JP2011234086A - Off-set circuit for piezoelectric oscillator, piezoelectric oscillator, and temperature compensation method for piezoelectric oscillator - Google Patents

Off-set circuit for piezoelectric oscillator, piezoelectric oscillator, and temperature compensation method for piezoelectric oscillator Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an off-set circuit for a piezoelectric oscillator, a piezoelectric oscillator, and a temperature compensation method for a piezoelectric oscillator.SOLUTION: An off-set circuit for a piezoelectric oscillator, a piezoelectric oscillator, and a temperature compensation method for a piezoelectric oscillator comprises: an oscillatory circuit 14 which compensates the temperature of the oscillatory frequency of an oscillatory signal 66 by a temperature compensation voltage 64 in response to the temperature characteristic of the oscillatory frequency of a piezoelectric vibrator 12; a temperature sensor 16 which outputs detection voltage 62 in response to the temperature of the piezoelectric vibrator 12; a first off-set circuit 46 which is provided with the temperature compensation voltage generation circuit 18 and which offsets the temperature compensation voltage 64 in the temperature direction by offsetting the detection voltage 62 in response to the temperature characteristics of the oscillatory frequency respectively when they go up and down; a second off-set circuit 54 which is provided between the temperature compensation voltage generation circuit 18 and the oscillatory circuit 14 and which offsets the temperature compensation voltage 64 in the voltage direction in response to the temperature characteristics of the oscillatory frequency respectively when they go up and down.

Description

本発明は、圧電振動子を発振させる温度補償型発振器(TCXO)を構成し温度補償電圧を出力する圧電発振器オフセット回路及びこれを組み込んだ圧電発振器において、特に圧電振動子のヒステリシス特性に対応した温度補償電圧を出力可能な技術に関する。   The present invention relates to a piezoelectric oscillator offset circuit that constitutes a temperature compensated oscillator (TCXO) that oscillates a piezoelectric vibrator and outputs a temperature compensated voltage, and a piezoelectric oscillator incorporating the piezoelectric oscillator offset circuit. The present invention relates to a technology capable of outputting a compensation voltage.

従来から水晶振動子と増幅回路を組み合わせた水晶発振器において、温度に対する発振周波数の安定度が求められる場合には温度補償回路を付加した温度補償型水晶発振器(TCXO)が用いられ、最近では携帯端末、携帯端末の基地局、GPS受信機等広く利用されている。   Conventionally, in a crystal oscillator combining a crystal resonator and an amplifier circuit, when the stability of the oscillation frequency with respect to temperature is required, a temperature compensated crystal oscillator (TCXO) with a temperature compensation circuit is used. Widely used in mobile terminal base stations, GPS receivers, and the like.

図10に従来技術に係る温度補償型発振器の回路図を示す。特許文献1においては、図10に示すように、温度変化に対して1次関数的に出力が変化する温度検出回路102と、入力された温度検出回路102の出力に基づいて近似3次曲線電圧を出力する近似3次曲線発生回路104、近似3次曲線電圧の増幅率を調整して出力する第1のプログラマブルゲイン増幅器106、前記温度検回路102から分岐して接続され、入力された温度検出回路102の出力の増幅率を調整して出力する第2のプログラマブルゲイン増幅器108と、定電圧発生回路110と、入力された前記定電圧発生回路110からの出力の増幅率を調整して出力する第3のプログラマブルゲイン増幅器112と、前記第1、第2、第3のプログラマブルゲイン増幅器106、108、112を並列に接続し、前記第1、第2、第3のプログラマブルゲイン増幅器106、108、112からの出力を加算して温度補償電圧を出力する加算回路114と、入力された前記温度補償電圧により発振周波数の温度補償を行う電圧制御型水晶発振回路116(VCXO)と、を有する温度補償型発振器100(TCXO)が開示されている。   FIG. 10 shows a circuit diagram of a temperature compensated oscillator according to the prior art. In Patent Document 1, as shown in FIG. 10, a temperature detection circuit 102 whose output changes in a linear function with respect to a temperature change, and an approximate cubic curve voltage based on the input output of the temperature detection circuit 102. Approximate cubic curve generating circuit 104 for outputting the first temperature, the first programmable gain amplifier 106 for adjusting and outputting the amplification factor of the approximate cubic curve voltage, and the temperature detection circuit 102 branched and connected from the temperature detection circuit 102 The second programmable gain amplifier 108 that adjusts and outputs the output amplification factor of the circuit 102, the constant voltage generation circuit 110, and the input amplification factor of the output from the constant voltage generation circuit 110 is adjusted and output. A third programmable gain amplifier 112 and the first, second, and third programmable gain amplifiers 106, 108, 112 are connected in parallel, and the first, second, An adder circuit 114 that outputs the temperature compensation voltage by adding the outputs from the third programmable gain amplifiers 106, 108, and 112, and a voltage controlled crystal oscillation circuit that performs temperature compensation of the oscillation frequency by the input temperature compensation voltage 116 (VCXO), and a temperature compensated oscillator 100 (TCXO).

ここで第1のプログラマブルゲイン増幅器106は3次の温度補償電圧、第2のプログラマブルゲイン増幅器108は1次の温度補償電圧、第3のプログラマブルゲイン増幅器112は0次の温度補償電圧(オフセット電圧)を出力しており、電圧制御型水晶発振回路116内のATカット水晶振動子の温度補償を温度変化に対して連続的に行うことができ、温度変化に対して安定した周波数特性を実現できる。ところで上述の第1、第2、第3のプログラマブルゲイン増幅器106、108、112の増幅率は、製造検査工程時に取得するものであり、製造時のスループットの観点から、温度上昇時、または温度下降時のいずれか一方に温度変化した際に発振周波数数が基準周波数となるように調整されるのが一般的である。   Here, the first programmable gain amplifier 106 is a third-order temperature compensation voltage, the second programmable gain amplifier 108 is a first-order temperature compensation voltage, and the third programmable gain amplifier 112 is a zero-order temperature compensation voltage (offset voltage). The temperature compensation of the AT-cut crystal resonator in the voltage controlled crystal oscillation circuit 116 can be continuously performed with respect to the temperature change, and a stable frequency characteristic with respect to the temperature change can be realized. By the way, the amplification factors of the first, second, and third programmable gain amplifiers 106, 108, and 112 are obtained at the time of the manufacturing inspection process. From the viewpoint of the throughput at the time of manufacturing, the temperature is increased or decreased. In general, the frequency is adjusted so that the oscillation frequency becomes the reference frequency when the temperature changes at either time.

特開平09−55624号公報Japanese Patent Laid-Open No. 09-55624

ところで、水晶振動子の周波数温度特性は、ヒステリシス特性を有している。ヒステリシス特性を有するとは、温度上昇時と下降時において水晶振動子の温度依存性が異なることを意味する。この原因は、温度変化に対する水晶振動子の歪み応力の変化が実際の温度変化に追従できないことや、発振器中の支持構造・接着剤・溶着合金・電極等の熱歪変化等によるもので、水晶振動子を小型化するほど顕著に現れる。   By the way, the frequency-temperature characteristic of the crystal resonator has a hysteresis characteristic. Having a hysteresis characteristic means that the temperature dependence of the crystal resonator is different when the temperature rises and when it falls. This is due to the fact that the change in strain stress of the crystal resonator with respect to the temperature change cannot follow the actual temperature change, and the thermal strain change of the support structure, adhesive, welding alloy, electrode, etc. in the oscillator. It becomes more prominent as the size of the vibrator becomes smaller.

さらに、上述のGPS機能を搭載した携帯電話端末などの高精度の電子機器の分野においては、周波数偏差(Δf/f)の許容範囲が非常に狭く、例えば、−30℃〜85℃の温度範囲では周波数偏差(Δf/f)は±0.5ppm以内であることが要求される。 Further, in the field of high-precision electronic devices such as mobile phone terminals equipped with the GPS function described above, the allowable range of frequency deviation (Δf / f 0 ) is very narrow, for example, a temperature of −30 ° C. to 85 ° C. In the range, the frequency deviation (Δf / f 0 ) is required to be within ± 0.5 ppm.

そのため、従来のように、温度上昇時、または温度下降時のどちらか一方に温度変化した際の増幅率を取得する方法では、一方向の増幅率しか保存されていないため、増幅率を取得する際と逆方向に温度が変化した場合、システムとして周波数補正をかけてもヒステリシス特性に起因する発振周波数の差分についてはそのまま補正誤差として残ることになる。したがって、これが原因となって、測位にかかる時間が長くなり、結果的に測位誤差が生じたり、GPS衛星との同調が不調となる虞がある、といった問題があった。   Therefore, as in the conventional method, in the method of obtaining the amplification factor when the temperature changes either when the temperature rises or when the temperature falls, only the amplification factor in one direction is stored, so the amplification factor is obtained. If the temperature changes in the opposite direction, the difference in oscillation frequency due to the hysteresis characteristic remains as a correction error even if the system is frequency corrected. Therefore, due to this, there has been a problem that it takes a long time for positioning, resulting in a positioning error or a malfunction in synchronization with the GPS satellite.

そこで本発明は、上記問題点に着目し、圧電振動子の発振周波数のヒステリシス特性の影響を小さくして、安定した発振周波数で発振可能な圧電発振器用オフセット回路、圧電発振器、及び圧電発振器の温度補償方法を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention pays attention to the above-mentioned problems, reduces the influence of the hysteresis characteristics of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator, and provides a piezoelectric oscillator offset circuit that can oscillate at a stable oscillation frequency, the piezoelectric oscillator, and the temperature of the piezoelectric oscillator. An object is to provide a compensation method.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
[適用例1]圧電振動子を発振させて発振信号を出力し、入力される前記圧電振動子の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧により前記発振信号の発振周波数の温度補償を行う発振回路と、前記圧電振動子の温度に対応した検出電圧を出力する温度検出手段と、前記発振回路と前記温度検出手段との間に介装され、前記温度補償電圧を前記検出電圧に対応して出力する温度補償電圧発生回路と、を有する圧電発振器に取り付けられた圧電発振器用オフセット回路であって、前記温度検出手段と前記温度補償電圧発生回路との間に介装され、前記発振周波数の温度の上昇時及び下降時の温度特性にそれぞれ対応して、前記検出電圧をオフセットすることにより前記温度補償電圧を温度方向にオフセットする第1のオフセット回路と、前記温度補償電圧発生回路と前記発振回路との間に介装され、前記発振周波数の温度の上昇時及び下降時の温度特性にそれぞれ対応して、前記温度補償電圧を電圧方向にオフセットする第2のオフセット回路と、を有することを特徴とする圧電発振器用オフセット回路。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following application examples.
[Application Example 1] Oscillation that oscillates a piezoelectric vibrator, outputs an oscillation signal, and performs temperature compensation of the oscillation frequency of the oscillation signal by a temperature compensation voltage corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the input piezoelectric vibrator A circuit, temperature detection means for outputting a detection voltage corresponding to the temperature of the piezoelectric vibrator, and interposed between the oscillation circuit and the temperature detection means, the temperature compensation voltage corresponding to the detection voltage An offset circuit for a piezoelectric oscillator attached to a piezoelectric oscillator having a temperature compensation voltage generation circuit for output, the temperature compensation voltage generation circuit being interposed between the temperature detection means and the temperature compensation voltage generation circuit, the temperature of the oscillation frequency A first offset circuit for offsetting the temperature compensation voltage in a temperature direction by offsetting the detection voltage in accordance with temperature characteristics at the time of rising and falling, respectively, A second circuit that is interposed between the temperature compensation voltage generation circuit and the oscillation circuit and offsets the temperature compensation voltage in the voltage direction in accordance with the temperature characteristics when the temperature of the oscillation frequency rises and falls. An offset circuit for a piezoelectric oscillator, comprising: an offset circuit.

上記構成により、第1のオフセット回路を介して入力された検出電圧に基づいて温度補償電圧発生回路から出力された温度補償電圧は、第1のオフセット回路における前記検出電圧のオフセット量だけ温度方向にシフトする。さらに第2のオフセット選択回路から出力された温度補償電圧は第2のオフセット回路における前記温度補償電圧のオフセット量だけ電圧方向にシフトする。よって、シフト後の温度補償電圧はシフト前の温度補償電圧と高温領域と低温領域とで互いに接し、高温領域と低温領域との間にシフト前の温度補償電圧とシフト後の温度補償電圧とに囲まれた領域が発生する。これにより圧電振動子のヒステリシス特性と極めて類似した温度特性を得ることができる。したがって一の温度特性を有する温度補償電圧を圧電振動子の温度の上昇時及び下降時の圧電振動子の発振周波数の温度特性に対応させてシフトさせ、圧電振動子のヒステリシス特性に対応した温度補償が可能な圧電発振器用オフセット回路となる。   With the above configuration, the temperature compensation voltage output from the temperature compensation voltage generation circuit based on the detection voltage input through the first offset circuit is shifted in the temperature direction by the offset amount of the detection voltage in the first offset circuit. shift. Further, the temperature compensation voltage output from the second offset selection circuit is shifted in the voltage direction by the offset amount of the temperature compensation voltage in the second offset circuit. Therefore, the temperature compensation voltage after the shift is in contact with the temperature compensation voltage before the shift and the high temperature region and the low temperature region, and the temperature compensation voltage before the shift and the temperature compensation voltage after the shift are between the high temperature region and the low temperature region. An enclosed area occurs. As a result, a temperature characteristic very similar to the hysteresis characteristic of the piezoelectric vibrator can be obtained. Therefore, the temperature compensation voltage having one temperature characteristic is shifted according to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls to compensate for the hysteresis characteristic of the piezoelectric vibrator. This is an offset circuit for a piezoelectric oscillator.

[適用例2]前記検出電圧の上昇・下降を検出して前記圧電振動子の温度の上昇及び下降を判定する判定信号を出力する判定回路を有し、前記温度補償電圧発生回路は、前記温度補償電圧を前記圧電振動子の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方の温度特性に対応して出力し、前記第1のオフセット回路は、前記一方の温度特性の反対の他方の温度特性に対応した前記検出電圧のオフセット量が設定され、前記判定信号に基づいて前記検出電圧を前記検出電圧のオフセット量だけオフセットし、前記第2のオフセット回路は、前記他方の温度特性に対応した前記温度補償電圧のオフセット量が設定され、前記判定信号に基づいて入力した前記温度補償電圧を前記温度補償電圧のオフセット量だけオフセットすることを特徴とする適用例1に記載の圧電発振器用オフセット回路。   Application Example 2 It has a determination circuit that outputs a determination signal for detecting an increase or decrease in the temperature of the piezoelectric vibrator by detecting an increase or decrease in the detection voltage, and the temperature compensation voltage generation circuit includes the temperature A compensation voltage is output corresponding to one of the temperature characteristics when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls, and the first offset circuit produces a temperature characteristic opposite to the one temperature characteristic. A corresponding offset amount of the detection voltage is set, the detection voltage is offset by the offset amount of the detection voltage based on the determination signal, and the second offset circuit is configured to detect the temperature corresponding to the other temperature characteristic. An offset amount of a compensation voltage is set, and the temperature compensation voltage input based on the determination signal is offset by the offset amount of the temperature compensation voltage. Piezoelectric oscillator offset circuit mounting.

上記構成において、圧電振動子の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方においてオフセット量を一定量とし他方においてゼロに設定することができる。よって前記一方の温度特性に合わせて温度補償電圧発生回路に入力する温度係数を合わせることにより、温度補償を高精度に行うことができる。また前記一方の場合には第1のオフセット回路及び第2のオフセット選択回路を作動させずに検出電圧及び温度補償電圧を後段に通過させる構成が可能となる。したがって第1のオフセット回路及び第2のオフセット選択回路は圧電振動子の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方のオフセット量を実現する構成が不要となり、構成を簡略化してコストを抑制することが可能な圧電発振器用オフセット回路となる。   In the above-described configuration, the offset amount can be set to a constant amount when the temperature of the piezoelectric vibrator increases or decreases, and can be set to zero at the other. Therefore, the temperature compensation can be performed with high accuracy by matching the temperature coefficient input to the temperature compensation voltage generating circuit in accordance with the one temperature characteristic. In the one case, it is possible to pass the detection voltage and the temperature compensation voltage to the subsequent stage without operating the first offset circuit and the second offset selection circuit. Therefore, the first offset circuit and the second offset selection circuit do not require a configuration that realizes the offset amount when the temperature of the piezoelectric vibrator increases or decreases, and simplifies the configuration and suppresses the cost. This is an offset circuit for a piezoelectric oscillator.

[適用例3]前記検出電圧及び前記温度補償電圧に設定されたオフセット量は、前記圧電振動子の温度の上昇時の設定最低温度と設定最高温度、及び前記圧電振動子の温度の下降時の基準温度における温度補償電圧において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、または前記圧電振動子の温度の下降時の設定最低温度と設定最高温度、及び前記圧電振動子の温度の上昇時の基準温度の温度補償電圧において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、それぞれ算出されたことを特徴とする適用例2に記載の圧電発振器用オフセット回路。   Application Example 3 The offset amounts set in the detection voltage and the temperature compensation voltage are the minimum set temperature and the maximum set temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator is increased, and the offset amount when the temperature of the piezoelectric vibrator is decreased. In a temperature compensation voltage at a reference temperature, a minimum set temperature and a set maximum temperature when the total sum of differences in the voltage direction caused by the offset amount is minimized or when the temperature of the piezoelectric vibrator is lowered, and the piezoelectric vibrator The piezoelectric oscillator according to Application Example 2, wherein the temperature compensation voltage of the reference temperature at the time of the temperature rise is calculated so that the sum of the differences in the voltage direction caused by the offset amount is minimized. Offset circuit.

上記構成により、設定最低温度を下限とし、設定最高温度を上限とした設定温度範囲において圧電振動子のヒステリシス特性に高精度に対応した温度補償電圧を出力することが可能な圧電発振器用オフセット回路となる。   With the above configuration, an offset circuit for a piezoelectric oscillator capable of outputting a temperature compensation voltage corresponding to the hysteresis characteristics of the piezoelectric vibrator with high accuracy in a set temperature range with the set minimum temperature as the lower limit and the set maximum temperature as the upper limit. Become.

[適用例4]適用例1乃至3のいずれか1例に記載の圧電発振器用オフセット回路を、前記圧電発振器に組みこんで形成したことを特徴とする圧電発振器。   Application Example 4 A piezoelectric oscillator characterized in that the piezoelectric oscillator offset circuit described in any one of Application Examples 1 to 3 is incorporated in the piezoelectric oscillator.

上記構成により、一の温度特性を有する温度補償電圧を圧電振動子の温度の上昇時及び下降時の圧電振動子の発振周波数の温度特性に対応させてシフトさせ、圧電振動子のヒステリシス特性に対応した温度補償が可能な圧電発振器となる。   With the above configuration, the temperature compensation voltage with one temperature characteristic is shifted according to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls, and corresponds to the hysteresis characteristic of the piezoelectric vibrator Thus, a piezoelectric oscillator capable of temperature compensation can be obtained.

[適用例5]圧電振動子を発振させて発振信号を出力し、入力される前記圧電振動子の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧により前記発振信号の発振周波数の温度補償を行う発振回路と、前記圧電振動子の温度に対応した検出電圧を出力する温度検出手段と、前記発振回路と前記温度手段との間に介装され、前記温度補償電圧を前記検出電圧に対応して出力する温度補償電圧発生回路と、を有する圧電発振器の温度補償方法であって、前記圧電振動子の温度の上昇時及び下降時の前記発振周波数の温度特性にそれぞれ対応して前記温度補償電圧を電圧方向にオフセットするとともに、前記圧電振動子の温度の上昇時及び下降時の前記発振周波数の温度特性にそれぞれ対応して前記検出電圧をオフセットすることにより前記温度補償電圧を温度方向にオフセットすることを特徴とする圧電発振器の温度補償方法。   Application Example 5 Oscillation that oscillates a piezoelectric vibrator, outputs an oscillation signal, and performs temperature compensation of the oscillation frequency of the oscillation signal by a temperature compensation voltage corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the input piezoelectric vibrator A circuit, a temperature detection means for outputting a detection voltage corresponding to the temperature of the piezoelectric vibrator, and an output between the oscillation circuit and the temperature means, and outputting the temperature compensation voltage corresponding to the detection voltage. A temperature compensation method for a piezoelectric oscillator having a temperature compensation voltage generation circuit, wherein the temperature compensation voltage is voltage corresponding to temperature characteristics of the oscillation frequency when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls, respectively. The temperature compensation is performed by offsetting the detection voltage in accordance with temperature characteristics of the oscillation frequency when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls, respectively. Temperature compensation method of a piezoelectric oscillator, characterized by offsetting the pressure temperature direction.

上記方法により、温度補償電圧発生回路に入力される温度補償電圧は、前記検出電圧のオフセット量だけ温度方向にシフトする。さらに温度補償電圧発生回路から出力された温度補償電圧は前記温度補償電圧のオフセット量だけ電圧方向にシフトする。よって、シフト後の温度補償電圧はシフト前の温度補償電圧と高温領域と低温領域とで互いに接し、高温領域と低温領域との間にシフト前の温度補償電圧とシフト後の温度補償電圧とに囲まれた領域が発生する。これにより圧電振動子のヒステリシス特性と極めて類似した温度特性を得ることができる。したがって一の温度特性を有する温度補償電圧を圧電振動子の温度の上昇時及び下降時の圧電振動子の発振周波数の温度特性に対応させてシフトさせ、圧電振動子のヒステリシス特性に対応した温度補償が可能となる。   By the above method, the temperature compensation voltage input to the temperature compensation voltage generation circuit is shifted in the temperature direction by the offset amount of the detection voltage. Further, the temperature compensation voltage output from the temperature compensation voltage generation circuit is shifted in the voltage direction by the offset amount of the temperature compensation voltage. Therefore, the temperature compensation voltage after the shift is in contact with the temperature compensation voltage before the shift and the high temperature region and the low temperature region, and the temperature compensation voltage before the shift and the temperature compensation voltage after the shift are between the high temperature region and the low temperature region. An enclosed area occurs. As a result, a temperature characteristic very similar to the hysteresis characteristic of the piezoelectric vibrator can be obtained. Therefore, the temperature compensation voltage having one temperature characteristic is shifted according to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls to compensate for the hysteresis characteristic of the piezoelectric vibrator. Is possible.

[適用例6]前記温度補償電圧発生回路は、前記検出電圧に基づいて前記圧電振動子の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方の温度特性を有する電圧を前記発振回路に出力するとともに、前記検出電圧の上昇・下降を検出し前記圧電振動子の温度の上昇及び下降を判定する判定信号を出力し、前記温度補償電圧を、前記判定信号に基づいて前記一方の温度特性の反対の他方の温度特性に対応して設定された前記温度補償電圧のオフセット量だけオフセットし、前記検出電圧を、前記判定信号に基づいて前記他方の温度特性に対応して設定された前記検出電圧のオフセット量だけオフセットすることを特徴とする適用例5に記載の圧電発振器の温度補償方法。   [Application Example 6] The temperature compensation voltage generation circuit outputs a voltage having one of temperature characteristics when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls based on the detection voltage to the oscillation circuit, A detection signal for detecting an increase / decrease in the detection voltage and determining an increase / decrease in the temperature of the piezoelectric vibrator is output, and the temperature compensation voltage is determined based on the determination signal. The detected voltage is offset by the offset amount of the temperature compensation voltage set corresponding to the temperature characteristic of the detection voltage, and the detected voltage is offset based on the determination signal. The temperature compensation method for a piezoelectric oscillator according to Application Example 5, wherein the offset is offset only by the amount of time.

上記方法において、圧電振動子の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方においてオフセット量を一定量とし他方においてゼロに設定することになる。よって前記一方の温度特性に合わせた温度補償電圧発生回路に基づいて温度補償を高精度に行うことができる。   In the above method, the offset amount is set to a constant amount at one of the rise and fall of the temperature of the piezoelectric vibrator, and set to zero at the other. Therefore, temperature compensation can be performed with high accuracy based on the temperature compensation voltage generation circuit adapted to the one temperature characteristic.

[適用例7]前記検出電圧及び前記温度補償電圧に設定されたオフセット量は、前記圧電振動子の温度の上昇時の設定最低温度と設定最高温度、及び前記圧電振動子の温度の下降時の基準温度における温度補償電圧において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、または前記圧電振動子の温度の下降時の設定最低温度と設定最高温度、及び前記圧電振動子の温度の上昇時の基準温度における温度補償電圧において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、それぞれ算出したことを特徴とする適用例6に記載の圧電発振器の温度補償方法。   Application Example 7 The offset amounts set in the detection voltage and the temperature compensation voltage are the minimum set temperature and the maximum set temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator is increased, and the offset amount when the temperature of the piezoelectric vibrator is decreased. In a temperature compensation voltage at a reference temperature, a minimum set temperature and a set maximum temperature when the total sum of differences in the voltage direction caused by the offset amount is minimized or when the temperature of the piezoelectric vibrator is lowered, and the piezoelectric vibrator The temperature of the piezoelectric oscillator according to Application Example 6, wherein the temperature compensation voltage at the reference temperature at the time of the temperature rise is calculated so that the sum of the differences in the voltage direction caused by the offset amount is minimized. Compensation method.

上記方法により、設定最低温度を下限とし、設定最高温度を上限とした設定温度範囲において圧電振動子のヒステリシス特性に高精度に対応した温度補償電圧を出力することが可能となる。   According to the above method, it is possible to output a temperature compensation voltage corresponding to the hysteresis characteristics of the piezoelectric vibrator with high accuracy in the set temperature range with the set minimum temperature as the lower limit and the set maximum temperature as the upper limit.

本実施形態の温度補償回路の回路図である。It is a circuit diagram of the temperature compensation circuit of this embodiment. 本実施形態の判定回路の回路図である。It is a circuit diagram of the determination circuit of this embodiment. 本実施形態の第1のオフセット回路の回路図である。It is a circuit diagram of the 1st offset circuit of this embodiment. 本実施形態の第2のオフセット回路の回路図である。It is a circuit diagram of the 2nd offset circuit of this embodiment. 本実施形態の温度補償回路の温度補償の概念を示し、図5(a)は圧電振動子の発振周波数の温度変化に対するヒステリシス特性を示す図、図5(b)は、圧電振動子の発振周波数の温度上昇時の温度特性(f)と温度下降時の温度特性(f)の周波数方向の差分(f−f、ヒステリシス量)を示す図、図5(c)は圧電振動子の発振周波数の温度上昇時の温度特性(f)と、前記温度特性について温度方向及び周波数方向に平行移動させた温度特性(f’)の図である。FIG. 5A shows a concept of temperature compensation of the temperature compensation circuit of the present embodiment, FIG. 5A is a diagram showing hysteresis characteristics with respect to temperature change of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator, and FIG. 5B is an oscillation frequency of the piezoelectric vibrator. FIG. 5C is a diagram showing a frequency direction difference (f 1 −f 2 , hysteresis amount) between the temperature characteristic (f 1 ) when the temperature rises and the temperature characteristic (f 2 ) when the temperature drops, FIG. 6 is a diagram of a temperature characteristic (f 1 ) when the oscillation frequency rises in temperature and a temperature characteristic (f 1 ′) obtained by translating the temperature characteristic in the temperature direction and the frequency direction. 温度補償電圧の温度方向のオフセット量及び電圧方向のオフセット量の算出工程のフロー図である。It is a flowchart of the calculation process of the offset amount of the temperature direction of the temperature compensation voltage, and the offset amount of a voltage direction. 本実施形態の温度補償回路の作用効果を示す図である。It is a figure which shows the effect of the temperature compensation circuit of this embodiment. 本実施形態の第1のオフセット回路の変形例の回路図である。It is a circuit diagram of the modification of the 1st offset circuit of this embodiment. 本実施形態の第2のオフセット回路の変形例の回路図である。It is a circuit diagram of the modification of the 2nd offset circuit of this embodiment. 従来技術に係る温度補償型発振器の回路図を示す。The circuit diagram of the temperature compensation type | mold oscillator which concerns on a prior art is shown.

以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings. However, the components, types, combinations, shapes, relative arrangements, and the like described in this embodiment are merely illustrative examples and not intended to limit the scope of the present invention only unless otherwise specified. .

図1に本実施形態に係る圧電発振器用オフセット回路を組み込んだ圧電発振器の回路図を示す。本実施形態に係る圧電発振器用オフセット回路は、圧電振動子12を発振させて発振信号66を出力し、入力される前記圧電振動子12の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧64により前記発振信号66の発振周波数の温度補償を行う発振回路14と、前記圧電振動子12の温度に対応した検出電圧62を出力する温度検出手段(温度センサー16)と、前記発振回路14と前記温度検出手段(温度センサー16)との間に介装され、前記温度補償電圧64を前記検出電圧62に対応して出力する温度補償電圧発生回路18と、を有する圧電発振器10に取り付けられた圧電発振器用オフセット回路であって、前記温度検出手段(温度センサー16)と前記温度補償電圧発生回路18との間に介装され、前記発振周波数の温度の上昇時及び下降時の温度特性にそれぞれ対応して、前記検出電圧62をオフセットすることにより前記温度補償電圧64を温度方向にオフセットする第1のオフセット回路46と、前記温度補償電圧発生回路18と前記発振回路14との間に介装され、前記発振周波数の温度の上昇時及び下降時の温度特性にそれぞれ対応して、前記温度補償電圧64を電圧方向にオフセットする第2のオフセット回路54と、を有するものである。   FIG. 1 shows a circuit diagram of a piezoelectric oscillator incorporating a piezoelectric oscillator offset circuit according to the present embodiment. The offset circuit for a piezoelectric oscillator according to the present embodiment oscillates the piezoelectric vibrator 12 and outputs an oscillation signal 66, and the temperature compensation voltage 64 corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 inputted thereto is used. The oscillation circuit 14 that performs temperature compensation of the oscillation frequency of the oscillation signal 66, temperature detection means (temperature sensor 16) that outputs a detection voltage 62 corresponding to the temperature of the piezoelectric vibrator 12, the oscillation circuit 14 and the temperature detection A piezoelectric oscillator attached to the piezoelectric oscillator 10 having a temperature compensated voltage generation circuit 18 interposed between the means (temperature sensor 16) and outputting the temperature compensated voltage 64 corresponding to the detected voltage 62. An offset circuit interposed between the temperature detection means (temperature sensor 16) and the temperature compensation voltage generation circuit 18 to increase the temperature of the oscillation frequency. A first offset circuit 46 for offsetting the temperature compensation voltage 64 in the temperature direction by offsetting the detection voltage 62, the temperature compensation voltage generation circuit 18, and the A second offset circuit 54 interposed between the oscillation circuit 14 and for offsetting the temperature compensation voltage 64 in the voltage direction corresponding to the temperature characteristics at the time of increase and decrease of the temperature of the oscillation frequency, It is what has.

また、前記温度補償電圧発生回路18は、前記温度補償電圧64を前記圧電振動子12の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方の温度特性に対応して出力し、前記圧電発振器用オフセット回路は、前記検出電圧の上昇・下降を検出し圧電振動子12の温度の上昇及び下降を判定する判定信号68を出力する判定回路32を有し、前記第1のオフセット回路46は、前記一方の温度特性の反対の他方の温度特性に対応した前記検出電圧62のオフセット量が設定され、前記判定信号68に基づいて前記検出電圧62を前記検出電圧62のオフセット量だけオフセットし、前記第2のオフセット回路54は、前記他方の温度特性に対応した前記温度補償電圧64のオフセット量が設定され、前記判定信号68に基づいて入力した前記温度補償電圧64を前記温度補償電圧64のオフセット量だけオフセットするものである。   The temperature compensated voltage generation circuit 18 outputs the temperature compensated voltage 64 corresponding to one of the temperature characteristics when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 rises and falls, and the piezoelectric oscillator offset circuit. Includes a determination circuit 32 that detects an increase / decrease in the detection voltage and outputs a determination signal 68 for determining an increase / decrease in the temperature of the piezoelectric vibrator 12, and the first offset circuit 46 includes the first offset circuit 46. An offset amount of the detection voltage 62 corresponding to the other temperature characteristic opposite to the temperature characteristic is set, the detection voltage 62 is offset by the offset amount of the detection voltage 62 based on the determination signal 68, and the second The offset circuit 54 is set with an offset amount of the temperature compensation voltage 64 corresponding to the other temperature characteristic, and the temperature compensation voltage input based on the determination signal 68 is set. 64 by the offset amount of the temperature compensation voltage 64 is intended to offset.

したがって本実施形態に係る圧電発振器の温度補償方法は、圧電振動子12を発振させて発振信号66を出力し、入力される前記圧電振動子12の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧64により前記発振信号66の発振周波数の温度補償を行う発振回路14と、前記圧電振動子12の温度に対応した検出電圧62を出力する温度検出手段となる温度センサー16との間に介装され、前記温度補償電圧64を前記検出電圧62に対応して出力する圧電発振器10の温度補償方法であって、圧電振動子12の温度の上昇時及び下降時の前記発振周波数の温度特性にそれぞれ対応して、前記温度補償電圧64を電圧方向にオフセットするとともに、前記検出電圧62をオフセットすることにより前記温度補償電圧64を温度方向にオフセットするものである。   Therefore, the temperature compensation method of the piezoelectric oscillator according to the present embodiment oscillates the piezoelectric vibrator 12 and outputs the oscillation signal 66, and the temperature compensation voltage 64 corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the inputted piezoelectric vibrator 12 is obtained. Is interposed between the oscillation circuit 14 that performs temperature compensation of the oscillation frequency of the oscillation signal 66 and the temperature sensor 16 that serves as a temperature detection unit that outputs a detection voltage 62 corresponding to the temperature of the piezoelectric vibrator 12. A temperature compensation method for the piezoelectric oscillator 10 that outputs the temperature compensation voltage 64 in correspondence with the detection voltage 62, corresponding to the temperature characteristics of the oscillation frequency when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 rises and falls, respectively. The temperature compensation voltage 64 is offset in the voltage direction, and the detection voltage 62 is offset to offset the temperature compensation voltage 64 in the temperature direction. It is intended to theft.

また、前記温度補償電圧発生回路18は、前記検出電圧62に基づいて前記圧電振動子12の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方の温度特性を有する電圧を前記発振回路14に出力するとともに、前記検出電圧62の上昇・下降を検出し前記圧電振動子12の温度の上昇及び下降を判定する判定信号68を出力し、前記温度補償電圧64を、前記判定信号68に基づいて前記一方の温度特性の反対の他方の温度特性に対応して設定された前記温度補償電圧64のオフセット量だけオフセットし、前記検出電圧62を、前記判定信号68に基づいて前記他方の温度特性に対応して設定された前記検出電圧62のオフセット量だけオフセットするものである。   The temperature compensation voltage generation circuit 18 outputs a voltage having one of the temperature characteristics when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 rises and falls based on the detection voltage 62 to the oscillation circuit 14. , Detecting a rise and fall of the detection voltage 62 and outputting a judgment signal 68 for judging the rise and fall of the temperature of the piezoelectric vibrator 12, and the temperature compensation voltage 64 is determined based on the judgment signal 68. The detected voltage 62 is offset by the offset amount of the temperature compensation voltage 64 set corresponding to the other temperature characteristic opposite to the temperature characteristic, and the detected voltage 62 is corresponding to the other temperature characteristic based on the determination signal 68. The offset is set by the set offset amount of the detection voltage 62.

図1に示すように圧電発振器10においては、温度検出手段となる温度センサー16、第1のオフセット回路46、温度補償電圧発生回路18、発振回路14に接続する第2のオフセット回路54の順に直列に接続されている。また判定回路32は、入力側が温度センサー16に接続され、出力側が第1のオフセット回路46及び第2のオフセット回路54に接続されている。   As shown in FIG. 1, in the piezoelectric oscillator 10, a temperature sensor 16 serving as a temperature detection unit, a first offset circuit 46, a temperature compensation voltage generation circuit 18, and a second offset circuit 54 connected to the oscillation circuit 14 are serially arranged in this order. It is connected to the. The determination circuit 32 has an input side connected to the temperature sensor 16 and an output side connected to the first offset circuit 46 and the second offset circuit 54.

圧電振動子12は、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の圧電材料から形成され、水晶であれば周波数温度特性に優れるATカット振動子が望ましい。このようなATカット水晶振動子は、発振回路14から交流電圧を受けて、厚みすべり振動により所定の発振周波数で発振することができる。このATカットによる厚みすべり振動を用いた圧電振動子の発振周波数は、基準温度(25℃近辺)を中心として3次曲線となる温度特性を有している。   The piezoelectric vibrator 12 is formed of a piezoelectric material such as quartz, lithium niobate, lithium tantalate, or the like, and an AT-cut vibrator having excellent frequency temperature characteristics is desirable as long as it is quartz. Such an AT cut crystal resonator can receive an alternating voltage from the oscillation circuit 14 and oscillate at a predetermined oscillation frequency by thickness shear vibration. The oscillation frequency of the piezoelectric vibrator using the thickness shear vibration by the AT cut has a temperature characteristic that becomes a cubic curve centering on the reference temperature (around 25 ° C.).

発振回路14は、圧電振動子12を発振源とする例えばコルピッツ型の発振回路であるとともに、温度補償電圧64を入力して圧電振動子12の発振周波数の温度補償を行うことができる。   The oscillation circuit 14 is, for example, a Colpitts type oscillation circuit using the piezoelectric vibrator 12 as an oscillation source, and can receive temperature compensation of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 by inputting a temperature compensation voltage 64.

温度センサー16は、ダイオード構造を有しており、順方向電流を流し、温度によって変化するダイオードの端子間電位であるアナログの検出電圧62を第1のオフセット回路46及び判定回路32に出力するものである。ここで検出電圧62は温度上昇とともに1次関数的に減少し、出力される検出電圧62は測定される温度に対応したものとなっている。なお、温度センサー16は圧電振動子12に隣接して配置することが望ましい。これにより圧電振動子12の温度を測定誤差を抑制して測定することができ、温度補償電圧64の出力誤差を抑制することができる。   The temperature sensor 16 has a diode structure, and allows a forward current to flow, and outputs an analog detection voltage 62 that is a potential between the terminals of the diode, which varies with temperature, to the first offset circuit 46 and the determination circuit 32. It is. Here, the detection voltage 62 decreases linearly as the temperature rises, and the output detection voltage 62 corresponds to the measured temperature. The temperature sensor 16 is desirably disposed adjacent to the piezoelectric vibrator 12. Thereby, the temperature of the piezoelectric vibrator 12 can be measured while suppressing measurement errors, and the output error of the temperature compensation voltage 64 can be suppressed.

温度補償電圧発生回路18は、4次電圧発生回路20、3次電圧発生回路22、2次電圧発生回路24、1次電圧発生回路26、0次電圧発生回路28、加算回路30により構成されている。   The temperature compensation voltage generation circuit 18 includes a quaternary voltage generation circuit 20, a tertiary voltage generation circuit 22, a secondary voltage generation circuit 24, a primary voltage generation circuit 26, a 0th order voltage generation circuit 28, and an addition circuit 30. Yes.

本実施形態のように圧電振動子12がATカット水晶振動子である場合、圧電振動子12の発振周波数の温度特性Δf/fは以下の近似曲線より表わすことができる。
When the piezoelectric vibrator 12 is an AT cut quartz crystal vibrator as in the present embodiment, the temperature characteristic Δf / f 0 of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 can be expressed by the following approximate curve.

ここでfは基準温度(25℃)における発振周波数(基準周波数)、Tは基準温度、Aは4次の温度係数、Bは3次の温度係数、Cは2次の温度係数、Dは1次の温度係数、Eは0次の温度係数(オフセット係数)である。よってこのような温度特性を有する発振回路14(圧電振動子12)の温度補償を行うために、温度補償電圧64(Vh、後述の理想補償電圧も同様)は、以下のような温度特性を有する必要がある。
ここで、Vc、Vc、Vc、Vc、Vcは、それぞれ数式1の−A、−B、−C、−D、−Eに対応する。
Here, f 0 is an oscillation frequency (reference frequency) at a reference temperature (25 ° C.), T 0 is a reference temperature, A is a fourth-order temperature coefficient, B is a third-order temperature coefficient, C is a second-order temperature coefficient, D Is a first-order temperature coefficient, and E is a zero-order temperature coefficient (offset coefficient). Therefore, in order to perform temperature compensation of the oscillation circuit 14 (piezoelectric vibrator 12) having such temperature characteristics, the temperature compensation voltage 64 (Vh, the ideal compensation voltage described later) also has the following temperature characteristics. There is a need.
Here, Vc 4 , Vc 3 , Vc 2 , Vc 1 , and Vc 0 correspond to −A, −B, −C, −D, and −E in Formula 1, respectively.

よって4次電圧発生回路20は付属する記憶領域(不図示)にVcの情報が記憶され、圧電振動子12の温度、すなわち検出電圧62(温度T)から基準温度における検出電圧(温度T)との差分(T−T)の4乗とVcの情報との積に対応する電圧を出力する。3次電圧発生回路22は付属する記憶領域(不図示)にVcの情報が記憶され、前記差分の3乗とVcの情報の積に対応する電圧を出力する。2次電圧発生回路24は付属する記憶領域(不図示)にVcの情報が記憶され、前記差分の2乗とVcの情報の積に対応する電圧を出力する。1次電圧発生回路26は付属する記憶領域(不図示)にVcの情報が記憶され、前記差分とVcの情報の積に対応する電圧を出力する。0次電圧発生回路28は付属する記憶領域(不図示)にVcの情報が記憶され、Vcの情報に対応する電圧を出力する。さらにこれらの電圧は加算回路30において加算され温度補償電圧64が生成される。 Therefore, the quaternary voltage generation circuit 20 stores the information of Vc 4 in a storage area (not shown) attached thereto, and the detected voltage (temperature T 0 ) at the reference temperature from the temperature of the piezoelectric vibrator 12, that is, the detected voltage 62 (temperature T). The voltage corresponding to the product of the fourth power of the difference (T−T 0 ) and the information of Vc 4 is output. The tertiary voltage generation circuit 22 stores Vc 3 information in an attached storage area (not shown), and outputs a voltage corresponding to the product of the third power of the difference and the information of Vc 3 . The secondary voltage generation circuit 24 stores Vc 2 information in an attached storage area (not shown), and outputs a voltage corresponding to the product of the square of the difference and the information of Vc 2 . The primary voltage generation circuit 26 stores Vc 1 information in an attached storage area (not shown), and outputs a voltage corresponding to the product of the difference and the Vc 1 information. The 0th-order voltage generation circuit 28 stores Vc 0 information in an attached storage area (not shown), and outputs a voltage corresponding to the Vc 0 information. Further, these voltages are added in the adding circuit 30 to generate a temperature compensation voltage 64.

こうして生成された温度補償電圧64を発振回路14に出力することにより、発振回路14は使用温度範囲内の任意の温度において基準周波数とほぼ同一の発振周波数の発振信号66を出力することができる。なお本実施形態において上述の各温度係数は、圧電振動子12の温度を上昇させたときの圧電振動子12の発振周波数の温度特性に対応するように算出されている。また、これらの温度係数は後述の工程により演算される。さらに、A及びCは、B、D、Eに比べて値が小さいので4次電圧発生回路20及び2次電圧発生回路24は省略してもよい。   By outputting the temperature compensation voltage 64 thus generated to the oscillation circuit 14, the oscillation circuit 14 can output an oscillation signal 66 having substantially the same oscillation frequency as the reference frequency at any temperature within the operating temperature range. In the present embodiment, each temperature coefficient described above is calculated so as to correspond to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is increased. Further, these temperature coefficients are calculated by a process described later. Furthermore, since A and C have smaller values than B, D, and E, the quaternary voltage generation circuit 20 and the secondary voltage generation circuit 24 may be omitted.

図2に判定回路32の回路図を示す。判定回路32は、温度センサー16から出力される検出電圧62の上昇・下降から圧電振動子12の温度の上昇・下降を判定するものである。判定回路32は検出電圧62の上昇時は圧電振動子12の温度が下降すると判定し、これに伴う判定信号を出力する。逆に検出電圧62の下降時には圧電振動子12の温度が上昇する判定を行ない、これに伴う判定信号68を出力する。   FIG. 2 shows a circuit diagram of the determination circuit 32. The determination circuit 32 determines whether the temperature of the piezoelectric vibrator 12 increases or decreases based on the increase or decrease of the detection voltage 62 output from the temperature sensor 16. The determination circuit 32 determines that the temperature of the piezoelectric vibrator 12 decreases when the detection voltage 62 increases, and outputs a determination signal associated therewith. On the contrary, when the detection voltage 62 is lowered, it is determined that the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is increased, and a determination signal 68 associated therewith is output.

判定回路32は、分周器34、ADコンバータ36、遅延回路38、DAコンバータ40、ヒステリシスコンパレータ42、1ビットDAコンバータ44から構成されている。
分周器34は、例えば発振回路14からの発振信号66を分周して分周して得られるサンプリングクロックをADコンバータ36に出力するものである。
The determination circuit 32 includes a frequency divider 34, an AD converter 36, a delay circuit 38, a DA converter 40, a hysteresis comparator 42, and a 1-bit DA converter 44.
The frequency divider 34, for example, outputs a sampling clock obtained by frequency-dividing and dividing the oscillation signal 66 from the oscillation circuit 14 to the AD converter 36.

ADコンバータ36は、温度センサー16から出力されるアナログの検出電圧62をサンプリングクロックの周期ごとにデジタルデータに変換して遅延回路38に出力するものである。   The AD converter 36 converts the analog detection voltage 62 output from the temperature sensor 16 into digital data for each sampling clock period, and outputs the digital data to the delay circuit 38.

遅延回路38にはデジタル化された検出電圧62が入力される。そして遅延回路38は、次回のサンプリングに係るデジタル化された検出電圧62が入力されるまで、前回のサンプリングに係るデジタル化された検出電圧62を過去の検出電圧62aとして保持するとともにDAコンバータ40に出力することができる。   The delay circuit 38 receives the digitized detection voltage 62. Then, the delay circuit 38 holds the digitized detection voltage 62 related to the previous sampling as the past detection voltage 62a and the DA converter 40 until the digitized detection voltage 62 related to the next sampling is input. Can be output.

ヒステリシスコンパレータ42は、DAコンバータにおいてアナログ化されて出力された過去の検出電圧62aと現在の検出電圧62とを比較し、その大小関係を低電圧L及び高電圧Hにより出力するものである。ヒステリシスコンパレータ42は、プラス側の差動入力42aがDAコンバータ40に抵抗R1を介して接続され、マイナス側の差動入力42bが温度センサー16に接続されている。またプラス側の差動入力42aは出力42cに抵抗R2を介して接続され正帰還回路を形成している。よってマイナス側の差動入力42bに接続された現在の検出電圧62は過去の検出電圧62aに対してヒステリシス特性を有している。これによりヒステリシスコンパレータ42の出力42cが温度の微妙な揺らぎに対して敏感に反応しないようにしている。ここでR2=20×R1とすることにより現在の検出電圧62は過去の検出電圧62aに対して電圧比で5%の不感帯を形成している。   The hysteresis comparator 42 compares the past detection voltage 62a that has been analogized and output by the DA converter with the current detection voltage 62, and outputs the magnitude relationship between the low voltage L and the high voltage H. The hysteresis comparator 42 has a positive differential input 42 a connected to the DA converter 40 via a resistor R 1, and a negative differential input 42 b connected to the temperature sensor 16. The positive differential input 42a is connected to the output 42c via a resistor R2 to form a positive feedback circuit. Therefore, the current detection voltage 62 connected to the negative differential input 42b has a hysteresis characteristic with respect to the past detection voltage 62a. This prevents the output 42c of the hysteresis comparator 42 from reacting sensitively to subtle fluctuations in temperature. Here, by setting R2 = 20 × R1, the current detection voltage 62 forms a dead zone of 5% in voltage ratio with respect to the past detection voltage 62a.

ここで、圧電振動子12の温度が下降する場合は、現在の検出電圧62は過去の検出電圧62aよりも低くなるので出力はHとなる。逆に圧電振動子12の温度が上昇する場合は、現在の検出電圧62は過去の検出電圧62aよりも高くなるので出力はLとなる。   Here, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 falls, the current detection voltage 62 becomes lower than the past detection voltage 62a, and thus the output becomes H. On the contrary, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 rises, the current detection voltage 62 becomes higher than the past detection voltage 62a, so the output becomes L.

1ビットDAコンバータ44は、ヒステリシスコンパレータ42の出力42cに接続され、出力42cを後述の第1のオフセット回路46、及び第2のオフセット回路54で用いる電圧に変換するものである。本実施形態においては電圧Hを1.6Vに変換し、電圧Lを0.9Vに変換している。この2つの電圧が判定信号68となり、1.6Vの場合が圧電振動子12の温度の上昇を示し、0.9Vの場合が圧電振動子12の温度の下降を示すことになる。   The 1-bit DA converter 44 is connected to the output 42c of the hysteresis comparator 42, and converts the output 42c into a voltage used in a first offset circuit 46 and a second offset circuit 54 described later. In this embodiment, the voltage H is converted to 1.6V, and the voltage L is converted to 0.9V. These two voltages become the determination signal 68. When the voltage is 1.6V, the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is increased. When the voltage is 0.9V, the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is decreased.

図3に第1のオフセット回路46の回路図を示す。第1のオフセット回路46は、判定信号68と参照電圧(Vref:1.2V)との差動増幅を行なう差動増幅回路48と、参照電圧側の差動増幅に伴う電流に対応して電流を発生させるカレントミラー回路50と、検出電圧62を基準としカレントミラー回路50側の電圧を反転増幅することにより前記検出電圧62をマイナス側にオフセットするオペアンプ52と、を有する。   FIG. 3 shows a circuit diagram of the first offset circuit 46. The first offset circuit 46 includes a differential amplifier circuit 48 that performs differential amplification between the determination signal 68 and the reference voltage (Vref: 1.2 V), and a current corresponding to the current associated with the differential amplification on the reference voltage side. And an operational amplifier 52 that offsets the detection voltage 62 to the negative side by inverting and amplifying the voltage on the current mirror circuit 50 side with the detection voltage 62 as a reference.

差動増幅回路は、定電流源48aと、ゲートが判定信号68側に接続されたNchトランジスタ48bと、ゲートが参照電圧側に接続されたNchトランジスタ48cと、ゲート・ドレイン間をショートしダイオードとして作用するPchトランジスタ48d、48eと、を有する。ここで、判定信号68の電圧が1.6V、すなわち圧電振動子12の温度が上昇している場合は、差動増幅回路56において判定信号68側に接続されたNchトランジスタ48bが導通する。逆に判定信号68の電圧が0.9Vの場合、すなわち圧電振動子12の温度が下降している場合は、参照電圧側に接続されたNchトランジスタ48cが導通する。よってカレントミラー回路50は圧電振動子12の温度が下降している場合にオペアンプ52に電流50aを出力する。   The differential amplifier circuit includes a constant current source 48a, an Nch transistor 48b whose gate is connected to the determination signal 68 side, an Nch transistor 48c whose gate is connected to the reference voltage side, and a gate and a drain that are short-circuited as a diode. Pch transistors 48d and 48e that act. Here, when the voltage of the determination signal 68 is 1.6 V, that is, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is rising, the Nch transistor 48 b connected to the determination signal 68 side in the differential amplifier circuit 56 is turned on. On the other hand, when the voltage of the determination signal 68 is 0.9 V, that is, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is decreasing, the Nch transistor 48c connected to the reference voltage side is turned on. Therefore, the current mirror circuit 50 outputs a current 50a to the operational amplifier 52 when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered.

オペアンプ52は、反転増幅の増幅比を調整する可変抵抗52aと、可変抵抗52aの抵抗値の情報を記憶するメモリ52bと、メモリ52bに記憶された抵抗値の情報をデコードして可変抵抗52aの抵抗値を調整するデコーダ(不図示)とを有する。ここで圧電振動子12の温度が上昇しているときは、カレントミラー回路50から出力される電流50aはないので、オペアンプ52はバッファ回路として機能する。このため、オペアンプ52の出力(検出電圧62b)は入力される検出電圧62と同じとなり、検出電圧62bのオフセットは行なわれない。一方、圧電振動子12の温度が下降しているときは、カレントミラー回路50からの電流50aが可変抵抗52aに流れるのでオペアンプ52の出力(検出電圧62b)には一定量の電圧降下が発生する。この電圧降下が検出電圧62bに対するオフセット量となる。ここで検出電圧62は電圧方向にオフセットされているが、検出電圧62は1次関数的な温度特性を有しているため、検出電圧62bは見かけ上温度方向にオフセットされることになる。よって、オフセット量は可変抵抗52aの抵抗値により決定されるが、圧電振動子12の発振周波数のヒステリシス特性に対応して温度補償電圧64を温度方向に後述のΔTだけシフトさせる量に設計されている。   The operational amplifier 52 decodes the variable resistor 52a for adjusting the amplification ratio of the inverting amplification, the memory 52b for storing the resistance value information of the variable resistor 52a, and the resistance value information stored in the memory 52b. And a decoder (not shown) for adjusting the resistance value. Here, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is rising, there is no current 50a output from the current mirror circuit 50, so the operational amplifier 52 functions as a buffer circuit. For this reason, the output (detection voltage 62b) of the operational amplifier 52 becomes the same as the input detection voltage 62, and the detection voltage 62b is not offset. On the other hand, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is decreasing, the current 50a from the current mirror circuit 50 flows through the variable resistor 52a, so that a certain amount of voltage drop occurs in the output of the operational amplifier 52 (detection voltage 62b). . This voltage drop becomes an offset amount with respect to the detection voltage 62b. Here, the detection voltage 62 is offset in the voltage direction. However, since the detection voltage 62 has a linear function temperature characteristic, the detection voltage 62b is apparently offset in the temperature direction. Therefore, although the offset amount is determined by the resistance value of the variable resistor 52a, it is designed to shift the temperature compensation voltage 64 by ΔT described later in the temperature direction corresponding to the hysteresis characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12. Yes.

図4に第2のオフセット回路54の回路図を示す。第2のオフセット回路54は、判定信号68と参照電圧(Vref:1.2V)との差動増幅を行なう差動増幅回路56と、参照電圧側の差動増幅に伴う電流に対応して電流を発生させるカレントミラー回路58と、温度補償電圧64を基準としカレントミラー回路58側の電圧を反転増幅することにより前記温度補償電圧64をマイナス側にオフセットするオペアンプ60と、を有する。   FIG. 4 shows a circuit diagram of the second offset circuit 54. The second offset circuit 54 includes a differential amplifier circuit 56 that performs differential amplification between the determination signal 68 and the reference voltage (Vref: 1.2 V), and a current corresponding to the current associated with the differential amplification on the reference voltage side. And an operational amplifier 60 that offsets the temperature compensation voltage 64 to the negative side by inverting and amplifying the voltage on the current mirror circuit 58 side with the temperature compensation voltage 64 as a reference.

差動増幅回路56は、定電流源56aと、ゲートが判定信号68側に接続されたNchトランジスタ56bと、ゲートが参照電圧側に接続されたNchトランジスタ56cと、ゲート・ドレイン間をショートしダイオードとして作用するPchトランジスタ56d、56eと、を有する。ここで、判定信号68の電圧が1.6V、すなわち圧電振動子12の温度が上昇している場合は、差動増幅回路56において判定信号68側に接続されたNchトランジスタ56bが導通する。逆に判定信号68の電圧が0.9Vの場合、すなわち圧電振動子12の温度が下降している場合は、参照電圧側に接続されたNchトランジスタ56cが導通する。よってカレントミラー回路58は圧電振動子12の温度が下降している場合にオペアンプ60に電流58aを出力する。   The differential amplifier circuit 56 includes a constant current source 56a, an Nch transistor 56b whose gate is connected to the determination signal 68 side, an Nch transistor 56c whose gate is connected to the reference voltage side, and a short circuit between the gate and the drain. Pch transistors 56d and 56e functioning as Here, when the voltage of the determination signal 68 is 1.6 V, that is, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is increased, the Nch transistor 56 b connected to the determination signal 68 side in the differential amplifier circuit 56 is turned on. On the contrary, when the voltage of the determination signal 68 is 0.9 V, that is, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered, the Nch transistor 56c connected to the reference voltage side is turned on. Therefore, the current mirror circuit 58 outputs a current 58a to the operational amplifier 60 when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered.

オペアンプ60は、反転増幅の増幅比を調整する可変抵抗60aと、可変抵抗60aの抵抗値の情報を記憶するメモリ60bと、メモリ60bに記憶された抵抗値の情報をデコードして可変抵抗60aの抵抗値を調整するデコーダ(不図示)とを有する。ここで圧電振動子12の温度が上昇しているときは、カレントミラー回路58から出力される電流58aはなく、オペアンプ60はバッファ回路として機能する。このため、オペアンプ60の出力(温度補償電圧64a)は入力される温度補償電圧64と同じとなり、温度補償電圧64aのオフセットは行なわれない。一方、圧電振動子12の温度が下降しているときは、カレントミラー回路58からの電流58aが可変抵抗60aに流れるので、オペアンプ60の出力(温度補償電圧64a)には一定量の電圧降下が発生する。この電圧降下が温度補償電圧64aに対するオフセット量となる。このオフセット量は可変抵抗60aの抵抗値により決定されるが、圧電振動子12の発振周波数のヒステリシス特性に対応して温度補償電圧64を電圧方向に後述のΔVだけシフトさせる量に設計されている。   The operational amplifier 60 decodes the variable resistor 60a that adjusts the amplification ratio of the inverting amplification, the memory 60b that stores information on the resistance value of the variable resistor 60a, and the resistance value information that is stored in the memory 60b. And a decoder (not shown) for adjusting the resistance value. Here, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is rising, there is no current 58a output from the current mirror circuit 58, and the operational amplifier 60 functions as a buffer circuit. For this reason, the output of the operational amplifier 60 (temperature compensation voltage 64a) is the same as the input temperature compensation voltage 64, and the temperature compensation voltage 64a is not offset. On the other hand, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is decreasing, the current 58a from the current mirror circuit 58 flows to the variable resistor 60a, so that a certain amount of voltage drop occurs in the output of the operational amplifier 60 (temperature compensation voltage 64a). appear. This voltage drop becomes an offset amount with respect to the temperature compensation voltage 64a. The offset amount is determined by the resistance value of the variable resistor 60a, and is designed to shift the temperature compensation voltage 64 in the voltage direction by ΔV described later in accordance with the hysteresis characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12. .

本実施形態において,温度補償電圧64は圧電振動子12の温度の上昇時の圧電振動子12の発振周波数の温度特性に対応して生成される。よって第1のオフセット回路46及び第2のオフセット回路54では、温度上昇時のオフセット量はゼロ、すなわちオフセットを発生させない状態とし、温度下降時のオフセット量のみそれぞれ一定量与える構成となっている。   In the present embodiment, the temperature compensation voltage 64 is generated corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 rises. Therefore, the first offset circuit 46 and the second offset circuit 54 are configured such that the offset amount when the temperature rises is zero, that is, no offset is generated, and only the offset amount when the temperature falls is given a certain amount.

図5に本実施形態の温度補償回路による温度補償の概念を示す。図5(a)は圧電振動子の発振周波数の温度変化に対するヒステリシス特性を示す図である。図5(b)は、圧電振動子の発振周波数の温度上昇時の温度特性(f)と温度下降時の温度特性(f)の周波数方向の差分(f−f、ヒステリシス量)を示す図である。図5(c)は圧電振動子の発振周波数の温度上昇時の温度特性(f)と、前記温度特性について温度方向及び周波数方向に平行移動させた温度特性(f’)の図である。 FIG. 5 shows the concept of temperature compensation by the temperature compensation circuit of this embodiment. FIG. 5A is a diagram showing hysteresis characteristics with respect to temperature change of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator. FIG. 5B shows a difference (f 1 −f 2 , hysteresis amount) in the frequency direction between the temperature characteristic (f 1 ) when the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator is increased and the temperature characteristic (f 2 ) when the temperature is decreased. FIG. FIG. 5C is a diagram of a temperature characteristic (f 1 ) when the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator rises, and a temperature characteristic (f 1 ′) obtained by translating the temperature characteristic in the temperature direction and the frequency direction. .

本実施形態の圧電発振器10における温度補償について説明する。図5(a)に示すように、ATカット水晶振動子の発振周波数の温度上昇時の温度特性(f)と温度下降時の温度特性(f)が一致しないため、温度変化に対してヒステリシス特性を有している。このとき、図5(b)に示すように圧電振動子の発振周波数の温度上昇時の温度特性(f)と温度下降時の温度特性(f)の周波数方向の差分(f−f、ヒステリシス量)をとると2次関数的な形状を有していることがわかる。この差分は基準温度で最も大きくなり、低温域及び高温域でほぼゼロとなる。一方本願発明者は、図5(c)に示すように、温度上昇時の温度特性(f)を温度方向及び周波数方向に一定量平行移動させた温度特性(f’)を描くと図5(a)に類似したヒステリシス特性が得られることがわかった。さらに平行移動前の温度特性(f)と平行移動後の温度特性(f’)の周波数方向の差分をとると上述同様に2次関数的な形状を有していることが分かった。そこで本実施形態では温度上昇時の圧電振動子12の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧64aを温度上昇時の温度補償電圧として用いる。一方、温度下降時において圧電振動子12の発振周波数の温度特性に近似的に対応するように、温度補償電圧64aを温度方向及び電圧方向にそれぞれオフセットさせて用いることとした。そこで、それぞれのオフセット量を以下の工程により求めることとした。 Temperature compensation in the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 5A, the temperature characteristic (f 1 ) at the time of temperature rise of the oscillation frequency of the AT-cut crystal resonator does not match the temperature characteristic (f 2 ) at the time of temperature fall, so Has hysteresis characteristics. At this time, as shown in FIG. 5B, the difference (f 1 −f) in the frequency direction between the temperature characteristic (f 1 ) when the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator rises and the temperature characteristic (f 2 ) when the temperature drops. 2 and hysteresis amount), it can be seen that it has a quadratic function shape. This difference becomes the largest at the reference temperature and becomes almost zero at the low temperature range and the high temperature range. On the other hand, as shown in FIG. 5C, the present inventor draws a temperature characteristic (f 1 ′) obtained by translating the temperature characteristic (f 1 ) at the time of temperature rise by a certain amount in the temperature direction and the frequency direction. It was found that hysteresis characteristics similar to 5 (a) were obtained. Further, when the difference in the frequency direction between the temperature characteristic (f 1 ) before translation and the temperature characteristic (f 1 ′) after translation is taken, it was found that the shape has a quadratic function shape as described above. Therefore, in the present embodiment, the temperature compensation voltage 64a corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 when the temperature rises is used as the temperature compensation voltage when the temperature rises. On the other hand, the temperature compensation voltage 64a is offset and used in the temperature direction and the voltage direction so as to approximately correspond to the temperature characteristics of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 when the temperature drops. Therefore, each offset amount is determined by the following process.

図6に温度補償電圧の温度方向のオフセット量及び電圧方向のオフセット量の算出工程のフロー図を示す。温度補償電圧64aの温度方向のオフセット量(ΔT)及び電圧方向のオフセット量(ΔV)の算出は以下のように行なう。   FIG. 6 shows a flowchart of a calculation process of the offset amount in the temperature direction and the offset amount in the voltage direction of the temperature compensation voltage. The temperature direction offset amount (ΔT) and the voltage direction offset amount (ΔV) of the temperature compensation voltage 64a are calculated as follows.

まず本実施形態の圧電発振器10が接続される発振回路14の温度補償電圧の入力端子(不図示)に所定の電圧Vhを出力する電圧発生器(不図示)を接続する。そして発振回路14を任意の温度設定が可能なチャンバー(不図示)に収めるとともに、発振回路14により圧電振動子12を発振させる。   First, a voltage generator (not shown) that outputs a predetermined voltage Vh is connected to an input terminal (not shown) of a temperature compensation voltage of the oscillation circuit 14 to which the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment is connected. The oscillation circuit 14 is housed in a chamber (not shown) in which an arbitrary temperature can be set, and the piezoelectric vibrator 12 is oscillated by the oscillation circuit 14.

そしてチャンバー(不図示)の温度、即ち圧電振動子12の温度を上昇させつつ、基準周波数と同じ発振周波数で発振させるようにVhを調整し、これを理想補償電圧として測定する。本実施形態では第1温度点(設定最低温度、例:−25℃)、第2温度点(例:0℃)、第3温度点(基準温度、例:+25℃)、第4温度点(例:+55℃)、第5温度点(設定最高温度、例:+75℃)の順に温度を上昇させ、各温度点において理想補償電圧Vhを測定する。そしてPC等において上述の数式2に各温度点とVhとの関係を入力して連立方程式を形成し、温度係数に対応する係数Vc、Vc、Vc、Vc、Vcを算出する。 Then, while increasing the temperature of the chamber (not shown), that is, the temperature of the piezoelectric vibrator 12, Vh is adjusted so as to oscillate at the same oscillation frequency as the reference frequency, and this is measured as an ideal compensation voltage. In the present embodiment, the first temperature point (set minimum temperature, eg: −25 ° C.), the second temperature point (eg: 0 ° C.), the third temperature point (reference temperature, eg: + 25 ° C.), the fourth temperature point ( Example: + 55 ° C.), the temperature is raised in the order of the fifth temperature point (set maximum temperature, eg: + 75 ° C.), and the ideal compensation voltage Vh is measured at each temperature point. Then, in the PC or the like, the relationship between each temperature point and Vh is input to the above equation 2 to form simultaneous equations, and the coefficients Vc 4 , Vc 3 , Vc 2 , Vc 1 , Vc 0 corresponding to the temperature coefficients are calculated. .

そして上述同様に、Vcの情報を4次の温度係数の情報として4次電圧発生回路20に付属の記憶領域(不図示)に記憶する。Vcの情報を3次の温度係数の情報として3次電圧発生回路22に付属の記憶領域(不図示)に記憶する。Vc、の情報を2次の温度係数の情報として2次電圧発生回路24に付属の記憶領域(不図示)に記憶する。Vcの情報を1次の温度係数の情報として1次電圧発生回路26に付属の記憶領域(不図示)に記憶する。Vcの情報を0次の温度係数の情報として0次電圧発生回路28に付属の記憶領域(不図示)に記憶する。 In the same manner as described above, the information on Vc 4 is stored as information on the fourth-order temperature coefficient in a storage area (not shown) attached to the fourth-order voltage generation circuit 20. The information on Vc 3 is stored in a storage area (not shown) attached to the tertiary voltage generation circuit 22 as information on the third-order temperature coefficient. The information of Vc 2 is stored as a secondary temperature coefficient information in a storage area (not shown) attached to the secondary voltage generation circuit 24. Information on Vc 1 is stored in a storage area (not shown) attached to the primary voltage generation circuit 26 as information on the primary temperature coefficient. The information of Vc 0 is stored in the storage area (not shown) attached to the 0th-order voltage generation circuit 28 as 0th-order temperature coefficient information.

次に圧電振動子12の温度を+75℃から+25℃(基準温度)に下降させ、温度上昇時の基準温度における基準周波数と同じ発振周波数となるようにVhを調整し、これを理想補償電圧として測定する。   Next, the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered from + 75 ° C. to + 25 ° C. (reference temperature), and Vh is adjusted so that the oscillation frequency is the same as the reference frequency at the reference temperature at the time of the temperature rise. taking measurement.

ここで、数式2を、温度方向にΔT、電圧方向にΔVだけ平行移動すると電圧Vh’は以下のようになる。
Here, when Equation 2 is translated by ΔT in the temperature direction and ΔV in the voltage direction, the voltage Vh ′ is as follows.

ここで、温度上昇時の−25℃で測定されたVhをVh、温度下降時の+25℃で測定されたVhをVh、温度上昇時の+75℃で測定されたVhをVhとし、T=−25℃、T=+25℃、T=+75℃とする。そこでPC等において、Vh(k=1、2、3)と数式3との差分、すなわち以下の式を演算して、数式4の値が最小となるようにΔT及びΔVを算出する。
Here, Vh measured at −25 ° C. at the time of temperature rise is Vh 1 , Vh measured at + 25 ° C. at the time of temperature fall is Vh 2 , Vh measured at + 75 ° C. at the time of temperature rise is Vh 3 , It is assumed that T 1 = −25 ° C., T 2 = + 25 ° C., and T 3 = + 75 ° C. Therefore, in a PC or the like, ΔT and ΔV are calculated so that the difference between Vh k (k = 1, 2, 3) and Equation 3, that is, the following equation is calculated, and the value of Equation 4 is minimized.

数式4においては変数がΔTとΔVの2つが存在するので、PC等においてΔVを固定した状態でΔTをスイープ(変化)させて、ΔVをある値に固定した場合の数式4の値の最小値とそのときのΔTを算出する。そしてΔVを一定の範囲(例えば−15mV〜+15mV)で一定の刻み幅でスイープ(変化)させ、スイープごとに固定されたΔVに対応する数式4の値の最小値とΔTを順次求める。そしてΔVの全範囲おいて算出された数式4の値が最小値群の中から最小となる数式4の値の最小値と、そのときのΔVとΔTを抽出する。このようにして算出されたΔTを対応する抵抗値に換算した情報を第1のオフセット回路46のメモリ52bに記憶し、ΔVに対応する抵抗値に換算した情報を第2のオフセット回路54のメモリ60bに記憶する。   Since there are two variables ΔT and ΔV in Equation 4, the minimum value of Equation 4 when ΔV is swept (changed) while ΔV is fixed in a PC or the like and ΔV is fixed to a certain value. And ΔT at that time is calculated. Then, ΔV is swept (changed) in a certain range within a certain range (for example, −15 mV to +15 mV), and the minimum value and ΔT of Formula 4 corresponding to ΔV fixed for each sweep are sequentially obtained. Then, the minimum value of Expression 4 and the ΔV and ΔT at that time, at which the value of Expression 4 calculated in the entire range of ΔV becomes the minimum from the minimum value group, are extracted. Information obtained by converting ΔT calculated in this way into a corresponding resistance value is stored in the memory 52b of the first offset circuit 46, and information converted into a resistance value corresponding to ΔV is stored in the memory of the second offset circuit 54. Store in 60b.

図7に本実施形態の温度補償回路の作用効果を示す。図7(a)は圧電振動子の温度の上昇時の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧を用いて温度補償を行った場合のグラフを示す。図7(b)は圧電振動子の温度の上昇時の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧を温度下降時に温度方向及び電圧方向にシフトさせて温度補償を行った場合のグラフを示す。   FIG. 7 shows the effect of the temperature compensation circuit of this embodiment. FIG. 7A shows a graph when temperature compensation is performed using a temperature compensation voltage corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency when the temperature of the piezoelectric vibrator is increased. FIG. 7B shows a graph in the case where temperature compensation is performed by shifting the temperature compensation voltage corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency when the temperature of the piezoelectric vibrator is raised to the temperature direction and the voltage direction when the temperature is lowered.

上記構成に係る圧電発振器10の動作について説明する。図5(a)に示すように、圧電振動子12の発振周波数は温度上昇時及び温度下降時において同一の温度特性を有さずヒステリシス特性を有している。よって図7(a)に示すように、温度補償電圧64を圧電振動子12の温度の上昇時の発振周波数の温度特性に対応して生成した場合、圧電振動子12の温度を上昇させたときの温度補償は良好に行われている。しかし逆に圧電振動子12の温度を下降させたときの温度補償は良好に行われず、使用温度領域において500ppb程度の周波数偏差が発生する。本実施形態が想定するGPS機能を有する機器にこのような周波数偏差が生じると、従来技術で述べたように測位性能に悪影響を及ぼすことになる。   The operation of the piezoelectric oscillator 10 according to the above configuration will be described. As shown in FIG. 5A, the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 does not have the same temperature characteristic when the temperature rises and falls, and has a hysteresis characteristic. Therefore, as shown in FIG. 7A, when the temperature compensation voltage 64 is generated corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is increased, the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is increased. The temperature compensation is well performed. However, on the contrary, temperature compensation when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered is not satisfactorily performed, and a frequency deviation of about 500 ppb occurs in the operating temperature range. When such a frequency deviation occurs in a device having a GPS function assumed in the present embodiment, the positioning performance is adversely affected as described in the prior art.

一方、図7(b)に示すように、本実施形態の圧電発振器10においては、温度補償電圧64(温度補償電圧64a)は圧電振動子12の発振周波数の温度上昇時の温度特性の逆特性となる近似曲線(数式2)による温度特性を有するため、発振回路14から出力される発振信号の温度補償を良好に行うことができる。さらに温度下降時には圧電振動子12の発振周波数の温度下降時の温度特性に対応する温度補償電圧を生成するため、温度補償電圧64を温度方向にΔT、電圧方向にΔVだけシフトさせる。これにより圧電振動子12の発振周波数の温度下降時の温度特性に対応する温度補償電圧64aを近似的に生成している。そして近似的に生成された温度補償電圧64aにより、圧電振動子12の温度が下降時でも温度補償を良好に行うことができる。   On the other hand, as shown in FIG. 7B, in the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, the temperature compensation voltage 64 (temperature compensation voltage 64a) is an inverse characteristic of the temperature characteristic when the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 rises. Therefore, the temperature compensation of the oscillation signal output from the oscillation circuit 14 can be performed satisfactorily. Further, when the temperature drops, the temperature compensation voltage 64 is shifted by ΔT in the temperature direction and ΔV in the voltage direction in order to generate a temperature compensation voltage corresponding to the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 when the temperature drops. Thereby, the temperature compensation voltage 64a corresponding to the temperature characteristic when the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 is lowered is approximately generated. Further, the temperature compensation voltage 64a generated approximately can satisfactorily compensate the temperature even when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered.

本実施形態においては温度補償電圧64を圧電振動子12の発振周波数の上昇時の温度特性に対応して生成しているが、逆に下降時の温度特性に対応して生成することが可能である。まず温度補償電圧を求めるため、上述同様に圧電振動子12の温度を+75℃、+55℃、+25℃、0℃、−25℃の順に温度を下げていく。そして各温度において圧電振動子12の発振周波数が、温度下降時の基準温度における圧電振動子12の基準周波数となるように数式2のVhを調整し、これを理想補償電圧として測定する。   In the present embodiment, the temperature compensation voltage 64 is generated corresponding to the temperature characteristic when the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 is increased. Conversely, it can be generated corresponding to the temperature characteristic when the piezoelectric vibrator 12 is decreasing. is there. First, in order to obtain the temperature compensation voltage, the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered in the order of + 75 ° C., + 55 ° C., + 25 ° C., 0 ° C., and −25 ° C. as described above. Then, Vh in Expression 2 is adjusted so that the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 becomes the reference frequency of the piezoelectric vibrator 12 at the reference temperature when the temperature is lowered at each temperature, and this is measured as an ideal compensation voltage.

次に上述同様に数式2におけるVc、Vc、Vc、Vc、Vcの値を算出し、各値を対応する温度補償電圧発生器18に付属する記憶領域(不図示)に記憶させ、温度補償電圧65が出力可能な状態とする。そして圧電振動子12の温度を+25℃に上昇させ、この温度において圧電振動子12の発振周波数が、温度下降時の基準温度における圧電振動子12の基準周波数となるように数式2のVhを調整し、これを理想補償電圧として測定する。そして温度下降時の−25℃、温度上昇時の+25℃、温度下降時の+75℃におけるVhを用いて、上述同様に数式4の値が最小となるようにΔTとΔVを算出する。このようにΔTとΔVを算出した後、ΔTに対応する抵抗値の情報を後述の変形例となる第1のオフセット回路46のメモリ52bに記憶し、ΔVに対応する抵抗値の情報を後述の変形例となる第2のオフセット回路54のメモリ60bに記憶する。 Next, as described above, the values of Vc 4 , Vc 3 , Vc 2 , Vc 1 , Vc 0 in Equation 2 are calculated, and each value is stored in a storage area (not shown) attached to the corresponding temperature compensation voltage generator 18. The temperature compensation voltage 65 can be output. Then, the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is increased to + 25 ° C., and Vh in Expression 2 is adjusted so that the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 becomes the reference frequency of the piezoelectric vibrator 12 at the reference temperature when the temperature is lowered. This is measured as an ideal compensation voltage. Then, ΔT and ΔV are calculated using the Vh at −25 ° C. when the temperature is lowered, + 25 ° C. when the temperature is raised, and + 75 ° C. when the temperature is lowered so that the value of Equation 4 is minimized as described above. After calculating ΔT and ΔV in this way, information on the resistance value corresponding to ΔT is stored in the memory 52b of the first offset circuit 46, which will be described later, and information on the resistance value corresponding to ΔV is described later. It memorize | stores in the memory 60b of the 2nd offset circuit 54 used as a modification.

図8に第1のオフセット回路の変形例を示す。第1のオフセット回路70は、判定信号68と参照電圧(Vref:1.2V)との差動増幅を行なう差動増幅回路72と、参照電圧側の差動増幅に伴う電流に対応して電流を発生させる第1のカレントミラー回路74と、第1のカレントミラー回路74から出力された電流に対応した引き込み電流76aを発生させる第2のカレントミラー回路76と、検出電圧62を基準とし前記引き込み電流76aに基づいて第2のカレントミラー回路76側の電圧を反転増幅することにより前記検出電圧62をプラス側にオフセットするオペアンプ78と、を有する。   FIG. 8 shows a modification of the first offset circuit. The first offset circuit 70 includes a differential amplifier circuit 72 that performs differential amplification between the determination signal 68 and the reference voltage (Vref: 1.2 V), and a current corresponding to the current associated with the differential amplification on the reference voltage side. The first current mirror circuit 74 that generates the current, the second current mirror circuit 76 that generates the pull-in current 76a corresponding to the current output from the first current mirror circuit 74, and the pull-in based on the detection voltage 62 And an operational amplifier 78 that offsets the detection voltage 62 to the plus side by inverting and amplifying the voltage on the second current mirror circuit 76 side based on the current 76a.

差動増幅回路72は、定電流源72aと、ゲートが判定信号68側に接続されたNchトランジスタ72bと、ゲートが参照電圧側に接続されたNchトランジスタ72cと、ゲート・ドレイン間をショートしダイオードとして作用するPchトランジスタ72c、72dと、を有する。ここで、判定信号68の電圧が0.9V、すなわち圧電振動子12の温度が下降している場合は、差動増幅回路72において参照電圧側に接続されたNchトランジスタ72cが導通する。逆に判定信号68の電圧が1.6Vの場合、すなわち圧電振動子12の温度が上昇している場合は、判定信号68側に接続されたNchトランジスタ72bが導通する。よって第1のカレントミラー回路74は圧電振動子12の温度が下降している場合には第2のカレントミラー回路76に電流を出力する。このとき第2のカレントミラー回路76は第1のカレントミラー回路74から出力された電流に対応して引き込み電流76aを発生させる。   The differential amplifier circuit 72 includes a constant current source 72a, an Nch transistor 72b whose gate is connected to the determination signal 68 side, an Nch transistor 72c whose gate is connected to the reference voltage side, and a gate and a drain that are short-circuited. Pch transistors 72c and 72d functioning as Here, when the voltage of the determination signal 68 is 0.9 V, that is, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered, the Nch transistor 72c connected to the reference voltage side in the differential amplifier circuit 72 is turned on. On the contrary, when the voltage of the determination signal 68 is 1.6 V, that is, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is rising, the Nch transistor 72b connected to the determination signal 68 side becomes conductive. Therefore, the first current mirror circuit 74 outputs a current to the second current mirror circuit 76 when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered. At this time, the second current mirror circuit 76 generates a drawing current 76 a corresponding to the current output from the first current mirror circuit 74.

オペアンプ78は、反転増幅の増幅比を調整する可変抵抗78aと、可変抵抗78aの抵抗値の情報を記憶するメモリ78bと、メモリ78bに記憶された抵抗値の情報をデコードして可変抵抗78aの抵抗値を調整するデコーダ(不図示)とを有する。ここで圧電振動子12の温度が下降しているときは、第2のカレントミラー回路76への引き込み電流76aはないので、オペアンプ78はバッファ回路として機能する。このためオペアンプ78の出力(検出電圧62a)は、入力される検出電圧62と同じとなり、検出電圧62aのオフセットは行なわれない。一方、圧電振動子12の温度が下降しているときは、第2のカレントミラー回路76への引き込み電流76aが可変抵抗78aを介してオペアンプ78の出力から流れる。このためオペアンプ78の出力(検出電圧62c)には一定量の電圧上昇が発生する。この電圧上昇が検出電圧62cに対するオフセット量となる。このオフセット量は可変抵抗78aの抵抗値により決定されるが、圧電振動子12の発振周波数のヒステリシス特性に対応して温度補償電圧65を温度方向に上述のΔTだけシフトさせる量に設計されている。   The operational amplifier 78 decodes the variable resistor 78a for adjusting the amplification ratio of the inverting amplification, the memory 78b for storing the resistance value information of the variable resistor 78a, and the resistance value information stored in the memory 78b. And a decoder (not shown) for adjusting the resistance value. Here, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is decreasing, there is no drawing current 76a to the second current mirror circuit 76, so the operational amplifier 78 functions as a buffer circuit. Therefore, the output (detection voltage 62a) of the operational amplifier 78 is the same as the input detection voltage 62, and the detection voltage 62a is not offset. On the other hand, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is decreasing, a drawing current 76a to the second current mirror circuit 76 flows from the output of the operational amplifier 78 via the variable resistor 78a. For this reason, a certain amount of voltage rise occurs at the output of the operational amplifier 78 (detection voltage 62c). This voltage rise becomes an offset amount with respect to the detection voltage 62c. This offset amount is determined by the resistance value of the variable resistor 78a, and is designed to shift the temperature compensation voltage 65 by the above ΔT in the temperature direction corresponding to the hysteresis characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12. .

図9に第2のオフセット回路の変形例を示す。第2のオフセット回路80は、判定信号68と参照電圧(Vref:1.2V)との差動増幅を行なう差動増幅回路82と、参照電圧側の差動増幅に伴う電流に対応して電流を発生させる第1のカレントミラー回路84と、第1のカレントミラー回路84から出力された電流に対応した引き込み電流86aを発生させる第2のカレントミラー回路86と、温度補償電圧65を基準とし前記引き込み電流86aに基づいて第2のカレントミラー回路86側の電圧を反転増幅することにより前記温度補償電圧65をプラス側にオフセットするオペアンプ88と、を有する。   FIG. 9 shows a modification of the second offset circuit. The second offset circuit 80 includes a differential amplifier circuit 82 that performs differential amplification between the determination signal 68 and the reference voltage (Vref: 1.2 V), and a current corresponding to the current accompanying the differential amplification on the reference voltage side. The first current mirror circuit 84 for generating the current, the second current mirror circuit 86 for generating the drawing current 86a corresponding to the current output from the first current mirror circuit 84, and the temperature compensation voltage 65 as a reference. And an operational amplifier 88 for offsetting the temperature compensation voltage 65 to the plus side by inverting and amplifying the voltage on the second current mirror circuit 86 side based on the drawing current 86a.

差動増幅回路82は、定電流源82aと、ゲートが判定信号側に接続されたNchトランジスタ82bと、ゲートが参照電圧側に接続されたNchトランジスタ82cと、ゲート・ドレイン間をショートしダイオードとして作用するPchトランジスタ82d、82eと、を有する。ここで、判定信号68の電圧が0.9V、すなわち圧電振動子12の温度が下降している場合は、差動増幅回路82において参照電圧側に接続されたNchトランジスタ82cが導通する。逆に判定信号68の電圧が1.6Vの場合、すなわち圧電振動子12の温度が上昇している場合は、判定信号68側に接続されたNchトランジスタ82bが導通する。よって第1のカレントミラー回路84は圧電振動子12の温度が下降している場合に第2のカレントミラー回路86に電流を出力する。このとき第2のカレントミラー回路86は第1のカレントミラー回路84から出力された電流に対応して引き込み電流86aを発生させる。   The differential amplifier 82 includes a constant current source 82a, an Nch transistor 82b whose gate is connected to the determination signal side, an Nch transistor 82c whose gate is connected to the reference voltage side, and a gate and a drain that are short-circuited as a diode. Pch transistors 82d and 82e that act. Here, when the voltage of the determination signal 68 is 0.9 V, that is, the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered, the Nch transistor 82c connected to the reference voltage side in the differential amplifier circuit 82 is turned on. Conversely, when the voltage of the determination signal 68 is 1.6 V, that is, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is rising, the Nch transistor 82b connected to the determination signal 68 side is turned on. Therefore, the first current mirror circuit 84 outputs a current to the second current mirror circuit 86 when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered. At this time, the second current mirror circuit 86 generates a drawing current 86 a corresponding to the current output from the first current mirror circuit 84.

オペアンプ88は、反転増幅の増幅比を調整する可変抵抗88aと、可変抵抗88aの抵抗値の情報を記憶するメモリ88bと、メモリ88bに記憶された抵抗値の情報をデコードして可変抵抗88aの抵抗値を調整するデコーダ(不図示)とを有する。ここで圧電振動子12の温度が下降しているときは、第2のカレントミラー回路86に出力する引き込み電流86aはないので、オペアンプ88はバッファ回路として機能する。このためオペアンプ88の出力(温度補償電圧65a)は、入力される温度補償電圧65と同じとなり、温度補償電圧65aのオフセットは行なわれない。一方、圧電振動子12の温度が上昇しているときは、第2のカレントミラー回路86への引き込み電流86aが可変抵抗88aを介してオペアンプ88の出力から流れる。このためオペアンプ88の出力(温度補償電圧65a)には一定量の電圧上昇が発生する。この電圧上昇が温度補償電圧65aに対するオフセット量となる。このオフセット量は可変抵抗88aの抵抗値により決定されるが、圧電振動子12の発振周波数のヒステリシス特性に対応して温度補償電圧65を電圧方向に上述のΔVだけシフトさせる量に設計されている。   The operational amplifier 88 decodes the variable resistor 88a for adjusting the amplification ratio of the inverting amplification, the memory 88b for storing the resistance value information of the variable resistor 88a, and the resistance value information stored in the memory 88b. And a decoder (not shown) for adjusting the resistance value. Here, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is decreasing, there is no drawing current 86a output to the second current mirror circuit 86, so that the operational amplifier 88 functions as a buffer circuit. Therefore, the output of the operational amplifier 88 (temperature compensation voltage 65a) is the same as the input temperature compensation voltage 65, and the temperature compensation voltage 65a is not offset. On the other hand, when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is rising, a drawing current 86a to the second current mirror circuit 86 flows from the output of the operational amplifier 88 via the variable resistor 88a. For this reason, a certain amount of voltage rise occurs at the output of the operational amplifier 88 (temperature compensation voltage 65a). This voltage rise becomes an offset amount with respect to the temperature compensation voltage 65a. The offset amount is determined by the resistance value of the variable resistor 88a, and is designed to shift the temperature compensation voltage 65 in the voltage direction by the above-described ΔV in accordance with the hysteresis characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12. .

本実施形態においては、温度補償電圧64、65が、圧電振動子12の温度の上昇時または下降時の発振周波数の温度特性に対応して生成されている。しかし例えば上昇時の温度特性及び下降時の温度特性の中間値となる温度特性に対応した温度補償電圧を生成し、上昇時のΔT、ΔV、下降時のΔT、ΔVを算出する。そして温度上昇時及び温度下降のオフセット量を可変可能な第1、第2のオフセット回路(不図示)のメモリ(不図示)にそれぞれ記憶し、温度の上昇及び下降に対応して検出電圧62及び温度補償電圧のオフセット量を調整するようにしてもよい。   In the present embodiment, the temperature compensation voltages 64 and 65 are generated corresponding to the temperature characteristics of the oscillation frequency when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 rises or falls. However, for example, a temperature compensation voltage corresponding to a temperature characteristic that is an intermediate value between the temperature characteristic when rising and the temperature characteristic when falling is generated, and ΔT and ΔV when rising and ΔT and ΔV when falling are calculated. Then, the offset amount at the time of temperature rise and temperature fall is stored in the memory (not shown) of the first and second offset circuits (not shown) which can be varied, respectively, and the detection voltage 62 and The offset amount of the temperature compensation voltage may be adjusted.

また数式4に基づいて演算において、PC等においてΔTを固定した状態でΔVを変化させて、ΔTをある値に固定した場合の数式4の値の最小値とそのときのΔVを算出する。そしてΔTを一定の範囲で一定の刻み幅でスイープ(変化)させ、スイープごとに固定されたΔTに対応する数式4の値の最小値とΔVを順次求める。そしてΔTの全範囲おいて算出された数式4の値が最小値群の中から最小となる数式4の値の最小値と、そのときのΔVとΔTを抽出してもよい。   Further, in the calculation based on Equation 4, ΔV is changed in a state where ΔT is fixed in a PC or the like, and the minimum value of Equation 4 when ΔT is fixed to a certain value and ΔV at that time are calculated. Then, ΔT is swept (changed) in a certain range with a constant step size, and the minimum value and ΔV of Equation 4 corresponding to ΔT fixed for each sweep are sequentially obtained. Then, the minimum value of the value of Formula 4 that minimizes the value of Formula 4 calculated over the entire range of ΔT, and ΔV and ΔT at that time may be extracted.

さらに、本実施形態の圧電発振器用オフセット回路を、上述の圧電発振器に組み込むことにより、圧電振動子12のヒステリシス特性に対応した温度補償が可能な圧電発振器10を形成できることは言うまでもない。   Furthermore, it goes without saying that the piezoelectric oscillator 10 capable of temperature compensation corresponding to the hysteresis characteristics of the piezoelectric vibrator 12 can be formed by incorporating the offset circuit for a piezoelectric oscillator of this embodiment into the above-described piezoelectric oscillator.

以上述べたように本実施形態に係る圧電発振器用オフセット回路、圧電発振器の温度補償方法によれば、第1には、第1のオフセット回路46、70を介して入力された検出電圧62に基づいて温度補償電圧発生回路18から出力された温度補償電圧64、65は、第1のオフセット回路46における前記検出電圧62のオフセット量だけ温度方向にシフトする。さらに第2のオフセット選択回路54、80から出力された温度補償電圧64a、65aは第2のオフセット回路54、80における前記温度補償電圧64、65のオフセット量だけ電圧方向にシフトする。よって、シフト後の温度補償電圧64a、65aはシフト前の温度補償電圧64、65と高温領域と低温領域とで互いに接し、高温領域と低温領域との間にシフト前の温度補償電圧64、65とシフト後の温度補償電圧64a、65aとに囲まれた領域が発生する。このため圧電振動子12のヒステリシス特性と極めて類似した温度特性を得ることができる。したがって一の温度特性を有する温度補償電圧64、65を圧電振動子12の温度の上昇時及び下降時の圧電振動子12の発振周波数の温度特性に対応させてシフトさせ、圧電振動子12のヒステリシス特性に対応した温度補償が可能となる。   As described above, according to the piezoelectric oscillator offset circuit and the piezoelectric oscillator temperature compensation method according to the present embodiment, firstly, based on the detection voltage 62 input via the first offset circuits 46 and 70. The temperature compensation voltages 64 and 65 output from the temperature compensation voltage generation circuit 18 shift in the temperature direction by the offset amount of the detection voltage 62 in the first offset circuit 46. Further, the temperature compensation voltages 64 a and 65 a output from the second offset selection circuits 54 and 80 are shifted in the voltage direction by the offset amount of the temperature compensation voltages 64 and 65 in the second offset circuits 54 and 80. Therefore, the temperature compensation voltages 64a and 65a after the shift are in contact with each other in the high temperature region and the low temperature region before the shift, and the temperature compensation voltages 64 and 65 before the shift between the high temperature region and the low temperature region. And a region surrounded by the temperature compensated voltages 64a and 65a after the shift occurs. For this reason, a temperature characteristic very similar to the hysteresis characteristic of the piezoelectric vibrator 12 can be obtained. Accordingly, the temperature compensation voltages 64 and 65 having one temperature characteristic are shifted in accordance with the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator 12 when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 rises and falls, and the hysteresis of the piezoelectric vibrator 12 is detected. Temperature compensation corresponding to the characteristics becomes possible.

第2には、圧電振動子12の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方においてオフセット量を一定量とし他方においてゼロに設定することができる。よって前記一方の温度特性に合わせて温度補償電圧発生回路18に入力する温度係数を合わせることにより、温度補償を高精度に行うことができる。また前記一方の場合には第1のオフセット回路46、70及び第2のオフセット選択回路54、80を作動させずに検出電圧62及び温度補償電圧64、65を後段に通過させる構成が可能となる。したがって第1のオフセット回路46、70及び第2のオフセット選択回路54、80は圧電振動子12の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方のオフセット量を実現する構成が不要となり、構成を簡略化してコストを抑制することが可能となる。   Secondly, the offset amount can be set to a constant amount at one of the rise and fall of the temperature of the piezoelectric vibrator 12 and set to zero at the other. Therefore, the temperature compensation can be performed with high accuracy by matching the temperature coefficient input to the temperature compensation voltage generation circuit 18 in accordance with the one temperature characteristic. In the one case, it is possible to pass the detection voltage 62 and the temperature compensation voltages 64 and 65 to the subsequent stage without operating the first offset circuits 46 and 70 and the second offset selection circuits 54 and 80. . Therefore, the first offset circuits 46 and 70 and the second offset selection circuits 54 and 80 do not require a configuration that realizes one of the offset amounts when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 increases or decreases, and the configuration is simplified. And cost can be reduced.

第3には、前記検出電圧62及び前記温度補償電圧64にそれぞれ設定されたオフセット量(ΔT、ΔV)は、圧電振動子12の温度の上昇時の設定最低温度と設定最高温度、及び圧電振動子12の温度の下降時の基準温度における温度補償電圧64において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、または圧電振動子12の温度の下降時の設定最低温度と設定最高温度、及び圧電振動子12の温度の上昇時の基準温度の温度補償電圧65において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、それぞれ算出したことにより、設定最低温度を下限とし、設定最高温度を上限とした設定温度範囲において圧電振動子12のヒステリシス特性に高精度に対応した温度補償電圧64、65を出力することが可能な圧電発振器10となる。   Thirdly, the offset amounts (ΔT, ΔV) set in the detection voltage 62 and the temperature compensation voltage 64 are respectively the minimum set temperature and the maximum set temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 rises, and the piezoelectric vibration. In the temperature compensation voltage 64 at the reference temperature when the temperature of the child 12 is lowered, the sum of the differences in the voltage direction caused by the offset amount is minimized, or the set minimum temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is lowered By calculating each of the set maximum temperature and the temperature compensation voltage 65 at the reference temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 is increased so that the sum of the differences in the voltage direction caused by the offset amount is minimized, A temperature compensation voltage 6 corresponding to the hysteresis characteristic of the piezoelectric vibrator 12 with high accuracy in a set temperature range with the temperature as the lower limit and the set maximum temperature as the upper limit. Thus, the piezoelectric oscillator 10 capable of outputting 4, 65 is obtained.

また本実施形態に係る圧電発振器によれば、一の温度特性を有する温度補償電圧を圧電振動子12の温度の上昇時及び下降時の圧電振動子の発振周波数の温度特性に対応させてシフトさせ、圧電振動子のヒステリシス特性に対応した温度補償が可能な圧電発振器となる。   In addition, according to the piezoelectric oscillator according to the present embodiment, the temperature compensation voltage having one temperature characteristic is shifted in accordance with the temperature characteristic of the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator when the temperature of the piezoelectric vibrator 12 rises and falls. Thus, a piezoelectric oscillator capable of temperature compensation corresponding to the hysteresis characteristics of the piezoelectric vibrator is obtained.

10………温度補償回路、12………圧電振動子、14………発振回路、16………温度センサー、18………温度補償電圧発生回路、20………4次電圧発生回路、22………3次電圧発生回路、24………2次電圧発生回路、26………1次電圧発生回路、28………0次電圧発生回路、30………加算回路、32………判定回路、34………分周器、36………ADコンバータ、38………遅延回路、40………DAコンバータ、42………ヒステリシスコンパレータ、42a………差動入力、42b………差動入力、42c………出力、44………1ビットDAコンバータ、46………第1のオフセット回路、48………差動増幅回路、48a………定電流源、48b………Nchトランジスタ、48c………Nchトランジスタ、48d………Pchトランジスタ、48e………Pchトランジスタ、50………カレントミラー回路、50a………電流、52………オペアンプ、52a………可変抵抗、52b………メモリ、54………第2のオフセット回路、56………差動増幅回路、56a………定電流源、56b………Nchトランジスタ、56c………Nchトランジスタ、56d………Pchトランジスタ、56e………Pchトランジスタ、58………カレントミラー回路、58a………電流、60………オペアンプ、60a………可変抵抗、60b………メモリ、62………検出電圧、62a………検出電圧、62b………検出電圧、64………温度補償電圧、64a………温度補償電圧、65………温度補償電圧、65a………温度補償電圧、66………発振信号、68………判定信号、70………第1のオフセット回路、72………差動増幅回路、72a………定電流源、
72b………Nchトランジスタ、72c………Nchトランジスタ、72d………Pchトランジスタ、72e………Pchトランジスタ74………第1のカレントミラー回路、76………第2のカレントミラー回路、76a………引き込み電流、78………オペアンプ、78a………可変抵抗、78b………メモリ、80………第2のオフセット回路、82………差動増幅回路、84………第1のカレントミラー回路、86………第2のカレントミラー回路、86a………引き込み電流、88………オペアンプ、88a………可変抵抗、88b………メモリ、100………温度補償型発振器、102………温度検出回路、104………近似3次曲線発生回路、106………第1のプログラマブルゲイン増幅器、108………第2のプログラマブルゲイン増幅器、110………定電圧発生回路、112………第3のプログラマブルゲイン増幅器、114………加算回路、116………電圧制御型水晶発振回路。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ......... Temperature compensation circuit, 12 ......... Piezoelectric vibrator, 14 ......... Oscillation circuit, 16 ......... Temperature sensor, 18 ...... Temperature compensation voltage generation circuit, 20 ......... Fourth voltage generation circuit, 22... Tertiary voltage generation circuit 24... Secondary voltage generation circuit 26... Primary voltage generation circuit 28... 0th voltage generation circuit 30. Determining circuit 34... Divider 36... AD converter 38 38 Delay circuit 40 DA converter 42 Hysteresis comparator 42 a Differential input 42 b ...... Differential input, 42c ... Output, 44 ... 1-bit DA converter, 46 ... First offset circuit, 48 ... Differential amplifier circuit, 48a ... Constant current source, 48b ... …… Nch transistor, 48c ……… Nch transistor, 8d ... Pch transistor, 48e ... Pch transistor, 50 ... Current mirror circuit, 50a ... Current, 52 ... Operational amplifier, 52a ... Variable resistance, 52b ... Memory, 54 ... ... Second offset circuit 56 ......... Differential amplifier circuit 56a ......... Constant current source, 56b ......... Nch transistor, 56c ......... Nch transistor, 56d ...... Pch transistor, 56e ......... Pch Transistor, 58... Current mirror circuit, 58a ... Current, 60 ... Operational amplifier, 60a ... Variable resistor, 60b ... Memory, 62 ... Detection voltage, 62a ... Detection voltage, 62b ......... Detection voltage, 64 ......... Temperature compensation voltage, 64a ......... Temperature compensation voltage, 65 ......... Temperature compensation voltage, 65a ......... Temperature compensation voltage, 66 ... Oscillation signal 68 ......... determination signal, 70 ......... first offset circuit, 72 ......... differential amplifier circuit, 72a ......... constant current source,
72b... Nch transistor, 72c ... Nch transistor, 72d ... Pch transistor, 72e ... Pch transistor 74 ... First current mirror circuit, 76 ... Second current mirror circuit, 76a ......... Current drawn, 78 ......... Operational amplifier, 78a ......... Variable resistor, 78b ......... Memory, 80 ......... Second offset circuit, 82 ......... Differential amplifier circuit, 84 ......... First Current mirror circuit 86 ......... second current mirror circuit 86a ..... drawing current 88 .... op-amp, 88a .... variable resistor, 88b .... memory, 100 .... temperature compensated oscillator. 102 ......... Temperature detection circuit 104 ......... Approximate cubic curve generation circuit 106 ... First programmable gain amplifier 108 ... Second program Maburugein amplifier, 110 ......... constant voltage generating circuit, 112 ......... third programmable gain amplifier, 114 ......... adder circuit, 116 ......... voltage controlled crystal oscillator.

Claims (7)

圧電振動子を発振させて発振信号を出力し、入力される前記圧電振動子の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧により前記発振信号の発振周波数の温度補償を行う発振回路と、前記圧電振動子の温度に対応した検出電圧を出力する温度検出手段と、前記発振回路と前記温度検出手段との間に介装され、前記温度補償電圧を前記検出電圧に対応して出力する温度補償電圧発生回路と、を有する圧電発振器に取り付けられた圧電発振器用オフセット回路であって、
前記温度検出手段と前記温度補償電圧発生回路との間に介装され、前記発振周波数の温度の上昇時及び下降時の温度特性にそれぞれ対応して、前記検出電圧をオフセットすることにより前記温度補償電圧を温度方向にオフセットする第1のオフセット回路と、
前記温度補償電圧発生回路と前記発振回路との間に介装され、前記発振周波数の温度の上昇時及び下降時の温度特性にそれぞれ対応して、前記温度補償電圧を電圧方向にオフセットする第2のオフセット回路と、を有することを特徴とする圧電発振器用オフセット回路。
An oscillation circuit that oscillates a piezoelectric vibrator, outputs an oscillation signal, and performs temperature compensation of the oscillation frequency of the oscillation signal by a temperature compensation voltage corresponding to a temperature characteristic of an oscillation frequency of the input piezoelectric vibrator; and the piezoelectric A temperature detection unit that outputs a detection voltage corresponding to the temperature of the vibrator, and a temperature compensation voltage that is interposed between the oscillation circuit and the temperature detection unit and outputs the temperature compensation voltage corresponding to the detection voltage. A piezoelectric oscillator offset circuit attached to a piezoelectric oscillator having a generator circuit,
The temperature compensation is interposed between the temperature detection means and the temperature compensation voltage generation circuit, and offsets the detection voltage in accordance with temperature characteristics when the oscillation frequency rises and falls, respectively. A first offset circuit for offsetting the voltage in the temperature direction;
Secondly, the temperature compensation voltage is offset between the temperature compensation voltage generation circuit and the oscillation circuit, and offsets the temperature compensation voltage in the voltage direction corresponding to the temperature characteristics when the temperature of the oscillation frequency rises and falls, respectively. And an offset circuit for the piezoelectric oscillator.
前記検出電圧の上昇・下降を検出して前記圧電振動子の温度の上昇及び下降を判定する判定信号を出力する判定回路を有し、
前記温度補償電圧発生回路は、
前記温度補償電圧を前記圧電振動子の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方の温度特性に対応して出力し、
前記第1のオフセット回路は、
前記一方の温度特性の反対の他方の温度特性に対応した前記検出電圧のオフセット量が設定され、前記判定信号に基づいて前記検出電圧を前記検出電圧のオフセット量だけオフセットし、
前記第2のオフセット回路は、
前記他方の温度特性に対応した前記温度補償電圧のオフセット量が設定され、前記判定信号に基づいて入力した前記温度補償電圧を前記温度補償電圧のオフセット量だけオフセットすることを特徴とする請求項1に記載の圧電発振器用オフセット回路。
A determination circuit for detecting an increase / decrease in the detection voltage and outputting a determination signal for determining an increase / decrease in temperature of the piezoelectric vibrator;
The temperature compensated voltage generation circuit includes:
The temperature compensation voltage is output corresponding to one of the temperature characteristics when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls,
The first offset circuit includes:
An offset amount of the detection voltage corresponding to the other temperature characteristic opposite to the one temperature characteristic is set, and the detection voltage is offset by an offset amount of the detection voltage based on the determination signal,
The second offset circuit includes:
2. The offset amount of the temperature compensation voltage corresponding to the other temperature characteristic is set, and the temperature compensation voltage input based on the determination signal is offset by the offset amount of the temperature compensation voltage. An offset circuit for a piezoelectric oscillator according to 1.
前記検出電圧及び前記温度補償電圧に設定されたオフセット量は、
前記圧電振動子の温度の上昇時の設定最低温度と設定最高温度、及び前記圧電振動子の温度の下降時の基準温度における温度補償電圧において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、
または前記圧電振動子の温度の下降時の設定最低温度と設定最高温度、及び前記圧電振動子の温度の上昇時の基準温度の温度補償電圧において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、それぞれ算出されたことを特徴とする請求項2に記載の圧電発振器用オフセット回路。
The offset amount set for the detection voltage and the temperature compensation voltage is:
In the temperature compensation voltage at the minimum set temperature and the maximum set temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator increases and the reference temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator drops, the sum of the differences in the voltage direction caused by the offset amount is the minimum So that
Alternatively, in the temperature compensation voltage of the set minimum temperature and the set maximum temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator decreases and the reference temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator rises, the sum of the differences in the voltage direction caused by the offset amount is 3. The piezoelectric oscillator offset circuit according to claim 2, wherein the offset circuits are calculated so as to be minimized.
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の圧電発振器用オフセット回路を、前記圧電発振器に組みこんで形成したことを特徴とする圧電発振器。   4. A piezoelectric oscillator comprising the piezoelectric oscillator offset circuit according to claim 1 incorporated in the piezoelectric oscillator. 圧電振動子を発振させて発振信号を出力し、入力される前記圧電振動子の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧により前記発振信号の発振周波数の温度補償を行う発振回路と、前記圧電振動子の温度に対応した検出電圧を出力する温度検出手段と、前記発振回路と前記温度手段との間に介装され、前記温度補償電圧を前記検出電圧に対応して出力する温度補償電圧発生回路と、を有する圧電発振器の温度補償方法であって、
前記圧電振動子の温度の上昇時及び下降時の前記発振周波数の温度特性にそれぞれ対応して前記温度補償電圧を電圧方向にオフセットするとともに、
前記圧電振動子の温度の上昇時及び下降時の前記発振周波数の温度特性にそれぞれ対応して前記検出電圧をオフセットすることにより前記温度補償電圧を温度方向にオフセットすることを特徴とする圧電発振器の温度補償方法。
An oscillation circuit that oscillates a piezoelectric vibrator, outputs an oscillation signal, and performs temperature compensation of the oscillation frequency of the oscillation signal by a temperature compensation voltage corresponding to a temperature characteristic of an oscillation frequency of the input piezoelectric vibrator; and the piezoelectric Temperature detection means for outputting a detection voltage corresponding to the temperature of the vibrator, and temperature compensation voltage generation that is interposed between the oscillation circuit and the temperature means and outputs the temperature compensation voltage corresponding to the detection voltage A temperature compensation method for a piezoelectric oscillator having a circuit,
The temperature compensation voltage is offset in the voltage direction corresponding to the temperature characteristics of the oscillation frequency when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls, respectively,
A piezoelectric oscillator characterized in that the temperature compensation voltage is offset in the temperature direction by offsetting the detection voltage corresponding to the temperature characteristics of the oscillation frequency when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls, respectively. Temperature compensation method.
前記温度補償電圧発生回路は、前記検出電圧に基づいて前記圧電振動子の温度の上昇時及び下降時のいずれか一方の温度特性を有する電圧を前記発振回路に出力するとともに、
前記検出電圧の上昇・下降を検出し前記圧電振動子の温度の上昇及び下降を判定する判定信号を出力し、
前記温度補償電圧を、
前記判定信号に基づいて前記一方の温度特性の反対の他方の温度特性に対応して設定された前記温度補償電圧のオフセット量だけオフセットし、
前記検出電圧を、
前記判定信号に基づいて前記他方の温度特性に対応して設定された前記検出電圧のオフセット量だけオフセットすることを特徴とする請求項5に記載の圧電発振器の温度補償方法。
The temperature compensation voltage generation circuit outputs a voltage having one of temperature characteristics when the temperature of the piezoelectric vibrator rises and falls based on the detection voltage to the oscillation circuit,
A detection signal for detecting an increase / decrease in the detection voltage and determining an increase / decrease in temperature of the piezoelectric vibrator is output,
The temperature compensation voltage is
Offset by the offset amount of the temperature compensation voltage set corresponding to the other temperature characteristic opposite to the one temperature characteristic based on the determination signal,
The detected voltage is
6. The temperature compensation method for a piezoelectric oscillator according to claim 5, wherein an offset amount of the detected voltage set corresponding to the other temperature characteristic is offset based on the determination signal.
前記検出電圧及び前記温度補償電圧に設定されたオフセット量は、
前記圧電振動子の温度の上昇時の設定最低温度と設定最高温度、及び前記圧電振動子の温度の下降時の基準温度における温度補償電圧において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、
または前記圧電振動子の温度の下降時の設定最低温度と設定最高温度、及び前記圧電振動子の温度の上昇時の基準温度における温度補償電圧において、前記オフセット量によって生じる電圧方向の差分の総和が最小となるように、それぞれ算出したことを特徴とする請求項6に記載の圧電発振器の温度補償方法。
The offset amount set for the detection voltage and the temperature compensation voltage is:
In the temperature compensation voltage at the minimum set temperature and the maximum set temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator increases and the reference temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator drops, the sum of the differences in the voltage direction caused by the offset amount is the minimum So that
Alternatively, in the temperature compensation voltage at the set minimum temperature and the set maximum temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator decreases and the reference temperature when the temperature of the piezoelectric vibrator rises, the sum of the differences in the voltage direction caused by the offset amount is The temperature compensation method for a piezoelectric oscillator according to claim 6, wherein each temperature is calculated so as to be minimized.
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