JP2012173367A - Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film and pattern forming method using the composition - Google Patents

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film and pattern forming method using the composition Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition excellent in all of line edge roughness, pattern features, followability for an immersion liquid and dry etching durability, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.SOLUTION: The radiation-sensitive resin composition contains: (A) a resin having a repeating unit expressed by general formula (I-1) or (I-2); and (C) a compound, which has a molar absorption coefficient ε, at a wavelength of 193 nm measured in an acetonitrile solvent, of a relative ratio of 0.8 or less with respect to triphenylsulfonium nonafluorobutane sulfonate and which generates an acid by irradiation with radiation. In general formulae (I-1) and (I-2), ARand ARrepresent an aromatic group; Rrepresents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group; Aand Aeach independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group; and Z represents a linking group to form a ring together with C-AR.

Description

本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法に関する。より詳細には、本発明は、例えば、超LSI及び高容量マイクロチップの製造プロセス、ナノインプリント用モールド作成プロセス並びに高密度情報記録媒体の製造プロセス等に適用可能な超マイクロリソグラフィプロセス、並びにその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法に関する。特には、本発明は、波長が300nm以下の遠紫外線光を光源とする液浸式投影露光装置を用いた露光に好適な組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法に関する。   The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a resist film using the composition, and a pattern forming method. More specifically, the present invention relates to an ultra-microlithography process applicable to, for example, a manufacturing process of a VLSI and a high-capacity microchip, a process for producing a mold for nanoimprinting and a manufacturing process of a high-density information recording medium, and other photo processing. The present invention relates to a composition suitably used for a fabrication process, and a resist film and a pattern forming method using the composition. In particular, the present invention relates to a composition suitable for exposure using an immersion projection exposure apparatus using far ultraviolet light having a wavelength of 300 nm or less as a light source, and a resist film and a pattern forming method using the same.

化学増幅レジスト組成物は、遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。
KrFエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として248nm領域での吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とする樹脂を主成分に使用するため、高感度、高解像度で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。
一方、更なる短波長の光源、例えばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため、上記化学増幅系でも十分ではなかった。
このため、脂環炭化水素構造を有する樹脂を含有するArFエキシマレーザー用レジストが開発されてきている。ところが、レジストとしての総合性能の観点から、使用される樹脂、酸発生剤、添加剤及び溶剤等の適切な組み合わせを見い出すことは極めて困難である。
これらのレジストに関して、これまで酸分解性基として芳香環を有する酸分解性アクリレートモノマーを共重合した酸分解性樹脂を用いたレジスト組成物がいくつか知られている。それらについては、例えば、特許文献1、2に開示されたレジスト組成物等を挙げることができるが、193nm領域での吸収が高く、パターン形状に課題が残る。
また、この化学増幅機構を用いたArFエキシマレーザー用レジストは、現在主流になりつつあるが、スキャン式の液浸露光機を用いて露光する場合には、レンズの移動に追随して液浸液も移動しないと露光スピードが低下するため、生産性に影響を与えることが懸念される。例えば、液浸液が水である場合においては、レジスト膜は疎水的である方が液浸液追随性が良好であり望まれていたが、このような要求を満たし、かつラインエッジラフネス、パターン形状、ドライエッジング耐性のいずれをも満足し得るレジスト膜を形成するレジスト組成物が求められているのが現状である。
The chemically amplified resist composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and the acid-catalyzed reaction changes the solubility of the active radiation irradiated area and non-irradiated area in the developer. And a pattern forming material for forming a pattern on the substrate.
When a KrF excimer laser is used as an exposure light source, a resin having a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) having a small absorption mainly in the 248 nm region is used as a main component. A pattern is formed, which is a better system than the conventional naphthoquinone diazide / novolak resin system.
On the other hand, when a further short wavelength light source, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source, the compound having an aromatic group exhibits a large absorption in the 193 nm region. It wasn't.
For this reason, an ArF excimer laser resist containing a resin having an alicyclic hydrocarbon structure has been developed. However, it is extremely difficult to find an appropriate combination of resin, acid generator, additive, solvent, and the like used from the viewpoint of the overall performance as a resist.
Regarding these resists, several resist compositions using acid-decomposable resins obtained by copolymerizing acid-decomposable acrylate monomers having an aromatic ring as an acid-decomposable group have been known so far. For example, the resist compositions disclosed in Patent Documents 1 and 2 can be cited, but the absorption in the 193 nm region is high, and problems remain in the pattern shape.
In addition, ArF excimer laser resists using this chemical amplification mechanism are now becoming mainstream, but when exposure is performed using a scanning immersion exposure machine, the immersion liquid follows the movement of the lens. However, if it does not move, the exposure speed decreases, which may affect the productivity. For example, in the case where the immersion liquid is water, it has been desired that the resist film be hydrophobic so that the immersion liquid has good follow-up characteristics. Currently, there is a demand for a resist composition that forms a resist film that can satisfy both shape and dry edging resistance.

特開2007−279699号公報JP 2007-279699 A 特開2008−96951号公報JP 2008-96951 A

本発明の目的は、ラインエッジラフネス、パターン形状、液浸液追随性及びドライエッジング耐性のいずれにも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in all of line edge roughness, pattern shape, immersion liquid followability and dry edging resistance, and a resist film and a pattern forming method using the same Is to provide.

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。
本発明は、例えば、以下の通りである。
〔1〕
(A)下記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び
(C)アセトニトリル溶媒中で測定した波長193nmにおけるモル吸光係数εが、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートに対する相対比で0.8以下である活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have completed the present invention.
For example, the present invention is as follows.
[1]
(A) A resin containing a repeating unit represented by the following general formula (I-1) or (I-2), and (C) a molar extinction coefficient ε at a wavelength of 193 nm measured in an acetonitrile solvent is triphenylsulfonium. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation in a relative ratio to nonafluorobutanesulfonate of 0.8 or less.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記一般式(I−1)及び(I−2)中、
ARは、芳香族基を表す。
ARは、芳香族基を表す。
は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
及びAは、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
Zは一般式(I−2)中のC−ARとともに環を形成する連結基を表す。
〔2〕
前記化合物(C)が、下記一般式(II−1)又は(II−2)で表される化合物である、〔1〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
In the general formulas (I-1) and (I-2),
AR 1 represents an aromatic group.
AR 2 represents an aromatic group.
R 1 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
A 1 and A 2 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.
Z represents a linking group that forms a ring together with C-AR 2 in formula (I-2).
[2]
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to [1], wherein the compound (C) is a compound represented by the following general formula (II-1) or (II-2).

Figure 2012173367

上記一般式中、
Raは各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。2個のRaが互いに結合して環を形成してもよく、該環は芳香族環又は飽和炭化水素環と縮環していてもよい。
20は、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。複数のR20が存在する場合、複数のR20は同一であっても異なっていてもよい。
は−CR21=CR22−、−NR23−、−S−又は−O−を表す。
21及びR22は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基又はシクロアルキル基を有する基を表す。
23は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアシル基を表す。
24はアリール基を表す。
25及びR26は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はシアノ基を表す。
27及びR28は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
25とR26及びR27とR28はそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。
は0〜3の整数を表す。
qは0〜10の整数を表す。
は非求核性アニオンを表す。
〔3〕
前記一般式(II−1)で表される化合物(C)が、下記一般式(ZI−1)で表されるカチオン構造を有する化合物であり、前記一般式(II−2)で表される化合物(C)が、下記一般式(ZI−3)で表されるカチオン構造を有する化合物である、〔2〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2012173367

In the above general formula,
Each Ra independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group. Two Ras may be bonded to each other to form a ring, and the ring may be condensed with an aromatic ring or a saturated hydrocarbon ring.
R 20 represents a group having a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group, or a cycloalkyl group. When a plurality of R 20 are present, the plurality of R 20 may be the same or different.
X 2 is -CR 21 = CR 22 -, - NR 23 -, - S- or an -O-.
R 21 and R 22 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group or a cycloalkyl group. Represents a group having
R 23 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an acyl group.
R 24 represents an aryl group.
R 25 and R 26 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or a cyano group.
R 27 and R 28 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.
R 25 and R 26 and R 27 and R 28 may be connected to each other to form a ring.
n 1 represents an integer of 0 to 3.
q represents an integer of 0 to 10.
Z represents a non-nucleophilic anion.
[3]
The compound (C) represented by the general formula (II-1) is a compound having a cation structure represented by the following general formula (ZI-1), and represented by the general formula (II-2). The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to [2], wherein the compound (C) is a compound having a cation structure represented by the following general formula (ZI-3).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(ZI−1)中、
13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。
14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。
15は各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよく、該環は芳香族環又は飽和炭化水素環と縮環していてもよい。
lは0〜2の整数を表す。
rは0〜10の整数を表す。
In general formula (ZI-1),
R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a group having a cycloalkyl group.
When there are a plurality of R 14 s, each independently represents a group having a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group, or a cycloalkyl group. To express.
R 15 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group. Two R 15 may be bonded to each other to form a ring, and the ring may be condensed with an aromatic ring or a saturated hydrocarbon ring.
l represents an integer of 0-2.
r represents an integer of 0 to 10.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(ZI−3)において、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとR、及びRとRは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
〔4〕
前記樹脂(A)を構成する繰り返し単位の全てが(メタ)アクリレート系繰り返し単位である、〔1〕〜〔3〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔5〕
(B)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔6〕
前記樹脂(A)がラクトン構造を有する繰り返し単位を更に含有する、〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔7〕
前記樹脂(A)が下記一般式(AI)で表される繰り返し単位を更に含有する、〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
In general formula (ZI-3),
R 1c to R 5c are each independently a hydrogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, alkoxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, cycloalkylcarbonyloxy group, halogen atom, hydroxyl group Represents a nitro group, an alkylthio group or an arylthio group.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an aryl group.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.
Any two or more of R 1c to R 5c , R 5c and R 6c , R 6c and R 7c , R 5c and R x , and R x and R y may be bonded to form a ring structure. The ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, or an amide bond.
[4]
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [3], wherein all of the repeating units constituting the resin (A) are (meth) acrylate-based repeating units.
[5]
(B) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [4], further comprising a hydrophobic resin having at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
[6]
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the resin (A) further contains a repeating unit having a lactone structure.
[7]
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the resin (A) further contains a repeating unit represented by the following general formula (AI).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(AI)に於いて、
Xaは、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH−Rで表される基を表す。Rは、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx〜Rxは、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx〜Rxの2つが結合して、シクロアルキル基を形成してもよい。
〔8〕
〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
〔9〕
〔8〕に記載のレジスト膜を露光する工程、及び
前記露光したレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法。
〔10〕
前記露光が液浸露光である、〔9〕に記載のパターン形成方法。
In general formula (AI),
Xa 1 represents a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a hydroxy group or a monovalent organic group.
T represents a single bond or a divalent linking group.
Rx 1 to Rx 3 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Two of Rx 1 to Rx 3 may combine to form a cycloalkyl group.
[8]
A resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [7].
[9]
The pattern formation method including the process of exposing the resist film as described in [8], and the process of developing the exposed resist film.
[10]
The pattern forming method according to [9], wherein the exposure is immersion exposure.

本発明は、更に、下記の構成であることが好ましい。
〔11〕
前記化合物(C)のアセトニトリル溶媒中で測定した波長193nmにおけるモル吸光係数εが、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートに対する相対比で0.5以下である、〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔12〕
前記一般式(I−2)における連結基Zが、下記一般式(I−2−1)で表される、〔1〕〜〔7〕及び〔11〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
The present invention preferably further has the following configuration.
[11]
Any one of [1] to [7], wherein the molar extinction coefficient ε at a wavelength of 193 nm measured in an acetonitrile solvent of the compound (C) is 0.5 or less relative to triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to Item.
[12]
The activity group according to any one of [1] to [7] and [11], wherein the linking group Z in the general formula (I-2) is represented by the following general formula (I-2-1): A light-sensitive or radiation-sensitive resin composition.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記一般式中、
a1は、アルキレン基を表す。
Z’は、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。
*はARに隣接して結合する炭素原子との結合手を表し、**はARとの結合手を表す。
〔13〕
前記一般式(I−1)におけるARが、置換基を有するフェニル基である、〔1〕〜〔7〕、〔11〕及び〔12〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔14〕
前記露光がArFエキシマレーザーによる露光である、〔9〕又は〔10〕に記載のパターン形成方法。
In the above general formula,
R a1 represents an alkylene group.
Z ′ represents a single bond, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond.
* Represents a bond to the carbon atom bonded adjacent the AR 2, ** represents a bond and AR 2.
[13]
The actinic ray-sensitive property according to any one of [1] to [7], [11] and [12], wherein AR 1 in the general formula (I-1) is a phenyl group having a substituent. Radiation sensitive resin composition.
[14]
The pattern forming method according to [9] or [10], wherein the exposure is exposure with an ArF excimer laser.

本発明によれば、ラインエッジラフネス、パターン形状、液浸液追随性及びドライエッジング耐性のいずれにも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供することができる。   According to the present invention, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having excellent line edge roughness, pattern shape, immersion liquid followability and dry edging resistance, and a resist film and a pattern forming method using the same Can be provided.

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本明細書において、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していない「アルキル基」は、置換基を有していないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有しているアルキル基(置換アルキル基)をも包含することとする。
本明細書において、「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外(EUV)線、X線又は電子線(EB)を意味している。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。
本明細書において「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、遠紫外線、X線及びEUV光等による光照射のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
In the present specification, groups and atomic groups that do not clearly indicate substitution or non-substitution include both those having no substituent and those having a substituent. For example, an “alkyl group” that does not clearly indicate substitution or unsubstituted is not only an alkyl group that does not have a substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group that has a substituent (substituted alkyl group) Is also included.
In the present specification, “active light” or “radiation” means, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet (EUV) rays, X rays or electron rays (EB). ing. In the present invention, “light” means actinic rays or radiation.
In this specification, “exposure” means not only light irradiation with a mercury lamp, far ultraviolet rays, X-rays, EUV light, etc., but also drawing with particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified. .

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、
(A)下記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有する樹脂(以下、単に「樹脂(A)」ともいう)、及び
(C)アセトニトリル溶媒中で測定した波長193nmにおけるモル吸光係数εが、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートに対する相対比で0.8以下である活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有する。
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is
(A) A resin containing a repeating unit represented by the following general formula (I-1) or (I-2) (hereinafter, also simply referred to as “resin (A)”), and (C) measured in an acetonitrile solvent The compound which generate | occur | produces an acid by irradiation of the actinic ray or radiation whose molar extinction coefficient (epsilon) in wavelength 193nm is 0.8 or less with respect to triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate is contained.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記一般式(I−1)及び(I−2)中、
ARは、芳香族基を表す。
ARは、芳香族基を表す。
は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
及びAは、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
Zは一般式(I−2)中のC−ARとともに環を形成する連結基を表す。
In the general formulas (I-1) and (I-2),
AR 1 represents an aromatic group.
AR 2 represents an aromatic group.
R 1 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
A 1 and A 2 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.
Z represents a linking group that forms a ring together with C-AR 2 in formula (I-2).

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、ラインエッジラフネス、パターン形状、液浸液追随性及びドライエッジング耐性のいずれにも優れる理由については定かではないが以下のように推定される。
樹脂(A)が前記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有することによりレジスト膜における露光部分と未露光部分との間の溶解コントラスト向上に寄与するものと推定される。さらに、光透過性の優れる化合物(C)と組合わせて使用することにより、理由は定かではないが、優れたラインエッジラフネス及びパターン形状を達成するものと推定される。
また、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、樹脂(A)が前記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有することにより、ドライエッジング耐性と液浸液追随性を両立することが可能となる。より具体的には、樹脂(A)が前記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有することにより、レジスト膜のドライエッチング速度を減少させると共に、後退接触角を向上させることができる。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、例えばポジ型の組成物であり、典型的にはポジ型のレジスト組成物である。以下、この組成物の各成分について説明する。
The reason why the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is excellent in all of line edge roughness, pattern shape, immersion liquid followability and dry edging resistance is not clear, but is estimated as follows. The
Resin (A) contains a repeating unit represented by the general formula (I-1) or (I-2), thereby contributing to improvement in dissolution contrast between an exposed portion and an unexposed portion in the resist film. It is estimated to be. Furthermore, when used in combination with the compound (C) having excellent light transmittance, the reason is not clear, but it is presumed that excellent line edge roughness and pattern shape are achieved.
In addition, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention includes the resin (A) containing a repeating unit represented by the general formula (I-1) or (I-2), It is possible to achieve both dry edging resistance and immersion liquid followability. More specifically, the resin (A) contains the repeating unit represented by the general formula (I-1) or (I-2), thereby reducing the dry etching rate of the resist film and receding contact. The corner can be improved.
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is, for example, a positive composition, typically a positive resist composition. Hereinafter, each component of this composition is demonstrated.

<樹脂(A)>
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上述のように、前記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有する樹脂(A)を含有している。
樹脂(A)は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(酸分解性樹脂)であることが好ましい。
以下、一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位における各基について説明する。
ARについての芳香族基としては、炭素数6〜14の芳香族基が好ましく、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基などが挙げられ、フェニル基又はナフチル基であることがより好ましく、フェニル基であることが更に好ましい。
ARについての芳香族基の具体例としては、上記したARとしての芳香族基の具体例から任意の水素原子を1個除いた基を挙げることができる。
AR及びARは、各々独立に、置換基を有していてもよく、AR及びARが有し得る好ましい置換基としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜10のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数2〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基である。置換基が2以上の時、複数存在する置換基は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基同士が結合して環を形成してもよい。
におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などが挙げられ、炭素数1〜20個の直鎖若しくは分岐状アルキル基であることが好ましい。
におけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられ、炭素数3〜20個のシクロアルキル基であることが好ましい。
についてのアルキル基又はシクロアルキル基が有し得る好ましい置換基としては、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、中でもアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基が好ましい。
におけるアリール基としてはフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基などが挙げられ、炭素数6〜14個のアリール基であることが好ましい。
<Resin (A)>
As described above, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention comprises the resin (A) containing the repeating unit represented by the general formula (I-1) or (I-2). Contains.
The resin (A) is preferably a resin (acid-decomposable resin) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid.
Hereinafter, each group in the repeating unit represented by formula (I-1) or (I-2) will be described.
The aromatic group of AR 1, preferably an aromatic group having 6 to 14 carbon atoms, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and phenanthryl group and the like, more preferably a phenyl group or a naphthyl group, More preferably, it is a phenyl group.
Specific examples of the aromatic group for AR 2 include a group obtained by removing one arbitrary hydrogen atom from the above-described specific examples of the aromatic group as AR 1 .
AR 1 and AR 2 may each independently have a substituent, and preferred substituents that AR 1 and AR 2 may have are alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms, and carbon atoms having 4 to 10 carbon atoms. Cycloalkyl group, a C1-C8 alkoxy group, a C2-C8 alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, etc. are mentioned. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group and a C1-C8 alkoxy group. When there are two or more substituents, the plural substituents may be the same or different, and the plural substituents may be bonded to form a ring.
The alkyl group in R 1 may have a substituent, and may be a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, or an octyl group. Group, a dodecyl group, etc. are mentioned, It is preferable that it is a C1-C20 linear or branched alkyl group.
The cycloalkyl group in R 1 may have a substituent, and examples thereof include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, and a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms is preferable.
Preferred substituents that the alkyl group or cycloalkyl group for R 1 may have include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, Heterocyclic residues such as aralkylthio group, thiophenecarbonyloxy group, thiophenemethylcarbonyloxy group, pyrrolidone residue, etc. are mentioned, among them alkoxy group, hydroxyl group, halogen atom, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, A sulfonylamino group is preferred.
Examples of the aryl group in R 1 include a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group, and an aryl group having 6 to 14 carbon atoms is preferable.

及びAにおけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など、好ましくは炭素数1〜20個の直鎖若しくは分岐状アルキル基が挙げられる。これらの基は置換基を有していても良く、有し得る好ましい置換基としては、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、このような置換基を有するアルキル基としては、CF基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基等が好ましい。
及びAにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
及びAにおけるアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記及びAにおけるアルキル基と同様のものがあげられる。
Zの連結基としては、アルキレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレア結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基が挙げられ、好ましくは、下記一般式(I−2−1)で表される。
The alkyl group in A 1 and A 2 is preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, or a dodecyl group. Includes a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. These groups may have a substituent, and preferred substituents that may be included include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group, Examples include an arylthio group, an aralkylthio group, a thiophenecarbonyloxy group, a thiophenemethylcarbonyloxy group, a heterocyclic residue such as a pyrrolidone residue, and the alkyl group having such a substituent includes a CF 3 group, an alkyloxy group A carbonylmethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, a hydroxymethyl group, an alkoxymethyl group and the like are preferable.
The halogen atom in A 1 and A 2, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, a fluorine atom is preferable.
Examples of the alkyl group contained in the alkyloxycarbonyl group in A 1 and A 2 include the same alkyl groups as in the above 1 and A 2 .
Examples of the linking group for Z include an alkylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, and a urea bond, or a group obtained by combining two or more of these. Preferably, it is represented by the following general formula (I-2-1).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記一般式中、
a1は、アルキレン基を表す。前記アルキレン基は、置換基を更に有していてもよい。
a1のアルキレン基としては、炭素数が1〜10のものが好ましく、炭素数が1〜5のものがより好ましい。このような鎖状アルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基及びプロピレン基が挙げられる。
上記アルキレン基が有し得る置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子;メルカプト基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基及びベンジルオキシ基のアルコキシ基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基等のシクロアルキル基;シアノ基;ニトロ基;スルホニル基;シリル基;エステル基;アシル基;ビニル基;及びアリール基が挙げられる。
Z’は、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。Z’は、より好ましくは、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合である。
*はARに隣接して結合する炭素原子との結合手を表し、**はARとの結合手を表す。
本発明において、ドライエッチング耐性及び後退接触角改善の観点から、樹脂(A)が前記一般式(I−2)で表される繰り返し単位を含有すること、又は前記一般式(I−1)におけるARが上述の置換基を有する前記一般式(I−1)で表される繰り返し単位を含有することが好ましく、樹脂(A)が前記一般式(I−2)で表される繰り返し単位を含有することがより好ましい。
前記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位の合計としての含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜50mol%であることが好ましく、2〜40mol%であることがより好ましく、5〜35mol%であることが更に好ましい。
前記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
下記具体例中、Aは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
In the above general formula,
R a1 represents an alkylene group. The alkylene group may further have a substituent.
The alkylene group for R a1 preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably has 1 to 5 carbon atoms. Examples of such a chain alkylene group include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.
Examples of the substituent that the alkylene group may have include, for example, halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom and bromine atom; mercapto group; hydroxy group; methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, t-butoxy group and benzyloxy. Alkoxy groups: alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, pentyl group and hexyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, Cycloalkyl groups such as cyclohexyl group and cycloheptyl group; cyano group; nitro group; sulfonyl group; silyl group; ester group; acyl group; vinyl group;
Z ′ represents a single bond, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond. Z ′ is more preferably a single bond, an ether bond, a thioether bond, or a carbonyl bond.
* Represents a bond to the carbon atom bonded adjacent the AR 2, ** represents a bond and AR 2.
In the present invention, from the viewpoint of dry etching resistance and receding contact angle improvement, the resin (A) contains a repeating unit represented by the general formula (I-2) or in the general formula (I-1). It is preferable that AR 1 contains a repeating unit represented by the general formula (I-1) having the above-described substituent, and the resin (A) has a repeating unit represented by the general formula (I-2). It is more preferable to contain.
The total content of the repeating units represented by the general formula (I-1) or (I-2) is preferably 1 to 50 mol% with respect to all the repeating units in the resin, and 2 to 40 mol. % Is more preferable, and 5-35 mol% is still more preferable.
Although the specific example of the repeating unit represented by the said general formula (I-1) or (I-2) is shown below, it is not limited to these.
In the following specific examples, A represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group, or an alkyloxycarbonyl group.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

前記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有する樹脂(A)は、前記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位以外にも更に、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有することが好ましい。
樹脂(A)は、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。
The resin (A) containing the repeating unit represented by the general formula (I-1) or (I-2) is other than the repeating unit represented by the general formula (I-1) or (I-2). In addition, the main chain or side chain of the resin, or both the main chain and the side chain have a group that decomposes by the action of an acid to generate an alkali-soluble group (hereinafter also referred to as “acid-decomposable group”). It is preferable.
The resin (A) is preferably insoluble or hardly soluble in an alkali developer.

酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
The acid-decomposable group preferably has a structure protected with a group capable of decomposing and leaving an alkali-soluble group by the action of an acid.
Alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) imides. Group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) methylene group, etc. Is mentioned.

好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基)、スルホン酸基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include carboxyl groups, fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol groups), and sulfonic acid groups.

酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
A preferable group as the acid-decomposable group is a group obtained by substituting the hydrogen atom of these alkali-soluble groups with a group capable of leaving with an acid.
As the acid eliminable group, there can be, for example, -C (R 36) (R 37) (R 38), - C (R 36) (R 37) (OR 39), - C (R 01) (R 02 ) (OR 39 ) and the like.
In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。 R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.

酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。   The acid-decomposable group is preferably a cumyl ester group, an enol ester group, an acetal ester group, a tertiary alkyl ester group or the like. More preferably, it is a tertiary alkyl ester group.

樹脂(A)が含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AI)で表される繰り返し単位が好ましい。

Figure 2012173367
The repeating unit having an acid-decomposable group that can be contained in the resin (A) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (AI).
Figure 2012173367

一般式(AI)に於いて、
Xaは、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH−Rで表される基を表す。Rは、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xaは好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
In general formula (AI),
Xa 1 represents a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a hydroxy group or a monovalent organic group, and examples of the monovalent organic group include an alkyl group having 5 or less carbon atoms and an acyl group having 5 or less carbon atoms, preferably 3 or less carbon atoms. And more preferably a methyl group. Xa 1 preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.

Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx〜Rxは、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx〜Rxの2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
T represents a single bond or a divalent linking group.
Rx 1 to Rx 3 each independently represents an alkyl group (straight or branched) or a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).
Two of Rx 1 to Rx 3 may combine to form a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).

Tの2価の連結基としては、アルキレン基、−COO−Rt−基、−O−Rt−基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH−基、−(CH−基、−(CH−基がより好ましい。
Rx〜Rxのアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
Examples of the divalent linking group for T include an alkylene group, —COO—Rt— group, —O—Rt— group, and the like. In the formula, Rt represents an alkylene group or a cycloalkylene group.
T is preferably a single bond or a —COO—Rt— group. Rt is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a —CH 2 — group, — (CH 2 ) 2 — group, or — (CH 2 ) 3 — group.
Examples of the alkyl group rx 1 to Rx 3, methyl, ethyl, n- propyl group, an isopropyl group, n- butyl group, an isobutyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as t- butyl group.

Rx〜Rxのシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx〜Rxの少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5〜6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Rxがメチル基又はエチル基であり、RxとRxとが結合して上述のシクロアル
キル基を形成している態様が好ましい。
Examples of the cycloalkyl group represented by Rx 1 to Rx 3 include monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl group, tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, and adamantyl group. Groups are preferred.
Examples of the cycloalkyl group formed by combining at least two of Rx 1 to Rx 3 include a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, A polycyclic cycloalkyl group such as an adamantyl group is preferred. A monocyclic cycloalkyl group having 5 to 6 carbon atoms is particularly preferable.
An embodiment in which Rx 1 is a methyl group or an ethyl group, and Rx 2 and Rx 3 are bonded to form the above-described cycloalkyl group is preferable.

上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基(炭素数1〜4)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。   Each of the above groups may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (1 to 4 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group (1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, An alkoxycarbonyl group (C2-C6) etc. are mentioned, C8 or less is preferable.

酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20〜70mol%が好ましく、より好ましくは25〜50mol%である。   The total content of repeating units having an acid-decomposable group is preferably from 20 to 70 mol%, more preferably from 25 to 50 mol%, based on all repeating units in the resin.

酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。   Although the preferable specific example of the repeating unit which has an acid-decomposable group is shown below, this invention is not limited to this.

具体例中、Rx、Xaは、水素原子、CH、CF、又はCHOHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1〜4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式(II−1)におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。 In specific examples, Rx and Xa 1 represent a hydrogen atom, CH 3 , CF 3 , or CH 2 OH. Rxa and Rxb each represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Z represents a substituent containing a polar group, and when there are a plurality of Z, the plurality of Z may be the same as or different from each other. p represents 0 or a positive integer. Specific examples and preferred examples of Z are the same as the specific examples and preferred examples of R 10 in formula (II-1) described later.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

樹脂(A)は、一般式(AI)で表される繰り返し単位として、一般式(I)で表される繰り返し単位及び一般式(II)で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。   The resin (A) is a resin having at least one of the repeating unit represented by the general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (II) as the repeating unit represented by the general formula (AI). More preferably.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式(I)及び(II)中、
、Rは、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH−Rで表される基を表す。Rは水酸基又は1価の有機基を表す。
、R、R、Rは、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。
In formulas (I) and (II),
R 1 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a hydroxyl group or a monovalent organic group.
R 2 , R 4 , R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom.

及びRは、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Rにおける1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式(AI)のRで記載したものと同様である。 R 1 and R 3 preferably represent a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group. Specific examples and preferred examples of the monovalent organic group in R 9 are the same as those described for R 9 in formula (AI).

におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。
におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。
は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜5のものであり、例えばメチル基、エチル基などが挙げられる。
The alkyl group in R 2 may be linear or branched, and may have a substituent.
The cycloalkyl group in R 2 may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent.
R 2 is preferably an alkyl group, more preferably 1 to 10 carbon atoms, still more preferably 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group and an ethyl group.

Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが該炭素原子とともに形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3〜7、より好ましくは5又は6である。   R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom. The alicyclic structure formed by R together with the carbon atom is preferably a monocyclic alicyclic structure, and the carbon number thereof is preferably 3 to 7, more preferably 5 or 6.

は好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。 R 3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a methyl group.

、R、Rにおけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。 The alkyl group in R 4 , R 5 , and R 6 may be linear or branched and may have a substituent. As the alkyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group and t-butyl group are preferable.

、R、Rにおけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。 The cycloalkyl group in R 4 , R 5 and R 6 may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent. The cycloalkyl group is preferably a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, or a polycyclic cycloalkyl group such as a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group or an adamantyl group.

一般式(I)により表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式(1−a)により表される繰り返し単位が挙げられる。   As a repeating unit represented by general formula (I), the repeating unit represented by the following general formula (1-a) is mentioned, for example.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式中、R及びRは、一般式(1)における各々と同義である。 In the formula, R 1 and R 2 have the same meanings as those in formula (1).

一般式(II)で表される繰り返し単位が、以下の一般式(II−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。

Figure 2012173367
The repeating unit represented by the general formula (II) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (II-1).
Figure 2012173367

式(II−1)中、
〜Rは、それぞれ、一般式(II)におけるものと同義である。
In formula (II-1),
R 3 to R 5 are respectively synonymous with those in the general formula (II).

10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又はこれらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。 R 10 represents a substituent containing a polar group. When a plurality of R 10 are present, they may be the same as or different from each other. Examples of the substituent containing a polar group include a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, an alkylamide group or a sulfonamide group itself, or a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group having at least one of them. An alkyl group having a hydroxyl group is preferable. More preferably, it is a branched alkyl group having a hydroxyl group. As the branched alkyl group, an isopropyl group is particularly preferable.

pは0〜15の整数を表す。pは好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1である。   p represents an integer of 0 to 15. p is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

酸分解性樹脂は、一般式(AI)により表される繰り返し単位として、一般式(I)により表される繰り返し単位及び一般式(II)により表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んだ樹脂であることがより好ましい。
樹脂(A)は、下記一般式(III)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。
The acid-decomposable resin is a resin containing at least one of the repeating unit represented by the general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (II) as the repeating unit represented by the general formula (AI). More preferably.
The resin (A) preferably contains a repeating unit having a lactone structure represented by the following general formula (III).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式(III)中、
Aは、エステル結合(−COO−で表される基)又はアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合
In formula (III),
A represents an ester bond (a group represented by —COO—) or an amide bond (a group represented by —CONH—).
R 0 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, or a combination thereof independently when there are a plurality of R 0 .
Z is independently a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, or a urethane bond when there are a plurality of Zs.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

又はウレア結合 Or urea bond

Figure 2012173367
Figure 2012173367

を表す。ここで、Rは、各々独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。 Represents. Here, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group each independently.

は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。
nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1〜5の整数を表し、1であることが好ましい。
は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
R 8 represents a monovalent organic group having a lactone structure.
n is the repeating number of the structure represented by —R 0 —Z—, represents an integer of 1 to 5, and is preferably 1.
R 7 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.

のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。
Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
The alkylene group and cycloalkylene group represented by R 0 may have a substituent.
Z is preferably an ether bond or an ester bond, and particularly preferably an ester bond.

のアルキル基は、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Rのアルキレン基、シクロアルキレン基、Rにおけるアルキル基は、各々、置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のアシルオキシ基が挙げられる。Rは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。 The alkyl group for R 7 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. The alkylene group of R 0 , the cycloalkylene group, and the alkyl group in R 7 may each be substituted. Examples of the substituent include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom, a mercapto group, and a hydroxy group. Groups, methoxy groups, ethoxy groups, isopropoxy groups, t-butoxy groups, alkoxy groups such as benzyloxy groups, and acyloxy groups such as acetyloxy groups and propionyloxy groups. R 7 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1〜10の鎖状のアルキレン基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレン基としては、炭素数3〜20のシクロアルキレン基であり、例えば、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。 A preferable chain alkylene group in R 0 is preferably a chain alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group. . A preferable cycloalkylene group is a cycloalkylene group having 3 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a cyclohexylene group, a cyclopentylene group, a norbornylene group, and an adamantylene group. In order to exhibit the effect of the present invention, a chain alkylene group is more preferable, and a methylene group is particularly preferable.

で表されるラクトン構造を有する1価の置換基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として後述する一般式(LC1−1)〜(LC1−17)で表されるラクトン構造が挙げられ、これらのうち(LC1−4)で表される構造が特に好ましい。また、(LC1−1)〜(LC1−17)におけるnは2以下のものがより好ましい。
また、Rは無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造(シアノラクトン)を有する1価の有機基がより好ましい。
The monovalent substituent having a lactone structure represented by R 8 is not limited as long as it has a lactone structure. General formulas (LC1-1) to (LC1-17) described later as specific examples The structure represented by (LC1-4) is especially preferable among these. Further, n 2 in (LC1-1) to (LC1-17) is more preferably 2 or less.
R 8 is preferably a monovalent organic group having an unsubstituted lactone structure or a monovalent organic group having a lactone structure having a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group as a substituent. A monovalent organic group having a lactone structure (cyanolactone) as is more preferable.

以下に一般式(III)で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。
Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure represented by the general formula (III) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetyloxymethyl group.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(III−1)で表される繰り返し単位がより好ましい。   The repeating unit having a lactone structure is more preferably a repeating unit represented by the following general formula (III-1).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(III−1)に於いて、
、A、R、Z、及びnは、上記一般式(III)と同義である。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのRが結合し、環を形成していてもよい。
In general formula (III-1),
R 7 , A, R 0 , Z, and n are as defined in the general formula (III).
R 9 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group or an alkoxy group when there are a plurality of R 9 s, and when there are a plurality of R 9 s , May be formed.

Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
mは、置換基数であって、0〜5の整数を表す。mは0又は1であることが好ましい。
X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom.
m is the number of substituents and represents an integer of 0 to 5. m is preferably 0 or 1.

のアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。Rはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。 The alkyl group for R 9 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably a methyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, and cyclohexyl groups. Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and a t-butoxycarbonyl group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, and a butoxy group. These groups may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group such as a hydroxy group, a methoxy group, and an ethoxy group, and a halogen atom such as a cyano group and a fluorine atom. R 9 is more preferably a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group, and even more preferably a cyano group.

Xのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Xは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。   Examples of the alkylene group for X include a methylene group and an ethylene group. X is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

mが1以上である場合、少なくとも1つのRはラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。 When m is 1 or more, at least one R 9 is preferably substituted at the α-position or β-position of the lactone carbonyl group, particularly preferably at the α-position.

一般式(III−1)で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。   Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure represented by formula (III-1) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetyloxymethyl group.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(III)で表される繰り返し単位の含有量は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜60mol%、更に好ましくは30〜55mol%である。   The content of the repeating unit represented by the general formula (III) is preferably 15 to 60 mol%, more preferably 20 to 60 mol%, and more preferably 20 to 60 mol% with respect to all the repeating units in the resin when a plurality of types are contained. Preferably it is 30-55 mol%.

樹脂(A)は、一般式(III)で表される単位以外にも、ラクトン基を有する繰り返し単位を含有していてもよい。   The resin (A) may contain a repeating unit having a lactone group in addition to the unit represented by the general formula (III).

ラクトン基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−17)のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)、(LC1−17)であり、特定のラクトン構造を用いることで、ラインウィズスラフネス(LWR)、現像欠陥が良好になる。   Any lactone group can be used as long as it has a lactone structure, but it is preferably a 5- to 7-membered ring lactone structure, and forms a bicyclo structure or a spiro structure in the 5- to 7-membered ring lactone structure. The other ring structure is preferably condensed. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-17). The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14), and (LC1-17). By using this lactone structure, line width roughness (LWR) and development defects are improved.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

ラクトン構造部分は、置換基(Rb)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数2〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。nは、0〜4の整数を表す。nが2以上の時、複数存在する置換基(Rb)は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基(Rb)同士が結合して環を形成してもよい。 The lactone structure portion may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. n 2 represents an integer of 0-4. When n 2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring. .

一般式(III)で表される単位以外のラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AII’)で表される繰り返し単位も好ましい。   As the repeating unit having a lactone structure other than the unit represented by the general formula (III), a repeating unit represented by the following general formula (AII ′) is also preferable.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(AII’)中、
Rbは、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rbのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rbのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (AII ′),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferable substituents that the alkyl group of Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Preferred are a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, and a trifluoromethyl group, and a hydrogen atom and a methyl group are particularly preferred.

Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−17)の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。
一般式(III)で表される単位以外のラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
V represents a group having a structure represented by any one of the general formulas (LC1-1) to (LC1-17).
Specific examples of the repeating unit having a lactone group other than the unit represented by the general formula (III) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

特に好ましい一般式(III)で表される単位以外のラクトン基を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。   Particularly preferred repeating units having a lactone group other than the unit represented by formula (III) include the following repeating units. By selecting an optimal lactone group, the pattern profile and the density dependency are improved.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90%以上のものが好ましく、より好ましくは95%以上である。   The repeating unit having a lactone group usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90% or more, more preferably 95% or more.

一般式(III)で表される繰り返し単位以外のラクトンを有する繰り返し単位の含有量は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜50mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。   The content of the repeating unit having a lactone other than the repeating unit represented by the general formula (III) is preferably 15 to 60 mol% in total, more preferably 15 to 60 mol% with respect to all repeating units in the resin when a plurality of types are contained. Is 20 to 50 mol%, more preferably 30 to 50 mol%.

本発明の効果を高めるために、一般式(III)から選ばれる2種以上のラクトン繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式(III)の内、nが1であるラクトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することも好ましい。   In order to enhance the effects of the present invention, two or more lactone repeating units selected from general formula (III) can be used in combination. When using together, it is also preferable to select and use 2 or more types from the lactone repeating unit in which n is 1 in general formula (III).

樹脂(A)は、一般式(AI)及び(III)以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。   The resin (A) preferably has a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group other than the general formulas (AI) and (III). This improves the substrate adhesion and developer compatibility. The repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, and preferably has no acid-decomposable group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a preferred hydroxyl group or cyano group, partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferred.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、
c〜Rcは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Rc〜Rcの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Rc〜Rcの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、Rc〜Rcの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
In general formulas (VIIa) to (VIIc),
R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2012173367
Examples of the repeating unit having a partial structure represented by the general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).
Figure 2012173367

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、
cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
In the general formulas (AIIa) to (AIId),
R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

c〜Rcは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、Rc〜Rcと同義である。 R 2 c to R 4 c are in the general formula (VIIa) ~ (VIIc), same meanings as R 2 c~R 4 c.

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、5〜40mol%が好ましく、より好ましくは5〜30mol%、更に好ましくは10〜25mol%である。   The content of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably from 5 to 40 mol%, more preferably from 5 to 30 mol%, still more preferably from 10 to 25 mol%, based on all repeating units in the resin (A).

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group are given below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。   The resin used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may have a repeating unit having an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a bissulfonylimide group, and an aliphatic alcohol (for example, hexafluoroisopropanol group) substituted with an electron-withdrawing group at the α-position. It is more preferable to have a repeating unit. By containing the repeating unit having an alkali-soluble group, the resolution in contact hole applications is increased. The repeating unit having an alkali-soluble group includes a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or an alkali in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit to which a soluble group is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is used at the time of polymerization and introduced at the end of the polymer chain. Both are preferable, and the linking group is monocyclic or polycyclic. It may have a cyclic hydrocarbon structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.

本発明における樹脂(A)はアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、1〜20mol%が好ましく、より好ましくは3〜15mol%、更に好ましくは5〜10mol%である。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、RxはH,CH,CHOH,又はCFを表す。
The resin (A) in the present invention may or may not contain a repeating unit having an alkali-soluble group, but when it is contained, the content of the repeating unit having an alkali-soluble group is the resin (A). 1-20 mol% is preferable with respect to all the repeating units in it, More preferably, it is 3-15 mol%, More preferably, it is 5-10 mol%.
Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In specific examples, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .

Figure 2012173367
Figure 2012173367

本発明の樹脂(A)は、更に極性基(例えば、前記アルカリ可溶性基、水酸基、シアノ基等)を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式(IV)で表される繰り返し単位が挙げられる。   The resin (A) of the present invention further has an alicyclic hydrocarbon structure that does not have a polar group (for example, the alkali-soluble group, hydroxyl group, cyano group, etc.) and has a repeating unit that does not exhibit acid decomposability. it can. Examples of such a repeating unit include a repeating unit represented by the general formula (IV).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(IV)中、Rは少なくとも一つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH−O−Ra基を表す。式中、Raは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (IV), R 5 represents a hydrocarbon group having at least one cyclic structure and having no polar group.
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a —CH 2 —O—Ra 2 group. In the formula, Ra 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an acyl group. Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 The cyclic structure possessed by R 5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group include cycloalkenyl having 3 to 12 carbon atoms such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group and the like, and cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms and cyclohexenyl group. Groups. Preferable monocyclic hydrocarbon groups are monocyclic hydrocarbon groups having 3 to 7 carbon atoms, and more preferable examples include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環(ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等)などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ−1,4−メタノ−5,8−メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン(デカリン)、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。 The polycyclic hydrocarbon group includes a ring assembly hydrocarbon group and a bridged cyclic hydrocarbon group, and examples of the ring assembly hydrocarbon group include a bicyclohexyl group and a perhydronaphthalenyl group. As the bridged cyclic hydrocarbon ring, for example, bicyclic such as pinane, bornane, norpinane, norbornane, bicyclooctane ring (bicyclo [2.2.2] octane ring, bicyclo [3.2.1] octane ring, etc.) Hydrocarbon rings and tricyclic hydrocarbon rings such as homobredan, adamantane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tricyclo [4.3.1.1 2,5 ] undecane ring, tetracyclo [ 4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane, and tetracyclic hydrocarbon rings such as perhydro-1,4-methano-5,8-methanonaphthalene ring. The bridged cyclic hydrocarbon ring includes a condensed cyclic hydrocarbon ring such as perhydronaphthalene (decalin), perhydroanthracene, perhydrophenanthrene, perhydroacenaphthene, perhydrofluorene, perhydroindene, perhydroindene. A condensed ring in which a plurality of 5- to 8-membered cycloalkane rings such as a phenalene ring are condensed is also included.

好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。 Preferred examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group, an adamantyl group, a bicyclooctanyl group, a tricyclo [5,2,1,0 2,6 ] decanyl group, and the like. More preferable examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group and an adamantyl group.

これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。   These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent. Preferred examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group substituted with a hydrogen atom, and an amino group substituted with a hydrogen atom. It is done. Preferred halogen atoms include bromine, chlorine and fluorine atoms, and preferred alkyl groups include methyl, ethyl, butyl and t-butyl groups. The alkyl group described above may further have a substituent, and examples of the substituent that may further include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group substituted with a hydrogen atom, and an amino group substituted with a hydrogen atom. The group can be mentioned.

上記水素原子の置換基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。   Examples of the substituent for the hydrogen atom include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aralkyloxycarbonyl group. Preferred alkyl groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, preferred substituted methyl groups include methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl groups, and preferred substituted ethyl groups. 1-ethoxyethyl, 1-methyl-1-methoxyethyl, preferred acyl groups include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, pivaloyl groups, etc., aliphatic acyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl Examples of the group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms.

樹脂(A)は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有量は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、1〜40モル%が好ましく、より好ましくは2〜20モル%である。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、又はCFを表す。
The resin (A) has an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group, and may or may not contain a repeating unit that does not exhibit acid decomposability. The content of is preferably from 1 to 40 mol%, more preferably from 2 to 20 mol%, based on all repeating units in the resin (A).
Specific examples of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .

Figure 2012173367
Figure 2012173367

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂(A)は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。   Resin (A) used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is not limited to the above repeating structural units, but also includes dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and resist resist. Various repeating structural units can be included for the purpose of adjusting resolution, heat resistance, sensitivity, and the like, which are general necessary characteristics.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.

これにより、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、(1)塗布溶剤に対する溶解性、(2)製膜性(ガラス転移点)、(3)アルカリ現像性、(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、(5)未露光部の基板への密着性、(6)ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。   Thereby, performance required for the resin used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, in particular, (1) solubility in coating solvent, (2) film-forming property (glass transition point), Fine adjustments such as (3) alkali developability, (4) film slippage (selection of hydrophilicity / hydrophobicity, alkali-soluble group), (5) adhesion of unexposed part to substrate, (6) dry etching resistance, etc. can be made. .

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。   As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, etc. Etc.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。   In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂(A)において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the resin (A) used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, the content molar ratio of each repeating structural unit is the resistance to dry etching of a resist, suitability for standard developer, substrate adhesion, resist profile, Furthermore, it is appropriately set in order to adjust the resolution, heat resistance, sensitivity, and the like, which are general required performances of the resist.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂(A)は実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、樹脂(A)の全繰り返し中、芳香族基を有する繰り返し単位が全体の5モル%以下であることが好ましく、3モル%以下であることがより好ましく、理想的には0モル%、すなわち芳香族基を有する繰り返し単位を有さないことが更に好ましい。また、樹脂(A)は単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。
なお、樹脂(A)は、後述する疎水性樹脂(B)との相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。
Resin used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention from the viewpoint of transparency to ArF light when the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is for ArF exposure (A) preferably has substantially no aromatic group. More specifically, the repeating unit having an aromatic group is preferably 5% by mole or less, more preferably 3% by mole or less, and more ideally, during the entire repetition of the resin (A). More preferably, it is 0 mol%, that is, it does not have a repeating unit having an aromatic group. The resin (A) preferably has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure.
In addition, it is preferable that resin (A) does not contain a fluorine atom and a silicon atom from a compatible viewpoint with hydrophobic resin (B) mentioned later.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂(A)として好ましくは、繰り返し単位の全てが(メタ)アクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位の全てがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol%以下であることが好ましい。また、酸分解性基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、ラクトン基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位5〜30モル%、更にその他の(メタ)アクリレート系繰り返し単位を0〜20モル%含む共重合ポリマーも好ましい。   The resin (A) used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably such that all of the repeating units are composed of (meth) acrylate repeating units. In this case, all of the repeating units are methacrylate repeating units, all of the repeating units are acrylate repeating units, or all of the repeating units are methacrylate repeating units and acrylate repeating units. Although it can be used, the acrylate-based repeating unit is preferably 50 mol% or less of the total repeating units. Moreover, the alicyclic hydrocarbon substituted by the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has an acid-decomposable group, the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has a lactone group, and a hydroxyl group or a cyano group. A copolymer containing 5 to 30 mol% of a (meth) acrylate-based repeating unit having a structure and further containing 0 to 20 mol% of another (meth) acrylate-based repeating unit is also preferred.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線(EUVなど)を照射する場合には、樹脂(A)は、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。   When the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is irradiated with KrF excimer laser light, electron beam, X-ray, or high-energy light beam (EUV, etc.) having a wavelength of 50 nm or less, the resin (A) is: Further, it preferably has a hydroxystyrene repeating unit. More preferably, it has a hydroxystyrene-based repeating unit, a hydroxystyrene-based repeating unit protected with an acid-decomposable group, and an acid-decomposable repeating unit such as a (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester.

ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t−ブトキシカルボニルオキシスチレン、1−アルコキシエトキシスチレン、(メタ)アクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート及びジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。   Examples of the repeating unit having a preferred acid-decomposable group based on hydroxystyrene include, for example, t-butoxycarbonyloxystyrene, 1-alkoxyethoxystyrene, a repeating unit of (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester, and the like. More preferred are repeating units of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate.

本発明における樹脂(A)は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。   The resin (A) in the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, Furthermore, the solvent which melt | dissolves the actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition of this invention like the below-mentioned propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone is mentioned. More preferably, the polymerization is performed using the same solvent as the solvent used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention. Thereby, generation | occurrence | production of the particle at the time of a preservation | save can be suppressed.

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、更に好ましくは60〜100℃である。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) and the like. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 30% by mass. The reaction temperature is usually from 10 ° C to 150 ° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 60 ° C to 100 ° C.

また、組成物の調製後に樹脂が凝集することなどを抑制する為に、例えば、特開2009−037108号公報に記載のように、合成された樹脂を溶剤に溶解して溶液とし、その溶液を30℃〜90℃程度で30分〜4時間程度加熱するような工程を加えてもよい。   In order to prevent the resin from aggregating after the preparation of the composition, for example, as described in JP-A-2009-037108, the synthesized resin is dissolved in a solvent to form a solution. A step of heating at about 30 ° C. to 90 ° C. for about 30 minutes to 4 hours may be added.

本発明の樹脂(A)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000であり、より好ましくは2,000〜20,000、更により好ましくは3,000〜15,000、特に好ましくは3,000〜12,000である。重量平均分子量を、1,000〜200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。   The weight average molecular weight of the resin (A) of the present invention is preferably 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 20,000, still more preferably 3, as a polystyrene conversion value by GPC method. 000 to 15,000, particularly preferably 3,000 to 12,000. By setting the weight average molecular weight to 1,000 to 200,000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, developability is deteriorated, and viscosity is increased, resulting in deterioration of film forming property. Can be prevented.

分散度(分子量分布)は、通常1.0〜3.0であり、好ましくは1.0〜2.6、更に好ましくは1.0〜2.0、特に好ましくは1.4〜2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。   The dispersity (molecular weight distribution) is usually 1.0 to 3.0, preferably 1.0 to 2.6, more preferably 1.0 to 2.0, and particularly preferably 1.4 to 2.0. Those in the range are used. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and the resist shape, and the smoother the side wall of the resist pattern, the better the roughness.

本発明において樹脂(A)の組成物全体中の含有量は、全固形分中30〜99質量%が好ましく、より好ましくは60〜95質量%である。
また、本発明の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
In the present invention, the content of the resin (A) in the entire composition is preferably from 30 to 99 mass%, more preferably from 60 to 95 mass%, based on the total solid content.
In addition, the resins of the present invention may be used alone or in combination.

<(C)アセトニトリル溶媒中で測定した波長193nmにおけるモル吸光係数εが、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートに対する相対比で0.8以下である活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物>
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、(C)アセトニトリル溶媒中で測定した波長193nmにおけるモル吸光係数εが、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートに対する相対比(以下、単に「相対モル吸光係数」ともいう)で0.8以下である活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、単に「化合物(C)」ともいう)を含有している。
本発明において、アセトニトリル溶媒中で測定した波長193nmにおけるモル吸光係数εのトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートに対する相対比とは、カチオン構造の特性を比較する観点から、アニオン構造をノナフルオロブタンスルホネートとして測定した化合物(C)のアセトニトリル溶媒中の波長193nmにおけるモル吸光係数εのトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートに対する相対比をいう。
モル吸光係数εの算出は、ランベルト−ベールの式に従い、化合物(C)をアセトニトリル溶媒に溶解させた測定溶液について1cm角のセルを用いてUVスペクトルを測定し、193nmの吸光度(A)と測定溶液濃度(c:単位モル/L)から算出することができる。
化合物(C)のトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートに対する波長193nmにおける相対モル吸光係数は0.8以下であり、0.1〜0.8であることが好ましく、0.2〜0.6であることがより好ましく、0.3〜0.5であることが特に好ましい。0.8以下であることでレジスト膜の透過率が高くなり目的の性能が得られ、また0.1以上とすることで光吸収効率を確保し、感度を維持できる。
波長193nmにおける相対モル吸光係数は、芳香環の影響を受けるため、化合物(C)の構造を工夫し、例えば芳香環数を調整することで吸光度を上記範囲とすることができる。そのような例として具体的には、下記一般式(II−1)又は(II−2)で表される化合物などが挙げられ、LER等の改善の観点から、下記一般式(II−1)又は(II−2)で表される化合物であることが好ましい。
<(C) Compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation with a relative extinction coefficient ε at a wavelength of 193 nm measured in acetonitrile solvent of 0.8 or less relative to triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate>
In the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention, (C) the molar extinction coefficient ε at a wavelength of 193 nm measured in an acetonitrile solvent has a relative ratio to triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate (hereinafter simply referred to as “ It contains a compound (hereinafter also simply referred to as “compound (C)”) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation having a relative molar extinction coefficient of 0.8 or less.
In the present invention, the relative ratio of the molar extinction coefficient ε at a wavelength of 193 nm measured in acetonitrile solvent to triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate is measured as an anion structure as nonafluorobutanesulfonate from the viewpoint of comparing the characteristics of the cation structure. The relative ratio of the obtained compound (C) to the triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate of the molar extinction coefficient ε at a wavelength of 193 nm in an acetonitrile solvent.
The molar extinction coefficient ε was calculated according to the Lambert-Beer equation by measuring the UV spectrum of a measurement solution in which the compound (C) was dissolved in an acetonitrile solvent using a 1 cm square cell and measuring the absorbance (A) at 193 nm. It can be calculated from the solution concentration (c: unit mol / L).
The relative molar extinction coefficient at a wavelength of 193 nm with respect to triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate of the compound (C) is 0.8 or less, preferably 0.1 to 0.8, and preferably 0.2 to 0.6. Is more preferable, and 0.3 to 0.5 is particularly preferable. When the ratio is 0.8 or less, the transmittance of the resist film is increased and the desired performance is obtained. When the ratio is 0.1 or more, the light absorption efficiency is secured and the sensitivity can be maintained.
Since the relative molar extinction coefficient at a wavelength of 193 nm is affected by the aromatic ring, the absorbance can be controlled within the above range by devising the structure of the compound (C) and adjusting the number of aromatic rings, for example. Specific examples thereof include compounds represented by the following general formula (II-1) or (II-2). From the viewpoint of improving LER and the like, the following general formula (II-1) Or it is preferable that it is a compound represented by (II-2).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記一般式中、
Raは各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。2個のRaが互いに結合して環を形成してもよく、該環は芳香族環又は飽和炭化水素環と縮環していてもよい。前記環(前記縮環も含む。)は置換基を有してもよい。
20は、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。複数のR20が存在する場合、複数のR20は同一であっても異なっていてもよい。これらの基は置換基を有していてもよい。
は−CR21=CR22−、−NR23−、−S−又は−O−を表す。
21及びR22は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
23は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアシル基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
24はアリール基を表す。
25及びR26は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はシアノ基を表す。
27及びR28は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
25とR26及びR27とR28はそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。
は0〜3の整数を示す。
qは0〜10の整数を表す。qは0〜2の整数であることが好ましい。
は非求核性アニオンを表す。
In the above general formula,
Each Ra independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group. These groups may have a substituent. Two Ras may be bonded to each other to form a ring, and the ring may be condensed with an aromatic ring or a saturated hydrocarbon ring. The ring (including the condensed ring) may have a substituent.
R 20 represents a group having a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group, or a cycloalkyl group. When a plurality of R 20 are present, the plurality of R 20 may be the same or different. These groups may have a substituent.
X 2 is -CR 21 = CR 22 -, - NR 23 -, - S- or an -O-.
R 21 and R 22 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group or a cycloalkyl group. Represents a group having These groups may have a substituent.
R 23 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an acyl group. These groups may have a substituent.
R 24 represents an aryl group.
R 25 and R 26 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or a cyano group.
R 27 and R 28 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.
R 25 and R 26 and R 27 and R 28 may be connected to each other to form a ring.
n 1 represents an integer of 0 to 3.
q represents an integer of 0 to 10. q is preferably an integer of 0 to 2.
Z represents a non-nucleophilic anion.

20、R21、R22及びRaのアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n−ブチル基、t−ブチル基等が好ましい。
20、R21、R22及びRaのシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基(好ましくは炭素原子数3〜20のシクロアルキル基)が挙げられ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。
Raのアルケニル基としては、炭素数2〜15のアルケニル基が好ましい。
The alkyl group for R 20 , R 21 , R 22 and Ra is linear or branched and preferably has 1 to 10 carbon atoms, and is preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group or an i-propyl group. Group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl Group, n-nonyl group, n-decyl group and the like. Of these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, and the like are preferable.
Examples of the cycloalkyl group represented by R 20 , R 21 , R 22 and Ra include a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group (preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms). Cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl , Cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclododecanyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl, cyclooctadienyl, norbornyl, tricyclodecanyl, tetracyclodecanyl, adamantyl, etc., especially cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl , Cycloheptyl and cyclooctyl are preferred.
The alkenyl group for Ra is preferably an alkenyl group having 2 to 15 carbon atoms.

20、R21及びR22のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基等が好ましい。 The alkoxy group of R 20 , R 21 and R 22 is linear or branched and preferably has 1 to 10 carbon atoms. For example, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group Group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, neopentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyl An oxy group, 2-ethylhexyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group, etc. can be mentioned. Of these alkoxy groups, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an n-butoxy group, and the like are preferable.

20、R21及びR22のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2〜11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、n−ヘプチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、n−ノニルオキシカルボニル基、n−デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基等が好ましい。 The alkoxycarbonyl group for R 20 , R 21 and R 22 is linear or branched and preferably has 2 to 11 carbon atoms, such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, or an n-propoxycarbonyl group. I-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, neopentyloxycarbonyl group, n-hexyloxy A carbonyl group, n-heptyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, n-nonyloxycarbonyl group, n-decyloxycarbonyl group, etc. can be mentioned. Of these alkoxycarbonyl groups, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and the like are preferable.

20、R21及びR22のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基(好ましくは炭素原子数3〜20のシクロアルキル基)を有する基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基等が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。 Examples of the group having a cycloalkyl group represented by R 20 , R 21 and R 22 include a group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group (preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms). Examples thereof include a monocyclic or polycyclic cycloalkyloxy group and an alkoxy group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group. These groups may further have a substituent.

20、R21及びR22の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2−エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、iso−アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。
また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。
The monocyclic or polycyclic cycloalkyloxy group of R 20 , R 21 and R 22 preferably has a total carbon number of 7 or more, more preferably a total carbon number of 7 or more and 15 or less, It preferably has a monocyclic cycloalkyl group. The monocyclic cycloalkyloxy group having 7 or more carbon atoms is cyclopropyloxy group, cyclobutyloxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, cyclobutyloxy group, cyclooctyloxy group, cyclododecanyloxy group, etc. Optionally substituted with methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, dodecyl, 2-ethylhexyl, isopropyl, sec-butyl, t -Alkyl group such as butyl group, iso-amyl group, hydroxyl group, halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, amide group, sulfonamido group, methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, Alkoxy groups such as propoxy group, hydroxypropoxy group, butoxy group, Monocyclic cycloalkyloxy having a substituent such as an alkoxycarbonyl group such as a toxylcarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an acyl group such as a formyl group, an acetyl group or a benzoyl group, an acyloxy group such as an acetoxy group or a butyryloxy group, or a carboxy group And a group having a total carbon number of 7 or more in combination with an arbitrary substituent on the cycloalkyl group.
Examples of the polycyclic cycloalkyloxy group having 7 or more total carbon atoms include a norbornyloxy group, a tricyclodecanyloxy group, a tetracyclodecanyloxy group, an adamantyloxy group, and the like.

20、R21及びR22の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2−エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec−ブトキシ、t−ブトキシ、iso−アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。
また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。
20、R21及びR22のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR20、R21、R22及びRaとしてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。
The alkoxy group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group of R 20 , R 21 and R 22 preferably has a total carbon number of 7 or more, more preferably a total carbon number of 7 or more and 15 or less. An alkoxy group having a monocyclic cycloalkyl group is preferable. The alkoxy group having a total of 7 or more carbon atoms and having a monocyclic cycloalkyl group is methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy, heptoxy, octyloxy, dodecyloxy, 2-ethylhexyloxy, isopropoxy, A monocyclic cycloalkyl group which may have the above-mentioned substituent is substituted on an alkoxy group such as sec-butoxy, t-butoxy, iso-amyloxy, etc., and the total carbon number including the substituent is 7 or more. Represents things. Examples thereof include a cyclohexylmethoxy group, a cyclopentylethoxy group, a cyclohexylethoxy group, and the like, and a cyclohexylmethoxy group is preferable.
Examples of the alkoxy group having a polycyclic cycloalkyl group having a total carbon number of 7 or more include a norbornyl methoxy group, a norbornyl ethoxy group, a tricyclodecanyl methoxy group, a tricyclodecanyl ethoxy group, a tetracyclo group. A decanyl methoxy group, a tetracyclodecanyl ethoxy group, an adamantyl methoxy group, an adamantyl ethoxy group, etc. are mentioned, A norbornyl methoxy group, a norbornyl ethoxy group, etc. are preferable.
The alkyl group of the alkyl group of R 20, R 21 and R 22, include the same specific examples as the alkyl group as R 20, R 21, R 22 and Ra described above.

20、R21及びR22のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n−プロパンスルホニル基、n−ブタンスルホニル基、tert−ブタンスルホニル基、n−ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n−ヘキサンスルホニル基、n−ヘプタンスルホニル基、n−オクタンスルホニル基、2−エチルヘキサンスルホニル基n−ノナンスルホニル基、n−デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n−プロパンスルホニル基、n−ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。
23のアルキル基は、炭素数1〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
23のシクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
23のアリール基は、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。
23のアシル基は、炭素数2〜20のアシル基が好ましい。
前記、R20、R21、R22、R23及びRaの各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子)、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。
The alkylsulfonyl group and cycloalkylsulfonyl group of R 20 , R 21, and R 22 are linear, branched, or cyclic, and preferably those having 1 to 10 carbon atoms. For example, methanesulfonyl group, ethanesulfonyl Group, n-propanesulfonyl group, n-butanesulfonyl group, tert-butanesulfonyl group, n-pentanesulfonyl group, neopentanesulfonyl group, n-hexanesulfonyl group, n-heptanesulfonyl group, n-octanesulfonyl group, 2 -Ethylhexanesulfonyl group n-nonanesulfonyl group, n-decanesulfonyl group, cyclopentanesulfonyl group, cyclohexanesulfonyl group and the like can be mentioned. Of these alkylsulfonyl groups and cycloalkylsulfonyl groups, a methanesulfonyl group, an ethanesulfonyl group, an n-propanesulfonyl group, an n-butanesulfonyl group, a cyclopentanesulfonyl group, a cyclohexanesulfonyl group, and the like are preferable.
The alkyl group for R 23 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
The cycloalkyl group of R 23 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The aryl group for R 23 is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.
The acyl group for R 23 is preferably an acyl group having 2 to 20 carbon atoms.
Examples of the substituent that each group of R 20 , R 21 , R 22 , R 23 and Ra may have include a halogen atom (for example, a fluorine atom), a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, and a nitro group. , Alkoxy groups, alkoxyalkyl groups, alkoxycarbonyl groups, alkoxycarbonyloxy groups and the like.

前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。
前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1−メトキシエチル基、2−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、2−エトキシエチル基等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。
前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, cyclopentyloxy group, Examples thereof include a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms such as a cyclohexyloxy group.
Examples of the alkoxyalkyl group include straight chain having 2 to 21 carbon atoms such as methoxymethyl group, ethoxymethyl group, 1-methoxyethyl group, 2-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, and 2-ethoxyethyl group. Examples thereof include a chain, branched or cyclic alkoxyalkyl group.
Examples of the alkoxycarbonyl group include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t Examples thereof include linear, branched or cyclic alkoxycarbonyl groups having 2 to 21 carbon atoms such as butoxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group and the like.

前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、i−プロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ基、t−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。
上記一般式(II−1)中の各炭素原子は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)、アリール基(好ましくは炭素数6〜10)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜20)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜20)、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アリールカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルケニルカルボニル基等が挙げられる。
Examples of the alkoxycarbonyloxy group include methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, n-propoxycarbonyloxy group, i-propoxycarbonyloxy group, n-butoxycarbonyloxy group, t-butoxycarbonyloxy group, and cyclopentyloxy. Examples thereof include straight-chain, branched or cyclic alkoxycarbonyloxy groups having 2 to 21 carbon atoms such as carbonyloxy group and cyclohexyloxycarbonyloxy group.
Each carbon atom in the general formula (II-1) may have a substituent. Examples of such a substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group ( Preferably 3 to 20 carbon atoms, an aryl group (preferably 6 to 10 carbon atoms), an alkoxy group (preferably 1 to 20 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), an acyloxy group (preferably 2-20 carbon atoms, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, hydroxyl group, carboxyl group, nitro group, cyano group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, arylcarbonyl group, alkylcarbonyl group, An alkenylcarbonyl group etc. are mentioned.

24におけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6〜14のアリール基であり、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。
25〜R28におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。
なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基(例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基など)を挙げることができる。
25〜R28におけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。
25及びR26としてのアリール基としては、好ましくは炭素数5〜15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。
25とR26とが結合して環を形成する場合に、R25とR26とが結合して形成する基としては、炭素数2〜10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。
27及びR28としての2−オキソアルキル基及び2−オキソシクロアルキル基は、R25〜R28としてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
27及びR28としてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1〜12のアルキル基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基)を挙げることができる。
The aryl group for R 24 may have a substituent, and is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.
The alkyl group in R 25 to R 28 may have a substituent, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an oxygen atom, sulfur atom, nitrogen atom in the alkyl chain. You may have.
Examples of the alkyl group having a substituent include groups in which a linear or branched alkyl group is substituted with a cycloalkyl group (for example, an adamantylmethyl group, an adamantylethyl group, a cyclohexylethyl group, a camphor residue, etc.). .
The cycloalkyl group in R 25 to R 28 may have a substituent, preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom in the ring.
The aryl group as R 25 and R 26 preferably has 5 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.
When R 25 and R 26 combine to form a ring, the group formed by combining R 25 and R 26 is preferably an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, such as an ethylene group or propylene. Group, butylene group, pentylene group, hexylene group and the like. The ring formed by combining R 6c and R 7c may have a hetero atom such as an oxygen atom in the ring.
Examples of the 2-oxoalkyl group and 2-oxocycloalkyl group as R 27 and R 28 include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group and cycloalkyl group as R 25 to R 28. .
The alkoxy group in the alkoxycarbonylalkyl group as R 27 and R 28 may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 5 carbon atoms. Linear and branched alkoxy groups (for example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), cyclic alkoxy groups having 3 to 8 carbon atoms (for example, cyclopentyl) Examples of the alkyl group include, for example, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (for example, a methyl group and an ethyl group). Group).

27及びR28としてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10のシクロアルキル基)で置換されたアリル基であることが好ましい。 The allyl group as R 27 and R 28 is not particularly limited, but is substituted with an unsubstituted allyl group or a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group (preferably a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms). It is preferable that it is an allyl group.

27及びR28としてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10のシクロアルキル基)で置換されたビニル基であることが好ましい。
27及びR28が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のR27及びR28(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等)が一般式(II−2)中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)が挙げられる。
これらの各基は更に置換基を有していてもよく、有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数5〜15)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数5〜15)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜10)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20)、アルキルカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜20)、シクロアルキルカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数4〜11)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜20)、アリールチオ基(好ましくは炭素数5〜15)、アミノアシル基(好ましくは炭素数2〜20)などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造、及びアミノアシル基については、置換基としては更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)を挙げることができる。
2個のRaが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個のRaが一般式(II−1)中の硫黄原子と共に形成される5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環が挙げられ、1個以上の芳香族環又は飽和炭化水素環と縮環していてもよい。
前記縮環していてもよい芳香族環としては、ベンゼン環等が挙げられ、前記飽和炭化水素環としてはシクロヘキサン環等が挙げられる。
この2個のRaが互いに結合して形成してもよい環(前記縮環も含む。)は置換基を有してもよく、前記置換基としては、例えば、R20として前述した基又は原子と同様の基又は原子等が挙げられ、その他、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニルオキシ基等も挙げられる。
芳香族環又は飽和炭化水素環と縮環していてもよい前記環構造としては、硫黄原子を1個と炭素原子を18個以下で含むものが好ましく、より好ましくは下記一般式(IV−1)〜(IV−3)のいずれかで表される環構造である。式中、*は結合手を表す。
The vinyl group as R 27 and R 28 is not particularly limited, but is substituted with an unsubstituted vinyl group or a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group (preferably a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms). It is preferably a vinyl group.
As the ring structure that R 27 and R 28 may be bonded to each other, divalent R 27 and R 28 (for example, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and the like) are represented by the general formula (II-2). A 5-membered or 6-membered ring formed with a sulfur atom, particularly preferably a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring).
Each of these groups may further have a substituent. Examples of the substituent that may be included include a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxy group, and an alkyl group (preferably having 1 carbon atom). To 20), a cycloalkyl group (preferably 3 to 10 carbon atoms), an aryl group (preferably 5 to 15 carbon atoms), an aryloxy group (preferably 5 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (preferably 1 carbon atom). -10), an acyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), an acyloxy group (preferably 2 to 10 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), an alkylcarbonyloxy group (preferably a carbon number). 2 to 20), a cycloalkylcarbonyloxy group (preferably 4 to 11 carbon atoms), an alkylthio group (preferably 1 to 20 carbon atoms), an arylthio group (preferably Ku 5-15 carbon atoms), an aminoacyl group (preferably the like 2 to 20 carbon atoms). As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, and the aminoacyl group, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms).
As a ring structure that two Ras may be bonded to each other, a 5-membered or 6-membered ring in which two Ras are formed together with a sulfur atom in the general formula (II-1), particularly preferably A 5-membered ring is mentioned, and it may be condensed with one or more aromatic rings or saturated hydrocarbon rings.
Examples of the aromatic ring that may be condensed include a benzene ring and the like, and examples of the saturated hydrocarbon ring include a cyclohexane ring and the like.
The ring (including the condensed ring) that may be formed by bonding these two Ras to each other may have a substituent. Examples of the substituent include the group or atom described above as R 20. And the same groups or atoms, and other examples include a cyano group, a nitro group, and an alkoxycarbonyloxy group.
As the ring structure which may be condensed with an aromatic ring or a saturated hydrocarbon ring, those having 1 sulfur atom and 18 or less carbon atoms are preferable, and more preferably the following general formula (IV-1) ) To (IV-3). In the formula, * represents a bond.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記一般式中、
Rb、Rb、Rb及びRbは、各々独立に、任意の置換基を表し、例えば前記2個のRaが互いに結合して形成してもよい環が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
上記一般式(IV−1)〜(IV−3)において、複数のRbが存在する場合、複数のRbは同一であっても異なっていてもよく、複数のRbが存在する場合、複数のRbは同一であっても異なっていてもよく、複数のRbが存在する場合、複数のRbは同一であっても異なっていてもよく、複数のRbが存在する場合、複数のRbは同一であっても異なっていてもよい。
nb1、nb3及びnb4は、各々独立に、0〜4の整数を表す。
nb2は、0〜5の整数を表す。
mbは0〜3の整数を示す。
In the above general formula,
Rb 1 , Rb 2 , Rb 3 and Rb 4 each independently represent an arbitrary substituent, for example, a substituent that the two Ras may form by bonding to each other. The same thing is mentioned.
In the general formulas (IV-1) to (IV-3), when a plurality of Rb 1 are present, the plurality of Rb 1 may be the same or different, and when a plurality of Rb 2 are present, The plurality of Rb 2 may be the same or different, and when a plurality of Rb 3 are present, the plurality of Rb 3 may be the same or different, and when a plurality of Rb 4 are present, The plurality of Rb 4 may be the same or different.
nb1, nb3 and nb4 each independently represents an integer of 0 to 4.
nb2 represents an integer of 0 to 5.
mb represents an integer of 0 to 3.

LER等の改善の観点から、前記一般式(II−1)で表される化合物における好ましいカチオン構造としては以下の一般式(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−4)又は(ZI−5)で表されるカチオン構造(以下、それぞれ、カチオン構造(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−4)、(ZI−5)ともいう)が挙げられ、前記一般式(II−2)で表される化合物における好ましいカチオン構造としては以下の一般式(ZI−3)で表されるカチオン構造(以下、カチオン構造(ZI−3)ともいう)が挙げられる。
カチオン構造(ZI−1)とは、以下の一般式(ZI−1)で表される構造である。
From the viewpoint of improving LER and the like, preferred cation structures in the compound represented by the general formula (II-1) include the following general formulas (ZI-1), (ZI-2), (ZI-4) or ( ZI-5) (hereinafter also referred to as cation structures (ZI-1), (ZI-2), (ZI-4), and (ZI-5)), respectively, A preferable cation structure in the compound represented by (II-2) includes a cation structure represented by the following general formula (ZI-3) (hereinafter also referred to as cation structure (ZI-3)).
The cation structure (ZI-1) is a structure represented by the following general formula (ZI-1).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(ZI−1)中、
13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
15は各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよく、該環は芳香族環又は飽和炭化水素環と縮環していてもよい。前記環(前記縮環も含む。)は置換基を有してもよい。
lは0〜2の整数を表す。
rは0〜10の整数を表す。
一般式(ZI−1)において、R13、R14及びR15のアルキル基、シクロアルキル基の具体例及び好ましい例としては、R20、R21、R22及びRaのアルキル基、シクロアルキル基として前述したものと同様なものが挙げられる。
In general formula (ZI-1),
R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a group having a cycloalkyl group. These groups may have a substituent.
When there are a plurality of R 14 s, each independently represents a group having a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group, or a cycloalkyl group. To express. These groups may have a substituent.
R 15 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group. These groups may have a substituent. Two R 15 may be bonded to each other to form a ring, and the ring may be condensed with an aromatic ring or a saturated hydrocarbon ring. The ring (including the condensed ring) may have a substituent.
l represents an integer of 0-2.
r represents an integer of 0 to 10.
In the general formula (ZI-1), specific examples and preferred examples of the alkyl group and cycloalkyl group of R 13 , R 14 and R 15 include alkyl groups and cycloalkyl groups of R 20 , R 21 , R 22 and Ra. Are similar to those described above.

13及びR14のアルコキシ基、アルコキシカルボニル基の具体例及び好ましい例としては、R20、R21、R22のアルコキシ基、アルコキシカルボニル基として前述したものと同様なものが挙げられる。
13及びR14のシクロアルキル基を有する基の具体例及び好ましい例としては、R20、R21及びR22のシクロアルキル基を有する基として前述したものと同様なものが挙げられる。
14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR20、R21、R22及びRaとしてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。
14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基の具体例及び好ましい例としては、R20、R21及びR22のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基について前述したものと同様のものが挙げられる。
前記、R13、R14、R15の各基が有していてもよい置換基の具体例及び好ましい例としては、R20、R21、R22、R23及びRaの各基が有していてもよい置換基として前述したものと同様のものが挙げられる。
2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個の2価のR15が一般式(ZI−1)中の硫黄原子と共に形成される5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)が挙げられ、芳香族環又は飽和炭化水素環と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、2個のRaが互いに結合して形成してもよい環が有していてもよい置換基として前述したものと同様のものが挙げられる。
一般式(ZI−1)におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。
13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子(特に、フッ素原子)が好ましい。
lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。
rとしては、0〜2が好ましい。
以下に、一般式(ZI−1)で表されるカチオン構造の好ましい具体例を示す。
Specific examples and preferred examples of the alkoxy group and alkoxycarbonyl group of R 13 and R 14 include the same as those described above for the alkoxy group and alkoxycarbonyl group of R 20 , R 21 , and R 22 .
Specific examples and preferred examples of the group having a cycloalkyl group of R 13 and R 14 include the same groups as those described above as the group having a cycloalkyl group of R 20 , R 21 and R 22 .
Specific examples of the alkyl group of the alkylcarbonyl group of R 14 include the same specific examples as the alkyl group as R 20 , R 21 , R 22 and Ra described above.
Specific examples and preferred examples of the alkylsulfonyl group and cycloalkylsulfonyl group of R 14 include the same as those described above for the alkylsulfonyl group and cycloalkylsulfonyl group of R 20 , R 21 and R 22 .
Specific examples and preferred examples of the substituent that each group of R 13 , R 14 , and R 15 may have include groups of R 20 , R 21 , R 22 , R 23, and Ra. Examples of the substituent which may be included are the same as those described above.
The ring structure that two R 15 may be bonded to each other is a 5- or 6-membered structure in which two divalent R 15 are formed together with the sulfur atom in the general formula (ZI-1). Examples thereof include a ring, particularly preferably a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring), which may be condensed with an aromatic ring or a saturated hydrocarbon ring. This divalent R 15 may have a substituent, and the substituent is the same as those described above as the substituent that the ring which two Ras may be bonded to each other may have. The same thing is mentioned.
R 15 in the general formula (ZI-1) is preferably a methyl group, an ethyl group, a naphthyl group, a divalent group in which two R 15s are bonded to each other to form a tetrahydrothiophene ring structure together with a sulfur atom.
The substituent that R 13 and R 14 may have is preferably a hydroxyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a halogen atom (particularly a fluorine atom).
l is preferably 0 or 1, and more preferably 1.
As r, 0-2 are preferable.
Below, the preferable specific example of the cation structure represented by general formula (ZI-1) is shown.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

カチオン構造(ZI−2)とは、以下の一般式(ZI−2)で表される構造である。   The cation structure (ZI-2) is a structure represented by the following general formula (ZI-2).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(ZI−2)中、
I−2は、酸素原子、硫黄原子、又は−NRa−基を表し、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアシル基を表す。
Ra及びRaは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基を表す。Ra及びRaは、互いに結合して環を形成してもよい。
Raは、複数個ある場合には各々独立に、有機基を表す。
mは、0〜3の整数を表す。
I−2は、LER等の改善の観点から、前記−NRa−基であることが好ましい。
Ra〜Raのアルキル基は、炭素数1〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
Ra〜Raのシクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
Ra〜Raのアリール基は、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。
Raのアシル基は、炭素数2〜20のアシル基が好ましい。
Ra及びRaのアルケニル基としては、炭素数2〜15のアルケニル基が好ましい。
Ra及びRaが互いに結合して形成してもよい環構造としては、一般式(ZI−2)中の硫黄原子と共に形成される5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)が好ましく、一般式(ZI−1)中のR15同士が連結して形成しても良い環と同様のものが挙げられる。
Raの有機基としては、前記一般式(II−1)中の各炭素原子が有し得る置換基として例示したものと同様のものが挙げられる。
一般式(ZI−2)で表されるカチオン構造としては以下の具体例が挙げられる。
In general formula (ZI-2),
X I-2 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or a —NRa 1 — group, and Ra 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an acyl group.
Ra 2 and Ra 3 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an alkenyl group. Ra 2 and Ra 3 may be bonded to each other to form a ring.
When there are a plurality of Ra 4 s , each independently represents an organic group.
m represents an integer of 0 to 3.
X I-2 is preferably the aforementioned —NRa 1 — group from the viewpoint of improvement of LER or the like.
The alkyl group of Ra 1 to Ra 3 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
The cycloalkyl group of Ra 1 to Ra 3 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The aryl group of Ra 1 to Ra 3 is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.
The acyl group of Ra 1 is preferably an acyl group having 2 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group for Ra 2 and Ra 3 is preferably an alkenyl group having 2 to 15 carbon atoms.
As the ring structure which Ra 2 and Ra 3 may be bonded to each other, a 5-membered or 6-membered ring formed with a sulfur atom in the general formula (ZI-2), particularly preferably a 5-membered ring (That is, a tetrahydrothiophene ring) is preferable, and examples thereof include the same ring as the ring which may be formed by connecting R 15 in the general formula (ZI-1).
Examples of the organic group for Ra 4 include the same groups as those exemplified as the substituent that each carbon atom in the general formula (II-1) may have.
The following specific examples are given as a cation structure represented by general formula (ZI-2).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

カチオン構造(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)で表される構造である。   The cationic structure (ZI-3) is a structure represented by the following general formula (ZI-3).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(ZI−3)において、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとR、及びRとRは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3〜10員環を挙げることができ、4〜8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。
1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRとRが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
5cとR6c、及び、R5cとRが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等を挙げることができる。
1c〜R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜20個のアルキル基、好ましくは炭素数1〜12個の直鎖及び分岐アルキル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
In general formula (ZI-3),
R 1c to R 5c are each independently a hydrogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, alkoxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, cycloalkylcarbonyloxy group, halogen atom, hydroxyl group Represents a nitro group, an alkylthio group or an arylthio group.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an aryl group.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.
Any two or more of R 1c to R 5c , R 5c and R 6c , R 6c and R 7c , R 5c and R x , and R x and R y may be bonded to form a ring structure. The ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, or an amide bond.
Examples of the ring structure include an aromatic or non-aromatic hydrocarbon ring, an aromatic or non-aromatic heterocycle, or a polycyclic fused ring formed by combining two or more of these rings. Examples of the ring structure include 3- to 10-membered rings, preferably 4- to 8-membered rings, and more preferably 5- or 6-membered rings.
Examples of the group formed by combining any two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y include a butylene group and a pentylene group.
The group formed by combining R 5c and R 6c and R 5c and R x is preferably a single bond or an alkylene group, and examples of the alkylene group include a methylene group and an ethylene group. .
The alkyl group as R 1c to R 7c may be either linear or branched, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Examples of the cycloalkyl group include a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms (for example, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group).

1c〜R5cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5〜15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。
1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。
The aryl group as R 1c to R 5c preferably has 5 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.
The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. (For example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), C3-C8 cyclic alkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) ).

1c〜R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記R1c〜R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。 Specific examples of the alkyl group in the alkylcarbonyloxy group and alkylthio group as R 1c to R 5c are the same as specific examples of the alkyl group of R 1c to R 5c.

1c〜R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記R1c〜R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。 Specific examples of the cycloalkyl group in the cycloalkyl carbonyl group as R 1c to R 5c are the same as specific examples of the cycloalkyl group of R 1c to R 5c.

1c〜R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記R1c〜R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。
好ましくは、R1c〜R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c〜R5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
Specific examples of the aryl group in the aryloxy group and arylthio group as R 1c to R 5c are the same as specific examples of the aryl group of R 1c to R 5c.
Preferably, any one of R 1c to R 5c is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or a linear, branched or cyclic alkoxy group, and more preferably the sum of carbon numbers of R 1c to R 5c. Is 2-15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.

1c〜R5cのいずれか2つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは5員又は6員の環、特に好ましくは6員の環(例えばフェニル環)が挙げられる。 The ring structure that any two or more of R 1c to R 5c may be bonded to each other is preferably a 5-membered or 6-membered ring, particularly preferably a 6-membered ring (eg, a phenyl ring). It is done.

5c及びR6cが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びR6cが互いに結合して単結合又はアルキレン基(メチレン基、エチレン基等)を構成することにより、一般式(I)中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する4員以上の環(特に好ましくは5〜6員の環)が挙げられる。 The ring structure which may be formed by R 5c and R 6c are bonded to each other, bonded R 5c and R 6c are each other a single bond or an alkylene group (methylene group, ethylene group, etc.) by configuring the generally Examples thereof include a carbonyl carbon atom in the formula (I) and a 4-membered ring (particularly preferably a 5- to 6-membered ring) formed together with the carbon atom.

6c及びR7cとしてのアリール基の具体例及び好ましい例としては、R25及びR26としてのアリール基について前述したものと同様のものが挙げられる。
6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基の具体例及び好ましい例としては、R25とR26とが結合して形成する基として前述したものと同様のものが挙げられる。
Specific examples and preferred examples of the aryl group as R 6c and R 7c include the same as those described above for the aryl group as R 25 and R 26 .
When R 6c and R 7c are combined to form a ring, specific examples and preferred examples of the group formed by the bonding of R 6c and R 7c may be bonded with each R 25 and R 26 form Examples of the group to be mentioned are the same as those described above.

及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c〜R7cおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。
及びRとしての2−オキソアルキル基及び2−オキソシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
及びRとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cおけるものと同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1〜12のアルキル基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基)を挙げることができる。
Examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R x and R y include the same alkyl group and cycloalkyl group as in R 1c to R 7c .
Examples of the 2-oxoalkyl group and 2-oxocycloalkyl group as R x and R y include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group and cycloalkyl group as R 1c to R 7c. .
As for the alkoxy group in the alkoxycarbonylalkyl group as R x and R y , the same alkoxy groups as those in R 1c to R 5c can be exemplified, and the alkyl group includes, for example, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Preferably, a C1-C5 linear alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group) can be mentioned.

及びRとしてのアリル基、ビニル基の具体例、好ましい例としては、R27及びR28としてのアリル基、ビニル基について前述したものと同様のものが挙げられる。 Specific examples and preferred examples of the allyl group and vinyl group as R x and R y include the same as those described above for the allyl group and vinyl group as R 27 and R 28 .

5c及びRが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びRが互いに結合して単結合又はアルキレン基(メチレン基、エチレン基等)を構成することにより、一般式(I)中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する5員以上の環(特に好ましくは5員の環)が挙げられる。 The ring structure which may be formed by R 5c and R x are bonded to each other, bonded R 5c and R x each other a single bond or an alkylene group (methylene group, ethylene group, etc.) by configuring the generally Examples thereof include a 5-membered ring (particularly preferably a 5-membered ring) formed together with the sulfur atom and the carbonyl carbon atom in formula (I).

及びRが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のR及びR(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等)が一般式(ZI−3)中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)が挙げられる。
及びRは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。
As the ring structure that R x and R y may be bonded to each other, divalent R x and R y (for example, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and the like) are represented by the general formula (ZI-3). A 5-membered or 6-membered ring formed with a sulfur atom, particularly preferably a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring).
R x and R y are preferably an alkyl group or cycloalkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more alkyl groups or cycloalkyl groups.

1c〜R7c、R及びRは、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子)、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。 R 1c to R 7c , R x and R y may further have a substituent. Examples of such a substituent include a halogen atom (for example, a fluorine atom), a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, and a nitro group. Group, alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, acyl group, arylcarbonyl group, alkoxyalkyl group, aryloxyalkyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyloxy group, aryl An oxycarbonyloxy group etc. can be mentioned.

前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の炭素数1〜12個の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を挙げることができる。
前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3〜10個のシクロアルキル基を挙げることができる。
前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等の炭素数6〜15のアリール基を挙げることができる。
Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, a 2-methylpropyl group, a 1-methylpropyl group, and a t-butyl group. There can be mentioned up to 12 linear or branched alkyl groups.
As said cycloalkyl group, C3-C10 cycloalkyl groups, such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, can be mentioned, for example.
As said aryl group, C6-C15 aryl groups, such as a phenyl group and a naphthyl group, can be mentioned, for example.

前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。   Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, cyclopentyloxy group, Examples thereof include a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms such as a cyclohexyloxy group.

前記アリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6〜10個のアリールオキシ基等を挙げることができる。   As said aryloxy group, C6-C10 aryloxy groups, such as a phenyloxy group and a naphthyloxy group, etc. can be mentioned, for example.

前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、n−ブタノイル基、i−ブタノイル基、n−ヘプタノイル基、2−メチルブタノイル基、1−メチルブタノイル基、t−ヘプタノイル基等の炭素原子数2〜12の直鎖状若しくは分岐状のアシル基等を挙げることができる。   Examples of the acyl group include carbon such as acetyl group, propionyl group, n-butanoyl group, i-butanoyl group, n-heptanoyl group, 2-methylbutanoyl group, 1-methylbutanoyl group and t-heptanoyl group. Examples thereof include a linear or branched acyl group having 2 to 12 atoms.

前記アリールカルボニル基としては、例えば、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基等の炭素数6〜10個のアリールオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the arylcarbonyl group include aryloxy groups having 6 to 10 carbon atoms such as a phenylcarbonyl group and a naphthylcarbonyl group.

前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1−メトキシエチル基、2−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、2−エトキシエチル基等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。   Examples of the alkoxyalkyl group include straight chain having 2 to 21 carbon atoms such as methoxymethyl group, ethoxymethyl group, 1-methoxyethyl group, 2-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, and 2-ethoxyethyl group. Examples thereof include a chain, branched or cyclic alkoxyalkyl group.

前記アリールオキシアルキル基としては、例えば、フェニルオキシメチル基、フェニルオキシエチル基、ナフチルオキシメチル基、ナフチルオキシエチル基等の炭素数7〜12個のアリールオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the aryloxyalkyl group include aryloxy groups having 7 to 12 carbon atoms such as a phenyloxymethyl group, a phenyloxyethyl group, a naphthyloxymethyl group, and a naphthyloxyethyl group.

前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。   Examples of the alkoxycarbonyl group include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t Examples thereof include linear, branched or cyclic alkoxycarbonyl groups having 2 to 21 carbon atoms such as butoxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl and the like.

前記アリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の炭素数7〜11個のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。   Examples of the aryloxycarbonyl group include aryloxycarbonyl groups having 7 to 11 carbon atoms such as phenyloxycarbonyl group and naphthyloxycarbonyl group.

前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、i−プロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ基、t−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the alkoxycarbonyloxy group include methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, n-propoxycarbonyloxy group, i-propoxycarbonyloxy group, n-butoxycarbonyloxy group, t-butoxycarbonyloxy group, and cyclopentyloxy. Examples thereof include linear, branched or cyclic alkoxycarbonyloxy groups having 2 to 21 carbon atoms such as carbonyloxy group and cyclohexyloxycarbonyloxy.

前記アリールオキシカルボニルオキシ基としては、例えば、フェニルオキシカルボニルオキシ基、ナフチルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数7〜11個のアリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the aryloxycarbonyloxy group include aryloxycarbonyloxy groups having 7 to 11 carbon atoms such as phenyloxycarbonyloxy group and naphthyloxycarbonyloxy group.

上記一般式(ZI−3)中、R1c、R2c、R4c及びR5cが、各々独立に、水素原子を表し、R3cが水素原子以外の基、すなわち、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表すことがより好ましい。 In the general formula (ZI-3), R 1c , R 2c , R 4c and R 5c each independently represent a hydrogen atom, and R 3c is a group other than a hydrogen atom, that is, an alkyl group, a cycloalkyl group, More preferably, it represents an aryl group, alkoxy group, aryloxy group, alkoxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, cycloalkylcarbonyloxy group, halogen atom, hydroxyl group, nitro group, alkylthio group or arylthio group.

一般式(ZI−3)で表されるカチオン構造としては以下の具体例が挙げられる。   Examples of the cation structure represented by the general formula (ZI-3) include the following specific examples.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
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Figure 2012173367
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Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

カチオン構造(ZI−4)とは、以下の一般式(ZI−4)で表される構造である。   The cation structure (ZI-4) is a structure represented by the following general formula (ZI-4).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(ZI−4)中、R41〜R43は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アセチル基又は水酸基を表す。
41〜R43についてのハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子等が挙げられる。
41〜R43についてのアルキル基は、炭素数1〜5の低級アルキル基が好ましく、なかでも直鎖又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが特に好ましい。
41〜R43についてのアルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖又は分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
n1〜n3は、それぞれ独立して0〜2の整数であり、好ましくは、それぞれ独立して0又は1であり、より好ましくはいずれも0である。
なお、n1〜n3のいずれかが2であるとき、複数のR41〜R43は互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。
以下に、一般式(ZI−4)で表されるカチオン構造の好ましい具体例を示す。
In General Formula (ZI-4), R 41 to R 43 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an acetyl group, or a hydroxyl group.
Examples of the halogen atom for R 41 to R 43 include a chlorine atom and a fluorine atom.
The alkyl group for R 41 to R 43 is preferably a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or n-butyl. And particularly preferably a tert-butyl group.
The alkoxy group for R 41 to R 43 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkoxy group, and particularly preferably a methoxy group or an ethoxy group.
n1 to n3 are each independently an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1 each independently, and more preferably 0.
When any one of n1 to n3 is 2, the plurality of R 41 to R 43 may be the same as or different from each other.
Specific examples of preferable cationic structures represented by general formula (ZI-4) are shown below.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

カチオン構造(ZI−5)とは、以下の一般式(ZI−5)で表される構造である。   The cationic structure (ZI-5) is a structure represented by the following general formula (ZI-5).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(ZI−5)中、R45〜R47はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシル基、水酸基又はヒドロキシアルキル基を表す。
45〜R47としてのハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基は、式(ZI−4)中、R41〜R43と同様のものが挙げられる。
ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基の一又は複数の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
n5は0〜3の整数であり、好ましくは1又は2であり、より好ましくは1である。
n6は0〜3の整数であり、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。
n7は0〜2の整数であり、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。
以下に、一般式(ZI−5)で表されるカチオン構造の好ましい具体例を示す。
In the general formula (ZI-5), R 45 to R 47 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group, or a hydroxyalkyl group.
Examples of the halogen atom, alkyl group, and alkoxy group as R 45 to R 47 include the same groups as R 41 to R 43 in formula (ZI-4).
The hydroxyalkyl group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms of the above alkyl group are substituted with a hydroxy group, and examples thereof include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, and the like.
n5 is an integer of 0 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1.
n6 is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
n7 is an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 1.
Specific examples of preferable cationic structures represented by general formula (ZI-5) are shown below.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(ZI−1)〜(ZI−5)で表されるカチオン構造のうち、好ましい構造は(ZI−1)〜(ZI−3)であり、(ZI−1)又は(ZI−3)であることが更に好ましい。   Among the cation structures represented by the general formulas (ZI-1) to (ZI-5), preferred structures are (ZI-1) to (ZI-3), and (ZI-1) or (ZI-3) More preferably.

前記一般式(II−1)又は(II−2)で表される化合物において、Zとしての非求核性アニオンは、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン等を挙げることができる。 In the compound represented by the general formula (II-1) or (II-2), the non-nucleophilic anion as Z is, for example, a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, or a bis (alkylsulfonyl). ) Imide anion, tris (alkylsulfonyl) methide anion, and the like.

非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これにより感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の経時安定性が向上する。   A non-nucleophilic anion is an anion that has an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion that can suppress degradation over time due to an intramolecular nucleophilic reaction. Thereby, the temporal stability of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is improved.

スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion include an aliphatic sulfonate anion, an aromatic sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion.

カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the carboxylate anion include an aliphatic carboxylate anion, an aromatic carboxylate anion, and an aralkylcarboxylate anion.

脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。   The aliphatic moiety in the aliphatic sulfonate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms such as methyl. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group , Tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, bornyl group and the like.

芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aromatic group in the aromatic sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルイミノスルホニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数6〜20)、アルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数7〜20)、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数10〜20)、アルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数5〜20)、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数8〜20)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)を挙げることができる。   The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion include, for example, a nitro group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), carboxy group , Hydroxyl group, amino group, cyano group, alkoxy group (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl group (preferably having 3 to 15 carbon atoms), aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), alkoxycarbonyl group ( Preferably 2 to 7 carbon atoms, acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 7 carbon atoms), alkylthio group (preferably 1 to 15 carbon atoms), alkylsulfonyl group (Preferably having 1 to 15 carbon atoms), alkyliminosulfonyl group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), aryl An oxysulfonyl group (preferably having 6 to 20 carbon atoms), an alkylaryloxysulfonyl group (preferably having 7 to 20 carbon atoms), a cycloalkylaryloxysulfonyl group (preferably having 10 to 20 carbon atoms), an alkyloxyalkyloxy group ( Preferable examples include 5 to 20 carbon atoms, a cycloalkylalkyloxyalkyloxy group (preferably 8 to 20 carbon atoms), and the like. About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) and a cycloalkyl group (preferably C3-C15) can further be mentioned as a substituent.

脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。   Examples of the aliphatic moiety in the aliphatic carboxylate anion include the same alkyl group and cycloalkyl group as in the aliphatic sulfonate anion.

芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。   Examples of the aromatic group in the aromatic carboxylate anion include the same aryl group as in the aromatic sulfonate anion.

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。   The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and a naphthylbutyl group. The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion include, for example, the same halogen atom and alkyl as in the aromatic sulfonate anion Group, cycloalkyl group, alkoxy group, alkylthio group and the like.

スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。   Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。なお、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン中の2つのアルキル基は、同一のものであっても異なっていてもよい。同様に、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン中の複数のアルキル基は、同一のものであっても異なっていてもよい。また、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおける2つのアルキル基が、互いに結合して環状構造を形成している態様も好ましい。この場合、形成される環状構造は5〜7員環であることが好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methide anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl. Group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group and the like. Examples of substituents for these alkyl groups include halogen atoms, alkyl groups substituted with halogen atoms, alkoxy groups, alkylthio groups, alkyloxysulfonyl groups, aryloxysulfonyl groups, cycloalkylaryloxysulfonyl groups, and the like. Alkyl groups substituted with fluorine atoms are preferred. The two alkyl groups in the bis (alkylsulfonyl) imide anion may be the same or different. Similarly, the plurality of alkyl groups in the tris (alkylsulfonyl) methide anion may be the same or different. Also preferred is an embodiment in which two alkyl groups in the bis (alkylsulfonyl) imide anion are bonded to each other to form a cyclic structure. In this case, it is preferable that the formed cyclic structure is a 5- to 7-membered ring.

その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐(例えば、PF )、弗素化硼素(例えば、BF )、弗素化アンチモン(例えば、SbF )等を挙げることができる。 Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus (eg, PF 6 ), fluorinated boron (eg, BF 4 ), and fluorinated antimony (eg, SbF 6 ). .

の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4〜8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。
また、Zの非求核性アニオンは、例えば、下記一般式(LD1)により表されることが好ましい。
Examples of the non-nucleophilic anion of Z include an aliphatic sulfonate anion in which the α-position of the sulfonic acid is substituted with a fluorine atom, an aromatic sulfonate anion substituted with a fluorine atom or a group having a fluorine atom, and an alkyl group. A bis (alkylsulfonyl) imide anion substituted with a fluorine atom and a tris (alkylsulfonyl) methide anion wherein an alkyl group is substituted with a fluorine atom are preferred. The non-nucleophilic anion is more preferably a perfluoroaliphatic sulfonic acid anion having 4 to 8 carbon atoms, a benzenesulfonic acid anion having a fluorine atom, still more preferably a nonafluorobutanesulfonic acid anion, a perfluorooctanesulfonic acid anion, It is a pentafluorobenzenesulfonic acid anion and 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonic acid anion.
Moreover, it is preferable that the non-nucleophilic anion of Z is represented by the following general formula (LD1), for example.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式中、
Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
及びRは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表す。
Lは、各々独立に、2価の連結基を表す。
Cyは、環状の有機基を表す。
xは、1〜20の整数を表す。
yは、0〜10の整数を表す。
zは、0〜10の整数を表す。
Where
Xf each independently represents a fluorine atom or an alkyl group substituted with at least one fluorine atom.
R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group.
L each independently represents a divalent linking group.
Cy represents a cyclic organic group.
x represents an integer of 1 to 20.
y represents an integer of 0 to 10.
z represents an integer of 0 to 10.

Xfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、1〜10であることが好ましく、1〜4であることがより好ましい。また、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
Xfは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。より具体的には、Xfは、フッ素原子、CF、C、C、C、C11、C13、C15、C17、CHCF、CHCHCF、CH、CHCH、CH、CHCH、CH、又はCHCHであることが好ましく、フッ素原子又はCFであることがより好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。
Xf represents a fluorine atom or an alkyl group substituted with at least one fluorine atom. The alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group substituted with at least one fluorine atom is preferably a perfluoroalkyl group.
Xf is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. More specifically, Xf is a fluorine atom, CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , C 7 F 15 , C 8 F 17 , CH 2 CF 3, CH 2 CH 2 CF 3, CH 2 C 2 F 5, CH 2 CH 2 C 2 F 5, CH 2 C 3 F 7, CH 2 CH 2 C 3 F 7, CH 2 C 4 F 9 Or CH 2 CH 2 C 4 F 9 , and more preferably a fluorine atom or CF 3 . In particular, it is preferable that both Xf are fluorine atoms.

及びRは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基である。このアルキル基は、置換基(好ましくはフッ素原子)を有していてもよく、炭素数1〜4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。R及びRの置換基を有するアルキル基の具体例としては、例えば、CF、C、C、C、C11、C13、C15、C17、CHCF、CHCHCF、CH、CHCH、CH、CHCH、CH、及びCHCHが挙げられ、中でもCFが好ましい。 R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group. This alkyl group may have a substituent (preferably a fluorine atom), and preferably has 1 to 4 carbon atoms. More preferably, it is a C1-C4 perfluoroalkyl group. Specific examples of the alkyl group having a substituent for R 1 and R 2 include, for example, CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , and C 7. F 15, C 8 F 17, CH 2 CF 3, CH 2 CH 2 CF 3, CH 2 C 2 F 5, CH 2 CH 2 C 2 F 5, CH 2 C 3 F 7, CH 2 CH 2 C 3 F 7 , CH 2 C 4 F 9 , and CH 2 CH 2 C 4 F 9 , among which CF 3 is preferable.

Lは、2価の連結基を表す。この2価の連結基としては、例えば、−COO−、−OCO−、−CONH−、−CO−、−O−、−S−、−SO−、−SO−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基などが挙げられる。これらの中でも、−COO−、−OCO−、−CONH−、−CO−、−O−、−SO−、−COO−アルキレン基−、−OCO−アルキレン基−又は−CONH−アルキレン基−が好ましく、−COO−、−OCO−、−CONH−、−SO−、−COO−アルキレン基−又は−OCO−アルキレン基−がより好ましい。 L represents a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include —COO—, —OCO—, —CONH—, —CO—, —O—, —S—, —SO—, —SO 2 —, an alkylene group, and a cycloalkylene group. , An alkenylene group or a divalent linking group obtained by combining a plurality of these groups. Among them, -COO -, - OCO -, - CONH -, - CO -, - O -, - SO 2 -, - COO- alkylene group -, - OCO- alkylene group - or -CONH- alkylene group - is preferably, -COO -, - OCO -, - CONH -, - SO 2 -, - COO- alkylene group - or -OCO- alkylene group - is more preferable.

Cyは、環状の有機基を表す。環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。   Cy represents a cyclic organic group. Examples of the cyclic organic group include an alicyclic group, an aryl group, and a heterocyclic group.

脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB(露光後加熱)工程での膜中拡散性の抑制及びMEEF(Mask Error Enhancement Factor)の向上の観点から好ましい。   The alicyclic group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic group include monocyclic cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic group include polycyclic cycloalkyl groups such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, and an adamantyl group. Among these, an alicyclic group having a bulky structure having 7 or more carbon atoms, such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, and an adamantyl group, is a PEB (heating after exposure) step. From the viewpoints of suppressing diffusibility in the film and improving MEEF (Mask Error Enhancement Factor).

アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びアントリル基が挙げられる。中でも、193nmにおける光吸光度が比較的低いナフチル基が好ましい。   The aryl group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a phenanthryl group, and an anthryl group. Among these, a naphthyl group having a relatively low light absorbance at 193 nm is preferable.

複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよいが、多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。また、ラクトン環の例としては、前述の樹脂(A)において例示したラクトン構造が挙げられる。   The heterocyclic group may be monocyclic or polycyclic, but the polycyclic group can suppress acid diffusion more. Moreover, the heterocyclic group may have aromaticity or may not have aromaticity. Examples of the heterocyclic ring having aromaticity include a furan ring, a thiophene ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a pyridine ring. Examples of the heterocyclic ring not having aromaticity include a tetrahydropyran ring, a lactone ring, and a decahydroisoquinoline ring. As the heterocyclic ring in the heterocyclic group, a furan ring, a thiophene ring, a pyridine ring, or a decahydroisoquinoline ring is particularly preferable. Examples of the lactone ring include the lactone structure exemplified in the aforementioned resin (A).

上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基(直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1〜12が好ましい)、シクロアルキル基(単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3〜20が好ましい)、アリール基(炭素数6〜14が好ましい)、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素(環形成に寄与する炭素)はカルボニル炭素であっても良い。   The cyclic organic group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (which may be linear or branched, preferably 1 to 12 carbon atoms), and a cycloalkyl group (monocyclic, polycyclic or spirocyclic). Well, preferably 3 to 20 carbon atoms), aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), hydroxy group, alkoxy group, ester group, amide group, urethane group, ureido group, thioether group, sulfonamide group, and sulfone An acid ester group is mentioned. The carbon constituting the cyclic organic group (carbon contributing to ring formation) may be a carbonyl carbon.

xは1〜8が好ましく、中でも1〜4が好ましく、1が特に好ましい。yは0〜4が好ましく、0がより好ましい。zは0〜8が好ましく、中でも0〜4が好ましい。   x is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 4, and particularly preferably 1. y is preferably 0 to 4, and more preferably 0. z is preferably 0 to 8, particularly preferably 0 to 4.

また、Zの非求核性アニオンは、例えば、下記一般式(LD2)により表されることも好ましい。 Moreover, it is also preferable that the non-nucleophilic anion of Z is represented by the following general formula (LD2), for example.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(LD2)中、Xf、R、R、L、Cy、x、y及びzは、一般式(LD1)における各々と同義である。Rfは、フッ素原子を含んだ基である。
Rfによる表されるフッ素原子を含んだ基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基、少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基、及び少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基が挙げられる。
これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子により置換されていてもよく、フッ素原子を含んだ他の置換基により置換されていてもよい。Rfが少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基又は少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基である場合、フッ素原子を含んだ他の置換基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基が挙げられる。
また、これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子を含んでいない置換基によって更に置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、先にCyについて説明したもののうち、フッ素原子を含んでいないものを挙げることができる。
Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基としては、例えば、Xfにより表される少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基としては、例えば、パーフルオロシクロペンチル基、及びパーフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基としては、例えば、パーフルオロフェニル基が挙げられる。
以下、本発明の化合物(C)の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
なお、下記具体例において、相対モル吸光係数は、カチオン構造の特性を比較する観点から、アニオン構造をノナフルオロブタンスルホネートとして測定した値である。
In General Formula (LD2), Xf, R 1 , R 2 , L, Cy, x, y, and z have the same meanings as in General Formula (LD1). Rf is a group containing a fluorine atom.
Examples of the group containing a fluorine atom represented by Rf include an alkyl group having at least one fluorine atom, a cycloalkyl group having at least one fluorine atom, and an aryl group having at least one fluorine atom. .
These alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may be substituted with a fluorine atom, or may be substituted with another substituent containing a fluorine atom. When Rf is a cycloalkyl group having at least one fluorine atom or an aryl group having at least one fluorine atom, other substituents containing a fluorine atom include, for example, alkyl substituted with at least one fluorine atom. Groups.
Further, these alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may be further substituted with a substituent not containing a fluorine atom. As this substituent, the thing which does not contain a fluorine atom among what was demonstrated about Cy previously can be mentioned, for example.
Examples of the alkyl group having at least one fluorine atom represented by Rf include those described above as the alkyl group substituted with at least one fluorine atom represented by Xf. Examples of the cycloalkyl group having at least one fluorine atom represented by Rf include a perfluorocyclopentyl group and a perfluorocyclohexyl group. Examples of the aryl group having at least one fluorine atom represented by Rf include a perfluorophenyl group.
Specific examples of the compound (C) of the present invention are shown below, but are not limited thereto.
In the following specific examples, the relative molar extinction coefficient is a value obtained by measuring the anion structure as nonafluorobutanesulfonate from the viewpoint of comparing the characteristics of the cation structure.

Figure 2012173367
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Figure 2012173367
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Figure 2012173367
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Figure 2012173367
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Figure 2012173367
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Figure 2012173367
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本発明において、化合物(C)は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
化合物(C)の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の含有量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.1〜30質量%が好ましく、より好ましくは5〜30質量%、更に好ましくは8〜25質量%である。
また、本発明における化合物(C)は、化合物(C)以外の酸発生剤(以下、併用酸発生剤ともいう)と組み合わされて使用されても良い。
併用酸発生剤としては、特に限定されないが、好ましくは下記一般式(ZI’)、(ZII’)、(ZIII’)で表される化合物を挙げることができる。
In this invention, a compound (C) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
The content of the compound (C) in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is preferably 0.1 to 30% by mass based on the total solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. More preferably, it is 5-30 mass%, More preferably, it is 8-25 mass%.
Further, the compound (C) in the present invention may be used in combination with an acid generator other than the compound (C) (hereinafter also referred to as a combined acid generator).
Although it does not specifically limit as a combined acid generator, Preferably, the compound represented by the following general formula (ZI '), (ZII'), (ZIII ') can be mentioned.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記一般式(ZI’)において、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
は、非求核性アニオン(求核反応を起こす能力が著しく低いアニオン)を表す。
は、化合物(C)における非求核性アニオンZと同義であり、Zの具体例及び好ましい例としては、化合物(C)における非求核性アニオンZについて前述した具体例及び好ましい例と同様なものが挙げられる。
In the general formula (ZI ′), R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1 to 30, preferably 1 to 20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. Examples of the group formed by combining two of R 201 to R 203 include an alkylene group (eg, butylene group, pentylene group).
Z represents a non-nucleophilic anion (an anion having an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction).
Z - is a non-nucleophilic anion Z in the compound (C) - it has the same meaning as, Z - Specific examples and preferred examples of the non-nucleophilic anion Z in the compound (C) - specific examples and described above for The thing similar to a preferable example is mentioned.

201、R202及びR203により表される有機基としては、例えば、後述する化合物(ZI’−1)及び(ZI’−2)における対応する基を挙げることができる。 Examples of the organic group represented by R 201 , R 202 and R 203 include corresponding groups in the compounds (ZI′-1) and (ZI′-2) described later.

なお、一般式(ZI’)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI’)で表される化合物のR201〜R203の少なくとも1つが、一般式(ZI’)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。 In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI ') may be sufficient. For example, at least one of R 201 to R 203 of the compound represented by the general formula (ZI ′) is different from at least one of R 201 to R 203 of the other compound represented by the general formula (ZI ′). It may be a compound having a structure bonded through a bond or a linking group.

更に好ましい(ZI’)成分として、以下に説明する化合物(ZI’−1)及び(ZI’−2)を挙げることができる。   More preferred (ZI ′) components include compounds (ZI′-1) and (ZI′-2) described below.

化合物(ZI’−1)は、上記一般式(ZI’)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。 The compound (ZI′-1) is an arylsulfonium compound in which at least one of R 201 to R 203 in the general formula (ZI ′) is an aryl group, that is, a compound having arylsulfonium as a cation.

アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよいが、R201〜R203の全てがアリール基であることが好ましい。 Arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group or a part of R 201 to R 203 is an aryl group, but the remainder is an alkyl group or a cycloalkyl group, the R 201 to R 203 All are preferably aryl groups.

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができ、トリアリールスルホニウム化合物であることが好ましい。   Examples of the arylsulfonium compound include a triarylsulfonium compound, a diarylalkylsulfonium compound, an aryldialkylsulfonium compound, a diarylcycloalkylsulfonium compound, and an aryldicycloalkylsulfonium compound, and a triarylsulfonium compound is preferable. .

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。   The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may be an aryl group having a heterocyclic structure having an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or the like. Examples of the heterocyclic structure include a pyrrole residue, a furan residue, a thiophene residue, an indole residue, a benzofuran residue, and a benzothiophene residue. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。   The alkyl group or cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, Examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。 The aryl group, alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203 are an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms). , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, or a phenylthio group may be substituted. Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, more preferably carbon. These are an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(ZI’−2)について説明する。
化合物(ZI’−2)は、式(ZI’)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
Next, the compound (ZI′-2) will be described.
Compound (ZI′-2) is a compound in which R 201 to R 203 in formula (ZI ′) each independently represents an organic group having no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.

201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。 The organic group not containing an aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2−オキソアルキル基である。 R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocycloalkyl group, alkoxy group. A carbonylmethyl group, particularly preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2−オキソシクロアルキル基を挙げることができる。 As the alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group). More preferred examples of the alkyl group include a 2-oxoalkyl group and an alkoxycarbonylmethyl group. More preferred examples of the cycloalkyl group include a 2-oxocycloalkyl group.

2−オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
The 2-oxoalkyl group may be either linear or branched, and a group having> C = O at the 2-position of the above alkyl group is preferable.
The 2-oxocycloalkyl group is preferably a group having> C═O at the 2-position of the cycloalkyl group.

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。   The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentoxy group).

201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。 R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (eg, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.

次に一般式(ZII’)、(ZIII’)について説明する。
一般式(ZII’)、(ZIII’)中、
204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物(ZI’−1)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明したアリール基と同様である。
204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI’−1)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。
は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI’)に於けるZの非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
本発明における化合物(C)と併用し得る併用酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV’)、(ZV’)、(ZVI’)で表される化合物も挙げられる。
Next, general formulas (ZII ′) and (ZIII ′) will be described.
In general formulas (ZII ′) and (ZIII ′),
R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.
The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 to R 207 are the same as the aryl group described as the aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 201 to R 203 in the aforementioned compound (ZI′-1). It is.
The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 to R 207 may have a substituent. Also as this substituent, what the aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 201 to R 203 in the above-mentioned compound (ZI′-1) may have may be mentioned.
Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in the general formula (ZI ′).
Examples of the combined acid generator that can be used in combination with the compound (C) in the present invention further include compounds represented by the following general formulas (ZIV ′), (ZV ′), and (ZVI ′).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(ZIV')〜(ZVI')中、
Ar及びArは、各々独立に、アリール基を表す。
208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
Ar、Ar、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式(ZI’−1)におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。
208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式(ZI’−2)におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Aのアルキレン基としては、炭素数1〜12のアルキレン(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基など)を、Aのアルケニレン基としては、炭素数2〜12のアルケニレン基(例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など)を、Aのアリーレン基としては、炭素数6〜10のアリーレン基(例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など)を、それぞれ挙げることができる。
本発明における化合物(C)と併用し得る併用酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。
In general formulas (ZIV ′) to (ZVI ′),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.
R 208 , R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.
Specific examples of the aryl group represented by Ar 3 , Ar 4 , R 208 , R 209 and R 210 are the same as the specific examples of the aryl group represented by R 201 , R 202 and R 203 in the general formula (ZI′-1). Can be mentioned.
Specific examples of the alkyl group and the cycloalkyl group represented by R 208 , R 209, and R 210 include an alkyl group and a cycloalkyl group represented by R 201 , R 202, and R 203 in the general formula (ZI′-2), respectively. The thing similar to a specific example can be mentioned.
The alkylene group of A is alkylene having 1 to 12 carbon atoms (for example, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, etc.), and the alkenylene group of A is 2 to 2 carbon atoms. 12 alkenylene groups (for example, ethenylene group, propenylene group, butenylene group, etc.), and as the arylene group for A, arylene groups having 6 to 10 carbon atoms (for example, phenylene group, tolylene group, naphthylene group, etc.) Can be mentioned.
Among the combined acid generators that can be used in combination with the compound (C) in the present invention, particularly preferred examples are given below.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

化合物(C)と、化合物(C)以外の併用酸発生剤とを併用した場合の酸発生剤の使用量は、モル比(化合物(C)/併用酸発生剤)で、通常99/1〜20/80、好ましくは99/1〜40/60、更に好ましくは99/1〜50/50である。   When the compound (C) and a combination acid generator other than the compound (C) are used in combination, the acid generator is used in a molar ratio (compound (C) / combination acid generator) and usually 99/1 to 1 20/80, preferably 99/1 to 40/60, more preferably 99/1 to 50/50.

<(B)フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂(以下、疎水性樹脂(B)ともいう。)>
疎水性樹脂(B)は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有している。
疎水性樹脂(B)に於けるフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかは、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。
<(B) Hydrophobic resin having at least one of fluorine atom and silicon atom (hereinafter also referred to as hydrophobic resin (B))>
The hydrophobic resin (B) has at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
At least one of the fluorine atom and the silicon atom in the hydrophobic resin (B) may be contained in the main chain of the resin, or may be contained in the side chain.

疎水性樹脂(B)がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。
フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜4であり、更に他の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更に他の置換基を有していてもよい。
When the hydrophobic resin (B) contains a fluorine atom, the partial structure having a fluorine atom is a resin having an alkyl group having a fluorine atom, a cycloalkyl group having a fluorine atom, or an aryl group having a fluorine atom. Preferably there is.
The alkyl group having a fluorine atom is a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, You may have the substituent of.
The cycloalkyl group having a fluorine atom is a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and may further have another substituent.
Examples of the aryl group having a fluorine atom include those in which at least one hydrogen atom of an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group is substituted with a fluorine atom, and the aryl group may further have another substituent.

フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式(F2)〜(F4)のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。   As the alkyl group having a fluorine atom, the cycloalkyl group having a fluorine atom, or the aryl group having a fluorine atom, a group represented by any one of the following general formulas (F2) to (F4) is preferable. However, the present invention is not limited to this.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(F2)〜(F4)中、
57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基(直鎖若しくは分岐)を表す。但し、R57〜R61の少なくとも1つ、R62〜R64の少なくとも1つ及びR65〜R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
57〜R61及びR65〜R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、フルオロアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)が好ましく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62及びR63がパーフルオロアルキル基であるとき、R64は水素原子であることが好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。
In general formulas (F2) to (F4),
R 57 to R 68 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group (straight or branched). Provided that at least one of R 57 to R 61 , at least one of R 62 to R 64 and at least one of R 65 to R 68 are a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. (Preferably having 1 to 4 carbon atoms).
R 57 to R 61 and R 65 to R 67 are preferably all fluorine atoms. R 62 , R 63 and R 68 are preferably a fluoroalkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), and more preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. When R 62 and R 63 is a perfluoroalkyl group, it is preferred that R 64 is a hydrogen atom. R 62 and R 63 may be connected to each other to form a ring.

一般式(F2)で表される基の具体例としては、例えば、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基等が挙げられる。
一般式(F3)で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ(トリメチル)ヘキシル基、2,2,3,3−テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。
Specific examples of the group represented by the general formula (F2) include a p-fluorophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a 3,5-di (trifluoromethyl) phenyl group.
Specific examples of the group represented by the general formula (F3) include trifluoromethyl group, pentafluoropropyl group, pentafluoroethyl group, heptafluorobutyl group, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2 -Methyl) isopropyl group, nonafluorobutyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluorohexyl group, nonafluoro-t-butyl group, perfluoroisopentyl group, perfluorooctyl group, perfluoro (trimethyl) hexyl group, 2,2 , 3,3-tetrafluorocyclobutyl group, perfluorocyclohexyl group and the like. Hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2-methyl) isopropyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluoro-t-butyl group and perfluoroisopentyl group are preferable, and hexafluoroisopropyl group and heptafluoroisopropyl group are preferable. Further preferred.

一般式(F4)で表される基の具体例としては、例えば、−C(CFOH、−C(COH、−C(CF)(CH)OH、−CH(CF)OH等が挙げられ、−C(CFOHが好ましい。
フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。
Specific examples of the group represented by the general formula (F4) include, for example, —C (CF 3 ) 2 OH, —C (C 2 F 5 ) 2 OH, —C (CF 3 ) (CH 3 ) OH, -CH (CF 3) OH and the like, -C (CF 3) 2 OH is preferred.
The partial structure containing a fluorine atom may be directly bonded to the main chain, and further from the group consisting of an alkylene group, a phenylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond and a ureylene bond. You may couple | bond with the principal chain through the group selected or the group which combined these 2 or more.

フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。   Suitable examples of the repeating unit having a fluorine atom include those shown below.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。 In the formula, R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may have a substituent, and examples of the alkyl group having a substituent include a fluorinated alkyl group. it can.

〜Wは、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。 W 3 to W 6 each independently represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups (F2) to (F4).

また、樹脂(B)は、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。   In addition to these, the resin (B) may have a unit as shown below as a repeating unit having a fluorine atom.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式中、R〜Rは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。
ただし、R〜Rの少なくとも1つはフッ素原子を表す。RとR若しくはRとRは環を形成していてもよい。
は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。
は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R)−(式中、Rは水素原子又はアルキルを表す)、−NHSO−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。
Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。
In the formula, R 4 to R 7 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may have a substituent, and examples of the alkyl group having a substituent include a fluorinated alkyl group. it can.
However, at least one of R 4 to R 7 represents a fluorine atom. R 4 and R 5 or R 6 and R 7 may form a ring.
W 2 represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups (F2) to (F4).
L 2 represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a substituted or unsubstituted arylene group, a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R )-(Wherein R represents a hydrogen atom or alkyl), —NHSO 2 — or a divalent linking group in which a plurality of these are combined.
Q represents an alicyclic structure. The alicyclic structure may have a substituent, may be monocyclic, may be polycyclic, and may be bridged in the case of polycyclic. As the monocyclic type, a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms is preferable, and examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable, for example, an adamantyl group, norbornyl group, dicyclopentyl group. , Tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group and the like. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom. Particularly preferred examples of Q include a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and the like.

疎水性樹脂(B)は、珪素原子を含有してもよい。
珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造(好ましくはトリアルキルシリル基)、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。
アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基などが挙げられる。
The hydrophobic resin (B) may contain a silicon atom.
The partial structure having a silicon atom preferably has an alkylsilyl structure (preferably a trialkylsilyl group) or a cyclic siloxane structure.
Specific examples of the alkylsilyl structure or the cyclic siloxane structure include groups represented by the following general formulas (CS-1) to (CS-3).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(CS−1)〜(CS−3)に於いて、
12〜R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
〜Lは、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。
nは、1〜5の整数を表す。nは、好ましくは、2〜4の整数である。
In general formulas (CS-1) to (CS-3),
R 12 to R 26 each independently represent a linear or branched alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms).
L < 3 > -L < 5 > represents a single bond or a bivalent coupling group. The divalent linking group includes an alkylene group, a phenylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, or a group of two or more groups selected from the group consisting of a ureylene bond. A combination is mentioned.
n represents an integer of 1 to 5. n is preferably an integer of 2 to 4.

フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位は(メタ)アクリレート系繰り返し単位であることが好ましい。   The repeating unit having at least either a fluorine atom or a silicon atom is preferably a (meth) acrylate-based repeating unit.

以下、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表し、Xは、−F又は−CFを表す。 Hereinafter, although the specific example of the repeating unit which has at least any one of a fluorine atom and a silicon atom is given, this invention is not limited to this. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 , and X 2 represents —F or —CF 3 .

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

疎水性樹脂(B)は、下記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)を有することが好ましい。
(x)アルカリ可溶基
(y)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基(以下、極性変換基ともいう)
(z)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基
The hydrophobic resin (B) preferably has a repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the following (x) to (z).
(X) Alkali-soluble group (y) A group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in an alkali developer (hereinafter also referred to as a polar conversion group).
(Z) A group that is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer.

繰り返し単位(b)としては、以下の類型が挙げられる。
・1つの側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b’)
・上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位(b*)
・1つの側鎖上に上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(b”)
Examples of the repeating unit (b) include the following types.
A repeating unit (b ′) having at least one of a fluorine atom and a silicon atom and at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) on one side chain
A repeating unit (b *) having at least one group selected from the group consisting of (x) to (z) and having no fluorine atom and no silicon atom
A fluorine atom and silicon on one side chain having at least one group selected from the group consisting of (x) to (z) above and on a side chain different from the side chain in the same repeating unit Repeating unit (b ″) having at least one of atoms

疎水性樹脂(B)は、繰り返し単位(b)として繰り返し単位(b’)を有することがより好ましい。すなわち、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。
なお、疎水性樹脂(B)が、繰り返し単位(b*)を有する場合、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(前記繰り返し単位(b’)、(b”)とは異なる繰り返し単位)とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位(b”)における、下記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式(K1)のような位置関係にあることが好ましい。
式中、B1は上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。
The hydrophobic resin (B) preferably has a repeating unit (b ′) as the repeating unit (b). That is, it is more preferable that the repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) has at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
In addition, when hydrophobic resin (B) has a repeating unit (b *), it is different from the repeating unit which has at least any one of a fluorine atom and a silicon atom (the said repeating unit (b '), (b'')). A side chain having at least one group selected from the group consisting of the following (x) to (z) in the repeating unit (b ″), a fluorine atom and a silicon atom. The side chain having at least one of them is preferably bonded to the same carbon atom in the main chain, that is, in a positional relationship as shown in the following formula (K1).
In the formula, B1 represents a partial structure having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z), and B2 represents a partial structure having at least one of a fluorine atom and a silicon atom.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる基は、好ましくは、(x)アルカリ可溶基又は(y)極性変換基であり、(y)極性変換基であることがより好ましい。
アルカリ可溶性基(x)としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホンイミド基、ビス(カルボニル)メチレン基が挙げられる。
The group selected from the group consisting of the above (x) to (z) is preferably (x) an alkali-soluble group or (y) a polar conversion group, and more preferably (y) a polar conversion group.
Examples of the alkali-soluble group (x) include phenolic hydroxyl group, carboxylic acid group, fluorinated alcohol group, sulfonic acid group, sulfonamide group, sulfonylimide group, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene group, (alkylsulfonyl) ( Alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) ) And a methylene group.
Preferred alkali-soluble groups include fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), sulfonimide groups, and bis (carbonyl) methylene groups.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。   As the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x), a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a linking group is used. Examples include a repeating unit in which an alkali-soluble group is bonded to the main chain of the resin. Furthermore, a polymerization initiator or a chain transfer agent having an alkali-soluble group can be used at the time of polymerization to be introduced at the end of the polymer chain, Either case is preferred.

繰り返し単位(bx)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(bx)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(bx)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   In the case where the repeating unit (bx) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, corresponding to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (bx) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (bx) is the same as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)の含有量は、樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、1〜50mol%が好ましく、より好ましくは3〜35mol%、更に好ましくは5〜20mol%である。
アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表す。
The content of the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x) is preferably 1 to 50 mol%, more preferably 3 to 35 mol%, still more preferably 5 to 5 mol% with respect to all repeating units in the resin (B). 20 mol%.
Specific examples of the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 .

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
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極性変換基(y)としては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基(−COO−)、酸無水物基(−C(O)OC(O)−)、酸イミド基(−NHCONH−)、カルボン酸チオエステル基(−COS−)、炭酸エステル基(−OC(O)O−)、硫酸エステル基(−OSOO−)、スルホン酸エステル基(−SOO−)などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。
極性変換基(y)は、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位中に含まれることにより、樹脂の側鎖に導入される形態、あるいは極性変換基(y)を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入される形態のいずれも好ましい。
Examples of the polar conversion group (y) include a lactone group, a carboxylic acid ester group (—COO—), an acid anhydride group (—C (O) OC (O) —), an acid imide group (—NHCONH—), A carboxylic acid thioester group (—COS—), a carbonic acid ester group (—OC (O) O—), a sulfate ester group (—OSO 2 O—), a sulfonic acid ester group (—SO 2 O—), and the like. A lactone group is preferred.
The polarity converting group (y) is, for example, introduced into the side chain of the resin by being included in a repeating unit of acrylic acid ester or methacrylic acid ester, or a polymerization initiator or chain having the polarity converting group (y). Any form in which a transfer agent is introduced at the end of the polymer chain using the polymerization is preferred.

極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)の具体例としては、後述の式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。
更に、極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である(すなわち、前記繰り返し単位(b’)、(b”)に相当する)ことが好ましい。該繰り返し単位(by)を有する樹脂は疎水性を有するものであるが、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。
Specific examples of the repeating unit (by) having a polar conversion group (y) include a repeating unit having a lactone structure represented by formulas (KA-1-1) to (KA-1-17) described later. Can do.
Further, the repeating unit (by) having the polarity converting group (y) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, the repeating unit (b ′), (b ″) corresponds to the repeating unit (b ′)). The resin having the repeating unit (by) is hydrophobic, but is particularly preferable from the viewpoint of reducing development defects.

繰り返し単位(by)として、例えば、式(K0)で示される繰り返し単位を挙げることができる。   As the repeating unit (by), for example, a repeating unit represented by the formula (K0) can be given.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。
k2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。
但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。
In the formula, R k1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group containing a polarity converting group.
R k2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group containing a polarity converting group.
However, at least one of R k1 and R k2 represents a group containing a polarity converting group.

極性変換基とは、上述したようにアルカリ現像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を表す。極性変換基としては、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。   The polarity converting group represents a group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in the alkali developer as described above. The polar conversion group is preferably a group represented by X in the partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(KA−1)又は(KB−1)におけるXは、カルボン酸エステル基:−COO−、酸無水物基:−C(O)OC(O)−、酸イミド基:−NHCONH−、カルボン酸チオエステル基:−COS−、炭酸エステル基:−OC(O)O−、硫酸エステル基:−OSOO−、スルホン酸エステル基:−SOO−を表す。
及びYは、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。
なお、繰り返し単位(by)は、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造を有する基を有することで、好ましいアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有するが、一般式(KA−1)で表される部分構造、Y及びYが1価である場合の(KB−1)で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。
一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して樹脂(B)の主鎖に連結している。
X in the general formula (KA-1) or (KB-1) is a carboxylic acid ester group: —COO—, an acid anhydride group: —C (O) OC (O) —, an acid imide group: —NHCONH—, Carboxylic acid thioester group: —COS—, carbonate ester group: —OC (O) O—, sulfate ester group: —OSO 2 O—, sulfonate ester group: —SO 2 O—.
Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents an electron-withdrawing group.
The repeating unit (by) has a group that increases the solubility in a preferable alkali developer by having a group having a partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1). Are bonded to each other as in the case of the partial structure represented by the general formula (KA-1) and the partial structure represented by (KB-1) when Y 1 and Y 2 are monovalent When it does not have a hand, the group having the partial structure is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the partial structure.
The partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1) is linked to the main chain of the resin (B) via a substituent at an arbitrary position.

一般式(KA−1)で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。
一般式(KA−1)におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(即ち、KA−1としてラクトン環構造を形成する場合)、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。
一般式(KA−1)で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。
ka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。
ka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環(環状エーテル環、ラクトン環など)が挙げられる。
nkaは0〜10の整数を表す。好ましくは0〜8の整数、より好ましくは0〜5の整数、更に好ましくは1〜4の整数、最も好ましくは1〜3の整数である。
The partial structure represented by the general formula (KA-1) is a structure that forms a ring structure with the group as X.
X in the general formula (KA-1) is preferably a carboxylic acid ester group (that is, when a lactone ring structure is formed as KA-1), an acid anhydride group, or a carbonic acid ester group. More preferably, it is a carboxylic acid ester group.
The ring structure represented by the general formula (KA-1) may have a substituent, for example, may have nka substituents Z ka1 .
Z ka1 independently represents a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron-withdrawing group, when there are a plurality of Z ka1 .
Z ka1 may be linked to form a ring. Examples of the ring formed by connecting Z ka1 to each other include a cycloalkyl ring and a hetero ring (a cyclic ether ring, a lactone ring, etc.).
nka represents an integer of 0 to 10. Preferably it is an integer of 0 to 8, more preferably an integer of 0 to 5, more preferably an integer of 1 to 4, and most preferably an integer of 1 to 3.

ka1としての電子求引性基は、後述のY及びYとしての電子求引性基と同様である。なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。 The electron withdrawing group as Z ka1 is the same as the electron withdrawing group as Y 1 and Y 2 described later. The electron withdrawing group may be substituted with another electron withdrawing group.

ka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。
ka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30、更に好ましくは1〜20であり、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3〜30、更に好ましくは3〜20であり、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基、t−デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
ka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
Z ka1 is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, or an electron withdrawing group, and more preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, or an electron withdrawing group. In addition, as an ether group, the thing substituted by the alkyl group or the cycloalkyl group, ie, the alkyl ether group, etc. are preferable. The electron withdrawing group has the same meaning as described above.
Examples of the halogen atom as Z ka1 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
The alkyl group as Z ka1 may have a substituent and may be linear or branched. As a linear alkyl group, Preferably it is C1-C30, More preferably, it is 1-20, for example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl. Group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decanyl group and the like. As a branched alkyl group, Preferably it is C3-C30, More preferably, it is 3-20, for example, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, Examples include i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group, t-decanoyl group and the like. C1-C4 things, such as a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, are preferable.
The cycloalkyl group as Z ka1 may have a substituent, and may be monocyclic or polycyclic. In the case of a polycyclic type, the cycloalkyl group may be a bridged type. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. The monocyclic type is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable. For example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, Examples thereof include a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an α-pinel group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and an androstanyl group. As the cycloalkyl group, the following structure is also preferable. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。
これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等を挙げることができる。
Preferred examples of the alicyclic moiety include adamantyl group, noradamantyl group, decalin group, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group. And cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, a cyclododecanyl group, and a tricyclodecanyl group.
Examples of the substituent of these alicyclic structures include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group. Preferred examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the substituent that the alkyl group and the alkoxy group may have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).

また、上記基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。   Further, the above group may further have a substituent, and examples of the further substituent include a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), a nitro group, a cyano group, the above alkyl group, and a methoxy group. , Ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, alkoxy group such as t-butoxy group, alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, Aralkyl group such as benzyl group, phenethyl group, cumyl group, aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group, acyl group such as valeryl group, acyloxy group such as butyryloxy group, the above alkenyl group , Vinyloxy group, propenyloxy group, allyloxy group, butene Aryloxy alkenyloxy groups such as the above aryl group, an aryloxy group such as phenoxy group, and an aryloxycarbonyl group such as benzoyloxy group.

一般式(KA−1)におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式(KA−1)が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5〜7員環ラクトン環であることが好ましい。
なお、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるように、一般式(KA−1)で表される部分構造としての5〜7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。
一般式(KA−1)で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。
X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, and the partial structure represented by the general formula (KA-1) is preferably a lactone ring, and more preferably a 5- to 7-membered lactone ring.
In addition, as in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), a 5- to 7-membered lactone ring as a partial structure represented by the general formula (KA-1) has a bicyclo structure, a spiro It is preferred that other ring structures are condensed in a form that forms the structure.
As for the peripheral ring structure to which the ring structure represented by the general formula (KA-1) may be bonded, for example, those in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), or The thing according to can be mentioned.

一般式(KA−1)が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、(KA−1−1)、(KA−1−4)、(KA−1−5)、(KA−1−6)、(KA−1−13)、(KA−1−14)、(KA−1−17)である。   As a structure containing a lactone ring structure represented by the general formula (KA-1), a structure represented by any one of the following (KA-1-1) to (KA-1-17) is more preferable. The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred structures include (KA-1-1), (KA-1-4), (KA-1-5), (KA-1-6), (KA-1-13), (KA-1- 14) and (KA-1-17).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式(KA−1)が示す環構造が有してもよい置換基Zka1と同様のものが挙げられる。 The structure containing the lactone ring structure may or may not have a substituent. Preferable substituents include those similar to the substituent Z ka1 that the ring structure represented by the general formula (KA-1) may have.

一般式(KB−1)のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(−COO−)を挙げることができる。   Preferred examples of X in the general formula (KB-1) include a carboxylic acid ester group (—COO—).

一般式(KB−1)におけるY及びYは、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。 Y 1 and Y 2 in formula (KB-1) each independently represent an electron-withdrawing group.

電子求引性基は、下記式(EW)で示す部分構造である。式(EW)における*は(KA−1)に直結している結合手、又は(KB−1)中のXに直結している結合手を表す。   The electron withdrawing group is a partial structure represented by the following formula (EW). * In the formula (EW) represents a bond directly connected to (KA-1) or a bond directly connected to X in (KB-1).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式(EW)中、
ewは−C(Rew1)(Rew2)−で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。
ew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、「ハロ(シクロ)アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、「ハロアリール基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式(EW)で表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。
In formula (EW),
n ew is the repeating number of the linking group represented by —C (R ew1 ) (R ew2 ) — and represents an integer of 0 or 1. When n ew is 0, it represents a single bond, indicating that Y ew1 is directly bonded.
Y ew1 is a halogen atom, a cyano group, a nitrile group, a nitro group, a halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 , an oxy group, a carbonyl group, a sulfonyl group Examples thereof include a group, a sulfinyl group, and combinations thereof. The electron-withdrawing group may have the following structure, for example. The “halo (cyclo) alkyl group” represents an alkyl group and a cycloalkyl group that are at least partially halogenated, and the “haloaryl group” represents an aryl group that is at least partially halogenated. In the following structural formula, R ew3 and R ew4 each independently represent an arbitrary structure. R ew3 and R ew4 may have any structure, and the partial structure represented by the formula (EW) may have an electron withdrawing property, and may be linked to, for example, the main chain of the resin. An alkyl group and a fluorinated alkyl group;

Figure 2012173367
Figure 2012173367

ew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して樹脂(C)の主鎖に連結していてもよい。
ew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。
ew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。
When Y ew1 is a divalent or higher group, the remaining bond forms a bond with an arbitrary atom or substituent. At least one group of Y ew1 , R ew1 , and R ew2 may be connected to the main chain of the resin (C) through a further substituent.
Y ew1 is preferably a halogen atom, or a halo (cyclo) alkyl group or haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 .
R ew1 and R ew2 each independently represent an arbitrary substituent, for example, a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
At least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 may be connected to each other to form a ring.

ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
f2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。
f1〜Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、(ハロ)シクロアルキル環、(ハロ)アリール環等が挙げられる。
f1〜Rf3における(ハロ)アルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。
f1〜Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環における(パー)ハロシクロアルキル基及び(パー)ハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは−C(n)(2n−2)Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、−C(n)(n−1)で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5〜13のものが好ましく、6がより好ましい。
Here, R f1 represents a halogen atom, a perhaloalkyl group, a perhalocycloalkyl group, or a perhaloaryl group, more preferably a fluorine atom, a perfluoroalkyl group, or a perfluorocycloalkyl group, still more preferably a fluorine atom or a trialkyl group. Represents a fluoromethyl group.
R f2 and R f3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group, and R f2 and R f3 may be linked to form a ring. Examples of the organic group include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an alkoxy group. More preferably, R f2 represents the same group as R f1 or is linked to R f3 to form a ring.
R f1 to R f3 may be linked to form a ring, and examples of the ring formed include a (halo) cycloalkyl ring and a (halo) aryl ring.
Examples of the (halo) alkyl group in R f1 to R f3 include the alkyl group in Z ka1 described above and a structure in which this is halogenated.
Examples of the (per) halocycloalkyl group and the (per) haloaryl group in R f1 to R f3 or in the ring formed by linking R f2 and R f3 include, for example, the aforementioned cycloalkyl group in Z ka1 is a halogen atom. And a perfluoroaryl group represented by -C (n) F (n-1) and more preferably a fluorocycloalkyl group represented by -C (n) F (2n-2) H Can be mentioned. Although carbon number n is not specifically limited here, the thing of 5-13 is preferable and 6 is more preferable.

ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表される構造が挙げられる。 The ring that may be formed by linking at least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 preferably includes a cycloalkyl group or a heterocyclic group, and the heterocyclic group is preferably a lactone ring group. Examples of the lactone ring include structures represented by the above formulas (KA-1-1) to (KA-1-17).

なお、繰り返し単位(by)中に、一般式(KA−1)で表される部分構造を複数、あるいは、一般式(KB−1)で表される部分構造を複数、あるいは、一般式(KA−1)で表される部分構造と一般式(KB−1)で表される部分構造の両方を有していてもよい。
なお、一般式(KA−1)の部分構造の一部又は全部が、一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式(KA−1)のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基として機能することもあり得る。
In the repeating unit (by), a plurality of partial structures represented by the general formula (KA-1), a plurality of partial structures represented by the general formula (KB-1), or a general formula (KA) It may have both a partial structure represented by -1) and a partial structure represented by the general formula (KB-1).
Note that part or all of the partial structure of the general formula (KA-1) may also serve as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). For example, when X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, the carboxylic acid ester group functions as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). There is also a possibility.

また、繰り返し単位(by)が、上記繰り返し単位(b*)又は繰り返し単位(b”)に該当し、かつ、一般式(KA−1)で表される部分構造を有する場合、一般式(KA−1)で表される部分構造は、極性変換基が、一般式(KA−1)で示す構造における−COO−で表される部分構造であることがより好ましい。   In addition, when the repeating unit (by) corresponds to the repeating unit (b *) or the repeating unit (b ″) and has a partial structure represented by the general formula (KA-1), the general formula (KA) As for the partial structure represented by -1), it is more preferable that the polarity conversion group is a partial structure represented by -COO- in the structure represented by the general formula (KA-1).

繰り返し単位(by)は、一般式(KY−0)で表わされる部分構造を有する繰り返し単位でありえる。   The repeating unit (by) can be a repeating unit having a partial structure represented by the general formula (KY-0).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(KY−0)に於いて、
は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。
は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR−C(=O)−若しくはR−C(=O)O−で表される基(Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。)を表す。Rが複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、2つ以上のRが結合し、環を形成していても良い。
Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Z、Zaは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。
oは、置換基数であって、1〜7の整数を表す。
mは、置換基数であって、0〜7の整数を表す。
nは、繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。
−R−Z−の構造として好ましくは、−(CH−COO−で表される構造が好ましい(lは1〜5の整数を表す)。
In the general formula (KY-0),
R 2 represents a chain or cyclic alkylene group, and when there are a plurality of R 2 groups, they may be the same or different.
R 3 represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group in which part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbons are substituted with fluorine atoms.
R 4 is a halogen atom, cyano group, hydroxy group, amide group, alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, phenyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, or R—C (═O) — or R—C ( = O) A group represented by O- (R represents an alkyl group or a cycloalkyl group). If R 4 is a plurality may be the same or different, and two or more R 4 are attached, may form a ring.
X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom.
Z and Za represent a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality of them, they may be the same or different.
* Represents a bond to the main chain or side chain of the resin.
o is the number of substituents and represents an integer of 1 to 7.
m is the number of substituents and represents an integer of 0 to 7.
n represents the number of repetitions and represents an integer of 0 to 5.
The structure represented by —R 2 —Z— is preferably a structure represented by — (CH 2 ) 1 —COO— (l represents an integer of 1 to 5).

としての鎖状若しくは環状アルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式(bb)のZにおける鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。
としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは1〜30、更に好ましくは1〜20であり、分岐状の場合、好ましくは3〜30、更に好ましくは3〜20であり、環状の場合、6〜20である。Rの具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。
及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。
としてのアシル基としては、炭素数1〜6のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。
としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。
Xとしてのアルキレン基としては、鎖状若しくは環状アルキレン基を挙げることができ、好ましい炭素数及びその具体例は、Rとしての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。
The preferred carbon number range and specific examples of the chain or cyclic alkylene group as R 2 are the same as those described for the chain alkylene group and cyclic alkylene group in Z 2 of the general formula (bb).
The linear, branched or cyclic hydrocarbon group as R 3 has preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and preferably 3 carbon atoms when branched. -30, more preferably 3-20, and in the case of a ring, it is 6-20. Specific examples of R 3 include specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as Z ka1 described above.
Preferred carbon numbers and specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R 4 and R are the same as those described in the alkyl group and cycloalkyl group as Z ka1 described above.
The acyl group as R 4 is preferably one having 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include a formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, valeryl group, and pivaloyl group.
Examples of the alkyl moiety in the alkoxy group and alkoxycarbonyl group as R 4 include a linear, branched or cyclic alkyl moiety, and the preferred carbon number of the alkyl moiety and specific examples thereof are those described above for Z ka1. The same as those described in the alkyl group and cycloalkyl group.
Examples of the alkylene group as X include a chain or cyclic alkylene group, and preferred carbon numbers and specific examples thereof are the same as those described for the chain alkylene group and cyclic alkylene group as R 2 .

また、繰り返し単位(by)の具体的な構造として、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位も挙げられる。   Moreover, the repeating unit which has a partial structure shown below as a specific structure of a repeating unit (by) is mentioned.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(rf−1)及び(rf−2)中、
X´は、電子求引性の置換基を表し、好ましくは、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、フッ素原子で置換されたアルキレン基、フッ素原子で置換されたシクロアルキレン基である。
Aは、単結合又は−C(Rx)(Ry)−で表される2価の連結基を表す。ここで、Rx、Ryは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜6で、フッ素原子等で置換されていてもよい)、又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜12で、フッ素原子等で置換されていてもよい)を表す。Rx,Ryとして好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子で置換されたアルキル基である。
Xは、電子求引性基を表し、その具体例としては、前述のY及びYとしての電子求引性基を挙げることができ、好ましくは、フッ化アルキル基、フッ化シクロアルキル基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアリール基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアラルキル基、シアノ基、ニトロ基である。
*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。即ち、単結合あるいは連結基を通じて樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。
なお、X´がカルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基であるとき、Aは単結合ではない。
In general formulas (rf-1) and (rf-2),
X ′ represents an electron-withdrawing substituent, preferably a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, an alkylene group substituted with a fluorine atom, or a cycloalkylene group substituted with a fluorine atom.
A represents a single bond or a divalent linking group represented by -C (Rx) (Ry)-. Here, Rx and Ry are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group (preferably having 1 to 6 carbon atoms and optionally substituted with a fluorine atom or the like), or a cycloalkyl group (preferably a carbon atom). And may be substituted with a fluorine atom or the like. Rx and Ry are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an alkyl group substituted with a fluorine atom.
X represents an electron withdrawing group, and specific examples thereof include the above-mentioned electron withdrawing groups as Y 1 and Y 2 , preferably a fluorinated alkyl group or a fluorinated cycloalkyl group. An aryl group substituted with a fluorine or fluorinated alkyl group, an aralkyl group substituted with a fluorine or fluorinated alkyl group, a cyano group, or a nitro group.
* Represents a bond to the main chain or side chain of the resin. That is, it represents a bond that is bonded to the main chain of the resin through a single bond or a linking group.
In addition, when X 'is a carbonyloxy group or an oxycarbonyl group, A is not a single bond.

極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角を下げることが出来る。アルカリ現像後における膜の水との後退接触角が下がることは、現像欠陥の抑制の観点から好ましい。
アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角は、温度23±3℃、湿度45±5%において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、更に好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。
後退接触角とは、液滴−基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。
アルカリ現像後における膜の上記後退接触角は、以下に示す膜について、後掲の実施例に記載の拡張収縮法により測定した場合の接触角である。すなわち、シリコンウエハ(8インチ口径)上に有機反射防止膜ARC29SR(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い形成された膜厚98nmの反射防止膜上に、本発明の組成物を塗布し、120℃で60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成する。この膜をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して得られる膜についての、拡張収縮法による接触角である。
疎水性樹脂(B)のアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/秒以上であることが好ましく、0.01nm/秒以上であることがより好ましく、0.1nm/秒以上であることが更に好ましく、1nm/秒以上であることが最も好ましい。
ここで疎水性樹脂(B)のアルカリ現像液に対する加水分解速度は23℃のTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液)(2.38質量%)に対して、樹脂(B)のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。
When the polarity conversion group is decomposed by the action of an alkali developer and converted in polarity, the receding contact angle with water of the resin composition film after alkali development can be lowered. It is preferable from the viewpoint of suppressing development defects that the receding contact angle with water of the film after alkali development is lowered.
The receding contact angle with water of the resin composition film after alkali development is preferably 50 ° or less, more preferably 40 ° or less, and further preferably 35 ° at a temperature of 23 ± 3 ° C. and a humidity of 45 ± 5%. Hereinafter, it is most preferably 30 ° or less.
The receding contact angle is a contact angle measured when the contact line at the droplet-substrate interface recedes, and is useful for simulating the ease of movement of the droplet in a dynamic state. It is generally known. In simple terms, it can be defined as the contact angle when the droplet interface recedes when the droplet discharged from the needle tip is deposited on the substrate and then sucked into the needle again. It can be measured by using a contact angle measuring method generally called an expansion / contraction method.
The receding contact angle of the film after alkali development is a contact angle when the film shown below is measured by the expansion / contraction method described in the examples described later. That is, an organic antireflection film ARC29SR (manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied on a silicon wafer (8-inch diameter) and baked at 205 ° C. for 60 seconds. The composition is applied and baked at 120 ° C. for 60 seconds to form a film having a thickness of 120 nm. This contact angle is determined by the expansion / contraction method for a film obtained by developing this film with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38 mass%) for 30 seconds, rinsing with pure water, and spin drying.
The hydrolysis rate of the hydrophobic resin (B) with respect to the alkaline developer is preferably 0.001 nm / second or more, more preferably 0.01 nm / second or more, and preferably 0.1 nm / second or more. More preferred is 1 nm / second or more.
Here, the hydrolysis rate of the hydrophobic resin (B) with respect to the alkaline developer is 23.degree. C. with respect to TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) (2.38% by mass), and the resin film is formed only with the resin (B). This is the speed at which the film thickness decreases when the film is formed.

また、繰り返し単位(by)は、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。   The repeating unit (by) is more preferably a repeating unit having at least two or more polar conversion groups.

繰り返し単位(by)が少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式(KY−1)で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式(KY−1)で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。   When the repeating unit (by) has at least two polar conversion groups, the repeating unit (by) preferably has a group having a partial structure having two polar conversion groups represented by the following general formula (KY-1). Note that when the structure represented by the general formula (KY-1) does not have a bond, it is a group having a monovalent or higher valent group in which at least one arbitrary hydrogen atom in the structure is removed.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(KY−1)において、
ky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部(=O)を形成してもよい。
ky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。
ky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。
In general formula (KY-1),
R ky1 and R ky4 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl group Represents. Alternatively, R ky1 and R ky4 may be bonded to the same atom to form a double bond. For example, R ky1 and R ky4 are bonded to the same oxygen atom to form a part of a carbonyl group (═O). May be formed.
R ky2 and R ky3 are each independently an electron withdrawing group, or R ky1 and R ky2 are linked to form a lactone ring and R ky3 is an electron withdrawing group. As the lactone ring to be formed, the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those described above for Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1), and preferably a halogen atom or the aforementioned —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3. A halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented by the formula: Preferably R ky3 halogen atom, or the -C (R f1) (R f2) is represented by the halo (cyclo) alkyl groups or haloaryl groups -R f3, lactone R ky2 is linked to R ky1 An electron withdrawing group that forms a ring or has no halogen atom.
R ky1 , R ky2 , and R ky4 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.

ky1、Rky4は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。
ky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられる。
Specific examples of R ky1 and R ky4 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).
As the lactone ring formed by linking R ky1 and R ky2 , the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include those similar to Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1).

一般式(KY−1)で表される構造としては、下記一般式(KY−2)で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式(KY−2)で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。   The structure represented by the general formula (KY-1) is more preferably a structure represented by the following general formula (KY-2). Note that the structure represented by the general formula (KY-2) is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the structure.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式(KY−2)中、
ky6〜Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。
ky6〜Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。
ky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y、Yにおけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。
ky5〜Rky10は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。
In formula (KY-2),
R ky6 to R ky10 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl. Represents a group.
Two or more of R ky6 to R ky10 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.
R ky5 represents an electron withdrawing group. Electron-withdrawing groups include the same as those in the Y 1, Y 2, preferably a halogen atom, or the -C (R f1) halo represented by (R f2) -R f3 (cyclo ) An alkyl group or a haloaryl group.
Specific examples of R ky5 to R ky10 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).

式(KY−2)で表される構造は、下記一般式(KY−3)で示す部分構造であることがより好ましい。   The structure represented by the formula (KY-2) is more preferably a partial structure represented by the following general formula (KY-3).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式(KY−3)中、Zka1、nkaは各々前記一般式(KA−1)と同義である。Rky5は前記式(KY−2)と同義である。
kyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。
繰り返し単位(b)は、付加重合、縮合重合、付加縮合等の重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素−炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、スチレン系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体(マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等)の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。
In formula (KY-3), Z ka1 and nka have the same meanings as those in formula (KA-1). R ky5 has the same meaning as in formula (KY-2).
L ky represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom. Examples of the alkylene group for L ky include a methylene group and an ethylene group. L ky is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.
The repeating unit (b) is not limited as long as it is a repeating unit obtained by polymerization such as addition polymerization, condensation polymerization or addition condensation, but is a repeating unit obtained by addition polymerization of a carbon-carbon double bond. It is preferable. Examples include acrylate-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), styrene-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), vinyl ether-based repeating units, norbornene-based Repeating units, repeating units of maleic acid derivatives (maleic anhydride and derivatives thereof, maleimides, etc.), acrylate repeating units, styrene repeating units, vinyl ether repeating units, norbornene repeating units Preferred are acrylate repeat units, vinyl ether repeat units, and norbornene repeat units, with acrylate repeat units being most preferred.

繰り返し単位(by)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(by)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(by)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。
疎水性樹脂(B)に於ける、繰り返し単位(by)の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、10〜100mol%が好ましく、より好ましくは20〜99mol%、更に好ましくは30〜97mol%、最も好ましくは40〜95mol%である。
When the repeating unit (by) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, when the repeating unit (by) corresponds to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (by) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (by) has the same structure as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.
The content of the repeating unit (by) in the hydrophobic resin (B) is preferably from 10 to 100 mol%, more preferably from 20 to 99 mol%, still more preferably based on all repeating units in the resin (B). 30 to 97 mol%, most preferably 40 to 95 mol%.

アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位(by)の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。また、前記樹脂(A)の繰り返し単位(a3)の具体例として挙げたものも、繰り返し単位(by)の具体例として挙げることができる。
Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
Specific examples of the repeating unit (by) having a group capable of increasing the solubility in an alkali developer are shown below, but are not limited thereto. Moreover, what was mentioned as a specific example of the repeating unit (a3) of the said resin (A) can also be mentioned as a specific example of a repeating unit (by).
Ra represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

疎水性樹脂(B)に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位(bz)は、樹脂(A)で挙げる酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。   In the hydrophobic resin (B), examples of the repeating unit (bz) having a group (z) that is decomposed by the action of an acid are the same as the repeating unit having an acid-decomposable group listed for the resin (A). .

繰り返し単位(bz)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(bz)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(by)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   In the case where the repeating unit (bz) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, corresponding to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (bz) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (by) has the same structure as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

疎水性樹脂(B)に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位(bz)の含有量は、疎水性樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、1〜80mol%が好ましく、より好ましくは10〜80mol%、更に好ましくは20〜60mol%である。   In the hydrophobic resin (B), the content of the repeating unit (bz) having a group (z) that is decomposed by the action of an acid is 1 to 80 mol% with respect to all the repeating units in the hydrophobic resin (B). Is preferable, more preferably 10 to 80 mol%, still more preferably 20 to 60 mol%.

以上、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)について説明したが、樹脂(B)に於ける、繰り返し単位(b)の含有率は、疎水性樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、1〜98mol%が好ましく、より好ましくは3〜98mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。
繰り返し単位(b’)の含有率は、疎水性樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、1〜100mol%が好ましく、より好ましくは3〜99mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。
繰り返し単位(b*)の含有率は、疎水性樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、1〜90mol%が好ましく、より好ましくは3〜80mol%、更に好ましくは5〜70mol%、最も好ましくは10〜60mol%である。繰り返し単位(b*)と共に用いられる、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の含有率は、疎水性樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、10〜99mol%が好ましく、より好ましくは20〜97mol%、更に好ましくは30〜95mol%、最も好ましくは40〜90mol%である。
繰り返し単位(b”)の含有率は、疎水性樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、1〜100mol%が好ましく、より好ましくは3〜99mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。
Hereinabove, the repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) has been described, but the content of the repeating unit (b) in the resin (B) is as follows: 1-98 mol% is preferable with respect to all the repeating units in hydrophobic resin (B), More preferably, it is 3-98 mol%, More preferably, it is 5-97 mol%, Most preferably, it is 10-95 mol%.
The content of the repeating unit (b ′) is preferably 1 to 100 mol%, more preferably 3 to 99 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, most preferably based on all repeating units in the hydrophobic resin (B). Is 10-95 mol%.
The content of the repeating unit (b *) is preferably 1 to 90 mol%, more preferably 3 to 80 mol%, still more preferably 5 to 70 mol%, most preferably based on all repeating units in the hydrophobic resin (B). Is 10-60 mol%. The content of the repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom used together with the repeating unit (b *) is preferably 10 to 99 mol% with respect to all the repeating units in the hydrophobic resin (B). Preferably it is 20-97 mol%, More preferably, it is 30-95 mol%, Most preferably, it is 40-90 mol%.
The content of the repeating unit (b ″) is preferably 1 to 100 mol%, more preferably 3 to 99 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, and most preferably based on all repeating units in the hydrophobic resin (B). Is 10-95 mol%.

疎水性樹脂(B)は、更に、下記一般式(CIII)で表される繰り返し単位を有していてもよい。   The hydrophobic resin (B) may further have a repeating unit represented by the following general formula (CIII).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(CIII)に於いて、
c31は、水素原子、アルキル基(フッ素原子等で置換されていても良い)、シアノ基又は−CH−O−Rac基を表す。式中、Racは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
c32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。
c3は、単結合又は2価の連結基を表す。
In general formula (CIII):
R c31 represents a hydrogen atom, an alkyl group (which may be substituted with a fluorine atom or the like), a cyano group, or a —CH 2 —O—Rac 2 group. In the formula, Rac 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an acyl group. R c31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.
R c32 represents a group having an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group or an aryl group. These groups may be substituted with a fluorine atom, a group containing a silicon atom, or the like.
L c3 represents a single bond or a divalent linking group.

一般式(CIII)に於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
アリール基は、炭素数6〜20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。
c32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
c3の2価の連結基は、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜5)、オキシ基、フェニレン基、エステル結合(−COO−で表される基)が好ましい。
In general formula (CIII), the alkyl group represented by R c32 is preferably a linear or branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group is preferably an alkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkenyl group is preferably a cycloalkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The aryl group is preferably a phenyl group or naphthyl group having 6 to 20 carbon atoms, and these may have a substituent.
R c32 is preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group substituted with a fluorine atom.
The divalent linking group of L c3 is preferably an alkylene group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an oxy group, a phenylene group, or an ester bond (a group represented by —COO—).

疎水性樹脂(B)は、更に、下記一般式(BII−AB)で表される繰り返し単位を有することも好ましい。   It is also preferable that the hydrophobic resin (B) further has a repeating unit represented by the following general formula (BII-AB).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

式(BII−AB)中、
c11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Zc’は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
In the formula (BII-AB),
R c11 ′ and R c12 ′ each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom or an alkyl group.
Zc ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure containing two bonded carbon atoms (C—C).

一般式(III)、(BII−AB)で表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又は珪素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。   When each group in the repeating unit represented by the general formula (III) or (BII-AB) is substituted with a group containing a fluorine atom or a silicon atom, the repeating unit includes at least the fluorine atom and the silicon atom. It corresponds also to the repeating unit which has either.

以下に一般式(III)、(BII−AB)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、CF又はCNを表す。なお、RaがCFである場合の繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。 Specific examples of the repeating unit represented by the general formulas (III) and (BII-AB) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, CF 3 or CN. Note that the repeating unit in the case where Ra is CF 3 also corresponds to the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

疎水性樹脂(B)は、樹脂(A)と同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0〜10質量%であることが好ましく、より好ましくは0〜5質量%、0〜1質量%が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布(Mw/Mn、分散度ともいう)は、1〜3の範囲が好ましく、より好ましくは1〜2、更に好ましくは1〜1.8、最も好ましくは1〜1.5の範囲である。   As with the resin (A), the hydrophobic resin (B) is naturally free from impurities such as metals, and the residual monomer or oligomer component is preferably 0 to 10% by mass, more preferably 0-5 mass% and 0-1 mass% are still more preferable. Thereby, a resist composition having no change over time such as foreign matter in liquid or sensitivity can be obtained. The molecular weight distribution (Mw / Mn, also referred to as dispersity) is preferably in the range of 1 to 3, more preferably 1 to 2, and still more preferably, in terms of resolution, resist shape, resist pattern side walls, roughness, and the like. It is in the range of 1 to 1.8, most preferably 1 to 1.5.

疎水性樹脂(B)は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。
反応溶媒、重合開始剤、反応条件(温度、濃度等)、及び、反応後の精製方法は、樹脂(A)で説明した内容と同様である。
As the hydrophobic resin (B), various commercially available products can be used, and the hydrophobic resin (B) can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable.
The reaction solvent, the polymerization initiator, the reaction conditions (temperature, concentration, etc.) and the purification method after the reaction are the same as those described for the resin (A).

以下に疎水性樹脂(B)の具体例を示す。また、後掲の表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比(各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量、分散度を示す。   Specific examples of the hydrophobic resin (B) are shown below. The table below shows the molar ratio of repeating units in each resin (corresponding to each repeating unit in order from the left), weight average molecular weight, and degree of dispersion.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
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Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
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本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する疎水性の樹脂(B)を含有することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表層に疎水性樹脂(B)が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対する該膜表面の後退接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention contains an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin by containing a hydrophobic resin (B) containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom. When the hydrophobic resin (B) is unevenly distributed in the surface layer of the film formed from the composition and the immersion medium is water, the receding contact angle of the film surface with respect to water is improved, and the immersion liquid followability is improved. Can do.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる塗膜をベークした後で且つ露光前の膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3℃、湿度45±5%において60°〜90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。   After baking the coating film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention and before exposure, the receding contact angle of the film is the temperature at the time of exposure, usually room temperature 23 ± 3 ° C., humidity 45 ± 5%. 60 ° to 90 °, more preferably 65 ° or more, still more preferably 70 ° or more, and particularly preferably 75 ° or more.

疎水性樹脂(B)は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。
液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。
疎水性樹脂(B)は、疎水的であるためアルカリ現像後に現像残渣(スカム)、BLOB欠陥が悪化しやすいが、少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有することで直鎖型樹脂に比べ、アルカリ溶解速度が向上するため現像残渣(スカム)、BLO欠陥性能が改善される。
The hydrophobic resin (B) is unevenly distributed at the interface as described above. Unlike the surfactant, the hydrophobic resin (B) does not necessarily have a hydrophilic group in the molecule, and the polar / nonpolar substance is mixed uniformly. It does not have to contribute to
In the immersion exposure process, the immersion head needs to move on the wafer following the movement of the exposure head to scan the wafer at high speed to form the exposure pattern. In this case, the contact angle of the immersion liquid with respect to the resist film is important, and the resist is required to follow the high-speed scanning of the exposure head without remaining droplets.
Hydrophobic resin (B) is hydrophobic, so development residue (scum) and BLOB defects are likely to deteriorate after alkali development, but it has a linear type by having three or more polymer chains via at least one branch. Since the alkali dissolution rate is improved as compared with the resin, the development residue (scum) and BLO defect performance are improved.

疎水性樹脂(B)がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有率は、疎水性樹脂(B)の平均分子量に対し、5〜80質量%であることが好ましく、10〜80質量%であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、疎水性樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、10〜100モル%であることが好ましく、30〜100モル%であることがより好ましい。
疎水性樹脂(B)が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有率は、疎水性樹脂(B)の平均分子量に対し、2〜50質量%であることが好ましく、2〜30質量%であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂(B)の全繰り返し単位に対し、10〜90モル%であることが好ましく、20〜80モル%であることがより好ましい。
When the hydrophobic resin (B) has a fluorine atom, the fluorine atom content is preferably 5 to 80% by mass and preferably 10 to 80% by mass with respect to the average molecular weight of the hydrophobic resin (B). It is more preferable. Moreover, it is preferable that the repeating unit containing a fluorine atom is 10-100 mol% with respect to all the repeating units in hydrophobic resin (B), and it is more preferable that it is 30-100 mol%.
When the hydrophobic resin (B) has a silicon atom, the silicon atom content is preferably 2 to 50% by mass and preferably 2 to 30% by mass with respect to the average molecular weight of the hydrophobic resin (B). It is more preferable. Moreover, it is preferable that it is 10-90 mol% with respect to all the repeating units of hydrophobic resin (B), and, as for the repeating unit containing a silicon atom, it is more preferable that it is 20-80 mol%.

疎水性樹脂(B)の重量平均分子量は、好ましくは1,000〜100,000、より好ましくは2,000〜50,000、更に好ましくは3,000〜35,000である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPC(キャリア:テトラヒドロフラン(THF))によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。   The weight average molecular weight of the hydrophobic resin (B) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 50,000, and still more preferably 3,000 to 35,000. Here, the weight average molecular weight of the resin indicates a molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (carrier: tetrahydrofuran (THF)).

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の樹脂(B)の含有率は、感活性光線又は感放射線樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01〜20質量%であることが好ましく、より好ましくは0.1〜15質量%、更に好ましくは0.1〜10質量%であり、特に好ましくは0.5〜8質量%である。
樹脂(B)は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
The content of the resin (B) in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition can be appropriately adjusted and used so that the receding contact angle of the actinic ray- or radiation-sensitive resin film falls within the above range. It is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 15% by mass, and still more preferably 0.1 to 10% by mass based on the total solid content of the light-sensitive or radiation-sensitive resin composition. %, Particularly preferably 0.5 to 8% by mass.
Resin (B) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

<塩基性化合物>
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物としては、好ましくは、下記式(A)〜(E)で示される構造を有する化合物を挙げることができる。
<Basic compound>
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention preferably contains a basic compound in order to reduce changes in performance over time from exposure to heating.
Preferred examples of the basic compound include compounds having structures represented by the following formulas (A) to (E).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

一般式(A)及び(E)中、
200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(炭素数6〜20)を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。
203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜20個のアルキル基を表す。
上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1〜20のシアノアルキル基が好ましい。
これら一般式(A)及び(E)中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
In general formulas (A) and (E),
R 200 , R 201 and R 202 may be the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (having a carbon number). 6-20), wherein R 201 and R 202 may combine with each other to form a ring.
R 203 , R 204 , R 205 and R 206 may be the same or different and each represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
About the said alkyl group, as an alkyl group which has a substituent, a C1-C20 aminoalkyl group, a C1-C20 hydroxyalkyl group, or a C1-C20 cyanoalkyl group is preferable.
The alkyl groups in the general formulas (A) and (E) are more preferably unsubstituted.

好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。   Preferred compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine, piperidine and the like, and more preferred compounds include imidazole structure, diazabicyclo structure, onium hydroxide structure, onium carboxylate Examples thereof include a compound having a structure, a trialkylamine structure, an aniline structure or a pyridine structure, an alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond, and an aniline derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond.

イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2−フェニルベンゾイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ−5−エン、1、8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン−1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−フェニルジエタノールアミン、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリン等を挙げることができる。   Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and 2-phenylbenzimidazole. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] non-5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5,4,0. ] Undec-7-ene etc. are mentioned. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include tetrabutylammonium hydroxide, triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically, triphenylsulfonium hydroxide, tris ( and t-butylphenyl) sulfonium hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, 2-oxopropylthiophenium hydroxide, and the like. As the compound having an onium carboxylate structure, an anion portion of the compound having an onium hydroxide structure is converted to a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate. Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine and tri (n-octyl) amine. Examples of the aniline compound include 2,6-diisopropylaniline, N, N-dimethylaniline, N, N-dibutylaniline, N, N-dihexylaniline and the like. Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-phenyldiethanolamine, and tris (methoxyethoxyethyl) amine. Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline.

好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。
アミン化合物は、1級、2級、3級のアミン化合物を使用することができ、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合しているアミン化合物が好ましい。アミン化合物は、3級アミン化合物であることがより好ましい。アミン化合物は、少なくとも1つのアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜12)が窒素原子に結合していてもよい。アミン化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CHCHO−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH)CHO−若しくは−CHCHCHO−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。
Preferred examples of the basic compound further include an amine compound having a phenoxy group, an ammonium salt compound having a phenoxy group, an amine compound having a sulfonic acid ester group, and an ammonium salt compound having a sulfonic acid ester group.
As the amine compound, a primary, secondary or tertiary amine compound can be used, and an amine compound in which at least one alkyl group is bonded to a nitrogen atom is preferable. The amine compound is more preferably a tertiary amine compound. As long as at least one alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) is bonded to a nitrogen atom, the amine compound has an cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms). Preferably C6-C12) may be bonded to a nitrogen atom. The amine compound preferably has an oxygen atom in the alkyl chain and an oxyalkylene group is formed. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

アンモニウム塩化合物は、1級、2級、3級、4級のアンモニウム塩化合物を使用することができ、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合しているアンモニウム塩化合物が好ましい。アンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜12)が窒素原子に結合していてもよい。アンモニウム塩化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CHCHO−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH)CHO−若しくは−CHCHCHO−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。
アンモニウム塩化合物のアニオンとしては、ハロゲン原子、スルホネート、ボレート、フォスフェート等が挙げられるが、中でもハロゲン原子、スルホネートが好ましい。ハロゲン原子としてはクロライド、ブロマイド、アイオダイドが特に好ましく、スルホネートとしては、炭素数1〜20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、炭素数1〜20のアルキルスルホネート、アリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばフッ素、塩素、臭素、アルコキシ基、アシル基、アリール基等が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的にはメタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。アリールスルホネートのアリール基としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられる。ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環は置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基が好ましい。直鎖若しくは分岐アルキル基、シクロアルキル基として、具体的にはメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル等が挙げられる。他の置換基としては炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基、アシルオキシ基等が挙げられる。
As the ammonium salt compound, a primary, secondary, tertiary, or quaternary ammonium salt compound can be used, and an ammonium salt compound in which at least one alkyl group is bonded to a nitrogen atom is preferable. As long as at least one alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) is bonded to a nitrogen atom, the ammonium salt compound has a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group in addition to the alkyl group. (Preferably having 6 to 12 carbon atoms) may be bonded to a nitrogen atom. The ammonium salt compound preferably has an oxygen atom in the alkyl chain and an oxyalkylene group is formed. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.
Examples of the anion of the ammonium salt compound include halogen atoms, sulfonates, borates, and phosphates. Among them, halogen atoms and sulfonates are preferable. As the halogen atom, chloride, bromide, and iodide are particularly preferable. As the sulfonate, an organic sulfonate having 1 to 20 carbon atoms is particularly preferable. Examples of the organic sulfonate include alkyl sulfonates having 1 to 20 carbon atoms and aryl sulfonates. The alkyl group of the alkyl sulfonate may have a substituent, and examples of the substituent include fluorine, chlorine, bromine, alkoxy groups, acyl groups, and aryl groups. Specific examples of the alkyl sulfonate include methane sulfonate, ethane sulfonate, butane sulfonate, hexane sulfonate, octane sulfonate, benzyl sulfonate, trifluoromethane sulfonate, pentafluoroethane sulfonate, and nonafluorobutane sulfonate. Examples of the aryl group of the aryl sulfonate include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring. The benzene ring, naphthalene ring and anthracene ring may have a substituent, and the substituent is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms. Specific examples of the linear or branched alkyl group and cycloalkyl group include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, n-hexyl, cyclohexyl and the like. Examples of the other substituent include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, cyano, nitro, an acyl group, and an acyloxy group.

フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物とは、アミン化合物又はアンモニウム塩化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、置換基を有していてもよい。フェノキシ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシルオキシ基、アリールオキシ基等が挙げられる。置換基の置換位は、2〜6位のいずれであってもよい。置換基の数は、1〜5の範囲で何れであってもよい。
フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CHCHO−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH)CHO−若しくは−CHCHCHO−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。
The amine compound having a phenoxy group and the ammonium salt compound having a phenoxy group are those having a phenoxy group at the terminal opposite to the nitrogen atom of the alkyl group of the amine compound or ammonium salt compound. The phenoxy group may have a substituent. Examples of the substituent of the phenoxy group include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. Etc. The substitution position of the substituent may be any of the 2-6 positions. The number of substituents may be any in the range of 1 to 5.
It is preferable to have at least one oxyalkylene group between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

スルホン酸エステル基を有するアミン化合物、スルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物に於ける、スルホン酸エステル基としては、アルキルスルホン酸エステル、シクロアルキル基スルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルのいずれであっても良く、アルキルスルホン酸エステルの場合にアルキル基は炭素数1〜20、シクロアルキルスルホン酸エステルの場合にシクロアルキル基は炭素数3〜20、アリールスルホン酸エステルの場合にアリール基は炭素数6〜12が好ましい。アルキルスルホン酸エステル、シクロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルは置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基が好ましい。
スルホン酸エステル基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CHCHO−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH)CHO−若しくは−CHCHCHO−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。
In the amine compound having a sulfonic acid ester group and the ammonium salt compound having a sulfonic acid ester group, the sulfonic acid ester group may be any of alkyl sulfonic acid ester, cycloalkyl group sulfonic acid ester, and aryl sulfonic acid ester. In the case of an alkyl sulfonate ester, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms, in the case of a cycloalkyl sulfonate ester, the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms, and in the case of an aryl sulfonate ester, the aryl group has 6 carbon atoms. ~ 12 are preferred. Alkyl sulfonic acid ester, cycloalkyl sulfonic acid ester, and aryl sulfonic acid ester may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, and a sulfonic acid. An ester group is preferred.
It is preferable to have at least one oxyalkylene group between the sulfonate group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

また、下記化合物も塩基性化合物として好ましい。   The following compounds are also preferable as the basic compound.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

これらの塩基性化合物は、単独で或いは2種以上一緒に用いられる。
本発明の組成物は、塩基性化合物を含有してもしなくても良いが、含有する場合、塩基性化合物の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
These basic compounds are used alone or in combination of two or more.
The composition of the present invention may or may not contain a basic compound, but when it is contained, the content of the basic compound is based on the solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. Usually, it is 0.001-10 mass%, Preferably it is 0.01-5 mass%.

酸発生剤(併用酸発生剤を含む)と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物(モル比)=2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物(モル比)は、より好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。   The use ratio of the acid generator (including the combined acid generator) and the basic compound in the composition is preferably acid generator / basic compound (molar ratio) = 2.5 to 300. In other words, the molar ratio is preferably 2.5 or more from the viewpoint of sensitivity and resolution, and is preferably 300 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to the thickening of the resist pattern over time until post-exposure heat treatment. The acid generator / basic compound (molar ratio) is more preferably 5.0 to 200, still more preferably 7.0 to 150.

これらの塩基性化合物は下記低分子化合物(D)に対し、モル比において、低分子化合物(D)/塩基性化合物=100/0〜10/90で用いることが好ましく、100/0〜30/70で用いることがより好ましく、100/0〜50/50で用いることが特に好ましい。
なお、ここでの塩基性化合物は、塩基性化合物でもある場合の(D)酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含まない。
These basic compounds are preferably used in a molar ratio with respect to the following low molecular compound (D): low molecular compound (D) / basic compound = 100/0 to 10/90, and 100/0 to 30 / 70 is more preferable, and it is particularly preferable to use 100/0 to 50/50.
In addition, the basic compound here does not include a low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid (D) when it is also a basic compound.

<酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物>
本発明の組成物は、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(以下において、「低分子化合物(D)」又は「化合物(D)」ともいう)を含有しても良い。酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。
酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物の分子量範囲は100〜1000が好ましく、100〜700がより好ましく、100〜500が特に好ましい。
本発明において好適に使用し得る低分子化合物(D)としては、例えば、特開2009−199021号公報の段落0175に例示された化合物が挙げられる。
<溶剤>
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、溶剤を含有することが好ましい。
前記各成分を溶解させて感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン(好ましくは炭素数4〜10)、環を含有しても良いモノケトン化合物(好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。
<Low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid>
The composition of the present invention may contain a low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid (hereinafter also referred to as “low molecular compound (D)” or “compound (D)”). The group capable of leaving by the action of an acid is not particularly limited, but is preferably an acetal group, a carbonate group, a carbamate group, a tertiary ester group, a tertiary hydroxyl group, or a hemiaminal ether group, and a carbamate group or a hemiaminal ether group. It is particularly preferred.
The molecular weight range of the low molecular weight compound having a group capable of leaving by the action of an acid is preferably 100 to 1000, more preferably 100 to 700, and particularly preferably 100 to 500.
Examples of the low molecular weight compound (D) that can be suitably used in the present invention include compounds exemplified in paragraph 0175 of JP-A-2009-199021.
<Solvent>
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention preferably contains a solvent.
Solvents that can be used when preparing the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition by dissolving the above components include, for example, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate, alkylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate Esters, alkyl alkoxypropionates, cyclic lactones (preferably having 4 to 10 carbon atoms), monoketone compounds which may contain rings (preferably having 4 to 10 carbon atoms), alkylene carbonates, alkyl alkoxyacetates, alkyl pyruvates, etc. Mention may be made of organic solvents.

アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。
アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。
Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl Preferred examples include ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.
Preferred examples of the alkylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, and ethylene glycol monoethyl ether.

乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。
Preferred examples of the alkyl lactate include methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate and butyl lactate.
Preferable examples of the alkyl alkoxypropionate include ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, and ethyl 3-methoxypropionate.

環状ラクトンとしては、例えば、β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−オクタノイックラクトン、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンが好ましく挙げられる。   Examples of the cyclic lactone include β-propiolactone, β-butyrolactone, γ-butyrolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, β-methyl-γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, and γ-octano. Preferred are iclactone and α-hydroxy-γ-butyrolactone.

環を含有しても良いモノケトン化合物としては、例えば、2−ブタノン、3−メチルブタノン、ピナコロン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノン、4−メチル−2−ペンタノン、2−メチル−3−ペンタノン、4,4−ジメチル−2−ペンタノン、2,4−ジメチル−3−ペンタノン、2,2,4,4−テトラメチル−3−ペンタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、5−メチル−3−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−メチル−3−ヘプタノン、5−メチル−3−ヘプタノン、2,6−ジメチル−4−ヘプタノン、2−オクタノン、3−オクタノン、2−ノナノン、3−ノナノン、5−ノナノン、2−デカノン、3−デカノン、、4−デカノン、5−ヘキセン−2−オン、3−ペンテン−2−オン、シクロペンタノン、2−メチルシクロペンタノン、3−メチルシクロペンタノン、2,2−ジメチルシクロペンタノン、2,4,4−トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、4−エチルシクロヘキサノン、2,2−ジメチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6−トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2−メチルシクロヘプタノン、3−メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。   Examples of the monoketone compound which may contain a ring include 2-butanone, 3-methylbutanone, pinacolone, 2-pentanone, 3-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 4-methyl-2-pentanone, 2 -Methyl-3-pentanone, 4,4-dimethyl-2-pentanone, 2,4-dimethyl-3-pentanone, 2,2,4,4-tetramethyl-3-pentanone, 2-hexanone, 3-hexanone, 5-methyl-3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-methyl-3-heptanone, 5-methyl-3-heptanone, 2,6-dimethyl-4-heptanone, 2-octanone, 3-octanone, 2-nonanone, 3-nonanone, 5-nonanone, 2-decanone, 3-decanone, 4-decanone, 5-hexen-2-one 3-penten-2-one, cyclopentanone, 2-methylcyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, 2,2-dimethylcyclopentanone, 2,4,4-trimethylcyclopentanone, cyclohexanone, 3- Methylcyclohexanone, 4-methylcyclohexanone, 4-ethylcyclohexanone, 2,2-dimethylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, 2,2,6-trimethylcyclohexanone, cycloheptanone, 2-methylcycloheptanone, 3-methyl Preferred is cycloheptanone.

アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。
アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸−2−メトキシエチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、酢酸−3−メトキシ−3−メチルブチル、酢酸−1−メトキシ−2−プロピルが好ましく挙げられる。
ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。
好ましく使用できる溶剤としては、常温常圧下で、沸点130℃以上の溶剤が挙げられる。具体的には、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。
本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。
Preferred examples of the alkylene carbonate include propylene carbonate, vinylene carbonate, ethylene carbonate, and butylene carbonate.
Examples of the alkyl alkoxyacetate include 2-methoxyethyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, and 1-methoxy-acetate. 2-propyl is preferred.
Preferred examples of the alkyl pyruvate include methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and propyl pyruvate.
As a solvent which can be preferably used, a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher under normal temperature and normal pressure can be mentioned. Specifically, cyclopentanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, ethyl lactate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl pyruvate, 2-ethoxyethyl acetate, acetic acid -2- (2-ethoxyethoxy) ethyl and propylene carbonate are mentioned.
In the present invention, the above solvents may be used alone or in combination of two or more.

本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。
水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノンが最も好ましい。
水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比(質量)は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
In this invention, you may use the mixed solvent which mixed the solvent which contains a hydroxyl group in a structure, and the solvent which does not contain a hydroxyl group as an organic solvent.
As the solvent containing a hydroxyl group and the solvent not containing a hydroxyl group, the above-mentioned exemplary compounds can be selected as appropriate, but as the solvent containing a hydroxyl group, alkylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate, etc. are preferable, propylene glycol monomethyl ether, More preferred is ethyl lactate. Further, as the solvent not containing a hydroxyl group, alkylene glycol monoalkyl ether acetate, alkyl alkoxypropionate, monoketone compound which may contain a ring, cyclic lactone, alkyl acetate and the like are preferable, and among these, propylene glycol monomethyl ether Acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone and butyl acetate are particularly preferred, and propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate and 2-heptanone are most preferred.
The mixing ratio (mass) of the solvent containing a hydroxyl group and the solvent not containing a hydroxyl group is 1/99 to 99/1, preferably 10/90 to 90/10, more preferably 20/80 to 60/40. . A mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent not containing a hydroxyl group is particularly preferred from the viewpoint of coating uniformity.

溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。
<界面活性剤>
本発明の組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。含有する場合、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
The solvent is preferably a mixed solvent of two or more containing propylene glycol monomethyl ether acetate.
<Surfactant>
The composition of the present invention may or may not further contain a surfactant. When it contains, it contains either fluorine-based and / or silicon-based surfactant (fluorine-based surfactant, silicon-based surfactant, surfactant having both fluorine atom and silicon atom), or two or more kinds It is preferable to do.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。
フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431、4430(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)、GF−300、GF−150(東亜合成化学(株)製)、サーフロンS−393(セイミケミカル(株)製)、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601((株)ジェムコ製)、PF636、PF656、PF6320、PF6520(OMNOVA社製)、FTX−204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D((株)ネオス製)等である。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
When the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention contains the above-mentioned surfactant, adhesion and development defects with good sensitivity and resolution when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less. It is possible to provide a resist pattern with less.
Examples of the fluorine-based and / or silicon-based surfactant include surfactants described in [0276] of US Patent Application Publication No. 2008/0248425. For example, F-top EF301, EF303, (Shin-Akita Kasei Co., Ltd.) )), FLORARD FC430, 431, 4430 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Megafac F171, F173, F176, F189, F113, F110, F177, F120, R08 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.), GF-300, GF-150 (Toagosei Chemical Co., Ltd.) ), Surflon S-393 (Seimi Chemical Co., Ltd.), F-top EF121, E 122A, EF122B, RF122C, EF125M, EF135M, EF351, EF352, EF801, EF802, EF601 (manufactured by Gemco), PF636, PF656, PF6320, PF6520 (manufactured by OMNOVA), FTX-204G, 230G, 218G, 218G 204D, 208D, 212D, 218D, 222D (manufactured by Neos Co., Ltd.) and the like. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon-based surfactant.

また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。
In addition to the known surfactants described above, the surfactant is derived from a fluoroaliphatic compound produced by a telomerization method (also called telomer method) or an oligomerization method (also called oligomer method). A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.
As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. Or may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, a poly (oxybutylene) group, and the like, and a poly (oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene group). A unit having different chain lengths in the same chain length, such as a block link) or poly (block link of oxyethylene and oxypropylene) may be used. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).

例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)、C13基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体等を挙げることができる。 For example, as a commercially available surfactant, Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, F-472 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), C 6 F 13 group Copolymer of acrylate (or methacrylate) and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), acrylate (or methacrylate) and (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate) having a C 3 F 7 group And a copolymer of (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate).

また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。   In the present invention, surfactants other than the fluorine-based and / or silicon-based surfactants described in [0280] of US Patent Application Publication No. 2008/0248425 may also be used.

これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は界面活性剤を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分量(溶剤を除く全量)に対して、好ましくは0.0001〜2質量%、更に好ましくは0.0003〜2質量%、特に好ましくは0.0005〜1質量%である。
一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。これにより疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。
<カルボン酸オニウム塩>
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有しても良い。カルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。アニオン部としては、炭素数1〜30の直鎖、分岐、単環又は多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。更に好ましくはこれらのアルキル基の一部又は全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。
These surfactants may be used alone or in several combinations.
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may or may not contain a surfactant, but when it is contained, the amount of surfactant used is actinic ray-sensitive or Preferably it is 0.0001-2 mass% with respect to the total solid content (total quantity except a solvent) of a radiation sensitive resin composition, More preferably, it is 0.0003-2 mass%, Most preferably, it is 0.0005-1 mass. %.
On the other hand, it is also preferable that the addition amount of the surfactant is 10 ppm or less or not contained. This increases the uneven distribution of the surface of the hydrophobic resin, whereby the resist film surface can be made more hydrophobic, and the water followability during immersion exposure can be improved.
<Carboxylic acid onium salt>
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may contain an onium carboxylate. As the carboxylic acid onium salt, an iodonium salt and a sulfonium salt are preferable. As the anion moiety, a linear, branched, monocyclic or polycyclic alkylcarboxylic acid anion having 1 to 30 carbon atoms is preferable. More preferably, an anion of a carboxylic acid in which some or all of these alkyl groups are fluorine-substituted is preferable. The alkyl chain may contain an oxygen atom. This ensures transparency with respect to light of 220 nm or less, improves sensitivity and resolution, and improves density dependency and exposure margin.

フッ素置換されたカルボン酸のアニオンとしては、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロトリデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、2,2−ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオン等が挙げられる。   Fluorine-substituted carboxylic acid anions include fluoroacetic acid, difluoroacetic acid, trifluoroacetic acid, pentafluoropropionic acid, heptafluorobutyric acid, nonafluoropentanoic acid, perfluorododecanoic acid, perfluorotridecanoic acid, perfluorocyclohexanecarboxylic acid, 2 , 2-bistrifluoromethylpropionic acid anion and the like.

カルボン酸オニウム塩の組成物中の含量は、組成物の全固形分に対し、一般的には0.1〜20質量%、好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。   The content of the carboxylic acid onium salt in the composition is generally 0.1 to 20% by mass, preferably 0.5 to 10% by mass, more preferably 1 to 7% by mass, based on the total solid content of the composition. %.

<酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物>
酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物(以下、「溶解阻止化合物」ともいう)としては、220nm以下の透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、樹脂(A)について前述したものと同様のものが挙げられる。
<Dissolution-inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer>
As a dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less (hereinafter also referred to as “dissolution inhibiting compound”), which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer, the permeability at 220 nm or less is not lowered. An alicyclic or aliphatic compound containing an acid-decomposable group is preferred, such as a cholic acid derivative containing an acid-decomposable group described in Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996). Examples of the acid-decomposable group and alicyclic structure are the same as those described above for the resin (A).

なお、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか、或いは電子線で照射する場合には、溶解阻止化合物としてはフェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1〜9個含有するものが好ましく、更に好ましくは2〜6個含有するものである。
溶解阻止化合物の添加量は、ポジ型レジスト組成物の固形分に対し、好ましくは3〜50質量%であり、より好ましくは5〜40質量%である。
以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
When the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is exposed with a KrF excimer laser or irradiated with an electron beam, the phenolic hydroxyl group of the phenol compound is an acid-decomposable group as a dissolution inhibiting compound. Those containing a structure substituted with are preferred. The phenol compound preferably contains 1 to 9 phenol skeletons, more preferably 2 to 6 phenol skeletons.
The addition amount of the dissolution inhibiting compound is preferably 3 to 50% by mass, more preferably 5 to 40% by mass, based on the solid content of the positive resist composition.
Specific examples of the dissolution inhibiting compound are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
Figure 2012173367

<その他の添加剤>
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて更に染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物(例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物)等を含有させることができる。
<Other additives>
In the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, a compound (for example, molecular weight) that further promotes solubility in dyes, plasticizers, photosensitizers, light absorbers, and developers as necessary. 1000 or less phenolic compounds, alicyclic or aliphatic compounds having a carboxyl group) and the like can be contained.

このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4−122938号公報、特開平2−28531号公報、米国特許第4,916,210号明細書、欧州特許第219294号公報等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。
カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
<パターン形成方法>
本発明のパターン形成方法は、レジスト膜を、露光、現像する工程を含んでいる。
レジスト膜は、上記した本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30〜250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30〜200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分濃度は、一般的には1〜10質量%、より好ましくは1〜8.0質量%、更に好ましくは1.0〜6.0質量%である。
Such phenol compounds having a molecular weight of 1000 or less are described in, for example, JP-A-4-122938, JP-A-2-28531, US Pat. No. 4,916,210, European Patent 219294, and the like. It can be easily synthesized by those skilled in the art with reference to the above method.
Specific examples of alicyclic or aliphatic compounds having a carboxyl group include carboxylic acid derivatives having a steroid structure such as cholic acid, deoxycholic acid, lithocholic acid, adamantane carboxylic acid derivatives, adamantane dicarboxylic acid, cyclohexane carboxylic acid, cyclohexane Examples thereof include, but are not limited to, dicarboxylic acids.
<Pattern formation method>
The pattern forming method of the present invention includes steps of exposing and developing a resist film.
The resist film is formed from the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention described above, and more specifically, is preferably formed on a substrate. In the pattern forming method of the present invention, the step of forming a film of a resist composition on the substrate, the step of exposing the film, and the developing step can be performed by generally known methods.
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably used at a film thickness of 30 to 250 nm, more preferably at a film thickness of 30 to 200 nm, from the viewpoint of improving resolution. preferable. By setting the solid content concentration in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition to an appropriate range to have an appropriate viscosity, and improving the coating property and film forming property, such a film thickness is obtained. Can do.
The total solid concentration in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is generally 1 to 10% by mass, more preferably 1 to 8.0% by mass, and still more preferably 1.0 to 6.0% by mass.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
なお、フィルターは、複数種類を直列又は並列に接続して用いてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。さらに、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is prepared by dissolving the above-described components in a predetermined organic solvent, preferably the mixed solvent, filtered, and applied onto a predetermined support as follows. And use. The pore size of the filter used for filter filtration is preferably 0.1 microns or less, more preferably 0.05 microns or less, and even more preferably 0.03 microns or less made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon.
Note that a plurality of types of filters may be connected in series or in parallel. The composition may be filtered multiple times. Furthermore, you may perform a deaeration process etc. with respect to a composition before and after filter filtration.

例えば、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、レジスト膜を形成することができる。
当該レジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。
製膜後、露光工程の前に、前加熱工程(PB;Prebake)を含むことも好ましい。
また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程(PEB;Post Exposure Bake)を含むことも好ましい。
加熱温度はPB、PEB共に70〜120℃で行うことが好ましく、80〜110℃で行うことがより好ましい。
加熱時間は30〜300秒が好ましく、30〜180秒がより好ましく、30〜90秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。
For example, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is appropriately applied to a spinner, coater or the like on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for manufacturing a precision integrated circuit device. By applying and drying, a resist film can be formed.
The resist film is irradiated with actinic rays or radiation through a predetermined mask, preferably baked (heated), developed and rinsed. Thereby, a good pattern can be obtained.
It is also preferable to include a preheating step (PB; Prebake) after the film formation and before the exposure step.
It is also preferable to include a post-exposure heating step (PEB; Post Exposure Bake) after the exposure step and before the development step.
The heating temperature is preferably 70 to 120 ° C., more preferably 80 to 110 ° C. for both PB and PEB.
The heating time is preferably 30 to 300 seconds, more preferably 30 to 180 seconds, and still more preferably 30 to 90 seconds.
Heating can be performed by means provided in a normal exposure / developing machine, and may be performed using a hot plate or the like.
The reaction of the exposed part is promoted by baking, and the sensitivity and pattern profile are improved.

活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、特に好ましくは1〜200nmの波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、Fエキシマレーザー(157nm)、X線、EUV(13nm)、電子ビーム等であり、ArFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(13nm)、電子ビームが好ましい。 Examples of the actinic ray or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, extreme ultraviolet light, X-ray, electron beam, etc., preferably 250 nm or less, more preferably 220 nm or less, particularly Preferably, far ultraviolet light having a wavelength of 1 to 200 nm, specifically, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-ray, EUV (13 nm), electron beam, etc. ArF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (13 nm), and electron beam are preferable.

レジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
Before forming the resist film, an antireflection film may be coated on the substrate in advance.
As the antireflection film, any of an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. In addition, as the organic antireflection film, commercially available organic antireflection films such as DUV30 series, DUV-40 series manufactured by Brewer Science, AR-2, AR-3, AR-5 manufactured by Shipley, etc. may be used. it can.

現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1級アミン、2級アミン、3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法(パドル法)、基板表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。
As the alkaline developer in the development step, a quaternary ammonium salt typified by tetramethylammonium hydroxide is usually used. In addition, inorganic alkali, primary amine, secondary amine, tertiary amine, alcohol amine are also used. An aqueous alkali solution such as a cyclic amine can also be used.
Furthermore, alcohols and surfactants can be added in appropriate amounts to the alkaline developer.
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.
Furthermore, alcohols and surfactants can be added in appropriate amounts to the alkaline aqueous solution.
As the rinsing liquid, pure water can be used, and an appropriate amount of a surfactant can be added.
As a developing method, for example, a method in which a substrate is immersed in a tank filled with a developer for a certain period of time (dip method), a method in which the developer is raised on the surface of the substrate by surface tension and is left stationary for a certain time (paddle) Method), a method of spraying the developer on the substrate surface (spray method), a method of continuously discharging the developer while scanning the developer discharge nozzle on the substrate rotating at a constant speed (dynamic dispensing method) Etc. can be applied.

リンス工程においては、現像を行ったウェハをリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法(回転塗布法)、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm〜4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程(Post Bake)を含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40〜160℃、好ましくは70〜95℃で、通常10秒〜3分、好ましくは30秒から90秒間行う。
また、現像工程又は、リンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。
In the rinsing step, the developed wafer is cleaned using a rinsing liquid. The cleaning method is not particularly limited. For example, a method of continuing to discharge the rinse liquid onto the substrate rotating at a constant speed (rotary coating method), or immersing the substrate in a tank filled with the rinse liquid for a certain period of time. A method (dip method), a method of spraying a rinsing liquid on the substrate surface (spray method), and the like can be applied. Among them, a cleaning treatment is performed by a spin coating method, and after cleaning, the substrate is rotated at a speed of 2000 rpm to 4000 rpm. It is preferable to rotate and remove the rinse liquid from the substrate. It is also preferable to include a heating step (Post Bake) after the rinsing step. The developing solution and the rinsing solution remaining between the patterns and inside the patterns are removed by baking. The heating step after the rinsing step is usually 40 to 160 ° C., preferably 70 to 95 ° C., and usually 10 seconds to 3 minutes, preferably 30 seconds to 90 seconds.
Moreover, the process which removes the developing solution or rinse liquid adhering on a pattern with a supercritical fluid can be performed after a image development process or a rinse process.

活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体(液浸媒体)を満たして露光(液浸露光)を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体として好ましくは水である。水は屈折率の温度係数の小ささ、入手の容易さや取り扱いのしやすさの点でも好適である。
また、屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。
Exposure (immersion exposure) may be performed by filling a liquid (immersion medium) having a higher refractive index than air between the film and the lens during irradiation with actinic rays or radiation. Thereby, resolution can be improved. The immersion medium used is preferably water. Water is also suitable in terms of a small temperature coefficient of refractive index, ease of availability, and ease of handling.
A medium having a refractive index of 1.5 or more can also be used in that the refractive index can be improved. This medium may be an aqueous solution or an organic solvent.

液浸液として水を用いる場合、屈折率の向上等を目的とする添加剤を僅かな割合で添加しても良い。添加剤の例としてはシーエムシー出版「液浸リソグラフィのプロセスと材料」の第12章に詳しい。一方、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物の存在は、膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等で精製した純水を用いてもよい。純水の電気抵抗は18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC(有機物濃度)は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理されていることが望ましい。   When water is used as the immersion liquid, an additive for the purpose of improving the refractive index may be added in a small proportion. Examples of additives are detailed in Chapter 12 of CMC Publishing "Processes and Materials for Immersion Lithography". On the other hand, the presence of impurities that are opaque to 193 nm light and impurities whose refractive index is significantly different from that of water causes distortion of the optical image projected on the film, and therefore, distilled water is preferred as the water to be used. Further, pure water purified with an ion exchange filter or the like may be used. The electric resistance of pure water is desirably 18.3 MQcm or more, the TOC (organic concentration) is desirably 20 ppb or less, and it is desirable that deaeration treatment is performed.

本発明の態様を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明の範囲は、以下の実施例に限定されるものではない。
〔樹脂(A)〕
<樹脂合成例1:樹脂(A−1)の合成>
The embodiment of the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the scope of the present invention is not limited to the following examples.
[Resin (A)]
<Resin Synthesis Example 1: Synthesis of Resin (A-1)>

Figure 2012173367
Figure 2012173367

窒素気流下、シクロヘキサノン10.7gを3つ口フラスコに入れ、これを85℃に加熱した。これにモノマー1を4.4g、モノマー2を1.2g、モノマー3を3.9g、モノマー4を0.7g、重合開始剤V−601(和光純薬工業(株)製)をモノマーに対し6.5mol%をシクロヘキサノン19.9gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に85℃で2時間反応させた。反応液を放冷後ヘプタン250.2 g/酢酸エチル107.2gの混合液に滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂(A−1)が8.3g得られた。NMRから求めたポリマー組成比(モル比)は40/10/42.5/7.5であった(構造式における左から順)。得られた樹脂の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で8600、分散度(Mw/Mn)は1.5であった。
同様にして、以下に示す他の樹脂(A−2)〜(A−12)を合成した。
実施例で用いた酸分解性樹脂(A)の構造を以下に示す。また、下記表2に、各樹脂における繰り返し単位のモル比率(構造式における左から順)、重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を示す。
Under a nitrogen stream, 10.7 g of cyclohexanone was placed in a three-necked flask and heated to 85 ° C. To this, 4.4 g of monomer 1, 1.2 g of monomer 2, 3.9 g of monomer 3, 0.7 g of monomer 4, and polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) A solution prepared by dissolving 6.5 mol% in 19.9 g of cyclohexanone was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the reaction was further continued at 85 ° C. for 2 hours. The reaction solution was allowed to cool and then added dropwise to a mixed solution of 250.2 g of heptane / 107.2 g of ethyl acetate. The precipitated powder was collected by filtration and dried to obtain 8.3 g of Resin (A-1). The polymer composition ratio (molar ratio) determined from NMR was 40/10 / 42.5 / 7.5 (in order from the left in the structural formula). The weight average molecular weight of the obtained resin was 8600 in terms of standard polystyrene, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.5.
Similarly, other resins (A-2) to (A-12) shown below were synthesized.
The structure of the acid-decomposable resin (A) used in the examples is shown below. Table 2 below shows the molar ratio of repeating units in each resin (in order from the left in the structural formula), weight average molecular weight (Mw), and dispersity (Mw / Mn).

Figure 2012173367
Figure 2012173367

Figure 2012173367
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<感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製>
下記表3に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量%の溶液を調製し、これを0.05μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(ポジ型感光性樹脂組成物)を調製した。調製したポジ型感光性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を表3に示した。
<画像性能試験>
〔露光条件:ArF液浸露光〕
シリコンウエハ(12インチ口径)上に有機反射防止膜ARC29SR(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型感光性樹脂組成物を塗布し、120℃で、60秒間ベークを行い、膜厚100nmの感光性膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナー(ASML社製 XT1700i、NA1.20、C−Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向)を用い、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後120℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。
〔ラインエッジラフネス(LER)〕
ラインエッジラフネス(nm)の測定は測長走査型電子顕微鏡(SEM)を使用して線幅75nmのラインアンドスペース1/1のパターンを観察し、ラインパターンの長手方向のエッジが5μmの範囲についてエッジのあるべき基準線からの距離を測長SEM((株)日立製作所S−8840)により50ポイント測定し、標準偏差(σ)を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す
〔プロファイル形状(パターン形状)〕
線幅75nmのラインアンドスペース1/1のパターンを観察し、断面形状が矩形なものを○、すそ引きが発生しているものを△、更にすそ引きがひどいものを×、すそ引きが酷過ぎてブリッジが発生しているものを××とした。
〔耐エッチング性(ドライエッチング耐性)〕
上記レジスト膜をULVAC製リアクティブイオンエッチング装置(CSE−1110)を用いて、CFガスに対するエッチング速度を測定した。実施例1のレジストのエッチング速度を1.0とした時の各レジストの相対的エッチング速度比(各実施例レジストのエッチング速度/実施例1のレジストのエッチング速度)をもってエッチング耐性の指標とした。この値が大きいほどエッチングが劣り、値が小さいほどエッチングが良好であることを示す。
〔後退接触角(液浸液追随性)〕
シリコンウエハ(8インチ口径)上に調製したポジ型感光性樹脂組成物を塗布し、120℃で60秒間ベークを行い、膜厚120nmのレジスト膜を形成した。動的接触角計(協和界面科学社製)の拡張収縮法により、水滴の後退接触角を測定した。初期液滴サイズ35μLを6μL/秒の速度にて5秒間吸引し、吸引中の動的接触角が安定した値を後退接触角とした。測定環境は、23±3℃、相対湿度45±5%である。この後退接触角の数値が大きいほど、より高速なスキャンスピードに対して液浸液(水)が追随可能である。
<Preparation of actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition>
The components shown in Table 3 below are dissolved in a solvent, and a solution having a solid content concentration of 4% by mass is prepared for each, and this is filtered through a polyethylene filter having a pore size of 0.05 μm. A composition (positive photosensitive resin composition) was prepared. The prepared positive photosensitive resin composition was evaluated by the following method, and the results are shown in Table 3.
<Image performance test>
[Exposure conditions: ArF immersion exposure]
An organic antireflection film ARC29SR (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied on a silicon wafer (12 inch diameter), and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an antireflection film having a thickness of 98 nm. The positive photosensitive resin composition prepared thereon was applied and baked at 120 ° C. for 60 seconds to form a photosensitive film having a thickness of 100 nm. The obtained wafer was used with an ArF excimer laser immersion scanner (XT1700i, NA1.20, C-Quad, outer sigma 0.981, inner sigma 0.895, XY deflection manufactured by ASML), 1: 1 with a line width of 75 nm. Exposure was through a 6% halftone mask with a line and space pattern. Ultra pure water was used as the immersion liquid. Thereafter, heating was performed at 120 ° C. for 60 seconds, followed by development with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38 mass%) for 30 seconds, rinsing with pure water, and spin drying to obtain a resist pattern.
[Line edge roughness (LER)]
The line edge roughness (nm) is measured using a length-measuring scanning electron microscope (SEM) to observe a line-and-space 1/1 pattern with a line width of 75 nm, and the longitudinal edge of the line pattern is in the range of 5 μm. The distance from the reference line that should have an edge was measured at 50 points with a length measurement SEM (Hitachi, Ltd. S-8840) to obtain the standard deviation (σ), and 3σ was calculated. A smaller value indicates better performance [profile shape (pattern shape)]
Observe a line-and-space 1/1 pattern with a line width of 75 nm, ○ if the cross-sectional shape is rectangular, △ if the skirt is generated, △ if the skirt is severe, × if the skirt is too severe Xx indicates that a bridge is generated.
[Etching resistance (dry etching resistance)]
The etching rate of the resist film with respect to CF 4 gas was measured using a reactive ion etching apparatus (CSE-1110) manufactured by ULVAC. The relative etching rate ratio (etching rate of each example resist / etching rate of the resist of Example 1) when the etching rate of the resist of Example 1 was 1.0 was used as an index of etching resistance. The larger the value, the worse the etching, and the smaller the value, the better the etching.
[Retreating angle (Immersion liquid followability)]
The prepared positive photosensitive resin composition was applied on a silicon wafer (8-inch diameter), and baked at 120 ° C. for 60 seconds to form a resist film having a thickness of 120 nm. The receding contact angle of the water droplet was measured by the expansion / contraction method of a dynamic contact angle meter (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.). An initial droplet size of 35 μL was sucked at a speed of 6 μL / sec for 5 seconds, and a value with a stable dynamic contact angle during suction was defined as a receding contact angle. The measurement environment is 23 ± 3 ° C. and relative humidity 45 ± 5%. The larger the value of the receding contact angle, the more the immersion liquid (water) can follow the higher scanning speed.

Figure 2012173367
Figure 2012173367

表3に記載の記号は、以下の通りである。
樹脂(A)、疎水性樹脂(B)は、先に例示したものに対応する。
〔酸発生剤(化合物(C))〕
The symbols described in Table 3 are as follows.
Resin (A) and hydrophobic resin (B) correspond to those exemplified above.
[Acid generator (compound (C))]

Figure 2012173367
Figure 2012173367

上記の相対モル吸光係数を算出するためのモル吸光係数εの算出は、ランベルト−ベールの式に従い、酸発生剤(化合物(C))をアセトニトリル溶媒に溶解させた測定溶液について1cm角のセルを用いてUVスペクトルを測定し、193nmの吸光度(A)と測定溶液媒濃度(c:単位モル/L)から算出した。なお、カチオン構造の特性を比較するために、アニオン構造はノナフルオロブタンスルホネートに統一して算出した値である。
塩基性化合物、界面活性剤、溶剤は次の通りである。
(塩基性化合物)
DIA:2,6−ジイソプロピルアニリン
TMEA:トリス(メトキシエトキシエチル)アミン
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
TOA:トリオクチルアミン
PBI:2−フェニルベンゾイミダゾール
DHA:N,N−ジヘキシルアニリン
(界面活性剤)
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製;フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製;フッ素及びシリコン系)
W−3:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製;フッ素系)
W−4:PF656(OMNOVA社製;フッ素系)
W−5:PF6320(OMNOVA社製;フッ素系)
(溶剤)
S1−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
S1−2:シクロヘキサノン
S2−1:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
S2−2:プロピレンカーボネート
S2−3:γ−ブチロラクトン
The molar extinction coefficient ε for calculating the relative molar extinction coefficient is calculated according to the Lambert-Beer formula using a 1 cm square cell for a measurement solution in which an acid generator (compound (C)) is dissolved in an acetonitrile solvent. Using this, the UV spectrum was measured and calculated from the absorbance at 193 nm (A) and the measured solution medium concentration (c: unit mol / L). In addition, in order to compare the characteristics of the cation structure, the anion structure is a value calculated in the same manner as nonafluorobutanesulfonate.
The basic compound, surfactant and solvent are as follows.
(Basic compound)
DIA: 2,6-diisopropylaniline TMEA: tris (methoxyethoxyethyl) amine PEA: N-phenyldiethanolamine TOA: trioctylamine PBI: 2-phenylbenzimidazole DHA: N, N-dihexylaniline (surfactant)
W-1: MegaFuck F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd .; fluorine-based)
W-2: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd .; fluorine and silicon)
W-3: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co .; fluorine type)
W-4: PF656 (manufactured by OMNOVA; fluorine-based)
W-5: PF6320 (manufactured by OMNOVA; fluorine-based)
(solvent)
S1-1: Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA)
S1-2: Cyclohexanone S2-1: Propylene glycol monomethyl ether (PGME)
S2-2: Propylene carbonate S2-3: γ-Butyrolactone

表3から明らかなように、樹脂が一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有しない比較例1はLER、耐エッチング性、後退接触角に劣ることがわかる。酸発生剤が化合物(C)の要件(相対モル吸光係数0.8以下)を満たさない比較例2はLER、プロファイル形状、耐エッチング性、後退接触角いずれにも劣ることがわかる。
一方、樹脂が一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有し、酸発生剤が化合物(C)の要件を満たす実施例1〜20は、LER、プロファイル形状、耐エッチング性、後退接触角いずれにも優れることがわかる。
なお、各実施例の処方について、上記液浸露光に準じた条件でドライ露光を行ったが、これらについてもLER、プロファイル形状、耐エッチング性について良好な結果が得られた。
As is clear from Table 3, Comparative Example 1 in which the resin does not contain the repeating unit represented by the general formula (I-1) or (I-2) is inferior in LER, etching resistance, and receding contact angle. . It can be seen that Comparative Example 2 in which the acid generator does not satisfy the requirement of compound (C) (relative molar extinction coefficient of 0.8 or less) is inferior in any of LER, profile shape, etching resistance, and receding contact angle.
On the other hand, Examples 1-20 in which resin contains the repeating unit represented by general formula (I-1) or (I-2), and an acid generator satisfy | fills the requirements of compound (C) are LER, profile shape It can be seen that both the etching resistance and the receding contact angle are excellent.
In addition, about the prescription of each Example, although dry exposure was performed on the conditions according to the said liquid immersion exposure, the favorable result was obtained about LER, profile shape, and etching resistance also about these.

Claims (10)

(A)下記一般式(I−1)又は(I−2)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び
(C)アセトニトリル溶媒中で測定した波長193nmにおけるモル吸光係数εが、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートに対する相対比で0.8以下である活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2012173367
上記一般式(I−1)及び(I−2)中、
ARは、芳香族基を表す。
ARは、芳香族基を表す。
は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
及びAは、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
Zは一般式(I−2)中のC−ARとともに環を形成する連結基を表す。
(A) A resin containing a repeating unit represented by the following general formula (I-1) or (I-2), and (C) a molar extinction coefficient ε at a wavelength of 193 nm measured in an acetonitrile solvent is triphenylsulfonium. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation in a relative ratio to nonafluorobutanesulfonate of 0.8 or less.
Figure 2012173367
In the general formulas (I-1) and (I-2),
AR 1 represents an aromatic group.
AR 2 represents an aromatic group.
R 1 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
A 1 and A 2 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.
Z represents a linking group that forms a ring together with C-AR 2 in formula (I-2).
前記化合物(C)が、下記一般式(II−1)又は(II−2)で表される化合物である、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2012173367

上記一般式中、
Raは各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。2個のRaが互いに結合して環を形成してもよく、該環は芳香族環又は飽和炭化水素環と縮環していてもよい。
20は、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。複数のR20が存在する場合、複数のR20は同一であっても異なっていてもよい。
は−CR21=CR22−、−NR23−、−S−又は−O−を表す。
21及びR22は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基又はシクロアルキル基を有する基を表す。
23は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアシル基を表す。
24はアリール基を表す。
25及びR26は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はシアノ基を表す。
27及びR28は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
25とR26及びR27とR28はそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。
は0〜3の整数を表す。
qは0〜10の整数を表す。
は非求核性アニオンを表す。
The actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition of Claim 1 whose said compound (C) is a compound represented by the following general formula (II-1) or (II-2).
Figure 2012173367

In the above general formula,
Each Ra independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group. Two Ras may be bonded to each other to form a ring, and the ring may be condensed with an aromatic ring or a saturated hydrocarbon ring.
R 20 represents a group having a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group, or a cycloalkyl group. When a plurality of R 20 are present, the plurality of R 20 may be the same or different.
X 2 is -CR 21 = CR 22 -, - NR 23 -, - S- or an -O-.
R 21 and R 22 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group or a cycloalkyl group. Represents a group having
R 23 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an acyl group.
R 24 represents an aryl group.
R 25 and R 26 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or a cyano group.
R 27 and R 28 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.
R 25 and R 26 and R 27 and R 28 may be connected to each other to form a ring.
n 1 represents an integer of 0 to 3.
q represents an integer of 0 to 10.
Z represents a non-nucleophilic anion.
前記一般式(II−1)で表される化合物(C)が、下記一般式(ZI−1)で表されるカチオン構造を有する化合物であり、前記一般式(II−2)で表される化合物(C)が、下記一般式(ZI−3)で表されるカチオン構造を有する化合物である、請求項2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2012173367

一般式(ZI−1)中、
13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。
14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。
15は各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよく、該環は芳香族環又は飽和炭化水素環と縮環していてもよい。
lは0〜2の整数を表す。
rは0〜10の整数を表す。
Figure 2012173367

一般式(ZI−3)において、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとR、及びRとRは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
The compound (C) represented by the general formula (II-1) is a compound having a cation structure represented by the following general formula (ZI-1), and represented by the general formula (II-2). The actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of Claim 2 whose compound (C) is a compound which has a cation structure represented by the following general formula (ZI-3).
Figure 2012173367

In general formula (ZI-1),
R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a group having a cycloalkyl group.
When there are a plurality of R 14 s, each independently represents a group having a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group, or a cycloalkyl group. To express.
R 15 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group. Two R 15 may be bonded to each other to form a ring, and the ring may be condensed with an aromatic ring or a saturated hydrocarbon ring.
l represents an integer of 0-2.
r represents an integer of 0 to 10.
Figure 2012173367

In general formula (ZI-3),
R 1c to R 5c are each independently a hydrogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, alkoxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, cycloalkylcarbonyloxy group, halogen atom, hydroxyl group Represents a nitro group, an alkylthio group or an arylthio group.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an aryl group.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.
Any two or more of R 1c to R 5c , R 5c and R 6c , R 6c and R 7c , R 5c and R x , and R x and R y may be bonded to form a ring structure. The ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, or an amide bond.
前記樹脂(A)を構成する繰り返し単位の全てが(メタ)アクリレート系繰り返し単位である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-3 whose all the repeating units which comprise the said resin (A) are (meth) acrylate type repeating units. (B)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (B) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising a hydrophobic resin having at least one of a fluorine atom and a silicon atom. 前記樹脂(A)がラクトン構造を有する繰り返し単位を更に含有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein the resin (A) further contains a repeating unit having a lactone structure. 前記樹脂(A)が下記一般式(AI)で表される繰り返し単位を更に含有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2012173367

一般式(AI)に於いて、
Xaは、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH−Rで表される基を表す。Rは、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx〜Rxは、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx〜Rxの2つが結合して、シクロアルキル基を形成してもよい。
The actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-6 in which the said resin (A) further contains the repeating unit represented by the following general formula (AI).
Figure 2012173367

In general formula (AI),
Xa 1 represents a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a hydroxy group or a monovalent organic group.
T represents a single bond or a divalent linking group.
Rx 1 to Rx 3 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Two of Rx 1 to Rx 3 may combine to form a cycloalkyl group.
請求項1〜7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。   The resist film formed using the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of any one of Claims 1-7. 請求項8に記載のレジスト膜を露光する工程、及び
前記露光したレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法。
The pattern formation method including the process of exposing the resist film of Claim 8, and the process of developing the exposed resist film.
前記露光が液浸露光である、請求項9に記載のパターン形成方法。   The pattern formation method according to claim 9, wherein the exposure is immersion exposure.
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