JP2012186430A - Terahertz wave generation device - Google Patents

Terahertz wave generation device Download PDF

Info

Publication number
JP2012186430A
JP2012186430A JP2011050344A JP2011050344A JP2012186430A JP 2012186430 A JP2012186430 A JP 2012186430A JP 2011050344 A JP2011050344 A JP 2011050344A JP 2011050344 A JP2011050344 A JP 2011050344A JP 2012186430 A JP2012186430 A JP 2012186430A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terahertz wave
antenna
gap
dipole antenna
generation device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011050344A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Kadoya
豊 角屋
Noritaka Hara
徳隆 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hiroshima University NUC
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Original Assignee
Hiroshima University NUC
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hiroshima University NUC, Sumitomo Osaka Cement Co Ltd filed Critical Hiroshima University NUC
Priority to JP2011050344A priority Critical patent/JP2012186430A/en
Publication of JP2012186430A publication Critical patent/JP2012186430A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/39—Non-linear optics for parametric generation or amplification of light, infrared or ultraviolet waves
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/13—Function characteristic involving THZ radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a terahertz wave generation device which is capable of generating a terahertz wave having less noise.SOLUTION: The terahertz wave generation device comprises: a photoconductive antenna 10 obtained by forming a pair of electrodes (a dipole antenna 102) on a GaAs substrate 101 with a gap G therebetween; a bias power supply 20 for applying a DC voltage to the dipole antenna 102; and light irradiation means for irradiating the gap G of the dipole antenna 102 with optical pulses having a wavelength of 1490-1640 nm.

Description

本発明は、テラヘルツ波発生装置に関する。   The present invention relates to a terahertz wave generator.

テラヘルツ波（ミリ波・サブミリ波を含む周波数３０ＧＨｚ〜１２ＴＨｚの電磁波）の特徴として、高い空間分解能を有すること、赤外線や可視光に比べると波長が長いため空間伝搬時の塵や煙、炎などによる散乱が小さいこと、有害物質や有毒ガスなどの吸収スペクトルがサブミリ波帯にあるためこれらの物質を検知可能であること、などが挙げられる。テラヘルツ波は、これまで未開拓領域の電磁波と呼ばれてきたが、工業、医療、バイオ、セキュリティ等の様々な分野での応用が期待されており、テラヘルツ波の発生方法と検出方法について、活発な技術開発が行われている。   The characteristics of terahertz waves (electromagnetic waves with a frequency of 30 GHz to 12 THz including millimeter waves and submillimeter waves) are that they have high spatial resolution, and because they have longer wavelengths than infrared rays and visible light, they are caused by dust, smoke, flames, etc. during spatial propagation The scattering is small, and the absorption spectrum of toxic substances and toxic gases is in the submillimeter wave band, and these substances can be detected. Terahertz waves have been called electromagnetic waves in undeveloped areas so far, but they are expected to be applied in various fields such as industrial, medical, bio, security, etc., and there are active terahertz wave generation and detection methods. Technology development is underway.

テラヘルツ波の発生技術については、半導体基板上にダイポールアンテナを形成して光伝導アンテナとし、この光伝導アンテナにバイアス電界を印加するとともにフェムト秒の光パルスを照射する、という方式が知られている。この方式によれば、光パルスによって半導体基板中に生じたキャリアがバイアス電界により移動し、瞬時的な電流が形成される。この瞬時的な電流が、テラヘルツ波の発生源となるのである。   As a technique for generating terahertz waves, a method is known in which a dipole antenna is formed on a semiconductor substrate to form a photoconductive antenna, a bias electric field is applied to the photoconductive antenna, and a femtosecond optical pulse is irradiated. . According to this method, carriers generated in the semiconductor substrate by the light pulse move by the bias electric field, and an instantaneous current is formed. This instantaneous current becomes a source of terahertz waves.

ここで、上記方式で用いられるフェムト秒光パルスとしては、従来、波長が約０．８μｍのモードロックチタンサファイヤレーザが一般的であったが、最近では通信用の１．５μｍ帯のフェムト秒レーザも開発されており、この１．５μｍ帯のフェムト秒レーザをテラヘルツ波発生に利用することが検討されている。一例として、非特許文献１には、ＩｎＧａＡｓ基板により構成された光伝導アンテナに対して１．５μｍ帯のフェムト秒光パルスを照射することで、テラヘルツ波の発生が可能であることが報告されている。   Here, as a femtosecond optical pulse used in the above method, a mode-locked titanium sapphire laser having a wavelength of about 0.8 μm was generally used, but recently, a 1.5 μm band femtosecond laser for communication is used. The femtosecond laser in the 1.5 μm band has been studied for the generation of terahertz waves. As an example, Non-Patent Document 1 reports that a terahertz wave can be generated by irradiating a photoconductive antenna formed of an InGaAs substrate with a femtosecond light pulse in a 1.5 μm band. Yes.

A.Takazato, et., ”Detection of terahertz waves using low-temperature-grown InGaAs with 1.56um pulse excitation” ,APPLIED PHYSICS LETTERS, 90,101119 (2007)A. Takazato, et., "Detection of terahertz waves using low-temperature-grown InGaAs with 1.56um pulse excitation", APPLIED PHYSICS LETTERS, 90,101119 (2007)

しかしながら、非特許文献１の報告例では、光伝導アンテナを構成する基板にＩｎＧａＡｓ基板を用いているため、光パルスにより生じたキャリアに対する基板の電気抵抗値が低く、その結果として、発生したテラヘルツ波にノイズが多く含まれてしまう、という問題がある。   However, in the report example of Non-Patent Document 1, since an InGaAs substrate is used as the substrate constituting the photoconductive antenna, the electric resistance value of the substrate with respect to the carrier generated by the optical pulse is low, and as a result, the generated terahertz wave There is a problem that a lot of noise is included.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ノイズの少ないテラヘルツ波を発生させることが可能なテラヘルツ波発生装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a terahertz wave generator capable of generating a terahertz wave with less noise.

本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、ＧａＡｓ基板上に１対の電極がギャップを設けて形成されてなるアンテナと、前記１対の電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記アンテナのギャップに波長１４９０〜１６４０ｎｍの光パルスを照射する光照射手段と、を備えることを特徴とするテラヘルツ波発生装置である。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems. An antenna in which a pair of electrodes is formed on a GaAs substrate with a gap, and voltage application for applying a voltage between the pair of electrodes. And a light irradiation means for irradiating the gap of the antenna with a light pulse having a wavelength of 1490 to 1640 nm.

また、上記テラヘルツ波発生装置において、前記光照射手段は、前記１対の電極の両方または一方の近傍のみに前記光パルスを照射することを特徴とする。
また、上記テラヘルツ波発生装置において、前記光パルスのビーム径は、前記ギャップの離間距離よりも小さいことを特徴とする。
また、上記テラヘルツ波発生装置において、前記アンテナはダイポールアンテナであることを特徴とする。
また、上記テラヘルツ波発生装置において、前記電圧は直流電圧であることを特徴とする。 In the terahertz wave generator, the light irradiating means irradiates the light pulse only to the vicinity of both or one of the pair of electrodes.
In the terahertz wave generator, the beam diameter of the optical pulse is smaller than the gap distance.
In the terahertz wave generator, the antenna is a dipole antenna.
In the terahertz wave generator, the voltage is a DC voltage.

本発明によるテラヘルツ波発生装置は、光伝導アンテナを構成する半導体基板としてＧａＡｓ基板を用いている。ＧａＡｓ基板はＩｎＧａＡｓ基板よりも電気抵抗値が高い。したがって、本発明によるテラヘルツ波発生装置はノイズの少ないテラヘルツ波を発生させることが可能である。   The terahertz wave generator according to the present invention uses a GaAs substrate as a semiconductor substrate constituting the photoconductive antenna. A GaAs substrate has a higher electrical resistance than an InGaAs substrate. Therefore, the terahertz wave generator according to the present invention can generate terahertz waves with less noise.

本発明の実施形態によるテラヘルツ波発生装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the terahertz wave generator by embodiment of this invention. 光パルスをダイポールアンテナのギャップに照射した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the optical pulse was irradiated to the gap of the dipole antenna. テラヘルツ波を発生させた実験結果の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the experimental result which generated the terahertz wave. テラヘルツ波を発生させた実験結果の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the experimental result which generated the terahertz wave. ダイポールアンテナの変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of a dipole antenna. テラヘルツ波発生装置の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of a terahertz wave generator.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。
図１は、本発明の実施形態によるテラヘルツ波発生装置１の構成を示す図である。テラヘルツ波発生装置１は、光伝導アンテナ１０とバイアス電源２０を有する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a terahertz wave generation device 1 according to an embodiment of the present invention. The terahertz wave generator 1 includes a photoconductive antenna 10 and a bias power source 20.

光伝導アンテナ１０は、低温（３００℃程度以下）でＧａＡｓ膜を成長させたＧａＡｓ基板１０１の一方の面Ｍ１上に、ダイポールアンテナ１０２を形成した構成である。ダイポールアンテナ１０２には、バイアス電源２０が接続される。このバイアス電源２０によって、ダイポールアンテナ１０２のギャップＧ間に直流のバイアス電界を印加する。また、ＧａＡｓ基板１０１のダイポールアンテナ１０２が形成された面Ｍ１側から、フェムト秒の光パルスをダイポールアンテナ１０２のギャップＧに照射する。すると、ＧａＡｓ基板１０１内には光パルスによって寿命が〜３００ｆｓ程度のキャリア（自由電子）が生成され、このキャリアが直流バイアス電界により加速されて、〜ｐｓ程度の時間幅を有するパルス状の瞬時電流が生じる。この瞬時電流によって、瞬時電流の時間微分に比例した強度分布を持つ電磁波、すなわちテラヘルツ波が放射される。ＧａＡｓ基板１０１は従来用いられていたＩｎＧａＡｓ基板よりも電気抵抗値が高いため、ノイズの少ないテラヘルツ波を得ることが可能である。   The photoconductive antenna 10 has a configuration in which a dipole antenna 102 is formed on one surface M1 of a GaAs substrate 101 on which a GaAs film is grown at a low temperature (about 300 ° C. or less). A bias power supply 20 is connected to the dipole antenna 102. A DC bias electric field is applied between the gaps G of the dipole antenna 102 by the bias power source 20. Further, a femtosecond light pulse is applied to the gap G of the dipole antenna 102 from the surface M1 side of the GaAs substrate 101 where the dipole antenna 102 is formed. Then, carriers (free electrons) having a lifetime of about 300 fs are generated in the GaAs substrate 101 by optical pulses, and the carriers are accelerated by a DC bias electric field, and a pulse-like instantaneous current having a time width of about ps. Occurs. By this instantaneous current, an electromagnetic wave having an intensity distribution proportional to the time derivative of the instantaneous current, that is, a terahertz wave is radiated. Since the GaAs substrate 101 has a higher electrical resistance value than a conventionally used InGaAs substrate, it is possible to obtain a terahertz wave with less noise.

キャリアを生成するための光パルスは、１．５μｍ帯（１４９０ｎｍ〜１６４０ｎｍ）のフェムト秒パルスレーザ光（パルス幅：〜１００ｆｓ）を用いる。この光パルスは、不図示のレンズ等の集光手段によって、ダイポールアンテナ１０２のギャップ間隔Ｌｇより小さいスポットに集光されて、ダイポールアンテナ１０２のギャップＧへ照射される。   The optical pulse for generating carriers uses femtosecond pulsed laser light (pulse width: ˜100 fs) in a 1.5 μm band (1490 nm to 1640 nm). This light pulse is condensed to a spot smaller than the gap interval Lg of the dipole antenna 102 by a condensing means such as a lens (not shown) and irradiated to the gap G of the dipole antenna 102.

図２に、光パルスをダイポールアンテナ１０２のギャップＧに照射した様子を示す。同図に示されるように、ダイポールアンテナ１０２は、ダイポール長Ｌｄが例えば５０μｍであり、電極間のギャップ間隔Ｌｇが例えば１０μｍである。そして、光パルスは、スポットが例えば５μｍ（＜Ｌｇ）程度に絞り込まれて、ダイポールアンテナ１０２のプラス側の電極１０２Ａにスポットの一部がオーバーラップするようにして照射される。   FIG. 2 shows a state in which an optical pulse is applied to the gap G of the dipole antenna 102. As shown in the figure, the dipole antenna 102 has a dipole length Ld of, for example, 50 μm and a gap interval Lg between electrodes of, for example, 10 μm. Then, the light pulse is irradiated so that the spot is narrowed down to about 5 μm (<Lg), for example, so that a part of the spot overlaps the electrode 102A on the plus side of the dipole antenna 102.

このとき、ＧａＡｓ基板１０１の光パルスが照射された領域、すなわちダイポールアンテナ１０２のプラス電極１０２Ａ近傍に、自由電子がキャリアとして生成され、生成された自由電子は直流バイアス電界によってプラス電極１０２Ａへ引き寄せられて、テラヘルツ波の放射源である瞬時電流ｊを生じさせる。このように、テラヘルツ波はダイポールアンテナ１０２の一方の電極近傍の局所的な瞬時電流ｊによって発生するため、光パルスを照射するのは、必ずしもダイポールアンテナ１０２のギャップＧの全体（両方の電極１０２Ａ，１０２Ｂに光パルスのスポットが重なるように）ではなく、キャリアがバイアス電界で移動していく方の電極近傍だけでよい。   At this time, free electrons are generated as carriers in the region of the GaAs substrate 101 irradiated with the light pulse, that is, in the vicinity of the positive electrode 102A of the dipole antenna 102, and the generated free electrons are attracted to the positive electrode 102A by a DC bias electric field. Thus, an instantaneous current j which is a terahertz radiation source is generated. Thus, since the terahertz wave is generated by the local instantaneous current j in the vicinity of one electrode of the dipole antenna 102, the light pulse is not necessarily applied to the entire gap G of the dipole antenna 102 (both electrodes 102A, 102A, It is not necessary for the light pulse spot to overlap 102B), but only in the vicinity of the electrode where the carrier moves in the bias electric field.

よって、光パルスは、ダイポールアンテナ１０２のギャップＧの大きさによらず、ギャップＧよりも小さなスポットに集光して光伝導アンテナ１０に照射することができ、これにより、テラヘルツ波の発生効率を向上させることができる。その理由は、ＧａＡｓのバンドギャップエネルギーは波長１．５μｍ帯の光子エネルギーの約２倍であり、ＧａＡｓ基板１０１中では二光子吸収過程によってキャリア（自由電子）が励起されるので、光パルスのパワー密度を高くするほど、発生するキャリア数が増加するからである。
なお、光子エネルギーがＧａＡｓのバンドギャップエネルギーと同程度の波長帯、例えば波長７８０ｎｍの光パルスを用いた場合には、二光子吸収過程が起きないため、光パルス照射により発生するキャリア数は光パルスのパワー密度に無依存となる。 Therefore, the optical pulse can be focused on a spot smaller than the gap G and irradiated to the photoconductive antenna 10 regardless of the size of the gap G of the dipole antenna 102, thereby improving the generation efficiency of the terahertz wave. Can be improved. The reason is that the band gap energy of GaAs is about twice the photon energy in the 1.5 μm wavelength band, and carriers (free electrons) are excited in the GaAs substrate 101 by the two-photon absorption process. This is because the higher the density is, the more carriers are generated.
When a light pulse having a photon energy of a wavelength band similar to the band gap energy of GaAs, for example, a wavelength of 780 nm, is used, a two-photon absorption process does not occur, so the number of carriers generated by light pulse irradiation is the number of light pulses. It becomes independent of the power density.

図３，図４に、波長１５６０ｎｍの光パルスを用いてテラヘルツ波を発生させた実験結果の例を示す。実験は、光パルスのスポット（ビーム径φ）をそれぞれ６．９μｍ，３．５μｍ，３．０μｍに集光して図２のように光伝導アンテナ１０に照射して行った。但し、光パルスのパワーは一定とした。図３は、発生したテラヘルツ波の時間波形を計測したものであり、横軸は時間、縦軸はテラヘルツ波検出装置でテラヘルツ波を計測して得られた電流値（テラヘルツ波の強度に相当）を表す。図４は、図３の時間波形の振幅（ピークとピークの差）を縦軸にとり、ビーム径を横軸にとったものである。図３，図４から、光パルスのスポットを小さくするほど、すなわち、光パルスのパワー密度が高いほど、発生するテラヘルツ波の強度を大きくすることができることが分かる。   3 and 4 show examples of experimental results in which terahertz waves are generated using an optical pulse with a wavelength of 1560 nm. The experiment was performed by condensing the light pulse spot (beam diameter φ) to 6.9 μm, 3.5 μm, and 3.0 μm and irradiating the photoconductive antenna 10 as shown in FIG. However, the power of the light pulse was constant. FIG. 3 shows the time waveform of the generated terahertz wave, where the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the current value obtained by measuring the terahertz wave with the terahertz wave detector (corresponding to the intensity of the terahertz wave). Represents. FIG. 4 shows the time waveform amplitude (difference between peaks) in FIG. 3 on the vertical axis and the beam diameter on the horizontal axis. 3 and 4 that the intensity of the generated terahertz wave can be increased as the spot of the optical pulse is reduced, that is, as the power density of the optical pulse is increased.

図５（Ａ），（Ｂ）に、本実施形態によるテラヘルツ波発生装置１の光伝導アンテナ１０に適用可能なダイポールアンテナの変形例を示す。同図（Ａ）はボウタイ型、同図（Ｂ）はスパイラル型の構成である。なお、光伝導アンテナ１０の形状はこの例に限定されず、光パルスが照射される領域において電極間にギャップを有するものであればよい。   5A and 5B show a modification of the dipole antenna applicable to the photoconductive antenna 10 of the terahertz wave generating apparatus 1 according to the present embodiment. FIG. 4A shows a bow-tie configuration, and FIG. 4B shows a spiral configuration. Note that the shape of the photoconductive antenna 10 is not limited to this example, and any shape having a gap between the electrodes in the region irradiated with the light pulse may be used.

図６に、テラヘルツ波発生装置の変形例を示す。光パルスは、シングルモード光ファイバ、ＧＲＩＮコリメータレンズ、ＧＲＩＮコンデンサレンズを介してＧａＡｓ基板１０１上のダイポールアンテナ１０２のギャップに照射される。発生したテラヘルツ波は、半球レンズを介して外部へ取り出される。
このように光ファイバ、レンズ、および基板を一体化した構成、すなわち空間系とは異なるインライン型の構成を用いて光パルスを入射させることで、非常に微細な金属パターンであるダイポールアンテナへの異物の混入を防ぎ、短絡等の不具合を防止することができる。また、基板へ照射される光パルスは基板上のミクロンオーダーの微小部分に照射する必要があるため高精度で安定した光学系が要求されるが、本構成のように各部品が接着剤等で強固に固定されることで、基板へ照射される光パルスの位置ずれを抑制することができる。 FIG. 6 shows a modification of the terahertz wave generator. The light pulse is applied to the gap of the dipole antenna 102 on the GaAs substrate 101 through a single mode optical fiber, a GRIN collimator lens, and a GRIN condenser lens. The generated terahertz wave is extracted to the outside through a hemispherical lens.
In this way, the optical fiber, the lens, and the substrate are integrated, that is, the light pulse is incident using an in-line configuration different from the space system, so that a foreign object to the dipole antenna that is a very fine metal pattern. Can be prevented and problems such as short circuit can be prevented. In addition, since the light pulse applied to the substrate needs to be applied to a micron-order minute part on the substrate, a highly accurate and stable optical system is required. However, as in this configuration, each part is made of an adhesive or the like. By being firmly fixed, it is possible to suppress the positional deviation of the light pulse applied to the substrate.

以上、図面を参照してこの発明の一実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。   As described above, the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings. However, the specific configuration is not limited to the above, and various design changes and the like can be made without departing from the scope of the present invention. It is possible to

１…テラヘルツ波発生装置 １０…光伝導アンテナ ２０…バイアス電源 １０１…ＧａＡｓ基板 １０２…ダイポールアンテナ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Terahertz wave generator 10 ... Photoconductive antenna 20 ... Bias power supply 101 ... GaAs substrate 102 ... Dipole antenna

Claims (5)

ＧａＡｓ基板上に１対の電極がギャップを設けて形成されてなるアンテナと、
前記１対の電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記アンテナのギャップに波長１４９０〜１６４０ｎｍの光パルスを照射する光照射手段と、
を備えることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 An antenna having a pair of electrodes formed on a GaAs substrate with a gap;
Voltage applying means for applying a voltage between the pair of electrodes;
A light irradiation means for irradiating the gap of the antenna with a light pulse having a wavelength of 1490 to 1640 nm;
A terahertz wave generator characterized by comprising: 前記光照射手段は、前記１対の電極の両方または一方の近傍のみに前記光パルスを照射することを特徴とする請求項１に記載のテラヘルツ波発生装置。   2. The terahertz wave generation device according to claim 1, wherein the light irradiation unit irradiates the light pulse only to the vicinity of one or both of the pair of electrodes. 前記光パルスのビーム径は、前記ギャップの離間距離よりも小さいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のテラヘルツ波発生装置。   3. The terahertz wave generation device according to claim 1, wherein a beam diameter of the optical pulse is smaller than a separation distance of the gap. 前記アンテナはダイポールアンテナであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のテラヘルツ波発生装置。   The terahertz wave generation device according to any one of claims 1 to 3, wherein the antenna is a dipole antenna. 前記電圧は直流電圧であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のテラヘルツ波発生装置。   The terahertz wave generation device according to any one of claims 1 to 4, wherein the voltage is a DC voltage.
JP2011050344A 2011-03-08 2011-03-08 Terahertz wave generation device Withdrawn JP2012186430A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011050344A JP2012186430A (en) 2011-03-08 2011-03-08 Terahertz wave generation device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011050344A JP2012186430A (en) 2011-03-08 2011-03-08 Terahertz wave generation device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012186430A true JP2012186430A (en) 2012-09-27

Family

ID=47016195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011050344A Withdrawn JP2012186430A (en) 2011-03-08 2011-03-08 Terahertz wave generation device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012186430A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236591A (en) * 2013-04-10 2013-08-07 西安理工大学 Semi-insolating GaAs photoconductive antenna with ohmic contact electrodes
CN113687463A (en) * 2021-08-23 2021-11-23 浙江大学 Terahertz photoconductive antenna
CN113964510A (en) * 2021-10-20 2022-01-21 中电科技扬州宝军电子有限公司 Broadband printed dipole antenna and antenna array

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236591A (en) * 2013-04-10 2013-08-07 西安理工大学 Semi-insolating GaAs photoconductive antenna with ohmic contact electrodes
CN113687463A (en) * 2021-08-23 2021-11-23 浙江大学 Terahertz photoconductive antenna
CN113687463B (en) * 2021-08-23 2022-09-23 浙江大学 Terahertz photoconductive antenna
CN113964510A (en) * 2021-10-20 2022-01-21 中电科技扬州宝军电子有限公司 Broadband printed dipole antenna and antenna array

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Clerici et al. Wavelength scaling of terahertz generation by gas ionization
Green et al. High-field high-repetition-rate sources for the coherent THz control of matter
Chen et al. Experimental observation of relativistic nonlinear Thomson scattering
Dai et al. Recent progresses in terahertz wave air photonics
Li et al. High power terahertz pulses generated in intense laser—Plasma interactions
Borodin et al. On the role of photoionization in generation of terahertz radiation in the plasma of optical breakdown
Sun et al. Terahertz generation from laser-induced plasma
Naumenko et al. First indication of the coherent unipolar diffraction radiation generated by relativistic electrons
JP2011198801A (en) Photoconductive element
JP2010218868A (en) Polarized electron gun, method for generating polarized electron beam, method for evaluating electron gun, and method for dispersing reverse photoelectron
KR101076396B1 (en) Simultaneous generation devices of Terahertz wave and Supercontinuum, Method there of and Spectroscopy method using the same
Midha et al. Resonant Terahertz radiation by p-polarised chirped laser in hot plasma with slanting density modulation
Pukhov et al. Efficient narrow-band terahertz radiation from electrostatic wakefields in nonuniform plasmas
JP2012186430A (en) Terahertz wave generation device
Wada et al. Measurement of multimode coherent phonons in nanometric spaces in a homojunction-structured silicon light emitting diode
JP2006216799A (en) Terahertz wave generating device
Xie et al. Systematic experimental study on a highly efficient terahertz source based on two-color laser-induced air plasma
Kumar et al. THz radiation by amplitude-modulated self-focused Gaussian laser beam in ripple density plasma
Kang et al. Plasma density measurements using THz pulses from laser-plasmas
Siahmazgi et al. Tunable terahertz radiation generation using the beating of two super-Gaussian laser beams in the collisional nanocluster plasma
Mikheytsev et al. Generation of synchronized high-intensity x-rays and mid-infrared pulses by Doppler-shifting of relativistically intense radiation from near-critical-density plasmas
Kumar et al. Terahertz generation by intense femtosecond Gaussian laser pulse in ripple density plasma
Karagodsky et al. High efficiency x-ray source based on inverse Compton scattering in an optical Bragg structure
Akhmedzhanov et al. Plasma mechanisms of pulsed terahertz radiation generation
Sandeep et al. THz generation by a periodic array of a photoconductive antenna of GaAs material in the presence of a magnetic field

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140513