JP2011256144A - Production method of thiophene compound - Google Patents

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JP2011256144A JP2010133416A JP2010133416A JP2011256144A JP 2011256144 A JP2011256144 A JP 2011256144A JP 2010133416 A JP2010133416 A JP 2010133416A JP 2010133416 A JP2010133416 A JP 2010133416A JP 2011256144 A JP2011256144 A JP 2011256144A
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Masakatsu Nakatsuka
正勝 中塚
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new method for producing [1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene derivative in high yield.SOLUTION: The target compound is produced by reacting a compound represented by formula (2-1) and formula (2-48) with an acid, preferably protonic acid or further trifluoromethane sulfonic acid.

Description

本発明は、特定構造のチオフェン化合物の製造方法に関する。
The present invention relates to a method for producing a thiophene compound having a specific structure.

従来、アモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いてなる薄膜トランジスタ(TFT)は、液晶表示装置などのフラットパネル表示用のスイッチング素子として広く用いられている。しかし、これらシリコンを用いた薄膜トランジスタの作製に用いられるCVD装置は、高価であり、大型の薄膜トランジスタ素子の製造は、製造コストの増大を伴うという難点がある。
また、アモルファスシリコンや多結晶シリコンの成膜は、高温度下で実施されるため、基板としては、軽量で、フレキシビリティーではあるが、耐熱性に乏しいプラスチック材料などは使用できないという難点がある。
上記問題を解決するために、アモルファスシリコンや多結晶シリコンに代えて、有機化合物をチャネル半導体層(以下、有機半導体層という)に用いた有機トランジスタ(有機薄膜トランジスタ、有機TFTとも称される)が提案されている(非特許文献1)。

有機半導体層を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法や塗布法などが知られており、これらの成膜方法によれば、製造コストを抑えつつ、有機トランジスタ素子の大型化が容易となる。
さらには、成膜時に必要となる温度を下げることができ、有機化合物を用いた有機トランジスタでは、基板にプラスチック材料を使用することが可能となり、フレキシブルな表示素子への適用が可能となり、その実用化に期待が集まっている。

実用的な有機トランジスタは、高い電荷移動度、および大きな電流オン/オフ比などの特性を有している必要がある。ここで「オン/オフ比」という用語は、有機トランジスタがオンであるときのソース電極とドレイン電極間の電流の、有機トランジスタがオフであるときのソース電極とドレイン電極間の電流に対する比を意味する。
さらには、有機トランジスタの実用化に向けては、優れた保存安定性が必要となる。
Conventionally, a thin film transistor (TFT) made of amorphous silicon or polycrystalline silicon has been widely used as a switching element for flat panel display such as a liquid crystal display device. However, a CVD apparatus used for manufacturing a thin film transistor using silicon is expensive, and manufacturing a large-sized thin film transistor element has a drawback of increasing manufacturing cost.
In addition, since amorphous silicon and polycrystalline silicon are formed at a high temperature, there is a problem that a plastic material that is lightweight and flexible but has poor heat resistance cannot be used as a substrate. .
In order to solve the above problem, an organic transistor (also referred to as an organic thin film transistor or an organic TFT) using an organic compound for a channel semiconductor layer (hereinafter referred to as an organic semiconductor layer) instead of amorphous silicon or polycrystalline silicon is proposed. (Non-Patent Document 1).

As a method for forming the organic semiconductor layer, for example, a vacuum deposition method or a coating method is known. According to these film formation methods, it is easy to increase the size of the organic transistor element while suppressing the manufacturing cost. .
Furthermore, the temperature required for film formation can be lowered, and organic transistors using organic compounds can use plastic materials for the substrate, which can be applied to flexible display elements. Expectations are gathered for the transformation.

A practical organic transistor needs to have characteristics such as high charge mobility and a large current on / off ratio. Here, the term “on / off ratio” means the ratio of the current between the source electrode and the drain electrode when the organic transistor is on to the current between the source electrode and the drain electrode when the organic transistor is off. To do.
Furthermore, excellent storage stability is required for practical application of organic transistors.

現在までに、有機半導体層に、例えば、ペンタセンを用いた有機トランジスタが提案されている(非特許文献2)。
しかし、ペンタセンを用いてなる有機トランジスタは、大気中では有機トランジスタとしての機能は低く、且つ、保存安定性が低いという難点がある。
さらに、チオフェンオリゴマー(α−ヘキサチエニレン)を有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている(非特許文献3)。しかし、該有機トランジスタも、空気中での保存安定性が低いという難点がある。
To date, organic transistors using, for example, pentacene as the organic semiconductor layer have been proposed (Non-Patent Document 2).
However, an organic transistor using pentacene has a problem that it has a low function as an organic transistor in the atmosphere and low storage stability.
Furthermore, an organic transistor using a thiophene oligomer (α-hexathienylene) as an organic semiconductor layer has been proposed (Non-patent Document 3). However, the organic transistor also has a drawback that its storage stability in air is low.

これらの保存安定性を改良するものとして、[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン誘導体を有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている。例えば、2,7−ジフェニル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェンを有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている(非特許文献4)。2,7−ジアルキル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェンを有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている(非特許文献5)。また、例えば、2,7−ジアルコキシアルキル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェンを有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている(特許文献1)。また、ジナフト[2,3−b:2’,3’−f]チエノ[3,2−b]チオフェンを有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている(非特許文献6)。
In order to improve these storage stability, an organic transistor using a [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene derivative as an organic semiconductor layer has been proposed. For example, an organic transistor using 2,7-diphenyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene as an organic semiconductor layer has been proposed (Non-Patent Document 4). An organic transistor using 2,7-dialkyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene for an organic semiconductor layer has been proposed (Non-patent Document 5). For example, an organic transistor using 2,7-dialkoxyalkyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene as an organic semiconductor layer has been proposed (Patent Document 1). Further, an organic transistor using dinaphtho [2,3-b: 2 ′, 3′-f] thieno [3,2-b] thiophene as an organic semiconductor layer has been proposed (Non-Patent Document 6).

これらのチオフェン誘導体、またはこれらのチオフェン誘導体の製造中間体の製造方法に関しては、幾つか報告されている。例えば、2,7−ジエチルカルボキシレート[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェンは、化合物(A)に臭素を作用させて製造されている(非特許文献7)。

Figure 2011256144
Several methods for producing these thiophene derivatives or intermediates for producing these thiophene derivatives have been reported. For example, 2,7-diethylcarboxylate [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene is produced by allowing bromine to act on compound (A) (Non-patent Document 7).
Figure 2011256144

2,7−ニトロ[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェンは、化合物(B)に過臭化ピリジンを作用させて製造されている(特許文献2)。

Figure 2011256144
2,7-nitro [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene is produced by reacting compound (B) with perbrominated pyridine (Patent Document 2).
Figure 2011256144

ジナフト[2,3−b:2’,3’−f]チエノ[3,2−b]チオフェンは、化合物(C)にヨウ素を作用させて製造されている(非特許文献6)。

Figure 2011256144
Dinaphtho [2,3-b: 2 ′, 3′-f] thieno [3,2-b] thiophene is produced by allowing iodine to act on compound (C) (Non-patent Document 6).
Figure 2011256144

また、ジナフト[1,2−b:1’,2’−f]チエノ[3,2−b]チオフェンは、化合物(D)にヨウ素を作用させて製造されている(非特許文献8)。

Figure 2011256144
これらの製造方法は、必ずしも高収率で[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン誘導体を製造することができるものではなく、現在では、実用化に向け、[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン誘導体の一層改良された製造方法が求められている。
Further, dinaphtho [1,2-b: 1 ′, 2′-f] thieno [3,2-b] thiophene is produced by allowing iodine to act on the compound (D) (Non-patent Document 8).
Figure 2011256144
These production methods are not necessarily capable of producing [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene derivatives with high yield, and at present, [1] benzothieno for practical use. There is a need for a further improved process for the preparation of [3,2-b] [1] benzothiophene derivatives.

特開2009−267132号公報JP 2009-267132 A 特開2009−62302号公報JP 2009-62302 A

Appl.Phys.Lett.,63,1372(1993)Appl.Phys.Lett., 63,1372 (1993) Appl.Phys.Lett.,72,1854(1998)Appl.Phys.Lett., 72,1854 (1998) Science,268,270(1995)Science, 268,270 (1995) J.Amer.Chem.Soc.,128、12604(2006)J. Amer. Chem. Soc., 128, 12604 (2006) J.Amer.Chem.Soc.,129、15732(2007)J. Amer. Chem. Soc., 129, 15732 (2007) J.Amer.Chem.Soc.,129、2224(2007)J. Amer. Chem. Soc., 129, 2224 (2007) J.Org.Chem.Soc.,58、5209(1993)J. Org. Chem. Soc., 58, 5209 (1993) Bull.Chem.Soc.Jpn.,83、120(2010)Bull.Chem.Soc.Jpn., 83,120 (2010)

現在までに、[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン誘導体の種々の製造方法が提案されているが、実用的に充分満足できる方法とはいい難いものであった。
本発明は、上述に鑑み、[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン誘導体を高収率で製造することができる新規な製造方法を提供することである。
To date, various methods for producing [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene derivatives have been proposed, but it is difficult to say that the method is sufficiently satisfactory for practical use.
In view of the above, the present invention is to provide a novel production method capable of producing a [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene derivative in a high yield.

本発明者は、前記課題を解決するため、鋭意検討した結果、[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン誘導体の新規な製造方法を見出した。
すなわち、本発明は、
(i)一般式(1)で表される化合物を製造する方法において、一般式(2)または一般式(3)で表される化合物を、酸と作用させた後、生成する化合物を塩基と作用させて、一般式(1)で表される化合物を製造する方法である。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found a novel method for producing a [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene derivative.
That is, the present invention
(i) In the method for producing the compound represented by the general formula (1), the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) is allowed to act with an acid, and then the resulting compound is used as a base. This is a method for producing a compound represented by the general formula (1) by acting.

Figure 2011256144
〔式中、X〜Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、X〜Xおよび/またはX〜Xの組み合わせより選ばれる隣接する2個の置換基が互いに結合して、置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよく、RおよびRはそれぞれ独立に、アルキル基を表す〕
Figure 2011256144
[Wherein, X 1 to X 8 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, or a linear chain. Represents a branched or cyclic alkoxyalkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxyalkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group, and further selected from a combination of X 1 to X 4 and / or X 5 to X 8 Two adjacent substituents may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted benzene ring or a substituted or unsubstituted naphthalene ring together with the substituted carbon atom, and R 1 and R 2 Each independently represents an alkyl group.

本発明により、各種の機能性材料(例えば、有機トランジスタ用材料)に有用な化合物の新規な製造方法を提供することが可能になった。
According to the present invention, it has become possible to provide a novel method for producing a compound useful for various functional materials (for example, materials for organic transistors).

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、一般式(2)または一般式(3)で表される化合物を、酸と作用させた後、生成する化合物を塩基と作用させて、一般式(1)で表される化合物を製造する方法である。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In the present invention, the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) is allowed to act with an acid, and then the resulting compound is allowed to act with a base to obtain the compound represented by the general formula (1). It is a manufacturing method.

Figure 2011256144
〔式中、X〜Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、X〜Xおよび/またはX〜Xの組み合わせより選ばれる隣接する2個の置換基が互いに結合して、置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよく、RおよびRはそれぞれ独立に、アルキル基を表す〕
Figure 2011256144
[Wherein, X 1 to X 8 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, or a linear chain. Represents a branched or cyclic alkoxyalkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxyalkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group, and further selected from a combination of X 1 to X 4 and / or X 5 to X 8 Two adjacent substituents may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted benzene ring or a substituted or unsubstituted naphthalene ring together with the substituted carbon atom, and R 1 and R 2 Each independently represents an alkyl group.

一般式(1)〜一般式(3)で表される化合物において、X〜Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す。

尚、本明細書において、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環式芳香族基、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基などの複素環式芳香族基を表す。また、アリール基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは炭素数4〜20の前記ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基で置換されていてもよいアリール基などが挙げられる。
In the compounds represented by general formula (1) to general formula (3), X 1 to X 8 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, cyano group, nitro group, linear, branched or cyclic alkyl. Represents a group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, a linear, branched or cyclic alkoxyalkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxyalkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group.

In the present specification, the aryl group represents a carbocyclic aromatic group such as a phenyl group or a naphthyl group, for example, a heterocyclic aromatic group such as a furyl group, a thienyl group or a pyridyl group. In addition, the substituent of the aryl group includes a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or a carbon number of 4 to The aryl group which may be substituted by 20 said halogen atoms, an alkyl group, and an alkoxy group etc. are mentioned.

一般式(1)〜一般式(3)で表される化合物において、より好ましくは、X1〜Xは水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは炭素数4〜20の置換または未置換のアリール基を表す。

一般式(1)〜一般式(3)におけるX1 〜Xの具体例としては、例えば、水素原子;例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素などのハロゲン原子;水酸基、シアノ基、ニトロ基、
例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、n−ヘキシル基、1−メチルペンチル基、4−メチル−2−ペンチル基、3,3−ジメチルブチル基、2−エチルブチル基、n−ヘプチル基、1−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、n−オクチル基、tert−オクチル基、1−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、2−プロピルペンチル基、n−ノニル基、2,2−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメチル−4−ヘプチル基、3,5,5−トリメチルヘキシル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、1−メチルデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、1−ヘキシルヘプチル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−エイコシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、4−tert−ブチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの直鎖、分岐または環状のアルキル基;
In the compounds represented by the general formula (1) to the general formula (3), more preferably, X 1 to X 8 are a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, A linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkoxyalkyl group having 2 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkoxyalkoxy group having 2 to 20 carbon atoms, Alternatively, it represents a substituted or unsubstituted aryl group having 4 to 20 carbon atoms.

Specific examples of X 1 to X 8 in the general formula (1) to the general formula (3) include, for example, a hydrogen atom; a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and iodine; a hydroxyl group, a cyano group, Nitro group,
For example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, n-hexyl group, 1-methylpentyl group, 4-methyl-2-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, n-heptyl group, 1-methylhexyl group, cyclohexylmethyl group, n- Octyl group, tert-octyl group, 1-methylheptyl group, 2-ethylhexyl group, 2-propylpentyl group, n-nonyl group, 2,2-dimethylheptyl group, 2,6-dimethyl-4-heptyl group, 3 , 5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, n-undecyl group, 1-methyldecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group Group, 1-hexylheptyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-eicosyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, Linear, branched or cyclic alkyl groups such as 4-tert-butylcyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group;

例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、3,3−ジメチルブチルオキシ基、2−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、n−トリデシルオキシ基、n−テトラデシルオキシ基、n−ペンタデシルオキシ基、n−ヘキサデシルオキシ基、n−ヘプタデシルオキシ基、n−オクタデシルオキシ基、n−エイコシルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシ基;

例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、n−ブトキシメチル基、n−ペンチルオキシメチル基、n−ヘキシルオキシメチル基、(2−エチルブチルオキシ)メチル基、n−ヘプチルオキシメチル基、n−オクチルオキシメチル基、n−デシルオキシメチル基、n−ドデシルオキシメチル基、2−メトキシエチル基、2−エトキシエチル基、2−n−プロポキシエチル基、2−イソプロポキシエチル基、2−n−ブトキシエチル基、2−n−ペンチルオキシエチル基、2−n−ヘキシルオキシエチル基、2−(2’−エチルブチルオキシ)エチル基、2−n−ヘプチルオキシエチル基、2−n−オクチルオキシエチル基、2−(2’−エチルヘキシルオキシ)エチル基、2−n−デシルオキシエチル基、2−n−ドデシルオキシエチル基、2−n−テトラデシルオキシエチル基、2−シクロヘキシルオキシエチル基、2−メトキシプロピル基、3−メトキシプロピル基、3−エトキシプロピル基、3−n−プロポキシプロピル基、3−イソプロポキシプロピル基、3−n−ブトキシプロピル基、3−n−ペンチルオキシプロピル基、3−n−ヘキシルオキシプロピル基、3−(2’−エチルブトキシ)プロピル基、3−n−オクチルオキシプロピル基、3−(2’−エチルヘキシルオキシ)プロピル基、3−n−デシルオキシプロピル基、3−n−ドデシルオキシプロピル基、3−n−テトラデシルオキシプロピル基、3−シクロヘキシルオキシプロピル基、4−メトキシブチル基、4−エトキシブチル基、4−n−プロポキシブチル基、4−イソプロポキシブチル基、4−n−ブトキシブチル基、4−n−ヘキシルオキシブチル基、4−n−オクチルオキシブチル基、4−n−デシルオキシブチル基、4−n−ドデシルオキシブチル基、5−メトキシペンチル基、5−エトキシペンチル基、5−n−プロポキシペンチル基、5−n−ペンチルオキシペンチル基、6−メトキシヘキシル基、6−エトキシヘキシル基、6−イソプロポキシヘキシル基、6−n−ブトキシヘキシル基、6−n−ヘキシルオキシヘキシル基、6−n−デシルオキシヘキシル基、4−メトキシシクロヘキシル基、7−メトキシヘプチル基、7−エトキシヘプチル基、7−イソプロポキシヘプチル基、8−メトキシオクチル基、8−エトキシオクチル基、9−メトキシノニル基、9−エトキシノニル基、10−メトキシデシル基、10−エトキシデシル基、10−n−ブトキシデシル基、11−メトキシウンデシル基、11−エトキシウンデシル基、12−メトキシドデシル基、12−エトキシドデシル基、12−イソプロポキシドデシル基、14−メトキシテトラデシル基、テトラヒドロフルフリル基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基;
For example, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, n-pentyloxy group, neopentyloxy group, cyclopentyloxy group, n-hexyloxy group 3,3-dimethylbutyloxy group, 2-ethylbutyloxy group, cyclohexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group, n -Undecyloxy group, n-dodecyloxy group, n-tridecyloxy group, n-tetradecyloxy group, n-pentadecyloxy group, n-hexadecyloxy group, n-heptadecyloxy group, n-octadecyl group Linear, branched or cyclic alkoxy groups such as oxy group and n-eicosyloxy group

For example, methoxymethyl group, ethoxymethyl group, n-butoxymethyl group, n-pentyloxymethyl group, n-hexyloxymethyl group, (2-ethylbutyloxy) methyl group, n-heptyloxymethyl group, n-octyl Oxymethyl group, n-decyloxymethyl group, n-dodecyloxymethyl group, 2-methoxyethyl group, 2-ethoxyethyl group, 2-n-propoxyethyl group, 2-isopropoxyethyl group, 2-n-butoxy Ethyl group, 2-n-pentyloxyethyl group, 2-n-hexyloxyethyl group, 2- (2′-ethylbutyloxy) ethyl group, 2-n-heptyloxyethyl group, 2-n-octyloxyethyl group Group, 2- (2′-ethylhexyloxy) ethyl group, 2-n-decyloxyethyl group, 2-n-dodecyloxyethyl group 2-n-tetradecyloxyethyl group, 2-cyclohexyloxyethyl group, 2-methoxypropyl group, 3-methoxypropyl group, 3-ethoxypropyl group, 3-n-propoxypropyl group, 3-isopropoxypropyl group, 3-n-butoxypropyl group, 3-n-pentyloxypropyl group, 3-n-hexyloxypropyl group, 3- (2′-ethylbutoxy) propyl group, 3-n-octyloxypropyl group, 3- ( 2'-ethylhexyloxy) propyl group, 3-n-decyloxypropyl group, 3-n-dodecyloxypropyl group, 3-n-tetradecyloxypropyl group, 3-cyclohexyloxypropyl group, 4-methoxybutyl group, 4-ethoxybutyl group, 4-n-propoxybutyl group, 4-isopropoxybutyl group, 4-n-butyl group Xylbutyl group, 4-n-hexyloxybutyl group, 4-n-octyloxybutyl group, 4-n-decyloxybutyl group, 4-n-dodecyloxybutyl group, 5-methoxypentyl group, 5-ethoxypentyl group 5-n-propoxypentyl group, 5-n-pentyloxypentyl group, 6-methoxyhexyl group, 6-ethoxyhexyl group, 6-isopropoxyhexyl group, 6-n-butoxyhexyl group, 6-n-hexyl Oxyhexyl group, 6-n-decyloxyhexyl group, 4-methoxycyclohexyl group, 7-methoxyheptyl group, 7-ethoxyheptyl group, 7-isopropoxyheptyl group, 8-methoxyoctyl group, 8-ethoxyoctyl group, 9-methoxynonyl group, 9-ethoxynonyl group, 10-methoxydecyl group, 10-ethoxyde Group, 10-n-butoxydecyl group, 11-methoxyundecyl group, 11-ethoxyundecyl group, 12-methoxydodecyl group, 12-ethoxydodecyl group, 12-isopropoxide decyl group, 14-methoxytetradecyl group A linear, branched or cyclic alkoxyalkyl group such as a tetrahydrofurfuryl group;

例えば、メトキシメトキシ基、エトキシメキシ基、n−ブトキシメトキシ基、n−ペンチルオキシメトキシ基、n−ヘキシルオキシメトキシ基、(2−エチルブトキシ)メトキシ基、n−ヘプチルオキシメトキシ基、n−オクチルオキシメトキシ基、n−デシルオキシメトキシ基、n−ドデシルオキシメトキシ基、1−メトキシエトキシ基、2−メトキシエトキシ基、2−エトキシエトキシ基、2−n−プロポキシエトキシ基、2−イソプロポキシエトキシ基、2−n−ブトキシエトキシ基、2−n−ペンチルオキシエトキシ基、2−n−ヘキシルオキシエトキシ基、2−(2’−エチルブチルオキシ)エトキシ基、2−n−ヘプチルオキシエトキシ基、2−n−オクチルオキシエトキシ基、2−(2’−エチルヘキシルオキシ)エトキシ基、2−n−デシルオキシエトキシ基、2−n−ドデシルオキシエトキシ基、2−n−テトラデシルオキシエトキシ基、2−シクロヘキシルオキシエトキシ基、2−メトキシプロポキシ基、3−メトキシプロポキシ基、3−エトキシプロポキシ基、3−n−プロポキシプロポキシ基、3−イソプロポキシプロポキシ基、3−n−ブトキシプロポキシ基、3−n−ペンチルオキシプロポキシ基、3−n−ヘキシルオキシプロポキシ基、3−(2’−エチルブトキシ)プロポキシ基、3−n−オクチルオキシプロポキシ基、3−(2’−エチルヘキシルオキシ)プロポキシ基、3−n−デシルオキシプロポキシ基、3−n−ドデシルオキシプロポキシ基、3−n−テトラデシルオキシプロポキシ基、3−シクロヘキシルオキシプロポキシ基、2−メトキシブトキシ基、3−メトキシブトキシ基、4−メトキシブトキシ基、4−エトキシブトキシ基、4−n−プロポキシブトキシ基、4−イソプロポキシブトキシ基、4−n−ブトキシブトキシ基、4−n−ヘキシルオキシブトキシ基、4−n−オクチルオキシブトキシ基、4−n−デシルオキシブトキシ基、4−n−ドデシルオキシブトキシ基、5−メトキシペンチルオキシ基、5−エトキシペンチルオキシ基、5−n−プロポキシペンチルオキシ基、5−n−ペンチルオキシペンチルオキシ基、6−メトキシヘキシルオキシ基、6−エトキシヘキシルオキシ基、6−イソプロポキシヘキシルオキシ基、6−n−ブトキシヘキシルオキシ基、6−n−ヘキシルオキシヘキシルオキシ基、6−n−デシルオキシヘキシルオキシ基、4−メトキシシクロヘキシルオキシ基、7−メトキシヘプチルオキシ基、7−エトキシヘプチルオキシ基、7−イソプロポキシヘプチルオキシ基、8−メトキシオクチルオキシ基、8−エトキシオクチルオキシ基、9−メトキシノニルオキシ基、9−エトキシノニルオキシ基、10−メトキシデシルオキシ基、10−エトキシデシルオキシ基、10−n−ブトキシデシルオキシ基、11−メトキシウンデシルオキシ基、11−エトキシウンデシルオキシ基、12−メトキシドデシルオキシ基、12−エトキシドデシルオキシ基、12−イソプロポキシドデシルオキシ基、14−メトキシテトラデシルオキシ基、テトラヒドロフルフリルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基;
For example, methoxymethoxy group, ethoxymexi group, n-butoxymethoxy group, n-pentyloxymethoxy group, n-hexyloxymethoxy group, (2-ethylbutoxy) methoxy group, n-heptyloxymethoxy group, n-octyloxy Methoxy group, n-decyloxymethoxy group, n-dodecyloxymethoxy group, 1-methoxyethoxy group, 2-methoxyethoxy group, 2-ethoxyethoxy group, 2-n-propoxyethoxy group, 2-isopropoxyethoxy group, 2-n-butoxyethoxy group, 2-n-pentyloxyethoxy group, 2-n-hexyloxyethoxy group, 2- (2′-ethylbutyloxy) ethoxy group, 2-n-heptyloxyethoxy group, 2- n-octyloxyethoxy group, 2- (2′-ethylhexyloxy) ethoxy group, -N-decyloxyethoxy group, 2-n-dodecyloxyethoxy group, 2-n-tetradecyloxyethoxy group, 2-cyclohexyloxyethoxy group, 2-methoxypropoxy group, 3-methoxypropoxy group, 3-ethoxypropoxy group Group, 3-n-propoxypropoxy group, 3-isopropoxypropoxy group, 3-n-butoxypropoxy group, 3-n-pentyloxypropoxy group, 3-n-hexyloxypropoxy group, 3- (2′-ethyl) Butoxy) propoxy, 3-n-octyloxypropoxy, 3- (2′-ethylhexyloxy) propoxy, 3-n-decyloxypropoxy, 3-n-dodecyloxypropoxy, 3-n-tetradecyl Oxypropoxy group, 3-cyclohexyloxypropoxy group, 2-methoxy Toxyl group, 3-methoxybutoxy group, 4-methoxybutoxy group, 4-ethoxybutoxy group, 4-n-propoxybutoxy group, 4-isopropoxybutoxy group, 4-n-butoxybutoxy group, 4-n-hexyloxy Butoxy group, 4-n-octyloxybutoxy group, 4-n-decyloxybutoxy group, 4-n-dodecyloxybutoxy group, 5-methoxypentyloxy group, 5-ethoxypentyloxy group, 5-n-propoxypentyl Oxy group, 5-n-pentyloxypentyloxy group, 6-methoxyhexyloxy group, 6-ethoxyhexyloxy group, 6-isopropoxyhexyloxy group, 6-n-butoxyhexyloxy group, 6-n-hexyloxy Hexyloxy group, 6-n-decyloxyhexyloxy group, 4-methoxy Hexyloxy group, 7-methoxyheptyloxy group, 7-ethoxyheptyloxy group, 7-isopropoxyheptyloxy group, 8-methoxyoctyloxy group, 8-ethoxyoctyloxy group, 9-methoxynonyloxy group, 9-ethoxy Nonyloxy group, 10-methoxydecyloxy group, 10-ethoxydecyloxy group, 10-n-butoxydecyloxy group, 11-methoxyundecyloxy group, 11-ethoxyundecyloxy group, 12-methoxydodecyloxy group, Linear, branched or cyclic alkoxyalkoxy groups such as 12-ethoxydodecyloxy group, 12-isopropoxide decyloxy group, 14-methoxytetradecyloxy group, tetrahydrofurfuryloxy group;

例えば、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、4−イソブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4―n−ペンチルフェニル基、4−イソペンチルフェニル基、4−tert−ペンチルフェニル基、4−n−ヘキシルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、4−n−ヘプチルフェニル基、4−n−オクチルフェニル基、4−n−ノニルフェニル基、4−n−デシルフェニル基、4−n−ウンデシルフェニル基、4−n−ドデシルフェニル基、4−n−テトラデシルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3,4,5−トリメチルフェニル基、2,3,5,6−テトラメチルフェニル基、5−インダニル基、1,2,3,4−テトラヒドロ−5−ナフチル基、1,2,3,4−テトラヒドロ−6−ナフチル基、
2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、4−イソブトキシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−n−ヘプチルオキシフェニル基、4−n−オクチルオキシフェニル基、4−n−ノニルオキシフェニル基、4−n−デシルオキシフェニル基、4−n−ウンデシルオキシフェニル基、4−n−ドデシルオキシフェニル基、4−n−テトラデシルオキシフェニル基、2,3−ジメトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、2,5−ジメトキシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、2−メトキシ−4−メチルフェニル基、2−メトキシ−5−メチルフェニル基、2−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−5−メトキシフェニル基、
2−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、2−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、3−トリフルオロメチルフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,4−ジクロロフェニル基、3,4−ジフルオロフェニル基、3,4−ジクロロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、3,4,5−トリフルオロフェニル基、2−メチル−4−クロロフェニル基、2−クロロ−4−メチルフェニル基、3−クロロ−4−メチルフェニル基、2−クロロ−4−メトキシフェニル基、3−メトキシ−4−フルオロフェニル基、3−メトキシ−4−クロロフェニル基、3−フルオロ−4−メトキシフェニル基、2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル基、4−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−(4’−メチルフェニル)フェニル基、4−(4’−メトキシフェニル)フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−エトキシ−1−ナフチル基、6−n−ブチル−2−ナフチル基、6−メトキシ−2−ナフチル基、7−エトキシ−2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、2−テトラセニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、9,9−ジ−n−プロピル−2−フルオレニル基、2−フリル基、2−チエニル基、5−n−プロピル−2−チエニル基、5−n−ブチル−2−チエニル基、5−n−ヘキシル−2−チエニル基、5−n−オクチル−2−チエニル基、5−n−デシル−2−チエニル基、5−n−トリデシル−2−チエニル基、5−フェニル−2−チエニル基、5−(2’−チエニル)−2−チエニル基、5−(5’−n−ブチル−2’−チエニル)−2−チエニル基、5−(5’−n−ヘキシル−2’−チエニル)−2−チエニル基、5−(5’−n−デシル−2’−チエニル)−2−チエニル基、3−チエニル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基などの置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
For example, phenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-n-propylphenyl group, 4-isopropylphenyl group, 4-n-butylphenyl group 4-isobutylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-n-pentylphenyl group, 4-isopentylphenyl group, 4-tert-pentylphenyl group, 4-n-hexylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl Group, 4-n-heptylphenyl group, 4-n-octylphenyl group, 4-n-nonylphenyl group, 4-n-decylphenyl group, 4-n-undecylphenyl group, 4-n-dodecylphenyl group 4-n-tetradecylphenyl group, 2,3-dimethylphenyl group, 2,4-dimethylphenyl group, 2,5-dimethyl An phenyl group, a 2,6-dimethylphenyl group, a 3,4-dimethylphenyl group, a 3,5-dimethylphenyl group, a 3,4,5-trimethylphenyl group, a 2,3,5,6-tetramethylphenyl group, 5-indanyl group, 1,2,3,4-tetrahydro-5-naphthyl group, 1,2,3,4-tetrahydro-6-naphthyl group,
2-methoxyphenyl group, 3-methoxyphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 3-ethoxyphenyl group, 4-ethoxyphenyl group, 4-n-propoxyphenyl group, 4-isopropoxyphenyl group, 4-n-butoxy Phenyl group, 4-isobutoxyphenyl group, 4-n-pentyloxyphenyl group, 4-n-hexyloxyphenyl group, 4-cyclohexyloxyphenyl group, 4-n-heptyloxyphenyl group, 4-n-octyloxy Phenyl group, 4-n-nonyloxyphenyl group, 4-n-decyloxyphenyl group, 4-n-undecyloxyphenyl group, 4-n-dodecyloxyphenyl group, 4-n-tetradecyloxyphenyl group, 2,3-dimethoxyphenyl group, 2,4-dimethoxyphenyl group, 2,5-dimethoxyphenyl group 3,4-dimethoxyphenyl group, 3,5-dimethoxyphenyl group, 3,5-diethoxyphenyl group, 2-methoxy-4-methylphenyl group, 2-methoxy-5-methylphenyl group, 2-methyl- 4-methoxyphenyl group, 3-methyl-4-methoxyphenyl group, 3-methyl-5-methoxyphenyl group,
2-fluorophenyl group, 3-fluorophenyl group, 4-fluorophenyl group, 2-chlorophenyl group, 3-chlorophenyl group, 4-chlorophenyl group, 4-bromophenyl group, 3-trifluoromethylphenyl group, 4-triphenyl Fluoromethylphenyl group, 2,4-difluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 3,4-difluorophenyl group, 3,4-dichlorophenyl group, 3,5-difluorophenyl group, 3,5-dichlorophenyl group, 3,4,5-trifluorophenyl group, 2-methyl-4-chlorophenyl group, 2-chloro-4-methylphenyl group, 3-chloro-4-methylphenyl group, 2-chloro-4-methoxyphenyl group, 3-methoxy-4-fluorophenyl group, 3-methoxy-4-chlorophenyl group, 3-fluoro-4 Methoxyphenyl group, 2,3,4,5,6-pentafluorophenyl group, 4-phenylphenyl group, 3-phenylphenyl group, 4- (4′-methylphenyl) phenyl group, 4- (4′-methoxy) Phenyl) phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-ethoxy-1-naphthyl group, 6-n-butyl-2-naphthyl group, 6-methoxy-2- Naphthyl group, 7-ethoxy-2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, 2-tetracenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, 9, 9-di-n-propyl-2-fluorenyl group, 2-furyl group, 2-thienyl group, 5-n-propyl-2-thienyl group, 5-n-butyl-2-thienyl group, 5- n-hexyl-2-thienyl group, 5-n-octyl-2-thienyl group, 5-n-decyl-2-thienyl group, 5-n-tridecyl-2-thienyl group, 5-phenyl-2-thienyl group 5- (2′-thienyl) -2-thienyl group, 5- (5′-n-butyl-2′-thienyl) -2-thienyl group, 5- (5′-n-hexyl-2′-thienyl) ) Substitution of 2-thienyl group, 5- (5′-n-decyl-2′-thienyl) -2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-pyridyl group, 3-pyridyl group, 4-pyridyl group, etc. Or an unsubstituted aryl group can be mentioned.

一般式(1)〜一般式(3)において、X〜Xの組み合わせおよび/またはX〜Xの組み合わせより選ばれる隣接する2個の置換基が互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよい。

形成されるベンゼン環あるいはナフタレン環が置換基を有する場合、その置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基が挙げられ、
好ましくは、ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは炭素数4〜20の置換または未置換のアリール基が挙げられる。
形成されるベンゼン環あるいはナフタレン環に置換していてもよい置換基の具体例としては、例えば、一般式(1)〜一般式(3)で表される化合物におけるX〜Xで例示したハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
尚、形成されるナフタレン環は、2位と3位、または1位と2位で縮環したナフタレン環である。
Carbon in which two adjacent substituents selected from the combination of X 1 to X 4 and / or the combination of X 5 to X 8 in the general formula (1) to the general formula (3) are bonded to each other and substituted. A substituted or unsubstituted benzene ring or a substituted or unsubstituted naphthalene ring may be formed together with the atoms.

When the formed benzene ring or naphthalene ring has a substituent, examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic group. An alkoxy group, a linear, branched or cyclic alkoxyalkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxyalkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group,
Preferably, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic group having 2 to 20 carbon atoms An alkoxyalkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxyalkoxy group having 2 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 4 to 20 carbon atoms.
Specific examples of the substituent that may be substituted on the benzene ring or naphthalene ring formed are exemplified by X 1 to X 8 in the compounds represented by the general formula (1) to the general formula (3). Halogen atom, linear, branched or cyclic alkyl group, linear, branched or cyclic alkoxy group, linear, branched or cyclic alkoxyalkyl group, linear, branched or cyclic alkoxyalkoxy group, or substituted or unsubstituted Can be mentioned.
The formed naphthalene ring is a naphthalene ring condensed at the 2-position and 3-position, or at the 1-position and 2-position.

一般式(2)および一般式(3)において、RおよびRはアルキル基を表し、好ましくは、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基などの炭素数1〜10の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、より好ましくは、メチル基を表す。

本発明に係る一般式(1)で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
In the general formula (2) and the general formula (3), R 1 and R 2 each represents an alkyl group, preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert group Represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, such as a butyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an n-octyl group or an n-decyl group, more preferably a methyl group Represents.

Specific examples of the compound represented by the general formula (1) according to the present invention include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2011256144
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[一般式(2),一般式(3)の化合物の製造法]
一般式(2)で表される化合物は、例えば、一般式(4)で表される化合物と、一般式(5)で表される化合物を、触媒として、例えば、パラジウム触媒[例えば、ビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウムジクロライド、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム/炭素]、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる[例えば、Chem.Rev.,95、2457(1995)、Chem.Rev.,102、1359(2002)、Chem.Rev.,107、133(2007)、Tetrahedron,54、263(1998)に記載の方法を参考にすることができる]。
[Method for producing compounds of general formula (2) and general formula (3)]
The compound represented by the general formula (2) is, for example, a compound represented by the general formula (4) and a compound represented by the general formula (5), for example, a palladium catalyst [for example, bis ( Triphenylphosphine) palladium dichloride, tetrakis (triphenylphosphine) palladium, palladium acetate, palladium / carbon], and optionally, in the presence of a base, can be produced [see, for example, Chem. Rev. 95, 2457 (1995), Chem. Rev. , 102, 1359 (2002), Chem. Rev. 107, 133 (2007), Tetrahedron, 54, 263 (1998) can be referred to].

Figure 2011256144
〔式中、X〜X、Rは一般式(2)と同じ意味を表し、Mはアルカリ金属、または金属含有基を表し、Zはハロゲン原子または−OSO−R10基を表す〕

同様に、一般式(3)で表される化合物は、例えば、一般式(6)で表される化合物と、一般式(7)で表される化合物を、触媒として、例えば、パラジウム触媒[例えば、ビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウムジクロライド、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム/炭素]、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる。
Figure 2011256144
[Wherein, X 1 to X 8 and R 1 represent the same meaning as in the general formula (2), M 1 represents an alkali metal or a metal-containing group, and Z 1 represents a halogen atom or —OSO 2 —R 10 group. Represents)

Similarly, the compound represented by the general formula (3) is, for example, a palladium catalyst [for example, a compound represented by the general formula (6) and a compound represented by the general formula (7) as a catalyst. , Bis (triphenylphosphine) palladium dichloride, tetrakis (triphenylphosphine) palladium, palladium acetate, palladium / carbon], and if necessary, in the presence of a base.

Figure 2011256144
Figure 2011256144
〔式中、X〜X、Rは一般式(3)と同じ意味を表し、Mはアルカリ金属、または金属含有基を表し、Zはハロゲン原子または−OSO−R10基を表す〕

尚、一般式(4)および一般式(7)において、Z〜Zで表されるハロゲン原子は、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表し、より好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
Figure 2011256144
Figure 2011256144
[Wherein, X 1 to X 8 and R 2 represent the same meaning as in the general formula (3), M 2 represents an alkali metal or a metal-containing group, and Z 2 represents a halogen atom or —OSO 2 —R 10 group. Represents)

In general formula (4) and general formula (7), the halogen atom represented by Z 1 to Z 2 preferably represents a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, more preferably a bromine atom or iodine. Represents an atom.

一般式(4)および一般式(7)において、Z〜Zで表される−OSO−R10基において、R10は置換または未置換のアリール基、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、より好ましくは、炭素数6〜10の置換または未置換のアリール基、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜10の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、さらに好ましくは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜8の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表す。

尚、−OSO−R10基のR10で表される置換または未置換のアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−クロロフェニル基などを挙げることができる。
尚、−OSO−R10基のR10で表されるハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基などのアルキル基、トリフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ジクロロフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、n−ノナフルオロブチル基などのハロゲン原子で置換されたアルキル基を挙げることができる。
〜Zで表される−OSO−R10基としては、より好ましくは、ベンゼンスルフォニルオキシ基、p−トルエンスルフォニルオキシ基、メタンスルフォニルオキシ基、トリフルオロメタンスルフォニルオキシ基である。
In the general formula (4) and the general formula (7), in -OSO 2 -R 10 group represented by Z 1 ~Z 2, R 10 is substituted with a substituted or unsubstituted aryl group or a halogen atom, Represents a linear, branched or cyclic alkyl group, more preferably a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 10 carbon atoms, or a linear chain having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom. Represents a branched or cyclic alkyl group, and more preferably represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom.

Specific examples of the substituted or unsubstituted aryl group represented by R 10 of the —OSO 2 —R 10 group include a phenyl group, a 4-methylphenyl group, and a 4-chlorophenyl group. .
In addition, specific examples of the linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted with the halogen atom represented by R 10 of the —OSO 2 —R 10 group include, for example, a methyl group, an ethyl group, n- Alkyl groups such as propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, n-octyl group, n-decyl group, trifluoromethyl group, chloro Examples thereof include an alkyl group substituted with a halogen atom such as a difluoromethyl group, a dichlorofluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, and an n-nonafluorobutyl group.
The —OSO 2 —R 10 group represented by Z 1 to Z 4 is more preferably a benzenesulfonyloxy group, a p-toluenesulfonyloxy group, a methanesulfonyloxy group, or a trifluoromethanesulfonyloxy group.

また、一般式(5)および一般式(6)において、M〜Mで表されるアルカリ金属は、好ましくは、Li、Na、Kを表す。
一般式(5)および一般式(6)において、M〜Mで表される金属含有基は、好ましくは、ホウ素金属含有基、スズ金属含有基、マグネシウム金属含有基、亜鉛金属含有基、マンガン金属含有基、ジルコニウム金属含有基、インジウム金属含有基、ゲルマニウム金属含有基、鉛金属含有基、ビスマス金属含有基、または銅金属含有基を表し、より好ましくは、ホウ素金属含有基、スズ金属含有基、マグネシウム金属含有基、または亜鉛金属含有基を表す。

ホウ素金属含有基としては、好ましくは一般式(M−1)で表される基である。
−B(OR)(OR00) (M−1)
(式中、RおよびR00は水素原子またはアルキル基を表し、さらにRとR00が互いに結合して環状のアルキレン基、あるいはアリーレン基を形成していてもよいを表す)
一般式(M−1)において、RおよびR00は、水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数1〜8のアルキル基を表す。
また、RおよびR00が互いに結合して環状のアルキレン基を表す場合、好ましくは、炭素数2〜10の環状のアルキレン基を表す。
また、RおよびR00が互いに結合してアリーレン基を表す場合、好ましくは、アルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜10の1,2−フェニレン基を表す。

スズ金属含有基としては、好ましくは、一般式(M−2)で表される基である。
−Sn(R000 (M−2)
(式中、R000はアルキル基を表す)
一般式(M−2)において、R000はアルキル基を表し、好ましくは、炭素数1〜8のアルキル基を表す。
Moreover, in General Formula (5) and General Formula (6), the alkali metal represented by M 1 to M 2 preferably represents Li, Na, and K.
In general formula (5) and general formula (6), the metal-containing group represented by M 1 to M 2 is preferably a boron metal-containing group, a tin metal-containing group, a magnesium metal-containing group, a zinc metal-containing group, Represents a manganese metal-containing group, a zirconium metal-containing group, an indium metal-containing group, a germanium metal-containing group, a lead metal-containing group, a bismuth metal-containing group, or a copper metal-containing group, more preferably a boron metal-containing group or a tin metal-containing group Represents a group, a magnesium metal-containing group, or a zinc metal-containing group.

The boron metal-containing group is preferably a group represented by the general formula (M-1).
-B (OR 0) (OR 00 ) (M-1)
(Wherein R 0 and R 00 represent a hydrogen atom or an alkyl group, and R 0 and R 00 may be bonded to each other to form a cyclic alkylene group or an arylene group)
In General Formula (M-1), R 0 and R 00 each represent a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
When R 0 and R 00 are bonded to each other to represent a cyclic alkylene group, it preferably represents a cyclic alkylene group having 2 to 10 carbon atoms.
In addition, when R 0 and R 00 are bonded to each other to represent an arylene group, it preferably represents a 1,2-phenylene group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group.

The tin metal-containing group is preferably a group represented by the general formula (M-2).
-Sn (R 000) 3 (M -2)
(In the formula, R 000 represents an alkyl group)
In General Formula (M-2), R000 represents an alkyl group, and preferably represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

マグネシウム金属含有基としては、好ましくは、一般式(M−3)で表される基である。
−MgZ (M−3)
(式中、Zはハロゲン原子を表す)
一般式(M−3)において、Zはハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。

亜鉛金属含有基としては、好ましくは、一般式(M−4)で表される基である。
−ZnZ00 (M−4)
(式中、Z00はハロゲン原子を表す)
一般式(M−4)において、Z00はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
The magnesium metal-containing group is preferably a group represented by the general formula (M-3).
-MgZ 0 (M-3)
(In the formula, Z 0 represents a halogen atom)
In General Formula (M-3), Z 0 represents a halogen atom, preferably a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom.

The zinc metal-containing group is preferably a group represented by the general formula (M-4).
-ZnZ 00 (M-4)
(In the formula, Z 00 represents a halogen atom)
In General Formula (M-4), Z 00 represents a halogen atom, preferably a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom.

本発明の製造方法は、まず、一般式(2)または一般式(3)で表される化合物を、酸と作用させる。
係る酸としては、好ましくは、プロトン酸であり、例えば、酢酸、クロロ酢酸、フルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸などのアルキルカルボン酸、例えば、メタンスルフォン酸、トリフルオロメタンスルフォン酸、ペンタフルオロエタンスルフォン酸、n−ノナフルオロブタンスルフォン酸などのアルキルスルフォン酸であり、より好ましくは、アルキルスルフォン酸であり、さらに好ましくは、トリフルオロメタンスルフォン酸である。

酸の使用量に関しては、特に限定するものではないが、反応に必要量があればよく、一般には、一般式(2)または一般式(3)で表される化合物に対して、1倍モル以上使用することが好ましい。
また、酸を反応溶媒として用いることもでき、一般には、酸の使用量は、一般式(2)または一般式(3)で表される化合物に対して、より好ましくは、1〜10000倍モル程度使用する。
In the production method of the present invention, first, the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) is allowed to act with an acid.
The acid is preferably a protonic acid, for example, an alkyl carboxylic acid such as acetic acid, chloroacetic acid, fluoroacetic acid, trifluoroacetic acid, such as methanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, pentafluoroethanesulfonic acid, n -An alkyl sulfonic acid such as nonafluorobutane sulfonic acid, more preferably an alkyl sulfonic acid, and still more preferably trifluoromethane sulfonic acid.

The amount of the acid used is not particularly limited, but it is sufficient if there is a necessary amount for the reaction. In general, it is 1 mole per mole of the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3). It is preferable to use the above.
Moreover, an acid can also be used as a reaction solvent. In general, the amount of the acid used is more preferably 1 to 10000 times mol of the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3). Use about.

一般式(2)または一般式(3)で表される化合物を、酸と作用させる際の反応温度に関しては、特に限定するものではないが、一般に、−20℃〜150℃程度、好ましくは、0℃〜100℃程度で実施する。
また、酸との反応は、大気圧下で実施することも、加圧下で実施することもできる。
反応時間に関しては、特に限定するものではなく、反応経過は、原料である一般式(2)または一般式(3)で表される化合物の残存量を各種の分析方法により求め、所望の時間実施することができ、一般的には、反応温度が、−20℃〜150℃程度であれば、30分〜100時間程度で実施する。

一般式(2)または一般式(3)で表される化合物を、酸と作用させた後、反応混合物は、水、または氷水を作用させて、析出している固体を得ることができる。
本発明の製造方法においては、この固体を、さらに塩基と作用させることにより、一般式(1)で表される化合物を製造することができる。
The reaction temperature when the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) is allowed to act with an acid is not particularly limited, but is generally about -20 ° C to 150 ° C, preferably, It implements at about 0 degreeC-100 degreeC.
The reaction with the acid can be carried out under atmospheric pressure or under pressure.
The reaction time is not particularly limited, and the reaction process is carried out for a desired time by determining the remaining amount of the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) as a raw material by various analytical methods. In general, when the reaction temperature is about −20 ° C. to 150 ° C., the reaction is performed in about 30 minutes to 100 hours.

After reacting the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) with an acid, the reaction mixture can be reacted with water or ice water to obtain a precipitated solid.
In the production method of the present invention, the compound represented by the general formula (1) can be produced by further reacting this solid with a base.

また、一般式(2)または一般式(3)で表される化合物を、酸と作用させた後、得られる反応混合物を、引き続き、塩基と作用させることにより、一般式(1)で表される化合物を製造することができる。
係る塩基としては、特に制限するものではないが、好ましくは、ピリジン、キノリン、ピコリン、アンモニア、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンなどの含窒素の有機塩基が好ましく、より好ましくは、ピリジンである。

塩基の使用量に関しては、特に限定するものではないが、反応に必要量があればよく、一般には、一般式(2)または一般式(3)で表される化合物に対して、1倍モル以上使用することが好ましい。
また、塩基を反応溶媒として用いることもでき、一般には、塩基の使用量は、一般式(2)または一般式(3)で表される化合物に対して、より好ましくは、1〜10000倍モル程度使用する。
また、塩基と作用させる場合には、所望により、水の共存化で実施することもできる。
In addition, after reacting the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) with an acid, the reaction mixture obtained is subsequently reacted with a base, thereby being represented by the general formula (1). Can be produced.
The base is not particularly limited, but is preferably a nitrogen-containing organic base such as pyridine, quinoline, picoline, ammonia, triethylamine, diisopropylethylamine, and more preferably pyridine.

The amount of the base to be used is not particularly limited, but it is sufficient if there is a necessary amount for the reaction. In general, the amount of the base is 1 mol per mol of the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) It is preferable to use the above.
In addition, a base can also be used as a reaction solvent. In general, the amount of the base used is more preferably 1 to 10,000-fold mol with respect to the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3). Use about.
Moreover, when making it act with a base, it can also implement by coexistence of water if desired.

塩基と作用させる際の反応温度に関しては、特に限定するものではないが、一般に、10℃〜150℃程度、好ましくは50℃〜100℃程度で実施する。
また、塩基との反応は、大気圧下で実施することも、加圧下で実施することもできる。
反応時間に関しては、特に限定するものではなく、反応経過は、生成物である一般式(1)で表される化合物の生成量を各種の分析方法により求め、所望の時間実施することができ、一般的には、反応温度が、10℃〜150℃程度であれば、10分〜50時間程度で実施する。
Although it does not specifically limit regarding the reaction temperature at the time of making it act with a base, Generally, it implements at about 10 to 150 degreeC, Preferably it is about 50 to 100 degreeC.
The reaction with the base can be carried out under atmospheric pressure or under pressure.
The reaction time is not particularly limited, and the progress of the reaction can be carried out for a desired time by obtaining the amount of the compound represented by the general formula (1) as a product by various analysis methods. Generally, when the reaction temperature is about 10 ° C to 150 ° C, the reaction is carried out in about 10 minutes to 50 hours.

さらに、本発明の製造方法において、酸または塩基と作用させる場合には、所望により、有機溶媒を併用してもよい。
係る有機溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソールなどのエーテル系溶媒、ヘキサン、オクタンなどの炭化水素系溶媒などの有機溶媒を挙げることができる。
これらの有機溶媒は、1種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

このように製造される一般式(1)で表される化合物は、再結晶法、カラムクロマトグラフィー法、昇華精製法などの精製方法、あるいはこれらの方法を併用して、精製することができる。

一般式(1)で表される化合物は、各種の機能性材料として使用することができる。
Furthermore, in the production method of the present invention, an organic solvent may be used in combination when desired to react with an acid or a base.
Examples of the organic solvent include organic solvents such as ether solvents such as diethyl ether, dioxane, tetrahydrofuran and anisole, and hydrocarbon solvents such as hexane and octane.
These organic solvents may be used alone or in combination.

The compound represented by the general formula (1) thus produced can be purified by a recrystallization method, a column chromatography method, a purification method such as a sublimation purification method, or a combination of these methods.

The compound represented by the general formula (1) can be used as various functional materials.

例えば、一般式(1)で表される化合物を、有機トランジスタに使用する場合、再結晶法、カラムクロマトグラフィー法、昇華精製法などの精製方法、あるいはこれらの方法を併用して、純度を高めた化合物を使用することは好ましいことである。
本発明の製造方法により製造される一般式(1)で表される化合物を有機半導体層に用いてなる有機トランジスタは、例えば、液晶表示素子、有機電界発光素子、電子ペーパー、各種センサー、RFIDs(radio frequency identification cards)などに使用することができる。
For example, when the compound represented by the general formula (1) is used in an organic transistor, the purity is increased by using a recrystallization method, a column chromatography method, a purification method such as a sublimation purification method, or a combination of these methods. It is preferred to use the compounds.
An organic transistor using a compound represented by the general formula (1) manufactured by the manufacturing method of the present invention for an organic semiconductor layer is, for example, a liquid crystal display element, an organic electroluminescent element, electronic paper, various sensors, RFIDs ( radio frequency identification cards).

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these.

(実施例1) 例示化合物番号1の化合物の製造
窒素雰囲気下、式(2−1)で表される化合物(544mg、2ミリモル)を、トリフルオロメタンスルフォン酸(10ml)に加え、25℃で、40時間撹拌した。
(Example 1) Production of Compound of Example Compound No. 1 Under a nitrogen atmosphere, a compound represented by the formula (2-1) (544 mg, 2 mmol) was added to trifluoromethanesulfonic acid (10 ml), and at 25 ° C, Stir for 40 hours.

Figure 2011256144
反応混合物を水(50ml)に加えた後、析出した固体を濾別した。
この固体をピリジン(40ml)に加えた後、70℃で10時間撹拌した。反応混合物に、塩化メチレン(150ml)を加え、有機層を分離した後、有機層を水(50ml)で洗浄した。
有機層から塩化メチレンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液:トルエン/ヘキサン(体積比:3/1)〕にて分離精製し、例示化合物番号1の化合物を422mg得た。収率88%
Figure 2011256144
The reaction mixture was added to water (50 ml), and the precipitated solid was filtered off.
This solid was added to pyridine (40 ml) and then stirred at 70 ° C. for 10 hours. Methylene chloride (150 ml) was added to the reaction mixture, the organic layer was separated, and the organic layer was washed with water (50 ml).
After distilling off methylene chloride from the organic layer, the residue was separated and purified by silica gel column chromatography [developing solution: toluene / hexane (volume ratio: 3/1)] to obtain 422 mg of the compound of Exemplary Compound No. 1. Yield 88%

(実施例2) 例示化合物番号5の化合物の製造
実施例1において、式(2−1)で表される化合物の代わりに、式(2−5)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例1に記載の操作に従い、例示化合物番号5の化合物を 得た。収率84%
Example 2 Production of Compound of Illustrative Compound No. 5 In Example 1, the compound (2 mmol) represented by the formula (2-5) was used instead of the compound represented by the formula (2-1). Except that, the compound of Exemplified Compound No. 5 was obtained according to the procedure described in Example 1. Yield 84%


Figure 2011256144

Figure 2011256144

(実施例3) 例示化合物番号19の化合物の製造
実施例1において、式(2−1)で表される化合物の代わりに、式(2−19)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例1に記載の操作に従い、例示化合物番号19の化合物を得た。収率78%
Example 3 Production of Compound of Illustrative Compound No. 19 In Example 1, the compound represented by the formula (2-19) (2 mmol) was used instead of the compound represented by the formula (2-1). Except that, the compound of Exemplified Compound No. 19 was obtained according to the procedure described in Example 1. Yield 78%


Figure 2011256144

Figure 2011256144

(実施例4) 例示化合物番号29の化合物の製造
実施例1において、式(2−1)で表される化合物の代わりに、式(2−29)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例1に記載の操作に従い、例示化合物番号29の化合物を得た。収率82%
Example 4 Production of Compound of Illustrative Compound No. 29 In Example 1, the compound (2 mmol) represented by the formula (2-29) was used instead of the compound represented by the formula (2-1). Except that, Exemplified Compound No. 29 was obtained according to the procedure described in Example 1. Yield 82%

Figure 2011256144
Figure 2011256144

(実施例5) 例示化合物番号37の化合物の製造
実施例1において、式(2−1)で表される化合物の代わりに、式(3−37)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例1に記載の操作に従い、例示化合物番号37の化合物を得た。収率80%
Example 5 Production of Compound of Illustrative Compound No. 37 In Example 1, instead of the compound represented by Formula (2-1), the compound represented by Formula (3-37) (2 mmol) was used. Except that, the compound of Exemplified Compound No. 37 was obtained according to the procedures described in Example 1. Yield 80%

Figure 2011256144
Figure 2011256144

(実施例6) 例示化合物番号48の化合物の製造
実施例1において、式(2−1)で表される化合物の代わりに、式(2−48)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例1に記載の操作に従い、例示化合物番号48の化合物を得た。収率84%
Example 6 Production of Compound of Illustrative Compound No. 48 In Example 1, instead of the compound represented by Formula (2-1), the compound represented by Formula (2-48) (2 mmol) was used. Except that, the compound of Exemplified Compound No. 48 was obtained according to the procedures described in Example 1. Yield 84%


Figure 2011256144

Figure 2011256144

(実施例7) 例示化合物番号57の化合物の製造
実施例1において、式(2−1)で表される化合物の代わりに、式(2−57)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例1に記載の操作に従い、例示化合物番号57の化合物を得た。収率76%
Example 7 Production of Compound of Example Compound No. 57 In Example 1, the compound (2 mmol) represented by the formula (2-57) was used instead of the compound represented by the formula (2-1). Except that, the compound of Exemplified Compound No. 57 was obtained according to the procedures described in Example 1. Yield 76%

Figure 2011256144
(実施例8) 例示化合物番号69の化合物の製造
窒素雰囲気下、式(2−69)で表される化合物(848mg、2ミリモル)を、トリフルオロメタンスルフォン酸(20ml)に加え、25℃で、15時間撹拌した。
Figure 2011256144
(Example 8) Production of Compound of Example Compound No. 69 Under a nitrogen atmosphere, a compound represented by the formula (2-69) (848 mg, 2 mmol) was added to trifluoromethanesulfonic acid (20 ml) at 25 ° C. Stir for 15 hours.

Figure 2011256144
Figure 2011256144

反応混合物を水(100ml)に加えた後、析出した固体を濾別した。
この固体をピリジン(50ml)に加えた後、70℃で5時間撹拌した。反応混合物に、水(150ml)を加えた後、析出している固体を濾別し、さらに水(50ml)およびメタノール(30ml)で洗浄した。
洗浄した固体を乾燥した後、真空下(5×10−4Pa)、250℃で昇華精製し、例示化合物番号69の化合物を610mg得た。収率78%
The reaction mixture was added to water (100 ml), and the precipitated solid was filtered off.
This solid was added to pyridine (50 ml) and then stirred at 70 ° C. for 5 hours. Water (150 ml) was added to the reaction mixture, and the precipitated solid was filtered off and washed with water (50 ml) and methanol (30 ml).
The washed solid was dried and purified by sublimation under vacuum (5 × 10 −4 Pa) at 250 ° C. to obtain 610 mg of the compound of exemplified compound number 69. Yield 78%

(実施例9) 例示化合物番号71の化合物の製造
実施例1において、式(2−1)で表される化合物の代わりに、式(2−71)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例1に記載の操作に従い、例示化合物番号71の化合物を得た。収率76%
Example 9 Production of Compound of Illustrative Compound No. 71 In Example 1, the compound represented by the formula (2-71) (2 mmol) was used instead of the compound represented by the formula (2-1). Except that, Exemplified Compound No. 71 was obtained according to the procedure described in Example 1. Yield 76%

Figure 2011256144
Figure 2011256144

(実施例10) 例示化合物番号76の化合物の製造
実施例8において、式(2−69)で表される化合物の代わりに、式(2−76)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例8に記載の操作に従い、例示化合物番号76の化合物を得た。収率85%
Example 10 Production of Compound of Illustrative Compound No. 76 In Example 8, the compound (2 mmol) represented by the formula (2-76) was used instead of the compound represented by the formula (2-69). Except that, Exemplified Compound No. 76 was obtained according to the procedure described in Example 8. Yield 85%


Figure 2011256144

Figure 2011256144

(実施例11) 例示化合物番号85の化合物の製造
実施例8において、式(2−69)で表される化合物の代わりに、式(2−85)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例8に記載の操作に従い、例示化合物番号85の化合物を得た。収率88%
Example 11 Production of Compound with Exemplified Compound No. 85 In Example 8, the compound (2 mmol) represented by the formula (2-85) was used instead of the compound represented by the formula (2-69). Except that, Exemplified Compound No. 85 was obtained according to the procedure described in Example 8. Yield 88%

Figure 2011256144
Figure 2011256144

(実施例12) 例示化合物番号88の化合物の製造
実施例8において、式(2−69)で表される化合物の代わりに、式(2−88)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例8に記載の操作に従い、例示化合物番号88の化合物を得た。収率85%
Example 12 Production of Compound of Illustrative Compound No. 88 In Example 8, the compound (2 mmol) represented by the formula (2-88) was used instead of the compound represented by the formula (2-69). Except that, Exemplified Compound No. 88 was obtained according to the procedures described in Example 8. Yield 85%

Figure 2011256144
Figure 2011256144

(実施例13) 例示化合物番号90の化合物の製造
実施例8において、式(2−69)で表される化合物の代わりに、式(2−90)で表される化合物(2ミリモル)を使用した以外は、実施例8に記載の操作に従い、例示化合物番号90の化合物を得た。収率81%
Example 13 Production of Compound of Example Compound No. 90 In Example 8, the compound represented by the formula (2-90) (2 mmol) was used instead of the compound represented by the formula (2-69). Except for the above, the compound of Example Compound No. 90 was obtained according to the procedures described in Example 8. Yield 81%

Figure 2011256144
Figure 2011256144

(比較例) 例示化合物番号90の化合物の製造
窒素雰囲気下、式(D)で表される化合物(744mg)とヨウ素(16.1g)を、クロロホルム(60ml)に加え、11時間、環流下で撹拌した。
(Comparative Example) Production of Compound of Example Compound No. 90 In a nitrogen atmosphere, the compound represented by formula (D) (744 mg) and iodine (16.1 g) were added to chloroform (60 ml), and the mixture was refluxed for 11 hours. Stir.

Figure 2011256144
Figure 2011256144

反応混合物を室温に冷却後、亜硫酸水素ナトリウムの飽和水溶液(90ml)を加え、析出した固体を濾別した。この固体を、さらに水(50ml)およびメタノール(30ml)で洗浄した。
洗浄した固体を乾燥した後、真空下(5×10−4Pa)、250℃で昇華精製し、例示化合物番号69の化合物を205mg得た。収率30%
この製造方法は、本発明の実施例13に記載の方法に比べ、収率が低いことが明らかとなった。
After cooling the reaction mixture to room temperature, a saturated aqueous solution of sodium hydrogen sulfite (90 ml) was added, and the precipitated solid was filtered off. This solid was further washed with water (50 ml) and methanol (30 ml).
The washed solid was dried and purified by sublimation at 250 ° C. under vacuum (5 × 10 −4 Pa) to obtain 205 mg of Compound No. 69. Yield 30%
This production method was found to have a lower yield than the method described in Example 13 of the present invention.

本発明の方法により各種の機能性材料(例えば、有機トランジスタ用の材料)として有用な化合物を高収率で製造することができる新規な方法を提供することが可能になった。
また、本発明の方法により製造される化合物を有機半導体層に用いてなる有機トランジスタは、高い電荷移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、かつ保存安定性に優れており、液晶表示素子、有機電界発光素子、電子ペーパー、各種センサー、RFIDs (radio frequency identification cards)などに使用することができる。
According to the method of the present invention, it has become possible to provide a novel method capable of producing a compound useful as various functional materials (for example, materials for organic transistors) in high yield.
Further, an organic transistor using a compound produced by the method of the present invention for an organic semiconductor layer has high charge mobility, a large current on / off ratio, and excellent storage stability. It can be used for organic electroluminescence devices, electronic paper, various sensors, RFIDs (radio frequency identification cards) and the like.

Claims (1)

一般式(1)で表される化合物を製造する方法において、一般式(2)または一般式(3)で表される化合物を、酸と作用させた後、生成する化合物を塩基と作用させて、一般式(1)で表される化合物を製造する方法。
Figure 2011256144

〔式中、X〜Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、X〜Xおよび/またはX〜Xの組み合わせより選ばれる隣接する2個の置換基が互いに結合して、置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよく、RおよびRはそれぞれ独立に、アルキル基を表す〕
In the method for producing the compound represented by the general formula (1), the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) is allowed to act with an acid, and then the resulting compound is allowed to act with a base. The method to manufacture the compound represented by General formula (1).
Figure 2011256144

[Wherein, X 1 to X 8 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, or a linear chain. Represents a branched or cyclic alkoxyalkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxyalkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group, and further selected from a combination of X 1 to X 4 and / or X 5 to X 8 Two adjacent substituents may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted benzene ring or a substituted or unsubstituted naphthalene ring together with the substituted carbon atom, and R 1 and R 2 Each independently represents an alkyl group.
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