JP2012147074A - Storage device, storage method, and program - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、画像データを記憶する記憶装置、記憶方法およびプログラムに関する。 The present invention relates to a storage device that stores image data, a storage method, and a program.
撮像装置等において撮影された画像は、JPEG(Joint Photographic Experts Group)等の圧縮方式を用いて符号化され、その撮像装置等が備えるNANDフラッシュメモリに画像データとして記憶されるのが通常である。 An image taken by an imaging device or the like is usually encoded using a compression method such as JPEG (Joint Photographic Experts Group) and stored as image data in a NAND flash memory provided in the imaging device or the like.
なお、画像を圧縮する際の圧縮条件の変更を可能にする技術が例えば、特許文献1に開示されている。また、画像の圧縮を高速に行うための技術が例えば、特許文献2に開示されている。
For example,
ここで、NANDフラッシュメモリは、SLC(Single Level Cell) NANDフラッシュメモリと、MLC(Multi Level Cell) NANDフラッシュメモリとに分類される。 Here, NAND flash memories are classified into SLC (Single Level Cell) NAND flash memory and MLC (Multi Level Cell) NAND flash memory.
SLC NANDフラッシュメモリは、1つのメモリセルで1ビットのデータを記憶するNANDフラッシュメモリであり、信頼性は高いが高コストである。一方、MLC NANDフラッシュメモリは、1つのメモリセルで2ビット以上のデータを記憶するNANDフラッシュメモリであり、信頼性は低いが低コストである。 The SLC NAND flash memory is a NAND flash memory that stores 1-bit data in one memory cell, and has high reliability but high cost. On the other hand, the MLC NAND flash memory is a NAND flash memory that stores data of 2 bits or more in one memory cell, and has low reliability but low cost.
画像データは、コストを重視してMLC NAMDフラッシュメモリに記憶することが多い。しかし、MLC NANDフラッシュメモリに記憶されたデータは、SLC NANDフラッシュメモリに記憶されたデータと比べてビット化けの発生率が高い。ビット化けが発生した場合、画像データを復号化することによって生成された画像に乱れ(画乱れ)が生じてしまう。つまり、画像データを記憶する際の高信頼性を確保できないという問題点がある。 Image data is often stored in an MLC NAMD flash memory with an emphasis on cost. However, the data stored in the MLC NAND flash memory has a higher rate of bit corruption than the data stored in the SLC NAND flash memory. When bit corruption occurs, the image generated by decoding the image data is disturbed (image disorder). That is, there is a problem that high reliability in storing image data cannot be ensured.
一方で、画像データをSLC NANDフラッシュメモリに記憶させると、コストがかかってしまうという問題点がある。 On the other hand, if image data is stored in the SLC NAND flash memory, there is a problem that costs are increased.
本発明は、画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させることができる記憶装置、記憶方法およびプログラムを提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a storage device, a storage method, and a program that can achieve both high reliability and low cost when storing image data.
上記目的を達成するために本発明の記憶装置は、NANDフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置であって、
前記NANDフラッシュメモリは、SLC NANDフラッシュメモリと、MLC NANDフラッシュメモリとから構成され、
前記生成した低周波成分画像データを前記SLC NANDフラッシュメモリに記憶し、前記生成した高周波成分画像データを前記MLC NANDフラッシュメモリに記憶する。
In order to achieve the above object, a storage device according to the present invention has a NAND flash memory, and encodes an image to obtain low frequency component image data indicating a low frequency component of the image and a high frequency component of the image. A high-frequency component image data to be generated and stored in the NAND flash memory,
The NAND flash memory includes an SLC NAND flash memory and an MLC NAND flash memory,
The generated low frequency component image data is stored in the SLC NAND flash memory, and the generated high frequency component image data is stored in the MLC NAND flash memory.
また、上記目的を達成するために本発明の記憶方法は、NANDフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置における記憶方法であって、
前記NANDフラッシュメモリを構成するSLC NANDフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶し、前記NANDフラッシュメモリを構成するMLC NANDフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する処理を有する。
In order to achieve the above object, the storage method of the present invention includes a NAND flash memory, and encodes an image to thereby generate low frequency component image data indicating a low frequency component of the image and high frequency of the image. A storage method in a storage device that generates high-frequency component image data indicating a component and stores the generated high-frequency component image data in the NAND flash memory,
The SLC NAND flash memory constituting the NAND flash memory stores the generated low-frequency component image data, and the MLC NAND flash memory constituting the NAND flash memory stores the generated high-frequency component image data.
また、上記目的を達成するために本発明のプログラムは、NANDフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置に、
前記NANDフラッシュメモリを構成するSLC NANDフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶する機能と、
前記NANDフラッシュメモリを構成するMLC NANDフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する機能と、を実現させる。
In order to achieve the above object, the program of the present invention includes a NAND flash memory, and encodes an image to thereby generate low-frequency component image data indicating a low-frequency component of the image and a high-frequency component of the image. In a storage device that generates high-frequency component image data indicating and stores in the NAND flash memory,
A function of storing the generated low-frequency component image data in an SLC NAND flash memory constituting the NAND flash memory;
A function of storing the generated high-frequency component image data in an MLC NAND flash memory constituting the NAND flash memory.
本発明によれば、画像の低周波成分を示す低周波成分画像データがSLC NANDフラッシュメモリに記憶され、その画像の高周波成分を示す高周波成分画像データがMLC NANDフラッシュメモリに記憶される。 According to the present invention, the low frequency component image data indicating the low frequency component of the image is stored in the SLC NAND flash memory, and the high frequency component image data indicating the high frequency component of the image is stored in the MLC NAND flash memory.
ここで、低周波成分画像データには、上述した特許文献1にも記載されているように、画像のDC成分と低周波成分とが含まれているため、低周波成分画像データによって画像のおおまかな輪郭や色が再現できる。
Here, since the low frequency component image data includes the DC component and the low frequency component of the image as described in
そのため、MLC NANDフラッシュメモリに記憶されていた高周波成分画像データにビット化けが発生した場合でも、画像データを復号化することによって生成された画像に人間の目で見てはっきりとわかるような画乱れは生じない。 For this reason, even if high-frequency component image data stored in the MLC NAND flash memory is garbled, image distortion that can be clearly seen by the human eye in the image generated by decoding the image data Does not occur.
従って、低周波成分画像データを信頼性の高いSLC NANDフラッシュメモリに記憶し、高周波成分画像データを低コストのMLC NANDフラッシュメモリに記憶することにより、画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させることができる。 Therefore, the low frequency component image data is stored in the highly reliable SLC NAND flash memory, and the high frequency component image data is stored in the low cost MLC NAND flash memory. Costs can be balanced.
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の記憶装置を適用した撮像装置の実施の一形態の構成を示すブロック図である。 FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of an imaging apparatus to which a storage device of the present invention is applied.
本実施形態の撮像装置200は図1に示すように、記憶装置100と、操作部201と、表示コントローラ202と、表示デバイス203と、カメラデバイス204とを備えている。
As illustrated in FIG. 1, the imaging apparatus 200 according to the present embodiment includes a storage device 100, an
記憶装置100は、制御部101と、符号化処理部102と、復号化処理部103と、RAM(Random Access Memory)104と、ROM(Read Only Memory)105と、フラッシュメモリコントローラ106と、SLC NANDフラッシュメモリ107と、MLC NANDフラッシュメモリ108とを備えている。
The storage device 100 includes a
SLC NANDフラッシュメモリ107は、1つのメモリセルで1ビットのデータを記憶するNANDフラッシュメモリである。
The SLC
MLC NANDフラッシュメモリ108は、1つのメモリセルで2ビット以上のデータを記憶するNANDフラッシュメモリである。なお、以降、SLC NANDフラッシュメモリ107とMLC NANDフラッシュメモリ108との両方を指す場合には単に、NANDフラッシュメモリという。
The MLC NAND flash memory 108 is a NAND flash memory that stores data of 2 bits or more in one memory cell. Hereinafter, when referring to both the SLC
操作部201は、ユーザが撮像装置200を操作するためのヒューマンインタフェースである。操作部201は、ユーザから各種の指示を受け付け、受け付けた指示の内容を示すユーザ指示情報を制御部101へ出力する。
The
制御部101は、操作部201から出力されたユーザ指示情報を受け付け、受け付けたユーザ指示情報が示す内容に応じて撮像装置200の各部を動作させるための各種のコマンドを出力する。また、制御部101は、後述する低周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介してSLC NANDフラッシュメモリ107に記憶させる。また、制御部101は、後述する高周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介してMLC NANDフラッシュメモリ108に記憶させる。また、制御部101は、SLC NANDフラッシュメモリ107およびMLC NANDフラッシュメモリ108に記憶された低周波成分画像データおよび高周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介して読み出す。
The
RAM104は、制御部101が各種の制御プログラムを実行する際に必要となるデータを記憶し、ワークメモリとして使用される。
The
ROM105は、制御部101が実行する各種の制御プログラムや固定データを記憶している。
The
カメラデバイス204は、入射された光から被写体像をレンズ(不図示)によって結像し、結像した被写体像をイメージセンサ(不図示)等の撮像素子によって電気信号に変換する。これにより、カメラデバイス204は、例えばYUVフォーマットの画像を取得する。そして、カメラデバイス204は、取得した画像をRAM104に記憶させる。
The
符号化処理部102は、RAM104に記憶された画像を読み出してJPEG等を用いて符号化することによって画像データを生成する。このとき、符号化処理部102は、RAM104に記憶された画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、その画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成する。そして、符号化処理部102は、生成した低周波成分画像データと高周波成分画像データとから構成される1組の画像データをRAM104に記憶させる。なお、画像から低周波成分画像データと高周波数成分画像データとを生成する方法はすでにプログレッシブJPEGなどで実現されている。プログレッシブJPEGを用いて符号化する技術は例えば、上述した特許文献1に開示されている。
The
復号化処理部103は、RAM104に記憶された1組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データとを復号化することにより、表示デバイス203へ表示するための画像を生成してRAM104に記憶させる。なお、復号化の方法については例えば、上述した特許文献2に開示されている。
The
表示コントローラ202は、RAM104に記憶された画像を表示デバイス203に表示させる。
The
表示デバイス203は、例えばLED(Light Emitting Diode)や有機EL(Electro Luminescence)である。
The
以下に、上記のように構成された撮像装置200の動作について説明する。 Hereinafter, an operation of the imaging apparatus 200 configured as described above will be described.
操作部201は、ユーザから撮影の指示を受け付けると、その旨を示すユーザ指示情報を制御部101へ出力する。
When the
操作部201から出力されたユーザ指示情報を受け付けた制御部101は、撮影を指示するための撮影コマンドをカメラデバイス204へ出力する。
The
制御部101から出力された撮影コマンドを受け付けたカメラデバイス204は、入射された光から被写体像をレンズによって結像し、結像した被写体像をイメージセンサ等の撮像素子によって電気信号に変換して画像を取得する。
The
次に、操作部201は、撮影した画像を保存する指示をユーザから受け付けると、その旨を示すユーザ指示情報を制御部101へ出力する。
Next, when the
操作部201から出力されたユーザ指示情報を受け付けた制御部101は、画像の保存を指示するための保存コマンドをカメラデバイス204へ出力する。
The
制御部101から出力された保存コマンドを受け付けたカメラデバイス204は、取得した画像をRAM104に記憶させる。
The
次に、制御部101は、RAM104に記憶された画像を符号化するための符号化コマンドを符号化処理部102へ出力する。
Next, the
符号化処理部102は、制御部101から出力された符号化コマンドを受け付けると、RAM104に記憶された画像を符号化する。以下に、この動作の詳細について説明する。
When the
図2は、図1に示したRAM104に記憶された画像を符号化するときの動作を説明するためのフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart for explaining an operation when an image stored in the
符号化処理部102は、RAM104に記憶された画像を読み出して複数のプレーン毎に8×8画素の複数のブロックに分割する(ステップS1)。
The
そして、符号化処理部102は、複数のブロック毎に離散コサイン変換を実行する(ステップS2)。これにより、RAM104から読み出された画像が空間周波数成分である離散コサイン変換係数に変換される。離散コサイン変換係数は、8×8の行列で表される周波数空間の係数である。
And the
次に、符号化処理部102は、離散コサイン変換係数を量子化する(ステップS3)。量子化では、離散コサイン変換係数を要素毎に定められたスケールファクタと呼ばれる値で除算することによって符号データ量を削減する。
Next, the
図3は、図1に示した符号化処理部102によって量子化された後の離散コサイン変換係数の一例を示す図である。図3に示す数字のそれぞれが量子化された後の離散コサイン変換係数である。なお、以降、量子化された後の離散コサイン変換係数のことを単に、離散コサイン変換係数という。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of discrete cosine transform coefficients after being quantized by the
以降の処理は、離散コサイン変換係数を低周波バンドと高周波バンドとに分けて実行される。ここでは、図3に示すように、離散コサイン変換係数「0〜5」が低周波バンドに属し、離散コサイン変換係数「6〜63」が高周波バンドに属するものとする。 The subsequent processing is executed by dividing the discrete cosine transform coefficient into a low frequency band and a high frequency band. Here, as shown in FIG. 3, it is assumed that the discrete cosine transform coefficients “0 to 5” belong to the low frequency band, and the discrete cosine transform coefficients “6 to 63” belong to the high frequency band.
再度、図2を参照すると、次に、符号化処理部102は、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンする(ステップS4)。これにより、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数が1次元配列化される。
Referring to FIG. 2 again, next, the
図4は、図3に示した低周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするときの順番を説明するための図である。 FIG. 4 is a diagram for explaining the order in which the cosine transform coefficients belonging to the low frequency band shown in FIG. 3 are zigzag scanned.
符号化処理部102は図4に示すように、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数「0〜5」を昇順にジグザグスキャンする。
As shown in FIG. 4, the
そして、符号化処理部102は、二次元ハフマン変換を実行することによって低周波成分画像データを生成する(ステップS5)。
And the
次に、符号化処理部102は、高周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンする(ステップS6)。これにより、高周波バンドに属する離散コサイン変換係数が1次元配列化される。
Next, the
図5は、図3に示した高周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするときの順番を説明するための図である。 FIG. 5 is a diagram for explaining the order in which the discrete cosine transform coefficients belonging to the high frequency band shown in FIG. 3 are zigzag scanned.
符号化処理部102は図5に示すように、高周波バンドに属する離散コサイン変換係数「6〜63」を昇順にジグザグスキャンする。
As shown in FIG. 5, the
そして、符号化処理部102は、二次元ハフマン変換を実行することによって高周波成分画像データを生成する(ステップS7)。
And the
以上により、低周波成分画像データと高周波成分画像データとから構成される1組の画像データが生成されたことになる。 As described above, a set of image data composed of the low-frequency component image data and the high-frequency component image data is generated.
次に、符号化処理部102は、生成した1組の画像データをRAM104に記憶させる(ステップS8)。
Next, the
次に、図1に示したRAM104に記憶された1組の画像データをNAND フラッシュメモリに記憶させるときの動作について説明する。
Next, an operation when a set of image data stored in the
図6は、図1に示したRAM104に記憶された1組の画像データをNAND フラッシュメモリに記憶させるときの動作を説明するためのフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart for explaining an operation when a set of image data stored in the
まず、制御部101は、1組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データとのそれぞれが記憶された記憶領域を示すアドレスを管理するための管理テーブルを生成する(ステップS21)。
First, the
次に、制御部101は、RAM104に記憶されている1組の画像データのうち低周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介してSLC NANDフラッシュメモリ107に記憶させる(ステップS22)。
Next, the
また、制御部101は、RAM104に記憶されている1組の画像データのうち高周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介してMLC NANDフラッシュメモリ108に記憶させる(ステップS23)。
Further, the
次に、制御部101は、SLC NANDフラッシュメモリ107の記憶領域のうち、ステップS22にて低周波成分画像データを記憶した記憶領域を示すアドレスを、ステップS21にて生成した管理テーブルに書き込む(ステップS24)。
Next, the
また、制御部101は、MLC NANDフラッシュメモリ108の記憶領域のうち、ステップS23にて高周波成分画像データを記憶した記憶領域を示すアドレスを、ステップS21にて生成した管理テーブルに書き込む(ステップS25)。
Further, the
以上により、1組の画像データを構成する低周波成分画像データが記憶されたSLC NANDフラッシュメモリ107の記憶領域を示すアドレスと、その1組の画像データを構成する高周波成分画像データが記憶されたMLC NANDフラッシュメモリ108の記憶領域を示すアドレスとが対応付けられて管理テーブルに記憶されることになる。
As described above, the address indicating the storage area of the SLC
そして、制御部101は、アドレスが書き込まれた管理テーブルをSLC NANDフラッシュメモリ107に記憶させる(ステップS26)。
Then, the
図7は、図1に示したNANDフラッシュメモリのアドレスマップの一例を示す図であり、(a)はSLC NANDフラッシュメモリ107のアドレスマップの一例を示す図、(b)はMLC NANDフラッシュメモリ108のアドレスマップの一例を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an example of an address map of the NAND flash memory shown in FIG. 1, (a) is a diagram showing an example of an address map of the SLC
図7(a)に示すように、SLC NANDフラッシュメモリ107には、管理テーブル11と、1組の画像データのうちの低周波成分画像データ12が記憶されている。また、図7(b)に示すように、MLC NANDフラッシュメモリ108には、その1組の画像データのうちの高周波成分画像データ13が記憶されている。
As shown in FIG. 7A, the SLC
次に、図1に示した NANDフラッシュメモリに記憶された1組の画像データを読み出して復号化し、表示デバイス203に表示するための例えばYUVフォーマットの画像を生成する動作について説明する。
Next, an operation of reading and decoding a set of image data stored in the NAND flash memory shown in FIG. 1 and generating, for example, a YUV format image for display on the
まず、NANDフラッシュメモリに記憶された1組の画像データを読み出すときの動作について説明する。 First, an operation for reading a set of image data stored in the NAND flash memory will be described.
図8は、図1に示したNANDフラッシュメモリに記憶された1組の画像データを読み出すときの動作を説明するためのフローチャートである。 FIG. 8 is a flowchart for explaining the operation when reading a set of image data stored in the NAND flash memory shown in FIG.
まず、操作部201は、ユーザから画像の表示の指示を受け付ける。なお、ユーザは、画像をサムネイル等の縮小した状態で表示するか、縮小せずに表示するかのいずれかを選択しているものとする。
First, the
ユーザからの指示を受け付けた操作部201は、その旨を示すユーザ指示情報を制御部101へ出力する。
The
操作部201から出力されたユーザ指示情報を受け付けた制御部101は、フラッシュメモリコントローラ106を介してSLC NANDフラッシュメモリ107から管理テーブルを読み出す(ステップS41)。
The
次に、制御部101は、読み出した管理テーブルから、ユーザから表示を指示された画像を示す1組の画像データを構成する低周波成分画像データが記憶されているSLC NANDフラッシュメモリ107の記憶領域を示すアドレスを抽出する(ステップS42)。
Next, the
また、制御部101は、読み出した管理テーブルから、ステップS42にて抽出したアドレスに対応するアドレス、すなわち高周波成分画像データが記憶されているMLC NANDフラッシュメモリ108の記憶領域を示すアドレスを抽出する(ステップS43)。
Further, the
次に、制御部101は、ステップS42にて抽出したSLC NANDフラッシュメモリ107のアドレスに基づき、フラッシュメモリコントローラ106を介してSLC NANDフラッシュメモリ107から低周波成分画像データを読み出してRAM104に記憶させる(ステップS44)。
Next, the
次に、制御部101は、受け付けたユーザ指示情報が、画像を縮小して表示することを示しているかどうかを確認する(ステップS45)。なお、画像を縮小して表示するか、画像を縮小せずに表示するかを確認しているのは、高周波成分画像データは画像の細かな部分を示しているため、画像を縮小して表示する場合、高周波成分画像データは必要ないからである。
Next, the
ステップS45における確認の結果、受け付けたユーザ指示情報が画像を縮小して表示することを示していない場合、つまり、高周波成分画像データが必要である場合、制御部101は、ステップS43にて抽出したMLC NANDフラッシュメモリ108のアドレスに基づき、フラッシュメモリコントローラ106を介してMLC NANDフラッシュメモリ108から高周波成分画像データを読み出してRAM104に記憶させる(ステップS46)。
As a result of the confirmation in step S45, when the received user instruction information does not indicate that the image is to be reduced and displayed, that is, when high frequency component image data is necessary, the
以上により、ユーザから表示を指示された画像を示す1組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データとがRAM104に記憶されたことになる。
As described above, the low frequency component image data and the high frequency component image data constituting one set of image data indicating an image instructed to be displayed by the user are stored in the
一方、ステップS45における確認の結果、受け付けたユーザ指示情報が画像を縮小して表示することを示している場合、つまり、高周波成分画像データが必要でない場合、処理を終了する。 On the other hand, as a result of the confirmation in step S45, if the received user instruction information indicates that the image is to be reduced and displayed, that is, if the high frequency component image data is not necessary, the process is terminated.
次に、図1に示したRAM104に記憶された1組の画像データを復号化するときの動作について説明する。
Next, an operation for decoding a set of image data stored in the
図9は、図1に示したRAM104に記憶された1組の画像データを復号化するときの動作を説明するためのフローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart for explaining an operation when decoding a set of image data stored in the
まず、制御部101は、RAM104に記憶された1組の画像データを復号化するための復号化コマンドを復号化処理部103へ出力する。
First, the
制御部101から出力された復号化コマンドを受け付けた復号化処理部103は、RAM104に記憶された1組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データと並べ替える(ステップS61)。具体的には、1次元配列となっている低周波成分画像データと高周波成分画像データを複数のブロック毎にジグザグスキャンする前の8×8の行列にする。
The
次に、復号化処理部103は、逆量子化する(ステップS62)。具体的には、図2に示したフローチャートおけるステップS3において除算した時の値を用いた乗算が実行される。
Next, the
次に、復号化処理部103は、複数のブロック毎に逆離散コサイン変換を実行する(ステップS63)。これにより、複数のブロックのそれぞれが8×8の画素データに変換されて画像が生成される。
Next, the
このように本実施形態においては、画像の低周波成分を示す低周波成分画像データがSLC NANDフラッシュメモリ107に記憶され、その画像の高周波成分を示す高周波成分画像データがMLC NANDフラッシュメモリ108に記憶される。
As described above, in the present embodiment, the low-frequency component image data indicating the low-frequency component of the image is stored in the SLC
ここで、低周波成分画像データには、上述した特許文献1にも記載されているように、画像のDC成分と低周波成分とが含まれているため、低周波成分画像データによって画像のおおまかな輪郭や色が再現できる。
Here, since the low frequency component image data includes the DC component and the low frequency component of the image as described in
そのため、MLC NANDフラッシュメモリ108に記憶されていた高周波成分画像データにビット化けが発生した場合でも、画像データを復号化することによって生成された画像に人間の目で見てはっきりとわかるような画乱れは生じない。 Therefore, even when high-frequency component image data stored in the MLC NAND flash memory 108 is garbled, an image that can be clearly seen by human eyes in an image generated by decoding the image data. Disturbance does not occur.
従って、本実施形態のように、画像を示す1組の画像データを構成する低周波成分画像データを信頼性の高いSLC NANDフラッシュメモリ107に記憶し、その1組の画像データを構成する高周波成分画像データを低コストのMLC NANDフラッシュメモリ108に記憶することにより、画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させることができる。
Therefore, as in this embodiment, low-frequency component image data constituting a set of image data representing an image is stored in the highly reliable SLC
次に、本実施形態の記憶装置100を適用することによって高信頼性と低コストとを両立させることができることを具体例を用いて説明する。 Next, it will be described with reference to a specific example that both high reliability and low cost can be achieved by applying the storage device 100 of the present embodiment.
チップ面積が同じ場合、MLC NANDフラッシュメモリは、SLC NANDフラッシュメモリの2倍以上の容量を確保できる。そのため、MLC NANDフラッシュメモリのビットあたりの単価は、SLC NANDフラッシュメモリの半分以下である。ここでは、SLC NANDフラッシュメモリとMLC NANDフラッシュメモリとの価格の比率を、SLC NANDフラッシュメモリの価格:MLC NANDフラッシュメモリの価格=2:1とする。 When the chip area is the same, the MLC NAND flash memory can secure a capacity that is at least twice that of the SLC NAND flash memory. Therefore, the unit price per bit of the MLC NAND flash memory is less than half that of the SLC NAND flash memory. Here, the price ratio between the SLC NAND flash memory and the MLC NAND flash memory is assumed to be SLC NAND flash memory price: MLC NAND flash memory price = 2: 1.
この条件下で、図3に示した低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数と高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数との比率に応じてコストがどのように変化するかを示す。 3 shows how the cost changes according to the ratio between the number of discrete cosine transform coefficients belonging to the low frequency band and the number of discrete cosine transform coefficients belonging to the high frequency band shown in FIG.
(1)信頼性を重視した場合
高信頼性を確保するため、図3に示した64個の離散コサイン変換係数の全てを低周波バンドに属するものとする。この場合、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数:高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数=100:0となる。
(1) When emphasizing reliability In order to ensure high reliability, all of the 64 discrete cosine transform coefficients shown in FIG. 3 belong to the low frequency band. In this case, the number of discrete cosine transform coefficients belonging to the low frequency band: the number of discrete cosine transform coefficients belonging to the high frequency band = 100: 0.
各バンド内の離散コサイン変換係数の数と、それに基づいて符号化される画像データのサイズとは比例する。そのため、低周波成分画像データのサイズ:高周波成分画像データのサイズ=100:0となる。 The number of discrete cosine transform coefficients in each band is proportional to the size of image data encoded based on the coefficient. Therefore, the size of the low frequency component image data: the size of the high frequency component image data = 100: 0.
そして、低周波成分画像データをSLC NANDフラッシュメモリに記憶し、高周波成分画像データをMLC NANDフラッシュメモリに記憶する。この場合のコストを「コストA」とすると、コストA=((低周波成分画像データのサイズ)×(SLC NANDフラッシュメモリの価格)+(高周波成分画像データのサイズ)×(MLC NANDフラッシュメモリの価格))=100×2+0×1=200となる。 Then, the low frequency component image data is stored in the SLC NAND flash memory, and the high frequency component image data is stored in the MLC NAND flash memory. Assuming that the cost in this case is “cost A”, cost A = ((size of low-frequency component image data) × (price of SLC NAND flash memory) + (size of high-frequency component image data) × (MLC NAND flash memory Price)) = 100 × 2 + 0 × 1 = 200.
(2)コスト重視した場合
コストを重視し、図3に示した64個の離散コサイン変換係数の全てを高周波バンドに属するものとする。この場合、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数:高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数=0:100となる。これにより、低周波成分画像データのサイズ:高周波成分画像データのサイズ=0:100となる。
(2) Case where cost is emphasized Cost is emphasized, and all of the 64 discrete cosine transform coefficients shown in FIG. 3 belong to the high frequency band. In this case, the number of discrete cosine transform coefficients belonging to the low frequency band: the number of discrete cosine transform coefficients belonging to the high frequency band = 0: 100. Thereby, the size of the low frequency component image data: the size of the high frequency component image data = 0: 100.
この場合のコストを「コストB」とすると、コストB=((低周波成分画像データのサイズ)×(SLC NANDフラッシュメモリの価格)+(高周波成分画像データのサイズ)×(MLC NANDフラッシュメモリの価格))=0×2+100×1=100となる。 Assuming that the cost in this case is “cost B”, the cost B = ((size of low-frequency component image data) × (price of SLC NAND flash memory) + (size of high-frequency component image data) × (MLC NAND flash memory Price)) = 0.times.2 + 100.times.1 = 100.
(3)本実施形態の記憶装置100を適用して高信頼性と低コストと両立した場合
図3に示した64個の離散コサイン変換係数のうち、2割が低周波バンドに属するものとし、8割が高周波バンドに属するものとする。この場合、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数:高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数=20:80となる。これにより、低周波成分画像データのサイズ:高周波成分画像データのサイズ=20:80となる。
(3) When the storage device 100 of the present embodiment is applied to achieve both high reliability and low cost, 20% of the 64 discrete cosine transform coefficients shown in FIG. 3 belong to the low frequency band, 80% shall belong to the high frequency band. In this case, the number of discrete cosine transform coefficients belonging to the low frequency band: the number of discrete cosine transform coefficients belonging to the high frequency band = 20: 80. Thereby, the size of the low frequency component image data: the size of the high frequency component image data = 20: 80.
この場合のコストを「コストC」とすると、コストC=((低周波成分画像データのサイズ)×(SLC NANDフラッシュメモリの価格)+(高周波成分画像データのサイズ)×(MLC NANDフラッシュのメモリ価格))=20×2+80×1=120となる。つまり、上記の(2)コストを重視した場合に比べて2割のコストアップで信頼性を向上させることが可能である。 Assuming that the cost in this case is “cost C”, the cost C = ((size of low frequency component image data) × (price of SLC NAND flash memory) + (size of high frequency component image data) × (memory of MLC NAND flash) Price)) = 20 × 2 + 80 × 1 = 120. That is, it is possible to improve reliability with a cost increase of 20% compared with the case (2) where the cost is emphasized.
また、本実施形態においてサムネイルなどの縮小した画像を表示する場合には、画像データの読み出し時間を短縮することが可能である。縮小した画像を表示する場合には、高周波成分画像データは必要なく、低周波成分画像データだけを読み出せばよいからである。 In addition, when displaying a reduced image such as a thumbnail in the present embodiment, it is possible to shorten the reading time of image data. This is because when the reduced image is displayed, the high frequency component image data is not necessary and only the low frequency component image data needs to be read.
また、本実施形態においては、低周波数成分画像データおよび高周波数画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスが管理テーブルに書き込まれている。そのため、低周波数成分画像データおよび高周波数画像データを読み出す際の時間を短縮することが可能となる。これは、読み出しの際にSLC NANDフラッシュメモリ107およびMLC NANDフラッシュメモリ108のどこの記憶領域に記憶された画像データを読み出せばよいかをその都度確認する必要がなくなるからである。
In this embodiment, an address indicating a storage area in which the low frequency component image data and the high frequency image data are stored is written in the management table. Therefore, it is possible to shorten the time for reading out the low frequency component image data and the high frequency image data. This is because it is not necessary to confirm each time the image data stored in the SLC
なお、本実施形態では、管理テーブルと低周波成分画像データとをSLC NANDフラッシュメモリ107に記憶させたが、管理テーブルと低周波成分画像データとをRAM104に記憶させることも可能である。
In this embodiment, the management table and the low-frequency component image data are stored in the SLC
この場合、管理テーブルと低周波成分画像データとの読み出しにかかる時間の短縮および信頼性の向上を図ることができる。これは、RAM104は基本的に、NANDフラッシュメモリに比べて読み出し時のアクセス時間が短く、また電源オン状態であればビット化けが発生しないからである。
In this case, the time required for reading out the management table and the low-frequency component image data can be shortened and the reliability can be improved. This is because the
また、本実施形態では、本発明の記憶装置を適用した撮像装置について説明したが、撮像装置には例えば、撮像機能を有する携帯電話等の携帯端末が含まれる。 In the present embodiment, the imaging apparatus to which the storage device of the present invention is applied has been described. However, the imaging apparatus includes, for example, a portable terminal such as a mobile phone having an imaging function.
また、本発明においては、記憶装置内の処理は上述の専用のハードウェアにより実現されるもの以外に、その機能を実現するためのプログラムを記憶装置にて読取可能な記録媒体に記録し、この記録媒体に記録されたプログラムを記憶装置に読み込ませ、実行するものであっても良い。記憶装置にて読取可能な記録媒体とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、DVD、CDなどの移設可能な記録媒体の他、記憶装置に内蔵されたHDDなどを指す。 In the present invention, the processing in the storage device is recorded on a recording medium readable by the storage device, in addition to the processing realized by the dedicated hardware described above. A program recorded on a recording medium may be read into a storage device and executed. The recording medium readable by the storage device refers to an HDD built in the storage device in addition to a transferable recording medium such as a flexible disk, a magneto-optical disk, a DVD, and a CD.
11 管理テーブル
12 低周波成分画像データ
13 高周波成分画像データ
100 記憶装置
101 制御部
102 符号化処理部
103 復号化処理部
104 RAM
105 ROM
106 フラッシュメモリコントローラ
107 SLC NANDフラッシュメモリ
108 MLC NANDフラッシュメモリ
200 撮像装置
201 操作部
202 表示コントローラ
203 表示デバイス
204 カメラデバイス
DESCRIPTION OF
105 ROM
106
Claims (6)
前記NANDフラッシュメモリは、SLC NANDフラッシュメモリと、MLC NANDフラッシュメモリとから構成され、
前記生成した低周波成分画像データを前記SLC NANDフラッシュメモリに記憶し、前記生成した高周波成分画像データを前記MLC NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置。 The NAND flash memory has a NAND flash memory and encodes an image to generate low frequency component image data indicating a low frequency component of the image and high frequency component image data indicating a high frequency component of the image. A storage device for storing in
The NAND flash memory includes an SLC NAND flash memory and an MLC NAND flash memory,
A storage device that stores the generated low-frequency component image data in the SLC NAND flash memory and stores the generated high-frequency component image data in the MLC NAND flash memory.
前記SLC NANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した低周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスと、前記MLC NANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した高周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスとを対応付けて記憶する記憶装置。 The storage device according to claim 1,
Of the storage area of the SLC NAND flash memory, an address indicating the storage area where the generated low frequency component image data is stored, and the generated high frequency component image data of the storage area of the MLC NAND flash memory is stored. A storage device that stores an address indicating a storage area in association with each other.
前記NANDフラッシュメモリを構成するSLC NANDフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶し、前記NANDフラッシュメモリを構成するMLC NANDフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する処理を有する記憶方法。 The NAND flash memory has a NAND flash memory and encodes an image to generate low frequency component image data indicating a low frequency component of the image and high frequency component image data indicating a high frequency component of the image. A storage method in a storage device for storing in
Storage having processing for storing the generated low frequency component image data in an SLC NAND flash memory constituting the NAND flash memory and storing the generated high frequency component image data in an MLC NAND flash memory constituting the NAND flash memory Method.
前記SLC NANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した低周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスと、前記MLC NANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した高周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスとを対応付けて記憶する処理をさらに有する記憶方法。 The storage method according to claim 3.
Of the storage area of the SLC NAND flash memory, an address indicating the storage area where the generated low frequency component image data is stored, and the generated high frequency component image data of the storage area of the MLC NAND flash memory is stored. A storage method further comprising a process of storing an address indicating a storage area in association with each other.
前記NANDフラッシュメモリを構成するSLC NANDフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶する機能と、
前記NANDフラッシュメモリを構成するMLC NANDフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する機能と、を実現させるためのプログラム。 The NAND flash memory has a NAND flash memory and encodes an image to generate low frequency component image data indicating a low frequency component of the image and high frequency component image data indicating a high frequency component of the image. To the storage device
A function of storing the generated low-frequency component image data in an SLC NAND flash memory constituting the NAND flash memory;
A program for realizing the function of storing the generated high-frequency component image data in the MLC NAND flash memory constituting the NAND flash memory.
前記記憶装置に、
前記SLC NANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した低周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスと、前記MLC NANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した高周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスとを対応付けて記憶する機能をさらに実現させるためのプログラム。 The program according to claim 5,
In the storage device,
Of the storage area of the SLC NAND flash memory, an address indicating the storage area where the generated low frequency component image data is stored, and the generated high frequency component image data of the storage area of the MLC NAND flash memory is stored. A program for further realizing a function of storing an address indicating a storage area in association with each other.
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