JP2012169768A - Laser controller - Google Patents

Laser controller Download PDF

Info

Publication number
JP2012169768A
JP2012169768A JP2011027561A JP2011027561A JP2012169768A JP 2012169768 A JP2012169768 A JP 2012169768A JP 2011027561 A JP2011027561 A JP 2011027561A JP 2011027561 A JP2011027561 A JP 2011027561A JP 2012169768 A JP2012169768 A JP 2012169768A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser diode
bias current
current
ambient temperature
value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011027561A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Kamisugi
秀昭 神杉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2011027561A priority Critical patent/JP2012169768A/en
Publication of JP2012169768A publication Critical patent/JP2012169768A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser controller capable of setting a suitable upper limit value of bias current according to the ambient temperature of a laser diode without depending on the individual laser diode even in the presence of manufacturing variations and time-related deterioration of the laser diodes.SOLUTION: The laser controller includes a laser diode 3, a current circuit 5 for supplying bias current to the laser diode 3, a current monitor section 9 for monitoring the bias current; a photo diode 11 for detecting an optical signal of the laser diode 3; an optical signal monitor section 13 for monitoring light intensity of the optical signal via the photo diode 11; and a control section 7 for performing APC control of the bias current. On the basis of the value of the bias current monitored by the current monitor section 9, the control section 7 calculates an upper limit value of the bias current used for the APC control and performs the APC control so that the bias current does not exceed the upper limit value.

Description

本発明は、レーザダイオードを制御するレーザ制御装置に関する。   The present invention relates to a laser control device that controls a laser diode.

特許文献1には、光出力が自動停止された場合に、周辺温度に応じて適切なタイミングで光出力を復旧させることが可能な光送信器が開示されている。特許文献1の光送信器は、LD(レーザダイオード)、LD駆動回路、モニタ用PD、LDの駆動電流を制御するAPC回路、温度モニタ、及びコントローラを備える。コントローラは、駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタし、バイアス電流のモニタ値がシャットダウン閾値を超えた場合に光信号を停止するようにAPC回路を制御し、光信号の停止直前におけるモニタ信号の値が故障判別閾値を超えていた場合は、周辺温度のモニタ値が復旧判定閾値よりも低くなったことを契機に光信号の生成を再開するようにAPC回路を制御する。   Patent Document 1 discloses an optical transmitter that can restore an optical output at an appropriate timing according to the ambient temperature when the optical output is automatically stopped. The optical transmitter of Patent Document 1 includes an LD (laser diode), an LD drive circuit, a monitor PD, an APC circuit that controls the drive current of the LD, a temperature monitor, and a controller. The controller monitors the bias current included in the drive current, controls the APC circuit to stop the optical signal when the monitored value of the bias current exceeds the shutdown threshold, and the value of the monitor signal immediately before the stop of the optical signal Is over the failure determination threshold value, the APC circuit is controlled so that the generation of the optical signal is restarted when the monitor value of the ambient temperature becomes lower than the recovery determination threshold value.

特開2009−111730号公報JP 2009-1111730 A 特開2009−296292号公報JP 2009-296292 A 特開2000−022631号公報JP 2000-022631 A

LDの光強度をモニタするモニタ用のPD、又は、光強度のモニタ回路、に不具合が生じた場合には、LDの光強度が、LDのバイアス電流を制御するAPC回路に対しモニタ回路からフィードバックされないので、好適なバイアス電流がLDに供給されない場合、特に、過大なバイアス電流がLDに供給される場合がある。このため、バイアス電流に対し上限値を設定することが考えられる。しかし、比較的低温でLDが動作している場合には、LDの発光効率が比較的良好となっているので、この上限値でバイアス電流がLDに供給されると、LDは、予め設定されている上限(特に規格で設定されている上限)を超える光強度で発光する場合がある。そこで、好適な上限値を温度に応じて設定することが考えられる。しかし、温度に応じて上限値を設定するには、LDの製造バラツキ、及び、個々のLDの経年劣化、等が考慮されなければならず、従って、個々のLDによらずにLDの周辺温度に応じて好適なバイアス電流の上限値を設定するのは困難である。   When a failure occurs in the monitor PD for monitoring the light intensity of the LD or the light intensity monitor circuit, the light intensity of the LD is fed back from the monitor circuit to the APC circuit that controls the bias current of the LD. Therefore, when a suitable bias current is not supplied to the LD, an excessive bias current may be supplied to the LD. For this reason, it is conceivable to set an upper limit value for the bias current. However, when the LD is operating at a relatively low temperature, the light emission efficiency of the LD is relatively good. Therefore, when the bias current is supplied to the LD at this upper limit value, the LD is preset. The light intensity may exceed the upper limit (particularly the upper limit set by the standard). Therefore, it is conceivable to set a suitable upper limit value according to the temperature. However, in order to set the upper limit value according to the temperature, it is necessary to consider the manufacturing variation of the LD, the aging of each LD, etc., and therefore the ambient temperature of the LD regardless of the individual LD. Accordingly, it is difficult to set a suitable upper limit value of the bias current.

そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な上限値が設定できるレーザ制御装置を提供することである。   Therefore, the object of the present invention has been made in view of the above matters, and even when there are manufacturing variations of laser diodes and aging deterioration, the ambient temperature of the laser diodes can be adjusted regardless of the individual laser diodes. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a laser control device capable of setting a suitable upper limit value of the bias current.

本発明に係る光送信装置は、光信号を生成するレーザダイオードと、前記レーザダイオードに駆動電流を供給する電流回路と、前記レーザダイオードに供給される駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタする電流モニタ部と、前記レーザダイオードによって生成される光信号を検出するフォトダイオードと、前記レーザダイオードによって生成される光信号の光強度を、前記フォトダイオードを介してモニタする光信号モニタ部と、前記光信号モニタ部からのモニタ信号に基づいてバイアス電流のAPC制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記電流モニタ部によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、APC制御に用いるバイアス電流の上限値を算出し、バイアス電流が前記上限値を超えないようにAPC制御を行う、ことを特徴とする。本発明に係るレーザ制御装置によれば、レーザダイオードの周辺温度が変化するごとに、バイアス電流の上限値(電流Imax)が算出される。従って、レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な最大値が設定できる。   An optical transmitter according to the present invention includes a laser diode that generates an optical signal, a current circuit that supplies a drive current to the laser diode, and a current monitor that monitors a bias current included in the drive current supplied to the laser diode. Unit, a photodiode for detecting an optical signal generated by the laser diode, an optical signal monitoring unit for monitoring the optical intensity of the optical signal generated by the laser diode via the photodiode, and the optical signal A control unit that performs APC control of a bias current based on a monitor signal from the monitor unit, and the control unit uses a bias current value monitored by the current monitor unit to use a bias current for APC control. The APC control is performed so that the bias current does not exceed the upper limit value. And wherein the door. According to the laser control device of the present invention, the upper limit value (current Imax) of the bias current is calculated every time the ambient temperature of the laser diode changes. Therefore, even when there are manufacturing variations and aging deterioration of the laser diode, a suitable maximum value of the bias current can be set according to the ambient temperature of the laser diode without depending on the individual laser diodes.

本発明に係る光送信装置では、前記レーザダイオードの周辺温度をモニタする温度モニタ部を更に備え、前記制御部は、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の変化が予め設定された期間において第1の範囲にあるか否かを判定する判定手段と、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記上限値を算出する算出手段とを有する。従って、バイアス電流の上限値は、レーザダイオードの周辺温度が安定している場合に算出される。   The optical transmission device according to the present invention further includes a temperature monitoring unit that monitors the ambient temperature of the laser diode, and the control unit is preset with a change in ambient temperature of the laser diode monitored by the temperature monitoring unit. Determining means for determining whether or not it is in the first range during the period, and calculating means for calculating the upper limit value when the determining means determines that the change is in the first range. Have. Therefore, the upper limit value of the bias current is calculated when the ambient temperature of the laser diode is stable.

本発明に係る光送信装置では、前記制御部は、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値を記憶装置に格納する格納手段を更に有し、前記判定手段は、前記上限値が前記算出手段によって算出された後に前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値と前記記憶装置に格納されている前記レーザダイオードの周辺温度の値との差が第2の範囲を超えたか否かを判定し、前記第2の範囲を超えたと判定した場合に、前記変化が前記期間において前記第1の範囲にあるか否かを再び判定する。従って、レーザダイオードの周辺温度の変化が予め設定された範囲を超えた場合、周辺温度が安定したか否かが再び判定されるので、周辺温度が変化した場合であっても、安定した変化後の周辺温度のもとでバイアス電流の上限値が算出可能となる。   In the optical transmission device according to the present invention, the control unit determines the ambient temperature of the laser diode monitored by the temperature monitoring unit when the determination unit determines that the change is in the first range. And storing means for storing the value in a storage device, wherein the determination means stores the value of the ambient temperature of the laser diode monitored by the temperature monitor after the upper limit value is calculated by the calculation means and the storage It is determined whether or not a difference from the value of the ambient temperature of the laser diode stored in the apparatus exceeds a second range, and when it is determined that the difference exceeds the second range, the change occurs in the period. It is determined again whether it is in the first range. Therefore, when the change in the ambient temperature of the laser diode exceeds the preset range, it is determined again whether or not the ambient temperature is stable. The upper limit value of the bias current can be calculated under the ambient temperature.

本発明に係る光送信装置では、前記格納手段は、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記電流モニタ部によってモニタされたバイアス電流の値を前記記憶装置に格納し、前記算出手段は、前記記憶装置に格納されているバイアス電流の値に基づいて前記上限値を算出する。従って、上限値は、安定した周辺温度のもとでレーザダイオードに供給されているバイアス電流の値に基づいて、算出される。   In the optical transmission apparatus according to the present invention, the storage unit stores the value of the bias current monitored by the current monitor unit when the determination unit determines that the change is in the first range. The calculation means stores the upper limit value based on a bias current value stored in the storage device. Therefore, the upper limit value is calculated based on the value of the bias current supplied to the laser diode under a stable ambient temperature.

本発明によれば、レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な上限値が設定できるレーザ制御装置を提供することができる。   According to the present invention, even when laser diode manufacturing variation or aging deterioration occurs, laser control that can set a suitable upper limit value of the bias current according to the ambient temperature of the laser diode without depending on individual laser diodes. An apparatus can be provided.

図1は、実施形態に係るレーザ制御装置の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a laser control apparatus according to the embodiment. 図2は、実施形態に係る制御部の物理的な構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a physical configuration of the control unit according to the embodiment. 図3は、実施形態に係るレーザ制御装置の動作を説明するためのフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the laser control apparatus according to the embodiment. 図4は、バイアス電流及び光強度の相関と、当該相関が温度に応じて変化する様子とを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the correlation between the bias current and the light intensity and how the correlation changes according to the temperature. 図5は、レーザダイオードの周辺温度に応じて設定されるバイアス電流の上限値の一例を模式的に示す図である。FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of the upper limit value of the bias current set according to the ambient temperature of the laser diode.

以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、実施形態に係るレーザ制御装置1の構成を示す図である。図2は、制御部7の物理的な構成を示す図である。レーザ制御装置1は、例えば、図示しない光送信装置に搭載される。レーザ制御装置1は、図1に示すように、レーザダイオード3、電流回路5、制御部7、電流モニタ部9、フォトダイオード11、光信号モニタ部13、及び、温度モニタ部15を備える。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, if possible, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a laser control apparatus 1 according to the embodiment. FIG. 2 is a diagram illustrating a physical configuration of the control unit 7. The laser control device 1 is mounted on, for example, an optical transmission device (not shown). As shown in FIG. 1, the laser control device 1 includes a laser diode 3, a current circuit 5, a control unit 7, a current monitor unit 9, a photodiode 11, an optical signal monitor unit 13, and a temperature monitor unit 15.

レーザダイオード3は、光信号を生成する。電流回路5は、レーザダイオード3に駆動電流を供給する。制御部7は、光信号モニタ部13からのモニタ信号に基づいてバイアス電流のAPC制御を行う。制御部7は、電流モニタ部9によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、APC制御に用いるバイアス電流の上限値(以下、電流値Imaxという)を算出し、バイアス電流が電流Imaxを超えないようにAPC制御を行う。制御部7は、電流Imaxを、後述の図3のフローチャートに示す方法で算出する。電流モニタ部9は、レーザダイオード3に供給される駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタする。電流モニタ部9は、モニタ結果を示すモニタ信号を制御部7に出力する。フォトダイオード11は、レーザダイオード3によって生成される光信号を検出する。光信号モニタ部13は、レーザダイオード3によって生成される光信号の光強度を、フォトダイオード11を介してモニタする。光信号モニタ部13は、モニタ結果を示すモニタ信号を制御部7に出力する。温度モニタ部15は、レーザダイオード3の周辺温度をモニタする。温度モニタ部15は、モニタ結果を示すモニタ信号を制御部7に出力する。   The laser diode 3 generates an optical signal. The current circuit 5 supplies a drive current to the laser diode 3. The control unit 7 performs APC control of the bias current based on the monitor signal from the optical signal monitor unit 13. Based on the value of the bias current monitored by the current monitor unit 9, the control unit 7 calculates the upper limit value (hereinafter referred to as current value Imax) of the bias current used for APC control, and the bias current does not exceed the current Imax. APC control is performed as follows. The controller 7 calculates the current Imax by the method shown in the flowchart of FIG. The current monitor unit 9 monitors a bias current included in the drive current supplied to the laser diode 3. The current monitor unit 9 outputs a monitor signal indicating the monitoring result to the control unit 7. The photodiode 11 detects an optical signal generated by the laser diode 3. The optical signal monitor unit 13 monitors the light intensity of the optical signal generated by the laser diode 3 via the photodiode 11. The optical signal monitor unit 13 outputs a monitor signal indicating the monitoring result to the control unit 7. The temperature monitor unit 15 monitors the ambient temperature of the laser diode 3. The temperature monitoring unit 15 outputs a monitor signal indicating the monitoring result to the control unit 7.

制御部7は、物理的には、図2に示すCPU71,ROM72,RAM73、及び、記憶装置7d、等を含むコンピュータ装置を有する。CPU71、ROM72、RAM73及び記憶装置7dは、バス74に接続されている。CPU71は、ROM72,記憶装置7d等のメモリに格納されたコンピュータプログラム(例えば、図3に示すフローチャートの処理を実行するためのコンピュータプログラム)をRAM73にロードして実行することによって、電流回路5に対する制御(特に、レーザダイオード3に供給されるバイアス電流に対するAPC制御、及び、図3のフローチャートに示す処理)を行う。記憶装置7dは、書き込み/読み出しが自在なメモリ(例えば、レーザ制御装置1の内蔵メモリ、又は、レーザ制御装置1に対し着脱自在な記録媒体)であって、各種コンピュータプログラムや、コンピュータプログラムの実行に必要な各種データを格納する。   The control unit 7 physically has a computer device including a CPU 71, a ROM 72, a RAM 73, a storage device 7d, and the like shown in FIG. The CPU 71, ROM 72, RAM 73, and storage device 7d are connected to the bus 74. The CPU 71 loads the computer program (for example, a computer program for executing the processing of the flowchart shown in FIG. 3) stored in a memory such as the ROM 72 and the storage device 7d into the RAM 73, and executes the program for the current circuit 5. Control (in particular, APC control for the bias current supplied to the laser diode 3 and the processing shown in the flowchart of FIG. 3) is performed. The storage device 7d is a readable / writable memory (for example, a built-in memory of the laser control device 1 or a recording medium detachable from the laser control device 1), and executes various computer programs and computer programs. Stores various data necessary for.

制御部7は、複数の機能を有する。制御部7が有する複数の機能は、電流モニタ部9から入力されるモニタ信号、光信号モニタ部13から入力されるモニタ信号、及び、温度モニタ部15から入力されるモニタ信号に基づいて、CPU71が、ROM72,記憶装置7d等のメモリに格納されたコンピュータプログラムを実行することによって実現される機能である。制御部7は、このような複数の機能として、特に、図1に示す判定部7a(判定手段)、算出部7b(算出手段)、及び、格納部7c(格納手段)を有する。   The control unit 7 has a plurality of functions. The control unit 7 has a plurality of functions based on the monitor signal input from the current monitor unit 9, the monitor signal input from the optical signal monitor unit 13, and the monitor signal input from the temperature monitor unit 15. Is a function realized by executing a computer program stored in a memory such as the ROM 72 and the storage device 7d. As such a plurality of functions, the control unit 7 particularly includes a determination unit 7a (determination unit), a calculation unit 7b (calculation unit), and a storage unit 7c (storage unit) shown in FIG.

判定部7aは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が予め設定された期間(以下、期間T1という)において第1の範囲にあるか否か(レーザダイオード3の周辺温度が安定しているか否か)を判定する。   The determination unit 7a determines whether or not the change in the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 is within a first range in a preset period (hereinafter referred to as period T1) (the periphery of the laser diode 3). It is determined whether or not the temperature is stable.

格納部7cは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が第1の範囲にある(レーザダイオード3の周辺温度が安定している)と判定部7aによって判定された場合に、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値を示すデータを、記憶装置7dに格納する。格納部7cは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が第1の範囲にある(レーザダイオード3の周辺温度が安定している)と判定部7aによって判定された場合に、電流モニタ部9によってモニタされたバイアス電流の値を示すデータを、記憶装置7dに格納する。   When the determination unit 7a determines that the change in the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 is in the first range (the ambient temperature of the laser diode 3 is stable) in the storage unit 7c. In addition, data indicating the value of the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 is stored in the storage device 7d. When the determination unit 7a determines that the change in the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 is in the first range (the ambient temperature of the laser diode 3 is stable) in the storage unit 7c. In addition, data indicating the value of the bias current monitored by the current monitor unit 9 is stored in the storage device 7d.

算出部7bは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が第1の範囲にある(レーザダイオード3の周辺温度が安定している)と判定部7aによって判定された場合に、電流Imaxを算出する。算出部7bは、記憶装置7dに格納されているデータが示すバイアス電流の値に基づいて、電流Imaxを算出する。   When the calculation unit 7b determines by the determination unit 7a that the change in the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitor unit 15 is in the first range (the ambient temperature of the laser diode 3 is stable). Then, the current Imax is calculated. The calculation unit 7b calculates the current Imax based on the value of the bias current indicated by the data stored in the storage device 7d.

判定部7aは、更に、電流Imaxが算出部7bによって算出された後に温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値と記憶装置7dに格納されているレーザダイオード3の周辺温度の値との差が第2の範囲を超えたか否か(レーザダイオード3の周辺温度が変化したか否か)を判定する。判定部7aは、電流Imaxが算出部7bによって算出された後に温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値と記憶装置7dに格納されているレーザダイオード3の周辺温度の値との差が第2の範囲を超えた(レーザダイオード3の周辺温度が変化した)と判定した場合に、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が期間T1において第1の範囲にあるか否か(レーザダイオード3の変化後の周辺温度が安定しているか否か)を再び判定する。なお、電流Imaxはレーザダイオード3の周辺温度に応じて算出部7bによって算出されるが、電流Imaxに対しても許容される上限値が予め設定されている。   The determination unit 7a further determines the ambient temperature value of the laser diode 3 monitored by the temperature monitor unit 15 after the current Imax is calculated by the calculation unit 7b and the ambient temperature of the laser diode 3 stored in the storage device 7d. It is determined whether or not the difference from the value exceeds the second range (whether or not the ambient temperature of the laser diode 3 has changed). The determination unit 7a includes a value of the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitor unit 15 after the current Imax is calculated by the calculation unit 7b, and a value of the ambient temperature of the laser diode 3 stored in the storage device 7d. When the temperature difference exceeds the second range (the ambient temperature of the laser diode 3 has changed), the change in the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 is the first time period T1. It is determined again whether it is within the range (whether the ambient temperature after the change of the laser diode 3 is stable). The current Imax is calculated by the calculation unit 7b according to the ambient temperature of the laser diode 3, but an allowable upper limit value is set in advance for the current Imax.

次に、図3を参照して、レーザ制御装置1の動作を説明する。図3は、実施形態に係るレーザ制御装置1の動作を説明するためのフローチャートである。図3のフローチャートは、電流Imaxの算出方法の一つの具体例を表している。まず、制御部7は、APC制御が正常に動作していることを確認する(ステップS1)。すなわち、制御部7は、ステップS1において、光信号モニタ部13からのモニタ信号に基づいて、レーザダイオード3に対して予め設定されている光強度が得られていることを確認する。制御部7は、ステップS1において、APC制御が正常に動作していることを確認した場合(ステップS1;Yes)、ステップS2に進む。制御部7は、ステップS1において、APC制御が正常に動作していることを確認できなかった場合(ステップS1;No)、レーザダイオード3に供給する駆動電流がゼロとなるように電流回路5を制御して終了する。   Next, the operation of the laser control apparatus 1 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the laser control apparatus 1 according to the embodiment. The flowchart in FIG. 3 represents one specific example of a method for calculating the current Imax. First, the control unit 7 confirms that APC control is operating normally (step S1). That is, in step S1, the control unit 7 confirms that a preset light intensity is obtained for the laser diode 3 based on the monitor signal from the optical signal monitor unit 13. When it is confirmed in step S1 that the APC control is operating normally (step S1; Yes), the control unit 7 proceeds to step S2. When it is not confirmed in step S1 that the APC control is operating normally (step S1; No), the control unit 7 sets the current circuit 5 so that the drive current supplied to the laser diode 3 becomes zero. Control and exit.

ステップS1の後、判定部7aは、温度モニタ部15からのモニタ信号に基づいて、レーザダイオード3の周辺温度が安定したか否かを判定する(ステップS2)。すなわち、ステップS2において、判定部7aは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が予め設定された期間T1、例えば、1ms以上99ms以下、において第1の範囲、例えば、0.1度以下、にあるか否かを判定する。判定部7aは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が期間T1において第1の範囲にある場合に、レーザダイオード3の周辺温度が安定したと判断する。判定部7aは、レーザダイオード3の周辺温度が安定したと判断するまで、温度モニタ部15からのモニタ信号に基づいてレーザダイオード3の周辺温度の監視を続けるが、後段のステップS3には進まない。   After step S1, the determination unit 7a determines whether or not the ambient temperature of the laser diode 3 is stabilized based on the monitor signal from the temperature monitor unit 15 (step S2). That is, in step S2, the determination unit 7a determines the change of the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 in the first range, for example, in a preset period T1, for example, 1 ms to 99 ms. It is determined whether the angle is 0.1 degree or less. The determination unit 7a determines that the ambient temperature of the laser diode 3 is stable when the change in the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 is within the first range in the period T1. The determination unit 7a continues to monitor the ambient temperature of the laser diode 3 based on the monitor signal from the temperature monitor unit 15 until it determines that the ambient temperature of the laser diode 3 is stable, but does not proceed to the subsequent step S3. .

ステップS2においてレーザダイオード3の周辺温度が安定したと判定部7aによって判断された場合、格納部7cは、ステップS3において、現時点におけるレーザダイオード3の周辺温度を示すデータ(温度モニタ部15からのモニタ信号)を、記憶装置7dに格納する(ステップS3)。また、ステップS2においてレーザダイオード3の周辺温度が安定したと判定部7aによって判断された場合、格納部7cは、ステップS4において、現時点におけるバイアス電流の値を示すデータ(電流モニタ部9からのモニタ信号)を、記憶装置7dに格納する(ステップS4)。なお、ステップS3及びステップS4の順序は、図3に示す順序に限らない。すなわち、ステップS3の後にステップS4が実行されてもよいし、ステップS4の後にステップS3が実行されてもよい。   When the determination unit 7a determines that the ambient temperature of the laser diode 3 is stable in step S2, the storage unit 7c receives data indicating the current ambient temperature of the laser diode 3 (monitoring from the temperature monitoring unit 15) in step S3. Signal) is stored in the storage device 7d (step S3). If the determination unit 7a determines in step S2 that the ambient temperature of the laser diode 3 is stable, the storage unit 7c displays data indicating the current bias current value (monitoring from the current monitor unit 9) in step S4. Signal) is stored in the storage device 7d (step S4). In addition, the order of step S3 and step S4 is not restricted to the order shown in FIG. That is, step S4 may be executed after step S3, or step S3 may be executed after step S4.

ステップS3及びステップS4の後、算出部7bは、電流Imaxを算出する(ステップS5)。電流Imaxは、現時点でのバイアス電流の値(ステップS4において格納部7cによって記憶装置7dに格納されたデータが示すバイアス電流の値)に対し、予め設定された算出方法によって、このバイアス電流の値よりも大きい値に算出される値である。例えば、電流Imaxは、現時点でのバイアス電流の値(ステップS4において格納部7cによって記憶装置7dに格納されたデータが示すバイアス電流の値)の1.1倍程度の値である。ステップS5までの処理によって、バイアス電流の上限値は、レーザダイオード3の周辺温度が安定している場合に算出可能となる。更に、電流Imaxは、安定した周辺温度のもとでレーザダイオード3に供給されているバイアス電流の値に基づいて算出可能となる。   After step S3 and step S4, the calculation unit 7b calculates the current Imax (step S5). The current Imax is a value of the current bias current (the value of the bias current indicated by the data stored in the storage device 7d by the storage unit 7c in step S4) by a preset calculation method. It is a value calculated to a larger value. For example, the current Imax is a value about 1.1 times the current bias current value (the bias current value indicated by the data stored in the storage device 7d by the storage unit 7c in step S4). By the processing up to step S5, the upper limit value of the bias current can be calculated when the ambient temperature of the laser diode 3 is stable. Furthermore, the current Imax can be calculated based on the value of the bias current supplied to the laser diode 3 under a stable ambient temperature.

判定部7aは、ステップS6において、ステップS5の後に温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値と、ステップS3において記憶装置7dに格納されたザダイオード3の周辺温度の値との差が、第2の範囲、例えば、マイナス2度以上プラス2度以下、を超えたか否かを判定し、ステップS5の後に温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値と、ステップS3において記憶装置7dに格納されたレーザダイオード3の周辺温度の値との差が、第2の範囲を超えたと判定した場合に、レーザダイオード3の周辺温度が変化したと判断し、ステップS2に再び進む(ステップS6)。判定部7aは、ここで、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が期間T1において第1の範囲にあるか否か(すなわち、レーザダイオード3の周辺温度が安定したか否か)を再び判定し、後段のステップS3〜ステップS6を再び実行する。   In step S6, the determination unit 7a determines the ambient temperature value of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 after step S5, and the ambient temperature value of the diode 3 stored in the storage device 7d in step S3. And the difference between the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 after step S5 and whether or not the difference exceeds a second range, for example, minus 2 degrees or more and plus 2 degrees or less. When it is determined that the difference between the ambient temperature value of the laser diode 3 stored in the storage device 7d in step S3 exceeds the second range, it is determined that the ambient temperature of the laser diode 3 has changed. Proceed again to S2 (step S6). Here, the determination unit 7a determines whether or not the change in the ambient temperature of the laser diode 3 monitored by the temperature monitoring unit 15 is in the first range in the period T1 (that is, whether the ambient temperature of the laser diode 3 has stabilized). No) is determined again, and the subsequent steps S3 to S6 are executed again.

ステップS6の処理によって、レーザダイオード3の周辺温度が変化するごとに、バイアス電流の上限値(電流Imax)が算出可能となる。レーザダイオード3の周辺温度の変化が予め設定された第2の範囲を超えた場合であっても、周辺温度が安定したか否かが再び判定されるので、周辺温度が変化した場合であっても、安定した変化後の周辺温度のもとでバイアス電流の上限値が算出可能となる。   By the process in step S6, the upper limit value (current Imax) of the bias current can be calculated every time the ambient temperature of the laser diode 3 changes. Even if the change in the ambient temperature of the laser diode 3 exceeds the preset second range, it is determined again whether or not the ambient temperature has stabilized, so that the ambient temperature has changed. In addition, the upper limit value of the bias current can be calculated under the ambient temperature after the stable change.

次に、図4及び図5を参照して、実施形態に係るレーザ制御装置1の作用・効果を説明する。図4に、一般的なレーザダイオードの特性を示す。図4に示す特性は、バイアス電流及び光強度の相関、及び、当該相関が温度に応じて変化する様子、である。グラフL1,L2,L3は、何れも、バイアス電流及び光強度の相関を示すグラフであるが、レーザダイオードの周辺温度がそれぞれ異なっている。レーザダイオードの周辺温度が最も低い場合においてバイアス電流及び光強度の相関を示すグラフが、グラフL1である。レーザダイオードの周辺温度が次に低い場合においてバイアス電流及び光強度の相関を示すグラフが、グラフL2である。そして、レーザダイオードの周辺温度が最も高い場合においてバイアス電流及び光強度の相関を示すグラフが、グラフL3である。図4に示すように、レーザダイオードの周辺温度が低い程、レーザダイオードの発光効率が高く、周辺温度が上がるにつれて発光効率は劣化する。   Next, with reference to FIG.4 and FIG.5, the effect | action and effect of the laser control apparatus 1 which concern on embodiment are demonstrated. FIG. 4 shows the characteristics of a general laser diode. The characteristics shown in FIG. 4 are the correlation between the bias current and the light intensity, and how the correlation changes depending on the temperature. The graphs L1, L2, and L3 are all graphs showing the correlation between the bias current and the light intensity, but the ambient temperatures of the laser diodes are different. A graph showing a correlation between the bias current and the light intensity when the ambient temperature of the laser diode is the lowest is a graph L1. A graph indicating a correlation between the bias current and the light intensity when the ambient temperature of the laser diode is the next lowest is a graph L2. A graph showing the correlation between the bias current and the light intensity when the ambient temperature of the laser diode is the highest is a graph L3. As shown in FIG. 4, the lower the ambient temperature of the laser diode, the higher the luminous efficiency of the laser diode, and the luminous efficiency deteriorates as the ambient temperature increases.

一般に、バイアス電流は、APC制御によって、予め設定されている設定値e1に光強度を維持するように調整される。また、バイアス電流の上限値は高温動作時に必要とされる電流値(電流値i2)よりも一定量多い値(電流値i3)に設定される。しかし、レーザダイオードが低温動作をしている場合(例えば、グラフL1に示す相関が実現される温度で動作している場合)には、図4に示すレーザダイオードの特性によって、光強度e1を得るために必要とされる電流(電流値i1)に比較して電流値i3(バイアス電流の上限値)が過大となり、光強度が値e2となる。値e2は、APC制御によって維持される光強度の設定値e1に比較して大きく、例えば光強度の規格上の許容値、を超えている場合がある。   In general, the bias current is adjusted by APC control so as to maintain the light intensity at a preset value e1. In addition, the upper limit value of the bias current is set to a value (current value i3) that is a certain amount larger than the current value (current value i2) required during high-temperature operation. However, when the laser diode is operating at a low temperature (for example, operating at a temperature at which the correlation shown in the graph L1 is realized), the light intensity e1 is obtained by the characteristics of the laser diode shown in FIG. Therefore, the current value i3 (upper limit value of the bias current) is excessive as compared with the current required for this (current value i1), and the light intensity becomes the value e2. The value e2 is larger than the set value e1 of the light intensity maintained by the APC control, and may exceed a permissible value in the standard of the light intensity, for example.

そこで、バイアス電流の上限値をレーザダイオードの周辺温度に応じて変化させることが考えられるが、バイアス電流の上限値をレーザダイオードの周辺温度に応じて変化させる場合、レーザダイオードごとに製造バラツキがあるため、このような製造バラツキの存在を考慮した上で周辺温度に応じたバイアス電流の上限値を決定しなければならず、更に、予測が困難なレーザダイオードの経年劣化によるバイアス電流の増加も考慮しなければならない。   Therefore, it is conceivable to change the upper limit value of the bias current according to the ambient temperature of the laser diode. However, when the upper limit value of the bias current is changed according to the ambient temperature of the laser diode, there is a manufacturing variation for each laser diode. Therefore, it is necessary to determine the upper limit value of the bias current according to the ambient temperature in consideration of the existence of such manufacturing variations, and also consider the increase of the bias current due to the aging of the laser diode which is difficult to predict. Must.

図5に、レーザダイオードの周辺温度に応じて設定されるバイアス電流の上限値の一例を模式的に示す。電流値i31は、レーザダイオードの周辺温度が最も低い場合のバイアス電流の上限値である。図中符号v1に示す範囲は、この周辺温度におけるレーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを示す。また、電流値i32は、レーザダイオードの周辺温度が次に低い場合のバイアス電流の上限値である。図中符号v2に示す範囲は、この周辺温度におけるレーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを示す。更に、電流値i33は、レーザダイオードの周辺温度が最も高い場合のバイアス電流の上限値である。図中符号v3に示す範囲は、この周辺温度におけるレーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを示す。   FIG. 5 schematically shows an example of the upper limit value of the bias current set according to the ambient temperature of the laser diode. The current value i31 is an upper limit value of the bias current when the ambient temperature of the laser diode is the lowest. The range indicated by reference numeral v1 in the figure indicates the variation in the upper limit value of the bias current associated with the manufacturing variation of the laser diode at this ambient temperature. The current value i32 is an upper limit value of the bias current when the ambient temperature of the laser diode is the next lowest. The range indicated by reference sign v2 in the figure indicates the variation in the upper limit value of the bias current associated with the manufacturing variation of the laser diode at this ambient temperature. Further, the current value i33 is an upper limit value of the bias current when the ambient temperature of the laser diode is the highest. The range indicated by reference sign v3 in the figure indicates the variation in the upper limit value of the bias current associated with the manufacturing variation of the laser diode at this ambient temperature.

図5に示すように、レーザダイオードの周辺温度に応じて、バイアス電流の上限値のバラツキも異なる。しかも、レーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを予測するのは容易ではない。更に、レーザダイオードの経年劣化によるバイアス電流の増加分を予測するのも容易ではない。従って、従来において、レーザダイオードの製造バラツキ、及び、個々のレーザダイオードの経年劣化、等を考慮した上で、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じて好適な最大電流値を設定するのは困難である。   As shown in FIG. 5, the variation in the upper limit value of the bias current varies depending on the ambient temperature of the laser diode. Moreover, it is not easy to predict the variation in the upper limit value of the bias current due to the variation in the manufacturing of the laser diode. Furthermore, it is not easy to predict an increase in bias current due to aging of the laser diode. Therefore, in the past, considering the manufacturing variation of laser diodes and aging deterioration of individual laser diodes, etc., a suitable maximum current value is set according to the ambient temperature of the laser diodes without depending on the individual laser diodes. It is difficult to set.

これに対し、実施形態に係るレーザ制御装置1は、レーザダイオード3の周辺温度が変化するごとに、バイアス電流の上限値(電流Imax)を算出する。従って、レーザダイオード3の製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードの特性によらずにレーザダイオード3の周辺温度に応じてバイアス電流の好適な最大値が設定できる。更に、バイアス電流の上限値は、レーザダイオード3の周辺温度が安定している場合に算出可能である。更に、レーザダイオード3の周辺温度の変化が予め設定された範囲を超えた場合であっても、周辺温度が安定したか否かが再び判定されるので、周辺温度が変化した場合であっても、安定した変化後の周辺温度のもとでバイアス電流の上限値が算出可能である。   On the other hand, the laser control apparatus 1 according to the embodiment calculates the upper limit value (current Imax) of the bias current every time the ambient temperature of the laser diode 3 changes. Accordingly, even when manufacturing variations of the laser diode 3 and aging deterioration are involved, a suitable maximum value of the bias current can be set according to the ambient temperature of the laser diode 3 regardless of the characteristics of the individual laser diodes. Furthermore, the upper limit value of the bias current can be calculated when the ambient temperature of the laser diode 3 is stable. Furthermore, even if the change in the ambient temperature of the laser diode 3 exceeds a preset range, it is determined again whether the ambient temperature has stabilized, so even if the ambient temperature has changed. The upper limit value of the bias current can be calculated under the ambient temperature after the stable change.

以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。   While the principles of the invention have been illustrated and described in the preferred embodiments, it will be appreciated by those skilled in the art that the invention can be modified in arrangement and detail without departing from such principles. The present invention is not limited to the specific configuration disclosed in the present embodiment. We therefore claim all modifications and changes that come within the scope and spirit of the following claims.

1…レーザ制御装置、11…フォトダイオード、13…光信号モニタ部、15…温度モニタ部、3…レーザダイオード、5…電流回路、7…制御部、71…CPU、72…ROM、73…RAM、74…バス、7a…判定部、7b…算出部、7c…格納部、7d…記憶装置、9…電流モニタ部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laser control apparatus, 11 ... Photodiode, 13 ... Optical signal monitoring part, 15 ... Temperature monitoring part, 3 ... Laser diode, 5 ... Current circuit, 7 ... Control part, 71 ... CPU, 72 ... ROM, 73 ... RAM 74, bus, 7a, determination unit, 7b, calculation unit, 7c, storage unit, 7d, storage device, 9 ... current monitoring unit.

Claims (4)

光信号を生成するレーザダイオードと、
前記レーザダイオードに駆動電流を供給する電流回路と、
前記レーザダイオードに供給される駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタする電流モニタ部と、
前記レーザダイオードによって生成される光信号を検出するフォトダイオードと、
前記レーザダイオードによって生成される光信号の光強度を、前記フォトダイオードを介してモニタする光信号モニタ部と、
前記光信号モニタ部からのモニタ信号に基づいてバイアス電流のAPC制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記電流モニタ部によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、APC制御に用いるバイアス電流の上限値を算出し、バイアス電流が前記上限値を超えないようにAPC制御を行う、ことを特徴とするレーザ制御装置。
A laser diode that generates an optical signal;
A current circuit for supplying a driving current to the laser diode;
A current monitoring unit for monitoring a bias current included in the drive current supplied to the laser diode;
A photodiode for detecting an optical signal generated by the laser diode;
An optical signal monitoring unit that monitors the optical intensity of the optical signal generated by the laser diode via the photodiode;
A controller that performs APC control of a bias current based on a monitor signal from the optical signal monitor;
With
The control unit calculates an upper limit value of a bias current used for APC control based on a bias current value monitored by the current monitoring unit, and performs APC control so that the bias current does not exceed the upper limit value. A laser control device characterized by that.
前記レーザダイオードの周辺温度をモニタする温度モニタ部を更に備え、
前記制御部は、
前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の変化が予め設定された期間において第1の範囲にあるか否かを判定する判定手段と、
前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記上限値を算出する算出手段と、
を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ制御装置。
A temperature monitor for monitoring the ambient temperature of the laser diode;
The controller is
Determination means for determining whether or not a change in ambient temperature of the laser diode monitored by the temperature monitoring unit is within a first range in a preset period;
Calculation means for calculating the upper limit value when the determination means determines that the change is in the first range;
The laser control device according to claim 1, comprising:
前記制御部は、
前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値を記憶装置に格納する格納手段を更に有し、
前記判定手段は、前記上限値が前記算出手段によって算出された後に前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値と前記記憶装置に格納されている前記レーザダイオードの周辺温度の値との差が第2の範囲を超えたか否かを判定し、前記第2の範囲を超えたと判定した場合に、前記変化が前記期間において前記第1の範囲にあるか否かを再び判定する、ことを特徴とする請求項2に記載のレーザ制御装置。
The controller is
When the determination unit determines that the change is in the first range, the storage unit further stores a value of the ambient temperature of the laser diode monitored by the temperature monitor unit in a storage device;
The determination means includes a value of the ambient temperature of the laser diode monitored by the temperature monitor after the upper limit value is calculated by the calculation means, and a value of the ambient temperature of the laser diode stored in the storage device. It is determined whether or not the difference exceeds the second range, and when it is determined that the difference exceeds the second range, it is determined again whether or not the change is within the first range in the period. The laser control device according to claim 2.
前記格納手段は、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記電流モニタ部によってモニタされたバイアス電流の値を前記記憶装置に格納し、
前記算出手段は、前記記憶装置に格納されているバイアス電流の値に基づいて前記上限値を算出する、ことを特徴とする請求項3に記載のレーザ制御装置。
The storage means stores the value of the bias current monitored by the current monitor unit in the storage device when the determination means determines that the change is in the first range,
The laser control device according to claim 3, wherein the calculation unit calculates the upper limit value based on a value of a bias current stored in the storage device.
JP2011027561A 2011-02-10 2011-02-10 Laser controller Withdrawn JP2012169768A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011027561A JP2012169768A (en) 2011-02-10 2011-02-10 Laser controller

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011027561A JP2012169768A (en) 2011-02-10 2011-02-10 Laser controller

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012169768A true JP2012169768A (en) 2012-09-06

Family

ID=46973503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011027561A Withdrawn JP2012169768A (en) 2011-02-10 2011-02-10 Laser controller

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012169768A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016131219A (en) * 2015-01-15 2016-07-21 セイコーエプソン株式会社 Light source device and projector
WO2017154096A1 (en) * 2016-03-08 2017-09-14 三菱電機株式会社 Laser light source device and method for controlling same
KR101949825B1 (en) * 2017-11-24 2019-02-19 (주) 승재 Method for detecting invasion

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016131219A (en) * 2015-01-15 2016-07-21 セイコーエプソン株式会社 Light source device and projector
WO2017154096A1 (en) * 2016-03-08 2017-09-14 三菱電機株式会社 Laser light source device and method for controlling same
US10554016B2 (en) 2016-03-08 2020-02-04 Mitsubishi Electric Corporation Laser light source device and method of controlling same
KR101949825B1 (en) * 2017-11-24 2019-02-19 (주) 승재 Method for detecting invasion
US10380859B2 (en) 2017-11-24 2019-08-13 Seungjae Co., Ltd. Method for detecting intrusion

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009111730A (en) Optical transmitter and control method therefor
JP6325506B2 (en) Laser apparatus having failure diagnosis function
JP5919679B2 (en) Optical transmitter
JP6228237B2 (en) Control method, control device, and light source device
JP2009267937A (en) Optical transmitter, and control method thereof
JP2010130316A (en) Optical transmitter and update method of firmware
JP2012169768A (en) Laser controller
WO2021052176A1 (en) Optical fiber laser device protection method and optical fiber laser device
JP2011090610A (en) Temperature control device and abnormality determining method
JP2011240361A (en) Laser beam machining device and abnormality monitoring method of the laser beam machining device
TW202144995A (en) System and method for fan failure detection and computer program product
US8021041B2 (en) Image forming apparatus
US20060164712A1 (en) Optical transmitter capable of prompt shutting down and recovering optical output thereof
JPWO2017154096A1 (en) Laser light source device and control method thereof
WO2007094028A1 (en) Laser oscillator and control method of laser oscillator
JP5927261B2 (en) Gas laser device with function to discriminate alarm type
JP2016068451A (en) Cooling fan controller, printer and cooling fan control method
JP5473451B2 (en) Optical transmitter, stabilized light source, and laser diode control method
US9620926B2 (en) Laser machining apparatus changing operation based on length of power-down time
JP5166488B2 (en) Laser diode lifetime prediction system
JP5567176B1 (en) Semiconductor light emitting device controller
JP2012078175A (en) Detection device, control device, detection method of abnormal indication and program for detection of abnormal indication
US20190064904A1 (en) Semiconductor device, power-supply system, and controlling method of semiconductor device
JP6642033B2 (en) Power supply for vacuum pump
JP5485737B2 (en) Laser diode driving circuit and laser diode driving method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140513