JP2012201900A - Film deposition apparatus - Google Patents
Film deposition apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012201900A JP2012201900A JP2011064922A JP2011064922A JP2012201900A JP 2012201900 A JP2012201900 A JP 2012201900A JP 2011064922 A JP2011064922 A JP 2011064922A JP 2011064922 A JP2011064922 A JP 2011064922A JP 2012201900 A JP2012201900 A JP 2012201900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- film forming
- forming apparatus
- film formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板上に薄膜を形成する成膜装置に関する。より詳しくは、基板を連続的または断続的に搬送しながら成膜を行う成膜装置に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus for forming a thin film on a substrate. More specifically, the present invention relates to a film forming apparatus that performs film formation while conveying a substrate continuously or intermittently.
気相を用いて薄膜を形成する方法は、大別して化学的気相成長法(CVD:Chemical Vapor Deposition)と物理的気相成長法(PVD:Physical Vapor Deposition)とがある。 Methods for forming a thin film using a vapor phase are roughly classified into a chemical vapor deposition (CVD) method and a physical vapor deposition (PVD) method.
PVDとして代表的なものには真空蒸着法やスパッタ法などがあり、特にスパッタ法では一般に装置コストは高いが膜質と膜厚の均一性に優れた高品質の薄膜の作製が行えるため、表示デバイスなどに広く応用されている。 Typical examples of PVD include vacuum deposition and sputtering. In particular, sputtering is generally high in equipment cost, but can produce high-quality thin films with excellent film quality and film thickness uniformity. Widely applied to such as.
CVDは真空チャンバ内に原料ガスを導入し、熱エネルギーによって基板上で1種類あるいは2種類以上のガスを分解または反応させて固体薄膜を成長させるものである。反応を促進させたり、反応温度を下げたりするため、プラズマや触媒(Catalyst)反応を併用するものもある。プラズマを併用するものをPECVD(Plasma Enhanced CVD)、触媒反応を併用するものをCat−CVD(Catalytic CVD)と呼ぶ。化学的気相成長法は成膜欠陥が少ない特徴を有し、ゲート絶縁膜の成膜など半導体デバイス製造工程に主に適用されている。 In CVD, a raw material gas is introduced into a vacuum chamber, and one or more gases are decomposed or reacted on a substrate by thermal energy to grow a solid thin film. In order to promote the reaction or lower the reaction temperature, there are some which use plasma or a catalytic reaction in combination. One that uses plasma in combination is called PECVD (Plasma Enhanced CVD), and one that uses catalyst reaction in combination is called Cat-CVD (Catalytic CVD). The chemical vapor deposition method is characterized by few film formation defects, and is mainly applied to semiconductor device manufacturing processes such as gate insulating film formation.
近年、原子層堆積法(ALD:Atomic Layer Deposition)が注目されている。ALDは、表面吸着した物質を表面における化学反応によって原子レベルで1層ずつ成膜していく方法であり、CVDに分類される。ALDが一般的なCVDと区別されるのは、一般的なCVDが単一のガスまたは複数のガスを同時に用いて基板上で反応させて薄膜を成長させるのに対して、ALDでは前駆体(またはプリカーサーともいう)と呼ばれる活性に富んだガスと反応性ガス(これもALDでは前駆体と呼ばれる)を交互に用い、基板表面における吸着と続く化学反応によって原子レベルで1層ずつ薄膜を成長させていく特殊な成膜方法にある。 In recent years, attention has been paid to atomic layer deposition (ALD: Atomic Layer Deposition). ALD is a method of depositing a surface-adsorbed substance layer by layer at the atomic level by a chemical reaction on the surface, and is classified as CVD. ALD is distinguished from general CVD by the fact that general CVD uses a single gas or a plurality of gases simultaneously to react on a substrate to grow a thin film, whereas ALD uses a precursor ( Alternatively, an active gas called a precursor (also called a precursor) and a reactive gas (also called a precursor in ALD) are alternately used to grow a thin film one layer at an atomic level by adsorption and subsequent chemical reaction on the substrate surface. There is a special film formation method.
具体的には、表面吸着において表面がある種のガスで覆われるとそれ以上そのガスの吸着が生じない自己制限(self−limiting)効果を利用し、表面が前駆体を1層吸着したところで未反応の前駆体を排気する。続いて反応性ガスを導入して先の前駆体を酸化または還元して所望の組成を有する薄膜を1層得たのち反応性ガスを排気する。これを1サイクルとしこのサイクルを繰り返して、1サイクルで1層ずつ、薄膜を成長させていくものである。従ってALDでは薄膜は二次元的に成長する。ALDでは、従来の蒸着法やスパッタ法などとの比較ではもちろん、一般的なCVDなどと比較しても成膜欠陥が少ないことが特徴であり、様々な分野に応用が期待されている。 Specifically, when the surface is covered with a certain type of gas during surface adsorption, the self-limiting effect that does not cause further gas adsorption is used. The reaction precursor is evacuated. Subsequently, a reactive gas is introduced to oxidize or reduce the precursor and obtain a thin film having a desired composition, and then the reactive gas is exhausted. This cycle is defined as one cycle, and this cycle is repeated to grow a thin film one layer at a time. Therefore, in ALD, the thin film grows two-dimensionally. ALD is characterized in that it has fewer film-forming defects than conventional CVD and sputtering as well as conventional vapor deposition and sputtering, and is expected to be applied in various fields.
ALDでは、第二の前駆体を分解し、基板に吸着している第一の前駆体と反応させる工程において、反応を活性化させるためにプラズマを用いる方法があり、これはプラズマ活性化ALD(PEALD:Plasma Enhanced ALD)または単にプラズマALDと呼ばれる。 In ALD, there is a method of using plasma to activate the reaction in the step of decomposing the second precursor and reacting with the first precursor adsorbed on the substrate, which is a plasma activated ALD ( PEALD: Plasma Enhanced ALD) or simply Plasma ALD.
ALD技術そのものは1974年にフィンランドのDr. Tuomo Suntolaによって提唱された。高品質高密度な膜が得られるためゲート絶縁膜など半導体産業で応用が進められており、ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)にも記載がある。また他の成膜法と比較して斜影効果が無いなどの特徴があるため、ガスが入り込める隙間があれば成膜が可能であり、高アスペクト比を有するラインやホールの被覆のほか3次元構造物の被覆用途でMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)関連にも応用が期待されている。 The ALD technology itself was developed in 1974 by Finnish Dr. Proposed by Tuomo Suntola. Since a high-quality and high-density film can be obtained, applications such as a gate insulating film are being advanced in the semiconductor industry, and it is also described in ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). In addition, because it has a feature such as no slanting effect compared to other film formation methods, film formation is possible if there is a gap through which gas can enter, as well as line and hole coating with a high aspect ratio, as well as a three-dimensional structure. It is expected to be applied to MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) related to the coating of materials.
ALDの欠点として特殊な材料を使用する点やそのコスト等が挙げられるが、最大の欠点は、ALDは1サイクルで1層ずつ原子レベルの薄膜を成長させていく方法であるため、成膜速度が遅いことである。蒸着やスパッタ等の成膜法と比較して5〜10倍ほど遅い。 The disadvantages of ALD include the use of special materials and their costs, but the biggest drawback is that ALD is a method of growing thin films at the atomic level layer by layer in one cycle. Is slow. It is about 5 to 10 times slower than film forming methods such as vapor deposition and sputtering.
以上述べてきたような成膜法を用いて薄膜を形成する対象は、ウェハーやフォトマスクなどの小さな板状の基板、ガラス板などの大面積でフレキシブル性が無い基板、またはフィルムなどの大面積でフレキシブル性がある基板、など様々に存在する。これに対応してこれらの基板に薄膜を形成するための量産設備では、コスト、取り扱いの容易さ、成膜品質などによって様々な基板の取り扱い方法が提案され、実用化されている。 The target for forming a thin film using the film forming method as described above is a small plate-like substrate such as a wafer or a photomask, a large area such as a glass plate that is not flexible, or a large area such as a film. There are various types such as flexible substrates. In response to this, mass production facilities for forming thin films on these substrates have proposed and put to practical use various substrate handling methods depending on cost, ease of handling, film formation quality, and the like.
例えばウェハーでは基板一枚を成膜装置に供給して成膜して、その後、次の基板へ入れ換えて再び成膜を行う枚葉式や、複数の基板をまとめてセットし全てのウェハーに同一の成膜を行うバッチ式等がある。 For example, in a wafer, a single substrate is supplied to a film forming apparatus to form a film, and then replaced with the next substrate to form a film again, or a plurality of substrates are set together and the same for all wafers There is a batch type for forming the film.
また、ガラス基板などに成膜を行う方法には、成膜の源となる部分に対して基板を逐次搬送しながら同時に成膜を行うインライン式や、さらには、主にフレシキブル基板に対してはロールから基板を巻き出し、搬送しながら成膜を行い、別のロールに基板を巻き取る、いわゆるロールツーロールによるウェブコーティング方式がある。フレシキブル基板だけでなく、成膜対象となる基板を連続搬送できるようなフレキシブルなシートまたは一部がフレシキブルとなるようなトレイに載せて連続成膜する方式も、ウェブコーティング方式に含まれる。 In addition, as a method of forming a film on a glass substrate or the like, an in-line type in which film formation is performed simultaneously while sequentially transporting the substrate to a source of film formation, and moreover, mainly for a flexible substrate There is a so-called roll-to-roll web coating method in which a substrate is unwound from a roll, film is formed while being conveyed, and the substrate is wound on another roll. The web coating method includes not only a flexible substrate but also a method of continuously forming a flexible sheet on which a substrate to be deposited can be continuously conveyed or a tray on which a part of the substrate is flexible.
いずれの成膜法、基板取り扱い方法も、コスト、品質、取り扱いの容易さなどから判断して最適な組み合わせが採用されている。 As for any film forming method and substrate handling method, an optimum combination is adopted in consideration of cost, quality, ease of handling, and the like.
光学膜の成膜などでは、異なる種類の薄膜を多層成膜する必要がある。またALDでは、膜厚によっては100〜200サイクルの前駆体曝露を実施して成膜が行われる。このような場合、フレシキブル基板を用いたウェブコーティング方式では1層に対して1成膜源が必要となる。
そのため、複数の成膜源を配設し、一つの工程で複数のサイクルの成膜を行う成膜装置が提案されている。
In the formation of an optical film or the like, it is necessary to form different types of thin films in multiple layers. In ALD, depending on the film thickness, 100 to 200 cycles of precursor exposure are performed to form a film. In such a case, the web coating method using a flexible substrate requires one film forming source for one layer.
For this reason, there has been proposed a film forming apparatus in which a plurality of film forming sources are provided and a plurality of cycles of film forming are performed in one process.
このような従来の成膜装置として、特許文献1及び特許文献2に開示されたものがある。特許文献1に開示された成膜装置は、真空にしたチャンバ内においてALDを用いて成膜を行うものであり、処理ドラムの外面に巻きつけた薄膜の基板を2つのロールの間で搬送し、処理ドラムの外周部に放射状に配設された複数の成膜源により、薄膜の基板の外面に成膜する構成からなる。基板を複数の成膜源に暴露させて十分に厚い層を形成できる。
As such conventional film forming apparatuses, there are those disclosed in Patent Document 1 and
また、特許文献2にて開示された成膜装置は、CVDを用いて成膜を行うものであり、成膜ローラの外面に巻きつけた被成膜テープを2つのローラの間で搬送し、成膜ローラの外周部に放射状に配設された複数のCVD部により被成膜テープの外面に成膜する構成からなる。多層膜を時間的な無駄を伴うことなく効率的に形成できる。
In addition, the film forming apparatus disclosed in
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、複数の成膜源を処理ドラムの外周部に放射状に配設しているので、処理ドラムと比べて、装置全体が大きなものになるという不都合があった。また、サイクル数が増えるに従って設備が大型化し、生産コスト及び設備占有面積が増大するという不都合があった。 However, the technique described in Patent Document 1 has a disadvantage that the entire apparatus is larger than the processing drum because a plurality of film forming sources are arranged radially on the outer periphery of the processing drum. . In addition, as the number of cycles increases, the size of the equipment increases, and the production cost and the area occupied by the equipment increase.
また、特許文献2に記載の技術では、CVDにより多層化処理するために、複数のCVD部を成膜ローラの外周部に放射状に配設しているので、装置全体が大きくなるという不都合があった。
In addition, the technique disclosed in
本発明の目的は、装置全体を小型化可能として、多層の成膜を形成できる成膜装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a film forming apparatus capable of forming a multilayer film by making the entire apparatus small.
本発明は、上記の課題を解決するために、以下の構成を採用した。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems.
本発明は、被成膜基板を処理ドラムに所定角巻き付けた状態で、基板搬送部によりこの被成膜基板を連続的または断続的に搬送しながら、成膜源により被成膜基板の表面に成膜する成膜装置に関する。
そして、処理ドラムは、成膜源が少なくとも1つ設けられ、回転駆動部により回転駆動される回転ドラムを備え、回転駆動部により、基板搬送部による被成膜基板の搬送速度とは異なる速度で回転ドラムを回転させながら、被成膜基板の処理ドラム側の面に成膜源により成膜することを特徴とする。
In the present invention, the film formation substrate is transferred to the surface of the film formation substrate by the film formation source while the film formation substrate is continuously or intermittently transferred by the substrate transfer unit in a state where the film formation substrate is wound around the processing drum by a predetermined angle. The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film.
The processing drum is provided with at least one film forming source and includes a rotating drum that is rotationally driven by the rotational driving unit, and the rotational driving unit has a speed different from the transport speed of the deposition target substrate by the substrate transporting unit. The film formation is performed by a film formation source on the surface of the film formation substrate on the processing drum side while rotating the rotating drum.
また、成膜源は原子層堆積法による成膜源であり、ALDによって成膜が成されることを特徴とする。 Further, the film formation source is a film formation source by an atomic layer deposition method, and the film formation is performed by ALD.
また、成膜源は複数のガス放出部とガス排気部とを備えることを特徴とする。 The film forming source includes a plurality of gas discharge portions and gas exhaust portions.
また、成膜源は少なくも3つのガス放出部を備え、3つのガス放出部から第1の前駆体、第2の前駆体、パージガスをそれぞれ放出するようにしたことを特徴とする。 Further, the film forming source includes at least three gas discharge portions, and the first precursor, the second precursor, and the purge gas are discharged from the three gas discharge portions, respectively.
また、被成膜基板が、フレキシブル基板であることを特徴とする。 Further, the deposition target substrate is a flexible substrate.
また、被成膜基板の搬送速度に対して該回転ドラムの外周部の移動速度が相対的に速いことを特徴とする。 In addition, the moving speed of the outer peripheral portion of the rotating drum is relatively high with respect to the transport speed of the deposition target substrate.
また、基板の搬送経路にプラズマを発生または照射する機構を有することを特徴とする。 Further, the present invention is characterized by having a mechanism for generating or irradiating plasma in the substrate transfer path.
また、被成膜基板の巻き出し及び/または巻き取りの機構を備えることを特徴とする。 In addition, a mechanism for unwinding and / or winding the deposition target substrate is provided.
また、回転ドラムが複数設けられることを特徴とする。 Further, a plurality of rotating drums are provided.
そして、該回転ドラムの外周を、円周方向360°のうちの90%以上の範囲に渡って基板が覆う構成であることを特徴とする。 And the board | substrate covers the outer periphery of this rotating drum over the range of 90% or more of 360 degrees of circumferential directions, It is characterized by the above-mentioned.
本発明によれば、上述の特徴を有することから、下記に示すことが可能となる。 According to the present invention, since it has the above-described features, the following can be achieved.
すなわち、被成膜基板を処理ドラムに所定角巻き付けた状態で、基板搬送部によりこの被成膜基板を連続的または断続的に搬送しながら、成膜源により被成膜基板の表面に成膜する成膜装置において、処理ドラムは、成膜源が少なくとも1つ設けられ、回転駆動部により回転駆動される回転ドラムを備え、回転駆動部により、基板搬送部による被成膜基板の搬送速度とは異なる速度で回転ドラムを回転させながら、被成膜基板の処理ドラム側の面に成膜源により成膜するので、装置全体を小型化可能として、回転ドラムを回転させながら成膜して、多層の成膜を形成することを可能とした。
また、回転ドラムの成膜源が1の場合は、回転ドラムが小型になるので装置全体が小型になり、成膜源が複数の場合は、回転ドラムを1回転するごとに複数の成膜をすることが可能となる。
That is, the film forming substrate is formed on the surface of the film forming substrate by the film forming source while the film forming substrate is continuously or intermittently transferred by the substrate transfer unit while the film forming substrate is wound around the processing drum by a predetermined angle. In the film forming apparatus, the processing drum includes at least one film forming source, and includes a rotating drum that is rotationally driven by the rotational driving unit. Since the film formation source is used to form a film on the processing drum side surface of the film formation substrate while rotating the rotating drum at different speeds, the entire apparatus can be downsized, and the film is formed while rotating the rotating drum. It was possible to form a multilayer film.
In addition, when the film forming source of the rotating drum is 1, the rotating drum becomes smaller, so the entire apparatus becomes smaller. When there are a plurality of film forming sources, a plurality of films are formed every time the rotating drum is rotated. It becomes possible to do.
また、成膜源は原子層堆積法による成膜源であり、ALDによって成膜が成されるので、ALDは1サイクルで1層ずつ原子レベルの薄膜を成長させていく方法であり成膜速度が遅いが、成膜源を回転させることにより多層形成が容易になり、このALDの欠点も解消することができる。 Further, the film formation source is a film formation source by an atomic layer deposition method, and film formation is performed by ALD. Therefore, ALD is a method of growing an atomic level thin film layer by layer in one cycle. However, by rotating the film forming source, multilayer formation can be facilitated, and the disadvantages of ALD can be eliminated.
また、成膜源は複数のガス放出部とガス排気部を備えるので、被成膜基板に吸着されなかったガスをすみやかに排気でき、パーティクルの発生を抑制し、高品質の膜を得ることができる。 In addition, since the film formation source includes a plurality of gas discharge units and gas exhaust units, the gas that has not been adsorbed to the deposition target substrate can be exhausted quickly, and the generation of particles can be suppressed and a high quality film can be obtained. it can.
また、成膜源は少なくも3つのガス放出部を備え、3つのガス放出部から第1の前駆体、第2の前駆体、パージガスをそれぞれ放出するようにしたので、放出されるガスがそれぞれ別のガス放出部を有し、混ざり合うことなく処理できる。 In addition, the film forming source includes at least three gas discharge portions, and the first precursor, the second precursor, and the purge gas are discharged from the three gas discharge portions, respectively. It has another gas release part and can be processed without mixing.
また、被成膜基板が、フレキシブル基板であるので、回転ドラム部の表面からは放出されるガスにより、回転ドラム部の内面との間にいわゆるエアフィルム部が形成され、回転ドラム部は滑らかに回転させることができる。 In addition, since the film formation substrate is a flexible substrate, a so-called air film portion is formed between the inner surface of the rotating drum portion by the gas released from the surface of the rotating drum portion, and the rotating drum portion is smooth. Can be rotated.
また、被成膜基板の搬送速度に対して該回転ドラムの外周部の移動速度が相対的に速いので、一回の被成膜基板を搬送することにより多層膜を成膜することができる。 In addition, since the moving speed of the outer peripheral portion of the rotary drum is relatively fast with respect to the deposition speed of the deposition target substrate, a multilayer film can be formed by transporting the deposition target substrate once.
また、基板の搬送経路にプラズマを発生または照射する機構を有するので、ALDを用いた場合に、未反応の前駆体が吸着された状態で基板が回転ドラムから離れた場合でもこれを反応させまたは除去することができる。基板が、プラズマを発生または照射する機構によって得られるプラズマ領域を通り、回転ドラムの外周を通った後、再び該プラズマ領域を通る構成にすると、プラズマを発生または照射する機構は一つであったとしても、プラズマ領域の一回目の通過で基板がクリーニングまたは基板の表面状態の改質による密着力向上などの効果が得られ、成膜後二回目の通過で先に述べた未反応の前駆体を処理する効果が得られ、このように2つの効果を同時に得ることができる。 In addition, since it has a mechanism for generating or irradiating plasma in the substrate transport path, when ALD is used, even if the substrate is separated from the rotating drum with the unreacted precursor adsorbed, or Can be removed. When the substrate passes through the plasma region obtained by the mechanism for generating or irradiating plasma, passes through the outer periphery of the rotating drum, and then passes through the plasma region again, there is only one mechanism for generating or irradiating plasma. Even in the first pass of the plasma region, the substrate can be cleaned or the adhesion state can be improved by modifying the surface state of the substrate, and the unreacted precursor described above in the second pass after film formation. Thus, two effects can be obtained at the same time.
また、被成膜基板の巻き出し及び/または巻き取りの機構を備えるので、ロールツーロールによる成膜を行うことが可能となり、生産性を高めることができる。 In addition, since a film formation substrate unwinding and / or winding mechanism is provided, film formation by roll-to-roll can be performed, and productivity can be improved.
また、回転ドラムが複数設けられるので、被成膜基板に異なった種類の成膜を連続して行うことができる。 In addition, since a plurality of rotating drums are provided, different types of film formation can be continuously performed on the film formation substrate.
そして、該回転ドラムの外周を、円周方向360°のうちの90%以上の範囲に渡って基板が覆うので、被成膜基板が回転ドラムの外周のうち円周方向のほとんどを覆うため、材料ガスの回転ドラム外への拡散が抑えられ、材料を効率的に使用できる。また拡散を抑えるためのシールドを設置する必要も無くなり、薄膜がシールドに形成されこれが成膜中に剥離することによるパーティクル発生の問題からも開放される。 And since the substrate covers the outer periphery of the rotating drum over a range of 90% or more of 360 ° in the circumferential direction, the deposition target substrate covers most of the outer periphery of the rotating drum in the circumferential direction. The diffusion of the material gas outside the rotating drum is suppressed, and the material can be used efficiently. Moreover, it is not necessary to install a shield for suppressing diffusion, and a thin film is formed on the shield, which is free from the problem of particle generation due to separation during film formation.
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(第1の実施形態)
図1は、成膜装置1の全体構成を示す概略図である。図2は、この成膜装置1の要部である処理ドラム100の組み立て状態を示す概略図である。図3は、処理ドラム100を分解したときの斜視図である。図4は、処理ドラム100の要部である回転ドラム部101と回転軸部102とを示す概略図である。図5は、回転軸部101を示す斜視図である。図6は、回転軸部101と基板ガイド部103とを組み合わせた状態を示す概略断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram showing the overall configuration of the film forming apparatus 1. FIG. 2 is a schematic view showing an assembled state of the
本実施形態の成膜装置1は、原子層堆積法を用いて、処理ドラム100によりフレキシブル基板(被成膜基板)2に成膜処理をする装置である。図1に示すように、成膜装置1は処理ドラム100、巻き出しロール3、巻き取りロール4、巻き出し側ガイドローラ5、巻き取り側ガイドローラ6、プラズマ装置7、チェンバ8を備える。成膜装置1全体はチャンバ8に収納されている。チャンバ8内は図示しない真空ポンプにより真空に保持される。
The film forming apparatus 1 of the present embodiment is an apparatus that performs a film forming process on a flexible substrate (film forming substrate) 2 by a
図1に示すように、フレキシブル基板2は巻き出しロール3から巻き出され、巻き出し側ガイドローラ5と巻き取り側ガイドローラ6により処理ドラム100の外周に所定の角度を巻き付けられて搬送され、巻き取りロール4により巻き取られる。
処理ドラム100に設けられた成膜源により、処理ドラム100に巻き付けられたフレキシブル基板2の内面が成膜処理される。
As shown in FIG. 1, the
A film forming process is performed on the inner surface of the
フレキシブル基板2は、可撓性のある長尺のフィルムであり、巻き出しロール3と巻き出し側ガイドローラ5と処理ドラム100と巻き取り側ガイドローラ6と巻き取りロール4とにより、連続的にまたは断続的に搬送される。
The
図1に示すように、フレキシブル基板2は回転ドラム102の外周を、円周方向360°のうち90%以上を覆っている。このように構成することにより、ガス拡散の拡散を防ぎ、異なるガスが混じるのを防ぎ、パーティクルの発生を防止している。
As shown in FIG. 1, the
次に、処理ドラム100について、図2〜図6を参照しながら説明する。図2および図3に示すように、処理ドラム100は回転ドラム部101と回転軸部102と基板ガイド部103とを備える。なお、図3では、右側の1枚の基板ガイド103は図示していない。
Next, the
回転ドラム部101は、回転軸部102の周囲を、図示しない処理ドラム回転駆動部により回転駆動される。基板ガイド部103は中央に丸穴が設けられた円板型をなし、回転ドラム部101の両側に設けられ、回転軸部102の外周部を回転自在に構成される。回転ドラム部101の回転とは独立して別個に、基板ガイド部103は、図示しない基板ガイド回転駆動部により回転駆動される。処理ドラム回転駆動部と基板ガイド回転駆動部とは、図示しないコントロール部により回転が制御される。回転軸部102は回転せず固定され、配管104が接続される。
The
図2において、左右の基板ガイド部103の外方幅はフレキシブル基板2の幅と略同一に形成されている。フレキシブル基板2の幅方向の両端部が基板ガイド部103の外周部を覆うように巻き付いているので、フレキシブル基板2の内面は、基板ガイド部103の外形と同じ径に保持される。基板ガイド部103が回転駆動されると、外縁が基板ガイド部103に巻きついているフレキシブル基板2も回転駆動され、搬送される。
In FIG. 2, the outer width of the left and right
図2において、回転ドラム部101の外径は、左右の基板ガイド部103の外径に対して、所定寸法だけ小さな径に形成されている。回転ドラム部101に巻き付けられたフレキシブル基板2の内面を、回転ドラム部101は回転駆動される。後述するように、回転ドラム部101の表面からはガスが放出されるので、フレキシブル基板2が薄い場合には、その内面と回転ドラム部101の表面との間にエアフィルム部が形成され、回転ドラム部101は滑らかに回転する。
In FIG. 2, the outer diameter of the
図2に示すように、回転ドラム部101の表面には複数の区切りがされ、その区切りで仕切られた区画(上面が解放された小部屋)をなす凹部106が設けられ、区切りの部分にガス放出部105を設けられている。回転ドラム部101の表面には、回転中心と略平行な方向である幅方向に並ぶ放出孔を備えるガス放出部105が(本実施形態では8条)形成されている。各々のガス放出部105の間には幅方向に広がった凹部106が設けられ、凹部106の底部には凹部開口部107が設けられている。
As shown in FIG. 2, a plurality of partitions are formed on the surface of the
回転ドラム101の表面には、回転ドラム部101の回転方向に順に4つのガス放出部105a、105c、105b、105cが形成されているが、これらは後述するように、異なるガスに対応しており、ガス放出部105a、105c、105b、105cにより1サイクルの成膜処理をおこなうことができる。本実施形態ではガス放出部105が8条形成されており、ガス放出部105a、105c、105b、105cの対向する面にも同じ順番でガス放出部105が形成されているので、一周で2サイクルの成膜処理ができるように構成されている。
Four
図4に示すように、回転軸部102の中央部には4つの溝部108a、108b、108c、108dが径方向に形成されている。また、回転軸部102の一方の端面には4本の連結管からなる配管104が設けられている。4つの溝部108a、108b、108c、108dは4本の連結管からなる配管104にそれぞれ連通している。配管104のうちの太い方の連結管が、4つの溝部108a、108b、108c、108dのうちの幅の広い溝108dと連通している。
As shown in FIG. 4, four
図4に示すように、4つの溝部108a、108b、108c、108dの両脇の回転軸部102の外周面には、径方向に無端状に連続しているシール部109が形成されている。シール部109は磁気流体からなり、磁気流体が回転ドラム部101の内面円筒部と回転軸部102との隙間を埋めることにより、溝部108はそれぞれ封止される。
As shown in FIG. 4, on the outer peripheral surface of the
図6(b)に示すように、凹部開口部107は幅の広い溝108dに対応した位置に開口されている。結局、凹部106は凹部開口部107を通じて、配管104のうちの太い方の連結管に連通されている。溝部108dは外周に連続して設けられているので、回転ドラム部101が回転しても、凹部開口部107の位置関係は維持される。
As shown in FIG. 6B, the
図2及び図6に示すように、ガス放出部105a、105b、105cは回転ドラム部101の内面円筒部に図示しない内面開口部を有していて、この内面開口部は溝部108a、108b、108cにそれぞれ対応している。内面開口部はガス放出部105a、105b、105cにそれぞれ連通し、内面開口部が対応する溝部108a、108b、108cは配管104の連結管にそれぞれ連通するので、配管104の連結管とガス放出部105a、105b、105cはそれぞれ連通されている。
As shown in FIGS. 2 and 6, the
次に、回転ドラム部101によるフレキシブル基板2の内面への成膜処理について説明する。ガス放出部105a、105b、105cには、第1の前駆体、パージガス、第2の前駆体、パージガスが配管104から供給され、それぞれのガスがガス放出部105a、105b、105cから放出される。
Next, a film forming process on the inner surface of the
配管104のうちの太い方の連結管は排気管となっており、これに連通する凹部106は排気を行う。ガス放出部105a、105b、105cから放出されたそれぞれのガスは、フレキシブル基板2の内面が前駆体等のガスを1層吸着したところで、未反応のガスは回転方向後方に隣接する後続する凹部106により排気される。
そうすると、フレキシブル基板2の内面は、第1の前駆体、パージガス、第2の前駆体、パージガスにより順次処理がなされ、未反応のガスはその都度、排気される。
The thicker connecting pipe of the
Then, the inner surface of the
前駆体等のガスがガス放出部105から放出される時、回転ドラム部101を回転させていない状態では前駆体はフレキシブル基板2に当たるほか四方八方へ拡散するが、回転ドラム部101を回転させている状態ではガスは回転ドラム部101から見て相対的に後方へと流れる。凹部106により、回転ドラムが回転すると、後方へ流れた余剰のガスを効率よく排気することができる。
When a gas such as a precursor is released from the
従って、本実施形態では、回転ドラム部101に設けられたガス放出部105及び凹部106が成膜源ということになる。
Therefore, in this embodiment, the
ガス放出部105は、回転ドラム部101に2組設けられているので、回転ドラム部101が1回転するごとに2サイクル分の成膜処理を行う。また、回転ドラム部101はフレキシブル基板2内面で自在に回転することができるので、例えば、フレキシブル基板2が通過する間に回転ドラム部101がN回回転したとすれば、2×N層の成膜処理がされることになる。例えば、回転ドラム部101を100回転させれば、200層の成膜処理がされる。
Since two sets of the
図1に示すように、回転ドラム部101が回転しながらフレキシブル基板2も搬送されているため、フレキシブル基板2が回転ドラム部101から離れる部分では、第1の前駆体が基板のその部分に曝露された後、第2の前駆体がその部分に曝露される前に基板が回転ドラム部101から離れてしまう現象が生じることがある。このような場合、特に何も対策をしていない状況では第一の前駆体のみが曝露された部分には想定した一層が形成されることなくチャンバ8から取り出され、第1の前駆体が想定外の物質と結びつくなどして想定外の化合物が形成されることがある。これは膜の品質を低下させる原因となる。
As shown in FIG. 1, since the
この課題に対応するため、成膜装置1には、回転ドラム102とは別に、フレキシブル基板2の搬送経路にプラズマを発生または照射するプラズマ装置7を備えている。プラズマ装置7によりプラズマを発生または照射することにより、フレキシブル基板2に吸着した第1の前駆体を安定な形に変化させ、膜の品質の低下を防ぐことができる。
In order to cope with this problem, the film forming apparatus 1 includes a
また、成膜前のフレキシブル基板2にプラズマを照射すると、成膜の密着性を向上させたり、クリーニングすることができる。
Further, when the
図1に示すように、プラズマ装置7を巻き出しロール3から巻き出されるフレキシブル基板2と巻き取りロール4により巻き取られるフレキシブル基板2との間に配設したので、プラズマ装置7によりプラズマを発生または照射することにより、上述した2つの効果を同時に得ることができる。
As shown in FIG. 1, the
なお、プラズマ装置7により発生または照射するプラズマとして、酸化物薄膜を形成する際には酸素プラズマを、窒化物薄膜を形成するには窒素プラズマを用いることができる。金属の成膜ではアルゴンプラズマなども適用可能である。
As the plasma generated or irradiated by the
以上に述べた構成により、成膜源を回転ドラム部101に配設するようにして、装置全体の小型化を実現した。また、従来の成膜源は固定されていたが、回転するようにして、多くのサイクルの成膜処理が容易に可能となる。装置を小型化することによりチャンバ8も小型にすることが可能となり、特に中を真空にしたチャンバ8を用いる場合にはその効果は大きい。また、ALDは1サイクルで1層ずつ原子レベルの薄膜を成長させていく方法であり成膜速度が遅いが、成膜源を回転させることにより多層形成が容易になり、このALDの欠点も解消することができる。
With the above-described configuration, the film forming source is disposed on the
なお、本実施例では、回転ドラム部101に2つの成膜源を配設したが、これに限定されず、1つの成膜源を配設してもよいし、2つ以上の成膜源を配設するようにしてもよい。また、4つのガス放出部105により1サイクルとしたが、3種類以上の前駆体を用いる場合はさらにそれ以上の開口部を設けて割り当ててもよい。2種類以上のパージガスを使用する場合も同様である。
In the present embodiment, two film forming sources are disposed on the
ここで、パージガスはその役割の一つに、それぞれの前駆体が空間内で混合し反応することを避ける目的が有るため、パージガスを供給するガス放出部105cを、前駆体を供給するそれぞれのガス放出部との間に設けるとよい。すなわち、例えば第1の前駆体を供給するガス放出部105aと、第2の前駆体を供給するガス放出部105bとの間に、パージガスを供給するガス放出部105cを配置したように、放出部105bと第3の前駆体のための放出部との間にパージガスを供給する放出部105cを配置してもよい。一方で、排気のみで未吸着または未反応の前駆体を充分に除去できる場合には、パージガスを一切導入しないこともできる。
Here, since the purge gas has one purpose of avoiding mixing and reacting of the respective precursors in the space, the
また、本実施形態では被成膜基板として、フレキシブル基板を用いて説明したが、他の可撓性のあるフィルムやシートであってもよい。また、ガラスやウェハーなど可撓性がない剛体であっても、回転ドラムに沿って搬送できる形態であれば本発明が適用できる。例えば、小さな基板を搬送用シートやベルトシートに固定して搬送する場合などがこれにあたる。いわゆるウェブコーティング方式での成膜に適用できる。すなわち、これらのガラスやウェハーなどや、小さな基板、ウェブコーティング方式での被成膜物も被成膜基板に含まれる。 In the present embodiment, the flexible substrate is used as the film formation substrate, but another flexible film or sheet may be used. Moreover, even if it is a rigid body with no flexibility, such as glass and a wafer, this invention is applicable if it is a form which can be conveyed along a rotating drum. For example, this is the case when a small substrate is transported while being fixed to a transport sheet or belt sheet. It can be applied to film formation by the so-called web coating method. That is, these glass and wafers, small substrates, and film-formed objects in the web coating method are also included in the film-formed substrate.
また、本実施形態では、フレキシブル基板2は基板ガイド部103により駆動され、搬送される構成となっているが、基板ガイド部103を駆動せず、フレキシブル基板2の移動により回転するいわゆるアイドラとして用いて、フレキシブル基板2の搬送を巻き出しロール3と巻き取りロール4を駆動することにより行ってもよい。また、基板ガイド部103を固定し、フレキシブル基板2の両縁が基板ガイド部103の円盤状の側面を滑るように構成し、フレキシブル基板2を所定の径に保持するようにしてもよい。
In the present embodiment, the
また、前駆体は、使用時に気相になっているものであれば種類は問わない。パージガスは、成膜によって得られる薄膜を構成する成分とならない限り、種類は問わない。窒素ガスを使用すると、高品位の膜をより低コストで製造することができる。またパージガスに不活性ガスを用いると、使用できる前駆体の種類の幅が広がり、多彩な前駆体の中から最適な前駆体を選定することができる。その中でもアルゴンは不活性ガスとしては比較的低コストで導入でき、生産性を高めることができる。 The precursor is not limited as long as it is in a gas phase at the time of use. The purge gas may be of any type as long as it does not become a component constituting a thin film obtained by film formation. When nitrogen gas is used, a high-quality film can be produced at a lower cost. When an inert gas is used as the purge gas, the range of types of precursors that can be used is widened, and an optimum precursor can be selected from a wide variety of precursors. Among them, argon can be introduced as an inert gas at a relatively low cost, and productivity can be improved.
また、ガス放出部105として、回転ドラム部101上に幅方向に並ぶ放出孔により説明したが、これに限定されず、幅方向に形成されたスリット状のものでもよい。スリット状の形状では、放出されるガスの圧力が均一であるという長所がある。
Further, the
また、シール部109には磁性流体を用いる説明をしたが、Oリング等を使用しても良い。シール部109に磁性流体を用いると発塵などが抑えられ、またメンテナンス間隔も伸ばすことができる。また、回転ドラム部101の回転の抵抗力を小さくできる。
Further, although the magnetic fluid is used for the
また、回転ドラム部101の凹部106は、未反応のガスの排気に用いられるものであり、形状は溝状のものでも良い。凹部106の底部の凹部開口部107は複数設けてもよい。効率良く排気することができ、基板に吸着されずに空間内に残った前駆体を効率よく除去することができ、成膜中のパーティクル発生を抑えて高品質の薄膜を作製することができる。
Further, the
また、回転ドラム部101とフレキシブル基板2との間の隙間(クリアランス)は、できるだけ狭い方が好ましい。フレキシブル基板2を所定の径に保持する基板ガイド部103をフレキシブル基板2の両縁部分に設けたが、フレキシブル基板2の幅方向の中央部が撓む等の場合には、中央にも配置してもよい。
Further, it is preferable that the gap (clearance) between the
また、本実施形態では、配管104のうちの太い方の連結管により、まとめて排気されるように構成したが、排気用の配管等を増やすことにより、ガス放出部から放出されたぞれぞれのガスを別々に排気するようにしてもよい。未反応の前駆体を回収して再利用することが容易になる。
In this embodiment, the thicker connecting pipe of the
また、本実施形態では、チャンバ8は装置全体を収納する構成としたが、成膜が行われる処理ドラム100だけを収納する構成にしてもよい。また、チャンバ8を真空とするのが一般的ではあるが、大気圧で成膜する場合にはそれに適応したチャンバ8とすることもできる。
In the present embodiment, the
また、回転ドラム部101には加熱機構を備えてもよい。前駆体が吸着した基板を加熱することによって反応を促進し薄膜の成長を促すことができる。また、成膜のために加熱が必要な前駆体を使用することができる。熱源としてフラッシュランプを用いると、温度制御が比較的容易であり、また輻射熱を利用することができるため効率的である。熱を伝えたくない部分に対しては水冷機構を設けて温度を制御してもよい。加熱機構はチャンバの壁面や、回転ドラムの外部に設けてもよい。
Further, the
また、回転ドラム部101はプラズマを発生または照射させる機構を備えてもよい。プラズマにより前駆体の反応を促進し薄膜の成長を促すことができる。プラズマの発生方法は、高周波(RF)放電やDC放電の他、誘導結合によるプラズマ生成(ICP)など、公知の技術が使用できる。
Further, the
また、前駆体の種類は問わない。成膜種、成膜温度によって適宜選択される。前駆体は装置使用時に気相となっていればよいので、前駆体の保管状態は気相の他、液相、あるいは固相であってもよい。例えば前駆体が液相の場合は加熱やバブリングなどの方法によって導入される。 Moreover, the kind of precursor is not ask | required. It is appropriately selected depending on the film formation type and film formation temperature. Since the precursor only needs to be in a gas phase when the apparatus is used, the storage state of the precursor may be a liquid phase or a solid phase in addition to the gas phase. For example, when the precursor is in a liquid phase, it is introduced by a method such as heating or bubbling.
また、前駆体にはキャリアガスが含まれてもよい。キャリアガスは一般にパージガスと同一ものものまたは同様の性質を有するものが使用されるが、これに限定されるものではない。前述のバブリングを使用した場合、バブリングのためのガスがキャリアガスになることが多い。 The precursor may contain a carrier gas. The carrier gas is generally the same as the purge gas or one having similar properties, but is not limited thereto. When the aforementioned bubbling is used, the gas for bubbling often becomes a carrier gas.
また、パージガスは膜の構成成分にはならないが、第一の前駆体放出と第二の前駆体放出の間を隔てるガスとして有効である。これにはアルゴンなどの希ガスの他、成膜種に影響しない範囲においてあらゆる種類のガスが使用できる。 The purge gas does not become a component of the film, but is effective as a gas separating the first precursor release and the second precursor release. For this, in addition to a rare gas such as argon, any kind of gas can be used as long as it does not affect the film forming species.
また、回転ドラム部101と基板ガイド部103の回転方向は、同一方向であっても、また相対的に逆方向であってもよい。
また、フレキシブル基板2の搬送は、連続的であっても、あるいは断続的であってもよいし、必要に応じ、巻き戻し方向に行ってもよい。
(第2の実施形態)
図7を参照して、本発明の第2の実施形態に係る成膜装置について説明する。この第2の実施形態において、第1の実施形態と同じ部分には同一符号を付して、詳細な説明を省略し、異なっている部分について主に説明する。
Further, the rotation directions of the
Moreover, conveyance of the
(Second Embodiment)
With reference to FIG. 7, a film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. In the second embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, detailed description thereof is omitted, and different parts are mainly described.
図7は、第2の実施形態に係る成膜装置1の全体構成を示す図である。成膜装置1は2つの処理ドラム100、200を備えていて、成膜処理するガスを異なるものとすることにより、異なる成膜を形成することができる。なお、以下の説明で、第1の実施形態の処理ドラム100と巻き出し側ガイドローラ5と巻き取り側ガイドローラ6とについて、それぞれ「第1の」を頭に付けて呼ぶこととする。
FIG. 7 is a diagram illustrating an overall configuration of the film forming apparatus 1 according to the second embodiment. The film forming apparatus 1 includes two
図7に示すように、フレキシブル基板2は、巻き出しロール3から巻き出され、第1の巻き出し側ガイドローラ5にガイドされて第1の処理ドラム100の上半分の外周を半周巻き付いたところで、第2の巻き出し側ガイドローラ9により引き出され、第3の巻き出し側ガイドローラ11によりガイドされて第2の処理ドラム200の外周に所定角度巻き付く。次に、フレキシブル基板2は、第3の巻き取り側ガイドローラ12により引き出され、第2の巻き取り側ガイドローラ10にガイドされて第1の処理ドラム100の下半分の外周を半周巻き付いたところで、第1の巻き取り側ガイドローラ6により引き出され、巻き取りロール4により巻き取られる。
As shown in FIG. 7, the
図7に示すように、フレキシブル基板2が第1の処理ドラム100の上半分に沿って搬送されるときに、処理ドラム100によりフレキシブル基板2の内面に第1の成膜が行われる。次に、フレキシブル基板2が処理ドラム200に沿ってほぼ一周分搬送されるときに、第2の成膜が行われた後、第1の処理ドラム100の下半分に沿って搬送されるときに、第3の成膜が行われる。この場合、第1の成膜と第3の成膜とは同じ膜質の薄膜が形成される。
As shown in FIG. 7, when the
複数の回転ドラムの数や配置はこれに限定されず、必要に応じ、いろいろ構成することができる。例えば、3つの成膜装置をトランプカードのクローバマークのように配置し、クローバマークの脚の部分に巻き出しロール3と巻き取りロール4を配設して、フレキシブル基板2をクローバマークの輪郭に沿って搬送すれば、別々の3つの成膜を形成することができる。
The number and arrangement of the plurality of rotating drums are not limited to this, and can be variously configured as necessary. For example, three film forming apparatuses are arranged like a clover mark of a playing card, and an
以上の構成の場合も、成膜源を回転ドラム部101に配設して、装置全体の小型化を実現することができる。また、従来の成膜源は固定されていたが、回転ドラム101に配設することで、多層の成膜処理に対応可能とできる。
また、処理ドラム100、200を複数備えることにより、異なる材料ガスを供給することにより、異なる種類の薄膜を積層することが可能となる。
In the case of the above configuration as well, the film forming source can be arranged in the
Further, by providing a plurality of
なお、本発明の成膜装置は、上述した実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。一例として、上述した実施形態では、原子層堆積法による成膜装置として説明を行ったが、これに限定されずCVD法、スパッタ法その他の方法による成膜源を、回転ドラムに配設した成膜装置においても、成膜源を回転ドラムに配設することにより、同様の効果を得ることができる。 In addition, the film-forming apparatus of this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation is possible. As an example, in the above-described embodiment, the film formation apparatus using the atomic layer deposition method has been described. However, the present invention is not limited to this, and a film formation source using a CVD method, a sputtering method, or another method is provided on the rotating drum. In the film apparatus, the same effect can be obtained by disposing the film forming source on the rotating drum.
本発明は基板を搬送しながら基板上に薄膜を作製する工程において、設備を大規模化することなく成膜を実施することができ、生産コスト低減に貢献する。 According to the present invention, in the process of forming a thin film on a substrate while transporting the substrate, film formation can be performed without increasing the scale of the equipment, which contributes to a reduction in production cost.
1 成膜装置
2 フレキシブル基板
3 巻き出しロール
4 巻き出しロール
5 (第1の)巻き出し側ガイドローラ
6 (第1の)巻き取り側ガイドローラ
7 プラズマ装置
8 チェンバ
9 第2の巻き出し側ガイドローラ
10 第2の巻き取り側ガイドローラ
11 第3の巻き出し側ガイドローラ
12 第3の巻き取り側ガイドローラ
100 (第1の)処理ドラム
101 回転ドラム部
102 回転軸部
103 基板ガイド部
104 配管
105 ガス放出部
106 凹部
107 凹部開口部
108 溝部
109 シール部
200 第2の処理ドラム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Film-forming
Claims (10)
前記処理ドラムは、前記成膜源が少なくとも1つ設けられ、回転駆動部により回転駆動される回転ドラムを備え、
前記回転駆動部により、前記基板搬送部による前記被成膜基板の搬送速度とは異なる速度で前記回転ドラムを回転させながら、前記被成膜基板の前記処理ドラム側の面に前記成膜源により成膜する
ことを特徴とする成膜装置。 A film forming source is used to form a film on the surface of the film forming substrate while the film forming substrate is continuously or intermittently transferred by the substrate transfer unit while the film forming substrate is wound around the processing drum by a predetermined angle. In the film forming apparatus,
The processing drum includes a rotating drum provided with at least one film forming source and driven to rotate by a rotation driving unit,
While the rotary drum is rotated by the rotation driving unit at a speed different from the conveyance speed of the deposition target substrate by the substrate conveyance unit, the deposition source is applied to the surface on the processing drum side of the deposition target substrate. A film forming apparatus for forming a film.
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 The film formation apparatus according to claim 1, wherein the film formation source is a film formation source by an atomic layer deposition method, and film formation is performed by ALD.
ことを特徴とする請求項2記載の成膜装置における成膜処理ドラム。 The film formation processing drum in the film formation apparatus according to claim 2, wherein the film formation source includes a plurality of gas discharge units and a gas exhaust unit.
3つの前記ガス放出部から第1の前駆体、第2の前駆体、パージガスをそれぞれ放出するようにした
ことを特徴とする請求項3記載の成膜装置における成膜処理ドラム。 The film forming source includes at least three gas discharge portions,
4. The film forming process drum in the film forming apparatus according to claim 3, wherein the first precursor, the second precursor, and the purge gas are discharged from the three gas discharge portions, respectively.
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the deposition target substrate is a flexible substrate.
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein a moving speed of an outer peripheral portion of the rotary drum is relatively high with respect to a transport speed of the deposition target substrate.
ことを特徴とする請求項2記載の成膜装置。 3. The film forming apparatus according to claim 2, further comprising a mechanism for generating or irradiating plasma on a substrate transfer path.
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, further comprising a mechanism for unwinding and / or winding the deposition target substrate.
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the rotating drums are provided.
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the substrate covers the outer periphery of the rotating drum over a range of 90% or more of 360 ° in the circumferential direction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011064922A JP2012201900A (en) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | Film deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011064922A JP2012201900A (en) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | Film deposition apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012201900A true JP2012201900A (en) | 2012-10-22 |
Family
ID=47183216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011064922A Withdrawn JP2012201900A (en) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | Film deposition apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012201900A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014524515A (en) * | 2011-08-10 | 2014-09-22 | ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー | Method and apparatus for depositing an atomic layer on a substrate |
KR101478788B1 (en) * | 2013-02-15 | 2015-01-02 | 백용구 | Apparatus for depositing thin film and method for depositing thin film using it |
KR101550775B1 (en) * | 2013-05-31 | 2015-09-08 | 백용구 | Apparatus and methods of multilayer with ceramic film and flow-able oxide film |
KR101554073B1 (en) * | 2012-11-30 | 2015-09-17 | 주식회사 엘지화학 | Roll |
-
2011
- 2011-03-23 JP JP2011064922A patent/JP2012201900A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014524515A (en) * | 2011-08-10 | 2014-09-22 | ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー | Method and apparatus for depositing an atomic layer on a substrate |
KR101554073B1 (en) * | 2012-11-30 | 2015-09-17 | 주식회사 엘지화학 | Roll |
KR101554074B1 (en) * | 2012-11-30 | 2015-09-17 | 주식회사 엘지화학 | Roll |
KR101478788B1 (en) * | 2013-02-15 | 2015-01-02 | 백용구 | Apparatus for depositing thin film and method for depositing thin film using it |
KR101550775B1 (en) * | 2013-05-31 | 2015-09-08 | 백용구 | Apparatus and methods of multilayer with ceramic film and flow-able oxide film |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6255341B2 (en) | Method and apparatus for depositing an atomic layer on a substrate | |
JP5706903B2 (en) | Atomic layer deposition system with reduced precursor transport between separate precursor zones | |
JP5665290B2 (en) | Deposition equipment | |
KR101851764B1 (en) | Methods of etching films comprising transition metals | |
JP2013520564A (en) | Web substrate deposition system | |
JP2009540122A5 (en) | ||
JP5828895B2 (en) | Single-sided contact substrate transport mechanism of flexible web substrate for roll-to-roll thin film deposition | |
KR20110016415A (en) | Film deposition apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium | |
TW201241222A (en) | Apparatus and process for atomic layer deposition | |
JP2011132589A (en) | Film deposition apparatus, film deposition method, and storage medium | |
JP5800972B1 (en) | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, gas supply unit, cartridge head, and program | |
JP2012201900A (en) | Film deposition apparatus | |
JP2009209381A (en) | Film-forming apparatus, gas barrier film, and method for producing gas barrier film | |
JP5724504B2 (en) | Rotating drum and atomic layer deposition method film forming apparatus in atomic layer deposition method film forming apparatus | |
JP6971887B2 (en) | Film formation method and film formation equipment | |
JP5768962B2 (en) | Film formation processing drum in atomic layer deposition method film formation apparatus | |
US20170211177A1 (en) | Method for forming film on flexible substrate by vapor deposition | |
JP2015132007A (en) | Method and apparatus for manufacturing laminate | |
JP5733507B2 (en) | Deposition method | |
JP6672595B2 (en) | Film forming equipment | |
JP5803488B2 (en) | Film forming method and film forming apparatus on flexible substrate by atomic layer deposition method | |
JP5736857B2 (en) | Deposition equipment | |
JP2010095735A (en) | Film-forming apparatus, film-forming method and gas barrier film | |
JP2023553201A (en) | Roll-to-roll processing | |
JP6442874B2 (en) | LAMINATE MANUFACTURING METHOD AND LAMINATE MANUFACTURING DEVICE |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140603 |