JP2011228504A - Method for producing semiconductor device and semiconductor device - Google Patents

Method for producing semiconductor device and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2011228504A
JP2011228504A JP2010097299A JP2010097299A JP2011228504A JP 2011228504 A JP2011228504 A JP 2011228504A JP 2010097299 A JP2010097299 A JP 2010097299A JP 2010097299 A JP2010097299 A JP 2010097299A JP 2011228504 A JP2011228504 A JP 2011228504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type region
silicon carbide
carbide substrate
main surface
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010097299A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5557584B2 (en
Inventor
Junichi Ono
純一 大野
Yusuke Maeyama
雄介 前山
Yoshiyuki Watabe
善之 渡部
Satoru Senda
悟 仙田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2010097299A priority Critical patent/JP5557584B2/en
Publication of JP2011228504A publication Critical patent/JP2011228504A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5557584B2 publication Critical patent/JP5557584B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of obtaining Schottky characteristics good for an SBD.SOLUTION: A method for producing a semiconductor device includes: a roughening step for roughening only a surface 15a of a p-type region 15 of a principal surface 2a of a silicon carbide substrate in which the principal surface 2a is made an n-type region 12 and the p-type region 15 is formed on the principal surface 2a; a cleaning step for cleaning the principal surface 2a of the silicon carbide substrate 2 with a cleaning fluid; and a connection step for forming an integrated metal layer for electrodes, which is constituted by one kind of metal, on the principal surface 2a so that the metal layer contacts both the surface 12a of the n-type region 12 and the surface 15a of the p-type region 15.

Description

この発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device.

炭化珪素（ＳｉＣ）は、広いバンドギャップ及び高い最大電界強度を有しているため、従来より、大電力、高耐圧の電力用デバイスへの応用が展開されている。このような電力用デバイスとしては、例えば特許文献１に記載されているように、逆電圧印加時に漏れ電流を少なくするジャンクションバリアショットキーダイオード（以下ＪＢＳと呼ぶ。）や、例えば順サージ耐量を向上させるマージドピンショットダイオード（以下ＭＰＳと呼ぶ。）等のショットキーバリアダイオード（以下ＳＢＤと呼ぶ。）の半導体装置がある。
この種の半導体装置では、炭化珪素基板の主面が、ｎ型領域（ｎ型ＳｉＣ層）中に複数のｐ型領域（ｐ型ＳｉＣ層）を点在させることで形成されており、炭化珪素基板の主面には、これらｎ型領域及びｐ型領域の両方の表面に接触する金属製のショットキー電極が形成されている。 Since silicon carbide (SiC) has a wide band gap and a high maximum electric field strength, application to power devices with high power and high withstand voltage has been developed. As such a power device, for example, as described in Patent Document 1, a junction barrier Schottky diode (hereinafter referred to as JBS) that reduces a leakage current when a reverse voltage is applied, or a forward surge withstand capability is improved, for example. There is a semiconductor device of a Schottky barrier diode (hereinafter referred to as SBD) such as a merged pin shot diode (hereinafter referred to as MPS).
In this type of semiconductor device, the main surface of the silicon carbide substrate is formed by interspersing a plurality of p-type regions (p-type SiC layers) in an n-type region (n-type SiC layer). On the main surface of the substrate, a metal Schottky electrode is formed in contact with both the n-type region and the p-type region.

上記構成の半導体装置をＳＢＤとして機能させるためには、ショットキー電極をｎ型領域に対してショットキー接触で接続し、かつ、ｐ型領域に対してオーミック接触で接続する必要がある。そこで、従来では、ショットキー電極を互いに異なる二種類の金属により形成している。すなわち、ｐ型領域の表面には、炭化珪素基板に対してオーミック接触で接続可能なＡｌ（アルミニウム）等の第一金属が形成され、ｎ型領域の表面には、炭化珪素基板に対してショットキー接触で接続可能なＭｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）等の第二金属が形成されている。
このショットキー電極を炭化珪素基板の主面に形成する際には、はじめに、第一金属からなる金属層を炭化珪素基板の主面に形成した後、この金属層をパターニングによりｎ型領域の表面から除去することで、炭化珪素基板の主面のうちｐ型領域の表面にのみ第一金属が形成される。そして、ｎ型領域及び第一金属の両方を覆うように、第二金属からなる金属層を炭化珪素基板の主面上に形成することで、第一金属及び第二金属からなるショットキー電極が形成される。 In order for the semiconductor device having the above structure to function as an SBD, it is necessary to connect the Schottky electrode to the n-type region by Schottky contact and to connect to the p-type region by ohmic contact. Therefore, conventionally, the Schottky electrode is formed of two different types of metals. That is, the first metal such as Al (aluminum) that can be connected to the silicon carbide substrate by ohmic contact is formed on the surface of the p-type region, and the surface of the n-type region is shot against the silicon carbide substrate. A second metal such as Mo (molybdenum) or Ti (titanium) that can be connected by key contact is formed.
When forming the Schottky electrode on the main surface of the silicon carbide substrate, first, after forming a metal layer made of the first metal on the main surface of the silicon carbide substrate, the metal layer is patterned to form a surface of the n-type region. The first metal is formed only on the surface of the p-type region in the main surface of the silicon carbide substrate. Then, by forming a metal layer made of the second metal on the main surface of the silicon carbide substrate so as to cover both the n-type region and the first metal, the Schottky electrode made of the first metal and the second metal becomes It is formed.

特開２００６−３２４５８号公報JP 2006-32458 A

ところで、ｎ型領域と第一金属とを良好な状態でショットキー接触させて、ＳＢＤとして良好なショットキー特性を得るためには、ｎ型領域の表面に第一金属を形成する前にｎ型領域の表面を十分に洗浄する必要があり、酸系の洗浄液（例えばＨＣｌ（塩酸）とＨ２Ｏ２（過酸化水素）との混合液や、Ｈ２ＳＯ４（硫酸）とＨ２Ｏ２との混合液等）によって洗浄することが好ましい。
しかしながら、上述した従来のショットキー電極の形成方法では、第二金属を形成する前の状態において、炭化珪素基板の主面をなすｐ型領域の表面には第一金属が既に形成されているため、第一金属を溶解してしまう酸系の洗浄液によりｎ型領域を洗浄することができない。なお、第一金属を溶解しないｎ型領域表面の洗浄手法としては、洗浄液として有機溶剤を用いることが考えられるが、有機溶剤ではｎ型領域表面の洗浄が不十分となる虞がある。
以上のことから、ＪＢＳやＭＰＳ等の半導体装置では、ショットキー特性が劣ってしまう、という問題がある。 By the way, in order to obtain good Schottky characteristics as SBD by bringing the n-type region and the first metal into good Schottky contact, the n-type region is formed before the first metal is formed on the surface of the n-type region. It is necessary to sufficiently clean the surface of the region, and an acid-based cleaning solution (for example, a mixed solution of HCl (hydrochloric acid) and H 2 O 2 (hydrogen peroxide), H 2 SO 4 (sulfuric acid) and H 2 O 2 ). It is preferable to wash with a mixed solution of
However, in the conventional Schottky electrode forming method described above, the first metal is already formed on the surface of the p-type region forming the main surface of the silicon carbide substrate in the state before forming the second metal. The n-type region cannot be cleaned with an acid cleaning solution that dissolves the first metal. As a method for cleaning the surface of the n-type region that does not dissolve the first metal, it is conceivable to use an organic solvent as the cleaning liquid. However, there is a possibility that the cleaning of the surface of the n-type region is insufficient with the organic solvent.
From the above, semiconductor devices such as JBS and MPS have a problem that the Schottky characteristics are inferior.

本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、ＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることが可能な半導体装置、及び、その製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of obtaining good Schottky characteristics as an SBD and a manufacturing method thereof.

この課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、少なくとも主面側がｎ型領域とされると共に、当該主面にｐ型領域を形成してなる炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造方法であって、前記炭化珪素基板の主面のうち前記ｐ型領域の表面のみを荒らす粗面化工程と、前記炭化珪素基板の主面を洗浄液により洗浄する洗浄工程と、一種類の金属材料からなる一体の電極用金属層を、前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触させるように、前記主面に形成する接続工程とを備えることを特徴とする。
なお、一体の電極用金属層とは、ｎ型領域の表面及びｐ型領域の表面に接触する電極金属層が、別個に形成されるのではなく、一体に形成されていることを意味している。 In order to solve this problem, a semiconductor device manufacturing method of the present invention uses a silicon carbide substrate in which at least a main surface side is an n-type region and a p-type region is formed on the main surface. A roughening step for roughening only the surface of the p-type region of the main surface of the silicon carbide substrate, a cleaning step for cleaning the main surface of the silicon carbide substrate with a cleaning liquid, And a connecting step of forming an integral electrode metal layer made of a metal material on the main surface so as to be in contact with both the surface of the n-type region and the surface of the p-type region.
The integral electrode metal layer means that the electrode metal layer contacting the surface of the n-type region and the surface of the p-type region is not formed separately, but formed integrally. Yes.

この製造方法では、炭化珪素基板に対してショットキー接触が可能な金属材料（例えばＭｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）等）からなる電極金属層を、粗面化工程において荒らされていないｎ型領域の表面に形成することで、ｎ型領域と電極用金属層とをショットキー接触で接続することができる。一方、ｐ型領域の表面は粗面化工程において荒らされるため、ｐ型領域の表面に凹凸形状が形成されてｐ型領域の表面面積が実質的に増加することになる。その結果、電極用金属層が炭化珪素基板に対してショットキー接触が可能な金属材料であっても、ｐ型領域と電極用金属層とをオーミック接触で接続することができる。すなわち、一種類の金属材料からなる一体の電極用金属層により、ＳＢＤを形成することが可能となる。
そして、上記製造方法では、電極用金属層を炭化珪素基板の主面に形成する前の洗浄工程において、酸性の洗浄液によって炭化珪素基板の主面（特にｎ型領域の表面）を洗浄することが可能となるため、半導体装置においてＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることができる。 In this manufacturing method, an electrode metal layer made of a metal material (for example, Mo (molybdenum), Ti (titanium), etc.) capable of Schottky contact with a silicon carbide substrate is not n-typed in the roughening step. By forming on the surface of the region, the n-type region and the electrode metal layer can be connected by Schottky contact. On the other hand, since the surface of the p-type region is roughened in the roughening step, an uneven shape is formed on the surface of the p-type region, and the surface area of the p-type region is substantially increased. As a result, even if the electrode metal layer is a metal material capable of Schottky contact with the silicon carbide substrate, the p-type region and the electrode metal layer can be connected by ohmic contact. That is, the SBD can be formed by an integral electrode metal layer made of one kind of metal material.
In the manufacturing method described above, in the cleaning step before the electrode metal layer is formed on the main surface of the silicon carbide substrate, the main surface (particularly the surface of the n-type region) of the silicon carbide substrate can be cleaned with an acidic cleaning liquid. Therefore, good Schottky characteristics as SBD can be obtained in the semiconductor device.

そして、前記製造方法では、前記粗面化工程が、前記主面のうち前記ｐ型領域の表面のみに粗面化用金属を堆積する堆積工程と、前記ｐ型領域と前記粗面化用金属との界面にシリサイド層が形成されるように前記炭化珪素基板及び粗面化用金属を加熱する加熱工程と、前記粗面化用金属を前記主面から除去する除去工程とを備えることが好ましい。   In the manufacturing method, the roughening step includes a deposition step of depositing a roughening metal only on the surface of the p-type region of the main surface, and the p-type region and the roughening metal. It is preferable to include a heating step of heating the silicon carbide substrate and the roughening metal so that a silicide layer is formed at the interface with the substrate, and a removing step of removing the roughening metal from the main surface. .

この製造方法によれば、加熱工程においてｐ型領域と粗面化用金属との界面に、ｐ型領域及び粗面化用金属が相互に拡散するシリサイド層を形成しておくことで、粗面化用金属との界面をなすｐ型領域の表面を確実に荒らすことができる。
なお、除去工程後の状態においてｐ型領域の表面に粗面化用金属の一部が付着・残存していても、除去工程後の洗浄工程において酸性の洗浄液により炭化珪素基板の主面を洗浄することで、粗面化用金属によるｐ型領域の表面の汚染を防ぐことができる。 According to this manufacturing method, a roughened surface is formed by forming a silicide layer in which the p-type region and the roughening metal are mutually diffused at the interface between the p-type region and the roughening metal in the heating step. The surface of the p-type region that forms the interface with the chemicalizing metal can be reliably roughened.
Even if a part of the roughening metal adheres or remains on the surface of the p-type region in the state after the removal process, the main surface of the silicon carbide substrate is cleaned with an acidic cleaning liquid in the cleaning process after the removal process. By doing so, contamination of the surface of the p-type region by the roughening metal can be prevented.

さらに、前記製造方法では、前記粗面化用金属が、前記主面側からＮｉ層，Ｔｉ層及びＡｌ層を順番に積層して構成されていることが好ましい。   Furthermore, in the manufacturing method, it is preferable that the roughening metal is configured by sequentially stacking a Ni layer, a Ti layer, and an Al layer from the main surface side.

この製造方法では、炭化珪素基板のｐ型領域にＮｉ層が直接接触するため、加熱工程において良好なシリサイド層を効率よく形成することができるため、粗面化工程によるｐ型領域の表面面積の実質的な増加をより高めることができる。したがって、ｐ型領域と電極用金属層とのオーミック接触がさらに良好となる。
また、加熱工程においてはｐ型領域に含まれる炭素が粗面化用金属との界面に析出しやすいが、Ｔｉ層が形成されていることで、この炭素はＴｉ層と結合して導電性カーバイトとなる。このため、ｐ型領域中の炭素が前記界面に析出することを防止することができる。すなわち、ｐ型領域の表面がｐ型領域中の炭素によって汚染されることを防ぐことができる。
また、Ａｌ層が形成されていることで、加熱工程においてｐ型領域中に含まれるＡｌイオン（ｐ型不純物）が粗面化用金属に拡散することを防止できるため、ｐ型領域の不純物濃度の低下を防ぐことができる。 In this manufacturing method, since the Ni layer is in direct contact with the p-type region of the silicon carbide substrate, a good silicide layer can be efficiently formed in the heating step, so that the surface area of the p-type region by the roughening step can be reduced. The substantial increase can be further increased. Therefore, the ohmic contact between the p-type region and the electrode metal layer is further improved.
In the heating process, carbon contained in the p-type region is likely to precipitate at the interface with the roughening metal. However, since the Ti layer is formed, this carbon is bonded to the Ti layer and becomes conductive carbon. It becomes a byte. For this reason, it is possible to prevent the carbon in the p-type region from being deposited on the interface. That is, it is possible to prevent the surface of the p-type region from being contaminated by the carbon in the p-type region.
Further, since the Al layer is formed, it is possible to prevent Al ions (p-type impurities) contained in the p-type region from diffusing into the roughening metal in the heating process. Can be prevented.

また、本発明の半導体装置は、前記製造方法によって製造されるものであって、前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触するように前記炭化珪素基板の主面に前記電極用金属層を形成して構成され、前記ｐ型領域の表面が前記ｎ型領域の表面よりも荒れていることを特徴とする。   Moreover, the semiconductor device of the present invention is manufactured by the manufacturing method, and the main surface of the silicon carbide substrate is in contact with both the surface of the n-type region and the surface of the p-type region. An electrode metal layer is formed, and the surface of the p-type region is rougher than the surface of the n-type region.

さらに、本発明の半導体装置は、少なくとも主面側がｎ型領域とされると共に、当該主面にｐ型領域を形成してなる炭化珪素基板と、一種類の金属材料からなり、前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触するように前記炭化珪素基板の主面に形成された一体の電極用金属層とを備え、前記ｐ型領域の表面が前記ｎ型領域の表面よりも荒れていることを特徴とする。   Furthermore, the semiconductor device of the present invention includes a silicon carbide substrate in which at least the main surface side is an n-type region and a p-type region is formed on the main surface, and a single metal material, and the n-type region An electrode metal layer formed on the main surface of the silicon carbide substrate so as to be in contact with both the surface of the p-type region and the surface of the p-type region, and the surface of the p-type region is the surface of the n-type region It is characterized by being rougher than.

上記構成の半導体装置においては、炭化珪素基板の主面をなすｐ型領域の表面がｎ型領域の表面よりも荒れていることで、電極用金属層が炭化珪素基板に対してショットキー接触が可能な金属材料であっても、電極金属層をｎ型領域に対してショットキー接触させると共に、ｐ型領域に対してオーミック接触させることができる。すなわち、一種類の金属材料からなる一体の電極用金属層によりＳＢＤを形成することが可能となる。
また、この半導体装置を製造する際には、電極用金属層を炭化珪素基板の主面に形成する前に、炭化珪素基板の主面を酸性の洗浄液によって洗浄することが可能であるため、この半導体装置ではＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることができる。 In the semiconductor device having the above configuration, the surface of the p-type region forming the main surface of the silicon carbide substrate is rougher than the surface of the n-type region, so that the electrode metal layer has Schottky contact with the silicon carbide substrate. Even with a possible metal material, the electrode metal layer can be in Schottky contact with the n-type region and in ohmic contact with the p-type region. That is, the SBD can be formed by an integral electrode metal layer made of one kind of metal material.
Further, when manufacturing this semiconductor device, it is possible to clean the main surface of the silicon carbide substrate with an acidic cleaning solution before forming the electrode metal layer on the main surface of the silicon carbide substrate. In a semiconductor device, good Schottky characteristics as SBD can be obtained.

本発明によれば、電極用金属層を形成する炭化珪素基板の主面のうちｐ型領域の表面のみを荒らしておくことで、電極金属層をｎ型領域に対してショットキー接触させると共に、ｐ型領域に対してオーミック接触させることができるため、一種類の金属材料からなる一体の電極用金属層によりＳＢＤを形成することが可能となる。
そして、半導体装置を製造する際には、電極用金属層を炭化珪素基板の主面に形成する前に、炭化珪素基板の主面を酸性の洗浄液によって洗浄できるため、半導体装置においては、ＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることができる。 According to the present invention, by roughening only the surface of the p-type region of the main surface of the silicon carbide substrate forming the electrode metal layer, the electrode metal layer is brought into Schottky contact with the n-type region, Since the p-type region can be brought into ohmic contact, the SBD can be formed by an integral electrode metal layer made of one type of metal material.
In manufacturing a semiconductor device, the main surface of the silicon carbide substrate can be cleaned with an acidic cleaning solution before the electrode metal layer is formed on the main surface of the silicon carbide substrate. Good Schottky characteristics can be obtained.

本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the semiconductor device which concerns on one Embodiment of this invention. 図１の半導体装置の要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the semiconductor device of FIG. 1. 図１の半導体装置の製造工程を示す要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a manufacturing process of the semiconductor device of FIG. 1. 図１の半導体装置の製造工程を示す要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a manufacturing process of the semiconductor device of FIG. 1. 図４に示す半導体装置の製造工程において使用する粗面化金属の構成を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of a roughened metal used in the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 4.

以下、図１〜５を参照して本発明の一実施形態について説明する。
図１，２に示すように、この実施形態に係る半導体装置１は、炭化珪素基板２と、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに形成されたショットキー電極（電極用金属層）３及び絶縁物４と、他方の主面２ｂに形成されたオーミック電極５とを備えて大略構成されている。
炭化珪素基板２は、高濃度の不純物を含んだｎ＋型ＳｉＣ層（ｎ型領域）１１上に、低濃度の不純物を含んだｎ−型ＳｉＣ層（ｎ型領域）１２を積層して大略構成されている。ここでは、ｎ＋型ＳｉＣ層１１が炭化珪素基板２の他方の主面２ｂをなし、ｎ−型ＳｉＣ層１２が炭化珪素基板２の一方の主面２ａをなしている。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 and 2, a semiconductor device 1 according to this embodiment includes a silicon carbide substrate 2, a Schottky electrode (electrode metal layer) 3 formed on one main surface 2 a of the silicon carbide substrate 2, and An insulator 4 and an ohmic electrode 5 formed on the other main surface 2b are generally provided.
The silicon carbide substrate 2 is roughly formed by laminating an n − type SiC layer (n-type region) 12 containing a low concentration impurity on an n + type SiC layer (n type region) 11 containing a high concentration impurity. It is configured. Here, n + -type SiC layer 11 forms the other main surface 2 b of silicon carbide substrate 2, and n − -type SiC layer 12 forms one main surface 2 a of silicon carbide substrate 2.

ｎ−型ＳｉＣ層１２からなる炭化珪素基板２の一方の主面２ａには、平面視リング状とされたｐ型リサーフ領域１４と、ｐ型リサーフ領域１４よりも内側に配された複数のｐ型領域１５とが形成されている。これらｐ型リサーフ領域１４及びｐ型領域１５は、例えばＡｌ（アルミニウム）イオンを不純物として用いた構成である。そして、複数のｐ型領域１５は、ｐ型リサーフ領域１４に対して間隔をあけて配され、さらに、互いに間隔をあけて配されている。すなわち、この炭化珪素基板２においては、その一方の主面２ａが、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａ、ｐ型リサーフ領域１４の表面１４ａ、及び、複数のｐ型領域１５の表面１５ａによって画成されている。
そして、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａは、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａよりも荒れている。なお、ｐ型領域１５の表面１５ａの表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は、例えば１０〜３０ｎｍの範囲で設定されている。 On one main surface 2 a of silicon carbide substrate 2 formed of n − type SiC layer 12, a p-type resurf region 14 having a ring shape in plan view, and a plurality of p disposed on the inner side of p-type resurf region 14 A mold region 15 is formed. The p-type RESURF region 14 and the p-type region 15 are configured using, for example, Al (aluminum) ions as impurities. The plurality of p-type regions 15 are arranged at intervals with respect to the p-type RESURF region 14 and further arranged at intervals. That is, in silicon carbide substrate 2, one main surface 2 a is defined by surface 12 a of n − -type SiC layer 12, surface 14 a of p-type RESURF region 14, and surfaces 15 a of a plurality of p-type regions 15. It is made.
Then, surface 15 a of p-type region 15 in one main surface 2 a of silicon carbide substrate 2 is rougher than surface 12 a of n − -type SiC layer 12. The surface roughness Ra (arithmetic average roughness) of the surface 15a of the p-type region 15 is set in the range of, for example, 10 to 30 nm.

絶縁物４は、シリコン酸化膜等によってリング状に形成されており、リング状とされたｐ型リサーフ領域１４の表面１４ａの外縁部分を覆うように配されている。すなわち、ｐ型リサーフ領域１４の表面１４ａの内縁部分は、絶縁物４によって覆われていない。   The insulator 4 is formed in a ring shape by a silicon oxide film or the like, and is disposed so as to cover the outer edge portion of the surface 14a of the ring-shaped p-type RESURF region 14. That is, the inner edge portion of the surface 14 a of the p-type RESURF region 14 is not covered with the insulator 4.

ショットキー電極３は、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）等の一種類の金属材料からなり、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうち絶縁物４によって囲まれた領域全体に形成されている。すなわち、ショットキー電極３は、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａ、複数のｐ型領域１５の表面１５ａ、及び、ｐ型リサーフ領域１４の表面１４ａの内縁部分に接触するように、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに対して一体に形成されている。ここで、前述したように、ｐ型領域１５の表面１５ａはｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａよりも荒れているため、ショットキー電極３がｎ−型ＳｉＣ層１２に対してショットキー接触で接続され、かつ、ｐ型領域１５に対してオーミック接触で接続されている。
オーミック電極５は、Ｍｏ、Ｔｉ等の金属材料からなり、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂをなすｎ＋型ＳｉＣ層１１に対してオーミック接触で接続されている。なお、オーミック電極５とｎ＋型ＳｉＣ層１１とのオーミック接触は、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂにおける不純物濃度を高めたり、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂを荒らすことで図られている。 Schottky electrode 3 is made of one kind of metal material such as Mo (molybdenum) or Ti (titanium), and is formed on the entire region surrounded by insulator 4 on one main surface 2a of silicon carbide substrate 2. Yes. That is, the Schottky electrode 3 is in contact with the inner edge portion of the surface 12a of the n − -type SiC layer 12, the surfaces 15a of the plurality of p-type regions 15 and the surface 14a of the p-type RESURF region 14. 2 is formed integrally with one main surface 2a. Here, as described above, since the surface 15 a of the p-type region 15 is rougher than the surface 12 a of the n − -type SiC layer 12, the Schottky electrode 3 is in Schottky contact with the n − -type SiC layer 12. And connected to the p-type region 15 by ohmic contact.
The ohmic electrode 5 is made of a metal material such as Mo or Ti, and is connected to the n + -type SiC layer 11 forming the other main surface 2b of the silicon carbide substrate 2 by ohmic contact. The ohmic contact between the ohmic electrode 5 and the n + -type SiC layer 11 is caused by increasing the impurity concentration in the other main surface 2b of the silicon carbide substrate 2 or roughening the other main surface 2b of the silicon carbide substrate 2. It has been.

次に、上記構成の半導体装置１を製造する方法について説明する。
半導体装置１の製造に際しては、はじめに、エピタキシャル法等によりｎ＋型ＳｉＣ層１１上にｎ−型ＳｉＣ層１２を形成して炭化珪素基板２を大略構成し、次いで、図３に示すように、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに複数のｐ型領域１５を形成する（ｐ型領域形成工程）。
このｐ型領域形成工程においては、はじめに、ｐ型領域１５形成用のマスクとして炭化珪素基板２の一方の主面２ａにＳｉＯ２等からなるシリコン酸化膜２１及び別個のレジスト膜２２を順次積層し、次いで、シリコン酸化膜２１及びレジスト膜２２に所定パターンの開口２３を形成することで、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の形成予定領域を露出させる。そして、炭化珪素基板２の一方の主面２ａの露出部分にＡｌ等のｐ型不純物をイオン注入することで、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに複数のｐ型領域１５が形成される。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 having the above configuration will be described.
In manufacturing the semiconductor device 1, first, an n − type SiC layer 12 is formed on the n + type SiC layer 11 by an epitaxial method or the like to roughly configure the silicon carbide substrate 2, and then, as shown in FIG. A plurality of p-type regions 15 are formed on one main surface 2a of silicon carbide substrate 2 (p-type region forming step).
In this p-type region forming step, first, a silicon oxide film 21 made of SiO 2 or the like and a separate resist film 22 are sequentially laminated on one main surface 2a of the silicon carbide substrate 2 as a mask for forming the p-type region 15. Subsequently, openings 23 having a predetermined pattern are formed in the silicon oxide film 21 and the resist film 22, thereby exposing a region where the p-type region 15 is to be formed in one main surface 2 a of the silicon carbide substrate 2. A plurality of p-type regions 15 are formed on one main surface 2a of silicon carbide substrate 2 by ion-implanting p-type impurities such as Al into the exposed portion of one main surface 2a of silicon carbide substrate 2. .

ｐ型領域形成工程後には、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみを荒らす粗面化工程を実施する。
この工程においては、はじめに図４（ａ）、（ｂ）に示すように、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみに粗面化用金属３０を堆積する（堆積工程）。堆積工程では、図４（ａ）に示すように、蒸着や化学気相成長法（ＣＶＤ）、塗布・コーティング法、電解メッキ法等により、炭化珪素基板２の一方の主面２ａ上に粗面化用金属３０を形成する。この際、ｐ型領域１５を除く炭化珪素基板２の一方の主面２ａは、前述したシリコン酸化膜２１及びレジスト膜２２によって覆われているため、この粗面化用金属３０は、炭化珪素基板２の一方の主面２ａをなすｐ型領域１５の表面１５ａ及びレジスト膜２２上に形成され、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａには堆積されない。最後に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜２２上の粗面化用金属３０をレジスト膜２２と共に除去することで、堆積工程が終了する。
なお、ここで形成される粗面化用金属３０は、図５に示すように、炭化珪素基板２の一方の主面２ａ側からＮｉ層３１，Ｔｉ層３２及びＡｌ層３３を順番に積層して構成されている。 After the p-type region forming step, a roughening step is performed to roughen only the surface 15a of the p-type region 15 in one main surface 2a of the silicon carbide substrate 2.
In this step, first, as shown in FIGS. 4A and 4B, the roughening metal 30 is deposited only on the surface 15 a of the p-type region 15 of the one main surface 2 a of the silicon carbide substrate 2. (Deposition process). In the deposition step, as shown in FIG. 4A, a rough surface is formed on one main surface 2a of the silicon carbide substrate 2 by vapor deposition, chemical vapor deposition (CVD), coating / coating, electrolytic plating, or the like. A metal 30 for chemical conversion is formed. At this time, since one main surface 2a of the silicon carbide substrate 2 excluding the p-type region 15 is covered with the silicon oxide film 21 and the resist film 22, the roughening metal 30 is formed on the silicon carbide substrate. 2 is formed on the surface 15a of the p-type region 15 forming one main surface 2a and the resist film 22, and is not deposited on the surface 12a of the n − -type SiC layer 12. Finally, as shown in FIG. 4B, the roughening metal 30 on the resist film 22 is removed together with the resist film 22 to complete the deposition process.
As shown in FIG. 5, the roughening metal 30 formed here is formed by sequentially stacking a Ni layer 31, a Ti layer 32, and an Al layer 33 from the one main surface 2 a side of the silicon carbide substrate 2. Configured.

次に、図４（ｃ）に示すように、ｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面にシリサイド層４０が形成されるように炭化珪素基板２及び粗面化用金属３０を加熱する（加熱工程）。この加熱工程では、炭化珪素基板２及び粗面化用金属３０を、例えばＡｒ（アルゴン）等の不活性ガス雰囲気中において、例えば８００℃以上１０００℃以下の加熱処理を所定時間（例えば２分〜５分程度）実施すればよい。これにより、ｐ型領域１５及び粗面化用金属３０が相互に拡散するシリサイド層４０を形成することができる。   Next, as shown in FIG. 4C, the silicon carbide substrate 2 and the roughening metal 30 are heated so that the silicide layer 40 is formed at the interface between the p-type region 15 and the roughening metal 30. (Heating process). In this heating step, the silicon carbide substrate 2 and the roughening metal 30 are subjected to a heat treatment of, for example, 800 ° C. or more and 1000 ° C. or less for a predetermined time (eg, 2 minutes to 2 minutes) in an inert gas atmosphere such as Ar (argon). About 5 minutes). Thereby, the silicide layer 40 in which the p-type region 15 and the roughening metal 30 are diffused to each other can be formed.

最後に、図４（ｄ）に示すように、粗面化用金属３０を炭化珪素基板２の一方の主面２ａから除去し（除去工程）、さらにシリコン酸化膜２１をｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａから除去することで、粗面化工程が完了する。なお、除去工程においては、例えばＨＣｌ（塩酸）とＨ２Ｏ２（過酸化水素）とからなる酸性の混合液や、Ｈ２ＳＯ４（硫酸）とＨ２Ｏ２とからなる酸性の混合液、ＮＨ４ＯＨ（水酸化アンモニウム）とＨ２Ｏ２とＨ２Ｏ（水）とからなるアルカリ性の混合液などを洗浄液として用いることで、粗面化用金属３０を除去することができる。 Finally, as shown in FIG. 4D, the roughening metal 30 is removed from one main surface 2a of the silicon carbide substrate 2 (removal process), and the silicon oxide film 21 is further removed from the n − -type SiC layer 12. By removing from the surface 12a, the roughening step is completed. In the removal step, for example, an acidic mixed solution composed of HCl (hydrochloric acid) and H 2 O 2 (hydrogen peroxide) or an acidic mixed solution composed of H 2 SO 4 (sulfuric acid) and H 2 O 2 is used. The roughening metal 30 can be removed by using, as a cleaning liquid, an alkaline mixed liquid composed of NH 4 OH (ammonium hydroxide), H 2 O 2 and H 2 O (water).

この粗面化工程後の状態においては、ｐ型領域１５の表面１５ａが荒れており、その表面粗さＲａは例えば１０〜３０ｎｍとなっている。なお、上記粗面化工程では、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａがシリコン酸化膜２１によって覆われているため、荒らされてない。
なお、上述した粗面化工程の前あるいは後には、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに複数のｐ型領域１５を囲むリング状のｐ型リサーフ領域１４（図１参照）を形成する工程も実施する。 In the state after the roughening step, the surface 15a of the p-type region 15 is rough, and the surface roughness Ra is, for example, 10 to 30 nm. In the roughening step, the surface 12a of the n − -type SiC layer 12 is covered with the silicon oxide film 21, so that it is not roughened.
Before or after the roughening step described above, a step of forming ring-shaped p-type RESURF region 14 (see FIG. 1) surrounding plural p-type regions 15 on one main surface 2a of silicon carbide substrate 2. Also implement.

粗面化工程後には、炭化珪素基板２の一方の主面２ａ全体を酸性の洗浄液により洗浄する（洗浄工程）。酸性の洗浄液としては、例えばＨＣｌとＨ２Ｏ２とからなる混合液や、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とからなる混合液が挙げられる。
この洗浄工程では、前述した除去工程後の状態においてｐ型領域１５の表面１５ａやｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａに、粗面化用金属３０やシリコン酸化膜２１の一部が付着・残存していても、これらを酸性の洗浄液により確実に除去することができる。したがって、粗面化用金属３０やシリコン酸化膜２１によるｐ型領域１５の表面１５ａやｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａの汚染を確実に防止することができる。 After the roughening step, the entire main surface 2a of silicon carbide substrate 2 is cleaned with an acidic cleaning solution (cleaning step). Examples of the acidic cleaning liquid include a mixed liquid composed of HCl and H 2 O 2 and a mixed liquid composed of H 2 SO 4 and H 2 O 2 .
In this cleaning process, the roughening metal 30 and a part of the silicon oxide film 21 adhere and remain on the surface 15a of the p-type region 15 and the surface 12a of the n − -type SiC layer 12 in the state after the above-described removal process. Even if it does, these can be reliably removed with an acidic washing | cleaning liquid. Therefore, contamination of the surface 15a of the p-type region 15 and the surface 12a of the n − -type SiC layer 12 by the roughening metal 30 and the silicon oxide film 21 can be reliably prevented.

最後に、炭化珪素基板２の一方の主面２ａにリング状の絶縁物４を形成した上で、図１，２に示すように、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）等の一種類の金属材料からなるショットキー電極３を、絶縁物４によって囲まれた炭化珪素基板２の一方の主面２ａ領域全体に形成する（接続工程）ことで、半導体装置１の製造が完了する。
この接続工程では、ショットキー電極３を粗面化工程において荒らされていないｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａに形成することで、ｎ−型ＳｉＣ層１２とショットキー電極３とをショットキー接触で接続することができる。一方、ｐ型領域１５の表面１５ａは粗面化工程において荒らされていることでその表面面積が実質的に増加しているため、ｐ型領域１５とショットキー電極３とをオーミック接触で接続することができる。 Finally, after forming a ring-shaped insulator 4 on one main surface 2a of the silicon carbide substrate 2, as shown in FIGS. 1 and 2, one kind of metal such as Mo (molybdenum) and Ti (titanium). By forming Schottky electrode 3 made of a material over the entire region of one main surface 2a of silicon carbide substrate 2 surrounded by insulator 4 (connection process), manufacture of semiconductor device 1 is completed.
In this connection process, the Schottky electrode 3 is formed on the surface 12a of the n − type SiC layer 12 that has not been roughened in the roughening process, so that the n − type SiC layer 12 and the Schottky electrode 3 are in Schottky contact. Can be connected with. On the other hand, the surface 15a of the p-type region 15 is roughened in the roughening step, so that the surface area is substantially increased. Therefore, the p-type region 15 and the Schottky electrode 3 are connected by ohmic contact. be able to.

なお、上述した製造方法においては、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂにオーミック電極５を形成する工程も実施するが、この工程は、ｎ＋型ＳｉＣ層１１上にｎ−型ＳｉＣ層１２を形成した後から上述した全ての工程の後までの間で実施すればよい。ただし、洗浄工程において酸性の洗浄液を使用することを考慮すると、洗浄工程後に実施することがより好ましい。
そして、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂをなすｎ＋型ＳｉＣ層１１の表面１１ｂは、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂとオーミック電極５とがオーミック接触できるように、例えばｎ＋型ＳｉＣ層１１上にｎ−型ＳｉＣ層１２を形成する前から炭化珪素基板２の他方の主面２ｂにオーミック電極５を形成する前までの間に、前述と同様の粗面化工程を実施することで荒らされてもよいし、例えばｎ＋型ＳｉＣ層１１の不純物濃度を予め高く設定しておいてもよい。また、例えば炭化珪素基板２の他方の主面２ｂにオーミック電極５を形成した後に、前述と同様の加熱工程を実施して、オーミック電極５とｎ＋型ＳｉＣ層１１の表面との界面にシリサイド層を形成してもよい。 In the manufacturing method described above, the step of forming the ohmic electrode 5 on the other main surface 2b of the silicon carbide substrate 2 is also performed. This step is performed on the n + type SiC layer 11 and the n − type SiC layer 12. What is necessary is just to implement after after forming all the processes mentioned above. However, in consideration of using an acidic cleaning solution in the cleaning step, it is more preferable to carry out after the cleaning step.
The surface 11b of the n + -type SiC layer 11 forming the other main surface 2b of the silicon carbide substrate 2 is, for example, n + so that the other main surface 2b of the silicon carbide substrate 2 and the ohmic electrode 5 can make ohmic contact. A roughening process similar to that described above is performed before the n - type SiC layer 12 is formed on the type SiC layer 11 and before the ohmic electrode 5 is formed on the other main surface 2b of the silicon carbide substrate 2. By doing so, for example, the impurity concentration of the n + -type SiC layer 11 may be set high in advance. Further, for example, after the ohmic electrode 5 is formed on the other main surface 2 b of the silicon carbide substrate 2, a heating process similar to that described above is performed to form a silicide at the interface between the ohmic electrode 5 and the surface of the n + -type SiC layer 11. A layer may be formed.

以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法及び半導体装置１によれば、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみを荒らしておくことで、ショットキー電極３が炭化珪素基板２に対してショットキー接触が可能な金属材料であっても、ショットキー電極３をｎ−型ＳｉＣ層１２に対してショットキー接触させると共に、ｐ型領域１５に対してオーミック接触させることができる。したがって、一種類の金属材料からなる一体のショットキー電極３により、ＳＢＤを形成することが可能となる。
また、半導体装置１の製造に際して、ショットキー電極３の形成前にｐ型領域１５の表面１５ａのみを予め荒らしておくことで、ショットキー電極３の形成前の洗浄工程において、炭化珪素基板２の一方の主面２ａ（特にｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａ）を酸性の洗浄液により洗浄できるため、製造後の半導体装置１においては、ＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることができる。 As described above, according to the manufacturing method of semiconductor device 1 and semiconductor device 1 according to the present embodiment, only surface 15a of p-type region 15 out of one main surface 2a of silicon carbide substrate 2 is roughened. Even if the Schottky electrode 3 is a metal material capable of making a Schottky contact with the silicon carbide substrate 2, the Schottky electrode 3 is brought into a Schottky contact with the n − type SiC layer 12 and a p-type region is formed. 15 can be in ohmic contact. Therefore, the SBD can be formed by the integral Schottky electrode 3 made of one kind of metal material.
Further, when the semiconductor device 1 is manufactured, only the surface 15a of the p-type region 15 is preliminarily roughened before the Schottky electrode 3 is formed, so that the silicon carbide substrate 2 in the cleaning step before the Schottky electrode 3 is formed can be obtained. Since one main surface 2a (especially the surface 12a of the n − -type SiC layer 12) can be cleaned with an acidic cleaning solution, good Schottky characteristics as SBD can be obtained in the manufactured semiconductor device 1.

さらに、上記製造方法では、加熱工程においてｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面にシリサイド層４０を形成しているため、ｐ型領域１５の表面１５ａを確実に荒らすことができる。
また、上記製造方法では、粗面化用金属３０をＮｉ層３１，Ｔｉ層３２及びＡｌ層３３の積層体とすることで、以下の三つの効果を奏する。
第一に、ｐ型領域１５にＮｉ層３１が直接接触することで、加熱工程において良好なシリサイド層４０を効率よく形成することができるため、ｐ型領域１５の表面１５ａの面積の実質的な増加をより高めることができる。したがって、ｐ型領域１５とショットキー電極３とのオーミック接触がさらに良好となる。 Furthermore, in the manufacturing method, since the silicide layer 40 is formed at the interface between the p-type region 15 and the roughening metal 30 in the heating step, the surface 15a of the p-type region 15 can be reliably roughened.
Moreover, in the said manufacturing method, the following three effects are show | played by making the roughening metal 30 into the laminated body of the Ni layer 31, Ti layer 32, and Al layer 33. FIG.
First, since the Ni layer 31 is in direct contact with the p-type region 15, a good silicide layer 40 can be efficiently formed in the heating process, so that the area of the surface 15 a of the p-type region 15 is substantially reduced. The increase can be further increased. Therefore, the ohmic contact between the p-type region 15 and the Schottky electrode 3 is further improved.

第二に、加熱工程においてはｐ型領域１５に含まれる炭素が粗面化用金属３０との界面に析出しやすいが、Ｔｉ層３２が形成されていることで、この炭素はＴｉ層３２と結合して導電性カーバイトとなる。このため、ｐ型領域１５中の炭素がｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面に析出することを防止することができる。すなわち、ｐ型領域１５の表面１５ａがｐ型領域１５中の炭素によって汚染されることを防ぐことができる。
第三に、Ａｌ層３３が形成されていることで、加熱工程においてｐ型領域１５中に含まれるＡｌイオンが粗面化用金属３０に拡散することを防止できるため、ｐ型領域１５の不純物濃度の低下を防ぐことができる。 Second, in the heating step, carbon contained in the p-type region 15 is likely to precipitate at the interface with the roughening metal 30, but the Ti layer 32 is formed so that the carbon is separated from the Ti layer 32. Combined into a conductive carbide. For this reason, it is possible to prevent carbon in the p-type region 15 from being deposited at the interface between the p-type region 15 and the roughening metal 30. That is, it is possible to prevent the surface 15 a of the p-type region 15 from being contaminated by the carbon in the p-type region 15.
Third, since the Al layer 33 is formed, it is possible to prevent Al ions contained in the p-type region 15 from diffusing into the roughening metal 30 in the heating step. A decrease in concentration can be prevented.

なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、粗面化用金属３０は、Ｎｉ層３１，Ｔｉ層３２及びＡｌ層３３の積層体に限らず、少なくとも加熱工程においてｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面にシリサイド層４０を形成するものであればよい。したがって、粗面化用金属３０は、例えばＮｉ，Ｔｉ，Ｃｏ（コバルト），Ｃｕ（銅），Ａｌ等の各種金属材料単体で構成されてもよいし、これら金属材料を適宜選択して２種類以上組み合わせた積層体あるいは合金によって構成されてもよい。
この場合、加熱工程における炭化珪素基板２及び粗面化用金属３０の周囲雰囲気や、加熱温度、加熱時間等の各種条件は、上記実施形態のものに限らず、ｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面にシリサイド層４０が形成されるように適宜設定されればよい。また、除去工程において粗面化用金属３０を除去するための洗浄液としては、上記実施形態に例示した各種混合液の他に、例えばＨＦ（フッ酸）とＨ２Ｏ（水）とからなる混合液（DHF；希フッ酸）などの混合液を適宜用いてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, the roughening metal 30 is not limited to the stacked body of the Ni layer 31, the Ti layer 32, and the Al layer 33, and the silicide layer 40 is formed at the interface between the p-type region 15 and the roughening metal 30 at least in the heating process. As long as it can form. Accordingly, the surface roughening metal 30 may be composed of various metal materials such as Ni, Ti, Co (cobalt), Cu (copper), Al, etc., or two types by appropriately selecting these metal materials. You may comprise the laminated body or alloy which combined above.
In this case, the ambient atmosphere of the silicon carbide substrate 2 and the roughening metal 30 in the heating process, and various conditions such as the heating temperature and the heating time are not limited to those of the above-described embodiment, but the p-type region 15 and the roughening. What is necessary is just to set suitably so that the silicide layer 40 may be formed in the interface with the metal 30 for an operation. In addition, as the cleaning liquid for removing the roughening metal 30 in the removal step, in addition to the various mixed liquids exemplified in the above embodiment, for example, a mixture composed of HF (hydrofluoric acid) and H 2 O (water). A mixed solution such as a liquid (DHF; dilute hydrofluoric acid) may be used as appropriate.

また、堆積工程では、ｐ型領域１５形成用のシリコン酸化膜２１及びレジスト膜２２を利用して粗面化用金属３０を堆積しているが、特にシリコン酸化膜２１及びレジスト膜２２を利用する必要は無く、少なくとも炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみに粗面化用金属３０が形成されればよい。
さらに、表面粗化工程は、上記実施形態のように粗面化用金属３０を利用したものに限らず、少なくとも炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみを荒らすことができれば、例えばドライエッチング法やサンドブラスト法によって実施されても構わない。この場合でも、上記実施形態と同様のシリコン酸化膜２１やレジスト膜２２等をマスクに使用することで、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみを荒らすことができる。
また、炭化珪素基板２は、上記実施形態の構成に限らず、少なくとも一方の主面２ａ側がｎ型ＳｉＣ層等によってｎ型領域とされると共に一方の主面２ａに一つ以上のｐ型領域１５を形成して構成されていればよい。 In the deposition step, the roughening metal 30 is deposited using the silicon oxide film 21 and the resist film 22 for forming the p-type region 15. In particular, the silicon oxide film 21 and the resist film 22 are used. There is no need, and it is only necessary that the roughening metal 30 be formed only on the surface 15a of the p-type region 15 of at least one main surface 2a of the silicon carbide substrate 2.
Further, the surface roughening step is not limited to the use of the roughening metal 30 as in the above embodiment, and at least the surface 15a of the p-type region 15 of at least one main surface 2a of the silicon carbide substrate 2 is applied. As long as it can be roughened, it may be performed by, for example, a dry etching method or a sandblasting method. Even in this case, only the surface 15a of the p-type region 15 of the one main surface 2a of the silicon carbide substrate 2 is roughened by using the same silicon oxide film 21 and resist film 22 as those of the above embodiment as a mask. Can do.
Silicon carbide substrate 2 is not limited to the configuration of the above embodiment, and at least one main surface 2a side is made an n-type region by an n-type SiC layer or the like, and at least one p-type region is formed on one main surface 2a. 15 may be formed.

１ 半導体装置
２ 炭化珪素基板
２ａ 一方の主面
３ ショットキー電極（電極用金属層）
１１ ｎ＋型ＳｉＣ層（ｎ型領域）
１２ ｎ−型ＳｉＣ層（ｎ型領域）
１２ａ 表面
１５ ｐ型領域
１５ａ 表面
３０ 粗面化用金属
３１ Ｎｉ層
３２ Ｔｉ層
３３ Ａｌ層
４０ シリサイド層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Silicon carbide substrate 2a One main surface 3 Schottky electrode (metal layer for electrodes)
11 n + type SiC layer (n-type region)
12 n − type SiC layer (n type region)
12a surface 15 p-type region 15a surface 30 roughening metal 31 Ni layer 32 Ti layer 33 Al layer 40 silicide layer

Claims (5)

少なくとも主面側がｎ型領域とされると共に、当該主面にｐ型領域を形成してなる炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記炭化珪素基板の主面のうち前記ｐ型領域の表面のみを荒らす粗面化工程と、
前記炭化珪素基板の主面を洗浄液により洗浄する洗浄工程と、
一種類の金属材料からなる一体の電極用金属層を、前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触させるように、前記主面に形成する接続工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using a silicon carbide substrate having at least a main surface side as an n-type region and a p-type region formed on the main surface,
A roughening step of roughening only the surface of the p-type region of the main surface of the silicon carbide substrate;
A cleaning step of cleaning the main surface of the silicon carbide substrate with a cleaning liquid;
A connecting step of forming an integral electrode metal layer made of one type of metal material on the main surface so as to contact both the surface of the n-type region and the surface of the p-type region. A method for manufacturing a semiconductor device. 前記粗面化工程が、
前記主面のうち前記ｐ型領域の表面のみに粗面化用金属を堆積する堆積工程と、
前記ｐ型領域と前記粗面化用金属との界面にシリサイド層が形成されるように前記炭化珪素基板及び粗面化用金属を加熱する加熱工程と、
前記粗面化用金属を前記主面から除去する除去工程とを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The roughening step comprises
A deposition step of depositing a roughening metal only on the surface of the p-type region of the main surface;
A heating step of heating the silicon carbide substrate and the roughening metal so that a silicide layer is formed at an interface between the p-type region and the roughening metal;
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a removing step of removing the roughening metal from the main surface. 前記粗面化用金属が、前記主面側からＮｉ層，Ｔｉ層及びＡｌ層を順番に積層して構成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the roughening metal is configured by sequentially stacking a Ni layer, a Ti layer, and an Al layer from the main surface side. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の製造方法によって製造される半導体装置であって、
前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触するように前記炭化珪素基板の主面に前記電極用金属層を形成して構成され、
前記ｐ型領域の表面が前記ｎ型領域の表面よりも荒れていることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 3,
The electrode metal layer is formed on the main surface of the silicon carbide substrate so as to be in contact with both the surface of the n-type region and the surface of the p-type region,
The semiconductor device, wherein the surface of the p-type region is rougher than the surface of the n-type region. 少なくとも主面側がｎ型領域とされると共に、当該主面にｐ型領域を形成してなる炭化珪素基板と、一種類の金属材料からなり、前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触するように前記炭化珪素基板の主面に形成された一体の電極用金属層とを備え、
前記ｐ型領域の表面が前記ｎ型領域の表面よりも荒れていることを特徴とする半導体装置。 At least the main surface side is an n-type region, a silicon carbide substrate having a p-type region formed on the main surface, and a single metal material, the surface of the n-type region and the surface of the p-type region And an integral electrode metal layer formed on the main surface of the silicon carbide substrate so as to be in contact with both,
The semiconductor device, wherein the surface of the p-type region is rougher than the surface of the n-type region.
JP2010097299A 2010-04-20 2010-04-20 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device Active JP5557584B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010097299A JP5557584B2 (en) 2010-04-20 2010-04-20 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010097299A JP5557584B2 (en) 2010-04-20 2010-04-20 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011228504A true JP2011228504A (en) 2011-11-10
JP5557584B2 JP5557584B2 (en) 2014-07-23

Family

ID=45043526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010097299A Active JP5557584B2 (en) 2010-04-20 2010-04-20 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5557584B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072973A (en) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社豊田中央研究所 Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2015216196A (en) * 2014-05-09 2015-12-03 三菱電機株式会社 Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086534A (en) * 2001-09-10 2003-03-20 Nissan Motor Co Ltd Ohmic electrode structure of silicon carbide semiconductor, and ohmic electrode manufacturing method of silicon carbide semiconductor
JP2004335815A (en) * 2003-05-09 2004-11-25 Mitsubishi Electric Corp Manufacturing method of silicon carbide schottky barrier diode
JP2006024880A (en) * 2004-06-09 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2006100357A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Nissan Motor Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device
JP2008130811A (en) * 2006-11-21 2008-06-05 Mitsubishi Electric Corp Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
JP2009010096A (en) * 2007-06-27 2009-01-15 Nissan Motor Co Ltd Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method
JP2009526402A (en) * 2006-02-08 2009-07-16 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド Metal film deposition technology using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition
JP2009252811A (en) * 2008-04-02 2009-10-29 Mitsubishi Electric Corp Silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing the same
JP2011071281A (en) * 2009-09-25 2011-04-07 Toyota Central R&D Labs Inc Semiconductor device and method of manufacturing the same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086534A (en) * 2001-09-10 2003-03-20 Nissan Motor Co Ltd Ohmic electrode structure of silicon carbide semiconductor, and ohmic electrode manufacturing method of silicon carbide semiconductor
JP2004335815A (en) * 2003-05-09 2004-11-25 Mitsubishi Electric Corp Manufacturing method of silicon carbide schottky barrier diode
JP2006024880A (en) * 2004-06-09 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2006100357A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Nissan Motor Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device
JP2009526402A (en) * 2006-02-08 2009-07-16 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド Metal film deposition technology using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition
JP2008130811A (en) * 2006-11-21 2008-06-05 Mitsubishi Electric Corp Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
JP2009010096A (en) * 2007-06-27 2009-01-15 Nissan Motor Co Ltd Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method
JP2009252811A (en) * 2008-04-02 2009-10-29 Mitsubishi Electric Corp Silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing the same
JP2011071281A (en) * 2009-09-25 2011-04-07 Toyota Central R&D Labs Inc Semiconductor device and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072973A (en) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社豊田中央研究所 Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2015216196A (en) * 2014-05-09 2015-12-03 三菱電機株式会社 Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5557584B2 (en) 2014-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5449786B2 (en) Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
WO2013146326A1 (en) Silicon carbide semiconductor device
JP5427980B2 (en) Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
JP2009231321A (en) Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method
WO2013084620A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP5458652B2 (en) Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
JP6112699B2 (en) Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device manufactured by the method
KR101273108B1 (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP2007048783A (en) Schottky diode and its manufacturing method
JP2013084844A (en) Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5557584B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP2016178336A (en) Semiconductor device manufacturing method
JP4695402B2 (en) Manufacturing method of Schottky barrier diode
JP5982109B2 (en) Silicon carbide semiconductor device
JP2006032457A (en) SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
CN108538998B (en) LED chip and manufacturing method thereof
JP4978024B2 (en) Method for manufacturing SiC semiconductor device
JP2008210938A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2022215471A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP4038498B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP4038499B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
TWI469352B (en) Silicon carbide semiconductor device and the process for producing the same
JP5655642B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP5638739B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2020107793A (en) Method for manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140225

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140228

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140603

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5557584

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150