JP2012099655A - Laser unit and electronic apparatus - Google Patents
Laser unit and electronic apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012099655A JP2012099655A JP2010246462A JP2010246462A JP2012099655A JP 2012099655 A JP2012099655 A JP 2012099655A JP 2010246462 A JP2010246462 A JP 2010246462A JP 2010246462 A JP2010246462 A JP 2010246462A JP 2012099655 A JP2012099655 A JP 2012099655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- frame
- resin
- holder
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体レーザチップが搭載されたフレームレーザを備えるレーザユニットに関し、また、そのようなレーザユニットを備える電子機器に関する。 The present invention relates to a laser unit including a frame laser on which a semiconductor laser chip is mounted, and to an electronic apparatus including such a laser unit.
一般に、光ディスクに対して情報の記録や再生を行う光ディスク装置は、光ディスクにレーザを照射する半導体レーザチップを備える。近年、光ディスクに情報を記録する際の記録速度を高速化するため、半導体レーザチップは高出力化されて発生する熱量が増加している。発熱によって高温になった半導体レーザチップを使用し続けると、半導体レーザチップの発光効率や寿命が劣化して、信頼性が低下する可能性がある。そのため、光ディスク装置では、半導体レーザチップからの放熱性を高くすることが求められている。 In general, an optical disk apparatus that records and reproduces information on an optical disk includes a semiconductor laser chip that irradiates the optical disk with a laser. In recent years, in order to increase the recording speed when information is recorded on an optical disk, the amount of heat generated by increasing the output of a semiconductor laser chip has increased. If the semiconductor laser chip heated to high temperature is continuously used, the light emission efficiency and life of the semiconductor laser chip may be deteriorated and reliability may be lowered. Therefore, in the optical disk device, it is required to increase the heat dissipation from the semiconductor laser chip.
また、半導体レーザチップを搭載する位置がずれると、照射されるレーザの光軸がずれるといった問題がある。そこで、半導体レーザチップ、または半導体レーザチップを搭載したレーザホルダを光ディスク装置に固定する技術が検討されている(例えば、特許文献1参照。)。 Further, if the position where the semiconductor laser chip is mounted is shifted, there is a problem that the optical axis of the irradiated laser is shifted. Therefore, a technique for fixing a semiconductor laser chip or a laser holder on which the semiconductor laser chip is mounted to an optical disk device has been studied (for example, see Patent Document 1).
現在、光ディスク装置では、CANタイプの半導体レーザ装置が用いられている。CANタイプの半導体レーザ装置では、半導体レーザチップは、台座に搭載されて缶状の容器で密閉されており、レーザの出射面にはガラス窓が設けられている。光ディスク装置において、レーザを光ディスクの記録面で微小な点に集光する必要があるため、レーザを透過させるガラス窓の波面を精度よく揃えなければならない。波面収差が小さいガラス窓は、製造が困難なため高価であることが問題である。 Currently, a CAN type semiconductor laser device is used in an optical disk device. In a CAN type semiconductor laser device, a semiconductor laser chip is mounted on a pedestal and sealed with a can-like container, and a glass window is provided on the laser emission surface. In an optical disk apparatus, since it is necessary to focus the laser on a minute point on the recording surface of the optical disk, the wavefront of the glass window that transmits the laser must be accurately aligned. The problem is that glass windows with small wavefront aberrations are expensive because they are difficult to manufacture.
また、近年では、光ディスク装置のコストダウンのために、フレームレーザと呼ばれる半導体レーザ装置が用いられることがある。ここで、フレームレーザとは、半導体レーザチップを基板に搭載し、半導体レーザチップを囲むように基板に樹脂がアウトサート成形されたものであって、ガラス窓や密封構造をもたないため価格が安いという特徴がある。 In recent years, a semiconductor laser device called a frame laser is sometimes used to reduce the cost of the optical disk device. Here, the frame laser is a product in which a semiconductor laser chip is mounted on a substrate and resin is outsert-molded on the substrate so as to surround the semiconductor laser chip, and does not have a glass window or a sealing structure. It is cheap.
しかしながら、フレームレーザでは、半導体レーザチップが外部に露出しているため、容易に埃が付着するという問題がある。半導体レーザチップに埃が付着すると出射するレーザに大きな影響を与えるため、フレームレーザを防塵することが重要である。そこで、半導体レーザチップを覆う防塵部材を備えたフレームレーザが検討されている(例えば、特許文献2参照。)。 However, in the frame laser, there is a problem that dust easily adheres because the semiconductor laser chip is exposed to the outside. When dust adheres to the semiconductor laser chip, it has a great influence on the emitted laser, so it is important to protect the frame laser from dust. Therefore, a frame laser having a dustproof member that covers the semiconductor laser chip has been studied (for example, see Patent Document 2).
特許文献1に記載の光ヘッドでは、レーザホルダの底面が接着剤でハウジングに固定されている。したがって、レーザホルダを固定する際に、接着剤によってレーザホルダが傾く可能性があるため、半導体レーザの位置決め精度が悪化するという課題がある。
In the optical head described in
また、特許文献2に記載の光ヘッド装置では、防塵部材を必要とするため高価になるという問題がある。
Further, the optical head device described in
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、フレームレーザからレーザホルダへの熱伝導性を向上させることができ、また、フレームレーザのレーザホルダに対する位置決め精度を向上させることができるレーザユニットを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and can improve the thermal conductivity from the frame laser to the laser holder, and can improve the positioning accuracy of the frame laser with respect to the laser holder. An object of the present invention is to provide a laser unit that can be used.
また、本発明は、熱伝導性、位置決め精度を向上させたレーザユニットを備えることによって、信頼性を向上させた電子機器を提供することを他の目的とする。 It is another object of the present invention to provide an electronic device with improved reliability by including a laser unit with improved thermal conductivity and positioning accuracy.
本発明に係るレーザユニットは、基板の表面に半導体レーザチップが搭載され、前記半導体レーザチップを囲むように前記基板にフレーム部が一体成形されたフレームレーザと、前記フレームレーザが載置される設置面が設けられたレーザホルダとを備えるレーザユニットであって、前記フレームレーザは、前記基板の裏面と前記設置面とが接するように載置され、前記レーザホルダは、前記設置面に凹部が形成されており、前記凹部には、充填された樹脂で樹脂部が形成されていることを特徴とする。 A laser unit according to the present invention includes a frame laser in which a semiconductor laser chip is mounted on a surface of a substrate and a frame portion is integrally formed on the substrate so as to surround the semiconductor laser chip, and an installation in which the frame laser is mounted. A laser unit provided with a surface, wherein the frame laser is mounted so that the back surface of the substrate and the installation surface are in contact with each other, and the laser holder has a recess formed on the installation surface In the recess, a resin portion is formed of a filled resin.
この構成によると、基板の裏面と設置面とを密接させることによって、フレームレーザからレーザホルダへの熱伝導性を向上させることができる。また、フレームレーザを載置するときの傾きを抑制することによって、フレームレーザのレーザホルダに対する位置決め精度を向上させることができる。 According to this configuration, the thermal conductivity from the frame laser to the laser holder can be improved by bringing the back surface of the substrate into close contact with the installation surface. Moreover, the positioning accuracy of the frame laser with respect to the laser holder can be improved by suppressing the tilt when mounting the frame laser.
本発明に係るレーザユニットでは、前記レーザホルダは、前記凹部への樹脂の充填に適用される樹脂充填口を備えることを特徴とする。 In the laser unit according to the present invention, the laser holder includes a resin filling port applied to filling the resin into the concave portion.
この構成によると、フレームレーザをレーザホルダに載置してから樹脂を充填することができるため、位置決め精度を更に向上させることができる。 According to this configuration, since the resin can be filled after the frame laser is placed on the laser holder, the positioning accuracy can be further improved.
本発明に係るレーザユニットでは、前記樹脂部は、放熱樹脂で形成されており、前記半導体レーザチップと前記樹脂部とは、前記基板を挟んで対向する位置に配置されていることを特徴とする。 In the laser unit according to the present invention, the resin portion is formed of a heat radiating resin, and the semiconductor laser chip and the resin portion are arranged at positions facing each other with the substrate interposed therebetween. .
この構成によると、放熱樹脂で形成された樹脂部を半導体レーザチップに近い位置に配置することによって、熱伝導性を更に向上させることができる。 According to this configuration, the thermal conductivity can be further improved by disposing the resin portion formed of the heat radiating resin at a position close to the semiconductor laser chip.
本発明に係るレーザユニットでは、前記レーザホルダは、前記基板の表面側に設けられた防塵部を備え、前記防塵部は、前記半導体レーザチップを覆うように形成されていることを特徴とする。 In the laser unit according to the present invention, the laser holder includes a dustproof portion provided on a surface side of the substrate, and the dustproof portion is formed so as to cover the semiconductor laser chip.
この構成によると、防塵部で半導体レーザチップを覆うことによって、半導体レーザチップに埃が付着することを抑制することができる。 According to this configuration, dust can be prevented from adhering to the semiconductor laser chip by covering the semiconductor laser chip with the dustproof portion.
本発明に係る電子機器は、本発明に係るレーザユニットを備えたことを特徴とする。 An electronic apparatus according to the present invention includes the laser unit according to the present invention.
この構成によると、熱伝導性、位置決め精度を向上させたレーザユニットを備えることによって、信頼性を向上させた電子機器を提供することができる。 According to this configuration, by providing the laser unit with improved thermal conductivity and positioning accuracy, an electronic device with improved reliability can be provided.
本発明によると、基板の裏面と設置面とを密接させることによって、フレームレーザからレーザホルダへの熱伝導性を向上させることができる。また、フレームレーザを載置するときの傾きを抑制することによって、フレームレーザのレーザホルダに対する位置決め精度を向上させることができる。 According to the present invention, the thermal conductivity from the frame laser to the laser holder can be improved by bringing the back surface of the substrate into close contact with the installation surface. Moreover, the positioning accuracy of the frame laser with respect to the laser holder can be improved by suppressing the tilt when mounting the frame laser.
また、本発明によると、熱伝導性、位置決め精度を向上させたレーザユニットを備えることによって、信頼性を向上させた電子機器を提供することができる。 In addition, according to the present invention, it is possible to provide an electronic apparatus with improved reliability by including a laser unit with improved thermal conductivity and positioning accuracy.
本発明の実施の形態に係るレーザユニットは、フレームレーザをレーザホルダに組み合わせた構成とされている。以下では、まず、フレームレーザおよびレーザホルダのそれぞれについて、図面に基づいて説明した後、フレームレーザおよびレーザホルダを組み合わせたレーザユニットについて説明する。 The laser unit according to the embodiment of the present invention has a configuration in which a frame laser is combined with a laser holder. In the following, first, each of the frame laser and the laser holder will be described based on the drawings, and then a laser unit in which the frame laser and the laser holder are combined will be described.
図1は、本発明の実施の形態に係るレーザユニットのフレームレーザを示す斜視図である。 FIG. 1 is a perspective view showing a frame laser of a laser unit according to an embodiment of the present invention.
フレームレーザ2は、基板21の表面21aにサブマウント23を介して半導体レーザチップ22が搭載され、半導体レーザチップ22を囲むように基板21にフレーム部24が一体成形されている。
In the
半導体レーザチップ22は、赤色光および赤外光のレーザを出射するレーザダイオードであって、出射側の端面が基板21の端部(出射端部21c)寄りとなるように配置されている。なお、本発明はこれに限定されず、例えば、青色光のレーザを照射するレーザダイオードとしてもよい。
The
以下では説明のため、半導体レーザチップ22からレーザが出射される方向を出射方向Xと呼び、基板21の厚さ方向を高さ方向Zと呼び、出射方向Xおよび高さ方向Zに対して直交する方向を幅方向Yと呼ぶ。また、高さ方向Zにおいて、基板21を基準とした表面21a側を上方と呼び、基板21を基準とした裏面21b側を下方と呼ぶことがある。
In the following, for explanation, the direction in which the laser is emitted from the
基板21は、金属で形成された角型のリードフレームであって、幅方向Yに向かって両方の側面から突出する延長部25が設けられている。なお、延長部25には、出射方向Xに対して垂直なフレーム係止面25aが形成されており、幅方向Yに対して垂直なフレーム位置決め面25bが形成されている。また、本実施の形態では、基板21は、銀(Ag)めっきを施した銅(Cu)合金で形成されているが、本発明はこれに限定されない。
The
また、基板21には、出射方向Xにおいて出射端部21cの反対側にピン端子26が設けられており、ピン端子26は、レーザユニット1と外部とを接続するのに用いられる。なお、出射方向Xにおいて、基板21を基準とした出射端部21c側を前方と呼び、基板21を基準としたピン端子26側を後方と呼ぶことがある。基板21の裏面21bは、一様に平坦な形状とされている。
Further, the
フレーム部24は、基板21の表面21aおよび側面に樹脂で一体成形されており、半導体レーザチップ22およびピン端子26を保護している。また、フレーム部24は、高さ方向Zにおいて半導体レーザチップ22より高くなるように形成されている。なお、出射端部21c(半導体レーザチップ22の前方)および半導体レーザチップ22の上方には、フレーム部24は形成されていない。
The
図2Aは、本発明の実施の形態に係るレーザユニットのレーザホルダを示す斜め前方からの斜視図であり、図2Bは、本発明の実施の形態に係るレーザユニットのレーザホルダを示す斜め後方からの斜視図である。 2A is a perspective view from an oblique front showing the laser holder of the laser unit according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2B is an oblique rear view showing the laser holder of the laser unit according to the embodiment of the present invention. FIG.
レーザホルダ3は、後述するレーザ集積ユニット6(図8参照)にフレームレーザ2を固定するためのホルダである。レーザホルダ3は、載置部31、連結部32、および防塵部33で構成される。
The
載置部31は、基板21の裏面21bと平行な設置面31aが設けられており、設置面31aの一部には、設置面31aより低い凹部31bが形成されている。つまり、設置面31aに基板21を載置したとき、凹部31bと裏面21bとの間に隙間ができる。また、載置部31には、後方から凹部31bにつながる溝状の樹脂充填口31cが設けられている。樹脂充填口31cについての詳細は、図5で後述する。
The
防塵部33は、載置部31の上方に配置されている。防塵部33についての詳細は、図3Aないし図3Cで後述する。
The
連結部32は、載置部31の前方の端部と防塵部33の前方の端部とを連結するように形成され、半導体レーザチップ22から出射されるレーザを通過させる出射口32aを備える。連結部32の内側の側面には、フレームレーザ2の位置決めをするために、出射方向Xに対して垂直なホルダ係止面32bが形成されている。また、連結部32には、基板21の表面21aおよび/またはフレーム部24に接する接着部32cが設けられている。
The connecting
レーザホルダ3の側面には、幅方向Yに対して垂直なホルダ位置決め面34が設けられている。
A
図3Aは、本発明の実施の形態に係るレーザユニットの概略構成を示す正面図であり、図3Bは、図3Aの矢符A−Aでの断面図であり、図3Cは、図3Aの矢符B−Bでの断面図である。図4Aは、本発明の実施の形態に係るレーザユニットを示す斜め前方からの斜視図であり、図4Bは、本発明の実施の形態に係るレーザユニットを示す斜め後方からの斜視図である。 3A is a front view showing a schematic configuration of the laser unit according to the embodiment of the present invention, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along arrow AA in FIG. 3A, and FIG. It is sectional drawing in the arrow BB. FIG. 4A is a perspective view from an oblique front showing a laser unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a perspective view from an oblique rear showing a laser unit according to an embodiment of the present invention.
本発明の実施の形態に係るレーザユニット1は、基板21の表面21aに半導体レーザチップ22が搭載され、半導体レーザチップ22を囲むように基板21にフレーム部24が一体成形されたフレームレーザ2と、フレームレーザ2が載置される設置面31aが設けられたレーザホルダ3とを備える。フレームレーザ2は、基板21の裏面21bと設置面31aとが接するように載置され、レーザホルダ3は、設置面31aに凹部31bが形成されており、凹部31bには、充填された樹脂で樹脂部4が形成されている。
The
この構成によると、基板21の裏面21bと設置面31aとを密接させることによって、フレームレーザ2からレーザホルダ3への熱伝導性を向上させることができる。また、フレームレーザ2を載置するときの傾きを抑制することによって、フレームレーザ2のレーザホルダ3に対する位置決め精度を向上させることができる。
According to this configuration, the thermal conductivity from the
レーザユニット1では、レーザホルダ3の後方から前方に向かってフレームレーザ2が挿入されている。ここで、互いに平行なフレーム係止面25aとホルダ係止面32bとが接することによって、レーザホルダ3に対するフレームレーザ2の出射方向Xにおける位置決めがされる。また、フレーム位置決め面25bおよびホルダ位置決め面34の幅方向Yに対する位置を揃えることによって、レーザホルダ3に対するフレームレーザ2の幅方向Yにおける位置決めがされる。
In the
フレームレーザ2の位置決めをする際、接着部32cに接着剤を塗布することで、レーザホルダ3にフレームレーザ2を確実に固定することができる。
When positioning the
上述した防塵部33は、レーザホルダ3とフレームレーザ2とを組み合わせたとき、半導体レーザチップ22の上方に位置する構造とされている。また、平面視において、防塵部33は、半導体レーザチップ22より大きいことが望ましい。
The
上述したように、レーザホルダ3は、基板21の表面21a側に設けられた防塵部33を備える。防塵部33は、半導体レーザチップ22を覆うように形成されている。この構成によると、防塵部33で半導体レーザチップ22を覆うことによって、半導体レーザチップ22に埃が付着することを抑制することができる。
As described above, the
上述したように、レーザホルダ3は、凹部31bへの樹脂の充填に適用される樹脂充填口31cを備える。この構成によると、フレームレーザ2をレーザホルダ3に載置してから樹脂を充填することができるため、位置決め精度を更に向上させることができる。
As described above, the
本実施の形態では、樹脂部4は、放熱樹脂で形成されており、半導体レーザチップ22と樹脂部4とは、基板21を挟んで対向する位置に配置されている。この構成によると、放熱樹脂で形成された樹脂部4を半導体レーザチップ22に近い位置に配置することによって、熱伝導性を更に向上させることができる。つまり、凹部31bは、半導体レーザチップ22の下方となる位置に形成されており、半導体レーザチップ22で発生した熱は、熱伝導率の優れた放熱樹脂を経てレーザホルダ3に伝わる。
In the present embodiment, the
放熱樹脂は、例えば、オレフィン系樹脂、PPS(Poly Phenylene Sulfide)樹脂、ポリアミド(Polyamide)樹脂、シリコン系樹脂、またはエポキシ樹脂等の熱伝導性樹脂が主成分であって、銀(Ag)等の金属、酸化アルミニウム(Al2O3)や窒化アルミニウム(AlN)等のセラミックス、炭素繊維、あるいはガラスなどからなるフィラー(filler)が含有されている。放熱樹脂の熱伝導率は、例えば、主成分がオレフィン系樹脂であって、フィラーが酸化アルミニウム(Al2O3)である場合、3[W/mK]である。 The heat radiation resin is mainly composed of a heat conductive resin such as olefin resin, PPS (Polyphenylene Sulfide) resin, polyamide (Polyamide) resin, silicon resin, or epoxy resin, and is made of silver (Ag) or the like. A filler made of metal, ceramics such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AlN), carbon fiber, or glass is contained. The thermal conductivity of the heat radiation resin is, for example, 3 [W / mK] when the main component is an olefin resin and the filler is aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
なお、本発明はこれに限定されず、例えば、樹脂部4に紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂といった接着剤を充填してもよい。接着剤を硬化収縮させることによって、フレームレーザ2とレーザホルダ3とを固定する樹脂部4を形成することができる。
In addition, this invention is not limited to this, For example, you may fill the
図5は、凹部に樹脂を充填する工程を示す概略断面図である。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a process of filling the recess with resin.
凹部31bに樹脂を充填する際、フレームレーザ2はレーザホルダ3に載置され位置決めされている。溝状の樹脂充填口31cを設けることによって、基板21の裏面21bと設置面31aとの間には、凹部31bにつながる隙間ができている。樹脂は、樹脂充填口31cに差し込まれたノズル5から凹部31bに注入される。なお、樹脂を充填する際には、フレームレーザ2を上方からレーザホルダ3に押し付けることが望ましい。
When filling the
図6Aは、レーザホルダの変形例を示す斜め後方からの斜視図であり、図6Bは、図6Aの矢符C−Cでの断面図である。図7は、レーザホルダの変形例を適用したレーザユニットの断面図である。 6A is a perspective view from a diagonally rear side showing a modified example of the laser holder, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along arrows CC in FIG. 6A. FIG. 7 is a cross-sectional view of a laser unit to which a modification of the laser holder is applied.
変形例では、樹脂充填口31c(貫通穴)は、下方から凹部31bにつながるように形成されている。この構成であっても、フレームレーザ2をレーザホルダ3に載置してから樹脂を充填することができる。
In the modification, the
図8は、本発明の実施の形態に係るレーザユニットを備えるレーザ集積ユニットを示す概略構成図である。 FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a laser integrated unit including the laser unit according to the embodiment of the present invention.
本発明の実施の形態に係る電子機器は、レーザユニット1を備える。この構成によると、熱伝導性、位置決め精度を向上させたレーザユニット1を備えることによって、信頼性を向上させた電子機器を提供することができる。
The electronic apparatus according to the embodiment of the present invention includes a
電子機器は、例えば、3波長光ピックアップ装置などである。3波長光ピックアップ装置は、BD、DVD、およびCDといった光ディスクの記録再生を行う。 The electronic device is, for example, a three-wavelength optical pickup device. The three-wavelength optical pickup device performs recording / reproduction of optical disks such as BD, DVD, and CD.
レーザ集積ユニット6は、例えば、上述した3波長光ピックアップ装置などに適用され、赤色光および赤外光のレーザを照射する第1レーザユニット1aと、青色光のレーザを照射する第2レーザユニット1bを備え、それぞれのレーザを切り替えて出射窓(図示しない)から出射する。
The laser integrated
また、レーザ集積ユニット6は、特定の波長の光を反射し、その他の波長の光を透過させるダイクロックビームスプリッタ61を備える。なお、ダイクロックビームスプリッタ61でどのような波長を反射させるかは、第1レーザユニット1aおよび第2レーザユニット1bから照射されるレーザの波長によって、適宜選択すればよい。第1レーザユニット1aおよび第2レーザユニット1bから照射されるレーザとダイクロックビームスプリッタ61との関係については、図9で詳しく説明する。
The laser integrated
図9は、図8に示すレーザ集積ユニットの光学系の構成を示す説明図である。 FIG. 9 is an explanatory diagram showing the configuration of the optical system of the laser integrated unit shown in FIG.
第1レーザユニット1aから照射される赤色レーザLaは、ダイクロックビームスプリッタ61を透過してレーザ集積ユニット6から出射する。第2レーザユニット1bから照射される青色レーザLbは、ダイクロックビームスプリッタ61で反射され赤色レーザLaと同じ方向に導かれて、レーザ集積ユニット6から出射する。
The red laser La emitted from the
1 レーザユニット
2 フレームレーザ
21 基板
21a 表面
21b 裏面
22 半導体レーザチップ
23 サブマウント
24 フレーム部
25 延長部
26 端子ピン
3 レーザホルダ
31 載置部
31a 設置面
31b 凹部
31c 樹脂充填口
32 連結部
32c 接着部
33 防塵部
4 樹脂部
6 レーザ集積ユニット(電子機器の一例)
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記フレームレーザは、前記基板の裏面と前記設置面とが接するように載置され、
前記レーザホルダは、前記設置面に凹部が形成されており、
前記凹部には、充填された樹脂で樹脂部が形成されていること
を特徴とするレーザユニット。 A semiconductor laser chip is mounted on the surface of the substrate, a frame laser in which a frame portion is integrally formed on the substrate so as to surround the semiconductor laser chip, and a laser holder provided with an installation surface on which the frame laser is mounted A laser unit comprising:
The frame laser is placed so that the back surface of the substrate and the installation surface are in contact with each other,
The laser holder has a recess formed on the installation surface,
The laser unit is characterized in that a resin portion is formed of a filled resin in the recess.
前記レーザホルダは、前記凹部への樹脂の充填に適用される樹脂充填口を備えること
を特徴とするレーザユニット。 The laser unit according to claim 1,
The laser unit is provided with a resin filling port applied to filling the concave portion with resin.
前記樹脂部は、放熱樹脂で形成されており、
前記半導体レーザチップと前記樹脂部とは、前記基板を挟んで対向する位置に配置されていること
を特徴とするレーザユニット。 The laser unit according to claim 1 or 2,
The resin part is made of heat dissipation resin,
The laser unit, wherein the semiconductor laser chip and the resin portion are arranged to face each other with the substrate interposed therebetween.
前記レーザホルダは、前記基板の表面側に設けられた防塵部を備え、
前記防塵部は、前記半導体レーザチップを覆うように形成されていること
を特徴とするレーザユニット。 The laser unit according to any one of claims 1 to 3, wherein
The laser holder includes a dustproof portion provided on the surface side of the substrate,
The dust unit is formed so as to cover the semiconductor laser chip.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010246462A JP2012099655A (en) | 2010-11-02 | 2010-11-02 | Laser unit and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010246462A JP2012099655A (en) | 2010-11-02 | 2010-11-02 | Laser unit and electronic apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012099655A true JP2012099655A (en) | 2012-05-24 |
Family
ID=46391233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010246462A Pending JP2012099655A (en) | 2010-11-02 | 2010-11-02 | Laser unit and electronic apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012099655A (en) |
-
2010
- 2010-11-02 JP JP2010246462A patent/JP2012099655A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007207367A (en) | Optical pickup device | |
JP3802896B2 (en) | Semiconductor laser | |
JP2012054527A (en) | Semiconductor laser device, method of manufacturing the semiconductor laser device, and optical device | |
US7890967B2 (en) | Optical pickup device with heat radiating structure | |
WO2005048421A1 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
US7214997B2 (en) | Integrated optical device | |
JP3972814B2 (en) | Semiconductor integrated device | |
JP2005093975A (en) | Semiconductor laser diode apparatus with pcb type lead frame | |
CN100466403C (en) | Semiconductor laser | |
CN110233138B (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2012243960A (en) | Semiconductor laser device | |
JP2012099655A (en) | Laser unit and electronic apparatus | |
JP5487002B2 (en) | Semiconductor laser device | |
US7929076B2 (en) | Optical module and optical pickup apparatus | |
JP2007318075A (en) | Optical device, method for manufacturing the same, optical pickup device, and optical disk drive device | |
JP2014232790A (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof | |
JP2007019077A (en) | Semiconductor laser unit and optical pickup equipment | |
JPH10214437A (en) | Optical unit and production therefor | |
US20190115719A1 (en) | Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device | |
JP2005251838A (en) | Semiconductor laser | |
JPWO2020031944A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
US20070029472A1 (en) | Light emitting and receiving integrated device and optical disk apparatus | |
JP2008198808A (en) | Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and optical pickup device | |
JP2005078720A (en) | Optical pickup | |
JP2008243869A (en) | Light-receiving device |