JP2012079752A - Method for forming pattern and method for manufacturing circuit board - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for easily forming a pattern of a via hole or the like by means of a printing method.SOLUTION: A method for patterning a first thin film provided on a substrate and comprising a first polymer material comprises: a polymer solution dropping step of preparing a polymer solution obtained by dissolving a second polymer material into a first solvent which dissolves a first polymer material and dropping the solution on the first thin film; and a second solvent contact step of bringing the first thin film into contact with a second solvent after the first solvent is dried. The second solvent is a solvent which does not dissolves the first polymer material but dissolves the second polymer material.

Description

本発明は、パターン形成方法、及び当該パターン形成方法を適応した回路基板の製造方法に関する。取り分け、印刷法を用いて機能性有機材料を塗布する事により、アクティブマトリックス基板を製造する方法に関する。   The present invention relates to a pattern forming method and a circuit board manufacturing method to which the pattern forming method is applied. In particular, the present invention relates to a method of manufacturing an active matrix substrate by applying a functional organic material using a printing method.

従来、シリコン半導体を利用したアクティブマトリックス基板を製造するには、薄膜の成膜工程とフォトリソグラフィー工程、及びエッチング工程を基本サイクルとし、この基本サイクルを複数回繰り返していた。まず、薄膜が基板全体に成膜された後に、必要となる薄膜パターンに応じたフォトレジストパターンを作り、そのパターンに基づいて薄膜の大半をエッチング工程で除去し、その後に残ったフォトレジストパターンも除去して基本サイクルとしていた。即ち、この製造方法では、薄膜材料の多くとフォトレジスト材料の総てを最終的に捨てねばならず、いわば、壮大な無駄に立脚していると言えた。加えて、成膜工程やエッチング工程には真空プロセスが必要とされ、これらの工程は処理時間が長く、生産性が悪い上に、大規模な製造装置が必要とされていた。   Conventionally, in order to manufacture an active matrix substrate using a silicon semiconductor, a thin film formation process, a photolithography process, and an etching process are used as basic cycles, and this basic cycle is repeated a plurality of times. First, after the thin film is formed on the entire substrate, a photoresist pattern corresponding to the required thin film pattern is made, and most of the thin film is removed by the etching process based on the pattern, and the remaining photoresist pattern is It was removed and used as a basic cycle. That is, in this manufacturing method, most of the thin film material and all of the photoresist material have to be finally discarded, so to speak, it can be said that it is based on grand waste. In addition, a vacuum process is required for the film forming process and the etching process. These processes require a long processing time, poor productivity, and a large-scale manufacturing apparatus.

そこで、上述の基本サイクルを出来る限り使用せず、生産性に優れ、大規模な製造装置の使用も極力避けた製造方法として、アクティブマトリックス基板を印刷法にて製造する方法が検討されている。印刷法には様々な方式が有るが、アクティブマトリックス基板を製造するにはインクジェット方式が適していると考えられている。これは、インクジェット方式が各種の印刷方法の中で、唯一、基板に非接触でパターンを形成し、欠陥の発生確率が最も低いからである。インクジェット方式以外の各種印刷方式は、印刷版を基板に接触させる為、ごみの巻き込みや、物理的な欠損をなくす事が困難であるからである。   Therefore, a method of manufacturing an active matrix substrate by a printing method has been studied as a manufacturing method that does not use the above basic cycle as much as possible, has excellent productivity, and avoids the use of a large-scale manufacturing apparatus as much as possible. Although there are various printing methods, an inkjet method is considered suitable for manufacturing an active matrix substrate. This is because the ink-jet method forms the pattern in a non-contact manner on the substrate only among various printing methods, and has the lowest probability of occurrence of defects. This is because various printing methods other than the ink jet method make it difficult to eliminate dust entrapment and physical defects because the printing plate is brought into contact with the substrate.

さて、通常、アクティブマトリックス基板には複数の配線層が設けられ、これらの配線層は絶縁膜にて分離されている。配線層間で電気的な導通が必要な箇所には、ヴィアホールを開口して両配線間を接続している。印刷法にてアクティブマトリックス基板を製造する際にも、この配線層間の導通が必要となる。例えば特許文献1では、フォトリソグラフィー工程とドライエッチング工程とを用いて、ヴィアホールを形成している。又、特許文献2では、絶縁膜にレーザー光を照射してヴィアホールを形成している。又、特許文献3では、図17に示す様に、絶縁膜を溶解する溶剤を絶縁膜に滴下してヴィアホールを形成している。   In general, an active matrix substrate is provided with a plurality of wiring layers, and these wiring layers are separated by an insulating film. In places where electrical continuity is required between the wiring layers, via holes are opened to connect the two wirings. Even when an active matrix substrate is manufactured by a printing method, conduction between the wiring layers is required. For example, in Patent Document 1, via holes are formed using a photolithography process and a dry etching process. In Patent Document 2, a via hole is formed by irradiating a laser beam to an insulating film. In Patent Document 3, as shown in FIG. 17, a via hole is formed by dropping a solvent for dissolving the insulating film onto the insulating film.

特許文献3の方法では、図17(a)に示す様に、絶縁膜171上に滴下された溶剤は、絶縁膜171上で液滴172をなす。液滴172はその下の絶縁膜171を溶解しつつ、蒸発していく。絶縁膜171の厚さが200nmから400nm程度と薄ければ、図17(b)に示す様に、絶縁膜171は厚み方向で全体が溶剤に溶かされる。これが乾燥する際には、図17(b)の矢印が示す様な微小流が発生する。溶剤に溶けた絶縁膜171の材料も、この流れに乗って、液滴172の外周部付近へと集められる。その結果、図17(c)に示す様なクレータ状の窪みが形成される。   In the method of Patent Document 3, as shown in FIG. 17A, the solvent dropped on the insulating film 171 forms droplets 172 on the insulating film 171. The droplet 172 evaporates while dissolving the underlying insulating film 171. If the thickness of the insulating film 171 is as thin as about 200 nm to 400 nm, as shown in FIG. 17B, the entire insulating film 171 is dissolved in the solvent in the thickness direction. When this dries, a micro flow as shown by the arrow in FIG. 17B is generated. The material of the insulating film 171 dissolved in the solvent is also collected in the vicinity of the outer peripheral portion of the droplet 172 along this flow. As a result, a crater-shaped depression as shown in FIG.

特開2008−277371号公報JP 2008-277371 A 特開2007−266237号公報JP 2007-266237 A 特表2003−518755号公報Special table 2003-518755 gazette

しかしながら、特許文献1に代表される従来の製造方法では、フォトリソグラフィー工程が、アクティブマトリックス基板に利用されている機能性有機材料に重大な影響を及ぼし、特性に優れたアクティブマトリックス基板を安定的に製造するのが困難であるという課題があった。これはフォトリソグラフィー工程中の露光時に強い短波長光が機能性有機材料に照射され、機能性有機材料が光劣化する恐れが有るからである。又、フォトリソグラフィー工程中の現像時に現像液が機能性有機材料に染み渡り、機能性有機材料が化学的に変化する恐れが有るからでもある。   However, in the conventional manufacturing method represented by Patent Document 1, the photolithography process has a significant effect on the functional organic material used for the active matrix substrate, and the active matrix substrate having excellent characteristics can be stably formed. There was a problem that it was difficult to manufacture. This is because the functional organic material may be irradiated with strong short-wavelength light during exposure in the photolithography process, and the functional organic material may be photodegraded. Moreover, it is because there exists a possibility that a developing solution may permeate | transmit a functional organic material at the time of image development in a photolithography process, and a functional organic material may change chemically.

又、特許文献2に代表される従来の製造方法では、レーザー装置を利用している為に製造原価が高騰するという課題の他に、生産性が悪く、歩留まりも低いという課題もあった。通常、ヴィアホール開口にはレーザーを同一地点に複数回照射する必要がある。而もアクティブマトリックス基板にヴィアホールは数万個から数百万個存在するので、これらをレーザー装置で数個ずつ乃至は数百個ずつアライメントを取りつつ開口して行くと、その処理に極めて長い時間が費やされてしまう。又、レーザー出力が僅かに変動するだけで、電気的な導通が取れなくなる。例えば僅かにレーザー出力が弱ければ、ヴィアホールは開口できず(ヴィアホール底部に絶縁膜が残り)、反対に僅かでも強過ぎれば、導通を取るべき電極までをもアブレーションさせてしまうからである。更に、レーザーアブレーションを利用している関係から、ゴミの発生が避けられず、アクティブマトリックス基板を汚す結果、歩留まりを低下させていた。   In addition, the conventional manufacturing method represented by Patent Document 2 has a problem that productivity is low and a yield is low, in addition to the problem that the manufacturing cost increases due to the use of a laser device. Normally, it is necessary to irradiate a laser beam at the same point several times to the opening of the via hole. However, since there are tens of thousands to millions of via holes in the active matrix substrate, opening them while aligning several to several hundreds with a laser device is extremely long. Time is spent. In addition, electrical continuity cannot be obtained even if the laser output fluctuates slightly. For example, if the laser output is slightly weak, the via hole cannot be opened (an insulating film remains at the bottom of the via hole). On the other hand, if it is too strong, even the electrode to be conductive is ablated. Furthermore, because of the use of laser ablation, the generation of dust is unavoidable, and the yield is lowered as a result of soiling the active matrix substrate.

又、特許文献3に代表される従来の製造方法では、完全に貫通した穴を形成する事が困難であるという課題があった。図17(c)に示す様に、穴の底部173には僅かながら絶縁膜材料が残留していた。これは、乾燥の最終過程では溶剤の移動よりも蒸発の方が支配的になる為に、ほぼ必然的に生ずる現象であった。そこで、これを回避すべく、特許文献3では、この工程に続いて、絶縁膜の全面を均一にエッチングして、穴の底部173の薄皮状の残留物を除去していた。具体的には、プラズマを用いたドライエッチング処理や溶剤を用いたウエットエッチング処理が施されていた。しかし絶縁膜が高分子材料からなる場合、プラズマでのドライエッチング処理は、絶縁膜に対してプラズマダメージを招き、絶縁膜品質を劣化させるという課題があった。また、ウエットエッチング処理を施す方法では、絶縁膜の表面が荒れるという課題があった。更に、絶縁膜の界面に溶剤が侵入して絶縁膜が剥がれるという課題もあった。   Moreover, in the conventional manufacturing method represented by patent document 3, there existed a subject that it was difficult to form the hole penetrated completely. As shown in FIG. 17C, a little insulating film material remained at the bottom 173 of the hole. This is a phenomenon that occurs almost inevitably because evaporation is more dominant than solvent transfer in the final drying process. Therefore, in order to avoid this, in Patent Document 3, following this step, the entire surface of the insulating film is uniformly etched to remove the thin skin residue at the bottom 173 of the hole. Specifically, a dry etching process using plasma or a wet etching process using a solvent has been performed. However, when the insulating film is made of a polymer material, the dry etching treatment with plasma has a problem that the insulating film causes plasma damage and deteriorates the quality of the insulating film. Further, the method of performing the wet etching process has a problem that the surface of the insulating film becomes rough. Further, there is a problem that the solvent enters the interface of the insulating film and the insulating film is peeled off.

換言すれば、ヴィアホールなどのパターンを形成するに当たり、従来は印刷法に適したパターン形成方法が存在しないという課題があった。同様に、優れた特性を有する回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事が困難であるという課題があった。   In other words, in forming a pattern such as a via hole, there has been a problem that a pattern forming method suitable for the printing method does not exist conventionally. Similarly, there has been a problem that it is difficult to stably produce a circuit board having excellent characteristics at a high yield by a printing method.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

(適用例1) 本適用例に係わるパターン形成方法は、基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、第一薄膜は第一高分子材料からなり、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事を特徴とする。
この構成によれば、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に形成でき、而もヴィアホール以外の残った第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
(Application Example 1) A pattern forming method according to this application example is a pattern forming method of a first thin film provided on a substrate, and the first thin film is made of a first polymer material, and the first polymer material is made of The polymer solution in which the second polymer material is dissolved in the first solvent to be dissolved is dropped onto the first thin film, and after the first solvent is dried, the first thin film is touched with the second solvent. A second solvent contacting step, wherein the second solvent does not dissolve the first polymer material but dissolves the second polymer material.
According to this configuration, a pattern such as a via hole can be easily formed by a printing method, and the quality of the remaining first thin film other than the via hole can be kept high.

(適用例2) 本適用例に係わるパターン形成方法は、基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、第一薄膜は第一高分子材料からなり、第一高分子材料を溶解する第三溶媒を第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、第三溶媒が乾燥した後に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事を特徴とする。
この構成によれば、第三溶媒の乾燥時に第一高分子材料の移動を促進するので、第三溶媒乾燥後には、第三溶媒が滴下された中央部付近に第一高分子材料は僅かしか残留しない。その後にこの僅かな残留物が除去されるので、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に且つ確実に形成でき、而もヴィアホール以外の残った第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
(Application Example 2) A pattern forming method according to this application example is a pattern forming method of a first thin film provided on a substrate, and the first thin film is made of a first polymer material, and the first polymer material is made of A third solvent dropping step of dropping a third solvent to be dissolved on the first thin film, and a polymer in which the second polymer material is dissolved in the first solvent that dissolves the first polymer material after the third solvent is dried A polymer solution dropping step of dropping the solution on the first thin film; and a second solvent contact step of bringing the first thin film into contact with the second solvent after the first solvent is dried, The second polymer material is dissolved without dissolving the polymer material.
According to this configuration, since the movement of the first polymer material is promoted when the third solvent is dried, after the third solvent is dried, the first polymer material is slightly in the vicinity of the central portion where the third solvent is dropped. Does not remain. Since this slight residue is then removed, patterns such as via holes can be easily and reliably formed by a printing method, and the quality of the remaining first thin film other than via holes can be kept high. Can do.

(適用例3) 上記適用例に係わるパターン形成方法において、第二高分子材料の分子量が500以上50000以下の範囲に有る事が好ましい。
この構成によれば、分子量が500以上なので、第二高分子材料は高分子としての特徴を示し、第一溶媒の乾燥時に第一高分子材料と相分離を引き起こす。その為に、第二溶媒接触工程後に第二高分子材料が除去されると、そこの部位は第一高分子材料も第二高分子材料も存在しない領域となる。第二高分子材料の分子量が50000以下であるので、第一溶媒の乾燥期間に於ける高分子溶液の粘度は比較的長時間低く保たれる。これらの結果、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に形成できる。
Application Example 3 In the pattern forming method according to the application example described above, it is preferable that the molecular weight of the second polymer material is in the range of 500 to 50,000.
According to this configuration, since the molecular weight is 500 or more, the second polymer material exhibits characteristics as a polymer, and causes phase separation from the first polymer material when the first solvent is dried. For this reason, when the second polymer material is removed after the second solvent contact step, the portion becomes a region where neither the first polymer material nor the second polymer material exists. Since the molecular weight of the second polymer material is 50000 or less, the viscosity of the polymer solution during the drying period of the first solvent is kept low for a relatively long time. As a result, patterns such as via holes can be easily formed by a printing method.

(適用例4) 本適用例に係わる回路基板の製造方法は、基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、第一導電体上の第一薄膜に貫通孔を開口して、第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、貫通孔形成工程は、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は、第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事を特徴とする。
この構成によれば、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に開口でき、而も回路基板に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない。その為に、優れた回路特性を示す回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
Application Example 4 A circuit board manufacturing method according to this application example includes a first conductor forming step of forming a first conductor on a substrate, and a first polymer material so as to cover the first conductor. A first thin film forming step for forming the first thin film, and a through hole forming step for exposing a surface of the first conductor by opening a through hole in the first thin film on the first conductor. The through-hole forming step includes a polymer solution dropping step in which a polymer solution in which the second polymer material is dissolved in the first solvent in which the first polymer material is dissolved is dropped on the first thin film; A second solvent contact step of contacting the first thin film with the second solvent after drying, wherein the second solvent does not dissolve the first polymer material but dissolves the second polymer material And
According to this configuration, the via hole can be easily opened in the circuit board by a printing method, and the electronic element manufactured on the circuit board is not adversely affected. Therefore, a circuit board exhibiting excellent circuit characteristics can be stably manufactured with a high yield by a printing method.

(適用例5) 本適用例に係わる回路基板の製造方法は、基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、第一導電体上の第一薄膜に貫通孔を開口して、第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、貫通孔形成工程は、第一高分子材料を溶解する第三溶媒を第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、第三溶媒が乾燥した後に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する事が好ましい。
この構成によれば、第三溶媒の乾燥時に第一高分子材料の移動を促進するので、第三溶媒乾燥後には、第三溶媒が滴下された中央部付近に第一高分子材料は僅かしか残留しない。その後にこの僅かな残留物が除去されるので、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に且つ確実に開口でき、而も回路基板に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない。その為に、優れた回路特性を示す回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
Application Example 5 A circuit board manufacturing method according to this application example includes a first conductor forming step of forming a first conductor on a substrate, and a first polymer material so as to cover the first conductor. A first thin film forming step for forming the first thin film, and a through hole forming step for exposing a surface of the first conductor by opening a through hole in the first thin film on the first conductor. The through-hole forming step includes a third solvent dropping step of dropping a third solvent that dissolves the first polymer material onto the first thin film, and a first solvent that dissolves the first polymer material after the third solvent is dried. A polymer solution dropping step in which a polymer solution in which a second polymer material is dissolved in a solvent is dropped onto the first thin film, and a second solvent in which the first thin film is brought into contact with the second solvent after the first solvent is dried The second solvent preferably does not dissolve the first polymer material but dissolves the second polymer material.
According to this configuration, since the movement of the first polymer material is promoted when the third solvent is dried, after the third solvent is dried, the first polymer material is slightly in the vicinity of the central portion where the third solvent is dropped. Does not remain. Thereafter, the slight residue is removed, so that a via hole can be easily and surely opened in the circuit board by a printing method, which does not adversely affect the electronic device fabricated on the circuit board. Therefore, a circuit board exhibiting excellent circuit characteristics can be stably manufactured with a high yield by a printing method.

(適用例6) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第二高分子材料の分子量が500以上50000以下の範囲に有る事が好ましい。
この構成によれば、分子量が500以上なので、第二高分子材料は高分子としての特徴を示し、第一溶媒の乾燥時に第一高分子材料と相分離を引き起こす。その為に、第二溶媒接触工程後に第二高分子材料が除去されると、そこの部位は第一高分子材料も第二高分子材料も存在しない領域となる。第二高分子材料の分子量が50000以下であるので、第一溶媒の乾燥期間に於ける高分子溶液の粘度は比較的長時間低く保たれる。これらの結果、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に且つ確実に開口できる。
Application Example 6 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example described above, the molecular weight of the second polymer material is preferably in the range of 500 or more and 50000 or less.
According to this configuration, since the molecular weight is 500 or more, the second polymer material exhibits characteristics as a polymer, and causes phase separation from the first polymer material when the first solvent is dried. For this reason, when the second polymer material is removed after the second solvent contact step, the portion becomes a region where neither the first polymer material nor the second polymer material exists. Since the molecular weight of the second polymer material is 50000 or less, the viscosity of the polymer solution during the drying period of the first solvent is kept low for a relatively long time. As a result, via holes can be easily and reliably opened in the circuit board by a printing method.

(適用例7) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、貫通孔形成工程後に、第一導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する第二絶縁膜形成工程と、を更に含む事が好ましい。
この構成によれば、印刷法にて回路基板にヴィアホールを容易に開口でき、而も回路基板に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない。その為に、優れた回路特性を示す回路基板を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
Application Example 7 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example described above, after the through-hole forming step, a liquid-repellent step for making the surface of the first conductor liquid-repellent, and a precursor resin is printed in a region other than the through-hole. It is preferable to further include a second insulating film forming step of curing the precursor resin after printing to form a second insulating film.
According to this configuration, the via hole can be easily opened in the circuit board by a printing method, and the electronic element manufactured on the circuit board is not adversely affected. Therefore, a circuit board exhibiting excellent circuit characteristics can be stably manufactured with a high yield by a printing method.

(適用例8) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、撥液化工程後に、第一薄膜上に第二導電体を形成する第二導電体形成工程を含み、第二導電体形成工程後に第二絶縁膜形成工程を行う事が好ましい。
撥液化工程は金属等の導電体の表面を選択的に撥液化させる。この構成によれば、撥液化工程時に未だ第二導電体が形成されていないので、第一導電体で貫通孔が開口している部位のみが選択的に撥液化され、その他の領域は撥液化されない。従って、次の第二絶縁膜形成工程では、貫通孔以外の領域に均一に前駆体樹脂を印刷でき、貫通孔以外の領域には隈無く第二絶縁膜を形成する事ができる。
Application Example 8 In the method of manufacturing a circuit board according to the application example described above, the method includes a second conductor forming step of forming a second conductor on the first thin film after the liquid repellency step, and after the second conductor forming step. It is preferable to perform the second insulating film forming step.
In the liquid repellent step, the surface of a conductor such as a metal is selectively made liquid repellent. According to this configuration, since the second conductor is not yet formed at the time of the liquid repellent process, only the portion where the through hole is opened in the first conductor is selectively liquid repellent, and the other areas are liquid repellent. Not. Therefore, in the next second insulating film forming step, the precursor resin can be printed uniformly in the region other than the through hole, and the second insulating film can be formed without any defects in the region other than the through hole.

(適用例9) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第二絶縁膜形成工程後に、貫通孔を含む領域に第三導電体を形成する第三導電体形成工程を含む事が好ましい。
この構成によれば、貫通孔を含む領域には第二絶縁膜が形成されて居らず、そこは自然にヴィアホールとなっている。従って、第一導電体と第三導電体との間で、第一薄膜と第二絶縁膜とを介して、電気的に導通を取る事ができ、印刷法にて、複雑で高機能な回路を有する回路基板を製造する事ができる。
Application Example 9 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example described above, it is preferable to include a third conductor forming step of forming a third conductor in a region including the through hole after the second insulating film forming step.
According to this configuration, the second insulating film is not formed in the region including the through hole, and the region naturally becomes a via hole. Therefore, electrical conduction can be established between the first conductor and the third conductor via the first thin film and the second insulating film, and a complicated and highly functional circuit can be formed by printing. Can be manufactured.

(適用例10) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一導電体形成工程後に、有機半導体膜を印刷する半導体膜形成工程を含み、半導体膜形成工程後に第一薄膜成膜工程を行う事が好ましい。
この構成によれば、機能性有機材料として有機半導体膜を利用できるので、回路基板に有機物薄膜トランジスターを形成でき、高機能な回路を有する回路基板を製造することができる。更に、この構成では、第一導電体をソースドレイン電極とし、ソースドレイン電極形成後にトランジスターの活性層半導体膜を印刷し、その後にゲート絶縁膜として機能する第一薄膜を成膜する事になる。即ち、第一導電体形成工程が最初になるので、この工程が有機半導体膜やゲート絶縁膜に影響を及ぼす事はなく、様々な手法を第一導電体形成工程に適応できる(工程自由度が高い)。薄膜トランジスターでは半導体膜とゲート絶縁膜とがトランジスター特性を定める重要な要素であるが、この構成では第一導電体形成工程がこれらの重要な要素に悪影響を及ぼす事態を完全に排除でき、高性能な薄膜トランジスターを製造する事ができるのである。
又、トランジスターを用いた回路ではトランジスターのチャンネル形成領域長(有機物薄膜トランジスターでは、ソース電極とドレイン電極とを離間する距離)を短くする事が回路性能を向上させるのに重要な要件である。この構成によれば、第一導電体形成工程の工程自由度が高く、有機半導体膜やゲート絶縁膜の形成に先立って、ここにフォトリソグラフィー工程とエッチング工程を利用できるので、チャンネル形成領域長を数ミクロン、乃至はそれ以下へと、極めて短くする事ができる。換言すれば、回路基板の製造工程中で、最初に一回だけフォトリソグラフィー工程とエッチング工程とを使えば、残りの工程をすべて印刷法で回路基板を製造しても、チャンネル形成領域長が極めて短い高性能な薄膜トランジスターを回路基板に設ける事が可能となる。
Application Example 10 In the method of manufacturing a circuit board according to the application example, the method includes a semiconductor film formation step of printing an organic semiconductor film after the first conductor formation step, and the first thin film formation step after the semiconductor film formation step. It is preferable to do this.
According to this configuration, since an organic semiconductor film can be used as the functional organic material, an organic thin film transistor can be formed on the circuit board, and a circuit board having a highly functional circuit can be manufactured. Further, in this configuration, the first conductor is used as a source / drain electrode, the active layer semiconductor film of the transistor is printed after the source / drain electrode is formed, and then a first thin film that functions as a gate insulating film is formed. That is, since the first conductor forming process is the first, this process does not affect the organic semiconductor film and the gate insulating film, and various methods can be applied to the first conductor forming process (the degree of freedom in the process). high). In a thin film transistor, the semiconductor film and the gate insulating film are important elements that determine transistor characteristics, but with this configuration, it is possible to completely eliminate the situation where the first conductor formation process adversely affects these important elements. A thin film transistor can be manufactured.
In a circuit using a transistor, it is an important requirement to improve circuit performance to shorten the length of the channel formation region of the transistor (distance separating the source electrode and the drain electrode in the case of an organic thin film transistor). According to this configuration, the degree of freedom in the first conductor forming process is high, and the photolithography process and the etching process can be used here prior to the formation of the organic semiconductor film and the gate insulating film. It can be very short to a few microns or less. In other words, if the photolithography process and the etching process are used only once in the manufacturing process of the circuit board, the length of the channel formation region is extremely large even if the circuit board is manufactured by the printing method for all the remaining processes. A short high-performance thin film transistor can be provided on the circuit board.

(適用例11) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、有機半導体膜はエーテル系溶剤に対しても、ケトン系溶剤に対しても、エステル系溶剤に対しても、フッ素系溶剤に対しても難溶性を示す事が好ましい。
これらの構成によれば、π共役系分子を有機半導体膜として活用でき、且つこれらは芳香族炭化水素や飽和炭化水素を溶媒として利用できるので、有機半導体を含むインクを準備できる。即ち、有機半導体をインクジェット法などの印刷法で、回路基板に求められる形状に印刷できる。
Application Example 11 In the method of manufacturing a circuit board according to the application example described above, the organic semiconductor film is an ether solvent, a ketone solvent, an ester solvent, and a fluorine solvent. However, it is preferable to exhibit poor solubility.
According to these configurations, π-conjugated molecules can be used as an organic semiconductor film, and since they can use an aromatic hydrocarbon or a saturated hydrocarbon as a solvent, an ink containing an organic semiconductor can be prepared. That is, the organic semiconductor can be printed in a shape required for the circuit board by a printing method such as an inkjet method.

(適用例12) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一薄膜はエーテル系溶剤又は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかに可溶である事が好ましい。
これらの構成によれば、エーテル系溶剤、又はケトン系溶剤、又はエステル系溶剤、又はフッ素系溶剤、に可溶な絶縁材料、若しくはエーテル系樹脂、又はケトン系樹脂、又はエステル系樹脂、又はフッ素系樹脂、からなる絶縁材料を第一薄膜成膜工程に使用できるので、印刷法にて第一薄膜を形成できる。又、第一薄膜に対する選択肢が広いので、回路基板の機能を最大にする事ができる。さらに、第一薄膜をトランジスターのゲート絶縁膜として利用する場合には、第一薄膜材料が有機半導体膜を溶かさないので、半導体膜とゲート絶縁膜との界面が平滑で、且つ中間遷移層が存在しない綺麗な物となる。その結果、優れた特性を示す薄膜トランジスターを回路基板に作製する事ができる。
Application Example 12 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example described above, the first thin film is preferably soluble in any of ether solvents, ketone solvents, ester solvents, and fluorine solvents.
According to these structures, an insulating material soluble in an ether solvent, a ketone solvent, an ester solvent, or a fluorine solvent, an ether resin, a ketone resin, an ester resin, or fluorine Since an insulating material made of a resin can be used for the first thin film forming step, the first thin film can be formed by a printing method. In addition, since the options for the first thin film are wide, the function of the circuit board can be maximized. Furthermore, when the first thin film is used as a gate insulating film of a transistor, the first thin film material does not dissolve the organic semiconductor film, so that the interface between the semiconductor film and the gate insulating film is smooth and an intermediate transition layer exists. Do not be beautiful. As a result, a thin film transistor having excellent characteristics can be manufactured over a circuit board.

(適用例13) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一薄膜はアルコール系溶剤に対して難溶性を示す事が好ましい。
この構成によれば、第一薄膜成膜工程後に行われる撥液化工程や第二導電体形成工程、及び第二絶縁膜形成工程に、アルコール系材料乃至はアルコール系溶剤に対して可溶な材料を使用できる。即ち、これらの材料を用いて、印刷法にて撥液化工程や第二導電体形成工程、及び第二絶縁膜形成工程を進めることができる。更に、これらの工程中に第一薄膜が損傷を受ける事もないので、第一薄膜は、回路基板にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
Application Example 13 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example described above, it is preferable that the first thin film is hardly soluble in an alcohol solvent.
According to this configuration, the alcohol-based material or the material soluble in the alcohol-based solvent in the lyophobic process, the second conductor forming process, and the second insulating film forming process performed after the first thin film forming process. Can be used. That is, using these materials, the lyophobic process, the second conductor forming process, and the second insulating film forming process can be performed by a printing method. Furthermore, since the first thin film is not damaged during these steps, the first thin film can be maintained without deteriorating the functions required of the circuit board.

(適用例14) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、第一薄膜は前駆体樹脂に対して難溶性を示す事が好ましい。
この構成によれば、第二絶縁膜形成工程中に第一薄膜が前駆体樹脂によって損傷を被ることはなく、第一薄膜は、回路基板にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。
Application Example 14 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example described above, it is preferable that the first thin film exhibits poor solubility in the precursor resin.
According to this configuration, the first thin film is not damaged by the precursor resin during the second insulating film forming step, and the first thin film can be maintained without deteriorating the function required for the circuit board.

(適用例15) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液に、第一導電体の表面を触れさせる事が好ましい。
この構成によれば、チオール化合物又はジスルフィド化合物の硫黄原子が金属原子と素早く結合するので、数秒から数分程度の短時間の接触で容易に第一導電体の表面のみを選択的に撥液化させる事ができる。
Application Example 15 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example described above, it is preferable that the liquid repellent process includes bringing the surface of the first conductor into contact with a solution containing a thiol compound or a disulfide compound.
According to this configuration, the sulfur atom of the thiol compound or disulfide compound is quickly bonded to the metal atom, so that only the surface of the first conductor is easily made liquid repellent easily by a short contact of several seconds to several minutes. I can do things.

(適用例16) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、チオール化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事が好ましい。
フッ素化アルキル鎖は表面張力を下げるので、この構成によれば、チオール化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
Application Example 16 In the circuit board manufacturing method according to the application example described above, it is preferable that the thiol compound includes a fluorinated alkyl chain.
Since the fluorinated alkyl chain lowers the surface tension, according to this configuration, the liquid repellency of the surface to which the thiol compound is bonded can be made extremely high.

(適用例17) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、ジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事が好ましい。
フッ素化アルキル鎖は表面張力を下げるので、この構成によれば、ジスルフィド化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。
Application Example 17 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example, it is preferable that the disulfide compound includes a fluorinated alkyl chain.
Since the fluorinated alkyl chain lowers the surface tension, according to this configuration, the liquid repellency of the surface to which the disulfide compound is bonded can be made extremely high.

(適用例18) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含む事が好ましい。
第二絶縁膜は第一薄膜上に形成されるが、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、この構成によれば、前駆体樹脂が第一薄膜に損傷を及ぼす事(第一薄膜を溶融する事)を避けられる。
Application Example 18 In the circuit board manufacturing method according to the application example described above, the precursor resin preferably includes a monomer having a hydroxyl group.
Although the second insulating film is formed on the first thin film, the first thin film is stable against the alcohol-based material. Therefore, according to this configuration, the precursor resin damages the first thin film (first film). Melting one thin film).

(適用例19) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂はアルコール系溶剤に可溶である事が好ましい。
この構成によれば、前駆体樹脂をアルコール系溶剤で希釈できるので、その溶液の濃度を比較的自由に調整でき、各種印刷法を第二絶縁膜形成工程に適応できる。又、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、第二絶縁膜形成工程が第一薄膜に損傷を及ぼす事(第一薄膜を溶融する事)を避けられる。
Application Example 19 In the circuit board manufacturing method according to the application example described above, the precursor resin is preferably soluble in an alcohol solvent.
According to this configuration, since the precursor resin can be diluted with an alcohol solvent, the concentration of the solution can be adjusted relatively freely, and various printing methods can be applied to the second insulating film forming step. Further, since the first thin film is stable with respect to the alcohol-based material, it is possible to avoid the second insulating film forming step from damaging the first thin film (melting the first thin film).

(適用例20) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂は光硬化性樹脂である事が好ましい。
この構成によれば、前駆体樹脂を印刷した後に、光照射する事で、速やか且つ容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
Application Example 20 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example, the precursor resin is preferably a photocurable resin.
According to this configuration, the second insulating film can be formed quickly and easily by irradiating light after printing the precursor resin.

(適用例21) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、前駆体樹脂は熱硬化性樹脂である事が好ましい。
この構成によれば、前駆体樹脂を印刷した後に、簡単な熱処理で、容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。
Application Example 21 In the method of manufacturing a circuit board according to the application example, the precursor resin is preferably a thermosetting resin.
According to this structure, after printing precursor resin, a 2nd insulating film can be easily formed by simple heat processing.

(適用例22) 上記適用例に係わる回路基板の製造方法において、回路基板は、ゲート絶縁膜を備えるトランジスターを有し、第一薄膜がゲート絶縁膜として機能している事が好ましい。
この構成によれば、高機能回路を有する回路基板を実現する事ができる。又、第一導電体形成工程以外は、総て印刷法にて回路基板を製造するので、生産性が非常に高く、高機能回路を有する回路基板を一日で製造できると見積られている。而も工程の自動化が容易で、印刷法の主体がインクジェット法である為に廃棄物も少なくなる。
Application Example 22 In the method for manufacturing a circuit board according to the application example, it is preferable that the circuit board includes a transistor including a gate insulating film, and the first thin film functions as the gate insulating film.
According to this configuration, a circuit board having a high-function circuit can be realized. Further, since the circuit board is manufactured by the printing method except for the first conductor forming step, it is estimated that the productivity is very high and a circuit board having a high-function circuit can be manufactured in one day. The process is easy to automate, and the main printing method is the ink jet method, which reduces waste.

実施形態1に係わるパターン形成方法を模式的に示した断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the pattern forming method according to the first embodiment. 実施形態1に係わるパターン形成方法を用いて作製した配線接続構造を模式的に示した断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a wiring connection structure manufactured using the pattern forming method according to the first embodiment. 実施形態2に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図。Sectional drawing which showed typically the manufacturing method of the circuit board concerning Embodiment 2. FIG. 実施形態2に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図。Sectional drawing which showed typically the manufacturing method of the circuit board concerning Embodiment 2. FIG. 実施形態2に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図。Sectional drawing which showed typically the manufacturing method of the circuit board concerning Embodiment 2. FIG. 実施形態2に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した平面図。FIG. 9 is a plan view schematically showing a circuit board manufacturing method according to the second embodiment. 実施形態2に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した平面図。FIG. 9 is a plan view schematically showing a circuit board manufacturing method according to the second embodiment. 実施形態2に係わる回路基板の製造方法の内で撥液化工程終了時の状態を詳細に説明した図。The figure explaining in detail the state at the time of completion | finish of a liquid repellency process in the manufacturing method of the circuit board concerning Embodiment 2. FIG. 実施形態2で詳述した回路基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリックス基板を模式的に示す平面図。FIG. 5 is a plan view schematically showing an active matrix substrate manufactured using the circuit board manufacturing method described in detail in the second embodiment. 上述のアクティブマトリックス基板を用いた電気光学装置を模式的に示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an electro-optical device using the above active matrix substrate. 上述の電気光学装置を用いた電子機器を模式的に示す斜視図で、(a)は正面斜視図、(b)は背面斜視図。FIG. 4 is a perspective view schematically showing an electronic apparatus using the above-described electro-optical device, where (a) is a front perspective view and (b) is a rear perspective view. 変形例1に係わる回路基板の断面図。Sectional drawing of the circuit board concerning the modification 1. FIG. 変形例2に係わる回路基板の製造方法の平面図。The top view of the manufacturing method of the circuit board concerning the modification 2. FIG. 変形例3に係わる回路基板の平面図。The top view of the circuit board concerning the modification 3. FIG. 変形例3に係わる回路基板の断面図。Sectional drawing of the circuit board concerning the modification 3. FIG. 変形例8に係わる回路基板の断面図。Sectional drawing of the circuit board concerning the modification 8. FIG. 従来技術に係わるパターン形成方法を模式的に示した断面図。Sectional drawing which showed the pattern formation method concerning a prior art typically.

以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member has a size that can be recognized on the drawing.

(実施形態1)
図1は、実施形態1に係わるパターン形成方法を模式的に示した断面図である。図2は、実施形態1に係わるパターン形成方法を用いて作製した配線接続構造を模式的に示した断面図である。以下、図1と図2とを用いて、パターン形成方法を説明する。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a pattern forming method according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a wiring connection structure manufactured by using the pattern forming method according to the first embodiment. Hereinafter, the pattern forming method will be described with reference to FIGS.

「パターン形成方法の概要」
まず図1を用いて概要を説明する。
本発明は、基板10に設けられて居る第一薄膜に、印刷法にて貫通孔32と云った様なパターンを形成する方法に関する。図1では、第一薄膜は絶縁膜211で、第一高分子材料からなっている。
"Outline of pattern formation method"
First, the outline will be described with reference to FIG.
The present invention relates to a method of forming a pattern such as a through-hole 32 on a first thin film provided on a substrate 10 by a printing method. In FIG. 1, the first thin film is an insulating film 211 made of a first polymer material.

印刷法でパターンを形成するのに以下の工程が実施される。まず、高分子溶液として、第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた溶液を準備する。第一溶媒は第一高分子材料も溶解する。即ち、第一溶媒には、第一高分子材料も第二高分子材料も、どちらも溶解する。第一高分子材料と第二高分子材料は、第一溶媒の乾燥時には互いに相分離する異なった材料である。次に、図1(a)に示す様に、高分子溶液滴下工程として、この高分子溶液を第一薄膜に滴下して微小な液滴52を形成する。この液滴は直ぐに乾燥するが、乾燥時には液滴内に微小流が発生し、液滴の中央部付近から第一高分子材料と第二高分子材料とが液滴の周辺部に移動する。こうして、図1(b)に示す様に、液滴の中央部付近は、乾燥後に第一高分子材料と第二高分子材料が薄皮状に僅かに残る状態となる。薄皮状に残留した両高分子材料は互いに相分離して、微小なドメインを数多く二次元的に形成する。この後に、今度は第二溶媒接触工程として、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる。第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒としておく。こうする事により、中央部付近の薄皮状残留物から第二高分子材料が選択的に除去される。即ち、図1(c)に示す様に、第二高分子材料が存在していたドメインが開口されて、貫通孔32が形成される。その一方で、貫通孔32以外の領域にある第一高分子材料は安定に保たれるので、第一薄膜の品質を維持しつつ、印刷法で、貫通孔32を形成できる事になる。   The following steps are performed to form a pattern by a printing method. First, a solution in which a second polymer material is dissolved in a first solvent is prepared as a polymer solution. The first solvent also dissolves the first polymeric material. That is, both the first polymer material and the second polymer material are dissolved in the first solvent. The first polymer material and the second polymer material are different materials that phase separate from each other when the first solvent is dried. Next, as shown in FIG. 1A, in the polymer solution dropping step, this polymer solution is dropped on the first thin film to form minute droplets 52. Although this droplet dries immediately, a micro flow is generated in the droplet during drying, and the first polymer material and the second polymer material move from the vicinity of the center of the droplet to the periphery of the droplet. Thus, as shown in FIG. 1B, the first polymer material and the second polymer material are slightly left in a thin skin state after drying near the center of the droplet. Both polymer materials remaining in a thin skin state are phase-separated from each other to form a number of minute domains two-dimensionally. After this, as a second solvent contact step, the first thin film is brought into contact with the second solvent. The second solvent does not dissolve the first polymer material, but is a solvent that dissolves the second polymer material. By doing so, the second polymer material is selectively removed from the thin skin residue near the center. That is, as shown in FIG. 1C, the domain in which the second polymer material was present is opened, and the through hole 32 is formed. On the other hand, since the first polymer material in the region other than the through hole 32 is kept stable, the through hole 32 can be formed by the printing method while maintaining the quality of the first thin film.

以下、パターン形成方法を工程毎に詳述する。   Hereinafter, the pattern forming method will be described in detail for each process.

「第一薄膜成膜工程」
まず、基板10上に第一薄膜成膜工程として、第一薄膜を形成する。ここでは第一薄膜は絶縁膜211で、500nmのポリメタクリル酸メチル(PMMA)をスピンコートにて成膜した。絶縁膜211は、第一高分子材料を基板全体に渡って一様に塗布し、その後にヴィアホール開口といったパターニングが行われる。第一高分子材料は第一溶媒には良く溶け(可溶で)、第二溶媒には安定で溶け難い(難溶)性質である。一方、第一溶媒に溶かされる第二高分子材料は第一溶媒にも第二溶媒にも可溶性を示すものである。第一高分子材料としては、PMMAの様なアクリル系高分子や、特開2010−74088号公報に示される様なフッ素系芳香族高分子(以降、単にフッ素系芳香族高分子と略称する)、ポリシクロオレフィンの様なオレフィン系高分子を使用する事ができる。
"First thin film deposition process"
First, a first thin film is formed on the substrate 10 as a first thin film forming step. Here, the first thin film is the insulating film 211, and polymethyl methacrylate (PMMA) of 500 nm is formed by spin coating. The insulating film 211 is formed by uniformly applying the first polymer material over the entire substrate, and then performing patterning such as opening a via hole. The first polymer material has a property that it dissolves well (soluble) in the first solvent and is stable and hardly soluble (slightly soluble) in the second solvent. On the other hand, the second polymer material dissolved in the first solvent is soluble in both the first solvent and the second solvent. Examples of the first polymer material include an acrylic polymer such as PMMA, and a fluorine-based aromatic polymer as disclosed in JP 2010-74088 A (hereinafter simply referred to as a fluorine-based aromatic polymer). An olefin polymer such as polycycloolefin can be used.

「溶媒と高分子材料」
第一溶媒と第二溶媒、及び第二高分子材料は次の様になる。第一高分子材料がアクリル系高分子乃至はフッ素系芳香族高分子の場合、第一溶媒はエーテル系溶剤(エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、1,4−ジオキサン、2−メトキシ−2−メチルプロパン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等)、或いはグリコールジエーテル(グライム)系溶剤(トリエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等)、或いはケトン系溶剤(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン(DIBK)、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール(DAA)、3,5,5−トリメチル−2−シクロヘキセン−1−オン(イソホロン)等)、或いはエステル系溶剤(γブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシブチル、エチルグリコールアセテート、酢酸アミル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノールアセテート、グルタル酸ジメチル、エチルオクタノエート、安息香酸ブチル、二酢酸1,6−ヘキサンジオール、プロピレングリコールジアセテート等)、或いはグリコールエステル系溶剤(グリコールとのエーテル及びエステルを含む溶剤で、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等)、或いはエーテルとエステルを含む特殊溶剤(3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシブチルアセテート等)のいずれかとする。これらの内で取り分け溶解性に優れる第一溶媒としては、ラクトンの様に環状構造を持つ有機化合物で分子の環の一部としてエステル結合を含む物(例えばγブチロラクトン)や、環状ケトンの分子構造を持つ有機化合物(例えばイソホロン)、シクロアルカン環を有する有機化合物(例えばシクロヘキサノールのエステルで、シクロヘキサノールアセテート)らである。これら三種の内で沸点が180℃以上有る溶媒が第一溶媒に最適である(例えばγブチロラクトンやイソホロン)。第二溶媒はアルコール系溶剤(メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルプロピルアルコール、ブタノール、ターシャリーブタノール(TBA)、ブタンジオール、エチルヘキサノール、ベンジルアルコール等)とする。この場合、第二高分子材料は、第一溶媒として選ばれた溶媒にもアルコール系溶剤にも可溶性を示す高分子材料で、例えば、ビニル化合物に水酸基が導入されている樹脂やフェノールを原料とした樹脂が好ましい。具体的には、第二高分子材料は、ビニルフェノールの単独重合体(ポリビニルフェノール)乃至はビニルアルコール単量体やビニルフェノール単量体が他のビニル単量体(例えば塩化ビニルや酢酸ビニルなど)と共重合した化合物、或いはフェノール樹脂(ノボラック樹脂)などで、第一溶媒にも第二溶媒にも可溶性を示す物である。尚、第二高分子としてポリスチレンを使用する事ができ、この際には第一溶媒はエステル系溶剤、或いはケトン系溶剤、或いはエーテル系溶剤とし、第二溶媒は飽和炭化水素(ヘキサン、或いは環式の飽和炭化水素でシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン等)とする。ここでは第一高分子材料をPMMAとし、第一溶媒として環状エステルであるγブチロラクトンを選び、第二溶媒はイソプロピルアルコール、第二高分子材料はポリビニルフェノールとした。第一高分子材料を特開2010−74088号公報に示されるようなフッ素系芳香族高分子とした場合にも、第一溶媒はγブチロラクトン、第二溶媒はイソプロピルアルコール、第二高分子材料はポリビニルフェノールとするのが好ましい。
"Solvents and polymer materials"
The first solvent, the second solvent, and the second polymer material are as follows. When the first polymer material is an acrylic polymer or a fluorine aromatic polymer, the first solvent is an ether solvent (ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, 1,4-dioxane). , 2-methoxy-2-methylpropane, diethylene glycol monobutyl ether, etc.) or glycol diether (glyme) solvents (triethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, diethylene glycol isopropyl methyl ether, tripropylene) Glycol dimethyl ether) or ketone solvents (acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone (D IBK), cyclohexanone, diacetone alcohol (DAA), 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one (isophorone), or ester solvents (γ-butyrolactone, ethyl acetate, methyl acetate, butyl acetate, Methoxybutyl acetate, ethyl glycol acetate, amyl acetate, normal propyl acetate, isopropyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, cyclohexanol acetate, dimethyl glutarate, ethyl octanoate, butyl benzoate, 1,6-diacetic acid Hexanediol, propylene glycol diacetate, etc.) or glycol ester solvents (solvents containing ethers and esters with glycols, diethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether) Acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate), or special solvent (ethyl 3-ethoxypropionate containing ether and ester, either a 3-methoxybutyl acetate, etc.). Among these, the first solvent, which is particularly excellent in solubility, is an organic compound having a cyclic structure, such as a lactone, containing an ester bond as part of the molecular ring (for example, γ-butyrolactone), or the molecular structure of a cyclic ketone. And an organic compound having a cycloalkane ring (for example, an ester of cyclohexanol, cyclohexanol acetate). Of these three types, a solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher is most suitable as the first solvent (for example, γ-butyrolactone or isophorone). The second solvent is an alcohol solvent (methanol, ethanol, butanol, isopropyl alcohol (IPA), normal propyl alcohol, butanol, tertiary butanol (TBA), butanediol, ethylhexanol, benzyl alcohol, etc.). In this case, the second polymer material is a polymer material that is soluble in both the solvent selected as the first solvent and the alcohol solvent. For example, a resin or phenol in which a hydroxyl group is introduced into a vinyl compound is used as a raw material. Resin is preferred. Specifically, the second polymer material is a vinylphenol homopolymer (polyvinylphenol) or a vinyl alcohol monomer or a vinylphenol monomer other vinyl monomer (for example, vinyl chloride or vinyl acetate). ) Or a phenolic resin (novolak resin), etc., which is soluble in both the first solvent and the second solvent. Polystyrene can be used as the second polymer. In this case, the first solvent is an ester solvent, a ketone solvent, or an ether solvent, and the second solvent is a saturated hydrocarbon (hexane or ring). The saturated hydrocarbon of the formula is cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, etc.). Here, the first polymer material is PMMA, γ-butyrolactone, which is a cyclic ester, is selected as the first solvent, isopropyl alcohol is used as the second solvent, and polyvinylphenol is used as the second polymer material. Even when the first polymer material is a fluorinated aromatic polymer as disclosed in JP 2010-74088 A, the first solvent is γ-butyrolactone, the second solvent is isopropyl alcohol, and the second polymer material is Polyvinylphenol is preferred.

尚、第一高分子材料がオレフィン系高分子の場合、第一溶媒は芳香族炭化水素(トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等)、或いは、環式の飽和炭化水素(シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン等)とし、第二溶媒はアルコール系溶剤(メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルプロピルアルコール、ブタノール、ターシャリーブタノール(TBA)、ブタンジオール、エチルヘキサノール、ベンジルアルコール等)、又はエステル系溶剤(γブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシブチル、エチルグリコールアセテート、酢酸アミル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノールアセテート、グルタル酸ジメチル、エチルオクタノエート、安息香酸ブチル、二酢酸1,6−ヘキサンジオール、プロピレングリコールジアセテート等)とする。この場合、第二高分子材料は、第一溶媒として選ばれた溶剤にも、第二溶媒として選ばれた溶剤にも、可溶性を示す高分子材料で、ビニル化合物にベンゼン環が導入されている樹脂が好ましい。具体的には、第二高分子材料は、スチレンの単独重合体(ポリスチレン)乃至はスチレンと他のビニル単量体(例えばビニルフェノールや酢酸ビニルなど)と共重合した化合物などである。第一高分子材料をポリシクロオレフィンとした場合、第一溶媒はデカリン、第二溶媒は酢酸ブチル、第二高分子材料はポリスチレンとするのが好ましい。   When the first polymer material is an olefin polymer, the first solvent is an aromatic hydrocarbon (toluene, xylene, mesitylene, cyclohexylbenzene, etc.) or a cyclic saturated hydrocarbon (cyclohexane, methylcyclohexane, ethyl). Cyclohexane, decalin, etc.) and the second solvent is an alcohol solvent (methanol, ethanol, butanol, isopropyl alcohol (IPA), normal propyl alcohol, butanol, tertiary butanol (TBA), butanediol, ethylhexanol, benzyl alcohol, etc.) Or ester solvents (γ-butyrolactone, ethyl acetate, methyl acetate, butyl acetate, methoxybutyl acetate, ethyl glycol acetate, amyl acetate, normal propyl acetate, isopropyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate Butyl lactate, cyclohexanol acetate, dimethyl glutarate, ethyl octanoate, butyl benzoate and diacetate 1,6-hexanediol, propylene glycol diacetate, etc.). In this case, the second polymer material is a polymer material that is soluble in both the solvent selected as the first solvent and the solvent selected as the second solvent, and a benzene ring is introduced into the vinyl compound. Resins are preferred. Specifically, the second polymer material is a styrene homopolymer (polystyrene) or a compound copolymerized with styrene and another vinyl monomer (for example, vinylphenol or vinyl acetate). When the first polymer material is polycycloolefin, the first solvent is preferably decalin, the second solvent is butyl acetate, and the second polymer material is preferably polystyrene.

オレフィン系高分子は、水酸基やカルボニル基などの極性官能基を有する材料と共重合させたり、或いはこれらを側鎖として付加したりする事によって、エーテル系溶剤やケトン系溶剤、エステル系溶剤に可溶とする事ができる。こうした処理を行ったオレフィン系高分子を第一高分子材料とする際には、第一高分子材料がアクリル系高分子乃至はフッ素系芳香族高分子の場合と同じ第一溶媒や第二溶媒、第二高分子材料が使用される。   Olefin polymers can be used as ether solvents, ketone solvents, and ester solvents by copolymerizing with materials having polar functional groups such as hydroxyl groups and carbonyl groups, or by adding these as side chains. Can be melted. When the olefin polymer subjected to such treatment is used as the first polymer material, the first solvent and the second solvent are the same as in the case where the first polymer material is an acrylic polymer or a fluorinated aromatic polymer. A second polymeric material is used.

「高分子溶液滴下工程」
上述の第一溶媒に第二高分子材料を溶解させて高分子溶液とし、この高分子溶液を図1(a)に示す様に、第一薄膜に滴下する。これが高分子溶液滴下工程である。具体的にはPMMAからなる絶縁膜211にインクジェット法51にてγブチロラクトンにポリビニルフェノールを溶かした高分子溶液を滴下した。高分子溶液中のポリビニルフェノールの濃度は0.2%であった。ここでは、25pL程度の高分子溶液の液滴52を三回、滴下した。つまり、高分子溶液を滴下すると、25pLの微小な液滴は溶剤の沸点が200℃前後の場合でも、室温で5秒以内に溶液は乾いてしまう。ここに、再度、高分子溶液を滴下すると、中央付近に残った第一高分子材料は、更に低減する。こうした繰り返しを、ここでは三回実施した。
"Polymer solution dripping process"
A second polymer material is dissolved in the first solvent to form a polymer solution, and this polymer solution is dropped on the first thin film as shown in FIG. This is the polymer solution dropping step. Specifically, a polymer solution in which polyvinyl phenol was dissolved in γ-butyrolactone was dropped onto the insulating film 211 made of PMMA by the inkjet method 51. The concentration of polyvinylphenol in the polymer solution was 0.2%. Here, a droplet 52 of a polymer solution of about 25 pL was dropped three times. In other words, when a polymer solution is dropped, even if the boiling point of the solvent is about 200 ° C., the 25 pL minute droplet dries within 5 seconds at room temperature. Here, when the polymer solution is dropped again, the first polymer material remaining near the center is further reduced. Such repetition was carried out three times here.

高分子溶液に関して説明する前に、まず溶液滴下によって、ヴィアホール開口等のパターニングが可能となる原理を述べる。第一薄膜である絶縁膜211に貫通孔32を開口するには、第一薄膜にインクジェット法51で高分子溶液の液滴52を滴下する。図1(a)に示す様に、第一薄膜上に滴下された高分子溶液は、濡れ性に依存して一定の径まで濡れ広がる。濡れ広がった高分子溶液はその下の第一薄膜を溶解しつつ、蒸発していく。高分子溶液が蒸発する際には、液滴52の内部に中央部から外縁部へと向かった微小流が発生する。これは液滴52のコンタクトライン(外縁部)がピニングされ(固定され)、簡単には移動できない事に由来する。その結果、コンタクトライン付近の第一溶媒の蒸発分が中央からの液の移動で補われ、中央部から外縁部に向かった微小流が発生するのである。第一溶媒に溶けた第一高分子材料(第一薄膜の構成要素)も第二高分子材料も、この微小流に乗って、コンタクトライン付近へと集められる。こうして図1(b)に示す様な、中央部付近が窪み、外縁部付近が盛り上がったクレータ状の凹凸が形成される。中央部付近の窪みが十分に薄ければ、前述の如く、第一高分子材料と第二高分子材料は、平面視で石垣状に相分離して、二次元的に其々のドメインを形成する。その後に、図1(c)に示す様に、第二高分子材料のドメインを第二溶媒で除去して、貫通孔32を形成する。   Before describing the polymer solution, the principle that enables patterning of via hole openings and the like by dropping the solution will be described first. In order to open the through-hole 32 in the insulating film 211 which is the first thin film, the droplet 52 of the polymer solution is dropped on the first thin film by the ink jet method 51. As shown in FIG. 1A, the polymer solution dropped onto the first thin film spreads to a certain diameter depending on the wettability. The polymer solution wet and spread evaporates while dissolving the first thin film below. When the polymer solution evaporates, a micro flow is generated inside the droplet 52 from the center to the outer edge. This is because the contact line (outer edge) of the droplet 52 is pinned (fixed) and cannot be easily moved. As a result, the evaporation of the first solvent in the vicinity of the contact line is compensated by the movement of the liquid from the center, and a minute flow from the center toward the outer edge is generated. Both the first polymer material (the constituent element of the first thin film) and the second polymer material dissolved in the first solvent are collected in the vicinity of the contact line on this micro flow. Thus, as shown in FIG. 1B, crater-like irregularities are formed in which the vicinity of the central portion is depressed and the vicinity of the outer edge is raised. If the depression near the center is sufficiently thin, the first polymer material and the second polymer material are phase-separated into a stone wall shape in plan view to form two-dimensional domains as described above. To do. Thereafter, as shown in FIG. 1C, the domain of the second polymer material is removed with the second solvent, and the through hole 32 is formed.

以上の原理から、この方法で貫通孔32を開口させるには、(1)第一薄膜が、滴下される高分子溶液に容易に溶ける事、即ち、第一溶媒に第一高分子材料が良く溶ける事、(2)高分子溶液と第一薄膜の接触角が15°程度以上有り、余り濡れ広がらない事、(3)高分子溶液の乾燥速度が遅く(即ち、第一溶媒の蒸発速度が遅く)、第一薄膜が高分子溶液に溶け、それが微小流に乗って移動すると共に、第一高分子材料と第二高分子材料とが界面エネルギーを下げるべく(相分離して其々のドメインを作るべく)移動するだけの時間がある事(即ち、第一溶媒の沸点が高い事)、(4)高分子溶液の粘度が或る程度低く(即ち、高分子溶液中に溶ける第二高分子材料の濃度が或る程度低く)、液の移動が可能である事、(5)高分子溶液の乾燥時に第一高分子材料と第二高分子材料とが相分離する事(即ち、第一高分子材料と第二高分子材料は互いに相溶性が低く、容易に相分離し、且つ高分子溶液中に溶ける第二高分子材料の濃度が或る程度高い事)、(6)第二溶媒に接触させる前には中央部付近の窪みが100nm以下と十分に薄く、厚み方向は均一で(厚み方向には相分離が生じて居らず)、相分離は二次元的に(平面状に)生じている事、の六点が重要であると理解できる。   From the above principle, in order to open the through-hole 32 by this method, (1) the first thin film is easily dissolved in the dropped polymer solution, that is, the first polymer material is better in the first solvent. (2) The contact angle between the polymer solution and the first thin film is about 15 ° or more and does not spread so much and (3) The drying speed of the polymer solution is slow (that is, the evaporation rate of the first solvent is low). Slowly, the first thin film dissolves in the polymer solution, moves in a micro flow, and the first polymer material and the second polymer material reduce the interfacial energy (phase-separated and There is time to move (to make a domain) (ie, the boiling point of the first solvent is high), (4) the viscosity of the polymer solution is somewhat low (ie, the second solvent is soluble in the polymer solution) (5) polymer solution that the concentration of the polymer material is low) The first polymer material and the second polymer material are phase-separated during drying (that is, the first polymer material and the second polymer material have low compatibility with each other, easily phase-separated, and a polymer solution) (6) Before the contact with the second solvent, the depression near the center is sufficiently thin as 100 nm or less and the thickness direction is uniform (thickness). It can be understood that the six points are important: phase separation does not occur in the direction) and phase separation occurs two-dimensionally (in a plane).

実験によると、微細な貫通孔を形成するには、高分子溶液の表面張力は35mN/m以上、理想的には40mN/m以上ある事が好ましい。実際に、高分子溶液の表面張力が概ね40mN/m程度で有ると、PMMAに対する接触角は15°程度となり、20pLの液滴52で、直径が100μm程度の外縁周(図1(c)で盛り上がった頂点部)と直径が20μmから30μmの窪み部(図1(b)で中央部付近)を形成して、貫通孔32が開口される。第一溶媒にシクロヘキサノールアセテートを用いると、優れた溶解性を示すが、沸点が173℃と低い為に、一回の滴下で10nm程度しか掘れない。従って、深い貫通孔を形成するには、第一溶媒の沸点が180℃よりも高い事が好ましい。第一高分子材料と第二高分子材料とが相分離を起こすには、第二高分子材料の分子量が500以上ある事が望ましい。更に、乾燥時に高分子溶液の粘度が或る程度低い為には、第二高分子材料の分子量は50000以下である事が望ましい。又、乾燥時に粘度が低い状態を或る程度の期間維持し、貫通孔を形成するには、高分子溶液中に溶ける第二高分子材料の濃度が3%未満である事が望まれる。更に、第一高分子材料と第二高分子材料とが相分離する為には、高分子溶液中に於ける第二高分子材料の濃度が0.02%以上である事が望ましい。   According to experiments, in order to form fine through-holes, the surface tension of the polymer solution is preferably 35 mN / m or more, ideally 40 mN / m or more. Actually, when the surface tension of the polymer solution is about 40 mN / m, the contact angle with respect to PMMA is about 15 °, and a 20 pL droplet 52 with a circumference of about 100 μm in diameter (as shown in FIG. 1C). The through-hole 32 is opened by forming a raised apex portion) and a hollow portion (near the center in FIG. 1B) having a diameter of 20 μm to 30 μm. When cyclohexanol acetate is used as the first solvent, excellent solubility is exhibited, but since the boiling point is as low as 173 ° C., only about 10 nm can be dug by one drop. Therefore, in order to form a deep through-hole, it is preferable that the boiling point of the first solvent is higher than 180 ° C. In order to cause phase separation between the first polymer material and the second polymer material, it is desirable that the molecular weight of the second polymer material is 500 or more. Furthermore, the molecular weight of the second polymer material is desirably 50000 or less so that the viscosity of the polymer solution is somewhat low when dried. Further, in order to maintain a low viscosity state during drying for a certain period of time and form a through hole, it is desirable that the concentration of the second polymer material dissolved in the polymer solution is less than 3%. Furthermore, in order for the first polymer material and the second polymer material to undergo phase separation, the concentration of the second polymer material in the polymer solution is desirably 0.02% or more.

又、実験によると、中央部付近の窪みが100nm以下になると、第二溶媒に浸す事で貫通孔32を形成できるが、中央部付近の窪みがこれよりも厚いと、第二溶媒に浸す事の貫通孔形成が困難となる。これは厚み方向で相分離をしている為と考えられる。粘度に関しては、高分子溶液はインクジェット法51にて吐出されるので、その粘度は1mPa・sから5mPa・sの範囲にある事が望ましい。粘度が1mPa・s以上であれば、容易にインクジェット法51で高分子溶液を滴下でき、5mPa・s以下で有れば、高分子溶液に微小流が生じて、貫通孔32を開口できる。ここで滴下した高分子溶液の粘度は約2mPa・sで、表面張力は凡そ44mN/m、γブチロラクトンの沸点は207℃であった。高分子溶液滴下工程時の温度や風速などにて定まる第一溶媒の蒸発速度にも依存するが、これらの条件を満たし、通常の作業環境(温度20℃から30℃、相対湿度30%から80%、空気のダウンフロー風量0.01m/sから0.1m/s)で、20pL程度の液滴52を一回、滴下すると200nmから400nm程度の深さの穴を形成でき、40pL程度の液滴52を一回、滴下すると400nmから600nm程度の深さの穴を形成できる。従って、第一薄膜の厚さが400nm程度未満で、40pL程度の液滴52を用いれば、図1(c)に示す様に、一回の溶剤滴下で貫通孔32を形成できる。第一薄膜がより厚い場合や、溶解性が不十分な場合には、液滴52を同じ位置に複数回滴下して貫通孔を形成する。この場合には、インクジェット法51で単一の溶液(即ち、高分子溶液)を滴下させるので(複数の溶液を打ち分ける必要はないので)、高分子溶液滴下工程は容易である。   In addition, according to experiments, when the depression near the center is 100 nm or less, the through hole 32 can be formed by immersing in the second solvent. However, if the depression near the center is thicker than this, it is immersed in the second solvent. It becomes difficult to form through holes. This is considered to be due to phase separation in the thickness direction. Regarding the viscosity, since the polymer solution is ejected by the ink jet method 51, the viscosity is preferably in the range of 1 mPa · s to 5 mPa · s. If the viscosity is 1 mPa · s or more, the polymer solution can be easily dropped by the ink jet method 51, and if it is 5 mPa · s or less, a minute flow is generated in the polymer solution and the through hole 32 can be opened. The viscosity of the dropped polymer solution was about 2 mPa · s, the surface tension was about 44 mN / m, and the boiling point of γ-butyrolactone was 207 ° C. Although depending on the evaporation rate of the first solvent determined by the temperature and wind speed during the dropping step of the polymer solution, these conditions are satisfied and the normal working environment (temperature 20 ° C. to 30 ° C., relative humidity 30% to 80%). When a drop 52 of about 20 pL is dropped once with a downflow air volume of 0.01 to 0.1 m / s), a hole with a depth of about 200 nm to 400 nm can be formed. When the droplet 52 is dropped once, a hole having a depth of about 400 nm to 600 nm can be formed. Therefore, if the first thin film has a thickness of less than about 400 nm and a droplet 52 of about 40 pL is used, the through-hole 32 can be formed by a single solvent drop, as shown in FIG. When the first thin film is thicker or when the solubility is insufficient, the droplet 52 is dropped several times at the same position to form a through hole. In this case, since a single solution (that is, a polymer solution) is dropped by the inkjet method 51 (since there is no need to separate a plurality of solutions), the polymer solution dropping step is easy.

尚、通常、インクジェット法51で簡単に吐出できる液滴52の体積は6pL程度から14pL程度である(直径が25μmのノズルを用いた場合)。従って、例えば、「25pLの液滴52を一回、滴下」とは、厳密に言うと6.3pLの液滴52を最初に吐出された液滴内に連続して4滴吐出し、乾燥させる事を意味している。又、25pLの液滴52を三回滴下するとは、6.3pLの液滴52を同一地点に4滴連続して吐出し、数秒間乾燥させるサイクルを三回繰り返した事を意味している。勿論、ノズル径やインクジェット法51の駆動方法を変えれば、もっと体積の大きい液滴(例えば25pLの液滴)を一回で吐出する事もできるので、こうした方法を適応しても良い。   In general, the volume of the droplet 52 that can be easily ejected by the inkjet method 51 is about 6 pL to 14 pL (when a nozzle having a diameter of 25 μm is used). Therefore, for example, “dropping a 25 pL droplet 52 once” strictly speaking, four 6.3 pL droplets 52 are continuously discharged into the first discharged droplet and dried. Means things. Further, dropping the 25 pL droplet 52 three times means that a cycle in which four droplets of 6.3 pL 52 are continuously discharged to the same spot and dried for several seconds is repeated three times. Of course, if the nozzle diameter or the driving method of the ink jet method 51 is changed, a droplet having a larger volume (for example, a droplet of 25 pL) can be ejected at a time, and thus this method may be applied.

「第二溶媒接触工程」
高分子溶液滴下工程が終了し、第一溶媒が乾燥した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる。これが第二溶媒接触工程である。第二溶媒は、前述の如く、第一高分子材料は溶解させないが、第二高分子材料を溶解させるので、この工程により、液滴が着弾した中央部付近に残った第二高分子材料のドメインが除去されて、貫通孔32が開口する。ここでは27℃のイソプロピルアルコールに基板を2分間浸漬した。第二高分子材料のドメインの厚みが100nm以下と薄いので、1分未満の短時間の浸漬で第二高分子材料をクレータ状窪み部から除去できるが、工程を安定的に行う立場から浸漬時間は1分以上とするのが好ましい。又、生産性を高める立場と、浸漬による絶縁膜ダメージを最小にする立場とから、浸漬時間は10分以下とする事が望ましい。第二溶媒の温度は20℃から90℃程度とする。尚、ここでは基板を第二溶媒に浸漬したが、第二溶媒をシャワー状に散布したり、基板上を流したりしても良い。
"Second solvent contact process"
After the polymer solution dropping step is completed and the first solvent is dried, the first thin film is brought into contact with the second solvent. This is the second solvent contact step. As described above, the second solvent does not dissolve the first polymer material, but dissolves the second polymer material. Thus, the second solvent of the second polymer material remaining in the vicinity of the center where the liquid droplets landed by this step. The domain is removed and the through hole 32 is opened. Here, the substrate was immersed in isopropyl alcohol at 27 ° C. for 2 minutes. Since the domain of the second polymer material is as thin as 100 nm or less, the second polymer material can be removed from the crater-like depression by a short immersion of less than 1 minute, but from the standpoint of performing the process stably, the immersion time Is preferably 1 minute or longer. Further, from the standpoint of improving productivity and minimizing damage to the insulating film due to dipping, the dipping time is desirably 10 minutes or less. The temperature of the second solvent is about 20 ° C to 90 ° C. Here, the substrate is immersed in the second solvent, but the second solvent may be sprayed in a shower or may flow over the substrate.

以上詳述して来た様に、高分子溶液滴下工程と第二溶媒接触工程とを施す事で第一薄膜のパターニング(貫通孔形成)が完了する。尚、図1(c)には、中央部付近に第一高分子材料のドメインが残った様子を示してあるが、この中央部の第一高分子材料のドメインは必ず残る訳ではない。材料の組み合わせ方や、高分子溶液の滴下条件に応じては、中央部付近の窪みを第二高分子材料で完全に置き換える事も可能である。一方、本実施形態の貫通孔形成方法を実施すると、図1(b)や図1(c)に示される様に、外縁周近傍に第二高分子材料のドメインが形成される。この第二高分子材料は第二溶媒接触工程によって除去され得るが、ドメインの痕は必ず残る。   As described above in detail, the patterning of the first thin film (through-hole formation) is completed by performing the polymer solution dropping step and the second solvent contact step. FIG. 1 (c) shows a state in which the domain of the first polymer material remains in the vicinity of the center, but the domain of the first polymer material in the center does not necessarily remain. Depending on how the materials are combined and the dropping conditions of the polymer solution, it is possible to completely replace the depression near the center with the second polymer material. On the other hand, when the through-hole forming method of the present embodiment is carried out, a domain of the second polymer material is formed in the vicinity of the outer periphery as shown in FIGS. This second polymeric material can be removed by a second solvent contacting step, but there will always be domain marks.

「第三溶媒滴下工程」
前述の如く、第一薄膜が厚い場合や、高分子溶液への第一高分子材料の溶解性が不十分な場合には、液滴52を同じ位置に複数回滴下して貫通孔を形成すれば良いが、インクジェット法51で複数の異なった溶液を滴下可能な場合には、高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行うのが好ましい。第三溶媒滴下工程とは、第三溶媒を第一薄膜に滴下する工程であり、第三溶媒は第一高分子材料を良く溶かす溶媒である。第三溶媒滴下工程を行う場合、高分子溶液滴下工程は第三溶媒が乾燥した後に行う。
"Third solvent dropping process"
As described above, when the first thin film is thick or the solubility of the first polymer material in the polymer solution is insufficient, the droplet 52 is dropped several times at the same position to form a through hole. However, when a plurality of different solutions can be dropped by the inkjet method 51, it is preferable to perform the third solvent dropping step prior to the polymer solution dropping step. The third solvent dropping step is a step of dropping the third solvent onto the first thin film, and the third solvent is a solvent that dissolves the first polymer material well. When the third solvent dropping step is performed, the polymer solution dropping step is performed after the third solvent is dried.

第三溶媒は第一溶媒と同一としても良いし、第一溶媒よりも第一高分子材料を良く溶かす溶媒としても良い。理想は第一高分子材料を最も容易に溶かす溶媒である。具体的には、第一高分子材料がアクリル系高分子、或いは、フッ素系芳香族高分子、或いは、水酸基やカルボニル基などの極性官能基を有するオレフィン系高分子の場合、第三溶媒はエーテル系溶剤(エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、1,4−ジオキサン、2−メトキシ−2−メチルプロパン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等)、或いはグリコールジエーテル(グライム)系溶剤(トリエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等)、或いはケトン系溶剤(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン(DIBK)、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール(DAA)、3,5,5−トリメチル−2−シクロヘキセン−1−オン(イソホロン)等)、或いはエステル系溶剤(γブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシブチル、エチルグリコールアセテート、酢酸アミル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノールアセテート、グルタル酸ジメチル、エチルオクタノエート、安息香酸ブチル、二酢酸1,6−ヘキサンジオール、プロピレングリコールジアセテート等)、或いはグリコールエステル系溶剤(グリコールとのエーテル及びエステルを含む溶剤で、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等)、或いはエーテルとエステルを含む特殊溶剤(3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシブチルアセテート等)のいずれかとなる。これらの内で取り分け溶解性に優れる第三溶媒としては、ラクトンの様に環状構造を持つ有機化合物で分子の環の一部としてエステル結合を含む物(例えばγブチロラクトン)や、環状ケトンの分子構造を持つ有機化合物(例えばイソホロン)、シクロアルカン環を有する有機化合物(例えばシクロヘキサノールのエステルで、シクロヘキサノールアセテート)らである。これら三種の内で沸点が180℃以上有る溶媒が第一溶媒に最適である(例えばγブチロラクトンやイソホロン)。第一高分子材料が単純なオレフィン系高分子の場合、第三溶媒は芳香族炭化水素(トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等)、或いは、環式の飽和炭化水素(シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン等)とする。第三溶媒の一例として、第一高分子材料がPMMA或いはフッ素系芳香族高分子の場合にはγブチロラクトンを用いる事ができ、第一高分子材料がポリシクロオレフィンの場合にはデカリンを使用できる。第三溶媒の好ましい表面張力や沸点、粘度は、前述した高分子溶液に対するそれらの範囲と同一である。   The third solvent may be the same as the first solvent, or may be a solvent that dissolves the first polymer material better than the first solvent. Ideal is the solvent that dissolves the first polymeric material most easily. Specifically, when the first polymer material is an acrylic polymer, a fluorine aromatic polymer, or an olefin polymer having a polar functional group such as a hydroxyl group or a carbonyl group, the third solvent is an ether. Solvent (ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, 1,4-dioxane, 2-methoxy-2-methylpropane, diethylene glycol monobutyl ether, etc.) or glycol diether (glyme) solvent ( Triethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, diethylene glycol isopropyl methyl ether, tripropylene glycol dimethyl ether, etc.), or Tone solvents (acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone (DIBK), cyclohexanone, diacetone alcohol (DAA), 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one (isophorone), etc.) or esters Solvents (γ-butyrolactone, ethyl acetate, methyl acetate, butyl acetate, methoxybutyl acetate, ethyl glycol acetate, amyl acetate, normal propyl acetate, isopropyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, cyclohexanol acetate, dimethyl glutarate, Ethyl octanoate, butyl benzoate, 1,6-hexanediol diacetate, propylene glycol diacetate, etc.) or glycol ester solvents (solvents containing ethers and esters with glycols) Diethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, etc., or special solvents containing ether and ester (ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, etc.) ) Among these, the third solvent, which is particularly excellent in solubility, is an organic compound having a cyclic structure, such as a lactone, containing an ester bond as part of the molecular ring (for example, γ-butyrolactone), or the molecular structure of a cyclic ketone. And an organic compound having a cycloalkane ring (for example, an ester of cyclohexanol, cyclohexanol acetate). Of these three types, a solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher is most suitable as the first solvent (for example, γ-butyrolactone or isophorone). When the first polymer material is a simple olefin polymer, the third solvent is an aromatic hydrocarbon (toluene, xylene, mesitylene, cyclohexylbenzene, etc.) or a cyclic saturated hydrocarbon (cyclohexane, methylcyclohexane, ethyl) Cyclohexane, decalin, etc.). As an example of the third solvent, γ-butyrolactone can be used when the first polymer material is PMMA or a fluorinated aromatic polymer, and decalin can be used when the first polymer material is polycycloolefin. . The preferred surface tension, boiling point, and viscosity of the third solvent are the same as those ranges for the polymer solution described above.

第三溶媒滴下工程では、第一薄膜に第三溶媒を一回乃至は複数回滴下し、クレータ状の窪みに残る薄皮状の第一高分子材料の厚みが100nm未満になる様にする。この後に高分子溶液滴下工程を行うと、窪みに残留している第一高分子材料が僅かである為に、一回乃至は三回の高分子溶液滴下で、容易に且つ完璧に貫通孔32を形成できる。   In the third solvent dropping step, the third solvent is dropped once or a plurality of times on the first thin film so that the thickness of the thin skin-like first polymer material remaining in the crater-like depression is less than 100 nm. Thereafter, when the polymer solution dropping step is performed, since the first polymer material remaining in the depression is very small, the through-hole 32 can be easily and completely formed by dropping the polymer solution once or three times. Can be formed.

第三溶媒滴下工程を行わず、高分子溶液滴下を何度も繰り返す事でも貫通孔32は形成できるが、高分子溶液滴下だけでは、これを繰り返している内にクレータ状の窪みに第二高分子材料が次第に蓄積して行き、液滴内での液の移動が難しくなって来る。これに対して、第三溶媒は、高分子材料を含まない分、粘度が低くなり、効果的に穴を掘り下げる事ができる。底部が十分に薄くなった後に高分子溶液を滴下すると、この溶液に再溶融する第一高分子材料の量は比較的少なく、第二高分子材料のドメインの割合が大きくなる。この理由により、第三溶媒滴下工程を先に行ってから、高分子溶液滴下工程を施した方が、貫通孔32の形成は容易になる。   The through-hole 32 can be formed by repeating the dropping of the polymer solution many times without performing the third solvent dropping step. However, when the dropping of the polymer solution is repeated, the second height increases in the crater-like depression. Molecular material gradually accumulates, making it difficult for the liquid to move within the droplet. On the other hand, the third solvent does not contain the polymer material, so that the viscosity is lowered and the hole can be effectively dug down. When the polymer solution is dropped after the bottom becomes sufficiently thin, the amount of the first polymer material remelted in the solution is relatively small, and the ratio of the domains of the second polymer material is increased. For this reason, it is easier to form the through holes 32 when the polymer solution dropping step is performed after the third solvent dropping step is performed first.

「配線接続工程」
次に、図2を用いて、上述のパターン形成方法による配線接続構造を説明する。
基板10の表面には金属で第一配線113が形成されている。この第一配線113を機械的乃至は化学的に保護する目的で、これを覆う様に絶縁膜211が設けられて居る。絶縁膜211が第一薄膜である。この絶縁膜211には、上述のパターン形成方法にて貫通孔32が形成されている。貫通孔32はその開口部が20μmから30μmと小さいので、外部との電気的接続を容易にする為に、貫通孔32を被覆する様に第二配線131が設けられて居る。即ち、図2では第二配線131が外部への接続端子となっている。尚、第二配線131は第一配線113とは絶縁膜211で分離されているが、配線構成から接続が必要となる箇所では、図2に示す様に貫通孔32を介して接続される。
"Wiring connection process"
Next, a wiring connection structure by the above-described pattern forming method will be described with reference to FIG.
A first wiring 113 is formed of metal on the surface of the substrate 10. In order to protect the first wiring 113 mechanically or chemically, an insulating film 211 is provided so as to cover it. The insulating film 211 is the first thin film. Through holes 32 are formed in the insulating film 211 by the pattern forming method described above. Since the opening of the through-hole 32 is as small as 20 μm to 30 μm, the second wiring 131 is provided so as to cover the through-hole 32 in order to facilitate electrical connection with the outside. That is, in FIG. 2, the second wiring 131 is a connection terminal to the outside. The second wiring 131 is separated from the first wiring 113 by the insulating film 211, but is connected through the through hole 32 as shown in FIG.

上述した通り、本実施形態に係わる回路基板の製造方法によれば、以下の効果を得る事ができる。
第一薄膜に高分子溶液を滴下した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて容易にヴィアホールなどのパターンを形成できる。而もヴィアホール以外に残された第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。
As described above, according to the circuit board manufacturing method of the present embodiment, the following effects can be obtained.
After dropping the polymer solution onto the first thin film, the first thin film is brought into contact with the second solvent to dissolve the second polymer material, so that a pattern such as a via hole can be easily formed by a printing method. In addition, the quality of the first thin film remaining other than the via hole can be kept high.

又、第一薄膜に第三溶媒を滴下して、滴下された中央部付近に第一高分子材料が僅かしか残留しない状態にした後に、高分子溶液を滴下し、その後に第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて容易に且つ確実にヴィアホールなどのパターンを形成できる。而もヴィアホール以外の残った第一薄膜の品質を高いままに保つ事ができる。   In addition, a third solvent is dropped on the first thin film so that only a small amount of the first polymer material remains in the vicinity of the dropped center, and then the polymer solution is dropped, and then the second solvent is touched. Since the second polymer material is dissolved, a pattern such as a via hole can be easily and reliably formed by a printing method. The quality of the remaining first thin film other than the via hole can be kept high.

又、第二高分子材料の分子量が500以上なので、第二高分子材料は高分子としての特徴を示す。更に、第二高分子材料の分子量が50000以下であるので、第一溶媒の乾燥期間に於ける高分子溶液の粘度は比較的長時間低く保たれる。これらの結果、ヴィアホールなどのパターンを印刷法にて容易に形成できる。   Further, since the molecular weight of the second polymer material is 500 or more, the second polymer material exhibits characteristics as a polymer. Furthermore, since the molecular weight of the second polymer material is 50000 or less, the viscosity of the polymer solution during the drying period of the first solvent is kept low for a relatively long time. As a result, patterns such as via holes can be easily formed by a printing method.

(実施形態2)
図3及び図4、図5は、実施形態2に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した断面図である。また、図6及び図7は実施形態2に係わる回路基板の製造方法を模式的に示した平面図である。尚、図3から図5は、図6及び図7のA−A‘とB−B‘の断面に相当し、便宜上、図3(a)にのみA−A‘とB−B‘の位置を記載してある。以下、図3から図7を用いて、回路基板の製造方法を説明する。
(Embodiment 2)
3, 4, and 5 are cross-sectional views schematically showing a circuit board manufacturing method according to the second embodiment. 6 and 7 are plan views schematically showing the circuit board manufacturing method according to the second embodiment. 3 to 5 correspond to the cross sections taken along lines AA ′ and BB ′ in FIGS. 6 and 7. For convenience, only the positions of AA ′ and BB ′ are shown in FIG. Is described. Hereinafter, a method of manufacturing a circuit board will be described with reference to FIGS.

「回路基板の製造方法の概要」
まず図5(j)を用いて概要を説明する。
本発明は、二種類の導電層とこれらを分離する二種類の絶縁層を備える回路基板1の製造方法に関する。回路基板1は主として印刷法を用いて製造され、この製造方法に適する様に、二種類の絶縁層にヴィアホール31を開口して、二種類の導電層を互いに電気的に接続する技術に関する。図5(j)では、二種類の導電層は、第一導電体からなるソースドレイン電極11と第三導電体である画素電極13である。又、二種類の絶縁層とは、第一薄膜であるゲート絶縁膜21と第二絶縁膜である層間絶縁膜22である。ゲート絶縁膜21はソースドレイン電極11などの第一導電体を被覆しており、その上に層間絶縁膜22が設けられ、更にその上に画素電極13が形成される。ソースドレイン電極11上にはヴィアホール31が開口されており、このヴィアホール31を介して、ソースドレイン電極11と画素電極13とが接続されている。尚、第二導電体にてゲート電極12などが形成され、ゲート電極12と画素電極13とは層間絶縁膜22にて絶縁される。即ち、第一導電体と第二導電体とを絶縁するのが第一薄膜で、第二導電体と第三導電体とを絶縁するのが第二絶縁膜である。
"Outline of circuit board manufacturing method"
First, the outline will be described with reference to FIG.
The present invention relates to a method of manufacturing a circuit board 1 including two types of conductive layers and two types of insulating layers that separate them. The circuit board 1 is mainly manufactured by using a printing method, and relates to a technique of opening two via holes 31 in two types of insulating layers and electrically connecting the two types of conductive layers to each other so as to be suitable for the manufacturing method. In FIG. 5J, the two types of conductive layers are a source / drain electrode 11 made of a first conductor and a pixel electrode 13 being a third conductor. The two types of insulating layers are a gate insulating film 21 that is a first thin film and an interlayer insulating film 22 that is a second insulating film. The gate insulating film 21 covers a first conductor such as the source / drain electrode 11, an interlayer insulating film 22 is provided thereon, and a pixel electrode 13 is further formed thereon. A via hole 31 is opened on the source / drain electrode 11, and the source / drain electrode 11 and the pixel electrode 13 are connected via the via hole 31. The gate electrode 12 and the like are formed of the second conductor, and the gate electrode 12 and the pixel electrode 13 are insulated by the interlayer insulating film 22. That is, it is the first thin film that insulates the first conductor from the second conductor, and the second insulating film that insulates the second conductor from the third conductor.

この様な回路基板1を製造するのに以下の工程が実施される。まず、第一導電体形成工程として、基板上にソースドレイン電極11などを形成する。次いで、第一薄膜成膜工程として、第一導電体を被覆する様にゲート絶縁膜21を成膜する。ゲート絶縁膜21は、実施形態1にて説明した第一高分子材料からなり、第一薄膜成膜工程も実施形態1の説明と同一である。次に、貫通孔形成工程として、ソースドレイン電極11上のゲート絶縁膜21に貫通孔32を開口して、ソースドレイン電極11の表面を露出させる。貫通孔形成工程には、実施形態1で説明したパターン形成方法を用いる。即ち、貫通孔形成工程は、高分子溶液滴下工程後に第二溶媒接触工程を行う。高分子溶液滴下工程は、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する工程である。第一溶媒が乾燥した後に行われる第二溶媒接触工程は、第一薄膜を第二溶媒に触れさせる工程で、第二溶媒は、第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する。高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行っても良い。これらの溶媒と高分子材料も実施形態1に説明した通りである。その後、ソースドレイン電極11の表面を撥液化させる撥液化工程を行う。次に、第二絶縁膜形成工程として、貫通孔32以外の領域に層間絶縁膜22の前駆体樹脂を印刷し、印刷後にこの前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する。前駆体樹脂は粘度が低く、印刷時に基板表面に塗れ広がるが、ソースドレイン電極11が開口している部分は、撥液化処理が施されているので、塗れず、その部位は前駆体樹脂が塗布されない。こうしてヴィアホール31が容易に、且つ確実に形成される。ヴィアホール31が形成された後に画素電極13が形成され、二種類の導電層は電気的に接続される。   The following steps are performed to manufacture such a circuit board 1. First, as a first conductor forming step, a source / drain electrode 11 and the like are formed on a substrate. Next, as the first thin film forming step, the gate insulating film 21 is formed so as to cover the first conductor. The gate insulating film 21 is made of the first polymer material described in the first embodiment, and the first thin film forming process is the same as that described in the first embodiment. Next, as a through hole forming step, a through hole 32 is opened in the gate insulating film 21 on the source / drain electrode 11 to expose the surface of the source / drain electrode 11. In the through hole forming step, the pattern forming method described in the first embodiment is used. That is, in the through hole forming step, the second solvent contacting step is performed after the polymer solution dropping step. The polymer solution dropping step is a step of preparing a polymer solution in which the second polymer material is dissolved in the first solvent that dissolves the first polymer material, and dropping the polymer solution on the first thin film. The second solvent contact step performed after the first solvent is dried is a step in which the first thin film is brought into contact with the second solvent. The second solvent does not dissolve the first polymer material, and does not dissolve the second polymer material. Dissolve. Prior to the polymer solution dropping step, a third solvent dropping step may be performed. These solvents and polymer materials are also as described in the first embodiment. Thereafter, a lyophobic process for lyophobizing the surface of the source / drain electrode 11 is performed. Next, as a second insulating film forming step, the precursor resin of the interlayer insulating film 22 is printed in a region other than the through holes 32, and after the printing, the precursor resin is cured to form a second insulating film. The precursor resin has a low viscosity and spreads on the substrate surface during printing. However, the portion where the source / drain electrodes 11 are opened is not repelled because the liquid-repellent treatment is applied, and the precursor resin is applied to the portion. Not. Thus, the via hole 31 is easily and reliably formed. After the via hole 31 is formed, the pixel electrode 13 is formed, and the two kinds of conductive layers are electrically connected.

以下、回路基板1の製造方法を工程毎に詳述する。尚、本実施形態では好適例として、上ゲート型で、半導体膜に有機物を利用した薄膜トランジスター(有機TFT)を有するアクティブマトリックス基板を回路基板1に適応した場合について説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the circuit board 1 will be described in detail for each process. In this embodiment, as a preferred example, a case where an active matrix substrate having an upper gate type and having a thin film transistor (organic TFT) using an organic substance as a semiconductor film is applied to the circuit substrate 1 will be described.

「第一導電体形成工程と第一薄膜成膜工程」
図3(a)は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、第一薄膜成膜工程までを表している。基板10はポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムである。基板10としては、ガラス基板や、アルミニウム若しくはステンレス等の金属基板、シリコンやGaAs等の半導体基板、プラスチック基板等、いかなる基板を用いる事もできるが、有機TFTは低温且つ簡易な方法で形成できる事から、これらの内でも価格が安く、軽量で、而も柔軟性に富むプラスチック基板を用いることが好ましい。
"First conductor formation process and first thin film deposition process"
FIG. 3A shows a process up to the first thin film forming process in the manufacturing process of the circuit board of the present embodiment. The substrate 10 is a polyethylene naphthalate (PEN) film. As the substrate 10, any substrate such as a glass substrate, a metal substrate such as aluminum or stainless steel, a semiconductor substrate such as silicon or GaAs, or a plastic substrate can be used, but the organic TFT can be formed at a low temperature with a simple method. Therefore, among these, it is preferable to use a plastic substrate that is inexpensive, lightweight, and highly flexible.

PENフィルム以外で適応可能なプラスチック基板としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルベンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、プリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち一種、または二種以上を積層した積層体を用いることができる。   Examples of plastic substrates other than PEN films include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), cyclic polyolefin, modified polyolefin, polyvinyl chloride, poly Vinylidene chloride, polystyrene, polyamide, polyimide, polyamideimide, polycarbonate, poly- (4-methylbenten-1), ionomer, acrylic resin, polymethyl methacrylate, acrylic-styrene copolymer (AS resin), butadiene-styrene copolymer Polyesters such as polymers, polio copolymers (EVOH), polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, precyclohexane terephthalate (PCT), polyethers, polyether keto , Polyether ether ketone, polyether imide, polyacetal, polyphenylene oxide, modified polyphenylene oxide, polyarylate, aromatic polyester (liquid crystal polymer), polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, other fluororesins, styrene, polyolefin, Various thermoplastic elastomers such as polyvinyl chloride, polyurethane, fluoro rubber, chlorinated polyethylene, epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester, silicone resin, polyurethane, etc. A copolymer, a blend, a polymer alloy, and the like. Among these, a laminate in which one kind or two or more kinds are laminated can be used.

基板10上には金(Au)からなる第一導電体が設けられており、これらにて外部への接続する電極パッド111と、ソースドレイン電極11、及び不図示のデータ線やその他の配線が形成されている。第一導電体材料としては、チオール化合物又はジスルフィド化合物の硫黄原子と結合が可能な材料を使用し、金以外には、Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Pt、Pd、Ni、やそれらの金属を用いた合金等が使用される。これらの他にも、第一導電体材料として、インジウム錫酸化物(ITO)や酸化錫、酸化亜鉛などの酸化物導電体を利用しても良い。これらの金属膜や酸化物導電体は真空蒸着法やスパッター法で均一な薄膜を堆積した後に、フォトリソグラフィー工程と湿式乃至は乾式のエッチング工程を経て、所定の形状にパターニングされる。或いは、エッチング加工が困難な材料では、所定の形状に穴が開けられたマスクを通じて金属膜を堆積(マスク堆積)しても良い。この他にも銀(Ag)ナノコロイドの分散液をマイクロコンタクトプリンティングや凸板反転印刷法によって印刷しても良い。これが第一導電体形成工程に当たる。ここでは金をPENフィルム全面に真空蒸着した後にフォトリソグラフィー工程と湿式エッチング工程とを経て、第一導電体を形成した。尚、金の湿式エッチングにはヨウ素とヨウ化アルカリ(ヨウ化アンモニウム)の混合液を用いた。   A first conductor made of gold (Au) is provided on the substrate 10, and an electrode pad 111, a source / drain electrode 11, an unillustrated data line and other wirings connected to the outside are provided by these. Is formed. As the first conductor material, a material capable of bonding with a sulfur atom of a thiol compound or a disulfide compound is used. Besides gold, Cr, Al, Ta, Mo, Nb, Cu, Ag, Pt, Pd, Ni , And alloys using these metals are used. In addition to these, an oxide conductor such as indium tin oxide (ITO), tin oxide, or zinc oxide may be used as the first conductor material. These metal films and oxide conductors are patterned into a predetermined shape through a photolithography process and a wet or dry etching process after depositing a uniform thin film by vacuum deposition or sputtering. Alternatively, for a material that is difficult to etch, a metal film may be deposited (mask deposition) through a mask having holes in a predetermined shape. In addition, a dispersion of silver (Ag) nanocolloid may be printed by microcontact printing or convex plate reverse printing. This corresponds to the first conductor forming step. Here, gold was vacuum-deposited on the entire surface of the PEN film, and then the first conductor was formed through a photolithography process and a wet etching process. Note that a mixed solution of iodine and alkali iodide (ammonium iodide) was used for wet etching of gold.

第一導電体形成工程後に、有機半導体膜41を印刷する半導体膜形成工程を行う。インクジェット法で、ソースドレイン電極11間を結ぶ様に(チャネル形成領域を埋める様に)半導体材料を印刷する。ここでの有機半導体膜41はポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−コージチオフェン)(F8T2)で、P型半導体特性を示す高分子型有機半導体である。この他に使用可能なP型の高分子型有機半導体材料としては、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)、ポリ[5,5’−ビス(3−ドデシル−2チニル)−2,2’−ビチオフェン](PQT−12)、PBTTT等が挙げられる。印刷が可能な可溶性低分子有機半導体材料を用いる場合には、BTBTやチオフェンオリゴマなどが挙げられる。有機半導体はπ結合を有するので、芳香族炭化水素(トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼンなど)に最も良く溶け、次いで環式の飽和炭化水素(シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリンなど)から成る溶剤に溶解されて、印刷される。溶解時の半導体材料の濃度は0.3%から2.5%の範囲にある事が望ましく、理想的な範囲は0.5%から1.5%である。次工程で第一薄膜が塗布される為に、有機半導体は溶剤選択性が高い事が望ましい。具体的には、上述の様に半導体膜を印刷する為に芳香族炭化水素や環式の飽和炭化水素に良く溶け、且つ、次工程以降で安定である為に水やアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤には不溶である事が望まれる。この溶剤選択性の観点から、可溶性低分子有機半導体材料よりも高分子型有機半導体材料の方が好ましい。ここで用いたF8T2はデカリンに良く溶け、ケトン系溶剤やエステル系材料に対して安定である。半導体膜は、インクジェット法にて、デカリン中に濃度2%に溶かしたF8T2を印刷して形成した。半導体膜の厚みは10nmから200nmの範囲にある事が好ましく、理想的な範囲は30nmから60nmである。ここでの厚みは50nmであった。   After the first conductor forming step, a semiconductor film forming step for printing the organic semiconductor film 41 is performed. A semiconductor material is printed by an inkjet method so as to connect the source / drain electrodes 11 (fill the channel formation region). Here, the organic semiconductor film 41 is poly (9,9-dioctylfluorene-cordithiophene) (F8T2), which is a polymer organic semiconductor exhibiting P-type semiconductor characteristics. Other P-type polymer organic semiconductor materials that can be used include poly (3-hexylthiophene) (P3HT), poly [5,5′-bis (3-dodecyl-2tinyl) -2,2 ′. -Bithiophene] (PQT-12), PBTTT and the like. When a soluble low molecular weight organic semiconductor material that can be printed is used, BTBT, thiophene oligomer, and the like can be given. Organic semiconductors have a π bond, so they are most soluble in aromatic hydrocarbons (toluene, xylene, mesitylene, cyclohexylbenzene, etc.), and then consist of cyclic saturated hydrocarbons (cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, etc.) It is dissolved in a solvent and printed. The concentration of the semiconductor material at the time of dissolution is preferably in the range of 0.3% to 2.5%, and the ideal range is 0.5% to 1.5%. Since the first thin film is applied in the next step, it is desirable that the organic semiconductor has high solvent selectivity. Specifically, it is well soluble in aromatic hydrocarbons and cyclic saturated hydrocarbons for printing semiconductor films as described above, and water, alcohol-based solvents, ether-based to be stable after the next step. It is desired to be insoluble in solvents, ketone solvents, ester solvents, and fluorine solvents. From the viewpoint of solvent selectivity, a polymer type organic semiconductor material is preferable to a soluble low molecular weight organic semiconductor material. The F8T2 used here dissolves well in decalin and is stable to ketone solvents and ester materials. The semiconductor film was formed by printing F8T2 dissolved in decalin at a concentration of 2% by an inkjet method. The thickness of the semiconductor film is preferably in the range of 10 nm to 200 nm, and the ideal range is 30 nm to 60 nm. The thickness here was 50 nm.

半導体膜形成工程後に実施形態1で説明した第一薄膜成膜工程を行う。半導体膜を覆って第一薄膜であるゲート絶縁膜21を設ける。ここでは厚みが500nmのポリメタクリル酸メチル(PMMA)をスピンコートにて成膜した。ゲート絶縁膜21は、この様に、絶縁性の第一高分子材料を基板全体に渡って一様に塗布する。この時に有機半導体膜41を溶解させてはならないので、有機半導体材料が難溶性を示す溶剤(アルコール系溶剤又は、エーテル系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤)に可溶な絶縁性高分子を使用する。更に、この後に行われる撥液化工程や第二導電体形成工程(ゲート電極形成工程)、第二絶縁膜形成工程(層間絶縁膜形成工程で、前駆体樹脂の塗布と硬化)など、これ以降に行われる各種工程に対してゲート絶縁膜21は安定で有らねばならない。これらの工程ではアルコール系材料やグリコール、グリセリンが使用されるので、絶縁性高分子はこれらに対して安定である必要がある。即ち、第一薄膜はアルコール系溶剤や材料に対しては難溶性を示し(溶け難く)、エーテル系溶剤或いはケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかには可溶性を示す(溶ける)材料である。実施形態1で説明した高分子材料の内では単純なオレフィン系高分子がゲート絶縁膜21に使用できない。オレフィン系高分子を溶かした溶媒(芳香族炭化水素や環式の飽和炭化水素)が有機半導体膜41を溶かして仕舞う為である。オレフィン系高分子を使用する際には極性官能機を付加した物とする。ゲート絶縁膜21として使用可能な具体的な第一高分子材料は、PMMAを始めとするアクリル系高分子、フッ素系芳香族高分子、水酸基やカルボニル基等の極性官能機を付加したオレフィン系高分子などで有る。アクリル系高分子はエステル基を有するので、酢酸ブチルなどのエステル系溶剤に良く溶け、エタノールやプロピレングリコールなどのアルコール系材料には殆ど溶けない。又、フッ素系芳香族高分子はカルボニル基やエステル基を有するので、フッ素系溶剤の他にケトン系溶剤やエステル系溶剤に良く溶けるが、エタノールなどのアルコール系溶剤には僅かしか溶けず難溶性を示す。極性官能基を有するオレフィン系高分子は、エーテル系溶剤やケトン系溶剤、エステル系溶剤に可溶で、矢張りエタノールなどのアルコール系溶剤には僅かしか溶けない。   After the semiconductor film forming step, the first thin film forming step described in the first embodiment is performed. A gate insulating film 21 which is a first thin film is provided to cover the semiconductor film. Here, polymethyl methacrylate (PMMA) having a thickness of 500 nm was formed by spin coating. In this way, the gate insulating film 21 is uniformly coated with the insulating first polymer material over the entire substrate. Since the organic semiconductor film 41 must not be dissolved at this time, the organic semiconductor material is insulatively soluble in a solvent in which the organic semiconductor material is hardly soluble (alcohol solvent, ether solvent, ketone solvent, ester solvent, fluorine solvent). Use functional polymers. Furthermore, the liquid repellency process, the second conductor forming process (gate electrode forming process), the second insulating film forming process (application and curing of the precursor resin in the interlayer insulating film forming process), etc. performed thereafter The gate insulating film 21 must be stable with respect to various processes to be performed. In these steps, alcoholic materials, glycols, and glycerin are used, so that the insulating polymer needs to be stable against these. That is, the first thin film is hardly soluble in alcohol solvents and materials (not easily soluble), and is soluble (soluble) in any of ether solvents, ketone solvents, ester solvents, or fluorine solvents. Material. Among the polymer materials described in the first embodiment, a simple olefin polymer cannot be used for the gate insulating film 21. This is because a solvent (aromatic hydrocarbon or cyclic saturated hydrocarbon) in which the olefin polymer is dissolved dissolves the organic semiconductor film 41 and performs. When using an olefin polymer, a polar functional machine is added. Specific examples of the first polymer material that can be used as the gate insulating film 21 include acrylic polymers such as PMMA, fluorinated aromatic polymers, and olefinic polymers having a polar functional machine such as a hydroxyl group or a carbonyl group. There are molecules. Since acrylic polymers have ester groups, they are well soluble in ester solvents such as butyl acetate and hardly soluble in alcoholic materials such as ethanol and propylene glycol. In addition, fluorine aromatic polymers have carbonyl groups and ester groups, so they are well soluble in ketone solvents and ester solvents in addition to fluorine solvents, but only slightly soluble in alcohol solvents such as ethanol. Indicates. The olefin polymer having a polar functional group is soluble in an ether solvent, a ketone solvent, and an ester solvent, and is slightly soluble in an alcohol solvent such as arrow-strung ethanol.

後述する様に前駆体樹脂は水酸基を付与されたモノマーでこれを合成して第二絶縁膜とするが、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定なので、前駆体樹脂に対しても難溶性を示す事になる。第一薄膜の厚みは、100nmから1000nmの範囲にある事が望ましく、200nmから800nmの範囲内にある事がより好適である。   As will be described later, the precursor resin is synthesized with a monomer having a hydroxyl group to form a second insulating film. However, since the first thin film is stable against alcohol-based materials, it is also hardly soluble in the precursor resin. Will be shown. The thickness of the first thin film is preferably in the range of 100 nm to 1000 nm, and more preferably in the range of 200 nm to 800 nm.

「貫通孔形成工程」
図3(b)と(c)は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、貫通孔形成工程を表している。貫通孔形成工程は、実施形態1で説明したパターン形成方法が適用され、高分子溶液滴下工程と第二溶媒接触工程とから成る。具体的には、図3(b)に示す様に、まず高分子溶液滴下工程としてγブチロラクトンにポリビニルフェノールを0.2%の濃度に溶かした高分子溶液をインクジェット法51で、ソースドレイン電極11等の貫通孔を形成すべき場所の上に滴下した。ここでは、25pL程度の高分子溶液の液滴52を四回、滴下した。次に第二溶媒接触工程として、27℃のイソプロピルアルコールに基板を2分間浸漬した。こうして、図3(c)に示す様に、貫通孔32が開口された。貫通孔形成工程が高分子溶液滴下工程と第二溶媒接触工程とから成ると、インクジェット法で溶液の切り替えを行う必要がないので、生産性に優れている。尚、高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行っても良い。この場合、まず第三溶媒滴下工程として、第一薄膜上に25pL程度のγブチロラクトンの液滴52を三回滴下し、次いで高分子溶液滴下工程として25pL程度の高分子溶液の液滴52を一回滴下する。最後に第二溶媒接触工程として、27℃のイソプロピルアルコールに基板を2分間浸漬する。
"Through hole formation process"
3B and 3C show a through-hole forming step in the process of manufacturing the circuit board according to the present embodiment. The pattern forming method described in the first embodiment is applied to the through hole forming step, and includes a polymer solution dropping step and a second solvent contacting step. Specifically, as shown in FIG. 3B, first, as a polymer solution dropping step, a polymer solution in which polyvinylphenol is dissolved at a concentration of 0.2% in γ-butyrolactone is formed by the inkjet method 51 and the source / drain electrodes 11. It dropped on the place which should form a through-hole. Here, the droplet 52 of the polymer solution of about 25 pL was dropped four times. Next, as a second solvent contact step, the substrate was immersed in isopropyl alcohol at 27 ° C. for 2 minutes. Thus, the through hole 32 was opened as shown in FIG. When the through-hole forming step is composed of a polymer solution dropping step and a second solvent contact step, it is not necessary to switch the solution by the ink jet method, which is excellent in productivity. In addition, you may perform a 3rd solvent dripping process prior to a polymer solution dripping process. In this case, first, as the third solvent dropping step, about 25 pL of γ-butyrolactone droplet 52 is dropped three times on the first thin film, and then about 25 pL of the polymer solution droplet 52 is applied as one polymer solution dropping step. Dripping once. Finally, as a second solvent contact step, the substrate is immersed in isopropyl alcohol at 27 ° C. for 2 minutes.

「撥液化工程」
図3(d)は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、撥液化工程を表している。又、図8は実施形態2に係わる回路基板の製造方法の内で撥液化工程終了時の状態を詳細に説明した図である。図3(d)に示す様に、撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液61に、第一導電体の表面を触れさせる。最も簡便な手法としては、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液61に、貫通孔が形成された基板を数秒間から数分間程度の短時間浸す事である。チオール化合物又はジスルフィド化合物の硫黄原子は、第一導電体をなす金属原子と速やかに結合するので、こうした短時間の接触処理で、容易に第一導電体の表面は撥液化される。チオール化合物又はジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含んでいると(フッ素化アルキルチオール又はフッ素化アルキルジスルフィド、以降両者を合わせてフッ化アルキルチオール62と略称する)、撥液性が増して更に好ましい。ここでは、
HS−(CH26−(CF27−CF3
の化学式で表されるフッ化アルキルチオール62を用いた。
"Liquid repellent process"
FIG. 3D shows a lyophobic process during the manufacturing process of the circuit board of the present embodiment. FIG. 8 is a diagram for explaining in detail the state at the end of the lyophobic process in the circuit board manufacturing method according to the second embodiment. As shown in FIG. 3D, in the liquid repellent step, the surface of the first conductor is brought into contact with a solution 61 containing a thiol compound or a disulfide compound. The simplest technique is to immerse the substrate with through holes formed in a solution 61 containing a thiol compound or disulfide compound for a short period of time from several seconds to several minutes. Since the sulfur atom of the thiol compound or disulfide compound is quickly bonded to the metal atom forming the first conductor, the surface of the first conductor is easily made liquid repellent by such a short contact treatment. It is more preferable that the thiol compound or disulfide compound contains a fluorinated alkyl chain (fluorinated alkyl thiol or fluorinated alkyl disulfide, hereinafter, abbreviated as fluorinated alkyl thiol 62), resulting in increased liquid repellency. here,
HS- (CH 2) 6 - ( CF 2) 7 -CF 3
The alkyl fluoride thiol 62 represented by the chemical formula of

図8(b)に示す様に、チオール化合物やジスルフィド化合物の硫黄は金などの金属と強固に結合し、フッ化アルキルチオール62で覆われた表面にはフッ素化アルキル鎖が覆い尽くし、表面エネルギーを下げる。その結果、金属表面の水に対する接触角は100°から140°程度に大きくなる。この様に、撥液化処理とは、第一導電体の表面エネルギーを下げて、水に対する接触角を90°以上にする処理である。   As shown in FIG. 8B, the sulfur of the thiol compound or disulfide compound is firmly bonded to a metal such as gold, and the surface covered with the fluorinated alkylthiol 62 is covered with the fluorinated alkyl chain, and the surface energy is increased. Lower. As a result, the contact angle of the metal surface with water increases from about 100 ° to about 140 °. As described above, the lyophobic treatment is a treatment for lowering the surface energy of the first conductor so that the contact angle with water is 90 ° or more.

フッ化アルキルチオール62は、アルコール溶媒(エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど)に0.005%から1%の濃度で溶解される。濃度は、0.05%から0.5%がより好適な範囲となる。濃度が0.2%前後の溶液に基板を浸漬すると、図8(a)に示す様に、貫通孔32部のソースドレイン電極11が露出した露出部は、ほぼ瞬間的に(1秒以下の極短時間内に)フッ化アルキルチオール62で覆われる。但し、工程を安定的に行う立場から、浸漬時間は1分以上とするのが好ましい。又、生産性を高める立場と、浸漬による基板ダメージを最小にする立場とから、浸漬時間は3分以下とする事が望ましい。ここでは、上述のアルキルチオールをエタノールに0.2%の濃度に溶解させた。   The fluorinated alkyl thiol 62 is dissolved in an alcohol solvent (ethanol, isopropyl alcohol, butanol, etc.) at a concentration of 0.005% to 1%. The concentration is more preferably in the range of 0.05% to 0.5%. When the substrate is immersed in a solution having a concentration of about 0.2%, as shown in FIG. 8A, the exposed portion where the source / drain electrode 11 of the through-hole 32 is exposed almost instantaneously (less than 1 second). Covered with fluorinated alkylthiol 62 (in a very short time). However, from the standpoint of stably performing the process, the immersion time is preferably 1 minute or longer. Further, from the standpoint of improving productivity and minimizing substrate damage due to dipping, it is desirable that the dipping time be 3 minutes or less. Here, the above-mentioned alkylthiol was dissolved in ethanol at a concentration of 0.2%.

フッ化アルキルチオール62は、フッ素系溶媒にも溶解するので、これをフッ化アルキルチオール62の希釈溶媒としても良い。但し、この場合、第一薄膜はアルコール系溶剤やアルコール系材料とフッ素系溶剤との両者に対して難溶性を示し、エーテル系溶剤或いはケトン系溶剤、エステル系溶剤、のいずれかには可溶性を示す高分子材料でなければならない。具体的には、アクリル系高分子か、フッ素系芳香族高分子、フェノール系高分子、或いはオレフィン系高分子などである。   Since the fluorinated alkyl thiol 62 is also dissolved in the fluorine-based solvent, it may be used as a diluted solvent for the fluorinated alkyl thiol 62. However, in this case, the first thin film is hardly soluble in both alcohol solvents and alcohol materials and fluorine solvents, and is soluble in either ether solvents, ketone solvents, or ester solvents. Must be the polymeric material shown. Specifically, it is an acrylic polymer, a fluorine-based aromatic polymer, a phenol-based polymer, or an olefin-based polymer.

チオール化合物又はジスルフィド化合物は、必ずしも硫黄原子から伸びる主鎖がフッ素で置換されている必要性はない。水に対する接触角が90°以上となる主鎖であれば、フッ化物でなくとも撥液化工程に使用可能である。硫黄原子から伸びる主鎖がフッ素化されていると、水に対する接触角を容易に110°以上にする事ができ、優れた撥液性を示す事ができる。フッ化アルキルチオール62には、
HS−(CH2k−O−(CH2l−(CF2m−CF3
HS−(CH2k+l−(CF2m−CF3
の化学式で表される材料を用いることができる。硬く体積の大きいフッ素化アルキルに対して、柔軟で体積の小さいアルキル鎖を導入して、緻密なSAM膜を形成するには、k+1の値は4以上16以下の範囲にある事が好ましく、lの値は0以上3以下の範囲にある事が好ましい。優れた撥液性を示させるにはmの値は1以上が必要となり、アルコール系溶剤などへ溶解させる為にはmの値は11以下が望ましい。mの値が12以上になるとアルコール系溶剤への溶解性が低下し、撥液化工程に使用するのが困難となる。尚、フッ素化アルキルに代わり、これらの一部乃至は全部を、フッ素化された脂環式炭化水素で置換しても良い。
The thiol compound or disulfide compound does not necessarily have to be substituted with fluorine in the main chain extending from the sulfur atom. If the main chain has a contact angle with respect to water of 90 ° or more, it can be used for the liquid repellency step without using fluoride. When the main chain extending from the sulfur atom is fluorinated, the contact angle with water can be easily increased to 110 ° or more, and excellent liquid repellency can be exhibited. The fluorinated alkyl thiol 62 includes
HS- (CH 2) k -O- ( CH 2) l - (CF 2) m -CF 3 or HS- (CH 2) k + l - (CF 2) m -CF 3
A material represented by the chemical formula can be used. In order to form a dense SAM film by introducing a soft and small-volume alkyl chain to a hard and large-volume fluorinated alkyl, the value of k + 1 is preferably in the range of 4 to 16, The value of is preferably in the range of 0 or more and 3 or less. In order to exhibit excellent liquid repellency, the value of m needs to be 1 or more, and in order to dissolve in an alcohol solvent, the value of m is preferably 11 or less. When the value of m is 12 or more, the solubility in an alcohol-based solvent is lowered, making it difficult to use in the liquid repellency step. Instead of fluorinated alkyl, some or all of these may be substituted with fluorinated alicyclic hydrocarbons.

尚、ここでは基板をフッ化アルキルチオール62を含む溶液に浸したが、露出した複数の第一導電体の内で、そのいくつかを撥液化し、残りは撥液化させたくない場合には、撥液化させたい貫通孔32部にのみインクジェット法で、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液61を滴下しても良い。   In this case, the substrate is immersed in a solution containing the alkyl fluoride thiol 62. However, when some of the exposed first conductors are made liquid repellent and the rest are not made liquid repellent, The solution 61 containing a thiol compound or a disulfide compound may be dropped by an ink jet method only in 32 parts of the through-hole to be made liquid repellent.

又、前述の如く、第一導電体材料として、インジウム錫酸化物(ITO)や酸化錫、酸化亜鉛などの酸化物導電体を利用した場合には、チオール化合物又はジスルフィド化合物に代わり、酸化物に吸着するリン酸やホスホン酸、脂肪酸、有機シランなどの化合物を用いて撥液化する。具体的にはフッ化アルキル基を有するリン酸エステル、又は、フッ化アルキル基を有するリン酸エステル塩、フッ化アルキル基を有するアルコールとリン酸とのエーテル、フッ化アルキル基を有するホスホン酸、フッ化アルキル基を有するホスホン酸エステル、フッ化アルキル基を有するホスホン酸エステル塩、カルボキシ基とフッ化アルキル基とを有する化合物(フッ化アルキル基を有する脂肪酸)、フッ化アルキル基を有するシランカップリング剤などの化合物を用いる。   As described above, when an oxide conductor such as indium tin oxide (ITO), tin oxide, or zinc oxide is used as the first conductor material, the oxide is used instead of the thiol compound or disulfide compound. It is made liquid repellent using a compound such as adsorbing phosphoric acid, phosphonic acid, fatty acid, or organic silane. Specifically, a phosphoric acid ester having a fluorinated alkyl group, or a phosphoric acid ester salt having a fluorinated alkyl group, an ether of an alcohol having a fluorinated alkyl group and phosphoric acid, a phosphonic acid having a fluorinated alkyl group, Phosphonic acid ester having fluorinated alkyl group, phosphonic acid ester salt having fluorinated alkyl group, compound having carboxy group and fluorinated alkyl group (fatty acid having fluorinated alkyl group), silane cup having fluorinated alkyl group A compound such as a ring agent is used.

「親水性電極形成工程」
図4(e)と(f)は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、親水性電極形成工程を表している。又、図6(a)は図4(f)に対応する平面図である。親水性電極形成工程は、図4(e)に示す様に、第一導電体の内で、第二導電体と接続されるべき場所にある第一薄膜を除去して親水性の(撥液性でない)電極表面を持つ貫通孔を形成する工程である。この工程も貫通孔形成工程と同様、実施形態1にて説明したパターン形成方法を適応する。
"Hydrophilic electrode formation process"
FIGS. 4E and 4F show a hydrophilic electrode forming step in the process of manufacturing the circuit board of the present embodiment. FIG. 6A is a plan view corresponding to FIG. As shown in FIG. 4 (e), the hydrophilic electrode forming step removes the first thin film at the place to be connected to the second conductor in the first conductor to remove the hydrophilic (liquid repellent). This is a step of forming a through hole having an electrode surface. Similar to the through hole forming step, this step also applies the pattern forming method described in the first embodiment.

回路基板1には、第一導電体と第二導電体との接続が必要となる場合がある。例えば、外部の制御回路に走査線を接続する電極パッド111では、第一導電体の電極パッドと第二導電体の走査線とを接続したい場合がある。又、例えばインバーターの直列回路や有機ELディスプレイの画素回路を構成する場合、一つのトランジスターの出力(ドレイン電極、第一導電体)が別のトランジスターの入力(ゲート電極、第二導電体)に接続される事がある。この様に回路基板1によっては、第一導電体と第二導電体との接続が必要となる場合が見られる。こうした際に、この親水性電極形成工程を行う。これは第一導電体と第二導電体の電気的接続安定性を高める為と、次の第二導電体形成工程を印刷法で行いたい為とによる。第一導電体表面が撥液性である場合には接続不良が発生し易いので、歩留まり良く電気的接続を得るには第一導電体表面は親水性である事が望まれる。又、第二導電体の印刷法では水やアルコール系溶剤を用いた導電体用インクを用いるので、第一導電体表面が撥液性であると、導電体用インクがはじけてしまい、貫通孔部に第一導電体を描画できない。これらの理由から、第一導電体と第二導電体との接続が必要となる場所の第一導電体表面は親水性である事が望まれる。   The circuit board 1 may require connection between the first conductor and the second conductor. For example, in an electrode pad 111 that connects a scanning line to an external control circuit, it may be desired to connect the electrode pad of the first conductor and the scanning line of the second conductor. For example, when configuring a series circuit of inverters or a pixel circuit of an organic EL display, the output (drain electrode, first conductor) of one transistor is connected to the input (gate electrode, second conductor) of another transistor. It is sometimes done. As described above, depending on the circuit board 1, there is a case where the connection between the first conductor and the second conductor is required. At this time, this hydrophilic electrode forming step is performed. This is because the electrical connection stability between the first conductor and the second conductor is increased and the next second conductor forming step is desired to be performed by a printing method. When the surface of the first conductor is liquid repellent, poor connection is likely to occur. Therefore, it is desirable that the surface of the first conductor is hydrophilic in order to obtain an electrical connection with a high yield. Further, since the conductor printing ink using water or an alcohol solvent is used in the printing method of the second conductor, if the surface of the first conductor is liquid repellent, the conductor ink is repelled, and the through hole is formed. The first conductor cannot be drawn on the part. For these reasons, it is desirable that the surface of the first conductor where the connection between the first conductor and the second conductor is required be hydrophilic.

親水性電極形成工程は、図4(e)に示す様に、まず高分子溶液滴下工程としてγブチロラクトンにポリビニルフェノールを0.2%の濃度に溶かした高分子溶液を、親水性電極を形成したい第一導電体上(例えば電極パッド111上)の第一薄膜にインクジェット法51で滴下した。ここでは、25pL程度の高分子溶液の液滴52を四回、滴下した。次に第二溶媒接触工程として、27℃のイソプロピルアルコールに基板を2分間浸漬した。こうして、図4(f)や図6(a)に示す様に、電極パッド111上など、親水性の電極開口部が必要となる部位に貫通孔32が設けられる。尚、貫通孔形成工程に記述した様に、高分子溶液滴下工程に先立って、第三溶媒滴下工程を行っても良い。   In the hydrophilic electrode forming step, as shown in FIG. 4E, first, as a polymer solution dropping step, it is desired to form a hydrophilic electrode from a polymer solution in which polyvinylphenol is dissolved in γ-butyrolactone to a concentration of 0.2%. It was dripped by the inkjet method 51 on the 1st thin film on the 1st conductor (for example, on the electrode pad 111). Here, the droplet 52 of the polymer solution of about 25 pL was dropped four times. Next, as a second solvent contact step, the substrate was immersed in isopropyl alcohol at 27 ° C. for 2 minutes. Thus, as shown in FIG. 4 (f) and FIG. 6 (a), the through-hole 32 is provided at a site where a hydrophilic electrode opening is required, such as on the electrode pad 111. As described in the through hole forming step, a third solvent dropping step may be performed prior to the polymer solution dropping step.

尚、前述の如く、撥液化工程にインクジェット法を用いて、複数の第一導電体開口部の内を、選択的に撥液化し得る場合には、この親水性電極形成工程は不要となる。その場合、貫通孔形成工程時に総ての貫通孔32を開口させ、撥液化工程時に撥液性の電極表面と親水性の電極表面とをインクジェット法を用いて作り分ける。具体的には、何も処理しない電極表面は親水性なので、撥液性の電極表面が欲しい貫通孔32にのみフッ化アルキルチオール62を滴下する。   In addition, as described above, when the liquid repellent process can be selectively made liquid repellent by using the ink jet method, this hydrophilic electrode forming process is unnecessary. In that case, all the through-holes 32 are opened during the through-hole forming step, and the liquid-repellent electrode surface and the hydrophilic electrode surface are separately formed using the ink jet method during the liquid-repellent step. Specifically, since the electrode surface that is not subjected to any treatment is hydrophilic, the fluorinated alkylthiol 62 is dropped only in the through-hole 32 where the liquid-repellent electrode surface is desired.

「第二導電体形成工程」
図4(g)は、本実施形態の回路基板1の製造工程中で、第二導電体形成工程を表している。又、図6(b)は図4(g)に対応する平面図である。第二導電体形成工程は、撥液化工程後に、第一薄膜上に第二導電体を形成する工程である。
"Second conductor formation process"
FIG. 4G shows a second conductor forming step in the manufacturing process of the circuit board 1 of the present embodiment. FIG. 6B is a plan view corresponding to FIG. The second conductor forming step is a step of forming the second conductor on the first thin film after the liquid repellent step.

図4(g)に示す様に、第二導電体は、導電体用インク53をインクジェット法51で滴下して、その後に焼成することで、ゲート電極12や不図示の走査線と云った第二導電体のパターンを形成する。導電体用インク53としては、低温で焼成可能な銀ナノ粒子を分散させたインクを用いることが望ましい。ここでは銀ナノ粒子を水とプロパンジオールとの混合溶媒に分散させた導電体用インク53(以下、銀インクと略称する)を用いた。線幅が40μm程度の細い線をインクジェット法51で印刷するには、導電体用インク53の表面張力が40mN/m以上で60mN/m以下の範囲に入る様にする事が望まれる。こうすると有機物絶縁体上に滴下されたインクの濡れ広がりを小さく制御でき、細い配線が描画される。又、インクジェット法51で印刷する為には、導電体用インク53の粘度が1mPs・s以上20mPs・s以下の範囲内に調整されている事が必要となる。更に、導電体用インク53の焼成中に半導体材料などの有機物の機能劣化を防ぐために、導電体用インク53は80℃から150℃の温度範囲内の処理条件で焼成できる事が望ましい。ここで用いた銀インクは大気中、100℃で30分の熱処理を施すことで、焼成後に比抵抗が50μΩcm以下の十分に低い導体となった。   As shown in FIG. 4G, the second conductor is formed by dripping the ink 53 for the conductor by the ink jet method 51 and then firing it so that the second electrode is called the gate electrode 12 or a scanning line (not shown). A pattern of two conductors is formed. As the conductor ink 53, it is desirable to use an ink in which silver nanoparticles that can be baked at a low temperature are dispersed. Here, a conductor ink 53 (hereinafter abbreviated as silver ink) in which silver nanoparticles are dispersed in a mixed solvent of water and propanediol was used. In order to print a thin line having a line width of about 40 μm by the ink-jet method 51, it is desirable that the surface tension of the conductor ink 53 be in the range of 40 mN / m to 60 mN / m. In this way, the wetting and spreading of the ink dropped on the organic insulator can be controlled to be small, and a thin wiring is drawn. In addition, in order to print by the ink jet method 51, it is necessary that the viscosity of the conductor ink 53 is adjusted within a range of 1 mPs · s to 20 mPs · s. Furthermore, in order to prevent functional deterioration of organic substances such as semiconductor materials during firing of the conductor ink 53, it is desirable that the conductor ink 53 can be fired under processing conditions within a temperature range of 80 ° C to 150 ° C. The silver ink used here became a sufficiently low conductor having a specific resistance of 50 μΩcm or less after firing by performing a heat treatment at 100 ° C. for 30 minutes in the air.

導電体用インク53の分散媒としては、表面張力が72mN/mと大きい水、或いはグリコール、或いはこれらの混合溶媒を含む物が、表面張力が大きく、好ましい。水だけでは粘度が低過ぎたり、或いは表面張力が高過ぎたりして、連続した線を描くのが困難な場合には、水にアルコール系溶剤やジオール系溶剤、或いはグリセリン系溶剤を添加する。   As the dispersion medium for the conductor ink 53, water or glycol having a large surface tension of 72 mN / m, or a substance containing a mixed solvent thereof is preferable because of its large surface tension. When it is difficult to draw a continuous line because the viscosity is too low or the surface tension is too high with water alone, an alcohol solvent, a diol solvent, or a glycerin solvent is added to water.

銀インクの他には、上述の分散媒にカーボン(カーボンブラックやグラファイト、カーボンナノチューブ、フラーレン、グラフェンなど)を分散させたインクを用いる事もできる。尚、本実施形態では、第二導電体の表面を撥液化させたくなかったので、第二導電体形成工程に先立って、撥液化工程を行った。カーボンを分散させたインクを用いる場合、カーボンインク表面は、撥液化工程を施しても、撥液化されない。従って、この場合には第二導電体形成工程後に撥液化工程を行っても良い。   In addition to silver ink, ink in which carbon (carbon black, graphite, carbon nanotube, fullerene, graphene, or the like) is dispersed in the above-described dispersion medium can also be used. In the present embodiment, since the surface of the second conductor was not desired to be liquid repellent, the liquid repellent step was performed prior to the second conductor forming step. In the case of using an ink in which carbon is dispersed, the surface of the carbon ink is not liquid repellent even if a liquid repellent process is performed. Therefore, in this case, the liquid repellent process may be performed after the second conductor forming process.

図6(b)に示す様に、銀インクを、親水性の電極開口部を有する電極パッド111から走査線やゲート電極12へと印刷する。これにより、第一導電体からなる電極パッド111と走査線及びゲート電極12とを接続できる。外部の制御回路に接続する配線と電極バッドは、フォトリソグラフィー工程を利用した第一導電体のパターンで形成されている為、ライン・アンド・スペスが50μm以下と云った高密度な配線が可能で、回路基板1を利用した電子機器の小型化に役立つ。   As shown in FIG. 6B, silver ink is printed from the electrode pad 111 having a hydrophilic electrode opening to the scanning line and the gate electrode 12. Thereby, the electrode pad 111 made of the first conductor can be connected to the scanning line and the gate electrode 12. The wiring and electrode pads connected to the external control circuit are formed with the pattern of the first conductor using a photolithography process, so high-density wiring with a line and space of 50 μm or less is possible. This is useful for miniaturization of electronic equipment using the circuit board 1.

「第二絶縁膜形成工程」
図5(h)と(i)は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、第二絶縁膜形成工程を表している。又、図7(c)は図5(i)に対応する平面図である。第二絶縁膜形成工程は、回路基板に第二導電体があれば、第二導電体形成工程後に行われる。
"Second insulating film formation process"
FIGS. 5H and 5I show a second insulating film forming step in the circuit board manufacturing process of the present embodiment. FIG. 7C is a plan view corresponding to FIG. If there is a second conductor on the circuit board, the second insulating film forming step is performed after the second conductor forming step.

第二絶縁膜は層間絶縁膜であり、主として第二導電体と第三導電体とを電気的に分離している。第二絶縁膜を形成するには、図5(h)に示す様に、まず層間絶縁膜の前駆体樹脂を、貫通孔32を避ける様に印刷し、次いで図5(i)に示す様に、前駆体樹脂の反応を促進させて第二絶縁膜とする。前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含んでおり、アルコール系溶剤に可溶である。又、前駆体樹脂は光硬化性樹脂である事が好ましい。ここではアルコール系溶剤に可溶である、ヒドロキシ型アクリルモノマー(アクリル酸乃至はメタクリル酸と多価アルコールとのエステル)を含む紫外線硬化性樹脂(以降、UVインク54と略す)を前駆体樹脂とした。   The second insulating film is an interlayer insulating film, and mainly electrically separates the second conductor and the third conductor. In order to form the second insulating film, as shown in FIG. 5 (h), first, the precursor resin of the interlayer insulating film is printed so as to avoid the through holes 32, and then as shown in FIG. 5 (i). Then, the reaction of the precursor resin is promoted to form a second insulating film. The precursor resin contains a monomer having a hydroxyl group and is soluble in an alcohol solvent. The precursor resin is preferably a photocurable resin. Here, an ultraviolet curable resin (hereinafter abbreviated as UV ink 54) containing a hydroxy-type acrylic monomer (acrylic acid or an ester of methacrylic acid and a polyhydric alcohol) that is soluble in an alcohol solvent is used as a precursor resin. did.

図5(h)に示す様に、まずUVインク54を貫通孔32以外の領域(即ち第一薄膜と第二導電体とが存在している領域)にインクジェット法51で滴下する。UVインク54等の前駆体樹脂は、インクジェット法51に適する用に調製され、モノマーが主成分とされる。高分子成分は前駆体樹脂に含まないか、含んでも僅かである。モノマーは極性を高めるべく、−OH基を含んでいる事が望ましい。こうしたモノマーとしては、ジエチレングリコールモノ2−エチルヘキシルエーテルアクリレートや、テトラエチレングリコールモノフェニルエーテルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレートなどが使用され得る。こうしたアクリル系モノマーは−OH基を含む為に極性が高く、溶解度パラメーター(SP値)は9.5以上である。その為に、ゲート絶縁膜21の高分子を溶解することがなく、ゲート絶縁膜21との密着性も高い。   As shown in FIG. 5 (h), first, UV ink 54 is dropped onto an area other than the through-hole 32 (that is, an area where the first thin film and the second conductor are present) by the inkjet method 51. The precursor resin such as the UV ink 54 is prepared to be suitable for the ink jet method 51 and contains a monomer as a main component. The polymer component is not included in the precursor resin, or a small amount is included. The monomer preferably contains an —OH group in order to increase polarity. As such a monomer, diethylene glycol mono 2-ethylhexyl ether acrylate, tetraethylene glycol monophenyl ether acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, or the like may be used. . Since such an acrylic monomer contains an —OH group, the polarity is high, and the solubility parameter (SP value) is 9.5 or more. Therefore, the polymer of the gate insulating film 21 is not dissolved, and the adhesiveness with the gate insulating film 21 is high.

この様に前駆体樹脂はSP値が9.5以上となるモノマーとし、これを有機溶媒と同等の表面張力(20mN/m〜35mN/m)で、粘度も同等で10mPa・sから30mPa・sの範囲に調整して、インクジェット法51で容易に吐出できる様にする。表面張力が比較的低く、低粘度である為に、有機絶縁体上や金属材料上では、UVインク54は着弾後にその径の5倍以上の径に均一に広がる。一方で、撥液化された電極の露出部では、濡れ角が45°以上ある為に、前駆体樹脂の濡れ広がりは抑制される。その結果、撥液化された電極の露出部がUVインク54で覆われないまま、前駆体樹脂は第一薄膜と第二導電体との上を広がっていく。こうしてインクジェット法51で均一な液状膜が印刷される。   In this way, the precursor resin is a monomer having an SP value of 9.5 or more, which has a surface tension equivalent to that of an organic solvent (20 mN / m to 35 mN / m) and a viscosity equivalent to 10 mPa · s to 30 mPa · s. In this way, the ink jet method 51 can be easily used to discharge the ink. Since the surface tension is relatively low and the viscosity is low, the UV ink 54 spreads uniformly on the organic insulator or metal material to a diameter of 5 times or more after landing. On the other hand, since the wetting angle is 45 ° or more at the exposed portion of the lyophobic electrode, spreading of the precursor resin is suppressed. As a result, the precursor resin spreads over the first thin film and the second conductor without exposing the exposed portion of the lyophobic electrode with the UV ink 54. In this way, a uniform liquid film is printed by the inkjet method 51.

第二絶縁膜の厚みは、UVインク54の滴下量を調整する事により、制御される。本実施形態の様に、フィルム上に形成されたTFTの層間絶縁膜22を第二絶縁膜に利用する場合には、TFTを機械的に保護する点においても、第一導電体乃至は第二導電体と第三導電体との寄生容量を最小にする点においても、層間絶縁膜22の厚みは1μm以上とする事が望ましい。層間絶縁膜22が20μmを超える厚さでは、UVインク54が硬化する際の体積変化の影響で、基板に反りが出てしまう為、この厚さ以下であることが望ましい。又、滴下するインクの量が多すぎると、露出部での濡れ角を越えてしまい、撥液化された電極の露出部をUVインク54が覆わない状態を維持する事ができなくなる。前駆体樹脂の有機絶縁体上での濡れ角は、45°以上で、70°乃至は90°以下である。液状膜の厚みが20μmを超えると、液の自重と表面張力とから理論的に定まる接触角が先の濡れ角を超えてしまう。こうなると、撥液化された電極の露出部も前駆体樹脂に覆われてしまうので、理論的に定まる接触角が先の濡れ角を超えない滴下量に抑える必要がある。   The thickness of the second insulating film is controlled by adjusting the dropping amount of the UV ink 54. When the interlayer insulating film 22 of the TFT formed on the film is used as the second insulating film as in this embodiment, the first conductor or the second conductor is also used in terms of mechanically protecting the TFT. In view of minimizing the parasitic capacitance between the conductor and the third conductor, the thickness of the interlayer insulating film 22 is preferably 1 μm or more. When the thickness of the interlayer insulating film 22 exceeds 20 μm, the substrate is warped due to the influence of the volume change when the UV ink 54 is cured. If the amount of ink dropped is too large, the wetting angle at the exposed portion will be exceeded, and it will not be possible to maintain a state in which the exposed portion of the lyophobic electrode is not covered with the UV ink 54. The wetting angle of the precursor resin on the organic insulator is 45 ° or more and 70 ° or 90 ° or less. When the thickness of the liquid film exceeds 20 μm, the contact angle that is theoretically determined from the weight of the liquid and the surface tension exceeds the previous wetting angle. In this case, since the exposed portion of the lyophobic electrode is also covered with the precursor resin, it is necessary to suppress the dripping amount so that the theoretically determined contact angle does not exceed the previous wetting angle.

次に、図5(i)に示す様に、UVインク54に紫外線55を照射して、UVインク54を硬化させ、ヴィアホール31を形成する。硬化を完全に行なう為に、紫外線照射に加えて、加熱処理を行っても良い。UVインク54を印刷後に紫外線55を照射しているので、電極の露出部以外は平坦な第二絶縁膜が得られる。尚、ここでは、UVインク54を印刷した後、一括して紫外線55を照射したが、UVインク54を印刷すると同時に紫外線55を照射しても良い。この場合は濡れ広がりが化学反応で抑制され、電極の露出部にUVインク54を塗布せぬ制御性が増す。インクジェットのヘッドに隣接してLEDを光源とする紫外線照射装置を設けることによって、小型の装置を実現する事ができる。   Next, as shown in FIG. 5I, the UV ink 54 is irradiated with ultraviolet rays 55 to cure the UV ink 54, thereby forming the via hole 31. In order to completely cure, heat treatment may be performed in addition to ultraviolet irradiation. Since ultraviolet rays 55 are irradiated after printing the UV ink 54, a flat second insulating film is obtained except for the exposed portions of the electrodes. Here, after the UV ink 54 is printed, the ultraviolet rays 55 are collectively irradiated. However, the ultraviolet rays 55 may be irradiated simultaneously with the printing of the UV ink 54. In this case, wetting spread is suppressed by a chemical reaction, and the controllability of not applying the UV ink 54 to the exposed portion of the electrode is increased. By providing an ultraviolet irradiation device using an LED as a light source adjacent to an inkjet head, a small-sized device can be realized.

尚、UVインク54はアクリル系モノマーに限られず、エポキシ系モノマー等を用いても良い。更に、前駆体樹脂はUVインク54に限られ事はなく、熱硬化性樹脂であっても良い。これらの場合も前駆体樹脂がゲート絶縁膜を溶解してはならないので、エポキシ系モノマーや熱硬化性樹脂の中に水酸基を導入して極性を上げておく。   The UV ink 54 is not limited to an acrylic monomer, and an epoxy monomer or the like may be used. Furthermore, the precursor resin is not limited to the UV ink 54, and may be a thermosetting resin. In these cases as well, the precursor resin must not dissolve the gate insulating film, so that the polarity is increased by introducing a hydroxyl group into the epoxy monomer or thermosetting resin.

インクジェット法で1μm以上の厚みを有する第二絶縁膜を形成するには、上述の硬化性モノマーを利用する方法の他に、表面処理された微粒子と高分子材料との分散系を利用する方法であっても良い。例えば、シリカの微粒子を、有機溶剤に分散する様に、レシチンなどの界面活性剤にて表面処理をし、これをバインダー用の高分子樹脂と混ぜて分散液とする。この分散液は低粘度の前駆体樹脂となり、インクジェット法で印刷ができる。而も、これが乾燥した後には、第二絶縁膜の厚さは1μm以上と比較的大きくし得る。   In order to form the second insulating film having a thickness of 1 μm or more by the inkjet method, in addition to the above-described method using a curable monomer, a method using a dispersion system of surface-treated fine particles and a polymer material is used. There may be. For example, silica fine particles are surface-treated with a surfactant such as lecithin so as to be dispersed in an organic solvent, and this is mixed with a polymer resin for a binder to obtain a dispersion. This dispersion becomes a low-viscosity precursor resin and can be printed by an ink jet method. However, after it is dried, the thickness of the second insulating film can be made relatively large, such as 1 μm or more.

「第三導電体形成工程」
図5(j)は、本実施形態の回路基板の製造工程中で、第三導電体形成工程を表している。又、図7(d)は図5(j)に対応する平面図である。第二絶縁膜が形成された後に、ヴィアホール31を含む領域に第三導電体を形成する。ここでは、第三導電体は画素電極13である。
"Third conductor formation process"
FIG. 5J illustrates a third conductor forming process in the process of manufacturing the circuit board according to the present embodiment. FIG. 7D is a plan view corresponding to FIG. After the second insulating film is formed, a third conductor is formed in a region including the via hole 31. Here, the third conductor is the pixel electrode 13.

画素電極13はカーボンインクを使用して、スクリーン印刷で形成される。スクリーン印刷は印刷速度が速く生産性に優れる。その一方で、スクリーンが被印刷体に接触して印刷を行うので、この印刷法を有機TFTの製造に用いると、薄膜層を傷つける恐れがある。ところが本実施形態では、硬化された厚い第二絶縁膜が最表面を覆っているので、スクリーン印刷の様な接触して印刷を行なう方式でも、有機TFTの欠陥に繋がらず、優れた生産性と容易な印刷工程と云った長所を享受できる。しかも第二絶縁膜の反応が終了しているので、カーボンインクの溶媒も特に制限されない。   The pixel electrode 13 is formed by screen printing using carbon ink. Screen printing has high printing speed and excellent productivity. On the other hand, since printing is performed with the screen in contact with the substrate, there is a risk of damaging the thin film layer when this printing method is used in the production of organic TFTs. However, in this embodiment, since the hardened thick second insulating film covers the outermost surface, even a method of printing by contact such as screen printing does not lead to defects of the organic TFT, and has excellent productivity. You can enjoy the advantage of easy printing process. Moreover, since the reaction of the second insulating film is completed, the solvent of the carbon ink is not particularly limited.

カーボンインクは、カーボン(カーボンブラックやグラファイト、カーボンナノチューブ、フラーレン、グラフェンなど)が有機溶剤に分散されている。有機溶剤としてはケトン系溶剤やエステル系溶剤、エーテル系溶剤等が使用される。カーボンインクの粘度は、スクリーン印刷に適する様に、2000mPa・sから20000mPa・sの範囲へと調整される。こうすると、撥液化された第一導電体表面に印刷されても、カーボンインクは弾かれず、電気的にも接続される様になる。又、画素電極13の大半は層間絶縁膜22の上に形成されているので、画素電極13が剥がれる事もない。但し、電気的接続の信頼性や歩留まり等を考えると、画素電極13の印刷に先立ち、酸素プラズマ等のプラズマ処理やオゾン照射処理などを施して、フッ化アルキルチオール62を第一導電体表面から除去しておく事が望ましい。以上の工程を経て有機TFTを有する回路基板1が製造される。   In the carbon ink, carbon (carbon black, graphite, carbon nanotube, fullerene, graphene, etc.) is dispersed in an organic solvent. As the organic solvent, a ketone solvent, an ester solvent, an ether solvent, or the like is used. The viscosity of the carbon ink is adjusted from 2000 mPa · s to 20000 mPa · s so as to be suitable for screen printing. In this way, even if printing is performed on the surface of the liquid-repellent first conductor, the carbon ink is not repelled and is electrically connected. Further, since most of the pixel electrode 13 is formed on the interlayer insulating film 22, the pixel electrode 13 is not peeled off. However, considering the reliability of the electrical connection, the yield, etc., prior to the printing of the pixel electrode 13, plasma treatment such as oxygen plasma or ozone irradiation treatment is performed to remove the alkyl fluoride thiol 62 from the surface of the first conductor. It is desirable to remove it. The circuit board 1 having the organic TFT is manufactured through the above steps.

上述した通り、本実施形態に係わる回路基板の製造方法によれば、以下の効果を得る事ができる。
第一導電体上の第一薄膜に、実施形態2で詳述したパターン形成方法を用いて貫通孔32を開口して第一導電体の表面を露出させ、第一導電体の表面を撥液化させてから、貫通孔32以外の領域に前駆体樹脂を印刷して第二絶縁膜を形成するので、印刷法にて回路基板1にヴィアホール31を容易に開口できる。而も回路基板1に作製された電子素子に悪影響を及ぼさない為に、優れた回路特性を示す回路基板1を、印刷法にて、高歩留まりで安定的に製造する事ができる。
As described above, according to the circuit board manufacturing method of the present embodiment, the following effects can be obtained.
The through-hole 32 is opened in the first thin film on the first conductor using the pattern forming method described in detail in Embodiment 2, and the surface of the first conductor is exposed to make the surface of the first conductor liquid repellent. Then, the precursor resin is printed in a region other than the through hole 32 to form the second insulating film, so that the via hole 31 can be easily opened in the circuit board 1 by a printing method. In order not to adversely affect the electronic elements produced on the circuit board 1, the circuit board 1 exhibiting excellent circuit characteristics can be stably manufactured by a printing method with a high yield.

又、撥液化工程後に、第一薄膜上に第二導電体を形成するので、第一導電体で貫通孔32が開口している部位のみが選択的に撥液化され、第二導電体は撥液化されない。こうして、次の第二絶縁膜形成工程では、第二導電体上に均一に前駆体樹脂を印刷でき、第二導電体を第二絶縁膜にて電気的に絶縁する事ができる。   Further, since the second conductor is formed on the first thin film after the lyophobic process, only the portion where the through hole 32 is opened in the first conductor is selectively lyophobic, and the second conductor is repellent. Not liquefied. Thus, in the next second insulating film forming step, the precursor resin can be printed uniformly on the second conductor, and the second conductor can be electrically insulated by the second insulating film.

又、第二絶縁膜形成工程後に、貫通孔32を含む領域に第三導電体を形成するので、第一導電体と第三導電体との間で、電気的に導通を取る事ができ、印刷法にて、複雑で高機能な回路を有する回路基板1を製造する事ができる。   In addition, since the third conductor is formed in the region including the through hole 32 after the second insulating film forming step, electrical conduction can be established between the first conductor and the third conductor. The circuit board 1 having a complicated and highly functional circuit can be manufactured by a printing method.

又、第一導電体形成工程後に、有機半導体膜41を印刷し、その後に第一薄膜成膜工程を行うので、回路基板1に有機物薄膜トランジスターを形成できる。更に、第一導電体形成工程の工程自由度が高く、高性能な薄膜トランジスターを製造する事ができる。又、有機半導体膜41やゲート絶縁膜21の形成に先立って、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程を利用できるので、チャンネル形成領域長を数ミクロン、乃至はそれ以下へと、極めて短くする事ができ、スケーリングメリットを生かした薄膜トランジスター回路を回路基板1に設ける事が可能となる。   In addition, since the organic semiconductor film 41 is printed after the first conductor forming step and then the first thin film forming step is performed, an organic thin film transistor can be formed on the circuit board 1. Furthermore, a high-performance thin film transistor can be manufactured with a high degree of freedom in the process of forming the first conductor. In addition, since the photolithography process and the etching process can be used prior to the formation of the organic semiconductor film 41 and the gate insulating film 21, the channel formation region length can be extremely shortened to several microns or less. It is possible to provide a thin film transistor circuit taking advantage of the scaling advantage on the circuit board 1.

又、有機半導体膜41はエーテル系溶剤に対しても、ケトン系溶剤に対しても、エステル系溶剤に対しても、フッ素系溶剤に対しても難溶性を示すので、有機半導体を含むインクを準備できる。即ち、有機半導体をインクジェット法51などの印刷法で、回路基板1に求められる形状に印刷できる。   Further, since the organic semiconductor film 41 is hardly soluble in ether solvents, ketone solvents, ester solvents, and fluorine solvents, an ink containing an organic semiconductor is used. Ready. That is, the organic semiconductor can be printed in a shape required for the circuit board 1 by a printing method such as the inkjet method 51.

又、第一薄膜はエーテル系溶剤又は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかに可溶であるので、印刷法にて第一薄膜を形成できる。又、第一薄膜に対する選択肢が広いので、回路基板1の機能を最大にする事ができる。更に、第一薄膜をトランジスターのゲート絶縁膜21として利用する場合には、第一薄膜材料が有機半導体膜41を溶かさないので、優れた特性を示す薄膜トランジスターを回路基板1に作製する事ができる。   Further, since the first thin film is soluble in any of ether solvents, ketone solvents, ester solvents, and fluorine solvents, the first thin film can be formed by a printing method. In addition, since the options for the first thin film are wide, the function of the circuit board 1 can be maximized. Further, when the first thin film is used as the gate insulating film 21 of the transistor, since the first thin film material does not dissolve the organic semiconductor film 41, a thin film transistor having excellent characteristics can be produced on the circuit board 1. .

又、第一薄膜はアルコール系溶剤に対して難溶性を示すので、撥液化工程や第二導電体形成工程、及び第二絶縁膜形成工程に、アルコール系材料乃至はアルコール系溶剤に対して可溶な材料を使用でき、更に、これらの工程中に第一薄膜が損傷を受ける事もないので、第一薄膜は、回路基板1にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。   In addition, since the first thin film is hardly soluble in alcoholic solvents, it can be used in alcoholic materials or alcoholic solvents in the liquid repellent process, the second conductor forming process, and the second insulating film forming process. In addition, since the first thin film is not damaged during these steps, the first thin film can be maintained without deteriorating the function required for the circuit board 1.

又、第一薄膜は前駆体樹脂に対して難溶性を示すので、第二絶縁膜形成工程中に第一薄膜が前駆体樹脂によって損傷を被ることはなく、第一薄膜は、回路基板1にて求められる機能を劣化させることなく維持できる。   In addition, since the first thin film is hardly soluble in the precursor resin, the first thin film is not damaged by the precursor resin during the second insulating film forming step. Can maintain the required functions without deteriorating.

又、貫通孔形成工程は、第一薄膜に高分子溶液を滴下した後に、第一薄膜を第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて微細な貫通孔32を容易に形成できる。   In the through-hole forming step, the polymer solution is dropped onto the first thin film, and then the first thin film is brought into contact with the second solvent to dissolve the second polymer material. Can be easily formed.

或いは、貫通孔形成工程は、第一薄膜に第三溶媒を滴下して、滴下された中央部付近に第一高分子材料が僅かしか残留しない状態にした後に、高分子溶液を滴下し、その後に第二溶媒に触れさせて第二高分子材料を溶解するので、印刷法にて微細な貫通孔32を容易に、且つ確実に形成できる。   Alternatively, in the through-hole forming step, the third solvent is dropped on the first thin film so that only a small amount of the first polymer material remains in the vicinity of the dropped central portion, and then the polymer solution is dropped. Since the second polymer material is dissolved by being brought into contact with the second solvent, the fine through holes 32 can be easily and reliably formed by the printing method.

又、撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液61に、第一導電体の表面を触れさせるので、数秒から数分程度の短時間の接触で容易に第一導電体の表面のみを選択的に撥液化させる事ができる。   In the liquid repellency step, the surface of the first conductor is brought into contact with the solution 61 containing the thiol compound or disulfide compound, so that only the surface of the first conductor can be easily contacted in a short time of several seconds to several minutes. It can be selectively made liquid repellent.

又、チオール化合物がフッ素化アルキル鎖を含むので、チオール化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。   Further, since the thiol compound contains a fluorinated alkyl chain, the liquid repellency of the surface to which the thiol compound is bonded can be extremely increased.

又、ジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含むので、ジスルフィド化合物が結合した表面の撥液性を極めて高くする事ができる。   Moreover, since the disulfide compound contains a fluorinated alkyl chain, the liquid repellency of the surface to which the disulfide compound is bonded can be extremely increased.

又、前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含み、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、前駆体樹脂が第一薄膜に損傷を及ぼす事を避けられる。   In addition, since the precursor resin contains a monomer having a hydroxyl group and the first thin film is stable with respect to the alcohol-based material, the precursor resin can avoid damaging the first thin film.

又、前駆体樹脂はアルコール系溶剤に可溶であるので、その溶液の濃度を比較的自由に調整でき、各種印刷法を第二絶縁膜形成工程に適応できる。更に、第一薄膜はアルコール系材料に対して安定であるので、第二絶縁膜形成工程が第一薄膜に損傷を及ぼす事を避けられる。   Further, since the precursor resin is soluble in an alcohol solvent, the concentration of the solution can be adjusted relatively freely, and various printing methods can be applied to the second insulating film forming step. Furthermore, since the first thin film is stable with respect to the alcohol-based material, it is possible to avoid the second insulating film forming step from damaging the first thin film.

又、前駆体樹脂は光硬化性樹脂であるので、光照射する事で、速やか且つ容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。   Further, since the precursor resin is a photocurable resin, the second insulating film can be formed quickly and easily by irradiating light.

又、前駆体樹脂は熱硬化性樹脂であるので、簡単な熱処理で、容易に第二絶縁膜を形成する事ができる。   Further, since the precursor resin is a thermosetting resin, the second insulating film can be easily formed by a simple heat treatment.

又、回路基板1は、ゲート絶縁膜21を備えるトランジスターを有し、第一薄膜がゲート絶縁膜21として機能しているので、高機能回路を有する回路基板1を実現する事ができる。   Moreover, since the circuit board 1 has a transistor including the gate insulating film 21 and the first thin film functions as the gate insulating film 21, the circuit board 1 having a high-functional circuit can be realized.

「電気光学装置」
図9は、実施形態2で詳述した回路基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリックス基板を模式的に示す平面図である。
"Electro-optical device"
FIG. 9 is a plan view schematically showing an active matrix substrate manufactured by using the circuit substrate manufacturing method described in detail in the second embodiment.

アクティブマトリックス基板81には画素回路が行列状に並んで、画素領域71をなしている。各画素回路には有機TFT72と画素電極13が設けられており、有機TFT72のスイッチング動作にて、画素電極13への信号線73からの表示情報が制御される。具体的には有機TFT72のゲート電極12が走査線74に接続し、ソースドレイン電極11の一方が信号線73に接続し、ソースドレイン電極11の他方が画素電極13に接続している。複数の走査線74は走査線用の電極パッド111に連なり、シリコンチップよりなる外部の制御回路に接続される。同様に複数の信号線73も信号線用の電極パッド111に集められ、シリコンチップよりなる外部の制御回路に接続される。   Pixel circuits are arranged in a matrix on the active matrix substrate 81 to form a pixel region 71. Each pixel circuit is provided with an organic TFT 72 and a pixel electrode 13, and display information from the signal line 73 to the pixel electrode 13 is controlled by a switching operation of the organic TFT 72. Specifically, the gate electrode 12 of the organic TFT 72 is connected to the scanning line 74, one of the source / drain electrodes 11 is connected to the signal line 73, and the other of the source / drain electrodes 11 is connected to the pixel electrode 13. The plurality of scanning lines 74 are connected to the scanning line electrode pads 111 and connected to an external control circuit made of a silicon chip. Similarly, a plurality of signal lines 73 are also collected on the signal line electrode pads 111 and connected to an external control circuit made of a silicon chip.

図5(j)に示す様に、ソースドレイン電極11と電極パッド111、及び不図示の信号線73が第一導電体にて形成され、ゲート絶縁膜21が第一薄膜となり、ゲート電極12と走査線74が第二導電体にて形成され、層間絶縁膜22が第二絶縁膜となり、画素電極13が第三導電体にて形成されている。こうした構成のアクティブマトリックス基板81を製造するのに実施形態2で詳述した回路基板1の製造方法が適応された。   As shown in FIG. 5 (j), the source / drain electrode 11, the electrode pad 111, and the signal line 73 (not shown) are formed of the first conductor, the gate insulating film 21 becomes the first thin film, The scanning line 74 is formed of the second conductor, the interlayer insulating film 22 is the second insulating film, and the pixel electrode 13 is formed of the third conductor. The manufacturing method of the circuit board 1 described in detail in the second embodiment is applied to manufacture the active matrix substrate 81 having such a configuration.

図10は、上述のアクティブマトリックス基板を用いた電気光学装置を模式的に示す断面図である。   FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing an electro-optical device using the above-described active matrix substrate.

電気光学装置80はアクティブマトリックス基板81とフロント基板82とを有し、両基板間に電気光学材料が挟持されている。電気光学材料は電気泳動材料83で、それ故に電気光学装置80は電気泳動ディスプレイとなっている。フロント基板82の表面には共通電極86が形成されている。電気光学材料は両基板の表面に均一にほぼ全面に渡って配置されている。又、共通電極86もフロント基板82の表面のほぼ全面に形成されている。電極パッド111にはフレキシブルプリントサーキット(FPC84)が接続されている。外部の制御回路からの表示信号はFPC84と各画素の有機TFT72とを介して、其々の画素電極13に供給される。アクティブマトリックス基板81とフロント基板82との外側には保護シート85が貼られ、電気光学装置80の機械的耐久性と化学的安定性とを高めている。   The electro-optical device 80 includes an active matrix substrate 81 and a front substrate 82, and an electro-optical material is sandwiched between the substrates. The electro-optic material is an electrophoretic material 83, and therefore the electro-optic device 80 is an electrophoretic display. A common electrode 86 is formed on the surface of the front substrate 82. The electro-optic material is uniformly disposed on almost the entire surface of both substrates. The common electrode 86 is also formed on almost the entire surface of the front substrate 82. A flexible printed circuit (FPC 84) is connected to the electrode pad 111. A display signal from an external control circuit is supplied to each pixel electrode 13 via the FPC 84 and the organic TFT 72 of each pixel. A protective sheet 85 is attached to the outside of the active matrix substrate 81 and the front substrate 82 to enhance the mechanical durability and chemical stability of the electro-optical device 80.

この様な電気光学装置80は、上述のアクティブマトリックス基板81を備えているので、表示品位が高い。更に、アクティブマトリックス基板81は前述の回路基板1の製造方法にて製造されているので、生産性が非常に高く、資源もエネルギーも高効率で活用している。   Since such an electro-optical device 80 includes the above-described active matrix substrate 81, the display quality is high. Furthermore, since the active matrix substrate 81 is manufactured by the above-described manufacturing method of the circuit board 1, the productivity is very high, and both resources and energy are utilized with high efficiency.

「電子機器」
図11は、上述の電気光学装置を用いた電子機器を模式的に示す斜視図で、(a)は正面斜視図、(b)は背面斜視図である。ここでは、電子機器は電子書籍90である。
"Electronics"
11A and 11B are perspective views schematically showing an electronic apparatus using the above-described electro-optical device, where FIG. 11A is a front perspective view and FIG. 11B is a rear perspective view. Here, the electronic device is an electronic book 90.

図11(a)に示す様に、電子書籍90は電気光学装置80と筐体91とを有している。電気光学装置80は平板状の長方形である。筐体91は、電気光学装置80の外縁部に配置されて、電気光学装置80を保持している。即ち、筐体91は表示装置に対する保持部となっている。保持部は、使用時に使用者の手で握られる。   As shown in FIG. 11A, the electronic book 90 includes an electro-optical device 80 and a housing 91. The electro-optical device 80 has a flat rectangular shape. The casing 91 is disposed on the outer edge portion of the electro-optical device 80 and holds the electro-optical device 80. That is, the housing 91 is a holding unit for the display device. The holding part is gripped by the user's hand during use.

電気光学装置80は縦長の長方形をなしており、筐体91は薄い平板状である。図11(a)に示す様に、表示面となる正面には筐体上部92(筐体91の上側部品)が設けられ、図11(b)に示す様に、表示面と反対の背面には筐体下部93(筐体91の下側部品)が設けられている。筐体上部92も筐体下部93も薄い平板状で両者が重ね合わされて、筐体91となる。図11(a)と図11(b)とを比較すると判るように、正面側の筐体91幅(幅WF)の方が背面側の筐体91幅(幅WB)よりも狭くなっている。 The electro-optical device 80 has a vertically long rectangle, and the casing 91 has a thin flat plate shape. As shown in FIG. 11A, a housing upper portion 92 (an upper part of the housing 91) is provided on the front surface serving as the display surface, and on the back surface opposite to the display surface as shown in FIG. Is provided with a casing lower portion 93 (a lower part of the casing 91). The casing upper part 92 and the casing lower part 93 are both thin flat plates, and are overlapped to form a casing 91. As can be seen by comparing FIG. 11A and FIG. 11B, the width of the front casing 91 (width W F ) is smaller than the width of the rear casing 91 (width W B ). ing.

筐体下部93内には電気光学装置80を制御する各種回路(制御回路)や電源などが収納されており、その結果、筐体91は電子書籍90の重量の内で、半分以上といった主要な割合を占めている。こうした事などから、電子書籍90の重心は、筐体下部93内に位置する。   Various circuits (control circuit) for controlling the electro-optical device 80, a power source, and the like are housed in the lower portion 93 of the housing, and as a result, the housing 91 is a major part of more than half of the weight of the electronic book 90. Occupies a proportion. For these reasons, the center of gravity of the electronic book 90 is located in the housing lower part 93.

電気光学装置80の表示部には各種の情報が表示される。筐体91の中央には操作スイッチ94が設けられており、スイッチ操作を通じて表示部に表示される情報が更新される。   Various types of information are displayed on the display unit of the electro-optical device 80. An operation switch 94 is provided in the center of the casing 91, and information displayed on the display unit is updated through the switch operation.

電気光学装置80は軽くて、柔軟性を有する。この為に、外部衝撃に対して比較的強く、電気光学装置80全体を筐体91で覆って保護する必要はない。こうして筐体91は電気光学装置80の外縁部に設けられる事ができる。筐体91が表示装置全体を覆わず、更に金属製の補強部材等を配置する必要がないので、電子書籍90全体が薄くて軽く作成されている。   The electro-optical device 80 is light and flexible. For this reason, it is relatively strong against external impact, and it is not necessary to cover and protect the entire electro-optical device 80 with the casing 91. Thus, the housing 91 can be provided on the outer edge portion of the electro-optical device 80. Since the housing 91 does not cover the entire display device and there is no need to dispose a metal reinforcing member or the like, the entire electronic book 90 is made thin and light.

(変形例1)
「TFTが下ゲート型」
図12は、変形例1に係わる回路基板の断面図である。以下、本変形例に係わる回路基板とその製造方法について説明する。尚、実施形態2と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。本変形例(図12)は実施形態2(図5(j))と比べて、有機TFTの構造が異なっている。それ以外の構成は、実施形態2とほぼ同様である。
(Modification 1)
"TFT is the bottom gate type"
FIG. 12 is a cross-sectional view of a circuit board according to the first modification. Hereinafter, a circuit board and a manufacturing method thereof according to this modification will be described. In addition, about the same component as Embodiment 2, the same number is attached | subjected and the overlapping description is abbreviate | omitted. This modification (FIG. 12) differs from the second embodiment (FIG. 5 (j)) in the structure of the organic TFT. Other configurations are almost the same as those of the second embodiment.

実施形態2ではTFTのゲート電極12が有機半導体膜41に対して上側に位置したが(上ゲート型)、本変形例では、図12に示す様に、TFTのゲート電極12は有機半導体膜41に対して下側に位置する(下ゲート型)。即ち、基板10側からゲート電極12、ゲート絶縁膜21、ソースドレイン電極11、有機半導体膜41、第一層間絶縁膜221、第二層間絶縁膜222、画素電極13との順番で積層されている。これらの内でソースドレイン電極11が第一導電体であり、第一層間絶縁膜221が第一薄膜、第二層間絶縁膜222が第二絶縁膜、画素電極13が第三導電体にあたる。   In the second embodiment, the gate electrode 12 of the TFT is located on the upper side with respect to the organic semiconductor film 41 (upper gate type). However, in this modification, the gate electrode 12 of the TFT is formed of the organic semiconductor film 41 as shown in FIG. It is located on the lower side (lower gate type). That is, the gate electrode 12, the gate insulating film 21, the source / drain electrode 11, the organic semiconductor film 41, the first interlayer insulating film 221, the second interlayer insulating film 222, and the pixel electrode 13 are stacked in this order from the substrate 10 side. Yes. Among these, the source / drain electrode 11 is the first conductor, the first interlayer insulating film 221 is the first thin film, the second interlayer insulating film 222 is the second insulating film, and the pixel electrode 13 is the third conductor.

こうした下ゲート型の有機TFT72を有する回路基板1の製造方法は次のようになる。まず、基板上に第二導電体にて、ゲート電極12と電極パッド111と不図示の走査線74とを形成し、次いでゲート絶縁膜21を成膜する。ゲート絶縁膜21はダイコート法などを用いて電極パッド111の一部を覆わぬ様に成膜する。その後、第一導電体形成工程として、ゲート絶縁膜21上に第一導電体を形成する。第一導電体は、ソースドレイン電極11や不図示の信号線73となる。第一導電体形成工程の直前か直後には有機半導体膜41を印刷する。本変形例では第一導電体形成工程直後に印刷している。次に、第一薄膜成膜工程として、第一導電体を被覆する様に第一層間絶縁膜221を成膜する。次に、貫通孔形成工程として、ソースドレイン電極11上の第一層間絶縁膜221に貫通孔32を開口して、ソースドレイン電極11の表面を露出させる。次に、撥液化工程として、貫通孔32が設けられたソースドレイン電極11の表面を撥液化させる。次に、第二絶縁膜形成工程として、貫通孔32以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化してヴィアホール31と第二層間絶縁膜222を形成する。最後に第三導電体形成工程として、ヴィアホール31を含む領域に画素電極13を印刷する。第一導電体形成工程から第三導電体形成工程までの各工程は、実施形態2に記載した様に行われる。   A manufacturing method of the circuit board 1 having the lower gate type organic TFT 72 is as follows. First, the gate electrode 12, the electrode pad 111, and the scanning line 74 (not shown) are formed on the substrate with the second conductor, and then the gate insulating film 21 is formed. The gate insulating film 21 is formed using a die coating method or the like so as not to cover a part of the electrode pad 111. Thereafter, a first conductor is formed on the gate insulating film 21 as a first conductor forming step. The first conductor becomes the source / drain electrode 11 and a signal line 73 (not shown). The organic semiconductor film 41 is printed immediately before or after the first conductor forming step. In this modification, printing is performed immediately after the first conductor forming step. Next, as a first thin film forming step, a first interlayer insulating film 221 is formed so as to cover the first conductor. Next, as a through hole forming step, a through hole 32 is opened in the first interlayer insulating film 221 on the source / drain electrode 11 to expose the surface of the source / drain electrode 11. Next, as a liquid repellent step, the surface of the source / drain electrode 11 provided with the through hole 32 is made liquid repellent. Next, as a second insulating film forming step, a precursor resin is printed in a region other than the through holes 32, and the precursor resin is cured after printing to form the via holes 31 and the second interlayer insulating film 222. Finally, as a third conductor forming step, the pixel electrode 13 is printed in a region including the via hole 31. Each process from the first conductor forming process to the third conductor forming process is performed as described in the second embodiment.

上述した通り、本変形例に係わる回路基板1の製造方法によれば、実施形態2の効果に加え、以下の効果を得る事ができる。
本変形例の第一層間絶縁膜221は第一薄膜であり、実施形態2では、第一薄膜はゲート絶縁膜21であった。即ち、本変形例の第一層間絶縁膜221はゲート絶縁膜21と同等の膜品質を有しており、それ故に半導体膜との界面も高品質にしている。TFTの電気特性は、半導体膜のゲート電極12側の界面の影響を強く受けると共に、その反対側の界面(裏側の界面)も電気特性に影響を及ぼす。本変形例では、ゲート絶縁膜21にも使用可能な高品質な高分子膜で半導体の裏側の界面を覆っている。従って、裏側の界面に発生する界面トラップ数が抑制され、高性能な有機TFT72となる。又、第一層間絶縁膜221と第二層間絶縁膜222とが信号線73と画素電極13との間に設けられて居るので、これらの間の寄生容量が小さくなると共にリーク電流も減り、回路が高速に且つ正確に動作するようになる。
As described above, according to the method of manufacturing the circuit board 1 according to this modification, the following effects can be obtained in addition to the effects of the second embodiment.
The first interlayer insulating film 221 of this modification is a first thin film, and the first thin film is the gate insulating film 21 in the second embodiment. That is, the first interlayer insulating film 221 of this modification has a film quality equivalent to that of the gate insulating film 21, and therefore the interface with the semiconductor film is also made high quality. The electrical characteristics of the TFT are strongly influenced by the interface of the semiconductor film on the gate electrode 12 side, and the interface on the opposite side (back side interface) also affects the electrical characteristics. In this modification, the interface on the back side of the semiconductor is covered with a high-quality polymer film that can also be used for the gate insulating film 21. Therefore, the number of interface traps generated at the interface on the back side is suppressed, and a high-performance organic TFT 72 is obtained. Further, since the first interlayer insulating film 221 and the second interlayer insulating film 222 are provided between the signal line 73 and the pixel electrode 13, the parasitic capacitance between them is reduced and the leakage current is also reduced. The circuit will operate fast and accurately.

一般に、反応性のモノマーや硬化剤は、それが有機半導体材料に直に接すると、半導体特性の劣化を招く。従って、もしもUVインク54が有機半導体膜41の上に直に塗布されると、有機TFTは半導体特性を劣化させざるを得なくなる。所が、本変形例では高品質な第一層間絶縁膜221が有機半導体膜41を保護しており、UVインク54は有機半導体膜41に接しない。この理由により、有機TFTは優れた半導体特性を示す事になる。結局、第一層間絶縁膜221は有機半導体膜41の保護膜であると同時に、第二層間絶縁膜222をヴィアホール31以外の領域に選択的に形成する役割を担っているのである。   In general, when a reactive monomer or curing agent is in direct contact with an organic semiconductor material, the semiconductor characteristics are deteriorated. Therefore, if the UV ink 54 is applied directly on the organic semiconductor film 41, the organic TFT is forced to deteriorate the semiconductor characteristics. However, in the present modification, the high-quality first interlayer insulating film 221 protects the organic semiconductor film 41, and the UV ink 54 does not contact the organic semiconductor film 41. For this reason, the organic TFT exhibits excellent semiconductor characteristics. As a result, the first interlayer insulating film 221 is a protective film for the organic semiconductor film 41 and simultaneously plays a role of selectively forming the second interlayer insulating film 222 in a region other than the via hole 31.

(変形例2)
「アクティブマトリックス基板81が容量線を備えている例」
図13は、変形例2に係わる回路基板の製造方法の平面図である。以下、本変形例に係わる回路基板1とその製造方法について説明する。本変形例(図13)は実施形態2(図6(b))と比べて、回路基板1に容量用電極が設けられている点が異なる。それ以外の構成は、実施形態2とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
(Modification 2)
“Example in which the active matrix substrate 81 includes capacitance lines”
FIG. 13 is a plan view of the circuit board manufacturing method according to the second modification. Hereinafter, the circuit board 1 according to this modification and the manufacturing method thereof will be described. This modified example (FIG. 13) is different from the second embodiment (FIG. 6B) in that a capacitor electrode is provided on the circuit board 1. Other configurations are substantially the same as those of the second embodiment, and a duplicate description is omitted.

本変形例では、画素回路に保持容量が形成されている。保持容量は第一容量電極と第二容量電極121とこれらの電極に挟持される誘電体膜とから構成される。第一容量電極は不図示の画素電極に接続し、第二容量電極121は接地電位や共通電極電位などの基準電位に接続される。回路基板1では、第一導電体にてソースドレイン電極11が形成され、その一方は信号線73に連なり、他方は不図示の画素電極に接続されるが、第一容量電極はこの他方のソースドレイン電極11と兼用される。誘電体膜はゲート絶縁膜と同じ第一薄膜である。第二容量電極121は、図13に示す様に、ゲート電極12と同じ第二導電体にて形成される。第二容量電極121を基準電位に接続するには、容量共通線112と複数の容量電極とが接続される。容量共通線112は第一導電体にて形成され、容量共通線112に設けられた貫通孔32を介して第二容量電極121と接続される。従ってこの貫通孔32の電極表面は親水性となっている。こうした構成の回路基板1は、実施形態2で詳述した製造方法にて製造される。   In this modification, a storage capacitor is formed in the pixel circuit. The storage capacitor includes a first capacitor electrode, a second capacitor electrode 121, and a dielectric film sandwiched between these electrodes. The first capacitor electrode is connected to a pixel electrode (not shown), and the second capacitor electrode 121 is connected to a reference potential such as a ground potential or a common electrode potential. In the circuit board 1, a source / drain electrode 11 is formed of a first conductor, one of which is connected to the signal line 73 and the other is connected to a pixel electrode (not shown), but the first capacitor electrode is the other source. Also used as the drain electrode 11. The dielectric film is the same first thin film as the gate insulating film. As shown in FIG. 13, the second capacitor electrode 121 is formed of the same second conductor as that of the gate electrode 12. In order to connect the second capacitor electrode 121 to the reference potential, the capacitor common line 112 and a plurality of capacitor electrodes are connected. The capacitor common line 112 is formed of a first conductor, and is connected to the second capacitor electrode 121 through the through hole 32 provided in the capacitor common line 112. Therefore, the electrode surface of the through hole 32 is hydrophilic. The circuit board 1 having such a configuration is manufactured by the manufacturing method described in detail in the second embodiment.

電気泳動ディスプレイで画素回路が保持容量を持つと、フレーム期間を通じて電気泳動材料に電圧を印加するので、高コントラストの画像を容易に表示させる事ができる。   When the pixel circuit has a storage capacitor in the electrophoretic display, a voltage is applied to the electrophoretic material throughout the frame period, so that a high-contrast image can be easily displayed.

(変形例3)
「駆動回路がTFTにて一部内蔵されている例」
図14は、変形例3に係わる回路基板の平面図である。又、図15は、変形例3に係わる回路基板の断面図である。以下、本変形例に係わる回路基板1とその製造方法について説明する。本変形例(図14)は先の実施形態2で説明したアクティブマトリックス基板81(図9)と比べて、駆動回路の一部がTFTにて内蔵されている点が異なる。それ以外の構成は、実施形態2とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
(Modification 3)
“Example of drive circuit partially built in TFT”
FIG. 14 is a plan view of a circuit board according to the third modification. FIG. 15 is a cross-sectional view of a circuit board according to the third modification. Hereinafter, the circuit board 1 according to this modification and the manufacturing method thereof will be described. This modification (FIG. 14) differs from the active matrix substrate 81 (FIG. 9) described in the second embodiment in that a part of the drive circuit is built in the TFT. Other configurations are substantially the same as those of the second embodiment, and a duplicate description is omitted.

本変形例では、図14に示す様に、有機TFT72にて駆動回路の一部となる走査回路75が構成されている。走査回路75はシフトレジスターを含み、走査線74を選択する事ができる。シフトレジスター内ではインバーターの直列接続が利用されており、図15はその部分の断面を模式的に表している。即ち、一つ目の有機TFT721のドレイン電極114が出力となり、これが二つ目の有機TFT722のゲート電極12に入力として接続されている。こうした構成を有する回路基板1は実施形態2で詳述した製造方法にて製造される。尚、一つ目の有機TFT721のドレイン電極114に設けられた貫通孔32の電極表面は親水性にされている。   In this modification, as shown in FIG. 14, the organic TFT 72 constitutes a scanning circuit 75 that is a part of the drive circuit. The scanning circuit 75 includes a shift register and can select the scanning line 74. A series connection of inverters is used in the shift register, and FIG. 15 schematically shows a cross section of that portion. That is, the drain electrode 114 of the first organic TFT 721 becomes an output, and this is connected as an input to the gate electrode 12 of the second organic TFT 722. The circuit board 1 having such a configuration is manufactured by the manufacturing method described in detail in the second embodiment. Note that the electrode surface of the through hole 32 provided in the drain electrode 114 of the first organic TFT 721 is made hydrophilic.

アクティブマトリックス基板81の駆動回路が部分的に内蔵されているので、高精細な画像を表示する電気光学装置80とする事ができる。   Since the drive circuit of the active matrix substrate 81 is partially built in, the electro-optical device 80 that displays a high-definition image can be obtained.

(変形例4)
「基板が薄いガラスである例」
図5(j)を用いて説明する。
本変形例は実施形態2と比べて、基板が薄いガラスである点が異なる。それ以外の構成は、実施形態2とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
(Modification 4)
“Example of thin glass substrate”
This will be described with reference to FIG.
This modification differs from Embodiment 2 in that the substrate is thin glass. Other configurations are substantially the same as those of the second embodiment, and a duplicate description is omitted.

実施形態2では、基板10はプラスチックフィルムであったが、基板10はこれに限られない。例えば、0.5mmから1.1mmの厚みを有するガラス基板表面に実施形態2で詳述した工程を施した後に、ガラス基板裏面をエッチングなどで削り、0.1mm以下に薄くしても良い。ガラス基板の厚みを0.1mm以下にすると柔軟性を示す様になる。   In the second embodiment, the substrate 10 is a plastic film, but the substrate 10 is not limited to this. For example, after the process described in detail in Embodiment 2 is performed on the surface of the glass substrate having a thickness of 0.5 mm to 1.1 mm, the back surface of the glass substrate may be etched to reduce the thickness to 0.1 mm or less. When the thickness of the glass substrate is 0.1 mm or less, flexibility is exhibited.

こうすると、回路基板1の製造時には0.5mmから1.1mmと云った通常の厚みを有するガラス基板を使用でき、その後、ガラスを薄くするだけで柔軟性を有する回路基板1を比較的容易に製造できる。   In this way, a glass substrate having a normal thickness of 0.5 mm to 1.1 mm can be used when the circuit board 1 is manufactured, and then the flexible circuit board 1 can be relatively easily obtained simply by thinning the glass. Can be manufactured.

(変形例5)
「基板が薄い金属板である例」
図5(j)を用いて説明する。
本変形例は実施形態2と比べて、基板が薄い金属板である点などが異なる。それ以外の構成は、実施形態2とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
(Modification 5)
"Example where the substrate is a thin metal plate"
This will be described with reference to FIG.
This modification is different from the second embodiment in that the substrate is a thin metal plate. Other configurations are substantially the same as those of the second embodiment, and a duplicate description is omitted.

実施形態2では、基板10はプラスチックフィルムであったが、基板10はこれに限られない。例えば、薄いステンレス基板を酸化硅素膜や酸化窒素膜などの無機絶縁膜、或いはポリイミドなどの有機絶縁膜で覆い、これを基板10として利用しても良い。基板10として金属板を用いると、基板電位を自由に設定でき、有機TFT72のしきい値電圧Vthを容易に調整できる。有機絶縁膜の表面は製造中に簡単に帯電する。従って絶縁膜表面の除電がきちんとなされないと、有機TFT72のVthは設計値からずれてしまう。本変形例では、たとえVthがずれてしまっても、基板電位を調整する事で、有機TFT72を正しく動作させる事ができる。   In the second embodiment, the substrate 10 is a plastic film, but the substrate 10 is not limited to this. For example, a thin stainless steel substrate may be covered with an inorganic insulating film such as a silicon oxide film or a nitrogen oxide film, or an organic insulating film such as polyimide, and used as the substrate 10. When a metal plate is used as the substrate 10, the substrate potential can be freely set, and the threshold voltage Vth of the organic TFT 72 can be easily adjusted. The surface of the organic insulating film is easily charged during manufacture. Therefore, if the charge removal on the insulating film surface is not performed properly, the Vth of the organic TFT 72 will deviate from the design value. In this modification, the organic TFT 72 can be operated correctly by adjusting the substrate potential even if the Vth shifts.

(変形例6)
「電気光学材料が電気泳動材料以外の例」
図10を用いて説明する。
本変形例は実施形態2と比べて、電気光学材料として電気泳動材料83に代わり液晶材料などが用いられている点が異なる。それ以外の構成は、実施形態2とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
(Modification 6)
“Examples of electro-optic materials other than electrophoretic materials”
This will be described with reference to FIG.
This modification differs from Embodiment 2 in that a liquid crystal material or the like is used instead of the electrophoretic material 83 as an electro-optic material. Other configurations are substantially the same as those of the second embodiment, and a duplicate description is omitted.

実施形態2では電気光学材料として電気泳動材料83を使用していたが、電気光学材料としては、その他にも液晶材料や有機又は無機のエレクトロ・ルミネッセンス(EL)材料、エレクトロ・クロミック材料等を使用しても良い。これに応じて電気光学装置80は液晶ディスプレイ(LCD)や有機又は無機のエレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイ(別名をライト・エミッティング・ダイオード・ディスプレイ、LEDディスプレイともいう)、エレクトロ・クロミック・ディスプレイ(ECD)等となる。これらの電気光学装置80を有する電子機器としては電子書籍やテレビ、携帯電話やパーソナルコンピューターなどが挙げられる。   In the second embodiment, the electrophoretic material 83 is used as the electro-optic material. However, as the electro-optic material, a liquid crystal material, an organic or inorganic electroluminescence (EL) material, an electrochromic material, or the like is also used. You may do it. Accordingly, the electro-optical device 80 is a liquid crystal display (LCD), an organic or inorganic electroluminescence display (also called a light emitting diode display, LED display), an electrochromic display (ECD). Etc. Examples of the electronic apparatus having the electro-optical device 80 include an electronic book, a television, a mobile phone, and a personal computer.

(変形例7)
「共通電極が第一基板側に作製される例」
図10を用いて説明する。
変形例7は実施形態2(図10)と比べて、共通電極86が第一基板側に作られる点が異なる。それ以外の構成は、実施形態2とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
実施形態2(図10)では、共通電極86はフロント基板82に形成されているが、これは必須ではなく、共通電極86はアクティブマトリックス基板81に形成されても良い。この場合、共通電極86はアクティブマトリックス基板81の各画素内に設けられ、アクティブマトリックス基板81の面と平行な電界成分を持つ電界が電気光学材料に印加される所謂インプレーンスイッチ型の電気光学装置80となる。横方向に電気泳動させるEPDや広視野角液晶ディスプレイなどに適応される。
(Modification 7)
“Example of common electrode made on the first substrate”
This will be described with reference to FIG.
Modification 7 differs from Embodiment 2 (FIG. 10) in that the common electrode 86 is formed on the first substrate side. Other configurations are substantially the same as those of the second embodiment, and a duplicate description is omitted.
In the second embodiment (FIG. 10), the common electrode 86 is formed on the front substrate 82, but this is not essential, and the common electrode 86 may be formed on the active matrix substrate 81. In this case, the common electrode 86 is provided in each pixel of the active matrix substrate 81, and a so-called in-plane switch type electro-optical device in which an electric field having an electric field component parallel to the surface of the active matrix substrate 81 is applied to the electro-optical material. 80. Applicable to EPDs and wide viewing angle liquid crystal displays that perform lateral electrophoresis.

(変形例8)
「多層配線基板の例」
図16は変形例8に係わる回路基板の断面図である。
変形例8は実施形態2(図5(j))と比べて、回路基板が多層配線基板である点が異なる。それ以外の構成は、実施形態2とほぼ同様であり、重複する説明は省略する。
実施形態2(図5(j))では、回路基板に有機TFTが設けられて居るが、これは必須ではなく、回路基板が多層配線基板であっても良い。
(Modification 8)
"Example of multilayer wiring board"
FIG. 16 is a cross-sectional view of a circuit board according to Modification 8.
The modification 8 differs from the second embodiment (FIG. 5 (j)) in that the circuit board is a multilayer wiring board. Other configurations are substantially the same as those of the second embodiment, and a duplicate description is omitted.
In Embodiment 2 (FIG. 5 (j)), the organic TFT is provided on the circuit board, but this is not essential, and the circuit board may be a multilayer wiring board.

図16に示す様に、多層配線基板100は、基板側から第一配線113、第一層間絶縁膜221、第二層間絶縁膜222、第二配線131との順番で積層されている。これらの内で第一配線113が第一導電体であり、第一層間絶縁膜221が第一薄膜、第二層間絶縁膜222が第二絶縁膜、第二配線131が第三導電体にあたる。   As shown in FIG. 16, the multilayer wiring substrate 100 is laminated in the order of the first wiring 113, the first interlayer insulating film 221, the second interlayer insulating film 222, and the second wiring 131 from the substrate side. Among these, the first wiring 113 is the first conductor, the first interlayer insulating film 221 is the first thin film, the second interlayer insulating film 222 is the second insulating film, and the second wiring 131 is the third conductor. .

こうした多層配線を有する回路基板1の製造方法は次のようになる。まず、基板上に第一導電体形成工程として、第一配線113を形成する。次に、第一薄膜成膜工程として、第一導電体を被覆する様に第一層間絶縁膜221を成膜する。次に、貫通孔形成工程として、第一配線113の第一層間絶縁膜221に貫通孔32を開口して、第一配線113の表面を露出させる。次に、撥液化工程として、貫通孔32が設けられた第一配線113の表面を撥液化させる。次に、第二絶縁膜形成工程として、貫通孔32以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化して第二層間絶縁膜222とヴィアホール31とを形成する。次に第三導電体形成工程として、ヴィアホール31を含む領域に金属インクを印刷し、第二配線131とする。金属インクを印刷するに先立ち、ヴィアホール31の底面から不図示のフッ化アルキルチオール62を除去しておく。この様に、第一導電体形成工程から第三導電体形成工程までの各工程は、実施形態2に記載した方法にて行われ、二層の配線基板が出来上がる。   A method of manufacturing the circuit board 1 having such multilayer wiring is as follows. First, the first wiring 113 is formed on the substrate as a first conductor forming step. Next, as a first thin film forming step, a first interlayer insulating film 221 is formed so as to cover the first conductor. Next, as a through hole forming step, the through hole 32 is opened in the first interlayer insulating film 221 of the first wiring 113 to expose the surface of the first wiring 113. Next, as a liquid repellent step, the surface of the first wiring 113 provided with the through holes 32 is made liquid repellent. Next, as a second insulating film forming step, a precursor resin is printed in a region other than the through hole 32, and the precursor resin is cured after printing to form the second interlayer insulating film 222 and the via hole 31. Next, as a third conductor forming step, metal ink is printed in a region including the via hole 31 to form the second wiring 131. Prior to printing the metal ink, the fluorinated alkyl thiol 62 (not shown) is removed from the bottom surface of the via hole 31. Thus, each process from the first conductor forming process to the third conductor forming process is performed by the method described in the second embodiment, and a two-layer wiring board is completed.

多層配線を作製する為の1サイクルを第一薄膜成膜工程から第三導電体形成工程までとし、上述の第三導電体を次のサイクルに於ける第一導電体とし、以降、このサイクルを複数回繰り返して、多数の配線層を持つ多層配線基板100とする事も可能である。   One cycle for producing the multilayer wiring is from the first thin film forming step to the third conductor forming step, and the above-mentioned third conductor is the first conductor in the next cycle. It is also possible to obtain a multilayer wiring substrate 100 having a large number of wiring layers by repeating a plurality of times.

尚、これ迄の説明では、三種類の導電体に対して、第一導電体、第二導電体、第三導電体、との名称を用いたが、これは導電体の種類を区別する為の名称であって、その形成順番を指定する物ではない。更には、回路基板1内に三種類の導電体が必要となる訳でもない。例えば、回路基板1には第一導電体と、それを覆う第一薄膜と第二絶縁膜とが第一導電体に対する保護膜として設けられており、第一導電体にプローブカードにて探針を接触させる為のヴィアホール31を有する構造体と云った様な、導電体が一種類しか存在しない回路基板1に対しても、本発明を適応する事ができる。   In the above description, the names of the first conductor, the second conductor, and the third conductor are used for the three types of conductors. It is a name and does not specify the order of formation. Furthermore, three types of conductors are not required in the circuit board 1. For example, the circuit board 1 is provided with a first conductor, a first thin film covering the first conductor, and a second insulating film as a protective film for the first conductor, and a probe is provided on the first conductor with a probe card. The present invention can also be applied to a circuit board 1 having only one type of conductor, such as a structure having a via hole 31 for contacting each other.

又、これ迄の説明では、三種類の溶媒に対して、第一溶媒、第二溶媒、第三溶媒、との名称を用いたが、これは溶媒の種類を区別する為の名称であって、その使用順番を指定する物ではない。   In the description so far, the names of the first solvent, the second solvent, and the third solvent are used for the three types of solvents, but these are names for distinguishing the types of the solvents. It is not a thing that specifies the order of use.

1…回路基板、10…基板、11…ソースドレイン電極、12…ゲート電極、13…画素電極、21…ゲート絶縁膜、22…層間絶縁膜、31…ヴィアホール、32…貫通孔、41…有機半導体膜、51…インクジェット法、52…液滴、53…導電体用インク、54…UVインク、55…紫外線、61…溶液、62…フッ化アルキルチオール、72…有機TFT、80…電気光学装置、81…アクティブマトリックス基板、90…電子書籍、100…多層配線基板、111…電極パッド、113…第一配線、131…第二配線、211…絶縁膜、221…第一層間絶縁膜、222…第二層間絶縁膜。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Circuit board, 10 ... Board | substrate, 11 ... Source-drain electrode, 12 ... Gate electrode, 13 ... Pixel electrode, 21 ... Gate insulating film, 22 ... Interlayer insulating film, 31 ... Via hole, 32 ... Through-hole, 41 ... Organic Semiconductor film 51 ... Inkjet method 52 ... Droplet 53 ... Conductor ink 54 ... UV ink 55 ... Ultraviolet light 61 ... Solution 62 ... Alkyl thiol 72 ... Organic TFT 80 ... Electro-optical device 81 ... Active matrix substrate, 90 ... Electronic book, 100 ... Multi-layer wiring substrate, 111 ... Electrode pad, 113 ... First wiring, 131 ... Second wiring, 211 ... Insulating film, 221 ... First interlayer insulating film, 222 ... second interlayer insulating film.

Claims (22)

基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、
前記第一薄膜は第一高分子材料からなり、
前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とするパターン形成方法。
A pattern forming method for a first thin film provided on a substrate,
The first thin film is made of a first polymer material,
A polymer solution dropping step in which a polymer solution in which a second polymer material is dissolved in a first solvent that dissolves the first polymer material is dropped on the first thin film;
A second solvent contact step of contacting the first thin film with the second solvent after the first solvent is dried,
The pattern forming method, wherein the second solvent does not dissolve the first polymer material but dissolves the second polymer material.
基板上に設けられた第一薄膜のパターン形成方法であって、
前記第一薄膜は第一高分子材料からなり、
前記第一高分子材料を溶解する第三溶媒を前記第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、
前記第三溶媒が乾燥した後に、前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とするパターン形成方法。
A pattern forming method for a first thin film provided on a substrate,
The first thin film is made of a first polymer material,
A third solvent dropping step of dropping a third solvent that dissolves the first polymer material on the first thin film;
After the third solvent is dried, a polymer solution dropping step of dropping a polymer solution in which the second polymer material is dissolved in the first solvent in which the first polymer material is dissolved into the first thin film;
A second solvent contact step of contacting the first thin film with the second solvent after the first solvent is dried,
The pattern forming method, wherein the second solvent does not dissolve the first polymer material but dissolves the second polymer material.
前記第二高分子材料の分子量が500以上50000以下の範囲に有る事を特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。   3. The pattern forming method according to claim 1, wherein the molecular weight of the second polymer material is in the range of 500 or more and 50000 or less. 基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、
前記第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、
前記第一導電体上の前記第一薄膜に貫通孔を開口して、前記第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、
前記貫通孔形成工程は、前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は、前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とする回路基板の製造方法。
A first conductor forming step of forming a first conductor on the substrate;
A first thin film forming step of forming a first thin film made of a first polymer material so as to cover the first conductor;
Forming a through hole in the first thin film on the first conductor and exposing a surface of the first conductor;
The through-hole forming step includes a polymer solution dropping step in which a polymer solution in which a second polymer material is dissolved in a first solvent that dissolves the first polymer material is dropped on the first thin film;
A second solvent contact step of contacting the first thin film with the second solvent after the first solvent is dried,
The method of manufacturing a circuit board, wherein the second solvent does not dissolve the first polymer material but dissolves the second polymer material.
基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程と、
前記第一導電体を被覆する様に第一高分子材料からなる第一薄膜を成膜する第一薄膜成膜工程と、
前記第一導電体上の前記第一薄膜に貫通孔を開口して、前記第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程と、を含み、
前記貫通孔形成工程は、前記第一高分子材料を溶解する第三溶媒を前記第一薄膜に滴下する第三溶媒滴下工程と、
前記第三溶媒が乾燥した後に、前記第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を、前記第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、
前記第一溶媒が乾燥した後に、前記第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、
前記第二溶媒は前記第一高分子材料を溶解せず、前記第二高分子材料を溶解する事を特徴とする回路基板の製造方法。
A first conductor forming step of forming a first conductor on the substrate;
A first thin film forming step of forming a first thin film made of a first polymer material so as to cover the first conductor;
Forming a through hole in the first thin film on the first conductor and exposing a surface of the first conductor;
The through-hole forming step includes a third solvent dropping step of dropping a third solvent that dissolves the first polymer material on the first thin film;
After the third solvent is dried, a polymer solution dropping step of dropping a polymer solution in which the second polymer material is dissolved in the first solvent in which the first polymer material is dissolved into the first thin film;
A second solvent contact step of contacting the first thin film with the second solvent after the first solvent is dried,
The method for manufacturing a circuit board, wherein the second solvent does not dissolve the first polymer material but dissolves the second polymer material.
前記第二高分子材料の分子量が500以上50000以下の範囲に有る事を特徴とする請求項3又は4に記載の回路基板の製造方法。   The method for producing a circuit board according to claim 3 or 4, wherein the molecular weight of the second polymer material is in the range of 500 or more and 50000 or less. 前記貫通孔形成工程後に、前記第一導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、
前記貫通孔以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前記前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する第二絶縁膜形成工程と、を更に含む事を特徴とする請求項4乃至は6のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
A liquid repellency step for making the surface of the first conductor liquid repellant after the through hole forming step;
5. A second insulating film forming step of printing a precursor resin in a region other than the through hole and curing the precursor resin after printing to form a second insulating film. The manufacturing method of the circuit board as described in any one of thru | or 6.
前記撥液化工程後に、前記第一薄膜上に第二導電体を形成する第二導電体形成工程を含み、
前記第二導電体形成工程後に前記第二絶縁膜形成工程を行う事を特徴とする請求項7に記載の回路基板の製造方法。
After the liquid repellency step, including a second conductor forming step of forming a second conductor on the first thin film,
The method for manufacturing a circuit board according to claim 7, wherein the second insulating film forming step is performed after the second conductor forming step.
前記第二絶縁膜形成工程後に、前記貫通孔を含む領域に第三導電体を形成する第三導電体形成工程を含む事を特徴とする請求項7又は8に記載の回路基板の製造方法。   9. The method of manufacturing a circuit board according to claim 7, further comprising a third conductor forming step of forming a third conductor in a region including the through hole after the second insulating film forming step. 前記第一導電体形成工程後に、有機半導体膜を印刷する半導体膜形成工程を含み、
前記半導体膜形成工程後に前記第一薄膜成膜工程を行う事を特徴とする請求項4乃至9のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
After the first conductor forming step, including a semiconductor film forming step of printing an organic semiconductor film,
The method for manufacturing a circuit board according to claim 4, wherein the first thin film forming step is performed after the semiconductor film forming step.
前記有機半導体膜はエーテル系溶剤に対しても、ケトン系溶剤に対しても、エステル系溶剤に対しても、フッ素系溶剤に対しても難溶性を示す事を特徴とする請求項10に記載の回路基板の製造方法。   11. The organic semiconductor film according to claim 10, wherein the organic semiconductor film exhibits poor solubility in an ether solvent, a ketone solvent, an ester solvent, and a fluorine solvent. Circuit board manufacturing method. 前記第一薄膜はエーテル系溶剤又は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、フッ素系溶剤のいずれかに可溶である事を特徴とする請求項4乃至11のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。   The circuit board according to any one of claims 4 to 11, wherein the first thin film is soluble in any of an ether solvent, a ketone solvent, an ester solvent, and a fluorine solvent. Production method. 前記第一薄膜はアルコール系溶剤に対して難溶性を示す事を特徴とする請求項4乃至12のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。   The method of manufacturing a circuit board according to any one of claims 4 to 12, wherein the first thin film is hardly soluble in an alcohol solvent. 前記第一薄膜は前記前駆体樹脂に対して難溶性を示す事を特徴とする請求項7乃至12のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。   The method of manufacturing a circuit board according to any one of claims 7 to 12, wherein the first thin film is hardly soluble in the precursor resin. 前記撥液化工程は、チオール化合物又はジスルフィド化合物を含む溶液に、前記第一導電体の表面を触れさせる事を特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to any one of claims 7 to 9, wherein in the liquid repellent step, the surface of the first conductor is brought into contact with a solution containing a thiol compound or a disulfide compound. 前記チオール化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事を特徴とする請求項15に記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 15, wherein the thiol compound includes a fluorinated alkyl chain. 前記ジスルフィド化合物がフッ素化アルキル鎖を含む事を特徴とする請求項15に記載の回路基板の製造方法。   The method of manufacturing a circuit board according to claim 15, wherein the disulfide compound includes a fluorinated alkyl chain. 前記前駆体樹脂は水酸基を有するモノマーを含む事を特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 7, wherein the precursor resin contains a monomer having a hydroxyl group. 前記前駆体樹脂はアルコール系溶剤に可溶である事を特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 7, wherein the precursor resin is soluble in an alcohol solvent. 前記前駆体樹脂は光硬化性樹脂である事を特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 7, wherein the precursor resin is a photocurable resin. 前記前駆体樹脂は熱硬化性樹脂である事を特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 7, wherein the precursor resin is a thermosetting resin. 前記回路基板は、ゲート絶縁膜を備えるトランジスターを有し、
前記第一薄膜が前記ゲート絶縁膜として機能している事を特徴とする請求項4乃至21のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
The circuit board includes a transistor including a gate insulating film,
The method for manufacturing a circuit board according to any one of claims 4 to 21, wherein the first thin film functions as the gate insulating film.
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