JP2012134696A - Δς a/d converter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、スイッチドキャパシタを利用したΔΣ型A/Dコンバータに関する。 The present invention relates to a ΔΣ type A / D converter using a switched capacitor.
アナログ信号をデジタル信号に変換するA/Dコンバータとして、ΔΣ型A/Dコンバータが知られている。ΔΣ型A/Dコンバータは、ΔΣ型A/Dコンバータは、帰還用のD/Aコンバータ、積分器、量子化器を備える(たとえば特許文献1参照)。 As an A / D converter that converts an analog signal into a digital signal, a ΔΣ type A / D converter is known. The ΔΣ A / D converter includes a feedback D / A converter, an integrator, and a quantizer (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1の図7に示されるように、D/Aコンバータおよび積分器を、スイッチドキャパシタ型で構成する場合を考える。特許文献3に開示されるように、一般的なスイッチドキャパシタ型D/Aコンバータでは、スイッチとして、NチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)もしくはそれを利用したトランスファゲートが利用される。
As shown in FIG. 7 of
本発明者は、スイッチとしてNチャンネルMOSFETを含むスイッチドキャパシタ型D/Aコンバータについて検討し、以下の課題を認識するに至った。 The present inventor has studied a switched capacitor type D / A converter including an N-channel MOSFET as a switch, and has come to recognize the following problems.
図1は、スイッチドキャパシタ型D/Aコンバータの構成の一部を示す回路図である。
スイッチドキャパシタ型D/Aコンバータのスイッチは、デジタル信号の各ビットが1のときにオンする第1スイッチ群M11と、0のときにオンする第2スイッチ群M12に分類できる。そして、第1スイッチ群M11および第2スイッチ群M12には、インバータ502、504を経由したゲート信号G1、G2が供給される。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a part of the configuration of a switched capacitor type D / A converter.
The switches of the switched capacitor type D / A converter can be classified into a first switch group M11 that is turned on when each bit of the digital signal is 1, and a second switch group M12 that is turned on when it is 0. The first switch group M11 and the second switch group M12 are supplied with gate signals G1 and G2 via the
NチャンネルMOSFETは、そのゲートにハイレベル電圧を印加したときにオン、ローレベル電圧を印加したときにオフとなる。インバータ502、504から出力されるゲート信号G1、G2は、ハイレベル電圧が電源電圧Vdd、ローレベル電圧が接地電圧Vgndとなる。したがって各スイッチのオン抵抗は、電源電圧Vddに依存する。つまり電源電圧Vddにノイズが重畳されると、スイッチのオン抵抗が変動し、D/Aコンバータの電源電圧変動除去比率(PSRR:Power Supply Rejection Ratio)が悪化するという問題がある。
The N-channel MOSFET is turned on when a high level voltage is applied to its gate and turned off when a low level voltage is applied. The gate signals G1 and G2 output from the
特に電源電圧Vddとしてチャージポンプ回路やスイッチングレギュレータなどのDC/DCコンバータの出力電圧を利用する場合、PSRRの悪化が顕著となる。かかるD/Aコンバータをオーディオ信号処理に利用すると、音質が劣化するという問題も生ずる。 In particular, when the output voltage of a DC / DC converter such as a charge pump circuit or a switching regulator is used as the power supply voltage Vdd, the PSRR deteriorates significantly. When such a D / A converter is used for audio signal processing, there is a problem that sound quality is deteriorated.
以上の考察を、本発明の分野における共通の一般知識の範囲として捉えてはならない。さらに言えば、上記考察自体が、本出願人がはじめて想到したものである。 The above consideration should not be taken as a common general knowledge scope in the field of the present invention. Furthermore, the above-mentioned consideration itself is the first time the present applicant has conceived.
本発明は係る課題に鑑みてなされた物であり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、PSRRを改善したΔΣ型A/Dコンバータの提供にある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and one of the exemplary purposes of an aspect thereof is to provide a ΔΣ A / D converter with improved PSRR.
本発明のある態様は、アナログ入力電圧を受け、mビット(mは自然数)のデジタル出力信号に変換するΔΣ型A/Dコンバータに関する。ΔΣ型A/Dコンバータは、D/Aコンバータおよび積分器を備える。D/Aコンバータは、mビットのデジタル出力信号をアナログ帰還電圧に変換する。積分器は、アナログ入力電圧とアナログ帰還電圧それぞれに所定の係数を乗じた電圧を加算し、加算結果を積分する。D/Aコンバータは、それぞれがデジタル出力信号の各ビットごとに設けられたm個のスイッチ回路と、第1インバータと、第2インバータと、を備える。各スイッチ回路はそれぞれ、対応するビットが1のときにオン、0のときにオフする第1スイッチ群と、対応するビットが0のときにオン、1のときにオフする第2スイッチ群を含む。第1インバータは、第1スイッチ群の各スイッチにゲート信号を出力する。第2インバータは、第2スイッチ群の各スイッチにゲート信号を出力する。第1スイッチ群および第2スイッチ群の各スイッチは、PチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)で構成され、第1インバータおよび第2インバータそれぞれの下側電源端子には、接地電圧が印加される。 One embodiment of the present invention relates to a ΔΣ A / D converter that receives an analog input voltage and converts the analog input voltage into a digital output signal of m bits (m is a natural number). The ΔΣ A / D converter includes a D / A converter and an integrator. The D / A converter converts an m-bit digital output signal into an analog feedback voltage. The integrator adds a voltage obtained by multiplying each of the analog input voltage and the analog feedback voltage by a predetermined coefficient, and integrates the addition result. The D / A converter includes m switch circuits each provided for each bit of the digital output signal, a first inverter, and a second inverter. Each switch circuit includes a first switch group that is turned on when the corresponding bit is 1 and turned off when the corresponding bit is 0, and a second switch group that is turned on when the corresponding bit is 0 and turned off when the corresponding bit is 1. . The first inverter outputs a gate signal to each switch of the first switch group. The second inverter outputs a gate signal to each switch of the second switch group. Each switch of the first switch group and the second switch group is composed of a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), and a ground voltage is applied to the lower power supply terminal of each of the first inverter and the second inverter. The
この態様によると、PチャンネルMOSFETがオンすべき期間、そのゲートには接地電圧が印加されるため、スイッチのオン抵抗が、電源電圧の変動の影響を受けにくくなり、PSRRを改善することができる。 According to this aspect, since the ground voltage is applied to the gate of the P-channel MOSFET to be turned on, the on-resistance of the switch is not easily affected by fluctuations in the power supply voltage, and PSRR can be improved. .
PチャンネルMOSFETのバックゲートは、第1インバータおよび第2インバータの上側電源端子に入力される電圧よりも低い電位に固定されてもよい。
PチャンネルMOSFETのオン抵抗は、NチャンネルMOSFETのオン抵抗よりも高い。そこでPチャンネルMOSFETのバックゲートを、電源電圧ではなく、それよりも低い電圧に固定することにより、オン抵抗を低め、PチャンネルMOSFETの欠点を補うことができる。
The back gate of the P-channel MOSFET may be fixed at a potential lower than the voltage input to the upper power supply terminals of the first inverter and the second inverter.
The on-resistance of the P-channel MOSFET is higher than the on-resistance of the N-channel MOSFET. Therefore, by fixing the back gate of the P-channel MOSFET to a voltage lower than the power supply voltage, the on-resistance can be lowered and the disadvantage of the P-channel MOSFET can be compensated.
第1、第2インバータの上側電源端子には、DC/DCコンバータの出力電圧が供給されてもよい。
DC/DCコンバータの出力電圧には、スイッチングノイズが重畳されているところ、スイッチとしてPチャンネルMOSFETを利用する場合、PSRRはスイッチングノイズの影響を受けないという効果を得ることができる。
The output voltage of the DC / DC converter may be supplied to the upper power supply terminals of the first and second inverters.
When switching noise is superimposed on the output voltage of the DC / DC converter, when a P-channel MOSFET is used as a switch, an effect that PSRR is not affected by the switching noise can be obtained.
本発明の別の態様も、ΔΣ型A/Dコンバータに関する。ΔΣ型A/Dコンバータは、D/Aコンバータ、積分器に加えて、基準電圧を生成するバンドギャップリファレンス回路と、基準電圧に応じた電圧を出力するリニアレギュレータと、を備える。D/Aコンバータは、それぞれがデジタル出力信号の各ビットごとに設けられたm個のスイッチ回路と、第1インバータと、第2インバータと、を備える。m個のスイッチ回路はそれぞれ、対応するビットが1のときにオン、0のときにオフする第1スイッチ群と、対応するビットが0のときにオン、1のときにオフする第2スイッチ群を含む。第1インバータは、第1スイッチ群の各スイッチにゲート信号を出力する。第2インバータは、第2スイッチ群の各スイッチにゲート信号を出力する。第1スイッチ群および第2スイッチ群の各スイッチは、NチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)で構成され、第1インバータおよび第2インバータの上側電源端子には、リニアレギュレータの出力電圧が供給される。 Another aspect of the present invention also relates to a ΔΣ A / D converter. In addition to the D / A converter and the integrator, the ΔΣ A / D converter includes a band gap reference circuit that generates a reference voltage, and a linear regulator that outputs a voltage corresponding to the reference voltage. The D / A converter includes m switch circuits each provided for each bit of the digital output signal, a first inverter, and a second inverter. Each of the m switch circuits is a first switch group that is turned on when the corresponding bit is 1 and turned off when the corresponding bit is 0, and a second switch group that is turned on when the corresponding bit is 0 and turned off when the corresponding bit is 1. including. The first inverter outputs a gate signal to each switch of the first switch group. The second inverter outputs a gate signal to each switch of the second switch group. Each switch of the first switch group and the second switch group is composed of an N-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), and the output voltage of the linear regulator is supplied to the upper power supply terminals of the first inverter and the second inverter. Is done.
リニアレギュレータは、バンドギャップリファレンス回路からの基準電圧に応じて電圧を生成するため、その出力電圧は高PSRRを有し、第1、第2インバータから出力されるゲート信号のハイレベル電圧も、高PSRRを有することになる。したがってスイッチとしてNチャンネルMOSFETを用いても、そのオン抵抗の変動を抑制でき、A/DコンバータのPSRRの劣化を抑制し、もしくはPSRRを改善できる。 Since the linear regulator generates a voltage according to the reference voltage from the band gap reference circuit, its output voltage has a high PSRR, and the high level voltage of the gate signal output from the first and second inverters is also high. Will have PSRR. Therefore, even if an N-channel MOSFET is used as a switch, fluctuations in on-resistance can be suppressed, deterioration of PSRR of the A / D converter can be suppressed, or PSRR can be improved.
本発明のさらに別の態様もまた、ΔΣ型A/Dコンバータである。このΔΣ型A/Dコンバータは、D/Aコンバータ、積分器、基準電圧を生成するバンドギャップリファレンス回路と、基準電圧に応じた電圧を出力するリニアレギュレータと、を備える。D/Aコンバータは、それぞれがデジタル出力信号の各ビットごとに設けられたm個のスイッチ回路と、第1インバータと、第2インバータと、を備える。m個のスイッチ回路はそれぞれ、対応するビットが1のときにオン、0のときにオフする第1トランスファゲート群と、対応するビットが0のときにオン、1のときにオフする第2トランスファゲート群を含む。第1インバータは、第1トランスファゲート群のNチャンネルMOSFETおよび第2トランスファゲート群のPチャンネルMOSFETにゲート信号を出力する。第2インバータは、第1トランスファゲート群のPチャンネルMOSFETおよび第2トランスファゲート群のNチャンネルMOSFETにゲート信号を出力する。第1インバータおよび第2インバータの下側電源端子には、接地電圧が印加され、第1インバータおよび第2インバータの上側電源端子には、リニアレギュレータの出力電圧が印加される。 Yet another embodiment of the present invention is also a ΔΣ A / D converter. This ΔΣ A / D converter includes a D / A converter, an integrator, a band gap reference circuit that generates a reference voltage, and a linear regulator that outputs a voltage corresponding to the reference voltage. The D / A converter includes m switch circuits each provided for each bit of the digital output signal, a first inverter, and a second inverter. Each of the m switch circuits is a first transfer gate group that is turned on when the corresponding bit is 1 and turned off when it is 0, and a second transfer gate that is turned on when the corresponding bit is 0 and turned off when it is 1. Includes gates. The first inverter outputs a gate signal to the N-channel MOSFET of the first transfer gate group and the P-channel MOSFET of the second transfer gate group. The second inverter outputs a gate signal to the P-channel MOSFET of the first transfer gate group and the N-channel MOSFET of the second transfer gate group. The ground voltage is applied to the lower power supply terminals of the first inverter and the second inverter, and the output voltage of the linear regulator is applied to the upper power supply terminals of the first inverter and the second inverter.
この態様によると、PチャンネルMOSFETのオン抵抗およびNチャンネルMOSFETのオン抵抗の変動を抑制でき、A/DコンバータのPSRRの劣化を抑制し、もしくはPSRRを改善できる。 According to this aspect, fluctuations in the ON resistance of the P channel MOSFET and the ON resistance of the N channel MOSFET can be suppressed, deterioration of the PSRR of the A / D converter can be suppressed, or PSRR can be improved.
アナログ入力電圧は、オーディオ信号であってもよい。上述のいずれかの態様のA/Dコンバータによれば、高品質のオーディオ信号処理が実現できる。 The analog input voltage may be an audio signal. According to the A / D converter of any one of the above aspects, high-quality audio signal processing can be realized.
なお、以上の構成要素を任意に組み合わせたもの、あるいは本発明の表現を、方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。 Note that any combination of the above-described components, or a conversion of the expression of the present invention between methods, apparatuses, and the like is also effective as an aspect of the present invention.
本発明のある態様によれば、PSRRを改善できる。 According to an aspect of the present invention, PSRR can be improved.
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。 The present invention will be described below based on preferred embodiments with reference to the drawings. The same or equivalent components, members, and processes shown in the drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated descriptions are omitted as appropriate. The embodiments do not limit the invention but are exemplifications, and all features and combinations thereof described in the embodiments are not necessarily essential to the invention.
本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
In this specification, “the state in which the member A is connected to the member B” means that the member A and the member B are electrically connected in addition to the case where the member A and the member B are physically directly connected. It includes the case of being indirectly connected through another member that does not affect the connection state.
Similarly, “the state in which the member C is provided between the member A and the member B” refers to the case where the member A and the member C or the member B and the member C are directly connected, as well as an electrical condition. It includes the case of being indirectly connected through another member that does not affect the connection state.
(第1の実施の形態)
図2は、第1の実施の形態に係るΔΣ型A/Dコンバータ2の構成を示すブロック図である。ΔΣ型A/Dコンバータ2は、D/Aコンバータ4、1次積分器6、量子化器8を備える。ΔΣ型A/Dコンバータ2は、アナログ入力電圧VINを受け、mビット(mは自然数)のデジタル出力信号DOUTに変換する。アナログ入力電圧VINは、たとえばオーディオ信号である。
(First embodiment)
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of the ΔΣ A /
量子化器8はΔΣ型A/Dコンバータ2の出力段(最終段)に設けられ、前段の積分器6からのアナログ電圧を、mビットのデジタル出力信号DOUTに変換する。D/Aコンバータ4は、mビットのデジタル出力信号DOUTをアナログ帰還電圧VFBに変換する。積分器6は、アナログ入力電圧VINとアナログ帰還電圧VFBそれぞれに所定の係数b1、c1を乗じた電圧を加算し、加算結果を積分する。積分器6の構成は特に限定されるものではないが、少なくともその初段には、1次積分器6aが設けられる。
The quantizer 8 is provided in the output stage (final stage) of the ΔΣ A /
たとえば積分器6は、1次積分器6aに加えて以下の構成を有する。乗算器50は、1次積分器6aの出力に係数a1を乗ずる。加算器52は、乗算器60の出力と、1次積分器6aの出力を加算する。積分器54は、加算器52の出力を積分し、係数c2を乗ずる。積分器56は、積分器54の出力を積分し、係数c3を乗ずる。乗算器60は、積分器56の出力に、係数−g1を乗ずる。乗算器62は、積分器56の出力に係数a3を乗ずる。加算器64は、アナログ入力電圧VIN、乗算器50、58、62の出力を加算し、後段の量子化器8に出力する。
For example, the integrator 6 has the following configuration in addition to the
以上がΔΣ型A/Dコンバータ2の全体構成である。
続いて、D/Aコンバータ4および1次積分器6aの具体的な構成を説明する。図3は、ΔΣ型A/Dコンバータ2の構成の一部を示す回路図である。図3では、アナログ入力電圧VINが差動形式で与えられる場合を示すが、本発明はそれには限定されず、シングルエンド形式であってもよい。
The above is the overall configuration of the ΔΣ A /
Subsequently, specific configurations of the D / A converter 4 and the
D/Aコンバータ4は、mビット(mは自然数)のデジタル出力信号DOUTを受け、その値に応じた差動のアナログ信号を出力する。デジタル出力信号DOUT[m−1:0]の各ビットを、Vdata1〜Vdatamと記す。 The D / A converter 4 receives an m-bit (m is a natural number) digital output signal DOUT and outputs a differential analog signal corresponding to the value. Each bit of the digital output signal D OUT [m−1: 0] is denoted as Vdata 1 to Vdata m .
D/Aコンバータ4は、それぞれが入力データの各ビットVdata1〜Vdatamごとに設けられたm個のスイッチ回路101〜10mと、各ビットVdata1〜Vdatamごとに設けられたm個の入力キャパシタペア(CiH/CiL)1〜(CiH/CiL)m、スイッチSW1〜SW4を備える。
D / A converter 4, respectively the
D/Aコンバータ4の端子PH、PLにはそれぞれ、上側基準電圧VH、中間基準電圧VM、下側基準電圧VLが与えられる。 An upper reference voltage V H , an intermediate reference voltage V M , and a lower reference voltage V L are applied to terminals P H and P L of the D / A converter 4, respectively.
スイッチ回路101〜10mは同様に構成されるため、第1ビット目のスイッチ回路101に着目してその構成を説明する。スイッチ回路10は、第1入力端子INH、第2入力端子INL、第1出力端子OUTp、第2出力端子OUTnを備える。
Since the
スイッチ回路10iは、データVdataiが1(ハイレベル)のとき、第1出力端子OUTpと第1入力端子INHを接続し、第2出力端子OUTnと第2入力端子INLを接続する。
The
スイッチ回路10iは、データVdataiが1(ハイレベル)のとき、第1出力端子OUTpと第1入力端子INHを接続し、第2出力端子OUTnと第2入力端子INLを接続する。反対にスイッチ回路10iは、データVdataiが0(ローレベル)のとき、第1出力端子OUTpと第2入力端子INLを接続し、第2出力端子OUTnと第1入力端子INHを接続する。
The
スイッチ回路10iは、入力データの対応するビットVdataiが1のときにオン、0のときにオフする第1スイッチ群M1、M4と、対応するビットVdataiが0のときにオン、1のときにオフする第2スイッチ群M2、M4を含む。
The
本実施の形態において、スイッチM1〜M4は、PチャンネルMOSFETで構成される。第2インバータ14は、Vdataiを反転し、第2スイッチ群M2、M3にゲート信号として供給する。第1インバータ12は、第2インバータ14の出力信号を反転し、第1スイッチ群M1、M4にゲート信号として供給する。
In the present embodiment, switches M1 to M4 are configured by P-channel MOSFETs. The
図2の右下に示すように、第1インバータ12および第2インバータ14それぞれの下側電源端子には、接地電圧(0V)が印加される。また第1インバータ12および第2インバータ14それぞれの上側電源端子には、電源電圧Vddが印加される。電源電圧Vddは、DC/DCコンバータ40によって生成される。
As shown in the lower right of FIG. 2, the ground voltage (0 V) is applied to the lower power supply terminal of each of the
PチャンネルMOSFETのバックゲートは、第1インバータ12および第2インバータ14の上側電源端子に入力される電圧Vddよりも低い電位VHに固定される。
The back gate of the P-channel MOSFET is fixed at a potential V H lower than the voltage Vdd input to the upper power supply terminals of the
入力キャパシタCiH1〜CiHmの第1端子同士は共通に接続される。また入力キャパシタCiHiの第2端子は、スイッチ回路10iの第1入力端子INHと接続される。入力キャパシタCiL1〜CiLmの第1端子同士は共通に接続される。また入力キャパシタCiLiの第2端子は、スイッチ回路10iの第2入力端子INLと接続される。
The first terminals of the input capacitors CiH 1 to CiH m are connected in common. The second terminal of the input capacitor CiH i is connected to the first input terminal IN H of the
D/Aコンバータ4は、クロック信号と同期して第1状態φ1と第2状態φ2を交互に繰り返す。図2の各スイッチのオン、オフ状態は、第1状態φ1に対応しており、図3においてオフしているスイッチは、第2状態φ2においてオンする。 The D / A converter 4 alternately repeats the first state φ1 and the second state φ2 in synchronization with the clock signal. The on / off state of each switch in FIG. 2 corresponds to the first state φ1, and the switch that is off in FIG. 3 is on in the second state φ2.
第1スイッチSW1は、入力キャパシタCiH1〜CiHmの共通に接続された第1端子P1と、上側基準電圧VHが印加される端子PHの間に設けられる。第3スイッチSW3は、入力キャパシタCiH1〜CiHmの共通に接続された第1端子P1と、下側基準電圧VLが印加される端子PLの間に設けられる。
The first switch SW1, an
第2スイッチSW2は、入力キャパシタCiL1〜CiLmの共通に接続された第1端子P2と、上側基準電圧VHが印加される端子PHの間に設けられる。第4スイッチSW4は、入力キャパシタCiL1〜CiLmの共通に接続された第1端子P2と、下側基準電圧VLが印加される端子PLの間に設けられる。
The second switch SW2, the
電源回路42は、上側基準電圧VHを生成する。電源回路42は、バンドギャップリファレンス回路30、リニアレギュレータ46、キャパシタC10を含む。バンドギャップリファレンス回路30は、1.2V程度に安定化された基準電圧VREFを生成する。バンドギャップリファレンス回路30の出力端子には、キャパシタCBGRが接続される。基準電圧VBGRを受け、それに応じた上側基準電圧VHを生成する。キャパシタC10は、上側基準電圧VHを安定化するために設けられる。
1次積分器6aは、スイッチSW11P/N〜SW14P/N、キャパシタC1P/N、C2P/N、差動増幅器7を含む。
The
キャパシタC1Pは、差動増幅器7の非反転入力端子と反転出力端子の間に設けられる。入力端子PiPと差動増幅器7の非反転入力端子の間には、スイッチSW11P、キャパシタC2P、スイッチSW14Pが順に直列に設けられる。スイッチSW12Pは、スイッチSW11PとキャパシタC2Pの接続点と接地端子の間に設けられる。スイッチSW13Pは、キャパシタC2PとスイッチSW14Pの接続点と、接地端子の間に設けられる。
キャパシタC1N、C2N、スイッチSW11N〜SW14Nも同様である。
The capacitor C1 P is provided between the non-inverting input terminal and the inverting output terminal of the
The same applies to the capacitors C1 N and C2 N and the switches SW11 N to SW14 N.
D/Aコンバータ4の出力端子OUTnは、キャパシタC2PとスイッチSW14Pの接続点と結線される。D/Aコンバータ4の出力端子OUTpは、キャパシタC2NとスイッチSW14Nの接続点と結線される。 Output OUTn of the D / A converter 4 is connected points and connection of the capacitor C2 P and the switch SW14 P. Output terminal OUTp of the D / A converter 4 is connected points and connection of the capacitor C2 N and the switch SW14 N.
以上がΔΣ型A/Dコンバータ2のD/Aコンバータ4および積分器6の具体的な構成である。続いてその動作を説明する。PチャンネルMOSFETであるスイッチ群M1〜M4は、インバータ12、14からのゲート信号がローレベル、つまり接地電圧0Vのときにオンする。接地電圧0Vは、電源電圧Vddが変動しても、その影響を受けず、あるいは受けたとしてもその影響は非常に小さい。つまり、スイッチ群M1〜M4のオン抵抗は、電源電圧Vddが変動したとしても、ほとんど変動しない。
The above is the specific configuration of the D / A converter 4 and the integrator 6 of the ΔΣ A /
したがって、図3のD/Aコンバータ4によれば、スイッチM1〜M4にNチャンネルMOSFETを利用した場合に比べてPSRR特性を改善することができる。具体的には、NチャンネルMOSFETを利用した場合、PSRRは60dB程度であるのに対して、PチャンネルMOSFETを利用することにより、80dB程度まで改善することができる。これは非常に顕著な効果である。
以上のことから、ΔΣ型A/Dコンバータ2は、特に高PSRRが要求されるオーディオ信号処理に好適に利用することができる。
Therefore, according to the D / A converter 4 of FIG. 3, the PSRR characteristics can be improved as compared with the case where N-channel MOSFETs are used for the switches M1 to M4. Specifically, when an N-channel MOSFET is used, PSRR is about 60 dB, but by using a P-channel MOSFET, it can be improved to about 80 dB. This is a very noticeable effect.
From the above, the ΔΣ A /
またPチャンネルMOSFETのオン抵抗は、同サイズのNチャンネルMOSFETのそれに比べて大きいため、NチャンネルMOSFETを用いた場合と同じオン抵抗を得ようとすると、PチャンネルMOSFETの面積は大きくする必要がある。
PチャンネルMOSFETのバックゲートには電源電圧Vddを印加するのが一般的であるが、図3のD/Aコンバータ4では、スイッチM1〜M4のバックゲートに、電源電圧Vddよりも低い電圧、具体的には上側基準電圧VHが印加される。これにより、PチャンネルMOSFETのオン抵抗を低下させることができ、PチャンネルMOSFETのサイズをそれほど大きくする必要が無くなり、回路面積の増加を抑制できる。
Also, since the on-resistance of the P-channel MOSFET is larger than that of the N-channel MOSFET of the same size, it is necessary to increase the area of the P-channel MOSFET when trying to obtain the same on-resistance as when using the N-channel MOSFET. .
In general, the power supply voltage Vdd is applied to the back gate of the P-channel MOSFET. However, in the D / A converter 4 of FIG. 3, a voltage lower than the power supply voltage Vdd is applied to the back gate of the switches M1 to M4. Specifically, the upper reference voltage V H is applied. As a result, the on-resistance of the P-channel MOSFET can be reduced, the size of the P-channel MOSFET need not be increased so much, and an increase in circuit area can be suppressed.
上述のように、トランジスタM1〜M4のオン抵抗は、電源電圧Vddの影響を受けない。したがって電源電圧Vddとして、変動量(リップル)の大きなDC/DCコンバータ40の出力電圧を利用することができる。DC/DCコンバータの変換効率は、リニアレギュレータのそれよりも優れているため、D/Aコンバータ4を用いることにより、システム全体の消費電力を低減することができる。
As described above, the on-resistances of the transistors M1 to M4 are not affected by the power supply voltage Vdd. Therefore, the output voltage of the DC /
(第2の実施の形態)
第2の実施の形態は、第1の実施の形態とは異なるアプローチによってΔΣ型A/DコンバータのPSRRを改善する技術を説明する。
(Second Embodiment)
In the second embodiment, a technique for improving the PSRR of the ΔΣ A / D converter by an approach different from that of the first embodiment will be described.
図4は、第2の実施の形態に係るΔΣ型A/Dコンバータ2aの電源部の構成を示す回路図である。第2の実施の形態において、D/Aコンバータのスイッチ回路10を構成するスイッチM1〜M4は、NチャンネルMOSFETで構成される。
FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of the power supply section of the ΔΣ A /
ΔΣ型A/Dコンバータ2aの電源部は、DC/DCコンバータ40と、バンドギャップリファレンス回路30、起動回路32、第1リニアレギュレータ34、第2リニアレギュレータ36を備える。
The power supply unit of the ΔΣ A /
DC/DCコンバータ40は、3V程度の入力電圧を受け、それを1.8V程度の電源電圧Vddに変換する。入力電圧はたとえば電池電圧であってもよい。
The DC /
バンドギャップリファレンス回路30は、1.2V程度の基準電圧VBGRを生成する。起動回路32は、バンドギャップリファレンス回路30を起動するために設けられる。バンドギャップリファレンス回路30および起動回路32は公知技術を用いて構成すればよい。バンドギャップリファレンス回路30の出力端子には、キャパシタCBGRが接続される。なお、バンドギャップリファレンス回路30の誤差増幅器EAの電源端子には、電源電圧Vddを供給してもよいし、後段の第1リニアレギュレータ34によって生成される第2電源電圧Vdd’を供給してもよい。
The band
第1リニアレギュレータ34は、基準電圧VBGRを受けるボルテージフォロアを含み、1.2V程度の第2電源電圧Vdd’を生成する。第2電源電圧Vdd’は、第1インバータ12および第2インバータ14の上側電源端子に供給される。また第1リニアレギュレータ34は、第2電源電圧Vdd’を分圧し、コモン電圧Vcomを生成する。
The first
第2リニアレギュレータ36は、コモン電圧Vcomを受け、上側基準電圧VH、中間基準電圧VM、下側基準電圧VLを生成する。第2リニアレギュレータ36の上側基準電圧VHが発生する端子には、平滑化用のキャパシタC10が外付けされる。上側基準電圧VHは、第1インバータ12および第2インバータ14の上側電源端子に供給される。
The second
以上がΔΣ型A/Dコンバータ2aの構成である。上側基準電圧VHは、基準電圧VBGRにもとづき第1リニアレギュレータ34および第2リニアレギュレータ36により生成されるため、電源電圧Vddの変動の影響を受けず、安定した電圧レベルを有する。したがって、NチャンネルMOSFETであるトランジスタM1〜M4のオン抵抗は、電源電圧Vddの変動の影響を受けにくくなる。
The above is the configuration of the ΔΣ A /
図4のΔΣ型A/Dコンバータ2aによれば、スイッチM1〜M4に、NチャンネルMOSFETを利用しつつ、PSRRを改善することができる。
According to the ΔΣ A /
なお、第1の実施の形態において第1インバータ12および第2インバータ14の上側電源端子に、図4の第1リニアレギュレータ34により生成される第2電源電圧Vdd’を供給してもよい。
In the first embodiment, the second power supply voltage Vdd ′ generated by the first
(第3の実施の形態)
第3の実施の形態は、第1および第2の実施の形態の組み合わせと把握することができる。図5は、第3の実施の形態に係るΔΣ型A/Dコンバータ2bの一部の構成を示す回路図である。ΔΣ型A/Dコンバータ2の電源部は、図4の電源部と同様に構成すればよいため省略している。
(Third embodiment)
The third embodiment can be understood as a combination of the first and second embodiments. FIG. 5 is a circuit diagram showing a partial configuration of the ΔΣ A /
ΔΣ型A/Dコンバータ2bにおいて、スイッチ回路10bを構成するスイッチは、トランスファゲートTGで構成される。トランスファゲートTGは、PチャンネルMOSFETとNチャンネルMOSFETを含む。第1インバータ12および第2インバータ14の上側電源端子には、第2電源電圧Vdd’が供給され、それらの下側電源端子には接地電圧0Vが供給される。
In the ΔΣ A /
第3の実施の形態によれば、スイッチ回路10を構成するスイッチのオン抵抗を低減しつつ、高いPSRRを得ることができる。
According to the third embodiment, a high PSRR can be obtained while reducing the on-resistance of the switches constituting the
図6は、図2のΔΣ型A/Dコンバータ2の出力段の構成を示す回路図である。図6には、加算器64および量子化器8および乗算器50、58、62が示される。図6の出力段は、デジタル出力信号DOUTの第iビットの構成を示しており、同様の構成がデジタル出力信号DOUTのビットごとに設けられる。なお、シングルビットのΔΣ型A/Dコンバータ2の場合には、回路ブロック9は不要である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing the configuration of the output stage of the ΔΣ A /
出力段は、デジタル出力信号DOUTの各ビットごとに、ラッチコンパレータCMP、キャパシタC301〜C308、第1、第2量子化キャパシタC201、C202を備える。 The output stage includes a latch comparator CMP, capacitors C30 1 to C30 8 , and first and second quantization capacitors C20 1 and C20 2 for each bit of the digital output signal D OUT .
第1、第2量子化キャパシタC201、C202の容量値は、デジタル出力信号DOUTのビットごとに重み付けされている。また、キャパシタC301〜C308はそれぞれ、乗算器50、58、62の係数a1〜a3に応じた容量値を有する。
The capacitance values of the first and second quantization capacitors C20 1 and C20 2 are weighted for each bit of the digital output signal DOUT . The capacitors C30 1 to C30 8 have capacitance values corresponding to the coefficients a 1 to a 3 of the
第1キャパシタC301、第3キャパシタC303、第5キャパシタC305、第7キャパシタC307および第1量子化キャパシタC201それぞれの一端は、ラッチコンパレータCMPの非反転入力端子と接続される。
第2キャパシタC302、第4キャパシタC304、第6キャパシタC306、第8キャパシタC308および第2量子化キャパシタC202それぞれの一端は、ラッチコンパレータCMPの反転入力端子と接続される。
The first capacitor C30 1, the third capacitor C30 3, fifth capacitor C30 5, seventh capacitor C30 7 and the first quantization capacitor C20 1 Each end is connected to the non-inverting input terminal of the latch comparator CMP.
The second capacitor C30 2, the fourth capacitor C30 4, sixth capacitor C30 6, 8 capacitors C30 8 and the second quantization capacitor C20 2 each end is connected to the inverting input terminal of the latch comparator CMP.
第1キャパシタC301の他端には、スイッチを介して差動のアナログ入力電圧VINのポジティブ信号(P)または下側基準電圧VLが選択的に印加される。第2キャパシタC302の他端にはスイッチを介して差動のアナログ入力電圧VINのネガティブ信号(N)または下側基準電圧VLが選択的に印加される。 The first capacitor C30 1 at the other end, a positive signal (P) or the lower reference voltage V L of the analog input voltage V IN of the differential is selectively applied via a switch. Negative signal (N) or the lower reference voltage V L of the analog input voltage V IN of the differential is selectively applied through a switch to the second terminal of the capacitor C30 2.
第3キャパシタC303の他端には、スイッチを介して積分器6aの差動出力信号のポジティブ信号(P)または下側基準電圧VLが選択的に印加される。
第4キャパシタC304の他端には、スイッチを介して積分器6aの差動出力信号のネガティブ信号(N)または下側基準電圧VLが選択的に印加される。
The third capacitor C30 3 at the other end, a positive signal (P) or the lower reference voltage V L of the differential output signal of the
The other end of the fourth capacitor C30 4, negative signal (N) or the lower reference voltage V L of the differential output signal of the
第5キャパシタC305の他端には、スイッチを介して積分器54の差動出力信号のポジティブ信号(P)または下側基準電圧VLが選択的に印加される。
第6キャパシタC306の他端には、スイッチを介して積分器54の差動出力信号のネガティブ信号(N)または下側基準電圧VLが選択的に印加される。
The other end of the fifth capacitor C30 5, positive signals (P) or the lower reference voltage V L of the differential output signal of the
The other end of the sixth capacitor C30 6, negative signal (N) or the lower reference voltage V L of the differential output signal of the
第7キャパシタC307の他端には、スイッチを介して積分器56の差動出力信号のポジティブ信号(P)または下側基準電圧VLが選択的に印加される。
第8キャパシタC308の他端には、スイッチを介して積分器56の差動出力信号のネガティブ信号(N)または下側基準電圧VLが選択的に印加される。
The other end of the seventh capacitor C30 7, the positive signal (P) or the lower reference voltage V L of the differential output signal of the
The other end of the eighth capacitor C30 8, negative signal (N) or the lower reference voltage V L of the differential output signal of the
第1量子化キャパシタC201の他端には、スイッチマトリクスSW20a〜dを介して、上側基準電圧VH、下側基準電圧VLが選択的に印加される。第2量子化キャパシタC202の他端には、スイッチマトリクスSW20を介して、上側基準電圧VH、下側基準電圧VLが選択的に印加される。 The other end of the first quantization capacitor C20 1, via a switch matrix SW20 to d, the upper reference voltage V H, the lower reference voltage V L is selectively applied. The second end of quantized capacitor C20 2, through the switch matrix SW20, upper reference voltage V H, the lower reference voltage V L is selectively applied.
以上、本発明について、実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例について説明する。 The present invention has been described based on the embodiments. This embodiment is an exemplification, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications can be made to combinations of the respective constituent elements and processing processes, and such modifications are within the scope of the present invention. is there. Hereinafter, such modifications will be described.
図2に示すキャパシタおよびスイッチのトポロジーは一例であり、本発明は、公知の、あるいは将来利用しうる様々なトポロジーのΔΣ型A/Dコンバータに適用可能である。
実施の形態では、D/Aコンバータおよび積分器が差動形式の場合を説明したが、本発明はシングルエンド形式にも適用できる。
The topology of the capacitor and the switch shown in FIG. 2 is an example, and the present invention can be applied to ΔΣ A / D converters of various topologies that are known or can be used in the future.
In the embodiment, the case where the D / A converter and the integrator are of the differential type has been described, but the present invention can also be applied to a single-ended type.
実施の形態にもとづき、具体的な語句を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。 Although the present invention has been described using specific terms based on the embodiments, the embodiments only illustrate the principles and applications of the present invention, and the embodiments are defined in the claims. Many variations and modifications of the arrangement are permitted without departing from the spirit of the present invention.
2…ΔΣ型A/Dコンバータ、4…D/Aコンバータ、6…積分器、6a…1次積分器、7…差動増幅器、8…量子化器、10…スイッチ回路、12…第1インバータ、14…第2インバータ、30…バンドギャップリファレンス回路、32…起動回路、34…第1リニアレギュレータ、36…第2リニアレギュレータ、40…DC/DCコンバータ、42…電源回路。 2 ... ΔΣ A / D converter, 4 ... D / A converter, 6 ... integrator, 6a ... primary integrator, 7 ... differential amplifier, 8 ... quantizer, 10 ... switch circuit, 12 ... first inverter , 14 ... second inverter, 30 ... band gap reference circuit, 32 ... start-up circuit, 34 ... first linear regulator, 36 ... second linear regulator, 40 ... DC / DC converter, 42 ... power supply circuit.
Claims (7)
前記mビットのデジタル出力信号をアナログ帰還電圧に変換するスイッチドキャパシタ型のD/Aコンバータと、
前記アナログ入力電圧と前記アナログ帰還電圧それぞれに所定の係数を乗じた電圧を加算し、加算結果を積分するスイッチドキャパシタ型の積分器と、
を備え、
前記D/Aコンバータは、
それぞれが前記デジタル出力信号の各ビットごとに設けられ、それぞれが、対応するビットが1のときにオン、0のときにオフする第1スイッチ群と、前記対応するビットが0のときにオン、1のときにオフする第2スイッチ群を含む、m個のスイッチ回路と、
前記第1スイッチ群の各スイッチにゲート信号を出力する第1インバータと、
前記第2スイッチ群の各スイッチにゲート信号を出力する第2インバータと、
を備え、
前記第1スイッチ群および前記第2スイッチ群の各スイッチは、PチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)で構成され、
前記第1インバータおよび前記第2インバータそれぞれの下側電源端子には、接地電圧が印加されることを特徴とするΔΣ型A/Dコンバータ。 A ΔΣ A / D converter that receives an analog input voltage and converts it into an m-bit (m is a natural number) digital output signal,
A switched capacitor type D / A converter for converting the m-bit digital output signal into an analog feedback voltage;
A switched capacitor type integrator that adds a voltage obtained by multiplying each of the analog input voltage and the analog feedback voltage by a predetermined coefficient, and integrates the addition result;
With
The D / A converter
A first switch group which is provided for each bit of the digital output signal, each turned on when the corresponding bit is 1, and turned off when the corresponding bit is 0; and turned on when the corresponding bit is 0; M switch circuits including a second switch group that is turned off when 1.
A first inverter that outputs a gate signal to each switch of the first switch group;
A second inverter that outputs a gate signal to each switch of the second switch group;
With
Each switch of the first switch group and the second switch group is composed of a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),
A ΔΣ A / D converter, wherein a ground voltage is applied to a lower power supply terminal of each of the first inverter and the second inverter.
前記mビットのデジタル出力信号をアナログ帰還電圧に変換するスイッチドキャパシタ型のD/Aコンバータと、
前記アナログ入力電圧と前記アナログ帰還電圧それぞれに所定の係数を乗じた電圧を加算し、加算結果を積分するスイッチドキャパシタ型の積分器と、
基準電圧を生成するバンドギャップリファレンス回路と、
前記基準電圧に応じた電圧を出力するリニアレギュレータと、
を備え、
前記D/Aコンバータは、
それぞれが前記デジタル出力信号の各ビットごとに設けられ、それぞれが、対応するビットが1のときにオン、0のときにオフする第1スイッチ群と、前記対応するビットが0のときにオン、1のときにオフする第2スイッチ群を含む、m個のスイッチ回路と、
前記第1スイッチ群の各スイッチにゲート信号を出力する第1インバータと、
前記第2スイッチ群の各スイッチにゲート信号を出力する第2インバータと、
を備え、
前記第1スイッチ群および前記第2スイッチ群の各スイッチは、NチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)で構成され、
前記第1インバータおよび前記第2インバータの上側電源端子には、前記リニアレギュレータの出力電圧が供給されることを特徴とするΔΣ型A/Dコンバータ。 A ΔΣ A / D converter that receives an analog input voltage and converts it into an m-bit (m is a natural number) digital output signal,
A switched capacitor type D / A converter for converting the m-bit digital output signal into an analog feedback voltage;
A switched capacitor type integrator that adds a voltage obtained by multiplying each of the analog input voltage and the analog feedback voltage by a predetermined coefficient, and integrates the addition result;
A bandgap reference circuit for generating a reference voltage;
A linear regulator that outputs a voltage according to the reference voltage;
With
The D / A converter
A first switch group which is provided for each bit of the digital output signal, each turned on when the corresponding bit is 1, and turned off when the corresponding bit is 0; and turned on when the corresponding bit is 0; M switch circuits including a second switch group that is turned off when 1.
A first inverter that outputs a gate signal to each switch of the first switch group;
A second inverter that outputs a gate signal to each switch of the second switch group;
With
Each switch of the first switch group and the second switch group is composed of an N-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),
The ΔΣ A / D converter, wherein an output voltage of the linear regulator is supplied to upper power supply terminals of the first inverter and the second inverter.
前記mビットのデジタル出力信号をアナログ帰還電圧に変換するスイッチドキャパシタ型のD/Aコンバータと、
前記アナログ入力電圧と前記アナログ帰還電圧それぞれに所定の係数を乗じた電圧を加算し、加算結果を積分するスイッチドキャパシタ型の積分器と、
基準電圧を生成するバンドギャップリファレンス回路と、
前記基準電圧に応じた電圧を出力するリニアレギュレータと、
を備え、
前記D/Aコンバータは、
それぞれが前記デジタル出力信号の各ビットごとに設けられ、それぞれが、対応するビットが1のときにオン、0のときにオフする第1トランスファゲート群と、前記対応するビットが0のときにオン、1のときにオフする第2トランスファゲート群を含む、m個のスイッチ回路と、
前記第1トランスファゲート群のNチャンネルMOSFETおよび前記第2トランスファゲート群のPチャンネルMOSFETにゲート信号を出力する第1インバータと、
前記第1トランスファゲート群のPチャンネルMOSFETおよび前記第2トランスファゲート群のNチャンネルMOSFETにゲート信号を出力する第2インバータと、
を備え、
前記第1インバータおよび前記第2インバータの下側電源端子には、接地電圧が印加され、
前記第1インバータおよび前記第2インバータの上側電源端子には、前記リニアレギュレータの出力電圧が印加されることを特徴とするΔΣ型A/Dコンバータ。 A ΔΣ A / D converter that receives an analog input voltage and converts it into an m-bit (m is a natural number) digital output signal,
A switched capacitor type D / A converter for converting the m-bit digital output signal into an analog feedback voltage;
A switched capacitor type integrator that adds a voltage obtained by multiplying each of the analog input voltage and the analog feedback voltage by a predetermined coefficient, and integrates the addition result;
A bandgap reference circuit for generating a reference voltage;
A linear regulator that outputs a voltage according to the reference voltage;
With
The D / A converter
A first transfer gate group is provided for each bit of the digital output signal, and is turned on when the corresponding bit is 1 and turned off when it is 0, and turned on when the corresponding bit is 0. M switch circuits including a second transfer gate group that is turned off when 1.
A first inverter that outputs a gate signal to the N-channel MOSFET of the first transfer gate group and the P-channel MOSFET of the second transfer gate group;
A second inverter that outputs a gate signal to the P-channel MOSFET of the first transfer gate group and the N-channel MOSFET of the second transfer gate group;
With
A ground voltage is applied to a lower power supply terminal of the first inverter and the second inverter,
The ΔΣ A / D converter, wherein an output voltage of the linear regulator is applied to upper power supply terminals of the first inverter and the second inverter.
前記出力段は、前記デジタル出力信号のビットごとに、
ラッチコンパレータと、
その一端が前記ラッチコンパレータの非反転入力端子と接続され、その他端にスイッチを介して差動の前記アナログ入力電圧のポジティブ信号または下側基準電圧が印加される第1キャパシタと、
その一端が前記ラッチコンパレータの反転入力端子と接続され、その他端にスイッチを介して差動の前記アナログ入力電圧のネガティブ信号または下側基準電圧が印加される第2キャパシタと、
その一端が前記ラッチコンパレータの非反転入力端子と接続され、その他端にスイッチを介して前記積分器の差動出力信号のポジティブ信号または下側基準電圧が印加される第3キャパシタと、
その一端が前記ラッチコンパレータの反転入力端子と接続され、その他端にスイッチを介して前記積分器の差動出力信号のネガティブ信号または下側基準電圧が印加される第4キャパシタと、
その一端が前記ラッチコンパレータの非反転入力端子と接続され、その他端にスイッチを介して上側基準電圧または下側基準電圧が印加され、その容量値がビットごとに重み付けされている第1量子化キャパシタと、
その一端が前記ラッチコンパレータの反転入力端子と接続され、その他端にスイッチを介して前記上側基準電圧または前記下側基準電圧が印加され、その容量値がビットごとに重み付けされている第2量子化キャパシタと、
を備えることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のΔΣ型A/Dコンバータ。 An output stage for generating the m-bit digital output signal;
The output stage, for each bit of the digital output signal,
A latch comparator;
A first capacitor having one end connected to the non-inverting input terminal of the latch comparator and the other end to which a positive signal of the differential analog input voltage or a lower reference voltage is applied via a switch;
A second capacitor having one end connected to the inverting input terminal of the latch comparator and the other end to which a differential negative signal of the analog input voltage or a lower reference voltage is applied via a switch;
A third capacitor having one end connected to the non-inverting input terminal of the latch comparator and the other end to which a positive signal of the differential output signal of the integrator or a lower reference voltage is applied via a switch;
A fourth capacitor having one end connected to the inverting input terminal of the latch comparator and the other end to which a negative signal of the differential output signal of the integrator or a lower reference voltage is applied via a switch;
A first quantization capacitor having one end connected to the non-inverting input terminal of the latch comparator, the other end applied with an upper reference voltage or a lower reference voltage via a switch, and a capacitance value weighted for each bit When,
A second quantization in which one end is connected to the inverting input terminal of the latch comparator, the upper reference voltage or the lower reference voltage is applied to the other end via a switch, and the capacitance value is weighted for each bit. A capacitor;
The ΔΣ A / D converter according to claim 1, comprising:
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