JP2012051072A - Method for manufacturing disk substrate - Google Patents

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Yoshiki Kurobe
良樹 黒部
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Showa Denko KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a disk substrate capable of reducing a difference in a polishing amount of both sides when polishing the disk substrate by a polishing machine, and reducing the difference in the polishing amount resulting from different setting positions of the disk substrate.SOLUTION: The method for manufacturing the disk substrate includes steps of setting two measurement boards 100 each having a measurement groove 103 formed on a surface thereof so that the measurement grooves 103 respectively face a first-side polishing side of the polishing machine and a second-side polishing side thereof; polishing the two measurement boards 100 by the polishing machine; measuring post-polishing depths of the measurement grooves 103 in the two measurement boards 100, and adjusting polishing conditions of the both sides of a glass substrate by the polishing machine.

Description

本発明は、例えば磁気記録媒体用ガラス基板などの円盤状基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a disk-shaped substrate such as a glass substrate for a magnetic recording medium.

近年、記録メディアとしての需要の高まりを受け、磁気ディスク等の情報記録媒体の製造が活発化している。ここで磁気ディスク用の基板として用いられる円盤状基板としては、アルミ基板とガラス基板とが広く用いられている。このアルミ基板は加工性も高く安価である点に特長があり、一方のガラス基板は強度、表面の平滑性、平坦性に優れている点に特長がある。特に最近ではディスク基板の小型化と高密度化の要求が著しく高くなり、基板の表面の粗さが小さく高密度化を図ることが可能なガラス基板の注目度が高まっている。   In recent years, production of information recording media such as magnetic disks has been activated in response to increasing demand for recording media. Here, as a disk-shaped substrate used as a substrate for a magnetic disk, an aluminum substrate and a glass substrate are widely used. This aluminum substrate is characterized by high workability and low cost, and one glass substrate is characterized by excellent strength, surface smoothness and flatness. In particular, recently, the demand for miniaturization and high density of the disk substrate has been remarkably increased, and the degree of attention of the glass substrate capable of achieving high density with small roughness of the surface of the substrate has increased.

特許文献1には、情報記録媒体用ガラス基板は、ガラス素板が形状加工により円盤状に形成された後、化学強化処理により化学強化され、次に洗浄処理により洗浄された後、ラップ研磨加工等が施され、そしてラップ研磨加工等では、ガラス素板の表側の主表面と、裏側の主表面とで同じ研磨量となるように一対の定盤を用いてガラス素板の表面を研磨する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法が開示されている。
また特許文献2には、記録ディスクに用いられる主表面の微少うねりが0.6nm以下のガラス基板の製造方法であって、円板状の形状を有し、互いの厚さが異なり、かつその差が2μm以下である複数のガラス基板を準備するガラス基板準備工程と、複数のガラス基板を上下から一括して研磨パッドで挟圧し、片側の主表面に対する設定研磨量が9μm以上になるように複数のガラス基板を同時に研磨するガラス基板研磨工程と、を含むことが開示されている。
In Patent Document 1, a glass substrate for an information recording medium has a glass base plate formed into a disk shape by shape processing, chemically strengthened by chemical strengthening treatment, and then washed by cleaning treatment, and then lapped. In lapping and the like, the surface of the glass base plate is polished using a pair of surface plates so that the main surface on the front side and the main surface on the back side of the glass base plate have the same polishing amount. A method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium is disclosed.
Patent Document 2 discloses a method for manufacturing a glass substrate having a main surface used for a recording disk having a small waviness of 0.6 nm or less, having a disk shape, and different in thickness. A glass substrate preparation step for preparing a plurality of glass substrates having a difference of 2 μm or less, and a plurality of glass substrates are collectively clamped with a polishing pad from above and below so that a set polishing amount for a main surface on one side is 9 μm or more. Including a glass substrate polishing step of simultaneously polishing a plurality of glass substrates.

特開2006−324006号公報JP 2006-324006 A 特開2009−279696号公報JP 2009-279696 A

ここで研磨装置によりガラス基板等の円盤状基板の研磨を行う際には、通常円盤状基板は、その両面が研磨される。ところが、一方の面が優先的に研磨され、一方の面と他方の面との研磨量に差が生じることがあった。また円盤状基板を配置する位置の違いにより研磨量に差が生じることがあった。
本発明は、研磨装置により円盤状基板の研磨を行う際に、両面の研磨量の差をより小さくすることができ、円盤状基板を配置する位置の違いによる研磨量の差をより小さくすることができる円盤状基板の製造方法を提供することを目的とする。
Here, when a disk-shaped substrate such as a glass substrate is polished by a polishing apparatus, both surfaces of the disk-shaped substrate are usually polished. However, one surface is preferentially polished, and there may be a difference in the polishing amount between one surface and the other surface. In addition, the polishing amount may be different depending on the position where the disk-shaped substrate is arranged.
The present invention makes it possible to reduce the difference in the polishing amount on both sides when polishing a disk-shaped substrate with a polishing apparatus, and to reduce the difference in the polishing amount due to the difference in the position where the disk-shaped substrate is disposed. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a disk-shaped substrate that can be used.

かかる目的を達成するために、本発明の円盤状基板の製造方法は、複数の円盤状基板の第1面および第2面を研磨装置を用いて同時に研磨する円盤状基板の製造方法であって、表面に測定溝が形成された第1の測定基板を、研磨装置の第1面を研磨する側に測定溝が対峙するように研磨装置に配置し、表面に測定溝が形成された第2の測定基板を、研磨装置の第2面を研磨する側に測定溝が対峙するように研磨装置に配置し、研磨装置に配置された第1の測定基板と第2の測定基板とを研磨装置によって研磨し、第1の測定基板の測定溝と第2の測定基板の測定溝の研磨後の深さを測定し、研磨装置による円盤状基板の両面の研磨条件を調整することを特徴とする。   In order to achieve this object, a method for manufacturing a disk-shaped substrate according to the present invention is a method for manufacturing a disk-shaped substrate in which a first surface and a second surface of a plurality of disk-shaped substrates are simultaneously polished using a polishing apparatus. The first measurement substrate having the measurement groove formed on the surface is arranged in the polishing apparatus so that the measurement groove faces the side of the polishing apparatus on which the first surface is polished, and the second measurement structure is formed on the surface. The measurement substrate is arranged in the polishing device so that the measurement groove faces the second surface of the polishing device, and the first measurement substrate and the second measurement substrate arranged in the polishing device are polished. And measuring the depth after polishing of the measurement groove of the first measurement substrate and the measurement groove of the second measurement substrate, and adjusting the polishing conditions on both sides of the disk-shaped substrate by the polishing apparatus. .

ここで、第1の測定基板の測定溝および第2の測定基板の測定溝は、第1の測定基板および第2の測定基板の第1表面に形成され、研磨装置の両面のうちの第1面を研磨する側に第1の測定基板の第1表面を対峙させて第1の測定基板を研磨装置に配置し、研磨装置の両面のうちの第1面とは反対側の第2面を研磨する側に第2の測定基板の第1表面を対峙させて第2の測定基板を研磨装置に配置することができる。そしてこの場合、研磨条件の調整は、第1の測定基板の測定溝の深さおよび第2の測定基板の測定溝の深さを測定することにより算出される研磨装置の第1面における研磨量と第2面における研磨量との差を抑制するように調整されることが好ましい。   Here, the measurement groove of the first measurement substrate and the measurement groove of the second measurement substrate are formed on the first surfaces of the first measurement substrate and the second measurement substrate, and are the first of both surfaces of the polishing apparatus. The first measurement substrate is placed on the polishing apparatus with the first surface of the first measurement substrate facing the surface to be polished, and the second surface opposite to the first surface of both surfaces of the polishing apparatus is The second measurement substrate can be placed in the polishing apparatus with the first surface of the second measurement substrate facing the side to be polished. In this case, the polishing conditions are adjusted by the amount of polishing on the first surface of the polishing apparatus calculated by measuring the depth of the measurement groove of the first measurement substrate and the depth of the measurement groove of the second measurement substrate. It is preferable to adjust so as to suppress the difference between the polishing amount on the second surface.

また第1の測定基板の測定溝および第2の測定基板の測定溝は、第1の測定基板および第2の測定基板の両面に形成することができる。そしてこの場合、研磨条件の調整は、第1の測定基板の測定溝の深さおよび第2の測定基板の測定溝の深さを測定することにより算出される研磨装置の研磨量の差を抑制するように調整されることが好ましい。   The measurement groove of the first measurement substrate and the measurement groove of the second measurement substrate can be formed on both surfaces of the first measurement substrate and the second measurement substrate. In this case, the adjustment of the polishing conditions suppresses the difference in the polishing amount of the polishing apparatus calculated by measuring the depth of the measurement groove of the first measurement substrate and the depth of the measurement groove of the second measurement substrate. It is preferable to adjust so that it may do.

更に円盤状基板の研磨は、円盤状基板の粗研磨を行なう前段研磨工程と円盤状基板の精密研磨を行なう後段研磨工程により行い、前段研磨工程では、表面に測定溝が形成されない測定基板を用いて研磨条件の調整を行ない、後段研磨工程では、表面に測定溝が形成された第1の測定基板および第2の測定基板を用いて研磨条件の調整を行なうことが好ましい。
更に、円盤状基板は両面に圧縮応力層が形成され、研磨条件の調整は、圧縮応力層を取り除くように調整されることが好ましい。
Further, the disc-shaped substrate is polished by a pre-polishing step for rough polishing of the disc-shaped substrate and a post-polishing step for precise polishing of the disc-shaped substrate. In the pre-polishing step, a measurement substrate in which no measurement groove is formed on the surface is used. It is preferable that the polishing conditions are adjusted, and in the subsequent polishing step, the polishing conditions are adjusted using the first measurement substrate and the second measurement substrate having measurement grooves formed on the surface.
Furthermore, it is preferable that the disk-shaped substrate has a compressive stress layer formed on both sides, and the polishing conditions are adjusted so as to remove the compressive stress layer.

本発明によれば、研磨装置により円盤状基板の研磨を行う際に、一方の面が優先的に研磨される現象を抑制し、両面の研磨量の差をより小さくすることができる円盤状基板の製造方法等を提供できる。   According to the present invention, when a disk-shaped substrate is polished by a polishing apparatus, a phenomenon in which one surface is preferentially polished can be suppressed, and the difference in polishing amount between both surfaces can be further reduced. Can be provided.

(a)〜(c)は、本実施の形態が適用される円盤状基板(ディスク基板)の製造工程を示した図である。(A)-(c) is the figure which showed the manufacturing process of the disk shaped board | substrate (disk board | substrate) to which this Embodiment is applied. (d)〜(g)は、本実施の形態が適用される円盤状基板(ディスク基板)の製造工程を示した図である。(D)-(g) is the figure which showed the manufacturing process of the disk shaped board | substrate (disk board | substrate) to which this Embodiment is applied. (h)〜(j)は、本実施の形態が適用される円盤状基板(ディスク基板)の製造工程を示した図である。(H)-(j) is the figure which showed the manufacturing process of the disk shaped board | substrate (disk board | substrate) to which this Embodiment is applied. 研削機の構造を説明した図である。It is a figure explaining the structure of the grinding machine. 保持具を更に詳しく説明した図である。It is the figure explaining the holder in more detail. 内周研磨工程において使用するブラシの一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the brush used in an inner periphery grinding | polishing process. (a)は、研磨機の研磨条件の調整を行なうために使用する測定基板の第1の例について説明した斜視図である。(b)は、(a)に示した測定基板のVb−Vb断面図である。(A) is the perspective view explaining the 1st example of the measurement board | substrate used in order to adjust the grinding | polishing conditions of a grinding machine. (B) is Vb-Vb sectional drawing of the measurement board | substrate shown to (a). 図5(a)〜(b)に示した測定基板を使用して研磨機の研磨条件の調整を行なう手順を説明したフローチャートである。It is the flowchart explaining the procedure which adjusts the grinding | polishing conditions of a grinding machine using the measurement board | substrate shown to Fig.5 (a)-(b). (a)は、研磨機の研磨条件の調整を行なうために使用する測定基板の第2の例について説明した斜視図である。(b)は、(a)に示した測定基板のVIIb−VIIb断面図である。(A) is the perspective view explaining the 2nd example of the measurement board | substrate used in order to adjust the grinding | polishing conditions of a grinding machine. (B) is VIIb-VIIb sectional drawing of the measurement board | substrate shown to (a). 図7(a)〜(b)に示した測定基板を使用して研磨機の研磨条件の調整を行なう手順を説明したフローチャートである。It is the flowchart explaining the procedure which adjusts the grinding | polishing conditions of a grinding machine using the measurement board | substrate shown to Fig.7 (a)-(b). ガラス基板の両面における研磨量の差を測定する他の例を説明した図である。It is a figure explaining the other example which measures the difference of the grinding | polishing amount in both surfaces of a glass substrate.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1−1(a)〜(c)、図1−2(d)〜(g)、図1−3(h)〜(j)は、本実施の形態が適用される円盤状基板の製造工程を示した図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
FIGS. 1-1 (a) to (c), FIGS. 1-2 (d) to (g), and FIGS. 1-3 (h) to (j) illustrate the manufacture of a disk-shaped substrate to which the present embodiment is applied. It is the figure which showed the process.

(1次ラップ工程)
図1−1(a)は1次ラップ工程を示している。この工程でまず、研削機(研削装置、ラッピングマシン)40により1回目の研削(ラッピング)を行い、円盤状基板の一例としてのガラス基板(ワーク)10の表面11を平滑に研削する。
ここで図2は、研削機40の構造を説明した図である。
図2に示した研削機40は、ガラス基板10を載置する下定盤21aと、ガラス基板10を上部から押えつけ研削を行うために必要な圧力を加えるための上定盤21bとを備えている。
ここで、下定盤21aの外周部には歯部42が設けられ、下定盤21aの中央部には太陽歯車44が設けられている。さらに下定盤21aには、研削が行われる際にガラス基板10を位置決めする円盤状の保持具(キャリア)30が設置されている。
保持具30は、図2に示す研削機40では、5個設置されている。保持具30の外周部には歯部32が備えられ、下定盤21aの歯部42および太陽歯車44の双方に噛合している。また下定盤21aおよび上定盤21bには、これらを回転させるための回転軸46a,46bがそれぞれ中心部に設置されている。
(Primary lapping process)
FIG. 1-1 (a) shows the primary lapping process. In this step, first, grinding (lapping) is performed for the first time by a grinding machine (grinding device, lapping machine) 40, and the surface 11 of a glass substrate (workpiece) 10 as an example of a disk-shaped substrate is ground smoothly.
Here, FIG. 2 is a diagram illustrating the structure of the grinding machine 40.
The grinding machine 40 shown in FIG. 2 includes a lower surface plate 21a on which the glass substrate 10 is placed, and an upper surface plate 21b for applying pressure necessary for pressing and grinding the glass substrate 10 from above. Yes.
Here, a tooth portion 42 is provided on the outer peripheral portion of the lower surface plate 21a, and a sun gear 44 is provided on the central portion of the lower surface plate 21a. Further, the lower surface plate 21a is provided with a disk-shaped holder (carrier) 30 for positioning the glass substrate 10 when grinding is performed.
In the grinding machine 40 shown in FIG. 2, five holders 30 are installed. A tooth portion 32 is provided on the outer peripheral portion of the holder 30, and meshes with both the tooth portion 42 and the sun gear 44 of the lower surface plate 21a. Further, the lower surface plate 21a and the upper surface plate 21b are provided with rotation shafts 46a and 46b for rotating them at the center.

この1次ラップ工程においては、まず研削機40の下定盤21aに保持具30を利用してガラス基板10の載置を行う。
図3は、保持具30を更に詳しく説明した図である。図3に示した保持具30には、上述の通り、外周部に歯部32が備えられている。また、研削を行う際にガラス基板10が内部に載置される円形形状の孔部34が複数開けられている。この孔部34の直径は、ガラス基板10の直径よりわずかに大きく開けられる。このようにすることで、研削を行う際にガラス基板10の外周端の一部に余分な応力がかかるのを抑制することができるため、ガラス基板10の外周端が損傷しにくくなる。本実施の形態において、孔部34の直径はガラス基板10の直径より、例えば、約1mm大きくなっている。また孔部34は、ほぼ等間隔で並んでおり、本実施の形態の場合、孔部34は、例えば、35個開けられている。
In this primary lapping step, the glass substrate 10 is first placed on the lower surface plate 21a of the grinding machine 40 using the holder 30.
FIG. 3 is a diagram illustrating the holder 30 in more detail. As described above, the holder 30 shown in FIG. 3 includes the tooth portion 32 on the outer peripheral portion. A plurality of circular holes 34 in which the glass substrate 10 is placed when grinding is provided. The diameter of the hole 34 is slightly larger than the diameter of the glass substrate 10. By doing in this way, it can suppress that extra stress is applied to a part of outer periphery edge of the glass substrate 10 when grinding, Therefore The outer periphery edge of the glass substrate 10 becomes difficult to be damaged. In the present embodiment, the diameter of the hole 34 is, for example, about 1 mm larger than the diameter of the glass substrate 10. The holes 34 are arranged at substantially equal intervals. In the case of the present embodiment, for example, 35 holes 34 are opened.

保持具30の材料としては、例えば、アラミド繊維やガラス繊維を混入することで強化されたエポキシ樹脂を使用することができる。また保持具30の厚さは、本工程において、研削を行う際に、上定盤21bに接触し、研削を阻害しないために、本工程におけるガラス基板10の仕上げ厚さより薄く作成されている。例えば、ガラス基板10の仕上げ厚さが1mmであるとすると、保持具30の厚さは、それより0.2mm〜0.6mm薄くなっている。   As a material of the holder 30, for example, an epoxy resin reinforced by mixing aramid fiber or glass fiber can be used. Further, the thickness of the holder 30 is made thinner than the finished thickness of the glass substrate 10 in this step so as to come into contact with the upper surface plate 21b during grinding in this step and not hinder the grinding. For example, if the finished thickness of the glass substrate 10 is 1 mm, the thickness of the holder 30 is 0.2 mm to 0.6 mm thinner than that.

保持具30の孔部34にガラス基板10を載置した後は、上定盤21bをガラス基板10に接触するまで移動させ、研削機40を稼働させる。
この際の研削機40の動作を図2を用いて説明する。研削機40を稼働する際には、図の上方の回転軸46bを一方向に回転させ、上定盤21bを、同様な一方向に回転させる。また、図の下方の回転軸46aを、回転軸46bの回転とは逆方向に回転させ、下定盤21aを回転軸46aと同様な方向に回転させる。これにより下定盤21aの歯部42も回転軸46aと同様な方向に回転する。また中央部の太陽歯車44も、回転軸46aと同様な方向に回転する。
このように上定盤21b、下定盤21a、太陽歯車44を回転させることにより、これらの歯車に噛み合う保持具30は自転運動と、公転運動が組み合わされたいわゆる遊星運動を行う。同様に、保持具30にはめ込まれたガラス基板10も遊星運動を行う。このようにすることによりガラス基板10の研削をより精度よく、また迅速に行うことができる。
After the glass substrate 10 is placed in the hole 34 of the holder 30, the upper surface plate 21b is moved until it comes into contact with the glass substrate 10, and the grinding machine 40 is operated.
The operation of the grinding machine 40 at this time will be described with reference to FIG. When operating the grinding machine 40, the upper rotating shaft 46b in the drawing is rotated in one direction, and the upper surface plate 21b is rotated in the same one direction. Further, the lower rotating shaft 46a in the figure is rotated in the opposite direction to the rotation of the rotating shaft 46b, and the lower surface plate 21a is rotated in the same direction as the rotating shaft 46a. Thereby, the tooth part 42 of the lower surface plate 21a also rotates in the same direction as the rotating shaft 46a. The sun gear 44 at the center also rotates in the same direction as the rotation shaft 46a.
Thus, by rotating the upper surface plate 21b, the lower surface plate 21a, and the sun gear 44, the holder 30 that meshes with these gears performs a so-called planetary motion in which the rotation motion and the revolution motion are combined. Similarly, the glass substrate 10 fitted in the holder 30 also performs planetary motion. By doing in this way, grinding of the glass substrate 10 can be performed more accurately and rapidly.

本実施の形態において、研削は、研削剤を用いて行うことができる。研削剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アルミナやダイヤモンドからなる研削剤をスラリー化して使用することができる。または、上定盤21bや下定盤21aにこれらの研削剤が分散して含んだ砥石を使用してもよい。   In the present embodiment, grinding can be performed using an abrasive. Although it does not specifically limit as an abrasive, For example, the abrasives which consist of an alumina or a diamond can be used by slurrying. Or you may use the grindstone which these abrasives disperse | distributed and contained in the upper surface plate 21b and the lower surface plate 21a.

(内外周研削工程)
図1−1(b)は内外周研削工程を示している。この工程では、ガラス基板10の開孔12の内周面および外周13の外周面の荒削りである研削を行う。また本実施の形態では、内周面と外周面の研削を同時に行う。具体的には、ガラス基板10の中心に設けられた開孔12を内周砥石22によって研削し、ガラス基板10の外周13を外周砥石23によって研削する。このとき、内周砥石22と外周砥石23でガラス基板10の内周面と外周面を挟み込んで同時加工する。これにより内径と外径の同心度を確保し易くすることができる。
本実施の形態において、内周砥石22および外周砥石23は、波状の表面を有している。そのため、ガラス基板10の開孔12の内周面および外周13の外周面を研削することができるだけでなく、開孔12および外周13における縁部の面取りを併せて行うことが可能となる。
(Inner and outer grinding process)
FIG. 1-1 (b) shows the inner and outer peripheral grinding steps. In this step, grinding that is roughing of the inner peripheral surface of the opening 12 and the outer peripheral surface of the outer periphery 13 of the glass substrate 10 is performed. In the present embodiment, the inner peripheral surface and the outer peripheral surface are simultaneously ground. Specifically, the opening 12 provided in the center of the glass substrate 10 is ground by the inner peripheral grindstone 22, and the outer periphery 13 of the glass substrate 10 is ground by the outer peripheral grindstone 23. At this time, the inner peripheral surface 22 and the outer peripheral surface 23 of the glass substrate 10 are sandwiched between the inner peripheral grindstone 22 and the outer peripheral grindstone 23 and are simultaneously processed. This makes it easy to ensure the concentricity between the inner diameter and the outer diameter.
In the present embodiment, the inner peripheral grindstone 22 and the outer peripheral grindstone 23 have a wavy surface. Therefore, not only can the inner peripheral surface of the opening 12 and the outer peripheral surface of the outer periphery 13 of the glass substrate 10 be ground, but also the chamfering of the edges of the opening 12 and the outer periphery 13 can be performed together.

(内周研磨工程)
図1−1(c)は内周研磨工程を示している。この工程では、図1−1(b)に示した内外周研削工程において、荒削りである研削を行ったガラス基板10の開孔12の内周面を更に平滑にする研磨を行う。
具体的には、まずガラス基板10を積層し、図示しないホルダにセットする。そして、このホルダにセットされたガラス基板10の開孔12の中心にブラシ24を挿入する。そして研磨液をガラス基板10の開孔12に流し込みながら、ブラシ24を高速で回転させることで、ガラス基板10の内周面を研磨する。本実施の形態では、研磨に際してブラシ24を使用しているので、ガラス基板10の内周面を研磨すると共に、上述した内外周研削工程において行った開孔12の縁部の面取りした部分も同様に研磨することができる。なお研磨液としては、例えば酸化セリウム砥粒を水に分散してスラリー化したものを用いることができる。
(Inner grinding process)
FIG. 1-1 (c) shows the inner periphery polishing step. In this step, polishing is performed to further smooth the inner peripheral surface of the aperture 12 of the glass substrate 10 that has been ground in the inner and outer periphery grinding step shown in FIG.
Specifically, the glass substrate 10 is first laminated and set in a holder (not shown). And the brush 24 is inserted in the center of the opening 12 of the glass substrate 10 set to this holder. Then, the inner peripheral surface of the glass substrate 10 is polished by rotating the brush 24 at a high speed while pouring the polishing liquid into the opening 12 of the glass substrate 10. In the present embodiment, since the brush 24 is used for polishing, the inner peripheral surface of the glass substrate 10 is polished, and the chamfered portion of the edge of the opening 12 performed in the inner and outer peripheral grinding step described above is also the same. Can be polished. As the polishing liquid, for example, a slurry obtained by dispersing cerium oxide abrasive grains in water can be used.

図4は、内周研磨工程において使用するブラシ24の一例を示した図である。このブラシ24は、毛先が螺旋状に配列して形成されるブラシ部241と、このブラシ部241の両端部に連続して形成され、一端と他端とを形成する軸242とを備えている。ガラス基板10の開孔12として例えば0.85インチ等の小径ディスクの内周面を研磨するような場合は、ブラシ24の芯を細くする必要がある。その場合、本実施の形態では、例えば、複数本のワイヤ(材質:例えば、軟鋼線材(SWRM)、硬鋼線材(SWRH)、ステンレス線材(SUSW)、黄銅線(BSW)など、加工性、剛性などから適宜選定できる)の間に、ブラシの毛(材質:例えばナイロン(デュポン社の商品名))を挟み込み、この毛が挟み込まれたワイヤをねじることで、ブラシ部241を形成している。このワイヤをねじってブラシ部241を形成することで、ブラシ部241に形成されるブラシ毛先を螺旋状とすることができ、挿入されているガラス基板10の開孔12にて、研磨液を軸方向に流すことが可能となる。そのため研磨液の搬送を良好に行うことができる。   FIG. 4 is a view showing an example of the brush 24 used in the inner periphery polishing step. The brush 24 includes a brush portion 241 formed by arranging hair tips in a spiral shape, and a shaft 242 formed continuously at both ends of the brush portion 241 and forming one end and the other end. Yes. When the inner peripheral surface of a small-diameter disk such as 0.85 inch is polished as the opening 12 of the glass substrate 10, it is necessary to make the core of the brush 24 thinner. In this case, in this embodiment, for example, a plurality of wires (material: for example, mild steel wire (SWRM), hard steel wire (SWRH), stainless steel wire (SUSW), brass wire (BSW), workability, rigidity, etc. The brush portion 241 is formed by sandwiching brush hair (material: for example, nylon (trade name of DuPont)) and twisting the wire in which the hair is sandwiched. By twisting this wire to form the brush portion 241, the brush bristles formed on the brush portion 241 can be spiraled, and the polishing liquid is passed through the opening 12 of the inserted glass substrate 10. It is possible to flow in the axial direction. Therefore, the polishing liquid can be transported satisfactorily.

(2次ラップ工程)
図1−2(d)は2次ラップ工程を示している。この工程では、図1−1(a)に示した1次ラップ工程において、研削を行ったガラス基板10の表面11を再度研削を行うことにより更に平滑に研削する。
2次ラップ工程において、研削を行う装置としては、図1−1(a)に示した研削機40を使用することができる。また研削の方法、条件等は、図1−1(a)で説明した場合と同様に行うことができる。なお本実施の形態において、1次ラップ工程および2次ラップ工程は、ガラス基板10を研削する研削工程として把握することができる。
(Secondary lap process)
FIG. 1-2 (d) shows the secondary lapping process. In this step, the surface 11 of the glass substrate 10 that has been ground in the primary lapping step shown in FIG. 1-1 (a) is ground more smoothly by grinding again.
As a device for performing grinding in the secondary lapping step, the grinding machine 40 shown in FIG. 1-1 (a) can be used. The grinding method, conditions, etc. can be performed in the same manner as in the case described with reference to FIG. In the present embodiment, the primary lapping step and the secondary lapping step can be grasped as grinding steps for grinding the glass substrate 10.

(外周研磨工程)
図1−2(e)は外周研磨工程を示している。この工程では、図1−1(b)に示した内外周研削工程において、荒削りである研削を行ったガラス基板10の外周13の外周面を更に平滑にする研磨を行う。
具体的には、まずガラス基板10の開孔12の部分に治具25を通して積層させ、ガラス基板10を治具25にセットする。そして研磨液をガラス基板10の外周13の箇所に流し込みながら、ブラシ26を積層したガラス基板10に接触させ、高速で回転させる。これにより、ガラス基板10の外周面を研磨することができる。本実施の形態では、研磨に際してブラシ26を使用しているので、ガラス基板10の外周面を研磨すると共に、上述した内外周研削工程において行った外周13の縁部の面取りした部分も同様に研磨することができる。なお研磨液としては、内周研磨工程の場合と同様に、例えば酸化セリウム砥粒を水に分散してスラリー化したものを用いることができる。
(Outer periphery polishing process)
FIG. 1-2 (e) shows the outer periphery polishing step. In this step, polishing is performed to further smooth the outer peripheral surface of the outer periphery 13 of the glass substrate 10 subjected to rough grinding in the inner and outer peripheral grinding step shown in FIG.
Specifically, the glass substrate 10 is first laminated on the hole 12 portion of the glass substrate 10 through the jig 25, and the glass substrate 10 is set on the jig 25. And while pouring polishing liquid into the location of the outer periphery 13 of the glass substrate 10, it is made to contact the glass substrate 10 which laminated | stacked the brush 26, and is rotated at high speed. Thereby, the outer peripheral surface of the glass substrate 10 can be grind | polished. In the present embodiment, since the brush 26 is used for polishing, the outer peripheral surface of the glass substrate 10 is polished, and the chamfered portion of the edge of the outer periphery 13 performed in the inner and outer peripheral grinding process described above is also polished. can do. As the polishing liquid, as in the case of the inner peripheral polishing step, for example, a slurry obtained by dispersing cerium oxide abrasive grains in water can be used.

(強化層形成工程)
図1−2(f)は強化層形成工程を示している。この工程では、ガラス基板10の表面を強化するためにガラス基板10の表面に強化層(圧縮応力層)を形成する。強化層は、ガラス基板10表面のナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンを、それよりイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンによってイオン置換することで、形成することができる。つまり、このようなイオン交換を行なうと、イオン半径の違いによって生じる歪みにより、ガラス基板10の表面に圧縮応力が発生し、そのためガラス基板10の表面が強化される。
本実施の形態では、このようなイオン交換を、加熱された強化処理液にガラス基板10を浸漬することにより行なう。強化処理液としては、例えば、カリウムイオンを含む溶融塩やカリウムイオンとナトリウムイオンをふくむ溶融塩等を使用することができる。より具体的には、カリウムやナトリウムの硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩やこれらの混合溶融塩等を使用する。
(Strengthening layer forming process)
FIG. 1-2 (f) shows the reinforcing layer forming step. In this step, a reinforcing layer (compressive stress layer) is formed on the surface of the glass substrate 10 in order to strengthen the surface of the glass substrate 10. The reinforcing layer can be formed by ion-substituting alkali metal ions such as sodium ions on the surface of the glass substrate 10 with alkali metal ions such as potassium ions having a larger ion radius. That is, when such ion exchange is performed, a compressive stress is generated on the surface of the glass substrate 10 due to distortion caused by a difference in ion radius, and thus the surface of the glass substrate 10 is strengthened.
In the present embodiment, such ion exchange is performed by immersing the glass substrate 10 in a heated strengthening treatment liquid. As the strengthening treatment liquid, for example, a molten salt containing potassium ions or a molten salt containing potassium ions and sodium ions can be used. More specifically, potassium, sodium nitrate, carbonate, sulfate, a mixed molten salt thereof, or the like is used.

なお本実施の形態で、強化する必要があるのは、ガラス基板10の開孔12の内周面および外周13の外周面である。他の表面である主表面等に強化層が存在すると、強化層を設けることにより生じる応力が、ガラス基板10の両面間で均等にならず、ガラス基板10に反りが生じることがある。そのため、ガラス基板10の両面間で応力のバランスをとる観点から、後述する研磨工程においてガラス基板10の開孔12の内周面および外周13の外周面以外に形成された強化層を除去することが必要となる。   In the present embodiment, it is necessary to reinforce the inner peripheral surface of the aperture 12 and the outer peripheral surface of the outer periphery 13 of the glass substrate 10. When the reinforcing layer is present on the main surface or the like which is another surface, the stress generated by providing the reinforcing layer is not uniform between both surfaces of the glass substrate 10, and the glass substrate 10 may be warped. Therefore, from the viewpoint of balancing the stress between both surfaces of the glass substrate 10, the reinforcing layer formed on the glass substrate 10 other than the inner peripheral surface of the aperture 12 and the outer peripheral surface of the outer periphery 13 is removed in the polishing step described later. Is required.

(1次ポリッシュ工程)
図1−2(g)は1次ポリッシュ工程を示している。この工程では、図1−2(d)に示した2次ラップ工程において、研削を行ったガラス基板10の表面11を、研磨機(研磨装置、ポリッシングマシン)50を用いて研磨(ポリッシング)を行うことで研磨し、更に平滑度を上げていく。この研磨機50は、上述した研削機40とほぼ同様な構成を有する。即ち、ガラス基板10を載置する下定盤21aと、ガラス基板10を上部から押えつけ研磨を行うために必要な圧力を加えるための上定盤21bとを備えている。そして研磨機50の下定盤21aに保持具30を利用してガラス基板10を載置し、上定盤21b、下定盤21a、および太陽歯車44を回転させ、ガラス基板10の研磨を行なう。ただし、下記に示すように研磨に使用する材料等が一部異なる。
本実施の形態において、研磨を行うに際し、例えばウレタンにより形成された硬質研磨布を用い、酸化セリウム砥粒等を水に分散してスラリー化した研磨液を使用して行なうことができる。
(Primary polishing process)
FIG. 1-2 (g) shows the primary polishing process. In this step, the surface 11 of the glass substrate 10 that has been ground in the secondary lapping step shown in FIG. 1-2D is polished (polishing) using a polishing machine (polishing apparatus, polishing machine) 50. It polishes by doing and raises smoothness further. The polishing machine 50 has substantially the same configuration as the grinding machine 40 described above. That is, a lower surface plate 21a on which the glass substrate 10 is placed and an upper surface plate 21b for applying pressure necessary for pressing and polishing the glass substrate 10 from above are provided. Then, the glass substrate 10 is placed on the lower surface plate 21a of the polishing machine 50 using the holder 30, and the upper surface plate 21b, the lower surface plate 21a, and the sun gear 44 are rotated to polish the glass substrate 10. However, as shown below, materials used for polishing are partially different.
In the present embodiment, polishing can be performed using, for example, a hard polishing cloth formed of urethane and using a polishing liquid in which cerium oxide abrasive grains and the like are dispersed in water to form a slurry.

(2次ポリッシュ工程)
図1−3(h)は2次ポリッシュ工程を示している。この工程では、図1−2(f)に示した1次ポリッシュ工程において、研磨を行ったガラス基板10の表面11を、精密研磨を行うことで更に研磨し、表面11の最終的な仕上げを行う。
本実施の形態において、この研磨を行うに際し、例えばスエード状の軟質研磨布を用い、酸化セリウム砥粒若しくはコロイダルシリカ等を水等の分散媒に分散してスラリー化した研磨液を使用して行なうことができる。なお本実施の形態において、1次ポリッシュ工程および2次ポリッシュ工程は、研磨機50を用いてガラス基板の研磨を行なう研磨工程として把握することができる。また上述したように、この2次ポリッシュ行程までに強化層形成工程で形成した強化層を除去する必要がある。
(Secondary polishing process)
FIG. 1-3 (h) shows the secondary polishing process. In this step, the surface 11 of the glass substrate 10 that has been polished in the primary polishing step shown in FIG. 1-2 (f) is further polished by precision polishing, and the final finish of the surface 11 is completed. Do.
In this embodiment, when performing this polishing, for example, a suede-like soft polishing cloth is used, and a polishing liquid in which cerium oxide abrasive grains or colloidal silica is dispersed in a dispersion medium such as water and slurried is used. be able to. In the present embodiment, the primary polishing process and the secondary polishing process can be grasped as polishing processes for polishing the glass substrate using the polishing machine 50. Further, as described above, it is necessary to remove the reinforcing layer formed in the reinforcing layer forming step by the secondary polishing step.

(最終洗浄・検査工程)
図1−3(i)は最終洗浄・検査工程を示している。最終洗浄では、上述した一連の工程において、使用した研磨剤等の汚れの除去を行う。洗浄には超音波を併用した洗剤(薬品)による化学的洗浄などの方法を用いることができる。
また、検査工程においては、例えばレーザを用いた光学式検査器により、ガラス基板10の表面の傷やひずみの有無等の検査が行われる。
(Final cleaning / inspection process)
1-3 (i) shows the final cleaning / inspection process. In the final cleaning, dirt such as the used abrasive is removed in the series of steps described above. For the cleaning, a method such as chemical cleaning with a detergent (chemical) using ultrasonic waves can be used.
In the inspection process, for example, the surface of the glass substrate 10 is inspected for scratches or distortions by an optical inspection device using a laser.

(梱包工程)
図1−3(j)は梱包工程を示している。梱包工程では、上記の検査工程において予め定められた品質基準に合格したガラス基板10の梱包が行なわれ、ガラス基板10の梱包体90となる。そして梱包体90は、磁気記録媒体(磁気ディスク)を製造する箇所まで輸送される。この梱包は、輸送の際にガラス基板10への塵埃等の異物の付着や表面の状態変化を抑制するために行なわれる。
(Packing process)
Fig. 1-3 (j) shows the packing process. In the packing process, the glass substrate 10 that has passed the quality standard determined in the above-described inspection process is packed, and a package 90 of the glass substrate 10 is obtained. The package 90 is transported to a location where a magnetic recording medium (magnetic disk) is manufactured. This packing is performed in order to suppress adhesion of foreign matters such as dust and surface state changes to the glass substrate 10 during transportation.

ここで研磨工程において、研磨機50は、ガラス基板10の両面を同時に研磨する。ところが、研磨を行なう際に、一方の面と他方の面との研磨量に差が生じることがある。即ち、一方の面が他方の面よりもより優先的に研磨が行なわれることにより、一方の面の取り代は大きいが、他方の面の取り代は小さくなる場合がある。   Here, in the polishing step, the polishing machine 50 polishes both surfaces of the glass substrate 10 simultaneously. However, when polishing is performed, there may be a difference in the polishing amount between one surface and the other surface. That is, when one surface is polished more preferentially than the other surface, the allowance for one surface may be large, but the allowance for the other surface may be small.

このようなガラス基板10の一方の面と他方の面との研磨量に差が生じる現象は、研磨機50の研磨条件の調整を行なうことで抑制することができる。そのため研磨機50の研磨条件の調整を適切に行なうことが必要となる。   Such a phenomenon that a difference in polishing amount between one surface and the other surface of the glass substrate 10 can be suppressed by adjusting the polishing conditions of the polishing machine 50. Therefore, it is necessary to adjust the polishing conditions of the polishing machine 50 appropriately.

本実施の形態では、上記の問題を解決するために下記の手法により研磨機50の研磨条件の調整を行なう。
図5(a)は、研磨機50の研磨条件の調整を行なうために使用する測定基板100の第1の例について説明した斜視図である。また図5(b)は、図5(a)に示した測定基板100のVb−Vb断面図である。
In the present embodiment, in order to solve the above problem, the polishing conditions of the polishing machine 50 are adjusted by the following method.
FIG. 5A is a perspective view illustrating a first example of the measurement substrate 100 used for adjusting the polishing conditions of the polishing machine 50. FIG. 5B is a Vb-Vb cross-sectional view of the measurement substrate 100 shown in FIG.

図5(a)〜(b)に示した測定基板100は、ガラス基板10と同一の材料および同一の形状で形成されている。即ち、測定基板100は、ガラス基板10に使用するガラス材料と同一のガラス材料からなり、形状が円盤状である。そして中心部に開孔12を有する。ただし、ガラス基板10とは異なり、測定基板100の両面には、測定溝103が形成されている。
測定基板100は、ガラス基板10に食刻(エッチング)を行ない、測定溝103を形成することで製造することができる。
The measurement substrate 100 shown in FIGS. 5A to 5B is formed of the same material and the same shape as the glass substrate 10. That is, the measurement substrate 100 is made of the same glass material as that used for the glass substrate 10 and has a disk shape. And it has the opening 12 in the center. However, unlike the glass substrate 10, measurement grooves 103 are formed on both surfaces of the measurement substrate 100.
The measurement substrate 100 can be manufactured by etching (etching) the glass substrate 10 to form the measurement groove 103.

ここで測定溝103は、測定基板100の第1表面101に形成される。測定溝103の幅(W)は、断面形状が例えば、長方形状であり、幅(W)を200μm、長さ(L)を1mm、深さ(H)を7μmとすることができる。なお深さ(H)については、研磨量に応じて適宜変更することが好ましい。また測定溝103が形成される位置は、特に限定されることはないが、本実施の形態では、測定基板100の開孔12とガラス基板100の最外周部である外周13の中間箇所に形成する。   Here, the measurement groove 103 is formed on the first surface 101 of the measurement substrate 100. The width (W) of the measurement groove 103 may be, for example, a rectangular shape in cross section, the width (W) may be 200 μm, the length (L) may be 1 mm, and the depth (H) may be 7 μm. The depth (H) is preferably changed as appropriate according to the polishing amount. In addition, the position where the measurement groove 103 is formed is not particularly limited, but in this embodiment, the measurement groove 103 is formed at an intermediate position between the opening 12 of the measurement substrate 100 and the outer periphery 13 which is the outermost peripheral portion of the glass substrate 100. To do.

図6は、図5(a)〜(b)に示した測定基板100を使用して研磨機50の研磨条件の調整を行なう手順を説明したフローチャートである。
以下、図5(a)〜(b)および図6を使用して研磨機50の研磨条件の調整を行なう手順の概略について説明を行なう。なお本実施の形態では、図5(a)〜(b)に示した測定基板100を2枚使用する。そして説明の便宜上、この2枚の測定基板100を第1の測定基板100aおよび第2の測定基板100bと言うことにする。
FIG. 6 is a flowchart illustrating a procedure for adjusting the polishing conditions of the polishing machine 50 using the measurement substrate 100 shown in FIGS.
The outline of the procedure for adjusting the polishing conditions of the polishing machine 50 will be described below with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (b) and FIG. In this embodiment, two measurement substrates 100 shown in FIGS. 5A to 5B are used. For convenience of explanation, the two measurement substrates 100 are referred to as a first measurement substrate 100a and a second measurement substrate 100b.

まず第1の測定基板100aを、両面を研磨する研磨機50の第1面を研磨する側に測定溝103が対峙するように研磨機50に配置する(ステップ101)。つまり研磨機50の両面のうちの第1面を研磨する側に第1の測定基板100aの第1表面101を対峙させて第1の測定基板100aを研磨機50に配置する。
次に第2の測定基板100bを、研磨機50の第2面を研磨する側に測定溝103が対峙するように研磨機50に配置する(ステップ102)。つまり研磨機50の両面のうちの第1面とは反対側の第2面を研磨する側に第2の測定基板100bの第1表面101を対峙させて第2の測定基板100bを研磨機50に配置する。その結果、測定基板100a,100bは、その第1表面101が互いに逆向きになるように配置される。本実施の形態では、保持具30(図3参照)の孔部34(図3参照)に測定基板100a,100bを配置する。またこの際に、測定基板100a,100bを配置した箇所以外の残りの箇所には、ガラス基板10を配置する。
次に研磨機50に配置された第1の測定基板100aと第2の測定基板100bとを研磨機50によって研磨する(ステップ103)。そして第1の測定基板100aの測定溝103と第2の測定基板100bの測定溝103との研磨後の深さを測定する(ステップ104)。測定溝103の深さは、例えば表面粗さ計を使用することで測定することができる。
更に測定された測定溝103の深さから研磨機50の第1面における研磨量と第2面における研磨量との差を算出する(ステップ105)。
そして算出された研磨機50の第1面における研磨量と第2面における研磨量との差を基にして、この研磨量の差を抑制するように研磨機50の研磨条件を調整する(ステップ106)。調整を行なう研磨条件は、例えば、研磨する際にガラス基板10に付与する研磨の圧力の変更や、下定盤21aや上定盤21bの回転数の変更などである。
First, the first measurement substrate 100a is arranged in the polishing machine 50 so that the measurement groove 103 faces the side of the polishing machine 50 that polishes both sides of the first surface (step 101). That is, the first measurement substrate 100a is disposed on the polishing machine 50 with the first surface 101 of the first measurement substrate 100a facing the first surface of the polishing machine 50 on which the first surface is polished.
Next, the second measurement substrate 100b is placed on the polishing machine 50 so that the measurement groove 103 faces the side of the polishing machine 50 where the second surface is polished (step 102). In other words, the first measurement surface 100b of the second measurement substrate 100b is opposed to the polishing surface 50 by making the first surface 101 of the second measurement substrate 100b face the second surface opposite to the first surface of both surfaces of the polishing machine 50. To place. As a result, the measurement substrates 100a and 100b are arranged such that the first surfaces 101 are opposite to each other. In the present embodiment, the measurement substrates 100a and 100b are arranged in the hole 34 (see FIG. 3) of the holder 30 (see FIG. 3). At this time, the glass substrate 10 is disposed in the remaining locations other than the locations where the measurement substrates 100a and 100b are disposed.
Next, the first measurement substrate 100a and the second measurement substrate 100b arranged in the polishing machine 50 are polished by the polishing machine 50 (step 103). Then, the depth after polishing of the measurement groove 103 of the first measurement substrate 100a and the measurement groove 103 of the second measurement substrate 100b is measured (step 104). The depth of the measurement groove 103 can be measured by using, for example, a surface roughness meter.
Further, the difference between the polishing amount on the first surface of the polishing machine 50 and the polishing amount on the second surface is calculated from the measured depth of the measurement groove 103 (step 105).
Then, based on the calculated difference between the polishing amount on the first surface of the polishing machine 50 and the polishing amount on the second surface, the polishing conditions of the polishing machine 50 are adjusted so as to suppress the difference in the polishing amount (step) 106). The polishing conditions for adjustment include, for example, a change in polishing pressure applied to the glass substrate 10 during polishing, a change in the number of rotations of the lower surface plate 21a and the upper surface plate 21b, and the like.

これにより実際にガラス基板10を研磨機50で研磨した際と同様の条件で、測定基板100a,100bの研磨を行なうことができる。この際、測定基板100a,100bはガラス基板10と同様の材料および同様の形状で作製されているため、測定基板100a,100bとガラス基板10とは同様にして研磨されるものとみなすことができる。結局、測定基板100a,100bの研磨溝103の深さを測定することで容易にガラス基板10の両面における研磨量の差が測定できることになる。
更に本実施の形態によれば、測定基板100を2枚使用することで、研磨機50にガラス基板10を配置したときにその位置の違いによる研磨量の差も同時に測定できる。そしてこの配置する位置の違いによる研磨量の差を抑制するように研磨機50の研磨条件の調整を行なうことができる。
Accordingly, the measurement substrates 100a and 100b can be polished under the same conditions as when the glass substrate 10 is actually polished by the polishing machine 50. At this time, since the measurement substrates 100a and 100b are made of the same material and the same shape as the glass substrate 10, the measurement substrates 100a and 100b and the glass substrate 10 can be regarded as being polished in the same manner. . Eventually, by measuring the depth of the polishing groove 103 of the measurement substrates 100a and 100b, the difference in polishing amount between both surfaces of the glass substrate 10 can be easily measured.
Furthermore, according to the present embodiment, by using two measurement substrates 100, when the glass substrate 10 is arranged in the polishing machine 50, the difference in polishing amount due to the difference in position can be measured simultaneously. Then, the polishing conditions of the polishing machine 50 can be adjusted so as to suppress the difference in the polishing amount due to the difference in the arrangement position.

以上述べた測定基板100では、その片面に測定溝が形成されていたがこれに限られるものではない。
図7(a)は、研磨機50の研磨条件の調整を行なうために使用する測定基板100の第2の例について説明した斜視図である。また図7(b)は、図7(a)に示した測定基板100のVIIb−VIIb断面図である。
In the measurement substrate 100 described above, the measurement groove is formed on one surface thereof, but the present invention is not limited to this.
FIG. 7A is a perspective view illustrating a second example of the measurement substrate 100 used for adjusting the polishing conditions of the polishing machine 50. FIG. 7B is a sectional view taken along the line VIIb-VIIb of the measurement substrate 100 shown in FIG.

図7(a)〜(b)に示した測定基板100は、図5(a)〜(b)に示した測定基板100と同様にガラス基板10と同一の材料および同一の形状で形成されている。ただし、図5(a)〜(b)に示した測定基板100とは異なり、図7(a)〜(b)に示した測定基板100では、測定溝は、測定基板100の両面に形成されている。即ち、図7(a)〜(b)の場合は、測定基板100の第1表面101に測定溝103が形成されると共に、第1表面101とは反対側の第2表面102にも測定溝104が形成される。   The measurement substrate 100 shown in FIGS. 7A to 7B is formed of the same material and the same shape as the glass substrate 10 like the measurement substrate 100 shown in FIGS. Yes. However, unlike the measurement substrate 100 shown in FIGS. 5A to 5B, in the measurement substrate 100 shown in FIGS. 7A and 7B, the measurement grooves are formed on both surfaces of the measurement substrate 100. ing. 7A and 7B, the measurement groove 103 is formed on the first surface 101 of the measurement substrate 100, and the measurement groove is also formed on the second surface 102 opposite to the first surface 101. 104 is formed.

測定溝104の幅(W)、長さ(L)、深さ(H)は、測定溝103と同様にして形成することができる。なお測定溝104が形成される位置は、測定基板100の開孔12と外周13の中間箇所に形成するのは測定溝103と同様であるが、測定溝103とは、円周方向に沿ってずらして形成することが好ましい。同一の箇所に形成しない方が、後述する測定溝103,104の深さの測定の際に、測定がより容易となる。   The width (W), length (L), and depth (H) of the measurement groove 104 can be formed in the same manner as the measurement groove 103. The measurement groove 104 is formed at the intermediate position between the opening 12 and the outer periphery 13 of the measurement substrate 100 in the same manner as the measurement groove 103. However, the measurement groove 103 is along the circumferential direction. It is preferable to form by shifting. When the depths of the measurement grooves 103 and 104, which will be described later, are measured, it is easier to form them when they are not formed at the same location.

図8は、図7(a)〜(b)に示した測定基板100を使用して研磨機50の研磨条件の調整を行なう手順を説明したフローチャートである。
以下、図7(a)〜(b)および図8を使用して研磨機50の研磨条件の調整を行なう手順の概略について説明を行なう。なお本実施の形態では、図7(a)〜(b)に示した測定基板100を2枚使用する。そして説明の便宜上、この2枚の測定基板100を第1の測定基板100aおよび第2の測定基板100bと言うことにする。
FIG. 8 is a flowchart illustrating a procedure for adjusting the polishing conditions of the polishing machine 50 using the measurement substrate 100 shown in FIGS.
Hereinafter, an outline of a procedure for adjusting the polishing conditions of the polishing machine 50 will be described with reference to FIGS. 7A to 7B and FIG. 8. In this embodiment, two measurement substrates 100 shown in FIGS. 7A to 7B are used. For convenience of explanation, the two measurement substrates 100 are referred to as a first measurement substrate 100a and a second measurement substrate 100b.

まず表面に測定溝103,104が形成された測定基板100a,100bを研磨機50に配置する(ステップ201)。本実施の形態では、保持具30(図3参照)の孔部34(図3参照)に測定基板100a,100bを配置する。またこの際に、測定基板100a,100bを配置した箇所以外の残りの箇所には、ガラス基板10を配置する。次に研磨機50に配置された測定基板100a,100bの両面を同時に研磨する(ステップ202)。そして研磨後の測定基板100に残された測定溝103,104の深さを測定する(ステップ203)。更に測定された測定溝103,104の深さから測定基板100a,100bの両面における研磨量の差を算出する(ステップ204)。そして算出された測定基板100a,100bの両面における研磨量の差を基にして、この研磨量の差を抑制するように研磨機50の研磨条件を調整する(ステップ205)。   First, the measurement substrates 100a and 100b having the measurement grooves 103 and 104 formed on the surface are placed in the polishing machine 50 (step 201). In the present embodiment, the measurement substrates 100a and 100b are arranged in the hole 34 (see FIG. 3) of the holder 30 (see FIG. 3). At this time, the glass substrate 10 is disposed in the remaining locations other than the locations where the measurement substrates 100a and 100b are disposed. Next, both surfaces of the measurement substrates 100a and 100b arranged in the polishing machine 50 are simultaneously polished (step 202). Then, the depths of the measurement grooves 103 and 104 left on the polished measurement substrate 100 are measured (step 203). Further, a difference in polishing amount between both surfaces of the measurement substrates 100a and 100b is calculated from the measured depths of the measurement grooves 103 and 104 (step 204). Then, based on the calculated difference in polishing amount on both surfaces of the measurement substrates 100a and 100b, the polishing conditions of the polishing machine 50 are adjusted so as to suppress this difference in polishing amount (step 205).

このように測定基板100の測定溝103,104の深さを測定することで、ガラス基板10の両面における研磨量の差および測定基板100を配置する位置の違いによる研磨量の差が測定できる。そしてこれらの研磨量の差を抑制するように研磨機50の研磨条件の調整を行なうことができる。また本実施の形態によれば、測定基板100の両面に測定溝103,104が形成されているため、ガラス基板10の両面における研磨量の差と、研磨機50にガラス基板10を配置したときの位置の違いによる研磨量の差をより明確に切り分けて測定することができる。   Thus, by measuring the depth of the measurement grooves 103 and 104 of the measurement substrate 100, the difference in the polishing amount due to the difference in the polishing amount on both surfaces of the glass substrate 10 and the position where the measurement substrate 100 is disposed can be measured. The polishing conditions of the polishing machine 50 can be adjusted so as to suppress the difference between the polishing amounts. Further, according to the present embodiment, since the measurement grooves 103 and 104 are formed on both surfaces of the measurement substrate 100, when the glass substrate 10 is disposed in the polishing machine 50 due to the difference in polishing amount on both surfaces of the glass substrate 10. The difference in the polishing amount due to the difference in position can be measured more clearly.

なお上述した手法による研磨機50の研磨条件の調整は、1次ポリッシュ工程で行なうより2次ポリッシュ工程で行なう方がより有効である。
即ち、1次ポリッシュ工程における研磨量は、例えば、30μmである。一方、2次ポリッシュ工程における研磨量は、例えば、4μmである。この場合、1次ポリッシュ工程では研磨量が大きいため他の方法でもガラス基板10の両面における研磨量の差を測定することができる。
The adjustment of the polishing conditions of the polishing machine 50 by the above-described method is more effective in the secondary polishing process than in the primary polishing process.
That is, the polishing amount in the primary polishing step is, for example, 30 μm. On the other hand, the polishing amount in the secondary polishing step is, for example, 4 μm. In this case, since the polishing amount is large in the primary polishing step, the difference in the polishing amount on both surfaces of the glass substrate 10 can be measured by other methods.

図9は、ガラス基板10の両面における研磨量の差を測定する他の例を説明した図である。
図9では、ガラス基板10の外周13付近を図示している。ここで、外周13において面10cは、上述した内外周研削工程において面取りされた部分である。ここで点線で示した部分は、1次ポリッシュ工程前のガラス基板10の断面を示している。また実線で示した部分は、1次ポリッシュ工程後のガラス基板10の断面を示している。
FIG. 9 is a diagram illustrating another example of measuring a difference in polishing amount between both surfaces of the glass substrate 10.
In FIG. 9, the vicinity of the outer periphery 13 of the glass substrate 10 is illustrated. Here, in the outer periphery 13, the surface 10c is a chamfered portion in the above-described inner and outer periphery grinding process. Here, a portion indicated by a dotted line shows a cross section of the glass substrate 10 before the primary polishing step. Moreover, the part shown with the continuous line has shown the cross section of the glass substrate 10 after a primary polishing process.

ここで、面取りされた部分である面10cの形状からガラス基板10の第1表面10aおよび第2表面10bにおける研磨量の差を測定することができる。即ち、図9において、ガラス基板10の第1表面10aと面10c、およびガラス基板10の第2表面10bと面10cとが交差する部分を基準として、ガラス基板10の第1表面10aと第2表面10bの研磨量が算出できる。第1表面10aの研磨量を算出する場合を例に採り、更に具体的に説明すると、まず1次ポリッシュ工程前のガラス基板10の第1表面10aから見た面10cの幅は、「a」である。また1次ポリッシュ工程後のガラス基板10の第1表面10aから見た面10cの幅は、「b」である。そしてこの差を採ることで、1次ポリッシュ工程で研磨された面10cの第1表面10aから見た幅「c」が求まる(c=a−b)。第1表面10aと面10cとの角度は予めわかっているため、「c」の値から第1表面10aの研磨量が算出できる。そして同様の方法で第2表面10bの研磨量を算出することで、ガラス基板10の両面における研磨量の差を算出することができる。なおこの方法では、測定基板としてガラス基板10をそのまま用いることができる。   Here, the difference in the polishing amount between the first surface 10a and the second surface 10b of the glass substrate 10 can be measured from the shape of the surface 10c which is a chamfered portion. That is, in FIG. 9, the first surface 10a and the second surface 10c of the glass substrate 10 and the second surface 10b of the glass substrate 10 and the second surface 10b and the surface 10c of the glass substrate 10 intersect as a reference. The polishing amount of the surface 10b can be calculated. Taking the case of calculating the polishing amount of the first surface 10a as an example, more specifically, first, the width of the surface 10c viewed from the first surface 10a of the glass substrate 10 before the primary polishing step is “a”. It is. In addition, the width of the surface 10c viewed from the first surface 10a of the glass substrate 10 after the primary polishing step is “b”. Then, by taking this difference, the width “c” of the surface 10c polished in the primary polishing process viewed from the first surface 10a is obtained (c = a−b). Since the angle between the first surface 10a and the surface 10c is known in advance, the polishing amount of the first surface 10a can be calculated from the value of “c”. And the difference of the grinding | polishing amount in both surfaces of the glass substrate 10 is computable by calculating the grinding | polishing amount of the 2nd surface 10b by the same method. In this method, the glass substrate 10 can be used as it is as the measurement substrate.

一方、2次ポリッシュ工程では、上述の通り、研磨量が非常に小さいため、図9で示した方法では、ガラス基板10の両面における研磨量の差を正確に算出するのが困難である。そのため図5〜図8で上述した手法がより有効となる。即ち、1次ポリッシュ工程では、表面に測定溝が形成されない測定基板を用いて研磨機50の研磨条件の調整を行ない、2次ポリッシュ工程では、表面に測定溝が形成された測定基板100を用いて研磨機50の研磨条件の調整を行なうことができる。   On the other hand, in the secondary polishing step, as described above, the polishing amount is very small. Therefore, it is difficult to accurately calculate the difference between the polishing amounts on both surfaces of the glass substrate 10 by the method shown in FIG. Therefore, the method described above with reference to FIGS. 5 to 8 becomes more effective. That is, in the primary polishing step, the polishing conditions of the polishing machine 50 are adjusted using a measurement substrate in which no measurement groove is formed on the surface, and in the secondary polishing step, the measurement substrate 100 in which the measurement groove is formed on the surface is used. Thus, the polishing conditions of the polishing machine 50 can be adjusted.

なお、強化層を設ける場合は、上述したとおり、研磨工程で強化層を除去する必要がある。しかしながら研磨を行なう際に、一方の面と他方の面との研磨量に差が生じると、他方の面に設けられた強化層が一部除去されず残存する場合が生じる。この場合、ガラス基板10の一方の面と他方の面との間で応力のバランスが崩れ、ガラス基板10に反りが生じやすくなる。そのため強化層を設ける場合は、研磨条件の調整は、強化層を取り除くように調整されることが好ましい。   In addition, when providing a reinforcement layer, it is necessary to remove a reinforcement layer at a grinding | polishing process as mentioned above. However, when polishing is performed, if there is a difference in the polishing amount between one surface and the other surface, a part of the reinforcing layer provided on the other surface may not be removed and may remain. In this case, the balance of stress is lost between one surface of the glass substrate 10 and the other surface, and the glass substrate 10 is likely to warp. Therefore, when providing a reinforcement layer, it is preferable to adjust the polishing conditions so as to remove the reinforcement layer.

10…ガラス基板、50…研磨機、100…測定基板、101…第1表面、102…第2表面、103,104…測定溝 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Glass substrate, 50 ... Polishing machine, 100 ... Measurement substrate, 101 ... First surface, 102 ... Second surface, 103, 104 ... Measurement groove

Claims (7)

複数の円盤状基板の第1面および第2面を研磨装置を用いて同時に研磨する円盤状基板の製造方法であって、
表面に測定溝が形成された第1の測定基板を、前記研磨装置の前記第1面を研磨する側に当該測定溝が対峙するように当該研磨装置に配置し、
表面に測定溝が形成された第2の測定基板を、前記研磨装置の前記第2面を研磨する側に当該測定溝が対峙するように当該研磨装置に配置し、
前記研磨装置に配置された前記第1の測定基板と前記第2の測定基板とを当該研磨装置によって研磨し、
前記第1の測定基板の測定溝と前記第2の測定基板の測定溝の研磨後の深さを測定し、前記研磨装置による前記円盤状基板の両面の研磨条件を調整することを特徴とする円盤状基板の製造方法。
A method of manufacturing a disk-shaped substrate, wherein a first surface and a second surface of a plurality of disk-shaped substrates are simultaneously polished using a polishing apparatus,
A first measurement substrate having a measurement groove formed on a surface thereof is disposed in the polishing apparatus such that the measurement groove faces the side of the polishing apparatus on which the first surface is polished;
A second measurement substrate having a measurement groove formed on a surface thereof is disposed in the polishing apparatus so that the measurement groove faces the side of the polishing apparatus on which the second surface is polished;
Polishing the first measurement substrate and the second measurement substrate disposed in the polishing apparatus by the polishing apparatus,
The depth after polishing of the measurement groove of the first measurement substrate and the measurement groove of the second measurement substrate is measured, and the polishing condition of both surfaces of the disk-shaped substrate by the polishing apparatus is adjusted. A method for manufacturing a disk-shaped substrate.
前記第1の測定基板の測定溝および前記第2の測定基板の測定溝は、当該第1の測定基板および当該第2の測定基板の第1表面に形成され、
前記研磨装置の前記両面のうちの第1面を研磨する側に前記第1の測定基板の第1表面を対峙させて当該第1の測定基板を当該研磨装置に配置し、
前記研磨装置の前記両面のうちの前記第1面とは反対側の第2面を研磨する側に前記第2の測定基板の前記第1表面を対峙させて当該第2の測定基板を当該研磨装置に配置することを特徴とする請求項1または2に記載の円盤状基板の製造方法。
The measurement groove of the first measurement substrate and the measurement groove of the second measurement substrate are formed on the first surface of the first measurement substrate and the second measurement substrate,
The first measurement substrate is disposed in the polishing apparatus with the first surface of the first measurement substrate facing the first surface of the both surfaces of the polishing apparatus facing the first surface,
The second measurement substrate is polished by causing the first surface of the second measurement substrate to face the second surface of the polishing apparatus opposite to the first surface that is opposite to the first surface. 3. The method for manufacturing a disk-shaped substrate according to claim 1, wherein the disk-shaped substrate is disposed in an apparatus.
前記研磨条件の調整は、前記第1の測定基板の測定溝の深さおよび前記第2の測定基板の測定溝の深さを測定することにより算出される前記研磨装置の第1面における研磨量と第2面における研磨量との差を抑制するように調整されることを特徴とする請求項2に記載の円盤状基板の製造方法。   The polishing condition is adjusted by measuring the polishing amount on the first surface of the polishing apparatus calculated by measuring the depth of the measurement groove of the first measurement substrate and the depth of the measurement groove of the second measurement substrate. The method for manufacturing a disk-shaped substrate according to claim 2, wherein adjustment is performed so as to suppress a difference between the polishing amount on the second surface and the polishing amount on the second surface. 前記第1の測定基板の測定溝および前記第2の測定基板の測定溝は、当該第1の測定基板および当該第2の測定基板の両面に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の円盤状基板の製造方法。   The measurement groove of the first measurement board and the measurement groove of the second measurement board are formed on both surfaces of the first measurement board and the second measurement board, respectively. 2. A method for producing a disk-shaped substrate according to 2. 前記研磨条件の調整は、前記第1の測定基板の測定溝の深さおよび前記第2の測定基板の測定溝の深さを測定することにより算出される前記研磨装置の研磨量の差を抑制するように調整されることを特徴とする請求項4に記載の円盤状基板の製造方法。   The adjustment of the polishing condition suppresses the difference in the polishing amount of the polishing apparatus calculated by measuring the depth of the measurement groove of the first measurement substrate and the depth of the measurement groove of the second measurement substrate. It adjusts so that it may carry out, The manufacturing method of the disk shaped board | substrate of Claim 4 characterized by the above-mentioned. 前記円盤状基板の研磨は、当該円盤状基板の粗研磨を行なう前段研磨工程と当該円盤状基板の精密研磨を行なう後段研磨工程により行い、
前記前段研磨工程では、表面に前記測定溝が形成されない測定基板を用いて研磨条件の調整を行ない、
前記後段研磨工程では、表面に前記測定溝が形成された前記第1の測定基板および前記第2の測定基板を用いて前記研磨条件の調整を行なうことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の円盤状基板の製造方法。
The polishing of the disc-shaped substrate is performed by a pre-polishing step for rough polishing the disc-shaped substrate and a post-polishing step for performing precise polishing of the disc-shaped substrate,
In the pre-polishing step, the polishing conditions are adjusted using a measurement substrate in which the measurement groove is not formed on the surface,
6. The polishing process according to claim 1, wherein, in the subsequent polishing step, the polishing conditions are adjusted using the first measurement substrate and the second measurement substrate having the measurement groove formed on a surface thereof. A method for producing a disk-shaped substrate according to claim 1.
前記円盤状基板は両面に圧縮応力層が形成され、
前記研磨条件の調整は、前記圧縮応力層を取り除くように調整されることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の円盤状基板の製造方法。
The disk-shaped substrate has a compressive stress layer formed on both sides,
The method for manufacturing a disk-shaped substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the polishing condition is adjusted so as to remove the compressive stress layer.
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