JP2012098411A - Optical module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光信号を送信あるいは受信する光モジュールに関する。 The present invention relates to an optical module that transmits or receives an optical signal.
図9に示す光モジュール50は、発光(送信)側光モジュール50Aと受光(受信)側光モジュール50Bの各第1基板51の表面に形成された溝内に設けられた内部導波路52と、この溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部53とが設けられている。また、各第1基板51の表面に実装され、ミラー部53を介して内部導波路52のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部53を介して内部導波路52のコア部からの光信号を受光する発光素子(光素子)54Aと受光素子(光素子)54Bとが設けられている。さらに、発光素子54Aと受光素子54Bの各内部導波路52のコア部と光学的に結合される外部導波路(光ファイバー)55が設けられている(特許文献1参照)。なお、特許文献1では、外部導波路として、樹脂光導波路を薄型化したフレキシブルなフィルム状のものを用いている。
An
この特許文献1では、各第1基板51の表面に、発光素子54Aの発光面と受光素子54Bの受光面を実装面として、それぞれバンプでフリップチップ実装している。
In this
また、各第1基板51は、別の第2基板(インタポーザ基板)56の表面にそれぞれ設置されている。この各第2基板56の表面には、発光素子54Aに電気信号を送信するためのIC回路が形成された信号処理部(IC基板)57Aと、受光素子54Bからの電気信号を受信するためのIC回路が形成された信号処理部(IC基板)57Bがそれぞれ実装されている。
Each
そして、発光素子54Aと受光素子54Bと、各第2基板6の信号処理部57A,57Bとは、ループ状のワイヤーボンディング58でそれぞれ電気的に接続されている。また、各信号処理部57A,57Bを他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ59と、各信号処理部57A,57Bとは、ループ状のワイヤーボンディング60でそれぞれ電気的に接続されている。
The
ところで、前記のような光モジュールにおいて、10Gbs以上の高速伝送を考慮すると、1ライン当たりの高速化または多チャンネル化が手法として考えられる。 By the way, in the optical module as described above, considering high-speed transmission of 10 Gbs or more, it is conceivable to increase the speed per line or increase the number of channels.
1ライン当たりの高速化の場合には、ワイヤーボンディング部分のインダクタンス成分によるインピーダンス不整合によって、信号反射による遅延での高周波信号の劣化が無視できなくなる。ここで、インダクタンス成分は、ワイヤーボンディングの長さに比例するものであるために、1ライン当たりの高速化のためには、ワイヤーボンディング(配線)長さを短くする必要がある。 In the case of speeding up per line, the impedance mismatch due to the inductance component of the wire bonding portion makes it impossible to ignore the deterioration of the high-frequency signal due to the delay due to signal reflection. Here, since the inductance component is proportional to the length of wire bonding, it is necessary to shorten the length of wire bonding (wiring) in order to increase the speed per line.
また、多チャンネル化の場合には、配線間でのクロストークの増加が問題となる。一般にクロストークは配線間の容量結合によって起こり、低減するための対策としては、配線長さの短縮、配線間隔の増加、GND回路でのシールド等が挙げられる。しかし、ワイヤーボンディング部分では、GND回路でのシールドができず、配線間隔を増加すると光モジュールが大型化するというデメリットが発生する。したがって、多チャンネル化を考慮する際にも、ワイヤーボンディング(配線)長さを短くする必要がある。 Further, in the case of increasing the number of channels, an increase in crosstalk between wirings becomes a problem. In general, crosstalk occurs due to capacitive coupling between wirings, and examples of measures for reduction include shortening the wiring length, increasing the wiring interval, and shielding in the GND circuit. However, the wire bonding portion cannot be shielded by the GND circuit, and there is a demerit that the optical module becomes larger when the wiring interval is increased. Therefore, it is necessary to shorten the length of wire bonding (wiring) even when considering multi-channeling.
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、配線(ワイヤーボンディング)長さを短くすることで、高周波信号を劣化させずに、高速伝送を可能とした光モジュールを提供することを目的とするものである。 The present invention has been made to solve the above problems, and provides an optical module that enables high-speed transmission without deteriorating a high-frequency signal by shortening the wiring (wire bonding) length. It is the purpose.
前記課題を解決するために、本発明は、電気信号を光信号に変換して発光する光素子、または受光した光信号を電気信号に変換する光素子を表面に実装した第1基板と、前記発光側の光素子と受光側の光素子とを光学的に接続する外部導波路路と、発光側の第1基板と受光側の第1基板を表面に設置して、光素子に電気信号を送信する信号処理部、または光素子からの電気信号を受信する信号処理部を表面に実装した第2基板とを備えた光モジュールにおいて、前記第1基板の表面に、光素子側のランドを、信号処理部の光素子側のランドの方向に低くするための凹段部を形成したことを特徴とする光モジュールを提供するものである。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides an optical element that emits light by converting an electrical signal into an optical signal, or a first substrate on which an optical element that converts a received optical signal into an electrical signal is mounted; An external waveguide path for optically connecting the light-emitting side optical element and the light-receiving side optical element, and the first substrate on the light-emitting side and the first substrate on the light-receiving side are installed on the surface, and an electrical signal is sent to the optical element. In an optical module including a signal processing unit for transmitting or a second substrate on which a signal processing unit for receiving an electrical signal from an optical element is mounted, a land on the optical element side is formed on the surface of the first substrate. It is an object of the present invention to provide an optical module characterized in that a concave step portion is formed to be lowered in the direction of the land on the optical element side of the signal processing portion.
前記第1基板の凹段部は、前記外部導波路を第1基板に位置決めするための溝と同時に形成されるものである構成とすることができる。 The concave step portion of the first substrate may be formed simultaneously with a groove for positioning the external waveguide on the first substrate.
前記第1基板の光素子側のランドは、前記信号処理部の光素子側のランドと略一致する高さである構成とすることができる。 The land on the optical element side of the first substrate may be configured to have a height that substantially coincides with the land on the optical element side of the signal processing unit.
前記第2基板に、前記信号処理部を他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタが実装されていて、この第2基板の表面に、前記第1基板と前記信号処理部とを落とし込で設置する凹部を形成し、この凹部に落とし込んだ前記信号処理部のコネクタ側のランドは、第2基板の表面のコネクタのランドと略一致する高さである構成とすることができる。 A connector for electrically connecting the signal processing unit to another circuit device is mounted on the second substrate, and the first substrate and the signal processing unit are dropped on the surface of the second substrate. A concave portion to be installed is formed, and the land on the connector side of the signal processing unit dropped into the concave portion has a height substantially coincident with the land of the connector on the surface of the second substrate.
前記第2基板に、前記信号処理部を他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタが実装されていて、この第2基板の表面に、前記第1基板を落とし込で設置する凹部を形成し、この凹部に落とし込んだ前記第1基板の光素子側のランドは、第2基板の表面のコネクタ側のランドと略一致する高さであり、前記信号処理部は、前記第1基板の光素子側のランドと第2基板のコネクタのランドとにフリップチップ実装をする構成とすることができる。 A connector for electrically connecting the signal processing unit to another circuit device is mounted on the second substrate, and a recess for dropping the first substrate is installed on the surface of the second substrate. The land on the optical element side of the first substrate that has been formed and dropped into the recess is substantially the same height as the land on the connector side of the surface of the second substrate, and the signal processing unit It is possible to adopt a configuration in which flip-chip mounting is performed on the land on the optical element side and the land on the connector of the second substrate.
本発明によれば、第1基板に形成した凹段部で、光素子(発光素子および受光素子)側のランドを低くすることで、信号処理部の光素子側のランドとの高低差が少なくなる。その結果、第1基板の光素子側のランドと信号処理部の光素子側のランドとを接続する配線(ワイヤーボンディング)長さを短くできるので、高周波信号の劣化を抑えることができ、高速伝送が可能となる。また、高低差が少なくなることから、ワイヤーボンディングのループ高さ抑えることができるので、光モジュールの低背化を図ることができる。 According to the present invention, by reducing the land on the optical element (light emitting element and light receiving element) side at the concave step formed on the first substrate, the height difference from the land on the optical element side of the signal processing unit is small. Become. As a result, the length of wiring (wire bonding) connecting the land on the optical element side of the first substrate and the land on the optical element side of the signal processing unit can be shortened, so that deterioration of the high-frequency signal can be suppressed and high-speed transmission can be achieved. Is possible. In addition, since the height difference is reduced, the loop height of the wire bonding can be suppressed, so that the height of the optical module can be reduced.
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明に係る光モジュール40の側面断面図である。図2は図1の発光側光モジュール40Aであり、(a)は側面断面図、(b)は(a)のI−I線断面図、(c)は(a)のII−II線断面図である。図3は第1基板1であり、(a)は斜視図、(b)は内部導波路16を形成した斜視図である。図4は第1基板1であり、(a)は発光素子12aを実装した斜視図、(b)は光ファイバー2を挿入した斜視図である。
Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a side sectional view of an
図1において、光モジュール40は、発光側光モジュール40Aと、受光側光モジュール40Bと、この発光側と受光側の光モジュール40A,40Bを光学的に結合する光ファイバー2とを備えている。
In FIG. 1, the
発光側光モジュール40Aの第1基板(マウント基板)1と受光側光モジュール40Bの第1基板(マウント基板)1は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子から受光素子までの光結合効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第1基板1として、本実施形態ではシリコン(Si)基板が採用されている。
The first substrate (mount substrate) 1 of the light emitting side
特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能〔この溝を利用して高精度なミラー部15(後述)、溝内に内部導波路16(後述)を形成する。〕となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。 In particular, in the case of a silicon substrate, it is possible to process a highly accurate etching groove on the surface by utilizing the crystal orientation of silicon [a highly accurate mirror portion 15 (described later) using this groove, and an internal waveguide 16 ( (To be described later). ]. In addition, the silicon substrate has good flatness.
第1基板1は、それよりもサイズが大きい第2基板(インタポーザ基板)6の表面(上面)にそれぞれ設置されている。各第2基板6の裏面(下面)には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ7がそれぞれ取付けられている。
The
第1基板1の表面(上面)には、第1基板1の表面に形成されたメタル回路(銅や金スパッタによるパターニング回路)12d(図5参照)に、電気信号を光信号に変換する発光素子12aが発光面を下向きとしてバンプ12c(図5参照)でフリップチップ実装されている。
On the surface (upper surface) of the
発光素子12aとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)〕が採用されている。この発光素子12aはLED等でもよい。
In the present embodiment, a surface emitting laser (VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)) that is a semiconductor laser is employed as the
また、第2基板6の表面には、この発光素子12aに電気信号を送信するためのIC回路が形成された信号処理部(IC基板)4aが実装されている。この信号処理部4aは、前記VCSELを駆動させるドライバICであり、発光素子12aの近傍に配設されている。なお、信号処理部4aの実装方法については、図5〜8の各実施形態の説明の項で個別に説明する。
A signal processing unit (IC substrate) 4a on which an IC circuit for transmitting an electrical signal to the
第1基板1の表面には、図3(a)に示すように、略台形状の第1溝(導波路形成用溝)1aと、第1溝1aよりも深い略V字形状の第2溝1bが前後方向に連なって形成されている。なお、第1溝1aは、第2溝1bよりも浅い略V字形状の溝であってもよい。
On the surface of the
第1溝1aの先端部には、発光素子12aの真下となる位置に、光路を90度屈曲させるための光路変換用のミラー部15が形成されている。
At the tip of the
第1基板1の第1溝1a内には、図3(b)に示すように、第1基板1の発光素子12aと光学的に結合する内部導波路16が設けられている。この内部導波路16は、ミラー部15から第2溝1bの方向に延在していて、第1溝1aの後端部1dと面一となっている。
As shown in FIG. 3B, an
内部導波路16は、光が伝播する屈折率の高い断面略正方形状のコア部17と、それよりも屈折率の低いクラッド部18とから構成されている。図2(c)のように、コア部17の左右の両面は、クラッド部18で覆われている。なお、第1溝1aが第2溝1bよりも浅い略V字形状の溝である場合には、コア部17は、断面略正方形状でなく、略V字形状の溝に沿った断面略五角形状に形成する。また、第1溝1a内に、内部導波路16を必ずしも設ける必要はない。
The
図4(a)のように、内部導波路16が設けられた第1基板1の表面の所定位置には、発光素子12aが実装され、この発光素子12aとコア部17との間の空間には、図2(a)のように、光学透明樹脂13が充填されている。
As shown in FIG. 4A, a
図1に戻って、受光側光モジュール40Bの第1基板1について説明する。この受光側光モジュール40Bの第1基板1の基本的な構成は、発光側光モジュール40Aの第1基板1と同様に構成されている。ただし、受光側光モジュール40Bの第1基板1の表面(上面)に、光信号を電気信号に変換する受光素子12bが受光面を下向きとしてバンプでフリップチップ実装されている。また、第2基板6の表面に、この受光素子12bに電気信号を送信するためのIC回路が形成された信号処理部(IC基板)4bが実装されている点で、発光側光モジュール40Aの第1基板1と異なる。この受光素子12bとしては、PD(Photo Diode)が採用されており、信号処理部4bは、電流・電圧の変換を行うTIA(Trans−impedance Amplifier)などの素子である。
Returning to FIG. 1, the
次に、光ファイバー2を説明する。光ファイバー2は、図1および図4(b)に示すように、発光側光モジュール40Aの第1基板1の内部導波路16のコア部17と、受光側光モジュール40Bの第1基板1の内部導波路16のコア部17とを光学的に結合可能なファイバーコア部21を内部に有している。そして、このファイバーコア部21の外周を包囲するファイバークラッド部22と、このファイバークラッド部22の外周を被覆する被覆部23とで構成されるコードタイプである。このファイバーコア部21とファイバークラッド部22と被覆部23は円形状である。
Next, the
光ファイバー2は、図1のように、第1基板1の第2溝1bの手前付近で被覆部23が剥がされて、ファイバークラッド部22が露出されている。
As shown in FIG. 1, the
そして、図2(a)(c)および図4(b)のように、第1基板1の第2溝1bに光ファイバー2のファイバークラッド部22を設置して、第1溝1aとの境部分の斜面1cでファイバークラッド部22の位置決めをする。このときに、第1基板1の内部導波路16のコア部17と光ファイバー2のファイバーコア部21の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。
Then, as shown in FIGS. 2A, 2C, and 4B, the fiber clad
第1基板1の内部導波路16のコア部17の端面と光ファイバー2のファイバーコア部21の端面との間の隙間は、200μm以下となる。一般的には、光結合効率が100%となる、隙間0が好ましいが、本構成においては、第1基板1の溝幅とファイバークラッド部22の外径サイズの制約上、隙間は60μmから100μmとなる。
The gap between the end face of the
第1基板1の表面の位置において、図2(a)(b)のように、光ファイバー2のファイバークラッド部22の上部には押えブロック24が配置され、この押えブロック24と第2溝1bとの間の空間には、接着剤14が充填されている。
At the position of the surface of the
このように、光ファイバー2のファイバークラッド部22の先端側は、押えブロック24で第2溝1bに押え付けられた状態で、押えブロック24とともに第1基板1に接着剤14で接着固定されるようになる。
As described above, the front end side of the fiber clad
そして、発光側光モジュール40Aでは、発光素子12aからミラー部15を介して光ファイバー2のファイバーコア部21に光信号を発光する。また、受光側光モジュール40Bでは、ミラー部15を介して光ファイバー2のファイバーコア部21からの光信号を受光素子12bで受光する。
In the light emitting side
図5は、第1実施形態の発光側光モジュール40A−1(受光側光モジュール40Bでも同様。)の概略側面断面図である。第1基板1の表面には、発光素子12aのバンプ12cの近傍から斜め下方向に傾斜する傾斜面1eと、この傾斜面1eの下端から水平となる水平面1fとでなる凹段部1gが形成されている。
FIG. 5 is a schematic side sectional view of the light emitting side
そして、発光素子12aのバンプ12cに接続されたメタル回路(銅や金スパッタによるパターニング回路)12dは、傾斜面1eと水平面1fに沿って形成されている。この結果、凹段部1gの水平面1fには、信号処理部4aの発光素子12a側のランド4cの方向に低くなった、発光素子12a側のランド12eが形成されるようになる。
A metal circuit (a patterning circuit using copper or gold sputtering) 12d connected to the
また、発光素子12a側のランド12eと、信号処理部4aの発光素子12a側のランド4cとは、ループ状のワイヤーボンディング26で電気的に接続されている。
The
さらに、信号処理部4aのコネクタ7側のランド4dと、第2基板6の表面のコネクタ7のランド7aとは、ループ状のワイヤーボンディング27で電気的に接続されている。そして、コネクタ7のランド7aは、第2基板6の貫通穴配線6aを介してコネクタ7に電気的に接続されている。
Further, the
第1実施形態の発光側光モジュール40A−1であれば、第1基板1に形成した凹段部1gで、発光素子12a側のランド12eを低くすることで、信号処理部4aの発光素子12a側のランド4cとの高低差Hが少なくなる。その結果、第1基板1の発光素子12a側のランド12eと信号処理部4aの発光素子12a側のランド4cとを接続するワイヤーボンディング(配線)26の長さを短くできるので、高周波信号の劣化を抑えることができ、高速伝送が可能となる。また、高低差Hが少なくなることから、ワイヤーボンディング26のループ高さ抑えることができるので、光モジュール40の低背化を図ることができる。因みに、ワイヤーボンディング26,27をループ状にするのは、ランド12e,4cに高低差(段)Hがあると、その縁部に引っ掛かって断線するのを防ぐためであり、高低差(段)Hが少なければ、ループ高さ抑えることができる。したがって、後述する第2実施形態のように、高低差(段)が無くなれば、直線状にワイヤーボンディング26ができることになる。
In the light emitting side
また、第1基板1の凹段部(溝)1gは、外部導波路である光ファイバー2のファイバークラッド部22を第1基板1に位置決めする第2溝1bと同時に形成できるから、溝形成のためのエッチングプロセスが増加しないので、コストアップにならない。
Further, the concave step portion (groove) 1g of the
図6は、第2実施形態の発光側光モジュール40A−2の概略側面断面図である。図5の第1実施形態の発光側光モジュール40A−1と相違するのは、第1基板1の発光素子12a側のランド12eは、信号処理部4aの発光素子12a側のランド4cと略一致する高さとなっている点である。
FIG. 6 is a schematic side cross-sectional view of the light-emitting side
第2実施形態の発光側光モジュール40A−2であれば、ランド12eとランド4cの高さを略一致させることで、高低差Hが無くなって直線状にワイヤーボンディング26ができる。その結果、ワイヤーボンディング26のループ分のワイヤー長さをより短くできるので、高周波信号の劣化をより抑えることができる。
In the light emitting side
図7は、第3実施形態の発光側光モジュール40A−3の概略側面断面図である。図5の第1実施形態の発光側光モジュール40A−1と相違するのは、第2基板6の表面に、第1基板1と信号処理部4aとを落とし込で設置する凹部6b,6cを形成している点である。また、凹部6cに落とし込んだ信号処理部4aのコネクタ7側のランド4dは、第2基板6の表面のコネクタ7のランド7aと略一致する高さとなっている点である。
FIG. 7 is a schematic side cross-sectional view of the light-emitting side
第3実施形態の発光側光モジュール40A−3であれば、ランド4dとランド7aの高さを略一致させることで、高低差Hが無くなって直線状にワイヤーボンディング27ができる。その結果、ワイヤーボンディング27のループ分のワイヤー長さをより短くできるので、高周波信号の劣化をより抑えることができる。
In the light emitting side
図8は、第4実施形態の発光側光モジュール40A−4の概略側面断面図である。図5の第1実施形態の発光側光モジュール40A−1と相違するのは、第2基板6の表面に、第1基板1を落とし込で設置する凹部6bを形成している点である。また、凹部6bに落とし込んだ第1基板1の発光素子12a側のランド12eは、第2基板6の表面のコネクタ7側のランド7aと略一致する高さとなっている点である。さらに、信号処理部4aは、第1基板1の発光素子12a側のランド12eと第2基板6のコネクタ7のランド7aとにバンプ4eでフリップチップ実装している点である。
FIG. 8 is a schematic side cross-sectional view of the light emitting side
第4実施形態の発光側光モジュール40A−4であれば、第1〜第3実施形態におけるランド12eとランド4cとの間、およびランド4dとランド7aとの間のワイヤーボンディング(図5〜図7の26,27を参照)を、バンプ4eによるフリップチップ実装に代えることができる。この結果、配線長をさらに短くすることができる。
In the light emitting side
以上のように、本発明に係る光モジュールは、電気信号を光信号に変換して発光する光素子、または受光した光信号を電気信号に変換する光素子を表面に実装した第1基板と、前記発光側の光素子と受光側の光素子とを光学的に接続する外部導波路路と、発光側の第1基板と受光側の第1基板を表面に設置して、光素子に電気信号を送信する信号処理部、または光素子からの電気信号を受信する信号処理部を表面に実装した第2基板とを備えた光モジュールにおいて、前記第1基板の表面に、光素子側のランドを、信号処理部の光素子側のランドの方向に低くするための凹段部を形成したことを特徴とするものである。 As described above, the optical module according to the present invention includes an optical element that converts an electrical signal into an optical signal and emits light, or a first substrate on which an optical element that converts a received optical signal into an electrical signal is mounted; An external waveguide path for optically connecting the light emitting side optical element and the light receiving side optical element, a light emitting side first substrate and a light receiving side first substrate are provided on the surface, and an electric signal is transmitted to the optical element. And a second substrate having a signal processing unit for transmitting an electric signal from an optical element mounted on a surface thereof, a land on the optical element side is provided on the surface of the first substrate. A concave step portion for lowering the signal processing portion in the direction of the land on the optical element side is formed.
これによれば、第1基板に形成した凹段部で、光素子(発光素子および受光素子)側のランドを低くすることで、信号処理部の光素子側のランドとの高低差が少なくなる。その結果、第1基板の光素子側のランドと信号処理部の光素子側のランドとを接続する配線(ワイヤーボンディング)長さを短くできるので、高周波信号の劣化を抑えることができ、高速伝送が可能となる。また、高低差が少なくなることから、ワイヤーボンディングのループ高さ抑えることができるので、光モジュールの低背化を図ることができる。 According to this, by reducing the land on the optical element (light emitting element and light receiving element) side in the concave step formed on the first substrate, the height difference from the land on the optical element side of the signal processing unit is reduced. . As a result, the length of wiring (wire bonding) connecting the land on the optical element side of the first substrate and the land on the optical element side of the signal processing unit can be shortened, so that deterioration of the high-frequency signal can be suppressed and high-speed transmission can be achieved. Is possible. In addition, since the height difference is reduced, the loop height of the wire bonding can be suppressed, so that the height of the optical module can be reduced.
また、前記第1基板の凹段部は、前記外部導波路を第1基板に位置決めするための溝と同時に形成される構成とすることができる。 The concave step of the first substrate may be formed simultaneously with a groove for positioning the external waveguide on the first substrate.
これによれば、第1基板に、外部導波路を位置決めするための溝を形成すると同時に凹段部(溝)も形成できるから、溝形成のためのエッチングプロセスが増加しないので、コストアップにならない。 According to this, since the groove for positioning the external waveguide can be formed on the first substrate at the same time as the concave step (groove) can be formed, the etching process for forming the groove does not increase, so the cost does not increase. .
また、前記第1基板の光素子側のランドは、前記信号処理部の光素子側のランドと略一致する高さである構成とすることができる。 The land on the optical element side of the first substrate may be configured to have a height that substantially coincides with the land on the optical element side of the signal processing unit.
これによれば、第1基板の光素子側のランドと信号処理部の光素子側のランドの高さを略一致させることで、高低差が無くなって直線状にワイヤーボンディングができる。その結果、ワイヤーボンディングのループ分のワイヤー長さをより短くできるので、高周波信号の劣化をより抑えることができる。 According to this, by making the lands on the optical element side of the first substrate substantially coincide with the lands on the optical element side of the signal processing section, there is no difference in height and wire bonding can be performed linearly. As a result, the wire length for the wire bonding loop can be shortened, so that the deterioration of the high-frequency signal can be further suppressed.
また、前記第2基板に、前記信号処理部を他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタが実装されていて、この第2基板の表面に、前記第1基板と前記信号処理部とを落とし込で設置する凹部を形成し、この凹部に落とし込んだ前記信号処理部のコネクタ側のランドは、第2基板の表面のコネクタのランドと略一致する高さである構成とすることができる。 In addition, a connector for electrically connecting the signal processing unit to another circuit device is mounted on the second substrate, and the first substrate, the signal processing unit, and the like are mounted on the surface of the second substrate. And a land on the connector side of the signal processing unit dropped into the recess is substantially the same height as the land of the connector on the surface of the second substrate. .
これによれば、第2基板の凹部に落とし込んだ信号処理部のコネクタ側のランドの高さを、第2基板のコネクタのランドの高さと略一致させることで、高低差が無くなって直線状にワイヤーボンディングができる。その結果、ワイヤーボンディングのループ分のワイヤー長さをより短くできるので、高周波信号の劣化をより抑えることができる。 According to this, the height of the land on the connector side of the signal processing unit dropped into the concave portion of the second board is made to substantially coincide with the height of the land of the connector of the second board, so that the height difference is eliminated and linearized. Wire bonding is possible. As a result, the wire length for the wire bonding loop can be shortened, so that the deterioration of the high-frequency signal can be further suppressed.
また、前記第2基板に、信号処理部を他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタが実装されていて、この第2基板の表面に、前記第1基板を落とし込で設置する凹部を形成し、この凹部に落とし込んだ前記第1基板の光素子側のランドは、第2基板の表面のコネクタ側のランドと略一致する高さであり、前記信号処理部は、前記第1基板の光素子側のランドと第2基板のコネクタのランドとにフリップチップ実装する構成とすることができる。 Further, a connector for electrically connecting the signal processing unit to another circuit device is mounted on the second substrate, and a recess for installing the first substrate by dropping on the surface of the second substrate. And the land on the optical element side of the first substrate dropped into the recess is substantially the same height as the land on the connector side of the surface of the second substrate, and the signal processing unit It is possible to perform flip-chip mounting on the land on the optical element side and the land on the connector of the second substrate.
これによれば、第1基板の光素子側のランドと信号処理部の光素子側のランドとの間、および信号処理部のコネクタ側のランドと第2基板のコネクタ側のランドとの間のワイヤーボンディングを、フリップチップ実装に代えることができる。この結果、配線長をさらに短くすることができる。 According to this, between the land on the optical element side of the first substrate and the land on the optical element side of the signal processing unit, and between the land on the connector side of the signal processing unit and the land on the connector side of the second substrate. Wire bonding can be replaced with flip chip mounting. As a result, the wiring length can be further shortened.
1 第1基板
1a 第1溝
1b 第2溝(溝)
1g 凹段部
2 光ファイバー
4a,4b 信号処理部
4c,4d ランド
4e バンプ
6 第2基板
6b,6c 凹部
7 コネクタ
7a ランド
12a 発光素子(光素子)
12b 受光素子(光素子)
12e ランド
15 ミラー部
16 内部導波路
26,27 ワイヤーボンディング
40 光モジュール
40A 発光側光モジュール
40B 受光側光モジュール
H 高低差
1 1st board |
1g
12b Light receiving element (optical element)
Claims (5)
前記第1基板の表面に、光素子側のランドを、信号処理部の光素子側のランドの方向に低くするための凹段部を形成したことを特徴とする光モジュール。 An optical element that emits light by converting an electrical signal into an optical signal, or a first substrate on which an optical element that converts a received optical signal into an electrical signal is mounted, the optical element on the light emitting side, and the optical element on the light receiving side, An optical waveguide for optically connecting the light emitting side first substrate and the light receiving side first substrate on the surface, and a signal processing unit for transmitting an electric signal to the optical element, or an electric from the optical element In an optical module comprising a second substrate on which a signal processing unit for receiving a signal is mounted,
An optical module, wherein a concave step portion is formed on the surface of the first substrate for lowering the land on the optical element side in the direction of the land on the optical element side of the signal processing unit.
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