JP2012227323A - Flexible wiring board and module using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、パワー系の半導体素子及び制御系の半導体素子を同一基板に搭載するためのフレキシブル配線基板及びそれを用いたモジュールに関するものである。 The present invention relates to a flexible wiring board for mounting a power semiconductor element and a control semiconductor element on the same substrate, and a module using the same.
半導体回路基板、特にパワートランジスターやＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのパワー系半導体素子を搭載するパワー半導体用モジュール基板において
は、電気的な配線自由度の確保と同時に、それらのパワー系半導体素子から発せられる熱の放熱性を両立させることが克服すべき重要な課題となっている。パワー系半導体素子を、通常の半導体部品と混載してしまうと、パワー系半導体素子から発せられる熱が半導体部品等に伝導することにより動作不良を起こす原因となってしまう。
In semiconductor circuit boards, especially power semiconductor module boards equipped with power semiconductor elements such as power transistors and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), as well as ensuring the degree of freedom of electrical wiring, It has become an important issue to be overcome to achieve both heat dissipation of the generated heat. If a power semiconductor element is mixed with a normal semiconductor component, heat generated from the power semiconductor element is conducted to the semiconductor component or the like, causing a malfunction.
そこで、従来のパワー半導体用モジュールでは、図６に示すように、発熱の大きいパワー系半導体素子１１１を搭載するためのパワー半導体用基板Ｐと、それらをコントロールするための制御用ＩＣ１１４やディスクリート部品１１５等を搭載するための基板（ここではコントール部品基板と称する）Ｃとに分けてパワーユニットを形成することが一般的である。
パワー半導体用基板Ｐには、一般的には放熱性の高いセラミック基板２０１が用いられる。パワー系半導体素子１１１は、その底面がパワー半導体用セラミック基板２０１に接着剤を介して接着され、パワー系半導体素子１１１から発せられる熱を、パワー半導体用セラミック基板２０１に逃がす構造となっている。一方、コントロール部品基板Ｃでは、多ピンの制御用ＩＣ１１４や多数のディスクリート部品１１５などを搭載し複雑な配線を引き回すため、通常、ファインピッチの形成可能な厚みの薄銅層を有する１配線層または２配線層からなるプリント配線基板が使用される。プリント配線基板の基材となる絶縁フィルム１０１の両面には銅層１０２、１０３が形成され、銅層１０２、１０３の表面は一部を除きソルダーレジスト１０４で覆われ、また、パワー系半導体素子１１１の接続にはアルミワイヤ１１３、制御用ＩＣ１１４の接続には金ワイヤ１１６が用いられている。
Therefore, in a conventional power semiconductor module, as shown in FIG. 6, a power semiconductor substrate P for mounting a power semiconductor element 111 generating a large amount of heat, and a control IC 114 and a discrete component 115 for controlling them. In general, the power unit is formed separately from a substrate (herein referred to as a control component substrate) C for mounting the components.
For the power semiconductor substrate P, a ceramic substrate 201 with high heat dissipation is generally used. The power semiconductor element 111 has a structure in which a bottom surface thereof is bonded to the power semiconductor ceramic substrate 201 via an adhesive so that heat generated from the power semiconductor element 111 is released to the power semiconductor ceramic substrate 201. On the other hand, in the control component board C, a multi-pin control IC 114, a large number of discrete components 115, and the like are mounted and a complicated wiring is routed. A printed wiring board composed of two wiring layers is used. Copper layers 102 and 103 are formed on both surfaces of an insulating film 101 serving as a base material of a printed wiring board, and the surfaces of the copper layers 102 and 103 are covered with a solder resist 104 except for a part thereof. For this connection, an aluminum wire 113 is used, and for the control IC 114, a gold wire 116 is used.
また、従来技術には、大信号用と小信号用の２種類の半導体素子をアルミニウム基板などの同一の絶縁金属基板上に固着するに際し、発熱しない小信号用の半導体素子のみをセラミックやガラスエポキシ等の絶縁基板を介して固着するものが知られている（特許文献１参照）。
更に、これらの従来技術に関連し、放熱性を向上させるためにパワー系半導体素子の下面に銅やＡｌ−ＳｉＣなどからなるモジュールベースを介し、放熱部材を形成することが知られている（特許文献２参照）。
Further, in the prior art, when two kinds of semiconductor elements for large signal and small signal are fixed on the same insulating metal substrate such as an aluminum substrate, only the semiconductor element for small signal that does not generate heat is ceramic or glass epoxy. What is fixed through an insulating substrate such as the above is known (see Patent Document 1).
Further, in relation to these conventional techniques, it is known that a heat radiating member is formed on a lower surface of a power semiconductor element via a module base made of copper, Al-SiC or the like in order to improve heat dissipation (patent) Reference 2).
上述したように、パワー半導体モジュールにおいては、パワー半導体用セラミック基板とコントロール部品基板（プリント配線基板）の２つの基板を使用するため、以下の問題点がある。
（１）部品コストが割高である。パワー半導体用とコントロール部品用で基板を分けなけ
ればならないことから、自ずと部品コストが高くなる。特にセラミック基板は非常に高価な部材であるため、この部分のコスト低減が課題となる。
（２）モジュールサイズが大きくなる。基板が２枚となるため、それらを組み合わせて構成するモジュール本体の面積、体積が大きくなる。
As described above, the power semiconductor module has the following problems because it uses two substrates, a ceramic substrate for power semiconductor and a control component substrate (printed wiring substrate).
(1) The parts cost is expensive. Since it is necessary to divide the substrate for power semiconductors and control parts, the cost of parts naturally increases. In particular, since the ceramic substrate is a very expensive member, it is a problem to reduce the cost of this portion.
(2) Module size increases. Since there are two substrates, the area and volume of the module body configured by combining them becomes large.
本発明は、良好な放熱性を確保しながら、安価で小型のパワー半導体モジュールを構築できるフレキシブル配線基板及びそれを用いたモジュールを提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the flexible wiring board which can construct | assemble an inexpensive and small power semiconductor module, and a module using the same, ensuring favorable heat dissipation.
本発明の第１の態様は、絶縁フィルムの両面に所定パターンの導体層が形成され、パワー系半導体素子が搭載されるパワー部と制御系半導体素子が搭載されるコントロール部とを有するフレキシブル配線基板であって、前記パワー部は、前記絶縁フィルムの第１主面側の前記導体層及び前記絶縁フィルムを貫通し、前記絶縁フィルムの第２主面側の前記導体層が露出するパワー系半導体素子搭載部となるデバイスホールを有し、前記絶縁フィルムの前記第２主面側において、前記パワー部の前記導体層と前記コントロール部の前記導体層とを熱的に遮断する熱遮断溝が設けられているフレキシブル配線基板である。 A first aspect of the present invention is a flexible wiring board in which a conductor layer having a predetermined pattern is formed on both surfaces of an insulating film, and has a power part on which a power semiconductor element is mounted and a control part on which a control semiconductor element is mounted The power part penetrates through the conductor layer and the insulating film on the first main surface side of the insulating film, and the power semiconductor element in which the conductor layer on the second main surface side of the insulating film is exposed. A device hole serving as a mounting portion is provided, and on the second main surface side of the insulating film, a heat blocking groove for thermally blocking the conductor layer of the power portion and the conductor layer of the control portion is provided. It is a flexible wiring board.
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載のフレキシブル配線基板において、前記熱遮断溝は、その溝の深さの少なくとも５０％以上に、熱伝導率１.０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の
樹脂が充填されているフレキシブル配線基板である。
According to a second aspect of the present invention, in the flexible wiring board according to the first aspect, the thermal insulation groove has a thermal conductivity of 1.0 W / (m · K) at least 50% or more of the depth of the groove. ) A flexible wiring board filled with the following resin.
本発明の第３の態様は、第１又は第２の態様に記載のフレキシブル配線基板において、前記熱遮断溝は、その幅が０.１ｍｍ以上であるフレキシブル配線基板である。 A third aspect of the present invention is the flexible wiring board according to the first or second aspect, wherein the heat blocking groove has a width of 0.1 mm or more.
本発明の第４の態様は、第１〜第３の態様のいずれかのフレキシブル配線基板おいて、前記第２主面の前記導体層は、その厚さが３５μｍ以上であるフレキシブル配線基板である。 A fourth aspect of the present invention is the flexible wiring board according to any one of the first to third aspects, wherein the conductor layer of the second main surface has a thickness of 35 μm or more. .
本発明の第５の態様は、第１〜第４の態様のいずれかのフレキシブル配線基板において、前記絶縁フィルムは、その厚さが２０μｍ以上であるフレキシブル配線基板である。 A fifth aspect of the present invention is the flexible wiring board according to any one of the first to fourth aspects, wherein the insulating film has a thickness of 20 μm or more.
本発明の第６の態様は、第１〜第５の態様のいずれかのフレキシブル配線基板に、前記パワー部にパワー系半導体素子を、前記コントロール部に制御系半導体素子をそれぞれ搭載したモジュールである。 A sixth aspect of the present invention is a module in which a power semiconductor element is mounted on the power section and a control semiconductor element is mounted on the control section on the flexible wiring board of any of the first to fifth aspects. .
本発明によれば、良好な放熱性を確保しながら、安価で小型のパワー半導体モジュールを構築できるフレキシブル配線基板及びそれを用いたモジュールを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the flexible wiring board which can construct | assemble an inexpensive and small-sized power semiconductor module, and a module using the same can be provided, ensuring favorable heat dissipation.
以下に、本発明に係るフレキシブル配線基板及びそれを用いたモジュールの実施形態を図面を用いて説明する。 Embodiments of a flexible wiring board and a module using the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
（フレキシブル配線基板）
図１に、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板を示す。図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は絶縁フィルムの第２主面側から見た底面図である。
本実施形態のフレキシブル配線基板は、絶縁フィルム１の両面に所定パターンの導体層（配線層、配線パターン）２、３が形成された２配線層のフレキシブル配線基板であって、上述の従来技術におけるパワー半導体用基板とコントロール部品基板とを、この一枚のフレキシブル配線基板に統合したものである。このフレキシブル配線基板では、パワー系半導体素子が搭載される部分・領域であるパワー部と、制御系半導体素子が搭載される部分・領域であるコントロール部とを一枚のフレキシブル配線基板に配しながらも、パワー系半導体素子の発熱からコントロール部を熱的に隔離できることが重要なポイントである。
(Flexible wiring board)
FIG. 1 shows a flexible wiring board according to an embodiment of the present invention. Fig.1 (a) is sectional drawing, FIG.1 (b) is the bottom view seen from the 2nd main surface side of the insulating film.
The flexible wiring board of the present embodiment is a flexible wiring board having two wiring layers in which conductor layers (wiring layers, wiring patterns) 2 and 3 having a predetermined pattern are formed on both surfaces of the insulating film 1. The power semiconductor substrate and the control component substrate are integrated into this single flexible wiring substrate. In this flexible wiring board, a power part, which is a part / area where a power semiconductor element is mounted, and a control part, which is a part / area where a control semiconductor element is mounted, are arranged on a single flexible wiring board. However, it is important that the control unit can be thermally isolated from the heat generated by the power semiconductor element.
フレキシブル配線基板に用いられる絶縁フィルム１は、ポリイミド、液晶ポリマーなどの有機材料からなるフィルム基材であり、絶縁フィルム１の厚さは２０μｍ以上２５０μｍ以下のものを使用するのが好ましい。絶縁フィルム１の厚さが２０μｍ未満であると、薄い絶縁フィルムを通じてパワー部側からコントロール部側へと熱が伝わる虞がある。つまり、絶縁フィルム１は、パワー部の発する熱を遮断するために、熱伝導率が低い材質からなり、かつ、熱遮断効果を向上するため、２０μｍ以上の十分な厚みを確保するのがよい。一方、絶縁フィルム１の厚さが２５０μｍを超えると、フレキシブル配線基板の厚みが増して小型化を阻害してしまうことになる。 The insulating film 1 used for the flexible wiring board is a film substrate made of an organic material such as polyimide or liquid crystal polymer, and the insulating film 1 preferably has a thickness of 20 μm or more and 250 μm or less. If the thickness of the insulating film 1 is less than 20 μm, heat may be transmitted from the power portion side to the control portion side through the thin insulating film. That is, the insulating film 1 is preferably made of a material having low thermal conductivity in order to block the heat generated by the power portion and has a sufficient thickness of 20 μm or more in order to improve the heat blocking effect. On the other hand, when the thickness of the insulating film 1 exceeds 250 μm, the thickness of the flexible wiring board increases, which hinders downsizing.
絶縁フィルム１の両面の導体層２、３としては、例えば銅層（銅箔）が用いられる。一例として、第１主面側の導体層２には配線用の薄銅箔（例えば厚さ３μｍ以上５０μｍ以下）が、第２主面側の導体層３には放熱用の銅箔（例えば厚さ３５μｍ以上１.０ｍｍ以
下）が、それぞれ絶縁フィルム１に貼付等される構造とする。導体層（銅層）２、３の厚みは特に限定されるものではないが、第１主面側の導体層（銅層）２はファインピッチの配線を形成できるように、なるべく薄いものを用いるとよい。また、パワー系半導体素子が搭載される第２主面側の導体層（銅層）３は、放熱特性を向上するために、厚いもの（厚さ３５μｍ以上）を用いるのが望ましい。パワー部側の第２主面の厚い導体層３（３１）は、パワー系半導体素子の熱を効果的に放熱する放熱層として機能する。
また、コントロール部側においては、第１主面の導体層２と第２主面の導体層３との間を電気的に接続する導通ビア８が所定箇所に設けられている。更に、第１主面側の導体層（配線層）２上には、パッド部や端子部となる一部を除き、ソルダーレジスト４が形成されている。
For example, a copper layer (copper foil) is used as the conductor layers 2 and 3 on both sides of the insulating film 1. As an example, the conductor layer 2 on the first main surface side has a thin copper foil for wiring (for example, a thickness of 3 μm or more and 50 μm or less), and the conductor layer 3 on the second main surface side has a heat dissipation copper foil (for example, a thickness). 35 μm or more and 1.0 mm or less) is attached to the insulating film 1. The thickness of the conductor layers (copper layers) 2 and 3 is not particularly limited, but the conductor layer (copper layer) 2 on the first main surface side is as thin as possible so that fine pitch wiring can be formed. Good. The conductor layer (copper layer) 3 on the second main surface side on which the power semiconductor element is mounted is desirably a thick layer (thickness of 35 μm or more) in order to improve heat dissipation characteristics. The thick conductor layer 3 (3 1 ) on the second main surface on the power section side functions as a heat dissipation layer that effectively dissipates the heat of the power semiconductor element.
On the control part side, conductive vias 8 for electrically connecting the conductor layer 2 on the first main surface and the conductor layer 3 on the second main surface are provided at predetermined positions. Furthermore, a solder resist 4 is formed on the conductor layer (wiring layer) 2 on the first main surface side except for a part that becomes a pad portion and a terminal portion.
絶縁フィルム１の第１主面側のパワー系半導体素子が搭載されるパワー部の領域には、絶縁フィルム１の第１主面側の導体層２及び絶縁フィルム１を貫通し、絶縁フィルムの第２主面側の導体層３が露出するパワー系半導体素子搭載部となるデバイスホール（フィルム基材開口）５が形成されている。 In the region of the power part where the power semiconductor element on the first main surface side of the insulating film 1 is mounted, the conductor layer 2 and the insulating film 1 on the first main surface side of the insulating film 1 are penetrated, and the first of the insulating film (2) A device hole (film substrate opening) 5 serving as a power semiconductor element mounting portion where the conductor layer 3 on the main surface side is exposed is formed.
また、絶縁フィルム１の第２主面側には、パワー系半導体素子が搭載されるパワー部の導体層３１と制御系半導体素子が搭載されるコントロール部の導体層３２とを、熱的に且つ電気的に遮断するための熱遮断溝６が設けられている。本実施形態では、熱遮断溝６はパワー部とコントロール部を二つに分断するように形成されている。
熱遮断溝６の内部は、空隙のままでもよいが、熱の遮断効果をより向上するため、図１に示すように、熱遮断溝６内に断熱性の樹脂７を、例えば印刷法により埋め込んで充填するのがよい。断熱性の樹脂７を充填することにより、近接するパワー部の導体層３１からコントロール部の導体層３２への熱（放射熱）を遮断することができる。断熱性の樹脂７は、熱遮断溝６の溝深さの少なくとも５０％以上に、熱伝導率１.０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下
の樹脂が充填されているのが好ましい。後述するが、通常、モジュール化する場合、第２主面側の導体層３１の裏面は、シリコーングリスを介してアルミ放熱板を固定する。このシリコーングリスはアルミ放熱板への熱伝導を助ける働きを有している。そのため、シリコーングリスを充填するにあたり、熱遮断溝６内にシリコーングリスが入り込むのは好ましくなく、十分な熱遮断効果を得るためには、熱遮断溝６の溝深さの少なくとも５０％以上に樹脂を充填すればよい。シリコーングリスの進入を抑制するためには、９５％以上とするのがより望ましい。また、熱遮断溝６は、パワー部の熱がコントロール部にほとんど伝熱されないように、熱遮断溝６の幅は０.１ｍｍ以上とするのが好ましい。また、熱遮
断溝は、図１（ｂ）に示すようにパワー部とコントロール部を完全に二つに分断するように形成されても良いし、パワー部の導体層３１の形状によっては、不連続の開口となる場合も有りうる。いずれにしても、パワー部とコントロール部とが熱的に且つ電気的に遮断される形状であればよい。
（モジュール）
次に、図１のフレキシブル配線基板にパワー系半導体素子等を搭載したモジュール（パワー半導体モジュール）について説明する。図２に、本発明の一実施形態に係るモジュールの断面図を示す。
Further, the second main surface side of the insulating film 1, a conductor layer 3 1 of the power unit and the control system conductor layer 3 2 of the control unit in which a semiconductor element is mounted to the power system semiconductor element is mounted, thermally In addition, a heat blocking groove 6 for electrically blocking is provided. In this embodiment, the heat blocking groove 6 is formed so as to divide the power portion and the control portion into two.
The inside of the heat blocking groove 6 may be left as a gap, but in order to further improve the heat blocking effect, as shown in FIG. 1, a heat insulating resin 7 is embedded in the heat blocking groove 6 by, for example, a printing method. It is better to fill with. By filling a heat insulating resin 7, it is possible to block heat (radiant heat) from the conductor layer 3 1 of the power unit in close proximity to the conductor layer 3 2 of the control unit. The heat insulating resin 7 is preferably filled with a resin having a thermal conductivity of 1.0 W / (m · K) or less in at least 50% or more of the groove depth of the heat blocking groove 6. As will be described later, usually, if a module, the back surface of the conductive layer 3 1 of the second main surface side is fixed an aluminum heat radiating plate via a silicone grease. This silicone grease has a function of helping heat conduction to the aluminum heat sink. Therefore, when filling the silicone grease, it is not preferable that the silicone grease enters the heat blocking groove 6, and in order to obtain a sufficient heat blocking effect, the resin should be at least 50% or more of the groove depth of the heat blocking groove 6. Can be filled. In order to suppress the ingress of silicone grease, it is more desirable to be 95% or more. Moreover, it is preferable that the width | variety of the heat | fever interruption | blocking groove | channel 6 shall be 0.1 mm or more so that the heat of a power part may be hardly transmitted to a control part. The thermal cutoff grooves may be formed so as to divide the complete two power unit and control unit as shown in FIG. 1 (b), the conductive layer 3 1 of the shape of the power unit, There may be a case of discontinuous openings. In any case, it is sufficient that the power unit and the control unit are thermally and electrically cut off.
(module)
Next, a module (power semiconductor module) in which a power semiconductor element or the like is mounted on the flexible wiring board of FIG. 1 will be described. FIG. 2 shows a cross-sectional view of a module according to an embodiment of the present invention.
パワー部においては、パワー系半導体素子（パワーＩＣ）１１を、絶縁フィルム１を介さずに、絶縁フィルム１に開けたデバイスホール５から露出している第２主面の導体層（銅層）３に直接搭載し、パワー系半導体素子１１の熱を直接的に導体層（銅層）３（３１）に伝えて放熱性を高めている。
パワー系半導体素子１１の発熱を効率的に放熱するために、パワー系半導体素子１１をデバイスホール５内の導体層３１に接着するための接着剤１２は、高熱伝導率のものを使用するのがよい。パワー系半導体素子１１、１１の相互間の配線やパワー系半導体素子１１と他の配線層等との配線は、従来技術と同様にアルミワイヤ１３により接続している。
In the power section, the power semiconductor element (power IC) 11 is exposed through the device hole 5 opened in the insulating film 1 without passing through the insulating film 1. The conductor layer (copper layer) 3 on the second main surface exposed from the device hole 5. It is directly mounted on the power semiconductor element 11 and the heat of the power semiconductor element 11 is directly transmitted to the conductor layer (copper layer) 3 (3 1 ) to enhance heat dissipation.
For dissipating the heat generated by the power semiconductor element 11 efficiently, the adhesive 12 for bonding the power semiconductor element 11 to the conductive layer 3 1 of the device hole 5 is to use a high thermal conductivity Is good. The wiring between the power semiconductor elements 11 and 11 and the wiring between the power semiconductor element 11 and other wiring layers are connected by an aluminum wire 13 as in the prior art.
一方、コントロール部においては、第１主面に施されたソルダーレジスト４上に、制御系半導体素子（制御用ＩＣ）１４を接着剤１２を介して搭載する。制御系半導体素子（制御用ＩＣ）１４とパッド等との配線は、金ワイヤ１６で接続する。また、抵抗、コンデンサ等のディスクリート部品１５は、パッド等に搭載され、はんだボールやペースト印刷されたはんだ１７を介して導体層（配線）２に電気的に接続される。この際、交差配線を行いたい場合は、適宜、第２主面の導体層（銅層）３の部分にエッチング法により配線を形成し、マイクロビアを介して銅めっきにより第１主面の導体層２と第２主面の導体層３を電気的に接続することにより、第１主面の導体層２と第２主面の導体層３との配線を交差することができる。
コントロール部の熱遮断溝６に臨む導体層３２には、パワー部の導体層３１とコントロール部の導体層３２との電気的な信号のやりとりに供するブリッジパッド１８を設置している。このブリッジパッド１８は第２主面の導体層３２を絶縁フィルム１に開口した穴を介して露出させたもので、パワー系半導体素子１１からはアルミワイヤ１３でこのブリッジパッド１８に接続し、ブリッジパッド１８はコントロール部の第１主面の導体層２とマイクロビア（導通ビア）８を通じて電気的に接続されている構造である。
On the other hand, in the control unit, a control system semiconductor element (control IC) 14 is mounted via an adhesive 12 on the solder resist 4 applied to the first main surface. The wiring between the control system semiconductor element (control IC) 14 and the pad or the like is connected by a gold wire 16. Discrete components 15 such as resistors and capacitors are mounted on pads and the like, and are electrically connected to the conductor layer (wiring) 2 via solder balls or paste-printed solder 17. At this time, if it is desired to perform cross wiring, wiring is appropriately formed by etching on the portion of the conductor layer (copper layer) 3 on the second main surface, and the conductor on the first main surface is formed by copper plating through micro vias. By electrically connecting the layer 2 and the conductor layer 3 on the second main surface, wiring between the conductor layer 2 on the first main surface and the conductor layer 3 on the second main surface can be crossed.
The conductor layer 3 2 facing the heat blocking groove 6 of the control unit, are installed a bridge pad 18 to be subjected to exchange of electrical signals between the conductive layer 3 2 of the conductive layer 3 1 and the control portion of the power unit. The bridge pad 18 is intended to expose through a hole which is open to the conductor layer 3 2 of the second main surface in the insulating film 1, from the power system semiconductor element 11 connected to the bridge pad 18 with the aluminum wires 13, The bridge pad 18 is configured to be electrically connected to the conductor layer 2 on the first main surface of the control unit through the micro via (conduction via) 8.
デバイスホール５は、絶縁フィルム１に０.０１ｍｍ２以上の開口を設けたものであり
、デバイスホール５の部分において、第１主面の導体層２は絶縁フィルム１の開口面積の６０％以上の開口を有し、絶縁フィルム１の開口から第２主面の導体層３が露出しており
、一方、第２主面の導体層３は絶縁フィルム１の開口の７０％以上の面積を覆う構造であればよいが、パワー系半導体素子が搭載できる面積を有していれば特に限定されない。
The device hole 5 is provided with an opening of 0.01 mm 2 or more in the insulating film 1, and in the part of the device hole 5, the conductor layer 2 on the first main surface is 60% or more of the opening area of the insulating film 1. A structure having an opening, in which the conductor layer 3 on the second main surface is exposed from the opening of the insulating film 1, while the conductor layer 3 on the second main surface covers an area of 70% or more of the opening of the insulating film 1. However, there is no particular limitation as long as it has an area where the power semiconductor element can be mounted.
パワー系半導体素子１１で発生した熱は、接着剤１２を介してパワー部側の第２主面の導体層３１に伝達されるが、パワー部側の第２主面の導体層３１とコントロール部側の第２主面の導体層３２との間には熱遮断溝６が設けられているため、フレキシブル配線基板のコントロール部側への熱の伝達は大幅に低減される。
また、本実施形態のモジュール（パワーモジュール）においては、パワー部とコントロール部を一枚のフレキシブル配線基板とすることにより、従来技術のこれらを２枚の基板に分離したものに比較して、パワー部とコントロール部の接続部分等を削減出来ること、さらにコントロール部においては、従来基板が一般に１００μｍ／１００μｍのライン/
スペース配線ルールを使用するのに対し、本実施形態のフレキシブル配線基板においては３０μｍ／３０μｍライン/スペース配線ルールで形成出来ることから、面積比でおおよ
そ２０〜５０％のサイズ削減が可能である。
また、本実施形態においては、従来技術のパワー部に使用される高価なセラミック基板を使用しないで放熱構造を構築でき、さらに上述したように基板のサイズを従来技術に比較して縮小出来るため、パワーモジュール用基板に掛かるコストも３０〜６０％低減できる。
Heat generated in the power system semiconductor element 11 is transmitted to the conductor layer 3 1 of the second major surface of the power unit side via the adhesive 12, the conductor layer 3 1 of the second major surface of the power unit side the heat blocking groove 6 is provided between the conductor layer 3 2 of the second main surface of the control unit side, transfer of heat to the control portion of the flexible wiring board is greatly reduced.
Further, in the module (power module) of this embodiment, the power unit and the control unit are formed as a single flexible wiring board, so that the power of the module is reduced compared to the conventional technique in which these are separated into two boards. The connection part of the control part and the control part can be reduced, and in the control part, the conventional substrate is generally 100 μm / 100 μm line /
Whereas the space wiring rule is used, the flexible wiring board of the present embodiment can be formed with a 30 μm / 30 μm line / space wiring rule, so that the size ratio can be reduced by approximately 20 to 50%.
In the present embodiment, the heat dissipation structure can be constructed without using an expensive ceramic substrate used for the power part of the prior art, and the size of the substrate can be reduced as compared with the prior art as described above. The cost for the power module substrate can also be reduced by 30 to 60%.
次に、本発明の実施例を以下に説明する。 Next, examples of the present invention will be described below.
図３に、本発明の一実施例のモジュール（パワーモジュール）を示す。
本実施例のモジュールにおけるフレキシブル配線基板は、絶縁フィルム１として５０μｍ厚のポリイミドフィルムを用い、第１主面の導体層２として９μｍ厚の銅箔、第２主面の導体層３として１００μｍ厚の銅箔をポリイミドフィルムに貼付したものを用いた。なお、第１主面の導体層２の銅めっきが施される部分は、ポリイミドフィルムに貼付した９μｍ厚の銅箔と、後述する電気的導通のために行う銅めっき（導通ビア内を埋める際に９μｍ厚の銅箔上に析出した分）の８μｍ厚の銅からなり、その合計銅厚は１７μｍとなる。
FIG. 3 shows a module (power module) according to an embodiment of the present invention.
The flexible wiring board in the module of this example uses a polyimide film with a thickness of 50 μm as the insulating film 1, a copper foil with a thickness of 9 μm as the conductor layer 2 on the first main surface, and a thickness of 100 μm with the conductor layer 3 on the second main surface. What stuck copper foil to the polyimide film was used. The portion of the conductor layer 2 on the first main surface where the copper plating is applied includes a 9 μm-thick copper foil affixed to the polyimide film, and copper plating performed for electrical conduction described later (when filling the inside of the conductive via). And 8 μm thick copper deposited on a 9 μm thick copper foil), and the total copper thickness is 17 μm.
第１主面側の配線（導体層）２をエッチング法にてライン／スペースが３０μｍ／３０μｍの設計ルールで形成した後、部品搭載用のパッド開口部などを除いた、配線回路全体を２５μｍ厚みのソルダーレジスト（樹脂）４にて表面を保護被覆する。 After the wiring (conductor layer) 2 on the first main surface side is formed by an etching method according to the design rule of lines / spaces of 30 μm / 30 μm, the entire wiring circuit is removed by a thickness of 25 μm, excluding pad openings for component mounting. The surface is protected with a solder resist (resin) 4.
第２主面については、パワー部では放熱のために、銅箔（導体層）３１の面積をなるべく広くとることが望ましい。パワー系半導体素子（パワーＩＣ）１１と第２主面の導体層（銅箔）３の裏面とは、絶縁性のある接着剤１２を用いて接着するため、基本的には、パワー部においてパワー系半導体素子１１毎に銅箔３を分離する必要はない。
また、コントロール部については、回路配線をエッチング法にて形成するが、第２主面の導体層３は０.１ｍｍ厚の厚銅であるため、配線のライン／スペースは１５０μｍ／１
５０μｍの設計ルールとする。
さらに、コントロール部の回路を形成しない余分なエリアについては、配線と干渉しないように広い面積を有する銅箔（導体層）３２を配置し、この銅箔（導体層）３２を上記パワー部の銅箔（導体層）３１とつなげることによって、放熱のために使用することが可能である。
The second major surface, for heat dissipation in the power section, the copper foil (conductor layer) 3 1 of an area as wide as possible it is desirable to take. Since the power semiconductor element (power IC) 11 and the back surface of the conductor layer (copper foil) 3 of the second main surface are bonded using an insulating adhesive 12, basically, power is applied in the power section. It is not necessary to separate the copper foil 3 for each semiconductor device 11.
As for the control portion, circuit wiring is formed by an etching method. However, since the conductor layer 3 on the second main surface is 0.1 mm thick copper, the wiring line / space is 150 μm / 1.
The design rule is 50 μm.
In addition, for extra area does not form a circuit of the control unit, the copper foil (conductor layer) with a wide area so as not to interfere with the wiring 3 2 was placed, the copper foil (conductor layer) 3 2 the power unit by connecting the copper foil (conductor layer) 3 1, it can be used for heat dissipation.
基材のポリイミドフィルム１については、電気的に導通を取る必要がある配線には、レーザーにより貫通する８０μｍ径のマイクロビア（第１主面に開口があるブラインドビア）を形成し、さらに第１主面と第２主面の配線の電気的導通を確保するため、ブラインド
ビア内と第１主面の銅箔に８μｍの銅めっきを施す。
また、ポリイミドフィルム１のパワー部、パワー系半導体素子１１が搭載される部分については、デバイスホールとして、ポリイミドフィルム１の部分をポリイミドエッチング法にて開口させる。この際、第２主面の銅箔３の裏面（第２主面の銅箔３がポリイミドフィルム１と密着している面）がポリイミドエッチングにて形成したデバイスホールを介して露出することになるが、この面は密着力を保持するため粗化を行っていることが多く、パワー系半導体素子１１を搭載する際、支障とならないレベルに化学研磨（酸洗など）により、平滑化しておくことが好ましい。
For the polyimide film 1 as a base material, an 80 μm-diameter micro via (a blind via having an opening in the first main surface) penetrating by a laser is formed in a wiring that needs to be electrically connected, and the first In order to ensure electrical continuity between the wirings of the main surface and the second main surface, copper plating of 8 μm is applied to the blind via and the copper foil of the first main surface.
Moreover, about the part by which the power part of the polyimide film 1 and the power type semiconductor element 11 are mounted, the part of the polyimide film 1 is opened by a polyimide etching method as a device hole. At this time, the back surface of the copper foil 3 on the second main surface (the surface on which the copper foil 3 on the second main surface is in close contact with the polyimide film 1) is exposed through a device hole formed by polyimide etching. However, this surface is often roughened in order to maintain adhesion, and when the power semiconductor element 11 is mounted, it should be smoothed by chemical polishing (pickling etc.) to a level that does not hinder it. Is preferred.
パワー部には、上記デバイスホール開口に露出した第２主面の銅面（後述の金めっきが最表面となる）上に複数個のパワー系半導体素子１１が搭載されるが、パワー系半導体素子同士の接続はアルミワイヤ１３にて接続される。
またパワー系半導体素子１１と外部端子との接続は以下の接続が考えられる。
（１）パワー系半導体素子から外部端子附属の電極へアルミワイヤでボンディング接続。（２）ポリイミドフィルム開口から第２主面の銅を露出させたパッドを経由させて、パワー系半導体素子からパッドへのアルミワイヤ接続、及びパッドから外部端子附属の電極２６へのアルミワイヤ接続（図３の実施例）。
（３）ポリイミドフィルム開口から第２主面の銅を露出させたパッドを経由させて、パワー系半導体素子からパッドへのアルミワイヤ接続、及びパッドを設けた第２主面の銅をポリイミドフィルム端から延長させて伸ばすことにより、外部端子附属のパッドと接合。
In the power section, a plurality of power semiconductor elements 11 are mounted on the copper surface of the second main surface exposed to the device hole opening (the gold plating described later becomes the outermost surface). The connection between each other is made by an aluminum wire 13.
Moreover, the following connection can be considered for the connection between the power semiconductor element 11 and the external terminal.
(1) Bonding connection with aluminum wire from power semiconductor element to electrode attached to external terminal. (2) An aluminum wire connection from the power semiconductor element to the pad and an aluminum wire connection from the pad to the electrode 26 attached to the external terminal through the pad exposing the copper on the second main surface from the polyimide film opening ( Example of FIG. 3).
(3) Connect the aluminum wire from the power semiconductor element to the pad through the pad exposing the copper of the second main surface from the polyimide film opening, and connect the copper of the second main surface with the pad to the end of the polyimide film. Bonded to the pad attached to the external terminal by extending from
そして、コントロール部とパワー部の間に、２ｍｍの熱遮断溝６を設け、この熱遮断溝６の遮断効果を向上するために、断熱樹脂７を印刷法により埋め込んだ。
コントロール部の熱遮断溝６側には、パワー部とコントロール部の電気的な信号のやりとりに供するブリッジパッド１８を設置した。
このフレキシブル基板に部品実装のため、ニッケル２.０μｍ厚と金０.５μｍ厚の電気めっきを施す。この際、コスト低減のため、第１主面のソルダーレジスト４の開口部分に露出する銅面と、デバイスホール内で露出する第２主面の銅層の裏面にのみに電気めっきを行い、第２主面の表面はニッケル・金めっき時にマスキング材でカバーすることによりめっきせず、銅面のままに保つ。
今回の実施例においては、矩形枠状のケース２１の底部開口をアルミ放熱板（厚さ５ｍｍ）２２で覆い、このケース２１内のアルミ放熱板２２上にパワー系半導体素子１１等を搭載したフレキシブル配線基板を設置した。第２主面の銅箔３とアルミ放熱板２２との間にシリコーングリス（５０μｍ厚）２３を充填した。アルミ放熱板２２はケース２１にネジ２４で固定した。ケース２１内には、ソルダーレジスト２５を充填した。パワー系半導体素子１１は、アルミワイヤ１３を介してケース２１の電極に接続されている。
Then, a heat blocking groove 6 of 2 mm was provided between the control unit and the power unit, and in order to improve the blocking effect of the heat blocking groove 6, the heat insulating resin 7 was embedded by a printing method.
A bridge pad 18 for exchanging electrical signals between the power unit and the control unit is installed on the heat blocking groove 6 side of the control unit.
In order to mount components on this flexible substrate, electroplating of nickel 2.0 μm and gold 0.5 μm is performed. At this time, for cost reduction, electroplating is performed only on the copper surface exposed in the opening portion of the solder resist 4 on the first main surface and the back surface of the copper layer on the second main surface exposed in the device hole, (2) The surface of the main surface is not plated by covering with a masking material at the time of nickel / gold plating, and is kept on the copper surface.
In this embodiment, the bottom opening of the rectangular frame-shaped case 21 is covered with an aluminum heat sink (thickness 5 mm) 22, and the power semiconductor element 11 and the like are mounted on the aluminum heat sink 22 in the case 21. A wiring board was installed. Silicone grease (50 μm thickness) 23 was filled between the copper foil 3 on the second main surface and the aluminum heat sink 22. The aluminum heat sink 22 was fixed to the case 21 with screws 24. The case 21 was filled with a solder resist 25. The power semiconductor element 11 is connected to the electrode of the case 21 through the aluminum wire 13.
（熱遮断溝の幅Ｌの最適条件）
本実施例のモジュール（パワーモジュール）の放熱特性を支配する重要なパラメーターは熱遮断溝の幅となるので、図４に示す単純化した放熱検証モデルにて、熱遮断溝の幅の最適化について考察する。
ここでは、熱の流れは、第２主面側のパワー部の銅からコントロール部の銅へと熱遮断溝を通じて伝導する分（熱量Ｑ１）と、第２主面側のパワー部の銅からシリコーングリスを通じてアルミ放熱板へ流れる分（熱量Ｑ２）のみを考慮することとし、絶縁フィルムであるポリイミドを通過しての熱は無視し得るものとする。
(Optimum condition for width L of heat shield groove)
Since the important parameter governing the heat dissipation characteristics of the module (power module) of this embodiment is the width of the heat blocking groove, the optimization of the width of the heat blocking groove in the simplified heat dissipation verification model shown in FIG. Consider.
Here, the heat flow from the copper of the power part on the second main surface side to the copper of the control part through the heat blocking groove (heat quantity Q 1 ) and from the copper of the power part on the second main surface side Only the amount (heat amount Q 2 ) flowing to the aluminum heat sink through the silicone grease is taken into account, and the heat passing through the polyimide as the insulating film can be ignored.
一般に熱の流動がある際の熱抵抗θについては、以下の関係式が成立する。
θ＝Ｌ/（Ａ・λ） …（１）
ここで、θ（℃／Ｗ）：熱抵抗、Ｌ（ｍ）：熱伝導する長さ（＝ここでは熱遮断溝の幅）、Ａ（ｍ２）：熱量の熱伝導する面積、λ（Ｗ／ｍ・℃）：熱伝導率である。
In general, the following relational expression holds for the thermal resistance θ when heat flows.
θ = L / (A · λ) (1)
Here, θ (° C./W): thermal resistance, L (m): length of heat conduction (= the width of the heat blocking groove here), A (m 2 ): area of heat conduction of heat quantity, λ (W / M · ° C.): Thermal conductivity.
熱遮断溝を通じて、第２主面側のパワー部の銅からコントロール部の銅へ熱が伝達する際の熱抵抗をθ１とし、第２主面側のパワー部の銅下面からシリコーングリス層を通過する際の熱抵抗をθa、さらにその下に設置されたアルミ放熱板に熱が流れる際の熱抵抗を
θb、それらの総合熱抵抗をθ２とすると、以下のような関係となる。
θ２＝ θa ＋ θb …（２）
θ１ ≫θ２ …（３）
The heat resistance when heat is transferred from the power portion copper on the second main surface side to the control portion copper through the heat blocking groove is θ 1, and the silicone grease layer is formed from the lower surface of the power portion copper on the second main surface side. θa heat resistance when it passes through, further θb thermal resistance when flowing through the heat to the aluminum radiator plate placed thereunder, when 2 their overall thermal resistance theta, a relationship as follows.
θ 2 = θa + θb (2)
θ 1 >> θ 2 (3)
熱遮断溝に充填した断熱樹脂（エポキシ樹脂）の熱伝導率は０.２１Ｗ／ｍ・Ｋ、熱遮
断溝の深さ（第２主面の銅箔の厚さ）は１００μｍ＝０.１ｍｍ、ポリイミドフィルム面
に平行なパワー部の第２主面の銅箔面積は２０ｍｍ×２０ｍｍ、シリコーングリスの厚さは５０μｍ＝０.０５ｍｍ、シリコーングリスの熱伝導率は６Ｗ／ｍ・Ｋ、アルミ放熱板
の熱伝導率は２３６Ｗ／ｍ・Ｋである。なお、一般的なセラミックの熱伝導率は３２Ｗ／ｍ・Ｋ、銅の熱伝導率は３９５Ｗ／ｍ・Ｋ、ポリイミドフィルムは０.１６Ｗ／ｍ・Ｋ、
エポキシ樹脂のソルダーレジストは０.２１Ｗ／ｍ・Ｋである。
The heat conductivity of the heat insulating resin (epoxy resin) filled in the heat blocking groove is 0.21 W / m · K, the depth of the heat blocking groove (thickness of the copper foil on the second main surface) is 100 μm = 0.1 mm, The copper foil area of the second main surface of the power part parallel to the polyimide film surface is 20 mm × 20 mm, the thickness of the silicone grease is 50 μm = 0.05 mm, the thermal conductivity of the silicone grease is 6 W / m · K, the aluminum heat sink The thermal conductivity of 236 is 236 W / m · K. In addition, the thermal conductivity of a general ceramic is 32 W / m · K, the thermal conductivity of copper is 395 W / m · K, the polyimide film is 0.16 W / m · K,
The solder resist of epoxy resin is 0.21 W / m · K.
上記各部の設定値を（１）式に代入して計算すると以下の通りとなる。
θ1 ＝ L/（A・λ）＝L/（20/1000 × 0.1/1000 × 0.21） …（４）
θa ＝0.05/1000 / (20/1000 ×20/1000 × 6) ＝ 0.02
θb ＝ 5/1000 / ( 20/1000 ×20/1000 × 236) ＝ 0.05
よって （２）式に上記計算値を代入すると、
θ2 ＝ θa ＋ θb ＝ 0.07 …（５）
（４）式、（５）式を（３）式に代入すると、
Ｌ／（４.２×１０−７）≫ ０.０７
∴ L ≫ ０.０３（μｍ）
従って、上記計算例では、幅Ｌを０.０３μｍより十分大きく、例えば２.０ｍｍなどに取れば、パワー部から発せられる熱量は、第２主面の熱遮断溝を通過して伝導することなく、アルミ放熱板から放熱されることとなる。
熱遮断溝の幅Ｌについては、上記のように、パワー系半導体素子からの発熱量、第２主面の銅厚、第２主面のパワー部の銅層サイズ、シリコーングリスやアルミ放熱板の厚みや熱伝導率、熱遮断溝への埋込樹脂の熱伝導率などにより変化するので、これらを総合して適切かつ十分な溝幅を設定する必要がある。
Substituting the set values of the above parts into the equation (1), the calculation is as follows.
θ 1 = L / (A · λ) = L / (20/1000 × 0.1 / 1000 × 0.21) (4)
θa = 0.05 / 1000 / (20/1000 x 20/1000 x 6) = 0.02
θb = 5/1000 / (20/1000 x 20/1000 x 236) = 0.05
Therefore, substituting the calculated value into equation (2),
θ 2 = θa + θb = 0.07 (5)
Substituting Equation (4) and Equation (5) into Equation (3),
L / (4.2 × 10 −7 ) >> 0.07
∴ L ≫ 0.03 (μm)
Therefore, in the above calculation example, if the width L is sufficiently larger than 0.03 μm, for example, 2.0 mm, the amount of heat generated from the power portion does not pass through the heat blocking groove on the second main surface. The heat is radiated from the aluminum heat sink.
Regarding the width L of the heat blocking groove, as described above, the amount of heat generated from the power semiconductor element, the copper thickness of the second main surface, the copper layer size of the power portion of the second main surface, the silicone grease and the aluminum heat sink Since it varies depending on the thickness, thermal conductivity, thermal conductivity of the embedded resin in the heat blocking groove, etc., it is necessary to set an appropriate and sufficient groove width in total.
（変形例）
なお、上記図３の実施例では、フレキシブル配線基板からアルミワイヤ１３にて外部電極２６にボンディング接続しているが、図５に示す変形例では、フレキシブル配線基板の第２主面の厚銅３を絶縁フィルム端から、例えば２．０ｍｍ以上突出させ、外部電極３０として機能させる構成である。
また、前記熱遮断溝の外部に、前記熱遮断溝より大きな片面の開口が絶縁フィルム開口に掛かることなく位置し、その反対面の銅が絶縁フィルム開口を５０％以上覆う様に位置するようにしてもよい。
(Modification)
In the embodiment shown in FIG. 3, the flexible wiring board is bonded to the external electrode 26 with the aluminum wire 13, but in the modification shown in FIG. 5, the thick copper 3 on the second main surface of the flexible wiring board is used. Is protruded from the end of the insulating film by, for example, 2.0 mm or more to function as the external electrode 30.
Further, an opening on one side larger than the heat shielding groove is located outside the heat shielding groove so as not to cover the insulating film opening, and copper on the opposite surface is located so as to cover 50% or more of the insulating film opening. May be.
１ 絶縁フィルム（ポリイミドフィルム）
２ 第１主面側の導体層（銅層）
３ 第２主面側の導体層（銅層）
３１ 第２主面側のパワー部の導体層
３２ 第２主面側のコントロール部の導体層
４ ソルダーレジスト
５ デバイスホール
６ 熱遮断溝
７ 樹脂（断熱樹脂）
８ 導通ビア（マイクロビア）
１１ パワー系半導体素子（パワーＩＣ）
１４ 制御系半導体素子（制御用ＩＣ）
１５ ディスクリート部品
２１ ケース
２２ アルミ放熱板
２３ シリコーングリス
1 Insulation film (polyimide film)
2 Conductor layer (copper layer) on the first main surface side
3 Conductor layer (copper layer) on the second main surface side
3 1 Conductor layer of the power section on the second main surface side 3 2 Conductor layer of the control section on the second main surface side 4 Solder resist 5 Device hole 6 Heat blocking groove 7 Resin (heat insulating resin)
8 Conductive via (micro via)
11 Power semiconductor elements (Power IC)
14 Control system semiconductor device (control IC)
15 Discrete parts 21 Case 22 Aluminum heat sink 23 Silicone grease
Claims (6)
前記パワー部は、前記絶縁フィルムの第１主面側の前記導体層及び前記絶縁フィルムを貫通し、前記絶縁フィルムの第２主面側の前記導体層が露出するパワー系半導体素子搭載部となるデバイスホールを有し、
前記絶縁フィルムの前記第２主面側において、前記パワー部の前記導体層と前記コントロール部の前記導体層とを熱的に遮断する熱遮断溝が設けられていることを特徴とするフレキシブル配線基板。 A flexible wiring substrate having a power layer on which power conductor semiconductor elements are mounted and a control section on which control system semiconductor elements are mounted, wherein a conductor layer having a predetermined pattern is formed on both surfaces of the insulating film,
The power portion is a power semiconductor element mounting portion that penetrates the conductor layer and the insulating film on the first main surface side of the insulating film and exposes the conductor layer on the second main surface side of the insulating film. Have a device hole,
A flexible wiring board characterized in that, on the second main surface side of the insulating film, a heat blocking groove for thermally blocking the conductor layer of the power portion and the conductor layer of the control portion is provided. .
Ｋ）以下の樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル配線基板。 The heat blocking groove has a thermal conductivity of 1.0 W / (m · at least 50% or more of the depth of the groove.
K) The flexible wiring board according to claim 1, which is filled with the following resin.
載のフレキシブル配線基板。 The flexible wiring board according to claim 1, wherein the heat blocking groove has a width of 0.1 mm or more.
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| JP2011092931A Withdrawn JP2012227323A (en) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | Flexible wiring board and module using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012227323A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014147720A1 (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-25 | 株式会社安川電機 | Electric power converter |
| JP2017191820A (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-19 | 株式会社デンソー | Semiconductor module |
| WO2021161449A1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | 太陽誘電株式会社 | Component module and production method for same |
-
2011
- 2011-04-19 JP JP2011092931A patent/JP2012227323A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014147720A1 (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-25 | 株式会社安川電機 | Electric power converter |
| JP2017191820A (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-19 | 株式会社デンソー | Semiconductor module |
| WO2021161449A1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | 太陽誘電株式会社 | Component module and production method for same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140701 |