JP2012212180A - Reduction method for defect - Google Patents
Reduction method for defect Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012212180A JP2012212180A JP2012163314A JP2012163314A JP2012212180A JP 2012212180 A JP2012212180 A JP 2012212180A JP 2012163314 A JP2012163314 A JP 2012163314A JP 2012163314 A JP2012163314 A JP 2012163314A JP 2012212180 A JP2012212180 A JP 2012212180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxygen
- phase shift
- photomask
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路などの製造に用いられるフォトマスクを用いたマスクパターンの転写における欠陥の低減方法に関する。 The present invention relates to a method for reducing defects in transfer of a mask pattern using a photomask used for manufacturing a semiconductor integrated circuit or the like.
ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体集積回路の製造をはじめとして、広範囲な用途に用いられているフォトマスクとして、透光性基板上に遮光膜がスパッタ法により成膜されたバイナリ型フォトマスクブランクの遮光膜に、フォトリソグラフィー法を応用して紫外線や電子線などを使用することにより、所定のパターンを形成したものがある。 As a photomask used in a wide range of applications including the manufacture of semiconductor integrated circuits such as IC, LSI, VLSI, etc., a binary photomask blank in which a light-shielding film is formed on a light-transmitting substrate by a sputtering method There is one in which a predetermined pattern is formed on the light-shielding film by using an ultraviolet ray or an electron beam by applying a photolithography method.
また、遮光膜を有するフォトマスクの他に、位相シフトマスクがあり、微細パターンを転写するためのマスクとして位相シフトマスクが使用されている。位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過特性によって、完全透過型位相シフトマスクとハーフトーン型位相シフトマスクとに実用的には大別することができる。 In addition to a photomask having a light shielding film, there is a phase shift mask, and a phase shift mask is used as a mask for transferring a fine pattern. Phase shift masks can be roughly divided into practical transmission phase shift masks and halftone phase shift masks depending on the light transmission characteristics of the phase shifter.
完全透過型位相シフトマスクは、位相シフター部の光の透過率が基板露出部と同等で、露光波長に対して透明なマスクであり、通常、透光性基板を所定の位相差が得られるように掘り込んで作製される。 The perfect transmission type phase shift mask is a mask that has a light transmittance of the phase shifter portion equivalent to that of the substrate exposed portion and is transparent with respect to the exposure wavelength, and usually allows the light transmitting substrate to obtain a predetermined phase difference. It is made by digging into.
一方、ハーフトーン型位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過率が基板露出部の数％〜数十％程度のもので、ハーフトーン位相シフト膜は、通常スパッタリングによって成膜される。マスクとして使用する際の露光光に対して透明な基板上に、所望の位相差と透過率が得られるように、金属とシリコンの組成を調整した金属シリサイドターゲットを放電させ、又はそれぞれのターゲットにかかる電力が調整された金属シリサイドとシリコンのターゲットを同時放電させ、放電中に酸素や窒素を含むガスを添加しながら位相シフト膜が成膜されて、位相シフトマスクブランクが得られる。このようにして得られた位相シフトマスクブランクから、ＥＢレジスト等を使用したリソグラフィー、エッチング等を行うことで位相シフトマスクが得られる。 On the other hand, the halftone phase shift mask has a light transmittance of the phase shifter portion of about several percent to several tens of percent of the substrate exposed portion, and the halftone phase shift film is usually formed by sputtering. On a substrate transparent to exposure light when used as a mask, discharge a metal silicide target whose metal and silicon composition is adjusted so as to obtain a desired phase difference and transmittance, or to each target A metal silicide and a silicon target with such electric power adjusted are discharged simultaneously, and a phase shift film is formed while adding a gas containing oxygen or nitrogen during discharge to obtain a phase shift mask blank. From the thus obtained phase shift mask blank, a phase shift mask is obtained by performing lithography, etching or the like using an EB resist or the like.
そして、このようにして製造したフォトマスクをステッパーやスキャナーにセットし、ウェハー上のレジストを感光させてマスクパターンをウェハー上に転写させて半導体回路が形成される。 Then, the photomask manufactured in this way is set on a stepper or a scanner, the resist on the wafer is exposed, and the mask pattern is transferred onto the wafer to form a semiconductor circuit.
近年、ステッパーやスキャナーで窒素を含有する膜を備えるフォトマスクを長く使用していると、フォトマスク表面に、膜から放出された成分に起因して、アンモニアを含む物質（硫酸アンモニウムと考えられている）に由来する欠陥が発生し、ウェハー上にマスクパターンを転写する際の歩留を低下させる問題が発生している。 In recent years, when a photomask provided with a film containing nitrogen is used for a long time by a stepper or a scanner, a substance containing ammonia (ammonium sulfate is considered due to components released from the film on the surface of the photomask. ) Has occurred, and there is a problem of reducing the yield when transferring the mask pattern onto the wafer.
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、ウェハー上にマスクパターンを転写する際、フォトマスクを構成する窒素を含有する膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質（例えば、硫酸アンモニウム等）に由来する欠陥を低減して、ウェハーへのパターン転写の歩留を向上させることができる欠陥の低減方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems. When transferring a mask pattern onto a wafer, ammonia generated due to a component released from a nitrogen-containing film constituting the photomask is generated. It is an object of the present invention to provide a defect reduction method capable of reducing defects derived from contained substances (for example, ammonium sulfate) and improving the yield of pattern transfer onto a wafer.
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、基板上に、珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜、好ましくは更に金属を含む光機能性膜を備えるフォトマスクブランクとして、アンモニアを含む物質による欠陥の発生原因となるアンモニアイオンの発生量の少ない高品位なフォトマスクを与えるフォトマスクブランクを、露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、好ましくは更に金属を含み、酸素の含有量が７ａｔ％以上である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、この光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理することにより製造することができることを見出した。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the inventors of the present invention have provided a photomask including a photofunctional film containing silicon, nitrogen, and oxygen, preferably a photofunctional film containing metal, on a substrate. As a blank, a photomask blank that gives a high-quality photomask with a small amount of ammonia ions that causes generation of defects due to a substance containing ammonia is formed on a substrate transparent to exposure light on silicon, nitrogen, and oxygen. , Preferably further containing a metal and having an oxygen content of 7 at% or more is sputter-deposited in an atmosphere containing an oxygen-containing gas, and the optical functionality obtained after sputter deposition It has been found that a film can be produced by heat treatment in an atmosphere containing an oxygen-containing gas in a state where no other film is laminated on the optical functional film.
そして、特に、フォトマスクブランク用６０２５石英基板上に、金属と珪素と窒素と酸素とを含み、膜厚が５０〜１５０ｎｍの位相シフト膜を備えるフォトマスクブランクにあっては、上記位相シフト膜を、この位相シフト膜が基板上に成膜され、かつ位相シフト膜上に他の膜が積層されていない状態で、９０℃の純水１００ｍＬに１２０分間浸漬処理したとき、処理後の純水中に含まれる上記位相シフト膜から純水に溶出した成分由来のアンモニウムイオンの量が１００００ｎｇ以下であるものが有効であり、このようなフォトマスクブランクを上記した方法によって製造することができることを見出し、本発明をなすに至った。 In particular, in the case of a photomask blank including a phase shift film having a thickness of 50 to 150 nm on a 6025 quartz substrate for a photomask blank and containing a metal, silicon, nitrogen, and oxygen, the phase shift film is used. When this phase shift film is formed on the substrate and no other film is laminated on the phase shift film, when immersed in 100 mL of pure water at 90 ° C. for 120 minutes, It is found that the amount of ammonium ions derived from components eluted in pure water from the phase shift film contained in 10000 ng or less is effective, and such a photomask blank can be produced by the method described above, It came to make this invention.
即ち、本発明は、下記欠陥の低減方法を提供する。
請求項１：
珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜を備えるフォトマスクのマスクパターンの転写において、フォトマスクを構成する窒素を含有する上記光機能性膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質に由来する欠陥を低減する方法であって、
露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、該酸素の含有量が７ａｔ％以上３０ａｔ％以下である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、
スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、該光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理することにより得られたフォトマスクブランクを用いてマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて、マスクパターンを転写することを特徴とする欠陥の低減方法。
請求項２：
上記熱処理を、酸素ガスを５容量％以上１００容量％未満で含む酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で、２５０℃以上の温度で５時間以上行うことを特徴とする請求項１記載の欠陥の低減方法。
請求項３：
上記光機能性膜が更に金属を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の欠陥の低減方法。
請求項４：
上記光機能性膜が位相シフト膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の欠陥の低減方法。
請求項５：
上記位相シフト膜が更に金属を含むことを特徴とする請求項４記載の欠陥の低減方法。
請求項６：
上記フォトマスクブランクが、フォトマスクブランク用６０２５石英基板上に、金属と珪素と窒素と酸素とを含み、膜厚が５０〜１５０ｎｍの位相シフト膜を備えるフォトマスクブランクであって、
上記位相シフト膜を、該位相シフト膜が基板上に成膜され、かつ上記位相シフト膜上に他の膜が積層されていない状態で、９０℃の純水１００ｍＬに１２０分間浸漬処理したとき、処理後の液に含まれる上記位相シフト膜から純水に溶出した成分由来のアンモニウムイオンの量が１００００ｎｇ以下であることを特徴とする請求項５記載の欠陥の低減方法。
請求項７：
上記フォトマスクブランクが、上記熱処理後に、上記熱処理された位相シフト膜上に、更に、遷移金属と、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくとも１種とを含み、珪素を含まない他の膜を成膜したフォトマスクブランクであることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載の欠陥の低減方法。
請求項８：
上記他の膜が遮光膜又は反射防止膜であることを特徴とする請求項７記載の欠陥の低減方法。
That is, the present invention provides the following defect reduction method.
Claim 1:
In the transfer of a mask pattern of a photomask having a photofunctional film containing silicon, nitrogen, and oxygen, ammonia generated due to components released from the photofunctional film containing nitrogen constituting the photomask is generated. A method for reducing defects derived from a contained material,
A photofunctional film containing silicon, nitrogen, and oxygen on a substrate transparent to exposure light and having an oxygen content of 7 at% to 30 at% is formed by sputtering in an atmosphere containing an oxygen-containing gas. Membrane
A photomask blank obtained by heat-treating the obtained optical functional film after sputtering in an atmosphere containing an oxygen-containing gas in a state where no other film is laminated on the optical functional film. A method for reducing defects, wherein a mask pattern is transferred using a photomask in which a mask pattern is formed using a mask.
Claim 2:
2. The heat treatment is performed at a temperature of 250 ° C. or more for 5 hours or more in a mixed gas atmosphere of oxygen gas and inert gas containing 5% by volume or more and less than 100% by volume of oxygen gas. Defect reduction method.
Claim 3:
The defect reducing method according to claim 1, wherein the optical functional film further contains a metal.
Claim 4:
The defect reducing method according to claim 1, wherein the optical functional film is a phase shift film.
Claim 5:
The defect reduction method according to claim 4, wherein the phase shift film further contains a metal.
Claim 6:
The photomask blank is a photomask blank including a phase shift film having a thickness of 50 to 150 nm on a photomask blank 6025 quartz substrate containing metal, silicon, nitrogen, and oxygen,
When the phase shift film is immersed in 100 mL of pure water at 90 ° C. for 120 minutes in a state where the phase shift film is formed on a substrate and no other film is laminated on the phase shift film, 6. The method of reducing defects according to claim 5, wherein the amount of ammonium ions derived from components eluted in the pure water from the phase shift film contained in the treated liquid is 10,000 ng or less.
Claim 7:
After the heat treatment, the photomask blank further comprises another film containing a transition metal and at least one selected from oxygen, nitrogen, and carbon and not containing silicon on the heat-treated phase shift film. The defect reducing method according to claim 4, wherein the defect is a filmed photomask blank.
Claim 8:
The defect reducing method according to claim 7, wherein the other film is a light shielding film or an antireflection film.
本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクを用いることで、ステッパーやスキャナーで長期間使用していても、フォトマスクを構成する窒素を含有する膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質（例えば、硫酸アンモニウム等）に由来する欠陥の発生を少なくすることができ、フォトリソグラフィー法を用いた半導体回路製造時の歩留低下を抑えることができる。 By using a photomask obtained from the photomask blank of the present invention, ammonia generated due to components released from a nitrogen-containing film constituting the photomask even when used for a long time in a stepper or scanner It is possible to reduce the occurrence of defects derived from a substance containing hydrogen (e.g., ammonium sulfate), and to suppress a decrease in yield when manufacturing a semiconductor circuit using a photolithography method.
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のフォトマスクブランクは、基板上に、珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜を備えるフォトマスクブランクであり、図１に示されるように、石英等の露光光が透過する透明基板１上に、スパッタ装置を用いたスパッタリングなどによって光機能性膜２を、少なくとも１層（図１では１層のものを示した）成膜したものである。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The photomask blank of the present invention is a photomask blank provided with an optical functional film containing silicon, nitrogen and oxygen on a substrate, and a transparent substrate through which exposure light such as quartz is transmitted as shown in FIG. 1, at least one optical functional film 2 (one layer is shown in FIG. 1) is formed by sputtering or the like using a sputtering apparatus.
近年、半導体素子の微細化が進み、露光波長の短波長化が進み、露光波長が１９３ｎｍとなって以降、珪素と共に窒素を含む、位相シフト膜などの光機能性膜を備えるフォトマスク、特にＭｏ等の金属と珪素と共に窒素を含む、位相シフト膜などの光機能性膜を備えるフォトマスクが使用されている。このような珪素と共に窒素を含む光機能性膜を有するフォトマスクを使い続けていると、フォトマスク上に、徐々に欠陥が発生し、歩留を低下させる問題が起きている。この欠陥の原因が、硫酸アンモニウムの析出物であるという報告があることから、硫酸アンモニウムによる欠陥発生物質の原因とされる硫酸やアンモニアを、フォトマスクを構成する膜から発生させないことが求められる。 In recent years, miniaturization of semiconductor elements has progressed, exposure wavelength has been shortened, and after the exposure wavelength has reached 193 nm, a photomask having an optical functional film such as a phase shift film containing nitrogen together with silicon, particularly Mo A photomask having an optical functional film such as a phase shift film containing nitrogen together with a metal such as silicon is used. When such a photomask having an optical functional film containing nitrogen together with silicon is used continuously, defects are gradually generated on the photomask, resulting in a problem of decreasing the yield. Since there is a report that the cause of this defect is a precipitate of ammonium sulfate, it is required not to generate sulfuric acid or ammonia, which is a cause of a defect generating substance due to ammonium sulfate, from the film constituting the photomask.
位相シフト膜などの光機能性膜に、珪素と共に窒素が含まれる場合、特に、金属と珪素と共に窒素が含まれる場合、この窒素が何らかの反応によりアンモニアを生成する主原料となり得る。実際に、金属と珪素と共に、窒素を含む光機能性膜が成膜されたフォトマスクブランクを温純水に浸漬した後の溶液を分析すると、アンモニウムイオンが検出される。 When the optical functional film such as a phase shift film contains nitrogen together with silicon, particularly when nitrogen is contained together with metal and silicon, this nitrogen can be a main raw material for generating ammonia by some reaction. Actually, ammonium ions are detected by analyzing a solution after immersing a photomask blank in which an optical functional film containing nitrogen is formed together with metal and silicon in warm pure water.
そこで、本発明では、このようなフォトマスクブランクを、露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、好ましくは更に金属を含み、酸素の含有量が７ａｔ％以上である膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、この光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理することにより製造する。 Therefore, in the present invention, such a photomask blank is formed on a substrate transparent to exposure light, and contains silicon, nitrogen, and oxygen, preferably further contains a metal, and the oxygen content is 7 at% or more. A film is sputter-deposited in an atmosphere containing an oxygen-containing gas, and after the sputter film formation, the obtained optical functional film is oxygenated in a state where no other film is laminated on the optical functional film. It manufactures by heat-processing in the atmosphere containing containing gas.
本発明のように、珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜の成膜時に、酸素含有ガスを添加して成膜すること（即ち、光機能性膜は、更に酸素とを含むものとなる）と、成膜後に酸素含有ガスを含む雰囲気で熱処理を行うことによって、珪素と窒素とを含む光機能性膜からのアンモニアの発生を低減することができる。即ち、本発明の方法で光機能性膜を成膜したフォトマスクブランクから作製したフォトマスクでは、フォトマスクを用いたパターン露光中におけるアンモニア発生量が少なく、アンモニアが含まれる析出物を低減することができ、半導体素子製作時のリソグラフィー工程での歩留低下を防ぐことができる。 As in the present invention, when forming a photofunctional film containing silicon, nitrogen, and oxygen, the film is formed by adding an oxygen-containing gas (that is, the photofunctional film further contains oxygen). Then, by performing heat treatment in an atmosphere containing an oxygen-containing gas after film formation, generation of ammonia from the optical functional film containing silicon and nitrogen can be reduced. That is, in a photomask produced from a photomask blank having a photofunctional film formed by the method of the present invention, the amount of ammonia generated during pattern exposure using the photomask is small, and precipitates containing ammonia are reduced. Thus, it is possible to prevent a decrease in yield in the lithography process when manufacturing a semiconductor element.
このような光機能性膜は、例えば、スパッタ法により成膜される。スパッタ法は真空中にアルゴンなどのガスを導入し、膜の材料元素からなるターゲットに電圧をかけてガスをイオン化し、ターゲットにガスイオンが衝突した際にターゲット材が弾き飛ばされてスパッタ微粒子化し、飛ばされたスパッタ微粒子を、膜を成膜したい基板上に堆積させて成膜する方法である。 Such an optical functional film is formed by sputtering, for example. In the sputtering method, a gas such as argon is introduced into a vacuum, a voltage is applied to the target made of the material element of the film to ionize the gas, and when the gas ion collides with the target, the target material is blown off to form sputtered particles. In this method, the sputtered fine particles are deposited on a substrate on which a film is desired to be deposited.
珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜を成膜する方法としては、珪素（Ｓｉ）を含むターゲットを用いてスパッタすることにより成膜する方法が挙げられる。金属と珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜を成膜する方法としては、金属及び／又は珪素（Ｓｉ）を含むターゲットを用いてスパッタすることにより成膜する方法が挙げられる。 Examples of a method for forming an optical functional film containing silicon, nitrogen, and oxygen include a method of forming a film by sputtering using a target containing silicon (Si). Examples of a method for forming an optical functional film containing metal, silicon, nitrogen, and oxygen include a method of forming a film by sputtering using a target containing a metal and / or silicon (Si).
後者の場合、ターゲットとしては、金属のみを含むターゲット、珪素のみを含むターゲット、金属と珪素との双方を含むターゲットのいずれをも用い得る。ターゲットは、成膜する光機能性膜の金属及び珪素の含有量に応じて、ターゲットの種類、ターゲット数、ターゲットに含まれる金属と珪素との比率などを適宜変更することができ、また、各ターゲットに印加する電圧を調整することによっても金属と珪素との比率を調整することが可能である。 In the latter case, any of a target containing only metal, a target containing only silicon, and a target containing both metal and silicon can be used as the target. Depending on the content of the metal and silicon in the optical functional film to be formed, the target can be appropriately changed in the type of target, the number of targets, the ratio of metal and silicon contained in the target, etc. The ratio of metal to silicon can also be adjusted by adjusting the voltage applied to the target.
光機能性膜の金属としては、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等の遷移金属などが挙げられる。 As the metal of the optical functional film, molybdenum (Mo), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), chromium (Cr), tungsten Transition metals such as (W), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), palladium (Pd), platinum (Pt), copper (Cu), silver (Ag), and gold (Au). It is done.
本発明において、スパッタリング方法は、直流電源を用いたものでも高周波電源を用いたものでもよく、また、マグネトロンスパッタリング方式であっても、コンベンショナル方式であってもよい。 In the present invention, the sputtering method may be one using a direct current power source or one using a high frequency power source, and may be a magnetron sputtering method or a conventional method.
また、成膜時にＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ等の希ガスに、窒素含有ガス、酸素含有ガスを添加して成膜する。窒素含有ガスとしては、Ｎ2ガス、Ｎ2Ｏ等の酸化窒素が好適に用いられる。酸素含有ガスとしては、Ｏ2ガスなどの単体ガスを用いてもよいし、Ｎ2Ｏ等の酸化窒素を用いてもよい。酸化窒素の場合、窒素含有ガスでもあり、酸素含有ガスでもあることから、これのみで、窒素含有ガスと酸素含有ガスの両方のガスとしてもよい。窒素含有ガス及び酸素含有ガスの導入量は、成膜する光機能性膜の窒素及び酸素の含有量に応じて、適宜調整すればよい。 At the time of film formation, the film is formed by adding a nitrogen-containing gas or an oxygen-containing gas to a rare gas such as Ar, He, Ne, or Kr. As the nitrogen-containing gas, nitrogen oxides such as N 2 gas and N 2 O are preferably used. As the oxygen-containing gas, a single gas such as O 2 gas or nitrogen oxide such as N 2 O may be used. In the case of nitrogen oxide, since it is both a nitrogen-containing gas and an oxygen-containing gas, it may be used as both a nitrogen-containing gas and an oxygen-containing gas. The introduction amounts of the nitrogen-containing gas and the oxygen-containing gas may be adjusted as appropriate according to the nitrogen and oxygen contents of the optical functional film to be formed.
例えば、珪素及び窒素の含有量（金属を含む場合は、金属、珪素及び窒素の含有量）は、光機能性膜の機能に応じて適宜設定されるが、例えば、光機能性膜が、珪素、窒素及び酸素を含む位相シフト膜の場合、珪素は３０〜５０ａｔ％、窒素は５〜５０ａｔ％、金属、珪素、窒素及び酸素を含む位相シフト膜の場合、金属は１〜２０ａｔ％、珪素は２０〜５０ａｔ％、窒素は５〜５０ａｔ％とすることができる。また、本発明の光機能性膜は、更に炭素を含むものであってもよい。膜厚は、光機能性膜が位相シフト膜である場合、５０ｎｍ以上とすることが好ましく、また、１５０ｎｍ以下とすることが好ましい。 For example, the content of silicon and nitrogen (in the case of containing a metal, the content of metal, silicon and nitrogen) is appropriately set according to the function of the optical functional film. For example, the optical functional film is made of silicon. In the case of a phase shift film containing nitrogen and oxygen, silicon is 30-50 at%, nitrogen is 5-50 at%, metal, silicon, phase shift film containing nitrogen and oxygen is 1-20 at%, silicon is 20-50 at% and nitrogen can be 5-50 at%. Moreover, the optical functional film of the present invention may further contain carbon. When the optical functional film is a phase shift film, the film thickness is preferably 50 nm or more, and preferably 150 nm or less.
一方、酸素の含有量であるが、本発明においては、フォトマスク使用時のアンモニアの発生を抑制する効果の観点から、スパッタにより成膜された光機能性膜中の酸素の含有量、即ち、後述する酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理する前の光機能性膜中の酸素の含有量が、７ａｔ％（７原子％）以上であることが必要である。しかし、光機能性膜の酸素含有量は、酸素含有量が高すぎると、膜の屈折率を低下させてしまうため、例えば、光機能性膜が位相シフト膜の場合、同一位相差を得るための膜厚が厚くなり、フォトマスク製作時の膜をエッチングするプロセスが困難になる問題があるため、酸素含有量を上げすぎないほうがよい。このような観点から、光機能性膜中の酸素含有量は、５０％以下、望ましくは３０ａｔ％以下がよい。なお、酸素を含有する雰囲気下での加熱処理について後述するが、この加熱処理では、膜の最表面部を除く部分の酸素含有量はほとんど変化せず、膜全体としての酸素含有量は実質的に変化しないため、酸素含有量はスパッタリング時に設計値に調整すればよい。 On the other hand, the oxygen content, in the present invention, from the viewpoint of the effect of suppressing the generation of ammonia when using a photomask, the oxygen content in the optical functional film formed by sputtering, that is, It is necessary that the oxygen content in the optical functional film before heat treatment in an atmosphere containing an oxygen-containing gas, which will be described later, be 7 at% (7 atomic%) or more. However, if the oxygen content of the optical functional film is too high, the refractive index of the film is lowered. For example, when the optical functional film is a phase shift film, the same phase difference is obtained. Therefore, it is better not to increase the oxygen content too much because the process of etching the film at the time of manufacturing the photomask becomes difficult. From such a viewpoint, the oxygen content in the optical functional film is 50% or less, preferably 30 at% or less. In addition, although the heat treatment in an atmosphere containing oxygen will be described later, in this heat treatment, the oxygen content in the portion excluding the outermost surface portion of the film is hardly changed, and the oxygen content in the entire film is substantially the same. Therefore, the oxygen content may be adjusted to the design value at the time of sputtering.
スパッタ成膜後、得られた光機能性膜には、この光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理が施される。酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理することにより、光機能性膜からのアンモニアの発生を減らすことができる。 After the sputter deposition, the obtained optical functional film is subjected to heat treatment in an atmosphere containing an oxygen-containing gas in a state where no other film is stacked on the optical functional film. By performing heat treatment in an atmosphere containing an oxygen-containing gas, generation of ammonia from the photofunctional film can be reduced.
この場合、酸素含有ガスを含む雰囲気としては、酸素ガス（Ｏ2）ガスのみ（酸素ガス濃度１００容量％）を用いることも可能であるが、通常は、酸素ガスと不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ2）ガス、希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ等））との混合ガスを用いることが好ましい。この場合、酸素ガス濃度は、例えば５容量％以上１００容量％未満とすることができ、典型的には大気（ａｉｒ）を用いることができる。 In this case, as the atmosphere containing the oxygen-containing gas, it is possible to use only oxygen gas (O 2 ) gas (oxygen gas concentration of 100% by volume), but usually oxygen gas and inert gas (for example, nitrogen gas) It is preferable to use a mixed gas with (N 2 ) gas or a rare gas (Ar, He, Ne, Kr, etc.). In this case, the oxygen gas concentration can be, for example, 5% by volume or more and less than 100% by volume, and typically air can be used.
熱処理は、温度２５０℃以上で実施することが好ましい。熱処理温度は高すぎると基板の変形を伴うようになるおそれがあり、特に、高平坦度を維持するためには６００℃以下とすることが好ましい。また、処理時間は５時間以上とすることが好ましい。処理時間の上限は、処理温度にもよるが、経済性を考慮すれば、通常１０時間程度以下とすることが好ましい。 The heat treatment is preferably performed at a temperature of 250 ° C. or higher. If the heat treatment temperature is too high, the substrate may be deformed. In particular, in order to maintain high flatness, the temperature is preferably 600 ° C. or lower. The treatment time is preferably 5 hours or longer. Although the upper limit of the treatment time depends on the treatment temperature, it is usually preferably about 10 hours or less in consideration of economy.
また、熱処理した位相シフト膜上には、更に、少なくとも遷移金属（例えば、クロム（Ｃｒ）など）と、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくとも１種とを含み、珪素を含まない他の膜を成膜することができる。このような他の膜としては、遮光膜、反射防止膜などが挙げられる。具体的には、位相シフト膜上に、遮光膜を設ける場合、例えば、位相シフト膜上に、Ｃｒ系等の遮光膜のみを設けたもの、遮光膜を設け、遮光膜上に、更に、遮光膜からの反射を低減させるＣｒ系等の反射防止膜を設けたものなどが挙げられる。また、位相シフト膜上に、反射防止膜を設けたものとしては、基板側から位相シフト膜、Ｃｒ系等の第１の反射防止膜、Ｃｒ系等の遮光膜、Ｃｒ系等の第２の反射防止膜を順に設けたものが挙げられる。 Further, on the heat-treated phase shift film, another film containing at least a transition metal (for example, chromium (Cr)) and at least one selected from oxygen, nitrogen, and carbon and not containing silicon is further provided. A film can be formed. Examples of such other films include a light shielding film and an antireflection film. Specifically, when a light shielding film is provided on the phase shift film, for example, a film in which only a Cr-based light shielding film is provided on the phase shift film, a light shielding film is provided, and further, a light shielding film is provided on the light shielding film. Examples thereof include those provided with an antireflection film such as a Cr-based film that reduces reflection from the film. As for the anti-reflection film provided on the phase shift film, the phase shift film, the Cr-based first anti-reflection film, the Cr-based light-shielding film, the Cr-based second film, etc. from the substrate side. The thing which provided the anti-reflective film in order is mentioned.
この場合、Ｃｒ系遮光膜又はＣｒ系反射防止膜としてはクロム酸化物（ＣｒＯ）、クロム酸化窒化物（ＣｒＯＮ）、クロム酸化炭化物（ＣｒＯＣ）若しくはクロム酸化窒化炭化物（ＣｒＯＮＣ）又はこれらを積層したものを用いることが好ましい。 In this case, Cr-based light shielding film or Cr-based antireflection film is chromium oxide (CrO), chromium oxynitride (CrON), chromium oxide carbide (CrOC), chromium oxynitride carbide (CrONC), or a laminate thereof. Is preferably used.
このようなＣｒ系遮光膜及びＣｒ系反射防止膜は、クロム単体、又はクロムに酸素、窒素、炭素のいずれか若しくはこれらを組み合わせたものを添加したターゲットを用い、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ等の希ガスに、成膜する膜の組成に応じて、酸素含有ガス、窒素含有ガス及び炭素含有ガスから選ばれるガスを適宜添加したスパッタガスを用いた反応性スパッタリングにより成膜することができる。 Such a Cr-based light-shielding film and a Cr-based antireflection film use a target obtained by adding chromium alone or a combination of chromium, oxygen, nitrogen, carbon, or a combination thereof, Ar, He, Ne, Kr, etc. A film can be formed by reactive sputtering using a sputtering gas in which a gas selected from an oxygen-containing gas, a nitrogen-containing gas, and a carbon-containing gas is appropriately added to the rare gas according to the composition of the film to be formed.
なお、光機能性膜として位相シフト膜を主に例示したが、珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜、特に、金属と珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜であれば、これに限定されるものではなく、遮光膜、反射防止膜などにおいても、同様にアンモニアの発生を抑制することができる。これらの膜は、位相シフト膜と共に基板上に設けられる膜であってもよい。また、このような光機能性膜を備えるフォトマスクブランクであれば、位相シフトマスクブランクに限られず、バイナリ型フォトマスクブランクなどであってもよい。 In addition, although the phase shift film was mainly exemplified as the optical functional film, an optical functional film containing silicon, nitrogen, and oxygen, particularly an optical functional film containing metal, silicon, nitrogen, and oxygen, However, the present invention is not limited to this, and generation of ammonia can be similarly suppressed in a light shielding film, an antireflection film, and the like. These films may be films provided on the substrate together with the phase shift film. Moreover, as long as it is a photomask blank provided with such an optical functional film, it is not limited to a phase shift mask blank, and may be a binary photomask blank or the like.
本発明のフォトマスクブランクの製造方法によれば、ウェハー上へのパターン転写に用いられるフォトマスクの素材となる６０２５サイズ（６インチ（約１５２．４ｍｍ）×６インチ（約１５２．４ｍｍ）×０．２５インチ（約６．３５ｍｍ））の位相シフトマスクブランクの場合、フォトマスクブランク用６０２５石英基板上に、金属と珪素と窒素と酸素とを含み、膜厚５０〜１５０ｎｍの位相シフト膜を備えるフォトマスクブランクにおいて、この位相シフト膜が基板上に成膜され、かつ位相シフト膜上に他の膜が積層されていない状態で、９０℃の純水１００ｍＬに１２０分間浸漬処理したとき、処理後の液に含まれる上記位相シフト膜から純水に溶出した成分由来のアンモニウムイオンの量が１００００ｎｇ以下となり、アンモニアを含む物質による欠陥の発生原因となるアンモニアイオンの発生量の少ない高品位な位相シフトマスクを与える位相シフトマスクブランクを提供することができる。なお、純水に溶出したアンモニウムイオンの量は、イオンクロマトグラフィーを用いて定量することができる。 According to the method for producing a photomask blank of the present invention, 6025 size (6 inches (about 152.4 mm) × 6 inches (about 152.4 mm) × 0) which is a material of a photomask used for pattern transfer onto a wafer. In the case of a .25 inch (about 6.35 mm) phase shift mask blank, a phase shift film containing metal, silicon, nitrogen, and oxygen and having a film thickness of 50 to 150 nm is provided on a photomask blank 6025 quartz substrate. In a photomask blank, when this phase shift film is formed on a substrate and no other film is laminated on the phase shift film, the film is immersed in 100 mL of pure water at 90 ° C. for 120 minutes. The amount of ammonium ions derived from the components eluted in the pure water from the phase shift film contained in the liquid was 10000 ng or less, and ammonia was removed. It is possible to provide a phase shift mask blank that provides a high-quality phase shift mask with a small amount of ammonia ions that cause generation of defects due to the contained material. The amount of ammonium ions eluted in pure water can be quantified using ion chromatography.
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated concretely, this invention is not restrict | limited to the following Example.
［実施例１］
６０２５石英基板上に、カソードを２つ有するスパッタ装置にて、カソードとして片方にモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）ターゲット、他方にシリコン（Ｓｉ）ターゲットを用い、導入するガスをＡｒ：５ｓｃｃｍ、Ｎ2：５０ｓｃｃｍ、Ｏ2：４ｓｃｃｍの条件として位相シフト膜を成膜した。この位相シフト膜は、１９３ｎｍでの位相差が１５７度、透過率が１７％、膜厚が７９５Å（７９．５ｎｍ）であり、酸素含有量は２７ａｔ％であった。次に、基板上に成膜した位相シフト膜に対して、大気雰囲気中で、３００℃、６時間の熱処理を行い、位相シフトマスクブランクを得た。熱処理後の位相シフト膜中の酸素含有量は２７ａｔ％であった。
[Example 1]
In a sputtering apparatus having two cathodes on a 6025 quartz substrate, a molybdenum silicide (MoSi) target is used as a cathode and a silicon (Si) target is used as a cathode, and introduced gases are Ar: 5 sccm, N 2 : 50 sccm, A phase shift film was formed under the condition of O 2 : 4 sccm. This phase shift film had a phase difference of 157 degrees at 193 nm, a transmittance of 17%, a film thickness of 795 mm (79.5 nm), and an oxygen content of 27 at%. Next, the phase shift film formed on the substrate was heat-treated at 300 ° C. for 6 hours in an air atmosphere to obtain a phase shift mask blank. The oxygen content in the phase shift film after the heat treatment was 27 at%.
この位相シフトマスクブランクを９０℃の純水１００ｍＬ中に１２０分浸漬させ、その浸漬処理液をイオンクロマトグラフィーで分析したところ、処理液中のアンモニアイオン量は、位相シフトマスクブランク１枚当たり１６７０ｎｇであった。 When this phase shift mask blank was immersed in 100 mL of pure water at 90 ° C. for 120 minutes and the immersion treatment liquid was analyzed by ion chromatography, the amount of ammonia ions in the treatment liquid was 1670 ng per phase shift mask blank. there were.
［実施例２］
６０２５石英基板上に、カソードを２つ有するスパッタ装置にて、カソードとして片方にモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）ターゲット、他方にシリコン（Ｓｉ）ターゲットを用い、導入するガスをＡｒ：５ｓｃｃｍ、Ｎ2：５０ｓｃｃｍ、Ｏ2：１．３〜３．０ｓｃｃｍ（段階的に変化）の条件として位相シフト膜を成膜した。この位相シフト膜は、１９３ｎｍでの位相差が１７６度、透過率が４．９％、膜厚が７５０Å（７５ｎｍ）であり、酸素含有量は７〜１５ａｔ％であった。次に、基板上に成膜した位相シフト膜に対して、大気雰囲気中で、３００℃、６時間の熱処理を行い、位相シフトマスクブランクを得た。熱処理後の位相シフト膜中の酸素含有量は７〜１５ａｔ％であった。
[Example 2]
In a sputtering apparatus having two cathodes on a 6025 quartz substrate, a molybdenum silicide (MoSi) target is used as a cathode and a silicon (Si) target is used as a cathode, and introduced gases are Ar: 5 sccm, N 2 : 50 sccm, A phase shift film was formed under the condition of O 2 : 1.3 to 3.0 sccm (change stepwise). This phase shift film had a phase difference at 193 nm of 176 degrees, a transmittance of 4.9%, a film thickness of 750 mm (75 nm), and an oxygen content of 7 to 15 at%. Next, the phase shift film formed on the substrate was heat-treated at 300 ° C. for 6 hours in an air atmosphere to obtain a phase shift mask blank. The oxygen content in the phase shift film after the heat treatment was 7 to 15 at%.
この位相シフトマスクブランクを９０℃の純水１００ｍＬ中に１２０分浸漬させ、その浸漬処理液をイオンクロマトグラフィーで分析したところ、処理液中のアンモニアイオン量は、位相シフトマスクブランク１枚当たり２６００ｎｇであった。 When this phase shift mask blank was immersed in 100 mL of pure water at 90 ° C. for 120 minutes and the immersion treatment liquid was analyzed by ion chromatography, the amount of ammonia ions in the treatment liquid was 2600 ng per phase shift mask blank. there were.
［実施例３，４］
実施例１，２と同様の方法で作製した位相シフトマスクブランクの上に、更に、Ｃｒターゲットを用い、導入するガスをＡｒ：８〜２０ｓｃｃｍ、Ｎ2：１〜３０ｓｃｃｍ、Ｏ2：１〜２０ｓｃｃｍ（段階的に変化）の条件として、熱処理後の位相シフト膜上に、更にＣｒＯＮ遮光膜（膜厚４６０Å（４６ｎｍ））を形成した位相シフトマスクブランクを得た。
[Examples 3 and 4]
On the phase shift mask blank produced by the same method as in Examples 1 and 2, a Cr target was further used, and introduced gases were Ar: 8 to 20 sccm, N 2 : 1 to 30 sccm, O 2 : 1 to 20 sccm. As a (gradual change) condition, a phase shift mask blank was obtained in which a CrON light-shielding film (film thickness: 460 mm (46 nm)) was further formed on the heat-treated phase shift film.
［比較例１］
６０２５石英基板上に、カソードを２つ有するスパッタ装置にて、カソードとして片方にモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）ターゲット、他方にシリコン（Ｓｉ）ターゲットを用い、導入するガスをＡｒ：５ｓｃｃｍ、Ｎ2：５０ｓｃｃｍの条件として位相シフト膜を成膜した。この位相シフト膜は、１９３ｎｍでの位相差が１７８度、透過率が６％、膜厚が６８０Å（６８ｎｍ）であり、酸素含有量は０ａｔ％であった。次に、基板上に成膜した位相シフト膜に対して、大気雰囲気中で、３００℃、６時間の熱処理を行い、位相シフトマスクブランクを得た。熱処理後の位相シフト膜中の酸素含有量は０ａｔ％であった。
[Comparative Example 1]
In a sputtering apparatus having two cathodes on a 6025 quartz substrate, a molybdenum silicide (MoSi) target is used as one cathode and a silicon (Si) target is used as the cathode, and the introduced gases are Ar: 5 sccm and N 2 : 50 sccm. A phase shift film was formed as a condition. This phase shift film had a phase difference of 178 degrees at 193 nm, a transmittance of 6%, a film thickness of 680 mm (68 nm), and an oxygen content of 0 at%. Next, the phase shift film formed on the substrate was heat-treated at 300 ° C. for 6 hours in an air atmosphere to obtain a phase shift mask blank. The oxygen content in the phase shift film after the heat treatment was 0 at%.
この位相シフトマスクブランクを９０℃の純水１００ｍＬ中に１２０分浸漬させ、その浸漬処理液をイオンクロマトグラフィーで分析したところ、処理液中のアンモニアイオン量は、位相シフトマスクブランク１枚当たり１１７３８０ｎｇであった。 When this phase shift mask blank was immersed in 100 mL of pure water at 90 ° C. for 120 minutes and the immersion treatment liquid was analyzed by ion chromatography, the amount of ammonia ions in the treatment liquid was 117380 ng per phase shift mask blank. there were.
［比較例２］
６０２５石英基板上に、カソードを２つ有するスパッタ装置にて、カソードとして片方にモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）ターゲット、他方にシリコン（Ｓｉ）ターゲットを用い、導入するガスをＡｒ：５ｓｃｃｍ、Ｎ2：４０ｓｃｃｍの条件として位相シフト膜を成膜した。この位相シフト膜は、１９３ｎｍでの位相差が１９０度、透過率が５％、膜厚が７１０Å（７１ｎｍ）であり、酸素含有量は０ａｔ％であった。次に、基板上に成膜した位相シフト膜に対して、大気雰囲気中で、３００℃、６時間の熱処理を行い、位相シフトマスクブランクを得た。熱処理後の位相シフト膜中の酸素含有量は０ａｔ％であった。
[Comparative Example 2]
In a sputtering apparatus having two cathodes on a 6025 quartz substrate, a molybdenum silicide (MoSi) target is used as one of the cathodes and a silicon (Si) target is used as the cathode, and introduced gases are Ar: 5 sccm and N 2 : 40 sccm. A phase shift film was formed as a condition. This phase shift film had a phase difference of 190 degrees at 193 nm, a transmittance of 5%, a film thickness of 710 mm (71 nm), and an oxygen content of 0 at%. Next, the phase shift film formed on the substrate was heat-treated at 300 ° C. for 6 hours in an air atmosphere to obtain a phase shift mask blank. The oxygen content in the phase shift film after the heat treatment was 0 at%.
この位相シフトマスクブランクを９０℃の純水１００ｍＬ中に１２０分浸漬させ、その浸漬処理液をイオンクロマトグラフィーで分析したところ、処理液中のアンモニアイオン量は、位相シフトマスクブランク１枚当たり１２４４５０ｎｇであった。 When this phase shift mask blank was immersed in 100 mL of pure water at 90 ° C. for 120 minutes and the immersion treatment liquid was analyzed by ion chromatography, the amount of ammonia ions in the treatment liquid was 124450 ng per phase shift mask blank. there were.
上記のように、金属と珪素と窒素と酸素とを含む膜の成膜において、酸素含有ガスを導入し、酸素含有量が７％以上である膜を成膜し、その後、この膜に対して、２５０℃以上の温度で５時間以上熱処理を行うことで、９０℃の純水１００ｍＬ中に１２０分間浸漬したときに、純水中に溶出した成分由来のアンモニウムイオン量が１００００ｎｇ以下であるフォトマスクブランクを得ることができる。このようなフォトマスクブランクから、フォトマスクを製作し、これを露光に用いた場合、露光時にアンモニアを含む析出物による欠陥が発生しにくく、本発明のフォトマスクブランクは、パターン転写の歩留を向上させることができる高品位のフォトマスクブランクである。 As described above, in the formation of a film containing metal, silicon, nitrogen, and oxygen, an oxygen-containing gas is introduced to form a film having an oxygen content of 7% or more. A photomask in which the amount of ammonium ions derived from components eluted in pure water is 10,000 ng or less when immersed in 100 mL of pure water at 90 ° C. for 120 minutes by performing heat treatment at a temperature of 250 ° C. or higher for 5 hours or longer. A blank can be obtained. When a photomask is manufactured from such a photomask blank and used for exposure, defects due to precipitates containing ammonia are less likely to occur during exposure, and the photomask blank of the present invention increases the pattern transfer yield. It is a high-quality photomask blank that can be improved.
１ 透明基板
２ 光機能性膜
1
Claims (8)
露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、該酸素の含有量が７ａｔ％以上３０ａｔ％以下である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、
スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、該光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理することにより得られたフォトマスクブランクを用いてマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて、マスクパターンを転写することを特徴とする欠陥の低減方法。 In the transfer of a mask pattern of a photomask having a photofunctional film containing silicon, nitrogen, and oxygen, ammonia generated due to components released from the photofunctional film containing nitrogen constituting the photomask is generated. A method for reducing defects derived from a contained material,
A photofunctional film containing silicon, nitrogen, and oxygen on a substrate transparent to exposure light and having an oxygen content of 7 at% to 30 at% is formed by sputtering in an atmosphere containing an oxygen-containing gas. Membrane
A photomask blank obtained by heat-treating the obtained optical functional film after sputtering in an atmosphere containing an oxygen-containing gas in a state where no other film is laminated on the optical functional film. A method for reducing defects, wherein a mask pattern is transferred using a photomask in which a mask pattern is formed using a mask.
上記位相シフト膜を、該位相シフト膜が基板上に成膜され、かつ上記位相シフト膜上に他の膜が積層されていない状態で、９０℃の純水１００ｍＬに１２０分間浸漬処理したとき、処理後の液に含まれる上記位相シフト膜から純水に溶出した成分由来のアンモニウムイオンの量が１００００ｎｇ以下であることを特徴とする請求項５記載の欠陥の低減方法。 The photomask blank is a photomask blank including a phase shift film having a thickness of 50 to 150 nm on a photomask blank 6025 quartz substrate containing metal, silicon, nitrogen, and oxygen,
When the phase shift film is immersed in 100 mL of pure water at 90 ° C. for 120 minutes in a state where the phase shift film is formed on a substrate and no other film is laminated on the phase shift film, 6. The method of reducing defects according to claim 5, wherein the amount of ammonium ions derived from components eluted in the pure water from the phase shift film contained in the treated liquid is 10,000 ng or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012163314A JP2012212180A (en) | 2012-07-24 | 2012-07-24 | Reduction method for defect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012163314A JP2012212180A (en) | 2012-07-24 | 2012-07-24 | Reduction method for defect |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008163058A Division JP5105086B2 (en) | 2008-06-23 | 2008-06-23 | Photomask blank manufacturing method and photomask blank |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012212180A true JP2012212180A (en) | 2012-11-01 |
Family
ID=47266110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012163314A Pending JP2012212180A (en) | 2012-07-24 | 2012-07-24 | Reduction method for defect |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012212180A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106019810A (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-12 | 信越化学工业株式会社 | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| JP2017142505A (en) * | 2017-03-01 | 2017-08-17 | Hoya株式会社 | Method of producing mask blank, method of producing phase shift mask and method of producing semiconductor device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07104457A (en) * | 1993-08-13 | 1995-04-21 | Toshiba Corp | Exposure mask and manufacturing method and device therefor |
| JPH1020471A (en) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Toshiba Corp | Production of exposure mask |
| JP3064769B2 (en) * | 1992-11-21 | 2000-07-12 | アルバック成膜株式会社 | PHASE SHIFT MASK, ITS MANUFACTURING METHOD, AND EXPOSURE METHOD USING THE PHASE SHIFT MASK |
| JP2002162726A (en) * | 2000-09-12 | 2002-06-07 | Hoya Corp | Method of manufacturing phase shift mask blank and phase shift mask |
| WO2004059384A1 (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Hoya Corporation | Lithography mask blank |
-
2012
- 2012-07-24 JP JP2012163314A patent/JP2012212180A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3064769B2 (en) * | 1992-11-21 | 2000-07-12 | アルバック成膜株式会社 | PHASE SHIFT MASK, ITS MANUFACTURING METHOD, AND EXPOSURE METHOD USING THE PHASE SHIFT MASK |
| JPH07104457A (en) * | 1993-08-13 | 1995-04-21 | Toshiba Corp | Exposure mask and manufacturing method and device therefor |
| JPH1020471A (en) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Toshiba Corp | Production of exposure mask |
| JP2002162726A (en) * | 2000-09-12 | 2002-06-07 | Hoya Corp | Method of manufacturing phase shift mask blank and phase shift mask |
| WO2004059384A1 (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Hoya Corporation | Lithography mask blank |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106019810A (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-12 | 信越化学工业株式会社 | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| JP2016191863A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 信越化学工業株式会社 | Half tone phase shift mask blank, and half tone phase shift mask |
| TWI684059B (en) * | 2015-03-31 | 2020-02-01 | 日商信越化學工業股份有限公司 | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| EP3079012B1 (en) * | 2015-03-31 | 2021-02-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| JP2017142505A (en) * | 2017-03-01 | 2017-08-17 | Hoya株式会社 | Method of producing mask blank, method of producing phase shift mask and method of producing semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6418035B2 (en) | Phase shift mask blanks and phase shift masks | |
| EP3196698B1 (en) | Halftone phase shift photomask blank and making method | |
| CN106019809B (en) | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern exposure method | |
| EP2871520A2 (en) | Halftone phase shift photomask blank, halftone phase shift photomask and pattern exposure method | |
| JP6287932B2 (en) | Method for manufacturing halftone phase shift photomask blank | |
| TW201702732A (en) | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask | |
| JP6477159B2 (en) | Halftone phase shift mask blank and method of manufacturing halftone phase shift mask blank | |
| JP6786645B2 (en) | Mask blank, transfer mask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method | |
| KR102243226B1 (en) | Halftone phase shift photomask blank, making method, and halftone phase shift photomask | |
| KR20170043858A (en) | Blankmask and Photomask using the same | |
| JP2018116269A (en) | Phase shift mask blank for manufacturing display device, method for manufacturing phase shift mask for manufacturing display device, and method for manufacturing display device | |
| KR101593388B1 (en) | The Half-tone Phase Shift Blank Mask Half-tone Phase Shift Photomask and these Manufacturing Methods | |
| JP2005234209A (en) | Method for producing halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask and method for transferring pattern | |
| JP5409216B2 (en) | Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method | |
| JP2012212180A (en) | Reduction method for defect | |
| KR20130051879A (en) | Blankmask, photomask and method of manufacturing the same | |
| JP2020204760A (en) | Phase shift mask blank and phase shift mask | |
| JP5105086B2 (en) | Photomask blank manufacturing method and photomask blank | |
| JP2022023453A (en) | Photomask blank, photomask producing method and display device producing method | |
| JP2020204761A (en) | Phase shift mask blank, method for manufacturing the same, and phase shift mask | |
| JP6947207B2 (en) | Halftone phase shift photomask blank and halftone phase shift photomask | |
| JP4177151B2 (en) | Phase shift mask blank manufacturing method and phase shift mask manufacturing method | |
| KR100869268B1 (en) | Half-tone phase shift blankmask, half-tone phase shift photomask and it's manufacturing method | |
| JP2018159961A (en) | Phase shift mask blank and phase shift mask | |
| KR20090049112A (en) | Half-tone phase shift blankmask for haze reduction and it's manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121024 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130319 |