JP2012229198A - Salt, resist composition, and method for producing resist pattern - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition capable of producing a resist pattern in an excellent focus margin (DOF).SOLUTION: A salt is represented to by a formula (I). In the formula, R, L-CH-, Y are specific groups.

Description

本発明は、半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。   The present invention relates to a salt for an acid generator used for microfabrication of a semiconductor, a resist composition, and a method for producing a resist pattern.

特許文献1には、酸発生剤用の塩として、下記式で表される塩を含有するレジスト組成物が記載されている。

Figure 2012229198
Patent Document 1 describes a resist composition containing a salt represented by the following formula as a salt for an acid generator.
Figure 2012229198

特開2010−61018号公報JP 2010-61018 A

従来から知られる上記の酸発生剤を含むレジスト組成物では、レジストパターンの製造時のフォーカスマージン(DOF)が必ずしも十分に満足できない場合があった。   Conventionally known resist compositions containing the above acid generators may not always have a satisfactory focus margin (DOF) during the production of the resist pattern.

本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕式(I)で表される塩。

Figure 2012229198
[式(I)中、
及びRは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
m及びnは、それぞれ独立に、1又は2を表す。
及びRは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。
mが2であるとき、複数存在するRは、互いに同じでも異なっていてもよい。
nが2であるとき、複数存在するRは、互いに同じでも異なっていてもよい。
、R、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。]
〔2〕m及びnが2であり、かつ、R及びRが水素原子である前記〔1〕記載の塩。
〔3〕Lが、*−CO−O−(CH−(*は、−C(R)(R)−の炭素原子との結合手を表し、nは0又は1を表す。)である前記〔1〕又は前記〔2〕のいずれかに記載の塩。
〔4〕前記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の塩を含有する酸発生剤。
〔5〕前記〔4〕記載の酸発生剤と樹脂とを含み、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。
〔6〕さらに溶剤を含む前記〔5〕記載のレジスト組成物。
〔7〕さらに塩基性化合物を含む前記〔5〕又は〔6〕記載のレジスト組成物。
〔8〕(1)前記〔5〕〜〔7〕のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。 The present invention includes the following inventions.
[1] A salt represented by the formula (I).
Figure 2012229198
[In the formula (I),
R 1 and R 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. .
Y represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent; —CH 2 — contained in the aromatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
m and n each independently represents 1 or 2.
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
When m is 2, a plurality of R 3 may be the same as or different from each other.
When n is 2, a plurality of R 4 may be the same as or different from each other.
R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxy group or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group is , -O- or -CO-. ]
[2] The salt according to [1], wherein m and n are 2, and R 3 and R 4 are hydrogen atoms.
[3] L 1 represents * —CO—O— (CH 2 ) n — (* represents a bond with a carbon atom of —C (R 4 ) (R 5 ) —, and n represents 0 or 1 The salt according to either [1] or [2] above.
[4] An acid generator containing the salt according to any one of [1] to [3].
[5] The acid generator according to [4] and a resin, wherein the resin has an acid labile group and is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution. A resist composition, which is a resin that can be dissolved in water.
[6] The resist composition according to [5], further including a solvent.
[7] The resist composition according to [5] or [6], further including a basic compound.
[8] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [5] to [7] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A method for producing a resist pattern, comprising a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.

酸発生剤として本発明の塩を含むレジスト組成物を用いれば、優れたフォーカスマージン(DOF)でレジストパターンを製造することができる。   If a resist composition containing the salt of the present invention is used as an acid generator, a resist pattern can be produced with an excellent focus margin (DOF).

<塩>
本発明の塩は、式(I)で表される塩(以下「塩(I)」という場合がある)である。

Figure 2012229198
[式(I)中、
及びRは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
m及びnは、それぞれ独立に、1又は2を表す。
及びRは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。
mが2であるとき、複数存在するRは、互いに同じでも異なっていてもよい。
nが2であるとき、複数存在するRは、互いに同じでも異なっていてもよい。
、R、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。]
以下の説明において、塩(I)のうち、正電荷を有する側を「有機カチオン」と、負電荷を有する側を「有機アニオン」と、それぞれ称することがある。 <Salt>
The salt of the present invention is a salt represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “salt (I)”).
Figure 2012229198
[In the formula (I),
R 1 and R 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. .
Y represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent; —CH 2 — contained in the aromatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
m and n each independently represents 1 or 2.
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
When m is 2, a plurality of R 3 may be the same as or different from each other.
When n is 2, a plurality of R 4 may be the same as or different from each other.
R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxy group or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group is , -O- or -CO-. ]
In the following description, in the salt (I), the side having a positive charge may be referred to as an “organic cation”, and the side having a negative charge may be referred to as an “organic anion”.

<有機アニオン>
式(I)で表される塩の有機アニオンは、式(I−A)で表されるスルホン酸アニオンである。

Figure 2012229198
[式(I−A)中、
及びRは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。] <Organic anion>
The organic anion of the salt represented by the formula (I) is a sulfonate anion represented by the formula (IA).
Figure 2012229198
[In the formula (IA),
R 1 and R 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. .
Y represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent; —CH 2 — contained in the aromatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—. ]

1及びR2のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
本発明のレジスト組成物に用いる酸発生剤としては、R1及びR2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子である塩(I)が好ましく、ともにフッ素原子である塩(I)がより好ましい。
Examples of the perfluoroalkyl group for R 1 and R 2 include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorosec-butyl group, a perfluorotert-butyl group, and a perfluoropentyl group. And a perfluorohexyl group.
As an acid generator used in the resist composition of the present invention, R 1 and R 2 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a salt (I) which is a fluorine atom, and both are salts (I) which are both a fluorine atom. Is more preferable.

の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基及びプロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基(特に、炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,2−ジイル基、1−メチルシクロヘキサン−1,2−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,2−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式炭化水素基;
ノルボルナン−2,3−ジイル基、ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,2−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。
また、後述する1価の脂環式炭化水素における任意の1つの水素原子を結合手としてものであってもよい。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group for L 1 include a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, a monocyclic or polycyclic divalent alicyclic hydrocarbon group, and these groups Two or more of them may be combined.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group and propane-2,2-diyl group;
An alkyl group (particularly an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group); For example, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl A branched alkanediyl group such as a 2-methylbutane-1,4-diyl group;
Cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,2-diyl group, 1-methylcyclohexane-1,2-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclo A monocyclic divalent alicyclic hydrocarbon group which is a cycloalkanediyl group such as an octane-1,2-diyl group or a cyclooctane-1,5-diyl group;
Norbornane-2,3-diyl group, norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,2-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6 -Polycyclic bivalent alicyclic hydrocarbon groups, such as a diyl group, etc. are mentioned.
Further, any one hydrogen atom in a monovalent alicyclic hydrocarbon described later may be used as a bond.

の2価の飽和炭化水素基における−CH−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(b1−1)〜式(b1−6)が挙げられる。式(b1−1)〜式(b1−6)は、その左右を式(I−A)に合わせて記載しており、左側でC(R1)(R2)−と結合し、右側で−Yと結合する。以下の式(b1−1)〜式(b1−6)の具体例も同様である。 Examples of the group in which —CH 2 — in the divalent saturated hydrocarbon group of L 1 is replaced by —O— or —CO— include formula (b1-1) to formula (b1-6). The formula (b1-1) to the formula (b1-6) are described in accordance with the formula (IA) on the left and right sides, bonded to C (R 1 ) (R 2 )-on the left side, and on the right side. Combines with -Y. The same applies to specific examples of the following formulas (b1-1) to (b1-6).

Figure 2012229198
式(b1−1)〜式(b1−6)中、
b2は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b3は、単結合又は炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。
b4は、炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。
b5は、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b8は、炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。
b9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜11の2価の飽和炭化水素基を表す。
中でも、L1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれか、より好ましくは式(b1−1)又は式(b1−2)、さらに好ましくは式(b1−1)で表される2価の基であり、特に、Lb2が単結合又は−CH−である式(b1−1)で表される2価の基が好ましい。
Figure 2012229198
In formula (b1-1) to formula (b1-6),
L b2 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L b4 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms.
L b5 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b6 and L b7 each independently represent a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b8 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L b9 and L b10 each independently represent a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms.
Among them, L 1 is preferably any one of formula (b1-1) to formula (b1-4), more preferably formula (b1-1) or formula (b1-2), and still more preferably formula (b1-1). In particular, a divalent group represented by the formula (b1-1) in which L b2 is a single bond or —CH 2 — is preferable.

式(b1−1)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.
Figure 2012229198

式(b1−2)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.
Figure 2012229198

式(b1−3)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.
Figure 2012229198

式(b1−4)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.
Figure 2012229198

式(b1−5)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-5) include the following.
Figure 2012229198

式(b1−6)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-6) include the following.
Figure 2012229198

Yの脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、1−メチルエチル基(イソプロピル基)、1,1−ジメチルエチル基(tert−ブチル基)、2,2−ジメチルエチル基、プロピル基、1−メチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、ブチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−プロピルブチル基、ペンチル基、1−メチルペンチル基、ヘキシル基、1,4−ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1−メチルヘプチル基、オクチル基、メチルオクチル基、メチルノニル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の直鎖又は分岐のアルキル基等が挙げられる。なかでも、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。
Yの脂環式炭化水素基としては、以下の式(Y1)〜式(Y11)で表される基等が挙げられる。
脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基における−CH−が−O−、−SO−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、上述したアルキル基に含まれる−CH−が−O−又は−CO−に置き換わった基、以下の式(Y12)〜式(Y26)で表される基等が挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the aliphatic hydrocarbon group for Y include a methyl group, an ethyl group, a 1-methylethyl group (isopropyl group), a 1,1-dimethylethyl group (tert-butyl group), a 2,2-dimethylethyl group, Propyl group, 1-methylpropyl group, 2,2-dimethylpropyl group, 1-ethylpropyl group, butyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-propylbutyl group, pentyl group, 1-methylpentyl group, hexyl group, 1,4-dimethylhexyl group, heptyl group, 1-methylheptyl group, octyl group, methyloctyl group, methylnonyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, Examples include linear or branched alkyl groups such as dodecyl group. Especially, a C1-C6 alkyl group is preferable.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group for Y include groups represented by the following formulas (Y1) to (Y11).
Examples of the group in which —CH 2 — in the aliphatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group is replaced by —O—, —SO 2 — or —CO— include, for example, —CH 2 — contained in the alkyl group described above. Group in which is replaced by —O— or —CO—, groups represented by the following formulas (Y12) to (Y26), and the like.
Figure 2012229198

なかでも、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)、式(Y19)、で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。   Especially, it is preferably a group represented by any one of formulas (Y1) to (Y19), and more preferably represented by formula (Y11), formula (Y14), formula (Y15), and formula (Y19). And more preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).

Yにおける脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基の置換基としては、ハロゲン原子(但し、フッ素原子を除く)、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2−O−CO−Ra基(式中、Raは、炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。mは、0〜4の整数を表す)などが挙げられる。なお、これらYの置換基である脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子(但し、フッ素原子を除く)、ヒドロキシ基、オキソ基、グリシジルオキシ基、シアノ基、カルボキシル基等が挙げられる。 Examples of the substituent of the aliphatic hydrocarbon group and alicyclic hydrocarbon group in Y include a halogen atom (excluding a fluorine atom), a hydroxy group, an oxo group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, hydroxy Group-containing C1-C12 aliphatic hydrocarbon group, C3-C36 alicyclic hydrocarbon group, C1-C12 alkoxy group, C6-C18 aromatic hydrocarbon group, carbon number An aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, a glycidyloxy group, or a — (CH 2 ) m —O—CO— Ra group (wherein R a is an aliphatic group having 1 to 36 carbon atoms) A hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, where m represents an integer of 0 to 4). In addition, the aliphatic hydrocarbon group, the alicyclic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group, the aralkyl group, and the like, which are the substituents of Y, may further have a substituent. Examples of the substituent here include an alkyl group, a halogen atom (excluding a fluorine atom), a hydroxy group, an oxo group, a glycidyloxy group, a cyano group, and a carboxyl group.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Examples of the hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group include a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentoxy group, n-hexoxy group and the like.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the aralkyl group include benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group, trityl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group and the like.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.

脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of Y, which is an alicyclic hydrocarbon group substituted with an aliphatic hydrocarbon group, include the following.
Figure 2012229198

ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of Y that is an alicyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group include the following.
Figure 2012229198

芳香族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of Y, which is an alicyclic hydrocarbon group substituted with an aromatic hydrocarbon group, include the following.
Figure 2012229198

−(CH2−O−CO−Ra基で置換された脂環式炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of Y that is an alicyclic hydrocarbon group substituted by a — (CH 2 ) m —O—CO—R a group include the following.
Figure 2012229198

なお、Yが脂肪族炭化水素基であり、かつLが炭素数1〜17の2価の脂肪族炭化水素基である場合、Yと結合する該2価の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていることが好ましい。この場合、Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わらない。 When Y is an aliphatic hydrocarbon group and L 1 is a divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, the divalent aliphatic hydrocarbon group bonded to Y is constituted. The methylene group is preferably replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. In this case, the methylene group constituting the aliphatic hydrocarbon group for Y is not replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.

Yは、好ましくは置換基(例えば、ヒドロキシ基、ヒドロキシアルキル基、オキソ基等)を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはヒドロキシ基、ヒドロキシアルキル基を有するアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。   Y is preferably an adamantyl group which may have a substituent (for example, a hydroxy group, a hydroxyalkyl group, an oxo group, etc.), more preferably an adamantyl group or an oxoadamantyl group having a hydroxy group, a hydroxyalkyl group. It is.

スルホン酸アニオンとしては、式(b1−1−1)、式(b1−1−2)、式(b1−1−3)、式(b1−1−4)、式(b1−1−5)、式(b1−1−6)、式(b1−1−7)、式(b1−1−8)及び式(b1−1−9)〔以下、「式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)」のように表記する。〕のいずれかで表されるスルホン酸アニオンが好ましい。また、Ri2及びRi3は、それぞれ独立に、Yで表される脂環式炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1〜4のアルキル基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。 Examples of the sulfonate anion include formula (b1-1-1), formula (b1-1-2), formula (b1-1-3), formula (b1-1-4), and formula (b1-1-5). , Formula (b1-1-6), Formula (b1-1-7), Formula (b1-1-8), and Formula (b1-1-9) [Hereinafter, “Formula (b1-1-1) to Formula” (B1-1-9) ”. ] The sulfonate anion represented by either of these is preferable. R i2 and R i3 are each independently the same as those exemplified as the substituent that the alicyclic hydrocarbon group represented by Y may have, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. And a hydroxy group are preferable, and a methyl group and a hydroxy group are more preferable.

Figure 2012229198
Figure 2012229198

脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Fatty acid substituted with sulfonate anion or aliphatic hydrocarbon group containing Y which is an aliphatic hydrocarbon group or an unsubstituted alicyclic hydrocarbon group and a divalent group represented by formula (b1-1) Examples of the sulfonate anion containing Y which is a cyclic hydrocarbon group and the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

が式(b1−1)で表される基であり、Yが−(CH2−O−CO−Ra基で表される基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
L 1 is a group represented by the formula (b1-1), Y is - (CH 2) m -O- CO-R a sulfonic acid is an alicyclic hydrocarbon group having a group represented by the group Examples of the anion include the following.
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

が式(b1−1)で表される基であり、Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-1) and Y is an alicyclic hydrocarbon group having a hydroxy group include the following.
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

が式(b1−1)で表される基であり、Yが芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
As the sulfonate anion, L 1 is a group represented by the formula (b1-1), and Y is an alicyclic hydrocarbon group having an aromatic hydrocarbon group or an alicyclic hydrocarbon group having an aralkyl group. For example, the following may be mentioned.
Figure 2012229198

が式(b1−1)で表される基であり、Yが環状エーテル基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-1) and Y is a cyclic ether group include the following.
Figure 2012229198

が式(b1−1)で表される基であり、Yが前記ラクトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-1) and Y is the lactone ring group include the following.
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

が式(b1−1)で表される基であり、Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-1) and Y is a cyclic ketone group include the following.
Figure 2012229198

が式(b1−1)で表される基であり、Yがスルトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-1) and Y is a sultone ring group include the following.
Figure 2012229198

が式(b1−2)で表される基であり、Yが脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-2) and Y is an aliphatic hydrocarbon group or an unsubstituted alicyclic hydrocarbon group include the following. .
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

が式(b1−2)で表される基であり、Yが−(CH2j2−O−CO−Ri1で表される基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
A sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-2) and Y is an alicyclic hydrocarbon group having a group represented by — (CH 2 ) j2 —O—CO—R i1. For example, the following may be mentioned.
Figure 2012229198

が式(b1−2)で表される基であり、Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-2) and Y is an alicyclic hydrocarbon group having a hydroxy group include the following.
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

が式(b1−2)で表される基であり、Yが芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-2) and Y is an alicyclic hydrocarbon group having an aromatic hydrocarbon group include the following.
Figure 2012229198

が式(b1−2)で表される基であり、Yが環状エーテル基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-2) and Y is a cyclic ether group include the following.
Figure 2012229198

が式(b1−2)で表される基であり、Yがラクトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-2) and Y is a lactone ring group include the following.
Figure 2012229198

が式(b1−2)で表される基であり、Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-2) and Y is a cyclic ketone group include the following.
Figure 2012229198

が式(b1−2)で表される基であり、Yがスルトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-2) and Y is a sultone ring group include the following.
Figure 2012229198

が式(b1−3)で表される基であり、Yが、脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。 Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-3) and Y is an aliphatic hydrocarbon group or an unsubstituted alicyclic hydrocarbon group include the following. It is done.

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

1が式(b1−3)で表される基であり、Yがアルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-3) and Y is an alicyclic hydrocarbon group having an alkoxy group include the following.
Figure 2012229198

1が式(b1−3)で表される基であり、Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-3) and Y is an alicyclic hydrocarbon group having a hydroxy group include the following.
Figure 2012229198

1が式(b1−3)で表される基であり、Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-3) and Y is a cyclic ketone group include the following.
Figure 2012229198

1が式(b1−4)で表される基であり、Yが無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-4) and Y is an unsubstituted alicyclic hydrocarbon group include the following.
Figure 2012229198

1が式(b1−4)で表される基であり、Yがアルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-4) and Y is an alicyclic hydrocarbon group having an alkoxy group include the following.
Figure 2012229198

1が式(b1−4)で表される基であり、Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-4) and Y is an alicyclic hydrocarbon group having a hydroxy group include the following.
Figure 2012229198

1が式(b1−4)で表される基であり、Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。 Examples of the sulfonate anion in which L 1 is a group represented by the formula (b1-4) and Y is a cyclic ketone group include the following.

Figure 2012229198
Figure 2012229198

スルホン酸アニオンの中でも、より好ましいスルホン酸アニオンを以下に示す。

Figure 2012229198
Among the sulfonate anions, more preferred sulfonate anions are shown below.
Figure 2012229198

<有機カチオン>
式(I)で表される塩の有機カチオンは、式(I−B)で表される。

Figure 2012229198
[式(I−B)中、
及びRは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。
m及びnは、それぞれ独立に、1又は2を表す。
mが2であるとき、複数存在するRは、互いに同じでも異なっていてもよい。
nが2であるとき、複数存在するRは、互いに同じでも異なっていてもよい。
、R、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。] <Organic cation>
The organic cation of the salt represented by the formula (I) is represented by the formula (IB).
Figure 2012229198
[In the formula (IB),
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
m and n each independently represents 1 or 2.
When m is 2, a plurality of R 3 may be the same as or different from each other.
When n is 2, a plurality of R 4 may be the same as or different from each other.
R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxy group or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group is , -O- or -CO-. ]

及びRのアルキル基としては、上記と同様のものが挙げられる。
〜Rの炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらの組み合わせが挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、上記と同様のものが挙げられる。
組み合わせの基としては、例えばアラルキル基が挙げられ、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
炭化水素基に含まれる−CH−が、−O−又は−CO−に置き換わった基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、アセチル基、メトキシカルボニル基、メチルカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group for R 3 and R 4 are the same as those described above.
Examples of the hydrocarbon group for R 5 to R 9 include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and combinations thereof.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include those similar to the above.
Examples of the combination group include an aralkyl group, such as a benzyl group and a phenethyl group.
Examples of the group in which —CH 2 — contained in the hydrocarbon group is replaced by —O— or —CO— include a methoxy group, an ethoxy group, a butoxy group, an acetyl group, a methoxycarbonyl group, a methylcarbonyloxy group, and a butoxycarbonyloxy group. Group, phenylcarbonyloxy group and the like.

式(I−B)では、Sを含む環において、m及びnが2であり、かつ、R及びRが水素原子である以下で表される環であることが好ましい。

Figure 2012229198
In formula (IB), in the ring containing S, m and n are 2, and R 3 and R 4 are each preferably a ring represented by the following.
Figure 2012229198

有機カチオンは、例えば、以下のカチオン等が挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the organic cation include the following cations.
Figure 2012229198

塩(I)としては、例えば、下記表1〜2記載のスルホン酸アニオンと有機カチオンとからなる塩が挙げられる。   Examples of the salt (I) include salts composed of a sulfonate anion and an organic cation described in Tables 1 and 2 below.

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

なかでも、以下に示す塩が好ましい。

Figure 2012229198
Of these, the salts shown below are preferred.
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

式(I)で表される塩は、例えば、式(I−a)で表される塩と式(I−b)で表される塩とを、触媒存在下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。

Figure 2012229198
(式中、R、R、R、R、R、R、R、R、R、L、m、n及びYは、それぞれ前記と同義である。)
触媒としては、二安息香酸銅(II)等が挙げられる。
溶剤としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。
式(I−a)で表される塩としては、例えば、以下で表される化合物などが挙げられる。
Figure 2012229198
The salt represented by the formula (I) is obtained by, for example, reacting the salt represented by the formula (Ia) and the salt represented by the formula (Ib) in a solvent in the presence of a catalyst. Can be manufactured.
Figure 2012229198
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , L 1 , m, n and Y are as defined above).
Examples of the catalyst include copper (II) dibenzoate.
Examples of the solvent include monochlorobenzene.
Examples of the salt represented by the formula (Ia) include compounds represented by the following.
Figure 2012229198

式(I−b)で表される化合物は、式(I−c)で表される化合物を、溶剤中で還元反応させることにより製造することができる。
還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。
溶剤としては、アセトニトリル/イオン交換水等が挙げられる。

Figure 2012229198
The compound represented by the formula (Ib) can be produced by reducing the compound represented by the formula (Ic) in a solvent.
Examples of the reducing agent include sodium borohydride.
Examples of the solvent include acetonitrile / ion exchange water.
Figure 2012229198

式(I−c)で表される化合物としては、例えば、以下で表される化合物などが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the compound represented by the formula (Ic) include compounds represented by the following.
Figure 2012229198

<酸発生剤>
本発明の酸発生剤は、塩(I)を含有する。塩(I)は、酸発生剤として使用する時、単独でも複数種を同時に用いてもよい。
また、本発明の酸発生剤は、さらに、塩(I)以外の酸発生剤として公知の塩(例えば、塩(I)に含まれる有機カチオン及び公知のアニオン(塩(I)に含まれるスルホン酸アニオン以外のアニオン)からなる塩並びに塩(I)に含まれるスルホン酸アニオン及び公知のカチオン(塩(I)に含まれる有機カチオン以外のカチオン)からなる塩等)を含んでいてもよい。以下、酸発生剤に含まれる塩(I)以外の塩を「酸発生剤(B)」という場合がある。酸発生剤(B)は、単独でも複数種を同時に用いてもよい。
<Acid generator>
The acid generator of the present invention contains a salt (I). When the salt (I) is used as an acid generator, it may be used alone or in combination.
In addition, the acid generator of the present invention further includes a salt known as an acid generator other than the salt (I) (for example, an organic cation contained in the salt (I) and a known anion (sulfone contained in the salt (I)). A salt composed of an anion other than the acid anion), a sulfonate anion contained in the salt (I), and a known cation (such as a salt composed of a cation other than the organic cation contained in the salt (I)). Hereinafter, salts other than the salt (I) contained in the acid generator may be referred to as “acid generator (B)”. The acid generator (B) may be used alone or in combination of two or more.

塩(I)と併用する酸発生剤(B)としては、塩(I)に含まれるスルホン酸アニオンとスルホニウムカチオンとからなる化合物が挙げられる。例えば、式(B1−1)〜式(B1−20)で表されるものが挙げられる。なかでもトリアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、より好ましくはトリフェニルスルホニウムカチオン及びトリトリルスルホニウムカチオンである。特に、式(B1−1)、式(B1−2)、式(B1−3)、式(B1−6)、式(B1−7)、式(B1−11)、式(B1−12)、式(B1−13)及び式(B1−14)から選択される塩がさらに好ましい。   As an acid generator (B) used together with salt (I), the compound which consists of a sulfonate anion and a sulfonium cation contained in salt (I) is mentioned. For example, what is represented by Formula (B1-1)-Formula (B1-20) is mentioned. Among these, those containing a triarylsulfonium cation are preferable, and a triphenylsulfonium cation and a tolylsulfonium cation are more preferable. In particular, Formula (B1-1), Formula (B1-2), Formula (B1-3), Formula (B1-6), Formula (B1-7), Formula (B1-11), Formula (B1-12) Further preferred are salts selected from formula (B1-13) and formula (B1-14).

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

Figure 2012229198
Figure 2012229198

酸発生剤において、塩(I)の含有量は、酸発生剤全量100質量部に対して、5質量部以上であり、好ましくは10質量部以上(より好ましくは30質量部以上)、100質量部以下、好ましくは95質量部以下(より好ましくは90質量部以下)である。
また、塩(I)と酸発生剤(B)との含有量の比(質量)は、例えば、5:95〜100:0、好ましくは5:95〜95:5、より好ましくは10:90〜90:10、さらに好ましくは15:85〜85:15、より一層好ましくは30:70〜70:30である。
In the acid generator, the content of the salt (I) is 5 parts by mass or more, preferably 10 parts by mass or more (more preferably 30 parts by mass or more), 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the acid generator. Part or less, preferably 95 parts by weight or less (more preferably 90 parts by weight or less).
The ratio (mass) of the content of the salt (I) and the acid generator (B) is, for example, 5:95 to 100: 0, preferably 5:95 to 95: 5, and more preferably 10:90. It is -90: 10, More preferably, it is 15: 85-85: 15, More preferably, it is 30: 70-70: 30.

<レジスト組成物>
本発明のレジスト組成物は、上述した酸発生剤と樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)とを含む。
また、レジスト組成物は、さらに塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)と溶剤(以下「溶剤(E)」という場合がある)とが含有されていることが好ましい。
本発明のレジスト組成物においては、塩(I)の含有量は、後述する樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは40質量部以下(より好ましくは35質量部以下)である。
また、塩(I)と酸発生剤(B)とを含有する場合には、塩(I)と酸発生剤(B)との合計含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは40質量部以下(より好ましくは35質量部以下)である。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention includes the acid generator described above and a resin (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”).
The resist composition preferably further contains a basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”) and a solvent (hereinafter sometimes referred to as “solvent (E)”). .
In the resist composition of the present invention, the content of the salt (I) is preferably 1 part by mass or more (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 40 parts, relative to 100 parts by mass of the resin (A) described later. It is not more than part by mass (more preferably not more than 35 parts by mass).
When the salt (I) and the acid generator (B) are contained, the total content of the salt (I) and the acid generator (B) is 100 parts by mass of the resin (A). The amount is preferably 1 part by mass or more (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 40 parts by mass or less (more preferably 35 parts by mass or less).

<樹脂(A)>
本発明のレジスト組成物に含有される樹脂(A)は、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂である。「酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る」とは、「酸との接触前にはアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。
樹脂(A)は、酸に不安定な基を有するモノマー(以下「酸に不安定な基を有するモノマー(a1)」という場合がある)を重合することによって製造することができ、酸の作用によりアルカリ可溶となる。酸に不安定な基を有するモノマー(a1)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Resin (A)>
Resin (A) contained in the resist composition of the present invention is a resin having an acid labile group and insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid. It is. “Can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid” means “insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution before contact with an acid, but soluble in an alkaline aqueous solution after contact with an acid”. means.
The resin (A) can be produced by polymerizing a monomer having an acid labile group (hereinafter, sometimes referred to as “monomer having an acid labile group (a1)”). It becomes alkali-soluble. As the monomer (a1) having an acid labile group, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

なお、本明細書では、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。 In the present specification, "(meth) acrylic monomer", "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " at least one monomer having the structure Means. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

〈酸に不安定な基を有するモノマー(a1)〉
「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式(1)で表される基、式(2)で表される基などが挙げられる。
<Monomer (a1) having an acid labile group>
The term “acid-labile group” means a group that cleaves a leaving group upon contact with an acid to form a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group). Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) and a group represented by the formula (2).

Figure 2012229198
[式(1)中、Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。]
Figure 2012229198
[式(2)中、Ra1'及びRa2'は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3'は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2'及びRa3'は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び2価の基に含まれる−CH−は、−O―又は―S−で置き換わってもよい。]
Figure 2012229198
In Expression (1), R a1 ~R a3 each independently represent a cycloaliphatic hydrocarbon radical of the alkyl group or 3 to 20 carbon atoms having 1 to 8 carbon atoms, R a1 and R a2 are each Bonding to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
Figure 2012229198
[In Formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the divalent group is — O- or -S- may be substituted. ]

a1〜Ra3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。式(1)では、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数3〜16である。

Figure 2012229198
Examples of the alkyl group represented by R a1 to R a3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, and dimethylcyclohexane. Examples thereof include a cycloalkyl group such as a hexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic saturated hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, methylnorbornyl group, and the following groups. In the formula (1), the alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 16 carbon atoms.
Figure 2012229198

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合、−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)基としては、下記式でそれぞれ表される基が挙げられる。このような2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数3〜12である。

Figure 2012229198
When R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group, examples of the —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) group include groups represented by the following formulae. . Such a divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms.
Figure 2012229198

式(1)で表される酸に不安定な基としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)などが挙げられる。 Examples of the acid labile group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably tert- Butoxycarbonyl group), 2-alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and a carbon atom form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- (Adamantan-1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

a1’〜Ra3’の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group for R a1 ′ to R a3 ′ include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group.
Examples of the alkyl group and alicyclic hydrocarbon group are the same as those described above.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.

好ましくは、Ra1'及びRa2'のうち少なくとも1つが水素原子である。
式(2)で表される基としては、以下の基が挙げられる。

Figure 2012229198
Preferably, at least one of R a1 ′ and R a2 ′ is a hydrogen atom.
Examples of the group represented by the formula (2) include the following groups.
Figure 2012229198

酸に不安定な基を有するモノマー(a1)は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The monomer (a1) having an acid labile group is preferably a monomer having an acid labile group and a carbon-carbon double bond, more preferably a (meth) acryl having an acid labile group. Monomer.

モノマー(a1)は好ましくは、酸不安定基(1)及び/又は酸不安定基(2)と、炭素−炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、酸不安定基(1)及び/又は酸不安定基(2)と(メタ)アクリル基とをともに分子内に有するモノマーであり、さらに好ましくは、酸不安定基(1)を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The monomer (a1) is preferably a monomer having both an acid labile group (1) and / or an acid labile group (2) and a carbon-carbon double bond in the molecule, and the acid labile group (1 ) And / or a monomer having both an acid labile group (2) and a (meth) acrylic group in the molecule, and more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group (1).

酸に不安定な基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー(a1)を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。   Of the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferred. If a resin obtained by polymerizing the monomer (a1) having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used, the resolution of the resist can be improved.

酸に不安定な基と脂環式炭化水素基とを有する(メタ)アクリル系モノマーとして、好ましくは式(a1−1)で表される構造単位(以下、「構造単位(a1−1)」という場合がある)を誘導するモノマー(以下、「モノマー(a1−1)」という場合がある)又は式(a1−2)又は式(a1−2)で表される構造単位(以下、「構造単位(a1−2)」という場合がある)を誘導するモノマー(以下、「モノマー(a1−2)」という場合がある)が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The (meth) acrylic monomer having an acid labile group and an alicyclic hydrocarbon group is preferably a structural unit represented by the formula (a1-1) (hereinafter referred to as “structural unit (a1-1)”). Or a structural unit represented by formula (a1-2) or formula (a1-2) (hereinafter referred to as “structure”). And a monomer for deriving the unit (sometimes referred to as “a1-2)” (hereinafter, sometimes referred to as “monomer (a1-2)”). These may be used alone or in combination of two or more.

Figure 2012229198
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜10の脂環式炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
Figure 2012229198
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−であり、より好ましくは−O−である。k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。
a6及びRa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。

Figure 2012229198
脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。 L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, more preferably —O—. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Examples of the alkyl group for R a6 and R a7 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group. The alkyl group for R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group for R a6 and R a7 may be monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, Examples thereof include cycloalkyl groups such as methylcyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group, and cyclooctyl group. Examples of the polycyclic saturated hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, methylnorbornyl group, and the following groups.
Figure 2012229198
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 8 or less carbon atoms, more preferably 6 or less.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

式(a1−1)で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式(a1−1−1)〜(a1−1−8)で表されるモノマーが好ましく、下式(a1−1−1)〜(a1−1−4)で表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2012229198
Examples of the monomer represented by the formula (a1-1) include monomers described in JP 2010-204646 A. Monomers represented by the following formulas (a1-1-1) to (a1-1-8) are preferred, and monomers represented by the following formulas (a1-1-1) to (a1-1-4) are more preferred. .
Figure 2012229198

式(a1−2)で表されるモノマーとしては、例えば、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート等が挙げられる。下式(a1−2−1)〜(a1−2−6)で表されるモノマーが好ましく、下式(a1−2−3)〜(a1−2−4)で表されるモノマーがより好ましく、下式(a1−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2012229198
Examples of the monomer represented by the formula (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcycloheptane-1 -Yl (meth) acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate and the like. Monomers represented by the following formulas (a1-2-1) to (a1-2-6) are preferred, and monomers represented by the following formulas (a1-2-3) to (a1-2-4) are more preferred. A monomer represented by the following formula (a1-2-3) is more preferable.
Figure 2012229198

樹脂(A)における構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)の含有率は、樹脂(A)の全構造単位において、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   The content of the structural unit (a1-1) and / or the structural unit (a1-2) in the resin (A) is usually 10 to 95 mol% in all structural units of the resin (A), preferably 15 to It is 90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.

他のモノマー(a1)としては、例えば、酸不安定基(2)を有する(メタ)アクリル系モノマーである式(a1−5)で表されるモノマー(以下「モノマー(a1−5)」という場合がある)を用いてもよい。

Figure 2012229198
式(a1−5)中、
31は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
〜Lは、オキシ基、チオキシ基又は−O−(CH2k4−CO−O−で表される基を表す。ここで、k4は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基(−CO−)との結合手である。
1’は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基中に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
s1及びs1’は、それぞれ独立して、0〜4の整数を表す。 As the other monomer (a1), for example, a monomer represented by the formula (a1-5) which is a (meth) acrylic monomer having an acid labile group (2) (hereinafter referred to as “monomer (a1-5)”) May be used).
Figure 2012229198
In formula (a1-5),
R 31 represents a C 1-6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
L 3 to L 5 represent an oxy group, a thioxy group, or a group represented by * —O— (CH 2 ) k4 —CO—O—. Here, k4 represents an integer of 1 to 7, and * is a bond with a carbonyl group (—CO—).
Z 1 ′ is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the methylene group contained in the alkanediyl group may be replaced with an oxy group or a carbonyl group.
s1 and s1 ′ each independently represents an integer of 0 to 4.

式(a1−5)においては、R31は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
は、酸素原子が好ましい。
及びLは、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が、好ましい。
s1は、1が好ましい。
s1’は、0〜2の整数が好ましい。
1’は、単結合又は−CH−CO−O−が好ましい。
In formula (a1-5), R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L 5 is preferably an oxygen atom.
One of L 3 and L 4 is preferably an oxygen atom and the other is a sulfur atom.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z 1 ′ is preferably a single bond or —CH 2 —CO—O—.

モノマー(a1−5)としては、以下のモノマーが挙げられる。

Figure 2012229198
Examples of the monomer (a1-5) include the following monomers.
Figure 2012229198

樹脂(A)が、モノマー(a1−5)に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位(100モル%)に対して、1〜95モル%の範囲が好ましく、3〜90モル%の範囲がより好ましく、5〜85モル%の範囲がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a1-5), the content thereof is in the range of 1 to 95 mol% with respect to all the structural units (100 mol%) of the resin (A). Is preferable, the range of 3-90 mol% is more preferable, and the range of 5-85 mol% is further more preferable.

〈酸安定モノマー〉
樹脂(A)は、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)と、酸に不安定な基を有さないモノマー(以下「酸安定モノマー」という場合がある)との共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
樹脂(A)が酸に不安定な基を有するモノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)に由来する構造単位は、全構造単位100モル%に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。また、アダマンチル基を有するモノマー(特に酸に不安定な基を有するモノマー(a1−1))に由来する構造単位の含有率は、好ましくは酸に不安定な基を有するモノマー(a1)に対して15モル%以上である。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。
<Acid stable monomer>
The resin (A) is preferably a co-polymerization of a monomer (a1) having an acid labile group and a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable monomer”). It is a coalescence. An acid stable monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
When the resin (A) is a copolymer of a monomer (a1) having an acid labile group and an acid stable monomer, the structural units derived from the monomer (a1) having an acid labile group are all Preferably it is 10-80 mol% with respect to 100 mol% of structural units, More preferably, it is 20-60 mol%. Further, the content of the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group (particularly the monomer (a1-1) having an acid labile group) is preferably relative to the monomer (a1) having an acid labile group. 15 mol% or more. When the ratio of the monomer having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist is improved.

酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)」という場合がある)又はラクトン環を含有する酸安定モノマー(以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)」という場合がある)に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。   As an acid stable monomer, Preferably, the monomer which has a hydroxyl group or a lactone ring is mentioned. Acid-stable monomer having a hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)”) or acid-stable monomer having a lactone ring (hereinafter referred to as “acid-stable monomer having a lactone ring (a3)”) If a resin having a structural unit derived from (sometimes) is used, the resolution of the resist and the adhesion to the substrate can be improved.

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)〉
レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2−0)を使用する。
一方、短波長のArFエキシマレーザ露光(193nm)などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)>
When the resist composition is used for KrF excimer laser exposure (248 nm), high energy beam exposure such as electron beam or EUV light, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably a phenolic hydroxy which is a hydroxystyrene. The acid-stable monomer (a2-0) having a group is used.
On the other hand, when using short-wavelength ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably acid-stable having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (a2-1) Use monomers. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group may be used alone or in combination of two or more.

フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマー(a2−0)として、式(a2−0)で表されるp−又はm−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。

Figure 2012229198
[式(a2−0)中、
a30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
maは0〜4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一であっても異なってもよい。] Examples of the monomer (a2-0) having a phenolic hydroxy group include styrene monomers such as p- or m-hydroxystyrene represented by the formula (a2-0).
Figure 2012229198
[In the formula (a2-0),
R a30 represents a C 1-6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
R a31 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyl group, or methacryloyl. Represents a group.
ma represents an integer of 0 to 4. When ma is an integer of 2 or more, the plurality of R a31 may be the same or different. ]

a30及びRa31のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基が挙げられ、好ましくは、炭素数1〜4のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルキル基であり、特に好ましくは、メチル基である。
a31のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基等が挙げられ、好ましくは、炭素数1〜4のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルコキシ基であり、特に好ましくは、メトキシ基である。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。
maは、好ましくは、0〜2であり、より好ましくは、0又は1であり、特に好ましくは、0である。
Examples of the alkyl group for R a30 and R a31 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, and n-hexyl group. Preferably, it is a C1-C4 alkyl group, More preferably, it is a C1-C2 alkyl group, Most preferably, it is a methyl group.
Examples of the alkoxy group for R a31 include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, an n-pentoxy group, and an n-hexoxy group. Preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 or 2 carbon atoms, and particularly preferably a methoxy group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the acyloxy group include an acetyloxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, and an isobutyryloxy group.
ma is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該当する(メタ)アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン及び/又は他の重合性モノマーとをラジカル重合した後、塩基を用いて脱アセチルすることによって得ることができる。
フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、特開2010−204634号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式(a2−0−1)及び(a2−0−2)で表されるモノマーが好ましい。樹脂(A)を製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。

Figure 2012229198
In order to obtain a copolymer resin having a structural unit derived from a monomer having such a phenolic hydroxy group, the corresponding (meth) acrylic acid ester monomer and acetoxystyrene and / or other polymerizable monomer were radically polymerized. Thereafter, it can be obtained by deacetylation using a base.
As a monomer which has a phenolic hydroxy group, the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204634 is mentioned, for example. Monomers represented by the following formulas (a2-0-1) and (a2-0-2) are preferred. When manufacturing resin (A), what protected the phenolic hydroxy group in these with the suitable protective group can also be used.
Figure 2012229198

樹脂(A)が、酸安定モノマー(a2−0)に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂の全単位において、通常5〜90モル%であり、好ましくは10〜85モル%であり、より好ましくは15〜80モル%である。   When the resin (A) has a structural unit derived from the acid-stable monomer (a2-0), the content is usually from 5 to 90 mol%, preferably from 10 to 85 mol% in all units of the resin. More preferably, it is 15-80 mol%.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式(a2−1)で表されるモノマーが挙げられる。

Figure 2012229198
式(a2−1)中、
a3は、−O−又は−O−(CH2k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。 Examples of the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group include a monomer represented by the formula (a2-1).
Figure 2012229198
In formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。それぞれ下式(a2−1−1)〜(a2−1−6)で表されるモノマーが好ましく、それぞれ下式(a2−1−1)〜(a2−1−4)で表されるモノマーがより好ましく、それぞれ下式(a2−1−1)又は(a2−1−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2012229198
As an acid stable monomer (a2-1) which has a hydroxyadamantyl group, the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Monomers represented by the following formulas (a2-1-1) to (a2-1-6) are preferable, respectively, and monomers represented by the following formulas (a2-1-1) to (a2-1-4) are respectively used. More preferred are monomers represented by the following formulas (a2-1-1) or (a2-1-3), respectively.
Figure 2012229198

樹脂(A)が、式(a2−1)で表されるモノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全単位において、通常3〜45モル%であり、好ましくは5〜40モル%であり、より好ましくは5〜35モル%であり、さらに好ましくは5〜20モル%である。   When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-1), the content is usually 3 to 45 mol% in all units of the resin (A), preferably Is from 5 to 40 mol%, more preferably from 5 to 35 mol%, still more preferably from 5 to 20 mol%.

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)〉
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。
<Acid-stable monomer having a lactone ring (a3)>
The lactone ring possessed by the acid stable monomer (a3) may be, for example, a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and a monocyclic lactone ring and other rings The condensed ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring or a condensed ring of γ-butyrolactone ring and another ring is preferable.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is preferably represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.

Figure 2012229198
式(a3−1)〜式(a3−3)中、
a4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a18〜Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、炭素数1〜4のアルキル基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。
p1が2以上のとき、複数のRa21の全部又は一部は同じであってもよい。
q1が2以上のとき、複数のRa22の全部又は一部は同じであってもよい。
r1が2以上のとき、複数のRa23の全部又は一部は同じであってもよい。
Figure 2012229198
In formula (a3-1) to formula (a3-3),
L a4 to L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a18 to R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3.
When p1 is 2 or more, all or some of the plurality of R a21 may be the same.
When q1 is 2 or more, all or some of the plurality of R a22 may be the same.
When r1 is 2 or more, all or some of the plurality of R a23 may be the same.

式(a3−1)〜式(a3−3)では、La4〜La6としては、La3で説明したものが挙げられる。
a4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−であることが好ましく、より好ましくは−O−である。k3は、好ましくは1〜4の整数であり、より好ましくは1である。
a18〜Ra21は、それぞれ独立に、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1〜r1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a3-1) to the formula (a3-3), examples of L a4 to L a6 include those described for L a3 .
L a4 to L a6 are each independently preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—, more preferably —O—. k3 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a18 to R a21 are each independently preferably a methyl group.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1 to r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。それぞれ下式(a3−1−1)〜(a3−1−4)、(a3−2−1)〜(a3−2−4)、(a3−3−1)〜(a3−3−4)で表されるモノマーが好ましく、それぞれ下式(a3−1−1)〜(a3−1−2)、(a3−2−3)〜(a3−2−4)で表されるモノマーがより好ましく、それぞれ下式(a3−1−1)又は(a3−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2012229198
Examples of the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring include monomers described in JP 2010-204646 A. The following formulas (a3-1-1) to (a3-1-4), (a3-2-1) to (a3-2-4), (a3-3-1) to (a3-3-4), respectively Are preferable, and monomers represented by the following formulas (a3-1-1) to (a3-1-2) and (a3-2-3) to (a3-2-4) are more preferable, respectively. More preferably, monomers represented by the following formula (a3-1-1) or (a3-2-3), respectively.
Figure 2012229198

樹脂(A)がラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)に由来する構造単位を有する場合、その合計含有率は、樹脂の全構造単位において、通常5〜70モル%であり、好ましくは10〜65モル%であり、より好ましくは10〜60モル%である。
また、モノマー(a3−1)に由来する構造単位、モノマー(a3−2)に由来する構造単位及びモノマー(a3−3)に由来する構造単位それぞれの含有量は、樹脂(A)の全構造単位(100モル%)に対して、5〜60モル%が好ましく、5〜50モル%の範囲がより好ましく、10〜50モル%の範囲がさらに好ましい。
When the resin (A) has a structural unit derived from the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring, the total content is usually from 5 to 70 mol%, preferably from 10 to 10% in all structural units of the resin. It is 65 mol%, More preferably, it is 10-60 mol%.
The content of each of the structural unit derived from the monomer (a3-1), the structural unit derived from the monomer (a3-2), and the structural unit derived from the monomer (a3-3) is the total structure of the resin (A). 5-60 mol% is preferable with respect to a unit (100 mol%), the range of 5-50 mol% is more preferable, and the range of 10-50 mol% is more preferable.

〈その他のモノマー(a4)〉
樹脂は、上記のモノマー以外のその他の公知のモノマー(a4)に由来する構造単位を有していてもよい。以下、このような酸安定モノマーを「その他のモノマー(a4)」という場合がある。
<Other monomer (a4)>
The resin may have a structural unit derived from another known monomer (a4) other than the above-mentioned monomers. Hereinafter, such an acid stable monomer may be referred to as “other monomer (a4)”.

好ましくは、樹脂(A)は、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)を重合させた共重合体である。該共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a1−1)及びシクロへキシル基を有するモノマー(a1−2)の少なくとも1種(さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a1−1))であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)の少なくとも1種である。樹脂(A)は、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造できる。   Preferably, the resin (A) polymerizes at least the monomer (a1) having an acid labile group, the acid stable monomer (a2) having a hydroxy group, and / or the acid stable monomer (a3) having a lactone ring. Copolymer. In the copolymer, the monomer (a1) having an acid labile group is more preferably at least one of a monomer (a1-1) having an adamantyl group and a monomer (a1-2) having a cyclohexyl group. (More preferably, the monomer (a1-1) having an adamantyl group), and the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer (a2-1) having a hydroxyadamantyl group, and a lactone ring More preferably, the acid-stable monomer (a3) having a γ-butyrolactone ring and an acid-stable monomer (a3-1) having a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and a norbornane ring are used. At least one. Resin (A) can be manufactured by a well-known polymerization method (for example, radical polymerization method).

樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは2,500以上であり、より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは4,000以上である。該重量平均分子量の上限は50,000以下が好ましく、30,000以下がより好ましく、15,000以下がさらに好ましい。
樹脂(A)の含有率は、好ましくは、組成物の固形分中80質量%以上99質量%以下である。「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤(E)を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more, more preferably 3,000 or more, and further preferably 4,000 or more. The upper limit of the weight average molecular weight is preferably 50,000 or less, more preferably 30,000 or less, and even more preferably 15,000 or less.
The content of the resin (A) is preferably 80% by mass or more and 99% by mass or less in the solid content of the composition. The “solid content in the composition” means the total of resist composition components excluding the solvent (E) described later. The solid content in the composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured, for example, by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)〉
塩基性化合物(C)はクエンチャーとして作用する。
塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)として、好ましくは、式(C1)で表される化合物〜式(C8)で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物が挙げられる。
<Basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”)>
The basic compound (C) acts as a quencher.
The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by the formula (C1) to a compound represented by the formula (C8), more preferably a compound represented by the formula (C1-1). It is done.

Figure 2012229198
[式(C1)中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
Figure 2012229198
[In formula (C1), R c1 , R c2 and R c3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 10 represents an aromatic hydrocarbon group, and the hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. It may be substituted with a group hydrocarbon group. ]

Figure 2012229198
[式(C1−1)中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4の全部又は一部は同じであってもよい。]
Figure 2012229198
[In Formula (C1-1), R c2 and R c3 represent the same meaning as described above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, all or some of the plurality of R c4 may be the same. ]

Figure 2012229198
[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9の全部又は一部は同じであってもよい。]
Figure 2012229198
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4), R c5 , R c6 , R c7 and R c8 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, all or some of the plurality of R c9 may be the same. ]

Figure 2012229198
[式(C5)及び式(C6)中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
o3及びp3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、o3又はp3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc14及びRc15の全部又は一部は同じであってもよい。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 2012229198
[In Formula (C5) and Formula (C6), R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 each independently represent the same meaning as R c4 .
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3. When o3 or p3 is 2 or more, all or a part of the plurality of R c14 and R c15 may be the same.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

Figure 2012229198
[式(C7)及び式(C8)中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、q3、r3及びs3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc18、Rc19及びRc20の全部又は一部は同じであってもよい。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 2012229198
Wherein (C7) and formula (C8), R c18, R c19 and R c20 in each occurrence independently represent the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represent an integer of 0 to 3, when q3, r3 and s3 is 2 or more, respectively, all or a portion of the plurality of R c18, R c19 and R c 20 at the same There may be.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)〜式(C8)においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
In the formulas (C1) to (C8), examples of the alkyl group, the alicyclic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group, the alkoxy group, and the alkanediyl group are the same as those described above.
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and preferably diisopropyl. Piruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール、4−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン、4−メチルピリジン等が挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

塩基性化合物(C)の含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましく0.01〜3質量%程度であり、特に好ましく0.01〜1質量%程度である。   The content of the basic compound (C) is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably based on the solid content of the resist composition. It is about 0.01-1 mass%.

〈溶剤(以下「溶剤(E)」という場合がある〉
本発明のレジスト組成物に含有されている溶剤(E)は、例えば、レジスト組成物中90質量%以上、好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上で含有されており、例えば、99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下で含有されている。
溶剤(E)の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (sometimes referred to as "solvent (E)")
The solvent (E) contained in the resist composition of the present invention is, for example, 90% by mass or more, preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more in the resist composition. It is contained at 99.9% by mass or less, preferably 99% by mass or less.
The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography, for example.

溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤(E)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent (E) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

〈その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、樹脂(A)以外の高分子化合物(例えば、上述した酸安定モノマー及び/又は公知のモノマーの共重合体など)、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等が挙げられる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. There is no particular limitation on the component (F), and additives known in the resist field, for example, polymer compounds other than the resin (A) (for example, the above-mentioned acid-stable monomer and / or copolymer of known monomers), Examples include sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, and dyes.

<レジスト組成物の調製方法>
レジスト組成物は、通常、溶媒(D)の存在下で、塩(I)及び樹脂(A)を混合することで調製することができる。さらに、上述のとおり必要に応じて酸発生剤(B)、塩基性化合物(C)及び/又は成分(F)を混合してもよい。その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤(E)に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
本発明のレジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量を選択することにより、本発明のレジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。
<Method for preparing resist composition>
The resist composition can be usually prepared by mixing the salt (I) and the resin (A) in the presence of the solvent (D). Furthermore, you may mix an acid generator (B), a basic compound (C), and / or a component (F) as needed as above-mentioned. The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin, the solubility with respect to solvent (E), such as resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
By selecting the amount of each component used when preparing the resist composition of the present invention, the content of each component in the resist composition of the present invention can be adjusted.

このように、樹脂(A)及び酸発生剤(B)並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物(C)、溶剤(E)又は成分(F)の各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、レジスト組成物を調製することができる。   Thus, after mixing resin (A) and acid generator (B) and each of basic compound (C), solvent (E) or component (F) used as necessary, at a preferred content, A resist composition can be prepared by filtering using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) The process of apply | coating the resist composition of this invention on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) A step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。   Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.

塗布後の組成物を乾燥させて溶剤を除去する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段(いわゆるプリベーク)、あるいは減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、塗布膜を乾燥させて、溶剤(D)を除去する。この場合の温度は、例えば、50〜200℃程度が好ましい。また、圧力は、1〜1.0×10Pa程度が好ましい。 The composition after application is dried to remove the solvent. For drying, for example, the coating film is dried by heating means using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking), decompressing means using a decompression device, or a combination of these means, and the solvent (D) Remove. The temperature in this case is preferably about 50 to 200 ° C., for example. The pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンが形成されたマスク(フォトマスク)を介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線、超紫外光(EUV)を照射するものであってもよい。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。 The obtained composition layer is usually exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask (photomask) on which a required pattern is formed. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser) Etc.) can be used such as those that convert the wavelength of the laser light from the above and radiate the harmonic laser light in the far ultraviolet region or the vacuum ultraviolet region. The exposure machine may irradiate an electron beam or extreme ultraviolet light (EUV). In this specification, irradiating these radiations may be collectively referred to as “exposure”.

露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
前記アルカリ現像液としては、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
The composition layer after the exposure is subjected to heat treatment for promoting the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using an alkali developer using a developing device.
The alkaline developer may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline).
After development, it is preferable to rinse with ultrapure water to remove water remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)照射用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物あるいは液浸露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。
<Application>
The resist composition of the present invention includes a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) irradiation, or a resist composition or liquid for an EUV exposure machine. It is suitable as a resist composition for immersion exposure and useful for fine processing of semiconductors.

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「%」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
装置 :HLC−8120GPC型(東ソー社製)
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified. The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography. The analysis conditions for gel permeation chromatography are as follows.
Apparatus: HLC-8120GPC type (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Multipore H XL -M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

また、化合物の構造は、質量分析(LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型)を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値を「MASS」で示す。   The structure of the compound was confirmed by measuring molecular peaks using mass spectrometry (LC: Agilent model 1100, MASS: Agilent LC / MSD model). In the following examples, the value of this molecular peak is indicated by “MASS”.

実施例1:式(I1)で表される塩の合成

Figure 2012229198
式(I1−a)で表される化合物2.00部及びアセトニトリル10部を添加し、23℃で2時間攪拌した。得られた混合溶液を0℃まで冷却し、水素化ホウ素ナトリウム0.33部及びイオン交換水4.88部の混合液を10分かけて滴下し、さらに、0℃で3時間攪拌した。得られた反応マスに、1N塩酸8.61部を添加し、濃縮し、クロロホルム40部及びイオン交換水100部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。この操作を4回繰り返した。回収された有機層をろ過し、ろ液を濃縮することにより、式(I1−b)で表される塩1.37部を得た。 Example 1: Synthesis of a salt represented by the formula (I1)
Figure 2012229198
2.00 parts of a compound represented by the formula (I1-a) and 10 parts of acetonitrile were added and stirred at 23 ° C. for 2 hours. The obtained mixed solution was cooled to 0 ° C., a mixed solution of 0.33 part of sodium borohydride and 4.88 parts of ion-exchanged water was added dropwise over 10 minutes, and further stirred at 0 ° C. for 3 hours. To the obtained reaction mass, 8.61 parts of 1N hydrochloric acid was added, concentrated, 40 parts of chloroform and 100 parts of ion-exchanged water were added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and separated to take out the organic layer. This operation was repeated 4 times. The collected organic layer was filtered and the filtrate was concentrated to obtain 1.37 parts of the salt represented by the formula (I1-b).

Figure 2012229198
式(I1−c)で表される塩2.96部、(I1−b)で表される化合物0.48部及びモノクロロベンゼン24.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.03部を添加し、さらに、100℃で30分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した。得られた残渣に、クロロホルム45部及びイオン交換水11.25部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。この操作を4回繰り返した。得られた有機層を濃縮し、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル20.90部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮した。得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル24.20部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式(I1)で表される塩1.67部を得た。
Figure 2012229198
2.96 parts of a salt represented by the formula (I1-c), 0.48 parts of a compound represented by (I1-b) and 24.00 parts of monochlorobenzene were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the resulting mixture, 0.03 part of copper (II) dibenzoate was added, and the mixture was further stirred at 100 ° C. for 30 minutes. The resulting reaction solution was concentrated. To the obtained residue, 45 parts of chloroform and 11.25 parts of ion-exchanged water were added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to take out the organic layer. This operation was repeated 4 times. The obtained organic layer was concentrated, and 20.90 parts of tert-butyl methyl ether was added to the obtained residue and stirred, and the supernatant was removed. The resulting residue was dissolved in acetonitrile and concentrated. To the obtained residue, 24.20 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in acetonitrile and concentrated to obtain 1.67 parts of the salt represented by the formula (I1).

MASS(ESI(+)Spectrum):M 251.2
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 251.2
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

実施例2:式(I3)で表される塩の合成

Figure 2012229198
式(I3−c)で表される塩2.90部、(I1−b)で表される化合物0.48部及びモノクロロベンゼン24.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.03部を添加し、さらに、100℃で30分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した。得られた残渣に、クロロホルム40部及びイオン交換水15部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。この操作を4回繰り返した。得られた有機層を濃縮し、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮した。得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式(I3)で表される塩1.23部を得た。 Example 2: Synthesis of a salt represented by the formula (I3)
Figure 2012229198
2.90 parts of a salt represented by the formula (I3-c), 0.48 parts of a compound represented by (I1-b) and 24.00 parts of monochlorobenzene were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the resulting mixture, 0.03 part of copper (II) dibenzoate was added, and the mixture was further stirred at 100 ° C. for 30 minutes. The resulting reaction solution was concentrated. To the obtained residue, 40 parts of chloroform and 15 parts of ion-exchanged water were added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to take out the organic layer. This operation was repeated 4 times. The obtained organic layer was concentrated, and 20 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting residue and stirred, and the supernatant was removed. The resulting residue was dissolved in acetonitrile and concentrated. To the obtained residue, 20 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in acetonitrile and concentrated to obtain 1.23 parts of the salt represented by the formula (I3).

MASS(ESI(+)Spectrum):M 251.2
MASS(ESI(−)Spectrum):M 323.0
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 251.2
MASS (ESI (-) Spectrum): M - 323.0

樹脂の合成
使用したモノマーを下記に示す。これらのモノマーを「モノマー(A)」〜「モノマー(G)」という。

Figure 2012229198
Resin synthesis The monomers used are shown below. These monomers are referred to as “monomer (A)” to “monomer (G)”.
Figure 2012229198

〔樹脂A1の合成〕
モノマー(A)、モノマー(E)、モノマー(B)、モノマー(C)及びモノマー(D)を、モル比30:14:6:20:30で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを75℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約7.2×10である共重合体を収率78%で得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。

Figure 2012229198
[Synthesis of Resin A1]
Monomer (A), monomer (E), monomer (B), monomer (C) and monomer (D) were charged at a molar ratio of 30: 14: 6: 20: 30. Subsequently, 1.5 mass times dioxane was added with respect to the total mass of all the monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 75 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution is purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times, and the weight average molecular weight is about 7.2 × 10 3. The coalescence was obtained with a yield of 78%. This copolymer has a structural unit of the following formula, and this is designated as resin A1.
Figure 2012229198

〔樹脂A2の合成〕
モノマー(F)、モノマー(C)及びモノマー(B)を、モル比40:40:20で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、0.8mol%と2.4mol%との割合で添加し、これを70℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(3:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約1.0×10である共重合体を収率78%で得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。

Figure 2012229198
[Synthesis of Resin A2]
Monomer (F), monomer (C) and monomer (B) were charged at a molar ratio of 40:40:20, and then 1.5 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. Into the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were 0.8 mol% and 2.4 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. And heated at 70 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution is purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (3: 1) and precipitating three times, and the weight average molecular weight is about 1.0 × 10 4. The coalescence was obtained with a yield of 78%. This copolymer has a structural unit of the following formula, and this is designated as resin A2.
Figure 2012229198

〔樹脂A3の合成〕
モノマー(A)、モノマー(E)、モノマー(B)、モノマー(D)及びモノマー(C)を、モル比30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×10の共重合体A3を収率78%で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2012229198
[Synthesis of Resin A3]
Monomer (A), monomer (E), monomer (B), monomer (D) and monomer (C) are mixed in a molar ratio of 30: 14: 6: 20: 30. 5 mass times dioxane was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.2. A × 10 3 copolymer A3 was obtained with a yield of 78%. This resin A3 has the following structural units.
Figure 2012229198

〔樹脂A4の合成〕
モノマー(A)、モノマー(G)、モノマー(B)、モノマー(D)及びモノマー(C)を、モル比30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×10の共重合体A4を収率78%で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2012229198
[Synthesis of Resin A4]
Monomer (A), monomer (G), monomer (B), monomer (D) and monomer (C) are mixed in a molar ratio of 30: 14: 6: 20: 30. 5 mass times dioxane was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.2. A × 10 3 copolymer A4 was obtained with a yield of 78%. This resin A4 has the following structural units.
Figure 2012229198

<レジスト組成物の調製>
表3に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
As shown in Table 3, the following components were mixed, and the resulting mixture was filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

Figure 2012229198
Figure 2012229198

<樹脂>
樹脂A1
樹脂A2
樹脂A3
樹脂A4
<酸発生剤>
I1:実施例1で合成

Figure 2012229198
I3:実施例2で合成
Figure 2012229198
B1:特開2010−152341号公報の実施例に従って合成
Figure 2012229198
B2:特開2010−61018号公報の実施例に従って合成
Figure 2012229198
<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン(東京化成工業(株)製)
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265.0部
2−ヘプタノン 20.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部 <Resin>
Resin A1
Resin A2
Resin A3
Resin A4
<Acid generator>
I1: Synthesis in Example 1
Figure 2012229198
I3: synthesized in Example 2
Figure 2012229198
B1: Synthesis according to the example of JP 2010-152341 A
Figure 2012229198
B2: synthesized according to the example of JP 2010-61018 A
Figure 2012229198
<Basic compound: Quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265.0 parts 2-heptanone 20.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

<レジストパターンの製造及びその評価>
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記表3の各レジスト組成物を、乾燥(プリベーク)後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。
レジスト組成物が塗布されたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表3の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークし、レジスト膜を形成した。
レジスト膜が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー(XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光)で、コンタクトホールパターン(ホールピッチ100nm/ホール径70nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、前記シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表3の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。
<Manufacture of resist pattern and its evaluation>
An organic antireflective coating composition (ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied to a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an organic antireflective coating having a thickness of 78 nm. Formed. Next, each of the resist compositions shown in Table 3 was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying (pre-baking) was 85 nm.
The silicon wafer coated with the resist composition was pre-baked on a direct hot plate at a temperature described in the “PB” column of Table 3 for 60 seconds to form a resist film.
ArF excimer stepper for immersion exposure (XT: 1900Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light) on a silicon wafer on which a resist film is formed, and a contact hole pattern (hole pitch 100 nm / Using a mask for forming a hole diameter of 70 nm, exposure was performed while changing the exposure amount stepwise. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, the silicon wafer was post-exposure baked on a hot plate for 60 seconds at the temperature described in the “PEB” column of Table 3. Next, this silicon wafer was subjected to paddle development for 60 seconds with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution to obtain a resist pattern.

各レジスト膜において、ホール径70nmのマスクで形成したパターンのホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。   In each resist film, an exposure amount at which the hole diameter of a pattern formed with a mask having a hole diameter of 70 nm was 55 nm was defined as effective sensitivity.

<フォーカスマージン評価(DOF)>
実効感度において、フォーカスを振った場合、線幅が55nm±5%の幅にある範囲(52.5〜57.7nm)を線幅指標とし、DOFを以下の4水準で評価した。すなわち、DOFが
0.17μm以上であるものを「◎」、
0.12μm以上0.17μm未満であるものを「○」、
0.12μm未満であるものを「×」とした。
その結果を表4に示す。
<Focus margin evaluation (DOF)>
In the effective sensitivity, when the focus was changed, the range (52.5 to 57.7 nm) in which the line width was 55 nm ± 5% was used as the line width index, and the DOF was evaluated according to the following four levels. In other words, those having a DOF of 0.17 μm or more are indicated with “◎”,
“○” indicates that the thickness is 0.12 μm or more and less than 0.17 μm,
What was less than 0.12 micrometer was made into "x".
The results are shown in Table 4.

Figure 2012229198
Figure 2012229198

本発明の塩を含むレジスト組成物を用いれば、優れたフォーカスマージン(DOF)で有するレジストパターンを製造することができる。   If the resist composition containing the salt of the present invention is used, a resist pattern having an excellent focus margin (DOF) can be produced.

Claims (8)

式(I)で表される塩。
Figure 2012229198
[式(I)中、
及びRは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
m及びnは、それぞれ独立に、1又は2を表す。
及びRは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。
mが2であるとき、複数存在するRは、互いに同じでも異なっていてもよい。
nが2であるとき、複数存在するRは、互いに同じでも異なっていてもよい。
、R、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。]
A salt represented by the formula (I).
Figure 2012229198
[In the formula (I),
R 1 and R 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. .
Y represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent; —CH 2 — contained in the aromatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
m and n each independently represents 1 or 2.
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
When m is 2, a plurality of R 3 may be the same as or different from each other.
When n is 2, a plurality of R 4 may be the same as or different from each other.
R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxy group or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group is , -O- or -CO-. ]
m及びnが2であり、かつ、R及びRがいずれも水素原子である請求項1記載の塩。 The salt according to claim 1, wherein m and n are 2, and R 3 and R 4 are both hydrogen atoms. が、*−CO−O−(CH−(*は、−C(R)(R)−の炭素原子との結合手を表し、nは0又は1を表す。)である請求項1又は2記載の塩。 L 1 is * —CO—O— (CH 2 ) n — (* represents a bond to the carbon atom of —C (R 1 ) (R 2 ) —, and n represents 0 or 1). The salt according to claim 1 or 2, wherein 請求項1〜3のいずれかに記載の塩を含有する酸発生剤。   The acid generator containing the salt in any one of Claims 1-3. 請求項4記載の酸発生剤と樹脂とを含み、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。   A resin comprising an acid generator according to claim 4 and a resin, wherein the resin has an acid labile group and is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid. Resist composition which is resin. さらに溶剤を含む請求項5記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 5, further comprising a solvent. さらに塩基性化合物を含む請求項5又は6記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition of Claim 5 or 6 containing a basic compound. (1)請求項5〜7のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition in any one of Claims 5-7 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:
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