JP2012160346A - Deflection amplifier evaluation method and charged particle beam lithography method - Google Patents
Deflection amplifier evaluation method and charged particle beam lithography method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012160346A JP2012160346A JP2011019249A JP2011019249A JP2012160346A JP 2012160346 A JP2012160346 A JP 2012160346A JP 2011019249 A JP2011019249 A JP 2011019249A JP 2011019249 A JP2011019249 A JP 2011019249A JP 2012160346 A JP2012160346 A JP 2012160346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflection
- main
- charged particle
- particle beam
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、偏向アンプの評価方法および荷電粒子ビーム描画方法に関する。 The present invention relates to a deflection amplifier evaluation method and a charged particle beam writing method.
近年、大規模集積回路(LSI)の高集積化および大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅は益々狭くなっている。半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン(マスクまたはレチクルを指す。以下では、マスクと総称する。)を用い、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。こうした微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、微細パターンを描画可能な電子ビーム描画装置が用いられる。また、レーザビームを用いて描画するレーザビーム描画装置の開発も試みられている。尚、電子ビーム描画装置は、ウェハに直接パターン回路を描画する場合にも用いられる。 In recent years, the circuit line width required for a semiconductor element has become increasingly narrower as the large scale integrated circuit (LSI) is highly integrated and has a large capacity. The semiconductor element uses an original pattern pattern (a mask or a reticle, which will be collectively referred to as a mask hereinafter) on which a circuit pattern is formed, and the circuit is exposed and transferred onto a wafer by a reduction projection exposure apparatus called a stepper. Manufactured by forming. For manufacturing a mask for transferring such a fine circuit pattern onto a wafer, an electron beam drawing apparatus capable of drawing the fine pattern is used. Attempts have also been made to develop a laser beam drawing apparatus for drawing using a laser beam. The electron beam drawing apparatus is also used when drawing a pattern circuit directly on a wafer.
特許文献1には、可変成形型電子ビーム描画装置の一例が開示されている。この装置では、試料室の内部にマスクを載置したステージが収容されており、試料室の上方に電子ビーム光学系が設けられている。電子ビーム光学系は、電子銃、各種レンズ、ブランキング用偏向器、ビーム寸法可変用偏向器、ビーム走査用の主偏向器と副偏向器および2個のビーム成形用アパーチャなどから構成されている。
電子銃から放出された電子ビームは、ブランキング偏向器によって、マスクへの照射がオン、オフされる。 The electron beam emitted from the electron gun is turned on and off by the blanking deflector.
また、電子ビームの寸法と形状は、ビーム寸法可変用偏向器とビーム成形用アパーチャによって制御される。具体的には、第1の成形用アパーチャによって電子ビームは矩形状に成形された後、偏向器で第2の成形用アパーチャ上に偏向されて、そのビーム形状と寸法を変化させる。 The size and shape of the electron beam are controlled by a beam size variable deflector and a beam shaping aperture. Specifically, the electron beam is shaped into a rectangular shape by the first shaping aperture and then deflected onto the second shaping aperture by the deflector to change the beam shape and dimensions.
さらに、電子ビームの照射位置は、主偏向器によって所定のサブフィールドに位置決めされ、副偏向器によって、サブフィールド内での位置決めが行われる。そして、ステージが一方向に連続移動することによって、サブフィールド内での描画が行われ、1つのサブフィールドの描画が終了すると、次のサブフィールドの描画へと移る。 Further, the irradiation position of the electron beam is positioned in a predetermined subfield by the main deflector, and positioning in the subfield is performed by the subdeflector. Then, the stage is continuously moved in one direction to perform drawing in the subfield. When drawing of one subfield is completed, the drawing moves to the next subfield.
このような電子ビームの偏向制御は、詳しくは、上述した偏向器と偏向アンプによって行われる。偏向アンプは、偏向器と同様に、偏向の種類によって複数設けられている。そして、電子ビームを所望の位置に偏向させるには、偏向アンプの出力電圧の安定性が不可欠である。 Specifically, the deflection control of the electron beam is performed by the above-described deflector and deflection amplifier. Similar to the deflector, a plurality of deflection amplifiers are provided depending on the type of deflection. In order to deflect the electron beam to a desired position, the stability of the output voltage of the deflection amplifier is indispensable.
従来法における主偏向アンプの評価法には、主偏向アンプを実機に搭載して描画結果を評価する方法と、主偏向アンプ単体に実機と同等の負荷をかけてオシロスコープで出力波形を評価する方法とがある。 There are two methods for evaluating the main deflection amplifier in the conventional method: mounting the main deflection amplifier on an actual machine and evaluating the drawing result; and evaluating the output waveform with an oscilloscope by applying a load equivalent to the actual machine to the main deflection amplifier alone. There is.
前者の方法、すなわち、実際の描画結果を基に行う方法によれば、主偏向アンプの安定性を最も確実に評価できる。しかし、この場合には、描画、プロセス、解析の1回の評価に数時間から数十時間の描画時間がかかる上に、高価な評価用マスクを必要とする。そこで、後者の方法、すなわち、主偏向アンプから主偏向器への出力信号をオシロスコープでモニタして主偏向アンプを評価する方法がとられる。 According to the former method, that is, the method based on the actual drawing result, the stability of the main deflection amplifier can be most reliably evaluated. However, in this case, it takes several hours to several tens of hours of drawing time for one evaluation of drawing, process, and analysis, and an expensive evaluation mask is required. Therefore, the latter method, that is, a method of evaluating the main deflection amplifier by monitoring an output signal from the main deflection amplifier to the main deflector with an oscilloscope.
ところで、電子ビームのショットは、高速且つ連続に出力される。したがって、このようなビームショットを制御する主偏向アンプを評価するには、高精度の測定機器が必要になる。しかし、オシロスコープを用いた測定では、オシロスコープの入力回路が飽和して正確な波形を観測できないという問題があった。また、この方法においても、オシロスコープの接続のために、数時間程度の装置のダウンタイムが発生するという問題もあった。さらに、オシロスコープによる評価結果と、描画による評価結果とが一致しないことがあった。これは、主偏向アンプ単体での評価は、電子ビームを用いた状態で行うことができないためと推測される。 Incidentally, electron beam shots are output at high speed and continuously. Therefore, in order to evaluate the main deflection amplifier that controls such a beam shot, a highly accurate measuring instrument is required. However, the measurement using an oscilloscope has a problem that the oscilloscope input circuit is saturated and an accurate waveform cannot be observed. In addition, this method also has a problem that a downtime of the apparatus of about several hours occurs due to the connection of the oscilloscope. Furthermore, the evaluation result by the oscilloscope may not match the evaluation result by drawing. This is presumed that the evaluation with the main deflection amplifier alone cannot be performed in a state using an electron beam.
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供することにある。また、本発明の目的は、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of these problems. That is, an object of the present invention is to provide a method capable of accurately evaluating the stability of a main deflection amplifier. Another object of the present invention is to provide a charged particle beam writing method capable of writing with high accuracy by accurately evaluating the stability of a main deflection amplifier.
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。 Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.
本発明の第1の態様は、荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて荷電粒子ビームを偏向し所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置で主偏向器に使用される偏向アンプの評価方法であって、
主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域の所定位置に荷電粒子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなるマークに対し、下地とマークの両方にかかる位置に荷電粒子ビームを照射して反射荷電粒子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に偏向アンプを評価することを特徴とするものである。
A first aspect of the present invention is a charged particle beam drawing apparatus that draws a predetermined pattern by deflecting a charged particle beam using a main deflector and a sub deflector arranged on an optical path of the charged particle beam. An evaluation method of a deflection amplifier used for
A charged particle beam is irradiated to a predetermined position of the main deflection area determined by the deflection width of the main deflector, and after a predetermined time, a mark made of a material having a reflectance different from that of the base material constituting the main deflection area It is characterized in that a charged particle beam is irradiated to both positions of the mark to detect reflected charged particles as a current value, and the deflection amplifier is evaluated based on the fluctuation amount of the current value.
本発明の第1の態様では、主偏向領域の所定位置から、下地とマークの両方にかかる位置までの距離を変えて、反射荷電粒子を電流値として検出することが好ましい。
これにより、距離による適切なセトリング時間を求めることができる。また、ファラデーカップによって荷電粒子ビームの電流値を検出する方法に比べて測定時間が短いので、距離を変えての測定を行っても全体の測定に長時間を要しない。
In the first aspect of the present invention, it is preferable to detect the reflected charged particles as a current value by changing a distance from a predetermined position of the main deflection region to a position on both the base and the mark.
Thereby, an appropriate settling time according to the distance can be obtained. Further, since the measurement time is shorter than the method of detecting the current value of the charged particle beam by the Faraday cup, it does not take a long time for the whole measurement even if the measurement is performed at different distances.
本発明の第1の態様では、所定時間を変えて、反射荷電粒子を電流値として検出することが好ましい。
これにより、適切なセトリング時間を求めることができる。また、ファラデーカップによって荷電粒子ビームの電流値を検出する方法に比べて測定時間が短いので、所定時間、すなわち、セトリング時間を変えての測定を行っても全体の測定に長時間を要しない。
In the first aspect of the present invention, it is preferable to detect the reflected charged particles as a current value by changing the predetermined time.
Thereby, an appropriate settling time can be obtained. In addition, since the measurement time is shorter than the method of detecting the current value of the charged particle beam by the Faraday cup, even if the measurement is performed for a predetermined time, that is, by changing the settling time, the entire measurement does not require a long time.
本発明の第2の態様は、荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域の所定位置に荷電粒子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなるマークに対し、下地とマークの両方にかかる位置に荷電粒子ビームを照射して反射荷電粒子を電流値として検出し、電流値の変動量が一定となってから所定のパターンを描画することを特徴とするものである。
A second aspect of the present invention is a charged particle beam that deflects a charged particle beam using a main deflector and a sub deflector disposed on an optical path of the charged particle beam and draws a predetermined pattern on a sample on the stage. A drawing method,
A charged particle beam is irradiated to a predetermined position of the main deflection area determined by the deflection width of the main deflector, and after a predetermined time, a mark made of a material having a reflectance different from that of the base material constituting the main deflection area A feature is that a charged particle beam is irradiated to a position on both of the marks to detect reflected charged particles as a current value, and a predetermined pattern is drawn after a fluctuation amount of the current value becomes constant.
本発明の第2の態様では、主偏向領域の所定位置から、下地と前記マークの両方にかかる位置までの距離を変えて、反射荷電粒子を電流値として検出し、電流値からセトリング時間を決定することが好ましい。
ファラデーカップによって荷電粒子ビームの電流値を検出する方法に比べて測定時間が短いので、距離を変えての測定を行っても全体の測定に長時間を要さず、適切なセトリング時間を決定することができる。
In the second aspect of the present invention, the distance from the predetermined position of the main deflection region to the position of both the ground and the mark is changed, the reflected charged particles are detected as the current value, and the settling time is determined from the current value. It is preferable to do.
Since the measurement time is shorter than the method of detecting the current value of the charged particle beam with the Faraday cup, the entire measurement does not take a long time even if the measurement is performed at different distances, and an appropriate settling time is determined. be able to.
本発明によれば、主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法が提供される。また、本発明によれば、主偏向アンプの安定性を正確に評価できるので、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a method capable of accurately evaluating the stability of the main deflection amplifier. Further, according to the present invention, since the stability of the main deflection amplifier can be accurately evaluated, a charged particle beam writing method capable of writing with high accuracy is provided.
図1は、本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。 FIG. 1 is a configuration diagram of an electron beam drawing apparatus according to the present embodiment.
図1に示すように、電子ビーム描画装置は、試料に電子ビームで描画する描画部と、描画を制御する制御部とを有する。 As shown in FIG. 1, the electron beam drawing apparatus includes a drawing unit that draws an electron beam on a sample and a control unit that controls drawing.
試料室1内には、試料2が設置されるステージ3が設けられている。ステージ3は、ステージ駆動回路4により、X方向(紙面における左右方向)とY方向(紙面における垂直方向)に駆動される。ステージ3の移動位置は、レーザ干渉計等を用いた位置回路5により測定される。
In the
また、試料室1の上方には、電子ビーム光学系10が設置されている。この光学系10は、電子銃6、各種レンズ7、8、9、11、12、ブランキング用偏向器13、成形偏向器14、ビーム走査用の主偏向器15、ビーム走査用の副偏向器16、および、2個のビーム成形用アパーチャ17、18などから構成されている。
An electron beam
図2は、電子ビームによる描画方法の説明図である。この図に示すように、試料2上に描画されるパターン51は、短冊状のフレーム領域(本明細書では、主偏向領域とも言う。以下に同じ。)52に分割されている。電子ビーム54による描画は、ステージ3が一方向(例えば、X方向)に連続移動しながら、フレーム領域52毎に行われる。フレーム領域52は、さらにサブフィールド(副偏向領域)53に分割されており、電子ビーム54は、サブフィールド53内の必要な部分のみを描画する。尚、フレーム領域52は、主偏向器15の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、サブフィールド53は、副偏向器16の偏向幅で決まる単位描画領域である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a drawing method using an electron beam. As shown in this figure, the
サブフィールドの基準位置の位置決めは、主偏向器15で行われ、サブフィールド53内での描画は、副偏向器16によって制御される。すなわち、主偏向器15によって、電子ビーム54が所定のサブフィールド53に位置決めされ、副偏向器16によって、サブフィールド53内での描画位置が決められる。
The positioning of the reference position of the subfield is performed by the
また、成形偏向器14とビーム成形用アパーチャ17、18によって、電子ビーム54の形状と寸法が決められる。
The shape and size of the
そして、ステージ3を一方向に連続移動させながら、サブフィールド53内を描画し、1つのサブフィールド53の描画が終了したら、次のサブフィールド53を描画する。フレーム領域52内の全てのサブフィールド53の描画が終了したら、ステージ3を連続移動させる方向と直交する方向(例えば、Y方向)にステップ移動させる。その後、同様の処理を繰り返して、フレーム領域52を順次描画して行く。
Then, the inside of the
試料2には、主偏向アンプの安定性を評価するための評価用マークが設けられている。この評価用マークは、試料面とは反射率の異なる材料で形成される。尚、本実施の形態においては、試料面ではないが試料面のできるだけ近くに評価用マークを設けてもよい。
The
評価用マークは、例えば、シリコン基板の上にタングステン膜を設け、このタングステン膜をエッチング加工し格子状としたものとすることができる。タングステン膜に代えて、他の重金属からなる膜を用いることもできる。評価用マークとその下地との組み合わせは、両者の反射率の差が大きく、且つ、一方の反射率の値が小さいほどよい。これにより、後述する偏向アンプの安定性の程度を捉えやすくなる。 For example, the evaluation mark may be formed in a lattice shape by providing a tungsten film on a silicon substrate and etching the tungsten film. Instead of the tungsten film, a film made of another heavy metal can be used. The combination of the evaluation mark and its base is preferably as the difference in reflectance between the two is large and the value of one of the reflectances is small. This makes it easy to grasp the degree of stability of the deflection amplifier described later.
評価用マーク100と主偏向領域200との関係は、図3に示すようになる。この図から分かるように、1つの主偏向領域200の外周は、評価用マーク100によって囲まれる範囲の内側に位置する。尚、この例において、評価用マーク100は、シリコン基板からなる下地の上に形成されたタングステン膜からなるとする。
The relationship between the
図4を用いて、本実施の形態における主偏向アンプの評価方法について説明する。図4は、図3の評価用マークと主偏向領域との境界付近を拡大した図である。本実施の形態の主偏向アンプの評価方法では、まず、任意の座標(x1,y1)に電子ビームを照射する。すなわち、座標(x1,y1)に電子ビームが照射されるように、主偏向アンプに電圧を印加する。図の符号301は、この座標に照射された電子ビームのショットを表しており、この例では、電子ビームは、正方形の形状に成形されている。
A method for evaluating the main deflection amplifier according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an enlarged view of the vicinity of the boundary between the evaluation mark and the main deflection area shown in FIG. In the main deflection amplifier evaluation method of this embodiment, first, an arbitrary beam (x 1 , y 1 ) is irradiated with an electron beam. That is, a voltage is applied to the main deflection amplifier so that the electron beam is irradiated to the coordinates (x 1 , y 1 ).
次に、所定のセトリング時間の後、主偏向アンプに電圧を印加して、座標(x1,y2)に電子ビームを偏向させる。このとき、座標(x1,y2)は、電子ビームのショットの一部が評価用マークにかかる位置にあるようにする。 Next, after a predetermined settling time, a voltage is applied to the main deflection amplifier to deflect the electron beam to the coordinates (x 1 , y 2 ). At this time, the coordinates (x 1 , y 2 ) are set so that a part of the shot of the electron beam is on the evaluation mark.
主偏向アンプの出力電圧が安定しないと、電子ビームを所望の位置に偏向させることができない。すなわち、電子ビームの照射位置を、座標(x1,y1)から座標(x1,y2)に移動させようとしても、主偏向アンプの出力電圧が安定していない状態では、電子ビームは、座標(x1,y2)からずれた位置に照射される。図の符号303は、座標(x1,y2)に電子ビームが偏向された直後の電子ビームショットを表しており、このショットは、座標(x1,y2)からずれた位置(座標(x1,y3))にある。
If the output voltage of the main deflection amplifier is not stable, the electron beam cannot be deflected to a desired position. That is, even if the electron beam irradiation position is moved from the coordinates (x 1 , y 1 ) to the coordinates (x 1 , y 2 ), the electron beam is not stable when the output voltage of the main deflection amplifier is not stable. , A position shifted from the coordinates (x 1 , y 2 ) is irradiated.
その後、出力電圧が安定するまで照射位置は、点線の矩形で示すように変動し、出力電圧が安定した以降は、座標(x1,y2)に固定される。図の符号302は、この座標に照射された電子ビームのショットを表している。尚、照射位置は、図4の例では矢印の方向(+Y方向)に変動しているが、−Y方向へ変動する場合もあり、いずれの方向へ変動するかは、主偏向アンプの特性による。
Thereafter, the irradiation position changes as indicated by a dotted rectangle until the output voltage is stabilized, and after the output voltage is stabilized, the irradiation position is fixed to the coordinates (x 1 , y 2 ).
ところで、電子ビームを試料2に照射すると、試料2で電子が反射されて反射電子が発生する。ここで、タングステン膜に電子ビームが照射されて発生した反射電子の量と、シリコン基板に電子ビームが照射されて発生した反射電子の量とは異なる。具体的には、前者の方が後者より多い。
By the way, when the
図4の例では、主偏向アンプの出力電圧が安定するまで、電子ビームの照射位置は変動する。そして、この変動に伴って、電子ビームの照射領域におけるタングステン膜の面積とシリコン基板の面積とは相対的に変化する。図4では、最初に座標(x1,y3)にショットされ、その後+Y方向へ移動した後、座標(x1,y2)に固定される。したがって、電子ビームの照射領域におけるタングステン膜の面積は次第に小さくなり、代わってシリコン基板の面積が次第に大きくなる。 In the example of FIG. 4, the irradiation position of the electron beam varies until the output voltage of the main deflection amplifier is stabilized. With this change, the area of the tungsten film and the area of the silicon substrate in the electron beam irradiation region change relatively. In FIG. 4, the shot is first shot at the coordinates (x 1 , y 3 ), and then moved in the + Y direction and then fixed at the coordinates (x 1 , y 2 ). Therefore, the area of the tungsten film in the electron beam irradiation region is gradually reduced, and the area of the silicon substrate is gradually increased instead.
タングステン膜に電子ビームが照射されて発生した反射電子の量と、シリコン基板に電子ビームが照射されて発生した反射電子の量とは異なるので、反射電子全体の量を測定することにより、照射領域内でのタングステン膜とシリコン基板との相対面積の変化を知ることができる。そして、反射電子量が一定となれば、電子ビームの照射位置は固定され、主偏向アンプの出力電圧が一定となったことが分かる。 The amount of reflected electrons generated by irradiating the tungsten film with the electron beam is different from the amount of reflected electrons generated by irradiating the electron beam on the silicon substrate. The change in the relative area between the tungsten film and the silicon substrate can be known. When the amount of reflected electrons is constant, it can be seen that the irradiation position of the electron beam is fixed and the output voltage of the main deflection amplifier is constant.
反射電子の量は電流値として測定することができる。図4の例では、反射電子の量が次第に小さくなる結果、測定電流値も次第に小さくなる。そして、偏向アンプの出力電圧が安定化した以降は、測定電流値も一定となる。尚、電子ビームが、最初の照射位置から−Y方向へ移動する場合には、この移動に伴って、タングステン膜の面積が次第に大きくなる。その結果、反射電子の量が次第に大きくなり、測定電流値も次第に大きくなる。 The amount of reflected electrons can be measured as a current value. In the example of FIG. 4, as a result of the amount of reflected electrons gradually decreasing, the measured current value also gradually decreases. After the output voltage of the deflection amplifier is stabilized, the measured current value is also constant. When the electron beam moves in the −Y direction from the initial irradiation position, the area of the tungsten film gradually increases with this movement. As a result, the amount of reflected electrons gradually increases, and the measured current value also gradually increases.
図1において、電子ビームを試料2に照射すると、試料2で電子が反射されて反射電子が発生する。試料室1の上方には、評価用マークに電子ビームが照射されて発生した反射電子を電流値として検出する検出器32が設けられている。尚、検出器32は、反射電子の他に2次電子を電流値として検出してもよい。
In FIG. 1, when the
検出器32から出力された電気信号は、検出部33に入力される。そして、検出部33で増幅された後、A/D変換部34に入力される。A/D変換部34は、検出部33からのアナログ信号をデジタル信号に変換する。変換されたデジタル信号は、制御計算機19に送られる。ここで、A/D変換部34は、検出部33からのデータを蓄積できるので、1回の測定毎に制御計算機19にデータを転送する必要がない。したがって、通信時間によるサンプリングタイムの長期化を低減できる。
The electrical signal output from the
制御計算機19に送られたデータは、制御計算機19内において、電流値の変動が飽和するまでの時間が求められる。この際、測定値を補間するために、例えば、指数関数フィッティングが用いられる。得られた飽和時間から主偏向アンプの性能を評価できる。かかる評価は、電子ビーム描画装置の起動前や定期点検の際に行うことができる。
From the data sent to the
ところで、電子ビームの電流量は、ファラデーカップによっても検出可能である。しかし、主偏向アンプの出力電圧は、例えば1ミリ秒程度の時間で安定化するのに対し、ファラデーカップでは、10Hz程度の周期、すなわち、100ミリ秒程度の時間間隔でしか変動を検出できない。一方、本実施の形態の方法によれば、照射位置の変動量を1MHzの周期、すなわち、1マイクロ秒程度の時間間隔で検出することが可能である。 By the way, the amount of current of the electron beam can also be detected by a Faraday cup. However, while the output voltage of the main deflection amplifier stabilizes in a time of about 1 millisecond, for example, the Faraday cup can detect a fluctuation only at a period of about 10 Hz, that is, at a time interval of about 100 milliseconds. On the other hand, according to the method of this embodiment, it is possible to detect the fluctuation amount of the irradiation position at a period of 1 MHz, that is, at a time interval of about 1 microsecond.
本実施の形態によれば、実際の描画工程における適切なセトリング時間を容易に把握することができる。この点について、以下に詳細に説明する。 According to the present embodiment, an appropriate settling time in the actual drawing process can be easily grasped. This point will be described in detail below.
偏向アンプで偏向器を駆動する際には、その負荷に応じた出力電圧のセトリング時間(整定時間)が必要になる。すなわち、目標とする偏向位置に整定するには、所定のセトリング時間を要する。一方、実際の描画工程における電子ビームの移動距離、すなわち、主偏向アンプの偏向量は一定ではなく、描画されるパターンの配置によって様々な値をとる。したがって、電子ビームの移動距離とセトリング時間との関係を把握することにより、移動距離に応じた適切なセトリング時間を設定することが可能となる。 When the deflector is driven by the deflection amplifier, an output voltage settling time (settling time) corresponding to the load is required. In other words, a predetermined settling time is required to set the target deflection position. On the other hand, the moving distance of the electron beam in the actual drawing process, that is, the deflection amount of the main deflection amplifier is not constant, and takes various values depending on the arrangement of the drawn pattern. Therefore, by grasping the relationship between the moving distance of the electron beam and the settling time, it is possible to set an appropriate settling time according to the moving distance.
ここで、本実施の形態によれば、測定時間が短くて済むので、セトリング時間毎に測定を行わなくても、1回の測定で複数のセトリング時間における照射位置の変動量を知ることができる。例えば、図4において、座標(x1,y1)から座標(x1,y2)への移動距離(y1−y2)を変えて、電子ビームの照射位置の変動を観測する。具体的には、電子ビームの電流値を測定する。電流値が変化しなくなるまでの時間が最適なセトリング時間であるので、上記測定を行うことにより、移動距離に応じた最適なセトリング時間が求められる。
Here, according to the present embodiment, since the measurement time is short, it is possible to know the variation amount of the irradiation position in a plurality of settling times by one measurement without performing the measurement every settling time. . For example, in FIG. 4, by changing the
上記では、電子ビームを座標(x1,y1)から座標(x1,y2)に移動させる例について述べたが、座標(x1,y1)から座標(x2,y1)に移動させてもよい。この場合は、主偏向アンプの特性に応じて、主偏向アンプの出力電圧が安定するまで、+X方向または−X方向へ電子ビームが移動する。 In the above description, the example in which the electron beam is moved from the coordinates (x 1 , y 1 ) to the coordinates (x 1 , y 2 ) has been described. However, the coordinates (x 1 , y 1 ) are changed to the coordinates (x 2 , y 1 ). It may be moved. In this case, the electron beam moves in the + X direction or the −X direction until the output voltage of the main deflection amplifier is stabilized according to the characteristics of the main deflection amplifier.
しかしながら、電子ビーム描画装置では、主偏向器に故障が起きることによって、電子ビームが所望の位置に偏向されないことがある。以下では、この場合の主偏向アンプの評価方法について述べる。 However, in the electron beam drawing apparatus, the electron beam may not be deflected to a desired position due to a failure of the main deflector. Hereinafter, an evaluation method of the main deflection amplifier in this case will be described.
主偏向器は、例えば、4極または8極等の複数の電極によって構成される。各電極には、それぞれ少なくとも1つのDAC(デジタル・アナログコンバータ)アンプユニット(主偏向アンプ)が接続され、偏向制御部は、主偏向器を制御するための複数のデジタルデータをDACアンプユニットに同期をとりながら送信する。デジタルデータは、主偏向器を構成する複数の電極への指示電圧信号(デジタル信号)である。各電極に対応して設けられた各DACアンプユニットは、偏向制御部から受信したデジタルデータをDA変換し、DA変換後のアナログデータを増幅し、さらにその増幅されたアナログデータを対応する電極に送信する。 The main deflector is constituted by a plurality of electrodes such as 4 poles or 8 poles. Each electrode is connected to at least one DAC (digital / analog converter) amplifier unit (main deflection amplifier), and the deflection control unit synchronizes a plurality of digital data for controlling the main deflector with the DAC amplifier unit. Send while taking. The digital data is an instruction voltage signal (digital signal) to a plurality of electrodes constituting the main deflector. Each DAC amplifier unit provided corresponding to each electrode DA converts the digital data received from the deflection control unit, amplifies the analog data after the DA conversion, and further applies the amplified analog data to the corresponding electrode. Send.
図5は、8極の電極130a〜130hと、各電極にアナログデータを印加する8個のDACアンプユニット232を示す図である。8個の電極130a〜130hは、対向する4対の電極からなっており、それぞれ対応するDACアンプユニット232a〜232hからアナログ電圧が印加される。
FIG. 5 is a diagram showing eight
図5において、電極130aには、DACアンプユニット232aから電圧「y」が印加され、電極130aの対極となる電極130eには、DACアンプユニット232eから電圧「−y」が印加される。また、電極130bには、DACアンプユニット232bから電圧「(x+y)/21/2」が印加され、電極130bの対極となる電極130fには、DACアンプユニット232fから電圧「(−x−y)/21/2」が印加される。また、電極130cには、DACアンプユニット232cから電圧「x」が印加され、電極130cの対極となる電極130gには、DACアンプユニット232gから電圧「−x」が印加される。さらに、電極130dには、DACアンプユニット232dから電圧「(x−y)/21/2」が印加され、電極130dの対極となる電極130hには、DACアンプユニット232hから電圧「(−x+y)/21/2」が印加される。
In FIG. 5, the voltage “y” is applied to the
偏向制御部230から、主偏向器130の各電極130a〜130h制御用のデジタルデータが、各DACアンプユニット232a〜232hに送信されると、各DACアンプユニット232a〜232hから、各電極130a〜130hに、アナログ電圧が印加される。
When the digital data for controlling each
尚、図5においては、4対(8個)の電極で構成された主偏向器130を示しているが、この主偏向器130を2対(4個)の電極で構成してもよい。
Although FIG. 5 shows the
図5の主偏向器130について、8極の各静電偏向器に上記の電圧を加えた場合、電子ビームの位置変動は印加電圧に比例することから、位置Xと位置Yは、それぞれ下記式で表される。尚、下記式でαは偏向感度である。
With respect to the
例えば、主偏向アンプの故障により、図5の電極130cが0Vに固定されたとする。この場合の位置Xと位置Yは、それぞれ下記式のようになる。
For example, it is assumed that the
このように、主偏向アンプが正常である場合の位置Xは4αxであるのに対し、電極130cが0Vに固定されると位置xは3αxとなる。つまり、所望とする偏向量の(3/4)程度しか電子ビームを偏向できなくなる。
Thus, the position X when the main deflection amplifier is normal is 4αx, whereas when the
そこで、かかる場合の主偏向アンプの評価方法について、図6および図7を用いて説明する。 Therefore, an evaluation method of the main deflection amplifier in such a case will be described with reference to FIGS.
図6では、まず、座標(x1,y1)の位置に電子ビームを照射する。具体的には、座標(x1,y1)に電子ビームが照射されるように、主偏向アンプに電圧を印加する。 In FIG. 6, first, an electron beam is irradiated to the position of coordinates (x 1 , y 1 ). Specifically, a voltage is applied to the main deflection amplifier so that the electron beam is irradiated to the coordinates (x 1 , y 1 ).
次に、所定のセトリング時間の後、主偏向アンプに電圧を印加して、座標(x1,y2)に電子ビームを偏向させる。このとき、座標(x1,y2)は、電子ビームのショットの一部が評価用マークにかかる位置にあるようにする。 Next, after a predetermined settling time, a voltage is applied to the main deflection amplifier to deflect the electron beam to the coordinates (x 1 , y 2 ). At this time, the coordinates (x 1 , y 2 ) are set so that a part of the shot of the electron beam is on the evaluation mark.
主偏向アンプの出力電圧が安定しないと、電子ビームを所望の位置に偏向させることができない。すなわち、電子ビームの照射位置を、座標(x1,y1)から座標(x1,y2)に移動させようとしても、主偏向アンプの出力電圧が安定していない状態では、電子ビームは、座標(x1,y2)からずれた位置に照射される。その後、出力電圧が安定するまで照射位置は変動し、出力電圧が安定した以降は変動を停止する。 If the output voltage of the main deflection amplifier is not stable, the electron beam cannot be deflected to a desired position. That is, even if the electron beam irradiation position is moved from the coordinates (x 1 , y 1 ) to the coordinates (x 1 , y 2 ), the electron beam is not stable when the output voltage of the main deflection amplifier is not stable. , A position shifted from the coordinates (x 1 , y 2 ) is irradiated. Thereafter, the irradiation position fluctuates until the output voltage is stabilized, and the fluctuation is stopped after the output voltage is stabilized.
図6の例では、座標(x1,y1)から座標(x1,y2)に移動させようとして、主偏向アンプに電圧を印加すると、偏向アンプの出力電圧が安定化するまでは、+Y方向に照射位置を変動させるが、出力電圧が安定した以降は、目標とする座標(x1,y2)に固定された。 In the example of FIG. 6, when a voltage is applied to the main deflection amplifier in an attempt to move from the coordinates (x 1 , y 1 ) to the coordinates (x 1 , y 2 ), until the output voltage of the deflection amplifier is stabilized, Although the irradiation position was varied in the + Y direction, after the output voltage was stabilized, it was fixed at the target coordinates (x 1 , y 2 ).
しかしながら、図6の例では、点線の矩形と矢印で示すように、+Y方向だけでなく、−X方向にも照射位置を変動させている。そして、最終的に固定される座標は(x2,y3)となっている。このことは、図5で説明したように、主偏向アンプに故障が生じており、所望とする偏向量で偏向できないことを示している。 However, in the example of FIG. 6, the irradiation position is changed not only in the + Y direction but also in the −X direction as indicated by a dotted rectangle and an arrow. The coordinates finally fixed are (x 2 , y 3 ). This indicates that a failure has occurred in the main deflection amplifier as described with reference to FIG. 5, and the deflection cannot be performed with a desired deflection amount.
例えば、図5で電極130cが不良であるとする。このときの電圧のエラー量をδVとすると、δVが空間に作り出す電場δE(x,y)によって、電子ビームは、eδE(x,y)の力を受けて曲げられる。ここで、δE(x,y)の方向が、電極130c−電極130gであるとすると、電子ビームは、
の方向へ曲げられる。この曲げられた電子ビームの傾きに、ステージ面までの距離を乗ずると、電子ビームの照射位置の変動量が分かる。
For example, assume that the
It is bent in the direction of By multiplying the angle of the bent electron beam by the distance to the stage surface, the amount of fluctuation of the irradiation position of the electron beam can be found.
一方、目標とする座標(x1,y2)に対して、実際の偏向位置が(x2,y3)である場合、これらの座標位置の変化量は、位置ベクトルの変化量によって表される。このことを図7を用いて説明する。図7において、ベクトルAは、初期位置(x1,y1)から目標位置(x1,y2)への変化量を表している。一方、ベクトルBは、初期位置(x1,y1)から実際の照射位置(x2,y3)への変化量を表している。したがって、ベクトルAとベクトルBを比較することで、目標とする偏向量と実際の偏向量との比較ができる。 On the other hand, when the actual deflection position is (x 2 , y 3 ) with respect to the target coordinate (x 1 , y 2 ), the change amount of these coordinate positions is represented by the change amount of the position vector. The This will be described with reference to FIG. In FIG. 7, a vector A represents the amount of change from the initial position (x 1 , y 1 ) to the target position (x 1 , y 2 ). On the other hand, the vector B represents the amount of change from the initial position (x 1 , y 1 ) to the actual irradiation position (x 2 , y 3 ). Therefore, by comparing the vector A and the vector B, the target deflection amount and the actual deflection amount can be compared.
本実施の形態では、試料2で反射されて発生した反射電子の量を電流値として測定することで、電子ビームの照射位置の変動量を求めることができる。この変動量は、ベクトルAとベクトルBの差に対応している。したがって、この値から上記の関係を用いて、故障を起こしている電極を特定することが可能である。
In the present embodiment, the amount of reflected electrons generated by being reflected by the
次に、図1の電子ビーム描画装置における制御部について、詳しく説明する。 Next, the control unit in the electron beam drawing apparatus of FIG. 1 will be described in detail.
図1で、符号20は入力部であり、記憶媒体である磁気ディスクを通じて電子ビーム描画装置に、試料2の描画データが入力される部分である。入力部20から読み出された描画データは、主偏向器15によって偏向可能なフレーム領域(主偏向領域)52毎に、パターンメモリ21に一時的に格納される。パターンメモリ21に格納されたフレーム領域52毎のパターンデータ、すなわち、描画位置や描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、描画データ補正部31で補正された後、データ解析部であるパターンデータデコーダ22と描画データデコーダ23に送られる。
In FIG. 1,
描画データ補正部31では、元々の設計値のデータに対してドリフト補正が行われる。具体的には、A/D変換部34から制御計算機19に入力されたデータに基づいて、ドリフト補正用の補正値が演算される。そして、設計値のデータと補正値のデータとが加算されて合成される。
The drawing
描画データ補正部31では、ドリフト補正がされた設計値のデータに対してさらにステージ3上での位置補正が行われる。すなわち、位置回路5で測定されたステージ3の位置データは、描画データ補正部31に送られて、ドリフト補正がされた設計値のデータに加算される。合成されたデータは、パターンデータデコーダ22と描画データデコーダ23に送られる。
The drawing
パターンデータデコーダ22からの情報は、ブランキング回路24とビーム成形器ドライバ25に送られる。具体的には、パターンデータデコーダ22で上記データに基づいたブランキングデータが作成され、ブランキング回路24に送られる。また、所望とするビーム寸法データも作成されて、ビーム成形器ドライバ25に送られる。そして、ビーム成形器ドライバ25から、電子光学系10の成形偏向器14に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54の寸法が制御される。
Information from the
図1の偏向制御部30は、セトリング時間決定部29に接続し、セトリング時間決定部29は、サブフィールド偏向量算出部28に接続し、サブフィールド偏向量算出部28は、パターンデータデコーダ22に接続している。また、偏向制御部30は、ブランキング回路24と、ビーム成形器ドライバ25と、主偏向器ドライバ26と、副偏向器ドライバ27とに接続している。
The
描画データデコーダ23の出力は、主偏向器ドライバ26と副偏向器ドライバ27に送られる。そして、主偏向器ドライバ26から、電子光学系10の主偏向器15に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54が所定の主偏向位置に偏向走査される。また、副偏向器ドライバ27から、副偏向器16に所定の副偏向信号が印加されて、サブフィールド53内での描画が行われる。
The output of the drawing
次に、電子ビーム描画装置による描画方法について説明する。 Next, a drawing method by the electron beam drawing apparatus will be described.
まず、試料室1内のステージ3上に試料2を載置する。次いで、ステージ3の位置検出を位置回路5により行い、制御計算機19からの信号に基づいて、ステージ駆動回路4によりステージ3を描画可能な位置まで移動させる。
First, the
次に、電子銃6より電子ビーム54を出射する。出射された電子ビーム54は、照明レンズ7により集光される。そして、ブランキング用偏向器13により、電子ビーム54を試料2に照射するか否かの操作を行う。
Next, an
第1のアパーチャ17に入射した電子ビーム54は、第1のアパーチャ17の開口部を通過した後、ビーム成形器ドライバ25により制御された成形偏向器14によって偏向される。そして、第2のアパーチャ18に設けられた開口部を通過することにより、所望の形状と寸法を有するビーム形状になる。このビーム形状は、試料2に照射される電子ビーム54の描画単位である。
The
電子ビーム54は、ビーム形状に成形された後、縮小レンズ11によって縮小される。そして、試料2上における電子ビーム54の照射位置は、主偏向器ドライバ26によって制御された主偏向器15と、副偏向器ドライバ27によって制御された副偏向器16とにより制御される。主偏向器15は、試料2上のサブフィールド53に電子ビーム54を位置決めする。また、副偏向器16は、サブフィールド53内で描画位置を位置決めする。
The
試料2への電子ビーム54による描画は、ステージ3を一方向に移動させながら、電子ビーム54を走査することにより行われる。具体的には、ステージ3を一方向に移動させながら、各サブフィールド53内におけるパターンの描画を行う。そして、1つのフレーム領域52内にある全てのサブフィールド53の描画を終えた後は、ステージ3を新たなフレーム領域52に移動して同様に描画する。
Drawing with the
上記のようにして、試料2の全てのフレーム領域52の描画を終えた後は、新たなマスクに交換し、上記と同様の方法による描画を繰り返す。
After drawing all the
次に、制御計算機19による描画制御について説明する。
Next, drawing control by the
制御計算機19は、入力部20で磁気ディスクに記録された試料2の描画データを読み出す。読み出された描画データは、フレーム領域52毎にパターンメモリ21に一時的に格納される。
The
パターンメモリ21に格納されたフレーム領域52毎の描画データ、つまり、描画位置や描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、描画データ補正部31で上記のようにして補正された後、データ解析部であるパターンデータデコーダ22と描画データデコーダ23を介して、サブフィールド偏向量算出部28、ブランキング回路24、ビーム成形器ドライバ25、主偏向器ドライバ26、副偏向器ドライバ27に送られる。
The drawing data for each
パターンデータデコーダ22では、描画データに基づいてブランキングデータが作成されてブランキング回路24に送られる。また、描画データに基づいて所望とするビーム形状データが作成されてサブフィールド偏向量算出部28とビーム成形器ドライバ25に送られる。
The
サブフィールド偏向量算出部28は、パターンデータデコーダ22により作成したビーム形状データから、サブフィールド53における、1ショットごとの電子ビームの偏向量(移動距離)を算出する。算出された情報は、セトリング時間決定部29に送られ、副偏向による移動距離に対応したセトリング時間が決定される。
The subfield deflection
セトリング時間決定部29で決定されたセトリング時間は、偏向制御部30へ送られた後、パターンの描画のタイミングを計りながら、偏向制御部30より、ブランキング回路24、ビーム成形器ドライバ25、主偏向器ドライバ26、副偏向器ドライバ27のいずれかに適宜送られる。
The settling time determined by the settling
ビーム成形器ドライバ25では、光学系10の成形偏向器14に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54の形状と寸法が制御される。
In the
描画データデコーダ23では、描画データに基づいてサブフィールド53の位置決めデータが作成され、このデータは主偏向器ドライバ26に送られる。次いで、主偏向器ドライバ26から主偏向器15へ所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54は、サブフィールド53の所定位置に偏向走査される。
The drawing
描画データデコーダ23では、描画データに基づいて、副偏向器16の走査のための制御信号が生成される。制御信号は、副偏向器ドライバ27に送られた後、副偏向器ドライバ27から副偏向器16に所定の副偏向信号が印加される。サブフィールド53内での描画は、設定されたセトリング時間が経過した後、電子ビーム54を繰り返し照射することによって行われる。
The drawing
本実施の形態の電子ビーム描画方法によれば、主偏向アンプの安定性を正確に評価したうえで描画できるので、高い精度での描画が可能である。 According to the electron beam drawing method of the present embodiment, drawing can be carried out after accurately evaluating the stability of the main deflection amplifier, and thus drawing with high accuracy is possible.
尚、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, although the electron beam is used in the above embodiment, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to the case where other charged particle beams such as an ion beam are used.
1 試料室
2 マスク
3 ステージ
4 ステージ駆動回路
5 位置回路
6 電子銃
7、8、9、11、12 各種レンズ
10 光学系
13 ブランキング用偏向器
14 成形偏向器
15、130 主偏向器
16 副偏向器
17 第1のアパーチャ
18 第2のアパーチャ
19 制御計算機
20 入力部
21 パターンメモリ
22 パターンデータデコーダ
23 描画データデコーダ
24 ブランキング回路
25 ビーム成形器ドライバ
26 主偏向器ドライバ
27 副偏向器ドライバ
28 サブフィールド偏向量算出部
29 セトリング時間決定部
30、230 偏向制御部
31 描画データ補正部
32 検出器
33 検出部
34 A/D変換部
51 描画されるパターン
52 フレーム領域
53 サブフィールド
54 電子ビーム
100 評価用マーク
200 主偏向領域
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域の所定位置に荷電粒子ビームを照射し、所定時間後に、前記主偏向領域を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなるマークに対し、前記下地と前記マークの両方にかかる位置に前記荷電粒子ビームを照射して反射荷電粒子を電流値として検出し、前記電流値の変動量を基に前記偏向アンプを評価することを特徴とする偏向アンプの評価方法。 A deflection amplifier used in the main deflector in a charged particle beam drawing apparatus that deflects the charged particle beam and draws a predetermined pattern using a main deflector and a sub deflector arranged on the optical path of the charged particle beam. An evaluation method,
Irradiating a charged particle beam to a predetermined position of a main deflection area defined by a deflection width of the main deflector, and after a predetermined time, a mark made of a material having a reflectance different from that of a base material constituting the main deflection area, Deflection characterized by irradiating the charged particle beam to a position on both the ground and the mark to detect reflected charged particles as a current value, and evaluating the deflection amplifier based on a fluctuation amount of the current value Amplifier evaluation method.
前記主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域の所定位置に荷電粒子ビームを照射し、所定時間後に、前記主偏向領域を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなるマークに対し、前記下地と前記マークの両方にかかる位置に前記荷電粒子ビームを照射して反射荷電粒子を電流値として検出し、前記電流値の変動量が一定となってから前記所定のパターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 A charged particle beam drawing method for drawing a predetermined pattern on a sample on a stage by deflecting the charged particle beam using a main deflector and a sub deflector arranged on an optical path of the charged particle beam,
Irradiating a charged particle beam to a predetermined position of a main deflection area defined by a deflection width of the main deflector, and after a predetermined time, a mark made of a material having a reflectance different from that of a base material constituting the main deflection area, Irradiating the charged particle beam to a position on both the ground and the mark to detect reflected charged particles as a current value, and drawing the predetermined pattern after the fluctuation amount of the current value becomes constant Characterized charged particle beam writing method.
The distance from a predetermined position of the main deflection region to a position applied to both the base and the mark is changed, the reflected charged particles are detected as a current value, and a settling time is determined from the current value. The charged particle beam drawing method according to claim 4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011019249A JP2012160346A (en) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | Deflection amplifier evaluation method and charged particle beam lithography method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011019249A JP2012160346A (en) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | Deflection amplifier evaluation method and charged particle beam lithography method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012160346A true JP2012160346A (en) | 2012-08-23 |
Family
ID=46840720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011019249A Pending JP2012160346A (en) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | Deflection amplifier evaluation method and charged particle beam lithography method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012160346A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016152387A (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Electron beam lithography device |
JP2019087744A (en) * | 2017-11-02 | 2019-06-06 | 日本電子株式会社 | Evaluation method and charged particle beam apparatus |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09161715A (en) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Hitachi Ltd | Electron beam plotter |
JPH10284392A (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Toshiba Corp | Charged particle beam lithography |
JP2010073923A (en) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method |
JP2010258339A (en) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Nuflare Technology Inc | Drift measuring method, method of charged particle beam drawing method, and charged particle beam drawing apparatus |
-
2011
- 2011-01-31 JP JP2011019249A patent/JP2012160346A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09161715A (en) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Hitachi Ltd | Electron beam plotter |
JPH10284392A (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Toshiba Corp | Charged particle beam lithography |
JP2010073923A (en) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method |
JP2010258339A (en) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Nuflare Technology Inc | Drift measuring method, method of charged particle beam drawing method, and charged particle beam drawing apparatus |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016152387A (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Electron beam lithography device |
JP2019087744A (en) * | 2017-11-02 | 2019-06-06 | 日本電子株式会社 | Evaluation method and charged particle beam apparatus |
JP7207952B2 (en) | 2017-11-02 | 2023-01-18 | 日本電子株式会社 | Evaluation method and charged particle beam device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6222195B1 (en) | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method | |
KR102430355B1 (en) | Particle beam system and method for operating a particle optical unit | |
JP5505821B2 (en) | Pattern lock device for particle beam exposure apparatus | |
US10483088B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method | |
JP4679978B2 (en) | Charged particle beam application equipment | |
US9508528B2 (en) | Method for correcting drift of accelerating voltage, method for correcting drift of charged particle beam, and charged particle beam writing apparatus | |
TWI639895B (en) | Multi-charged particle beam drawing device and adjusting method thereof | |
JP6791051B2 (en) | Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method | |
CN109298001B (en) | Electron beam imaging module, electron beam detection equipment and image acquisition method thereof | |
CN111812947B (en) | Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method | |
US8384052B2 (en) | Electron beam lithography apparatus and electron beam lithography method | |
US7423274B2 (en) | Electron beam writing system and electron beam writing method | |
US20240079207A1 (en) | Multi-beam charged particle system and method of controlling the working distance in a multi-beam charged particle system | |
JP5475634B2 (en) | Multi-column electron beam drawing apparatus and its electron beam trajectory adjustment method | |
JP2001052642A (en) | Scanning electron microscope and micro-pattern measuring method | |
JP2013054908A (en) | Scanning electron microscope | |
JP2013021215A (en) | Beam measuring device, drawing device, and method of manufacturing article | |
JP2012160346A (en) | Deflection amplifier evaluation method and charged particle beam lithography method | |
US6352799B1 (en) | Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus including beam-drift measurement and correction, and device manufacturing methods comprising same | |
US20190385812A1 (en) | Multi-charged-particle-beam writing apparatus and beam evaluating method for the same | |
US20230028337A1 (en) | Method and apparatus for detecting discharge site | |
JP5563801B2 (en) | Charged particle beam resolution measuring method and charged particle beam drawing apparatus | |
JP3388066B2 (en) | Electron beam exposure apparatus and method of adjusting deflection efficiency in the apparatus | |
JP5525352B2 (en) | Evaluation method of deflection amplifier and charged particle beam drawing apparatus | |
CN117215154A (en) | Method for evaluating multi-charged particle beam, method for drawing multi-charged particle beam, method for inspecting multi-charged particle beam, and recording medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130918 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140604 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150210 |