JP2011248510A - Electronic control device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、機器を電子的に制御する装置に関するものである。 The present invention relates to an apparatus for electronically controlling a device.
機器を電子的に制御する電子制御装置には、電気的にデータを消去したり書き込んだりすることができる不揮発性半導体メモリが搭載されている場合がある。このような不揮発性メモリの例として、EEPROM、FLASHメモリなどがある。これらの不揮発性メモリは、データを消去または書き込む時の電子移動がストレスとなって、電荷を保持するメモリセルの絶縁性能に影響を与える。そのため、データ書き換え回数を制限することが一般的である。 An electronic control device that electronically controls a device may be equipped with a nonvolatile semiconductor memory that can electrically erase and write data. Examples of such a nonvolatile memory include an EEPROM and a FLASH memory. In these nonvolatile memories, the electron transfer when erasing or writing data is stressed, which affects the insulation performance of the memory cell holding the charge. Therefore, it is common to limit the number of data rewrites.
下記特許文献1には、メモリに対する書き換え回数をカウントし、所定の制限回数に達した場合、書き換え動作を停止する技術が記載されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 describes a technique for counting the number of rewrites to the memory and stopping the rewrite operation when a predetermined limit number is reached.
下記特許文献2には、メモリに対する書き換え回数をカウントし、所定の制限回数に達すると当該領域の書き換えを禁止する信号を出力する技術が記載されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 describes a technique for counting the number of times of rewriting to a memory and outputting a signal for prohibiting rewriting of the area when a predetermined limit number is reached.
上記特許文献1〜2に記載されている技術では、メモリに対する書き込みが成功したか否かを判定していない。そのため、書き込みが失敗した場合でも書き換え回数をカウントすることになる。この場合、メモリに対する書き込みが失敗したとしても、書き換えを行おうとした回数が所定の制限回数に到達すれば、無条件に以後の書き込みが禁止される。したがって、実際には書き込みが完了していないにも関わらず、以後の書き込みが禁止されるという不都合が生じていた。
In the techniques described in
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、メモリに対する書き込みの成否を加味して書き込み可否を判定することのできる電子制御装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain an electronic control device that can determine whether or not writing is possible in consideration of the success or failure of writing to a memory.
本発明に係る電子制御装置は、不揮発性メモリに対する前回のデータ書込が失敗している場合、書込上限回数に達していても、書き込みを許可する。 The electronic control unit according to the present invention permits the writing even if the upper limit number of writings has been reached when the previous data writing to the nonvolatile memory has failed.
本発明に係る電子制御装置によれば、不揮発性メモリに対する前回のデータ書込が失敗し、実際には書き込みが完了していない場合には、次回のデータ書き込みが許可される。そのため、書き込み成否を加味し、実質的な書き込み回数を基準として書き込み可否を判定することができる。 According to the electronic control device of the present invention, when the previous data writing to the nonvolatile memory fails and the writing is not actually completed, the next data writing is permitted. For this reason, it is possible to determine whether or not writing is possible based on the number of times of substantial writing in consideration of the success or failure of writing.
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係る電子制御装置100の機能ブロック図である。電子制御装置100は、機器を電子的に制御する装置であり、制御演算部110、不揮発性メモリ120を備える。
<
FIG. 1 is a functional block diagram of an
制御演算部110は、不揮発性メモリ120が格納しているプログラムを実行して機器の制御動作を実行する機能部である。制御演算部110は、例えばCPU(Central Processing Unit)やマイコンなどの演算装置を用いて構成することができる。
The control calculation unit 110 is a functional unit that executes a program stored in the
不揮発性メモリ120は、制御演算部110が制御動作を実行するために用いるデータやプログラムなどを記憶するメモリ装置であり、書き込み回数の上限が設定されている。不揮発性メモリ120は、例えばEEPROM、FLASHメモリなどを用いて構成することができる。
The
制御演算部110は、書込要求検出部111、書込要求カウント部112、書込許可判定部113、書込実行部114、書込成否判定部115を備える。これらの機能部は、制御演算部110の内部的な機能部として構成してもよいし、制御演算部110とは別の機能部として構成してもよい。
The control calculation unit 110 includes a write request detection unit 111, a write request count unit 112, a write
書込要求検出部111は、不揮発性メモリ120に対する書き込み要求を検出し、書込要求カウント部112に通知する。具体的には、制御演算部110自身が不揮発性メモリ120に対してデータを書き込む処理、または制御演算部110の外部から不揮発性メモリ120に対してデータを書き込む要求を検出する。その他、電子制御装置100の外部から通信路を介して不揮発性メモリ120にデータを書き込む要求を、通信インターフェース経由で検出することもできる。なお、ここでいうデータ書込とは、不揮発性メモリ120に対する任意の書き込み処理を含む。例えばデータ消去も広義のデータ書込に含むものとする。以下同様である。
The write request detection unit 111 detects a write request to the
書込要求カウント部112は、書込要求検出部111からの通知に基づき、不揮発性メモリ120に対するデータ書込要求の発生回数をカウントする。不揮発性メモリ120の書き込み領域がバイト単位や所定の消去ブロックサイズで分割されているなどの場合には、書き込み可能な単位毎にカウンタを設定してもよい。
The write request count unit 112 counts the number of times data write requests have been issued to the
書込許可判定部113は、書込要求カウント部112のカウント結果と、不揮発性メモリ120の書き込み上限回数とを比較し、不揮発性メモリ120に対するデータ書込を許可するか否かを判定する。許可判定の詳細は、後述の図2で改めて説明する。
The write
書込実行部114は、書込要求検出部111が検出したデータ書込要求のうち、書込許可判定部113が書き込みを許可したものを実行し、不揮発性メモリ120にデータを書き込む。
The write execution unit 114 executes the data write request detected by the write request detection unit 111, which the write
書込成否判定部115は、書込実行部114が不揮発性メモリ120に対してデータを書き込むことができたか否かを判定する。具体的には、例えばデータ書込単位毎に書き込んだデータを読み出して書き込みの元データと比較することにより、データ書込の成否を判定する。あるいは、所定領域に格納されているデータのCyclic Redundancy Check(巡回冗長検査)などを実施することにより、データ書込の成否を判定する。
The write success / failure determination unit 115 determines whether the write execution unit 114 has been able to write data to the
書込要求検出部111、書込要求カウント部112、書込許可判定部113、書込実行部114、書込成否判定部115は、これらの機能を実現する回路デバイスなどのハードウェアを用いて構成してもよいし、演算装置とその動作を規定するプログラムを用いて構成してもよい。
The write request detection unit 111, the write request count unit 112, the write
以上、本実施形態1に係る電子制御装置100の構成を説明した。次に、本発明の基礎となる着眼点について説明する。
The configuration of the
不揮発性メモリ120は、上述の通り書き込み回数の上限が設定されている。一方、不揮発メモリ120にデータを書き込んでいる最中に接続が遮断されたり電源供給が絶たれたりすると、そのデータ書き込みは失敗する。このとき、データ書込要求自体は既に発生しているので、データ書込が失敗しているにも関わらず、データ書き込み回数のカウント値は増加する。
In the
データ書込が失敗している場合、実質的にはデータ書き込みが行われていないにも関わらず、カウント値がデータ書き込み回数の上限に達すると、以後のデータ書込は禁止される。このように、データ書込が失敗しているのに以後の書き込みを禁止するのは、制約が過度に厳密であると考えられる。 If the data writing has failed, the data writing is prohibited when the count value reaches the upper limit of the number of data writings even though the data writing is not actually performed. In this way, it is considered that the restriction of prohibiting subsequent writing even though data writing has failed is excessively strict.
また、実質的に見ても、データ書込が途中で失敗したときは、不揮発性メモリ120の劣化進行度合いは少ないと考えられるが、にも関わらず以後のデータ書込を禁止するのはデータ書込に対する制約が強すぎると思われる。
Further, even if the data writing fails substantially, it is considered that the degree of progress of the deterioration of the
そこで、本実施形態1に係る電子制御装置100は、不揮発性メモリ120に対する前回のデータ書込が成功したか否かを加味して、今回のデータ書き込みを許可するか否かを判定する。以下、データ書き込みを許可するか否かを判定する手順を説明する。
Therefore, the
図2は、本実施形態1に係る電子制御装置100が不揮発性メモリ120にデータを書き込む際の動作フローである。以下、図2の各ステップについて説明する。
(図2:ステップS200)
制御演算部110は、本動作フローを定期的に起動する。起動間隔は、不揮発性メモリ120に対するデータ書込要求が発生してからこれを検出するまでの時間間隔が、実用上十分な程度に短くなるように設定する。
(図2:ステップS201)
書込要求検出部111は、不揮発性メモリ120に対するデータ書込要求が発生しているか否かを判定する。発生していればその旨を書込要求カウント部112に通知し、ステップS202へ進む。発生していなければ本動作フローを終了する。
FIG. 2 is an operation flow when the
(FIG. 2: Step S200)
The control calculation unit 110 periodically starts this operation flow. The activation interval is set so that the time interval from when a data write request to the
(FIG. 2: Step S201)
The write request detection unit 111 determines whether a data write request for the
(図2:ステップS202)
書込要求カウント部112は、不揮発性メモリ120に対するデータ書込要求をカウントするためのカウンタ値を1増加させる。
(図2:ステップS202:補足)
不揮発性メモリ120に対するデータ書込要求のカウント値は、データを書き込む記憶領域以外の記憶領域に保存しておけばよい。保存先のメモリ装置は、不揮発性メモリ120でもよいし、別途設けたEEPROMなどのメモリ装置でもよい。
(FIG. 2: Step S202)
The write request count unit 112 increments a counter value for counting data write requests to the
(FIG. 2: Step S202: Supplement)
The count value of the data write request to the
(図2:ステップS203)
書込許可判定部113は、書込要求カウント部112のカウント結果が、不揮発性メモリ120のデータ書込上限回数に到達しているか否かを判定する。上限回数に到達していない場合は、書込制約に係っていないので、ステップS205にスキップしてデータ書込を実行する。上限回数に到達している場合は、ステップS204へ進む。
(図2:ステップS203:補足)
不揮発性メモリ120のデータ書込上限回数の値は、不揮発性メモリ120に記憶させておいてもよいし、不揮発性メモリ120とは別に設けたEEPROMなどのメモリ装置に記憶させておいてもよい。
(FIG. 2: Step S203)
The write
(FIG. 2: Step S203: Supplement)
The value of the upper limit number of data writes in the
(図2:ステップS204)
書込許可判定部113は、書込成否判定部115から、不揮発性メモリ120に対する前回のデータ書込要求の成否を取得する。前回のデータ書込が成功していれば、不揮発性メモリ120は書込上限に達していると判断し、ステップS201で検出したデータ書込要求を拒否する。前回のデータ書込が失敗していれば、書込上限を緩和し、ステップS205に進んでデータ書込を実行する。
(図2:ステップS204:補足)
不揮発性メモリ120に対する前回のデータ書込要求の成否結果は、不揮発性メモリ120に記憶させておいてもよいし、不揮発性メモリ120とは別に設けたEEPROMなどのメモリ装置に記憶させておいてもよい。
(図2:ステップS205)
書込実行部114は、ステップS201で検出したデータ書込要求を実行する。
以上、電子制御装置100が不揮発性メモリ120にデータを書き込む際の動作フローを説明した。
(FIG. 2: Step S204)
The write
(FIG. 2: Step S204: Supplement)
The success / failure result of the previous data write request to the
(FIG. 2: Step S205)
The write execution unit 114 executes the data write request detected in step S201.
The operation flow when the
<実施の形態1:まとめ>
以上のように、本実施形態1に係る電子制御装置100は、不揮発性メモリ120に対する前回のデータ書込が失敗している場合は、データ書込要求のこれまでの発生回数がデータ書込上限に到達していても、データ書込を許可する。これにより、データ書込の成否を加味して書込回数の制限を緩和し、実質的なデータ書込回数を基準としてデータ書込可否を判定することができる。
<Embodiment 1: Summary>
As described above, in the
<実施の形態2>
実施の形態1では、不揮発性メモリ120に対する書込回数の制限を緩和して書込可否を判定する手順を説明した。本発明の実施形態2では、不揮発性メモリ120に対する書込回数上限と、不揮発性メモリ120の書込耐力とが異なる場合を説明する。ここでいう書込耐力とは、書込可能な回数と概ね同義である。
<
In the first embodiment, the procedure for relaxing the restriction on the number of times of writing to the
車両制御装置のように、安全性が強く求められる電子制御装置では、不揮発性メモリ120に対する書込回数上限を、不揮発性メモリ120の実際の書込耐力よりも小さく設定している場合がある。これは、不揮発性メモリ120が書込不能になって車両制御が実行できなくならないよう、安全性を見越して書込回数に余裕を持たせたものである。1例として、不揮発性メモリ120の実際の書込耐力が10万回程度であるのに対し、書込回数の上限を100回程度に設定する、などの設定例が考えられる。
In an electronic control device such as a vehicle control device that requires a high level of safety, the upper limit of the number of times of writing to the
このような環境下においては、不揮発性メモリ120に対する書込要求の発生回数が上限に達しても、実際の書込耐力には余裕があるため、書込回数上限を緩和することに対する要望が潜在的にあると思われる。そこで実施形態1で説明した手法を採用し、前回のデータ書込が失敗したときは、書込上限に達していてもデータ書込を許可する。
In such an environment, even if the number of write requests to the
一方、上述のように不揮発性メモリ120の書込耐力に余裕がある場合、データ書込要求が発生した時点で書込回数としてカウントするのではなく、データ書込が成功した時点で書込回数としてカウントするようにすることも考えられる。その方が、書込回数の上限に到達するまでの期間を引き延ばし、不揮発性メモリ120を長持ちさせることができるように思えるからである。
On the other hand, when there is a margin in the write endurance of the
しかし、不揮発性メモリ120にデータを書き込んでいる途中で書込が中断した場合、不揮発性メモリ120へ部分的に電気信号が加えられた状態となるので、その分だけメモリセル等の劣化は確実に進行する。したがって、不揮発性メモリ120の書込回数上限に余裕を持たせて安全性の確保を図った意義を有効に活用するため、不揮発性メモリ120の書込耐力に余裕がある環境下においても、データ書込要求が発生した時点で書込回数としてカウントし、安全側に倒した動作を実行することが望ましい。
However, if writing is interrupted while data is being written to the
<実施の形態2:まとめ>
以上のように、本実施形態2では、不揮発性メモリ120に対する書込回数上限を、不揮発性メモリ120の実際の書込耐力よりも小さくした環境下において、実施形態1に係る電子制御装置100の構成を採用した。これにより、不揮発性メモリ120の書込耐力を超過しないよう安全を図りつつ、前回のデータ書込成否に基づき書込可否を判定することにより、書込制限を緩和することができる。
<Embodiment 2: Summary>
As described above, in the second embodiment, the
また、本実施形態2では、不揮発性メモリ120に対するデータ書込が成功したか否かによらず、データ書込要求を検出した時点で書込回数としてカウントする。これにより、不揮発性メモリ120の書込回数上限に余裕を持たせて安全性の確保を図った意義を有効に発揮することができる。
In the second embodiment, the number of times of writing is counted when a data write request is detected, regardless of whether or not data writing to the
<実施の形態3>
実施形態1〜2で説明した電子制御装置100が通信ネットワークに接続され、他装置から不揮発メモリ120に対するデータ書込要求が発生する場合には、電子制御装置100が単独で動作する場合と比較して、データ書込要求がより多く生じると思われる。一般的には、制御演算装置110から通信インターフェースに対し、データ書込要求が他装置から到着しているか否かを照会することにより、他装置からのデータ書込要求が発生しているか否かを判定する。
<
When the
しかし、不揮発性メモリ120に対するデータ書込回数が既に上限に達している場合において、上記のような照会を都度実施すると、演算装置などに過大な負荷を与えてしまう可能性がある。そこで本発明の実施形態3では、データ書込要求を検出する際に、不揮発性メモリ120に対するデータ書込が禁止されているか否かをあらかじめチェックする動作例を説明する。
However, when the number of data writes to the
図3は、本実施形態3に係る電子制御装置100が不揮発性メモリ120にデータを書き込む際の動作フローである。以下、図3の各ステップについて説明する。
(図3:ステップS300)
本ステップは、図2のステップS200と同様である。
(図3:ステップS301)
書込許可判定部113は、後述のステップS307に示すように、不揮発性メモリ120に対するデータ書込を禁止する場合はその旨を示すフラグ(書込禁止フラグ)を任意の不揮発性メモリ装置に書き込んでおく。制御演算部110は、その書込禁止フラグの値を確認する。書込禁止フラグが0(=書込許可)である場合はステップS302へ進み、1(=書込禁止)である場合は本動作フローを終了する。
FIG. 3 is an operation flow when the
(FIG. 3: Step S300)
This step is the same as step S200 in FIG.
(FIG. 3: Step S301)
As shown in step S307, which will be described later, the write
(図3:ステップS302〜S304)
これらのステップは、図2のステップS201〜S203と同様である。ただしステップS302において、書込要求検出部111が実行する動作は、他装置から通信ネットワークを介して不揮発性メモリ120に対するデータ書込要求が到着しているか否かをチェックする動作を含むものとする。
(図3:ステップS305)
書込許可判定部113は、書込成否判定部115から、不揮発性メモリ120に対する前回のデータ書込要求の成否を取得する。前回のデータ書込が成功していれば、不揮発性メモリ120は書込上限に達していると判断し、ステップS307へ進んで書込禁止フラグの値をセットする。前回のデータ書込が失敗していれば、書込上限を緩和し、ステップS306に進んでデータ書込を実行する。
(FIG. 3: Steps S302 to S304)
These steps are the same as steps S201 to S203 in FIG. However, in step S302, the operation executed by the write request detection unit 111 includes an operation of checking whether or not a data write request to the
(FIG. 3: Step S305)
The write
(図3:ステップS306)
書込実行部114は、ステップS302で検出したデータ書込要求を実行する。また、書込禁止フラグの値に1がセットされている場合は、0をセットする。
(図3:ステップS307)
書込許可判定部113は、書込禁止フラグの値に1をセットする。
(FIG. 3: Step S306)
The write execution unit 114 executes the data write request detected in step S302. If 1 is set to the value of the write prohibit flag, 0 is set.
(FIG. 3: Step S307)
The write
以上、本実施形態3において、電子制御装置100が不揮発性メモリ120にデータを書き込む際の動作フローを説明した。
As described above, in the third embodiment, the operation flow when the
<実施の形態3:まとめ>
以上のように、本実施形態3に係る電子制御装置100は、不揮発性メモリ120に対するデータ書込を禁止している場合は、その旨の値を書込禁止フラグにセットしておく。制御演算部110は、データ書込要求が発生しているか否かをチェックする前に、まず書込禁止フラグの値をチェックする。これにより、書込禁止フラグ=1となっているときは、他装置から不揮発性メモリ120に対するデータ書込要求が到着しているかをチェックするまでもなくデータ書込を拒否することができるので、余分な通信監視処理などを省略することができ、演算負荷を軽減することができる。
<Embodiment 3: Summary>
As described above, when the
<実施の形態4>
図4は、本発明の実施形態4に係るエンジン制御システムの構成例を示す図である。図4に示すエンジン制御システムは、電子制御装置100、エンジン200、第1通信装置301および第2通信装置302を有する。
<
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of an engine control system according to
電子制御装置100は、エンジン制御装置として構成されており、実施形態1〜3で説明した電子制御装置100と同様の構成を備える。電子制御装置100はさらに、出力回路130、入力回路140、通信ポート150、I/O回路160を備える。
The
出力回路130は、I/O回路160を介して制御演算部110からエンジン200に対する制御命令を受け取り、エンジン200に出力する。入力回路140は、エンジン200の状態を示すセンサ検出値を受け取り、I/O回路160を介して制御演算部110に出力する。通信ポート150は、通信ネットワークを介して、第1通信装置301および第2通信装置302との間で通信する。I/O回路160は、各機能部を接続するデータ通信路として機能する。
The output circuit 130 receives a control command for the
エンジン200は、アクチュエータ210、センサ220を備える。アクチュエータ210は、エンジン200の燃料噴射や点火を行う機能部である。センサ220は、エンジン200の各部の状態を検出し、電子制御装置100に通知する。
The
電子制御装置100がエンジン200を制御する場合、不揮発性メモリ120には、エンジン200を制御するために必要なデータ、車両固有の情報、電子制御装置100による自己診断の結果、などが格納される。
When the
以上、本実施形態4に係るエンジン制御システムの構成を説明した。次に、エンジン制御システムにおいて電子制御装置100を採用した場合の課題について説明する。
The configuration of the engine control system according to the fourth embodiment has been described above. Next, problems when the
近年、エンジン制御システムに対して、環境要求や高機能化への要求が高まり、これにともなって不揮発性メモリに対する書込回数の制限が厳しくなってきている。一方、エンジン制御システムにおいては、電子制御装置100内部の電源ノイズやアース電位の増減等が原因で、不揮発性メモリ120の消去ミスや誤書き込みが起こり得る。また、車載LANを用いて第1通信装置301および第2通信装置302などと通信して不揮発性メモリ120にデータを書き込む場合は、通信ネットワークのノイズ等による通信機能エラーが原因となって、データ書き込みに失敗する可能性がある。
In recent years, there has been an increase in environmental requirements and higher functionality for engine control systems, and accordingly, the number of times of writing to a nonvolatile memory has become stricter. On the other hand, in the engine control system, an erasure error or erroneous writing of the
不揮発性メモリ120に対するデータ書込ができなくなると、エンジンの運転に支障を来たす場合がある。例えば制御データの書き込みができなくなると、エンジンを適切に制御することができなくなるので、エンジンの性能低下、運転不能などを引き起こす可能性がある。
If data cannot be written to the
そこで本実施形態4において、電子制御装置100は、実施形態1〜3で説明した構成と動作を採用し、できる限りデータ書込回数の制限を緩和して、エンジン制御を適切に実行し易くすることを図る。
Therefore, in the fourth embodiment, the
以上、本実施形態4では、エンジン制御システムにおいて、実施形態1〜3で説明した電子制御装置100を用いてエンジン200を制御する構成例を説明した。
As described above, the fourth embodiment has described the configuration example in which the
100:電子制御装置、110:制御演算部、111:書込要求検出部、112:書込要求カウント部、113:書込許可判定部、114:書込実行部、115:書込成否判定部、120:不揮発性メモリ、130:出力回路、140:入力回路、150:通信ポート、160:I/O回路、200:エンジン、301:第1通信装置、302:第2通信装置。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100: Electronic control apparatus, 110: Control calculating part, 111: Write request detection part, 112: Write request count part, 113: Write permission determination part, 114: Write execution part, 115: Write success / failure determination part , 120: nonvolatile memory, 130: output circuit, 140: input circuit, 150: communication port, 160: I / O circuit, 200: engine, 301: first communication device, 302: second communication device.
Claims (3)
データを書き込むことができる回数が制限された不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに対する書込要求を検出する書込要求検出部と、
前記不揮発性メモリに対する書込要求の成否を判定する書込成否判定部と、
前記不揮発性メモリに対する書込要求の回数をカウントする書込要求カウント部と、
前記書込成否判定部の判定結果および前記書込カウント部のカウント結果に基づき前記不揮発性メモリに対する書込を許可するか否かを判定する書込許可判定部と、
前記機器に対する制御動作を実行する制御演算部と、
を備え、
前記書込許可判定部は、
前記不揮発性メモリに対する前回のデータ書込が成功し、かつ前記不揮発性メモリに対する書込要求の回数が前記不揮発性メモリにデータを書き込むことができる回数の上限に達している場合は、前記不揮発性メモリに対するデータ書込を禁止し、
前記不揮発性メモリに対する前回のデータ書込が失敗している場合は、前記不揮発性メモリに対する書込要求の回数が前記不揮発性メモリにデータを書き込むことができる回数の上限に達していても、前記不揮発性メモリに対するデータ書込を許可する
ことを特徴とする電子制御装置。 A device for electronically controlling equipment,
Non-volatile memory with a limited number of times data can be written;
A write request detector for detecting a write request to the nonvolatile memory;
A write success / failure determination unit for determining success / failure of a write request to the nonvolatile memory;
A write request count unit that counts the number of write requests to the nonvolatile memory;
A write permission determination unit that determines whether or not writing to the nonvolatile memory is permitted based on a determination result of the write success / failure determination unit and a count result of the write count unit;
A control operation unit that executes a control operation on the device;
With
The write permission determination unit
If the previous data write to the nonvolatile memory has succeeded and the number of write requests to the nonvolatile memory has reached the upper limit of the number of times data can be written to the nonvolatile memory, the nonvolatile memory Prohibit data writing to memory,
If the previous data write to the nonvolatile memory has failed, even if the number of write requests to the nonvolatile memory reaches the upper limit of the number of times data can be written to the nonvolatile memory, An electronic control device that permits data writing to a nonvolatile memory.
ことを特徴とする請求項1記載の電子制御装置。 The electronic control device according to claim 1, wherein an upper limit of the number of times of data writing to the nonvolatile memory is set smaller than a writing tolerance of the nonvolatile memory.
ことを特徴とする請求項1または2記載の電子制御装置。 While the write permission determination unit prohibits data writing to the nonvolatile memory, whether or not a request for writing data from another device has arrived to the nonvolatile memory via a communication path. 3. The electronic control device according to claim 1, wherein a data write request from another device is rejected without checking.
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