JP2012089533A - Light-emitting element, display device, and electronic device - Google Patents
Light-emitting element, display device, and electronic device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012089533A JP2012089533A JP2012024440A JP2012024440A JP2012089533A JP 2012089533 A JP2012089533 A JP 2012089533A JP 2012024440 A JP2012024440 A JP 2012024440A JP 2012024440 A JP2012024440 A JP 2012024440A JP 2012089533 A JP2012089533 A JP 2012089533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting layer
- layer
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 197
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 claims abstract description 47
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 39
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 claims description 14
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 400
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 51
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 27
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 22
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 18
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 9
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C)=CC=C21 HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 2
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical group C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001562 benzopyrans Chemical class 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical group 0.000 description 2
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 12h-benzo[a]thioxanthene Chemical class C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4SC3=CC=C21 YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGVWYBWDUWNAHS-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-2,21-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].C(C)C=1C=2N=C(C1CC)C=C1C(=C(C(=N1)C=C1C(C(=C(N1)C=C1C(=C(C(=N1)C2)CC)CC)CC)CC)CC)CC SGVWYBWDUWNAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004215 2,4-difluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(F)C([H])=C1F 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000000918 Europium Chemical class 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HFOJEFOLXLWMJW-UHFFFAOYSA-N [N+]1(=CC=CC=C1)S(=O)(=O)OC1=CC=C(C=C1F)F Chemical compound [N+]1(=CC=CC=C1)S(=O)(=O)OC1=CC=C(C=C1F)F HFOJEFOLXLWMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004807 desolvation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002378 heptacenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002396 hexacenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBNYWRKRZTXMCU-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 DBNYWRKRZTXMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- CLTPAQDLCMKBIS-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-1-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-1-ylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 CLTPAQDLCMKBIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000004771 selenides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、発光素子、表示装置および電子機器に関するものである。 The present invention relates to a light emitting element, a display device, and an electronic device.
有機エレクトロルミネセンス素子(いわゆる有機EL素子)は、陽極と陰極との間に少なくとも1層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。 An organic electroluminescence element (so-called organic EL element) is a light emitting element having a structure in which at least one light emitting organic layer is interposed between an anode and a cathode. In such a light emitting device, by applying an electric field between the cathode and the anode, electrons are injected into the light emitting layer from the cathode side and holes are injected from the anode side, and electrons and holes are injected into the light emitting layer. Recombination generates excitons, and when the excitons return to the ground state, the energy is emitted as light.
このような発光素子としては、例えば、陰極と陽極との間に、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の3色に対応する3層の発光層を積層し、白色発光させるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。このような白色発光する発光素子は、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の3色が画素ごとに塗り分けられたカラーフィルタと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。 As such a light-emitting element, for example, three light-emitting layers corresponding to three colors of R (red), G (green), and B (blue) are stacked between a cathode and an anode to emit white light. Those are known (for example, see Patent Document 1). Such a light emitting element that emits white light displays a full color image by using a color filter in which three colors of R (red), G (green), and B (blue) are separately applied to each pixel. Can do.
また、特許文献1にかかる発光素子では、発光層同士の間に中間層を設けることで、発光層間での励起子のエネルギーの移動を防止することができる。その際、中間層を電子および正孔がともに移動可能なバイポーラ性を有するものとすることで、電子および正孔に対する中間層の耐性を優れたものとしつつ、各発光層に電子および正孔を注入することができる。これらのことから、各発光層をバランスよく発光させて、白色発光させることができる。
しかしながら、特許文献1にかかる発光素子では、中間層が一般的な正孔輸送材料や電子輸送材料のみで構成されているため、耐久性が低いものとなっていた。これは、バイポーラ性を有する中間層中で電子と正孔が再結合して励起子が生成し、この励起子に対する中間層の耐性が低いことによるものと考えられる。
Moreover, in the light emitting element concerning patent document 1, the transfer of the energy of the exciton between light emitting layers can be prevented by providing an intermediate | middle layer between light emitting layers. At that time, by making the intermediate layer bipolar so that both electrons and holes can move, the intermediate layer has excellent resistance to electrons and holes, and electrons and holes are introduced into each light emitting layer. Can be injected. From these things, each light emitting layer can be light-emitted with sufficient balance, and white light can be emitted.
However, the light emitting device according to Patent Document 1 has low durability because the intermediate layer is composed of only a general hole transport material or electron transport material. This is presumably because electrons and holes are recombined in the bipolar intermediate layer to generate excitons, and the intermediate layer has low resistance to the excitons.
本発明の目的は、発光効率および耐久性(寿命)に優れる発光素子、この発光素子を備えた信頼性の高い表示装置および電子機器を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a light emitting element that is excellent in luminous efficiency and durability (lifetime), and a highly reliable display device and electronic apparatus including the light emitting element.
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、第1の色に発光する第1の発光層と、
前記第1の発光層と前記陰極との間に設けられ、前記第1の色とは異なる第2の色に発光する第2の発光層と、
前記第1の発光層と前記第2の発光層との層間にこれらに接するように設けられ、前記第1の発光層と前記第2の発光層との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する中間層とを有し、
前記中間層は、アセン系材料とアミン系材料とを含んで構成されていることを特徴とする。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The light emitting device of the present invention comprises a cathode,
The anode,
A first light-emitting layer provided between the cathode and the anode and emitting light in a first color;
A second light-emitting layer provided between the first light-emitting layer and the cathode and emitting light in a second color different from the first color;
An exciton energy is transferred between the first light emitting layer and the second light emitting layer so as to be in contact with the first light emitting layer and the second light emitting layer. An intermediate layer having a function of preventing
The intermediate layer includes an acene-based material and an amine-based material.
これにより、中間層が第1の発光層と第2の発光層との間での励起子のエネルギー移動を阻止するため、第1の発光層および第2の発光層をそれぞれ効率よく発光させることができる。その際、アミン系材料(すなわちアミン骨格を有する材料)が正孔輸送性を有するとともに、アセン系材料(すなわちアセン骨格を有する材料)が電子輸送性を有するため、電子および正孔に対する中間層の耐性を優れたものとしつつ、第1の発光層および第2の発光層にそれぞれ電子および正孔を注入して発光させることができる。
特に、アセン系材料は励起子に対する耐性に優れていることから、中間層の励起子による劣化を防止または抑制し、発光素子の耐久性を優れたものとすることができる。
Thereby, since the intermediate layer prevents the energy transfer of excitons between the first light emitting layer and the second light emitting layer, each of the first light emitting layer and the second light emitting layer can emit light efficiently. Can do. At that time, the amine-based material (that is, the material having an amine skeleton) has a hole transporting property, and the acene-based material (that is, the material having an acene skeleton) has an electron-transporting property. While making the resistance excellent, it is possible to emit light by injecting electrons and holes into the first light-emitting layer and the second light-emitting layer, respectively.
In particular, since the acene-based material has excellent resistance to excitons, deterioration of the intermediate layer due to excitons can be prevented or suppressed, and the durability of the light-emitting element can be improved.
本発明の発光素子では、前記アセン系材料の電子移動度は、前記アミン系材料の電子移動度よりも高いことが好ましい。
アセン系材料は、一般に、電子輸送性に優れている。したがって、第2の発光層から中間層を介して第1の発光層へ電子を円滑に受け渡すことができる。
本発明の発光素子では、前記アミン系材料の正孔移動度は、前記アセン系材料の正孔移動度よりも高いことが好ましい。
アミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れている。したがって、第1の発光層から中間層を介して第2の発光層へ正孔を円滑に受け渡すことができる。
In the light emitting device of the present invention, the electron mobility of the acene material is preferably higher than the electron mobility of the amine material.
Acene-based materials are generally excellent in electron transport properties. Therefore, electrons can be smoothly transferred from the second light emitting layer to the first light emitting layer through the intermediate layer.
In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the hole mobility of the amine material is higher than the hole mobility of the acene material.
Amine-based materials are generally excellent in hole transportability. Therefore, holes can be smoothly transferred from the first light emitting layer to the second light emitting layer through the intermediate layer.
本発明の発光素子では、前記アセン系材料は、アントラセン誘導体であることが好ましい。
これにより、アセン系材料(ひいては中間層)の電子輸送性を優れたものとしつつ、励起子に対する耐性を高め、均質な中間層の形成を容易なものとすることができる。
本発明の発光素子では、前記アントラセン誘導体は、アントラセン骨格の9位および10位のそれぞれにナフチル基が導入されたものであることが好ましい。
これにより、より確実に、アセン系材料(ひいては中間層)の電子輸送性を優れたものとしつつ、励起子に対する耐性を高め、均質な中間層の形成を容易なものとすることができる。
In the light emitting device of the present invention, the acene material is preferably an anthracene derivative.
As a result, the electron transport property of the acene-based material (and thus the intermediate layer) can be improved, the resistance to excitons can be increased, and the formation of a homogeneous intermediate layer can be facilitated.
In the light-emitting device of the present invention, the anthracene derivative is preferably one in which a naphthyl group is introduced at each of the 9th and 10th positions of the anthracene skeleton.
As a result, the electron transport property of the acene-based material (and thus the intermediate layer) can be more reliably improved, the resistance to excitons can be increased, and the formation of a homogeneous intermediate layer can be facilitated.
本発明の発光素子では、前記中間層の平均厚さは、1〜100nmであることが好ましい。
これにより、駆動電圧を抑えつつ、中間層が第1の発光層と第2の発光層との間での励起子のエネルギー移動をより確実に阻止することができる。
本発明の発光素子では、前記中間層中におけるアセン系材料の含有量をA[wt%]とし、前記中間層中におけるアミン系材料の含有量をB[wt%]としたときに、B/(A+B)は、0.1〜0.9であることが好ましい。
これにより、より確実に、キャリアや励起子に対する中間層の耐性を優れたものとしつつ、第1の発光層および第2の発光層にそれぞれ電子および正孔を注入して発光させることができる。
In the light emitting device of the present invention, the average thickness of the intermediate layer is preferably 1 to 100 nm.
Thereby, the intermediate layer can more reliably prevent exciton energy transfer between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer while suppressing the driving voltage.
In the light emitting device of the present invention, when the content of the acene-based material in the intermediate layer is A [wt%] and the content of the amine-based material in the intermediate layer is B [wt%], B / (A + B) is preferably 0.1 to 0.9.
Thereby, it is possible to emit light by injecting electrons and holes into the first light-emitting layer and the second light-emitting layer, respectively, more reliably while making the intermediate layer more resistant to carriers and excitons.
本発明の発光素子では、前記第1の発光層と前記陽極との間、または、前記第2の発光層と前記陰極との間に設けられ、前記第1の色および前記第2の色とは異なる第3の色に発光する第3の発光層を有することが好ましい。
これにより、例えば、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)を発光させて、白色発光する発光素子を実現することができる。
In the light emitting device of the present invention, the first color and the second color are provided between the first light emitting layer and the anode or between the second light emitting layer and the cathode. Preferably has a third light-emitting layer that emits light of a different third color.
Thus, for example, a light emitting element that emits white light by emitting R (red), G (green), and B (blue) can be realized.
本発明の発光素子では、前記第1の発光層は、前記第1の色として赤色に発光する赤色発光層であることが好ましい。
赤色の発光材料はバンドギャップが比較的小さく発光しやすい。したがって、陽極側に設けられた第1の発光層を赤色の発光層とすることで、バンドギャップが広く発光し難い色の発光層を陰極側の第2の発光層や第3の発光層とし、第1の発光層と第2の発光層と第3の発光層とをバランスよく発光させることができる。
In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the first light emitting layer is a red light emitting layer that emits red light as the first color.
The red light emitting material has a relatively small band gap and easily emits light. Therefore, the first light-emitting layer provided on the anode side is a red light-emitting layer, and the light-emitting layer having a wide band gap and difficult to emit light is used as the second light-emitting layer or the third light-emitting layer on the cathode side. The first light-emitting layer, the second light-emitting layer, and the third light-emitting layer can emit light with a good balance.
本発明の発光素子では、前記第3の発光層は、前記第2の発光層と前記陰極との間に設けられ、前記第3の色として緑色に発光する緑色発光層であり、前記第2の発光層は、前記第2の色として青色に発光する青色発光層であることが好ましい。
これにより、比較的簡単に、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)をバランスよく発光させて、白色発光させることができる。
In the light-emitting element of the present invention, the third light-emitting layer is a green light-emitting layer that is provided between the second light-emitting layer and the cathode and emits green as the third color. The light emitting layer is preferably a blue light emitting layer that emits blue light as the second color.
Thereby, it is possible to emit R (red), G (green), and B (blue) in a balanced manner and emit white light relatively easily.
本発明の発光素子では、前記第3の発光層は、前記第1の発光層と前記陽極との間に設けられ、前記第3の色として青色に発光する青色発光層であり、前記第2の発光層は、前記第2の色として緑色に発光する緑色発光層であることが好ましい。
これにより、比較的簡単に、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)をバランスよく発光させて、白色発光させることができる。
In the light emitting device of the present invention, the third light emitting layer is a blue light emitting layer that is provided between the first light emitting layer and the anode, and emits blue as the third color, and the second light emitting layer. The light emitting layer is preferably a green light emitting layer that emits green light as the second color.
Thereby, it is possible to emit R (red), G (green), and B (blue) in a balanced manner and emit white light relatively easily.
本発明の表示装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器を提供することができる。
The display device of the present invention includes the light emitting element of the present invention.
Thereby, a display device having excellent reliability can be provided.
An electronic apparatus according to the present invention includes the display device according to the present invention.
Thereby, an electronic device having excellent reliability can be provided.
以下、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の発光素子の第1実施形態の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図1中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a light-emitting element, a display device, and an electronic device according to the invention will be described with reference to the accompanying drawings.
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram schematically showing a longitudinal section of a first embodiment of a light emitting device of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 1 will be described as “upper” and the lower side as “lower”.
図1に示す発光素子(エレクトロルミネッセンス素子)1は、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)を発光させて、白色発光するものである。
このような発光素子1は、陽極3と正孔注入層4と正孔輸送層5と赤色発光層(第1の発光層)6と中間層7と青色発光層(第2の発光層)8と緑色発光層(第3の発光層)9と電子輸送層10と電子注入層11と陰極12とがこの順に積層されてなるものである。
A light-emitting element (electroluminescence element) 1 shown in FIG. 1 emits white light by emitting R (red), G (green), and B (blue).
Such a light emitting device 1 includes an
言い換えすれば、発光素子1は、正孔注入層4と正孔輸送層5と赤色発光層6と中間層7と青色発光層8と緑色発光層9と電子輸送層10と電子注入層11と陰極12とがこの順に積層で積層された積層体15が2つの電極間(陽極3と陰極12との間)に介挿されて構成されている。
そして、発光素子1は、その全体が基板2上に設けられるとともに、封止部材13で封止されている。
In other words, the light emitting device 1 includes the
The entire light emitting element 1 is provided on the
このような発光素子1にあっては、赤色発光層6、青色発光層8、および緑色発光層9の各発光層に対し、陰極12側から電子が供給(注入)されるとともに、陽極3側から正孔が供給(注入)される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン(励起子)が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー(蛍光やりん光)を放出(発光)する。これにより、発光素子1は、白色発光する。
In such a light emitting element 1, electrons are supplied (injected) from the
基板2は、陽極3を支持するものである。本実施形態の発光素子1は、基板2側から光を取り出す構成(ボトムエミッション型)であるため、基板2および陽極3は、それぞれ、実質的に透明(無色透明、着色透明または半透明)とされている。
基板2の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
The
Examples of the constituent material of the
このような基板2の平均厚さは、特に限定されないが、0.1〜30mm程度であるのが好ましく、0.1〜10mm程度であるのがより好ましい。
なお、発光素子1が基板2と反対側から光を取り出す構成(トップエミッション型)の場合、基板2には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜(絶縁膜)を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
Although the average thickness of such a board |
In the case where the light emitting element 1 is configured to extract light from the side opposite to the substrate 2 (top emission type), the
Examples of the opaque substrate include a substrate made of a ceramic material such as alumina, an oxide film (insulating film) formed on the surface of a metal substrate such as stainless steel, and a substrate made of a resin material. It is done.
以下、発光素子1を構成する各部を順次説明する。
(陽極)
陽極3は、後述する正孔注入層4を介して正孔輸送層5に正孔を注入する電極である。この陽極3の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
Hereinafter, each part which comprises the light emitting element 1 is demonstrated sequentially.
(anode)
The
陽極3の構成材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnO等の酸化物、Au、Pt、Ag、Cuまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極3の平均厚さは、特に限定されないが、10〜200nm程度であるのが好ましく、50〜150nm程度であるのがより好ましい。
Examples of the constituent material of the
The average thickness of the
(陰極)
一方、陰極12は、後述する電子注入層11を介して電子輸送層10に電子を注入する電極である。この陰極12の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極12の構成材料としては、例えば、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rbまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば、複数層の積層体等)用いることができる。
(cathode)
On the other hand, the
Examples of the constituent material of the
特に、陰極12の構成材料として合金を用いる場合には、Ag、Al、Cu等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、MgAg、AlLi、CuLi等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極12の構成材料として用いることにより、陰極12の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極12の平均厚さは、特に限定されないが、100〜10000nm程度であるのが好ましく、200〜500nm程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の発光素子1は、ボトムエミッション型であるため、陰極12に、光透過性は、特に要求されない。
In particular, when an alloy is used as the constituent material of the
Although the average thickness of such a
In addition, since the light emitting element 1 of this embodiment is a bottom emission type, the
(正孔注入層)
正孔注入層4は、陽極3からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
この正孔注入層4の構成材料(正孔注入材料)としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンや、4,4’,4’’−トリス(N,N−フェニル−3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)等が挙げられる。
このような正孔注入層4の平均厚さは、特に限定されないが、5〜150nm程度であるのが好ましく、10〜100nm程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔注入層4は、省略することができる。
(Hole injection layer)
The
The constituent material (hole injection material) of the
The average thickness of the
The
(正孔輸送層)
正孔輸送層5は、陽極3から正孔注入層4を介して注入された正孔を赤色発光層6まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層5の構成材料には、各種p型の高分子材料や、各種p型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
このような正孔輸送層5の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nm程度であるのが好ましく、10〜100nm程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔輸送層5は、省略することができる。
(Hole transport layer)
The
As the constituent material of the
The average thickness of the
The
(赤色発光層)
この赤色発光層(第1の発光層)6は、赤色(第1の色)に発光する赤色発光材料を含んで構成されている。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
(Red light emitting layer)
The red light emitting layer (first light emitting layer) 6 includes a red light emitting material that emits red light (first color).
Such a red light emitting material is not particularly limited, and various red fluorescent materials and red phosphorescent materials can be used singly or in combination.
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、2−(1,1−ジメチルエチル)−6−(2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ(ij)キノリジン−9−イル)エテニル)−4H−ピラン−4H−イリデン)プロパンジニトリル(DCJTB)、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)等を挙げられる。 The red fluorescent material is not particularly limited as long as it emits red fluorescence. For example, perylene derivatives, europium complexes, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, porphyrin derivatives, Nile red, 2- (1, 1-dimethylethyl) -6- (2- (2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H, 5H-benzo (ij) quinolidin-9-yl) ethenyl)- 4H-pyran-4H-ylidene) propanedinitrile (DCJTB), 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM) and the like.
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも1つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジネート−N,C3’]イリジウム(アセチルアセトネート)(btp2Ir(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−12H,23H−ポルフィリン−白金(II)、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジネート−N,C3’]イリジウム、ビス(2−フェニルピリジン)イリジウム(アセチルアセトネート)が挙げられる。 The red phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits red phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. Among the ligands of these metal complexes, And those having at least one of phenylpyridine skeleton, bipyridyl skeleton, porphyrin skeleton and the like. More specifically, tris (1-phenylisoquinoline) iridium, bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl) pyridinate-N, C 3 ′] iridium (acetylacetonate) (btp2Ir ( acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-12H, 23H-porphyrin-platinum (II), bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl ) Pyridinate-N, C 3 '] iridium, bis (2-phenylpyridine) iridium (acetylacetonate).
また、赤色発光層6の構成材料としては、前述したような赤色発光材料に加えて、この赤色発光材料をゲスト材料とするホスト材料を用いることができる。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動(フェルスター移動またはデクスター移動)させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。 As a constituent material of the red light emitting layer 6, in addition to the red light emitting material as described above, a host material using the red light emitting material as a guest material can be used. This host material recombines holes and electrons to generate excitons, and excites the red light-emitting material by transferring the exciton energy to the red light-emitting material (Felster movement or Dexter movement). It has a function. In the case of using such a host material, for example, a red light-emitting material that is a guest material can be used as a dopant by doping the host material.
このようなホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、ナフタセン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq3)等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの4量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、ホスト材料としては、例えば、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニルカルバゾール、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル(CBP)等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。
Such a host material is not particularly limited as long as it exhibits the functions described above for the red light emitting material to be used. For example, when the red light emitting material contains a red fluorescent material, for example, a distyrylarylene derivative , Naphthacene derivatives, perylene derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylamine derivatives, quinolinolato metal complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ), triarylamine derivatives such as tetramers of triphenylamine, Oxadiazole derivatives, silole derivatives, dicarbazole derivatives, oligothiophene derivatives, benzopyran derivatives, triazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives, 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) biphenyl ( DPV Bi) etc. are mentioned, Among these, it can also be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
When the red light emitting material includes a red phosphorescent material, examples of the host material include 3-phenyl-4- (1′-naphthyl) -5-phenylcarbazole, 4,4′-N, N′-dicarbazole. Examples thereof include carbazole derivatives such as biphenyl (CBP), and one of these can be used alone or in combination of two or more.
前述したような赤色発光材料(ゲスト材料)およびホスト材料を用いる場合、赤色発光層6中における赤色発光材料の含有量(ドープ量)は、0.01〜10wt%であるのが好ましく、0.1〜5wt%であるのよりに好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、後述する青色発光層8や緑色発光層9の発光量とのバランスをとりつつ赤色発光層6を発光させることができる。
また、前述したような赤色の発光材料はバンドギャップが比較的小さく、正孔や電子を捕獲しやすく、発光しやすい。したがって、陽極3側に赤色発光層を設けることで、バンドギャップが大きく発光し難い青色発光層8や緑色発光層9を陰極側とし、各発光層をバランスよく発光させることができる。
When the red light emitting material (guest material) and the host material as described above are used, the content (dope amount) of the red light emitting material in the red light emitting layer 6 is preferably 0.01 to 10 wt%. It is more preferable that it is 1 to 5 wt%. By setting the content of the red light emitting material within such a range, the light emission efficiency can be optimized, and the red light emitting layer is balanced with the light emitting amount of the blue light emitting layer 8 and the green
In addition, the red light-emitting material as described above has a relatively small band gap, easily captures holes and electrons, and easily emits light. Therefore, by providing the red light emitting layer on the
(中間層)
この中間層7は、前述した赤色発光層6と後述する青色発光層8との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層7は、赤色発光層6と青色発光層8との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する。この機能により、赤色発光層6および青色発光層8をそれぞれ効率よく発光させることができる。
特に、中間層7は、アセン系材料とアミン系材料とを含んで構成されている。
(Middle layer)
The
In particular, the
アミン系材料(すなわちアミン骨格を有する材料)は正孔輸送性を有し、また、アセン系材料(すなわちアセン骨格を有する材料)は電子輸送性を有する。これにより、中間層7は、電子輸送性および正孔輸送性を有する。すなわち、中間層7は、バイポーラ性を有する。このように中間層7がバイポーラ性を有すると、赤色発光層6から中間層7を介して青色発光層8へ正孔を円滑に受け渡すとともに、青色発光層8から中間層7を介して赤色発光層6へ電子を円滑に受け渡すことができる。その結果、赤色発光層6および青色発光層8にそれぞれ電子および正孔を効率的に注入して発光させることができる。
An amine-based material (that is, a material having an amine skeleton) has a hole transporting property, and an acene-based material (that is, a material having an acene skeleton) has an electron-transporting property. Thereby, the
また、このような中間層7は、バイポーラ性を有するため、キャリア(電子、正孔)に対する耐性に優れている。その上、アセン系材料が励起子に対する耐性に優れていることから、中間層7中で電子と正孔が再結合して励起子が生成しても、中間層7の劣化を防止または抑制することができる。これにより、中間層7の励起子による劣化を防止または抑制し、その結果、発光素子1の耐久性を優れたものとすることができる。
In addition, since the
このような中間層7に用いられるアミン系材料としては、アミン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有する材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。
特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層7に用いられるアミン系材料としては、2つ以上のナフチル基を導入したものが好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、下記化1で表されるようなN,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(α−NPD)や、下記化2で表されるようなN,N,N’,N’−テトラナフチル−ベンジジン(TNB)などが挙げられる。
The amine-based material used for such an
In particular, among the benzidine-based amine derivatives, the amine-based material used for the
このようなアミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れており、アミン系材料の正孔移動度は、後述するアセン系材料の正孔移動度よりも高い。したがって、赤色発光層6から中間層7を介して青色発光層8へ正孔を円滑に受け渡すことができる。
このような中間層7中におけるアミン系材料の含有量は、特に限定されないが、10〜90wt%であるのが好ましく、30〜70wt%であるのがより好ましく、40〜60wt%であるのがさらに好ましい。
Such amine-based materials are generally excellent in hole transport properties, and the hole mobility of amine-based materials is higher than the hole mobility of acene-based materials described later. Therefore, holes can be smoothly transferred from the red light emitting layer 6 to the blue light emitting layer 8 through the
The content of the amine-based material in the
一方、中間層7に用いられるアセン系材料としては、アセン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ヘキサセン誘導体、ヘプタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができるが、アントラセン誘導体を用いるのが好ましい。
On the other hand, the acene-based material used for the
アントラセン誘導体は、優れた電子輸送性を有しながらも、気相成膜法により簡単に成膜することができる。したがって、アセン系材料としてアントラセン誘導体を用いることにより、アセン系材料(ひいては中間層7)の電子輸送性を優れたものとしつつ、均質な中間層7の形成を容易なものとすることができる。
特に、アントラセン誘導体のなかでも、中間層7に用いられるアセン系材料としては、アントラセン骨格の9位および10位のそれぞれにナフチル基が導入されたものが好ましい。これにより、前述した効果が顕著となる。このようなアントラセン誘導体としては、例えば、下記化3で表されるような9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(ADN)や、下記化4で表されるような2−t−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(TBADN)、下記化5で表されるような2−メチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(MADN)などが挙げられる。
Anthracene derivatives can be easily formed by a vapor deposition method while having excellent electron transport properties. Therefore, by using an anthracene derivative as the acene-based material, it is possible to easily form the homogeneous
In particular, among the anthracene derivatives, the acene-based material used for the
このようなアセン系材料は、一般に、電子輸送性に優れており、アセン系材料の電子移動度は、前述したアミン系材料の電子移動度よりも高い。したがって、青色発光層8から中間層7を介して赤色発光層6へ電子を円滑に受け渡すことができる。
このような中間層7中におけるアセン系材料の含有量は、特に限定されないが、10〜90wt%であるのが好ましく、30〜70wt%であるのがより好ましく、40〜60wt%であるのがさらに好ましい。
Such an acene-based material is generally excellent in electron transport properties, and the electron mobility of the acene-based material is higher than that of the amine-based material described above. Therefore, electrons can be smoothly transferred from the blue light emitting layer 8 to the red light emitting layer 6 through the
The content of the acene-based material in the
また、中間層7中におけるアセン系材料の含有量をA[wt%]とし、中間層7中におけるアミン系材料の含有量をB[wt%]としたときに、B/(A+B)は、0.1〜0.9であるのが好ましく、0.3〜0.7であるのがより好ましく、0.4〜0.6であるのがさらに好ましい。これにより、より確実に、キャリアや励起子に対する中間層7の耐性を優れたものとしつつ、赤色発光層6および青色発光層8にそれぞれ電子および正孔を注入して発光させることができる。
また、中間層7の平均厚さは、特に限定されないが、1〜100nmであるのが好ましく、3〜50nmであるのがより好ましく、5〜30nmであるのがさらに好ましい。これにより、駆動電圧を抑えつつ、中間層7が赤色発光層6と青色発光層8との間での励起子のエネルギー移動をより確実に阻止することができる。
Further, when the content of the acene-based material in the
Moreover, although the average thickness of the intermediate |
これに対し、中間層7の平均厚さが前記上限値を超えると、中間層7の構成材料等によっては、駆動電圧が著しく高くなったり、発光素子1の発光(特に白色発光)が難しくなったりする場合がある。一方、中間層7の平均厚さが前記下限値未満であると、中間層7の構成材料や駆動電圧等によっては、中間層7が赤色発光層6と青色発光層8との間での励起子によるエネルギー移動を防止または抑制するのが難しく、また、キャリアや励起子に対する中間層7の耐が低下する傾向を示す。
On the other hand, when the average thickness of the
(青色発光層)
青色発光層(第2の発光層)8は、青色(第2の色)に発光する青色発光材料を含んで構成されている。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
(Blue light emitting layer)
The blue light emitting layer (second light emitting layer) 8 includes a blue light emitting material that emits blue light (second color).
Such a blue light emitting material is not particularly limited, and various blue fluorescent materials and blue phosphorescent materials can be used alone or in combination of two or more.
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリル誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、4,4’−ビス(9−エチル−3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル(BCzVBi)、ポリ[(9.9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(2,5−ジメトキシベンゼン−1,4−ジイル)]、ポリ[(9,9−ジヘキシルオキシフルオレン−2,7−ジイル)−オルト−コ−(2−メトキシ−5−{2−エトキシヘキシルオキシ}フェニレン−1,4−ジイル)]、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(エチルニルベンゼン)]等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。 The blue fluorescent material is not particularly limited as long as it emits blue fluorescence. For example, distyryl derivatives, fluoranthene derivatives, pyrene derivatives, perylene and perylene derivatives, anthracene derivatives, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, benzimidazoles Derivatives, chrysene derivatives, phenanthrene derivatives, distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene, 4,4′-bis (9-ethyl-3-carbazovinylene) -1,1′-biphenyl (BCzVBi), poly [(9.9- Dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (2,5-dimethoxybenzene-1,4-diyl)], poly [(9,9-dihexyloxyfluorene-2,7-diyl) -ortho-co- (2-methoxy-5- {2-ethoxyhexylo Si} phenylene-1,4-diyl)]], poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (ethylnylbenzene)] and the like, and one of these may be used alone. Alternatively, two or more kinds can be used in combination.
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス[4,6−ジフルオロフェニルピリジネート−N,C2’]−ピコリネート−イリジウム、トリス[2−(2,4−ジフルオロフェニル)ピリジネート−N,C2’]イリジウム、ビス[2−(3,5−トリフルオロメチル)ピリジネート−N,C2’]−ピコリネート−イリジウム、ビス(4,6−ジフルオロフェニルピリジネート−N,C2’)イリジウム(アセチルアセトネート)が挙げられる。
また、青色発光層8の構成材料としては、赤色発光層6と同様に、前述したような青色発光材料に加えて、この青色発光材料をゲスト材料するホスト材料を用いることができる。
The blue phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits blue phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. More specifically, bis [4,6-difluorophenyl pyridinium sulfonate -N, C 2 '] - picolinate - iridium, tris [2- (2,4-difluorophenyl) pyridinate -N, C 2'] iridium , bis [2- (3,5-trifluoromethyl) pyridinate -N, C 2 '] - picolinate - iridium, bis (4,6-difluorophenyl pyridinium sulfonate -N, C 2') iridium (acetylacetonate ).
As a constituent material of the blue light emitting layer 8, in addition to the blue light emitting material as described above, a host material that uses this blue light emitting material as a guest material can be used in the same manner as the red light emitting layer 6.
(緑色発光層)
緑色発光層(第3の発光層)9は、緑色(第3の色)に発光する緑色発光材料を含んで構成されている。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
(Green light emitting layer)
The green light emitting layer (third light emitting layer) 9 includes a green light emitting material that emits green light (third color).
Such a green light emitting material is not particularly limited, and various green fluorescent materials and green phosphorescent materials can be used singly or in combination.
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、9,10−ビス[(9−エチル−3−カルバゾール)−ビニレニル]−アントラセン、ポリ(9,9−ジヘキシル−2,7−ビニレンフルオレニレン)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(1,4−ジフェニレン−ビニレン−2−メトキシ−5−{2−エチルヘキシルオキシ}ベンゼン)]、ポリ[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−オルト−コ−(2−メトキシ−5−(2−エトキシルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン)]等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。 The green fluorescent material is not particularly limited as long as it emits green fluorescence. For example, coumarin derivatives, quinacridone derivatives, 9,10-bis [(9-ethyl-3-carbazole) -vinylenyl] -anthracene, poly (9,9-dihexyl-2,7-vinylenefluorenylene), poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (1,4-diphenylene-vinylene-2-methoxy-5) -{2-ethylhexyloxy} benzene)], poly [(9,9-dioctyl-2,7-divinylenefluorenylene) -ortho-co- (2-methoxy-5- (2-ethoxyhexyloxy)- 1,4-phenylene)] and the like, and one of these may be used alone or two or more of them may be used in combination.
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも1つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジネート−N,C2’)イリジウム(アセチルアセトネート)、ファク−トリス[5−フルオロ−2−(5−トリフルオロメチル−2−ピリジン)フェニル−C,N]イリジウムが挙げられる。
また、緑色発光層9の構成材料としては、赤色発光層6と同様に、前述したような緑色発光材料に加えて、この緑色発光材料をゲスト材料するホスト材料を用いることができる。
The green phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits green phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. Among these, at least one of the ligands of these metal complexes preferably has a phenylpyridine skeleton, a bipyridyl skeleton, a porphyrin skeleton, or the like. More specifically, fac-tris (2-phenylpyridine) iridium (Ir (ppy) 3), bis (2-phenylpyridinate-N, C2 ′) iridium (acetylacetonate), fac-tris [5 -Fluoro-2- (5-trifluoromethyl-2-pyridine) phenyl-C, N] iridium.
Further, as the constituent material of the green
(電子輸送層)
電子輸送層10は、陰極12から電子注入層11を介して注入された電子を緑色発光層9に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層10の構成材料(電子輸送材料)としては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)等の8−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
電子輸送層10の平均厚さは、特に限定されないが、0.5〜100nm程度であるのが好ましく、1〜50nm程度であるのがより好ましい。
(Electron transport layer)
The
As a constituent material (electron transport material) of the
Although the average thickness of the
(電子注入層)
電子注入層11は、陰極12からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層11の構成材料(電子注入材料)としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
(Electron injection layer)
The
Examples of the constituent material (electron injection material) of the
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド(酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物)、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物(アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等)は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層11を構成することにより、発光素子1は、高い輝度が得られるものとなる。
Examples of such inorganic insulating materials include alkali metal chalcogenides (oxides, sulfides, selenides, tellurides), alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides. Of these, one or two or more of these can be used in combination. By forming the electron injection layer using these as main materials, the electron injection property can be further improved. In particular, alkali metal compounds (alkali metal chalcogenides, alkali metal halides, and the like) have a very small work function, and the light-emitting element 1 can have high luminance by forming the
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Li2O、LiO、Na2S、Na2Se、NaO等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、BeF2等が挙げられる。
Examples of the alkali metal chalcogenide include Li 2 O, LiO, Na 2 S, Na 2 Se, and NaO.
Examples of the alkaline earth metal chalcogenide include CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, MgO, and CaSe.
Examples of the alkali metal halide include CsF, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, and NaCl.
Examples of the alkaline earth metal halide include CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 , and BeF 2 .
また、無機半導体材料としては、例えば、Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Cd、Mg、Si、Ta、SbおよびZnのうちの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層11の平均厚さは、特に限定されないが、0.1〜1000nm程度であるのが好ましく、0.2〜100nm程度であるのがより好ましく、0.2〜50nm程度であるのがさらに好ましい。
In addition, as the inorganic semiconductor material, for example, an oxide including at least one element of Li, Na, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn , Nitrides, oxynitrides, and the like, and one or more of these can be used in combination.
The average thickness of the
(封止部材)
封止部材13は、陽極3、積層体15、および陰極12を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材13を設けることにより、発光素子1の信頼性の向上や、変質・劣化の防止(耐久性向上)等の効果が得られる。
(Sealing member)
The sealing
封止部材13の構成材料としては、例えば、Al、Au、Cr、Nb、Ta、Tiまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材13の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材13と陽極3、積層体15、および陰極12との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
また、封止部材13は、平板状として、基板2と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。
Examples of the constituent material of the sealing
Further, the sealing
以上のように構成された発光素子1によれば、アセン系材料とアミン系材料とを含んで構成された中間層7が赤色発光層6と青色発光層8との間での励起子のエネルギー移動を阻止するため、赤色発光層6および青色発光層8をそれぞれ効率よく発光させることができる。その際、アミン系材料(すなわちアミン骨格を有する材料)が正孔輸送性を有するとともに、アセン系材料(すなわちアセン骨格を有する材料)が電子輸送性を有するため、電子および正孔に対する中間層7の耐性を優れたものとしつつ、赤色発光層6および青色発光層8にそれぞれ電子および正孔を注入して発光させることができる。
According to the light-emitting element 1 configured as described above, the
特に、アセン系材料は励起子に対する耐性に優れていることから、中間層7の励起子による劣化を防止または抑制し、発光素子1の耐久性を優れたものとすることができる。
また、本実施形態では、陽極3側から陰極12側へ、赤色発光層6、中間層7、青色発光層8、緑色発光層9の順に設けることで、比較的簡単に、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)をバランスよく発光させて、白色発光させることができる。
In particular, since the acene-based material is excellent in exciton resistance, deterioration of the
In this embodiment, the red light emitting layer 6, the
以上のような発光素子1は、例えば、次のようにして製造することができる。
[1] まず、基板2を用意し、この基板2上に陽極3を形成する。
陽極3は、例えば、プラズマCVD、熱CVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
The above light emitting element 1 can be manufactured as follows, for example.
[1] First, the
The
[2] 次に、陽極3上に正孔注入層4を形成する。
正孔注入層4は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔注入層4は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極3上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[2] Next, the
The
In addition, the
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層4を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
As a method for supplying the hole injection layer forming material, for example, various coating methods such as a spin coating method, a roll coating method, and an ink jet printing method can be used. By using such a coating method, the
Examples of the solvent or dispersion medium used for the preparation of the hole injection layer forming material include various inorganic solvents, various organic solvents, or mixed solvents containing these.
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
また、本工程に先立って、陽極3の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極3の上面を親液性を付与すること、陽極3の上面に付着する有機物を除去(洗浄)すること、陽極3の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー100〜800W程度、酸素ガス流量50〜100mL/min程度、被処理部材(陽極3)の搬送速度0.5〜10mm/sec程度、基板2の温度70〜90℃程度とするのが好ましい。
The drying can be performed, for example, by standing in an atmospheric pressure or a reduced pressure atmosphere, heat treatment, or blowing an inert gas.
Prior to this step, the upper surface of the
Here, the oxygen plasma treatment conditions include, for example, a plasma power of about 100 to 800 W, an oxygen gas flow rate of about 50 to 100 mL / min, a conveyance speed of the member to be treated (anode 3) of about 0.5 to 10 mm / sec, and a substrate. The temperature of 2 is preferably about 70 to 90 ° C.
[3] 次に、正孔注入層4上に正孔輸送層5を形成する。
正孔輸送層5は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層4上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[3] Next, the
The
Further, by supplying a hole transport layer forming material obtained by dissolving a hole transport material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the
[4] 次に、正孔輸送層5上に、赤色発光層6を形成する。
赤色発光層6は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[5] 次に、赤色発光層6上に、中間層7を形成する。
中間層7は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[4] Next, the red light emitting layer 6 is formed on the
The red light emitting layer 6 can be formed by a vapor phase process using, for example, a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
[5] Next, the
The
[6] 次に、中間層7上に、青色発光層8を形成する。
青色発光層8は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[7] 次に、青色発光層8上に、緑色発光層9を形成する。
緑色発光層9は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[6] Next, the blue light emitting layer 8 is formed on the
The blue light emitting layer 8 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering.
[7] Next, the green
The green
[8] 次に、緑色発光層9上に電子輸送層10を形成する。
電子輸送層10は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層10は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、緑色発光層9上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[8] Next, the
The
Further, the
[9] 次に、電子輸送層10上に、電子注入層11を形成する。
電子注入層11の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層11は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
[10] 次に、電子注入層11上に、陰極12を形成する。
陰極12は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子1が得られる。
最後に、得られた発光素子1を覆うように封止部材13を被せ、基板2に接合する。
[9] Next, the
When an inorganic material is used as the constituent material of the
[10] Next, the
The
The light emitting element 1 is obtained through the steps as described above.
Finally, the sealing
<第2実施形態>
図2は、本発明の発光素子の第2実施形態の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図2中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
本実施形態にかかる発光素子1Aは、各発光層および中間層の積層順が異なる以外は、前述した第1実施形態の発光素子1と同様である。
<Second Embodiment>
FIG. 2 is a view schematically showing a longitudinal section of a second embodiment of the light emitting device of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 2 will be described as “upper” and the lower side as “lower”.
The light emitting device 1A according to the present embodiment is the same as the light emitting device 1 of the first embodiment described above except that the stacking order of each light emitting layer and the intermediate layer is different.
すなわち、図2に示す発光素子1Aは、基板2上に、陽極3と正孔注入層4と正孔輸送層5と青色発光層(第3の発光層)8と赤色発光層(第1の発光層)6と中間層7と緑色発光層(第2の発光層)9と電子輸送層10と電子注入層11と陰極12とがこの順に積層され、これらが封止部材13で封止されている。
言い換えすれば、発光素子1は、陽極3と陰極12との間に、正孔注入層4と正孔輸送層5と青色発光層8と赤色発光層6と中間層7と緑色発光層9と電子輸送層10と電子注入層11とがこの順で陽極3側から陰極12側へ積層された積層体15Aが介挿され、これらが基板2上に設けられているとともに封止部材13で封止されている。
That is, the light emitting element 1A shown in FIG. 2 includes an
In other words, the light-emitting element 1 includes a
以上のような構成を有する発光素子1Aによっても、前述した第1実施形態の発光素子1と同様の効果を発揮することができる。
特に、本実施形態では、陽極3側から陰極12側へ、青色発光層8、赤色発光層6、中間層7、緑色発光層9の順に設けることで、比較的簡単に、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)をバランスよく発光させて、白色発光させることができる。
Even with the light emitting element 1A having the above-described configuration, the same effects as those of the light emitting element 1 of the first embodiment described above can be exhibited.
In particular, in this embodiment, by providing the blue light emitting layer 8, the red light emitting layer 6, the
以上説明したような発光素子1や発光素子1Aは、例えば光源等として使用することができる。また、複数の発光素子1や発光素子1Aをマトリックス状に配置することにより、ディスプレイ装置(本発明の表示装置)を構成することができる。
なお、ディスプレイ装置の駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
The light emitting element 1 and the light emitting element 1A as described above can be used as a light source, for example. Moreover, a display apparatus (display apparatus of the present invention) can be configured by arranging a plurality of light emitting elements 1 and light emitting elements 1A in a matrix.
The driving method of the display device is not particularly limited, and may be either an active matrix method or a passive matrix method.
次に、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の一例について説明する。
図3は、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
図3に示すディスプレイ装置100は、基板21と、サブ画素100R、100G、100Bに対応して設けられた複数の発光素子1R、1G、1Bおよびカラーフィルタ19R、19G、10Bと、各発光素子1R、1G、1Bをそれぞれ駆動するための複数の駆動用トランジスタ24とを有している。ここで、ディスプレイ装置100は、トップエミッション構造のディスプレイパネルである。
Next, an example of a display device to which the display device of the present invention is applied will be described.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a display device to which the display device of the present invention is applied.
The
基板21上には、複数の駆動用トランジスタ24が設けられ、これらの駆動用トランジスタ24を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層22が形成されている。
各駆動用トランジスタ24は、シリコンからなる半導体層241と、半導体層241上に形成されたゲート絶縁層242と、ゲート絶縁層242上に形成されたゲート電極243と、ソース電極244と、ドレイン電極245とを有している。
A plurality of driving
Each driving
平坦化層上には、各駆動用トランジスタ24に対応して発光素子1R、1G、1Bが設けられている。
発光素子1Rは、平坦化層22上に、反射膜32、腐食防止膜33、陽極3、積層体(有機EL発光部)15、陰極12、陰極カバー34がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子1R、1G、1Bの陽極3は、画素電極を構成し、各駆動用トランジスタ24のドレイン電極245に導電部(配線)27により電気的に接続されている。また、各発光素子1R、1G、1Bの陰極12は、共通電極とされている。
On the planarization layer,
In the light emitting element 1 </ b> R, a
なお、発光素子1G、1Bの構成は、発光素子1Rの構成と同様である。また、図3では、図1と同様の構成に関しては、同一符号を付してある。また、反射膜32の構成(特性)は、光の波長に応じて、発光素子1R、1G、1B間で異なっていてもよい。
隣接する発光素子1R、1G、1B同士の間には、隔壁31が設けられている。また、これらの発光素子1R、1G、1B上には、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層35が形成されている。
The configurations of the
A
カラーフィルタ19R、19G、19Bは、前述したエポキシ層35上に、発光素子1R、1G、1Bに対応して設けられている。
カラーフィルタ19Rは、発光素子1Rからの白色光Wを赤色に変換するものである。また、カラーフィルタ19Gは、発光素子1Gからの白色光Wを緑色に変換するものである。また、カラーフィルタ19Bは、発光素子1Bからの白色光Wを青色に変換するものである。このようなカラーフィルタ19R、19G、19Bを発光素子1R、1G、1Bと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
The
The
また、隣接するカラーフィルタ19R、19G、19B同士の間には、遮光層36が形成されている。これにより、意図しないサブ画素100R、100G、100Bが発光するのを防止することができる。
そして、カラーフィルタ19R、19G、19Bおよび遮光層36上には、これらを覆うように封止基板20が設けられている。
以上説明したようなディスプレイ装置100は、単色表示であってもよく、各発光素子1R、1G、1Bに用いる発光材料を選択することにより、カラー表示も可能である。
このようなディスプレイ装置100(本発明の表示装置)は、各種の電子機器に組み込むことができる。
A
A sealing
The
Such a display device 100 (the display device of the present invention) can be incorporated into various electronic devices.
図4は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部を備える表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ1100において、表示ユニット1106が備える表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
In this figure, a
In the
図5は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206とともに、表示部を備えている。
携帯電話機1200において、この表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
In this figure, a
In the
図6は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of a digital still camera to which the electronic apparatus of the present invention is applied. In this figure, connection with an external device is also simply shown.
Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a
ディジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ1300において、この表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
A display unit is provided on the back of a case (body) 1302 in the
In the
ケースの内部には、回路基板1308が設置されている。この回路基板1308は、撮像信号を格納(記憶)し得るメモリが設置されている。
また、ケース1302の正面側(図示の構成では裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、回路基板1308のメモリに転送・格納される。
A
A
When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit and presses the
また、このディジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニタ1430が、デ−タ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピュータ1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板1308のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ1430や、パーソナルコンピュータ1440に出力される構成になっている。
In the
なお、本発明の電子機器は、図4のパーソナルコンピュータ(モバイル型パーソナルコンピュータ)、図5の携帯電話機、図6のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、タッチパネルを備えた機器(例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機)、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。 In addition to the personal computer (mobile personal computer) in FIG. 4, the mobile phone in FIG. 5, and the digital still camera in FIG. 6, the electronic apparatus of the present invention includes, for example, a television, a video camera, a viewfinder type, Monitor direct-view video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, security TV Monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (for example, cash dispensers and automatic ticket vending machines for financial institutions), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasound diagnostic devices, internal Endoscope display device), fish finder, various measuring instruments, Vessels such (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, various monitors, and a projection display such as a projector.
以上、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、発光素子が3層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が2層または4層以上であってもよい。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のR、G、Bに限定されない。発光層が2層または4層以上である場合でも、各発光層の発光スペクトルを適宜設定することで、白色発光させることができる。
また、中間層は、発光層同士の少なくとも1つの層間に設けられていればよく、2層以上の中間層を有していてもよい。
The light emitting element, the display device, and the electronic device of the present invention have been described based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited to these.
For example, in the above-described embodiment, the light emitting element has three light emitting layers. However, the light emitting layer may be two layers or four or more layers. Further, the emission color of the light emitting layer is not limited to R, G, and B in the above-described embodiment. Even when there are two or more light emitting layers, white light can be emitted by appropriately setting the emission spectrum of each light emitting layer.
Moreover, the intermediate | middle layer should just be provided between the at least 1 interlayer of light emitting layers, and may have an intermediate | middle layer of two or more layers.
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
1.発光素子の製造
(実施例1)
<1> まず、平均厚さ0.5mmの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ100nmのITO電極(陽極)を形成した。
そして、基板をアセトン、2−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
Next, specific examples of the present invention will be described.
1. Production of light emitting device (Example 1)
<1> First, a transparent glass substrate having an average thickness of 0.5 mm was prepared. Next, an ITO electrode (anode) having an average thickness of 100 nm was formed on the substrate by sputtering.
And after immersing a board | substrate in order of acetone and 2-propanol and ultrasonically cleaning, the oxygen plasma process was performed.
<2> 次に、ITO電極上に、HI406(出光興産社製)を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ40nmの正孔注入層を形成した。
<3> 次に、正孔注入層上に、HT320(出光興産社製)を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ20nmの正孔輸送層を形成した。
<4> 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ10nmの赤色発光層(第1の発光層)を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料(ゲスト材料)としてRD001(出光興産社製)を用い、ホスト材料としてルブレンを用いた。また、赤色発光層中の発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、1.0wt%とした。
<2> Next, HI406 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was deposited on the ITO electrode by a vacuum deposition method to form a hole injection layer having an average thickness of 40 nm.
<3> Next, HT320 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was deposited on the hole injection layer by a vacuum deposition method to form a hole transport layer having an average thickness of 20 nm.
<4> Next, the constituent material of the red light-emitting layer was deposited on the hole transport layer by a vacuum vapor deposition method to form a red light-emitting layer (first light-emitting layer) having an average thickness of 10 nm. As a constituent material of the red light emitting layer, RD001 (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was used as a red light emitting material (guest material), and rubrene was used as a host material. The content (dope concentration) of the light emitting material (dopant) in the red light emitting layer was 1.0 wt%.
<5> 次に、赤色発光層上に、中間層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ7nmの中間層を形成した。中間層の構成材料としては、アミン系材料として前述した化1で表されるα−NPDを用い、アセン系材料として前述した化3で表されるADNを用いた。また、中間層中におけるアミン系材料の含有量は、50wt%とし、中間層中におけるアセン系材料の含有量は、50wt%とした。
<5> Next, the constituent material of the intermediate layer was vapor-deposited on the red light emitting layer by a vacuum vapor deposition method to form an intermediate layer having an average thickness of 7 nm. As the constituent material of the intermediate layer, α-NPD represented by Chemical Formula 1 described above was used as an amine-based material, and ADN represented by
<6> 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ15nmの青色発光層(第2の発光層)を形成した。青色発光層の構成材料としては、青色発光材料としてBD102(出光興産社製)を用い、ホスト材料としてBH215(出光興産社製)を用いた。また、青色発光層中の青色発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、5.0wt%とした。 <6> Next, the constituent material of the blue light emitting layer was vapor-deposited on the intermediate layer by a vacuum evaporation method to form a blue light emitting layer (second light emitting layer) having an average thickness of 15 nm. As a constituent material of the blue light emitting layer, BD102 (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was used as a blue light emitting material, and BH215 (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was used as a host material. Further, the content (dope concentration) of the blue light emitting material (dopant) in the blue light emitting layer was 5.0 wt%.
<7> 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ25nmの緑色発光層(第3の発光層)を形成した。緑色発光層の構成材料としては、緑色発光材料(ゲスト材料)としてGD206(出光興産社製)を用い、ホスト材料としてBH215(出光興産社製)を用いた。また、緑色発光層中の緑色発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、8.0wt%とした。 <7> Next, the constituent material of the green light emitting layer was deposited on the blue light emitting layer by a vacuum evaporation method to form a green light emitting layer (third light emitting layer) having an average thickness of 25 nm. As a constituent material of the green light emitting layer, GD206 (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was used as a green light emitting material (guest material), and BH215 (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was used as a host material. Further, the content (dope concentration) of the green light emitting material (dopant) in the green light emitting layer was 8.0 wt%.
<8> 次に、緑色発光層上に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ20nmの電子輸送層を形成した。
<9> 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ0.5nmの電子注入層を形成した。
<10> 次に、電子注入層上に、Alを真空蒸着法により成膜した。これにより、Alで構成される平均厚さ150nmの陰極を形成した。
<11> 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー(封止部材)を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図1に示すような発光素子を製造した。
<8> Next, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) was formed on the green light-emitting layer by a vacuum deposition method, thereby forming an electron transport layer having an average thickness of 20 nm.
<9> Next, on the electron transport layer, lithium fluoride (LiF) was formed by a vacuum deposition method to form an electron injection layer having an average thickness of 0.5 nm.
<10> Next, Al was formed into a film by the vacuum evaporation method on the electron injection layer. Thereby, a cathode having an average thickness of 150 nm made of Al was formed.
<11> Next, a glass protective cover (sealing member) was placed over the formed layers, and fixed and sealed with an epoxy resin.
Through the above steps, a light emitting device as shown in FIG. 1 was manufactured.
(実施例2)
前述した化4で表されるTBADNをアセン系材料として用いて中間層を形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(実施例3)
前述した化5で表されるMADNをアセン系材料として用いて中間層を形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(実施例4)
前述した化2で表されるTNBをアミン系材料として用いて中間層を形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(Example 2)
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the intermediate layer was formed using TBADN represented by
(Example 3)
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the intermediate layer was formed using MADN represented by
Example 4
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the intermediate layer was formed using TNB represented by
(実施例5)
中間層の平均厚さを15nmとした以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(実施例6)
中間層の平均厚さを20nmとした以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(Example 5)
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the average thickness of the intermediate layer was 15 nm.
(Example 6)
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the average thickness of the intermediate layer was 20 nm.
(実施例7)
基板上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層、赤色発光層、中間層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極の順で形成するとともに、青色発光層、赤色発光層、中間層のそれぞれの厚さ、および、青色発光層中における青色発光材料のドープ量を変更した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。これにより、図2に示すような発光素子を製造した。
ここで、青色発光層の平均厚さを15nmとし、赤色発光層の平均厚さを5nmとし、中間層の平均厚さを10nmとした。また、青色発光層中における青色発光材料のドープ量を8%とした。
(Example 7)
On the substrate, an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, a red light emitting layer, an intermediate layer, a green light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are formed in this order. A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness of each of the red light emitting layer and the intermediate layer and the doping amount of the blue light emitting material in the blue light emitting layer were changed. Thus, a light emitting device as shown in FIG. 2 was manufactured.
Here, the average thickness of the blue light emitting layer was 15 nm, the average thickness of the red light emitting layer was 5 nm, and the average thickness of the intermediate layer was 10 nm. Further, the doping amount of the blue light emitting material in the blue light emitting layer was 8%.
(比較例1)
ADNを用いずにα−NPDのみで中間層を形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(比較例2)
ADNを用いずにα−NPDのみで中間層を形成した以外は、前述した実施例7と同様にして発光素子を製造した。
(Comparative Example 1)
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the intermediate layer was formed only with α-NPD without using ADN.
(Comparative Example 2)
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 7 except that the intermediate layer was formed only with α-NPD without using ADN.
2.評価
2−1.発光効率の評価
各実施例および各比較例について、直流電源を用いて発光素子に100mA/cm2の定電流を流し、輝度計を用いて輝度(初期の輝度)を測定した。なお、各実施例および各比較例において、輝度をそれぞれ5個の発光素子について測定した。
ここで、実施例1〜6については、比較例1で測定された光の輝度を基準値とし、実施例7については、比較例2で測定された光の輝度を基準値として、それぞれ、実施例1〜7で測定された光の輝度を表1に示す。
2. Evaluation 2-1. Evaluation of Luminous Efficiency For each example and each comparative example, a constant current of 100 mA / cm 2 was passed through the light emitting element using a DC power source, and the luminance (initial luminance) was measured using a luminance meter. In each example and each comparative example, the luminance was measured for five light emitting elements.
Here, for Examples 1 to 6, the light luminance measured in Comparative Example 1 was used as a reference value, and for Example 7, the light luminance measured in Comparative Example 2 was used as a reference value. The brightness of the light measured in Examples 1 to 7 is shown in Table 1.
2−2.発光寿命の評価
各実施例および各比較例について、直流電源を用いて発光素子に100mA/cm2の定電流を流しつづけ、その間、輝度計を用いて輝度を測定し、その輝度が初期の輝度の80%となる時間(LT80)を測定した。なお、各実施例および各比較例において、半減期の値をそれぞれ5個の発光素子について測定した。
そして、実施例1〜6については、比較例1で測定された半減期を基準値とし、実施例7については、比較例2で測定された半減期を基準値として、実施例1〜7で測定された半減期を表1に示す。
2-2. Evaluation of Luminous Life For each example and each comparative example, a constant current of 100 mA / cm 2 was continuously supplied to the light emitting element using a direct current power source, while the luminance was measured using a luminance meter, and the luminance was the initial luminance. The time (LT80) to be 80% of was measured. In each example and each comparative example, the half-life value was measured for each of five light emitting elements.
For Examples 1-6, the half-life measured in Comparative Example 1 was used as a reference value, and for Example 7, the half-life measured in Comparative Example 2 was used as a reference value. The measured half-life is shown in Table 1.
2−3.色度の評価
各実施例および各比較例について、直流電源を用いて発光素子に100mA/cm2の定電流を流し、色度計を用いて光の色度(x,y)を求めた。
表1から明らかなように、各実施例の発光素子は、基準となる比較例の発光素子に比し、色度バランスおよび発光効率を同等なものとしつつ、耐久性に優れていることがわかる。
2-3. Evaluation of Chromaticity For each example and each comparative example, a constant current of 100 mA / cm 2 was passed through the light emitting element using a DC power source, and the chromaticity (x, y) of light was obtained using a chromaticity meter.
As can be seen from Table 1, the light-emitting elements of the respective examples are superior in durability while maintaining the same chromaticity balance and light-emitting efficiency as compared with the light-emitting elements of the comparative examples. .
1、1A、1B、1G、1R……発光素子 2……基板 3……陽極 4……正孔注入層 5……正孔輸送層 6……赤色発光層 7……中間層 8……青色発光層 9……緑色発光層 10……電子輸送層 11……電子注入層 12……陰極 13……封止部材 15、15A……積層体 19B、19G、19R……カラーフィルタ 100……ディスプレイ装置 20……封止基板 21……基板 22……平坦化層 23……保護層 24……駆動用トランジスタ 241……半導体層 242……ゲート絶縁層 243……ゲート電極 244……ソース電極 245……ドレイン電極 25……第1層間絶縁層 26……第2層間絶縁層 27……配線 31……隔壁 32……反射膜 33……腐食防止膜 34……陰極カバー 35……エポキシ層 36……遮光層 1100……パーソナルコンピュータ 1102……キーボード 1104……本体部 1106……表示ユニット 1200……携帯電話機 1202……操作ボタン 1204……受話口 1206……送話口 1300……ディジタルスチルカメラ 1302……ケース(ボディー) 1304……受光ユニット 1306……シャッタボタン 1308……回路基板 1312……ビデオ信号出力端子 1314……データ通信用の入出力端子 1430……テレビモニタ 1440……パーソナルコンピュータ
1, 1A, 1B, 1G, 1R ...
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、第1の色に発光する第1の発光層と、
前記第1の発光層と前記陰極との間に設けられ、前記第1の色とは異なる第2の色に発光する第2の発光層と、
前記第1の発光層と前記第2の発光層との層間にこれらに接するように設けられ、前記第1の発光層と前記第2の発光層との間で励起状態のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する中間層とを有し、
前記中間層は、アセン系材料とアミン系材料とを含んで構成され、
前記アセン系材料は、アントラセン骨格の9位および10位のそれぞれにナフチル基が導入されたアントラセン誘導体であり、
前記アミン系材料は、2つ以上のナフチル基を導入したベンジジン系アミン誘導体であり、
前記中間層の平均膜厚は、1〜100nmであることを特徴とする。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The light emitting device of the present invention comprises a cathode,
The anode,
A first light-emitting layer provided between the cathode and the anode and emitting light in a first color;
A second light-emitting layer provided between the first light-emitting layer and the cathode and emitting light in a second color different from the first color;
It is provided between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer so as to be in contact therewith, and the excited state energy moves between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer. An intermediate layer having a function of preventing
The intermediate layer includes an acene material and an amine material ,
The acene-based material is an anthracene derivative in which a naphthyl group is introduced at each of the 9th and 10th positions of the anthracene skeleton,
The amine-based material is a benzidine-based amine derivative into which two or more naphthyl groups are introduced,
The average thickness of the intermediate layer is characterized 1~100nm der Rukoto.
これにより、中間層が第1の発光層と第2の発光層との間での励起状態のエネルギー移動(励起子の移動)を阻止するため、第1の発光層および第2の発光層をそれぞれ効率よく発光させることができる。その際、アミン系材料(すなわちアミン骨格を有する材料)が正孔輸送性を有するとともに、アセン系材料(すなわちアセン骨格を有する材料)が電子輸送性を有するため、電子および正孔に対する中間層の耐性を優れたものとしつつ、第1の発光層および第2の発光層にそれぞれ電子および正孔を注入して発光させることができる。
特に、アセン系材料は励起子に対する耐性に優れていることから、中間層の励起子による劣化を防止または抑制し、発光素子の耐久性を優れたものとすることができる。
また、前記アセン系材料がアントラセン誘導体であるので、アセン系材料(ひいては中間層)の電子輸送性を優れたものとしつつ、励起子に対する耐性を高め、均質な中間層の形成を容易なものとすることができる。
また、前記アントラセン誘導体がアントラセン骨格の9位および10位のそれぞれにナフチル基が導入されたものであるので、より確実に、アセン系材料(ひいては中間層)の電子輸送性を優れたものとしつつ、励起子に対する耐性を高め、均質な中間層の形成を容易なものとすることができる。
また、前記中間層の平均膜厚が1〜100nmであるので、駆動電圧を抑えつつ、中間層が第1の発光層と第2の発光層との間での励起状態のエネルギー移動をより確実に阻止することができる。
Thereby, since the intermediate layer prevents the energy transfer in the excited state (exciton transfer) between the first light emitting layer and the second light emitting layer, the first light emitting layer and the second light emitting layer are Each can emit light efficiently. At that time, the amine-based material (that is, the material having an amine skeleton) has a hole transporting property, and the acene-based material (that is, the material having an acene skeleton) has an electron-transporting property. While making the resistance excellent, it is possible to emit light by injecting electrons and holes into the first light-emitting layer and the second light-emitting layer, respectively.
In particular, since the acene-based material has excellent resistance to excitons, deterioration of the intermediate layer due to excitons can be prevented or suppressed, and the durability of the light-emitting element can be improved.
In addition, since the acene-based material is an anthracene derivative, the electron transport property of the acene-based material (and thus the intermediate layer) is excellent, and the resistance to excitons is increased, so that a uniform intermediate layer can be easily formed. can do.
In addition, since the anthracene derivative is one in which a naphthyl group is introduced into each of the 9th and 10th positions of the anthracene skeleton, the electron transport property of the acene-based material (and thus the intermediate layer) is more reliably improved. , The resistance to excitons can be increased, and the formation of a homogeneous intermediate layer can be facilitated.
Moreover, since the average film thickness of the intermediate layer is 1 to 100 nm, the intermediate layer more reliably transfers the energy in the excited state between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer while suppressing the driving voltage. Can be prevented.
本発明の発光素子では、前記中間層中におけるアセン系材料の含有量をA[wt%]とし、前記中間層中におけるアミン系材料の含有量をB[wt%]としたときに、B/(A+B)は、0.1〜0.9であることが好ましい。
これにより、より確実に、キャリアや励起子に対する中間層の耐性を優れたものとしつつ、第1の発光層および第2の発光層にそれぞれ電子および正孔を注入して発光させることができる。
In the light emitting device of the present invention, when the content of the acene-based material in the intermediate layer is A [wt%] and the content of the amine-based material in the intermediate layer is B [wt%], B / (A + B) is preferably 0.1 to 0.9.
Thereby, it is possible to emit light by injecting electrons and holes into the first light-emitting layer and the second light-emitting layer, respectively, more reliably while making the intermediate layer more resistant to carriers and excitons.
Claims (13)
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、第1の色に発光する第1の発光層と、
前記第1の発光層と前記陰極との間に設けられ、前記第1の色とは異なる第2の色に発光する第2の発光層と、
前記第1の発光層と前記第2の発光層との層間にこれらに接するように設けられ、前記第1の発光層と前記第2の発光層との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する中間層とを有し、
前記中間層は、アセン系材料とアミン系材料とを含んで構成されていることを特徴とする発光素子。 A cathode,
The anode,
A first light-emitting layer provided between the cathode and the anode and emitting light in a first color;
A second light-emitting layer provided between the first light-emitting layer and the cathode and emitting light in a second color different from the first color;
An exciton energy is transferred between the first light emitting layer and the second light emitting layer so as to be in contact with the first light emitting layer and the second light emitting layer. An intermediate layer having a function of preventing
The intermediate layer is configured to include an acene-based material and an amine-based material.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012024440A JP5304910B2 (en) | 2012-02-07 | 2012-02-07 | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012024440A JP5304910B2 (en) | 2012-02-07 | 2012-02-07 | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007246297A Division JP4967952B2 (en) | 2007-09-21 | 2007-09-21 | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012089533A true JP2012089533A (en) | 2012-05-10 |
JP5304910B2 JP5304910B2 (en) | 2013-10-02 |
Family
ID=46260883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012024440A Active JP5304910B2 (en) | 2012-02-07 | 2012-02-07 | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5304910B2 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006172762A (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toyota Industries Corp | Organic el element |
WO2007027441A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Eastman Kodak Company | Intermediate connector for a tandem oled device |
-
2012
- 2012-02-07 JP JP2012024440A patent/JP5304910B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006172762A (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toyota Industries Corp | Organic el element |
WO2007027441A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Eastman Kodak Company | Intermediate connector for a tandem oled device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5304910B2 (en) | 2013-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4967952B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5728930B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5402134B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5077055B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5573127B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5772085B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5229026B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5573102B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP2011108899A (en) | Light emitting element, light emitting device, display device, and electronic apparatus | |
JP6432149B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP2012038523A (en) | Light-emitting element, light-emitting device, display device and electronic device | |
US9401492B2 (en) | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus | |
JP2009295305A (en) | Light-emitting element, display device, and electronic apparatus | |
JP2012186257A (en) | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus | |
JP2012186091A (en) | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus | |
JP5672077B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5434159B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP2015201279A (en) | Light-emitting element, light-emitting device, display device and electronic apparatus | |
JP6435625B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5601100B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5098871B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP6446813B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP2012059419A (en) | Light-emitting element, display device and electronic device | |
JP5304910B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5229022B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120307 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120307 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5304910 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |