JP2012082094A - イオン性結晶の表面エネルギーの計算方法、及びイオン性結晶の結晶成長方向の評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の充分広い表面、並びに充分な厚さを備えるイオン性結晶について、その表面に現れるイオンには補正した電荷を、当該結晶の内部に位置するイオンには形式電荷をそれぞれ適用し、且つエワルド法を用いて当該一対の表面を有するイオン性結晶が備える構造のエネルギーを評価すればよい。このようにして最もエネルギーが低い表面を特定することにより、イオン性結晶の結晶成長方向が予測できる。
【選択図】図2
Description
本実施の形態では、イオン性結晶を構成するイオンを点電荷と見なし、イオン性結晶が備える構造のエネルギーを、イオン同士のクーロン相互作用に由来するエネルギーの総和(クーロンポテンシャル)とし、エワルド法を用いて決定して、イオン性結晶の表面エネルギーの大小を簡便に比較する方法について説明する。
原点に置かれた点電荷qにより生じる位置rの電荷密度ρ(r)は、ディラックのデルタ関数δ(r)を用いて(2)式で表すことができる。
イオン性結晶は以下の特徴を備える。単位格子が規則的に繰り返して配置され、各単位格子は陽イオンと陰イオンを含み、その形式電荷の総和はゼロである。単位格子が三次元方向に充分な広がりを持って繰り返し配置されるイオン性結晶の構造の一例を図2(A)に示す。
単位格子が三次元方向に充分な広がりを持って繰り返し配置されるイオン性結晶に内包されるイオンiに他のイオンが与えるポテンシャルViを求める方法と同様、一対の表面を有するイオン性結晶中のイオンiが、他のイオンから受けるクーロンポテンシャルViを求めることができる。
一対の充分に広い表面、並びに充分な厚さを備えるイオン性結晶の各イオンに形式電荷を適用した結果、該イオン性結晶が該一対の表面に垂直な成分を含む双極子モーメントを備える場合、一対の表面を有する構造のエネルギーは、該一対の表面に現れる各イオンに補正された電荷を適用して求める必要がある。
イオン性結晶の「バルクにおける構造のエネルギー」の算出方法としては、はじめに各電荷に形式電荷を適用して、イオンiが他のイオンから受けるクーロンポテンシャルViを(11)式を用いて表現する。次いで、当該クーロンポテンシャルViを(1)式に代入して、「バルクにおける構造のエネルギー」を算出すればよい。
イオン性結晶の「一対の表面を有する構造のエネルギー」の算出方法としては、一対の表面に現れるイオンに補正した電荷を、一対の表面の間にあるイオンには形式電荷を適用して、イオンi、イオンj、イオンkが他のイオンから受けるクーロンポテンシャルViを(18)式を用いて表現する。次いで、当該クーロンポテンシャルViを(1)式に代入して、「一対の表面を有する構造のエネルギー」を算出すればよい。
上述の「一対の表面を有する構造のエネルギー」から「バルクにおける構造のエネルギー」を差し引いて、表面積の2倍で除してイオン性結晶の表面エネルギーを算出する。
InGaZnO4の結晶構造を図3に示す。InGaZnO4の単位格子は、4種類の原子からなり、多数の原子から構成されている。図3(A)に示すInGaZnO4の結晶構造は、(001)面が紙面と交わり、且つ[001]方向が紙面に沿っている。また、図3(B)に示すInGaZnO4の結晶構造は、(100)面が紙面と交わり、且つ[110]方向が紙面に沿っている。
InGaZnO4の構造はc軸に沿って長い繰り返し周期を有するため、c軸に交わる一対の面を両端に備える単位格子の構成が複数考えられる。本実施例ではc軸に交わる7つの切断面について計算した。図4に切断面を示す。
InGaZnO4の組成からなるイオン性結晶は、(001)面の第5の切断面55において、最も表面エネルギーが低い。依って、InGaZnO4の組成からなるイオン性結晶は、(001)面を真空に曝して結晶成長しやすいことが予測された。
ガラス基板上に成膜したインジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、及び(O)を含む非晶質の膜に加熱処理を施した結果について説明する。
52 切断面
53 切断面
54 切断面
55 切断面
56 切断面
57 切断面
Claims (3)
- イオンの形式電荷の総和がゼロであり、一対の表面、同一の構造並びに同一の組成を有する単位格子を周期的に配置して備えるイオン性結晶の表面エネルギーの算出方法であって、
前記イオン性結晶のイオンに形式電荷を適用し、エワルド法を用いてクーロンポテンシャルから、前記イオン性結晶の「バルクにおける構造のエネルギー」を求める第1のステップと、
前記単位格子の双極子モーメントの前記一対の表面に垂直な成分並びに前記単位格子の総電荷が共にゼロとなるように、前記一対の表面に現れるイオンの電荷を補正する第2のステップと、
前記一対の表面にあるイオンに補正された電荷を適用し、前記イオン性結晶の内部にあるイオンに形式電荷を適用し、エワルド法を用いてクーロンポテンシャルから、前記イオン性結晶の「一対の表面を有する構造のエネルギー」を求める第3のステップと、
前記「一対の表面を有する構造のエネルギー」から、前記「バルクにおける構造のエネルギー」を差し引いて、前記イオン性結晶の表面エネルギーを算出する第4のステップと、を備えるイオン性結晶の表面エネルギーの算出方法。 - 第1の表面と第2の表面が対をなす、一対の表面を有する単位格子を含み、
前記第1の表面にイオンを合計Nup個と、
前記第2の表面にイオンを合計Ndown個と、
前記第1の表面と前記第2の表面の間にイオンと、を有するイオン性結晶において、
前記第1の表面のイオンのそれぞれの形式電荷に補正値xを加え、前記第2の表面のイオンのそれぞれの形式電荷に補正値yを加え、前記第1の表面と前記第2の表面の間のイオンに形式電荷を適用することにより、
前記単位格子の双極子モーメントの前記一対の表面に垂直な成分d並びに前記補正値xと前記Nupの積に前記補正値yと前記Ndownの積を加えた値が共にゼロとなるように、前記補正値xと、前記補正値yを定めて前記一対の表面にあるイオンの電荷を補正する請求項1記載のイオン性結晶の表面エネルギーの算出方法。 - 請求項1又は請求項2記載のイオン性結晶の表面エネルギーの算出方法を用いて、
イオン性結晶の複数の表面エネルギーを算出する第1のステップと、
算出された前記複数の表面エネルギーから前記イオン性結晶の結晶成長方向を特定する第2のステップと、を備える結晶成長方向の評価方法。
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