist 13 Dry film resist

Claims (11)

下記(I)〜(III)の工程を含む光導波路の製造方法。
(I)基板上に形成された下部クラッド上に、下から順に、光ラジカル開始剤及び重合性
化合物を含有する光硬化性樹脂組成物層、並びに水溶性非光硬化性樹脂組成物層が形成される工程
(II)コア部を形成するために、フォトマスクを使用して上記光硬化性樹脂組成物層を露光する露光工程
(III)上記光硬化性樹脂組成物層の未露光部分及び上記水溶性非光硬化性樹脂組成物層をアルカリ現像液で除去するアルカリ現像工程
An optical waveguide manufacturing method including the following steps (I) to (III):
(I) A photocurable resin composition layer containing a photoradical initiator and a polymerizable compound, and a water-soluble non-photocurable resin composition layer are formed on the lower clad formed on the substrate in order from the bottom. Step (II) An exposure step (III) of exposing the photocurable resin composition layer using a photomask to form a core part (III) An unexposed portion of the photocurable resin composition layer and the above Alkali development process for removing water-soluble non-photocurable resin composition layer with alkali developer
上記重合性化合物が、単官能アクリル化合物、多官能アクリル化合物及び重合性シロキサン化合物から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1記載の光導波路の製造方法。   The method for producing an optical waveguide according to claim 1, wherein the polymerizable compound is at least one selected from a monofunctional acrylic compound, a polyfunctional acrylic compound, and a polymerizable siloxane compound. 上記重合性シロキサン化合物が、下記一般式(1)で表わされる不飽和シラン化合物、下記一般式(2)で表わされるシラン化合物及び下記一般式(3)で表わされる環状シロキサン化合物を加水分解縮合反応して得られる重合性シロキサン化合物であることを特徴とする請求項2記載の光導波路の製造方法。
Figure 2012247637
(式中、R1は水素原子又はメチル基を表わし、R2は炭素原子数2〜6の2価の飽和炭化水素基を表わし、R3は炭素原子数1〜4のアルキル基を表わし、X1は炭素原子数1〜4のアルコキシ基又は塩素原子を表わし、aは2又は3の数を表わす。)
Figure 2012247637
(式中、R4は同一でも異なってもよい炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表わし、X2は炭素原子数1〜4のアルコキシ基又は塩素原子を表わし、bは1又は2の数を表わす。)
Figure 2012247637
(式中、R5は炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表わし、X3は下記一般式(4)で表わされる基又は下記一般式(5)で表わされる基を表わし、cは1分子あたりの一般式(4)で表わされる基の数である1〜5の数を表わし、dは1分子あたりの一般式(5)で表わされる基の数である1〜5の数を表わす。但し、c+dは3〜6の数である。)
Figure 2012247637
(式中、R6は炭素原子数2〜8の2価の炭化水素基を表わす。)
Figure 2012247637
(式中、R7は炭素原子数2〜8の2価の脂肪族炭化水素基を表わし、R8及びR9は独立して炭素原子数1〜4のアルキル基を表わし、eは2又は3の数を表わす。)
The polymerizable siloxane compound is a hydrolytic condensation reaction of an unsaturated silane compound represented by the following general formula (1), a silane compound represented by the following general formula (2), and a cyclic siloxane compound represented by the following general formula (3). The method for producing an optical waveguide according to claim 2, wherein the polymerizable siloxane compound is obtained as described above.
Figure 2012247637
(Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 2 to 6 carbon atoms, R 3 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X 1 represents an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a chlorine atom, and a represents a number of 2 or 3.)
Figure 2012247637
Wherein R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be the same or different, and X 2 is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a chlorine atom. And b represents a number of 1 or 2.)
Figure 2012247637
(In the formula, R 5 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and X 3 represents a group represented by the following general formula (4) or the following general formula (5). C represents a number of 1 to 5 which is the number of groups represented by the general formula (4) per molecule, and d represents the number of groups represented by the general formula (5) per molecule. Represents a number of 1 to 5 where c + d is a number of 3 to 6.)
Figure 2012247637
(In the formula, R 6 represents a divalent hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms.)
Figure 2012247637
(Wherein R 7 represents a divalent aliphatic hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms, R 8 and R 9 independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and e is 2 or Represents the number 3)
上記光硬化性樹脂組成物が、上記重合性シロキサン化合物100質量部に対して、上記単官能アクリル化合物又は多官能アクリル化合物を5〜250質量部を含有することを特徴とする請求項2又は3に記載の光導波路の製造方法。   The said photocurable resin composition contains 5-250 mass parts of said monofunctional acrylic compounds or polyfunctional acrylic compounds with respect to 100 mass parts of said polymerizable siloxane compounds. The manufacturing method of the optical waveguide as described in 1 .. 上記水溶性非光硬化性樹脂組成物層に使用される水溶性非光硬化性樹脂が、ポリビニルアルコール又はポリビニルピロリドンであることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の光導波路の製造方法。   5. The light according to claim 1, wherein the water-soluble non-photo-curable resin used in the water-soluble non-photo-curable resin composition layer is polyvinyl alcohol or polyvinyl pyrrolidone. A method for manufacturing a waveguide. 支持フィルム上に、水溶性非光硬化性樹脂組成物層、並びに光ラジカル開始剤及び重合性化合物を含有する光硬化性樹脂組成物層がこの順で形成されているドライフィルムレジストを、上記(I)工程における光硬化性樹脂組成物層及び水溶性非光硬化性樹脂組成物層の形成に使用することを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の光導波路の製造方法。   A dry film resist in which a water-soluble non-photocurable resin composition layer and a photocurable resin composition layer containing a photoradical initiator and a polymerizable compound are formed in this order on a support film, It uses for formation of the photocurable resin composition layer in step I), and a water-soluble non-photocurable resin composition layer, The manufacturing method of the optical waveguide of any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. . 上記ドライフィルムレジストは、上記光硬化性樹脂組成物層上に保護フィルムが形成されている請求項6記載の光導波路の製造方法。   The said dry film resist is a manufacturing method of the optical waveguide of Claim 6 by which the protective film is formed on the said photocurable resin composition layer. 支持フィルム上に、水溶性非光硬化性樹脂組成物層、並びに光ラジカル開始剤及び重合性化合物を含有する光硬化性樹脂組成物層がこの順で形成されていることを特徴とするドライフィルムレジスト。   A dry film characterized in that a water-soluble non-photocurable resin composition layer and a photocurable resin composition layer containing a photoradical initiator and a polymerizable compound are formed in this order on a support film. Resist. 上記光硬化性樹脂組成物層上に保護フィルムが形成されていることを特徴とする請求項8記載のドライフィルムレジスト。   The dry film resist according to claim 8, wherein a protective film is formed on the photocurable resin composition layer. 光導波路のコア部形成用であることを特徴とする請求項8又は9記載のドライフィルムレジスト。   10. The dry film resist according to claim 8, wherein the dry film resist is used for forming a core portion of an optical waveguide. 上記水溶性非光硬化性樹脂組成物層に使用される水溶性非光硬化性樹脂が、ポリビニルアルコール又はポリビニルピロリドンであり、上記重合性化合物が、下記一般式(1)で表わされる不飽和シラン化合物、下記一般式(2)で表わされるシラン化合物及び下記一般式(3)で表わされる環状シロキサン化合物を加水分解縮合反応して得られる重合性シロキサン化合物であることを特徴とする請求項8〜10の何れか1項に記載のドライフィルムレジスト。
Figure 2012247637
(式中、R1は水素原子又はメチル基を表わし、R2は炭素原子数2〜6の2価の飽和炭化水素基を表わし、R3は炭素原子数1〜4のアルキル基を表わし、X1は炭素原子数1〜4のアルコキシ基又は塩素原子を表わし、aは2又は3の数を表わす。)
Figure 2012247637
(式中、R4は同一でも異なってもよい炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表わし、X2は炭素原子数1〜4のアルコキシ基又は塩素原子を表わし、bは1又は2の数を表わす。)
Figure 2012247637
(式中、R5は炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表わし、X3は下記一般式(4)で表わされる基又は下記一般式(5)で表わされる基を表わし、cは1分子あたりの一般式(4)で表わされる基の数である1〜5の数を表わし、dは1分子あたりの一般式(5)で表わされる基の数である1〜5の数を表わす。但し、c+dは3〜6の数である。)
Figure 2012247637
(式中、R6は炭素原子数2〜8の2価の炭化水素基を表わす。)
Figure 2012247637
(式中、R7は炭素原子数2〜8の2価の脂肪族炭化水素基を表わし、R8及びR9は同一でも異なってもよい炭素原子数1〜4のアルキル基を表わし、eは2又は3の数を表わす。)
The water-soluble non-photo-curable resin used for the water-soluble non-photo-curable resin composition layer is polyvinyl alcohol or polyvinyl pyrrolidone, and the polymerizable compound is an unsaturated silane represented by the following general formula (1) A polymerizable siloxane compound obtained by hydrolytic condensation reaction of a compound, a silane compound represented by the following general formula (2) and a cyclic siloxane compound represented by the following general formula (3): 10. The dry film resist according to any one of 10 above.
Figure 2012247637
(Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 2 to 6 carbon atoms, R 3 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X 1 represents an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a chlorine atom, and a represents a number of 2 or 3.)
Figure 2012247637
Wherein R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be the same or different, and X 2 is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a chlorine atom. And b represents a number of 1 or 2.)
Figure 2012247637
(In the formula, R 5 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and X 3 represents a group represented by the following general formula (4) or the following general formula (5). C represents a number of 1 to 5 which is the number of groups represented by the general formula (4) per molecule, and d represents the number of groups represented by the general formula (5) per molecule. Represents a number of 1 to 5 where c + d is a number of 3 to 6.)
Figure 2012247637
(In the formula, R 6 represents a divalent hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms.)
Figure 2012247637
(In the formula, R 7 represents a divalent aliphatic hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms, R 8 and R 9 represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be the same or different, and e Represents a number of 2 or 3.)
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