JP2011258530A - Transparent conductive thin film, method for forming transparent conductive thin film, and touch screen - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、タッチパネルに使用される透明導電薄膜、透明導電薄膜の形成方法、及びタッチパネルに関する。 The present invention relates to a transparent conductive thin film used for a touch panel, a method for forming a transparent conductive thin film, and a touch panel.
従来、液晶テレビ等において、2枚の導電基板を備えたタッチパネルが使用される(特許文献1)。図7は、この種のタッチパネルの一例を示す。図7に示すタッチパネル20は、導電基板21,22と、非導電性のスペーサ23とを有し、導電基板21、スペーサ23、導電基板22の順にディスプレイ30上に配置される。導電基板21は、ガラス基板24と、この上に形成される透明導電薄膜25とから構成され、導電基板22は、ガラス基板26と、この上に形成される透明導電薄膜27とから構成される。透明導電薄膜25,27は、スペーサ23の高さ分の隙間をもって相対する。
Conventionally, a touch panel including two conductive substrates is used in a liquid crystal television or the like (Patent Document 1). FIG. 7 shows an example of this type of touch panel. The
透明導電薄膜25,27は、例えば、In2O3にSnをドープしたITO(Indium Tin Oxide)から形成され、それぞれ電極を構成する。タッチパネル20は、ガラス基板26の表面が指やペンで押されることで、その押された位置における透明導電薄膜27の部分が透明導電薄膜25に接触して通電し、この際の電気抵抗が計測されることで、押された位置が検出される。
The transparent conductive
図7のタッチパネル20では、導電基板21,22の各々に、透明導電薄膜25,27を設ける必要がある。このため、タッチパネル20の製造コストを小さく抑えることは困難である。また、透明導電薄膜25,27をITOから形成する場合には、ITOに高価なインジウム(In)が含まれるため、タッチパネル20の製造コストを抑えることが、さらに困難になる。
In the
また、タッチパネル20は、繰り返し使用されることで、透明導電薄膜25,27の接触不良が生じたり、或いは、導電基板21,22の間に異物が混入することで、押された位置が正確に検出できなくなる虞れがある。
In addition, the
本発明は、こうした状況に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜、該透明導電薄膜の形成方法、及び、前記透明導電薄膜を備えたタッチパネルを提供することである。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to improve the touch position detection performance of the touch panel and to reduce the manufacturing cost of the touch panel, and the transparent conductive thin film. And a touch panel provided with the transparent conductive thin film.
上記目的を達成するため、本発明の第1の観点にかかる透明導電薄膜は、歪みに対する電気抵抗の変化率が300以上である材料から形成されることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the transparent conductive thin film according to the first aspect of the present invention is formed of a material having a rate of change of electrical resistance with respect to strain of 300 or more.
好ましくは、前記材料は、Zn:Oの組成比が、37.21:62.79から、37.69:62.31の範囲内のZnOであることを特徴とする。 Preferably, the material is ZnO having a composition ratio of Zn: O in the range of 37.21: 62.79 to 37.69: 62.31.
好ましくは、前記材料の組織は、微結晶からなることを特徴とする。 Preferably, the structure of the material consists of microcrystals.
本発明の第2の観点にかかる透明導電薄膜の形成方法は、真空チャンバ内に基板及びターゲットを配置した状態で、前記真空チャンバ内にアルゴン及び酸素を導入しながら前記ターゲットをスパッタすることで前記基板の表面に透明導電薄膜を形成する方法であって、
前記ターゲットの成分は、Znであり、
前記真空チャンバ内に導入されるアルゴンの流量は、18.0cm3/minに設定され、
前記真空チャンバ内に導入される酸素の流量は、1.0cm3/min以上、2.0cm3/min以下に設定されることを特徴とする。
In the method for forming a transparent conductive thin film according to the second aspect of the present invention, the substrate and the target are disposed in the vacuum chamber, and the target is sputtered while introducing argon and oxygen into the vacuum chamber. A method of forming a transparent conductive thin film on the surface of a substrate,
The target component is Zn,
The flow rate of argon introduced into the vacuum chamber is set to 18.0 cm 3 / min,
The flow rate of oxygen introduced into the vacuum chamber is set to 1.0 cm 3 / min or more and 2.0 cm 3 / min or less.
本発明の第3の観点にかかるタッチパネルは、第1電極と、本発明の第1の観点にかかる透明導電薄膜と、第2電極とが、ガラス基板の一方の表面に、順次積層された構造を有し、
前記第1電極は、第1方向に並設される複数の第1電極ラインから構成され、該第1電極ラインは、それぞれ前記第1方向と交差する第2方向に延在し、
前記第2電極は、前記第2方向に並設される複数の第2電極ラインから構成され、該第2電極ラインは、それぞれ前記第1方向に延在し、
前記第1,2電極ラインには電圧計又は電流計が接続され、該電圧計又は電流計の計測値により前記透明導電薄膜の電気抵抗の変化が生じた位置が特定されることで、タッチ位置が検出されることを特徴とする。
A touch panel according to a third aspect of the present invention has a structure in which a first electrode, a transparent conductive thin film according to the first aspect of the present invention, and a second electrode are sequentially laminated on one surface of a glass substrate. Have
The first electrode includes a plurality of first electrode lines arranged in parallel in a first direction, and the first electrode lines each extend in a second direction intersecting the first direction,
The second electrode is composed of a plurality of second electrode lines arranged in parallel in the second direction, and each of the second electrode lines extends in the first direction,
A voltmeter or an ammeter is connected to the first and second electrode lines, and a position where a change in the electrical resistance of the transparent conductive thin film is specified by a measured value of the voltmeter or ammeter, thereby a touch position. Is detected.
本発明によれば、透明導電薄膜のゲージ率が300以上であることから、荷重の負荷により、透明導電薄膜の電気抵抗値は大きく変化する。このため、タッチパネルに本発明の透明導電薄膜を1層設けることで、タッチ位置を検出するために必要な電気抵抗の変化を生じさせることができる。よって従来のように、透明導電薄膜が各々形成された複数の導電基板を設ける必要がないため、透明導電薄膜の接触不良や、導電基板の間に異物が混入するといった問題が生じ得ず、タッチ位置を正確に検出することができる。 According to the present invention, since the gauge factor of the transparent conductive thin film is 300 or more, the electrical resistance value of the transparent conductive thin film varies greatly depending on the load. For this reason, by providing one layer of the transparent conductive thin film of the present invention on the touch panel, a change in electrical resistance necessary for detecting the touch position can be caused. Therefore, unlike the conventional case, there is no need to provide a plurality of conductive substrates each having a transparent conductive thin film formed thereon, so that problems such as poor contact of the transparent conductive thin film and foreign matter mixing between the conductive substrates cannot occur. The position can be detected accurately.
また、上記のように複数の導電基板を設ける必要がなくなることで、タッチパネルの製造コストは、小さく抑えられる。 In addition, since it is not necessary to provide a plurality of conductive substrates as described above, the manufacturing cost of the touch panel can be kept small.
以下、本発明の実施の形態にかかる、透明導電薄膜及びタッチパネルについて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付す。 Hereinafter, a transparent conductive thin film and a touch panel according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.
図1は、本発明の実施の形態にかかるタッチパネル1を示す斜視図である。図2は、タッチパネル1が使用される状態を示す側面図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a
タッチパネル1は、ガラス基板2の一方の表面2aに、第1電極3、透明導電薄膜4、第2電極5が順次積層された構造を有する。
The
第1電極3は、第1方向(図1のX方向)に並設される複数の第1電極ライン30から構成される。第1電極ライン30は、それぞれ透明な材料から形成され、第1方向と交差する第2方向(図1のY方向)に延びる。
The first electrode 3 includes a plurality of
第2電極5は、第2方向(図1のY方向)に並設される複数の第2電極ライン50から構成される。第2電極ライン50は、それぞれ透明な材料から形成され、第1方向(図のX方向)に延びる。
The
透明導電薄膜4は、透明性及び導電性を有する材料から形成される。 The transparent conductive thin film 4 is formed from a material having transparency and conductivity.
第1電極3は電源Dに接続され、第2電極5はグラウンドに接続される。また、第1,2電極ライン30,50には電圧計60,70が接続され、電圧計60,70の計測値の変動により、透明導電薄膜4において電気抵抗の変化が生じた位置が特定される。例えば、第1,2電極ライン30A,50Aの交差位置(破線円で示す位置)で電気抵抗の変化が生じた場合には、第1電極ライン30Aに接続される電圧計60Aの計測値と、第2電極ライン50Aに接続される電圧計70Aの計測値とが変動する。
The first electrode 3 is connected to the power source D, and the
図2に示すように、タッチパネル1は、例えば液晶表示パネルであるディスプレイ6の観察者側の面6a上に配置されて、電源Dの作動により、第1,2電極3,5間に電圧が印加される。この状態で、タッチパネル1の表面が指やペンで押されると、その押圧位置では、透明導電薄膜4の部分に歪みが生じて、透明導電薄膜4の電気抵抗が変化する。該電気抵抗の変化の生じた位置が、電圧計60,70の計測値により特定されることで、タッチ位置が検出される。なお、第1,2電極ライン30,50に電流計が接続されて、電流計の計測値の変動により、透明導電薄膜4で電気抵抗の変化が生じた位置(すなわちタッチ位置)が特定されるようにしてもよい。
As shown in FIG. 2, the
本実施の形態では、透明導電薄膜4に生じる歪みが微少であっても、タッチ位置の検出が可能であるように、透明導電薄膜4は、歪みに対する電気抵抗の変化率(以下、ゲージ率K)が300以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜4は、Zn:Oの組成比が、37.21:62.79から37.69:62.31の範囲内であるZnOから形成される。 In the present embodiment, the transparent conductive thin film 4 has a change rate of electric resistance with respect to the strain (hereinafter referred to as a gauge factor K) so that the touch position can be detected even if the distortion generated in the transparent conductive thin film 4 is very small. ) Is made of a material having 300 or more. Specifically, the transparent conductive thin film 4 is made of ZnO having a composition ratio of Zn: O in the range of 37.21: 62.79 to 37.69: 62.31.
図3は、透明導電薄膜4を形成するために使用されるヘリコンスパッタ装置10(日本真空技術(株)製:MSP−2000−HC3−S2)を示す概略図である。 FIG. 3 is a schematic view showing a helicon sputtering apparatus 10 (manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd .: MSP-2000-HC3-S2) used for forming the transparent conductive thin film 4.
ヘリコンスパッタ装置10は、真空チャンバ11と、真空チャンバ11内の所定位置にガラス基板2を固定するサセプタ12と、プラズマを発生させるカソード13と、酸素ガスを真空チャンバ11内に導入するガス導入系14と、アルゴンガスを真空チャンバ11内に導入するガス導入系15と、を備える。
The
ヘリコンスパッタ装置10により透明導電薄膜4を形成する際には、サセプタ12にガラス基板2を取り付け、カソード13に、Znを成分とするターゲットTを固定する。
When the transparent conductive thin film 4 is formed by the
ついで、サセプタ12に接続されるモータ16を作動させることで、ターゲットTとガラス基板2の相対的な位置関係を調整する。
Next, the relative positional relationship between the target T and the
ついで、真空チャンバ11内を真空状態にするとともに、サセプタ12に内蔵されたヒータ19を作動させて、ガラス基板2を所定温度に加熱する。
Next, the
ついで、酸素およびアルゴンガスを、ガス導入系14,15から真空チャンバ11内に導入しながら、カソード13およびコイル20に、所定の高周波を加えることで、ターゲットTとガラス基板2との間にプラズマを発生させる。これにより、ターゲットTがスパッタされて、ガラス基板2の表面に、ZnOからなる透明導電薄膜4が形成される。この際には、透明導電薄膜4のゲージ率Kを300以上とするために、真空チャンバ11内に導入される酸素の流量が、1.0cm3/min以上、2.0cm3/min以下に設定され、また、真空チャンバ11内に導入されるアルゴンの流量が、18cm3/minに設定される。また、透明導電薄膜4の膜厚を均一にするために、モータ16を作動させて、ガラス基板2を回転させる。
Next, plasma is introduced between the target T and the
本実施の形態によれば、透明導電薄膜4のゲージ率Kが300以上であることから、荷重の負荷により、透明導電薄膜4の電気抵抗値は大きく変化する。このため、タッチパネル1に1層の透明導電薄膜4を設けることで、タッチ位置を検出するために必要な電気抵抗の変化を生じさせることができる。よって従来のように、透明導電薄膜を各々有する複数の導電基板を設ける必要がないため、透明導電薄膜の接触不良や、導電基板の間に異物が混入するといった問題が生じ得ない。これにより、タッチパネル1におけるタッチ位置は、正確に検出される。
According to the present embodiment, since the gauge factor K of the transparent conductive thin film 4 is 300 or more, the electrical resistance value of the transparent conductive thin film 4 varies greatly depending on the load. For this reason, by providing a single layer of the transparent conductive thin film 4 on the
また、上記のように複数の導電基板を設ける必要がないことや、透明導電薄膜4の組成物であるZnが安価であることから、タッチパネル1の製造コストは、小さく抑えられる。
In addition, since it is not necessary to provide a plurality of conductive substrates as described above and Zn which is a composition of the transparent conductive thin film 4 is inexpensive, the manufacturing cost of the
次に、図3のヘリコンスパッタ装置10を用いて製造した本発明の実施例及び比較例と、これらに対して行った試験について説明する。表1に、本発明の実施例の製造条件を示し、表2〜4に比較例の製造条件を示す。
表1に示す実施例1〜3は、Znを成分とするターゲットTを用いて、真空チャンバ11内に導入される酸素の流量が1.0cm3/min以上2.0cm3/min以下に設定されて製造された導電薄膜である。
In Examples 1 to 3 shown in Table 1, the flow rate of oxygen introduced into the
表2に示す比較例1〜5は、Znを成分とするターゲットTを用い、真空チャンバ11内に導入される酸素の流量が、2.5cm3/min以上、10.0cm3/min以下に設定されて製造された導電薄膜である。
Comparative Example shown in Table 2 1-5 using a target T to components Zn, the flow rate of oxygen introduced into the
表3に示す比較例6〜11は、SiCを成分とするターゲットTを用い、真空チャンバ11内に導入される酸素の流量が、0cm3/min以上、8.0cm3/min以下に設定されて製造された導電薄膜である。
Comparative Example shown in Table 3 6-11, using a target T to the SiC as a component, the flow rate of oxygen introduced into the
表4に示す比較例12〜18は、SiCを成分とするターゲットT及びZnを成分とするターゲットTを用い、真空チャンバ11内に導入される酸素の流量が、2.0cm3/min以上、8.0cm3/min以下で製造された導電薄膜である。
Comparative Examples 12 to 18 shown in Table 4 use a target T composed of SiC and a target T composed of Zn, and the flow rate of oxygen introduced into the
また、実施例1〜3及び比較例1〜18は、真空チャンバ11内に導入されるアルゴンガスの流量が18cm3に設定され、また成膜時間が3.6〜10.8ksに設定されて製造されている。また、実施例1〜3及び比較例1〜11は、RF出力が50Wに設定されて製造され、比較例12〜18は、RF出力が10〜150Wに設定されて製造されている。
In addition, Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 18 were manufactured by setting the flow rate of argon gas introduced into the
上記の実施例1〜3及び比較例1〜18に対して、透明性及び導電性を確認する試験を行った。 The test which confirms transparency and electroconductivity with respect to said Examples 1-3 and Comparative Examples 1-18 was done.
透明性の確認は目視により行った。この結果、透明であったものを○、透明でないものを×として、表1〜4に示す。実施例及び比較例のうち、真空チャンバ11内に導入される酸素の流量が0cm3/minであった比較例11のみが透明ではなく、その他の導電薄膜は、全て透明であった。
The transparency was confirmed visually. As a result, it was shown in Tables 1 to 4 where ○ was transparent and X was not transparent. Of the examples and comparative examples, only the comparative example 11 in which the flow rate of oxygen introduced into the
導電性の確認はテスターを用いて行った。その結果、導電性を有しているものを○、導電性を有していなかったものを×として、表1〜4に示す。実施例1〜3及び比較例11は、導電性を有していたが、比較例11以外の比較例は、導電性を有していなかった。 The conductivity was confirmed using a tester. The results are shown in Tables 1 to 4 where ◯ indicates that the material has conductivity and × indicates that the material does not have conductivity. Although Examples 1-3 and Comparative Example 11 had conductivity, Comparative Examples other than Comparative Example 11 did not have conductivity.
本発明者らは、透明性及び導電性が確認された実施例1,3について、電子プローブマイクロアナライザ装置(JXA−8900(日本電子株式会社製) 以下、EPMA装置)を用いて組成分析を行った。この試験では、EPMA装置の試料台に、実施例1,3の導電薄膜を設置した後、電子線を照射し、その照射部分から発生する特性X線の波長と強度とを検出することで、実施例1,3の組成を確認した。この結果、実施例1は、ZnとOの組成比が、Zn:O=37.21:62.79であった。実施例3は、ZnとOの組成比が、Zn:O=37.69:62.31であった。 The present inventors conducted composition analysis on Examples 1 and 3 in which transparency and conductivity were confirmed using an electronic probe microanalyzer device (JXA-8900 (manufactured by JEOL Ltd.), hereinafter, EPMA device). It was. In this test, after installing the conductive thin film of Examples 1 and 3 on the sample stage of the EPMA apparatus, the electron beam is irradiated, and the wavelength and intensity of the characteristic X-ray generated from the irradiated portion are detected. The compositions of Examples 1 and 3 were confirmed. As a result, in Example 1, the composition ratio of Zn and O was Zn: O = 37.21: 62.79. In Example 3, the composition ratio of Zn and O was Zn: O = 37.69: 62.31.
本発明者らは、4点曲げ試験機及びDIGITAL MULTIMETER(IWATSU VOAV7521A),I/O terminal(CONTEC)を用いて、実施例1〜3のゲージ率Kを求める試験を行った。この試験では、実施例1〜3に荷重を負荷することで得られた歪みεと電気抵抗の比により、実施例1〜3のゲージ率Kを求めた。 The present inventors performed a test for determining the gauge factor K of Examples 1 to 3 using a four-point bending tester, DIGITAL MULTIMETER (IWATSU VOAV7521A), and I / O terminal (CONTEC). In this test, the gauge factor K of Examples 1 to 3 was obtained from the ratio of strain ε and electrical resistance obtained by applying a load to Examples 1 to 3.
本試験により得られた結果を図4,5に示す。図4は、荷重の負荷により導電薄膜に生じた歪みεとゲージ率Kとの関係を示す。図5は、真空チャンバ11内に導入された酸素流量とゲージ率Kとの関係を示す。図4に示すように、実施例1〜3のいずれにおいても、ゲージ率Kは、歪みεに依存せずに、ほぼ一定であった。また、ゲージ率Kは、実施例1(酸素流量:2.0cm3/min)が、約300であり、実施例2(酸素流量:1.5cm3/min)は、約100であり、実施例3(酸素流量:1.0cm3/min)は、約40であった。このことから、真空チャンバ11内に導入する酸素流量を多くすることで、ゲージ率Kは増加し、酸素流量を1.0cm3/min以上2.0cm3/min以下に設定した場合には、ゲージ率が40〜300と大きくなることから、歪みの発生に応じて大きな電気抵抗の変化を生じさせる薄膜を形成することができることが確認された。
The results obtained by this test are shown in FIGS. FIG. 4 shows the relationship between the strain ε produced in the conductive thin film due to the load and the gauge factor K. FIG. 5 shows the relationship between the flow rate of oxygen introduced into the
ゲージ率Kは、電子が価電子帯と伝導帯の間を遷移するために要するバンドギャップエネルギーに比例することが知られている。そこで、本発明者らは、簡易型分光色差計(NF333,日本電色工業(株)製)を用いて、導電薄膜の反射率を求めることで、実施例2,3及び比較例5のバンドギャップエネルギーを算出した。 It is known that the gauge factor K is proportional to the band gap energy required for electrons to transition between the valence band and the conduction band. Therefore, the inventors obtained the reflectance of the conductive thin film using a simple spectral color difference meter (NF333, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.), so that the bands of Examples 2 and 3 and Comparative Example 5 were obtained. The gap energy was calculated.
実施例3(酸素流量:1.0cm3/min)のバンドギャップエネルギーは、2.35eVであり、実施例2(酸素流量:1.5cm3/min)のバンドギャップエネルギーは、2.41eVであり、比較例5(酸素流量:2.5cm3/min)のバンドギャップエネルギーは、2.51eVであった。この結果から、真空チャンバ11内への酸素流量が多くなることに応じて、バンドギャップエネルギーは増加することが確認された。
The band gap energy of Example 3 (oxygen flow rate: 1.0 cm 3 / min) is 2.35 eV, and the band gap energy of Example 2 (oxygen flow rate: 1.5 cm 3 / min) is 2.41 eV. Yes, the band gap energy of Comparative Example 5 (oxygen flow rate: 2.5 cm 3 / min) was 2.51 eV. From this result, it was confirmed that the band gap energy increases as the flow rate of oxygen into the
本発明者らは、実施例1,3及び比較例4について結晶の相同定を行った。本試験では、ゴニオメータの試料台に実施例1,3及び比較例4の試験片を取り付け、位置決め治具および顕微鏡を用いて試験片が所定位置になるよう微調整を行った後、X線回折装置(MXP3,(株)マック・サイエンス製)により試験片にX線を照射して回折ピークを測定した。回折ピークの測定は、X線入射角を一定とする低角入射法により行った。 The inventors of the present invention conducted phase identification of Examples 1 and 3 and Comparative Example 4. In this test, the test pieces of Examples 1 and 3 and Comparative Example 4 were attached to the sample table of the goniometer, fine adjustment was performed using a positioning jig and a microscope so that the test piece was in a predetermined position, and then X-ray diffraction was performed. The diffraction peak was measured by irradiating the test piece with X-rays using an apparatus (MXP3, manufactured by Mac Science Co., Ltd.). The diffraction peak was measured by a low angle incidence method with a constant X-ray incident angle.
図6は、本試験により測定された導電薄膜のX線回折パターンを示す。実施例1,3及び比較例4のいずれにおいても、ブロードなZnOのピークが確認された。このことから、スパッタにより作製されたZnOは、アモルファスに近い状態で堆積していることが考えられる。また、最もゲージ率Kの高い実施例1(酸素流量2.0cm3/min)では、実施例3(酸素流量1.0cm3/min)及び比較例4(酸素流量3.0cm3/min)に比して、ZnOのピークが多く存在するとともに、それらの強度も高く、結晶化を開始して、微結晶組織であることが確認された。 FIG. 6 shows the X-ray diffraction pattern of the conductive thin film measured by this test. In any of Examples 1 and 3 and Comparative Example 4, a broad ZnO peak was confirmed. From this, it is considered that ZnO produced by sputtering is deposited in a state close to amorphous. In Example 1 (oxygen flow rate 2.0 cm 3 / min) with the highest gauge factor K, Example 3 (oxygen flow rate 1.0 cm 3 / min) and Comparative Example 4 (oxygen flow rate 3.0 cm 3 / min) In comparison with, there are many ZnO peaks and their strength is high, and crystallization was started, confirming the microcrystalline structure.
本発明は、液晶テレビ等に用いられるタッチパネルを形成するために適用することができる。 The present invention can be applied to form a touch panel used for a liquid crystal television or the like.
1 タッチパネル
2 ガラス基板
2a ガラス基板の一方の表面
3 第1電極
4 透明導電薄膜
5 第2電極
6 ディスプレイ
6a ディスプレイの観察者側の面
10 ヘリコンスパッタ装置
11 真空チャンバ
12 サセプタ
13 カソード
14,15 ガス導入系
16 モータ
19 ヒータ
20 コイル
30,30A 第1電極ライン
50,50A 第2電極ライン
60,60A,70,70A 電圧計
DESCRIPTION OF
20
Claims (5)
前記ターゲットの成分は、Znであり、
前記真空チャンバ内に導入されるアルゴンの流量は、18.0cm3/minに設定され、
前記真空チャンバ内に導入される酸素の流量は、1.0cm3/min以上、2.0cm3/min以下に設定されることを特徴とする透明導電薄膜の形成方法。 A method of forming a transparent conductive thin film on the surface of the substrate by sputtering the target while introducing argon and oxygen into the vacuum chamber in a state where the substrate and the target are arranged in a vacuum chamber,
The target component is Zn,
The flow rate of argon introduced into the vacuum chamber is set to 18.0 cm 3 / min,
The method for forming a transparent conductive thin film, wherein a flow rate of oxygen introduced into the vacuum chamber is set to 1.0 cm 3 / min to 2.0 cm 3 / min.
前記第1電極は、第1方向に並設される複数の第1電極ラインから構成され、該第1電極ラインは、それぞれ前記第1方向と交差する第2方向に延在し、
前記第2電極は、前記第2方向に並設される複数の第2電極ラインから構成され、該第2電極ラインは、それぞれ前記第1方向に延在し、
前記第1,2電極ラインには電圧計又は電流計が接続され、該電圧計又は電流計の計測値により前記透明導電薄膜の電気抵抗の変化が生じた位置が特定されることで、タッチ位置が検出されることを特徴とするタッチパネル。 The first electrode, the transparent conductive thin film according to claim 1 or 2, and the second electrode have a structure that is sequentially laminated on one surface of the glass substrate,
The first electrode includes a plurality of first electrode lines arranged in parallel in a first direction, and the first electrode lines each extend in a second direction intersecting the first direction,
The second electrode is composed of a plurality of second electrode lines arranged in parallel in the second direction, and each of the second electrode lines extends in the first direction,
A voltmeter or an ammeter is connected to the first and second electrode lines, and a position where a change in the electrical resistance of the transparent conductive thin film is specified by a measured value of the voltmeter or ammeter, thereby a touch position. A touch panel, characterized in that is detected.
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