JP2012085108A - Surface acoustic wave sensor - Google Patents

Surface acoustic wave sensor Download PDF

Info

Publication number
JP2012085108A
JP2012085108A JP2010229799A JP2010229799A JP2012085108A JP 2012085108 A JP2012085108 A JP 2012085108A JP 2010229799 A JP2010229799 A JP 2010229799A JP 2010229799 A JP2010229799 A JP 2010229799A JP 2012085108 A JP2012085108 A JP 2012085108A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface acoustic
acoustic wave
piezoelectric substrate
electrode
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010229799A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mikihiro Goto
幹博 後藤
Takashi Kogai
崇 小貝
Hiromi Yatsuda
博美 谷津田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
Japan Radio Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Radio Co Ltd filed Critical Japan Radio Co Ltd
Priority to JP2010229799A priority Critical patent/JP2012085108A/en
Publication of JP2012085108A publication Critical patent/JP2012085108A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave sensor in which measurement and monitoring of a desired medium are achieved based on the propagation characteristics of a surface acoustic wave on a piezoelectric substrate, performance is improved without increasing the cost sharply, and variation in characteristics is avoided stably and reliably.SOLUTION: The surface acoustic wave sensor which is formed on a piezoelectric substrate, converts an electric signal into an elastic wave and converts the elastic wave into an electric signal comprises two wave transmission electrodes which are arranged on the piezoelectric substrate and convert an electric signal into an elastic wave, two wave reception electrodes which are formed on the piezoelectric substrate to face the two wave transmission electrodes individually and convert individual elastic waves arrived via the piezoelectric substrate, respectively, into electric signals, and an reflective electrode which is formed in a region on the piezoelectric substrate sandwiched by one of two wave transmission electrodes and one wave reception electrode formed to face the one wave transmission electrode, and reflects the surface acoustic wave out of the elastic waves in the direction other than the two wave reception electrodes.

Description

本発明は、圧電基板上における弾性表面波の伝搬特性に基づいて所望の媒質にかかわる計測や監視を実現する弾性表面波センサに関する。   The present invention relates to a surface acoustic wave sensor that realizes measurement and monitoring of a desired medium based on propagation characteristics of surface acoustic waves on a piezoelectric substrate.

弾性表面波センサ等の弾性表面波デバイスは、以下の好ましい特徴を有するために、これらの特徴を活かすことによる小型化、軽量化、無調整化が容易なデバイスとして多様なものが開発されつつある。   Since surface acoustic wave devices such as surface acoustic wave sensors have the following desirable characteristics, various devices are being developed that can be easily reduced in size, reduced in weight, and made non-adjustable by utilizing these characteristics. .

(1) 入力された電気信号が内部で変換されることによって得られる弾性表面波の波長が電磁波の波長の百万分の一程度と大幅に短い。
(2) 弾性表面波の伝搬路となる圧電基板上と、その圧電基板上に微細に形成可能な膜やパターンとして形成された電極等とから構成される。
(3) 圧電基板の表面の研磨は、弾性表面波の伝搬路が形成される片面だけで十分である。
(1) The wavelength of the surface acoustic wave obtained by internally converting the input electrical signal is significantly short, about one millionth of the wavelength of the electromagnetic wave.
(2) It is composed of a piezoelectric substrate serving as a surface acoustic wave propagation path, and a film, a pattern, and the like that can be finely formed on the piezoelectric substrate.
(3) For polishing the surface of the piezoelectric substrate, only one surface on which the propagation path of the surface acoustic wave is formed is sufficient.

(4) 弾性表面波の主要なエネルギーが圧電基板の表面に集中して伝搬するために、このような表面に形成された電極、あるいはその表面に接触する媒質との音響的な結合が密に、あるいは自在に達成される。
(5) 上記結合の下で弾性表面波に施される処理、あるいは生じる変化は、線形領域だけではなく非線形領域でも、安定に精度よく実現可能である。
(4) Since the main energy of the surface acoustic wave is concentrated and propagates on the surface of the piezoelectric substrate, the acoustic coupling between the electrode formed on such a surface or the medium in contact with the surface is tight. Or achieved at will.
(5) The process applied to the surface acoustic wave under the above-described coupling or the change that occurs can be realized stably and accurately not only in the linear region but also in the nonlinear region.

従来の弾性表面波センサとしては、例えば、後述する特許文献1に開示されるように以下の通りに構成された弾性表面波装置がある。
(1) 伝搬特性が同じである2つの伝搬路が圧電基板上に形成される。
As a conventional surface acoustic wave sensor, for example, there is a surface acoustic wave device configured as follows as disclosed in Patent Document 1 described later.
(1) Two propagation paths having the same propagation characteristics are formed on the piezoelectric substrate.

(2) これらの伝搬路の一方では、その伝搬路上に配置された遮断手段(該当する伝搬路上に塗布された樹脂、あるいは形成された溝)によって弾性表面波の伝搬が阻止されることによって、他方の伝搬路で生じるバルク波が予測される。
(3) 上記他方の伝搬路を伝搬した弾性波(弾性表面波およびバルク波を含む。)から上記予測されたバルク波が減じられることにより、バルク波の成分の抑圧が図られる。
(2) On one of these propagation paths, the propagation of the surface acoustic wave is blocked by the blocking means (resin applied on the propagation path or the groove formed) on the propagation path, A bulk wave generated in the other propagation path is predicted.
(3) The predicted bulk wave is subtracted from the elastic wave (including the surface acoustic wave and bulk wave) propagated through the other propagation path, thereby suppressing the bulk wave component.

このような構成の弾性表面波センサでは、バルク波に起因する精度や性能の低下が軽減される。   In the surface acoustic wave sensor having such a configuration, deterioration in accuracy and performance due to bulk waves is reduced.

なお、本発明に関連する先行技術としては、既述の特許文献1の他に後述する特許文献2がある。以下、これらの先行技術の概要を列記する。   In addition, as a prior art relevant to this invention, there exists patent document 2 mentioned later other than patent document 1 already stated. The outline of these prior arts is listed below.

(1) 「圧電性基板上に、弾性表面波を励振する入力電極と、該入力電極からの弾性表面波を電気信号に変換して出力する出力電極とを形成し、所望の周波数特性を得るために電極指交差幅に重み付けした弾性表面波装置において、前記入力電極は、前記弾性表面波の伝搬方向とほぼ直交する方向に互いに対向して配置され、且つ各々から弾性表面波と共に励振される前記圧電性基板の表面に対して平行に進行するバルク波を互いに逆相とするように構成された第1及び第2の入力電極を含み、該第1及び第2の入力電極の各々から前記出力電極へ伝搬する弾性表面波のいずれか一方を遮断する遮断手段を設けた」ことにより、「基板の特性によらず、主として圧電性基板に平行に進行する不要バルク波を抑圧して帯域外抑圧度を改善する」点に特徴がある弾性表面波装置…特許文献1 (1) “On the piezoelectric substrate, an input electrode for exciting a surface acoustic wave and an output electrode for converting the surface acoustic wave from the input electrode into an electric signal and outputting it are obtained to obtain a desired frequency characteristic. Therefore, in the surface acoustic wave device weighted to the electrode finger crossing width, the input electrodes are arranged to face each other in a direction substantially orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave, and are excited together with the surface acoustic wave from each. First and second input electrodes configured so that bulk waves traveling parallel to the surface of the piezoelectric substrate are in opposite phases to each other, and from each of the first and second input electrodes By providing a blocking means to block any one of the surface acoustic waves propagating to the output electrode ”,“ outside of the band by suppressing unwanted bulk waves that travel mainly parallel to the piezoelectric substrate, regardless of the substrate characteristics. To improve the degree of suppression Characteristic surface acoustic wave device ... Patent Document 1

(2) 「弾性表面波素子の基板裏面を所定の条件を満たす角度に傾斜させる」ことにより、「この裏面で反射され基板表面に形成された出力電極または弾性表面波導波路の異なる位置に入射するバルク波による信号を相殺させ、高いSN比で出力信号を取り出せるようにする」点に特徴がある…特許文献2 (2) By “inclining the back surface of the surface acoustic wave element to an angle satisfying a predetermined condition”, “incident at different positions of the output electrode or the surface acoustic wave waveguide reflected on the back surface and formed on the substrate surface It is characterized in that the signal due to the bulk wave is canceled and the output signal can be extracted with a high SN ratio.

特許第2821263号公報Japanese Patent No. 2821263 特開平5−129886号公報JP-A-5-129886

ところで、上述した従来の弾性表面波センサでは、弾性表面波の伝搬の阻止や抑圧は、その弾性表面波の伝搬路に塗布された樹脂、あるいは形成された溝によって実現されていた。   By the way, in the conventional surface acoustic wave sensor described above, the propagation and suppression of the surface acoustic wave are realized by a resin applied to the propagation path of the surface acoustic wave or a groove formed.

また、このような樹脂の塗布や溝の形成は、弾性基板の表面に対する電極の形成とは別の工程として実現されるため、コスト高でとなるだけではなく、弾性表面波の伝搬を阻止する特性にバラツキが生じる要因となる可能性が高かった。   In addition, since the application of the resin and the formation of the groove are realized as a process different from the formation of the electrode on the surface of the elastic substrate, not only the cost is increased but also the propagation of the surface acoustic wave is prevented. There was a high possibility that this would cause variations in characteristics.

しかし、上記特性のバラツキについては、弾性表面波センサに対して要求される感度や性能のさらなる向上を妨げる要因となるために、解消や大幅な軽減を実現できる技術が強く要望されつつある。   However, since the variation in the above characteristics is a factor that hinders further improvement in sensitivity and performance required for the surface acoustic wave sensor, there is a strong demand for a technique that can be eliminated or greatly reduced.

本発明は、コストが大幅に増加することなく、性能が向上し、かつ特性のバラツキが安定に回避される弾性表面波センサを提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave sensor that can improve performance and stably avoid variations in characteristics without significantly increasing costs.

請求項1に記載の発明では、圧電基板上に形成されて電気信号を弾性波に変換し、前記圧電基板を伝搬した弾性波を電気信号に変換する弾性表面波センサであって、2つの送波電極は、前記圧電基板上に配置され、前記電気信号を前記弾性波に変換する。2つの受波電極は、前記圧電基板上で前記2つの送波電極に個別に対向して形成され、前記圧電基板を介して到来した個々の弾性波を電気信号にそれぞれ変換する。反射電極は、前記2つの送波電極の一方と前記一方の送波電極に対向して形成された一方の受波電極とで挟まれた前記圧電基板上の領域に形成され、前記弾性波の内、弾性表面波を前記2つの受波電極以外の方向に反射する。   The invention according to claim 1 is a surface acoustic wave sensor which is formed on a piezoelectric substrate and converts an electric signal into an elastic wave, and converts an elastic wave propagated through the piezoelectric substrate into an electric signal. A wave electrode is disposed on the piezoelectric substrate and converts the electrical signal into the elastic wave. The two receiving electrodes are formed on the piezoelectric substrate so as to face the two transmitting electrodes, respectively, and each elastic wave that has arrived through the piezoelectric substrate is converted into an electric signal. The reflective electrode is formed in a region on the piezoelectric substrate sandwiched between one of the two transmitting electrodes and one receiving electrode formed opposite to the one transmitting electrode, Among them, the surface acoustic wave is reflected in a direction other than the two receiving electrodes.

すなわち、2つの受波電極の内、一方には、対向する一方の送波電極から弾性表面波とバルク波との双方が到来し、他方には、対向する他方の送波電極からバルク波のみが到来するので、既述の2つ送波電極と2つの受波電極との間に並行して形成される2つの伝搬路の特性が同じであり、あるいはこれらの特性の相違が既知であるならば、上記バルク波の相殺に併せて、一方の受波電極に圧電基板を介して到来した弾性表面波の高いSN比による抽出が可能となる。   That is, one of the two receiving electrodes receives both surface acoustic waves and bulk waves from one opposing transmitting electrode, and the other receives only bulk waves from the other transmitting electrode. Therefore, the characteristics of two propagation paths formed in parallel between the two transmitting electrodes and the two receiving electrodes described above are the same, or the difference between these characteristics is known. Then, in conjunction with the cancellation of the bulk wave, it is possible to extract the surface acoustic wave that has arrived at one of the receiving electrodes via the piezoelectric substrate with a high SN ratio.

また、本発明では、反射電極は、弾性表面波センサに入力される電気信号の占有帯域が狭く、かつ形状、配置および寸法を微細に設定可能であるために、送波電極や受波電極と同様にパターンとして形成可能であって、弾性表面波の高い効率による反射が実現される。   Further, in the present invention, the reflection electrode has a narrow occupation band of the electric signal input to the surface acoustic wave sensor and can be set in a fine shape, arrangement, and dimensions. Similarly, it can be formed as a pattern, and reflection of surface acoustic waves with high efficiency is realized.

請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の弾性表面波センサにおいて、前記2つの受波電極は、前記圧電基板を介して個別に到来した弾性波を互いに逆相の電気信号に変換する。
すなわち、2つの受波電極の出力には、圧電基板を介してそれぞれに到来したバルク波の成分が逆相で得られる。
According to a second aspect of the present invention, in the surface acoustic wave sensor according to the first aspect, the two receiving electrodes convert elastic waves that individually arrive via the piezoelectric substrate into electrical signals having opposite phases to each other. To do.
In other words, bulk wave components arriving at each of the two receiving electrodes via the piezoelectric substrate are obtained in opposite phases.

請求項3に記載の発明では、請求項1に記載の弾性表面波センサにおいて、前記2つの送波電極は、前記電気信号を互いの逆相の弾性波に変換する。
すなわち、2つの受波電極の出力には、これらの受波電極の構造が同じであっても、圧電基板を介してそれぞれに到来したバルク波の成分が逆相で得られる。
According to a third aspect of the present invention, in the surface acoustic wave sensor according to the first aspect, the two transmission electrodes convert the electric signals into elastic waves having opposite phases to each other.
That is, the components of the bulk waves that have arrived at each via the piezoelectric substrate can be obtained in opposite phases even when the structures of these receiving electrodes are the same.

請求項4に記載の発明では、請求項1ないし請求項3の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、前記2つの受波電極は、前記圧電基板を介して前記2つの受波電極に到来した弾性波の変換により得られた電気信号の和を生成する。
すなわち、本発明に係る弾性表面波センサでは、能動回路や能動素子が備えられなくても、既述のバルク波の相殺と、そのバルク波の相殺によるSN比の向上とが実現される。
According to a fourth aspect of the present invention, in the surface acoustic wave sensor according to any one of the first to third aspects, the two receiving electrodes are connected to the two receiving electrodes via the piezoelectric substrate. The sum of the electric signals obtained by the conversion of the elastic wave that arrived at is generated.
That is, in the surface acoustic wave sensor according to the present invention, even if an active circuit or an active element is not provided, the above-described cancellation of the bulk wave and the improvement of the S / N ratio due to the cancellation of the bulk wave are realized.

請求項5に記載の発明では、請求項1ないし請求項4の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、伝搬分離体は、前記圧電基板上で、前記一方の送波電極と前記一方の受波電極とで挟まれた第一の領域と、他方の送波電極と他方の受波電極とで図られた第二の領域との境界に形成され、前記弾性波または前記弾性表面波の伝搬路の結合を阻止し、あるいは緩和する。   According to a fifth aspect of the present invention, in the surface acoustic wave sensor according to any one of the first to fourth aspects, the propagation separator is formed on the piezoelectric substrate with the one transmission electrode and the one. Formed on the boundary between the first region sandwiched between the other receiving electrode and the second region defined by the other transmitting electrode and the other receiving electrode, and the elastic wave or the surface acoustic wave This prevents or alleviates the coupling of the propagation paths.

すなわち、2つの送波電極と2つの受波電極との間にそれぞれ形成される弾性波の伝搬路の間は、音響的な粗結合あるいはアイソレーションが図られる   That is, acoustic rough coupling or isolation is achieved between the propagation paths of the elastic waves formed between the two transmitting electrodes and the two receiving electrodes, respectively.

本発明では、反射電極は、2つの送波電極と2つの受波電極と同様にパターンとして所望の形状、配置および寸法で一括して形成可能であり、このような反射電極の反射域が弾性表面波の占有帯域に適合することにより、従来例に比べて、安定に高いSN比が達成される。   In the present invention, the reflective electrode can be formed as a pattern in a desired shape, arrangement and dimensions in the same manner as the two transmitting electrodes and the two receiving electrodes, and the reflective area of such a reflective electrode is elastic. By adapting to the occupied band of the surface wave, a high S / N ratio is stably achieved as compared with the conventional example.

また、本発明では、2つの受波電極が出力する電気信号の加算または積和演算によるバルク波の成分の相殺が可能となる。   Further, according to the present invention, it is possible to cancel the bulk wave component by adding or multiplying the electric signals output from the two receiving electrodes.

さらに、本発明では、2つの送波電極と2つの受波電極との間にそれぞれ形成される伝搬路の相互間における粗結合やアイソレーションが図られない場合に比べて、バルク波の成分の相殺が精度よく実現される。
したがって、本発明によれば、弾性表面波センサの感度および性能が安価に高められる。
Furthermore, in the present invention, compared with the case where rough coupling and isolation between the propagation paths respectively formed between the two transmitting electrodes and the two receiving electrodes are not achieved, the bulk wave component is reduced. Offset is achieved with high accuracy.
Therefore, according to the present invention, the sensitivity and performance of the surface acoustic wave sensor can be improved at a low cost.

本発明の一実施形態を示す図である。It is a figure which shows one Embodiment of this invention. 本実施形態の動作を示す図(1)である。It is a figure (1) which shows operation | movement of this embodiment. 本実施形態の動作を示す図(2)である。It is a figure (2) which shows operation | movement of this embodiment.

以下、図面に基づいて本発明の実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態を示す図である。
図において、圧電基板11が有する矩形の片面の中央部には、その片面に相似な矩形の伝搬路12が確保され、かつたんぱく質等の膜が形成される。このような伝搬路12の特定の辺の近傍には、構成が同じであって、圧電基板11上におけるパターンとして電気的に並列に接続された櫛形電極(IDT:interdigital
transducer)13S-a、13S-bが形成され、その特定の辺に対向する他の辺の近傍には、櫛形電極13R-a、13R-bが並列に接続され、かつ上記櫛形電極13S-a、13S-bにそれぞれ正対する状態で形成される。なお、櫛形電極13R-aの構成は既述の櫛形電極13S-aの構成と同じであるが、櫛形電極13R-bは櫛形電極13R-aを構成するパターンとはシンメトリーに構成される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
In the figure, a rectangular propagation path 12 similar to one side is secured at the center of one side of the piezoelectric substrate 11 and a film of protein or the like is formed. In the vicinity of such a specific side of the propagation path 12, comb-shaped electrodes (IDT: interdigital) that have the same configuration and are electrically connected in parallel as a pattern on the piezoelectric substrate 11.
transducers 13S-a and 13S-b are formed, and comb electrodes 13R-a and 13R-b are connected in parallel in the vicinity of the other side facing the specific side, and the comb electrodes 13S-a , 13S-b, respectively. The configuration of the comb-shaped electrode 13R-a is the same as the configuration of the above-described comb-shaped electrode 13S-a, but the comb-shaped electrode 13R-b is configured symmetrically with the pattern forming the comb-shaped electrode 13R-a.

櫛形電極13S-aの一方の端子には信号源20の出力が接続され、その櫛形電極13S-aの他方の端子と櫛形電極13S-bの一方の端子とは、圧電基板11上に形成されたパターンにより電気的に直結され、かつ接地される。櫛形電極13S-bの他方の端子は上記信号源20の出力にも接続される。   The output of the signal source 20 is connected to one terminal of the comb-shaped electrode 13S-a, and the other terminal of the comb-shaped electrode 13S-a and one terminal of the comb-shaped electrode 13S-b are formed on the piezoelectric substrate 11. The pattern is electrically connected directly to the ground and grounded. The other terminal of the comb-shaped electrode 13S-b is also connected to the output of the signal source 20.

櫛形電極13R-aの一方の端子は回路21の入力に接続され、その櫛形電極13R-aの他方の端子と櫛形電極13R-bの一方の端子とは、圧電基板11上に形成されたパターンにより電気的に直結され、かつ接地される。櫛形電極13R-bの他方の端子は上記回路21の入力にも接続される。   One terminal of the comb-shaped electrode 13R-a is connected to the input of the circuit 21, and the other terminal of the comb-shaped electrode 13R-a and one terminal of the comb-shaped electrode 13R-b are patterns formed on the piezoelectric substrate 11. Are electrically connected directly to each other and grounded. The other terminal of the comb-shaped electrode 13R-b is also connected to the input of the circuit 21.

伝搬路12の内、櫛形電極13S-b、13R-bで挟まれた領域(以下、「表面伝搬阻止域」という。)の所定の箇所には、これらの櫛形電極13S-b、13R-bの間で弾性表面波が伝搬する方向に交叉し、かつ周波数軸上における弾性表面波の占有帯域に反射域を有する反射電極14が形成される。このような反射電極14は、例えば、グレーティング反射器として構成されてもよい。   In the propagation path 12, a predetermined area of a region sandwiched between the comb electrodes 13S-b and 13R-b (hereinafter referred to as “surface propagation blocking region”) has a comb electrode 13S-b and 13R-b. A reflective electrode 14 is formed that crosses in the direction in which the surface acoustic wave propagates between them and has a reflection region in the occupation band of the surface acoustic wave on the frequency axis. Such a reflective electrode 14 may be configured as a grating reflector, for example.

なお、伝搬路12の領域の内、上記「表面伝搬阻止域」に隣接する残りの領域については、以下では、「表面伝搬域」という。   The remaining area adjacent to the “surface propagation blocking area” in the area of the propagation path 12 is hereinafter referred to as a “surface propagation area”.

伝搬路12の辺の内、櫛形電極13S-b、13R-bに直近の辺以外の辺であって、既述の「表面伝搬域」と反対側にある辺の外側の部位には、吸収体15が配置される。   Among the sides of the propagation path 12, other than the sides closest to the comb electrodes 13 </ b> S-b and 13 </ b> R-b and outside the side opposite to the above-mentioned “surface propagation region” A body 15 is arranged.

以下、図1を参照して本実施形態の動作を説明する。
信号源20は、上記伝搬路12の内、例えば、中央部に該当する反応場に滴下され、あるいは接触する媒質に関して、計測されるべき項目に適した所定の周波数の交流信号を櫛形電極13S-a、13S-bに並行して与える。
The operation of this embodiment will be described below with reference to FIG.
The signal source 20 drops an AC signal having a predetermined frequency suitable for an item to be measured with respect to a medium which is dropped or contacted with a reaction field corresponding to the center of the propagation path 12, for example, the comb-shaped electrode 13S-. a, given in parallel with 13S-b.

櫛形電極13S-aは、このような交流信号によって励振され、図1に太い実線の矢印で示すように、伝搬路12(表面伝搬域)に弾性表面波(以下、「弾性表面波a」という。)を送出する。これらの弾性表面波の一部は、例えば、櫛形電極13S-aを形成する金属膜の部位とその金属膜以外の部位との間における伝搬速度の不連続性に起因して、図1に点線の矢印で示すように、圧電基板11の表面ではなく内部を伝搬するバルク波(以下、「バルク波a」という。)に変換される。   The comb-shaped electrode 13S-a is excited by such an AC signal, and as indicated by a thick solid arrow in FIG. 1, a surface acoustic wave (hereinafter referred to as “surface acoustic wave a”) is generated in the propagation path 12 (surface propagation region). .) Is sent out. Some of these surface acoustic waves are caused by, for example, a dotted line in FIG. 1 due to the discontinuity of the propagation speed between the portion of the metal film forming the comb-shaped electrode 13S-a and the portion other than the metal film. As shown by the arrow of FIG. 6, the piezoelectric substrate 11 is converted into a bulk wave (hereinafter referred to as “bulk wave a”) that propagates inside rather than the surface.

櫛形電極13S-bは、上記交流信号が櫛形電極13S-aとは反対の位相で与えられることによって励振され、図1に細い実線の矢印で示すように、伝搬路12(表面伝搬阻止域)に既述の「弾性表面波a」と逆相の弾性表面波(以下、「弾性表面波b」という。)を送出する。これらの弾性表面波の一部は、例えば、櫛形電極13S-bを形成する金属膜の部位とその金属膜以外の部位との間における伝搬速度の不連続性に起因して、図1に点線の矢印で示すように、圧電基板11の表面ではなく内部を伝搬するバルク波(以下、「バルク波b」という。)に変換される。   The comb-shaped electrode 13S-b is excited when the AC signal is applied in a phase opposite to that of the comb-shaped electrode 13S-a, and as indicated by a thin solid line arrow in FIG. 2 transmits a surface acoustic wave having a phase opposite to that of the aforementioned “surface acoustic wave a” (hereinafter referred to as “surface acoustic wave b”). Some of these surface acoustic waves are caused by, for example, a dotted line in FIG. 1 due to the discontinuity of the propagation speed between the portion of the metal film forming the comb-shaped electrode 13S-b and the portion other than the metal film. As shown by the arrow of FIG. 6, the piezoelectric substrate 11 is converted into a bulk wave (hereinafter referred to as “bulk wave b”) that propagates inside rather than the surface.

弾性表面波aは、上記媒質が滴下されあるいは接触する反応場(と、その媒質と)を伝搬して櫛形電極13R-aに到達し、その櫛形電極13R-aによって電気信号Ea(図2(a))に変換される。   The surface acoustic wave a propagates through the reaction field where the medium is dropped or contacted (and the medium) to reach the comb electrode 13R-a, and the electric signal Ea (FIG. a)).

また、バルク波aは、圧電基板11の内部(内層)を伝搬して櫛形電極13R-aに到達し、その櫛形電極13R-aによって電気信号EBa(図2(b))に変換される。
一方、弾性表面波bは、上記反応場(と、その媒質と)を伝搬するが、その弾性表面波bの大半の(主要な)成分は、櫛形電極13R-bに到達する前に、図1に破線で示すように反射電極14によって吸収体15の方向に反射され、この吸収体15によって吸収される。
Further, the bulk wave a propagates through the inside (inner layer) of the piezoelectric substrate 11 and reaches the comb electrode 13R-a, and is converted into an electric signal EBa (FIG. 2B) by the comb electrode 13R-a.
On the other hand, the surface acoustic wave b propagates through the reaction field (and its medium), but most of the (major) components of the surface acoustic wave b reach the comb electrode 13R-b before reaching the comb-shaped electrode 13R-b. As indicated by a broken line in FIG. 1, the light is reflected by the reflective electrode 14 in the direction of the absorber 15 and is absorbed by the absorber 15.

さらに、バルク波bは、圧電基板11の内部(内層)を伝搬して櫛形電極13R-bに到達し、その櫛形電極13R-bによって電気信号EBb(=−EBa)に変換される。
すなわち、回路21に入力される電気信号Eには、バルク波a,bの成分は、下式および図2(c) で示されるように、バルク波の成分が逆相で相殺されるため、ほとんど含まれない。
E=Ea+EBa+EBb
=Ea+EBa−EBa
=Ea
Further, the bulk wave b propagates through the inside (inner layer) of the piezoelectric substrate 11 and reaches the comb electrode 13R-b, and is converted into an electric signal EBb (= −EBa) by the comb electrode 13R-b.
That is, in the electric signal E inputted to the circuit 21, the components of the bulk waves a and b are canceled out in opposite phases as shown in the following equation and FIG. It is hardly included.
E = Ea + EBa + EBb
= Ea + EBa-EBa
= Ea

なお、このような相殺の下で得られるSN比は、例えば、図3(a)〜(c)に示すように、40デシベル以上となる。   Note that the S / N ratio obtained under such cancellation is, for example, 40 decibels or more as shown in FIGS.

また、上記バルク波の成分の相殺は、時間軸上におけるバルク波aとバルク波bとの瞬時値の減算により行われるため、図3(a)〜(c)に示すように、これらのバルク波と弾性表面波との周波数スペクトラムの如何にかかわらず精度よく安定に実現される。   Further, since the bulk wave components are canceled by subtracting the instantaneous values of the bulk wave a and the bulk wave b on the time axis, these bulk waves are obtained as shown in FIGS. Regardless of the frequency spectrum of the wave and the surface acoustic wave, it can be realized accurately and stably.

さらに、本実施形態では、反射電極14は、従来例のように、伝搬路(反応場)上に塗設された「樹脂」やその伝搬路(反応場)に形成された「キズ」とは異なり、一般に、櫛形電極13S-a、13S-b、13R-a、13R-bと同様に圧電基板11上にパターンとして一括して形成可能であり、配置、形状、寸法等の何れもが微細に設定可能である。   Furthermore, in this embodiment, the reflective electrode 14 is different from “resin” coated on the propagation path (reaction field) and “scratches” formed on the propagation path (reaction field) as in the conventional example. Unlike the comb-shaped electrodes 13S-a, 13S-b, 13R-a, and 13R-b, they can be generally formed as a pattern on the piezoelectric substrate 11, and the arrangement, shape, dimensions, etc. are fine. Can be set.

したがって、本実施形態によれば、コストが大幅に増加することなく、バルク波に起因する精度や性能の低下が安定に回避される。   Therefore, according to the present embodiment, deterioration in accuracy and performance due to the bulk wave can be stably avoided without significantly increasing the cost.

なお、本実施形態では、櫛形電極13S-aと櫛形電極13S-bとは、信号源20によって逆相で励振されている。
しかし、本発明はこのような構成に限定されず、例えば、櫛形電極13S-a、13S-bと櫛形電極13R-a、13R-bとが入れ替えられることによって、バルク波aとバルク波bとの相殺が同様に実現されてもよい。
In the present embodiment, the comb-shaped electrode 13S-a and the comb-shaped electrode 13S-b are excited in opposite phases by the signal source 20.
However, the present invention is not limited to such a configuration. For example, when the comb electrodes 13S-a and 13S-b and the comb electrodes 13R-a and 13R-b are interchanged, the bulk wave a and the bulk wave b May be realized as well.

また、本実施形態では、表面伝搬阻止域と表面伝搬域とが伝搬路12に並列に隣接して形成されているが、これらの表面伝搬阻止域および表面伝搬域は、両者の伝搬特性の格差が許容される程度に少なく設定可能であるならば、例えば、以下の形態で形成されてもよい。   In this embodiment, the surface propagation blocking area and the surface propagation area are formed adjacent to the propagation path 12 in parallel. The surface propagation blocking area and the surface propagation area are different from each other in the propagation characteristics. May be formed in the following form, for example.

(1) 共通の圧電基板11上における物理的に隔たった2つの領域にそれぞれ形成される。(2) 共通の圧電基板11上に形成されるが、両者の間における弾性表面波とバルク波との伝搬路の結合を粗に設定する分離体が併せて形成される。
(3) 異なる圧電基板上に個別に形成される。
(1) It is formed in two physically separated areas on the common piezoelectric substrate 11. (2) Although formed on the common piezoelectric substrate 11, a separator that roughly sets the coupling of the propagation path of the surface acoustic wave and the bulk wave between them is formed together.
(3) Formed individually on different piezoelectric substrates.

さらに、本実施形態では、吸収体15が備えられている。
しかし、このような吸収体15は、表面伝搬阻止域、表面伝搬域、櫛形電極13S-a、13S-b、13R-a、13R-bの何れかに、反射電極14によって反射された弾性表面波bが吸収されることなく到達することに起因する精度や性能の劣化が許容されるならば、備えられなくてもよい。
Furthermore, in this embodiment, the absorber 15 is provided.
However, the absorber 15 has an elastic surface reflected by the reflective electrode 14 on any one of the surface propagation blocking region, the surface propagation region, and the comb electrodes 13S-a, 13S-b, 13R-a, and 13R-b. If deterioration of accuracy and performance due to the arrival of the wave b without being absorbed is allowed, it may not be provided.

また、本実施形態では、反射電極14によって弾性表面波bが反射される方向は、弾性表面波b、バルク波aおよびバルク波bと、その弾性表面波bとが圧電基板上11において音響的に干渉することに起因する精度ならびに性能と、これらの安定性の低下が許容されるならば、如何なる方向であってもよい。   Further, in the present embodiment, the surface acoustic wave b is reflected by the reflective electrode 14 in such a manner that the surface acoustic wave b, the bulk wave a and the bulk wave b, and the surface acoustic wave b are acoustic on the piezoelectric substrate 11. As long as accuracy and performance due to interference with the above and a decrease in the stability of these are allowed, it may be in any direction.

さらに、本実施形態では、バルク波aとバルク波bとの相殺は、既述の通りにシンメトリーに構成された櫛形電極13R-a、13R-bの出力が並列に回路21に接続されることによって実現されている。   Furthermore, in this embodiment, the cancellation of the bulk wave a and the bulk wave b is performed by connecting the outputs of the comb electrodes 13R-a and 13R-b, which are configured symmetrically as described above, to the circuit 21 in parallel. It is realized by.

しかし、このような相殺は、例えば、以下の何れの形態で実現されてもよい。
(1) 本実施形態に係る弾性表面波センサの端子数が「4」であることが許容される場合において、櫛形電極13R-a、13R-bの出力が個別に外部に引き渡された後に行われる「これらの出力の加算または減算」
(2) 内蔵された作動増幅回路またはこれに等価な信号処理によって行われる「櫛形電極13R-a、13R-bの出力の加算または減算」
However, such cancellation may be realized in any of the following forms, for example.
(1) When the number of terminals of the surface acoustic wave sensor according to the present embodiment is allowed to be “4”, the output is performed after the outputs of the comb electrodes 13R-a and 13R-b are individually delivered to the outside. "Addition or subtraction of these outputs"
(2) “Addition or subtraction of outputs of comb electrodes 13R-a and 13R-b” performed by a built-in operational amplification circuit or signal processing equivalent thereto

なお、これらの形態(1)、(2)の何れにおいても、櫛形電極13S-a、13S-b、13R-a、13R-bの電極の構成の同一性と相補性とについては、如何なるものであってもよい。   In any of these forms (1) and (2), what is the configuration identity and complementarity of the comb electrodes 13S-a, 13S-b, 13R-a, and 13R-b? It may be.

また、本実施形態では、櫛形電極13S-aと櫛形電極13S-bとの接続点と、櫛形電極13R-aと櫛形電極13R-bとの接続点とが共に接地されている。   In the present embodiment, the connection point between the comb electrode 13S-a and the comb electrode 13S-b and the connection point between the comb electrode 13R-a and the comb electrode 13R-b are both grounded.

しかし、これらの接続点は、表面伝搬域と表面伝搬阻止域とにおける弾性表面波の伝搬特性が所望の精度で同じとなるならば、接地されなくてもよい。   However, these connection points may not be grounded if the propagation characteristics of the surface acoustic wave in the surface propagation region and the surface propagation blocking region are the same with the desired accuracy.

さらに、本実施形態では、例えば、反応場上にある(存在し得る)媒質の種類、量、分布等に起因して、表面伝搬域と表面伝搬阻止域とにおける弾性表面波の伝搬特性に許容されない程度で偏差や変化が生じる場合には、既述の相殺を実現する加算または減算は、以下の要素から構成される回路や装置によって与えられる重みWa、Wbに基づく積和演算として実現されてもよい。   Furthermore, in the present embodiment, for example, due to the type, amount, distribution, and the like of the medium (that may exist) on the reaction field, the surface acoustic wave propagation characteristics in the surface propagation region and the surface propagation inhibition region are allowed. If a deviation or change occurs to the extent that it is not performed, the addition or subtraction that realizes the above-described cancellation is realized as a product-sum operation based on weights Wa and Wb given by a circuit or device composed of the following elements: Also good.

(1) 上記媒質の種類、量、分布等を識別し、あるいは手動による指定を可能とする第一の手段
(2) 識別され、あるいは指定された媒質の種類、量、分布等に適応した重みWa、Wbを求める第二の手段
(1) First means for identifying the type, amount, distribution, etc. of the above medium, or enabling manual designation
(2) Second means for obtaining weights Wa and Wb adapted to the type, amount, distribution, etc. of the identified or designated medium

なお、このような回路や装置は、本実施形態に係る弾性表面波センサに内蔵されなくてもよく、別体に設けられてもよい。   Such a circuit or device may not be incorporated in the surface acoustic wave sensor according to the present embodiment, and may be provided separately.

また、上記第一の手段は、媒質の種類、量、分布等を識別する場合には、その識別のために如何なるセンサと連係し、あるいはこのようなセンサが備えられてもよい。   Moreover, when said 1st means identifies the kind of medium, quantity, distribution, etc., it cooperates with what kind of sensor for the identification, or such a sensor may be provided.

さらに、上記第二の手段は、上記媒質の種類、量、分布等に基づく算術演算と、これらの種類、量および分布等の組み合わせに応じたテーブルのルックアップとの何れにより重みWa、Wbを求めてもよい。   Further, the second means may calculate the weights Wa and Wb by any of arithmetic operations based on the type, amount, distribution, etc. of the medium and a table lookup according to a combination of these types, amount, distribution, etc. You may ask for it.

さらに、本発明は、本実施形態のような弾性表面波センサに限定されず、例えば、弾性表面波フィルタ、弾性表面波発振器、弾性表面波共振器、弾性表面波導波路、弾性表面波遅延器、弾性表面波相関器等の多様な弾性表面波デバイスにも同様に適用可能である。   Further, the present invention is not limited to the surface acoustic wave sensor as in the present embodiment. For example, the surface acoustic wave filter, the surface acoustic wave oscillator, the surface acoustic wave resonator, the surface acoustic wave waveguide, the surface acoustic wave delay device, The present invention can be similarly applied to various surface acoustic wave devices such as a surface acoustic wave correlator.

また、本発明は、上述した実施形態に限定されず、本発明の範囲において多様な実施形態の構成が可能であり、構成要素の全てまたは一部に如何なる改良が施されてもよい。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations of the embodiments are possible within the scope of the present invention, and any improvements may be made to all or some of the components.

以下、本願に開示された発明の内、「特許請求の範囲」に記載しなかった発明を「特許請求の範囲」および「課題を解決するための手段」の欄の記載に準じた様式により列記する。   Hereinafter, among the inventions disclosed in the present application, the inventions not described in “Claims” are listed in a format according to the descriptions in the “Claims” and “Means for Solving the Problems” column. To do.

[請求項6] 請求項1ないし請求項5の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、
前記方向は、
前記圧電基板上で前記2つの送波電極と前記2つの受波電極とで挟まれた領域以外の方向である
ことを特徴とする弾性表面波センサ。
[Claim 6] In the surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 5,
The direction is
A surface acoustic wave sensor, wherein the surface acoustic wave sensor is in a direction other than a region sandwiched between the two transmitting electrodes and the two receiving electrodes on the piezoelectric substrate.

このような構成の弾性表面波センサでは、請求項1ないし請求項5の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、前記方向は、前記圧電基板上で前記2つの送波電極と前記2つの受波電極とで挟まれた領域以外の方向である。   In the surface acoustic wave sensor having such a configuration, in the surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 5, the direction is the two transmitting electrodes and the two on the piezoelectric substrate. The direction is other than the region sandwiched between the two receiving electrodes.

すなわち、反射電極によって反射された弾性表面波は、反射されても、2つの送波電極と2つの受波電極とで挟まれた領域には、直接的には何らかの経路を介して到達する。   That is, even if the surface acoustic wave reflected by the reflecting electrode is reflected, it reaches the region sandwiched between the two transmitting electrodes and the two receiving electrodes directly via some path.

したがって、反射電極によって弾性表面波が反射される方向に上記領域があることに起因するSN比や感度の低下が回避され、あるいは緩和される。   Therefore, a decrease in the S / N ratio and sensitivity due to the presence of the region in the direction in which the surface acoustic wave is reflected by the reflective electrode is avoided or alleviated.

[請求項7] 請求項1ないし請求項5の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、
前記圧電基板上において前記圧電基板上で前記2つの送波電極と前記2つの受波電極とで挟まれた領域に配置され、かつ前記弾性表面波を吸収する吸収体を備え、
前記方向は、
前記吸収体が位置する方向である
ことを特徴とする弾性表面波センサ。
[Claim 7] In the surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 5,
An absorber that is disposed in a region sandwiched between the two transmitting electrodes and the two receiving electrodes on the piezoelectric substrate and that absorbs the surface acoustic wave;
The direction is
A surface acoustic wave sensor, wherein the absorber is in a direction in which the absorber is located.

このような構成の弾性表面波センサでは、請求項1ないし請求項5の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、吸収体は、前記圧電基板上において前記圧電基板上で前記2つの送波電極と前記2つの受波電極とで挟まれた領域に配置され、かつ前記弾性表面波を吸収する。前記方向は、前記吸収体が位置する方向である。   In the surface acoustic wave sensor having such a configuration, in the surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 5, an absorber is formed on the piezoelectric substrate on the piezoelectric substrate. It is disposed in a region sandwiched between the wave electrode and the two receiving electrodes, and absorbs the surface acoustic wave. The direction is a direction in which the absorber is located.

すなわち、反射電極によって反射された弾性表面波は、上記吸収体によって吸収される。
したがって、反射電極よって反射された弾性表面波が積極的に吸収されない場合に比べて、感度およびSN比が高められ、かつ安定に維持される。
That is, the surface acoustic wave reflected by the reflective electrode is absorbed by the absorber.
Therefore, compared with the case where the surface acoustic wave reflected by the reflective electrode is not actively absorbed, the sensitivity and the SN ratio are increased and maintained stably.

[請求項8] 請求項1ないし請求項7の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、
前記反射電極は、
周波数軸上において前記弾性波の占有帯域に反射域を有する
ことを特徴とする弾性表面波センサ。
このような構成の弾性表面波センサでは、請求項1ないし請求項7の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、前記反射電極は、周波数軸上において前記弾性波の占有帯域に反射域を有する。
[Claim 8] In the surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 7,
The reflective electrode is
A surface acoustic wave sensor comprising a reflection region in an occupation band of the elastic wave on a frequency axis.
In the surface acoustic wave sensor having such a configuration, in the surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 7, the reflective electrode has a reflection region in a band occupied by the acoustic wave on a frequency axis. Have

すなわち、他方の送波電極と他方の受波電極との間では、弾性表面波が反射電極によって効率的に反射される。   That is, the surface acoustic wave is efficiently reflected by the reflective electrode between the other transmitting electrode and the other receiving electrode.

したがって、反射電極によって弾性表面波が反射する効率が高いほど、感度およびSN比が高められ、かつ安定に維持される。   Therefore, the higher the efficiency with which the surface acoustic wave is reflected by the reflective electrode, the higher the sensitivity and SN ratio, and the more stable it is.

11 圧電基板
12 伝搬路
13S,13R 櫛形電極
14 反射電極
15 吸収体
20 信号源
21 回路
11 Piezoelectric substrate 12 Propagation path 13S, 13R Comb electrode 14 Reflective electrode 15 Absorber 20 Signal source 21 Circuit

Claims (5)

圧電基板上に形成されて電気信号を弾性波に変換し、前記圧電基板を伝搬した弾性波を電気信号に変換する弾性表面波センサであって、
前記圧電基板上に配置され、前記電気信号を前記弾性波に変換する2つの送波電極と、
前記圧電基板上で前記2つの送波電極に個別に対向して形成され、前記圧電基板を介して到来した個々の弾性波を電気信号にそれぞれ変換する2つの受波電極と、
前記2つの送波電極の一方と前記一方の送波電極に対向して形成された一方の受波電極とで挟まれた前記圧電基板上の領域に形成され、前記弾性波の内、弾性表面波を前記2つの受波電極以外の方向に反射する反射電極と
を備えたことを特徴とする弾性表面波センサ。
A surface acoustic wave sensor formed on a piezoelectric substrate for converting an electric signal into an elastic wave, and converting an elastic wave propagated through the piezoelectric substrate into an electric signal,
Two transmitting electrodes disposed on the piezoelectric substrate and converting the electrical signal into the elastic wave;
Two receiving electrodes that are individually formed on the piezoelectric substrate so as to oppose the two transmitting electrodes and that convert individual elastic waves that have arrived through the piezoelectric substrate into electrical signals;
Formed in a region on the piezoelectric substrate sandwiched between one of the two transmitting electrodes and one receiving electrode formed opposite to the one transmitting electrode; A surface acoustic wave sensor comprising: a reflection electrode that reflects a wave in a direction other than the two reception electrodes.
請求項1に記載の弾性表面波センサにおいて、
前記2つの受波電極は、
前記圧電基板を介して個別に到来した弾性波を互いに逆相の電気信号に変換する
ことを特徴とする弾性表面波センサ。
The surface acoustic wave sensor according to claim 1,
The two receiving electrodes are:
A surface acoustic wave sensor, wherein the acoustic waves that individually arrive via the piezoelectric substrate are converted into electrical signals having opposite phases.
請求項1に記載の弾性表面波センサにおいて、
前記2つの送波電極は、
前記電気信号を互いの逆相の弾性波に変換する
ことを特徴とする弾性表面波センサ。
The surface acoustic wave sensor according to claim 1,
The two transmitting electrodes are:
A surface acoustic wave sensor, wherein the electrical signal is converted into elastic waves having opposite phases to each other.
請求項1ないし請求項3の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、
前記2つの受波電極は、
前記圧電基板を介して前記2つの受波電極に到来した弾性波の変換により得られた電気信号の和を生成する
点に特徴がある弾性表面波センサ。
The surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 3,
The two receiving electrodes are:
A surface acoustic wave sensor characterized by generating a sum of electrical signals obtained by converting acoustic waves arriving at the two receiving electrodes via the piezoelectric substrate.
請求項1ないし請求項4の何れか1項に記載の弾性表面波センサにおいて、
前記圧電基板上で、前記一方の送波電極と前記一方の受波電極とで挟まれた第一の領域と、他方の送波電極と他方の受波電極とで挟まれた第二の領域との境界に形成され、前記弾性波または前記弾性表面波の伝搬路の結合を阻止し、あるいは緩和する伝搬分離体を備えた
ことを特徴とする弾性表面波センサ。
The surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 4,
On the piezoelectric substrate, a first region sandwiched between the one transmitting electrode and the one receiving electrode, and a second region sandwiched between the other transmitting electrode and the other receiving electrode. A surface acoustic wave sensor, comprising: a propagation separator that prevents or relaxes coupling of propagation paths of the acoustic wave or the surface acoustic wave.
JP2010229799A 2010-10-12 2010-10-12 Surface acoustic wave sensor Pending JP2012085108A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010229799A JP2012085108A (en) 2010-10-12 2010-10-12 Surface acoustic wave sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010229799A JP2012085108A (en) 2010-10-12 2010-10-12 Surface acoustic wave sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012085108A true JP2012085108A (en) 2012-04-26

Family

ID=46243502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010229799A Pending JP2012085108A (en) 2010-10-12 2010-10-12 Surface acoustic wave sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012085108A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014054269A1 (en) * 2012-10-01 2014-04-10 パナソニック株式会社 Elastic wave element and elastic wave sensor using same
JP2014143648A (en) * 2013-01-25 2014-08-07 Japan Radio Co Ltd Acoustic wave device
JP2015141165A (en) * 2014-01-30 2015-08-03 日本無線株式会社 surface acoustic wave sensor and measuring device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5143081Y1 (en) * 1974-05-16 1976-10-19
JPH03145320A (en) * 1989-10-31 1991-06-20 Sanyo Electric Co Ltd Surface acoustic wave device
JP2821263B2 (en) * 1990-11-28 1998-11-05 株式会社日立製作所 Surface acoustic wave device and communication device using the same
JP2001185978A (en) * 1999-12-27 2001-07-06 Ngk Insulators Ltd Surface acoustic wave filter device
WO2002001715A1 (en) * 2000-06-27 2002-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device
JP2003017982A (en) * 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp Bulk wave canceling type surface acoustic wave device
US20100223999A1 (en) * 2009-03-03 2010-09-09 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Elastic wave device and electronic component

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5143081Y1 (en) * 1974-05-16 1976-10-19
JPH03145320A (en) * 1989-10-31 1991-06-20 Sanyo Electric Co Ltd Surface acoustic wave device
JP2821263B2 (en) * 1990-11-28 1998-11-05 株式会社日立製作所 Surface acoustic wave device and communication device using the same
JP2001185978A (en) * 1999-12-27 2001-07-06 Ngk Insulators Ltd Surface acoustic wave filter device
WO2002001715A1 (en) * 2000-06-27 2002-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device
JP2003017982A (en) * 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp Bulk wave canceling type surface acoustic wave device
US20100223999A1 (en) * 2009-03-03 2010-09-09 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Elastic wave device and electronic component

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014054269A1 (en) * 2012-10-01 2014-04-10 パナソニック株式会社 Elastic wave element and elastic wave sensor using same
US9518863B2 (en) 2012-10-01 2016-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Elastic wave element and elastic wave sensor using same
JP2014143648A (en) * 2013-01-25 2014-08-07 Japan Radio Co Ltd Acoustic wave device
JP2015141165A (en) * 2014-01-30 2015-08-03 日本無線株式会社 surface acoustic wave sensor and measuring device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6856825B2 (en) Elastic wave device, demultiplexer and communication device
US11621689B2 (en) Low-loss and wide-band acoustic delay lines using Z-cut lithium niobate piezoelectric thin films
JP3345609B2 (en) Acoustic wave transducer
JP5046961B2 (en) High frequency acoustic wave device
JP3606944B2 (en) SAW filter
US9160303B2 (en) Component working with acoustic waves having reduced temperature coefficient of frequencies and method for producing same
JP6360847B2 (en) Elastic wave device
JP2012085108A (en) Surface acoustic wave sensor
JP3223254B2 (en) 2-track surface wave device
JP6178972B2 (en) Electroacoustic filter with low-pass characteristics
US9518863B2 (en) Elastic wave element and elastic wave sensor using same
JP2005121498A (en) Surface acoustic sensing system
JP2001094393A (en) Surface acoustic wave device and communication equipment
WO2000067374A1 (en) Transverse double mode saw filter
JP5683199B2 (en) Surface acoustic wave device
JP2016184805A (en) Physical quantity sensor
JP2014143648A (en) Acoustic wave device
Hashimoto Surface acoustic wave (SAW) devices
JP2012085109A (en) Surface acoustic wave device
WO2023085210A1 (en) Elastic wave device, filter, splitter, and communication device
JPH08316773A (en) Surface acoustic wave device
US20220263491A1 (en) Acoustic wave device and communication apparatus
RU2195069C1 (en) Unidirectional surface-acoustic-wave transducer
Takeuchi et al. Floating‐electrode‐type SAW unidirectional transducers using leaky surface waves and their application to low‐loss filters
JPS5883418A (en) Surface acoustic wave device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131011

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20140328

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140717

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140805

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150113