JP2012186226A - Vacuum processing apparatus and vacuum processing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect more accurately the displacement of a mask from a tray.SOLUTION: A vacuum processing apparatus comprises: a vacuum processing chamber in which vacuum processing is performed on a substrate; an assembly made up of the substrate, a tray on which the substrate can be placed, and a mask placed on the tray; a conveyance arm which conveys the assembly into the vacuum processing chamber; a support base which is arranged in the vacuum processing chamber and supports the assembly; and a lifter which is arranged in the vacuum processing chamber and moves the assembly between the conveyance arm and the support base. The vacuum processing apparatus further comprises: a plurality of detection means capable of detecting the state of the assembly; and determination means which determines, based on a plurality of detection results from the detection means, if the mask and the tray are displaced from each other.

Description

本発明は、真空処理装置および真空処理方法に関する。   The present invention relates to a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method.

薄膜形成、ドライエッチング等の真空処理においては、処理対象である基板をトレイに載せたまま真空処理をすることがある。特に、基板の厚みは益々薄くなる傾向にあり、このような薄い基板は、直接保持して搬送することが困難で、トレイの上に基板を載せて搬送することが多い。さらに、トレイ上から基板の逸脱を防ぐために、基板上にマスクを載せた状態とすることがある(例えば、特許文献1参照)。   In vacuum processing such as thin film formation and dry etching, vacuum processing may be performed while a substrate to be processed is placed on a tray. In particular, the thickness of the substrate tends to become thinner and thinner, and it is difficult to directly hold and transport such a thin substrate, and the substrate is often transported by placing it on a tray. Furthermore, in order to prevent deviation of the substrate from the tray, a mask may be placed on the substrate (see, for example, Patent Document 1).

この場合、マスクはトレイからずれずに基板が処理されることが望ましい。このため、基板に真空処理をする前に、トレイに対するマスクの位置ずれを検知する場合がある。検知方法としては、レーザセンサ、ファイバセンサ等を真空処理装置外に取り付ける方法が一般的である。例えば、このような光センサを窓材を介して真空処理装置外に取り付け、トレイに対するマスクの位置ずれを検出している。   In this case, it is desirable that the substrate be processed without shifting the mask from the tray. For this reason, before the vacuum processing is performed on the substrate, the positional deviation of the mask with respect to the tray may be detected. As a detection method, a method of attaching a laser sensor, a fiber sensor or the like outside the vacuum processing apparatus is common. For example, such an optical sensor is attached to the outside of the vacuum processing apparatus through a window member, and the positional deviation of the mask with respect to the tray is detected.

しかし、真空処理装置外に光センサを取り付けると、光センサの取り付け場所の自由度が制約を受ける場合がある。また、真空処理を長く続けると、真空処理によって窓材が汚れたりして、トレイに対するマスクの位置ずれを正確に検出できない場合がある。この場合、真空処理中に、窓材を遮蔽する遮蔽機構を真空処理装置内に設けてもよい。しかし、このような遮蔽機構を設けると、真空処理装置が複雑になったり、コスト上昇を招来してしまう。   However, when an optical sensor is attached outside the vacuum processing apparatus, the degree of freedom of the optical sensor attachment location may be restricted. Further, if the vacuum process is continued for a long time, the window material may become dirty due to the vacuum process, and the positional deviation of the mask with respect to the tray may not be detected accurately. In this case, a shielding mechanism for shielding the window material may be provided in the vacuum processing apparatus during the vacuum processing. However, when such a shielding mechanism is provided, the vacuum processing apparatus becomes complicated and increases the cost.

国際公開第2010/026955号International Publication No. 2010/026955

本発明の目的は、トレイに対するマスクの位置ずれをより正確に検知する真空処理装置および真空処理方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method for more accurately detecting a displacement of a mask with respect to a tray.

本発明の一態様によれば、基板を真空処理する真空処理室と、前記基板と、前記基板を載置可能なトレイと、前記トレイに載置されるマスクと、からなる組体と、前記組体を前記真空処理室内に搬送する搬送アームと、前記真空処理室内に設置され、前記組体を支持する支持台と、前記真空処理室内に設置され、前記搬送アームと前記支持台の間で前記組体を移動させるリフタと、を備え、前記組体の状態を検出可能な複数の検出手段を有し、前記検出手段からの複数の検出結果によって前記マスクと前記トレイとの位置がずれた状態と判断する判断手段が設けられたことを特徴とする真空処理装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, an assembly including a vacuum processing chamber for vacuum processing a substrate, the substrate, a tray on which the substrate can be placed, and a mask placed on the tray; A transfer arm for transferring the assembly into the vacuum processing chamber; a support base installed in the vacuum processing chamber for supporting the assembly; and installed in the vacuum processing chamber between the transfer arm and the support base. A lifter for moving the assembly, and having a plurality of detection means capable of detecting the state of the assembly, and the positions of the mask and the tray are shifted due to a plurality of detection results from the detection means. There is provided a vacuum processing apparatus characterized in that a determination means for determining a state is provided.

また、本発明の一態様によれば、上述した真空処理装置において、前記複数の検出結果のそれぞれの値のばらつきが許容値内にないときは、前記トレイと前記マスクとの位置がずれていると判断し、前記真空処理を停止させることを特徴とする真空処理方法が提供される。   Further, according to one aspect of the present invention, in the above-described vacuum processing apparatus, when the variation in the values of the plurality of detection results is not within an allowable value, the positions of the tray and the mask are shifted. The vacuum processing method is characterized in that the vacuum processing is stopped.

本発明によれば、トレイに対するマスクの位置ずれをより正確に検知する真空処理装置および真空処理方法が実現する。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the vacuum processing apparatus and the vacuum processing method which detect more correctly the position shift of the mask with respect to a tray are implement | achieved.

第1実施形態に係る真空処理装置の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the vacuum processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 真空処理室の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of a vacuum processing chamber. 真空処理室の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of a vacuum processing chamber. 基板、トレイ、およびマスクの断面模式図であり、(a)は、全体図、(b)は、図3のY−Y’断面における基板、トレイ、およびマスクの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of a board | substrate, a tray, and a mask, (a) is a general view, (b) is a cross-sectional schematic diagram of the board | substrate, a tray, and a mask in the Y-Y 'cross section of FIG. 検出手段の作用を説明するための図であり、(a)は、マスクとトレイとの重なりが正常な場合の平面図、(b)は、マスクがトレイから外れた場合の平面図である。It is a figure for demonstrating an effect | action of a detection means, (a) is a top view in case an overlap with a mask and a tray is normal, (b) is a top view in case a mask remove | deviates from a tray. 第2実施形態に係る真空処理装置の模式図であり、(a)は、真空処理室の平面模式図であり、(b)は、(a)のY−Y’位置での断面模式図である。It is a schematic diagram of the vacuum processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment, (a) is a plane schematic diagram of a vacuum processing chamber, (b) is a cross-sectional schematic diagram in the YY 'position of (a). is there. 第3実施形態に係る真空処理装置の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the vacuum processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 図7のZ−Z’断面図であり、(a)は、トレイとマスクとの位置関係が正常状態にある図、(b)は、トレイとマスクとの位置関係が正常状態にない状態の図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line ZZ ′ of FIG. 7, where (a) is a diagram in which the positional relationship between the tray and the mask is in a normal state; FIG. 第4実施形態に係る真空処理装置の斜視模式図であり、(a)は、搬送室内に設けられた真空ロボットの搬送アームの斜視模式図、(b)は、搬送アームが基板、トレイ、およびマスクが一組になった組体を支持する状態の斜視模式図である。It is a perspective schematic diagram of the vacuum processing apparatus which concerns on 4th Embodiment, (a) is a perspective schematic diagram of the conveyance arm of the vacuum robot provided in the conveyance chamber, (b) is a conveyance arm as a board | substrate, a tray, and It is a perspective schematic diagram of the state which supports the assembly with which the mask became one set.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。以下の実施形態では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same members are denoted by the same reference numerals, and description of members once described will be omitted as appropriate.

(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る真空処理装置の平面模式図である。
真空処理装置1は、いわゆるマルチチャンバ型の真空処理装置である。真空処理装置1は、例えば、電力制御用のパワーMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、発光デバイスなどのディスクリート半導体デバイス(個別半導体デバイス)における裏面電極の成膜に好適である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic plan view of a vacuum processing apparatus according to the first embodiment.
The vacuum processing apparatus 1 is a so-called multi-chamber type vacuum processing apparatus. The vacuum processing apparatus 1 includes, for example, a back electrode in a discrete semiconductor device (individual semiconductor device) such as a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) for power control, an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), or a light emitting device. Suitable for membranes.

真空処理装置1は、例えば、搬送室10と、ロードロック室20と、前処理室30と、複数の真空処理室41〜44と、を有する。搬送室10、ロードロック室20、前処理室30、および真空処理室41〜44は、いずれも大気に対して気密遮断された構造となっている。搬送室10、ロードロック室20、前処理室30、および真空処理室41〜44は、いずれも真空排気系により減圧可能である。ロードロック室20、搬送室10、前処理室30はそれぞれ1つに限らず複数設けてもよい。真空処理室の数も図示する数に限られない。   The vacuum processing apparatus 1 includes, for example, a transfer chamber 10, a load lock chamber 20, a preprocessing chamber 30, and a plurality of vacuum processing chambers 41 to 44. The transfer chamber 10, the load lock chamber 20, the pretreatment chamber 30, and the vacuum processing chambers 41 to 44 are all airtightly shielded from the atmosphere. The transfer chamber 10, the load lock chamber 20, the pretreatment chamber 30, and the vacuum processing chambers 41 to 44 can all be depressurized by a vacuum exhaust system. The load lock chamber 20, the transfer chamber 10, and the pretreatment chamber 30 are not limited to one, and a plurality of load lock chambers 20, transfer chambers 10, and pretreatment chambers 30 may be provided. The number of vacuum processing chambers is not limited to the number illustrated.

ロードロック室20は大気ゲート弁21の開閉により、ロードロック室20内に被処理体である基板を搬入することができる。ロードロック室20は、真空ゲート弁22を介して搬送室10に連結している。   The load lock chamber 20 can carry a substrate as an object to be processed into the load lock chamber 20 by opening and closing the atmospheric gate valve 21. The load lock chamber 20 is connected to the transfer chamber 10 via a vacuum gate valve 22.

搬送室10内には、前後方向に動作する搬送アーム51を有し、旋回および昇降動作をするシングル搬送アームロボット構造の真空ロボット50が設けられている。搬送アーム51は、基板と、基板を載置可能なトレイと、およびトレイに載置されるマスクと、が一組になった組体60を支持しつつ、組体60をロードロック室20、前処理室30、または真空処理室41〜44に搬送する。組体60の構造については後述する。   In the transfer chamber 10, there is provided a vacuum robot 50 having a transfer arm 51 that moves in the front-rear direction and having a single transfer arm robot structure that rotates and moves up and down. The transfer arm 51 supports the assembly 60 in which a substrate, a tray on which the substrate can be placed, and a mask placed on the tray are supported, and the assembly 60 is placed in the load lock chamber 20. It is transferred to the pretreatment chamber 30 or the vacuum treatment chambers 41 to 44. The structure of the assembly 60 will be described later.

前処理室30は、真空ゲート弁30Vを介して搬送室10に連結している。前処理室30は、真空処理室41〜44において基板が真空処理される前に、基板に対して加熱、表面処理等をすることができる。   The pretreatment chamber 30 is connected to the transfer chamber 10 via a vacuum gate valve 30V. The pretreatment chamber 30 can perform heating, surface treatment, and the like on the substrate before the substrate is vacuum-treated in the vacuum treatment chambers 41 to 44.

真空処理室41〜44のそれぞれは、真空ゲート弁41V〜44Vのそれぞれを介して搬送室10に連結している。真空処理室41〜44のそれぞれは、スパッタ源45を備える。真空処理室41〜44のそれぞれは、例えば、スパッタリング装置である。真空処理室41〜44のそれぞれの形態は、同様であってもよく、真空処理室41〜44のそれぞれにおいて、スパッタ源45の材質を変えてもよい。   Each of the vacuum processing chambers 41 to 44 is connected to the transfer chamber 10 via each of the vacuum gate valves 41V to 44V. Each of the vacuum processing chambers 41 to 44 includes a sputtering source 45. Each of the vacuum processing chambers 41 to 44 is, for example, a sputtering apparatus. Each form of the vacuum processing chambers 41 to 44 may be the same, and the material of the sputtering source 45 may be changed in each of the vacuum processing chambers 41 to 44.

このほか、真空処理装置1には、ロードロック室20に、基板を搬入出する基板搬送機構(いわゆる、大気ローダーユニット等)を備えてもよい。   In addition, the vacuum processing apparatus 1 may be provided with a substrate transport mechanism (so-called atmospheric loader unit or the like) for loading and unloading the substrate in the load lock chamber 20.

真空処理室41〜44の代表例としての真空処理室41を、図2および図3に示す。
図2は、真空処理室の断面模式図である。
図3は、真空処理室の平面模式図である。
図2には、図3のX−X’矢視が示されている。図3には、真空処理室41内の支持台41s付近を透過した状態が示されている。
A vacuum processing chamber 41 as a typical example of the vacuum processing chambers 41 to 44 is shown in FIGS.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the vacuum processing chamber.
FIG. 3 is a schematic plan view of the vacuum processing chamber.
FIG. 2 shows an XX ′ arrow view of FIG. FIG. 3 shows a state in which the vicinity of the support base 41 s in the vacuum processing chamber 41 is transmitted.

真空処理室41は真空壁41wによって外部と遮断されている。真空処理室41内には、ガス導入系によって各種ガスを導入可能である。真空処理室41内は、排気系によって真空排気が可能である。各種ガスの導入量と、真空処理室41内の雰囲気の排気量と、をそれぞれ制御することにより、真空処理室41内を所望のガスによる所望の圧力下に維持することができる。   The vacuum processing chamber 41 is shut off from the outside by a vacuum wall 41w. Various gases can be introduced into the vacuum processing chamber 41 by a gas introduction system. The inside of the vacuum processing chamber 41 can be evacuated by an exhaust system. By controlling the introduction amount of various gases and the exhaust amount of the atmosphere in the vacuum processing chamber 41, the inside of the vacuum processing chamber 41 can be maintained under a desired pressure with a desired gas.

真空処理室41の底面上には、支持台41sが設けられている。支持台41sは、組体60を支持する。支持台41sは、基体41bと、静電チャックとして機能するセラミック板41dと、を有する。基板61の被成膜面全面に均一に成膜するため、支持台41sに吸着固定された基板61を回転させながらスパッタ成膜をする。支持台41sの回転軸41raは、真空処理室41の外部で回転駆動機構に連結されている。支持台41sは、1点鎖線C1で示す回転中心のまわりに回転可能である。   A support base 41 s is provided on the bottom surface of the vacuum processing chamber 41. The support base 41s supports the assembly 60. The support base 41s includes a base body 41b and a ceramic plate 41d that functions as an electrostatic chuck. In order to form a film uniformly on the entire surface of the substrate 61, sputtering film formation is performed while rotating the substrate 61 adsorbed and fixed to the support base 41s. The rotation shaft 41ra of the support base 41s is connected to a rotation drive mechanism outside the vacuum processing chamber 41. The support base 41s can rotate around a rotation center indicated by a one-dot chain line C1.

支持台41sの上部に設けられたセラミック板41dは、静電チャックとして機構する。セラミック板41dは、例えば、円盤状である。セラミック板41d内には、内部電極が内設されている。セラミック板41dの上面は、円形状の静電吸着面41aになっている。静電吸着面41aには、基板61が静電吸着される。例えば、セラミック板41dの内部電極に、真空処理室41の外部から電圧を印加すると、静電吸着面41aが静電荷が帯び、基板61が静電吸着面41aに吸着固定される。   The ceramic plate 41d provided on the upper side of the support base 41s functions as an electrostatic chuck. The ceramic plate 41d has a disk shape, for example. Internal electrodes are provided in the ceramic plate 41d. The upper surface of the ceramic plate 41d is a circular electrostatic attraction surface 41a. The substrate 61 is electrostatically attracted to the electrostatic adsorption surface 41a. For example, when a voltage is applied to the internal electrode of the ceramic plate 41d from the outside of the vacuum processing chamber 41, the electrostatic adsorption surface 41a is charged with an electrostatic charge, and the substrate 61 is adsorbed and fixed to the electrostatic adsorption surface 41a.

静電チャックの内部電極に給電するためのケーブルは、支持台41sの回転軸41raの内部を通されて、回転軸41raの端部でスリップリングを介して、真空処理室41の外部に設けられた電力供給源に接続されている。   A cable for supplying power to the internal electrode of the electrostatic chuck is provided outside the vacuum processing chamber 41 through the inside of the rotating shaft 41ra of the support base 41s and through a slip ring at the end of the rotating shaft 41ra. Connected to a power source.

また、支持台41sの上部には、静電吸着面41aよりも外側であって静電吸着面41aよりも下方に位置するトレイ載置部41trが設けられている。   In addition, on the upper portion of the support base 41s, a tray placement portion 41tr that is located outside the electrostatic attraction surface 41a and below the electrostatic attraction surface 41a is provided.

ここで、静電吸着面41aに静電吸着される基板61と、基板61を支持するトレイ62と、およびトレイ62を被覆するマスク63と、について説明する。   Here, the substrate 61 that is electrostatically attracted to the electrostatic attracting surface 41a, the tray 62 that supports the substrate 61, and the mask 63 that covers the tray 62 will be described.

図4は、基板、トレイ、およびマスクの断面模式図であり、(a)は、全体図、(b)は、図3のY−Y’断面における基板、トレイ、およびマスクの断面模式図である。図4(b)には、支持台41s等が併せて表示されている。   4A and 4B are schematic cross-sectional views of the substrate, tray, and mask. FIG. 4A is an overall view, and FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the substrate, tray, and mask in the YY ′ cross section of FIG. is there. In FIG. 4B, the support base 41s and the like are also displayed.

基板61は、例えば、円形の半導体ウェーハであり、その厚みは、0.1mmである。   The substrate 61 is, for example, a circular semiconductor wafer and has a thickness of 0.1 mm.

トレイ62は、平面形状が円形リング状に形成されている。トレイ62は、基板61の外縁を支持する基板支持部62aと、基板支持部62aよりも外側であって基板支持部62aの上面よりも上方に位置するマスク支持部62bと、を有する。トレイ62は、支持台41sのトレイ載置部41trの上に載置される。基板支持部62aおよびマスク支持部62bは、ともにトレイ62の上面側に設けられている。基板支持部62aと、マスク支持部62bと、の間には、溝部62tが設けられている。   The tray 62 is formed in a circular ring shape in plan view. The tray 62 includes a substrate support portion 62a that supports the outer edge of the substrate 61, and a mask support portion 62b that is located outside the substrate support portion 62a and above the upper surface of the substrate support portion 62a. The tray 62 is placed on the tray placement portion 41tr of the support base 41s. The substrate support part 62 a and the mask support part 62 b are both provided on the upper surface side of the tray 62. A groove 62t is provided between the substrate support 62a and the mask support 62b.

トレイ62の外径は、基板61の直径よりも大きく、トレイ62の内径は、基板61の直径よりも小さい。マスク支持部62bは、トレイ62において、基板61の直径よりも大きな外周側に設けられ、このマスク支持部62bよりも内周側に基板支持部62aが設けられている。   The outer diameter of the tray 62 is larger than the diameter of the substrate 61, and the inner diameter of the tray 62 is smaller than the diameter of the substrate 61. The mask support part 62b is provided on the outer periphery side larger than the diameter of the substrate 61 in the tray 62, and the substrate support part 62a is provided on the inner periphery side of the mask support part 62b.

基板61は、その外縁部(周縁部)がトレイ62の基板支持部62a上に載置されることでトレイ62に支持される。マスク支持部62bの内径は、基板61の直径よりも大きい。マスク支持部62bの内周面よりも内側に基板61が収められる。マスク支持部62bの内周面によって基板61の径方向の位置ずれが規制される。   The substrate 61 is supported by the tray 62 by placing the outer edge portion (peripheral edge portion) on the substrate support portion 62 a of the tray 62. The inner diameter of the mask support part 62 b is larger than the diameter of the substrate 61. The substrate 61 is housed inside the inner peripheral surface of the mask support 62b. The positional deviation in the radial direction of the substrate 61 is regulated by the inner peripheral surface of the mask support portion 62b.

マスク63は、トレイ62と同様に円形リング状に形成されている。マスク63の外径は、トレイ62の外径よりも大きい。マスク63の内径は、トレイ62の内径よりも小さい。マスク63はトレイ62のマスク支持部62bの上に載置されつつ、重ね合わされる。マスク63がマスク支持部62bに重ね合わされた状態で、マスク63は、基板支持部62aも含むトレイ62のすべてを覆う。さらに、トレイ62によって基板61が支持されている場合には、マスク63は、基板61の外縁部を覆うことになる。   The mask 63 is formed in a circular ring shape like the tray 62. The outer diameter of the mask 63 is larger than the outer diameter of the tray 62. The inner diameter of the mask 63 is smaller than the inner diameter of the tray 62. The mask 63 is superposed while being placed on the mask support portion 62 b of the tray 62. In a state where the mask 63 is superimposed on the mask support portion 62b, the mask 63 covers all of the tray 62 including the substrate support portion 62a. Further, when the substrate 61 is supported by the tray 62, the mask 63 covers the outer edge portion of the substrate 61.

マスク63の最外周部には、下方に突出する円形リング状のリブ63rが設けられている。マスク63は、トレイ62のマスク支持部62bに重ね合わされた状態で、トレイ62に嵌合される。また、リブ63rの内周側にトレイ62が収まることでトレイ62とマスク63との径方向の相互の位置ずれが規制される。   On the outermost peripheral portion of the mask 63, a circular ring-shaped rib 63r protruding downward is provided. The mask 63 is fitted to the tray 62 in a state where the mask 63 is superimposed on the mask support portion 62 b of the tray 62. Further, since the tray 62 is accommodated on the inner peripheral side of the rib 63r, the positional deviation between the tray 62 and the mask 63 in the radial direction is restricted.

基板支持部62aの上面は、マスク支持部62bの上面より低く構成されている。基板61が静電吸着面41aに吸着固定されている状態では、基板61の被処理面(基板61の上面)と、マスク63の下面との間には、隙間が形成される。また、基板61が静電吸着面41aに吸着固定されている状態では、基板61の下面と、トレイ62の基板支持部62aの上面との間には、隙間が形成される。すなわち、基板61が静電吸着面41aに吸着固定されている状態では、トレイ62およびマスク63は、基板61に接触しない。   The upper surface of the substrate support part 62a is configured to be lower than the upper surface of the mask support part 62b. In a state where the substrate 61 is attracted and fixed to the electrostatic attraction surface 41 a, a gap is formed between the surface to be processed of the substrate 61 (the upper surface of the substrate 61) and the lower surface of the mask 63. Further, in a state where the substrate 61 is attracted and fixed to the electrostatic attraction surface 41 a, a gap is formed between the lower surface of the substrate 61 and the upper surface of the substrate support portion 62 a of the tray 62. That is, the tray 62 and the mask 63 do not come into contact with the substrate 61 in a state where the substrate 61 is attracted and fixed to the electrostatic attracting surface 41 a.

トレイ62の下面に接触可能な複数のピン部41pは、昇降機構によって昇降可能である。ピン部41pの上端部がトレイ62の下面に接触し、トレイ62を持ち上げることにより、基板61、トレイ62、およびマスク63が支持台41sから離れる。この際、静電チャックによる静電吸着は解除されている。   The plurality of pin portions 41p that can come into contact with the lower surface of the tray 62 can be moved up and down by a lifting mechanism. The upper end portion of the pin portion 41p comes into contact with the lower surface of the tray 62, and when the tray 62 is lifted, the substrate 61, the tray 62, and the mask 63 are separated from the support base 41s. At this time, electrostatic attraction by the electrostatic chuck is released.

ピン部41p等の構造について、再び、図1、2に戻り説明する。
真空処理室41内には、リフタ41lfが設置されている。リフタ41lfは、搬送アーム51と支持台41sの間で組体60を移動させる。リフタ41lfは、基板61を支持するトレイ62、およびトレイ62を覆うマスク63を昇降可能にする。これにより、基板61が静電吸着面41aに対して昇降する。
The structure of the pin portion 41p and the like will be described again with reference to FIGS.
In the vacuum processing chamber 41, a lifter 41lf is installed. The lifter 41lf moves the assembly 60 between the transport arm 51 and the support base 41s. The lifter 41lf allows the tray 62 that supports the substrate 61 and the mask 63 that covers the tray 62 to move up and down. Thereby, the board | substrate 61 raises / lowers with respect to the electrostatic adsorption surface 41a.

リフタ41lfの昇降機構41maは、テーブル部41tbと、テーブル部41tbに接続されたピン部41pを昇降することができる。また、昇降機構41maは、真空壁41wの底壁部を貫通し、真空処理室41の外部で、シリンダ装置またはモーターなどの駆動機構に連結されている。駆動機構の駆動により、昇降機構41maは上下に昇降する。   The lifting mechanism 41ma of the lifter 41lf can lift and lower the table portion 41tb and the pin portion 41p connected to the table portion 41tb. The elevating mechanism 41ma penetrates the bottom wall portion of the vacuum wall 41w and is connected to a driving mechanism such as a cylinder device or a motor outside the vacuum processing chamber 41. As the drive mechanism is driven, the elevating mechanism 41ma moves up and down.

昇降機構41maには、テーブル部41tbが接続されている。テーブル部41tbの中央には、支持台41sの回転軸41raが貫通する貫通孔が形成されている。テーブル部41tbは、回転軸41raに対して相対的に上下にスライド可能となっている。   A table portion 41tb is connected to the lifting mechanism 41ma. A through hole through which the rotation shaft 41ra of the support base 41s passes is formed in the center of the table portion 41tb. The table portion 41tb can slide up and down relatively with respect to the rotation shaft 41ra.

テーブル部41tbの上には、上方に延在する複数のピン部41pが設けられている。複数のピン部41pのそれぞれは、基体41bの上下方向に貫通するガイド孔41hに挿入されている。複数のピン部41pのそれぞれの上端部は、基体41bの上方に突出可能となっている。   A plurality of pin portions 41p extending upward are provided on the table portion 41tb. Each of the plurality of pin portions 41p is inserted into a guide hole 41h penetrating in the vertical direction of the base body 41b. Each upper end portion of the plurality of pin portions 41p can protrude above the base body 41b.

さらに、真空処理室41においては、組体60の状態を検出可能な複数の検出手段を有する。そして、検出手段からの複数の検出結果によってマスク63とトレイ62との位置がずれた状態と判断する判断手段80(図1参照)が設けられている。例えば、トレイ62に対するマスク63の位置ずれを検出可能な検出手段が取り付けられている。検出手段は、支持台41sのトレイ載置部41trの表面に取り付けられた複数の重量計46a〜46fである。判断手段80は、複数の検出結果のそれぞれの値のばらつきが許容値内にないときは、トレイ62とマスク63との位置がずれていると判断する。そして、基板61への真空処理を停止させる。   Further, the vacuum processing chamber 41 has a plurality of detection means capable of detecting the state of the assembly 60. Then, determination means 80 (see FIG. 1) is provided for determining that the positions of the mask 63 and the tray 62 are shifted based on a plurality of detection results from the detection means. For example, a detection means capable of detecting the positional deviation of the mask 63 with respect to the tray 62 is attached. The detection means is a plurality of weighing scales 46a to 46f attached to the surface of the tray mounting portion 41tr of the support base 41s. The determination unit 80 determines that the positions of the tray 62 and the mask 63 are misaligned when variations in the values of the plurality of detection results are not within the allowable values. Then, the vacuum processing on the substrate 61 is stopped.

重量計46a〜46fの表面は、トレイ載置部41trの表面から若干上方に突出している。トレイ載置部41trに複数の重量計46a〜46fを設置することにより、マスク63がトレイ62を覆った状態の重量バランスを計測することができる。   The surfaces of the weigh scales 46a to 46f protrude slightly upward from the surface of the tray placing portion 41tr. By installing a plurality of weighing scales 46a to 46f on the tray mounting portion 41tr, the weight balance in a state where the mask 63 covers the tray 62 can be measured.

重量計46a〜46fのそれぞれには、その内部に、例えば、歪みゲージが組み込まれている。重量計46a〜46fのそれぞれにある荷重が印加されると、歪みゲージに機械的な微小変化が生ずる。すなわち、トレイ載置部41trにトレイ62およびマスク63が載置されたとき、それぞれの重量計46a〜46fのそれぞれに印加される荷重が測定される。真空処理装置1では、この微小変化量であるひずみを重さに変換した値を電気信号として検出することができる。電気信号を検出するためのケーブルは、支持台41sの回転軸41raの内部を通されて、回転軸41raの端部でスリップリングを介して、真空処理室41の外部に設けられた測定器に接続されている。   For example, a strain gauge is incorporated in each of the weighing scales 46a to 46f. When a load is applied to each of the weighing scales 46a to 46f, a mechanical minute change occurs in the strain gauge. That is, when the tray 62 and the mask 63 are placed on the tray placing portion 41tr, the load applied to each of the weight scales 46a to 46f is measured. In the vacuum processing apparatus 1, a value obtained by converting the strain, which is the minute change amount, into a weight can be detected as an electric signal. A cable for detecting an electric signal is passed through the inside of the rotating shaft 41ra of the support base 41s, and is connected to a measuring instrument provided outside the vacuum processing chamber 41 via a slip ring at the end of the rotating shaft 41ra. It is connected.

重量計の数については、図示する数に限られない。複数の重量計のそれぞれは、等間隔で周期的に配置されてもよく、非周期的に配置されてもよい。   The number of weigh scales is not limited to the number shown. Each of the plurality of weighing scales may be periodically arranged at equal intervals or may be non-periodically arranged.

また、真空処理室41においては、支持台41sの上方に、スパッタ源45が設けられている。スパッタ源45は、真空処理室41に複数(実施形態では例えば2つ)設けられている。スパッタ源45は、ターゲット45tを有する。ターゲット45tは、カップ状のケース45c内に収容されている。スパッタ源45は、真空壁41wの上部に取り付けられている。ケース45cは、真空処理室41の放電空間41spに向けて開口されている。ターゲット45tは、例えば、円盤状に形成されている。   In the vacuum processing chamber 41, a sputtering source 45 is provided above the support base 41s. A plurality of (for example, two) sputtering sources 45 are provided in the vacuum processing chamber 41. The sputter source 45 has a target 45t. The target 45t is accommodated in a cup-shaped case 45c. The sputter source 45 is attached to the upper part of the vacuum wall 41w. The case 45c is opened toward the discharge space 41sp of the vacuum processing chamber 41. The target 45t is formed in a disk shape, for example.

真空処理室41においては、ターゲット45tの被スパッタ面は、静電吸着面41aに対し非平行(あるいは、傾斜状態)な状態で対向している。   In the vacuum processing chamber 41, the surface to be sputtered of the target 45t is opposed to the electrostatic attraction surface 41a in a non-parallel (or inclined state) state.

例えば、2つのターゲット45tは、静電吸着面41aの中心のまわりに対称的に配置されている。さらに、2つのターゲット45tは、静電吸着面41a側に近い部分ほど互いの離間距離が広がるように傾いて設けられている。   For example, the two targets 45t are disposed symmetrically around the center of the electrostatic attraction surface 41a. Further, the two targets 45t are provided so as to be inclined such that the closer to the electrostatic attraction surface 41a side, the wider the distance between them.

また、真空処理室41においては、真空処理室41の上方にシャッター機構41mbが設けられている。シャッター機構41mbは、真空処理室41の外部で回転駆動機構に連結されている。シャッター機構41mbは、1点鎖線C2で示す回転中心のまわりに回転可能に設けられた回転軸41rbと、回転軸41rbの下端部に接続され、ケース45cの開口を遮蔽可能なシャッター板41stと、を有する。   In the vacuum processing chamber 41, a shutter mechanism 41mb is provided above the vacuum processing chamber 41. The shutter mechanism 41mb is connected to the rotation drive mechanism outside the vacuum processing chamber 41. The shutter mechanism 41mb includes a rotation shaft 41rb that is rotatably provided around a rotation center indicated by a one-dot chain line C2, a shutter plate 41st that is connected to a lower end portion of the rotation shaft 41rb and can shield the opening of the case 45c, Have

回転軸41rbが回転することで、シャッター板41stは、一方のスパッタ源45の開口に対向する位置(図中の実線で示される位置)と、他方のスパッタ源45の開口に対向する位置(図中の2点鎖線で示される位置)とを選択可能となっている。シャッター板41stがスパッタ源45の開口に対向することで、そのスパッタ源45に装着されたターゲット45tを、放電空間41spに対して遮蔽することができる。また、シャッター機構41mbは上下動も可能となっている。   The rotation of the rotation shaft 41rb causes the shutter plate 41st to move to a position facing the opening of one sputter source 45 (position indicated by a solid line in the figure) and a position facing the opening of the other sputter source 45 (see FIG. The position indicated by a two-dot chain line in the middle) can be selected. Since the shutter plate 41st faces the opening of the sputtering source 45, the target 45t mounted on the sputtering source 45 can be shielded from the discharge space 41sp. The shutter mechanism 41mb can also move up and down.

真空処理装置1の動作を、図1〜図4を参照しながら説明する。
まず、成膜処理前の基板61をトレイ62およびマスク63に保持された状態で、ロードロック室20内に搬入する。このとき、ロードロック室20内は大気圧下である。
The operation of the vacuum processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS.
First, the substrate 61 before film formation is carried into the load lock chamber 20 while being held by the tray 62 and the mask 63. At this time, the inside of the load lock chamber 20 is under atmospheric pressure.

次に、ロードロック室20内を真空引きし所望の減圧雰囲気にした後、ロードロック室20の真空ゲート弁22を開けて、搬送室10内に設置されている真空ロボット50の搬送アーム51をロードロック室20内に進入する。さらに、搬送アーム51の上に、基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62を載せて、減圧下の搬送室10へと取り出す。   Next, after the inside of the load lock chamber 20 is evacuated to a desired reduced pressure atmosphere, the vacuum gate valve 22 of the load lock chamber 20 is opened, and the transfer arm 51 of the vacuum robot 50 installed in the transfer chamber 10 is moved. Enter the load lock chamber 20. Further, a tray 62 on which the substrate 61 and the mask 63 are placed and supported is placed on the transfer arm 51 and taken out to the transfer chamber 10 under reduced pressure.

続いて、必要に応じて、真空ゲート弁30Vを開け、搬送アーム51によって基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62を減圧下の前処理室30内に搬入する。搬入後、真空ゲート弁30Vを閉じる。そして、基板61に加熱、クリーニング等の前処理を行う。   Subsequently, if necessary, the vacuum gate valve 30V is opened, and the tray 62 on which the substrate 61 and the mask 63 are placed and supported by the transfer arm 51 is carried into the pretreatment chamber 30 under reduced pressure. After carrying in, the vacuum gate valve 30V is closed. Then, pretreatment such as heating and cleaning is performed on the substrate 61.

次に、前処理室30の真空ゲート弁30Vを開けて、真空ロボット50により、基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62を前処理室30から搬送室10に取り出す。その後、真空処理室41の真空ゲート弁41Vを開けて、真空ロボット50の搬送アーム51を真空処理室41内に進入する。さらに、基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62を減圧下の真空処理室41内に搬入する。この搬入後、真空処理室41の真空ゲート弁41Vを閉じる。   Next, the vacuum gate valve 30V of the pretreatment chamber 30 is opened, and the vacuum robot 50 takes out the tray 62 on which the substrate 61 and the mask 63 are placed and supported from the pretreatment chamber 30 to the transfer chamber 10. Thereafter, the vacuum gate valve 41 </ b> V of the vacuum processing chamber 41 is opened, and the transfer arm 51 of the vacuum robot 50 enters the vacuum processing chamber 41. Further, the tray 62 on which the substrate 61 and the mask 63 are placed and supported is carried into the vacuum processing chamber 41 under reduced pressure. After this loading, the vacuum gate valve 41V of the vacuum processing chamber 41 is closed.

真空処理室41内で、トレイ62は、真空ロボット50の搬送アーム51の上から、リフタ41lfの複数のピン部41pの上に移載される。そして、ピン部41pが下降し、基板61は支持台41sの静電吸着面41aに吸着固定される。この際、基板61は、トレイ62の支持から外れた状態で静電吸着面41aに吸着され、静電吸着面41aに吸着された状態の基板61に対してはトレイ62およびマスク63は接触していない。   In the vacuum processing chamber 41, the tray 62 is transferred from the transfer arm 51 of the vacuum robot 50 onto the plurality of pin portions 41p of the lifter 41lf. And the pin part 41p falls and the board | substrate 61 is adsorbed and fixed to the electrostatic adsorption surface 41a of the support stand 41s. At this time, the substrate 61 is attracted to the electrostatic attraction surface 41a in a state of being out of support of the tray 62, and the tray 62 and the mask 63 are in contact with the substrate 61 in the state of being attracted to the electrostatic attraction surface 41a. Not.

真空処理室41内の支持台41sにはヒーター等の加熱機構が内蔵され、静電吸着面41aに吸着された基板61は所望の温度に制御される。その状態で、支持台41sが回転されて基板61に対するスパッタ成膜処理が行われる。続いて、真空処理室42、43、44においても、同様な動作によってスパッタ成膜処理が行われる。スパッタ成膜処理が終了すると、基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62は、真空ロボット50によって搬送室10を介して、ロードロック室20に戻される。   A heating mechanism such as a heater is built in the support base 41s in the vacuum processing chamber 41, and the substrate 61 adsorbed on the electrostatic attraction surface 41a is controlled to a desired temperature. In this state, the support base 41 s is rotated, and the sputter film forming process is performed on the substrate 61. Subsequently, in the vacuum processing chambers 42, 43, and 44, the sputter film forming process is performed by the same operation. When the sputter film forming process is completed, the tray 62 on which the substrate 61 and the mask 63 are placed and supported is returned to the load lock chamber 20 via the transfer chamber 10 by the vacuum robot 50.

真空処理室41〜44においては、真空処理室41には、マスク63がトレイ62から外れた状態を検出可能な検出手段が取り付けられている。マスク63がトレイ62のマスク支持部62bに重ね合わされた状態が正常か否かを検出する。検出手段は、真空処理室42〜44にも取り付けられている。   In the vacuum processing chambers 41 to 44, detection means capable of detecting the state in which the mask 63 is detached from the tray 62 is attached to the vacuum processing chamber 41. It is detected whether or not the state in which the mask 63 is superimposed on the mask support portion 62b of the tray 62 is normal. The detection means is also attached to the vacuum processing chambers 42 to 44.

図5は、検出手段の作用を説明するための図であり、(a)は、マスクとトレイとの重なりが正常な場合の平面図、(b)は、マスクがトレイから外れた場合の平面図である。   FIGS. 5A and 5B are diagrams for explaining the operation of the detection means, where FIG. 5A is a plan view when the mask and the tray overlap normally, and FIG. 5B is a plan view when the mask is removed from the tray. FIG.

検出手段は、例えば、支持台41sのトレイ載置部41trの表面に取り付けられた複数の重量計46a〜46fである。複数の検出手段による検出結果は、支持台41sに組体60が載置された後、支持台41sに取り付けられた複数の重量計46a〜46fによって検出される。   The detecting means is, for example, a plurality of weighing scales 46a to 46f attached to the surface of the tray mounting portion 41tr of the support base 41s. The detection results obtained by the plurality of detection means are detected by the plurality of weighing scales 46a to 46f attached to the support base 41s after the assembly 60 is placed on the support base 41s.

図5(a)に示すトレイ62およびマスク63の状態は、図4に例示された状態と同じである。マスク63は、トレイ62のマスク支持部62bに重ね合わされた状態で、トレイ62に嵌合されている。この状態を、マスク63とトレイ62との位置関係の正常状態とする。   The state of the tray 62 and the mask 63 shown in FIG. 5A is the same as the state illustrated in FIG. The mask 63 is fitted to the tray 62 in a state of being superimposed on the mask support portion 62 b of the tray 62. This state is a normal state of the positional relationship between the mask 63 and the tray 62.

すなわち、図4および図5(a)においては、トレイ62は、支持台41sのトレイ載置部41trの上に載置されている。基板61は、トレイ62の基板支持部62a上に載置されている。マスク支持部62bの内周面によって基板61の径方向の位置ずれが規制されている。マスク63はトレイ62のマスク支持部62bの上に載置されつつ、重ね合わされている。マスク63がマスク支持部62bに重ね合わされた状態で、マスク63は、基板支持部62aも含むトレイ62のすべてを覆っている。さらに、マスク63は、基板61の外縁部を覆っている。リブ63rの内周側にトレイ62が収まることでトレイ62とマスク63との径方向の相互の位置ずれが規制されている。   That is, in FIG. 4 and FIG. 5A, the tray 62 is placed on the tray placement portion 41tr of the support base 41s. The substrate 61 is placed on the substrate support portion 62 a of the tray 62. The positional deviation in the radial direction of the substrate 61 is restricted by the inner peripheral surface of the mask support portion 62b. The mask 63 is superposed while being placed on the mask support portion 62 b of the tray 62. With the mask 63 superimposed on the mask support 62b, the mask 63 covers all of the tray 62 including the substrate support 62a. Further, the mask 63 covers the outer edge portion of the substrate 61. Since the tray 62 is accommodated on the inner peripheral side of the rib 63r, the mutual displacement of the tray 62 and the mask 63 in the radial direction is restricted.

マスク63とトレイ62との位置関係が正常状態では、マスク63がトレイ62上に載置された状態で、マスク63の第1中心点63cと、トレイ62の第2中心点62cと、は、略重なっている。   When the positional relationship between the mask 63 and the tray 62 is normal, the first center point 63c of the mask 63 and the second center point 62c of the tray 62 are in a state where the mask 63 is placed on the tray 62. It is almost overlapping.

このような状態では、重量計46a〜46fのそれぞれには、略同じ重量が加重され、重量計46a〜46fのそれぞれによって検出された重量値はほぼ同じになる。換言すれば、重量計46a〜46fに加重されている重量が略同じであって、許容値内であれば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態にある。そして、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にある場合は、基板61に対する真空処理を実施する。   In such a state, substantially the same weight is applied to each of the weighing scales 46a to 46f, and the weight values detected by each of the weighing scales 46a to 46f are substantially the same. In other words, if the weights applied to the weigh scales 46a to 46f are substantially the same and within the allowable value, the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state. When the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state, a vacuum process is performed on the substrate 61.

これに対し、図5(b)では、マスク63の第1中心点63cと、トレイ62の第2中心点62cと、がずれている。この“ずれ”は、例えば、マスク63がトレイ62に充分に嵌め合わされず、マスク63がトレイ62から外れたときに起きる。   On the other hand, in FIG. 5B, the first center point 63 c of the mask 63 and the second center point 62 c of the tray 62 are shifted. This “deviation” occurs, for example, when the mask 63 is not sufficiently fitted to the tray 62 and the mask 63 is detached from the tray 62.

このような状態では、重量計46a〜46fのそれぞれには、略同じ重量が加重されない。例えば、重量値は、重量計46e側ほど高く、重量計46b側ほど低くなる。従って、重量計46a〜46fのそれぞれによって検出された値にはばらつきが生じる。換言すれば、重量計46a〜46fに加重されている重量が略同じであって、許容値外でないならば、トレイ62と、マスク63と、は正常でない状態にある。そして、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にない場合は、基板61に対する真空処理を中断する。中断した場合は、基板61、トレイ62、およびマスク63を直ちに、ロードロック室20に戻し、トレイ62とマスク63との位置関係を正常状態に復元する。あるいは、エラーとして停止する。   In such a state, substantially the same weight is not applied to each of the weighing scales 46a to 46f. For example, the weight value is higher on the side of the weighing scale 46e and lower on the side of the weighing scale 46b. Therefore, the values detected by the weight scales 46a to 46f vary. In other words, if the weights applied to the weigh scales 46a to 46f are substantially the same and are not outside the allowable value, the tray 62 and the mask 63 are in an abnormal state. When the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is not in a normal state, the vacuum processing for the substrate 61 is interrupted. When interrupted, the substrate 61, the tray 62, and the mask 63 are immediately returned to the load lock chamber 20, and the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is restored to a normal state. Or it stops as an error.

仮に、マスク63とトレイ62との位置関係が正常状態にない状態で、基板61、トレイ62、およびマスク63を搬送室10を介して、各真空処理室41〜44に搬送すると、基板61の欠け、マスク63自体が搬送室10、真空処理室41〜44、または真空ゲート弁41V〜44Vのいずれかにおいて落下する可能性がある。   If the substrate 61, the tray 62, and the mask 63 are transferred to the vacuum processing chambers 41 to 44 via the transfer chamber 10 in a state where the positional relationship between the mask 63 and the tray 62 is not in a normal state, There is a possibility that the chip 63 or the mask 63 itself falls in any one of the transfer chamber 10, the vacuum processing chambers 41 to 44, or the vacuum gate valves 41V to 44V.

基板61の欠けが静電吸着面41aに付着すると、静電吸着面41aに吸着される基板61が欠けによって損傷を受ける場合がある。また、真空処理装置1内でのマスク63の落下は、真空処理装置1内の部材に損傷を与える場合がある。その結果、製造工程の遅延、製造コスト上昇を招来してしまう。   If the chip of the substrate 61 adheres to the electrostatic adsorption surface 41a, the substrate 61 adsorbed on the electrostatic adsorption surface 41a may be damaged by the chip. Further, the dropping of the mask 63 in the vacuum processing apparatus 1 may damage members in the vacuum processing apparatus 1. As a result, the manufacturing process is delayed and the manufacturing cost is increased.

真空処理装置1では、真空処理室41〜44において、事前に、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出できる。従って、基板61の欠け、マスク63自体の落下を事前に予防できる。従って、製造工程の遅延、製造コスト上昇が抑えられる。   In the vacuum processing apparatus 1, it can be detected in advance in the vacuum processing chambers 41 to 44 whether or not the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state. Therefore, chipping of the substrate 61 and dropping of the mask 63 itself can be prevented in advance. Therefore, the delay of the manufacturing process and the increase in manufacturing cost can be suppressed.

真空処理装置1では、真空処理室41〜44において、基板61が真空処理されている最中にも、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出できる。 従来の真空処理装置のように、真空処理装置外に光センサを取り付ける構造では、真空処理の最中には、窓材の汚染を回避するために、窓材を遮蔽しなければならなかった。このため、真空処理の最中には、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出できなかった。   The vacuum processing apparatus 1 can detect whether or not the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state in the vacuum processing chambers 41 to 44 while the substrate 61 is being vacuum processed. In a structure in which an optical sensor is attached outside the vacuum processing apparatus as in a conventional vacuum processing apparatus, the window material must be shielded during the vacuum processing in order to avoid contamination of the window material. For this reason, during the vacuum processing, it has not been possible to detect whether the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state.

また、従来の真空処理装置のように、真空処理装置外に光センサを取り付ける構造では、光センサの取り付け場所の自由度が真空ポート、圧力計、真空ライン、電極等が配置により制約を受ける場合があった。   Also, in the structure where the optical sensor is attached outside the vacuum processing device as in the conventional vacuum processing device, the degree of freedom of the mounting location of the optical sensor is restricted by the arrangement of the vacuum port, pressure gauge, vacuum line, electrode, etc. was there.

真空処理装置1においては、基板61に真空処置の最中には、重量計46a〜46fは、トレイ62によって覆われている。従って、真空処理を長く継続しても、重量計46a〜46fの表面に被膜は形成されない。   In the vacuum processing apparatus 1, the weight scales 46 a to 46 f are covered with the tray 62 during the vacuum treatment on the substrate 61. Therefore, even if the vacuum treatment is continued for a long time, no film is formed on the surfaces of the weighing scales 46a to 46f.

重量計46a〜46fは、真空処理装置1の内部に取り付けるので、上述したセンサ用の窓部材、遮蔽機構を要しない。従って、真空処理装置1は、より簡便な構造になり、真空処理装置のコスト上昇が抑制される。
続いて、検出手段の変形例について説明する。以下に示す変形例においても第1実施形態と同様の効果を奏する。
Since the weighing scales 46a to 46f are attached to the inside of the vacuum processing apparatus 1, the above-described sensor window member and shielding mechanism are not required. Therefore, the vacuum processing apparatus 1 has a simpler structure, and the cost increase of the vacuum processing apparatus is suppressed.
Subsequently, a modified example of the detection means will be described. The following modification also has the same effect as the first embodiment.

(第2実施形態)
図6は、第2実施形態に係る真空処理装置の模式図であり、(a)は、真空処理室の平面模式図であり、(b)は、(a)のY−Y’位置での断面模式図である。図6(a)には、真空処理室47内の支持台41s付近を透過した状態が示されている。図6(a)には、図6(b)に表示した基板61、トレイ62、およびマスク63が表示されていない。
(Second Embodiment)
FIG. 6 is a schematic diagram of a vacuum processing apparatus according to the second embodiment, (a) is a schematic plan view of a vacuum processing chamber, and (b) is a YY ′ position in (a). It is a cross-sectional schematic diagram. FIG. 6A shows a state where the vicinity of the support base 41 s in the vacuum processing chamber 47 is transmitted. In FIG. 6A, the substrate 61, the tray 62, and the mask 63 shown in FIG. 6B are not displayed.

真空処理室47の基本構造は、真空処理室41の基本構造と同じである。但し、真空処理室47においては、リフタ41lfのそれぞれのピン部41pの上端部に重量計46a、46b、46cが取り付けられている。第2実施形態においては、複数のピン部41pのそれぞれの先端に取り付けられた重量計46a、46b、46cが検出手段になっている。すなわち、複数の検出手段による検出結果は、リフタ41lfの複数のピン部41pの上に組体60が載置された後、リフタ41lfの複数のピン部41pのそれぞれの先端に取り付けられた重量計46a、46b、46cによって検出される。   The basic structure of the vacuum processing chamber 47 is the same as the basic structure of the vacuum processing chamber 41. However, in the vacuum processing chamber 47, weigh scales 46a, 46b, and 46c are attached to the upper ends of the respective pin portions 41p of the lifter 41lf. In the second embodiment, the weigh scales 46a, 46b, 46c attached to the respective tips of the plurality of pin portions 41p are detection means. That is, the detection results obtained by the plurality of detecting means are the weight scales attached to the respective tips of the plurality of pin portions 41p of the lifter 41lf after the assembly 60 is placed on the plurality of pin portions 41p of the lifter 41lf. Detected by 46a, 46b, 46c.

トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態では、重量計46a、46b、46cのそれぞれには、許容値内の重量が加重され、重量計46a、46b、46cのそれぞれによって検出された重量値は許容値内になる。換言すれば、重量計46a、46b、46cに加重されている重量が略同じであって、許容値内であれば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態にあると判断できる。   When the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is normal, the weights 46a, 46b, and 46c are respectively weighted within the allowable values, and the weight values detected by the weight scales 46a, 46b, and 46c, respectively. Is within the tolerance. In other words, it can be determined that the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state if the weights applied to the weigh scales 46a, 46b, and 46c are substantially the same and are within an allowable value.

トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にないときは、重量計46a、46b、46cのそれぞれには、許容値内の重量が加重されない。重量計46a、46b、46cのそれぞれによって検出された重量値は許容値外の値を示す。換言すれば、重量計46a、46b、46cに加重されている重量が許容値外の値を示せば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態でないと判断できる。   When the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is not in a normal state, the weight within the allowable value is not applied to each of the weighing scales 46a, 46b, and 46c. The weight value detected by each of the weigh scales 46a, 46b, 46c is a value outside the allowable value. In other words, if the weights applied to the weigh scales 46a, 46b, and 46c indicate values outside the allowable values, it can be determined that the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is not in a normal state.

このように第2実施形態に係る検出手段は、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出することができる。   As described above, the detection unit according to the second embodiment can detect whether or not the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state.

重量計46a、46b、46cに接続されたケーブルは、ピン部41pの内部、テーブル部41tbの内部、および昇降機構41maの内部を通じて、真空処理室47の外部に設けられた測定器に接続されている。   The cables connected to the weigh scales 46a, 46b, and 46c are connected to a measuring device provided outside the vacuum processing chamber 47 through the inside of the pin portion 41p, the inside of the table portion 41tb, and the inside of the lifting mechanism 41ma. Yes.

ピン部41pの数については、図示する数に限られない。また、複数のピン部41pのそれぞれは、等間隔で周期的に配置されてもよく、非周期的に配置されてもよい。複数のピン部41pのそれぞれに、重量計が取りけられる。   The number of pin portions 41p is not limited to the number illustrated. In addition, each of the plurality of pin portions 41p may be periodically arranged at equal intervals or may be aperiodically arranged. A weight scale can be attached to each of the plurality of pin portions 41p.

(第3実施形態)
図7は、第3実施形態に係る真空処理装置の平面模式図である。
図8は、図7のZ−Z’断面図であり、(a)は、トレイとマスクとの位置関係が正常状態にある図、(b)は、トレイとマスクとの位置関係が正常状態にない状態の図である。
(Third embodiment)
FIG. 7 is a schematic plan view of a vacuum processing apparatus according to the third embodiment.
8 is a cross-sectional view taken along the line ZZ ′ of FIG. 7. FIG. 8A is a diagram in which the positional relationship between the tray and the mask is in a normal state, and FIG. 8B is a diagram in which the positional relationship between the tray and the mask is in a normal state. FIG.

図7には、真空処理室48内の支持台41s付近を透過した状態が示されている。図7には、図8に表示した基板61、トレイ62、およびマスク63が表示されていない。   FIG. 7 shows a state in which the vicinity of the support base 41 s in the vacuum processing chamber 48 is transmitted. In FIG. 7, the substrate 61, the tray 62, and the mask 63 displayed in FIG. 8 are not displayed.

図7に示す真空処理室48の基本構造は、真空処理室41の基本構造と同じである。但し、真空処理室48においては、支持台41sのトレイ載置部41trに、複数の光放出部70a〜70fが取り付けられている。さらに、支持台41sのトレイ載置部41trには、複数の光放出部70a〜70fのそれぞれに隣接する、各受光部71a〜71fが取り付けられている。   The basic structure of the vacuum processing chamber 48 shown in FIG. 7 is the same as the basic structure of the vacuum processing chamber 41. However, in the vacuum processing chamber 48, a plurality of light emitting portions 70a to 70f are attached to the tray mounting portion 41tr of the support base 41s. Furthermore, the light receiving parts 71a to 71f adjacent to the light emitting parts 70a to 70f are attached to the tray mounting part 41tr of the support base 41s.

光放出部70a〜70fは、例えば、半導体レーザ、LED(Light Emitting Diode)等の半導体発光素子等である。受光部71a〜71fは、例えば、電荷結合素子等の光センサである。   The light emitting units 70a to 70f are, for example, semiconductor light emitting elements such as semiconductor lasers and LEDs (Light Emitting Diodes). The light receiving portions 71a to 71f are optical sensors such as charge coupled devices, for example.

第3実施形態に係る検出手段は、支持台41sのトレイ載置部41trに取り付けられた複数の光放出部70a〜70fと、複数の光放出部70a〜70fのそれぞれから放出される光がマスク63に照射し、マスク63から反射される光を受光するそれぞれの受光部71a〜71fと、を含む。光放出部70a〜70fのそれぞれは、光放出部70a〜70fのそれぞれから放出される光70pがマスク63の外端部63eに当たるように配置されている。複数の検出手段による検出結果は、支持台41sに組体60が載置された後、支持台41に取り付けられた複数の光放出部70a〜70fのそれぞれから放出される光がマスク63に照射し、マスク63から反射される光を光受光部71a〜71fのそれぞれが受光することによって検出される。   The detection unit according to the third embodiment is configured to mask light emitted from each of the plurality of light emitting units 70a to 70f attached to the tray mounting unit 41tr of the support base 41s and the plurality of light emitting units 70a to 70f. 63, and light receiving portions 71a to 71f that receive the light reflected from the mask 63. Each of the light emitting portions 70 a to 70 f is arranged so that light 70 p emitted from each of the light emitting portions 70 a to 70 f hits the outer end portion 63 e of the mask 63. As a result of detection by the plurality of detection means, after the assembly 60 is placed on the support base 41s, the light emitted from each of the plurality of light emitting portions 70a to 70f attached to the support base 41 is irradiated onto the mask 63. The light reflected from the mask 63 is detected by each of the light receiving portions 71a to 71f receiving light.

例えば、図8(a)の正常状態においては、光放出部70dから放出された光70pは、マスク63の外端部63eを照射する。光70pは、外端部63eによって、受光部71d側に反射する。受光部71dは、この反射された光70pを受光する。すなわち、トレイ62とマスクとの位置関係が正常状態にあるときは、光放出部70a〜70fのそれぞれから放出される光は、受光部71a〜71fのそれぞれによって受光される。この場合、受光部71a〜71fのそれぞれによって受光される光強度は略同じである。   For example, in the normal state of FIG. 8A, the light 70p emitted from the light emitting portion 70d irradiates the outer end portion 63e of the mask 63. The light 70p is reflected to the light receiving portion 71d side by the outer end portion 63e. The light receiving unit 71d receives the reflected light 70p. That is, when the positional relationship between the tray 62 and the mask is in a normal state, light emitted from each of the light emitting units 70a to 70f is received by each of the light receiving units 71a to 71f. In this case, the light intensity received by each of the light receiving portions 71a to 71f is substantially the same.

これに対し、図8(b)に示すように、マスク63がトレイ62から外れた場合は、光放出部70dから放出された光70pは、マスク63の外端部63eを照射せず、真空処理室48の上方に透過してしまう。上方に透過した光70pは、真空処理室48の上壁等によって反射されるものの、その強度は、外端部63eによって反射された光70pに比べ弱くなる。すなわち、トレイ62とマスクとの位置関係が正常状態にないときは、光放出部70a〜70fのそれぞれから放出される光は、受光部71a〜71fのそれぞれによって受光されものの、受光部71a〜71fのそれぞれによって受光される光強度はばらついてしまう。   On the other hand, as shown in FIG. 8B, when the mask 63 is removed from the tray 62, the light 70p emitted from the light emitting portion 70d does not irradiate the outer end portion 63e of the mask 63, and the vacuum is released. The light passes through the processing chamber 48. Although the light 70p transmitted upward is reflected by the upper wall or the like of the vacuum processing chamber 48, the intensity thereof is weaker than that of the light 70p reflected by the outer end 63e. That is, when the positional relationship between the tray 62 and the mask is not in a normal state, the light emitted from each of the light emitting units 70a to 70f is received by each of the light receiving units 71a to 71f, but the light receiving units 71a to 71f. The intensity of light received by each of these varies.

このように第3実施形態に係る検出手段は、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出することができる。   Thus, the detection unit according to the third embodiment can detect whether or not the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state.

光放出部70a〜70fのそれぞれ、および受光部71a〜71fのそれぞれには、電気配線が接続されている。それぞれの電気配線は、支持台41sの回転軸41raの内部を通されて、回転軸41raの端部でスリップリングを介して、真空処理室48の外部に設けられた測定器に接続されている。なお、電気配線に代えて、光ファイバを用いてもよい。   Electrical wiring is connected to each of the light emitting portions 70a to 70f and each of the light receiving portions 71a to 71f. Each electric wiring passes through the inside of the rotating shaft 41ra of the support base 41s, and is connected to a measuring instrument provided outside the vacuum processing chamber 48 through a slip ring at the end of the rotating shaft 41ra. . An optical fiber may be used instead of the electrical wiring.

光放出部および受光部の数については、図示する数に限られない。また、複数の光放出部および受光部のそれぞれは、等間隔で周期的に配置されてもよく、非周期的に配置されてもよい。   The numbers of the light emitting units and the light receiving units are not limited to the numbers illustrated. In addition, each of the plurality of light emitting units and light receiving units may be periodically arranged at regular intervals, or may be arranged aperiodically.

(第4実施形態)
図9は、第4実施形態に係る真空処理装置の斜視模式図であり、(a)は、搬送室内に設けられた真空ロボットの搬送アームの斜視模式図、(b)は、搬送アームが基板、トレイ、およびマスクが一組になった組体を支持する状態の斜視模式図である。
(Fourth embodiment)
FIG. 9 is a schematic perspective view of a vacuum processing apparatus according to the fourth embodiment. FIG. 9A is a schematic perspective view of a transfer arm of a vacuum robot provided in the transfer chamber, and FIG. It is a perspective schematic diagram of the state which supports the assembly with which the tray and the mask became one set.

第4実施形態に係る検出手段は、真空ロボット50の搬送アーム51の表面に取り付けられた複数の重量計75a〜75eである。搬送室10内には、マスク63がトレイ62から外れた状態を検出可能な検出手段が取り付けられている。複数の検出手段による検出結果は、搬送アーム51の表面に取り付けられた複数の重量計75a〜75eによって検出される。   The detection means according to the fourth embodiment is a plurality of weighing scales 75 a to 75 e attached to the surface of the transfer arm 51 of the vacuum robot 50. Detection means capable of detecting the state in which the mask 63 is detached from the tray 62 is attached in the transfer chamber 10. The detection results by the plurality of detection means are detected by a plurality of weighing scales 75a to 75e attached to the surface of the transfer arm 51.

基板61、トレイ62、およびマスク63が一組になった組体60が搬送アーム51によって搬送されている際には、組体60は、搬送アーム51によって支持されている。   When the assembly 60 including the substrate 61, the tray 62, and the mask 63 is transported by the transport arm 51, the assembly 60 is supported by the transport arm 51.

トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態では、重量計75a〜75eのそれぞれには、略同じ重量が加重され、重量計75a〜75eのそれぞれによって検出された重量値はほぼ同じになる。換言すれば、重量計75a〜75eに加重されている重量が略同じてあって、許容値内であれば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態にあると判断できる。   When the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is normal, substantially the same weight is applied to each of the weighing scales 75a to 75e, and the weight values detected by the weighing scales 75a to 75e are substantially the same. In other words, if the weights applied to the weigh scales 75a to 75e are substantially the same and within the allowable value, it can be determined that the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state.

トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にないときは、重量計75a〜75eのそれぞれには、許容値内の重量が加重されない。重量計75a〜75eのそれぞれによって検出された重量値は違う値を示す。換言すれば、重量計75a〜75eに加重されている重量が許容値外の値を示せば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態でないと判断できる。   When the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is not in a normal state, the weight within the allowable value is not applied to each of the weight scales 75a to 75e. The weight values detected by each of the weigh scales 75a to 75e show different values. In other words, if the weights applied to the weigh scales 75a to 75e indicate a value outside the allowable value, it can be determined that the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is not in a normal state.

このように第4実施形態に係る検出手段は、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出することができる。   As described above, the detection unit according to the fourth embodiment can detect whether or not the positional relationship between the tray 62 and the mask 63 is in a normal state.

重量計75a〜75eに接続されたケーブルは、真空ロボット50の内部を通じて、搬送室10の外部に設けられた測定器に接続されている。   Cables connected to the weigh scales 75 a to 75 e are connected to a measuring instrument provided outside the transfer chamber 10 through the vacuum robot 50.

重量計の数については、図示する数に限られない。また、複数の重量計のそれぞれは、等間隔で周期的に配置されてもよく、非周期的に配置されてもよい。   The number of weigh scales is not limited to the number shown. In addition, each of the plurality of weighing scales may be periodically arranged at regular intervals, or may be arranged aperiodically.

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。   The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. In other words, those specific examples that have been appropriately modified by those skilled in the art are also included in the scope of the present invention as long as they have the characteristics of the present invention. Each element included in each of the specific examples described above and their arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be appropriately changed.

また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
In addition, each element included in each of the above-described embodiments can be combined as long as technically possible, and combinations thereof are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
In addition, in the category of the idea of the present invention, those skilled in the art can conceive of various changes and modifications, and it is understood that these changes and modifications also belong to the scope of the present invention. .

1 真空処理装置
10 搬送室
20 ロードロック室
21 大気ゲート弁
22、30V、41V、42V、43V、44V 真空ゲート弁
30 前処理室
41、42、43、44、47、48 真空処理室
41a 静電吸着面
41b 基体
41d セラミック板
41h ガイド孔
41lf リフタ
41ma 昇降機構
41mb シャッター機構
41p ピン部
41ra、41rb 回転軸
41s 支持台
41sp 放電空間
41st シャッター板
41tb テーブル部
41tr トレイ載置部
41w 真空壁
45 スパッタ源
45c ケース
45t ターゲット
46a、46b、46c、46d、46e、46f、75a、75b、75c、75d、75e 重量計
50 真空ロボット
51 搬送アーム
60 組体
61 基板
62 トレイ
62a 基板支持部
62b マスク支持部
62c、63c 中心点
62t 溝部
63 マスク
63e 外端部
63r リブ
70a、70b、70c、70d、70e、70f 光放出部
70p 光
71a、71b、71c、71d、71e、71f 受光部
80 判断手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum processing apparatus 10 Transfer chamber 20 Load lock chamber 21 Atmospheric gate valve 22, 30V, 41V, 42V, 43V, 44V Vacuum gate valve 30 Pre-processing chamber 41, 42, 43, 44, 47, 48 Vacuum processing chamber 41a Electrostatic Adsorption surface 41b Substrate 41d Ceramic plate 41h Guide hole 41lf Lifter 41ma Lifting mechanism 41mb Shutter mechanism 41p Pin part 41ra, 41rb Rotating shaft 41s Support base 41sp Discharge space 41st Shutter plate 41tb Table part 41tr Tray mounting part 41w Vacuum wall 45 Sputter source 45 Case 45t Target 46a, 46b, 46c, 46d, 46e, 46f, 75a, 75b, 75c, 75d, 75e Weigh scale 50 Vacuum robot 51 Transport arm 60 Assembly 61 Substrate 62 Tray 62a Substrate support 62 b Mask support part 62c, 63c Center point 62t Groove part 63 Mask 63e Outer end part 63r Rib 70a, 70b, 70c, 70d, 70e, 70f Light emitting part 70p Light 71a, 71b, 71c, 71d, 71e, 71f Light receiving part 80 Judgment means

Claims (10)

基板を真空処理する真空処理室と、
前記基板と、前記基板を載置可能なトレイと、前記トレイに載置されるマスクと、からなる組体と、
前記組体を前記真空処理室内に搬送する搬送アームと、
前記真空処理室内に設置され、前記組体を支持する支持台と、
前記真空処理室内に設置され、前記搬送アームと前記支持台の間で前記組体を移動させるリフタと、
を備え、
前記組体の状態を検出可能な複数の検出手段を有し、
前記検出手段からの複数の検出結果によって前記マスクと前記トレイとの位置がずれた状態と判断する判断手段が設けられたことを特徴とする真空処理装置。
A vacuum processing chamber for vacuum processing the substrate;
An assembly comprising the substrate, a tray on which the substrate can be placed, and a mask placed on the tray;
A transfer arm for transferring the assembly into the vacuum processing chamber;
A support base installed in the vacuum processing chamber and supporting the assembly;
A lifter installed in the vacuum processing chamber for moving the assembly between the transfer arm and the support;
With
A plurality of detection means capable of detecting the state of the assembly;
A vacuum processing apparatus, comprising: a determination unit configured to determine that the positions of the mask and the tray are shifted based on a plurality of detection results from the detection unit.
前記検出手段は、前記支持台に取り付けられた複数の重量計を含むことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。   The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the detection unit includes a plurality of weighing scales attached to the support base. 前記リフタは、前記トレイの下面に接触可能な複数のピン部を有し、
前記検出手段は、前記複数のピン部のそれぞれの先端に取り付けられた重量計を含むことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。
The lifter has a plurality of pin portions that can contact the lower surface of the tray,
The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the detection unit includes a weight meter attached to each tip of the plurality of pin portions.
前記検出手段は、前記支持台に取り付けられた複数の光放出部と、前記複数の光放出部のそれぞれから放出される光が前記マスクに照射し前記マスクから反射される前記光を受光するそれぞれの受光部と、を含むことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。   The detection means receives a plurality of light emitting portions attached to the support base and light emitted from each of the plurality of light emitting portions and receiving the light reflected from the mask. The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising: a light receiving unit. 前記検出手段は、前記搬送アームの表面に取り付けられた複数の重量計を含むことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。   The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the detection unit includes a plurality of weighing scales attached to a surface of the transfer arm. 請求項1に係る真空処理装置において、
前記複数の検出結果のそれぞれの値のばらつきが許容値内にないときは、前記トレイと前記マスクとの位置がずれていると判断し、
前記真空処理を停止させることを特徴とする真空処理方法。
In the vacuum processing apparatus according to claim 1,
When the variation of each value of the plurality of detection results is not within an allowable value, it is determined that the position of the tray and the mask is shifted,
A vacuum processing method, wherein the vacuum processing is stopped.
前記複数の検出結果は、前記支持台に前記組体が載置された後、前記支持台に取り付けられた複数の重量計によって検出されることを特徴とする請求項6記載の真空処理方法。   The vacuum processing method according to claim 6, wherein the plurality of detection results are detected by a plurality of weighing scales attached to the support base after the assembly is placed on the support base. 前記複数の検出結果は、前記リフタの複数のピンの上に前記組体が載置された後、前記リフタの前記複数のピン部のそれぞれの先端に取り付けられた重量計によって検出されることを特徴とする請求項6記載の真空処理方法。   The plurality of detection results are detected by a weighing scale attached to each tip of the plurality of pin portions of the lifter after the assembly is placed on the plurality of pins of the lifter. The vacuum processing method according to claim 6. 前記複数の検出結果は、前記支持台に前記組体が載置された後、前記支持台に取り付けられた複数の光放出部のそれぞれから放出される光が前記マスクに照射し前記マスクから反射される前記光を受光部のそれぞれが受光することによって検出されることを特徴とする請求項6記載の真空処理方法。   The plurality of detection results are reflected from the mask by irradiating the mask with light emitted from each of a plurality of light emitting units attached to the support after the assembly is placed on the support. The vacuum processing method according to claim 6, wherein each of the light receiving units receives the light to be detected. 前記複数の検出結果は、前記搬送アームの表面に取り付けられた複数の重量計によって検出されることを特徴とする請求項6記載の真空処理方法。   The vacuum processing method according to claim 6, wherein the plurality of detection results are detected by a plurality of weighing scales attached to a surface of the transfer arm.
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