JP2011237301A - Irradiation control apparatus and irradiation control method of charged particle - Google Patents

Irradiation control apparatus and irradiation control method of charged particle Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an irradiation control apparatus of charged particle which can suppress the occurrence of thermal stress at a target.SOLUTION: An irradiation control apparatus 100 of charged particle according to one embodiment of the invention performs irradiation control of a charged particle P with respect to a target 38 composed of a substance generating neutron n upon irradiation of the charged particle P and includes a deviation means 110, 120 for deviating the charged particle P and a control means 130 for making a beam Bp of charged particle P circle around an irradiation surface 38a of the target 38 by controlling the deviation means 110, 120.

Description

本発明は、陽子などの荷電粒子の照射を受けて中性子を発生するターゲットに対して、当該荷電粒子の照射制御を行う照射制御装置及び照射制御方法に関するものである。   The present invention relates to an irradiation control apparatus and an irradiation control method for performing irradiation control of charged particles on a target that generates neutrons upon irradiation of charged particles such as protons.

がん治療等において、放射線治療は高い評価を受けている。特に、中性子捕捉療法（ＮＣＴ：NeutronCapture Therapy）は、原理的に細胞レベルの選択的な治療の可能性があり、注目されている。ＮＣＴでは、中性子を照射したときに飛程が短く高ＬＥＴ（LinearEnergy Trasfer）の重荷電粒子などを発生する安定同位元素を、あらかじめ治療すべきがん細胞に取り込ませておく。その後、中性子を照射し、重荷電粒子の飛散によってがん細胞だけを選択的に破壊する。ＮＣＴに用いられる安定同位元素は、中性子と反応して高ＬＥＴの重荷電粒子を発生する１０Ｂや６Ｌｉなどであり、中性子はこれらに対して大きな反応断面積を持つ低エネルギー中性子である。現在では、ＮＣＴとして、１０Ｂ及び熱中性子や熱外中性子が用いられており硼素中性子捕捉療法（ＢＮＣＴ：BoronNCT）と呼ばれることもある。 In cancer treatment, etc., radiation therapy is highly evaluated. In particular, neutron capture therapy (NCT) has been attracting attention because of its potential for selective treatment at the cellular level in principle. In NCT, stable isotopes that generate heavy charged particles with a short range and high LET (Linear Energy Trasfer) when irradiated with neutrons are incorporated into cancer cells to be treated in advance. Then, neutrons are irradiated to selectively destroy only cancer cells by scattering of heavy charged particles. The stable isotopes used for NCT are 10 B, 6 Li, etc., which react with neutrons to generate highly charged particles of high LET, and neutrons are low energy neutrons having a large reaction cross section. At present, 10 B, thermal neutrons, and epithermal neutrons are used as NCT and are sometimes called boron neutron capture therapy (BNCT: BoronNCT).

特許文献１には、ＮＣＴなどに用いられる中性子を発生させる装置が開示されている。この種の装置では、ターゲットに荷電粒子を照射して中性子を発生させている。中性子を発生させる際、ターゲットでは、非常に高いエネルギーレベルの荷電粒子の照射を受けるので、この入熱により熱応力が発生してしまう。そこで、特許文献１には、ターゲットに近接して、冷却水を用いた冷却機構を配置することが開示されている。   Patent Document 1 discloses a device for generating neutrons used for NCT and the like. In this type of apparatus, the target is irradiated with charged particles to generate neutrons. When generating neutrons, the target is irradiated with charged particles of a very high energy level, and thermal stress is generated by this heat input. Therefore, Patent Document 1 discloses disposing a cooling mechanism using cooling water in the vicinity of the target.

特開２００９−１９３９３４号公報JP 2009-193934 A

しかしながら、特許文献１に記載の冷却機構を用いる場合、冷却水を流すための設備を設けたり、冷却水を流す工程を設けたりしなければならなかった。そこで、本願発明者らは、このような冷却機構を用いることなく、ターゲットにおける熱応力の発生を抑制する手法を鋭意検討した。   However, when using the cooling mechanism described in Patent Document 1, it has been necessary to provide a facility for flowing cooling water or a process for flowing cooling water. Therefore, the inventors of the present application have intensively studied a method for suppressing the generation of thermal stress in the target without using such a cooling mechanism.

そこで、本発明は、ターゲットにおける熱応力の発生を抑制することが可能な荷電粒子の照射制御装置及び照射制御方法を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a charged particle irradiation control apparatus and an irradiation control method capable of suppressing the generation of thermal stress in a target.

本発明の荷電粒子の照射制御装置は、荷電粒子の照射を受けて中性子を発生する物質からなるターゲットに対して、当該荷電粒子の照射制御を行う照射制御装置において、荷電粒子を偏向させる偏向手段と、偏向手段を制御して、荷電粒子のビームをターゲットの照射面上で周回移動させる制御手段と、を備える。   The charged particle irradiation control apparatus of the present invention is a deflection means for deflecting charged particles in an irradiation control apparatus that controls irradiation of the charged particles with respect to a target made of a substance that generates neutrons when irradiated with charged particles. And control means for controlling the deflection means to move the charged particle beam around the irradiation surface of the target.

本発明の荷電粒子の照射制御方法は、荷電粒子の照射を受けて中性子を発生する物質からなるターゲットに対して、荷電粒子の照射制御を行う照射制御方法において、荷電粒子のビームをターゲットの照射面上で周回移動させる。   The charged particle irradiation control method of the present invention is an irradiation control method for controlling irradiation of charged particles to a target made of a substance that generates neutrons upon irradiation of charged particles. Move around the surface.

この荷電粒子の照射制御装置及び照射制御方法によれば、荷電粒子のビームをターゲットの照射面上で周回移動させるので、高いエネルギーレベルの荷電粒子によるターゲットの入熱密度を軽減することができる。したがって、ターゲットの一部分に入熱が集中し、熱応力が発生することを抑制することができる。   According to this charged particle irradiation control apparatus and irradiation control method, the charged particle beam is moved around on the irradiation surface of the target, so that it is possible to reduce the heat input density of the target due to high energy level charged particles. Therefore, it is possible to suppress the heat input from being concentrated on a part of the target and generating thermal stress.

上記した制御手段は、偏向手段を制御して、荷電粒子のビーム径を拡大させることが好ましい。これによれば、荷電粒子のビーム径を拡大させるので、荷電粒子によるターゲットの入熱密度をより軽減することができ、ターゲットにおける熱応力の発生をより抑制することができる。   The above-described control means preferably controls the deflection means to enlarge the beam diameter of the charged particles. According to this, since the beam diameter of the charged particles is enlarged, the heat input density of the target by the charged particles can be further reduced, and the generation of thermal stress in the target can be further suppressed.

また、上記した制御手段は、荷電粒子のビームをターゲットの照射面上で円形状に周回移動させることが好ましい。これによれば、荷電粒子のビームの周回移動の制御が容易である。   Moreover, it is preferable that the control means described above moves the charged particle beam in a circular shape on the irradiation surface of the target. According to this, it is easy to control the circular movement of the charged particle beam.

また、上記した制御手段は、荷電粒子のビーム径を、ターゲットの照射面上でターゲットの最小外形幅の１／２に拡大させ、荷電粒子のビームの中心が、ターゲットの中心を中心とし、ターゲットの最小外形幅の１／４を半径とする円形軌道を通るように、荷電粒子のビームをターゲットの照射面上で周回移動させることが好ましい。   Further, the control means described above expands the beam diameter of the charged particles to ½ of the minimum outer shape width of the target on the target irradiation surface, and the center of the charged particle beam is centered on the center of the target. It is preferable that the charged particle beam is moved around the irradiation surface of the target so as to pass through a circular orbit having a radius of ¼ of the minimum outer width of the target.

これによれば、ターゲットの照射面上での荷電粒子のビームの重なりを低減することができる。したがって、荷電粒子によるターゲットの入熱密度をより軽減することができ、ターゲットにおける熱応力の発生をより抑制することができる。   According to this, overlapping of charged particle beams on the irradiation surface of the target can be reduced. Therefore, the heat input density of the target due to charged particles can be further reduced, and the generation of thermal stress in the target can be further suppressed.

本発明によれば、荷電粒子の照射を受けて中性子を発生するターゲットにおいて、熱応力の発生を抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, generation | occurrence | production of a thermal stress can be suppressed in the target which receives irradiation of a charged particle and generate | occur | produces a neutron.

本発明の実施形態に係る荷電粒子の照射制御装置を備える中性子発生装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a neutron generator provided with the irradiation control apparatus of the charged particle which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る荷電粒子の照射制御装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the irradiation control apparatus of the charged particle which concerns on embodiment of this invention. ターゲットの照射面に対する荷電粒子の照射制御方法を示す図である。It is a figure which shows the irradiation control method of the charged particle with respect to the irradiation surface of a target.

以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.

図１は、本発明の実施形態に係る荷電粒子の照射制御装置を備える中性子発生装置の構成を示す図であり、図２は、本発明の実施形態に係る荷電粒子の照射制御装置の構成を示す図である。また、図３は、ターゲットの照射面に対する荷電粒子の照射制御方法を示す図である。   FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a neutron generator including a charged particle irradiation control apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 illustrates a configuration of a charged particle irradiation control apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. FIG. 3 is a diagram showing a charged particle irradiation control method for the irradiation surface of the target.

図１に示す中性子発生装置１は、例えば、中性子捕捉療法（ＢＮＣＴ：BoronNeutron Capture Therapy）を用いたがん治療などを行うために用いられる装置である。   A neutron generator 1 shown in FIG. 1 is an apparatus used for, for example, cancer treatment using neutron capture therapy (BNCT).

中性子発生装置１は、サイクロトロン１０を備え、このサイクロトロン１０は、陽子などの荷電粒子を加速して、陽子線を作り出す。サイクロトロン１０は、例えば、ビーム径４０ｍｍ、６０ｋｗ（＝３０ＭｅＶ×２ｍＡ）の陽子線を生成する能力を有している。   The neutron generator 1 includes a cyclotron 10, and the cyclotron 10 accelerates charged particles such as protons to generate a proton beam. The cyclotron 10 has a capability of generating a proton beam having a beam diameter of 40 mm and 60 kW (= 30 MeV × 2 mA), for example.

サイクロトロン１０から取り出された陽子線（以下、荷電粒子という。）Ｐは、例えば、水平型ステアリング１２、４方向スリット１４、水平垂直型ステアリング１６、ＱＭ２００マグネット１８，１９，２０、９０度偏向電磁石２２、ＱＭ２００マグネット２４、水平垂直型ステアリング２６、ＱＭ２００マグネット２８、４方向スリット３０、ＣＴモニタ３２、照射制御装置１００、ビームダクト３４を順次に通過し、中性子発生部３６に導かれる。   A proton beam (hereinafter referred to as a charged particle) P taken out from the cyclotron 10 is, for example, a horizontal steering 12, a four-direction slit 14, a horizontal / vertical steering 16, a QM 200 magnet 18, 19, 20, or a 90-degree deflection electromagnet 22. , QM200 magnet 24, horizontal / vertical steering 26, QM200 magnet 28, four-direction slit 30, CT monitor 32, irradiation control device 100, and beam duct 34 are sequentially passed to the neutron generator 36.

水平型ステアリング１２、水平垂直型ステアリング１６，２６は、例えば電磁石を用いて荷電粒子Ｐのビーム軸調整を行うものである。同様に、ＱＭ２００マグネット１８，１９，２０，２４，２８は、例えば電磁石を用いて荷電粒子Ｐのビーム軸調整を行うものである。４方向スリット１４，３０は、端のビームを切ることにより、荷電粒子Ｐのビーム整形を行うものである。９０度偏向電磁石２２は、荷電粒子Ｐの進行方向を９０度偏向するものである。ＣＴモニタ３２は、荷電粒子Ｐのビーム電流値をモニタするためのものである。   The horizontal steering 12 and the horizontal / vertical steering 16, 26 perform beam axis adjustment of the charged particles P using, for example, an electromagnet. Similarly, the QM 200 magnets 18, 19, 20, 24, and 28 perform beam axis adjustment of the charged particles P using, for example, an electromagnet. The four-direction slits 14 and 30 perform beam shaping of the charged particles P by cutting off the end beam. The 90-degree deflecting electromagnet 22 deflects the traveling direction of the charged particles P by 90 degrees. The CT monitor 32 is for monitoring the beam current value of the charged particles P.

中性子発生部３６は、図２に示すように、荷電粒子Ｐが照射面３８ａに照射されて、中性子ｎを出射面３８ｂから発生するターゲット３８を有する。ターゲット３８は、例えば、ベリリウム（Ｂｅ）からなり、直径１６０ｍｍの円板状を成している。中性子発生部３６で発生させた中性子ｎは、患者に照射されることとなる。   As shown in FIG. 2, the neutron generator 36 includes a target 38 that generates a neutron n from the emission surface 38 b when the irradiation surface 38 a is irradiated with the charged particles P. The target 38 is made of beryllium (Be), for example, and has a disk shape with a diameter of 160 mm. The neutron n generated by the neutron generator 36 is irradiated to the patient.

また、９０度偏向電磁石２２には切替部４０が設けられており、切替部４０によって荷電粒子Ｐを正規の軌道から外してビームダンプ４２に導くことが可能になっている。ビームダンプ４２は、治療前などにおいて荷電粒子Ｐの出力確認を行うものである。   Further, the switching unit 40 is provided in the 90-degree deflection electromagnet 22, and the switching unit 40 can remove the charged particles P from the normal trajectory and guide them to the beam dump 42. The beam dump 42 confirms the output of the charged particles P before treatment or the like.

次に、図２及び図３を参照して、本実施形態に係る荷電粒子の照射制御装置１００及び照射制御方法について説明する。照射制御装置１００は、ターゲット３８に対して荷電粒子Ｐの照射制御を行う装置であり、Ｘ方向偏向部１１０と、Ｙ方向偏向部１２０と、制御部１３０とを備える。   Next, the charged particle irradiation control apparatus 100 and the irradiation control method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. The irradiation control device 100 is a device that performs irradiation control of the charged particles P with respect to the target 38, and includes an X direction deflection unit 110, a Y direction deflection unit 120, and a control unit 130.

Ｘ方向偏向部１１０は、例えば電磁石を備え、入射する荷電粒子ＰをＸ方向に偏向させて出射する。同様に、Ｙ方向偏向部１２０は、例えば電磁石を備え、入射する荷電粒子ＰをＹ方向に偏向させて出射する。Ｘ方向偏向部１１０及びＹ方向偏向部１２０は、制御部１３０によって制御される。   The X direction deflecting unit 110 includes, for example, an electromagnet, and deflects incident charged particles P in the X direction and emits them. Similarly, the Y-direction deflecting unit 120 includes, for example, an electromagnet, and deflects incident charged particles P in the Y direction and emits them. The X direction deflection unit 110 and the Y direction deflection unit 120 are controlled by the control unit 130.

制御部１３０は、荷電粒子ＰのビームＢｐの径を拡大させる。本実施形態では、図３に示すように、制御部１３０は、荷電粒子ＰのビームＢｐの直径Ｄｐを、ターゲット３８の照射面３８ａ上で、ターゲット３８の直径（最小外形幅）Ｄｔ＝１６０ｍｍの略１／２の８０ｍｍに拡大させる（すなわち、４０ｍｍから８０ｍｍへ拡大）。   The controller 130 enlarges the diameter of the charged particle P beam Bp. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the control unit 130 sets the diameter Dp of the beam Bp of the charged particles P to the diameter (minimum outer width) Dt = 160 mm of the target 38 on the irradiation surface 38 a of the target 38. The image is enlarged to about half of 80 mm (that is, enlarged from 40 mm to 80 mm).

また、制御部１３０は、Ｘ方向偏向部１１０及びＹ方向偏向部１２０を制御して、荷電粒子ＰのビームＢｐをターゲット３８の照射面３８ａ上で円形状に周回移動させる。例えば、図３に示すように、制御部１３０は、荷電粒子ＰのビームＢｐの中心Ｏｐを円形状の周回軌道Ｌに沿って周回させることができる。本実施形態では、この周回軌道Ｌの中心ＯＬ、半径ＲＬは、それぞれ、ターゲット３８の中心Ｏｔ、ターゲット３８の直径Ｄｔ＝１６０ｍｍの略１／４の４０ｍｍに設定されている。 Further, the control unit 130 controls the X-direction deflection unit 110 and the Y-direction deflection unit 120 to move the charged particle P beam Bp in a circular shape on the irradiation surface 38 a of the target 38. For example, as illustrated in FIG. 3, the control unit 130 can circulate the center Op of the beam Bp of the charged particle P along a circular orbit L. In the present embodiment, the center O L and the radius R L of the circular orbit L are set to 40 mm, which is approximately ¼ of the center Ot of the target 38 and the diameter Dt = 160 mm of the target 38, respectively.

ここで、ターゲット３８では、６０ｋｗ（＝３０ＭｅＶ×２ｍＡ）もの高いエネルギーレベルの荷電粒子Ｐの照射を受けるので、この入熱により熱応力が発生する虞がある。特に、ターゲット３８は板状であるため、熱応力により変形する虞がある。   Here, since the target 38 is irradiated with charged particles P having an energy level as high as 60 kW (= 30 MeV × 2 mA), there is a possibility that thermal stress may be generated by this heat input. In particular, since the target 38 is plate-shaped, it may be deformed by thermal stress.

しかしながら、本実施形態の荷電粒子の照射制御装置１００及び照射制御方法によれば、荷電粒子ＰのビームＢｐをターゲット３８の照射面上で周回移動させるので、高いエネルギーレベルの荷電粒子Ｐによるターゲット３８の入熱密度を軽減することができる。したがって、ターゲット３８の一部分に入熱が集中し、熱応力が発生することを抑制することができる。なお、本実施形態では、荷電粒子ＰのビームＢｐの周回移動を円形軌道Ｌにすることにより、周回移動の制御を容易にしている。   However, according to the charged particle irradiation control apparatus 100 and the irradiation control method of the present embodiment, the beam Bp of the charged particles P is moved around on the irradiation surface of the target 38, so that the target 38 by the charged particles P having a high energy level is used. The heat input density of can be reduced. Therefore, it is possible to suppress heat input from concentrating on a part of the target 38 and generating thermal stress. In the present embodiment, the circular movement of the beam Bp of the charged particles P is changed to a circular orbit L, thereby facilitating the control of the circular movement.

また、本実施形態の荷電粒子の照射制御装置１００及び照射制御方法によれば、荷電粒子Ｐのビーム径Ｄｐを拡大させるので、荷電粒子Ｐによるターゲット３８の入熱密度をより軽減することができ、ターゲット３８における熱応力の発生をより抑制することができる。   Further, according to the charged particle irradiation control apparatus 100 and the irradiation control method of the present embodiment, the beam diameter Dp of the charged particles P is enlarged, so that the heat input density of the target 38 by the charged particles P can be further reduced. The generation of thermal stress in the target 38 can be further suppressed.

また、本実施形態の荷電粒子の照射制御装置１００及び照射制御方法によれば、ターゲット３８の照射面３８ａ上での荷電粒子ＰのビームＢｐの径Ｄｐをターゲット３８の直径Ｄｔの略１／２に拡大し、荷電粒子ＰのビームＢｐの中心Ｏｐの周回軌道Ｌを、ターゲット３８の中心Ｏｔを中心ＯＬとし、ターゲット３８の直径Ｄｔの略１／４を半径ＲＬとする円形軌道とすることにより、ターゲット３８の照射面３８ａ上での荷電粒子ＰのビームＢｐの重なりを低減することができる。したがって、荷電粒子Ｐによるターゲット３８の入熱密度をより軽減することができ、ターゲット３８における熱応力の発生をより抑制することができる。 Further, according to the charged particle irradiation control apparatus 100 and the irradiation control method of the present embodiment, the diameter Dp of the charged particle P beam Bp on the irradiation surface 38 a of the target 38 is approximately ½ of the diameter Dt of the target 38. It expanded to the orbit L of the center Op of the beam Bp of charged particles P, and the center Ot of the target 38 as the center O L, a circular trajectory to a substantially 1/4 of the diameter Dt of the target 38 and the radius R L Thereby, the overlap of the beam Bp of the charged particles P on the irradiation surface 38a of the target 38 can be reduced. Therefore, the heat input density of the target 38 by the charged particles P can be further reduced, and the generation of thermal stress in the target 38 can be further suppressed.

なお、他の実施形態として、荷電粒子ＰのビームＢｐの中心Ｏｐの周回軌道Ｌの半径ＲＬを４０ｍｍから３５ｍｍに変更設定した。これは、ビームダクト３４への入熱を安全サイドで回避する目的で、荷電粒子ＰのビームＢｐの照射範囲Ａをターゲット３８の直径Ｄｔ＝１６０ｍｍより小さいφ＝１５０ｍｍに設定したことによる。これにより、ターゲット３８の中心Ｏｔ付近において荷電粒子ＰのビームＢｐが重なることとなるが、荷電粒子ＰのビームＢｐでは中心Ｏｐからビーム周辺へ向けてエネルギーが低くなるので、ビームＢｐの周辺部分が重なったとしてもターゲット３８の中心Ｏｔ付近に高い熱応力が発生することはない。 As another embodiment, the radius R L of the orbit L of the center Op of the beam Bp of charged particles P was changed and set to 35mm from 40 mm. This is because the irradiation range A of the beam Bp of the charged particles P is set to φ = 150 mm which is smaller than the diameter Dt = 160 mm of the target 38 in order to avoid heat input to the beam duct 34 on the safe side. As a result, the beam Bp of the charged particle P overlaps in the vicinity of the center Ot of the target 38, but the energy of the beam Bp of the charged particle P decreases from the center Op toward the periphery of the beam. Even if they overlap, a high thermal stress is not generated near the center Ot of the target 38.

なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、本実施形態では、荷電粒子のビームを円形状に拡大したが、円形状以外の様々な形状であってもよい。また、本実施形態では、荷電粒子の周回移動の軌道を円形状としたが、円形軌道以外の様々な周回軌道が適用可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, in the present embodiment, the beam of charged particles is enlarged in a circular shape, but various shapes other than a circular shape may be used. Further, in this embodiment, the orbit of the circular movement of the charged particles is circular, but various orbits other than the circular orbit can be applied.

また、ターゲット３８としてはベリリウム（Ｂｅ）に限定されず、タンタル（Ｔａ）などを用いることもできる。この場合にも、本発明の荷電粒子の照射制御装置及び方法は効果を奏する。   The target 38 is not limited to beryllium (Be), and tantalum (Ta) or the like can also be used. Also in this case, the charged particle irradiation control apparatus and method of the present invention are effective.

１…中性子発生装置、１０…サイクロトロン、１２…水平型ステアリング、１４…方向スリット、１４，３０…４方向スリット、１６，２６…水平垂直型ステアリング、１８，１９，２０，２４，２８…ＱＭ２００マグネット、２２…９０度偏向電磁石、３２…ＣＴモニタ、３４…ビームダクト、３６…中性子発生部、３８…ターゲット、３８ａ…照射面、３８ｂ…出射面、４０…切替部、４２…ビームダンプ、１００…照射制御装置、１１０…Ｘ方向偏向部（偏向手段）、１２０…Ｙ方向偏向部（偏向手段）、１３０…制御部（制御手段）。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Neutron generator, 10 ... Cyclotron, 12 ... Horizontal steering, 14 ... Direction slit, 14, 30 ... Four direction slit, 16, 26 ... Horizontal vertical steering, 18, 19, 20, 24, 28 ... QM200 magnet 22 ... 90 degree deflection electromagnet, 32 ... CT monitor, 34 ... beam duct, 36 ... neutron generator, 38 ... target, 38a ... irradiation surface, 38b ... exit surface, 40 ... switching unit, 42 ... beam dump, 100 ... Irradiation control device, 110... X direction deflection unit (deflection means), 120... Y direction deflection unit (deflection means), 130.

Claims (5)

荷電粒子の照射を受けて中性子を発生する物質からなるターゲットに対して、当該荷電粒子の照射制御を行う照射制御装置において、
前記荷電粒子を偏向させる偏向手段と、
前記偏向手段を制御して、前記荷電粒子のビームを前記ターゲットの照射面上で周回移動させる制御手段と、
を備える荷電粒子の照射制御装置。 In an irradiation control device that performs irradiation control of the charged particles with respect to a target made of a substance that generates neutrons upon irradiation with charged particles,
Deflection means for deflecting the charged particles;
Control means for controlling the deflection means to move the charged particle beam around the irradiation surface of the target;
A charged particle irradiation control apparatus comprising: 前記制御手段は、前記偏向手段を制御して、前記荷電粒子のビーム径を拡大させる、
請求項１に記載の荷電粒子の照射制御装置。 The control means controls the deflection means to enlarge the beam diameter of the charged particles;
The charged particle irradiation control apparatus according to claim 1. 前記制御手段は、前記荷電粒子のビームを前記ターゲットの照射面上で円形状に周回移動させる、
請求項１に記載の荷電粒子の照射制御装置。 The control means moves the charged particle beam in a circular shape on the irradiation surface of the target,
The charged particle irradiation control apparatus according to claim 1. 前記制御手段は、
前記荷電粒子のビーム径を、前記ターゲットの照射面上で前記ターゲットの最小外形幅の１／２に拡大させ、
前記荷電粒子のビームの中心が、前記ターゲットの中心を中心とし、前記ターゲットの最小外形幅の１／４を半径とする円形軌道を通るように、前記荷電粒子のビームを前記ターゲットの照射面上で周回移動させる、
請求項２に記載の荷電粒子の照射制御装置。 The control means includes
Increasing the beam diameter of the charged particles to ½ of the minimum outer width of the target on the irradiation surface of the target,
The charged particle beam is placed on the irradiation surface of the target so that the center of the charged particle beam passes through a circular trajectory centered on the center of the target and having a radius of ¼ of the minimum outer width of the target. To move around,
The charged particle irradiation control apparatus according to claim 2. 荷電粒子の照射を受けて中性子を発生する物質からなるターゲットに対して、当該荷電粒子の照射制御を行う照射制御方法において、
前記荷電粒子のビームを前記ターゲットの照射面上で周回移動させる、
荷電粒子の照射制御方法。 In an irradiation control method for performing irradiation control of a charged particle on a target made of a substance that generates neutrons upon irradiation of the charged particle,
Moving the charged particle beam around the irradiation surface of the target;
Charged particle irradiation control method.
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