JP2012155952A - Conductive particle, anisotropic conductive material and connection structure - Google Patents

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Satoshi Saito
諭 齋藤
Hideaki Ishizawa
英亮 石澤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive particle capable of enhancing conduction reliability, and also to provide an anisotropic conductive material using the conductive particle.SOLUTION: The conductive particle 1 includes: a base material particle 2; a conductive layer 3 arranged on the surface 2a of the base material particle 2; a first solder layer 4 arranged on the outer surface 3a of the conductive layer 3; and a second solder layer 5 arranged on the outer surface 4a of the first solder layer 4. The melting point of the first solder layer 4 is lower than that of the second solder layer 5. The anisotropic conductive material contains the conductive particles 1 and a binder resin.

Description

本発明は、例えば、電極間の接続に使用できる導電性粒子に関し、より詳細には、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた異方性導電材料及び接続構造体に関する。   The present invention relates to conductive particles that can be used, for example, for connection between electrodes, and more particularly, conductive particles having base particles and a conductive layer disposed on the surface of the base particles, and The present invention relates to an anisotropic conductive material using conductive particles and a connection structure.

ICチップとフレキシブルプリント回路基板との接続、液晶駆動用ICチップ間の接続、及びICチップとITO電極を有する回路基板との接続等に、導電性粒子が用いられている。例えば、ICチップの電極と回路基板の電極との間に導電性粒子を配置した後、加熱及び加圧により導電性粒子を電極に接触させて、上記電極同士を電気的に接続できる。   Conductive particles are used for connection between an IC chip and a flexible printed circuit board, connection between liquid crystal driving IC chips, connection between an IC chip and a circuit board having an ITO electrode, and the like. For example, after the conductive particles are arranged between the electrode of the IC chip and the electrode of the circuit board, the electrodes can be electrically connected by bringing the conductive particles into contact with the electrodes by heating and pressurization.

また、上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、異方性導電材料としても用いられている。   The conductive particles are dispersed in a binder resin and are also used as an anisotropic conductive material.

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献1には、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面を被覆しているニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層の表面を被覆しているはんだ層とを有する導電性粒子が開示されている。   As an example of the conductive particles, Patent Document 1 listed below includes resin particles, a nickel plating layer covering the surface of the resin particles, and a solder layer covering the surface of the nickel plating layer. Conductive particles are disclosed.

下記の特許文献2には、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に設けられた銅層とを備える導電性粒子が開示されている。特許文献2では、このような導電性粒子は、具体的な実施例では開示されていないが、対向する回路の接続において良好な電気的接続が得られることが記載されている。   Patent Literature 2 below discloses conductive particles including resin particles and a copper layer provided on the surface of the resin particles. Patent Document 2 describes that such a conductive particle is not disclosed in a specific embodiment, but a good electrical connection can be obtained in connection of opposing circuits.

特開平9−306231号公報JP-A-9-306231 特開2003−323813号公報JP 2003-323813 A

特許文献1に記載の導電性粒子では、電極間の接続時に、電極とニッケル層との間のはんだ層が十分に濡れ拡がらないことがある。このため、例えば、電極とはんだ層とが十分に接触及び接合せずに、はんだ層と電極との接続信頼性が低くなることがある。   In the conductive particles described in Patent Document 1, the solder layer between the electrode and the nickel layer may not be sufficiently wet and spread during connection between the electrodes. For this reason, for example, the connection reliability between the solder layer and the electrode may be lowered because the electrode and the solder layer are not sufficiently contacted and joined.

特許文献2に記載のように、銅層を表面に有する導電性粒子では、電極と銅層との接触面積が小さくなりやすく、銅層と電極との接続信頼性が比較的低くなりやすい。   As described in Patent Document 2, with conductive particles having a copper layer on the surface, the contact area between the electrode and the copper layer tends to be small, and the connection reliability between the copper layer and the electrode tends to be relatively low.

さらに、銅層を表面に有する導電性粒子では、導電性粒子が長期間保管されたり、導電性粒子が高温及び高湿下に晒されたりした場合に、銅層が酸化することがある。銅層が酸化した導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続すると、接続抵抗が高くなるという問題もある。   Further, in the conductive particles having a copper layer on the surface, the copper layer may be oxidized when the conductive particles are stored for a long period of time or when the conductive particles are exposed to high temperature and high humidity. If the electrodes are electrically connected using conductive particles having an oxidized copper layer, there is a problem that the connection resistance increases.

本発明の目的は、接続構造体における電極間の接続に用いた場合に、接続信頼性を高めることができる導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた異方性導電材料及び接続構造体を提供することである。   An object of the present invention is to provide conductive particles capable of improving connection reliability when used for connection between electrodes in a connection structure, and an anisotropic conductive material and a connection structure using the conductive particles. Is to provide.

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層と、該導電層の外側の表面上に配置された第1のはんだ層と、該第1のはんだ層の外側の表面上に配置された第2のはんだ層とを備え、該第1のはんだ層の融点が、上記第2のはんだ層の融点よりも低い、導電性粒子が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, base particles, a conductive layer disposed on the surface of the base particles, a first solder layer disposed on the outer surface of the conductive layer, and the first And a second solder layer disposed on the outer surface of the first solder layer, wherein the first solder layer has a melting point lower than the melting point of the second solder layer. The

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、上記導電層が、1層の構造又は2層以上の積層構造を有し、上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層の導電性が、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の導電性よりも高く、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層の導電性が、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の導電性よりも高い。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, when the conductive layer has a single-layer structure or a laminated structure of two or more layers, and the conductive layer has a single-layer structure, the conductive layer When the conductivity of the layer is higher than the conductivity of the first solder layer and the second solder layer, and the conductive layer has a laminated structure of two or more layers, the conductivity of the outermost layer of the conductive layer The conductivity is higher than the conductivity of the first solder layer and the second solder layer.

本発明に係る導電性粒子の他の特定の局面では、上記導電層が、1層の構造又は2層以上の積層構造を有し、上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層の融点が、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の融点よりも高く、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層の融点が、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の融点よりも高い。   In another specific aspect of the conductive particle according to the present invention, when the conductive layer has a single-layer structure or a laminated structure of two or more layers, and the conductive layer has a single-layer structure, When the melting point of the conductive layer is higher than the melting points of the first solder layer and the second solder layer, and the conductive layer has a laminated structure of two or more layers, the melting point of the outermost layer of the conductive layer is Higher than the melting points of the first solder layer and the second solder layer.

本発明に係る導電性粒子のさらに他の特定の局面では、上記第2のはんだ層における錫の含有量は、上記第1のはんだ層における錫の含有量よりも多い。   In still another specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the tin content in the second solder layer is greater than the tin content in the first solder layer.

本発明に係る導電性粒子の平均粒子径は0.1μm以上、50μm以下であることが好ましい。上記基材粒子は、樹脂粒子であることが好ましい。本発明に係る導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられる導電性粒子であることが好ましい。   The average particle diameter of the conductive particles according to the present invention is preferably 0.1 μm or more and 50 μm or less. The substrate particles are preferably resin particles. The conductive particles according to the present invention are preferably conductive particles used by being dispersed in a binder resin.

本発明に係る異方性導電材料は、本発明に従って構成された導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。   The anisotropic conductive material which concerns on this invention contains the electroconductive particle comprised according to this invention, and binder resin.

本発明に係る異方性導電材料のある特定の局面では、フラックスがさらに含まれている。   In a specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, a flux is further included.

本発明に係る接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、該第1,第2の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備えており、該接続部が、本発明に従って構成された導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されている。   The connection structure according to the present invention includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection part that electrically connects the first and second connection target members. The connecting portion is formed of conductive particles configured according to the present invention, or is formed of an anisotropic conductive material including the conductive particles and a binder resin.

本発明に係る導電性粒子では、基材粒子の表面上に導電層が配置されており、該導電層の外側の表面上に第1のはんだ層が配置されており、該第1のはんだ層の外側の表面上に第2のはんだ層が配置されているため、更に上記第1のはんだ層の融点が上記第2のはんだ層の融点よりも低いので、本発明に係る導電性粒子を接続構造体における電極間の接続に用いた場合に、接続信頼性を高めることができる。   In the conductive particles according to the present invention, the conductive layer is disposed on the surface of the base particle, the first solder layer is disposed on the outer surface of the conductive layer, and the first solder layer Since the second solder layer is disposed on the outer surface of the first solder layer, the melting point of the first solder layer is lower than the melting point of the second solder layer, so that the conductive particles according to the present invention are connected. When used for connection between electrodes in a structure, connection reliability can be improved.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing conductive particles according to the second embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。FIG. 3 is a front sectional view schematically showing a connection structure using an anisotropic conductive material including conductive particles and a binder resin according to the first embodiment of the present invention. 図4は、図3に示す接続構造体における導電性粒子と電極との接続部分を拡大して模式的に示す正面断面図である。FIG. 4 is a front cross-sectional view schematically showing an enlarged connection portion between conductive particles and electrodes in the connection structure shown in FIG. 3.

以下、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層と、該導電層の外側の表面上に配置された第1のはんだ層と、該第1のはんだ層の外側の表面上に配置された第2のはんだ層とを有する。上記第1のはんだ層の融点は、上記第2のはんだ層の融点よりも低い。上記導電層は、1層の構造又は2層以上の積層構造を有する。該導電層は1層の構造を有していてもよく、2層以上の積層構造を有していてもよい。すなわち、上記導電層は、単層であってもよく、多層であってもよい。   The conductive particles according to the present invention include substrate particles, a conductive layer disposed on the surface of the substrate particles, a first solder layer disposed on the outer surface of the conductive layer, and the first A second solder layer disposed on the outer surface of the one solder layer. The melting point of the first solder layer is lower than the melting point of the second solder layer. The conductive layer has a single-layer structure or a stacked structure of two or more layers. The conductive layer may have a single-layer structure or a laminated structure of two or more layers. That is, the conductive layer may be a single layer or a multilayer.

導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、電極間に導電性粒子を挟み込み、加熱及び加圧して、導電性粒子の外部から導電性粒子に熱を加える。この場合に、導電性粒子に付与された熱は、先ず第2のはんだ層に伝わり、その後第2のはんだ層を経由して第1のはんだ層に伝わる。従って、第1のはんだ層の加熱温度は、第2のはんだ層の加熱温度よりも低くなりやすい。   When connecting the electrodes using conductive particles, the conductive particles are sandwiched between the electrodes, heated and pressurized, and heat is applied to the conductive particles from the outside of the conductive particles. In this case, the heat applied to the conductive particles is first transmitted to the second solder layer, and then transmitted to the first solder layer via the second solder layer. Therefore, the heating temperature of the first solder layer tends to be lower than the heating temperature of the second solder layer.

上記導電層の外側の表面に第1,第2のはんだ層が配置されており、上記第1のはんだ層の融点が上記第2のはんだ層の融点よりも低いことによって、第1,第2のはんだ層が溶融するタイミングを近づけることができる。このため、加熱及び加圧により、はんだ層が段階的に溶融することに起因する粒子の移動を抑制できる。すなわち、導電性粒子における基材粒子と導電層との粒子部分が移動し難くなる。このため電極と導電層又は内側のはんだ層との接触部分の周囲に、外側のはんだ層が良好に濡れ拡がりやすくなり、かつ多くのはんだ層が配置されやすくなる。このため、導電性粒子と電極との接合強度が大幅に向上する。   First and second solder layers are disposed on the outer surface of the conductive layer, and the melting point of the first solder layer is lower than the melting point of the second solder layer. The timing at which the solder layer melts can be approached. For this reason, the movement of the particle | grains resulting from a solder layer melting in steps by heating and pressurization can be suppressed. That is, the particle part of the base particle and the conductive layer in the conductive particle is difficult to move. For this reason, the outer solder layer easily spreads well and the solder layer is easily disposed around the contact portion between the electrode and the conductive layer or the inner solder layer. For this reason, the bonding strength between the conductive particles and the electrode is greatly improved.

従って、本発明に係る導電性粒子を用いた接続構造体の接続信頼性を高めることができる。この結果、例えば、導電性粒子を含む異方性導電材料を電極間の接続に用いた接続構造体において、落下又は振動などの衝撃が与えられても、電極間の接続不良が生じ難くなる。   Therefore, the connection reliability of the connection structure using the conductive particles according to the present invention can be improved. As a result, for example, in a connection structure using an anisotropic conductive material containing conductive particles for connection between electrodes, even if an impact such as dropping or vibration is applied, poor connection between the electrodes hardly occurs.

これに対して、内側の第1のはんだ層と外側の第2のはんだ層との融点が同じであると、第2のはんだ層が先に溶融しており、かつ第1のはんだ層が溶融していない時間が長くなる。この結果、粒子の移動、特に基材粒子と導電層との粒子部分の移動が生じやすくなる。   On the other hand, if the melting points of the inner first solder layer and the outer second solder layer are the same, the second solder layer has melted first, and the first solder layer has melted. The time that you are not doing becomes longer. As a result, the movement of the particles, particularly the movement of the particle portion between the base particle and the conductive layer is likely to occur.

基材粒子と導電層との粒子部分の移動を抑制する効果をより一層高めるために、上記第1のはんだ層の融点は、上記第2のはんだ層の融点よりも0.1℃以上低いことが好ましく、0.5℃以上低いことがより好ましく、1℃以上低いことが更に好ましい。第1,第2のはんだ層が溶融するタイミングを近づける観点からは、上記第1のはんだ層の融点と上記第2のはんだ層の融点との差の絶対値は特に限定されないが、好ましくは50℃以下、より好ましくは30℃以下、更に好ましくは10℃以下である。   In order to further enhance the effect of suppressing the movement of the particle portion between the base particle and the conductive layer, the melting point of the first solder layer should be 0.1 ° C. or more lower than the melting point of the second solder layer. It is preferably 0.5 ° C. or lower, more preferably 1 ° C. or higher. From the viewpoint of bringing the melting timing of the first and second solder layers closer, the absolute value of the difference between the melting point of the first solder layer and the melting point of the second solder layer is not particularly limited, but preferably 50 ° C or lower, more preferably 30 ° C or lower, still more preferably 10 ° C or lower.

上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層の導電性は、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の導電性よりも高いことが好ましい。更に、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層の導電性は、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の導電性よりも高いことが好ましい。導電層(単層の場合)又は導電層の最外層(多層の場合)の導電性を、第1,第2のはんだ層の導電性よりも高くすることにより、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。本発明に係る導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続する際には、上記導電層を電極に接触させることが好ましい。一方で、上記導電層を電極に接触させなくても、上記導電層があることによって、接続抵抗は低くなる傾向がある。   When the conductive layer has a single-layer structure, the conductivity of the conductive layer is preferably higher than the conductivity of the first solder layer and the second solder layer. Furthermore, when the conductive layer has a laminated structure of two or more layers, the conductivity of the outermost layer of the conductive layer is higher than the conductivity of the first solder layer and the second solder layer. preferable. By making the conductivity of the conductive layer (in the case of a single layer) or the outermost layer of the conductive layer (in the case of a multilayer) higher than the conductivity of the first and second solder layers, the connection resistance between the electrodes can be further increased. Can be lowered. When electrically connecting between electrodes using the electroconductive particle which concerns on this invention, it is preferable to make the said electroconductive layer contact an electrode. On the other hand, even if the conductive layer is not in contact with the electrode, the presence of the conductive layer tends to reduce the connection resistance.

さらに、内層である導電層の外側の表面上に第1,第2のはんだ層が配置されていることによって、内層である導電層の酸化を防ぐことができる。このため、導電層として、比較的酸化しやすい銅層、ニッケル層又は銀層などを用いることができる。銅層、ニッケル層又は銀層などは、酸化が進行しやすい一方で、導電性が高く、電極間の接続抵抗を低くすることを可能にする。   Furthermore, the first and second solder layers are disposed on the outer surface of the inner conductive layer, thereby preventing oxidation of the inner conductive layer. For this reason, a copper layer, a nickel layer, a silver layer, or the like that is relatively easily oxidized can be used as the conductive layer. A copper layer, a nickel layer, a silver layer, or the like has high conductivity while allowing oxidation to proceed, and enables a connection resistance between electrodes to be reduced.

上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層の融点は、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の融点よりも高いことが好ましい。更に、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層の融点は、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の融点よりも高いことが好ましい。これらの場合には、導電性粒子を用いて、加熱により接続構造体における電極間を接続する場合に、第1,第2のはんだ層を導電層よりも先に溶融させることができるか、又は第1,第2のはんだ層のみを溶融させることができる。このため、導電層と電極とをより一層容易に接触させたり、第1,第2のはんだ層と電極との接触面積をより一層大きくしたりすることができ、導電性粒子による電極間の接続をより一層確実に果たすことができる。   When the conductive layer has a single layer structure, the melting point of the conductive layer is preferably higher than the melting points of the first solder layer and the second solder layer. Furthermore, when the conductive layer has a laminated structure of two or more layers, the melting point of the outermost layer of the conductive layer is preferably higher than the melting points of the first solder layer and the second solder layer. In these cases, when the conductive particles are used to connect the electrodes in the connection structure by heating, the first and second solder layers can be melted before the conductive layer, or Only the first and second solder layers can be melted. Therefore, the conductive layer and the electrode can be more easily brought into contact with each other, or the contact area between the first and second solder layers and the electrode can be further increased. Can be achieved more reliably.

上記第2のはんだ層における錫の含有量は、上記第1のはんだ層における錫の含有量よりも多いことが好ましい。この場合には、上記第2のはんだ層の融点と上記第1のはんだ層の融点とを上記関係を満たすようにすることが容易である。さらに、錫の含有量が比較的多い第2のはんだ層と電極との密着性をより一層高めることができる。従って、接続構造体における導通信頼性をより一層高くすることができる。   The tin content in the second solder layer is preferably greater than the tin content in the first solder layer. In this case, it is easy to satisfy the above relationship between the melting point of the second solder layer and the melting point of the first solder layer. Furthermore, the adhesion between the second solder layer having a relatively large tin content and the electrode can be further enhanced. Therefore, the conduction reliability in the connection structure can be further increased.

さらに、上記導電層の表面上に上記第1,第2のはんだ層が配置されていることによって、接続対象部材の電極間の仮圧着時に、導通不良が生じた場合に、接続対象部材を再剥離することも容易になる。   Furthermore, when the first and second solder layers are disposed on the surface of the conductive layer, the connection target member can be reconnected when a conduction failure occurs during temporary crimping between the electrodes of the connection target member. It becomes easy to peel off.

また、本発明に係る導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられる導電性粒子であることが好ましい。本発明に係る導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて異方性導電材料として用いられることが好ましい。該異方性導電材料を接続構造体における電極間の接続に用いた場合には、電極間の接続が容易である。例えば、接続対象部材上に設けられた電極上に導電性粒子を1個ずつ配置せずに、接続対象部材上に異方性導電材料を塗工又は積層するだけで、電極上に導電性粒子を配置できる。さらに、接続対象部材上に異方性導電材料層を形成した後、該異方性導電材料層に他の接続対象部材を電極が対向するように積層するだけで、電極間を電気的に接続できる。従って、接続対象部材の電極間が接続された接続構造体の製造効率を高めることができる。この電極間を電気的に接続する際に、導電層を電極に接触させることが好ましい。さらに、接続対象部材間には、導電性粒子だけでなくバインダー樹脂も存在するので、接続対象部材を強固に接着させることができ、接続信頼性を高めることができる。   Moreover, it is preferable that the electroconductive particle which concerns on this invention is the electroconductive particle disperse | distributed and used in binder resin. The conductive particles according to the present invention are preferably dispersed in a binder resin and used as an anisotropic conductive material. When the anisotropic conductive material is used for the connection between the electrodes in the connection structure, the connection between the electrodes is easy. For example, without disposing conductive particles one by one on the electrode provided on the connection target member, the conductive particles can be formed on the electrode by simply coating or laminating an anisotropic conductive material on the connection target member. Can be placed. Furthermore, after an anisotropic conductive material layer is formed on the connection target member, the other electrodes are stacked on the anisotropic conductive material layer so that the electrodes face each other, and the electrodes are electrically connected. it can. Therefore, the manufacturing efficiency of the connection structure in which the electrodes of the connection target members are connected can be increased. When electrically connecting the electrodes, the conductive layer is preferably brought into contact with the electrodes. Furthermore, since not only the conductive particles but also the binder resin exists between the connection target members, the connection target members can be firmly adhered, and the connection reliability can be improved.

なお、特開平9−306231号公報に記載の導電性粒子は、バインダー樹脂に分散されて用いられていない。これは、導電性粒子の粒子径が大きいので、該導電性粒子は、該導電性粒子をバインダー樹脂中に分散させて異方性導電材料として用いるには好ましくないためである。特許文献2の実施例では、粒子径が650μmの樹脂粒子の表面を導電層で被覆しており、粒子径が数百μmの導電性粒子を得ており、この導電性粒子は、バインダー樹脂と混合された異方性導電材料として用いられていない。   The conductive particles described in JP-A-9-306231 are not used by being dispersed in a binder resin. This is because the conductive particles have a large particle size, and thus the conductive particles are not preferable for dispersing the conductive particles in a binder resin and using them as an anisotropic conductive material. In the example of Patent Document 2, the surface of resin particles having a particle size of 650 μm is coated with a conductive layer, and conductive particles having a particle size of several hundreds of μm are obtained. It is not used as a mixed anisotropic conductive material.

特開平9−306231号公報では、導電性粒子を用いて接続対象部材の電極間を接続する際には、1つの電極上に1つの導電性粒子を置き、次に導電性粒子上に電極を置いた後、加熱している。加熱により、はんだ層は、溶融して電極と接合する。しかしながら、このように、電極上に導電性粒子を置く作業は煩雑である。また、接続対象部材間には、樹脂層が存在しないため、接続信頼性が低くなる傾向がある。   In JP-A-9-306231, when connecting the electrodes of the connection target member using conductive particles, one conductive particle is placed on one electrode, and then the electrode is placed on the conductive particle. After placing, it is heating. By heating, the solder layer is melted and joined to the electrode. However, the operation of placing conductive particles on the electrode is complicated. Further, since there is no resin layer between the connection target members, the connection reliability tends to be low.

(導電性粒子)
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより本発明を明らかにする。
(Conductive particles)
Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.

図1に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。   In FIG. 1, the electroconductive particle which concerns on the 1st Embodiment of this invention is shown with sectional drawing.

図1に示す導電性粒子1は、基材粒子2と、導電層3と、第1のはんだ層4と、第2のはんだ層5とを備える。第1のはんだ層4の融点は、第2のはんだ層5の融点よりも低い。   A conductive particle 1 shown in FIG. 1 includes a base particle 2, a conductive layer 3, a first solder layer 4, and a second solder layer 5. The melting point of the first solder layer 4 is lower than the melting point of the second solder layer 5.

導電層3は、基材粒子2の表面2a上に配置されている。導電層3は、基材粒子2の表面2aを被覆している。導電性粒子1では、基材粒子2の表面2a上に導電層3が直接積層されている。導電層3は1層の構造を有する。導電層3は内層である。   The conductive layer 3 is disposed on the surface 2 a of the base particle 2. The conductive layer 3 covers the surface 2 a of the base particle 2. In the conductive particle 1, the conductive layer 3 is directly laminated on the surface 2 a of the base particle 2. The conductive layer 3 has a single layer structure. The conductive layer 3 is an inner layer.

第1のはんだ層4は、導電層3の外側の表面3a上に配置されている。第1のはんだ層4は、導電層3の外側の表面3a上に直接積層されている。第1のはんだ層4は、導電層3の外側の表面3aを被覆している。第1のはんだ層4は中間層である。   The first solder layer 4 is disposed on the outer surface 3 a of the conductive layer 3. The first solder layer 4 is directly laminated on the outer surface 3 a of the conductive layer 3. The first solder layer 4 covers the outer surface 3 a of the conductive layer 3. The first solder layer 4 is an intermediate layer.

第2のはんだ層5は、第1のはんだ層4の外側の表面4a上に配置されている。第2のはんだ層5は、第1のはんだ層4の外側の表面4a上に直接積層されている。第2のはんだ層5は、第1のはんだ層4の外側の表面4aを被覆している。第2のはんだ層5は外層である。   The second solder layer 5 is disposed on the outer surface 4 a of the first solder layer 4. The second solder layer 5 is directly laminated on the outer surface 4 a of the first solder layer 4. The second solder layer 5 covers the outer surface 4 a of the first solder layer 4. The second solder layer 5 is an outer layer.

図2に、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。   In FIG. 2, the electroconductive particle which concerns on the 2nd Embodiment of this invention is shown with sectional drawing.

図2に示す導電性粒子11は、基材粒子2と、導電層12と、第1のはんだ層13と、第2のはんだ層14を備える。第1のはんだ層13の融点は、第2のはんだ層14の融点よりも低い。導電性粒子11と導電性粒子1とは、導電層のみが異なっている。   A conductive particle 11 shown in FIG. 2 includes a base particle 2, a conductive layer 12, a first solder layer 13, and a second solder layer 14. The melting point of the first solder layer 13 is lower than the melting point of the second solder layer 14. The conductive particles 11 and the conductive particles 1 differ only in the conductive layer.

導電層12は、基材粒子2の表面2a上に配置されている。導電層12は、基材粒子2の表面2aを被覆している。導電層12は、2層の構造を有し、多層である。導電層12は、内側の導電層21(第1の導電層)と、外側の導電層22(第2の導電層)とを有する。外側の導電層22は、導電層12の最外層である。   The conductive layer 12 is disposed on the surface 2 a of the base particle 2. The conductive layer 12 covers the surface 2 a of the base particle 2. The conductive layer 12 has a two-layer structure and is a multilayer. The conductive layer 12 has an inner conductive layer 21 (first conductive layer) and an outer conductive layer 22 (second conductive layer). The outer conductive layer 22 is the outermost layer of the conductive layer 12.

第1のはんだ層13は、導電層12の外側の表面12a上に配置されている。第1のはんだ層13は、導電層12の外側の表面12a上に直接積層されている。第1のはんだ層13は、導電層12の最外層である外側の導電層22の表面上に配置されている。第1のはんだ層13は、導電層12の外側の表面12a及び外側の導電層22の外側の表面を被覆している。   The first solder layer 13 is disposed on the outer surface 12 a of the conductive layer 12. The first solder layer 13 is directly laminated on the outer surface 12 a of the conductive layer 12. The first solder layer 13 is disposed on the surface of the outer conductive layer 22 that is the outermost layer of the conductive layer 12. The first solder layer 13 covers the outer surface 12 a of the conductive layer 12 and the outer surface of the outer conductive layer 22.

第2のはんだ層14は、第1のはんだ層13の外側の表面13a上に配置されている。第2のはんだ層14は、第1のはんだ層13の外側の表面13a上に直接積層されている。第2のはんだ層14は、第1のはんだ層13の外側の表面13aを被覆している。   The second solder layer 14 is disposed on the outer surface 13 a of the first solder layer 13. The second solder layer 14 is directly laminated on the outer surface 13 a of the first solder layer 13. The second solder layer 14 covers the outer surface 13 a of the first solder layer 13.

導電性粒子1,11のように、導電層は、1層の構造を有していてもよく、2層の積層構造を有していてもよい。さらに、導電層は、2層以上の積層構造を有していてもよい。   Like the conductive particles 1 and 11, the conductive layer may have a single-layer structure or a two-layer stacked structure. Furthermore, the conductive layer may have a stacked structure of two or more layers.

上記基材粒子としては、樹脂粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。   Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles.

上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。電極間を接続する際には、導電性粒子を電極間に配置した後、一般的に導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子であると、圧縮により導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。さらに、上記基材粒子が、ニッケルなどの金属又はガラスにより形成された粒子ではなく、樹脂により形成された樹脂粒子であると、導電性粒子の柔軟性を高めることができる。導電性粒子の柔軟性が高いと、導電性粒子に接触した電極の損傷を抑制できる。   The substrate particles are preferably resin particles formed of a resin. When connecting the electrodes, the conductive particles are generally compressed after the conductive particles are arranged between the electrodes. When the substrate particles are resin particles, the conductive particles are easily deformed by compression, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes can be improved. Furthermore, the flexibility of the conductive particles can be increased when the substrate particles are not particles formed of metal such as nickel or glass but resin particles formed of resin. When the flexibility of the conductive particles is high, damage to the electrode in contact with the conductive particles can be suppressed.

上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルスルホン等が挙げられる。圧縮により導電性粒子を適度に変形させることができるので、上記樹脂粒子は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体により形成されていることが好ましい。   Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resin, acrylic resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, and polyphenylene. Examples thereof include oxides, polyacetals, polyimides, polyamideimides, polyetheretherketones, and polyethersulfones. Since the conductive particles can be appropriately deformed by compression, the resin particles are formed of a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. Is preferred.

上記無機粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。   Examples of the inorganic substance for forming the inorganic particles include silica and carbon black. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。   When the substrate particles are metal particles, examples of the metal for forming the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, the substrate particles are preferably not metal particles.

上記導電層は、金属により形成されていることが好ましい。導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、錫、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム(ITO)も用いることができる。なかでも、導電性に優れることから、銅層、ニッケル層、金層、銀層及びパラジウム層が好ましい。上記金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The conductive layer is preferably made of metal. The metal which comprises a conductive layer is not specifically limited. Examples of the metal include tin, gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and alloys thereof. It is done. In addition, tin-doped indium oxide (ITO) can also be used as the metal. Especially, since it is excellent in electroconductivity, a copper layer, a nickel layer, a gold layer, a silver layer, and a palladium layer are preferable. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記基材粒子の表面上に導電層を形成する方法、導電層の表面上に第1のはんだ層を形成する方法、第1のはんだ層の表面上に第2のはんだ層を形成する方法は特に限定されない。導電層及び第1,第2のはんだ層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを樹脂粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法が好適である。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法では、例えば、シータコンポーザ等が用いられる。   A method of forming a conductive layer on the surface of the substrate particle, a method of forming a first solder layer on the surface of the conductive layer, and a method of forming a second solder layer on the surface of the first solder layer There is no particular limitation. As a method for forming the conductive layer and the first and second solder layers, for example, a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical collision, a method by mechanochemical reaction, physical vapor deposition or physical Examples thereof include a method by adsorption, and a method of coating the surface of resin particles with a metal powder or a paste containing a metal powder and a binder. Among these, a method using electroless plating, electroplating, or physical collision is preferable. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering. Further, in the method based on the physical collision, for example, a theta composer or the like is used.

本発明に係る導電性粒子では、上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層が銅層、ニッケル層又はパラジウム層であることが好ましく、銅層であることがより好ましい。また、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層が銅層、ニッケル層又はパラジウム層であることが好ましく、銅層であることがより好ましい。この場合には、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。また、これらの好ましい導電層の表面には、はんだ層をより一層容易に形成できる。   In the conductive particles according to the present invention, when the conductive layer has a single-layer structure, the conductive layer is preferably a copper layer, a nickel layer, or a palladium layer, and more preferably a copper layer. Moreover, when the said conductive layer has a laminated structure of two or more layers, it is preferable that the outermost layer of the said conductive layer is a copper layer, a nickel layer, or a palladium layer, and it is more preferable that it is a copper layer. In this case, the connection resistance between the electrodes can be further reduced. In addition, a solder layer can be more easily formed on the surface of these preferable conductive layers.

銅層、ニッケル層、金層、銀層及びパラジウム層の導電性は、第1,第2のはんだ層の導電性よりも高い。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。一方で、銅層及びニッケル層も、比較的酸化しやすい性質を有する。しかしながら、本発明に係る導電性粒子では、導電層が銅層及びニッケル層である場合に、該銅層及びニッケル層の表面上に第1,第2のはんだ層が配置されているため、銅層及びニッケル層の酸化を効果的に抑制できる。   The conductivity of the copper layer, nickel layer, gold layer, silver layer and palladium layer is higher than the conductivity of the first and second solder layers. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes can be improved. On the other hand, the copper layer and the nickel layer also have properties that are relatively easily oxidized. However, in the conductive particles according to the present invention, when the conductive layer is a copper layer and a nickel layer, the first and second solder layers are disposed on the surfaces of the copper layer and the nickel layer. The oxidation of the layer and the nickel layer can be effectively suppressed.

上記第1,第2のはんだ層を構成する錫以外の金属としては、上述した導電層を構成する金属が挙げられる。第1,第2のはんだ層は、合金であってもよい。第1,第2のはんだ層を構成する金属の具体例としては、ビスマス、銀及びインジウム等が挙げられる。第1,第2のはんだ層における錫と錫以外の金属との重量比を調整することにより、第1,第2のはんだ層の融点を調整可能である。   Examples of the metal other than tin constituting the first and second solder layers include the metal constituting the conductive layer described above. The first and second solder layers may be alloys. Specific examples of the metal constituting the first and second solder layers include bismuth, silver and indium. By adjusting the weight ratio of tin and metal other than tin in the first and second solder layers, the melting points of the first and second solder layers can be adjusted.

接続構造体における接続信頼性をより一層高める観点からは、上記第2のはんだ層における錫の含有量は、上記第1のはんだ層における錫の含有量よりも多いことが好ましく、5重量%以上多いことが好ましく、10重量%以上多いことがより好ましく、20重量%以上多いことが更に好ましい。   From the viewpoint of further improving the connection reliability in the connection structure, the tin content in the second solder layer is preferably larger than the tin content in the first solder layer, and is preferably 5% by weight or more. The amount is preferably large, more preferably 10% by weight or more, still more preferably 20% by weight or more.

接続構造体における接続信頼性をより一層高める観点からは、第2のはんだ層100重量%中、錫の含有量は、好ましくは60重量%以上、より好ましくは65重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは75重量%以下、更に好ましくは70重量%以下である。   From the viewpoint of further improving the connection reliability in the connection structure, the content of tin is preferably 60% by weight or more, more preferably 65% by weight or more, preferably 80% by weight in 100% by weight of the second solder layer. % Or less, more preferably 75% by weight or less, and still more preferably 70% by weight or less.

第1,第2のはんだ層の一例として、錫42重量%とビスマス58重量%とを含む第1のはんだ層a1を形成し、錫70重量%とビスマス30重量%とを含む第2のはんだ層a2とを形成した導電性粒子Aについて説明する。   As an example of the first and second solder layers, a first solder layer a1 containing 42% by weight of tin and 58% by weight of bismuth is formed, and a second solder containing 70% by weight of tin and 30% by weight of bismuth. The electroconductive particle A which formed the layer a2 is demonstrated.

錫42重量%とビスマス58重量%とを含む組成は、共晶組成である。導電性粒子Aでは、第1のはんだ層a1が約139℃で融解する一方で、第2のはんだ層a2は139℃を超えないと融解しない。従って、この導電性粒子Aでは、第1のはんだ層a1と第2のはんだ層a2とで融解し始める温度が異なる。一方で、導電性粒子を加熱する際には、第2のはんだ層a2の加熱温度は、第1のはんだ層a1の加熱温度よりも高くなる。この結果、第1のはんだ層の融点と第2のはんだ層の融点とが同じ場合と比べて、第1のはんだ層a1の融点が第2のはんだ層a2の融点よりも低い場合には、第1のはんだ層a1と第2のはんだ層a2が溶融するタイミングが近くなる。また、この導電性粒子Aでは、第2のはんだ層a2における錫の含有量が第1のはんだ層a1における錫の含有量よりも多いので、第2のはんだ層a2は電極と良好に密着する。   A composition containing 42 wt% tin and 58 wt% bismuth is a eutectic composition. In the conductive particles A, the first solder layer a1 melts at about 139 ° C., while the second solder layer a2 does not melt unless the temperature exceeds 139 ° C. Therefore, in this conductive particle A, the temperature at which the first solder layer a1 and the second solder layer a2 begin to melt is different. On the other hand, when the conductive particles are heated, the heating temperature of the second solder layer a2 is higher than the heating temperature of the first solder layer a1. As a result, when the melting point of the first solder layer a1 is lower than the melting point of the second solder layer a2, compared to the case where the melting point of the first solder layer and the melting point of the second solder layer are the same, The timing at which the first solder layer a1 and the second solder layer a2 melt is close. Further, in this conductive particle A, since the tin content in the second solder layer a2 is larger than the tin content in the first solder layer a1, the second solder layer a2 adheres well to the electrode. .

導電性粒子Aのように、第1,第2のはんだ層はビスマスを含むことが好ましい。導電性粒子Aのように、第1,第2のはんだ層がビスマスを含む場合には、第2のはんだ層100重量%中のビスマスの含有量は好ましくは25重量%以上、好ましくは40重量%以下であり、第1のはんだ層100重量%中のビスマスの含有量は好ましくは35重量%以上、より好ましくは55重量%以上、好ましくは60重量%未満である。但し、本発明に係る導電性粒子では、ビスマス以外の銀又はインジウム等を用いることによっても、第1,第2のはんだ層の融点は調整可能である。   Like the conductive particles A, the first and second solder layers preferably contain bismuth. When the first and second solder layers contain bismuth as in the conductive particles A, the content of bismuth in the second solder layer 100 wt% is preferably 25 wt% or more, preferably 40 wt%. The bismuth content in 100% by weight of the first solder layer is preferably 35% by weight or more, more preferably 55% by weight or more, and preferably less than 60% by weight. However, in the conductive particles according to the present invention, the melting points of the first and second solder layers can be adjusted by using silver or indium other than bismuth.

導電層及び第1,第2のはんだ層の厚みはそれぞれ、好ましくは10nm以上、より好ましくは50nm以上、更に好ましくは100nm以上、好ましくは2000nm以下、より好ましくは1000nm以下である。導電層及び第1,第2のはんだ層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。導電層及び第1,第2のはんだ層の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電層及び第1,第2のはんだ層との熱膨張率の差が小さくなり、導電層及びはんだ層の剥離が生じ難くなる。   The thicknesses of the conductive layer and the first and second solder layers are each preferably 10 nm or more, more preferably 50 nm or more, still more preferably 100 nm or more, preferably 2000 nm or less, more preferably 1000 nm or less. When the thickness of the conductive layer and the first and second solder layers is equal to or greater than the above lower limit, the conductivity is sufficiently high. When the thickness of the conductive layer and the first and second solder layers is not more than the above upper limit, the difference in thermal expansion coefficient between the substrate particles, the conductive layer, and the first and second solder layers is reduced, and the conductive layer and The solder layer is unlikely to peel off.

上記導電層の表面上に上記第1のはんだ層を形成する方法、並びに上記第1のはんだ層の表面上に第2のはんだ層を形成する方法は、物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記第1のはんだ層は、物理的な衝撃により、導電層の表面上に配置されていることが好ましく、上記第2のはんだ層は、物理的な衝撃により、第1のはんだ層の表面上に配置されていることが好ましい。   The method of forming the first solder layer on the surface of the conductive layer and the method of forming the second solder layer on the surface of the first solder layer may be a physical collision method. preferable. The first solder layer is preferably disposed on the surface of the conductive layer by physical impact, and the second solder layer is disposed on the surface of the first solder layer by physical impact. It is preferable to arrange | position.

従来、導電層の外側の表面層にはんだ層を有する導電性粒子の粒子径は、数百μm程度であった。これは、粒子径が数十μmであり、かつ表面層がはんだ層である導電性粒子を得ようとしても、はんだ層を均一に形成できなかったためである。これに対して、無電解めっき時に分散条件を最適化することによりはんだ層を形成した場合には、導電性粒子の粒子径が数十μm、特に粒子径が0.1μm以上、50μm以下の導電性粒子を得る場合であっても、導電層の表面上にはんだ層を均一に形成できる。また、シータコンポーザを用いることによっても、粒子径が50μm以下である導電性粒子を得る場合であっても、導電層の表面上にはんだ層を均一に形成できる。   Conventionally, the particle diameter of conductive particles having a solder layer on the outer surface layer of the conductive layer has been about several hundred μm. This is because the solder layer could not be formed uniformly even if conductive particles having a particle size of several tens of μm and the surface layer being a solder layer were obtained. On the other hand, when the solder layer is formed by optimizing the dispersion conditions during electroless plating, the conductive particles have a particle size of several tens of μm, in particular, conductive particles having a particle size of 0.1 μm or more and 50 μm or less. Even when obtaining conductive particles, the solder layer can be formed uniformly on the surface of the conductive layer. Further, even when a theta composer is used, even when conductive particles having a particle size of 50 μm or less are obtained, the solder layer can be uniformly formed on the surface of the conductive layer.

導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、導電層の最外層の厚みは、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、更に好ましくは25nm以上、特に好ましくは50nm以上、好ましくは1000nm以下、より好ましくは500nm以下である。導電層の最外層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。導電層の最外層の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電層の最外層との熱膨張率の差が小さくなり、導電層の最外層の剥離が生じ難くなる。   When the conductive layer has a laminated structure of two or more layers, the thickness of the outermost layer of the conductive layer is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, still more preferably 25 nm or more, particularly preferably 50 nm or more, preferably 1000 nm. Below, more preferably 500 nm or less. When the thickness of the outermost layer of the conductive layer is not less than the above lower limit, the conductivity is sufficiently high. When the thickness of the outermost layer of the conductive layer is not more than the above upper limit, the difference in the coefficient of thermal expansion between the base particles and the outermost layer of the conductive layer becomes small, and the outermost layer of the conductive layer is hardly peeled off.

上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下、更に好ましくは50μm以下、特に好ましくは40μm以下である。導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。   The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less, still more preferably 50 μm or less, and particularly preferably 40 μm or less. When the average particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrode is sufficiently large, and aggregated conductive particles are formed when the conductive layer is formed. It becomes difficult. Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive layer is difficult to peel from the surface of the base material particles.

異方性導電材料における導電性粒子に適した大きさであり、かつ電極間の間隔をより一層小さくすることができるので、導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは100μm以下、更に好ましくは50μm以下である。   Since the size is suitable for the conductive particles in the anisotropic conductive material and the distance between the electrodes can be further reduced, the average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably Is 100 μm or less, more preferably 50 μm or less.

上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The “average particle size” of the conductive particles indicates a number average particle size. The average particle diameter of the conductive particles can be obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

本発明に係る導電性粒子は、はんだ層の表面上に配置された絶縁性粒子を備えていてもよい。第2のはんだ層の表面上に配置された絶縁性粒子は、複数であることが好ましい。   The electroconductive particle which concerns on this invention may be equipped with the insulating particle arrange | positioned on the surface of a solder layer. It is preferable that the number of insulating particles arranged on the surface of the second solder layer is plural.

絶縁性粒子を備えた導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性粒子が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子におけるはんだ層と電極との間の絶縁性粒子を容易に排除できる。   When the conductive particles including the insulating particles are used for connection between the electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are in contact with each other, the insulating particles are present between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between electrodes adjacent in the lateral direction instead of between the upper and lower electrodes. It should be noted that insulating particles between the solder layer and the electrodes in the conductive particles can be easily eliminated by pressurizing the conductive particles with the two electrodes when connecting the electrodes.

上記絶縁性粒子を構成する絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。   Specific examples of the insulating resin constituting the insulating particles include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked thermoplastic resins, and thermosetting. Resin, water-soluble resin, and the like.

上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート及びポリブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。   Examples of the polyolefins include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. As said thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, etc. are mentioned. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, and methyl cellulose. Of these, water-soluble resins are preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.

上記はんだ層の表面に絶縁性粒子を付着させる方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリタイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁性粒子が脱離し難いことから、上記はんだ層の表面に、化学結合を介して絶縁性粒子を付着させる方法が好ましい。   Examples of the method for attaching insulating particles to the surface of the solder layer include a chemical method and a physical or mechanical method. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, and an emulsion polymerization method. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic adhesion, spraying, dipping, and vacuum deposition. In particular, since the insulating particles are difficult to be detached, a method in which the insulating particles are attached to the surface of the solder layer via a chemical bond is preferable.

(異方性導電材料)
本発明に係る異方性導電材料は、バインダー樹脂と、上述した導電性粒子とを含む。すなわち、本発明に係る異方性導電材料に含まれている導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層と、該導電層の表面上に配置された第1のはんだ層と、第1のはんだ層の外側の表面上に配置された第2のはんだ層とを備える。上記第1のはんだ層の融点は、上記第2のはんだ層の融点よりも低い。
(Anisotropic conductive material)
The anisotropic conductive material according to the present invention includes a binder resin and the above-described conductive particles. That is, the conductive particles contained in the anisotropic conductive material according to the present invention include base particles, a conductive layer disposed on the surface of the base particles, and a surface of the conductive layer. A first solder layer and a second solder layer disposed on the outer surface of the first solder layer. The melting point of the first solder layer is lower than the melting point of the second solder layer.

本発明に係る異方性導電材料は、液状であることが好ましく、異方性導電ペーストであることが好ましい。   The anisotropic conductive material according to the present invention is preferably in a liquid state and is preferably an anisotropic conductive paste.

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、例えば、絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, for example, an insulating resin is used. Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. As for the said binder resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ビニル樹脂の具体例としては、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂の具体例としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体の具体例としては、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーの具体例としては、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。   Specific examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Specific examples of the thermoplastic resin include polyolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer and polyamide resin. Specific examples of the curable resin include epoxy resins, urethane resins, polyimide resins and unsaturated polyester resins. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. Specific examples of the thermoplastic block copolymer include styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, hydrogenated product of styrene-butadiene-styrene block copolymer, and styrene- Examples include hydrogenated products of isoprene-styrene block copolymers. Specific examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

上記バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂であることが好ましい。この場合には、電極間を電気的に接続する際の加熱により、導電性粒子のはんだ層を溶融させるとともに、バインダー樹脂を硬化させることができる。このため、はんだ層又は導電層による電極間の接続と、バインダー樹脂による接続対象部材の接続とを同時に行うことができる。   The binder resin is preferably a thermosetting resin. In this case, by heating at the time of electrically connecting the electrodes, the solder layer of conductive particles can be melted and the binder resin can be cured. For this reason, the connection between electrodes by a solder layer or a conductive layer and the connection of the connection object member by binder resin can be performed simultaneously.

本発明に係る異方性導電材料は、バインダー樹脂を硬化させるために、硬化剤を含むことが好ましい。   The anisotropic conductive material according to the present invention preferably contains a curing agent in order to cure the binder resin.

上記硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物硬化剤等が挙げられる。硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The said hardening | curing agent is not specifically limited. Examples of the curing agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, and acid anhydride curing agents. As for a hardening | curing agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

本発明に係る異方性導電材料は、フラックスをさらに含むことが好ましい。フラックスの使用により、はんだ層の表面に酸化被膜が形成され難くなり、さらに、はんだ層又は電極表面に形成された酸化被膜を効果的に除去できる。   The anisotropic conductive material according to the present invention preferably further contains a flux. By using the flux, it becomes difficult to form an oxide film on the surface of the solder layer, and the oxide film formed on the surface of the solder layer or the electrode can be effectively removed.

上記フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。フラックスは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for soldering or the like can be used. Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an organic acid, and pine resin. Is mentioned. Only 1 type of flux may be used and 2 or more types may be used together.

上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びヒドラジン等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、松脂であることが好ましい。松脂の使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。   Examples of the molten salt include ammonium chloride. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, and hydrazine. Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin. The flux is preferably rosin. By using rosin, the connection resistance between the electrodes is further reduced.

上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。   The rosin is a rosin composed mainly of abietic acid. The flux is preferably rosins, and more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the connection resistance between the electrodes can be further reduced.

上記フラックスは、バインダー樹脂中に分散されていてもよく、導電性粒子の表面上に付着していてもよい。   The said flux may be disperse | distributed in binder resin and may adhere on the surface of electroconductive particle.

本発明に係る異方性導電材料は、フラックスの活性度を調整するために、塩基性有機化合物を含んでいてもよい。上記塩基性有機化合物としては、塩酸アニリン及び塩酸ヒドラジン等が挙げられる。   The anisotropic conductive material according to the present invention may contain a basic organic compound in order to adjust the activity of the flux. Examples of the basic organic compound include aniline hydrochloride and hydrazine hydrochloride.

異方性導電材料の保管時に、導電性粒子の沈降をより一層抑制する観点からは、異方性導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは50重量%以上、更に好ましくは80重量%以上、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子の沈降がより一層生じ難くなり、かつ異方性導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性をより一層高めることができる。   From the viewpoint of further suppressing sedimentation of the conductive particles during storage of the anisotropic conductive material, the content of the binder resin is preferably 30% by weight or more, more preferably in 100% by weight of the anisotropic conductive material. It is 50% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, preferably 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the sedimentation of the conductive particles is less likely to occur, and the connection reliability of the connection target member connected by the anisotropic conductive material is further increased. Can be increased.

硬化剤を用いる場合には、上記バインダー樹脂100重量部に対して、上記硬化剤の含有量は好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.1重量部以上、好ましくは100重量部以下、より好ましくは50重量部以下である。上記硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記バインダー樹脂を十分に硬化させることができ、更に硬化後に硬化剤に由来する残渣が生じ難くなる。   When a curing agent is used, the content of the curing agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the binder resin. More preferably, it is 50 parts by weight or less. When the content of the curing agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the binder resin can be sufficiently cured, and a residue derived from the curing agent is less likely to occur after curing.

異方性導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、好ましくは20重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子の沈降がより一層生じ難くなり、かつ電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   In 100% by weight of the anisotropic conductive material, the content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, and preferably 20% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are more unlikely to settle and the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

異方性導電材料100重量%中、フラックスの含有量は0重量%以上、好ましくは0.5重量%以上、好ましくは30重量%以下、より好ましくは25重量%以下である。異方性導電材料は、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ層の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ層又は電極表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。   In 100% by weight of the anisotropic conductive material, the content of the flux is 0% by weight or more, preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less. The anisotropic conductive material may not contain a flux. When the flux content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, an oxide film is more difficult to be formed on the surface of the solder layer, and the oxide film formed on the solder layer or the electrode surface is more effective. Can be removed.

本発明に係る異方性導電材料は、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤又は難燃剤等の各種添加剤をさらに含んでいてもよい。   The anisotropic conductive material according to the present invention includes, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, Various additives such as a lubricant, an antistatic agent or a flame retardant may be further contained.

上記バインダー樹脂中に導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ特に限定されない。上記バインダー樹脂中に導電性粒子を分散させる方法としては、例えば、バインダー樹脂中に導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、バインダー樹脂中へ添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、並びにバインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法等が挙げられる。   The method for dispersing the conductive particles in the binder resin is not particularly limited, and a conventionally known dispersion method can be used. Examples of the method for dispersing the conductive particles in the binder resin include, for example, a method in which the conductive particles are added to the binder resin and then kneaded and dispersed with a planetary mixer or the like. The conductive particles are dispersed in water or an organic solvent. After uniformly dispersing using a homogenizer, etc., adding into a binder resin, kneading and dispersing with a planetary mixer, etc., and after diluting the binder resin with water or an organic solvent, the conductive particles are The method of adding, kneading | mixing with a planetary mixer etc., and dispersing is mentioned.

本発明に係る異方性導電材料は、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤、異方性導電フィルム、又は異方性導電シート等として使用できる。本発明の導電性粒子を含む異方性導電材料が、異方性導電フィルム又は異方性導電シート等のフィルム状の接着剤として使用される場合には、該導電性粒子を含むフィルム状の接着剤に、導電性粒子を含まないフィルム状の接着剤が積層されていてもよい。ただし、上述のように、本発明に係る異方性導電材料は、液状であることが好ましく、異方性導電ペーストであることが好ましい。   The anisotropic conductive material according to the present invention can be used as an anisotropic conductive paste, anisotropic conductive ink, anisotropic conductive adhesive, anisotropic conductive film, or anisotropic conductive sheet. When the anisotropic conductive material containing the conductive particles of the present invention is used as a film-like adhesive such as an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive sheet, the film-like shape containing the conductive particles is used. A film-like adhesive that does not contain conductive particles may be laminated on the adhesive. However, as described above, the anisotropic conductive material according to the present invention is preferably in a liquid state, and is preferably an anisotropic conductive paste.

(接続構造体)
本発明に係る異方性導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure)
A connection structure can be obtained by connecting the connection target members using the anisotropic conductive material according to the present invention.

上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、該第1,第2の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備えており、該接続部が本発明に係る導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されていることが好ましい。上記接続部は、上記異方性導電材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。   The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion that electrically connects the first and second connection target members. The part is preferably formed of conductive particles according to the present invention, or formed of an anisotropic conductive material containing the conductive particles and a binder resin. It is preferable that the connection portion is formed by curing the anisotropic conductive material.

図3に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を含む異方性導電材料を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。   FIG. 3 is a front sectional view schematically showing a connection structure using an anisotropic conductive material including conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図3に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を電気的に接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図3では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。   A connection structure 51 shown in FIG. 3 includes a first connection target member 52, a second connection target member 53, and a connection portion that electrically connects the first and second connection target members 52 and 53. 54. The connection portion 54 is formed by curing an anisotropic conductive material including the conductive particles 1 and the binder resin. In FIG. 3, the conductive particles 1 are schematically shown for convenience of illustration.

第1の接続対象部材52の上面52aには、複数の電極52bが設けられている。第2の接続対象部材53の下面53aには、複数の電極53bが設けられている。電極52bと電極53bとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。   A plurality of electrodes 52 b are provided on the upper surface 52 a of the first connection target member 52. A plurality of electrodes 53 b are provided on the lower surface 53 a of the second connection target member 53. The electrode 52 b and the electrode 53 b are electrically connected by one or a plurality of conductive particles 1. Therefore, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1.

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記異方性導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。加熱及び加圧により、導電性粒子1の第1,第2のはんだ層4,5が溶融して、該導電性粒子1により電極52b,53b間が電気的に接続される。このとき、導電層3を電極52b,53bに接触させることが好ましい。バインダー樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、バインダー樹脂が硬化して、硬化したバインダー樹脂により第1,第2の接続対象部材52,53が接続される。   The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of the manufacturing method of the connection structure, the anisotropic conductive material is disposed between the first connection target member and the second connection target member to obtain a laminate, and then the laminate is heated. And a method of applying pressure. By heating and pressing, the first and second solder layers 4 and 5 of the conductive particles 1 are melted, and the electrodes 52 b and 53 b are electrically connected by the conductive particles 1. At this time, the conductive layer 3 is preferably brought into contact with the electrodes 52b and 53b. When the binder resin is a thermosetting resin, the binder resin is cured, and the first and second connection target members 52 and 53 are connected by the cured binder resin.

上記加圧の圧力は9.8〜10〜4.9×10Pa程度である。上記加熱の温度は、120〜220℃程度である。 The pressure of the said pressurization is about 9.8-10 < 4 > -4.9 * 10 < 6 > Pa. The temperature of the said heating is about 120-220 degreeC.

図4に、図3に示す接続構造体51における導電性粒子1と電極52b,53bとの接続部分を拡大して正面断面図で示す。図4に示すように、接続構造体51では、上記積層体を加熱及び加圧することにより、導電性粒子1の第1,第2のはんだ層4,5が溶融した後、溶融したはんだ層部分Xが電極52b,53bと十分に接触する。特に、第1のはんだ層4の融点が第2のはんだ層5の融点よりも低いので、導電層3と電極52b,53bとの間の第2のはんだ層5が短期間で効果的に濡れ拡がりかつ排除される。この結果、導電性粒子1における基材粒子2と導電層3との粒子部分の横方向への移動が生じ難くなる。この結果、導電性粒子1と電極52b,53bとの接触部分の周囲に第1,第2のはんだ層4,5を多くかつより一層確実に存在させることができ、良好なフィレットを形成することができる。このため、接続構造体51の接続信頼性を高めることができる。また、導電層3を電極52b,53bに接触させることにより、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。なお、加熱により、一般にフラックスは次第に失活する。   FIG. 4 is an enlarged front sectional view of a connection portion between the conductive particles 1 and the electrodes 52b and 53b in the connection structure 51 shown in FIG. As shown in FIG. 4, in the connection structure 51, after the first and second solder layers 4 and 5 of the conductive particles 1 are melted by heating and pressurizing the laminated body, the melted solder layer portion. X is in sufficient contact with the electrodes 52b and 53b. In particular, since the melting point of the first solder layer 4 is lower than the melting point of the second solder layer 5, the second solder layer 5 between the conductive layer 3 and the electrodes 52b and 53b is effectively wetted in a short period of time. Spread and eliminated. As a result, the movement of the particle portions of the base particle 2 and the conductive layer 3 in the conductive particle 1 in the lateral direction is less likely to occur. As a result, the first and second solder layers 4 and 5 can be present more and more reliably around the contact portion between the conductive particles 1 and the electrodes 52b and 53b, and a good fillet can be formed. Can do. For this reason, the connection reliability of the connection structure 51 can be improved. Moreover, the connection resistance between electrodes can be made still lower by making the conductive layer 3 contact the electrodes 52b and 53b. In general, the flux is gradually deactivated by heating.

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板等が挙げられる。   Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and circuit boards such as printed boards, flexible printed boards, and glass boards.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。   Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the metal oxide include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

(実施例1)
(1)導電性粒子の作製
平均粒子径20μmのジビニルベンゼン樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−220」)を無電解銅めっきし、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの下地銅めっき層を形成し、粒子Xを得た。その後、シータコンポーザ(徳寿工作所社製)を用いて、得られた粒子Xの銅層の表面上で、はんだ微粉末(錫42重量%とビスマス58重量%とを含む、平均粒子径200nm)を溶融させて、銅層の表面上に厚み1μmの第1のはんだ層を形成した。次に、シータコンポーザ(徳寿工作所社製)を用いて、得られた第1のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末(錫70重量%とビスマス30重量%とを含む、平均粒子径200nm)を溶融させて、第1のはんだ層の表面上に厚み1μmの第2のはんだ層を形成した。
Example 1
(1) Production of conductive particles Electroless copper plating of divinylbenzene resin particles (“Micropearl SP-220” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having an average particle diameter of 20 μm and a base copper plating of 1 μm thickness on the surface of the resin particles A layer was formed and particles X were obtained. Thereafter, using a theta composer (manufactured by Tokuju Kogakusha Co., Ltd.), fine powder of solder (containing 42% by weight of tin and 58% by weight of bismuth and having an average particle diameter of 200 nm) on the surface of the copper layer of the obtained particles X Was melted to form a first solder layer having a thickness of 1 μm on the surface of the copper layer. Next, using a theta composer (manufactured by Tokuju Kogakusha Co., Ltd.), on the surface of the obtained first solder layer, an average particle diameter of 200 nm containing fine solder powder (70% by weight of tin and 30% by weight of bismuth) ) Was melted to form a second solder layer having a thickness of 1 μm on the surface of the first solder layer.

このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面上に厚み1μmの第1のはんだ層(錫を42重量%含む)が形成されており、第1のはんだ層の表面上に厚み1μmの第2のはんだ層(錫を70重量%含む)が形成されている導電性粒子を作製した。得られた導電性粒子では、導電層である銅層の融点は、第1,第2のはんだ層の融点よりも高い。第1のはんだ層の融点は、第2のはんだ層の融点よりも45℃低く、融点の差の絶対値は45℃である。   In this way, a 1 μm thick copper layer is formed on the surface of the resin particles, and a 1 μm thick first solder layer (containing 42 wt% tin) is formed on the surface of the copper layer. Then, conductive particles were produced in which a second solder layer (containing 70 wt% tin) having a thickness of 1 μm was formed on the surface of the first solder layer. In the obtained conductive particles, the melting point of the copper layer as the conductive layer is higher than the melting points of the first and second solder layers. The melting point of the first solder layer is 45 ° C. lower than the melting point of the second solder layer, and the absolute value of the difference between the melting points is 45 ° C.

(2)異方性導電材料の作製
バインダー樹脂であるTEPIC−PAS B22(日産化学工業社製、比重1.4)100重量部、硬化剤であるTEP−2E4MZ(日本曹達社製)15重量部と、弱活性ロジン5重量部とを配合し、さらに作製直後の導電性粒子10重量部を添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、異方性導電ペーストである異方性導電材料を得た。
(2) Production of anisotropic conductive material 100 parts by weight of TEPIC-PAS B22 (manufactured by Nissan Chemical Industries, specific gravity 1.4) which is a binder resin, 15 parts by weight of TEP-2E4MZ (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) which is a curing agent And 5 parts by weight of weakly active rosin, and after adding 10 parts by weight of the conductive particles immediately after production, the mixture is stirred for 5 minutes at 2000 rpm using a planetary stirrer to produce an anisotropic conductive paste. An anisotropic conductive material was obtained.

(実施例2)
樹脂粒子を、平均粒子径30μmのジビニルベンゼン樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパール−SP230」)に変更したこと、電解銅めっきにより形成した銅層の厚みを1μmから2.5μmに変更したこと、第1のはんだ層を形成するためのはんだ微粉末の使用量を増やして第1のはんだ層の厚みを1μmから2.5μmに変更したこと、並びに第2のはんだ層を形成するためのはんだ微粉末の使用量を増やして第2のはんだ層の厚みを1μmから2.5μmに変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子及び異方性導電材料を得た。
(Example 2)
The resin particles were changed to divinylbenzene resin particles (“Micropearl-SP230” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having an average particle diameter of 30 μm, and the thickness of the copper layer formed by electrolytic copper plating was changed from 1 μm to 2.5 μm. The amount of solder fine powder used to form the first solder layer is increased to change the thickness of the first solder layer from 1 μm to 2.5 μm, and the second solder layer is formed. Conductive particles and an anisotropic conductive material were obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of the solder fine powder was increased and the thickness of the second solder layer was changed from 1 μm to 2.5 μm.

(実施例3)
第1のはんだ層を形成するためのはんだ微粉末(錫42重量%とビスマス58重量%とを含む、平均粒子径200nm)を、はんだ微粉末(錫65重量%とビスマス35重量%とを含む、平均粒子径200nm)に変更したこと、並びに第2のはんだ層を形成するためのはんだ微粉末(錫70重量%とビスマス30重量%とを含む、平均粒子径200nm)を、はんだ微粉末(錫75重量%とビスマス25重量%とを含む、平均粒子径200nm)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子及び異方性導電材料を得た。なお、導電層である銅層の融点は、第1,第2のはんだ層の融点よりも高い。第1のはんだ層の融点は、第2のはんだ層の融点よりも30℃低く、融点の差の絶対値は30℃である。
(Example 3)
Solder fine powder (containing 42% by weight of tin and 58% by weight of bismuth and having an average particle diameter of 200 nm) for forming the first solder layer, and containing fine powder of solder (65% by weight of tin and 35% by weight of bismuth) And the solder fine powder (average particle diameter 200 nm containing 70% by weight of tin and 30% by weight of bismuth) for forming the second solder layer, Conductive particles and an anisotropic conductive material were obtained in the same manner as in Example 1 except that the average particle size was changed to 75% by weight of tin and 25% by weight of bismuth. Note that the melting point of the copper layer as the conductive layer is higher than the melting points of the first and second solder layers. The melting point of the first solder layer is 30 ° C. lower than the melting point of the second solder layer, and the absolute value of the difference between the melting points is 30 ° C.

(実施例4)
平均粒子径20μmのジビニルベンゼン樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−220」)を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚み0.3μmの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解ニッケルめっきし、厚み1μmのニッケル層を形成して、粒子Yを得た。その後、シータコンポーザ(徳寿工作所社製)を用いて、得られた粒子Yのニッケル層の表面上で、はんだ微粉末(錫42重量%とビスマス58重量%とを含む、平均粒子径200nm)を溶融させて、銅層の表面上に厚み1μmの第1のはんだ層を形成した。次に、シータコンポーザ(徳寿工作所社製)を用いて、得られた第1のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末(錫70重量%とビスマス30重量%とを含む、平均粒子径200nm)を溶融させて、第1のはんだ層の表面上に厚み1μmの第2のはんだ層を形成した。
Example 4
Divinylbenzene resin particles having an average particle diameter of 20 μm (“Micropearl SP-220” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were subjected to electroless nickel plating to form a base nickel plating layer having a thickness of 0.3 μm on the surface of the resin particles. Next, the resin particles on which the base nickel plating layer was formed were subjected to electrolytic nickel plating to form a nickel layer having a thickness of 1 μm, whereby particles Y were obtained. Thereafter, using a theta composer (manufactured by Tokuju Kogakusha Co., Ltd.), on the surface of the nickel layer of the obtained particle Y, solder fine powder (average particle diameter of 200 nm containing 42 wt% tin and 58 wt% bismuth) Was melted to form a first solder layer having a thickness of 1 μm on the surface of the copper layer. Next, using a theta composer (manufactured by Tokuju Kogakusha Co., Ltd.), on the surface of the obtained first solder layer, an average particle diameter of 200 nm containing fine solder powder (70% by weight of tin and 30% by weight of bismuth) ) Was melted to form a second solder layer having a thickness of 1 μm on the surface of the first solder layer.

このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmのニッケル層が形成されており、該ニッケル層の表面上に厚み1μmの第1のはんだ層(錫を42重量%含む)が形成されており、第1のはんだ層の表面上に厚み1μmの第2のはんだ層(錫を70重量%含む)が形成されている導電性粒子を作製した。得られた導電性粒子では、導電層であるニッケル層の融点は、第1,第2のはんだ層の融点よりも高い。   Thus, a nickel layer having a thickness of 1 μm is formed on the surface of the resin particles, and a first solder layer having a thickness of 1 μm (containing 42 wt% tin) is formed on the surface of the nickel layer. Then, conductive particles were produced in which a second solder layer (containing 70 wt% tin) having a thickness of 1 μm was formed on the surface of the first solder layer. In the obtained conductive particles, the melting point of the nickel layer as the conductive layer is higher than the melting points of the first and second solder layers.

(比較例1)
はんだ粒子(錫:ビスマス=43重量%:57重量%、平均粒子径15μm)を用意した。上記はんだ粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電材料を得た。
(Comparative Example 1)
Solder particles (tin: bismuth = 43 wt%: 57 wt%, average particle diameter of 15 μm) were prepared. An anisotropic conductive material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the solder particles were used.

(比較例2)
実施例1で得られた粒子Xを用意した。シータコンポーザ(徳寿工作所社製)を用いて、得られた粒子の銅層の表面上で、はんだ微粉末(錫42重量%とビスマス58重量%とを含む、平均粒子径200nm)を溶融させて、銅層の表面上に厚み2μmのはんだ層を形成した。
(Comparative Example 2)
The particles X obtained in Example 1 were prepared. Using theta composer (manufactured by Tokuju Kogakusha Co., Ltd.), solder fine powder (containing 42% by weight of tin and 58% by weight of bismuth and having an average particle size of 200 nm) is melted on the surface of the copper layer of the obtained particles. Then, a 2 μm thick solder layer was formed on the surface of the copper layer.

このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面上に厚み2μmのはんだ層(単層、錫を42重量%含む)が形成されている導電性粒子を作製した。得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電材料を得た。   Thus, a 1 μm-thick copper layer is formed on the surface of the resin particles, and a 2 μm-thick solder layer (single layer, containing 42% by weight of tin) is formed on the surface of the copper layer. Conductive particles were produced. An anisotropic conductive material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.

(比較例3)
実施例4で得られた粒子Yを用意した。シータコンポーザ(徳寿工作所社製)を用いて、得られた粒子のニッケル層の表面上で、はんだ微粉末(錫42重量%とビスマス58重量%とを含む、平均粒子径200nm)を溶融させて、ニッケル層の表面上に厚み2μmのはんだ層を形成した。
(Comparative Example 3)
The particles Y obtained in Example 4 were prepared. Using a theta composer (manufactured by Tokuju Kogakusha Co., Ltd.), solder fine powder (containing 42% by weight of tin and 58% by weight of bismuth and having an average particle diameter of 200 nm) is melted on the surface of the nickel layer of the obtained particles. Then, a 2 μm thick solder layer was formed on the surface of the nickel layer.

このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmのニッケル層が形成されており、該ニッケル層の表面上に厚み2μmのはんだ層(単層、錫を42重量%含む)が形成されている導電性粒子を作製した。得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電材料を得た。   In this way, a nickel layer having a thickness of 1 μm is formed on the surface of the resin particle, and a solder layer having a thickness of 2 μm (single layer, containing 42% by weight of tin) is formed on the surface of the nickel layer. Conductive particles were produced. An anisotropic conductive material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.

(評価)
(1)接続構造体の作製
L/Sが200μm/200μmの金電極パターンが上面に形成されたFR−4基板を用意した。また、L/Sが200μm/200μmの金電極パターンが下面に形成されたポリイミド基板(フレキシブル基板)を用意した。
(Evaluation)
(1) Production of Connection Structure An FR-4 substrate having a gold electrode pattern with an L / S of 200 μm / 200 μm formed on the upper surface was prepared. In addition, a polyimide substrate (flexible substrate) having a gold electrode pattern with L / S of 200 μm / 200 μm formed on the lower surface was prepared.

上記FR−4基板の上面に、得られた異方性導電材料を撹拌してから、異方性導電材料に含まれている導電性粒子の平均粒子径の2倍の厚みとなるように塗工し、異方性導電材料層を形成した。   After stirring the obtained anisotropic conductive material on the upper surface of the FR-4 substrate, it is applied so that the thickness is twice the average particle diameter of the conductive particles contained in the anisotropic conductive material. And an anisotropic conductive material layer was formed.

次に、異方性導電材料層の上面にポリイミド基板(フレキシブル基板)を、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電材料層の温度が185℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、2.0MPaの圧力をかけて、異方性導電材料層を185℃で硬化させて、接続構造体を得た。   Next, a polyimide substrate (flexible substrate) was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive material layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive material layer is 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 2.0 MPa is applied to apply the anisotropic conductive material. The material layer was cured at 185 ° C. to obtain a connection structure.

(2)上下の電極間の導通試験
得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、4端子法により測定した。2つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。接続抵抗の平均値が2.0Ω以下である場合を「○」、接続抵抗の平均値が2Ωを超える場合を「×」として結果を下記の表1に示した。
(2) Conduction test between upper and lower electrodes The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained connection structure was measured by a four-terminal method. The average value of the two connection resistances was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The results are shown in Table 1 below, where “◯” indicates that the average value of the connection resistance is 2.0Ω or less and “X” indicates that the average value of the connection resistance exceeds 2Ω.

(3)接続信頼性A(移動した痕跡がある導電性粒子の割合)
得られた接続構造体を断面観察することにより、上下の電極間に挟まれた100個の導電性粒子について、はんだ層の溶融に伴って導電性粒子が横方向に移動した痕跡があるか否かを評価した。なお、移動した痕跡がある導電性粒子に関しては、該導電性粒子と電極との接触部分に存在するはんだ層の量が少ない。
(3) Connection reliability A (percentage of conductive particles with traces moved)
By observing the cross section of the obtained connection structure, it is confirmed whether or not there are traces of the conductive particles moving laterally with the melting of the solder layer with respect to 100 conductive particles sandwiched between the upper and lower electrodes. Was evaluated. In addition, regarding the electroconductive particle with the trace which moved, there is little quantity of the solder layer which exists in the contact part of this electroconductive particle and an electrode.

[接続信頼性Aの判定基準]
○:移動した痕跡がある導電性粒子の割合が50%未満
×:移動した痕跡がある導電性粒子の割合が50%以上
[Criteria for connection reliability A]
○: Ratio of conductive particles with traces of movement is less than 50% ×: Ratio of conductive particles with traces of movement is 50% or more

(4)接続信頼性B(耐衝撃試験)
得られた接続構造体を高さ70cmの位置から落下させて各半田接合部の導通を確認することにより耐衝撃性の評価を行った。初期抵抗値からの抵抗値の上昇率が50%以下の場合を「○」、初期抵抗値からの抵抗値の上昇率が50%を超える場合を「×」として結果を下記の表1に示した。
(4) Connection reliability B (impact resistance test)
The obtained connection structure was dropped from a position with a height of 70 cm, and the impact resistance was evaluated by confirming the continuity of each solder joint. The results are shown in Table 1 below where “○” indicates that the rate of increase in resistance value from the initial resistance value is 50% or less, and “X” indicates that the rate of increase in resistance value from the initial resistance value exceeds 50%. It was.

結果を下記の表1に示す。   The results are shown in Table 1 below.

Figure 2012155952
Figure 2012155952

なお、実施例1〜4で得られた異方性導電材料を用いた接続構造体では、第1,第2のはんだ層が溶融した後、固化しており、導電層と電極が接触していた。   In the connection structure using the anisotropic conductive material obtained in Examples 1 to 4, the first and second solder layers are solidified after being melted, and the conductive layer and the electrode are in contact with each other. It was.

1…導電性粒子
2…基材粒子
2a…表面
3…導電層
3a…表面
4…第1のはんだ層
4a…外側の表面
5…第2のはんだ層
11…導電性粒子
12…導電層
12a…表面
13…第1のはんだ層
13a…外側の表面
14…第2のはんだ層
21…内側の導電層
22…外側の導電層
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…上面
52b…電極
53…第2の接続対象部材
53a…下面
53b…電極
54…接続部
X…溶融したはんだ層部分
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Conductive particle 2 ... Base particle 2a ... Surface 3 ... Conductive layer 3a ... Surface 4 ... 1st solder layer 4a ... Outer surface 5 ... 2nd solder layer 11 ... Conductive particle 12 ... Conductive layer 12a ... Surface 13 ... first solder layer 13a ... outer surface 14 ... second solder layer 21 ... inner conductive layer 22 ... outer conductive layer 51 ... connection structure 52 ... first connection target member 52a ... upper surface 52b ... Electrode 53 ... second connection target member 53a ... lower surface 53b ... electrode 54 ... connection portion X ... molten solder layer portion

Claims (10)

基材粒子と、
前記基材粒子の表面上に配置された導電層と、
前記導電層の外側の表面上に配置された第1のはんだ層と、
前記第1のはんだ層の外側の表面上に配置された第2のはんだ層とを備え、
前記第1のはんだ層の融点が、前記第2のはんだ層の融点よりも低い、導電性粒子。
Substrate particles,
A conductive layer disposed on the surface of the substrate particles;
A first solder layer disposed on an outer surface of the conductive layer;
A second solder layer disposed on an outer surface of the first solder layer,
Conductive particles in which the melting point of the first solder layer is lower than the melting point of the second solder layer.
前記導電層が、1層の構造又は2層以上の積層構造を有し、
前記導電層が1層の構造を有する場合には、前記導電層の導電性が、前記第1のはんだ層及び前記第2のはんだ層の導電性よりも高く、
前記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、前記導電層の最外層の導電性が、前記第1のはんだ層及び前記第2のはんだ層の導電性よりも高い、請求項1に記載の導電性粒子。
The conductive layer has a one-layer structure or a laminated structure of two or more layers,
When the conductive layer has a single-layer structure, the conductivity of the conductive layer is higher than the conductivity of the first solder layer and the second solder layer,
2. When the conductive layer has a laminated structure of two or more layers, the conductivity of the outermost layer of the conductive layer is higher than the conductivity of the first solder layer and the second solder layer. The electroconductive particle as described in.
前記導電層が、1層の構造又は2層以上の積層構造を有し、
前記導電層が1層の構造を有する場合には、前記導電層の融点が、前記第1のはんだ層及び前記第2のはんだ層の融点よりも高く、
前記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、前記導電層の最外層の融点が、前記第1のはんだ層及び前記第2のはんだ層の融点よりも高い、請求項1又は2に記載の導電性粒子。
The conductive layer has a one-layer structure or a laminated structure of two or more layers,
When the conductive layer has a single layer structure, the melting point of the conductive layer is higher than the melting points of the first solder layer and the second solder layer,
3. The melting point of the outermost layer of the conductive layer is higher than the melting points of the first solder layer and the second solder layer when the conductive layer has a laminated structure of two or more layers. The electroconductive particle as described in.
前記第2のはんだ層における錫の含有量が、前記第1のはんだ層における錫の含有量よりも多い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性粒子。   4. The conductive particle according to claim 1, wherein a content of tin in the second solder layer is higher than a content of tin in the first solder layer. 平均粒子径が0.1μm以上、50μm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-4 whose average particle diameter is 0.1 micrometer or more and 50 micrometers or less. 前記基材粒子が樹脂粒子である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-5 whose said base material particle is a resin particle. バインダー樹脂中に分散されて用いられる導電性粒子である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-6 which is the electroconductive particle disperse | distributed and used in binder resin. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、異方性導電材料。   An anisotropic conductive material containing the electroconductive particle of any one of Claims 1-6, and binder resin. フラックスをさらに含む、請求項8に記載の異方性導電材料。   The anisotropic conductive material according to claim 8, further comprising a flux. 第1の接続対象部材と、
第2の接続対象部材と、
前記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されている、接続構造体。
A first connection target member;
A second connection target member;
A connecting portion electrically connecting the first and second connection target members;
The connection portion is formed of the conductive particles according to any one of claims 1 to 6, or is formed of an anisotropic conductive material including the conductive particles and a binder resin. Structure.
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