JP2011514126A - 電気エネルギの無損失伝送方法および装置 - Google Patents

Abstract

直流源および損失の多い負荷回路間での電気エネルギの無損失伝送方法および装置において、直流源は、無線周波数広帯域線路を介して、損失の多い負荷回路に給電する少なくとも１つの量子記憶セルに接続され、その結果電気エネルギはディラック関数に対応する電流パルスの形で直流源から量子記憶セルへ伝送される。

Description

本発明は直流電圧源と損失の多い負荷回路間で電気エネルギを無損失伝送する方法および装置に関する。

従来の電流が金属導体中を流れる時、この電流により導体の抵抗において電圧降下を生じて、輸送されるエネルギの一部が熱の形で非可逆的に失われる。このような損失を低く維持するために、導体の断面を増加して抵抗を下げるかあるいは送電電圧の昇圧変換により電流を低減することが可能である。特殊材料の高温（１７０°Ｋ）における超伝導性により、エネルギ伝送中の線路抵抗を低減するもう１つのオプションの利用が最近試みられている。

本発明は直流電圧源と損失の多い負荷回路間で電気エネルギの無損失伝送を行う方法および装置を提供するものである。

この目的を解決するために、本発明は本質的に直流電圧源が、高周波広帯域線路を介して、損失の多い負荷回路に給電する少なくとも１つの量子記憶セルに接続され、ディラック関数に対応する電流パルスの形で電気エネルギが直流電圧源から記憶セルに伝送されて、ハイゼンベルグ不確定性関係に従った決定不能な仮想電圧降下を生じるようにする。

これにより、電気エネルギは熱の形の損失を伴うことなくほぼ任意の薄い金属導体中を極端に迅速に伝送されて、特に、長距離にわたる大エネルギ量の伝送に伴う支出およびコストの著しい低減を可能にする。さらに、本発明は、特殊な応用において、最も微細なスペースに非常に大きな電流を流すことができ、また、微小範囲内、たとえば、高度な集積回路内で、従来のコンピュータのスイッチング速度を強力に増加することができ、また消散熱が低減されるためメインフレーム・コンピュータに対する冷却コストを低減することができる。しかしながら、本発明は従来の発電所または太陽熱プラントと消費者間の長距離高容量直流電圧送電による電気エネルギの伝送に対して利用することもできる。本発明を静止または移動消費者への毎日の給電だけでなく短距離都市間エネルギ配分に対して利用することも考えられる。さらに、本発明を使用してサブミリメートル範囲内の高度集積回路の電子コンポーネントに給電することができる。

本発明は、いわゆる量子記憶セルすなわち量子バッテリ（ＷＯ２００４／００４０２６Ａ２参照）、すなわちディラック関数に実質的に対応する電流パルスを取り出すことができる記憶セル、が非常に短い電流パルスで充電される仮想光子共鳴の新しい量子物理効果から利益を得るものである。量子記憶セルは、それに従って、絶縁媒体により互いに分離される、化学的に強ダイポーラな結晶材料の非常に小さい粒子が強力な電界の影響下で仮想光子共鳴の効果により臨界電圧において導電性となる物理的効果に基づいており、前記粒子はディラック関数に実質的に対応し定電圧を有する電流パルスを介して無損失電荷交換が誘起される程度まで均質な電界を非常に短時間内に局所的に集中させる。

この文脈において、好ましくは、結晶はナノ粒子の形状またはナノメートル厚さを有する層の形状である。好ましくは、結晶はルチル結晶変態内に存在し、好ましくは、ＴｉＯ_２結晶として構成される。この構造は、好ましくは、結晶および絶縁材料が交互に重畳された層として提供されるように選択される。量子記憶セルの構造およびさらなる構成に関して、ＷＯ２００４／００４０２６Ａ２が参照され、それは参照として本出願の開示に包含されている。

ルチル結晶変態内の、好ましくはＴｉＯ_２である、化学的に強ダイポーラな結晶材料の粒子は、一方では、ディラック関数に実質的に対応する電流パルスの形で存在する前記したエネルギを取り込んで蓄えることができ、他方では、このような電流パルスを発生することにより電力の形でそれを放出することができる。しかも、充電された量子記憶セルは２極上の電圧差のために損失の多い、従来の電気回路に給電することもできる。

前記した電流パルスは記憶セル内に含まれる共振器結晶内で生じる特異な量子ジャンプの結果である。外部から、それらは理想的なディラック電流パルスに見える。このような電流パルスは、時間的に、決して一緒に生じたり極端に短い時間間隔で分離される（パウリ原理）ことはなく、それらの実効電流値は定電圧において非常に小さくそのためそれらのジャンプ・エネルギはハイゼンベルグ不確定性関係の限界以下であり、それらは導体帯域幅がほぼ１００ＭＨｚ（図１参照）よりも大きい場合しか流れることができない。このような電流は仮想電流であり、電気配線抵抗において「決定可能な」電圧降下を生じることがない（不確定性関係）。これらの電流は以下「コールド」電流とも呼ばれる。磁界Ｈを電流ｊおよび変位電流∂Ｄ／∂ｔと関連付けるマックスウェルの方程式（１８６５）により、これらのコールド電流は明確に定義され、方程式において、電流項“ｊ”アンペア（１８２１）がゼロに設定され、それによってコールド電流の定電圧性が定義される。

コールド電流の塊状電子の導体中の移動は光速で行われる（個別のジャンプにより、図１参照）、しかしながら、このために、これらはそれぞれ可逆的ダイナミック「グレーホール」（時空の極端に強く、しかも可逆的曲率）内に個別に詰め込まれ不確定性水平線の後ろに隠される（ハイゼンベルグ不確定性関係）。

ダイナミック・グレーホール内への時空の曲率（ミンコフスキー（Ｍｉｎｋｏｗｓｋｉ）１９０８）により、その中に存在する電荷粒子の動きが「コールド電流」としての時空の近（グレー）未来への旅を有効に行うような相対論的効果が生じるが、空間／時間移動は人間のいかなる想像力をも超える。したがって、これらの手順は「今ここで」物理的に測定することはできない、すなわち決定不能である（ハイゼンベルグの不確定性関係参照）。唯一有効に測定可能な現象は電子ジャンプの空間／時間曲率ゆえに生じる時間拡張であり、それは量子バッテリ内で生じておよそ１０^−１６−１０^−１８秒しか続かず、しかも我等の知覚世界内で最大およそ１０^−８秒（帯域幅の逆数に対応する）まで拡張される。

量子記憶セルを介した直流電圧源から損失の多い負荷回路への電気エネルギの無損失伝送は、損失の多い負荷回路へその再充電のために給電する量子記憶セルが損失の多い負荷回路により消費されるエネルギの関数としてのディラック・パルスの形の電流パルスを必要とするように行われる。これは、特に、量子記憶セルに対する共振条件（Ｕ＝Ｕ_ｒｅｓ）が満たされる時に適用され、好ましくは、それは直流電圧源の出力電圧を適合させて実現することができる。この文脈において、全波整流器が前記直流電圧源として提供される構成が好ましい。直流電圧源、すなわち整流器の場合におけるその出力キャパシタの電界、は伝送距離の帯域幅が十分大きければこれらのパルスを送る。次に、ディラック・パルスは量子記憶セルの共振器に達する。伝送された電荷量（単位時間当たり電荷＝電流）は振幅の大きさでは測定されず、パルスの和で測定される。しかしながら、実際の帯域幅があまりにも強く制限されると、ディラック・パルスは理想的な形から逸脱する。これにより、パルスの実効電流値が測定可能となる、すなわちパルスはより広くなって低減された数しか量子記憶セルに到達しない。あまりに大きな測定から、量子記憶セル上の共振は完全に終了し、充電手順すなわち伝送が停止する。この効果を利用して送電電力を調節することができる。

したがって、エネルギの流れを制御するために、好ましくは、帯域幅コントローラが直流電圧源と量子記憶セル間に配置されるように進めることができ、伝送は線路の周波数帯域幅を変えて制御される。こうして、エネルギの流れは「コールド側」から、すなわちコールド電流が流れる側から、帯域幅コントローラにより任意に制御することができる。整流器が過負荷により記憶セル上の共振電圧Ｕ_ｒｅｓをその出力電圧にもはや維持できなければ、充電手順、すなわち共振、も中断される。

直流電圧源から無損失伝送されたエネルギを局所的に配分し、かつ静止および移動消費者が利用できるようにするために、この構成は、好ましくは、量子記憶セルが高周波広帯域線路を介してさらなる量子記憶セルと並列に配置され、かつ、広帯域コントローラが、好ましくは、記憶セル間に配置されるように、さらに、展開される。こうして、２つの量子記憶セルを、たとえば、ビルディング暖房システムや自動車と相互接続して、２つの記憶セル間の帯域幅コントローラによりエネルギ流量を制御できるようにすることができる。

好ましい方法では、さらなる量子記憶セルが前記直流電圧源として使用されるように本発明に従って進められる。

さらに好ましいさらなる展開に従って、太陽電池またはホトダイオードが前記直流電圧源として使用されることが提供される。量子記憶セルが高速（すなわち、高周波広帯域）線路を介してホトダイオードに続くように配置されると、「コールド」ディラック（Ｄｉｒａｃ）電極パルスが必要でる。「ホット」、すなわちクラシックな、電流、したがってセルの不利な損失の多い加熱は省かれ、ホトダイオードの効率は集中的に高まる。

大規模なエネルギ伝送の場合には、好ましくは、量子記憶セルが前記高周波広帯域線路として使用されるような方法で線路が細長で平坦に設計されるように進められる。電流パルスを拾い上げることができる各記憶セルは実質的にディラック関数に対応するため、たとえば、量子記憶セル等はそこへ電気エネルギを伝送するために必要な帯域幅を自然に有し、いずれにせよ無損失伝送が行われることが保証される。これは、たとえば、消費者の前に個別の（巻線型または平坦な）量子記憶セルを直接介在させて実現することができる。

より長い伝送距離またはより高い電流に対しては、さらなる量子記憶セルおよび／または帯域幅コントローラが線路内に間隔をとって配置されるように有利に進められる。広帯域線路に個別の記憶セルがブースタとして間隔をおいて割り込まれるという事実により、電気エネルギを既存の配線を取換えることなく無損失で長距離にわたって伝送することができる。

高周波広帯域線路は、好ましくは、９０ＭＨｚを超える帯域幅を有し、こうしてディラック電流パルスがそれらの形を緩めることなく損失の多い方法で伝送されることを保証する。

本発明を集積回路内のエネルギ伝送に使用すると、マイクロ／ナノ寸法の量子記憶セルを戦略的に有利な方法で他の全てのマイクロ電子部品と共に主消費者の中心に配置することができる。このような応用では、従来の線路給電は、原則として、外部の給電点からチップ上の消費者センターまでディラック電流パルスを介して（「コールド」電流により）エネルギを輸送するのに必要な広帯域化された構成に関して行う。このような電力線路では損失は生ぜず、したがって、必要なチップの冷却はより少ない。しかしながら、チップの回路内の給電は従来の方法で行われる。

本発明に従った装置の構造を示す図である。 量子記憶セルの構造を示す図である。 テストアレイ内の電流進路を示す図である。 テストアレイ内の電流進路を示す図である。 物理的作用モードを示す図である。 物理的作用モードを示す図である。

以下に、図面に略示された典型的な実施例により本発明を説明する。図１において、直流電圧源が１で示され、ここでは、交流電圧源と全波整流器により形成されている。替わりに、ホトダイオード等を提供することができる。たとえば、ＵＨＦ回線、薄くて平坦な量子記憶セル等の高周波広帯域線路が２で示されている。この線路は電流を無損失で伝導する働きをし、線路２のいずれか側の必要な帯域幅の他に、消費者側に設置された量子記憶セルまたは量子バッテリ３の同じ電圧および、特に、共振周波数Ｕ_ｒｅｓを利用できなければならない。さらなる量子記憶セル３’をさらなるＵＨＦ線路２’を介してこの量子記憶セル３に連続して配置することができ、前記さらなる量子記憶セルの各々が損失の多い電力回路４に給電することができ、消費者は５で示されている。このケースにおいて送り出すことができる電流は次式から得られ、Ｉ＝Ｕ_ｒｅｓ／Ｒ、Ｒは消費者の抵抗である。遠隔電流源からの伝導は無損失で極端に高速であるため、バッテリ上の電圧は消費者の抵抗に無関係に一定のままである。

出力電圧は負荷に依存しない方法で一定のままであるため、量子記憶セル３の内部抵抗は無視できるほど小さい。負荷５により消費される電流は直流電圧源または整流器１により利用可能とされる電流と同じ大きさであり、量子記憶セル３は完全充電されたままである。両方の電流、すなわち、直流電圧源１の電流および消費者５に供給される電流、はクラシック（「ホット」）電流である、すなわち、移動した電荷は全線路電子の集約的粒子移動から構成される。整流器１の出力電圧を適合させて実現される、量子記憶セル３に対する共振条件、特に、（Ｕ＝Ｕ_ｒｅｓ）が満たされる時は、再充電のための量子記憶セル３はディラック・パルスの形の電流パルスを必要とし、それは、対照的に各々が個別の全電荷、すなわち、電子の全ての特異な動き（量子ジャンプ）からなっている。整流器１の出力キャパシタの電界は、伝導線路２の帯域幅が十分大きければ、これらのパルスを送り出すことができる。次に、ディラック・パルスは量子記憶セル３の共振器に達する。伝導される電荷量（単位時間当たり電荷＝電流）は振幅のサイズでは測定されず、パルスの和で測定される。

共振条件において、量子記憶セルは、さらに、前記さらなる量子記憶セル３’からのディラック電流パルスを必要とし、それは介在されたブースタ・セルとして機能しほとんど無抵抗で１０^９ＭＷ／ｋｇ（電力密度）以上まで１５ＭＪ／ｋｇ（エネルギ密度）以上の容量まで非常に迅速に充電される。

６または６’により帯域幅コントローラが示され、それは、最も単純なケースでは、ポテンショメータにより構成される。介在された可変抵抗器により量子記憶セル３の需要の制御が容易に可能とされ、同時に、抵抗器中を流れる実際の電流は無いか有っても非常に小さく、単純で、とりわけ、安全な大規模消費者の消費制御を可能にする。量子記憶セル３の需要を制御することにより、量子記憶セル３の電流出力は、同時に、それに従って制限または制御される。

図２はＭＩＳ（金属−絶縁体−半導体）アーキテクチュア内のシリコン・ウェーハ７上に作り込まれる量子記憶セル３を示す。それはｎ＋シリサイトの下部電極８、３００ｎｍ厚ＳｉＯ_２絶縁層９、１５ｎｍの厚さを有しＭＯＣＶＤ技術により作り出される純粋ルチル結晶のＴｉＯ_２層１０、さらなるＳｉＯ_２の３００ｎｍ厚絶縁層９、およびチタン電極１２により構成される。上部電極１２は各々がおよそ６０ｐＦの容量を作り出すように１ｍｍ×１ｍｍの寸法を有する平面片に構造化されている。

図３ａおよび３ｂは、それぞれ、図２に従ったアレイの実際および概要のＩＶ測定結果を示し、±１５０００Ｖ／ｓおよび±２４０Ｖ振幅の鋸歯状電圧１３が１５Ｈｚでサンプルに加えられる。それ故、スーパーキャパシタに対する実質的に矩形の電流進路１４となる。電圧源は立上り電圧進路１５におけるエネルギ供給器および降下電圧進路１６中の量子記憶セルの負荷として働く。量子記憶セルは定電圧源であり、供給源によりより高い電圧が印加されると、それ自体が完全に充電されるまで後者を短絡させて、供給源により放電される間（その時後者は負荷である）それ自体が短絡される。しかしながら、極端に高速の充電のため、充電短絡電流は見ることができず、しかも放電電流は領域１７内で容易に見られる。キャパシタはおよそ±１５０Ｖ以下で典型的な電流挙動を示し、それ以上ではバッテリに変わる。１５０Ｖと１９０Ｖの間で、仮想コールド電流の形の追加高エネルギ電荷キャリアが、ディラック電流パルスによる極端に高い速度でバッテリ上へ流れる。電圧進路が逆にされると、バッテリは従来の損失の多いホット電流を放電する。同一長さの全てのＴｉＯ_２結晶モジュール・ローが同一電圧で放電する。この電圧は完全に枯渇するまで維持され、強制降圧速度の関数としてより高い放電電流ピークが表示される。図３ａにおける測定は量子記憶セルに繋がる給電線内で測定された電流はないことを明確に示しており、電荷電流は見えない、すなわち、仮想である。その結果、エネルギは絶対的に無損失の方法で量子記憶セル上へ流れる。当然のことながら、損失の多いホット電流も、同様に給電線上の、電圧源内を流れる。外部負荷を介した量子記憶セルの放電電流はクラシックなホット電流であり、もちろん、測定および観察することができる。１８で示す領域は、その中でスーパー・キャパシタをおよそ６０Ｖをカバーする定電圧源として動させることができる領域である。抵抗器６は帯域幅抵抗器として働き、４．７５ｋΩの値において、帯域幅を制限し、それ故量子記憶セル３へのエネルギ流は、既に非常に強力である。

図４は完全なディラック電流パルスを１９で示しており、パルスの時間幅は実質的にゼロであり、しかも周波数スペクトルは全体信号にわたって１に等しい。Δｆ_Ｔは電力線路の周波数帯域幅を示す。このようなディラック電流パルスは制限された帯域幅の前記１つの線路を介して送られ、ディラック電流パルスは基本的に全ての正弦および余弦周波数の重ね合わせであるため、その時間幅は拡張され、あるいは周波数スペクトルが狭められ、しかも制限された帯域幅のためそれらの全てを送信することはできない。拡散電流信号は２０で表わされ、次式で示される。
ｉ（ｔ）＝Ａｓｉｎ（２πｆｔ）／（２πｆｔ）

信号の時間幅はΔＴで示され、信号の振幅はＡで示され、その積は次のようになる。
Ａ・ΔＴ＝ｃｏｎｓｔ＝ｅ

不確定性関係から、

を推論することができる。したがって、ディラック電流パルスは実効電流を伝送する。

ディラック電流パルス内の実際のエネルギは次式から計算され、
ΔＥ＝Ｕ_ｒｅｓ・Ｉ_ＲＭＳ・ΔＴ
それはディラック電流パルスの実際のジャンプ・エネルギを記述している。コールド電流に対して、下記の関係が適用される。
ΔＥ・ΔＴ＜ｈ

したがって、パルスのエネルギは測定に対する不確定性関係規定よりも小さく、そのため電流は仮想であり消散しない。したがって、エネルギ量子

はエネルギ／熱損失無しに、あるいはエントロピーを増加することなく輸送することができる。パウリの排他律に従って、これらのエネルギ量子は決して同時に生じることはなく、それが電流パルスは決して測定可能な結合振幅まで合計されない理由である。しかしながら、伝送される全エネルギは伝送されたディラック電流パルスの和から計算される。

上記の考慮すべき問題から、エネルギの無損失伝送に対する帯域幅条件が次式で与えられる。

物理的に、これは大量に運ぶ電子は光速でエネルギ量子と移動し、しかも個別の各電子は強力な時空曲率により不確実性の地平線の後ろの可逆的グレーホール内に隠される。

量子機械的に粒子エネルギはシュレジンガー方程式を使用して波長と同一視することができる。

左辺は運動ジャンプ・エネルギを記述しており、ホール内への電子のジャンプはフェルミ・エネルギ分布に記述され、右辺は電気波エネルギを記述している。実効（ＲＭＳ）運動ジャンプ・エネルギも次式で与えられ、

実効（ＲＭＳ）波エネルギは次式で与えられる。
Ψ_ＲＭＳ＝Ｅ＝Ｕ・Ｉ・ΔＴ

物理的に観察可能な要因しか運動ジャンプ・エネルギの２つの項および波エネルギの２つの項から取り出されなければ、方程式

が得られ、ここに、Ｐは電力の実効値（すなわち、Ｐ＝Ｕ_ｒｅｓＩ_ＲＭＳ）に対応する。虚時間内の不確定性関係に従って、方程式の左辺は右辺よりも大きくなければならず、その結果次式が得られる。

これは線路に対する最小帯域幅要求条件に対応し、したがって、９０ＭＨｚ以上の適切な最小帯域幅が必要とされる。

図５は光速で大量の粒子を輸送するグレーホールを通る局所的ナノ曲線を有する時空の修正されたミンコフスキー説明である。ここで、ミンコフスキー長さ｜ΔＴ｜は動きまたは量子ジャンプが知覚される時間であり、粒子は光速で移動している。しかしながら、グレーホール内の時間は強く減速される。このケースではミンコフスキー長さは次式で与えられ、

グレーホール外部で測定される動きの最長時間を記述している。図５に従った世界図において、ポイント２１は「今ここで」を示している。いわゆる光錐は地平線から両方向に４５°逸れ、未来は地平線よりも上にあり、過去において地平線よりも下にある。電子を取り巻くグレーホール内の湾曲時空により、電子はグレー未来において虚時間内にある。したがって、我々のカレンダーにおいて、コールド、無損失電流は未来においておよそ５ｎｓ流れる。

Claims (24)

1. 直流電圧源から損失の多い負荷回路への電気エネルギの無損失伝送方法であって、前記直流電圧源は、高周波数広帯域線路を介して、前記損失の多い負荷回路へ給電する少なくとも１つの量子記憶セルに接続されており、電気エネルギはディラック関数に対応する電流パルスの形で前記直流電圧源から前記記憶セルへ伝送されて、ハイゼンベルグの不確定性関係に従った決定不能な仮想電圧降下を生じるようにされる方法。
2. 請求項１記載の方法であって、帯域幅コントローラが前記直流電圧源と前記量子記憶セル間に配置され、前記伝送は前記線路の前記周波数帯域幅を変えて制御されることを特徴とする方法。
3. 請求項１または２記載の方法であって、前記量子記憶セルは高周波広帯域線路を介してさらなる量子記憶セルに並列に配置され、かつ広帯域コントローラが、好ましくは、前記記憶セル間に配置されることを特徴とする方法。
4. 請求項１から３のいずれか一項記載の方法であって、さらなる量子記憶セルが前記直流電圧源として使用されることを特徴とする方法。
5. 請求項１から３のいずれか一項記載の方法であって、太陽電池またはホトダイオードが前記直流電圧源として使用されることを特徴とする方法。
6. 請求項１から４のいずれか一項記載の方法であって、量子記憶セルの方法で細長く平坦に設計される線路が前記高周波広帯域線路として使用されることを特徴とする方法。
7. 前記いずれか一項記載の方法であって、さらなる量子記憶セルおよび／または帯域幅コントローラが前記線路内に中間配置されることを特徴とする方法。
8. 前記いずれか一項記載の方法であって、前記高周波広帯域線路は９０ＭＨｚ以上の帯域幅を有することを特徴とする方法。
9. 前記いずれか一項記載の方法であって、電気的絶縁材料により互いに分離される化学的に強ダイポーラな結晶からなる記憶セルが前記量子記憶セルとして選択され、電気エネルギは仮想光子共振の効果により前記結晶内に蓄えられることを特徴とする方法。
10. 請求項８記載の方法であって、前記結晶はナノ粒子の形またはナノメータ厚さを有する層の形で存在することを特徴とする方法。
11. 請求項８または９記載の方法であって、前記結晶はルチル結晶変態内に存在し、好ましくは、ＴｉＯ_２結晶として構成されることを特徴とする方法。
12. 請求項８、９または１０記載の方法であって、前記結晶および前記絶縁材料は交互に重畳された層内に設けられることを特徴とする方法。
13. 特に、請求項１から１１のいずれか一項記載の前記方法を実施する、直流電圧源から損失の多い負荷回路への電気エネルギの無損失伝送装置であって、前記直流電圧源は高周波広帯域線路を介して、損失の多い負荷回路へ給電する少なくとも１つの量子記憶セルに接続されており、前記電気エネルギが前記ディラック関数に対応する前記電流パルスの形で前記直流電圧源から前記記憶セルへ伝送されてハイゼンベルグの不確定性関係に従った決定不能な仮想電圧降下を生じるようにされていることを特徴とする装置。
14. 請求項１２記載の装置であって、帯域幅コントローラが前記直流電圧源と前記量子記憶セル間に接続され、前記線路の前記周波数帯域幅を変えることにより前記伝送を制御できるようにされていることを特徴とする装置。
15. 請求項１２または１３記載の装置であって、前記量子記憶セルは高周波広帯域線路を介してさらなる量子記憶セルに並列に配置され、広帯域コントローラが、好ましくは、前記量子記憶セル間に配置されることを特徴とする装置。
16. 請求項１２から１４のいずれか一項記載の装置であって、さらなる量子記憶セルは前記直流電圧源として使用されることを特徴とする装置。
17. 請求項１２から１４のいずれか一項記載の装置であって、太陽電池またはホトダイオードが前記直流電圧源として使用されることを特徴とする装置。
18. 請求項１２から１６のいずれか一項記載の装置であって、前記高周波広帯域線路は量子記憶セルの方法で細長く平坦となるように設計されることを特徴とする装置。
19. 前記いずれか一項記載の装置であって、さらなる量子記憶セルおよび／または帯域幅コントローラは前記線路の中間に配置されることを特徴とする装置。
20. 前記いずれか一項記載の装置であって、前記高周波広帯域線路は９０ＭＨｚ以上の帯域幅を有することを特徴とする装置。
21. 前記いずれか一項記載の装置であって、前記量子記憶セルは電気的絶縁材料により互いに分離された化学的に強ダイポーラな結晶からなり、仮想光子共振の効果により電気エネルギが蓄えられることを特徴とする装置。
22. 請求項２０記載の装置であって、前記結晶はナノ粒子の形またはナノメートル厚さを有する層の形で存在することを特徴とする装置。
23. 請求項２０または２１記載の装置であって、前記結晶はルチル結晶変態内に存在し、好ましくは、ＴｉＯ_２結晶として構成されることを特徴とする装置。
24. 請求項２０、２１または２２記載の装置であって、前記結晶および前記絶縁材料は交互に重畳された層内に存在することを特徴とする装置。

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