JP2012119611A - Manufacturing method of through hole electrode substrate - Google Patents

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智 柏原
Hideyuki Hirakoso
英之 平社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a through hole electrode substrate which obtains a through hole electrode substrate achieving low material cost and having excellent high frequency property in simple processes and reduces the manufacturing time and the cost significantly.SOLUTION: This invention relates to a manufacturing method of a through hole electrode substrate having through hole electrodes made of a conductive material in through holes in a glass substrate having multiple through holes formed in the thickness direction. The manufacturing method includes: a process in which a fluent conductive composition including metal particles is applied to the glass substrate and the through holes are filled with the conductive composition; and a process in which the conductive composition filling the through holes is heated and the through hole electrode is formed in each through hole.

Description

本発明は、貫通電極基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a through electrode substrate.

近年、微細化の進んだICチップの電極(例えばピッチ20〜50μm)とプリント配線板の配線電極(例えばピッチ300〜500μm)とを接続するために、これらの間のインターポーザとして、シリコン基板のような半導体基板の表裏両面にそれぞれ対応するピッチの電極を有し、かつこれら両面の電極を導通する貫通電極を備えたシリコン貫通電極基板が提案されている。このような貫通電極基板の一例を図2に示す。この貫通電極基板10においては、シリコン基板11に厚さ方向に貫通する複数の貫通孔12が設けられ、それらの貫通孔12の内壁面から上下面に連接して、SiO等の絶縁層13(シリコン基板への拡散防止層)が形成されている。そして、このように絶縁層13により被覆された貫通孔12に、導電性の金属材料からなる貫通電極14が埋め込まれている。 In recent years, in order to connect electrodes (for example, pitch 20 to 50 μm) of IC chips that have been miniaturized and wiring electrodes (for example, pitch 300 to 500 μm) of printed wiring boards, an interposer between them can be used as a silicon substrate. 2. Description of the Related Art A silicon through-electrode substrate has been proposed that has electrodes with corresponding pitches on both the front and back surfaces of a simple semiconductor substrate and that has through electrodes that conduct the electrodes on both sides. An example of such a through electrode substrate is shown in FIG. In this through electrode substrate 10, a plurality of through holes 12 penetrating in the thickness direction are provided in the silicon substrate 11, and an insulating layer 13 such as SiO 2 is connected to the upper and lower surfaces from the inner wall surface of the through holes 12. (An anti-diffusion layer for the silicon substrate) is formed. A through electrode 14 made of a conductive metal material is embedded in the through hole 12 thus covered with the insulating layer 13.

貫通電極14の形成方法としては、例えば、以下に示す方法が提案されている。すなわち、スパッタ法、CVD等によりシリコン基板11の下面側にシード層を形成した後、このシード層を給電層とする電解メッキにより、貫通孔12内に導電材料(銅または銅合金)を充填して導通部を形成する。その後、シード層、導通部等の不要部をエッチング除去して平坦化することにより、貫通電極14の形成が完了する。(例えば、特許文献1参照。)   For example, the following method has been proposed as a method of forming the through electrode 14. That is, after a seed layer is formed on the lower surface side of the silicon substrate 11 by sputtering, CVD or the like, a conductive material (copper or copper alloy) is filled in the through holes 12 by electrolytic plating using the seed layer as a power feeding layer. To form a conductive portion. Thereafter, unnecessary portions such as the seed layer and the conductive portion are removed by etching, and the formation of the through electrode 14 is completed. (For example, refer to Patent Document 1.)

また、シリコン基板に形成された未貫通のビアの側壁に、SiO等の絶縁層を形成し、次いでビア内に金属粒子を含む導電性ペーストを充填しこのペースト焼結して導電部を形成した後、シリコン基板の裏面を研磨等により後退させて貫通ビア(貫通電極)を形成する方法も提案されている。(例えば、特許文献2参照。) Also, an insulating layer such as SiO 2 is formed on the side wall of the non-penetrated via formed in the silicon substrate, and then a conductive paste containing metal particles is filled in the via, and this paste is sintered to form a conductive portion. Then, a method of forming a through via (through electrode) by retreating the back surface of the silicon substrate by polishing or the like has been proposed. (For example, see Patent Document 2.)

しかしながら、これらのシリコン貫通電極基板においては、以下に示す問題があった。すなわち、貫通電極を構成する金属のシリコン基板への拡散を防止するために、貫通孔の内壁にSiO等の絶縁層を設ける必要があるが、この絶縁層の形成プロセスが複雑であり時間がかかるという問題があった。また、電解メッキや不要部のエッチング除去、あるいはシリコン基板の裏面研磨に時間がかかる、シリコン基板のコストが高い、十分な高周波特性が得られない、基板の大きさが限定され大面積化が難しい、などの問題があった。 However, these through silicon via substrates have the following problems. That is, in order to prevent the metal constituting the through electrode from diffusing into the silicon substrate, it is necessary to provide an insulating layer such as SiO 2 on the inner wall of the through hole. There was a problem that it took. In addition, it takes time to perform electrolytic plating, unnecessary portion etching removal, or polishing the back surface of the silicon substrate, the cost of the silicon substrate is high, sufficient high frequency characteristics cannot be obtained, the size of the substrate is limited, and it is difficult to increase the area There were problems such as.

さらに、特許文献1に記載された貫通電極14の形成方法では、銅等の電解メッキ層の平坦性が十分でない、SiO等の絶縁層13と電解メッキ層との界面の密着性が十分でないため引張り応力により電解メッキ層が剥離するおそれがある、などの電解メッキにより形成された導電層に特有の問題があった。さらに、特許文献1に記載されたシリコン貫通電極基板10では、絶縁層13を構成するSiO等と貫通電極を構成する導電材料(銅または銅合金)との熱膨張率の差により、絶縁層13に大きな応力が発生し、損傷が生じるおそれもあった。 Further, in the method of forming the through electrode 14 described in Patent Document 1, the flatness of the electrolytic plating layer such as copper is not sufficient, and the adhesion at the interface between the insulating layer 13 such as SiO 2 and the electrolytic plating layer is not sufficient. Therefore, there is a problem peculiar to the conductive layer formed by electrolytic plating, such as the possibility that the electrolytic plating layer may be peeled off by tensile stress. Furthermore, in the silicon through electrode substrate 10 described in Patent Document 1, the insulating layer is caused by a difference in thermal expansion coefficient between SiO 2 or the like constituting the insulating layer 13 and a conductive material (copper or copper alloy) constituting the through electrode. A large stress was generated in 13 and there was a risk of damage.

特開2010−171377号公報JP 2010-171377 A 特開2005−259845号公報JP 2005-259845 A

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、材料コストが安く高周波特性が良好な貫通電極基板を簡便な工程で得ることができ、従来のものより製造時間とコストの大幅な削減が可能な貫通電極基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and can provide a through electrode substrate having a low material cost and good high-frequency characteristics by a simple process, and has a significantly larger manufacturing time and cost than conventional ones. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a through electrode substrate that can be reduced significantly.

本発明の貫通電極基板の製造方法は、厚さ方向に形成された複数の貫通孔を有するガラス基板の前記貫通孔内に、導電性材料からなる貫通電極を有する貫通電極基板の製造方法であって、金属粒子を含む流動性の導電性組成物を前記ガラス基板上に塗布して、該導電性組成物を前記貫通孔内に充填する工程と、前記貫通孔内に充填された前記導電性組成物を加熱して、該貫通孔内に前記貫通電極を形成する工程を備えることを特徴とする。   The through electrode substrate manufacturing method of the present invention is a through electrode substrate manufacturing method having a through electrode made of a conductive material in the through hole of a glass substrate having a plurality of through holes formed in the thickness direction. And applying a fluid conductive composition containing metal particles onto the glass substrate, and filling the conductive composition into the through-hole, and the conductive material filled into the through-hole. The method includes heating the composition to form the through electrode in the through hole.

本発明の貫通電極基板の製造方法において、前記貫通孔の直径は10〜200μmであることが好ましい。また、前記流動性の導電性組成物は、少なくとも前記金属粒子と溶剤を含有することが好ましい。そして、前記流動性の導電性組成物は、少なくとも前記金属粒子と樹脂バインダと溶剤を含有する金属ペーストであることができる。さらに、前記金属粒子は、少なくとも銅を主成分とする粒子を含有することが好ましい。   In the method for manufacturing a through electrode substrate according to the present invention, the diameter of the through hole is preferably 10 to 200 μm. Moreover, it is preferable that the said fluid conductive composition contains the said metal particle and a solvent at least. The fluid conductive composition may be a metal paste containing at least the metal particles, a resin binder, and a solvent. Furthermore, the metal particles preferably contain at least particles containing copper as a main component.

なお、本明細書において、「銅を主成分とする」とは、銅を90質量%以上の割合で含有することを意味する。   In the present specification, “having copper as the main component” means containing copper in a proportion of 90% by mass or more.

本発明の貫通電極基板の製造方法によれば、材料コストが安く高周波特性が良好なガラスを基材とする貫通電極基板を、簡便な工程で得ることができ、製造時間を短縮しコストを削減することができる。また、ガラスを基材とするので大面積化が可能である。   According to the method for manufacturing a through electrode substrate of the present invention, a through electrode substrate based on glass with low material cost and good high frequency characteristics can be obtained in a simple process, reducing manufacturing time and reducing cost. can do. Moreover, since glass is used as the base material, the area can be increased.

本発明の製造方法の一実施形態で製造された貫通電極基板の断面図である。It is sectional drawing of the penetration electrode substrate manufactured by one Embodiment of the manufacturing method of this invention. 従来のシリコン貫通電極基板の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional silicon penetration electrode substrate.

以下、図を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明は、下記説明に限定して解釈されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, this invention is limited to the following description and is not interpreted.

本発明の貫通電極基板の製造方法は、表裏両面を厚さ方向に貫通して形成された複数の貫通孔を有するガラス基板の上に、金属粒子を含む流動性の導電性組成物を塗布して、貫通孔内にこの導電性組成物を充填する工程と、こうして貫通孔内に充填された導電性組成物を加熱して、貫通孔内に導電性材料からなる貫通電極を形成する工程とを備えている。   In the method for producing a through electrode substrate of the present invention, a fluid conductive composition containing metal particles is applied onto a glass substrate having a plurality of through holes formed by penetrating both front and back surfaces in the thickness direction. A step of filling the through hole with the conductive composition, and a step of heating the conductive composition thus filled into the through hole to form a through electrode made of a conductive material in the through hole. It has.

本発明の製造方法によって製造された貫通電極基板の構造を図1に示す。この貫通電極基板1は、表裏両面を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔2を有するガラス基板3を有しており、このガラス基板3の貫通孔2内には、金属粒子を含む流動性の導電性組成物が塗布・充填され、さらに加熱されて形成された導電性材料からなる貫通電極4が設けられている。   The structure of the through electrode substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention is shown in FIG. The through-electrode substrate 1 has a glass substrate 3 having a plurality of through-holes 2 penetrating both front and back surfaces in the thickness direction. The through-hole 2 of the glass substrate 3 has fluidity containing metal particles. A through electrode 4 made of a conductive material formed by applying and filling the conductive composition is heated and further heated.

本発明の貫通電極基板の製造方法によれば、材料コストが安く高周波特性が良好なガラスを基材とする貫通電極基板を、簡便な工程で得ることができ、製造時間を短縮しコストを削減することができる。また、ガラスを基材とするので大面積化が可能である。   According to the method for manufacturing a through electrode substrate of the present invention, a through electrode substrate based on glass with low material cost and good high frequency characteristics can be obtained in a simple process, reducing manufacturing time and reducing cost. can do. Moreover, since glass is used as the base material, the area can be increased.

本発明の貫通電極基板の製造方法に使用する部材、材料、工程の詳細等について、以下に説明する。   Details of members, materials, processes, and the like used in the method for manufacturing a through electrode substrate of the present invention will be described below.

<貫通孔を有するガラス基板>
基板を構成するガラスの組成は特に限定されないが、後述するレーザ光に対する透明度の観点から、SiOを主成分とするケイ酸塩ガラスとすることが好ましい。主成分であるSiOの他に、Al、B、NaO、F等の成分を含むことができる。また、ガラス基板の大きさ(平面サイズ)や厚さも特に限定されないが、例えば、縦および横の長さが450〜600mmで厚さが0.1〜0.2mmとすることができる。
<Glass substrate having a through hole>
Is not particularly limited the composition of glass constituting the substrate, from the viewpoint of transparency to the laser beam to be described later, it is preferable that the silicate glass as a main component SiO 2. In addition to SiO 2 as the main component, components such as Al 2 O 3 , B 2 O 3 , Na 2 O, and F can be included. Moreover, although the magnitude | size (plane size) and thickness of a glass substrate are not specifically limited, For example, length and width can be 450-600 mm and thickness can be 0.1-0.2 mm.

このようなガラス基板の有する貫通孔の直径は、ガラス基板の加工のしやすさや、加工精度の観点から、10〜200μmとすることが好ましい。そして、貫通孔の形成は、例えば、レーザ光の照射により行うことができる。すなわち、ガラス基板の所定の部位にレーザ光を照射し、照射された部位のガラスを蒸発もしくはアブレーションによって除去することで、基板を照射側の面から反対の面に貫通する貫通孔を形成することができる。   The diameter of the through hole of such a glass substrate is preferably 10 to 200 μm from the viewpoint of ease of processing of the glass substrate and processing accuracy. And formation of a through-hole can be performed by irradiation of a laser beam, for example. That is, by irradiating a predetermined portion of the glass substrate with laser light and removing the glass at the irradiated portion by evaporation or ablation, a through-hole penetrating the substrate from the irradiation side surface to the opposite surface is formed. Can do.

レーザ光としては、COレーザ等の赤外線レーザ、Nd:YAGレーザ、Nd:YAGレーザと波長変換を組み合わせた近赤外領域から可視領域さらには紫外領域に亘るレーザ、あるいはKrF(波長:248nm)等のエキシマレーザ等が用いられる。ガラス基板を置いたステージを直線的かつステップ的に移動させ、移動の度毎にレーザ光を照射することで、1次元的に配列された貫通孔を形成することができ、さらに直線方向に加えてそれと直角になる方向へのステージの移動も加えることで、2次元のアレイ状に配列された多数の貫通孔を形成することができる。 As the laser light, an infrared laser such as a CO 2 laser, an Nd: YAG laser, a laser extending from the near infrared region to the visible region and the ultraviolet region, which combines wavelength conversion with an Nd: YAG laser, or KrF (wavelength: 248 nm). An excimer laser or the like is used. By moving the stage on which the glass substrate is placed linearly and stepwise and irradiating the laser beam every time it is moved, through holes arranged in a one-dimensional manner can be formed. In addition, by adding the movement of the stage in a direction perpendicular to it, a large number of through holes arranged in a two-dimensional array can be formed.

このようなレーザ光の照射による貫通孔の形成にあたっては、ガラス基板の表面(照射側の面)から所定の深さまで、Ag原子、AgコロイドまたはAgイオンの形態で銀を含有させ、しかも基板の厚さ方向に銀の濃度に勾配を持たせることで、レーザ光による孔開け加工の際の熱による応力を緩和することができる。そして、ガラスの割れや欠けを防止し、良好な貫通孔を有するガラス基板を得ることができる。   In forming such a through hole by laser light irradiation, silver is contained in the form of Ag atoms, Ag colloid or Ag ions from the surface of the glass substrate (surface on the irradiation side) to a predetermined depth, and By giving a gradient to the concentration of silver in the thickness direction, it is possible to relieve stress due to heat during drilling with laser light. And the glass substrate which prevents a crack and a chip | tip of glass, and has a favorable through-hole can be obtained.

ガラス基板中に厚さ方向に濃度勾配を持たせるように銀を導入する手段としては、例えば、Agイオンを含む溶融塩中にガラス基板を浸漬する等の方法で、ガラス中のAgイオン以外の1価の陽イオンとAgイオンとをイオン交換することが考えられる。また、銀濃度が低いとレーザ光の吸収エネルギーも低くなり、蒸発やアブレーションが生じにくくなるので、加工を予定している部分の銀濃度は、0.1モル%以上とすることが好ましい。   As a means for introducing silver so as to have a concentration gradient in the thickness direction in the glass substrate, for example, by immersing the glass substrate in a molten salt containing Ag ions, other than Ag ions in the glass. It is conceivable to perform ion exchange between monovalent cations and Ag ions. In addition, when the silver concentration is low, the absorption energy of the laser light is also low, and evaporation and ablation are less likely to occur. Therefore, the silver concentration in the portion scheduled for processing is preferably 0.1 mol% or more.

<金属粒子を含む流動性の導電性組成物>
ガラス基板の上に塗布して前記貫通孔内に充填する金属粒子を含む流動性の導電性組成物としては、金属ペーストを使用することができる。金属ペーストについて、以下に記載する。
<Flowable conductive composition containing metal particles>
A metal paste can be used as the fluid conductive composition containing metal particles that are applied onto a glass substrate and filled into the through holes. The metal paste is described below.

(金属ペースト)
金属ペーストは、少なくとも金属粒子と樹脂バインダを含み、さらに、適度の粘度に調整して塗布・充填の作業性を向上させるために、溶剤を含有する。
(Metal paste)
The metal paste contains at least metal particles and a resin binder, and further contains a solvent in order to improve the workability of coating and filling by adjusting to an appropriate viscosity.

金属粒子としては、公知の導電性金属粒子が挙げられる。具体的には、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル、錫、アルミニウム、ビスマス、インジウム、鉛等を主成分とする粒子が挙げられ、導電性、耐マイグレーション性、価格等の点から、銅を主成分とする粒子が(以下、銅粒子と示す。)が好ましい。金属粒子の形状は特に限定されず、球状、針状、楕円状、扁平形状等のいずれであってもよい。また、金属粒子は1次粒子、凝集粒子、1次粒子と凝集粒子が組合わされた粒子、のいずれであってもよい。金属粒子の平均粒径は、0.3〜20μmであり、1〜10μmがより好ましい。金属粒子の平均粒径が0.3〜20μmの範囲であれば、得られる金属ペーストの流動性が良好で貫通孔内への塗布・充填の作業性が良好であり、かつこの金属ペーストにより貫通孔内に形成される貫通電極が十分な導電性を有する。ここで、金属粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡(SEM)像または透過型電子顕微鏡(TEM)像の中から無作為に選ばれた100個の粒子のFeret径を測定し、平均することにより算出したものとする。   Examples of the metal particles include known conductive metal particles. Specific examples include particles mainly composed of gold, silver, copper, palladium, nickel, tin, aluminum, bismuth, indium, lead, etc. From the viewpoint of conductivity, migration resistance, price, etc. The particles as the main component (hereinafter referred to as copper particles) are preferred. The shape of the metal particles is not particularly limited, and may be any of a spherical shape, a needle shape, an elliptical shape, a flat shape, and the like. Further, the metal particles may be any of primary particles, aggregated particles, and particles in which primary particles and aggregated particles are combined. The average particle diameter of the metal particles is 0.3 to 20 μm, and more preferably 1 to 10 μm. When the average particle size of the metal particles is in the range of 0.3 to 20 μm, the fluidity of the obtained metal paste is good, the workability of coating and filling into the through holes is good, and the metal paste penetrates. The through electrode formed in the hole has sufficient conductivity. Here, the average particle diameter of the metal particles is obtained by measuring and averaging the Feret diameters of 100 particles randomly selected from a scanning electron microscope (SEM) image or a transmission electron microscope (TEM) image. It is assumed that it is calculated by

なお、金属粒子が銅粒子である場合には、平均一次粒径0.3〜20μmの銅粒子とともに、平均凝集粒径が10〜100nm好ましくは50〜80nmの微細径の銅微粒子をペースト中に含有させ、銅微粒子の表面融解現象を利用して銅粒子同士を融着することによって、貫通電極の導電性を向上させることができる。   When the metal particles are copper particles, copper particles having an average primary particle size of 0.3 to 20 μm and copper particles having an average aggregate particle size of 10 to 100 nm, preferably 50 to 80 nm, are contained in the paste. The conductivity of the through electrode can be improved by adding and fusing the copper particles together by utilizing the surface melting phenomenon of the copper fine particles.

ここで、銅微粒子は、銅を主成分とし、さらに水素、酸素等の他の元素を含むものであるが、導電性の高い貫通電極を形成できる点から、水素化銅微粒子または金属銅微粒子が好ましく、水素化銅微粒子が特に好ましい。水素化銅は、元素として銅の他に水素を含む化合物であって、水素原子は銅原子と結合した状態で存在し、60〜100℃で金属銅と水素とに分解する性質を有する。   Here, the copper fine particles are mainly composed of copper and further contain other elements such as hydrogen and oxygen, but from the point of being able to form a highly conductive through electrode, copper hydride fine particles or metal copper fine particles are preferable, Copper hydride fine particles are particularly preferred. Copper hydride is a compound containing hydrogen in addition to copper as an element. The hydrogen atom is present in a state of being bonded to a copper atom and has a property of decomposing into metallic copper and hydrogen at 60 to 100 ° C.

銅微粒子の製造方法としては、例えば、下記の工程(a)〜(d)を備えた湿式還元法を挙げることができる。
(a)水溶性銅化合物を水に溶解して、銅イオンを含む水溶液を調製する工程。
(b)銅イオンを含む水溶液を30℃以上に加熱し、次亜リン酸によって銅イオンを還元し、水素化銅微粒子、または場合によっては金属銅微粒子を生成させる工程。
(c)必要に応じて、前記水素化銅微粒子を、熱分解させて金属銅微粒子を生成させる工程。
(d)必要に応じて、得られた銅微粒子を精製する工程。
As a manufacturing method of copper fine particles, the wet reduction method provided with the following process (a)-(d) can be mentioned, for example.
(A) A step of preparing an aqueous solution containing copper ions by dissolving a water-soluble copper compound in water.
(B) A step of heating an aqueous solution containing copper ions to 30 ° C. or higher and reducing copper ions with hypophosphorous acid to produce copper hydride fine particles or, in some cases, metal copper fine particles.
(C) A step of thermally decomposing the copper hydride fine particles to produce metal copper fine particles as necessary.
(D) The process of refine | purifying the obtained copper microparticles as needed.

工程(a)
水溶性銅化合物としては、硫酸銅、硝酸銅、ギ酸銅、酢酸銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等が挙げられる。水溶性銅化合物の濃度は、水溶液全体の0.1〜30質量%が好ましい。水溶液中の水溶性銅化合物の濃度が0.1質量%以上であれば、水の量が抑えられ、また銅微粒子の生産効率が良好となる。水溶液中の水溶性銅化合物の濃度が30質量%以下であれば、銅微粒子の収率の低下が抑えられる。
Step (a)
Examples of the water-soluble copper compound include copper sulfate, copper nitrate, copper formate, copper acetate, copper chloride, copper bromide, copper iodide and the like. As for the density | concentration of a water-soluble copper compound, 0.1-30 mass% of the whole aqueous solution is preferable. If the density | concentration of the water-soluble copper compound in aqueous solution is 0.1 mass% or more, the quantity of water will be restrained and the production efficiency of copper particulates will become favorable. If the density | concentration of the water-soluble copper compound in aqueous solution is 30 mass% or less, the fall of the yield of a copper fine particle will be suppressed.

工程(b)
水溶液中の銅イオンは、30℃以上の温度で次亜リン酸により酸性条件で還元され、徐々に水素化銅微粒子が成長して、平均粒子径が10〜100nmである水素化銅微粒子が生成する。また、反応を一定時間以上進行させると、水素化銅の分解によって金属銅が生成する。工程(b)における水溶液の温度は、30〜80℃が好ましく、35〜60℃がより好ましい。水溶液の温度が80℃以下であれば、水の蒸発による反応系の変化を抑制できる。
Step (b)
Copper ions in the aqueous solution are reduced under acidic conditions by hypophosphorous acid at a temperature of 30 ° C. or higher, and copper hydride fine particles gradually grow to form copper hydride fine particles having an average particle diameter of 10 to 100 nm. To do. Further, when the reaction is allowed to proceed for a certain time or more, metallic copper is generated by the decomposition of copper hydride. 30-80 degreeC is preferable and, as for the temperature of the aqueous solution in a process (b), 35-60 degreeC is more preferable. If the temperature of aqueous solution is 80 degrees C or less, the change of the reaction system by water evaporation can be suppressed.

次亜リン酸は、水溶液にして添加することが好ましい。次亜リン酸の濃度は、水溶液100質量%中、30〜80質量%が好ましく、40〜60質量%がより好ましい。水溶液中の次亜リン酸の濃度が30質量%以上であれば、水の量が抑えられる。水溶液中の次亜リン酸の濃度が80質量%以下であれば、急激な反応が抑えられる。   Hypophosphorous acid is preferably added as an aqueous solution. The concentration of hypophosphorous acid is preferably 30 to 80% by mass and more preferably 40 to 60% by mass in 100% by mass of the aqueous solution. If the concentration of hypophosphorous acid in the aqueous solution is 30% by mass or more, the amount of water can be suppressed. If the concentration of hypophosphorous acid in the aqueous solution is 80% by mass or less, a rapid reaction can be suppressed.

次亜リン酸の添加量は、銅イオンに対して1.5〜10倍当量が好ましい。次亜リン酸の添加量が銅イオンに対して1.5倍当量以上であれば、還元作用が十分となる。還元剤の添加量が銅イオンに対して10倍当量以下であれば、残存するリンによる悪影響を抑制できる。   The addition amount of hypophosphorous acid is preferably 1.5 to 10 times equivalent to copper ions. If the addition amount of hypophosphorous acid is 1.5 times equivalent or more with respect to copper ions, the reducing action is sufficient. If the addition amount of the reducing agent is 10 times equivalent or less with respect to copper ions, the adverse effect of the remaining phosphorus can be suppressed.

工程(c)
必要に応じて、得られた水素化銅微粒子を熱分解させて金属銅微粒子を生成させる。熱分解は不活性雰囲気で行う。雰囲気中の酸素濃度は1000ppm以下が好ましい。1000ppmを超えると、酸化によって亜酸化銅を生じてしまう。熱分解の温度は、60〜100℃が好ましく、70〜90℃がより好ましい。温度が60℃以上であれば、熱分解が円滑に進行する。温度が100℃以下であれば、銅微粒子同士の融着が抑えられる。
Step (c)
If necessary, the obtained copper hydride fine particles are thermally decomposed to produce metal copper fine particles. Thermal decomposition is performed in an inert atmosphere. The oxygen concentration in the atmosphere is preferably 1000 ppm or less. When it exceeds 1000 ppm, cuprous oxide will be produced by oxidation. The temperature of thermal decomposition is preferably 60 to 100 ° C, more preferably 70 to 90 ° C. If temperature is 60 degreeC or more, thermal decomposition will advance smoothly. If the temperature is 100 ° C. or lower, the fusion of copper fine particles can be suppressed.

工程(d)
必要に応じて、得られた銅微粒子を精製してもよい。精製方法としては、水に分散させる方法等が挙げられる。
Step (d)
You may refine | purify the obtained copper microparticles as needed. Examples of the purification method include a method of dispersing in water.

このように製造される銅微粒子の配合量は、前記した平均粒径0.3〜20μmの銅粒子100質量部に対して、1〜40質量部が好ましく、5〜25質量部がより好ましい。銅微粒子の量が1質量部以上であれば、銅粒子の表面に焼結しやすく、銅粒子間の導電パスを増やすことによって、得られる貫通電極の導電性向上に寄与できる。銅微粒子の量が40質量部以下であれば、得られる金属ペーストの流動特性が良好となる。   1-40 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of copper particles with an average particle diameter of 0.3-20 micrometers mentioned above, and, as for the compounding quantity of the copper fine particle manufactured in this way, 5-25 mass parts is more preferable. If the amount of the copper fine particles is 1 part by mass or more, it is easy to sinter on the surface of the copper particles, and by increasing the number of conductive paths between the copper particles, it is possible to contribute to improving the conductivity of the obtained through electrode. If the amount of copper fine particles is 40 parts by mass or less, the flow characteristics of the resulting metal paste will be good.

このような銅微粒子を含む金属粒子とともに金属ペーストに含有される樹脂バインダとしては、通常金属ペーストに用いられる公知の樹脂バインダ(熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等。)が挙げられる。   Examples of the resin binder contained in the metal paste together with such metal particles containing copper fine particles include known resin binders (such as thermosetting resins and thermoplastic resins) that are usually used in metal pastes.

熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、ビニルエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、オリゴエステルアクリレート樹脂、キシレン樹脂、ビスマレイドトリアジン樹脂、フラン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、オキセタン樹脂、オキサジン樹脂等が挙げられ、フェノー樹脂、エポキシ樹脂、オキサジン樹脂が好ましい。これらの中から、加熱時の温度において十分な硬化がなされる樹脂を選択して用いることが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ケトン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。これらの中から、加熱時の温度で変性や劣化がなく、貫通電極の形成後に形状を維持するに十分なTg(ガラス転移点)を持つ樹脂を選択して用いることが好ましい。   Thermosetting resins include phenolic resin, epoxy resin, unsaturated polyester, vinyl ester resin, diallyl phthalate resin, oligoester acrylate resin, xylene resin, bismaleidotriazine resin, furan resin, urea resin, polyurethane resin, melamine resin, Silicon resin, acrylic resin, oxetane resin, oxazine resin and the like can be mentioned, and pheno resin, epoxy resin and oxazine resin are preferable. Among these, it is preferable to select and use a resin that can be sufficiently cured at the heating temperature. Examples of the thermoplastic resin include polyamide resin, polyimide resin, acrylic resin, ketone resin, polystyrene resin, and polyester resin. Among these, it is preferable to select and use a resin that does not undergo modification or deterioration at the temperature during heating and has a sufficient Tg (glass transition point) to maintain the shape after the through electrode is formed.

金属ペースト中の樹脂バインダの含有量は、前記金属粒子(銅微粒子を含有する場合は、銅微粒子を含む。)の全体の体積とそれらの粒子間に存在する空隙との比率に応じて適宜選択すればよい。通常、金属粒子100質量部に対して、5〜50質量部が好ましく、5〜20質量部がより好ましい。樹脂バインダの量が5質量部以上であれば、得られる金属ペーストの流動特性が良好となる。樹脂バインダの量が50質量部以下であれば、得られる貫通電極の導電性が良好となる。   The content of the resin binder in the metal paste is appropriately selected according to the ratio between the total volume of the metal particles (including copper fine particles when copper fine particles are included) and the voids existing between the particles. do it. Usually, 5-50 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of metal particles, and 5-20 mass parts is more preferable. When the amount of the resin binder is 5 parts by mass or more, the flow characteristics of the obtained metal paste are good. When the amount of the resin binder is 50 parts by mass or less, the conductivity of the obtained through electrode is good.

金属ペースト中に含有される溶剤としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルアセテート等を挙げることができる。溶剤の含有量は、前記金属粒子および樹脂バインダの含有量等に応じて適宜調整される。すなわち、溶剤の含有量を前記金属粒子および樹脂バインダの含有量等に合わせて調整することで、金属ペーストの粘度が塗布・充填の作業性が良好な範囲に調整される。   Examples of the solvent contained in the metal paste include diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl acetate, propylene glycol monoethyl ether, and propylene glycol monoethyl acetate. The content of the solvent is appropriately adjusted according to the content of the metal particles and the resin binder. That is, by adjusting the content of the solvent in accordance with the content of the metal particles and the resin binder, etc., the viscosity of the metal paste is adjusted to a range in which the workability of coating and filling is good.

金属ペーストは、必要に応じて公知の添加剤を、本発明の効果を損なわない範囲で含んでいてもよい。添加剤としては、レベリング剤、カップリング剤、粘度調整剤、酸化防止剤等を使用することができる。   The metal paste may contain a known additive as long as it does not impair the effects of the present invention. As the additive, a leveling agent, a coupling agent, a viscosity modifier, an antioxidant and the like can be used.

ガラス基板の上に塗布し貫通孔内に充填する金属粒子を含む流動性の導電性組成物として、このように構成される金属ペーストを使用することにより、貫通孔内に十分な導電性を有する貫通電極を形成することができる。また、金属ペーストにより形成される貫通電極は、ペーストに含有されている樹脂バインダにより、基材のガラスとの間に高い接着強度を有する。さらに、基材のガラスと貫通電極に含まれる金属との熱膨張率の差に起因して発生する応力が、樹脂バインダの弾性によって緩和されるので、貫通孔の内壁面(ガラス)に大きな熱応力が加わることがなく、クラック等の発生が防止される。   By using a metal paste configured in this way as a fluid conductive composition containing metal particles that are applied onto a glass substrate and filled into the through-holes, the through-holes have sufficient conductivity. A through electrode can be formed. Moreover, the through electrode formed of the metal paste has a high adhesive strength between the base glass and the resin binder contained in the paste. Furthermore, since the stress generated due to the difference in thermal expansion coefficient between the glass of the substrate and the metal contained in the through electrode is alleviated by the elasticity of the resin binder, a large amount of heat is generated on the inner wall surface (glass) of the through hole. No stress is applied and the occurrence of cracks and the like is prevented.

本発明において、金属粒子を含む流動性の導電性組成物としては、前記金属ペーストに代わり金属インクを使用することもできる。金属インクについて、以下に記載する。   In the present invention, as the fluid conductive composition containing metal particles, a metal ink can be used instead of the metal paste. The metal ink is described below.

(金属インク)
金属インクは、金属微粒子を液中に分散させた分散液からなり、少なくとも金属微粒子と溶剤を含有する。
(Metal ink)
The metal ink is made of a dispersion liquid in which metal fine particles are dispersed in a liquid, and contains at least metal fine particles and a solvent.

金属微粒子としては、公知の導電性金属微粒子が挙げられる。具体的には、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、チタンおよびアルミニウム等の金属を主成分とする微粒子が挙げられる。ここで、金属微粒子には、金属微粒子そのものだけでなく、水素化された金属微粒子が含まれるものとする。導電性、耐マイグレーション性、価格等の点から、銅微粒子が好ましい。   Examples of the metal fine particles include known conductive metal fine particles. Specific examples include fine particles mainly composed of metals such as gold, silver, copper, platinum, palladium, tungsten, nickel, tantalum, bismuth, lead, indium, tin, titanium and aluminum. Here, the metal fine particles include not only the metal fine particles themselves but also hydrogenated metal fine particles. From the viewpoint of conductivity, migration resistance, price, etc., copper fine particles are preferred.

この金属微粒子は、通常は平均粒径が1〜20nm程度の1次粒子が凝集した凝集粒子として存在している。当該金属微粒子の平均粒径(平均凝集粒径)は、1〜100nmであり、5〜30nmがより好ましい。金属微粒子の平均粒径が前記範囲であれば、ナノサイズの粒子の、見かけの融点が降下する現象を利用できる。よって、後述するように導電性組成物を加熱する温度が100〜300℃と低い場合においても、得られる貫通電極の体積抵抗率を小さくできるという利点がある。ここで、金属微粒子の平均粒径は、TEM像の中から無作為に選ばれた100個の粒子のFeret径を測定し、平均することにより算出したものとする。   The metal fine particles usually exist as aggregated particles in which primary particles having an average particle diameter of about 1 to 20 nm are aggregated. The average particle diameter (average aggregate particle diameter) of the metal fine particles is 1 to 100 nm, and more preferably 5 to 30 nm. If the average particle diameter of the metal fine particles is within the above range, the phenomenon that the apparent melting point of the nano-sized particles falls can be used. Therefore, even when the temperature for heating the conductive composition is as low as 100 to 300 ° C. as described later, there is an advantage that the volume resistivity of the obtained through electrode can be reduced. Here, the average particle diameter of the metal fine particles is calculated by measuring and averaging the Feret diameters of 100 particles randomly selected from the TEM image.

金属微粒子としては、前記した工程(a)〜(d)を備えた湿式還元法で製造された銅微粒子を使用することができる。また、以下に示す方法で製造された平均凝集粒径が100nm以下の銅、ニッケル、ルテニウム、またはパラジウムの水素化物微粒子を用いることもできる。これら金属の水素化物微粒子は、金属の原子と水素原子が結合した状態で存在するため、空気雰囲気において、金属自体の微粒子に比べて酸化されにくく安定であり、保存性に優れている。水素化物微粒子としては、電気抵抗値の低い導電性材料が得られることから、銅またはニッケルの水素化物微粒子が特に好ましい。   As the metal fine particles, copper fine particles produced by a wet reduction method including the steps (a) to (d) described above can be used. Also, hydride fine particles of copper, nickel, ruthenium or palladium having an average agglomerated particle size of 100 nm or less produced by the method described below can be used. Since these metal hydride fine particles exist in a state in which metal atoms and hydrogen atoms are bonded together, they are less susceptible to oxidation in the air atmosphere than the metal fine particles themselves, are stable, and have excellent storage stability. As the hydride fine particles, hydride fine particles of copper or nickel are particularly preferable because a conductive material having a low electric resistance value can be obtained.

銅の水素化物微粒子は、例えば、以下の工程(A)〜(C)を備えた湿式還元法により得ることができる。
(A)銅の水溶性化合物に水を添加して、銅イオンを含有する水溶液を得る工程。
(B)銅イオンを含有する水溶液に酸を加え、pH3以下に調整する工程。
(C)pH3以下に調整された水溶液に、保護剤、および非水溶性の有機液体を添加する工程。
(D)撹拌しながら還元剤を加えて水溶液中の銅イオンを還元して、銅の水素化物微粒子を生成させる工程。
Copper hydride fine particles can be obtained, for example, by a wet reduction method including the following steps (A) to (C).
(A) The process of adding water to the water-soluble compound of copper, and obtaining the aqueous solution containing a copper ion.
(B) A step of adjusting the pH to 3 or less by adding an acid to an aqueous solution containing copper ions.
(C) A step of adding a protective agent and a water-insoluble organic liquid to an aqueous solution adjusted to pH 3 or lower.
(D) A step of adding a reducing agent while stirring to reduce copper ions in the aqueous solution to produce copper hydride fine particles.

工程(A)
水溶性銅化合物としては、硫酸銅、硝酸銅、酢酸銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等が挙げられる。水溶性銅化合物の濃度は、水溶液100質量%中0.1〜30質量%が好ましい。水溶液中の水溶性銅化合物の濃度が0.1質量%未満の場合には、大量の水が必要であり、また得られる水素化物微粒子の生産効率が低下する。濃度が30質量%超であると、得られる水素化物微粒子の凝集安定性が低下するため好ましくない。
Process (A)
Examples of the water-soluble copper compound include copper sulfate, copper nitrate, copper acetate, copper chloride, copper bromide, copper iodide and the like. The concentration of the water-soluble copper compound is preferably 0.1 to 30% by mass in 100% by mass of the aqueous solution. When the concentration of the water-soluble copper compound in the aqueous solution is less than 0.1% by mass, a large amount of water is required, and the production efficiency of the resulting hydride fine particles is reduced. If the concentration is more than 30% by mass, the aggregation stability of the hydride fine particles obtained is lowered, which is not preferable.

工程(B)
pH調整するための酸としては、クエン酸、マレイン酸、マロン酸、酢酸、プロピオン酸、硫酸、硝酸、塩酸等が好ましい。また、銅イオンと安定な錯体を形成して銅イオンへの水和水の吸着を防止することから、クエン酸、マレイン酸、マロン酸が特に好ましい。水溶液のpHを3以下とすることにより、水溶液中の銅イオンが、後工程で添加される還元剤の作用により、銅水素化物微粒子として得られやすくなる。pHが3を超えると、銅水素化物微粒子が得られないため好ましくない。水素化物微粒子を短時間で生成できることから、pHは1〜2が特に好ましい。
Process (B)
As the acid for adjusting the pH, citric acid, maleic acid, malonic acid, acetic acid, propionic acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid and the like are preferable. In addition, citric acid, maleic acid, and malonic acid are particularly preferable because they form a stable complex with copper ions to prevent adsorption of hydrated water onto the copper ions. By setting the pH of the aqueous solution to 3 or less, copper ions in the aqueous solution are easily obtained as copper hydride fine particles due to the action of a reducing agent added in a subsequent step. A pH exceeding 3 is not preferable because copper hydride fine particles cannot be obtained. Since the hydride fine particles can be generated in a short time, the pH is particularly preferably 1 to 2.

工程(C)
還元剤としては、大きな還元作用があることから金属水素化物またはヒドリド還元剤が好ましい。還元剤として使用可能な金属水素化物としては、例えば、水素化リチウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等が挙げられる。ヒドリド還元剤としては、例えば、水素化リチウムアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウムが挙げられる。これらのうち、水素化リチウムアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウムが特に好ましい。
Process (C)
As the reducing agent, a metal hydride or hydride reducing agent is preferable because of its large reducing action. Examples of the metal hydride that can be used as the reducing agent include lithium hydride, potassium hydride, calcium hydride and the like. Examples of the hydride reducing agent include lithium aluminum hydride, lithium borohydride, and sodium borohydride. Of these, lithium aluminum hydride, lithium borohydride, and sodium borohydride are particularly preferable.

このような還元剤は、銅イオンに対して1.5〜10倍の当量数を、添加することが好ましい。還元剤の添加量が銅イオンに対して1.5倍当量未満であると、還元作用が不十分となり好ましくなく、10倍当量を超えると、得られる銅水素化物微粒子の凝集安定性が低下するため好ましくない。   Such a reducing agent is preferably added in an equivalent number of 1.5 to 10 times that of copper ions. When the addition amount of the reducing agent is less than 1.5 times equivalent to the copper ion, the reducing action is not sufficient, and when the amount exceeds 10 times equivalent, the aggregation stability of the obtained copper hydride fine particles decreases. Therefore, it is not preferable.

また、還元剤を加える前に、銅イオンを含有する水溶液に以下に示す保護剤を加えることが好ましい。添加された保護剤は、還元により得られた銅水素化物微粒子の表面を配位するように被覆するため、分散液(インク)中の銅水素化物微粒子が酸化されにくくなる。また、銅水素化物微粒子同士の凝集を防止する効果がある。   Moreover, before adding a reducing agent, it is preferable to add the protective agent shown below to the aqueous solution containing a copper ion. Since the added protective agent coats the surface of the copper hydride fine particles obtained by reduction so as to coordinate, the copper hydride fine particles in the dispersion (ink) are hardly oxidized. Moreover, there exists an effect which prevents aggregation of copper hydride microparticles | fine-particles.

保護剤としては、アミノ基、アミド基、スルファニル基(−SH)、スルフィド型のスルファンジイル基(−S−)、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基およびエーテル型のオキシ基から選ばれる1以上の基を有する炭素数4〜100の有機化合物を使用することができる。炭素数が4未満であると、得られる銅水素化物微粒子の分散液中での凝集安定性が十分でなくなるおそれがある。また、炭素数が100超であると、焼成により貫通電極を得る際に、インク堆積物中に炭素が残存して体積抵抗率が増加しやすくなる。熱的な安定性が良好で蒸気圧も適度であり、かつハンドリング性も良いことから、炭素数4〜20であるものが好ましく、炭素数8〜18であるものが特に好ましい。   The protective agent is at least one selected from an amino group, an amide group, a sulfanyl group (—SH), a sulfide type sulfanediyl group (—S—), a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, and an ether type oxy group. An organic compound having 4 to 100 carbon atoms and having the following group can be used. If the carbon number is less than 4, the aggregation stability of the obtained copper hydride fine particles in the dispersion may be insufficient. Further, when the carbon number is more than 100, when the through electrode is obtained by firing, carbon remains in the ink deposit and the volume resistivity tends to increase. Since thermal stability is good, vapor pressure is moderate, and handling properties are good, those having 4 to 20 carbon atoms are preferred, and those having 8 to 18 carbon atoms are particularly preferred.

また、保護剤である炭素数4〜100の有機化合物は、飽和、不飽和のいずれでもよく、鎖状のものが好ましく、直鎖状のものが特に好ましい。さらに、保護剤は、分子内においてアミノ基、アミド基、スルファニル基(−SH)、スルフィド型のスルファンジイル基(−S−)、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基およびエーテル型のオキシ基から選ばれる1以上の基を有するが、これらの基が分子内に多ければ多いほど、銅水素化物微粒子により強く配位して被覆することができるので好ましい。また、これらの基は、分子内のいずれの位置でもかまわないが、末端にあるものが特に好ましい。   In addition, the organic compound having 4 to 100 carbon atoms, which is a protective agent, may be either saturated or unsaturated, and is preferably a chain and particularly preferably a straight chain. Further, the protecting agent is composed of an amino group, an amide group, a sulfanyl group (—SH), a sulfide type sulfanediyl group (—S—), a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, and an ether type oxy group in the molecule. Although it has one or more selected groups, the more these groups are in the molecule, the more preferable it is because it can be more strongly coordinated and coated with the copper hydride fine particles. These groups may be located at any position in the molecule, but those at the terminal are particularly preferred.

さらに、これらの保護剤は、通常の保管環境の温度範囲で銅水素化物微粒子から脱離せず、また焼成を行う際には、速やかに金属微粒子表面から脱離することが必要であることから、沸点が60〜300℃のものが好ましく、100〜250℃のものが特に好ましい。   Furthermore, these protective agents do not desorb from the copper hydride fine particles in the normal storage environment temperature range, and when firing, it is necessary to quickly desorb from the surface of the metal fine particles, Those having a boiling point of 60 to 300 ° C are preferred, and those having a boiling point of 100 to 250 ° C are particularly preferred.

保護剤のうちで、アミノ基またはアミド基を含む有機化合物としては、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン、ベンジルアミン、ステアリルアミド、オレイルアミド等が挙げられる。スルファニル基、スルフィド型のスルファンジイル基を含む有機化合物としては、デカンチオール、ドデカンチオール、トリメチルベンジルメルカプタン、ブチルベンジルメルカプタン、ヘキシルサルファイド等が挙げられる。ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エーテル型のオキシ基を含む有機化合物としては、ドデカンジオール、ヘキサデカンジオール、ドデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ドデカンジオン、ジベンゾイルメタン、エチレングリコールモノデシルエーテル、ジエチレングリコールモノデシルエーテル、トリエチレングリコールモノデシルエーテル、テトラエチレングリコールモノデシルエーテル、エチレングリコールモノドデシルエーテル、ジエチレングリコールモノドデシルエーテル、トリエチレングリコールモノドデシルエーテル、テトラエチレングリコールモノドデシルエーテル、エチレングリコールモノセチルエーテル、ジエチレングリコールモノセチルエーテル等が挙げられる。これらの中でも、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン又はベンジルアミン等のアミノ基を有する化合物が、銅イオンを水層から油層へ効率よく回収できることから特に好ましく、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミンまたはヘキサデシルアミンが最も好ましい。   Among the protective agents, organic compounds containing an amino group or an amide group include octylamine, decylamine, dodecylamine, tetradecylamine, hexadecylamine, stearylamine, oleylamine, benzylamine, stearylamide, oleylamide, and the like. It is done. Examples of the organic compound containing a sulfanyl group or a sulfide-type sulfanediyl group include decanethiol, dodecanethiol, trimethylbenzyl mercaptan, butylbenzyl mercaptan, and hexyl sulfide. Organic compounds containing hydroxyl group, carboxyl group, carbonyl group, ether type oxy group include dodecanediol, hexadecanediol, dodecanoic acid, stearic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, dodecanedione, dibenzoylmethane, ethylene Glycol monodecyl ether, diethylene glycol monodecyl ether, triethylene glycol monodecyl ether, tetraethylene glycol monodecyl ether, ethylene glycol monododecyl ether, diethylene glycol monododecyl ether, triethylene glycol monododecyl ether, tetraethylene glycol monododecyl ether, ethylene Examples include glycol monocetyl ether and diethylene glycol monocetyl ether. Among these, compounds having an amino group such as octylamine, decylamine, dodecylamine, tetradecylamine, hexadecylamine, stearylamine, oleylamine or benzylamine can particularly efficiently recover copper ions from the water layer to the oil layer. Preferably, decylamine, dodecylamine, tetradecylamine or hexadecylamine is most preferred.

このような保護剤の添加量は、使用される金属インクの用途により適宜選択されるが、銅水素化物微粒子100質量部に対して5〜300質量部添加することが好ましい。   Although the addition amount of such a protective agent is suitably selected according to the use of the metal ink to be used, it is preferable to add 5 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the copper hydride fine particles.

金属インクには、このような金属微粒子とともに、分散液中での媒体として非水溶性の有機溶剤が含有される。非水溶性の有機溶剤としては、金属インクにおいて公知の溶媒が挙げられるが、貫通電極の形成工程で、金属インクの塗布後加熱することにより比較的速やかに蒸発して熱分解を起こさないような、熱的安定性を有するものが好ましい。特に、金属微粒子として前記方法で製造される銅水素化物微粒子を使用する場合には、銅水素化物微粒子の表面を被覆する前記保護剤と親和性のよい、極性の小さいものが好ましい。このような有機溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、デセン、ドデセン、テトラデセン、シクロヘキサン、シクロオクタン、ジペンテン、テルペン、テルピネオール、キシレン、トルエン、エチルベンゼンおよびメシチレンから選ばれる1以上のものを使用できる。   The metal ink contains a water-insoluble organic solvent as a medium in the dispersion together with such metal fine particles. As the water-insoluble organic solvent, known solvents for metal inks can be mentioned. In the step of forming the through electrode, heating is performed after application of the metal ink so that it does not evaporate relatively quickly and causes thermal decomposition. Those having thermal stability are preferred. In particular, when the copper hydride fine particles produced by the above method are used as the metal fine particles, those having low affinity and good affinity with the protective agent for coating the surface of the copper hydride fine particles are preferable. Examples of such an organic solvent include 1 selected from hexane, heptane, octane, decane, dodecane, tetradecane, decene, dodecene, tetradecene, cyclohexane, cyclooctane, dipentene, terpene, terpineol, xylene, toluene, ethylbenzene, and mesitylene. The above can be used.

有機溶剤の添加量は、使用されるインクの用途により適宜選択されるが、金属微粒子100質量部に対して20〜270質量部添加することが好ましい。また、金属インクにおける前記金属微粒子の濃度は、インクの全量に対して5〜60質量%が好ましく、10〜50質量%が特に好ましい。金属微粒子の濃度が5質量%未満であると、焼成後のインク堆積物の厚さが十分に得られにくく、また得られた貫通電極の導電性が低下することがあるので好ましくない。また、金属微粒子の濃度が60質量%超であると、インクの粘度、表面張力等のインク特性が悪化し、インクとして使用することが困難になる場合がある。   The addition amount of the organic solvent is appropriately selected depending on the use of the ink to be used, but it is preferable to add 20 to 270 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal fine particles. The concentration of the metal fine particles in the metal ink is preferably 5 to 60% by mass, particularly preferably 10 to 50% by mass, based on the total amount of the ink. When the concentration of the metal fine particles is less than 5% by mass, it is not preferable because the thickness of the ink deposit after firing is not sufficiently obtained and the conductivity of the obtained through electrode may be lowered. In addition, if the concentration of the metal fine particles is more than 60% by mass, ink characteristics such as ink viscosity and surface tension may be deteriorated and it may be difficult to use as ink.

金属インクには、その用途に応じて適宜、添加剤、樹脂バインダ等を添加することができる。   Additives, resin binders, and the like can be appropriately added to the metal ink depending on the application.

<貫通電極の形成>
金属ペーストを使用して貫通電極を形成するには、前記金属ペーストをガラス基板の上に塗布して貫通孔内に充填した後、充填された金属ペースト層を加熱して、金属ペースト層に含まれる溶剤を揮発させ、樹脂バインダとして熱硬化性樹脂を用いる場合は、さらに当該樹脂を硬化させる方法が採られる。塗布方法としては、スクリーン印刷、ロールコート法、エアナイフコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、ダイコート法、スライドコート法等の公知の方法が挙げられる。なお、「金属ペーストをガラス基板の上に塗布して貫通孔内に充填する」とは、(i)金属ペーストをガラス基板の全面に塗布して貫通孔内に充填する(ガラス基板表面に塗布された金属ペーストは後に除去する)、(ii)マスクを介して金属ペーストをガラス基板に塗布する、(iii)ディスペンサ等を用いて貫通孔のみに金属ペーストを供給する、等のいずれであってもよく、またこれらに限られない。
<Formation of through electrode>
In order to form a through electrode using a metal paste, the metal paste is applied on a glass substrate and filled in the through hole, and then the filled metal paste layer is heated to be included in the metal paste layer. In the case of using a thermosetting resin as a resin binder, a method of further curing the resin is employed. Examples of the coating method include known methods such as screen printing, roll coating, air knife coating, blade coating, bar coating, gravure coating, die coating, and slide coating. “I apply metal paste on the glass substrate and fill it in the through hole” means (i) apply metal paste on the entire surface of the glass substrate and fill it in the through hole (apply to the surface of the glass substrate). The metal paste is removed later), (ii) applying the metal paste to the glass substrate through a mask, (iii) supplying the metal paste only to the through-hole using a dispenser, etc. However, it is not limited to these.

加熱方法としては、温風加熱、熱輻射加熱等の方法が挙げられる。加熱温度および加熱時間は、貫通電極に求められる特性に応じて適宜決定すればよい。加熱温度は、100〜300℃が好ましい。加熱温度がこの範囲であれば、金属粒子の酸化を抑制しつつも金属粒子の焼結が進行しやすい。また、樹脂バインダを高温変質させることなく硬化を十分に進行させたり、溶剤を揮発させたりすることができるので、導電性が高く、かつ貫通孔の内壁面との接着性が良好で熱応力の緩和性が高い貫通電極を形成することができる。   Examples of the heating method include hot air heating and heat radiation heating. What is necessary is just to determine a heating temperature and a heating time suitably according to the characteristic calculated | required by the penetration electrode. The heating temperature is preferably 100 to 300 ° C. If the heating temperature is within this range, the sintering of the metal particles tends to proceed while suppressing the oxidation of the metal particles. In addition, curing can proceed sufficiently and the solvent can be volatilized without changing the temperature of the resin binder at a high temperature, so that the electrical conductivity is high and the adhesiveness with the inner wall surface of the through hole is good and the thermal stress is low. A through electrode having a high relaxation property can be formed.

金属インクにより貫通電極を形成するには、前記金属インクをガラス基板の上に塗布し加熱・乾燥させて、貫通孔内に充填されたインク堆積層を形成した後、インク堆積層を加熱して焼成する方法が採られる。塗布方法としては、インクジェット印刷、スクリーン印刷、ロールコート法、エアナイフコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、ダイコート法、スライドコート法、ディスペンサ(液体定量吐出装置)を使用して定量供給する方法等の公知の方法が挙げられる。なお、「金属インクをガラス基板の上に塗布する」とは、(i)金属インクをガラス基板の全面に塗布して貫通孔内に充填する(ガラス基板表面に塗布された金属インクは後に除去する)、(ii)マスクを介して金属インクをガラス基板に塗布する、(iii)ディスペンサ等を用いて貫通孔のみに金属インクを供給する、等のいずれであってもよく、またこれらに限られない。   In order to form a through electrode with a metal ink, the metal ink is applied on a glass substrate, heated and dried, an ink deposited layer filled in the through hole is formed, and then the ink deposited layer is heated. A method of firing is adopted. As the application method, ink-jet printing, screen printing, roll coating method, air knife coating method, blade coating method, bar coating method, gravure coating method, die coating method, slide coating method, and quantitative using dispenser (liquid dispensing device) Well-known methods, such as a supply method, are mentioned. “Applying metal ink on glass substrate” means (i) applying metal ink to the entire surface of the glass substrate and filling the through holes (the metal ink applied to the surface of the glass substrate is removed later) Or (ii) apply metal ink to the glass substrate through a mask, or (iii) supply metal ink only to the through-hole using a dispenser or the like. I can't.

なお、金属インクの堆積層をガラス基板の貫通孔内に充填させるには、以下の方法を採ることもできる。すなわち、ガラス基板の下面側から貫通孔を介してガラス基板上に形成された金属インクの塗布層を吸引し、この吸引力によって金属インクの塗布層を貫通孔内に引き込む。次いで、こうして貫通孔内に引き込まれた金属インク層を乾燥し、乾燥物を貫通孔の内壁面に付着・堆積させる。そして、このインク塗布および吸引と乾燥の作業を繰り返して、貫通孔内に金属インクの堆積層を充填させる。   In order to fill the through hole of the glass substrate with the deposited layer of the metal ink, the following method can be employed. That is, the metal ink coating layer formed on the glass substrate is sucked from the lower surface side of the glass substrate through the through hole, and the metal ink coating layer is drawn into the through hole by this suction force. Next, the metal ink layer thus drawn into the through hole is dried, and the dried material is adhered and deposited on the inner wall surface of the through hole. Then, the ink application, suction, and drying operations are repeated to fill the through hole with a deposited layer of metal ink.

こうして貫通孔内に充填・形成された金属インクの堆積層を加熱する方法としては、温風加熱、熱輻射加熱等の方法が挙げられる。加熱温度および加熱時間は、貫通電極に求められる特性に応じて適宜決定すればよい。加熱により、金属インク堆積層中の金属微粒子が融着してバルク体を形成し、十分な導電性を有する貫通電極が得られる。   Examples of a method for heating the deposited layer of the metal ink filled and formed in the through hole in this way include methods such as hot air heating and heat radiation heating. What is necessary is just to determine a heating temperature and a heating time suitably according to the characteristic calculated | required by the penetration electrode. By heating, metal fine particles in the metal ink deposition layer are fused to form a bulk body, and a through electrode having sufficient conductivity can be obtained.

次に、本発明の具体的な実施例を記載する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。以下の例において、「%」は、特に断らない限り質量%を意味する。   Next, specific examples of the present invention will be described. The present invention is not limited to these examples. In the following examples, “%” means mass% unless otherwise specified.

実施例1
まず、貫通孔を有するガラス基板を作製した。厚さが0.3mm、熱膨張係数が38×10−7/K、SiOを60質量%、FeをFeの酸化物換算で0.05質量%含み、NaとKとの合計含有量が酸化物換算で0.1質量%未満である板状ガラス(AN100、旭硝子社製)をステージ上に設置し、エキシマレーザ光の光路上へ配置した。縦30mm、横30mm、厚さ0.5mmのステンレス板の中央付近に、直径40μmの孔を、隣接する孔の中心点間の距離を0.6mmとして縦横16×40箇所開けたマスクを用意した。投影レンズを用い、1/10に縮小されたマスクパターンが板状ガラスに投影されるように、投影レンズ、マスク、板状ガラスを配置した。板状ガラスの加工面へエキシマレーザ光を照射した。照射フルエンスを5J/cmとなるように調整し、3900ショット照射することにより貫通孔を形成した。
Example 1
First, a glass substrate having a through hole was produced. Thickness is 0.3 mm, thermal expansion coefficient is 38 × 10 −7 / K, SiO 2 is 60% by mass, Fe is 0.05% by mass in terms of oxide of Fe 2 O 3 , and the total of Na and K A plate glass (AN100, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a content of less than 0.1% by mass in terms of oxide was placed on the stage and placed on the optical path of excimer laser light. In the vicinity of the center of a stainless plate having a length of 30 mm, a width of 30 mm, and a thickness of 0.5 mm, a mask having a diameter of 40 μm and a distance between the center points of adjacent holes of 0.6 mm and 16 × 40 length and width was prepared. . Using a projection lens, the projection lens, mask, and plate glass were arranged so that the mask pattern reduced to 1/10 was projected onto the plate glass. Excimer laser light was irradiated to the processed surface of the plate glass. The through-hole was formed by adjusting the irradiation fluence to 5 J / cm 2 and irradiating 3900 shots.

また、ポリエチレン容器内で、フェノール樹脂のジエチレングリコールモノエチルエーテル溶液(群栄化学社製、商品名PL−5208)15gとジエチレングリコールモノエチルエーテル3gとを均一に混合した後、この混合液に平均一次粒径7μmの銅粒子(日本アトマイズ加工社製、商品名AFS−Cu)82gを加えた。次いで、混合物を撹拌機(シンキー社製、ARE−310)を用いて2000rpmで5分間混練し、銅ペーストを得た。   In a polyethylene container, 15 g of a phenolic resin diethylene glycol monoethyl ether solution (product name: PL-5208, manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.) and 3 g of diethylene glycol monoethyl ether were uniformly mixed, and then the average primary particle was added to the mixture. 82 g of copper particles having a diameter of 7 μm (trade name AFS-Cu, manufactured by Nippon Atomizing Co., Ltd.) were added. Next, the mixture was kneaded at 2000 rpm for 5 minutes using a stirrer (ARE-310, manufactured by Shinky Corporation) to obtain a copper paste.

次に、こうして得られた銅ペーストを、前記方法で得られた貫通孔(直径40μm)を有するガラス基板の一方の面(レーザ光の照射側の面)にメタルマスクを通してスクリーン印刷して、貫通孔内に充填した。その後、貫通孔内に銅ペーストが充填されたガラス基板を、予め150℃に加熱された乾燥炉に入れ、空気中150℃で30分間加熱することによって、銅ペーストに含有されたフェノール樹脂を硬化させた。   Next, the copper paste obtained in this way is screen-printed through a metal mask on one surface (surface on the laser light irradiation side) of the glass substrate having the through hole (diameter 40 μm) obtained by the above method, and penetrated. The holes were filled. After that, the phenolic resin contained in the copper paste is cured by placing the glass substrate filled with the copper paste in the through hole in a drying furnace preheated to 150 ° C. and heating in air at 150 ° C. for 30 minutes. I let you.

こうして得られたガラス基板を主面に垂直に切断し、断面をSEMによって観察したところ、ガラス基板の貫通孔内には、銅ペーストの加熱により熱硬化性樹脂であるフェノール樹脂が硬化して形成された導電性硬化物が隙間なく充填されていることが確認された。また、こうしてガラス基板の貫通孔内に充填された導電性硬化物の導電性を常法により調べたところ、十分な導電性を有することが確かめられた。また、ガラス基板にクラックの発生や、割れ、欠けは観察されなかった。   The glass substrate thus obtained was cut perpendicularly to the main surface, and the cross section was observed by SEM. The phenolic resin, which is a thermosetting resin, was cured by heating the copper paste in the through hole of the glass substrate. It was confirmed that the conductive cured product was filled without any gaps. Further, when the conductivity of the conductive cured material filled in the through holes of the glass substrate was examined by a conventional method, it was confirmed that the conductive cured product had sufficient conductivity. Moreover, generation | occurrence | production of a crack, a crack, and a chipping were not observed in the glass substrate.

実施例2
ガラス容器内において、塩化銅(II)二水和物5gを蒸留水150gに溶解して銅イオンを含む水溶液を得た。得られた水溶液のpHは3.4であった。この水溶液に40%クエン酸水溶液90gを加え、しばらく撹拌した。次いで、この水溶液に、ドデシルアミン5gとキシレン10gを混合した溶液を加えて激しく撹拌しながら、3%水素化ホウ素ナトリウム水溶液150gをゆっくり滴下した。滴下終了後、1時間静置して水層と油層に分離させた後、油層のみを回収し濃縮して、微粒子の分散した黒色のインクを得た。このインク中の微粒子を回収してX線回折で同定を行ったところ、水素化銅であることが確認された。
Example 2
In a glass container, 5 g of copper (II) chloride dihydrate was dissolved in 150 g of distilled water to obtain an aqueous solution containing copper ions. The pH of the obtained aqueous solution was 3.4. To this aqueous solution, 90 g of 40% aqueous citric acid solution was added and stirred for a while. Next, 150 g of a 3% sodium borohydride aqueous solution was slowly added dropwise to the aqueous solution while adding a solution obtained by mixing 5 g of dodecylamine and 10 g of xylene and stirring vigorously. After completion of dropping, the mixture was allowed to stand for 1 hour to separate into an aqueous layer and an oil layer, and then only the oil layer was collected and concentrated to obtain black ink in which fine particles were dispersed. When the fine particles in the ink were collected and identified by X-ray diffraction, it was confirmed to be copper hydride.

次いで、こうして得られた銅微粒子含有インクを使用し、以下に示すようにして、ガラス基板の貫通孔内に導電性の焼成物を形成した。まず、下部から吸引可能に構成されたステージ(吉岡精工社製、ポーラスチャック)上に、実施例1と同様にして得られた貫通孔(直径40μm)を有するガラス基板を設置した後、ガラス基板の上面に上方から銅微粒子含有インクをディスペンス法によって塗布し、下部からの吸引力によって、ガラス基板上に塗布された前記インクを貫通孔内に引込んだ。   Next, using the copper fine particle-containing ink thus obtained, a conductive fired product was formed in the through hole of the glass substrate as shown below. First, a glass substrate having a through hole (diameter 40 μm) obtained in the same manner as in Example 1 is placed on a stage (a porous chuck manufactured by Yoshioka Seiko Co., Ltd.) configured to be suckable from the lower portion, and then the glass substrate. An ink containing copper fine particles was applied to the upper surface of the glass substrate from above by a dispensing method, and the ink applied on the glass substrate was drawn into the through-hole by a suction force from below.

その後、ガラス基板を窒素雰囲気の乾燥炉に入れ、50℃で30分間保持し、貫通孔内に引込まれた銅微粒子含有インク層を乾燥させた。乾燥により、銅微粒子を含有するインク堆積層が貫通孔の内壁面に付着するように形成された。次いで、このインクの塗布および吸引引き込みと乾燥の作業を繰り返し、貫通孔内を隙間なく埋めるように銅微粒子含有堆積層を形成した。   Thereafter, the glass substrate was placed in a drying furnace in a nitrogen atmosphere and held at 50 ° C. for 30 minutes to dry the copper fine particle-containing ink layer drawn into the through hole. By drying, an ink deposition layer containing copper fine particles was formed to adhere to the inner wall surface of the through hole. Subsequently, this ink application, suction drawing, and drying operations were repeated to form a copper fine particle-containing deposited layer so as to fill the through hole without any gaps.

その後、このように銅微粒子含有堆積層が貫通孔内に充填されたガラス基板を、窒素雰囲気の焼成炉に入れ、150℃で60分間加熱し、銅微粒子含有堆積層を焼成した。   Thereafter, the glass substrate filled with the copper fine particle-containing deposited layer in this way was placed in a firing furnace in a nitrogen atmosphere and heated at 150 ° C. for 60 minutes to fire the copper fine particle-containing deposited layer.

こうして得られたガラス基板を主面に垂直に切断し、断面を走査型電子顕微鏡(SEM)によって観察したところ、ガラス基板の貫通孔内には、銅微粒子含有インクの焼成物が隙間なく充填されていることが確認された。また、こうしてガラス基板の貫通孔内に充填されたインクの焼成物の導電性を常法により調べたところ、十分な導電性を有することが確かめられた。また、ガラス基板にクラックの発生や、割れ、欠けは観察されなかった。   When the glass substrate thus obtained was cut perpendicularly to the main surface and the cross section was observed with a scanning electron microscope (SEM), the sintered product of the copper fine particle-containing ink was filled in the through holes of the glass substrate without any gaps. It was confirmed that Further, when the conductivity of the fired product of the ink filled in the through hole of the glass substrate was examined by a conventional method, it was confirmed that the ink had sufficient conductivity. Moreover, generation | occurrence | production of a crack, a crack, and a chipping were not observed in the glass substrate.

本発明によれば、材料コストが安く高周波特性が良好なガラスを基材とする貫通電極基板を、簡便な工程で得ることができ、製造時間を短縮しコストを削減することができる。また、ガラスを基材とするので大面積化が可能である。本発明で得られた貫通電極基板は、ICチップとプリント配線板のような配線板とを接続するためのインターポーザとして好適に使用できる。   According to the present invention, it is possible to obtain a through electrode substrate based on glass with low material cost and good high-frequency characteristics by a simple process, thereby shortening the manufacturing time and reducing the cost. Moreover, since glass is used as the base material, the area can be increased. The through electrode substrate obtained by the present invention can be suitably used as an interposer for connecting an IC chip and a wiring board such as a printed wiring board.

1…貫通電極基板、2…貫通孔、3…ガラス基板、4…貫通電極。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Through-electrode board | substrate, 2 ... Through-hole, 3 ... Glass substrate, 4 ... Through-electrode.

Claims (5)

厚さ方向に形成された複数の貫通孔を有するガラス基板の前記貫通孔内に、導電性材料からなる貫通電極を有する貫通電極基板の製造方法であって、
金属粒子を含む流動性の導電性組成物を前記ガラス基板上に塗布して、該導電性組成物を前記貫通孔内に充填する工程と、
前記貫通孔内に充填された前記導電性組成物を加熱して、該貫通孔内に前記貫通電極を形成する工程
を備えることを特徴とする貫通電極基板の製造方法。
In the through hole of the glass substrate having a plurality of through holes formed in the thickness direction, a method for producing a through electrode substrate having a through electrode made of a conductive material,
Applying a flowable conductive composition containing metal particles on the glass substrate, and filling the through hole with the conductive composition;
A method of manufacturing a through electrode substrate, comprising: heating the conductive composition filled in the through hole to form the through electrode in the through hole.
前記貫通孔の直径は10〜200μmである請求項1記載の貫通電極基板の製造方法。   The method of manufacturing a through electrode substrate according to claim 1, wherein the through hole has a diameter of 10 to 200 μm. 前記流動性の導電性組成物は、少なくとも前記金属粒子と溶剤を含有する請求項1または2に記載の貫通電極基板の製造方法。   The method for producing a through electrode substrate according to claim 1, wherein the fluid conductive composition contains at least the metal particles and a solvent. 前記流動性の導電性組成物は、少なくとも前記金属粒子と樹脂バインダと溶剤を含有する金属ペーストである請求項3に記載の貫通電極基板の製造方法。   The method for manufacturing a through electrode substrate according to claim 3, wherein the fluid conductive composition is a metal paste containing at least the metal particles, a resin binder, and a solvent. 前記金属粒子は、少なくとも銅を主成分とする粒子を含有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の貫通電極基板の製造方法。   The said metal particle is a manufacturing method of the penetration electrode substrate of any one of Claims 1-4 containing the particle | grains which have copper as a main component at least.
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015046446A (en) * 2013-08-27 2015-03-12 エスアイアイ・プリンテック株式会社 Recorded matter and method for manufacturing the same
JP2016009783A (en) * 2014-06-25 2016-01-18 アルバック成膜株式会社 Method of manufacturing through electrode substrate
JPWO2016132830A1 (en) * 2015-02-19 2017-12-07 住友精密工業株式会社 Filling method and filling device
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
US10593606B2 (en) 2015-05-25 2020-03-17 Sony Corporation Wiring board, and manufacturing method
WO2020217361A1 (en) * 2019-04-24 2020-10-29 日立化成株式会社 Method for producing substrate having through-silicon vias, substrate having through-silicon vias, and copper paste for through-silicon via formation
JP2021097064A (en) * 2019-12-13 2021-06-24 昭和電工マテリアルズ株式会社 Metal paste, conductor, and substrate having through electrode and method for producing the same
US11097509B2 (en) 2016-08-30 2021-08-24 Corning Incorporated Siloxane plasma polymers for sheet bonding
KR20210115034A (en) * 2019-02-01 2021-09-24 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 Method for manufacturing a glass-plastic joint
US11167532B2 (en) 2015-05-19 2021-11-09 Corning Incorporated Articles and methods for bonding sheets with carriers
US11192340B2 (en) 2014-04-09 2021-12-07 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US11331692B2 (en) 2017-12-15 2022-05-17 Corning Incorporated Methods for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
US11535553B2 (en) 2016-08-31 2022-12-27 Corning Incorporated Articles of controllably bonded sheets and methods for making same
US11905201B2 (en) 2015-06-26 2024-02-20 Corning Incorporated Methods and articles including a sheet and a carrier
JP7471309B2 (en) 2019-02-01 2024-04-19 エルペーカーエフ レーザー ウント エレクトロニクス アーゲー Method for forming a glass-to-plastic connection

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015046446A (en) * 2013-08-27 2015-03-12 エスアイアイ・プリンテック株式会社 Recorded matter and method for manufacturing the same
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
US11192340B2 (en) 2014-04-09 2021-12-07 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
JP2016009783A (en) * 2014-06-25 2016-01-18 アルバック成膜株式会社 Method of manufacturing through electrode substrate
JPWO2016132830A1 (en) * 2015-02-19 2017-12-07 住友精密工業株式会社 Filling method and filling device
US11167532B2 (en) 2015-05-19 2021-11-09 Corning Incorporated Articles and methods for bonding sheets with carriers
US11660841B2 (en) 2015-05-19 2023-05-30 Corning Incorporated Articles and methods for bonding sheets with carriers
US10593606B2 (en) 2015-05-25 2020-03-17 Sony Corporation Wiring board, and manufacturing method
US11905201B2 (en) 2015-06-26 2024-02-20 Corning Incorporated Methods and articles including a sheet and a carrier
US11097509B2 (en) 2016-08-30 2021-08-24 Corning Incorporated Siloxane plasma polymers for sheet bonding
US11535553B2 (en) 2016-08-31 2022-12-27 Corning Incorporated Articles of controllably bonded sheets and methods for making same
US11331692B2 (en) 2017-12-15 2022-05-17 Corning Incorporated Methods for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
KR20210115034A (en) * 2019-02-01 2021-09-24 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 Method for manufacturing a glass-plastic joint
JP7471309B2 (en) 2019-02-01 2024-04-19 エルペーカーエフ レーザー ウント エレクトロニクス アーゲー Method for forming a glass-to-plastic connection
JP2022523340A (en) * 2019-02-01 2022-04-22 エルペーカーエフ レーザー ウント エレクトロニクス アーゲー How to make a glass-plastic connection
KR102608049B1 (en) 2019-02-01 2023-11-30 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 에스이 Method for manufacturing glass-plastic joints
WO2020217361A1 (en) * 2019-04-24 2020-10-29 日立化成株式会社 Method for producing substrate having through-silicon vias, substrate having through-silicon vias, and copper paste for through-silicon via formation
JP7226531B2 (en) 2019-04-24 2023-02-21 株式会社レゾナック Manufacturing method of substrate having through silicon via, substrate having through silicon via and copper paste for forming through silicon via
JPWO2020217361A1 (en) * 2019-04-24 2020-10-29
JP2021097064A (en) * 2019-12-13 2021-06-24 昭和電工マテリアルズ株式会社 Metal paste, conductor, and substrate having through electrode and method for producing the same

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