JP2011517097A - 発光スペクトルを正規化するための方法及び装置 - Google Patents
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- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 32
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 32
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 29
- 238000011835 investigation Methods 0.000 claims description 12
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 46
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 8
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/27—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
- G01N21/274—Calibration, base line adjustment, drift correction
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
- G01J3/0218—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using optical fibers
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0294—Multi-channel spectroscopy
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/443—Emission spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
- G01N21/68—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using high frequency electric fields
Abstract
【選択図】図1
Description
ここで、LGSは、測定されるスペクトルであり、IGは、既知である較正された光源の出力であり、CSは、マルチチャネル分光計の信号チャネルの結合効率及び検出器感度であり、CFCは、収集セグメント112の光ファイバ伝送率である。
LN=LB/((LA1−LA2)/LO)1/2 (式4)
ここで、(LA1−LA2)/LOは、較正スペクトルに相対的な、プラズマ及び/又は遮蔽を伴わないリアルタイムな正規化ランプスペクトルである。したがって、LBは、所望のLNをリアルタイムで提供するために、((LA1−LA2)/LO)1/2に照らして正規化され得る。
ここで、LASは、以下のように、結合係数に関係し得る。
ここで、IAは、フラッシュランプの出力である。
ここで、LARは、以下のように、結合係数に関係し得る。
IP=(CFC/(C* FC)1/2)((LGSA/LGRA)(LAR/LAS))1/2(IG/IGS)LB
(式10)
IP=((LGSA/LGRA)(LAR/LAS))1/2(IG/IGS)LB
(式11)
Claims (20)
- プラズマチャンバ内の正規化発光スペクトルを定量的に測定するためにプラズマ発光をその場(in-situ)で光学的に調査するための構成であって、
フラッシュランプと、
石英窓のセットと、
前記石英窓のセットに光学的に結合された複数のコリメート光学アセンブリと、
少なくとも照明光ファイバ束と、収集光ファイバ束と、基準光ファイバ束とを含む複数の光ファイバ束と、
少なくとも信号チャネル及び基準チャネルを伴うように構成されたマルチチャネル分光計と、
を備え、
前記信号チャネルは、第1の信号を測定するために、少なくとも前記フラッシュランプと、前記石英窓のセットと、前記コリメート光学アセンブリのセットと、前記照明光ファイバ束と、前記収集光ファイバ束とに光学的に結合される、構成。 - 請求項1に記載の構成であって、
前記フラッシュランプは、高強度で且つ短パルスの光源である、構成。 - 請求項1に記載の構成であって、
前記フラッシュランプは、キセノンフラッシュランプである、構成。 - 請求項1に記載の構成であって、
前記石英窓のセットは、少なくとも第1の石英窓及び第2の石英窓を伴うように構成され、前記第1の石英窓は、前記第2の石英窓と一直径上において相対するように構成される、構成。 - 請求項1に記載の構成であって、
前記基準チャネルは、第2の信号を測定するために、少なくとも前記フラッシュランプ及び前記基準光ファイバ束に光学的に結合される、構成。 - 請求項1に記載の構成であって、
前記第1の信号は、前記プラズマチャンバからの放出信号である、構成。 - 請求項5に記載の構成であって、
前記第2の信号は、前記フラッシュランプからのパルスごとの出力である、構成。 - 請求項1に記載の構成であって、
前記照明光ファイバ束は、前記基準光ファイバ束と等しい長さを有するように構成される、構成。 - 請求項1に記載の構成であって、
前記収集光ファイバ束及び前記マルチチャネル分光計の前記信号チャネルは、対応する対であり、前記対応する対は、第1のオフライン較正方法によって実施され得る、構成。 - プラズマチャンバ内の正規化発光スペクトルを定量的に測定するために発光分光法(EOS)構成を用いてプラズマ発光をその場(in-situ)で光学的に調査するための方法であって、
複数のオフライン較正を実施することと、
マルチチャネル分光計上の信号チャネル及び前記マルチチャネル分光計上の基準チャネルの少なくとも1つを用いて複数の初期較正を実施することと、
未処理の基板を前記プラズマチャンバに装填することと、
前記プラズマチャンバ内において前記基板を処理するためにプラズマを発生させることと、
フラッシュランプをオンにした状態で、前記マルチチャネル分光計上の前記信号チャネル及び前記マルチチャネル分光計上の前記基準チャネルの少なくとも1つを用いて最短継続時間にわたって第1の光学調査のセットを実施することと、
前記フラッシュランプをオフにした状態で、前記マルチチャネル分光計上の前記信号チャネル及び前記マルチチャネル分光計上の前記基準チャネルの少なくとも1つを用いて前記最短継続時間にわたって第2の光学調査のセットを実施することと、
前記フラッシュランプをオフにした状態で、前記マルチチャネル分光計上の前記信号チャネルを用いて所望の継続時間にわたって第3の光学調査のセットを実施することと、
正規化発光スペクトルを計算することと、
を備える方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記EOS構成は、少なくとも前記フラッシュランプと、石英窓のセットと、複数のコリメート光学アセンブリと、複数の光ファイバ束と、前記マルチチャネル分光計と、を伴うように構成され、
前記複数の光ファイバ束は、少なくとも照明光ファイバ束と、収集光ファイバ束と、基準光ファイバ束とを含み、
前記マルチチャネル分光計は、少なくとも前記信号チャネル及び前記基準チャネルを伴うように構成される、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記フラッシュランプは、高強度で且つ短パルスの光源である、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記フラッシュランプは、キセノンフラッシュランプである、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記石英窓のセットは、少なくとも第1の石英窓及び第2の石英窓を伴うように構成され、前記第1の石英窓は、前記第2の石英窓と一直径上において相対するように構成される、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記照明光ファイバ束は、前記基準光ファイバ束と等しい長さを有するように構成される、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記収集光ファイバ束及び前記マルチチャネル分光計の前記信号チャネルは、対応する対であり、前記対応する対は、前記複数のオフライン較正の第1のオフライン較正によって実施され得る、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記複数のオフライン較正の第2のオフライン較正方法は、複数の結合係数を測定するために、標準光源を用いる、方法。 - プラズマチャンバ内の正規化発光スペクトルを定量的に測定するために発光分光法(EOS)構成を用いてプラズマ発光をその場(in-situ)で光学的に調査するための方法であって、
マルチチャネル分光計上の信号チャネルを用いて初期較正を実施することと、
未処理の基板を前記プラズマチャンバに装填することと、
前記プラズマチャンバ内において前記基板を処理するためにプラズマを発生させることと、
フラッシュランプをオンにした状態で、前記マルチチャネル分光計上の前記信号チャネルを用いて最短継続時間にわたって第1の光学調査のセットを実施することと、
前記フラッシュランプをオフにした状態で、前記マルチチャネル分光計上の前記信号チャネルを用いて前記最短継続時間にわたって第2の光学調査のセットを実施することと、
前記フラッシュランプをオフにした状態で、前記マルチチャネル分光計上の前記信号チャネルを用いて所望の継続時間にわたって第3の光学調査のセットを実施することと、
正規化発光スペクトルを計算することと、
を備える方法。 - 請求項18に記載の方法であって、
前記EOS構成は、少なくとも前記フラッシュランプと、石英窓のセットと、複数のコリメート光学アセンブリと、複数の光ファイバ束と、前記マルチチャネル分光計と、を伴うように構成され、
前記複数の光ファイバ束は、少なくとも照明光ファイバ束と、収集光ファイバ束と、基準光ファイバ束とを含み、
前記マルチチャネル分光計は、少なくとも前記信号チャネル及び前記基準チャネルを伴うように構成される、方法。 - 請求項19に記載の方法であって、
前記フラッシュランプは、高強度で且つ短パルスの光源である、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4201108P | 2008-04-03 | 2008-04-03 | |
US61/042,011 | 2008-04-03 | ||
PCT/US2009/039514 WO2009146136A1 (en) | 2008-04-03 | 2009-04-03 | Methods and apparatus for normalizing optical emission spectra |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011517097A true JP2011517097A (ja) | 2011-05-26 |
JP5563555B2 JP5563555B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=41132963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011503222A Expired - Fee Related JP5563555B2 (ja) | 2008-04-03 | 2009-04-03 | 発光スペクトルを正規化するための方法及び構成 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8144328B2 (ja) |
JP (1) | JP5563555B2 (ja) |
KR (1) | KR101629253B1 (ja) |
CN (2) | CN102661791B (ja) |
SG (1) | SG189712A1 (ja) |
TW (1) | TWI460406B (ja) |
WO (1) | WO2009146136A1 (ja) |
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- 2009-04-03 CN CN2009801128781A patent/CN101990704B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-03 WO PCT/US2009/039514 patent/WO2009146136A1/en active Application Filing
- 2009-04-03 TW TW098111186A patent/TWI460406B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-04-03 JP JP2011503222A patent/JP5563555B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-03 KR KR1020107021829A patent/KR101629253B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-03 SG SG2013022942A patent/SG189712A1/en unknown
- 2009-04-03 US US12/418,492 patent/US8144328B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-08 US US13/415,763 patent/US8358416B2/en not_active Expired - Fee Related
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US11604097B2 (en) | 2020-05-14 | 2023-03-14 | Tokyo Electron Limited | Calibration method and calibration system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009146136A1 (en) | 2009-12-03 |
CN102661791B (zh) | 2015-02-11 |
US20120170039A1 (en) | 2012-07-05 |
US8358416B2 (en) | 2013-01-22 |
KR101629253B1 (ko) | 2016-06-21 |
US20090251700A1 (en) | 2009-10-08 |
KR20100135764A (ko) | 2010-12-27 |
SG189712A1 (en) | 2013-05-31 |
CN102661791A (zh) | 2012-09-12 |
US8144328B2 (en) | 2012-03-27 |
TWI460406B (zh) | 2014-11-11 |
CN101990704B (zh) | 2012-06-20 |
CN101990704A (zh) | 2011-03-23 |
JP5563555B2 (ja) | 2014-07-30 |
TW200951411A (en) | 2009-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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