JP2012227256A - Layout device and layout method of semiconductor integrated circuit, and cell data used for them - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a layout device of a semiconductor integrated circuit which easily eliminates timing violations and can suppress an increase in the number of man-hours, and the like.SOLUTION: In the layout device of the semiconductor integrated circuit which includes a storage device 13 for storing cell data and a layout section 242 for reading out the cell data from the storage device 13 and automatically arranging and wiring the read out cell data, the cell data has information on a filler cell considering a delay which adds a delay according to the situation of the arrangement with respect to a target cell, to the target cell.

Description

本発明は、半導体集積回路のレイアウト装置、レイアウト方法及びそれらに用いられるセルデータに関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit layout device, a layout method, and cell data used in the layout method.

セルベースIC(Integrated Circuit)は特定用途向け半導体集積回路(ASIC: Application Specific Integrated Circuit)をはじめ、高集積、高性能が要求されるマイクロプロセサやASSP(Application Specific Standard Product)等のLSIに好適に利用されている。セルベースICは、半導体メーカーが提供するセルライブラリを用いて、ユーザが設計する独自回路を組み合わせることにより設計される。セルライブラリには、基本回路を搭載したプリミティブセルから、CPUやメモリ等のマクロを搭載したマクロセルまで様々な種類や大きさのセルが用意される。このようなセルを配置配線ツールによってチップ上に配置・配線して回路設計を行うため、設計時間や設計コストを削減することができる。また、CPU等のレイアウトをマクロセルとしてそのまま組み込むことができるため、システムLSIの作成が容易となる。   Cell-based ICs (Integrated Circuits) are suitable for application-specific semiconductor integrated circuits (ASIC: Application Specific Integrated Circuits), microprocessors that require high integration and high performance, and ASSPs (Application Specific Standards). It's being used. The cell-based IC is designed by combining a unique circuit designed by a user using a cell library provided by a semiconductor manufacturer. In the cell library, cells of various types and sizes are prepared, ranging from primitive cells equipped with basic circuits to macro cells equipped with macros such as CPU and memory. Since such a cell is arranged and wired on a chip by a placement and routing tool to design a circuit, design time and design cost can be reduced. Further, since the layout of the CPU or the like can be incorporated as a macro cell as it is, it is easy to create a system LSI.

なお、LSI設計では、サインオフ時のタイミング検証において、原則として全てのタイミングパス(順序セル間のパス)が、セットアップ違反やホールド違反等のタイミング違反を起こすことなく正常に動作していることが要求される。   In LSI design, in principle, all timing paths (paths between sequential cells) are operating normally without causing timing violations such as setup violations and hold violations in timing verification at sign-off. Required.

タイミング違反が発生する原因の一つとして、LSIにおける配線幅の微細化に伴い、光近接効果やエッチング量のばらつきによるゲートサイズのばらつき(リソばらつき)が問題になっている。ある領域におけるゲートの占める割合(ゲート密度)が場所によって異なる場合、その場所毎のゲートパターンは、光近接効果によって異なった形状となる。また、ゲート密度に応じてエッチング液の浸透度が異なるため、ゲート密度が異なる場所では、エッチング後のゲートサイズやゲート形状にばらつきが生じてしまう。ゲートサイズのばらつきに伴うトランジスタの特性ばらつきが製品性能を劣化させ、結果として、クリティカルパスにタイミング違反が発生してしまう。   As one of the causes of timing violations, with the miniaturization of the wiring width in the LSI, there is a problem of variation in gate size (litho variation) due to variation in optical proximity effect and etching amount. When the proportion of the gate in a certain region (gate density) varies depending on the location, the gate pattern for each location has a different shape due to the optical proximity effect. Further, since the permeation degree of the etching solution varies depending on the gate density, the gate size and the gate shape after etching vary in a place where the gate density is different. Variations in transistor characteristics due to variations in gate size degrade product performance, resulting in timing violations in the critical path.

このような問題に対する解決策が、特許文献1に開示されている。特許文献1に開示された自動レイアウト装置は、セルライブラリデータ(セルデータ)が格納される記憶装置と、セルライブラリデータを用いて、ゲートに垂直な第1方向に複数のセルを配置する配置配線ツールとを具備する。配置配線ツールは、配置した複数のセルのうち、所定のセル内のゲートを基準ゲートとして指定する基準ゲート指定部と、基準ゲートから所定の距離のエリア内に存在するゲートの数が、予め設定された制約条件に適合する数となるように、既に配置された複数のセルに対して第1方向に垂直な第2方向に隣接するセルを配置するレイアウト部とを備える。   A solution to such a problem is disclosed in Patent Document 1. An automatic layout device disclosed in Patent Document 1 includes a storage device that stores cell library data (cell data), and a placement and wiring that uses a cell library data to arrange a plurality of cells in a first direction perpendicular to a gate. Tools. The placement and routing tool sets in advance a reference gate designating unit that designates a gate in a predetermined cell as a reference gate among a plurality of arranged cells, and the number of gates existing in an area at a predetermined distance from the reference gate. A layout unit that arranges adjacent cells in a second direction perpendicular to the first direction with respect to a plurality of cells that have already been arranged, so that the number meets the constraints.

これにより、基準ゲートとして指定されたゲート周辺のゲート密度は、制約条件に規定された値となる。ゲート密度が制約条件に規定された値となる領域は、ゲート密度が均一となるため、光近接効果によるパタンのばらつきや、エッチング後のゲートサイズ(ゲート形状)のばらつき(リソばらつき)が低減される。   As a result, the gate density around the gate designated as the reference gate becomes a value defined in the constraint condition. In the region where the gate density is the value specified in the constraint conditions, the gate density is uniform, which reduces variations in patterns due to the optical proximity effect and variations in gate size (gate shape) after etching (litho variations). The

特開2009−65056号公報JP 2009-65056 A

上述のように、従来技術では、リソばらつきを低減することにより、タイミング違反の増加を抑制している。しかし、従来技術では、サインオフ時のタイミング検証においてタイミング違反が検出された場合、これまでと同様に、タイミング違反を解消するためのディレイセルの挿入や各セルの再配置及び再配線が必要となる。つまり、設計の後戻りが発生する。それにより、従来技術では、タイミング違反を解消するためのディレイセルを挿入する必要が生じ、消費電力が増大するという問題があった。また、各セルの再配置及び再配線により、工数が増大するという問題があった。   As described above, in the prior art, an increase in timing violation is suppressed by reducing litho variation. However, in the prior art, when a timing violation is detected in the timing verification at the time of sign-off, it is necessary to insert a delay cell, relocate and rewire each cell in the same way as before. Become. That is, a design reversion occurs. As a result, the conventional technique has a problem in that it is necessary to insert a delay cell for eliminating the timing violation, resulting in an increase in power consumption. Further, there is a problem that the number of steps increases due to the rearrangement and rewiring of each cell.

このように、従来技術では、タイミング検証においてタイミング違反が検出された場合、このタイミング違反を解消することが容易でなく、工数が増大するという問題があった。   As described above, in the related art, when a timing violation is detected in the timing verification, there is a problem that it is not easy to eliminate the timing violation and the number of man-hours increases.

本発明の一態様にかかる半導体集積回路のレイアウト装置は、セルデータを記憶するセルデータ記憶部と、前記セルデータ記憶部からセルデータを読み出して自動配置配線を行うレイアウト部と、を備え、前記セルデータは、ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加する遅延考慮フィラーセルの情報を有する。   A layout apparatus for a semiconductor integrated circuit according to an aspect of the present invention includes a cell data storage unit that stores cell data, and a layout unit that reads cell data from the cell data storage unit and performs automatic placement and routing, The cell data includes information on a delay-considering filler cell that adds a delay corresponding to the arrangement state of the target cell to the target cell.

また、本発明の一態様にかかる半導体集積回路のレイアウト装置の別の態様は、セルデータを記憶するセルデータ記憶部と、前記セルデータ記憶部からセルデータを読み出して自動配置配線を行うレイアウト部と、を備え、前記レイアウト部は、さらに、レイアウトスペースの空き領域にポリシリコン層形状を配置可能であって、ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加するように前記ポリシリコン層形状を配置する。   According to another aspect of the semiconductor integrated circuit layout device of one aspect of the present invention, a cell data storage unit that stores cell data, and a layout unit that performs automatic placement and routing by reading the cell data from the cell data storage unit The layout unit can further arrange a polysilicon layer shape in an empty area of the layout space, and adds a delay to the target cell in accordance with the arrangement state with respect to the target cell. The polysilicon layer shape is disposed.

また、本発明の一態様にかかる半導体集積回路のレイアウト方法は、セルデータを用いた半導体集積回路のレイアウト方法であって、セルデータを読み出して自動配置配線し、ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加するための遅延考慮フィラーセルを配置する。   A semiconductor integrated circuit layout method according to one embodiment of the present invention is a semiconductor integrated circuit layout method using cell data, in which cell data is read and automatically placed and routed in accordance with a placement situation with respect to a target cell. A delay-considering filler cell for adding the delay to the target cell is arranged.

また、本発明の一態様にかかる半導体集積回路のレイアウト方法の別の態様は、セルデータを用いた半導体集積回路のレイアウト方法であって、セルデータを読み出して自動配置配線し、ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加するためのポリシリコン層形状を配置する。   Another aspect of the semiconductor integrated circuit layout method according to one embodiment of the present invention is a semiconductor integrated circuit layout method using cell data, in which cell data is read out, automatically placed and routed, and placed on a target cell. A polysilicon layer shape for adding a delay according to the situation to the target cell is arranged.

また、本発明の一態様にかかるセルデータは、半導体集積回路のレイアウトに用いられるセルデータであって、ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加する遅延考慮フィラーセルの情報を有する。   The cell data according to one aspect of the present invention is cell data used for a layout of a semiconductor integrated circuit, and a delay-considering filler cell that adds a delay corresponding to the arrangement state of the target cell to the target cell. Information.

また、本発明の一態様にかかるセルデータの別の態様は、半導体集積回路のレイアウトに用いられるセルデータであって、ターゲットセルに対する配置の状況に応じた異なる遅延を当該ターゲットセルに対して付加する複数の遅延考慮フィラーセルの情報を有する。   Another aspect of the cell data according to one aspect of the present invention is cell data used for a layout of a semiconductor integrated circuit, and a different delay is added to the target cell according to the arrangement state with respect to the target cell. Information on a plurality of delay-considering filler cells.

上述のような回路構成により、タイミング検証においてタイミング違反が検出された場合でも、タイミング違反を容易に解消することができるため、工数の増大を抑制すること等ができる。   With the circuit configuration as described above, even when a timing violation is detected in the timing verification, the timing violation can be easily eliminated, so that an increase in man-hours can be suppressed.

本発明により、タイミング検証においてタイミング違反が検出された場合でも、タイミング違反を容易に解消して工数の増大を抑制すること等が可能な半導体集積回路のレイアウト装置、レイアウト方法及びそれらに用いられるセルデータを提供することができる。   According to the present invention, even when a timing violation is detected in timing verification, a semiconductor integrated circuit layout device, a layout method, and a cell used in the semiconductor integrated circuit capable of easily eliminating the timing violation and suppressing an increase in man-hours Data can be provided.

本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の自動レイアウト装置を示すブロック図である。1 is a block diagram showing an automatic layout apparatus for a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention; 本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の自動レイアウト装置を示す図ロック図である。1 is a diagram lock diagram showing an automatic layout device for a semiconductor integrated circuit according to a first exemplary embodiment of the present invention; 本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の自動レイアウト装置を示す図ロック図である。1 is a diagram lock diagram showing an automatic layout device for a semiconductor integrated circuit according to a first exemplary embodiment of the present invention; 本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の自動レイアウト装置を示す図ロック図である。1 is a diagram lock diagram showing an automatic layout device for a semiconductor integrated circuit according to a first exemplary embodiment of the present invention; 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮セルデータの生成手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the production | generation procedure of the delay consideration cell data concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮フィラーセルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the delay consideration filler cell concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮フィラーセルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the delay consideration filler cell concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮フィラーセルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the delay consideration filler cell concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮フィラーセルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the delay consideration filler cell concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮フィラーセルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the delay consideration filler cell concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮フィラーセルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the delay consideration filler cell concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮セルデータの生成手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the production | generation procedure of the delay consideration cell data concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮セルデータの生成手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the production | generation procedure of the delay consideration cell data concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮セルデータの生成手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the production | generation procedure of the delay consideration cell data concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる遅延考慮セルデータの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the delay consideration cell data concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる自動レイアウト装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the automatic layout apparatus concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2にかかる自動レイアウト装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the automatic layout apparatus concerning Embodiment 2 of this invention.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態にかかる半導体集積回路の自動レイアウト装置、レイアウト方法及びそれらに用いられるセルデータについて説明する。本実施の形態では、セルベースICの設計を行う半導体回路設計支援装置を一例に説明する。なお、図面は簡略的なものであるから、この図面の記載を根拠として本発明の技術的範囲を狭く解釈してはならない。また、同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, an automatic layout apparatus, a layout method, and cell data used in the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. In the present embodiment, a semiconductor circuit design support apparatus that designs a cell-based IC will be described as an example. Since the drawings are simplified, the technical scope of the present invention should not be interpreted narrowly based on the description of the drawings. Moreover, the same code | symbol is attached | subjected to the same element and the overlapping description is abbreviate | omitted.

実施の形態1
図1〜図4を参照して、本発明の実施の形態1にかかる自動レイアウト装置(レイアウト装置)10の構成について説明する。図1は、本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10の構成図である。図2及び図3は、遅延考慮セルデータ生成フェーズにおける自動レイアウト装置10の一部を示す構成図である。図4は、チップレイアウトフェーズにおける自動レイアウト装置10の一部を示す構成図である。
Embodiment 1
A configuration of an automatic layout apparatus (layout apparatus) 10 according to the first exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a configuration diagram of an automatic layout apparatus 10 according to the present embodiment. 2 and 3 are configuration diagrams showing a part of the automatic layout apparatus 10 in the delay-considering cell data generation phase. FIG. 4 is a configuration diagram showing a part of the automatic layout apparatus 10 in the chip layout phase.

なお、本願の発明者は、セル全体に占めるポリシリコン層の割合、即ち、セル全体に占めるゲートサイズの割合(以下、単にゲート密度と称す)の異なる複数のフィラーセルを準備し、各フィラーセルをあるセル(ターゲットセル)の近傍に配置したところ、リソグラフィの影響を受けて、フィラーセルの種類及び配置位置に応じた遅延が当該ターゲットセルに付加されることを発見した。本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10は、これらのフィラーセル(遅延考慮フィラーセル)に関するデータを記憶し、タイミング違反が発生したパス上のセル(ターゲットセル)近傍に最適な遅延考慮フィラーセルを配置することにより、ターゲットセルの遅延を調整し、タイミング違反を容易に解消することを特徴とする。   The inventor of the present application prepared a plurality of filler cells having different proportions of the polysilicon layer in the whole cell, that is, a proportion of the gate size in the whole cell (hereinafter simply referred to as gate density), and each filler cell Was placed in the vicinity of a certain cell (target cell), and it was found that a delay corresponding to the type and arrangement position of the filler cell was added to the target cell under the influence of lithography. The automatic layout apparatus 10 according to the present embodiment stores data relating to these filler cells (delay-considering filler cells), and an optimum delay-considering filler cell is located near the cell (target cell) on the path where the timing violation has occurred. By arranging, the delay of the target cell is adjusted, and the timing violation is easily eliminated.

図1に示すように、自動レイアウト装置10は、バス16を介して相互に接続されるCPU11と、RAM12と、記憶装置13と、入力装置14と、出力装置15と、を備える。記憶装置13はハードディスクやメモリ等に例示される外部記憶装置である。また、入力装置14は、キーボードやマウス等のユーザによって操作されることで、各種データをCPU11や記憶装置13に出力する。出力装置15は、モニタやプリンタに例示され、CPU11から出力される半導体装置のレイアウト結果をユーザに対し視認可能に出力する。   As shown in FIG. 1, the automatic layout device 10 includes a CPU 11, a RAM 12, a storage device 13, an input device 14, and an output device 15 that are connected to each other via a bus 16. The storage device 13 is an external storage device exemplified by a hard disk and a memory. The input device 14 outputs various data to the CPU 11 and the storage device 13 by being operated by a user such as a keyboard and a mouse. The output device 15 is exemplified by a monitor and a printer, and outputs the layout result of the semiconductor device output from the CPU 11 so as to be visible to the user.

記憶装置13は、自動レイアウト用のセルライブラリ21と、制約情報22と、ネットリスト23と、自動レイアウトプログラム24と、を格納している。CPU11は、入力装置14からの入力に応答して、記憶装置13内の自動レイアウトプログラム24を実行し、セルライブラリ21の生成又は変換処理、セルの配置及び配線処理を行う。この際、記憶装置13からの各種データやプログラムはRAM12に一時格納され、CPU11は、RAM12内のデータを用いて各種処理を実行する。   The storage device 13 stores a cell library 21 for automatic layout, constraint information 22, a netlist 23, and an automatic layout program 24. In response to the input from the input device 14, the CPU 11 executes the automatic layout program 24 in the storage device 13 to perform generation or conversion processing of the cell library 21, cell placement and wiring processing. At this time, various data and programs from the storage device 13 are temporarily stored in the RAM 12, and the CPU 11 executes various processes using the data in the RAM 12.

セルライブラリ21は、内部が既にレイアウト設計されたマクロセルに関するデータ(以下、単にセルデータと称す)の集合である。セルライブラリ21には、NANDやフリップフロップなどの基本的回路を含むマクロセルから、RAMやROM、CPUコア等の大規模回路を含むマクロセルが登録される。   The cell library 21 is a set of data (hereinafter simply referred to as cell data) related to macro cells whose layout has already been designed. In the cell library 21, macro cells including large-scale circuits such as RAM, ROM, and CPU core are registered from macro cells including basic circuits such as NAND and flip-flop.

セルライブラリ21には、図2〜図4に示すように、各セルに関するデータである一般セルデータ211が記憶される。セルライブラリ21には、さらに、後述する遅延考慮セルデータ生成フェーズを経て、遅延考慮フィラーセルに関するデータである遅延考慮フィラーセルデータ212と、各遅延考慮フィラーセルに基づく遅延情報が各セルに追加された遅延考慮セルデータ213と、が記憶される。本実施の形態では、これらのセルデータには、セル内のピン配置に関する情報とセル枠(セル外形)データに加え、セル内部の拡散層やゲートの座標に関する情報も含まれている場合を例に説明する。なお、セル内部の拡散層やゲートの座標に関する情報が、レイアウトデータとして別に設けられる構成であっても良い。   As shown in FIGS. 2 to 4, the cell library 21 stores general cell data 211 that is data related to each cell. The cell library 21 is further added with delay consideration filler cell data 212, which is data related to the delay consideration filler cell, and delay information based on each delay consideration filler cell to each cell through a delay consideration cell data generation phase described later. The delay consideration cell data 213 is stored. In the present embodiment, the cell data includes information on the pin arrangement in the cell and cell frame (cell outline) data, as well as information on the diffusion layer and gate coordinates inside the cell. Explained. In addition, the structure regarding the information regarding the coordinate of the diffusion layer inside a cell and the gate may be provided separately as layout data.

制約情報22には、レイアウト部(配置配線ツール)242がチップ上にセルを配置したり配線したりする場合に用いられる、配線幅やセル間隔等の設計ルール及びタイミング制約等が規定される。ネットリスト23は、各セルの接続情報を示す論理回路設計結果である。   The constraint information 22 defines design rules such as wiring width and cell interval, timing constraints, and the like used when the layout unit (placement and wiring tool) 242 places and routes cells on the chip. The net list 23 is a logic circuit design result indicating connection information of each cell.

半導体集積回路の自動レイアウトプログラム24は、CPU11によって実行されることにより、コンピュータに、セルデータ生成部241及びレイアウト部242の各機能を実現する。セルデータ生成部241は、各セルのデータを生成する部である。レイアウト部242は、必要なセルをチップ上に配置し、配線した後、レイアウトデータを出力する部である。   The automatic layout program 24 of the semiconductor integrated circuit is executed by the CPU 11 to realize the functions of the cell data generation unit 241 and the layout unit 242 in the computer. The cell data generation unit 241 is a unit that generates data of each cell. The layout unit 242 is a unit that outputs layout data after arranging and wiring necessary cells on a chip.

セルデータ生成部241は、図2に示すように、遅延考慮セルデータ生成フェーズにおいて、ゲート密度の異なる複数の遅延考慮フィラーセルに関するデータを、遅延考慮フィラーセルデータ212として生成し、セルライブラリ21に記憶させる。レイアウト部242は、一般セルデータ211、遅延考慮フィラーセルデータ212、及び制約情報22に基づいて、セル(ターゲットセル及びその周辺セル)及び遅延考慮フィラーセルの仮配置を行い、遅延考慮セルデータ213生成用に用いられる測定用レイアウトデータを出力する。   As shown in FIG. 2, the cell data generation unit 241 generates data regarding a plurality of delay-considering filler cells having different gate densities as delay-considering filler cell data 212 in the delay-considering cell data generation phase. Remember. Based on the general cell data 211, the delay-considering filler cell data 212, and the constraint information 22, the layout unit 242 performs temporary arrangement of cells (target cell and its surrounding cells) and delay-considering filler cells, and delay-considering cell data 213. Outputs layout data for measurement used for generation.

その後、セルデータ生成部241は、図3に示すように、遅延考慮セルデータ生成フェーズにおいて、一般セルデータ211と、ターゲットセルの種類、遅延考慮フィラーセルの種類及び配置条件の異なる複数の測定用レイアウトデータから得られた複数の遅延情報とに基づいて、遅延考慮セルデータ213を生成する。より具体的には、セルデータ生成部241は、一般セルデータ211に含まれる各セルに対し、対応する遅延情報を追加して、遅延考慮セルデータ213として生成する。   Thereafter, as shown in FIG. 3, the cell data generation unit 241 performs a plurality of measurements for different types of general cell data 211, the target cell type, the delay consideration filler cell type, and the arrangement conditions in the delay consideration cell data generation phase. Based on a plurality of delay information obtained from the layout data, delay-considering cell data 213 is generated. More specifically, the cell data generation unit 241 adds corresponding delay information to each cell included in the general cell data 211 to generate the delay-considered cell data 213.

そして、レイアウト部242は、図4に示すように、チップレイアウトフェーズにおいて、一般セルデータ211、遅延考慮フィラーセルデータ212、遅延考慮セルデータ213、ネットリスト23、及び制約情報22に基づいて、必要なセルをチップ上に配置し、配線した後、チップレイアウトデータを出力する。このとき、レイアウト部242は、一般セルデータ211に含まれる各セルのピン配置や各セルの大きさを参照し、制約情報22に含まれる配線幅やセル間隔等の設計ルール及び配線遅延等を考慮して各セルの配置及び配線を行う。なお、レイアウト部242は、一般セルデータ211以外の、遅延考慮フィラーセルデータ212、遅延考慮セルデータ213、ネットリスト23、及び制約情報22に基づいて、チップレイアウトデータを出力する構成であってもよい。この場合、レイアウト部242は、一般セルデータ211に代えて、遅延考慮セルデータ213に含まれる各セルのピン配置や各セルの大きさを参照し、各セルの配置及び配線を行う。   Then, the layout unit 242 is necessary based on the general cell data 211, the delay consideration filler cell data 212, the delay consideration cell data 213, the net list 23, and the constraint information 22 in the chip layout phase as shown in FIG. After placing and wiring a correct cell on the chip, chip layout data is output. At this time, the layout unit 242 refers to the pin arrangement of each cell and the size of each cell included in the general cell data 211, and determines the design rule such as the wiring width and the cell interval included in the constraint information 22 and the wiring delay. In consideration of the arrangement and wiring of each cell. The layout unit 242 may be configured to output chip layout data based on the delay-considering filler cell data 212, the delay-considering cell data 213, the netlist 23, and the constraint information 22 other than the general cell data 211. Good. In this case, the layout unit 242 refers to the pin arrangement of each cell and the size of each cell included in the delay-considering cell data 213 instead of the general cell data 211, and performs the arrangement and wiring of each cell.

次に、本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10による自動レイアウト処理について、詳細に説明する。本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10は、主として、遅延考慮セルデータ生成フェーズと、チップレイアウトフェーズと、の2つのフェーズによって自動レイアウト処理を行う。さらに自動レイアウト装置10は、チップレイアウトフェーズにおいて、主として、セルの配置及び配線処理と、遅延考慮フィラーセルの配置によるタイミング調整と、を行う。なお、遅延考慮セルデータ生成フェーズは、チップレイアウトフェーズとは別に、予め実行されていても良い。この場合、自動レイアウト装置10は、遅延考慮セルデータ生成装置として機能する。   Next, automatic layout processing by the automatic layout apparatus 10 according to the present embodiment will be described in detail. The automatic layout apparatus 10 according to the present embodiment performs automatic layout processing mainly in two phases: a delay-considering cell data generation phase and a chip layout phase. Further, in the chip layout phase, the automatic layout apparatus 10 mainly performs cell arrangement and wiring processing and timing adjustment by arrangement of delay-considering filler cells. The delay-considering cell data generation phase may be executed in advance separately from the chip layout phase. In this case, the automatic layout device 10 functions as a delay-considering cell data generation device.

(遅延考慮セルデータ生成フェーズ)
遅延考慮セルデータ生成フェーズとは、セルデータ生成部241が、一般セルデータ211として登録されている各セルに対して、遅延考慮フィラーセルに基づく遅延情報を追加し、遅延考慮セルデータ213として生成するフェーズのことである。以下、具体的に説明する。
(Delayed cell data generation phase)
The delay consideration cell data generation phase is that the cell data generation unit 241 adds delay information based on the delay consideration filler cell to each cell registered as the general cell data 211 and generates the delay consideration cell data 213. It is a phase to do. This will be specifically described below.

図5は、本実施の形態にかかる遅延考慮セルデータ213の生成手順を示すフローチャートである。まず、セルデータ生成部241は、ゲート密度の異なる複数の遅延考慮フィラーセルデータ212を生成する(S100)。図6A〜図6Fに、遅延考慮フィラーセルの一例を示す。図6A〜図6Fの例では、ゲートであるポリシリコン層101が紙面の縦方向に配置され、それらのポリシリコン層を紙面の横方向から挟むように拡散層102が2列に配置される。図6Aは、ゲート密度が中程度の遅延考慮フィラーセル100Aである。図6Bは、セル内部において、紙面の右側のゲート密度が高い遅延考慮フィラーセル100Bである。図6Cは、セル内部において、紙面の右側のゲート密度が低い遅延考慮フィラーセル100Cである。図6Dは、図6Aと同様に、ゲート密度が中程度の遅延考慮フィラーセル100Dである。図6Eは、セル内部において、紙面の左側のゲート密度が高い遅延考慮フィラーセル100Eである。図6Fは、セル内部において、紙面の左側のゲート密度が低い遅延考慮フィラーセル100Fである。   FIG. 5 is a flowchart showing a procedure for generating the delay-considered cell data 213 according to the present embodiment. First, the cell data generation unit 241 generates a plurality of delay-considering filler cell data 212 having different gate densities (S100). 6A to 6F show an example of a delay-considering filler cell. In the example of FIGS. 6A to 6F, the polysilicon layers 101 that are gates are arranged in the vertical direction of the paper surface, and the diffusion layers 102 are arranged in two rows so as to sandwich the polysilicon layers from the horizontal direction of the paper surface. FIG. 6A shows a delay-considering filler cell 100A with a medium gate density. FIG. 6B shows a delay-considering filler cell 100B having a high gate density on the right side of the paper inside the cell. FIG. 6C shows a delay-considering filler cell 100C having a low gate density on the right side of the paper inside the cell. FIG. 6D shows a delay-considering filler cell 100D having a medium gate density, similar to FIG. 6A. FIG. 6E shows a delay-considering filler cell 100E having a high gate density on the left side of the paper inside the cell. FIG. 6F shows a delay-considering filler cell 100F having a low gate density on the left side of the paper inside the cell.

なお、本実施の形態では、ゲート密度が異なる複数の遅延考慮フィラーセルが用いられる場合について説明しているが、これに限られない。ターゲットセルに与える遅延の影響を調整可能であれば、ゲートの形状(ポリシリコン層の形状)が異なる複数の遅延考慮フィラーセルが用いられても良い。   In the present embodiment, a case is described in which a plurality of delay-considering filler cells having different gate densities are used, but the present invention is not limited to this. A plurality of delay-considering filler cells having different gate shapes (polysilicon layer shapes) may be used as long as the influence of the delay on the target cell can be adjusted.

次に、レイアウト部242は、遅延考慮セルデータ213生成のための、ターゲットセル及び周辺セルの仮配置を行う(S101)。以下の説明では、便宜上、ターゲットセル及び周辺セルが仮配置された状態のレイアウトデータを中間レイアウトデータと称す。   Next, the layout unit 242 temporarily arranges the target cell and the peripheral cells for generating the delay-considering cell data 213 (S101). In the following description, for convenience, layout data in a state where target cells and peripheral cells are temporarily arranged is referred to as intermediate layout data.

図7〜図9に、中間レイアウトデータの一例を示す。図7の例では、紙面中央に、一般セルデータ211に含まれる複数のセルのうち選択された何れかのセルが、ターゲットセル103として配置される。そして、ターゲットセル103を囲むように、複数のセル(例えば、最も使用率の高いセル)が周辺セル104として配置される。なお、図7の例では、ターゲットセル103の左側面に隣接する領域は、空き領域となっている。図8の例では、紙面中央にターゲットセル103が配置され、ターゲットセル103を囲むように複数の周辺セル104が配置される。なお、図8の例では、ターゲットセル103の右側面に隣接する領域は、空き領域となっている。図9の例では、紙面中央にターゲットセル103が配置され、ターゲットセル103を囲むように複数の周辺セル104が配置される。なお、図7の例では、ターゲットセル103の右側面及び左側面に隣接するそれぞれの領域は、空き領域となっている。本実施の形態では、レイアウト部242は、まず、図7に示すようなターゲットセル及び周辺セルの仮配置を行う。   7 to 9 show an example of the intermediate layout data. In the example of FIG. 7, any cell selected from among a plurality of cells included in the general cell data 211 is arranged as the target cell 103 in the center of the drawing. A plurality of cells (for example, cells with the highest usage rate) are arranged as the peripheral cells 104 so as to surround the target cell 103. In the example of FIG. 7, the area adjacent to the left side surface of the target cell 103 is an empty area. In the example of FIG. 8, the target cell 103 is arranged at the center of the paper surface, and a plurality of peripheral cells 104 are arranged so as to surround the target cell 103. In the example of FIG. 8, the area adjacent to the right side surface of the target cell 103 is an empty area. In the example of FIG. 9, the target cell 103 is arranged at the center of the paper surface, and a plurality of peripheral cells 104 are arranged so as to surround the target cell 103. In the example of FIG. 7, the areas adjacent to the right side surface and the left side surface of the target cell 103 are vacant areas. In the present embodiment, the layout unit 242 first performs temporary arrangement of target cells and peripheral cells as shown in FIG.

次に、レイアウト部242は、中間レイアウトデータの空き領域に、何れかの遅延考慮フィラーセルを配置して(S102)、測定用レイアウトデータを出力する(S103)。例えば、レイアウト部242は、図7に示す中間レイアウトデータの空き領域に、図6Aに示す遅延考慮フィラーセル100Aを配置して、測定用レイアウトデータを出力する。   Next, the layout unit 242 arranges any delay-considering filler cell in an empty area of the intermediate layout data (S102), and outputs measurement layout data (S103). For example, the layout unit 242 arranges the delay-considering filler cell 100A shown in FIG. 6A in the empty area of the intermediate layout data shown in FIG. 7, and outputs measurement layout data.

その後、別ツールであるリソグラフィシミュレータ(不図示)が、この測定用レイアウトデータに対してリソグラフィシミュレーションを実施して、仮想のウエハ形状を生成する(S104)。この仮想のウエハ形状に基づいて、実効的なトランジスタのチャネル長(L)及びチャネル幅(W)が算出される。その後、別ツールであるアナログシミュレータ(不図示)が、仮想のウエハ形状から算出されたL/Wに基づいてシミュレーションを実施して、遅延考慮フィラーセル100Aがターゲットセル103に与える遅延の影響を測定する(S105)。アナログシミュレータには、例えば、SPICEシミュレータが用いられる。なお、これらのシミュレータは、自動レイアウト装置10の機能の一部として設けられていても良い。   Thereafter, a lithography simulator (not shown), which is another tool, performs lithography simulation on the measurement layout data to generate a virtual wafer shape (S104). Based on this virtual wafer shape, an effective transistor channel length (L) and channel width (W) are calculated. Thereafter, an analog simulator (not shown), which is another tool, performs simulation based on L / W calculated from the virtual wafer shape, and measures the influence of delay on the target cell 103 by the delay-considering filler cell 100A. (S105). For example, a SPICE simulator is used as the analog simulator. These simulators may be provided as a part of the function of the automatic layout apparatus 10.

その後、レイアウト部242は、まだ選択されていない遅延考慮フィラーセルがある場合(S106のNO)、その遅延考慮フィラーセルに置き換えて(S107)、新たな測定用レイアウトデータを出力する(S103)。例えば、レイアウト部242は、図7に示す中間レイアウトデータの空き領域に、図6Bに示す遅延考慮フィラーセル100Bを配置して、新たな測定用レイアウトデータを出力する。その後は、上述と同様の処理が繰り返される(S103〜S107)。本実施の形態では、レイアウト部242は、図7に示す中間レイアウトデータの空き領域に、図6A〜図6Cに示す遅延考慮フィラーセル100A,100B,100Cを順に配置して、それぞれ測定用レイアウトデータを出力する。そして、これらの測定用レイアウトデータにおいて、ゲート密度の異なる遅延考慮フィラーセルによってターゲットセル103が受ける遅延の影響は測定される。   Thereafter, when there is a delay-considering filler cell that has not yet been selected (NO in S106), the layout unit 242 replaces the delay-considering filler cell with the delay-considering filler cell (S107), and outputs new measurement layout data (S103). For example, the layout unit 242 arranges the delay-considering filler cell 100B shown in FIG. 6B in the empty area of the intermediate layout data shown in FIG. 7, and outputs new measurement layout data. Thereafter, the same processing as described above is repeated (S103 to S107). In the present embodiment, the layout unit 242 sequentially arranges the delay-considering filler cells 100A, 100B, and 100C shown in FIGS. 6A to 6C in the empty area of the intermediate layout data shown in FIG. Is output. In these measurement layout data, the influence of the delay that the target cell 103 receives by the delay-considering filler cells having different gate densities is measured.

レイアウト部242は、対象となる全ての遅延考慮フィラーセルが選択され、それらによってターゲットセル103が受ける遅延の影響が測定された場合(S106のYES)、周辺セル104の配置位置を変更して異なる位置に空き領域を作る(S108のNO、S109)。例えば、レイアウト部242は、周辺セル104の配置位置を変更することにより、図7に示す中間レイアウトデータから図8に示す中間レイアウトデータに変更する。その後は、上述と同様の処理が繰り返される(S102〜S109)。本実施の形態では、レイアウト部242は、図7〜図9に示すような仮配置を順に行い、それぞれに対して各遅延考慮フィラーセルを順に配置して、それぞれ測定用レイアウトデータを出力する。そして、これらの測定用レイアウトデータにおいて、配置位置の異なる各遅延考慮フィラーセルによってターゲットセル103が受ける遅延の影響は測定される。   The layout unit 242 changes the arrangement positions of the peripheral cells 104 when all the delay-considering filler cells to be targeted are selected and the influence of the delay on the target cell 103 is measured (YES in S106). An empty area is created at the position (NO in S108, S109). For example, the layout unit 242 changes the intermediate layout data shown in FIG. 7 to the intermediate layout data shown in FIG. 8 by changing the arrangement position of the peripheral cell 104. Thereafter, the same processing as described above is repeated (S102 to S109). In the present embodiment, the layout unit 242 sequentially performs temporary arrangements as shown in FIGS. 7 to 9, sequentially arranges each delay-considering filler cell for each, and outputs measurement layout data. In these measurement layout data, the influence of the delay that the target cell 103 receives by each delay-considering filler cell having a different arrangement position is measured.

なお、図7及び図9に示すように、ターゲットセル103の左側面に隣接する空き領域には、図6A〜図6Cに示す遅延考慮フィラーセル100A,100B,100Cが配置される。一方、図8及び図9に示すように、ターゲットセル103の右側面に隣接する空き領域には、図6D〜図6Fに示す遅延考慮フィラーセル100D,100E,100Fが配置される。これは、各遅延考慮フィラーセルのゲート密度の影響を、ターゲットセル103にのみ与え、他の周辺セルに与えないようにするためである。   As shown in FIGS. 7 and 9, delay consideration filler cells 100 </ b> A, 100 </ b> B, and 100 </ b> C shown in FIGS. 6A to 6C are arranged in an empty area adjacent to the left side surface of the target cell 103. On the other hand, as shown in FIGS. 8 and 9, the delay-considering filler cells 100 </ b> D, 100 </ b> E, and 100 </ b> F shown in FIGS. 6D to 6F are arranged in the empty area adjacent to the right side surface of the target cell 103. This is because the influence of the gate density of each delay-considering filler cell is given only to the target cell 103 and not to other peripheral cells.

その後、セルデータ生成部241は、各測定用レイアウトデータから得られた遅延情報を、対応するセルに追加して、遅延考慮セルデータ213の一部として生成する。この遅延考慮セルデータ213は、セルライブラリ21に格納される(S110)。   Thereafter, the cell data generation unit 241 adds the delay information obtained from each measurement layout data to the corresponding cell and generates the delay information as a part of the delay-considered cell data 213. The delay-considered cell data 213 is stored in the cell library 21 (S110).

このような処理は、ターゲットセルを他のセルに変更して同様に繰り返される(S101〜S111)。このように、レイアウト部242は、ターゲットセルの種類、遅延考慮フィラーセルの種類及び配置条件の異なる複数の測定用レイアウトデータを出力する。そして、セルデータ生成部241は、一般セルデータ211と、これらの測定用レイアウトデータから得られた遅延情報と、に基づいて遅延考慮セルデータ213を生成する。より具体的には、セルデータ生成部241は、一般セルデータ211に含まれる各セルに対し、対応する遅延情報を追加して、遅延考慮セルデータ213として生成する。   Such processing is repeated in the same manner by changing the target cell to another cell (S101 to S111). Thus, the layout unit 242 outputs a plurality of measurement layout data having different types of target cells, types of delay-considering filler cells, and arrangement conditions. Then, the cell data generation unit 241 generates delay-considered cell data 213 based on the general cell data 211 and the delay information obtained from these measurement layout data. More specifically, the cell data generation unit 241 adds corresponding delay information to each cell included in the general cell data 211 to generate the delay-considered cell data 213.

図10に、遅延考慮セルデータ213の記述例を示す。図10に示すように、例えば、セルAについて、左側面に隣接して遅延考慮フィラーセル100Aを置いた場合の遅延は0.0ps、遅延考慮フィラーセル100Bを置いた場合の遅延は1.0ps、遅延考慮フィラーセル100Cを置いた場合の遅延は−0.5psである。また、セルAにおいて、右側面に隣接して遅延考慮フィラーセル100Dを置いた場合の遅延は0.0ps、遅延考慮フィラーセル100Eを置いた場合の遅延は0.3ps、遅延考慮フィラーセル100Fを置いた場合の遅延は−1.0psである。また、セルAにおいて、右側面及び左側面に隣接して遅延考慮フィラーセル100A,100Dを置いた場合の遅延は0.0ps、遅延考慮フィラーセル100B,100Eを置いた場合の遅延は1.5ps、遅延考慮フィラーセル100B,100Fを置いた場合の遅延は0.1s、遅延考慮フィラーセル100C,100Eを置いた場合の遅延は1.2ps、遅延考慮フィラーセル100C,100Fを置いた場合の遅延は−1.8psである。このように、遅延考慮セルデータ213には、各セルに対して遅延情報が付加される。   FIG. 10 shows a description example of the delay considering cell data 213. As shown in FIG. 10, for example, for cell A, the delay when the delay consideration filler cell 100A is placed adjacent to the left side surface is 0.0 ps, and the delay when the delay consideration filler cell 100B is placed is 1.0 ps. When the delay-considering filler cell 100C is placed, the delay is -0.5 ps. Further, in the cell A, the delay when the delay consideration filler cell 100D is placed adjacent to the right side is 0.0 ps, the delay when the delay consideration filler cell 100E is placed is 0.3 ps, and the delay consideration filler cell 100F is When placed, the delay is -1.0 ps. In the cell A, the delay when the delay consideration filler cells 100A and 100D are placed adjacent to the right side surface and the left side surface is 0.0 ps, and the delay when the delay consideration filler cells 100B and 100E are placed is 1.5 ps. The delay when the delay consideration filler cells 100B and 100F are placed is 0.1 s, the delay when the delay consideration filler cells 100C and 100E are placed is 1.2 ps, and the delay when the delay consideration filler cells 100C and 100F are placed Is −1.8 ps. Thus, delay information is added to each cell in the delay considering cell data 213.

(チップレイアウトフェーズ)
図11は、本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10の動作を示すフローチャートである。まず、レイアウト部242は、一般セルデータ211、ネットリスト23、及び制約情報22に基づいて、必要なセルをチップ上に配置し、配線した後、チップレイアウトデータを出力する(S200)。
(Chip layout phase)
FIG. 11 is a flowchart showing the operation of the automatic layout apparatus 10 according to the present embodiment. First, the layout unit 242 arranges necessary cells on the chip based on the general cell data 211, the net list 23, and the constraint information 22, and after wiring, outputs the chip layout data (S200).

次に、タイミング調整を行う(S201)。この処理の中では、まず、チップレイアウトデータに対してサインオフチェックが行われる(S2011)。言い換えると、チップレイアウトデータに対してタイミング検証が行われる。このタイミング検証は、別のタイミング検証ツールによって行われても良いし、自動レイアウト装置10に備わっているタイミング検証機能によって行われても良い。   Next, timing adjustment is performed (S201). In this process, first, a sign-off check is performed on the chip layout data (S2011). In other words, timing verification is performed on the chip layout data. This timing verification may be performed by another timing verification tool, or may be performed by a timing verification function provided in the automatic layout apparatus 10.

タイミング違反が検出された場合、レイアウト部242は、タイミング違反が発生したパス上のセル(ターゲットセル)近傍の空き領域を検出し(S2012)、当該空き領域に各遅延考慮フィラーセルを仮想配置して、タイミング違反が解消されるか否かをそれぞれシミュレーションする(S2013、S2014)。なお、タイミング違反が発生したパス上のセルは複数存在する場合がある。また、タイミング違反が発生したパス上のセル近傍の空き領域には、複数の遅延考慮フィラーセルが配置される場合がある。したがって、レイアウト部242は、まず、複数の適当な遅延考慮フィラーセルを仮想配置してシミュレーションし、その結果を参照して、タイミング違反を収束させるように、最適な遅延考慮フィラーセルに置き換えて再度シミュレーションする、ことも可能である。   When a timing violation is detected, the layout unit 242 detects an empty area near a cell (target cell) on the path where the timing violation has occurred (S2012), and virtually arranges each delay-considering filler cell in the empty area. Each of the timing violations is simulated (S2013, S2014). There may be a plurality of cells on the path where the timing violation has occurred. In addition, a plurality of delay-considering filler cells may be arranged in an empty area near the cell on the path where the timing violation has occurred. Therefore, first, the layout unit 242 virtually arranges and simulates a plurality of appropriate delay-considering filler cells, refers to the result, and replaces the timing violation with the optimal delay-considering filler cell so as to converge again. It is also possible to simulate.

タイミング違反が解消される遅延考慮フィラーセルの種類及び配置位置が確定すると、レイアウト部242は、それらの遅延考慮フィラーセルをその確定した位置に配置する(S2015)。次に、レイアウト部242は、レイアウトスペースの残りの空き領域に、すでに配置されている各セルに遅延の影響を与えない通常のフィラーセルを配置する(S2016)。その後、レイアウト部242は、完成したチップレイアウトデータを出力する(S202)。次に、確認のため、このチップレイアウトデータに対してサインオフチェックが行われる(S203)。このように、自動レイアウト装置10は、遅延考慮フィラーセルをレイアウトスペースの空き領域に配置することにより、他のセルの配置や配線を変更することなく、容易にタイミング違反を解消することができる。それにより、設計にかかる工数の増大が抑制される。   When the type and arrangement position of the delay-considering filler cell from which the timing violation is eliminated are determined, the layout unit 242 arranges these delay-considering filler cells at the determined position (S2015). Next, the layout unit 242 arranges normal filler cells that do not affect the delay of each already arranged cell in the remaining free space of the layout space (S2016). Thereafter, the layout unit 242 outputs the completed chip layout data (S202). Next, a sign-off check is performed on the chip layout data for confirmation (S203). As described above, the automatic layout apparatus 10 can easily eliminate the timing violation without changing the arrangement and wiring of other cells by arranging the delay-considering filler cells in the empty area of the layout space. As a result, an increase in the number of man-hours for designing is suppressed.

なお、仮にタイミング違反が解消されていなければ、タイミング違反に対しての修正(S204)及び修正後のチップレイアウトデータに対するサインオフチェック(S205)が行われる。この場合においても、自動レイアウト装置10は、遅延考慮フィラーセルの種類及び配置位置を変更することにより、他のセルの配置や配線を変更することなく、容易にタイミング違反を解消することができる。それにより、設計にかかる工数の増大が抑制される。   If the timing violation is not resolved, a correction for the timing violation (S204) and a sign-off check for the corrected chip layout data (S205) are performed. Even in this case, the automatic layout apparatus 10 can easily eliminate the timing violation without changing the arrangement and wiring of other cells by changing the type and arrangement position of the delay-considering filler cells. As a result, an increase in the number of man-hours for designing is suppressed.

このように、本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10は、遅延考慮フィラーセルをレイアウトスペースの空き領域に配置することにより、他のセルの配置や配線を変更することなく、容易にタイミング違反を解消することができる。それにより、設計にかかる工数の増大が抑制される。さらに、本実施の形態では、遅延考慮フィラーセルを用いてタイミング違反を解消できるため、従来技術と異なり、タイミング違反を解消するためのディレイセルの挿入が不要となり、消費電力の増大が抑制される。   As described above, the automatic layout apparatus 10 according to the present embodiment can easily violate the timing without changing the arrangement or wiring of other cells by arranging the delay-considering filler cells in the empty area of the layout space. Can be resolved. As a result, an increase in the number of man-hours for designing is suppressed. Furthermore, in this embodiment, since the timing violation can be solved by using the delay-considering filler cell, unlike the conventional technique, it is not necessary to insert a delay cell for eliminating the timing violation, and the increase in power consumption is suppressed. .

なお、従来技術では、リソばらつきを低減するために予めダミーセルが挿入されている。そのため、従来技術では、回路規模、チップ面積が増大するという問題があった。しかしながら、本実施の形態では、遅延考慮フィラーセルを用いてタイミング違反を解消できるため、従来技術と異なり、リソばらつきを低減するためのダミーセルの挿入が不要となり、回路規模、チップ面積の増大が抑制される。   In the prior art, dummy cells are inserted in advance in order to reduce litho variation. Therefore, the conventional technique has a problem that the circuit scale and the chip area increase. However, in this embodiment, the timing violation can be solved by using the delay-considering filler cell, so that unlike the conventional technique, it is not necessary to insert a dummy cell to reduce litho variation, and the increase in circuit scale and chip area is suppressed. Is done.

実施の形態2
実施の形態1では、ゲート密度の異なる複数の遅延考慮フィラーセルが用いられる場合を例に説明した。本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10bは、このような遅延考慮フィラーセルを用いることなく、ターゲットセルに所望の遅延を付加する機能を有する。なお、本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10bは、遅延考慮フィラーセルを用いないため、実施の形態1と異なり、遅延考慮フィラーセルデータ及び遅延考慮セルデータの生成を行わない。
Embodiment 2
In the first embodiment, a case where a plurality of delay-considering filler cells having different gate densities is used has been described as an example. The automatic layout apparatus 10b according to the present embodiment has a function of adding a desired delay to the target cell without using such a delay-considering filler cell. Note that the automatic layout device 10b according to the present embodiment does not use delay-considering filler cells, and therefore, unlike the first embodiment, does not generate delay-considering filler cell data and delay-considering cell data.

図12は、本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10bの動作を示すフローチャートである。ここでは、実施の形態1にかかる自動レイアウト装置10の動作と異なる部分であるタイミング調整(S201b)についてのみ説明する。   FIG. 12 is a flowchart showing the operation of the automatic layout apparatus 10b according to the present embodiment. Here, only the timing adjustment (S201b) that is different from the operation of the automatic layout apparatus 10 according to the first embodiment will be described.

タイミング調整(S201b)の処理の中では、まず、チップレイアウトデータに対してサインオフチェックが行われる(S2011)。言い換えると、チップレイアウトデータに対してタイミング検証が行われる。このタイミング検証は、別のタイミング検証ツールによって行われても良いし、自動レイアウト装置10に備わっているタイミング検証機能によって行われても良い。   In the process of timing adjustment (S201b), first, a sign-off check is performed on the chip layout data (S2011). In other words, timing verification is performed on the chip layout data. This timing verification may be performed by another timing verification tool, or may be performed by a timing verification function provided in the automatic layout apparatus 10.

タイミング違反が検出された場合、レイアウト部242bは、タイミング違反が発生したパス上のセル近傍の空き領域を検出するとともに(S2012)、タイミング違反を解消するために必要な遅延量を算出する(S2013b)。レイアウト部242bは、その算出結果に基づいて、タイミング違反が発生したパス上のセル(ターゲットセル)近傍の空き領域に適当なポリシリコン層形状を仮想配置して、タイミング違反が解消されるか否かをシミュレーションする(S2014b)。なお、セルライブラリ21には、遅延考慮フィラーセルデータ及び遅延考慮セルデータは格納されていない。したがって、自動レイアウト装置10bは、仮想配置されたポリシリコン層形状によってターゲットセルが受ける遅延の影響を、リソグラフィシミュレーション機能やアナログシミュレーション機能を用いて測定する必要がある。レイアウト部242bは、この測定結果を参照して、必要に応じて、タイミング違反を収束させるようにポリシリコン層形状の配置を修正する。ポリシリコン層形状の修正時には、Design Ruleを考慮しながら行い、セル内部及びセルを配置した際に隣接セルとの間でのDesign Rule違反が発生しないようにする必要がある。   When a timing violation is detected, the layout unit 242b detects an empty area near the cell on the path where the timing violation has occurred (S2012), and calculates a delay amount necessary to eliminate the timing violation (S2013b). ). Based on the calculation result, the layout unit 242b virtually arranges an appropriate polysilicon layer shape in an empty area near the cell (target cell) on the path where the timing violation has occurred, and the timing violation is resolved. This is simulated (S2014b). The cell library 21 does not store delay-considering filler cell data and delay-considering cell data. Therefore, the automatic layout apparatus 10b needs to measure the influence of the delay that the target cell receives due to the virtually arranged polysilicon layer shape using the lithography simulation function and the analog simulation function. The layout unit 242b refers to the measurement result and corrects the arrangement of the polysilicon layer shape so as to converge the timing violation as necessary. When the polysilicon layer shape is corrected, it is necessary to consider the Design Rule, so that the Design Rule violation between the inside of the cell and the adjacent cell does not occur when the cell is arranged.

タイミング違反が解消されるポリシリコン層形状の配置位置が確定すると、レイアウト部242bは、当該ポリシリコン層形状をその確定した位置に配置する(S2015b)。次に、レイアウト部242bは、レイアウトスペースの残りの空き領域に、すでに配置されている各セルに遅延の影響を与えない通常のフィラーセルを配置する(S2016)。その後、レイアウト部242bは、完成したチップレイアウトデータを出力する(S202)。   When the arrangement position of the polysilicon layer shape that eliminates the timing violation is determined, the layout unit 242b arranges the polysilicon layer shape at the determined position (S2015b). Next, the layout unit 242b arranges normal filler cells that do not affect the delay of each already arranged cell in the remaining free space of the layout space (S2016). Thereafter, the layout unit 242b outputs the completed chip layout data (S202).

このように、本実施の形態にかかる自動レイアウト装置10bは、遅延考慮フィラーセルに代えて、ポリシリコン層形状を直接レイアウトスペースの空き領域に配置することにより、より精度の高いタイミング調整をすることが可能である。ただし、仮想配置されたポリシリコン層形状によってターゲットセルが受ける遅延の影響を測定するために、所定の処理時間を要する。   As described above, the automatic layout apparatus 10b according to the present embodiment performs more accurate timing adjustment by arranging the polysilicon layer shape directly in the empty area of the layout space instead of the delay-considering filler cell. Is possible. However, a predetermined processing time is required to measure the influence of delay on the target cell due to the virtually arranged polysilicon layer shape.

以上のように、上記実施の形態1,2にかかる自動レイアウト装置は、遅延考慮フィラーセル及びポリシリコン層形状のいずれかを、レイアウトスペースの空き領域に配置することにより、他のセルの配置や配線を変更することなく、容易にタイミング違反を解消することができる。それにより、設計にかかる工数の増大が抑制される。さらに、上記実施の形態1,2では、遅延考慮フィラーセル及びポリシリコン層形状のいずれかを用いてタイミング違反を解消できるため、従来技術と異なってタイミング違反を解消するためのディレイセルの挿入が不要となり、消費電力の増大が抑制される。   As described above, the automatic layout apparatus according to the above-described first and second embodiments arranges one of the delay-considering filler cell and the polysilicon layer shape in the vacant area of the layout space, thereby arranging other cells. The timing violation can be easily resolved without changing the wiring. As a result, an increase in the number of man-hours for designing is suppressed. Further, in the first and second embodiments, since the timing violation can be solved by using either the delay-considering filler cell or the polysilicon layer shape, the delay cell is inserted to eliminate the timing violation unlike the conventional technique. It becomes unnecessary and the increase in power consumption is suppressed.

なお、従来技術では、リソばらつきを低減するために予めダミーセルが挿入されている。そのため、従来技術では、回路規模、チップ面積が増大するという問題があった。しかしながら、本実施の形態では、遅延考慮フィラーセルを用いてタイミング違反を解消できるため、従来技術と異なり、リソばらつきを低減するためのダミーセルの挿入が不要となり、回路規模、チップ面積の増大が抑制される。   In the prior art, dummy cells are inserted in advance in order to reduce litho variation. Therefore, the conventional technique has a problem that the circuit scale and the chip area increase. However, in this embodiment, the timing violation can be solved by using the delay-considering filler cell, so that unlike the conventional technique, it is not necessary to insert a dummy cell to reduce litho variation, and the increase in circuit scale and chip area is suppressed. Is done.

なお、本発明は上記実施の形態1,2に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、実施の形態1では、中間レイアウトデータにおいて、各遅延考慮フィラーセルが、ターゲットセル103のゲートに垂直な方向(紙面においてターゲットセル103の左右方向)に隣接して配置される場合を例に説明したが、これに限られない。中間レイアウトデータにおいて、各遅延考慮フィラーセルが、ターゲットセル103のゲートに平行な方向(紙面においてターゲットセル103の上下方向)に隣接して配置される構成や、その他近接して配置される構成としても良い。ただし、ターゲットセル103のチャネル長は、リソグラフィの際、当該ターゲットセル103のゲートに垂直な方向(左右方向)に隣接して配置される遅延考慮フィラーセルの影響を受けて変化しやすい。したがって、本実施の形態では、各遅延考慮フィラーセルが、ターゲットセル103のゲートに垂直な方向(左右方向)に隣接して配置される場合に限定している。   The present invention is not limited to Embodiments 1 and 2 described above, and can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, in the first embodiment, in the intermediate layout data, each delay-considering filler cell is arranged adjacent to the direction perpendicular to the gate of the target cell 103 (the left-right direction of the target cell 103 in the drawing) as an example. Although explained, it is not limited to this. In the intermediate layout data, each delay consideration filler cell is arranged adjacent to the direction parallel to the gate of the target cell 103 (up and down direction of the target cell 103 on the paper surface), or other adjacent arrangement. Also good. However, the channel length of the target cell 103 is likely to change due to the influence of a delay-considering filler cell arranged adjacent to the direction perpendicular to the gate of the target cell 103 (left-right direction) during lithography. Therefore, this embodiment is limited to the case where each delay-considering filler cell is arranged adjacent to the direction (left-right direction) perpendicular to the gate of the target cell 103.

また、実施の形態1では、遅延考慮フィラーセルに基づく遅延情報には、セルの入力端子や負荷容量等の条件が考慮されていないが、これらの条件が考慮されてもよい。この場合、遅延考慮セルデータ213には、セルの入力端子や負荷容量等の違いによる遅延情報がテーブル化して格納される。   In the first embodiment, the delay information based on the delay-considering filler cell does not consider conditions such as the input terminal of the cell and the load capacity, but these conditions may be considered. In this case, the delay-considering cell data 213 stores delay information based on differences in cell input terminals, load capacities, etc. in a table.

また、実施の形態1では、ある一方の側面に隣接するターゲットセルに対してのみ遅延を付加する遅延考慮フィラーセルが用いられた場合を例に説明したが、これに限られない。このような遅延考慮フィラーセルに加え、複数の側面に隣接するターゲットセルに対してそれぞれ遅延を付加する遅延考慮フィラーセルが用いられても良い。   In the first embodiment, the case where a delay-considering filler cell that adds a delay only to a target cell adjacent to one side surface is used as an example. However, the present invention is not limited to this. In addition to such delay-considering filler cells, delay-considering filler cells that add delays to target cells adjacent to a plurality of side surfaces may be used.

10、10b 自動レイアウト装置
11 CPU
12 RAM
13 記憶装置
14 入力装置
15 出力装置
21 セルライブラリ
22 制約情報
23 ネットリスト
24 自動レイアウトプログラム
100A フィラーセル
100B フィラーセル
100C フィラーセル
100D フィラーセル
100E フィラーセル
100F フィラーセル
101 ポリシリコン層
102 拡散層
103 ターゲットセル
104 周辺セル
211 一般セルデータ
212 遅延考慮フィラーセルデータ
213 遅延考慮セルデータ
241 セルデータ生成部
242、242b レイアウト部
10, 10b Automatic layout device 11 CPU
12 RAM
DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 Memory | storage device 14 Input device 15 Output device 21 Cell library 22 Restriction information 23 Net list 24 Automatic layout program 100A Filler cell 100B Filler cell 100C Filler cell 100D Filler cell 100E Filler cell 100F Filler cell 101 Polysilicon layer 102 Diffusion layer 103 Target cell 104 Peripheral cells 211 General cell data 212 Delay-considering filler cell data 213 Delay-considering cell data 241 Cell data generation unit 242, 242b Layout unit

Claims (13)

セルデータを記憶するセルデータ記憶部と、
前記セルデータ記憶部からセルデータを読み出して自動配置配線を行うレイアウト部と、を備え、
前記セルデータは、
ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加する遅延考慮フィラーセルの情報を有する、半導体集積回路のレイアウト装置。
A cell data storage unit for storing cell data;
A layout unit that reads cell data from the cell data storage unit and performs automatic placement and routing, and
The cell data is
A layout device for a semiconductor integrated circuit, which has information on a delay-considering filler cell that adds a delay in accordance with an arrangement state with respect to a target cell to the target cell.
前記レイアウト部は、
前記遅延考慮フィラーセルを、前記ターゲットセルのゲートに垂直な方向に、当該ターゲットセルと隣接して配置することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路のレイアウト装置。
The layout part is
2. The layout apparatus for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the delay-considering filler cell is arranged adjacent to the target cell in a direction perpendicular to the gate of the target cell.
前記レイアウト部は、
前記遅延考慮フィラーセルを、レイアウトスペースの空き領域に配置することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路のレイアウト装置。
The layout part is
3. The layout apparatus for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the delay-considering filler cell is arranged in an empty area of the layout space.
前記セルデータは、
前記ターゲットセルに対する配置の状況に応じた異なる遅延を当該ターゲットセルに対してそれぞれ付加する複数の遅延考慮フィラーセルの情報を有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体集積回路のレイアウト装置。
The cell data is
4. The layout of a semiconductor integrated circuit according to claim 1, comprising information on a plurality of delay-considering filler cells that respectively add different delays to the target cell in accordance with the arrangement status with respect to the target cell. 5. apparatus.
セルデータを記憶するセルデータ記憶部と、
前記セルデータ記憶部からセルデータを読み出して自動配置配線を行うレイアウト部と、を備え、
前記レイアウト部は、
さらに、レイアウトスペースの空き領域にポリシリコン層形状を配置可能であって、
ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加するように前記ポリシリコン層形状を配置する半導体集積回路のレイアウト装置。
A cell data storage unit for storing cell data;
A layout unit that reads cell data from the cell data storage unit and performs automatic placement and routing, and
The layout part is
Furthermore, the polysilicon layer shape can be arranged in an empty area of the layout space,
A layout apparatus for a semiconductor integrated circuit, in which the polysilicon layer shape is arranged so as to add a delay corresponding to a situation of arrangement with respect to a target cell to the target cell.
セルデータを用いた半導体集積回路のレイアウト方法であって、
セルデータを読み出して自動配置配線し、
ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加するための遅延考慮フィラーセルを配置する、半導体集積回路のレイアウト方法。
A layout method of a semiconductor integrated circuit using cell data,
Read cell data, automatically place and route,
A layout method of a semiconductor integrated circuit, in which a delay-considering filler cell for adding a delay corresponding to a state of arrangement with respect to a target cell to the target cell is arranged.
前記ターゲットセルのゲートに垂直な方向に、当該ターゲットセルと隣接して前記遅延考慮フィラーセルを配置することを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路のレイアウト方法。   7. The semiconductor integrated circuit layout method according to claim 6, wherein the delay-considering filler cell is arranged adjacent to the target cell in a direction perpendicular to the gate of the target cell. レイアウトスペースの空き領域に前記遅延考慮フィラーセルを配置することを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体集積回路のレイアウト方法。   8. The method of laying out a semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein the delay-considering filler cells are arranged in an empty area of the layout space. 前記ターゲットセルに対する配置の状況に応じた異なる遅延を当該ターゲットセルに対してそれぞれ付加する複数の遅延考慮フィラーセルのうち、何れかの遅延考慮フィラーセルを選択して配置することを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に記載の半導体集積回路のレイアウト方法。   The delay-considering filler cell is selected and arranged from among a plurality of delay-considering filler cells that respectively add different delays depending on the arrangement state of the target cell to the target cell. Item 9. A layout method for a semiconductor integrated circuit according to any one of Items 6 to 8. セルデータを用いた半導体集積回路のレイアウト方法であって、
セルデータを読み出して自動配置配線し、
ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加するためのポリシリコン層形状を配置する、半導体集積回路のレイアウト方法。
A layout method of a semiconductor integrated circuit using cell data,
Read cell data, automatically place and route,
A layout method of a semiconductor integrated circuit, in which a polysilicon layer shape for adding a delay corresponding to a situation of arrangement with respect to a target cell is arranged with respect to the target cell.
半導体集積回路のレイアウトに用いられるセルデータであって、
ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延を当該ターゲットセルに対して付加する遅延考慮フィラーセルの情報を有するセルデータ。
Cell data used for the layout of a semiconductor integrated circuit,
Cell data having information of a delay-considering filler cell that adds a delay corresponding to the arrangement state of the target cell to the target cell.
半導体集積回路のレイアウトに用いられるセルデータであって、
ターゲットセルに対する配置の状況に応じた異なる遅延を当該ターゲットセルに対して付加する複数の遅延考慮フィラーセルの情報を有するセルデータ。
Cell data used for the layout of a semiconductor integrated circuit,
Cell data having information on a plurality of delay-considering filler cells that add different delays to the target cell according to the arrangement status of the target cell.
請求項11又は12に記載のセルデータを生成するセルデータ生成装置。   A cell data generation device for generating the cell data according to claim 11.
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