JP2012153680A - Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern - Google Patents

Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern Download PDF

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JP2012153680A JP2011016572A JP2011016572A JP2012153680A JP 2012153680 A JP2012153680 A JP 2012153680A JP 2011016572 A JP2011016572 A JP 2011016572A JP 2011016572 A JP2011016572 A JP 2011016572A JP 2012153680 A JP2012153680 A JP 2012153680A
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Maki Kawamura
麻貴 河村
Isao Yoshida
勲 吉田
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a salt, an acid generator, and a resist composition, which provide a resist pattern having excellent resolution.SOLUTION: The salt is represented by formula (I) [in formula, R-Rand Xeach represent predetermined groups, also Rand R, Rand R, Rand R, Rand R, Rand R, Rand R, Rand R, or Rand Rmay optionally form a ring, provided that one of R-Rrepresents a bond with X, a broken line represents a single bond or a double bond, n1 represents 1 or 2, n2 represents 0 or 1, and Zrepresents an organic counter ion].

Description

本発明は、半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。   The present invention relates to a salt for an acid generator used for microfabrication of a semiconductor, an acid generator, a resist composition, and a method for producing a resist pattern.

特許文献1には、酸発生剤用の塩として、下記式で表される塩を含有するレジスト組成物が記載されている。

Figure 2012153680
Patent Document 1 describes a resist composition containing a salt represented by the following formula as a salt for an acid generator.
Figure 2012153680

特開2008−74843号公報JP 2008-74843 A

微細加工技術のさらなる進歩に伴い、例えば、半導体の製造に用いられるレジスト組成物には、解像が良好であることが要望されている With further advancement of microfabrication technology, for example, resist compositions used for semiconductor manufacturing are required to have good resolution.

本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕式(I)で表される塩。

Figure 2012153680
[式(I)中、
及びRは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
は、下記式(b)で表される基である。
Figure 2012153680
(式(b)中、
、R、R、R、R、R、R10、R11、R12及びR13は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表すか、RとR、RとR、RとR、RとR13、RとR、RとR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって、環を形成してもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12及びR13のいずれか1つはXとの結合手を表す。
---は、単結合又は二重結合を表す。
n1は、1又は2を表す。
n2は、0又は1を表す。n1+n2は2である。)
1+は、有機対イオンを表す。] The present invention includes the following inventions.
[1] A salt represented by the formula (I).
Figure 2012153680
[In the formula (I),
R 1 and R 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
X 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, a hydrogen atom contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom, and the divalent saturated The methylene group contained in the hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
R 3 is a group represented by the following formula (b).
Figure 2012153680
(In the formula (b),
R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 13 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a C 1-18 fat. Represents a group hydrocarbon group, R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 6 and R 13 , R 7 and R 8 , R 8 and R 11 , R 11 and R 12 or R 12 and R 13 may be combined to form a ring, and the methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. However, any one of R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 13 represents a bond to X 1 .
--- represents a single bond or a double bond.
n1 represents 1 or 2.
n2 represents 0 or 1. n1 + n2 is 2. )
Z 1+ represents an organic counter ion. ]

〔2〕前記式(b)で表される基が、式(c)で表される基である〔1〕記載の塩。

Figure 2012153680
[式(c)中、
14、R15、R16及びR17は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R14、R15、R16及びR17のいずれか1つはXとの結合手を表す。] [2] The salt according to [1], wherein the group represented by the formula (b) is a group represented by the formula (c).
Figure 2012153680
[In the formula (c),
R 14 , R 15 , R 16 and R 17 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. However, any one of R 14 , R 15 , R 16 and R 17 represents a bond with X 1 . ]

〔3〕前記式(c)が、下記式(d)で表される基である〔2〕記載の塩。

Figure 2012153680
[式(d)中、*は、Xとの結合手を表す。]
〔4〕Z1+が、トリアリールスルホニウムカチオンである〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の塩。
〔5〕上記〔1〕〜〔4〕のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。
〔6〕上記〔1〕記載の酸発生剤と樹脂と溶剤とを含有するレジスト組成物。
〔7〕樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂である〔6〕記載のレジスト組成物。
〔8〕さらに、塩基性化合物を含有する〔6〕又は〔7〕記載のレジスト組成物。 [3] The salt according to [2], wherein the formula (c) is a group represented by the following formula (d).
Figure 2012153680
Wherein (d), * represents a bond to X 1. ]
[4] The salt according to any one of [1] to [3], wherein Z 1+ is a triarylsulfonium cation.
[5] An acid generator containing the salt according to any one of [1] to [4].
[6] A resist composition comprising the acid generator according to the above [1], a resin, and a solvent.
[7] The resist composition according to [6], wherein the resin is a resin having an acid labile group and insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution and capable of dissolving in an alkaline aqueous solution by acting with an acid.
[8] The resist composition according to [6] or [7], further containing a basic compound.

〔9〕(1)上記〔6〕〜〔8〕のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
[9] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [6] to [8] on a substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A step of heating the composition layer after exposure,
(5) a step of developing the composition layer after heating;
A method for producing a resist pattern including:

本発明の塩によれば、この塩を含むレジスト組成物を用いることにより、優れた解像度を有するレジストパターンを形成することができる。   According to the salt of the present invention, a resist pattern having excellent resolution can be formed by using a resist composition containing this salt.

本明細書では、特に断りのない限り、化合物の構造式の説明において、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。   In the present specification, unless otherwise specified, in the description of the structural formula of the compound, the following examples of substituents are applied to any structural formula having the same substituent while appropriately selecting the number of carbon atoms. . Those which can be linear, branched or cyclic include any of them, and they may be mixed. When stereoisomers exist, all stereoisomers are included.

炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。
脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素−炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基が好ましい。
鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基(C)、エチル基(C)、プロピル基(C)、ブチル基(C)、ペンチル基(C)、ヘキシル基(C)、ヘプチル基(C)、オクチル基(C)、デシル基(C10)、ドデシル基(C12)、ヘキサデシル基(C14)、ペンタデシル基(C15)、ヘキシルデシル基(C16)、ヘプタデシル基(C17)及びオクタデシル基(C18)などが挙げられる。
鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。
アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2−プロピリデン基、1−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,2−プロピレン基、1−メチル−1,4−ブチレン基、2−メチル−1,4−ブチレン基等が挙げられる。
The hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group.
The aliphatic hydrocarbon group includes both a chain and a cyclic group, and includes a combination of a chain and a cyclic aliphatic hydrocarbon group unless otherwise defined. Moreover, although these aliphatic hydrocarbon groups may contain the carbon-carbon double bond in the part, a saturated group is preferable.
Of the chain aliphatic hydrocarbon groups, the monovalent one typically includes an alkyl group.
Examples of the alkyl group include a methyl group (C 1 ), an ethyl group (C 2 ), a propyl group (C 3 ), a butyl group (C 4 ), a pentyl group (C 5 ), a hexyl group (C 6 ), a heptyl group ( C 7 ), octyl group (C 8 ), decyl group (C 10 ), dodecyl group (C 12 ), hexadecyl group (C 14 ), pentadecyl group (C 15 ), hexyldecyl group (C 16 ), heptadecyl group ( C 17 ) and octadecyl group (C 18 ).
Examples of the divalent group of chain aliphatic hydrocarbon groups include alkanediyl groups in which one hydrogen atom has been removed from an alkyl group.
Examples of alkanediyl groups include methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane- 1,6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl Group, dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1 , 17-diyl group, methylidene group, ethylidene group, propylidene group, 2-propylidene group, 1-methyl-1,3-propylene group, 2-methyl-1,3-propylene group, 2-methyl group Le-1,2-propylene group, 1-methyl-1,4-butylene, and 2-methyl-1,4-butylene group.

環式の脂肪族炭化水素基(以下、場合により「脂環式炭化水素基」という)は、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。   The cyclic aliphatic hydrocarbon group (hereinafter sometimes referred to as “alicyclic hydrocarbon group”) typically means a cycloalkyl group, and includes any of the monocyclic and polycyclic groups shown below. Is also included.

脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式(KA−1)〜(KA−7)で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。

Figure 2012153680
As a monovalent alicyclic hydrocarbon group, a monocyclic aliphatic hydrocarbon group represents 1 hydrogen atom of a cycloalkane represented by the following formulas (KA-1) to (KA-7). It is a group that has been removed.
Figure 2012153680

多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式(KA−8)〜(KA−20)で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。

Figure 2012153680
The polycyclic aliphatic hydrocarbon group is a group in which one hydrogen atom of a cycloalkane represented by the following formulas (KA-8) to (KA-20) is removed.
Figure 2012153680

脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式(KA−1)〜式(KA−20)の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。
なお、単環式及び多環式の脂肪族炭化水素基のうち、特に飽和の基を、場合により「飽和環状炭化水素基」という。
Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the alicyclic hydrocarbon of the formula (KA-1) to the formula (KA-20).
Of the monocyclic and polycyclic aliphatic hydrocarbon groups, a particularly saturated group is sometimes referred to as a “saturated cyclic hydrocarbon group”.

脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。
ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基(C)、エトキシ基(C)、プロポキシ基(C)、ブトキシ基(C)、ペンチルオキシ基(C)、ヘキシルオキシ基(C)、ヘプチルオキシ基(C7)、オクチルオキシ基(C8)、デシルオキシ基(C10)及びドデシルオキシ基(C12)などが挙げられる。
アルキルチオ基としては、アルコキシ基の酸素原子が硫黄原子に置き換わったものが挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基及びドデシルチオ基などが挙げられる。
アシル基としては、アセチル基(C)、プロピオニル基(C)、ブチリル基(C)、バレイル基(C)、ヘキシルカルボニル基(C)、ヘプチルカルボニル基(C7)、オクチルカルボニル基(C8)、デシルカルボニル基(C10)及びドデシルカルボニル基(C12)などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの並びにベンゾイル基(C7)などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが包含される。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基(C7)、フェネチル基(C8)、フェニルプロピル基(C9)、ナフチルメチル基(C11)及びナフチルエチル基(C12)などが挙げられる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基(C)、ナフチルオキシ基(C10)、アントニルオキシ基(C14)、ビフェニルオキシ基(C12)、フェナントリルオキシ基(C14)及びフルオレニルオキシ基(C13)などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group may have a substituent. As such a substituent, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group, an alkylthio group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aralkyl group, and an aryloxy group may be mentioned unless otherwise limited.
Here, as a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned.
Examples of alkoxy groups include methoxy group (C 1 ), ethoxy group (C 2 ), propoxy group (C 3 ), butoxy group (C 4 ), pentyloxy group (C 5 ), hexyloxy group (C 6 ), heptyl Examples thereof include an oxy group (C 7 ), an octyloxy group (C 8 ), a decyloxy group (C 10 ), and a dodecyloxy group (C 12 ).
Examples of the alkylthio group include those in which an oxygen atom of an alkoxy group is replaced by a sulfur atom, such as a methylthio group, an ethylthio group, a propylthio group, a butylthio group, a pentylthio group, a hexylthio group, a heptylthio group, an octylthio group, a decylthio group, and the like. Examples include dodecylthio group.
As the acyl group, acetyl group (C 2 ), propionyl group (C 3 ), butyryl group (C 4 ), valeryl group (C 5 ), hexylcarbonyl group (C 6 ), heptylcarbonyl group (C 7 ), octyl An alkyl group such as a carbonyl group (C 8 ), a decylcarbonyl group (C 10 ) and a dodecylcarbonyl group (C 12 ) and a carbonyl group, and an aryl group such as a benzoyl group (C 7 ) and a carbonyl group Combined are included.
Examples of the acyloxy group include an acetyloxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, and an isobutyryloxy group.
Examples of the aralkyl group include benzyl group (C 7 ), phenethyl group (C 8 ), phenylpropyl group (C 9 ), naphthylmethyl group (C 11 ), and naphthylethyl group (C 12 ).
The aryloxy group includes phenyloxy group (C 6 ), naphthyloxy group (C 10 ), antonyloxy group (C 14 ), biphenyloxy group (C 12 ), phenanthryloxy group (C 14 ) and full A combination of an aryl group such as an oleenyloxy group (C 13 ) and an oxygen atom is exemplified.

芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。
アリール基としては、フェニル基(C)、ナフチル基(C10)、アントニル基(C14)、ビフェニル基(C12)、フェナントリル基(C14)及びフルオレニル基(C13)などが挙げられる。
芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基は、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。
A typical example of the aromatic hydrocarbon group is an aryl group.
Examples of the aryl group include a phenyl group (C 6 ), a naphthyl group (C 10 ), an antonyl group (C 14 ), a biphenyl group (C 12 ), a phenanthryl group (C 14 ), and a fluorenyl group (C 13 ). .
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. Unless such a substituent is particularly limited, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an alkyl group, and an aryloxy group are exemplified.

飽和炭化水素基とは、上述した脂肪族炭化水素基のうち飽和のもの、つまり、上述した鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基のうち飽和のものを意味する。また、飽和炭化水素基も、脂肪族炭化水素基と同様の置換基を有していてもよい。   The saturated hydrocarbon group means a saturated group among the above-described aliphatic hydrocarbon groups, that is, a saturated group among the above-described chain and cyclic aliphatic hydrocarbon groups. Further, the saturated hydrocarbon group may have the same substituent as the aliphatic hydrocarbon group.

また、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。 Further, "(meth) acrylic monomer" means at least one monomer having a structure of "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- ". Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

〈式(I)で表される塩〉
本発明の塩は、式(I)で表される。

Figure 2012153680
[式(I)中、
及びRは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
は、下記式(b)で表される基である。
Figure 2012153680
(式(b)中、
、R、R、R、R、R、R10、R11、R12及びR13は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表すか、RとR、RとR、RとR、RとR13、RとR、RとR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって、環を形成してもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12及びR13のいずれか1つはXとの結合手を表す。
---は、単結合又は二重結合を表す。
n1は、1又は2を表す。
n2は、0又は1を表す。n1+n2は2である。)
1+は、有機対イオンを表す。] <Salt represented by formula (I)>
The salt of the present invention is represented by the formula (I).
Figure 2012153680
[In the formula (I),
R 1 and R 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
X 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, a hydrogen atom contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom, and the divalent saturated The methylene group contained in the hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
R 3 is a group represented by the following formula (b).
Figure 2012153680
(In the formula (b),
R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 13 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a C 1-18 fat. Represents a group hydrocarbon group, R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 6 and R 13 , R 7 and R 8 , R 8 and R 11 , R 11 and R 12 or R 12 and R 13 may be combined to form a ring, and the methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. However, any one of R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 13 represents a bond to X 1 .
--- represents a single bond or a double bond.
n1 represents 1 or 2.
n2 represents 0 or 1. n1 + n2 is 2. )
Z 1+ represents an organic counter ion. ]

ペルフルオロアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。   Examples of the perfluoroalkyl group include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoro sec-butyl group, a perfluoro tert-butyl group, a perfluoropentyl group, and a perfluorohexyl group. It is done.

式(I)においては、R及びRは、互いに独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
においてメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わったものとしては、好ましくは式(X1−A)〜式(X1−F)、より好ましくは式(X1−A)又は式(X1−B)、さらに好ましくは式(X1−A)で表される基が挙げられる。なお、式(X1−A)〜式(X1−F)で表される基は、左側でC(R)(R)と結合し、右側で酸素原子と結合する。
In the formula (I), R 1 and R 2 are independently of each other preferably a perfluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.
In X 1 , the methylene group is replaced by an oxygen atom or a carbonyl group, preferably formula (X1-A) to formula (X1-F), more preferably formula (X1-A) or formula (X1-B) And more preferably a group represented by the formula (X1-A). Note that the groups represented by the formulas (X1-A) to (X1-F) are bonded to C (R 1 ) (R 2 ) on the left side and bonded to an oxygen atom on the right side.

Figure 2012153680
[式中、X11は、炭素数1〜15の飽和炭化水素基を表す。
12は、炭素数1〜14の飽和炭化水素基を表す。
13〜X17は、互いに独立に、炭素数1〜13の飽和炭化水素基を表す。]
Figure 2012153680
Wherein, X 11 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
X 12 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
X 13 to X 17 each independently represent a saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. ]

11〜X17は−CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH12−であることが好ましい。 X 11 to X 17 are preferably —CH 2 —, — (CH 2 ) 2 —, — (CH 2 ) 4 —, — (CH 2 ) 8 —, and — (CH 2 ) 12 —.

式(X1−B)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012153680
Examples of the divalent group represented by the formula (X1-B) include the following.
Figure 2012153680

式(X1−C)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012153680
Examples of the divalent group represented by the formula (X1-C) include the following.
Figure 2012153680

式(X1−D)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012153680
Examples of the divalent group represented by the formula (X1-D) include the following.
Figure 2012153680

式(X1−E)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012153680
Examples of the divalent group represented by the formula (X1-E) include the following.
Figure 2012153680

式(X1−F)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2012153680
Examples of the divalent group represented by the formula (X1-F) include the following.
Figure 2012153680

は、下記式(b)で表される基である。

Figure 2012153680
(式(b)中、
、R、R、R、R、R、R10、R11、R12及びR13は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表すか、RとR、RとR、RとR、RとR13、RとR、RとR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって、環を形成してもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12及びR13のいずれか1つはXとの結合手を表す。
---(破線と下線との組み合わせ)は、単結合又は二重結合を表す。
n1は、1又は2を表す。
n2は、0又は1を表す。n1+n2は2である。)
n1が2であるとき、2つのRは、互いに同一でも異なってもよい。 R 3 is a group represented by the following formula (b).
Figure 2012153680
(In the formula (b),
R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 13 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a C 1-18 fat. Represents a group hydrocarbon group, R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 6 and R 13 , R 7 and R 8 , R 8 and R 11 , R 11 and R 12 or R 12 and R 13 may be combined to form a ring, and the methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. However, any one of R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 13 represents a bond to X 1 .
--- (A combination of a broken line and an underline) represents a single bond or a double bond.
n1 represents 1 or 2.
n2 represents 0 or 1. n1 + n2 is 2. )
When n1 is 2, two R 7 may be the same or different from each other.

式(b)においては、RとR、RとR、RとR、RとR13、RとR、RとR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって形成する環としては、例えば、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素及び複素環が挙げられ、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素が好ましい。ただし、n1が2の場合には、2つのRが一緒になって環を形成してもよい。
環、特に、脂環式炭化水素又は芳香族炭化水素に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わったものとしては、例えば、オキサノルボルナン環等が挙げられる。
In the formula (b), R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 6 and R 13 , R 7 and R 8 , R 8 and R 11 , R 11 and R 12 or R Examples of the ring formed by combining 12 and R 13 include alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, and heterocycles, with alicyclic hydrocarbons and aromatic hydrocarbons being preferred. However, when n1 is 2, two R 7 may be combined to form a ring.
Examples of the ring, in particular, a methylene group contained in an alicyclic hydrocarbon or aromatic hydrocarbon replaced with an oxygen atom or a carbonyl group include an oxanorbornane ring.

式(b)で表される基としては、例えば以下の基が挙げられる。

Figure 2012153680
(式中、R及びR10は、上記と同義である。
14、R15、R16及びR17は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R、R10、R14〜R19のいずれか1つはXとの結合手を表す。] Examples of the group represented by the formula (b) include the following groups.
Figure 2012153680
(In the formula, R 9 and R 10 are as defined above.
R 14 , R 15 , R 16 and R 17 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. However, any one of R 9, R 10, R 14 ~R 19 represents a bond to X 1. ]

なかでも、Rは、上記式(c’)のうち、R及びR10が水素原子である下記式(c)であることがより好ましい。

Figure 2012153680
[式(c)中、
14、R15、R16及びR17は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R14、R15、R16及びR17のいずれか1つはXとの結合手を表す。] Among these, R 3 is more preferably the following formula (c) in which R 9 and R 10 are hydrogen atoms in the above formula (c ′).
Figure 2012153680
[In the formula (c),
R 14 , R 15 , R 16 and R 17 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. However, any one of R 14 , R 15 , R 16 and R 17 represents a bond with X 1 . ]

式(b)で表される基としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2012153680
(式中、*はXとの結合手を表す。)
なかでも、式(d)で表される基が好ましい。 Examples of the group represented by the formula (b) include the following.
Figure 2012153680
(In the formula, * represents a bond to X 1.)
Of these, a group represented by the formula (d) is preferable.

式(I)で表される塩としては、例えば以下の塩が挙げられる。

Figure 2012153680
Examples of the salt represented by the formula (I) include the following salts.
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

1+としては、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。 Examples of Z 1+ include onium cations such as sulfonium cations, iodonium cations, ammonium cations, benzothiazolium cations, and phosphonium cations. Among these, a sulfonium cation and an iodonium cation are preferable, and an arylsulfonium cation is more preferable.

1+は、好ましくは式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表される。

Figure 2012153680
Z 1+ is preferably represented by any one of formulas (b2-1) to (b2-4).
Figure 2012153680

これらの式(b2−1)〜式(b2−4)において、
b4〜Rb6は、互いに独立に、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基で置換されていてもよい。
In these formulas (b2-1) to (b2-4),
R b4 to R b6 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the saturated cyclic hydrocarbon group includes a halogen atom, It may be substituted with an acyl group having 2 to 4 carbon atoms or a glycidyloxy group, and the aromatic hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, or 3 to 3 carbon atoms. It may be substituted with an 18 saturated cyclic hydrocarbon group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.

b7及びRb8は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
m2及びn2は、互いに独立に、0〜5の整数を表す。
R b7 and R b8 each independently represent a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
m2 and n2 represent the integer of 0-5 independently of each other.

b9及びRb10は、互いに独立に、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基を表す。
b11は、水素原子、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
b9〜Rb11の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜18、より好ましくは炭素数4〜12である。
b12は、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
b9とRb10と、及びRb11とRb12とは、互いに独立に、一緒に結合して3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよく、これらの環のメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
R b9 and R b10 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms or a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms.
R b11 represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms.
The aliphatic hydrocarbon group of R b9 to R b11 preferably has 1 to 12 carbon atoms, and the saturated cyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 18 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms.
R b12 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The aromatic hydrocarbon group is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an alkylcarbonyloxy having 1 to 12 carbon atoms. It may be substituted with a group.
R b9 and R b10 , and R b11 and R b12 may be bonded together independently to form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring). The methylene group of these rings may be replaced with an oxygen atom, a sulfur atom or a carbonyl group.

b13〜Rb18は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
b11は、−S−又は−O−を表す。
o2、p2、s2、及びt2は、互いに独立に、0〜5の整数を表す。
q2及びr2は、互いに独立に、0〜4の整数を表す。
u2は0又は1を表す。
o2〜t2のいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のRb13〜Rb18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。
R b13 to R b18 each independently represent a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
L b11 represents -S- or -O-.
o2, p2, s2, and t2 each independently represent an integer of 0 to 5.
q2 and r2 each independently represents an integer of 0 to 4.
u2 represents 0 or 1.
When any of o2 to t2 is 2, any of the plurality of R b13 to R b18 may be the same as or different from each other.

アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group, an ethylcarbonyloxy group, an n-propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, an n-butylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, Examples thereof include a pentylcarbonyloxy group, a hexylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, and a 2-ethylhexylcarbonyloxy group.

好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基である。
好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基、及びイソボルニル基である。
好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。
置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基(アラルキル基)としては、ベンジル基などが挙げられる。
b9及びRb10が形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環、1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。
b11及びRb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。
Preferred aliphatic hydrocarbon groups are methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, octyl and 2-ethylhexyl. It is.
Preferred saturated cyclic hydrocarbon groups are cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclodecyl group, 2-alkyl-2-adamantyl group, 1- (1-adamantyl) -1-alkyl group, And an isobornyl group.
Preferred aromatic hydrocarbon groups are phenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, biphenylyl group, naphthyl group. It is.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group (aralkyl group) whose substituent is an aromatic hydrocarbon group include a benzyl group.
Examples of the ring formed by R b9 and R b10 include a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and a 1,4-oxathian-4-ium ring.
Examples of the ring formed by R b11 and R b12 include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

カチオン(b2−1)〜カチオン(b2−4)の中でも、カチオン(b2−1)が好ましく、式(b2−1−1)で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=0)がさらに好ましい。   Among the cations (b2-1) to (b2-4), the cation (b2-1) is preferable, the cation represented by the formula (b2-1-1) is more preferable, and the triphenylsulfonium cation (formula (b2) In (1-1), v2 = w2 = x2 = 0) is more preferable.

Figure 2012153680
式(b2−1−1)中、
b19〜Rb21は、互いに独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4〜18である。
前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。
前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。
v2〜x2は、互いに独立に、0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。v2〜x2のいずれかが2以上のとき、それぞれ、複数のRb19〜Rb21のいずれかは、互いに同一でも異なってもよい。
なかでも、Rb19〜Rb21は、互いに独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基である。
Figure 2012153680
In formula (b2-1-1),
R b19 to R b21 are each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, a saturated cyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or a carbon number. 1 to 12 alkoxy groups are represented.
The aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 12 carbon atoms, and the saturated cyclic hydrocarbon group preferably has 4 to 18 carbon atoms.
The aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms.
The saturated cyclic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a glycidyloxy group.
v2 to x2 each independently represent an integer of 0 to 5 (preferably 0 or 1). When any one of v2 to x2 is 2 or more, any one of the plurality of R b19 to R b21 may be the same as or different from each other.
Among these, R b19 to R b21 are preferably each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.

カチオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。   Specific examples of the cation include those described in JP2010-204646A.

式(I)で表される塩は、上述のアニオン及びカチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、以下で表される塩が好ましい。   The salt represented by the formula (I) is a combination of the above-mentioned anions and cations. Although the above-mentioned anion and cation can be combined arbitrarily, the salt represented below is preferable.

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680


Figure 2012153680

Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

式(I)で表される塩のうち、式(b1)で表される塩の製造方法を下記に示す。

Figure 2012153680
(式中、R、R、R及びZ1+は、それぞれ上記と同義である。) Among the salts represented by the formula (I), a method for producing the salt represented by the formula (b1) is shown below.
Figure 2012153680
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 and Z 1+ are as defined above.)

まず、式(b1−a)で表される塩と式(b1−b)で表される化合物とを反応させることにより、式(b1−c)で表される塩を得る。
式(b1−a)で表される塩は、例えば、特開2008−13551号公報に記載された方法で合成することができる。

Figure 2012153680
First, the salt represented by the formula (b1-c) is obtained by reacting the salt represented by the formula (b1-a) with the compound represented by the formula (b1-b).
The salt represented by the formula (b1-a) can be synthesized, for example, by the method described in JP2008-13551A.
Figure 2012153680

得られた式(b1−c)で表される塩を、式(b1−d)で表される化合物と、溶剤中で反応させることにより、式(b1)で表される塩を得ることができる。
ここでの溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。

Figure 2012153680
式(b1−d)で表される化合物としては、以下で表される化合物等が挙げられる。
Figure 2012153680
The salt represented by the formula (b1) can be obtained by reacting the obtained salt represented by the formula (b1-c) with the compound represented by the formula (b1-d) in a solvent. it can.
Examples of the solvent here include acetonitrile.
Figure 2012153680
Examples of the compound represented by the formula (b1-d) include compounds represented by the following.
Figure 2012153680

〈酸発生剤〉
本発明の酸発生剤(以下、「酸発生剤(B)」ということがある)は、塩(I)を含有する。塩(I)は、単独でも複数種を同時に用いてもよい。
よって、本発明の酸発生剤(B)は、さらに、塩(I)以外の公知の塩を含んでいてもよい。塩(I)以外の公知の塩としては、例えば、塩(I)に含まれる有機カチオン及び公知のアニオン(塩(I)に含まれるスルホン酸アニオン以外のアニオン)からなる塩並びに塩(I)に含まれるスルホン酸アニオン及び公知のカチオン(塩(I)に含まれる有機カチオン以外のカチオン)からなる塩等が挙げられる。
<Acid generator>
The acid generator of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (B)”) contains a salt (I). The salt (I) may be used alone or in combination of two or more.
Therefore, the acid generator (B) of the present invention may further contain a known salt other than the salt (I). Known salts other than the salt (I) include, for example, a salt composed of an organic cation contained in the salt (I) and a known anion (anion other than the sulfonate anion contained in the salt (I)) and the salt (I). And a salt composed of a sulfonate anion and a known cation (cation other than the organic cation contained in the salt (I)).

塩(I)と併用する塩としては、例えば、式(B1−1)〜式(B1−17)で表されるものが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式(B1−1)、式(B1−2)、式(B1−6)、式(B1−11)、式(B1−12)、式(B1−13)及び式(B1−14)でそれぞれ表される塩がさらに好ましい。   As a salt used together with salt (I), what is represented by a formula (B1-1)-a formula (B1-17) is mentioned, for example. Among them, those containing a triphenylsulfonium cation are preferable. Formula (B1-1), Formula (B1-2), Formula (B1-6), Formula (B1-11), Formula (B1-12), Formula (B1- The salts represented by 13) and formula (B1-14) are more preferred.

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

Figure 2012153680
Figure 2012153680

塩(I)の含有量は、酸発生剤全量100質量部に対して、好ましくは10質量部以上(より好ましくは30質量部以上)、好ましくは100質量部以下(より好ましくは90質量部以下、さらに好ましくは70質量部以下)である。   The content of the salt (I) is preferably 10 parts by mass or more (more preferably 30 parts by mass or more), preferably 100 parts by mass or less (more preferably 90 parts by mass or less) with respect to 100 parts by mass of the total amount of the acid generator. More preferably, it is 70 parts by mass or less.

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、式(I)で表される塩を含有する酸発生剤と樹脂とを含有する。酸発生剤としては、上述したように、式(I)で表される塩以外の塩を酸発生剤として含有していてもよい。
レジスト組成物において、酸発生剤(B)を用いる場合、塩(I)と酸発生剤(B)との合計含有量は、後述する樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは40質量部以下(より好ましくは35質量部以下、さらに好ましくは30質量部以下、特に好ましくは25質量部以下)である。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention contains an acid generator containing a salt represented by the formula (I) and a resin. As described above, the acid generator may contain a salt other than the salt represented by the formula (I) as the acid generator.
When the acid generator (B) is used in the resist composition, the total content of the salt (I) and the acid generator (B) is preferably 1 mass relative to 100 parts by mass of the resin (A) described later. Part or more (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 40 parts by mass or less (more preferably 35 parts by mass or less, further preferably 30 parts by mass or less, particularly preferably 25 parts by mass or less).

〈樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)〉
樹脂(A)は、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。樹脂(A)は、酸に不安定な基を有するモノマー(以下「酸に不安定な基を有するモノマー(a1)」という場合がある)を重合することによって製造することができ、得られた樹脂は、酸の作用によりアルカリ可溶となる。「酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る」とは、「酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。酸に不安定な基を有するモノマー(a1)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Resin (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”)>
The resin (A) is a resin having an acid labile group and insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid. The resin (A) can be produced by polymerizing a monomer having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “monomer having an acid labile group (a1)”). The resin becomes alkali-soluble by the action of acid. “Can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid” means “insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution before contact with an acid but becomes soluble in an alkaline aqueous solution after contact with an acid”. To do. As the monomer (a1) having an acid labile group, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

〈酸に不安定な基を有するモノマー(a1)〉
「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式(1)で表される基、式(2)で表される基などが挙げられる。
<Monomer (a1) having an acid labile group>
The term “acid-labile group” means a group that cleaves a leaving group upon contact with an acid to form a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group). Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) and a group represented by the formula (2).

Figure 2012153680
[式(1)中、Ra1〜Ra3は、互いに独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。]
Figure 2012153680
[式(2)中、Ra1'及びRa2'は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3'は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2'及びa3'が互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、前記炭化水素基及び2価の基に含まれるメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子で置き換わっていてもよい。
Figure 2012153680
In Expression (1), R a1 ~R a3 are each independently either an alicyclic hydrocarbon group of the alkyl group or 3 to 20 carbon atoms having 1 to 8 carbon atoms, R a1 and R a2 are each Bonding to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
Figure 2012153680
[In Formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and the methylene group contained in the hydrocarbon group and the divalent group is an oxygen atom or sulfur. It may be replaced with an atom.

式(1)では、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数1〜16である。
a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合、−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)基としては、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数3〜12である。

Figure 2012153680
In the formula (1), the alicyclic hydrocarbon group preferably has 1 to 16 carbon atoms.
In the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group, examples of the —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) group include the following groups. The carbon number of the divalent hydrocarbon group is preferably 3 to 12 carbon atoms.
Figure 2012153680

式(1)で表される酸に不安定な基としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキル−2−アダマンチルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)などが挙げられる。 Examples of the acid labile group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably tert- Butoxycarbonyl group), 2-alkyl-2-adamantyloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and a carbon atom form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- ( 1-adamantyl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

式(2)では、好ましくは、Ra1’及びRa2’のうち少なくとも1つが水素原子である。
式(2)で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。

Figure 2012153680
In the formula (2), preferably, at least one of R a1 ′ and R a2 ′ is a hydrogen atom.
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups.
Figure 2012153680

酸に不安定な基を有するモノマー(a1)は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The monomer (a1) having an acid labile group is preferably a monomer having an acid labile group and a carbon-carbon double bond, more preferably a (meth) acryl having an acid labile group. Monomer.

酸に不安定な基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー(a1)を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。   Of the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferred. If a resin obtained by polymerizing the monomer (a1) having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used, the resolution of the resist can be improved.

酸に不安定な基と脂環式炭化水素基とを有する(メタ)アクリル系モノマーとして、好ましくは式(a1−1)で表されるモノマー又は式(a1−2)で表されるモノマーが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   As the (meth) acrylic monomer having an acid labile group and an alicyclic hydrocarbon group, a monomer represented by the formula (a1-1) or a monomer represented by the formula (a1-2) is preferably used. Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

Figure 2012153680
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、互いに独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、互いに独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜10の脂環式炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n2は0又は1の整数を表す。]
Figure 2012153680
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n2 represents an integer of 0 or 1. ]

a1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−であり、より好ましくは−O−である。k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, more preferably —O—. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
The alkyl group for R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms. The alicyclic hydrocarbon group preferably has 8 or less carbon atoms, more preferably 6 or less.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

式(a1−1)で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式(a1−1−1)〜(a1−1−6)で表されるモノマーが好ましく、下式(a1−1−1)〜(a1−1−3)で表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2012153680
Examples of the monomer represented by the formula (a1-1) include monomers described in JP 2010-204646 A. Monomers represented by the following formulas (a1-1-1) to (a1-1-6) are preferred, and monomers represented by the following formulas (a1-1-1) to (a1-1-3) are more preferred. .
Figure 2012153680

式(a1−2)で表されるモノマーとしては、例えば、1−エチル−1−シクロペンチル(メタ)アクリレート、1−エチル−1−シクロヘキシル(メタ)アクリレート、1−エチル−1−シクロヘプチル(メタ)アクリレート、1−メチル−1−シクロペンチル(メタ)アクリレート、1−イソプロピル−1−シクロペンチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。下式(a1−2−1)〜(a1−2−6)で表されるモノマーが好ましく、下式(a1−2−3)〜(a1−2−4)で表されるモノマーがより好ましく、下式(a1−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2012153680
Examples of the monomer represented by the formula (a1-2) include 1-ethyl-1-cyclopentyl (meth) acrylate, 1-ethyl-1-cyclohexyl (meth) acrylate, 1-ethyl-1-cycloheptyl (meta ) Acrylate, 1-methyl-1-cyclopentyl (meth) acrylate, 1-isopropyl-1-cyclopentyl (meth) acrylate, and the like. Monomers represented by the following formulas (a1-2-1) to (a1-2-6) are preferred, and monomers represented by the following formulas (a1-2-3) to (a1-2-4) are more preferred. A monomer represented by the following formula (a1-2-3) is more preferable.
Figure 2012153680

樹脂における式(a1−1)で表されるモノマー又は式(a1−2)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a1-1) or the monomer represented by the formula (a1-2) in the resin is usually 10 to 95 mol% in all the units of the resin, Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.

〈酸に安定な基を有するモノマー〉
樹脂(A)は、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)と、酸に不安定な基を有さないモノマー(以下「酸安定モノマー」という場合がある)との共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
樹脂(A)が酸に不安定な基を有するモノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)に由来する構造単位は、全構造単位100モル%に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。また、アダマンチル基を有するモノマー(特に酸に不安定な基を有するモノマー(a1−1))に由来する構造単位の含有率は、好ましくは酸に不安定な基を有するモノマー(a1)に対して15モル%以上である。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。
<Monomer having acid-stable group>
The resin (A) is preferably a co-polymerization of a monomer (a1) having an acid labile group and a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable monomer”). It is a coalescence. An acid stable monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
When the resin (A) is a copolymer of a monomer (a1) having an acid labile group and an acid stable monomer, the structural units derived from the monomer (a1) having an acid labile group are all Preferably it is 10-80 mol% with respect to 100 mol% of structural units, More preferably, it is 20-60 mol%. Further, the content of the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group (particularly the monomer (a1-1) having an acid labile group) is preferably relative to the monomer (a1) having an acid labile group. 15 mol% or more. When the ratio of the monomer having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist is improved.

酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)」という)又はラクトン環を含有する酸安定モノマー(以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)」という)に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。   As an acid stable monomer, Preferably, the monomer which has a hydroxyl group or a lactone ring is mentioned. Derived from an acid stable monomer having a hydroxy group (hereinafter referred to as “acid stable monomer having a hydroxy group (a2)”) or an acid stable monomer having a lactone ring (hereinafter referred to as “acid stable monomer having a lactone ring (a3)”) If a resin having a structural unit to be used is used, the resolution of the resist and the adhesion to the substrate can be improved.

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)〉
レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性水酸基を有する酸安定モノマー(a2−0)を使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光(193nm)などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)>
When the resist composition is used for KrF excimer laser exposure (248 nm), high energy beam exposure such as electron beam or EUV light, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably a phenolic hydroxyl group which is a hydroxystyrene. An acid stable monomer (a2-0) having When using short-wavelength ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (a2-1). use. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group may be used alone or in combination of two or more.

フェノール性水酸基を有するモノマー(a2−0)として、式(a2−0)で表されるp−又はm−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。   Examples of the monomer (a2-0) having a phenolic hydroxyl group include styrene monomers such as p- or m-hydroxystyrene represented by the formula (a2-0).

Figure 2012153680
[式(a2−0)中、
a30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。
a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
maは0〜4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一であっても異なってもよい。]
Figure 2012153680
[In the formula (a2-0),
R a30 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom.
R a31 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyl group, or methacryloyl. Represents a group.
ma represents an integer of 0 to 4. When ma is an integer of 2 or more, the plurality of R a31 may be the same or different. ]

a30におけるアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜4のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルキル基であり、特に好ましくは、メチル基である。
アルコキシ基としては、好ましくは、炭素数1〜4のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルコキシ基であり、特に好ましくは、メトキシ基である。
maは、好ましくは、0〜2であり、より好ましくは、0又は1であり、特に好ましくは、0である。
The alkyl group for R a30 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 or 2 carbon atoms, and particularly preferably a methoxy group.
ma is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

このようなフェノール性水酸基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該当する(メタ)アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。
フェノール性水酸基を有するモノマーとしては、例えば、特開2010−204634号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式(a2−0−1)及び(a2−0−2)で表されるモノマーが好ましい。樹脂(A)を製造する際には、これらにあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。

Figure 2012153680
When obtaining a copolymer resin having a structural unit derived from a monomer having such a phenolic hydroxyl group, the corresponding (meth) acrylic acid ester monomer, acetoxystyrene, and styrene are radically polymerized and then deacetylated with an acid. Can be obtained.
As a monomer which has a phenolic hydroxyl group, the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204634 is mentioned, for example. Monomers represented by the following formulas (a2-0-1) and (a2-0-2) are preferred. When manufacturing resin (A), what protected the phenolic hydroxyl group in these with the suitable protective group can also be used.
Figure 2012153680

樹脂における式(a2−0)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常5〜90モル%であり、好ましくは10〜85モル%であり、より好ましくは15〜80モル%である。   The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-0) in the resin is usually from 5 to 90 mol%, preferably from 10 to 85 mol%, more preferably, in all units of the resin. Is 15 to 80 mol%.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式(a2−1)で表されるモノマーが挙げられる。   Examples of the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group include a monomer represented by the formula (a2-1).

Figure 2012153680
式(a2−1)中、
a3は、−O−又は−O−(CH2k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、互いに独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。
Figure 2012153680
In formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式(a2−1−1)〜(a2−1−6)で表されるモノマーが好ましく、下式(a2−1−1)〜(a2−1−4)で表されるモノマーがより好ましく、下式(a2−1−1)又は(a2−1−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2012153680
As an acid stable monomer (a2-1) which has a hydroxyadamantyl group, the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Monomers represented by the following formulas (a2-1-1) to (a2-1-6) are preferred, and monomers represented by the following formulas (a2-1-1) to (a2-1-4) are more preferred. A monomer represented by the following formula (a2-1-1) or (a2-1-3) is more preferable.
Figure 2012153680

樹脂における式(a2−1)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常3〜40モル%であり、好ましくは5〜35モル%であり、より好ましくは5〜30モル%である。   The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-1) in the resin is usually 3 to 40 mol%, preferably 5 to 35 mol%, more preferably, in all units of the resin. Is 5 to 30 mol%.

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)〉
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。
<Acid-stable monomer having a lactone ring (a3)>
The lactone ring possessed by the acid stable monomer (a3) may be, for example, a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and a monocyclic lactone ring and other rings The condensed ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring or a condensed ring of γ-butyrolactone ring and another ring is preferable.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is preferably represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.

Figure 2012153680
式(a3−1)〜式(a3−3)中、
a4〜La6は、互いに独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a18〜Ra20は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、炭素数1〜4のアルキル基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、互いに独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
q1及びr1は、互いに独立に、0〜3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。
Figure 2012153680
In formula (a3-1) to formula (a3-3),
L a4 to L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a18 to R a20 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 and r1 each independently represent an integer of 0 to 3. When p1, q1 or r1 is 2 or more, a plurality of R a21 , R a22 or R a23 may be the same as or different from each other.

式(a3−1)〜式(a3−3)では、La4〜La6としては、La3で説明したものが挙げられる。
a4〜La6は、互いに独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−であることが好ましく、より好ましくは−O−である。k3は、好ましくは1〜4の整数であり、より好ましくは1である。
a18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、互いに独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1〜r1は、互いに独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a3-1) to the formula (a3-3), examples of L a4 to L a6 include those described for L a3 .
L a4 to L a6 are preferably each independently —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—, more preferably —O—. k3 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are independently of each other preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1 to r1 are independently from each other, preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式(a3−1−1)〜(a3−1−4)、(a3−2−1)〜(a3−2−4)、(a3−3−1)〜(a3−3−4)で表されるモノマーが好ましく、下式(a3−1−1)〜(a3−1−2)、(a3−2−3)〜(a3−2−4)で表されるモノマーがより好ましく、下式(a3−1−1)又は(a3−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2012153680
Examples of the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring include monomers described in JP 2010-204646 A. In the following formulas (a3-1-1) to (a3-1-4), (a3-2-1) to (a3-2-4), (a3-3-1) to (a3-3-4) Monomers represented by the following formulas (a3-1-1) to (a3-1-2) and (a3-2-3) to (a3-2-4) are more preferred, A monomer represented by formula (a3-1-1) or (a3-2-3) is more preferable.
Figure 2012153680

樹脂におけるラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)に由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常5〜50モル%であり、好ましくは10〜45モル%であり、より好ましくは15〜40モル%である。   The content of the structural unit derived from the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring in the resin is usually 5 to 50 mol%, preferably 10 to 45 mol%, more preferably, in all units of the resin. 15 to 40 mol%.

〈その他のモノマー(a4)〉
樹脂は、上記のモノマー以外のその他の公知のモノマー(a4)に由来する構造単位を有していてもよい。
<Other monomer (a4)>
The resin may have a structural unit derived from another known monomer (a4) other than the above-mentioned monomers.

好ましくは、樹脂(A)は、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)を重合させた共重合体である。該共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a1−1)及びシクロへキシル基を有するモノマー(a1−2)の少なくとも1種(さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a1−1))であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)の少なくとも1種である。樹脂(A)は、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造できる。   Preferably, the resin (A) polymerizes at least the monomer (a1) having an acid labile group, the acid stable monomer (a2) having a hydroxy group, and / or the acid stable monomer (a3) having a lactone ring. Copolymer. In the copolymer, the monomer (a1) having an acid labile group is more preferably at least one of a monomer (a1-1) having an adamantyl group and a monomer (a1-2) having a cyclohexyl group. (More preferably, the monomer (a1-1) having an adamantyl group), and the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer (a2-1) having a hydroxyadamantyl group, More preferably, the acid-stable monomer (a3) having a γ-butyrolactone ring is an acid-stable monomer (a3-1) and an acid-stable monomer (a3-2) having a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and a norbornane ring. At least one. Resin (A) can be manufactured by a well-known polymerization method (for example, radical polymerization method).

樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下)である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。
樹脂(A)の含有率は、好ましくは、組成物の固形分中80質量%以上である。「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤(E)を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more) and 50,000 or less (more preferably 30,000 or less). In addition, the weight average molecular weight here is calculated | required as a conversion value of a standard polystyrene reference | standard by gel permeation chromatography analysis, and the detailed analysis conditions of this analysis are explained in full detail in the Example of this application.
The content of the resin (A) is preferably 80% by mass or more in the solid content of the composition. The “solid content in the composition” means the total of resist composition components excluding the solvent (E) described later. The solid content in the composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured, for example, by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物(C)を含むことが好ましい。塩基性化合物(C)はクエンチャーとして作用する。
塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、1級アミン、2級アミン及び3級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)として、好ましくは、式(C1)で表される化合物〜式(C8)で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物が挙げられる。
<Basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”)>
The resist composition of the present invention preferably contains a basic compound (C). The basic compound (C) acts as a quencher.
The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by the formula (C1) to a compound represented by the formula (C8), more preferably a compound represented by the formula (C1-1). It is done.

Figure 2012153680
[式(C1)中、Rc1、Rc2及びRc3は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
Figure 2012153680
[In formula (C1), R c1 , R c2 and R c3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 10 represents an aromatic hydrocarbon group, and the hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. It may be substituted with a group hydrocarbon group. ]

Figure 2012153680
[式(C1−1)中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なってもよい。]
Figure 2012153680
[In Formula (C1-1), R c2 and R c3 represent the same meaning as described above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, a plurality of R c4 s may be the same as or different from each other. ]

Figure 2012153680
[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、
c5、Rc6、Rc7及びRc8は、互いに独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なってもよい。]
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
Figure 2012153680
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4),
R c5 , R c6 , R c7 and R c8 represent the same meaning as R c1 independently of each other.
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R c9 may be the same as or different from each other. ]
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

Figure 2012153680
[式(C5)及び式(C6)中、
c10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、互いに独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c14、Rc15及びRc17は、互いに独立に、Rc4と同じ意味を表す。
o3及びp3は、互いに独立に、0〜3の整数を表し、o3又はp3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc14及びRc15は互いに同一でも異なってもよい。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 2012153680
[In Formula (C5) and Formula (C6),
R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 independently represent the same meaning as R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 represent the same meaning as R c4 independently of each other.
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3, and when o3 or p3 is 2 or more, the plurality of R c14 and R c15 may be the same as or different from each other.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

Figure 2012153680
[式(C7)及び式(C8)中、
c18、Rc19及びRc20は、互いに独立に、Rc4と同じ意味を表す。
q3、r3及びs3は、互いに独立に、0〜3の整数を表し、q3、r3及びs3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc18、Rc19及びRc20は互いに同一でも異なってもよい。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 2012153680
[In Formula (C7) and Formula (C8),
R c18, R c19 and R c 20, independently of each other, represent the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3, independently of each other, represent an integer of 0 to 3, q3, when r3 and s3 is 2 or more, respectively, or different from the plurality of R c18, R c19 and R c 20 identical to one another Good.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2-diphenyl Examples include ethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and preferably diisopropyl Ruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール、4−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン、4−メチルピリジン等が挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

塩基性化合物(C)の含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましく0.01〜3質量%程度であり、特に好ましく0.01〜1質量%程度である。   The content of the basic compound (C) is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably based on the solid content of the resist composition. It is about 0.01-1 mass%.

〈溶剤(以下「溶剤(E)」という場合がある〉
本発明のレジスト組成物は、溶剤(E)を含んでいてもよい。溶剤(E)の含有率は、例えばレジスト組成物中90質量%以上、好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上であり、例えば99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下である。
溶剤(E)の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (sometimes referred to as "solvent (E)")
The resist composition of the present invention may contain a solvent (E). The content of the solvent (E) is, for example, 90% by mass or more in the resist composition, preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more, for example 99.9% by mass or less, preferably 99% by mass or less. It is.
The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography, for example.

溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤(E)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent (E) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

〈その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, for example, sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes and the like can be used.

<レジスト組成物の調製>
レジスト組成物は、樹脂(A)、酸発生剤(B)及び溶剤(E)又は樹脂(A)、酸発生剤(B)、塩基性化合物(C)及び溶剤(E)を混合することによって調製することができる。その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤(E)に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
<Preparation of resist composition>
The resist composition is prepared by mixing resin (A), acid generator (B) and solvent (E) or resin (A), acid generator (B), basic compound (C) and solvent (E). Can be prepared. The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin, the solubility with respect to solvent (E), such as resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.

樹脂(A)、酸発生剤(B)及び溶剤(E)並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物(C)又は成分(F)の各々を好ましい含有量で混合した後、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することが好ましい。   After mixing the resin (A), the acid generator (B), the solvent (E), and the basic compound (C) or the component (F) used as necessary at a preferable content, the pore diameter is about 0.2 μm. It is preferable to perform filtration or the like using this filter.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) The process of apply | coating the resist composition of this invention on a board | substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A step of heating the composition layer after exposure,
(5) The process which develops the composition layer after a heating using a image development apparatus is included.

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。   Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.

塗布後の組成物を乾燥させて溶剤を除去する。溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させる又は減圧装置を用いて行うことができる。溶剤が除去され、組成物層を形成することができる。この場合の温度は、例えば、50〜200℃程度が例示される。また、圧力は、1〜1.0×10Pa程度が例示される。 The composition after application is dried to remove the solvent. The removal of the solvent can be performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate or using a decompression device. The solvent is removed and a composition layer can be formed. As for the temperature in this case, about 50-200 degreeC is illustrated, for example. The pressure is exemplified by about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2レーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. The exposure light source emits ultraviolet laser light such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser, etc.) Various types of laser beam can be used, such as those that convert the wavelength of the laser beam from) to radiate a harmonic laser beam in the far ultraviolet region or the vacuum ultraviolet region.

露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
The composition layer after the exposure is subjected to heat treatment for promoting the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using an alkali developer using a developing device.
The alkaline developer used here may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline).
After development, it is preferable to rinse with ultrapure water to remove water remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物として好適である。
<Application>
The resist composition of the present invention is suitable as a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for EB, or a resist composition for EUV exposure machines.

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す%及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー(東ソー株式会社製HLC−8120GPC型、カラムは”TSKgel Multipore HXL−M”3本、溶媒はテトラヒドロフラン)により求めた値である。
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples.
In Examples and Comparative Examples, “%” and “part” representing content and use amount are based on mass unless otherwise specified.
The weight average molecular weight is a value obtained by gel permeation chromatography (HLC-8120GPC, manufactured by Tosoh Corporation, three columns are “TSKgel Multipore HXL-M”, and the solvent is tetrahydrofuran) using polystyrene as a standard product.
Column: TSKgel Multipore H XL -M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

化合物の構造は、質量分析(LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型)を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値を「MASS」で示す。   The structure of the compound was confirmed by measuring the molecular peak using mass spectrometry (LC is model 1100 manufactured by Agilent, and MASS is LC / MSD manufactured by Agilent). In the following examples, the value of this molecular peak is indicated by “MASS”.

実施例1:式(I1)で表される塩の合成

Figure 2012153680
Example 1: Synthesis of a salt represented by the formula (I1)
Figure 2012153680

式(I1−a)で表される塩を、特開2008−127367号公報に記載された方法で合成した。
式(I1−a)で表される塩5.00部及びクロロホルム25部を仕込み、30℃で30分間攪拌し、式(I1−b)で表される化合物1.83部を仕込み、60℃で1時間攪拌することにより、式(I1−c)で表される化合物を含む溶液を得た。
The salt represented by the formula (I1-a) was synthesized by the method described in JP 2008-127367 A.
5.00 parts of a salt represented by the formula (I1-a) and 25 parts of chloroform are charged, stirred at 30 ° C. for 30 minutes, and 1.83 parts of a compound represented by the formula (I1-b) are charged at 60 ° C. Was stirred for 1 hour to obtain a solution containing the compound represented by the formula (I1-c).

Figure 2012153680
Figure 2012153680

式(I1−e)で表される化合物5.00部、触媒KCO1.33部、DMF12部を仕込み、40℃で20分間攪拌し、式(I1−d)で表される化合物2.00部加え、60℃で2時間攪拌した。水洗後、得られた有機層にMgSOを加え、30分攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、上澄み液を除去した。得られた濃縮物にプロピレングリコールモノエーテルアセテートを加え、攪拌した。上澄液を除去し、式(I1−f)で表される化合物を得た。 5.00 parts of the compound represented by the formula (I1-e), 1.33 parts of the catalyst K 2 CO 3 and 12 parts of DMF were charged, stirred at 40 ° C. for 20 minutes, and the compound represented by the formula (I1-d) 2.00 parts was added and stirred at 60 ° C. for 2 hours. After washing with water, MgSO 3 was added to the obtained organic layer, stirred for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated and the supernatant was removed. Propylene glycol monoether acetate was added to the resulting concentrate and stirred. The supernatant was removed to obtain a compound represented by the formula (I1-f).

Figure 2012153680
Figure 2012153680

得られた式(I1−c)で表される化合物を含む溶液に、式(I1−f)で表される化合物1.51部を仕込み、23℃で3時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、tert−ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮した。その後、得られた濃縮物に、tert−ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式(I1)で表される塩0.84部を得た。   To the obtained solution containing the compound represented by the formula (I1-c), 1.51 parts of the compound represented by the formula (I1-f) was charged and stirred at 23 ° C. for 3 hours. To the resulting reaction mass, 10 parts of ion-exchanged water was added, and stirring and liquid separation were performed. Water washing was performed 5 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated, and 20 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting concentrate and stirred, and the supernatant was removed. The resulting residue was dissolved in acetonitrile and concentrated. Thereafter, 20 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting concentrate and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated to obtain 0.84 parts of the salt represented by the formula (I1).

MS(ESI(+)Spectrum):M 263.1
MS(ESI(−)Spectrum):M 463.0
MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 463.0

合成例1(樹脂A1の合成)
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル10.54部、p−アセトキシスチレン14.60部及びメタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル3.55部を混合し、この混合物に、1,4−ジオキサン47.09部を加えて溶液とした。この溶液を87℃程度まで昇温し、アゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、同温度で6時間保温した。冷却し、反応液をメタノール285.67部及びイオン交換水122.43部の混合液に注いで重合物を沈殿させ、沈殿した重合物をろ過した。
得られた重合物の全量と、4−ジメチルアミノピリジン2.93部とを、重合物と同質量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却し、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加えて中和し、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別した。得られた重合物をアセトンに溶解させ、大量の水に注いで、重合物を沈殿させ、これをろ過するという操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.7×10の樹脂28.15部を得た。これを樹脂A1とする。
Synthesis Example 1 (Synthesis of Resin A1)
10.54 parts of 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 14.60 parts of p-acetoxystyrene and 3.55 parts of 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate were mixed, and 1,4-dioxane 47 was added to this mixture. 0.09 part was added to make a solution. This solution was heated to about 87 ° C., 2.96 parts of azobisisobutyronitrile was added, and the mixture was kept at the same temperature for 6 hours. After cooling, the reaction solution was poured into a mixed solution of 285.67 parts of methanol and 122.43 parts of ion-exchanged water to precipitate a polymer, and the precipitated polymer was filtered.
The total amount of the polymer obtained and 2.93 parts of 4-dimethylaminopyridine were added to methanol of the same mass as the polymer and heated to reflux for 15 hours. The reaction mixture was cooled, neutralized by adding 2.16 parts of glacial acetic acid, and poured into a large amount of water to precipitate. The precipitated polymer was filtered off. The obtained polymer was dissolved in acetone, poured into a large amount of water, and the polymer was precipitated and purified by repeating the operation three times, and the weight average molecular weight was about 3.7 × 10 3 . 28.15 parts of resin were obtained. This is designated as resin A1.

合成例2(樹脂A2の合成)
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル14.06部、p−エトキシエチルスチレン27.26部及びメタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル4.73部を混合し、この混合物に、1,4−ジオキサン62.78部を加えて溶液とした。この溶液を87℃程度まで昇温し、アゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、同温度で6時間保温した。冷却し、反応液をメタノール389.89部及びイオン交換水163.24部の混合液に注いで重合物を沈殿させ、沈殿した重合物をろ過した。
得られた重合物の全量と、4−ジメチルアミノピリジン4.10部とを、重合物と同質量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却し、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加えて中和し、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別した。得られた重合物をアセトンに溶解させ、大量の水に注いで沈殿させ、これをろ過するという操作を3回繰り返して精製し、乾燥することで重量平均分子量4.8×10の共重合体32.15部を得た。これを樹脂A2とする。
Synthesis Example 2 (Synthesis of Resin A2)
14.06 parts of 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 27.26 parts of p-ethoxyethylstyrene and 4.73 parts of 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate were mixed, and 1,4-dioxane was added to this mixture. 62.78 parts was added to make a solution. This solution was heated to about 87 ° C., 2.96 parts of azobisisobutyronitrile was added, and the mixture was kept at the same temperature for 6 hours. After cooling, the reaction solution was poured into a mixed solution of 389.89 parts of methanol and 163.24 parts of ion-exchanged water to precipitate a polymer, and the precipitated polymer was filtered.
The total amount of the obtained polymer and 4.10 parts of 4-dimethylaminopyridine were added to methanol of the same mass as the polymer and heated to reflux for 15 hours. The reaction mixture was cooled, neutralized by adding 2.16 parts of glacial acetic acid, and poured into a large amount of water to precipitate. The precipitated polymer was filtered off. The obtained polymer is dissolved in acetone, poured into a large amount of water, precipitated, filtered, and purified by repeating the operation three times, and dried to give a weight average molecular weight of 4.8 × 10 3 32.15 parts of coalescence were obtained. This is called Resin A2.

実施例1〜4及び参考例1
以下の表1の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
<樹脂>
合成例1〜2で得られた樹脂A1、樹脂A2
<酸発生剤>
酸発生剤I1:式(I−1)で表される塩
酸発生剤B1

Figure 2012153680
Examples 1-4 and Reference Example 1
The components shown in Table 1 below were mixed and dissolved, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.
<Resin>
Resin A1 and Resin A2 obtained in Synthesis Examples 1 and 2
<Acid generator>
Acid generator I1: salt represented by formula (I-1) Acid generator B1
Figure 2012153680

<塩基性化合物>
塩基性化合物C1:2,6−ジイソプロピルアニリン
塩基性化合物C2:テトラ−n−ブチルアンモニウム サリチラート
<溶剤(E)>
D1:
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 400.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 150.0部
γ−ブチロラクトン 5.0部
<Basic compound>
Basic Compound C1: 2,6-Diisopropylaniline Basic Compound C2: Tetra-n-butylammonium salicylate <Solvent (E)>
D1:
Propylene glycol monomethyl ether acetate 400.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 150.0 parts γ-butyrolactone 5.0 parts

(電子線用レジスト組成物としての評価)
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90℃で60秒処理した。その後、表1のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が0.04μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物を塗布した後、ダイレクトホットプレート上にて、表1の温度で60秒間プリベーク(PB)した。得られた各ウェハに、電子線描画機〔(株)日立製作所製の「HL−800D 50keV」を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表1の温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク(PEB)を行い、さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
各レジスト膜において、50nm幅のラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量を実効感度とした。
(Evaluation as a resist composition for electron beams)
The silicon wafer was processed at 90 ° C. for 60 seconds using hexamethyldisilazane on a direct hot plate. Thereafter, the resist composition shown in Table 1 was spin-coated so that the film thickness after drying was 0.04 μm. After applying the resist composition, it was pre-baked (PB) at a temperature shown in Table 1 for 60 seconds on a direct hot plate. Each wafer obtained was exposed to a line-and-space pattern using an electron beam drawing machine ["HL-800D 50 keV" manufactured by Hitachi, Ltd., with the exposure amount being changed stepwise.
After the exposure, post-exposure baking (PEB) was performed on the hot plate at the temperature shown in Table 1 for 60 seconds, and paddle development was further performed with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds.
In each resist film, an exposure amount at which a 50 nm-wide line and space pattern is 1: 1 was defined as an effective sensitivity.

Figure 2012153680
Figure 2012153680

解像度評価:実効感度において、レジストパターンを走査電子顕微鏡で観察し、50nmを解像しているものを○、50nmを解像していいない、もしくは、解像しているが、トップが丸いか、裾引きがあるか、パターン倒れが観察されるものは×とした。
これらの結果を表2に示す。
Resolution evaluation: In the effective sensitivity, the resist pattern is observed with a scanning electron microscope, the resolution of 50 nm is ○, the resolution is not 50 nm, or the top is round, The case where there was skirting or pattern collapse was observed was marked with x.
These results are shown in Table 2.

Figure 2012153680
Figure 2012153680

本発明の塩によれば、この塩を含むレジスト組成物を用いて、優れた解像性を有するパターンを得ることができる。   According to the salt of the present invention, a pattern having excellent resolution can be obtained using a resist composition containing this salt.

Claims (9)

式(I)で表される塩。
Figure 2012153680
[式(I)中、
及びRは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
は、下記式(b)で表される基である。
Figure 2012153680
(式(b)中、
、R、R、R、R、R、R10、R11、R12及びR13は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表すか、RとR、RとR、RとR、RとR13、RとR、RとR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって、環を形成してもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12及びR13のいずれか1つはXとの結合手を表す。
---は、単結合又は二重結合を表す。
n1は、1又は2を表す。
n2は、0又は1を表す。n1+n2は2である。)
1+は、有機対イオンを表す。]
A salt represented by the formula (I).
Figure 2012153680
[In the formula (I),
R 1 and R 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
X 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, a hydrogen atom contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom, and the divalent saturated The methylene group contained in the hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
R 3 is a group represented by the following formula (b).
Figure 2012153680
(In the formula (b),
R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 13 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a C 1-18 fat. Represents a group hydrocarbon group, R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 6 and R 13 , R 7 and R 8 , R 8 and R 11 , R 11 and R 12 or R 12 and R 13 may be combined to form a ring, and the methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. However, any one of R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 13 represents a bond to X 1 .
--- represents a single bond or a double bond.
n1 represents 1 or 2.
n2 represents 0 or 1. n1 + n2 is 2. )
Z 1+ represents an organic counter ion. ]
前記式(b)で表される基が、式(c)で表される基である請求項1記載の塩。
Figure 2012153680
[式(c)中、
14、R15、R16及びR17は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R14、R15、R16及びR17のいずれか1つはXとの結合手を表す。]
The salt according to claim 1, wherein the group represented by the formula (b) is a group represented by the formula (c).
Figure 2012153680
[In the formula (c),
R 14 , R 15 , R 16 and R 17 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. However, any one of R 14 , R 15 , R 16 and R 17 represents a bond with X 1 . ]
前記式(c)が、下記式(d)で表される基である請求項2記載の塩。
Figure 2012153680
[式(d)中、*は、Xとの結合手を表す。]
The salt according to claim 2, wherein the formula (c) is a group represented by the following formula (d).
Figure 2012153680
Wherein (d), * represents a bond to X 1. ]
1+が、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項1〜3のいずれかに記載の塩。 The salt according to any one of claims 1 to 3, wherein Z 1+ is a triarylsulfonium cation. 請求項1〜4のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。   The acid generator containing the salt in any one of Claims 1-4. 請求項5記載の酸発生剤と樹脂と溶剤とを含有するレジスト組成物。   A resist composition comprising the acid generator according to claim 5, a resin and a solvent. 樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂である請求項6記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 6, wherein the resin is a resin having an acid labile group, insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution, and capable of acting on an acid and dissolving in the aqueous alkali solution. さらに、塩基性化合物を含有する請求項6又は7記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition of Claim 6 or 7 containing a basic compound. (1)請求項6〜8のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition in any one of Claims 6-8 on a board | substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A step of heating the composition layer after exposure,
(5) a step of developing the composition layer after heating;
A method for producing a resist pattern including:
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