JP2012013880A - Method for producing resist composition - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レジスト組成物の製造方法等に関する。 The present invention relates to a method for producing a resist composition.
特許文献１には、樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合して得られる溶液を、ポリエチレンフィルタでろ過してレジスト組成物を得るレジスト組成物の製造方法が記載されている。 Patent Document 1 describes a method for producing a resist composition in which a solution obtained by mixing a resin, an acid generator and a solvent is filtered through a polyethylene filter to obtain a resist composition.
従来のレジスト組成物の製造方法では、得られるレジスト組成物を用いて形成したパターンに欠陥が発生する場合があった。 In the conventional method for producing a resist composition, a defect may occur in a pattern formed using the obtained resist composition.
本発明は、以下の発明を含む。
〔１〕 樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合して得られる混合液をセラミックス製のフィルタでろ過してレジスト組成物を得るレジスト組成物の製造方法。
The present invention includes the following inventions.
[1] A method for producing a resist composition, wherein a mixed liquid obtained by mixing a resin, an acid generator and a solvent is filtered through a ceramic filter to obtain a resist composition.
〔２〕 樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である〔１〕記載のレジスト組成物の製造方法。 [2] The resist composition according to [1], wherein the resin has an acid labile group and is insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution and can be dissolved in an aqueous alkali solution by the action of an acid. Production method.
〔３〕 樹脂、酸発生剤、溶剤及びクエンチャーを混合して得られる混合液をセラミックス製のフィルタでろ過してレジスト組成物を得る〔１〕又は〔２〕記載のレジスト組成物の製造方法。 [3] A method for producing a resist composition according to [1] or [2], wherein a mixed liquid obtained by mixing a resin, an acid generator, a solvent and a quencher is filtered through a ceramic filter to obtain a resist composition .
〔４〕 セラミック製のフィルタの材質が、Ａｌ２Ｏ３である〔１〕〜〔３〕のいずれか記載のレジスト組成物の製造方法。 [4] The method for producing a resist composition according to any one of [1] to [3], wherein the material of the ceramic filter is Al 2 O 3 .
セラミック製のフィルタの平均孔径が０．０１μｍ以下である〔１〕〜〔４〕のいずれか記載のレジスト組成物の製造方法。 The method for producing a resist composition according to any one of [1] to [4], wherein an average pore diameter of the ceramic filter is 0.01 μm or less.
〔５〕 （３）〔１〕〜〔５〕のいずれか記載のレジスト組成物の製造方法によって得られたレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（４）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
（５）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（６）露光後の組成物層を加熱する工程、及び、
（７）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
[5] (3) The process of apply | coating the resist composition obtained by the manufacturing method of the resist composition in any one of [1]-[5] on a board | substrate,
(4) removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(5) A step of exposing the composition layer using an exposure machine,
(6) a step of heating the composition layer after exposure, and
(7) a step of developing the heated composition layer using a developing device;
A method for producing a resist pattern including:
本発明のレジスト組成物の製造方法によれば、得られるレジスト組成物を用いて欠陥の少ないパターンを得ることができる。 According to the method for producing a resist composition of the present invention, a pattern with few defects can be obtained using the obtained resist composition.
本発明のレジスト組成物の製造方法は、樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合して得られる混合液をセラミックス製のフィルタでろ過してレジスト組成物を得ることを特徴とする。 The method for producing a resist composition of the present invention is characterized by obtaining a resist composition by filtering a mixed solution obtained by mixing a resin, an acid generator and a solvent through a ceramic filter.
セラミックス製のフィルタでろ過して混合液を精製することにより、混合液へのろ過膜成分由来の不純物の混入を抑制することができる。
セラミックス製のフィルタの孔径は、平均孔径が、０．００４μｍ以上であることが好ましい。セラミックス製のフィルタの孔径は、例えば５μｍ以下であり、０．１μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以下であることがより好ましく、０．０１μｍ以下であることが特に好ましい。ここでいう「平均孔径」とは、ＪＩＳ Ｒ１６５５（ファインセラミックスの水銀圧入法による成形体気孔径分布試験方法）により求めた値である。
セラミックス製のフィルタの形状は特に限定されないが、少なくとも１個の貫通孔を備える円管又は角管型であることが好ましい。
By purifying the mixed solution by filtering with a ceramic filter, it is possible to suppress the contamination from the filter membrane component in the mixed solution.
The average pore size of the ceramic filter is preferably 0.004 μm or more. The pore size of the ceramic filter is, for example, 5 μm or less, preferably 0.1 μm or less, more preferably 0.05 μm or less, and particularly preferably 0.01 μm or less. The “average pore diameter” referred to here is a value obtained by JIS R1655 (a method for testing a pore diameter distribution of a molded article by a mercury intrusion method of fine ceramics).
The shape of the ceramic filter is not particularly limited, but is preferably a circular tube or a square tube type having at least one through hole.
図１は、セラミックス製のフィルタの形状の一例を示す概略図である。セラミックス製のフィルタ１は、直円柱形状であり、側面部２、底面部３及び上面部４を有し、さらに複数の貫通孔５が設けられている。貫通孔５は、底面部３及び上面部４の間を貫通している貫通孔である。
例えば、セラミックス製のフィルタ１を用いてろ過をする方法には、直ろ過と、クロスフローろ過との２種類の方法がある。
図２は、直ろ過を説明する概略図である。直ろ過では、原液を矢印６の方向に注入し、矢印７及び矢印８の方向へ、ろ過液が排出する。原液中の不純物は、セラミックス製のフィルタ１によって除去される。
セラミックス製のフィルタの材質としては、例えば、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、及びＡｌ２Ｏ３等が挙げられ、Ａｌ２Ｏ３が好ましい。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of the shape of a ceramic filter. The ceramic filter 1 has a right circular column shape, includes a
For example, there are two types of methods of filtering using a ceramic filter 1 including direct filtration and crossflow filtration.
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating direct filtration. In direct filtration, the stock solution is injected in the direction of
Examples of the material for the ceramic filter include TiO 2 , ZrO 2 , and Al 2 O 3 , and Al 2 O 3 is preferable.
セラミックス製のフィルタは、例えばセフィルト（商品名、日本ガイシ株式会社製）として市販されている。
セラミックス製のフィルタは、使用後に逆洗することにより、フィルタに残った異物を除去することができ、耐熱性に優れるので、使用後にフィルタをベークすることにより、残った異物を焼いて除去することがで、耐溶剤性に優れるので、使用後のフィルタを有機溶剤で洗浄することにより、残った異物を溶かして除去することができる。このように、様々な方法で使用後のフィルタに残った異物を除去できるので、セラミックス製のフィルタは繰り返し使用することができる。
また、セラミックス製のフィルタを用いることにより、ろ過回数を削減することができる。
Ceramic filters are commercially available, for example, as cefilt (trade name, manufactured by NGK Co., Ltd.).
Ceramic filters can remove foreign matter left on the filter by backwashing after use, and have excellent heat resistance, so the remaining foreign matter can be baked and removed by baking the filter after use. However, since it is excellent in solvent resistance, the remaining foreign matter can be dissolved and removed by washing the used filter with an organic solvent. In this way, foreign matters remaining on the used filter can be removed by various methods, and therefore the ceramic filter can be used repeatedly.
Moreover, the frequency | count of filtration can be reduced by using the filter made from ceramics.
本発明のレジスト組成物の製造方法では、樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合して混合液を得た後に、セラミックス製のフィルタでろ過してもよいし、樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合しながらセラミックス製のフィルタでろ過してもよい。
ろ過を行う際の条件は、適宜調整することができる。例えば、混合液の透過流束は、例えば１０〜２００ｋｇ／（ｍ２・ｈｒ）であり、１０〜１００ｋｇ／（ｍ２・ｈｒ）であることが好ましく、１０〜５０ｋｇ／（ｍ２・ｈｒ）であることがより好ましく、１０〜３０ｋｇ／（ｍ２・ｈｒ）であることが特に好ましい。
ろ過を行う回数は、１回でも複数回でもよい。
In the method for producing a resist composition of the present invention, after a resin, an acid generator and a solvent are mixed to obtain a mixed solution, it may be filtered with a ceramic filter, or the resin, the acid generator and the solvent are mixed. However, you may filter with the filter made from ceramics.
The conditions for performing filtration can be appropriately adjusted. For example, the permeation flux of the mixture is, for example, 10~200kg / (m 2 · hr) , is preferably 10~100kg / (m 2 · hr) , 10~50kg / (
The number of times of filtration may be one time or multiple times.
本発明のレジスト組成物の製造方法は、セラミックス製のフィルタではないその他のフィルタでろ過する工程を含んでいてもよい。その他のフィルタとしては、フッ素フィルタ、ナイロンフィルタ、中空子フィルタ及びポリエチレンフィルタ等のフィルタが挙げられる。 The method for producing a resist composition of the present invention may include a step of filtering with another filter that is not a ceramic filter. Examples of other filters include filters such as a fluorine filter, a nylon filter, a hollow filter, and a polyethylene filter.
レジスト組成物は、樹脂及び酸発生剤を含有し、さらに塩基性化合物及び溶剤を含有することが好ましい。
樹脂は、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であることが好ましい。酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂とは、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂であり、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基を有する樹脂である。アルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、水酸基、スルホン酸基などが挙げられる。酸の作用で分解し得る基としては、−ＣＯＯＨ基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基が挙げられる。
The resist composition preferably contains a resin and an acid generator, and further contains a basic compound and a solvent.
The resin is preferably a resin that has an acid-labile group, is insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution, and can be dissolved in an aqueous alkali solution by the action of an acid. Resin that has an acid labile group and is insoluble or hardly soluble in alkaline aqueous solution and can be dissolved in alkaline aqueous solution by the action of acid decomposes by the action of acid and increases the solubility in alkaline developer. It is a resin having a group that decomposes by the action of an acid to generate an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a hydroxyl group, and a sulfonic acid group. Examples of the group that can be decomposed by the action of an acid include a group in which the hydrogen atom of the —COOH group is substituted with a group capable of leaving with an acid.
酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂としては、公知の樹脂が挙げられ、例えば特開２０１０−２６４８６号公報に記載されたモノマーに由来する構造単位を有する樹脂等が挙げられ、例えば下記のモノマーに由来する構造単位を有する樹脂等が挙げられる。
酸発生剤としては、特開２００６−２５７０７８号公報、特開２００７−２２４００８号公報及び特開２００４−４５６１号公報に記載された塩等が挙げられ、好ましくはトリフェニルスルホニウム１−（（３−ヒドロキシアダマンチル）メトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート等である。 Examples of the acid generator include salts described in JP-A No. 2006-257078, JP-A No. 2007-224008 and JP-A No. 2004-4561, and triphenylsulfonium 1-((3- Hydroxyadamantyl) methoxycarbonyl) difluoromethanesulfonate and the like.
塩基性化合物としては、特開２０１０−１００８４２号公報に記載された塩基性化合物等が挙げられ、好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリン等である。
溶剤としては、特開２０１０−１００８４２号公報に記載された溶剤等が挙げられ、好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びγ−ブチロラクトン等である。
Examples of the basic compound include the basic compounds described in JP2010-10000842, and 2,6-diisopropylaniline is preferable.
Examples of the solvent include those described in JP 2010-1000084 A, preferably propylene glycol monomethyl ether acetate, 2-heptanone, propylene glycol monomethyl ether, and γ-butyrolactone.
レジスト組成物は、その全固形分量を基準に、樹脂を８０〜９９.９重量％程度、酸発生剤を０．１〜３０重量％程度の範囲で含有することが好ましい。
また、塩基性化合物を用いる場合は、レジスト組成物の全固形分量を基準に、０．０１〜１重量％程度の範囲で含有するのが好ましい。全固形分量とは、レジスト組成物から溶媒を除いた成分の合計量をいう。
The resist composition preferably contains the resin in the range of about 80 to 99.9% by weight and the acid generator in the range of about 0.1 to 30% by weight based on the total solid content.
Moreover, when using a basic compound, it is preferable to contain in the range of about 0.01 to 1 weight% on the basis of the total amount of solids of a resist composition. The total solid content means the total amount of components obtained by removing the solvent from the resist composition.
本発明のレジストパターンの製造方法は、（１）レジスト組成物の製造方法によって得られたレジスト組成物を基板上に塗布する工程、（２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び、（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。 The method for producing a resist pattern of the present invention includes (1) a step of applying a resist composition obtained by the method of producing a resist composition on a substrate, and (2) a composition by removing a solvent from the composition after application. A step of forming a layer, (3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine, (4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) development of the composition layer after heating. And developing with an apparatus.
基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで酸に不安定な基の反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液が用いられることが多い。 The resist film coated on the substrate and dried is subjected to an exposure process for patterning, followed by a heat treatment for promoting the reaction of acid labile groups, and then developed with an alkali developer. Is done. The alkaline developer used here may be various alkaline aqueous solutions used in this field, but generally an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide or (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline) is used. Often used.
本発明のレジスト組成物の製造方法により製造されたレジスト組成物は、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィならびにＡｒＦ液浸露光リソグラフィに好適なレジスト組成物として用いることができる。 The resist composition produced by the method for producing a resist composition of the present invention can be used as a resist composition suitable for excimer laser lithography such as ArF and KrF and ArF immersion exposure lithography.
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型、カラムは”ＴＳＫｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ”３本、溶媒はテトラヒドロフラン）により求めた値である。
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μｌ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples.
In Examples and Comparative Examples, “%” and “part” representing content and use amount are based on mass unless otherwise specified.
The weight average molecular weight is a value obtained by gel permeation chromatography (HLC-8120GPC, manufactured by Tosoh Corporation, three columns are “TSKgel Multipore HXL-M”, and the solvent is tetrahydrofuran) using polystyrene as a standard product.
Column: TSKgel Multipore H XL -
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)
合成例１：樹脂Ａ１の合成
モノマーＥ、モノマーＦ、モノマーＢ、モノマーＣ及びモノマーＤを、モル比３０：１４：６：２０：３０の割合で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％との割合で添加し、これを７３℃で約５時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（４：１）に注いで沈殿させる操作を３回行うことにより精製し、重量平均分子量が約８．１×１０３である共重合体を収率６５％で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ１とした。
Synthesis Example 1: Synthesis of Resin A1 Monomer E, monomer F, monomer B, monomer C and monomer D were charged in a molar ratio of 30: 14: 6: 20: 30. Subsequently, 1.5 mass times dioxane was added with respect to the total mass of all the monomers. Into the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were respectively added to 1.00 mol% and 3.00 mol% with respect to the total number of moles of all monomers. And heated at 73 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution is purified by performing the operation of pouring into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times, and the weight average molecular weight is about 8.1 × 10 3. The coalescence was obtained with a yield of 65%. The obtained copolymer has a structural unit derived from each monomer of the following formula, and this was designated as resin A1.
＜樹脂＞
樹脂Ａ１
＜酸発生剤＞
酸発生剤Ｂ１：トリフェニルスルホニウム１−（（３−ヒドロキシアダマンチル）メトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート
Resin A1
<Acid generator>
Acid generator B1: Triphenylsulfonium 1-((3-hydroxyadamantyl) methoxycarbonyl) difluoromethanesulfonate
＜塩基性化合物：クエンチャー＞
クエンチャーＣ１：２，６−ジイソプロピルアニリン
＜溶剤＞
溶剤Ｓ１：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６７．０部
２−ヘプタノン ３５．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０．０部
γ−ブチロラクトン ３．０部
<Basic compound: Quencher>
Quencher C1: 2,6-diisopropylaniline <solvent>
Solvent S1:
Propylene glycol monomethyl ether acetate 267.0 parts 2-heptanone 35.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts γ-butyrolactone 3.0 parts
表１のように各成分を混合し、１２時間撹拌した。 Each component was mixed as shown in Table 1 and stirred for 12 hours.
１２時間撹拌後、ＰＴＦＥフィルタ０．１μｍ（日本インテグリス社、カタログＮｏ：ＰＴＶＷ１４２２５）を用い、ろ過圧力を３０ｋＰａに設定し、２回ろ過をおこなって得られた混合液について、表２に示すフィルタ種およびろ過圧で、直ろ過によるろ過を行い、レジスト組成物を得た。 After stirring for 12 hours, PTFE filter 0.1 μm (Nippon Integris Co., Ltd., Catalog No: PTVW14225) is used, and the filtration pressure is set to 30 kPa. Then, filtration was performed by direct filtration at a filtration pressure to obtain a resist composition.
（セラミックス製のフィルタの詳細）
形状：モノリス型
底面部及び上面部の直径：３０ｍｍ
貫通孔の直径：３ｍｍ
貫通孔の数：３７個
長さ：１５０ｍｍ
ろ過面積：０．０５２５ｍ２
（ポリエチレン製のフィルタの詳細）
製造元：日本インテグリス社
型番：ＣＷＡＹ１４２５０
(Details of ceramic filter)
Shape: Monolith type Bottom and top diameter: 30mm
Through hole diameter: 3 mm
Number of through-holes: 37 Length: 150mm
Filtration area: 0.0525m 2
(Details of polyethylene filter)
Manufacturer: Nihon Entegris Co., Ltd. Model: CWAY14250
＜欠陥評価１＞
１２インチのシリコン製ウエハ上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ２９Ａ；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８０ｎｍとなるようにスピンコートした。
レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、８５℃で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト組成物膜を形成したウエハに、露光用ＡｒＦスキャナ［ＦＰＡ５０００ＡＳ３；ＣＡＮＯＮ社製、ＮＡ＝０．７５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ照明］を用いて、８５ｎｍラインアンドスペースのマスクを用い、現像後の線幅が８５ｎｍとなる露光量で８５ｎｍラインアンドスペースを露光した。
露光後、ホットプレート上にて、８５℃で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１５秒間の現像を行った。
<Defect evaluation 1>
An organic antireflective coating composition [ARC29A; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.] is applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to provide an organic reflection having a thickness of 78 nm. A prevention film was formed. Subsequently, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying was 80 nm.
After applying the resist composition, the obtained silicon wafer was pre-baked (PB) at 85 ° C. for 60 seconds on a direct hot plate. Using the exposure ArF scanner [FPA5000AS3; manufactured by CANON, NA = 0.75, 3/4 Annular illumination] on the wafer thus formed with the resist composition film, using an 85 nm line and space mask, the developed line An 85 nm line and space was exposed with an exposure amount such that the width was 85 nm.
After exposure, post-exposure baking (PEB) was performed at 85 ° C. for 60 seconds on a hot plate, and development was further performed with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 15 seconds.
上記で得られたパターンつきウエハを表面欠陥検査計（ＫＬＡテンコール社製、ＫＬＡ―２３６０）を使用して、現像後の欠陥検査測定を行った。現像後の欠陥数の評価は、現像後のラインアンドスペースパターンにブリッジなどが形成され、ラインアンドスペースパターンがきれいに抜けて現像されていない場合やパターンつきウエハ上の異物などを欠陥とした。ウエハ上の全欠陥数を下記表３に示した。 The wafer with a pattern obtained above was subjected to defect inspection measurement after development using a surface defect inspection meter (KLA-2360, manufactured by KLA Tencor). In the evaluation of the number of defects after development, a bridge or the like was formed in the line-and-space pattern after development, and the case where the line-and-space pattern was not clearly developed and developed, or foreign matter on the patterned wafer was regarded as a defect. The total number of defects on the wafer is shown in Table 3 below.
＜欠陥評価２＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ２９Ａ；日産化学（株）製）を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８０ｎｍとなるようにスピンコートした。レジスト組成物を塗布したシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、８５℃で６０秒間プリベークし、レジスト膜を形成した。レジスト膜が形成されたシリコンウェハに、ＡｒＦ液浸スキャナ［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光照明］を用いて、４５ｎｍラインアンドスペースのマスクを用い、現像後の線幅が４５ｎｍとなる露光量で４５ｎｍラインアンドスペースを露光した。
露光後、ホットプレート上にて、８５℃で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１５秒間の現像を行った。
<Defect
An organic antireflective coating composition (ARC29A; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied to a silicon wafer, and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an organic antireflective coating having a thickness of 78 nm. . Subsequently, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying was 80 nm. The silicon wafer coated with the resist composition was pre-baked on a direct hot plate at 85 ° C. for 60 seconds to form a resist film. Using an ArF immersion scanner (XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized illumination) on a silicon wafer on which a resist film is formed, using a 45 nm line and space mask The 45 nm line and space was exposed with an exposure amount at which the line width after development was 45 nm.
After exposure, post-exposure baking (PEB) was performed at 85 ° C. for 60 seconds on a hot plate, and development was further performed with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 15 seconds.
上記で得られたパターンつきウエハを表面欠陥検査計（ＫＬＡテンコール社製、ＫＬＡ−２８１０）を使用して、現像後の欠陥検査測定を行った後、レビューＳＥＭ（ＲＳ−５５００）を用いて、欠陥分類を行い、ラインアンドスペースパターンに形成されるブリッジを欠陥とした。ウエハ上の全欠陥数を下記表３に示した。 After performing defect inspection measurement after development using a surface defect inspection meter (manufactured by KLA Tencor, KLA-2810) for the patterned wafer obtained above, using a review SEM (RS-5500), Defect classification was performed, and a bridge formed in a line and space pattern was defined as a defect. The total number of defects on the wafer is shown in Table 3 below.
本発明のレジスト組成物の製造方法によれば、得られるレジスト組成物を用いて欠陥の少ないパターンを得ることができる。 According to the method for producing a resist composition of the present invention, a pattern with few defects can be obtained using the obtained resist composition.
１ セラミックス製のフィルタ
２ 側面部
３ 底面部
４ 上面部
５ 貫通孔
６，７，８ 矢印
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramics filter 2 Side face
Claims (6)
（２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。 (1) The process of apply | coating the resist composition obtained by the manufacturing method of the resist composition in any one of Claims 1-5 on a board | substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and
(5) a step of developing the heated composition layer using a developing device;
A method for producing a resist pattern including:
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