JP2012240853A - Method of manufacturing graphene film - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a graphene film using a low-cost material with a simple process, more preferably to provide a method of manufacturing the graphene film that does not need a high-temperature heating step to manufacture the graphene film whose features as graphene are not deteriorated.SOLUTION: A method of manufacturing a graphene film is provided that includes the steps of: preparing paste containing flake-like graphite or graphene, and a solvent; applying the paste on a substrate to spread the flake-like graphite or graphene on the surface of the substrate; and heating the flake-like graphite or graphene spread on the surface of the substrate under an inert gas atmosphere and the pressure condition of 100 atmospheric pressure or over.

Description

本発明は、グラフェン膜の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a graphene film.

グラフェンとは、ナノ炭素材料の一つであり、グラファイトをナノレベルに薄くした材料である。グラフェンの想定される用途は種々あるが、例えば透明導電膜（非特許文献１，２参照）や、薄膜トランジスタのチャネルとしての用途が想定されている。   Graphene is one of nanocarbon materials, and is a material made by thinning graphite to the nano level. There are various uses of graphene, but for example, applications as transparent conductive films (see Non-Patent Documents 1 and 2) and channels of thin film transistors are assumed.

グラフェンの作製方法として、いくつかの方法が知られている。炭化シリコン（ＳｉＣ）を１２００℃以上の超高温で熱処理することで、表面をグラフェン化する方法は、基礎研究でよく用いられている（例えば、特許文献１）。その他には、高温（７００℃以上）のＮｉ基板にショウノウを吹き付けることで基板表面にグラフェンを作製する方法（例えば、特許文献２）、化学的修飾により層間に他物質を挿入することで層を剥離する方法（例えば、特許文献３）などがある。   Several methods are known for producing graphene. A method of graphitizing a surface by heat-treating silicon carbide (SiC) at an ultrahigh temperature of 1200 ° C. or higher is often used in basic research (for example, Patent Document 1). In addition, a method for producing graphene on a substrate surface by spraying camphor onto a high-temperature (700 ° C. or higher) Ni substrate (for example, Patent Document 2), a layer is formed by inserting another substance between layers by chemical modification. There is a peeling method (for example, Patent Document 3).

特開２００７−３３５５２２号公報JP 2007-335522 A 特開２００８−５０２２８号公報JP 2008-50228 A 特開２００４−２２４５７９号公報JP 2004-224579 A

グラフェン・イノベーション,第１３４ページ〜１４５ページ、上野啓司（日経ＢＰ社）Graphene Innovation, pages 134-145, Keiji Ueno (Nikkei Business Publications) グラフェン・イノベーション,第１７９ページ〜１８５ページ、藤井健司（日経ＢＰ社）Graphene Innovation, pages 179-185, Kenji Fujii (Nikkei Business Publications)

従来のグラフェン膜のいずれの製法も、大面積化、大量生産等の半導体デバイス作製に不可欠の要素をすべて満足することは難しい。その理由の一つは、原料コストが高いこと、プロセスが簡便でないこと、などがある。そこで本発明は、コストの低い原料を用いて、簡便なプロセスにて、グラフェン膜を得ることを目的とする。より好ましくは、本発明は、高温に加熱する工程が必要とはされないグラフェン膜の製造方法を提供し、それによりグラフェンとしての性質が損なわれていないグラフェン膜を製造することを目的とする。   In any of the conventional graphene film manufacturing methods, it is difficult to satisfy all the elements essential for manufacturing semiconductor devices such as large area and mass production. One of the reasons is that the raw material cost is high and the process is not simple. Accordingly, an object of the present invention is to obtain a graphene film by a simple process using a low-cost raw material. More preferably, the present invention provides a method for producing a graphene film that does not require a step of heating to a high temperature, and thereby aims to produce a graphene film in which the properties as graphene are not impaired.

すなわち、本発明は以下に示すグラフェンの製造方法に関する。
［１］薄片状のグラファイトまたはグラフェンと、溶媒と、を含むペーストを用意するステップと；前記ペーストを基板に塗布して、前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを前記基板表面にしきつめるステップと；前記基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを、不活性ガス雰囲気下、１００気圧以上の加圧条件下で加熱するステップとを含む、グラフェン膜の製造方法。
［２］前記薄片状のグラファイトは、不活性ガス中で芳香族高分子フィルムを２２００℃以上で熱処理して得たフィルム状グラファイトの粉砕処理物である、［１］に記載のグラフェン膜の製造方法。
［３］前記薄片状のグラフェンは、グラフェンフラワーの粉砕処理物である、［１］または［２］に記載のグラフェン膜の製造方法。
［４］前記不活性ガス雰囲気は、酸素濃度１０００ｐｐｐｍ以下の希ガス雰囲気である、［１］〜［３］のいずれかに記載のグラフェン膜の製造方法。
［５］前記加熱は、レーザー照射で行われる、［１］〜［４］のいずれかに記載のグラフェン膜の製造方法。
［６］前記加熱は、プラズマトーチ照射で行われる、［１］〜［４］のいずれかに記載のグラフェン膜の製造方法。
［７］前記加熱するステップにおいて、前記基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンの端部を選択的に加熱する、［１］〜［６］のいずれかに記載のグラフェン膜の製造方法。 That is, this invention relates to the manufacturing method of the graphene shown below.
[1] preparing a paste containing flaky graphite or graphene and a solvent; applying the paste to a substrate and tightening the flaky graphite or graphene on the substrate surface; Heating the flaky graphite or graphene that has been tightened on the surface of the substrate under a pressurized condition of 100 atm or higher in an inert gas atmosphere.
[2] Production of the graphene film according to [1], wherein the flaky graphite is a pulverized product of film-like graphite obtained by heat-treating an aromatic polymer film at 2200 ° C. or higher in an inert gas. Method.
[3] The method for producing a graphene film according to [1] or [2], wherein the flaky graphene is a pulverized product of graphene flour.
[4] The method for producing a graphene film according to any one of [1] to [3], wherein the inert gas atmosphere is a rare gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 pppm or less.
[5] The method for producing a graphene film according to any one of [1] to [4], wherein the heating is performed by laser irradiation.
[6] The method for producing a graphene film according to any one of [1] to [4], wherein the heating is performed by plasma torch irradiation.
[7] Manufacture of the graphene film according to any one of [1] to [6], wherein in the heating step, an end of the flaky graphite or graphene confined on the substrate surface is selectively heated. Method.

本発明によって、低コストかつ簡便なプロセスのグラフェン膜の製造方法が提供される。しかも、本発明によって得られるグラフェン膜は、グラフェンとしての性質が損なわれていないので、種々の用途、例えばＩＴＯに代わる透明電極として、あるいはシリコンに代わる半導体膜として用いられうる。   According to the present invention, a low-cost and simple process for producing a graphene film is provided. Moreover, since the graphene film obtained by the present invention does not lose its properties as graphene, it can be used in various applications, for example, as a transparent electrode in place of ITO or as a semiconductor film in place of silicon.

炭素の位相図である。It is a phase diagram of carbon. 基板にしきつめられた薄片状のグラファイトまたはグラフェンに、加圧条件下でレーザー照射する様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that laser irradiation is performed on the flaky graphite or graphene pinched by the board | substrate under pressurization conditions. 基板にしきつめられた薄片状のグラファイトまたはグラフェンの様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of the flaky graphite or graphene pinched by the board | substrate.

本発明のグラフェン膜の製造方法は、薄片状のグラファイトまたはグラフェンと、溶媒と、を含むペーストを用意するステップ１と、前記ペーストを基板に塗布して、前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを前記基板表面にしきつめるステップ２と、前記基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを、不活性ガス雰囲気下、１００気圧以上の加圧条件下で加熱するステップ３と、を含む。   The method for producing a graphene film of the present invention comprises: preparing a paste containing flaky graphite or graphene and a solvent; applying the paste to a substrate; and applying the flaky graphite or graphene to the substrate Step 2 for tightening to the surface and Step 3 for heating the flaky graphite or graphene tightened to the surface of the substrate under a pressurized condition of 100 atm or more in an inert gas atmosphere.

ステップ１では、まず、薄片状のグラファイトまたはグラフェンを用意する。薄片状のグラファイトは、例えばフィルム状グラファイトを粉砕して得ればよく；薄片状のグラフェンは、例えばグラフェンフラワーを粉砕して得ることが好ましいが、特に限定されるわけではない。   In Step 1, first, flaky graphite or graphene is prepared. The flaky graphite may be obtained, for example, by pulverizing film-like graphite; the flaky graphene is preferably obtained, for example, by pulverizing graphene flour, but is not particularly limited.

フィルム状グラファイトは、例えば特開２００２−２７４８２５（JP 2002-274825A）に記載の手法に従って製造することができる。具体的には、フィルム状グラファイトは、芳香族高分子フィルムを、不活性ガス中で２２００℃以上に熱処理して得られる。芳香族高分子フィルムの例には、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスオキサゾール、ポリ（ピロメリットイミド）、ポリ（ｐ-フェニレンイソフタルアミド）、ポリ（ｍ-フェニレンベンゾイミタゾール）、ポリ（フェニレンベンゾビスイミタゾール）、ポリチアゾール、ポリパラフェニレンビニレンなどが含まれる。   Film-like graphite can be produced, for example, according to the method described in JP-A-2002-274825 (JP 2002-274825A). Specifically, the film-like graphite is obtained by heat-treating an aromatic polymer film at 2200 ° C. or higher in an inert gas. Examples of aromatic polymer films include polyoxadiazole, polybenzothiazole, polybenzobisthiazole, polybenzoxazole, polybenzobisoxazole, poly (pyromellitimide), poly (p-phenyleneisophthalamide), poly (M-phenylenebenzimitazole), poly (phenylenebenzobisimitazole), polythiazole, polyparaphenylenevinylene and the like are included.

芳香族高分子フィルムは、熱処理してフィルム状グラファイトに変換されるが；熱処理は不活性ガス環境下にて行われる。不活性ガスとは、一般的にはアルゴン、ネオン、ヘリウムなどの希ガスである。熱処理温度は、２２００℃以上であればよい。熱処理時間は、約１時間である。   Aromatic polymer films are heat treated and converted to filmy graphite; the heat treatment is carried out in an inert gas environment. The inert gas is generally a rare gas such as argon, neon, or helium. The heat treatment temperature should just be 2200 degreeC or more. The heat treatment time is about 1 hour.

粉砕されるフィルム状グラファイトは、４００μｍ以下の厚みを有することが好ましい。   The film-like graphite to be pulverized preferably has a thickness of 400 μm or less.

グラフェンフラワーとは、炭素原料から化学気相析出法によって３次元・同時多発的にグラフェンを成長させることで得られ、花弁状のグラフェンである。花弁のそれぞれが、数層のグラフェンを構成している。グラフェンフラワーは市販されており、例えば、株式会社インキュベーション・アライアンスから購入可能である。   Graphene flour is a petal-like graphene obtained by growing graphene from a carbon raw material three-dimensionally and simultaneously by chemical vapor deposition. Each petal constitutes several layers of graphene. Graphene flour is commercially available, and can be purchased from, for example, Incubation Alliance.

フィルム状グラファイトやグラフェンフラワーを粉砕する手段は特に限定されないが、二つの工程により行うことが好ましい。粉砕の第１工程では、ミルを用いて粉砕することが好ましい。ミルの例には、ジェットミル、フリーズミルなどが含まれる。第１工程の粉砕によって、最大平均径が約１０μｍ、平均厚さが約０．１μｍの鱗片状の粉体とすることが好ましい。得られた鱗片状の粉体は、アスペクト比（厚みに対する粒径の比率）５０以上であることが好ましい。   The means for pulverizing the film-like graphite or graphene flour is not particularly limited, but it is preferably performed in two steps. In the first step of pulverization, it is preferable to pulverize using a mill. Examples of the mill include a jet mill and a freeze mill. It is preferable to obtain a scaly powder having a maximum average diameter of about 10 μm and an average thickness of about 0.1 μm by pulverization in the first step. The obtained scaly powder preferably has an aspect ratio (ratio of particle size to thickness) of 50 or more.

粉砕の第２工程では、第１工程で得られた鱗片状の粉体を、湿式微粒化する。湿式微粒化とは、水などの超高圧溶媒の衝突エネルギーを利用して、原料粉体同士の衝突によって、粉体を微粒化する手法である。湿式微粒化は、スターバーストと称される装置を用いて行うことができる。第２工程の粉砕によって、平均厚さが約１０ｎｍの薄片状の粉体とすることが好ましい。   In the second step of pulverization, the scale-like powder obtained in the first step is wet atomized. Wet atomization is a technique in which powder is atomized by collision of raw material powders using collision energy of an ultrahigh pressure solvent such as water. Wet atomization can be performed using an apparatus called a starburst. It is preferable to obtain a flaky powder having an average thickness of about 10 nm by pulverization in the second step.

薄片状のグラファイトまたはグラフェンを、溶媒に配合してペーストを得る。溶媒は特に限定されないが、炭化水素系溶媒（ヘキサンなど）、芳香族系溶媒（トルエンなど）、アルコール系溶媒（エタノールなど）などが好ましく用いられる。ペーストには、界面活性剤が含まれていてもよい。薄片状のグラファイトまたはグラフェンを分散しやすくするためである。   Flakes of graphite or graphene are blended in a solvent to obtain a paste. The solvent is not particularly limited, but a hydrocarbon solvent (such as hexane), an aromatic solvent (such as toluene), an alcohol solvent (such as ethanol), or the like is preferably used. The paste may contain a surfactant. This is because the flaky graphite or graphene is easily dispersed.

ペーストにおける薄片状のグラファイトまたはグラフェンの濃度は特に限定されず、グラファイトまたはグラフェンが均一分散できる程度の濃度にすればよい。   The concentration of the flaky graphite or graphene in the paste is not particularly limited, and may be a concentration that allows the graphite or graphene to be uniformly dispersed.

ステップ２では、ペーストを基板に塗布する。ペーストを塗布する手段は特に限定されないが、スプレー塗布、ダイコートなどで行えばよい。基板へのペーストの塗布量は、グラファイトまたはグラフェンが基板上にしきつめられる程度に設定されればよい。基板に塗布されたペーストは乾燥されて、ペーストに含まれる溶媒を除去される。図３は、基板３に、グラファイトまたはグラフェン４がしきつめられた状態を示す模式図である。   In step 2, the paste is applied to the substrate. The means for applying the paste is not particularly limited, but may be performed by spray application, die coating, or the like. The amount of paste applied to the substrate may be set to such an extent that graphite or graphene is tightly placed on the substrate. The paste applied to the substrate is dried to remove the solvent contained in the paste. FIG. 3 is a schematic diagram showing a state in which graphite or graphene 4 is tightened on the substrate 3.

ステップ３では、基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを加圧環境下で加熱する。加熱により、基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンの少なくとも一部を液状にする（溶融する）ことで、基板表面の薄片状のグラファイトまたはグラフェンを互いに連結させて薄膜化する。それにより、グラフェン膜を得る。   In step 3, the flaky graphite or graphene confined on the substrate surface is heated in a pressurized environment. By heating, at least a part of the flaky graphite or graphene on the substrate surface is liquefied (melted), the flaky graphite or graphene on the substrate surface is connected to each other to form a thin film. Thereby, a graphene film is obtained.

具体的には、０．０１ＧＰａ（１００気圧）以上の圧力環境下で加熱を行う。図１は、炭素の相図（Phase Diagram）である（LHC Project Note 78/97を参照）。図１の 相図における横軸は温度であり、縦軸は圧力である。カーボンの相状態は、ダイアモンド、グラファイト、気体、液体の４つに大別される。そして、カーボンが液体になるには、環境圧力が０．０１ＧＰａ（１００気圧）以上である必要があることがわかる。   Specifically, heating is performed under a pressure environment of 0.01 GPa (100 atm) or more. Figure 1 is a carbon phase diagram (see LHC Project Note 78/97). The horizontal axis in the phase diagram of FIG. 1 is temperature, and the vertical axis is pressure. The phase state of carbon is roughly divided into four types: diamond, graphite, gas, and liquid. And it turns out that an environmental pressure needs to be 0.01 GPa (100 atmospheres) or more in order for carbon to become a liquid.

加熱温度は、圧力との関係で設定されるべきである。前述の通り、加熱によって薄片状のグラファイトまたはグラフェンを溶融させる必要があるので、図１の位相図から、約４５０℃以上に加熱すればよいことがわかる。加熱温度の上限は特に限定されないが、得られるグラフェン膜の物性を損なわないようにするため、高すぎないことが好ましく、例えば１０００℃以下であることが好ましく、８００℃以下であることがより好ましく、６００℃以下であることがさらに好ましい。   The heating temperature should be set in relation to the pressure. As described above, since it is necessary to melt the flaky graphite or graphene by heating, it can be understood from the phase diagram of FIG. The upper limit of the heating temperature is not particularly limited, but is preferably not too high, for example, 1000 ° C. or less, and more preferably 800 ° C. or less, so as not to impair the physical properties of the obtained graphene film. More preferably, it is 600 ° C. or lower.

加熱は、不活性ガスの環境下にて行うことが好ましい。不活性ガスとは、アルゴン、ネオン、ヘリウムなどの希ガスを意味する。特に、不活性ガスに含まれる酸素ガスの濃度を低減することが好ましく、酸素ガス濃度を１０００ｐｐｐｍ以下とすることが好ましい。酸素濃度が高いと、グラファイトまたはグラフェンが酸化して、ＣＯ，ＣＯ２などに変化して揮発して失われるからである。 Heating is preferably performed in an inert gas environment. The inert gas means a rare gas such as argon, neon, or helium. In particular, it is preferable to reduce the concentration of oxygen gas contained in the inert gas, and the oxygen gas concentration is preferably set to 1000 pppm or less. This is because, when the oxygen concentration is high, graphite or graphene is oxidized and converted into CO, CO 2 and the like and volatilized and lost.

加熱の手段は特に限定されないが、レーザー照射であったり、プラズマトーチ（熱プラズマ）照射などであったりする。照射は、バッチ照射であっても、スキャン照射であってもよい。照射するレーザーの種類は特に限定されない。   The heating means is not particularly limited, and may be laser irradiation, plasma torch (thermal plasma) irradiation, or the like. Irradiation may be batch irradiation or scanning irradiation. The kind of laser to irradiate is not specifically limited.

図２には、基板にしきつめられた薄片状のグラファイトまたはグラフェンを加熱する様子が模式的に示される。薄片状のグラファイトまたはグラフェン４を表面にしきつめた基板３を、加圧室５の内部に配置する。加圧室５は密閉されており、内部圧力を１００気圧以上にし、加圧室５の内部を不活性ガスで満たす。そして、加圧室５の一部は、レーザー光６に対して透明な窓７を有する。レーザー装置１から出射したレーザー光６は、ミラー２で反射され、窓７を通過して、薄片状のグラファイトまたはグラフェン４に照射される。レーザー光６が照射されたグラファイトまたはグラフェン４は溶融して、互いに連結してグラフェン膜となる。   FIG. 2 schematically shows a state in which the flaky graphite or graphene packed on the substrate is heated. A substrate 3 having a flaky graphite or graphene 4 on its surface is placed inside the pressurizing chamber 5. The pressurizing chamber 5 is sealed, the internal pressure is set to 100 atm or more, and the inside of the pressurizing chamber 5 is filled with an inert gas. A part of the pressurizing chamber 5 has a window 7 that is transparent to the laser beam 6. The laser beam 6 emitted from the laser device 1 is reflected by the mirror 2, passes through the window 7, and is irradiated on the flaky graphite or graphene 4. The graphite or graphene 4 irradiated with the laser beam 6 is melted and connected to each other to form a graphene film.

基板にしきつめられた薄片状のグラファイトまたはグラフェンを加熱すると、薄片状のグラファイトまたはグラフェンの縁が、内部よりも効率的に加熱される。縁からは熱が逃げにくいからである。縁が効率的に加熱されると、薄片状のグラファイトまたはグラフェン同士が連結しやすくなり、グラフェン膜が得られやすくなる。   When the flaky graphite or graphene packed on the substrate is heated, the edge of the flaky graphite or graphene is heated more efficiently than the inside. This is because heat is difficult to escape from the edge. When the edge is efficiently heated, the flaky graphite or graphene is easily connected to each other, and a graphene film is easily obtained.

前述の通り、図３は、基板３に、薄片状のグラファイトまたはグラフェン４がしきつめられた状態を示す模式図である。図３において、楕円の実線は、薄片状のグラファイトまたはグラフェン４の粉体を示す。楕円の実線の内部にある直線状の実線は、グラファイト結晶を示す。薄片状のグラファイトまたはグラフェン４のそれぞれの端部（破線円で示された部分）を選択的に溶融することで、薄片状のグラファイトまたはグラフェン４同士が連結しやすくなる。その結果、グラフェン膜が形成される。   As described above, FIG. 3 is a schematic diagram showing a state in which flaky graphite or graphene 4 is tightened on the substrate 3. In FIG. 3, the solid oval line indicates flaky graphite or graphene 4 powder. The straight solid line inside the elliptical solid line indicates a graphite crystal. By selectively melting each end portion (the portion indicated by a broken-line circle) of the flaky graphite or graphene 4, the flaky graphite or graphene 4 is easily connected to each other. As a result, a graphene film is formed.

このように、薄片状のグラファイトまたはグラフェンを、加圧条件下において加熱溶融させることで、加熱温度を過剰に高める必要がなくなり、グラフェンの性質が損なわれていないグラフェン薄膜を得ることができる。   Thus, by heating and melting flaky graphite or graphene under pressure, it is not necessary to excessively increase the heating temperature, and a graphene thin film in which the properties of graphene are not impaired can be obtained.

本発明で製造されるグラフェン膜は、純粋な意味での単層のグラフェン層であってもよいが、多層のグラフェン層であってもよい。多層とは、１０層以下であることが好ましい。   The graphene film produced in the present invention may be a single-layer graphene layer in a pure sense, or may be a multilayer graphene layer. The multilayer is preferably 10 layers or less.

本発明によれば、安価に得られるグラファイトまたはグラフェンの粉体を原料として、簡便なプロセスにてグラフェン膜を製造することができる。また、グラファイトまたはグラフェンを加熱するときに、加圧条件下で溶融させるので、グラフェンの性質を損なうことなく薄膜化させることができる。得られたグラフェン膜は、種々の用途に用いられるが、例えば透明伝導膜として、あるいは半導体膜として用いられる。   According to the present invention, a graphene film can be produced by a simple process using a graphite or graphene powder obtained at low cost as a raw material. In addition, when graphite or graphene is heated, it is melted under a pressurized condition, so that the film can be thinned without impairing the properties of graphene. The obtained graphene film is used for various applications. For example, it is used as a transparent conductive film or a semiconductor film.

１ レーザー装置
２ ミラー
３ 基板
４ 薄片状のグラファイトまたはグラフェン
５ 加圧室
６ レーザー光
７ 窓
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser apparatus 2 Mirror 3 Substrate 4 Flaky graphite or graphene 5 Pressurization chamber 6 Laser beam 7 Window

Claims (7)

薄片状のグラファイトまたはグラフェンと、溶媒と、を含むペーストを用意するステップと、
前記ペーストを基板に塗布して、前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを前記基板表面にしきつめるステップと、
前記基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを、不活性ガス雰囲気下、１００気圧以上の加圧条件下で加熱するステップと、
を含む、グラフェン膜の製造方法。 Providing a paste comprising flaky graphite or graphene and a solvent;
Applying the paste to a substrate and tightening the flaky graphite or graphene on the substrate surface;
Heating the flaky graphite or graphene, which is tight on the surface of the substrate, under a pressurized condition of 100 atm or more in an inert gas atmosphere;
A method for producing a graphene film, comprising: 前記薄片状のグラファイトは、不活性ガス中で芳香族高分子フィルムを２２００℃以上で熱処理して得たフィルム状グラファイトの粉砕処理物である、請求項１に記載のグラフェン膜の製造方法。   2. The method for producing a graphene film according to claim 1, wherein the flaky graphite is a pulverized product of film-like graphite obtained by heat-treating an aromatic polymer film at 2200 ° C. or higher in an inert gas. 前記薄片状のグラフェンは、グラフェンフラワーの粉砕処理物である、請求項１に記載のグラフェン膜の製造方法。   The method for producing a graphene film according to claim 1, wherein the flaky graphene is a pulverized product of graphene flour. 前記不活性ガス雰囲気は、酸素濃度１０００ｐｐｐｍ以下の希ガス雰囲気である、請求項１に記載のグラフェン膜の製造方法。   The method for producing a graphene film according to claim 1, wherein the inert gas atmosphere is a rare gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 pppm or less. 前記加熱は、レーザー照射で行われる、請求項１に記載のグラフェン膜の製造方法。   The graphene film manufacturing method according to claim 1, wherein the heating is performed by laser irradiation. 前記加熱は、プラズマトーチ照射で行われる、請求項１に記載のグラフェン膜の製造方法。   The method of manufacturing a graphene film according to claim 1, wherein the heating is performed by plasma torch irradiation. 前記加熱するステップにおいて、前記基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンの端部を選択的に加熱する、請求項１に記載のグラフェン膜の製造方法。
2. The method for producing a graphene film according to claim 1, wherein, in the heating step, an end portion of the flaky graphite or graphene confined on the substrate surface is selectively heated.
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