JP2011219680A - Method for producing conductive resin composition and conductive resin composition obtained by the method - Google Patents

Method for producing conductive resin composition and conductive resin composition obtained by the method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a conductive resin composition having little fluctuation in sensitivity and enabling formation of a preferable pattern feature, and to provide a conductive resin composition obtained by the method.SOLUTION: The method for producing a conductive resin composition includes: a first step of polymerizing an acidic group-substituted aniline with an oxidizing agent in the presence of a basic reaction aid to obtain a conductive resin; a second step of removing a basic substance from the reaction mixture containing the obtained conductive resin; and a third step of further adding a basic additive to the reaction mixture. The conductive resin composition is obtained by the method.

Description

本発明は、導電性樹脂組成物の製造方法、およびこれより得られた導電性樹脂組成物に関する。   The present invention relates to a method for producing a conductive resin composition, and a conductive resin composition obtained therefrom.

電子線やイオン線等の荷電粒子線を用いたパターン形成技術は、光リソグラフィーの次世代技術として期待されている。
荷電粒子線を用いる方法においては、レジストの感度向上が生産性向上に有用な手法である。従って、露光部分もしくは荷電粒子線が照射された部分に酸を発生させ、続いてポストエクスポージャーベーク(PEB)処理と呼ばれる加熱処理で架橋反応または分解反応を促進させる、高感度な化学増幅型レジストの使用が主流となっている。
また、近年、半導体デバイスの微細化の流れに伴い、数nmオーダーでのレジスト形状の管理も要求されるようになってきている。
A pattern forming technique using charged particle beams such as an electron beam and an ion beam is expected as a next generation technique of optical lithography.
In the method using charged particle beams, improving the sensitivity of the resist is a useful technique for improving productivity. Therefore, a highly sensitive chemically amplified resist that generates an acid in an exposed portion or a portion irradiated with a charged particle beam and subsequently promotes a crosslinking reaction or a decomposition reaction by a heat treatment called post-exposure baking (PEB) treatment. Use has become mainstream.
In recent years, with the trend toward miniaturization of semiconductor devices, management of resist shapes on the order of several nanometers has been required.

ところで、荷電粒子線を用いる方法においては、特に基板が絶縁性の場合に基板が帯電し(チャージアップ)、帯電した電荷によって発生する電界により入射する荷電粒子線の軌道が曲げられ、所望のパターンが得られにくいという課題があった。
そこで、この課題を解決する手段として、水溶性導電性樹脂をレジスト表面に被覆する技術が有効であることが既に知られている。
By the way, in the method using a charged particle beam, especially when the substrate is insulative, the substrate is charged (charged up), and the trajectory of the charged particle beam is bent by the electric field generated by the charged charge, and a desired pattern is obtained. There was a problem that it was difficult to obtain.
Thus, as a means for solving this problem, it is already known that a technique of coating a resist surface with a water-soluble conductive resin is effective.

一方、水溶性導電性樹脂としては、ドープ剤を添加することなく導電性を発現できる自己ドープ性の酸性基置換ポリアニリンが提案されている。その合成方法としては、スルホン酸基置換アニリンまたはカルボキシ基置換アニリンなどの酸性基置換アニリンを、塩基性反応助剤の存在下で酸化剤により重合する方法が提案されている(特許文献1参照。)。特許文献1によれば、重合後の反応物を酸処理などして精製し、導電性樹脂の純度を高めている。   On the other hand, as a water-soluble conductive resin, self-doping acidic group-substituted polyaniline capable of developing conductivity without adding a dopant has been proposed. As a synthesis method thereof, a method is proposed in which an acidic group-substituted aniline such as a sulfonic acid group-substituted aniline or a carboxy group-substituted aniline is polymerized with an oxidizing agent in the presence of a basic reaction aid (see Patent Document 1). ). According to Patent Document 1, the reaction product after polymerization is purified by acid treatment or the like to increase the purity of the conductive resin.

特開2000−219739号公報JP 2000-219739 A

しかしながら、特許文献1に記載の方法では導電性樹脂の精製が不十分であった。重合に用いる酸化剤は分解して硫酸塩やアンモニアなどが生じるが、特に、これら硫酸塩等の酸性物質や、アンモニアおよび塩基性反応助剤等の塩基性物質などを十分に除去することができなかった。
そのため、この導電性樹脂を化学増幅型レジストに適用した場合には、レジスト上に導電膜を形成したまま露光、PEB処理および現像を行う際に、微量の酸性物質や塩基性物質がレジスト側へ移行し、パターン形状が変化したり、感度が変動したりするといった課題があった。具体的には、レジストがポジ型の場合、酸性物質がレジスト側へ移行すると、現像時に未露光部のレジストが溶解してしまうため、レジストの膜減り、パターンの細り、高感度側への感度変動などが起こる。一方、塩基性物質がレジスト側へ移行すると、露光部の酸が失活してしまい、パターン形状の変化や低感度側への感度変動などが起こる。また、レジストがネガ型の場合、上記酸性物質と塩基性物質のレジストへの移行は、逆の現象を引き起こすことになる。
However, the method described in Patent Document 1 has not sufficiently purified the conductive resin. Oxidizing agents used for polymerization decompose to produce sulfates and ammonia. In particular, acidic substances such as sulfates and basic substances such as ammonia and basic reaction aids can be sufficiently removed. There wasn't.
Therefore, when this conductive resin is applied to a chemically amplified resist, a small amount of acidic substance or basic substance is transferred to the resist side during exposure, PEB treatment and development with the conductive film formed on the resist. There is a problem that the pattern shape changes or the sensitivity fluctuates. Specifically, when the resist is a positive type, if the acidic substance moves to the resist side, the resist in the unexposed area is dissolved during development, so the resist film is reduced, the pattern is thinned, and the sensitivity toward the high sensitivity side is reduced. Variations occur. On the other hand, when the basic substance moves to the resist side, the acid in the exposed portion is deactivated, resulting in a change in pattern shape, a sensitivity fluctuation toward the low sensitivity side, and the like. Further, when the resist is a negative type, the transfer of the acidic substance and the basic substance to the resist causes the opposite phenomenon.

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、感度変動が少なく、良好なパターン形状を形成できる導電性樹脂組成物の製造方法、およびこれより得られた導電性樹脂組成物を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method for producing a conductive resin composition capable of forming a good pattern shape with little fluctuation in sensitivity, and a conductive resin composition obtained therefrom. Objective.

本発明者らは鋭意検討した結果、酸性基置換アニリンを塩基性反応助剤の存在下で重合した後、塩基性物質を除去し、さらに塩基性添加剤を加えることで、感度変動が少なく、良好なパターン形状を形成できる導電性樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies, the present inventors have polymerized acidic group-substituted aniline in the presence of a basic reaction aid, and then removed the basic substance and added a basic additive to reduce sensitivity fluctuations. The inventors have found that a conductive resin composition capable of forming a good pattern shape is obtained, and have completed the present invention.

すなわち、本発明の導電性樹脂組成物の製造方法は、塩基性反応助剤の存在下、酸性基置換アニリンを酸化剤により重合させて導電性樹脂を得る第一の工程と、得られた導電性樹脂を含む反応混合物から塩基性物質を除去する第二の工程と、反応混合物に塩基性添加剤をさらに加える第三の工程とを含むことを特徴とする。
ここで、前記塩基性物質の除去が、イオン交換法によることが好ましい。
さらに、前記塩基性添加剤が、第4級アンモニウム塩であることが好ましい。
また、本発明の導電性樹脂組成物は、前記導電性樹脂組成物の製造方法より得られたことを特徴とする。
ここで、25℃におけるpHが2.5〜6.0であることが好ましい。
That is, the method for producing a conductive resin composition of the present invention includes a first step of obtaining a conductive resin by polymerizing an acidic group-substituted aniline with an oxidizing agent in the presence of a basic reaction aid, and the obtained conductive property. A second step of removing the basic substance from the reaction mixture containing the functional resin, and a third step of further adding a basic additive to the reaction mixture.
Here, it is preferable that the basic substance is removed by an ion exchange method.
Further, the basic additive is preferably a quaternary ammonium salt.
In addition, the conductive resin composition of the present invention is obtained by the method for producing the conductive resin composition.
Here, the pH at 25 ° C. is preferably 2.5 to 6.0.

本発明の導電性樹脂組成物の製造方法によれば、感度変動が少なく、良好なパターン形状を形成できる導電性樹脂組成物が得られる。
また、本発明の導電性樹脂組成物は、感度変動が少なく、良好なパターン形状を形成できる。
According to the method for producing a conductive resin composition of the present invention, a conductive resin composition that can form a good pattern shape with less sensitivity fluctuation is obtained.
Moreover, the conductive resin composition of the present invention has a small sensitivity variation and can form a good pattern shape.

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の導電性樹脂組成物の製造方法は、後述する第一の工程と、第二の工程と、第三の工程とを含む。
ここで、本発明において「導電性」とは、10Ω・cm以下の体積抵抗率を有することである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The manufacturing method of the conductive resin composition of this invention includes the 1st process mentioned later, the 2nd process, and the 3rd process.
Here, in the present invention, “conductive” means having a volume resistivity of 10 9 Ω · cm or less.

<第一の工程>
第一の工程は、塩基性反応助剤の存在下、酸性基置換アニリンを酸化剤により重合させて導電性樹脂を得る工程である。
酸性基置換アニリンとして代表的なものは、スルホン基置換アニリンまたはカルボキシル基置換アニリンである。好ましくはスルホン基置換アニリンであり、カルボキシル基置換アニリンに比べ高い導電性を示す傾向にある。
<First step>
The first step is a step of obtaining a conductive resin by polymerizing acidic group-substituted aniline with an oxidizing agent in the presence of a basic reaction aid.
Typical examples of the acidic group-substituted aniline are sulfone group-substituted anilines or carboxyl group-substituted anilines. Sulfone group-substituted aniline is preferred, and tends to exhibit higher conductivity than carboxyl group-substituted aniline.

スルホン基置換アニリンとして代表的なものは、アミノベンゼンスルホン酸類であり、具体的には、アルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類、アルコキシ置換アミノベンゼンスルホン酸類、ヒドロキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、ニトロ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、フルオロアミノベンゼンスルホン酸、クロロアミノベンゼンスルホン酸、ブロムアミノベンゼンスルホン酸などのハロゲン基置換アミノベンゼンスルホン酸類などが挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ置換アミノベンゼンスルホン酸が重合率の向上の点で好ましい。
Representative examples of the sulfone group-substituted anilines are aminobenzene sulfonic acids, specifically, alkyl group-substituted aminobenzene sulfonic acids, alkoxy-substituted aminobenzene sulfonic acids, hydroxy group-substituted aminobenzene sulfonic acids, nitro group-substituted amino. Examples include halogen-substituted aminobenzene sulfonic acids such as benzene sulfonic acids, fluoroaminobenzene sulfonic acid, chloroaminobenzene sulfonic acid, and bromoaminobenzene sulfonic acid.
Among these, alkoxy-substituted aminobenzenesulfonic acid is preferable from the viewpoint of improving the polymerization rate.

アルコキシ置換アミノベンゼンスルホン酸としては、例えば2−アミノアニソール−3−スルホン酸、2−アミノアニソール−4−スルホン酸、2−アミノアニソール−6−スルホン酸、3−アミノアニソール−2−スルホン酸、3−アミノアニソール−4−スルホン酸、3−アミノアニソール−5−スルホン酸などが挙げられる。   Examples of the alkoxy-substituted aminobenzenesulfonic acid include 2-aminoanisole-3-sulfonic acid, 2-aminoanisole-4-sulfonic acid, 2-aminoanisole-6-sulfonic acid, 3-aminoanisole-2-sulfonic acid, Examples include 3-aminoanisole-4-sulfonic acid and 3-aminoanisole-5-sulfonic acid.

塩基性反応助剤としては特に限定されないが、アンモニア、脂式アミン類、環式飽和アミン類、環式不飽和アミン類などが好ましく用いられる。これらの中でも、脂式アミン類、環式飽和アミン類、環式不飽和アミン類が好ましい。   Although it does not specifically limit as a basic reaction auxiliary agent, Ammonia, an aliphatic amine, cyclic saturated amines, cyclic unsaturated amines, etc. are used preferably. Among these, aliphatic amines, cyclic saturated amines, and cyclic unsaturated amines are preferable.

脂式アミン類としては、下記一般式(1)で表される化合物、または下記一般式(2)で表される第4級アンモニウム塩などが挙げられる。   Examples of the fatty amines include a compound represented by the following general formula (1), a quaternary ammonium salt represented by the following general formula (2), and the like.

Figure 2011219680
Figure 2011219680

式(1)中、R〜Rは、各々独立に、炭素数1〜3のアルキル基、−CHOHおよび−CHCHOHよりなる群から選ばれた基である。 In formula (1), R 1 to R 3 are each independently a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, —CH 2 OH and —CH 2 CH 2 OH.

Figure 2011219680
Figure 2011219680

式(2)中、R〜Rは、各々独立に、水素、炭素数1〜3のアルキル基、−CHOHおよび−CHCHOHよりなる群から選ばれた基である。 In formula (2), R 4 to R 7 are each independently a group selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, —CH 2 OH and —CH 2 CH 2 OH.

環式飽和アミン類としては、ピペリジン、ピロリジン、モルホリン、ピペラジンおよびこれらの骨格を有する誘導体、ならびにこれらのアンモニウムヒドロキシド化合物などが挙げられる。
環式不飽和アミン類としては、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、キノリン、イソキノリン、ピロリンおよびこれらの骨格を有する誘導体、ならびにこれらのアンモニウムヒドロキシド化合物などが挙げられる。
Examples of the cyclic saturated amines include piperidine, pyrrolidine, morpholine, piperazine and derivatives having these skeletons, and ammonium hydroxide compounds thereof.
Examples of the cyclic unsaturated amines include pyridine, α-picoline, β-picoline, γ-picoline, quinoline, isoquinoline, pyrroline and derivatives having these skeletons, and ammonium hydroxide compounds thereof.

上述した塩基性反応助剤の中でも、特にメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチルメチルアミン、エチルジメチルアミン、ジエチルメチルアミン、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリンが好ましく用いられる。
塩基性反応助剤としてこれらを用いれば、重合の進行と共に導電性樹脂が析出し易く、固体回収や、洗浄の観点から有利である。
塩基性反応助剤はそれぞれ1種単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
Among the basic reaction aids mentioned above, especially methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylmethylamine, ethyldimethylamine, diethylmethylamine, pyridine, α-picoline, β-picoline, γ-picoline Is preferably used.
If these are used as basic reaction aids, the conductive resin is likely to precipitate as the polymerization proceeds, which is advantageous from the viewpoint of solid recovery and washing.
Each of the basic reaction auxiliaries may be used alone, or two or more basic reaction auxiliaries may be mixed and used in an arbitrary ratio.

塩基性反応助剤の濃度は0.1mol/L以上が好ましく、0.1〜10.0mol/Lがより好ましく、0.2〜8.0mol/Lが特に好ましい。塩基性反応助剤の濃度が0.1mol/L以上であれば、導電性樹脂組成物を高収率で得ることができる。一方、塩基性反応助剤の濃度が10.0mol/L以下であれば、得られる導電性樹脂組成物の導電性が向上する傾向にある。   The concentration of the basic reaction aid is preferably 0.1 mol / L or more, more preferably 0.1 to 10.0 mol / L, and particularly preferably 0.2 to 8.0 mol / L. When the concentration of the basic reaction aid is 0.1 mol / L or more, the conductive resin composition can be obtained in high yield. On the other hand, if the concentration of the basic reaction aid is 10.0 mol / L or less, the conductivity of the resulting conductive resin composition tends to be improved.

酸性基置換アニリンと塩基性反応助剤のモル比は、酸性基置換アニリン:塩基性反応助剤=1:100〜100:1であることが好ましく、10:90〜90:10がより好ましく、50:50〜90:10が特に好ましい。ここで、塩基性反応助剤の割合が低いと反応性が低下したり、得られる導電性樹脂組成物の導電性が低下したりすることがある。一方、塩基性反応助剤の割合が高いと、導電性樹脂の酸性基と塩基性反応助剤が塩を形成する割合が高くなり、導電性樹脂組成物の導電性が低下することがある。   The molar ratio of acidic group-substituted aniline and basic reaction assistant is preferably acidic group-substituted aniline: basic reaction assistant = 1: 100 to 100: 1, more preferably 10:90 to 90:10, 50:50 to 90:10 is particularly preferred. Here, when the ratio of the basic reaction aid is low, the reactivity may decrease, or the conductivity of the obtained conductive resin composition may decrease. On the other hand, when the ratio of the basic reaction assistant is high, the ratio of the acidic group of the conductive resin and the basic reaction assistant forming a salt may be high, and the conductivity of the conductive resin composition may be lowered.

酸化剤としては、標準電極電位が0.6V以上である酸化剤であれば限定はないが、例えばペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム等のペルオキソ二硫酸類;過酸化水素等を用いることが好ましい。
これらの酸化剤は、それぞれ1種単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
The oxidizing agent is not particularly limited as long as the standard electrode potential is 0.6 V or more. For example, peroxodisulfuric acids such as peroxodisulfuric acid, ammonium peroxodisulfate, sodium peroxodisulfate, and potassium peroxodisulfate; It is preferable to use hydrogen peroxide or the like.
These oxidizing agents may be used alone or in a combination of two or more at any ratio.

酸化剤の使用量は、酸性基置換アニリン1モルに対して1〜5モルが好ましく、1〜3モルがより好ましい。
本発明においては、酸性基置換アニリンに対して酸化剤がモル比で等モル以上存在している系にて重合を行うことが重要である。また、触媒として、鉄、銅などの遷移金属化合物を酸化剤と併用することも有効である。
1-5 mol is preferable with respect to 1 mol of acidic group substituted anilines, and, as for the usage-amount of an oxidizing agent, 1-3 mol is more preferable.
In the present invention, it is important to carry out the polymerization in a system in which the oxidizing agent is present in an equimolar amount or more with respect to the acidic group-substituted aniline. It is also effective to use a transition metal compound such as iron or copper in combination with an oxidizing agent as a catalyst.

重合方法としては、例えば酸化剤溶液中に酸性基置換アニリンと塩基性反応助剤の混合溶液を滴下する方法、酸性基置換アニリンと塩基性反応助剤の混合溶液中に酸化剤溶液を滴下する方法、反応容器等に酸性基置換アニリンと塩基性反応助剤の混合溶液と、酸化剤溶液同時に滴下する反応方法が挙げられる。   As a polymerization method, for example, a method in which a mixed solution of an acidic group-substituted aniline and a basic reaction assistant is dropped in an oxidizing agent solution, or an oxidizing agent solution is dropped in a mixed solution of an acidic group-substituted aniline and basic reaction assistant. Examples thereof include a reaction method in which a mixed solution of an acidic group-substituted aniline and a basic reaction auxiliary and an oxidizing agent solution are dropped simultaneously in a method, a reaction vessel or the like.

重合は、重合系内を撹拌しながら行うことが好ましい。重合時の反応温度は50℃以下が好ましく、−15〜50℃がより好ましく、−10〜40℃が特に好ましい。反応温度が50℃以下であれば、副反応の進行や、主鎖の酸化還元構造の変化が起こりにくくなり、得られる導電性樹脂組成物の導電性が低下するのを抑制できる。なお、反応温度が−15℃以上であれば、短時間で反応が完了する。   The polymerization is preferably performed while stirring the inside of the polymerization system. The reaction temperature during polymerization is preferably 50 ° C. or lower, more preferably −15 to 50 ° C., and particularly preferably −10 to 40 ° C. If reaction temperature is 50 degrees C or less, it will become difficult to produce a side reaction and the change of the oxidation-reduction structure of a principal chain, and it can suppress that the electroconductivity of the obtained conductive resin composition falls. In addition, if reaction temperature is -15 degreeC or more, reaction will be completed in a short time.

重合に使用する溶媒としては、水、または水と有機溶媒との混合溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、2−プロパノール、アセトン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどが挙げられる。
なお、重合に使用する溶媒として混合溶媒を用いる場合、水と有機溶媒との混合比は任意であるが、水:有機溶媒=1:100〜100:1が好ましい。
Examples of the solvent used for the polymerization include water or a mixed solvent of water and an organic solvent. Examples of the organic solvent include methanol, ethanol, 2-propanol, acetone, acetonitrile, dimethylformamide, dimethylacetamide and the like.
In addition, when using a mixed solvent as a solvent used for superposition | polymerization, although the mixing ratio of water and an organic solvent is arbitrary, water: organic solvent = 1: 100-100: 1 is preferable.

重合後の反応溶液には、未反応のモノマー(酸性基置換アニリン)が溶解している。そのため、反応溶液から導電性樹脂を含む反応混合物を分離する操作を行うのが好ましい。この際用いる分離装置としては、減圧濾過、加圧濾過、遠心分離、遠心濾過等が用いられる。特に、遠心分離、遠心濾過などの分離装置を用いることが、高純度のものが得られやすく好ましい。   Unreacted monomer (acid group-substituted aniline) is dissolved in the reaction solution after polymerization. Therefore, it is preferable to perform an operation of separating the reaction mixture containing the conductive resin from the reaction solution. As the separation device used at this time, vacuum filtration, pressure filtration, centrifugal separation, centrifugal filtration or the like is used. In particular, it is preferable to use a separation device such as centrifugal separation or centrifugal filtration because it is easy to obtain a high-purity one.

反応溶液から導電性樹脂を含む反応混合物を分離した後、該反応混合物の精製を行ってもよい。精製は洗浄溶媒を用いて実施でき、該洗浄溶媒としては、メタノール、エタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、t−ブタノール等のアルコール類、アセトン、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド等が、高純度のものが得られるため好ましい。特にメタノール、エタノール、2−プロパノール、アセトン、アセトニトリルが効果的である。   After separating the reaction mixture containing the conductive resin from the reaction solution, the reaction mixture may be purified. Purification can be carried out using a washing solvent, which includes alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, 1-propanol and t-butanol, acetone, acetonitrile, N, N-dimethylformamide, N-methyl. Pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, and the like are preferable because high purity products can be obtained. In particular, methanol, ethanol, 2-propanol, acetone, and acetonitrile are effective.

<第二の工程>
第二の工程は、第一の工程で得られた導電性樹脂を含む反応混合物から、塩基性物質を除去する工程である。
第二の工程で除去される塩基性物質は、主に第一の工程で用いられる塩基性反応助剤の残存物や、酸化剤の分解物である。
<Second step>
The second step is a step of removing the basic substance from the reaction mixture containing the conductive resin obtained in the first step.
The basic substance removed in the second step is mainly a residue of the basic reaction aid used in the first step or a decomposition product of the oxidizing agent.

上述したように、レジスト上に導電膜を形成した際に、塩基性反応助剤や酸化剤の分解物である塩基性物質がレジスト側へ移行すると、レジストがポジ型の場合には露光部の酸が失活してしまい、パターン形状の変化や低感度側への感度変動が起こりやすかった。また、レジストがネガ型の場合には逆にパターンの細り、膜減りや高感度側への感度変動が起こりやすかった。   As described above, when the conductive material is formed on the resist and the basic substance that is a decomposition product of the basic reaction aid or the oxidizing agent moves to the resist side, if the resist is a positive type, The acid was deactivated, and the pattern shape was likely to change and the sensitivity fluctuation to the low sensitivity side was likely to occur. On the contrary, when the resist is a negative type, the pattern is thinned, the film is reduced, and the sensitivity fluctuation toward the high sensitivity side is likely to occur.

しかし、本発明であれば、第二の工程において反応混合物から塩基性物質を除去することで、本発明の導電性樹脂組成物を用いてレジスト上に導電膜を形成した際に、加熱によって導電膜から塩基性物質が揮発するのを抑制できる。よって、特に化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法においては、塩基性物質のレジスト側への移行が抑制され、パターン形状の変化や感度変動を抑制できる。   However, according to the present invention, when the conductive material is formed on the resist using the conductive resin composition of the present invention by removing the basic substance from the reaction mixture in the second step, the conductive material is heated by heating. It is possible to suppress the volatilization of the basic substance from the membrane. Therefore, in particular, in a pattern formation method using a charged particle beam using a chemically amplified resist, transfer of a basic substance to the resist side is suppressed, and a change in pattern shape and a sensitivity variation can be suppressed.

塩基性物質のレジスト側への移行については、加熱発生ガス質量分析(EGA−MS:Evolved Gas Analysis−Mass Spectrometry)法を用いた導電性樹脂組成物の揮発成分分析によって確認できる。
通常、レジストのPEB処理温度が120℃付近であることを考慮すると、導電性樹脂組成物からの塩基性物質の揮発開始温度が120℃未満である場合にはレジスト側への移行が激しく、120℃以上130℃未満の範囲で揮発が始まる場合にはPEB処理温度によってはレジスト側への移行の可能性がある。従って、揮発開始温度は130℃以上が好ましく、140℃以上が特に好ましい。
The transfer of the basic substance to the resist side can be confirmed by a volatile component analysis of the conductive resin composition using an EGA-MS (Evolved Gas Analysis-Mass Spectrometry) method.
Normally, considering that the PEB treatment temperature of the resist is around 120 ° C., when the volatilization start temperature of the basic substance from the conductive resin composition is less than 120 ° C., the transition to the resist side is severe, When volatilization starts in the range of from ℃ .degree. C. to less than 130.degree. Accordingly, the volatilization start temperature is preferably 130 ° C. or higher, and particularly preferably 140 ° C. or higher.

塩基性物質の除去方法としては特に限定されず、イオン交換樹脂を使ったカラム式、バッチ式の処理や、イオン交換膜を使った処理、電気透析法、更にプロトン酸溶液中での酸洗浄、加熱処理による除去、中和析出などあらゆる方法を用いることができるが、特に、イオン交換法が有効である。イオン交換法を用いることにより、導電性樹脂の酸性基と塩を形成した状態で存在する塩基性物質を効果的に除去でき、純度の高い導電性樹脂組成物を得ることができる。   The method for removing the basic substance is not particularly limited, column-type treatment using an ion exchange resin, batch-type treatment, treatment using an ion-exchange membrane, electrodialysis, and further acid washing in a protonic acid solution, Although any method such as removal by heat treatment or neutralization precipitation can be used, the ion exchange method is particularly effective. By using the ion exchange method, it is possible to effectively remove the basic substance present in the state of forming a salt with an acidic group of the conductive resin, and to obtain a highly pure conductive resin composition.

イオン交換法としては、陽イオン交換樹脂を用いたイオン交換法、電気透析法が挙げられる。
なお、イオン交換法で塩基性物質を除去する場合は、水性媒体に反応混合物を所望の固形分濃度になるように溶解させ、反応混合物溶液としてから塩基性物質を除去する。
水性媒体としては、水、水溶性有機溶媒、水と水溶性有機溶媒との混合溶媒が挙げられる。
水溶性有機溶媒は、水に可溶な有機溶媒であり、例えばメタノール、エタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、1−ブタノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、エチルイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル等のエチレングリコール類;プロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル等のプロピレングリコール類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類;N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン等のピロリドン類;乳酸メチル、乳酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル類などが挙げられる。
Examples of the ion exchange method include an ion exchange method using a cation exchange resin and an electrodialysis method.
When the basic substance is removed by the ion exchange method, the basic substance is removed after dissolving the reaction mixture in an aqueous medium so as to have a desired solid content concentration to obtain a reaction mixture solution.
Examples of the aqueous medium include water, a water-soluble organic solvent, and a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent.
The water-soluble organic solvent is an organic solvent soluble in water, for example, alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, 1-propanol, and 1-butanol; acetone, methyl ethyl ketone, ethyl isobutyl ketone, methyl isobutyl ketone, and the like. Ketones; ethylene glycols such as ethylene glycol, ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether; propylene glycols such as propylene glycol, propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol propyl ether Amides such as dimethylformamide and dimethylacetamide; pyrrolidones such as N-methylpyrrolidone and N-ethylpyrrolidone; Methyl acid, ethyl lactate, beta-methoxyisobutyrate methyl butyrate, hydroxypropyl esters such as α- hydroxy methyl isobutyrate and the like.

陽イオン交換樹脂を用いたイオン交換法の場合、陽イオン交換樹脂に対する試料液の量は、例えば固形分濃度5質量%の反応混合物溶液の場合、陽イオン交換樹脂に対して10倍の容積までが好ましく、5倍の容積までがより好ましい。
陽イオン交換樹脂としては、例えばオルガノ株式会社製の「アンバーライトIR−120H」などが挙げられる。
In the case of an ion exchange method using a cation exchange resin, the amount of the sample liquid with respect to the cation exchange resin is, for example, up to 10 times the volume of the cation exchange resin in the case of a reaction mixture solution having a solid content concentration of 5% by mass. Is preferred, and up to 5 times the volume is more preferred.
Examples of the cation exchange resin include “Amberlite IR-120H” manufactured by Organo Corporation.

電気透析法の場合、電気透析法のイオン交換膜は特に限定はされないが、不純物の拡散による浸透をより抑制するために、一価イオン選択透過処理が施されたイオン交換膜であって、分画分子量が300以下のものを使用することが好ましい。このようなイオン交換膜としては、例えば株式会社アストム製の「ネオセプタCMK(カチオン交換膜、分画分子量300)」、「ネオセプタAMX(アニオン交換膜、分画分子量300)」などが好適である。
また、電気透析法に用いるイオン交換膜として、アニオン交換層、カチオン交換層を張り合わせた構造を持ったイオン交換膜であるバイポーラ膜を用いてもよい。このようなバイポーラ膜としては、例えば株式会社アストム製の「PB−1E/CMB」などが好適である。
電気透析における電流密度は限界電流密度以下であることが好ましい。バイポーラ膜での印加電圧は、10〜50Vが好ましく、25〜35Vがより好ましい。
In the case of the electrodialysis method, the ion exchange membrane of the electrodialysis method is not particularly limited, but is an ion exchange membrane that has been subjected to a monovalent ion selective permeation treatment in order to further suppress permeation due to diffusion of impurities. It is preferable to use a molecular weight of 300 or less. As such an ion exchange membrane, for example, “Neocepta CMK (cation exchange membrane, fractional molecular weight 300)”, “Neoceptor AMX (anion exchange membrane, fractional molecular weight 300)” manufactured by Astom Co., Ltd. and the like are suitable.
In addition, as an ion exchange membrane used in the electrodialysis method, a bipolar membrane which is an ion exchange membrane having a structure in which an anion exchange layer and a cation exchange layer are bonded together may be used. As such a bipolar film, for example, “PB-1E / CMB” manufactured by Astom Co., Ltd. is suitable.
The current density in electrodialysis is preferably less than the limit current density. The applied voltage in the bipolar film is preferably 10 to 50V, and more preferably 25 to 35V.

上述したイオン交換法以外の方法、例えばプロトン酸溶液中での酸洗浄により塩基性物質物を除去する場合は、プロトン酸溶液中で反応混合物を攪拌することで塩基性物質を除去することができる。攪拌後は濾過してプロトン酸溶液を除去すればよい。
プロトン酸溶液としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ホウ化フッ素酸等の鉱酸類、トリフルオロメタンスルホン酸等の超強酸類、メタンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、カンファスルホン酸等の有機スルホン酸類、ポリスチレンスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリビニルスルホン酸、ポリ−2−メチルプロパン−2−アクリルアミドスルホン酸等の高分子酸類などが挙げられる。これらの中でも塩酸、硝酸、硫酸、p−トルエンスルホン酸が好ましい。
When the basic substance is removed by a method other than the ion exchange method described above, for example, by acid washing in a proton acid solution, the basic substance can be removed by stirring the reaction mixture in the proton acid solution. . After stirring, the proton acid solution may be removed by filtration.
Examples of the proton acid solution include mineral acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid and borofluoric acid, super strong acids such as trifluoromethanesulfonic acid, methanesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, camphorsulfonic acid. Organic sulfonic acids such as polystyrene sulfonic acid, polyacrylic acid, polyvinyl sulfonic acid, poly-2-methylpropane-2-acrylamide sulfonic acid and the like. Among these, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, and p-toluenesulfonic acid are preferable.

<第三の工程>
第三の工程は、第二の工程の後に、反応混合物に塩基性添加剤をさらに加える工程である。
上述したように、レジスト上に導電膜を形成した際に、酸化剤の分解物等の酸性物質がレジスト側へ移行すると、レジストがポジ型の場合にはパターンの細り、膜減りや高感度側への感度変動が起こりやすかった。また、レジストがネガ型の場合には逆にパターン形状の変化や低感度側への感度変動が起こりやすかった。
<Third step>
The third step is a step of further adding a basic additive to the reaction mixture after the second step.
As described above, when an acidic substance such as a decomposition product of an oxidant moves to the resist side when a conductive film is formed on the resist, if the resist is a positive type, the pattern is thinned, the film is reduced, and the high sensitivity side. Sensitivity fluctuations were likely to occur. On the other hand, when the resist is a negative type, a change in the pattern shape and a sensitivity fluctuation toward the low sensitivity side tend to occur.

しかし、本発明であれば、第三の工程において反応混合物に塩基性添加剤を加えることで、酸性物質が塩基性添加剤と塩を形成しやすくなる。その結果、本発明の導電性樹脂組成物を用いてレジスト上に導電膜を形成した際に、加熱によって導電膜から酸性物質が揮発するのを抑制できる。よって、特に化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法においては、酸性物質のレジスト側への移行が抑制され、パターン形状の変化や感度変動を抑制できる。また、第二の工程で塩基性物質を除去して第三の工程で塩基性添加剤を加えることで、系内に存在する塩基性物質の量を制御することができ、感度の変動を抑制することができる。   However, if it is this invention, an acidic substance will form a salt with a basic additive easily by adding a basic additive to a reaction mixture in a 3rd process. As a result, when the conductive film is formed on the resist using the conductive resin composition of the present invention, it is possible to suppress volatilization of the acidic substance from the conductive film by heating. Therefore, in particular, in a pattern formation method using a charged particle beam using a chemically amplified resist, the migration of an acidic substance to the resist side is suppressed, and a change in pattern shape and sensitivity fluctuation can be suppressed. In addition, by removing basic substances in the second step and adding basic additives in the third step, the amount of basic substances present in the system can be controlled, and fluctuations in sensitivity are suppressed. can do.

酸性物質のレジスト側への移行については、EGA−MS法を用いた導電性樹脂組成物の揮発成分分析によって確認できる。
通常、レジストのPEB処理温度が120℃付近であることを考慮すると、導電性樹脂組成物からの酸性物質の揮発開始温度が120℃未満である場合にはレジスト側への移行が激しく、120℃以上130℃未満の範囲で揮発が始まる場合にはPEB処理温度によってはレジスト側への移行の可能性がある。従って、揮発開始温度は130℃以上が好ましく、140℃以上が特に好ましい。
The transfer of the acidic substance to the resist side can be confirmed by volatile component analysis of the conductive resin composition using the EGA-MS method.
Normally, considering that the PEB treatment temperature of the resist is around 120 ° C., when the volatilization start temperature of the acidic substance from the conductive resin composition is less than 120 ° C., the transition to the resist side is severe, When volatilization starts in the range of 130 ° C. or lower, there is a possibility of shifting to the resist side depending on the PEB processing temperature. Accordingly, the volatilization start temperature is preferably 130 ° C. or higher, and particularly preferably 140 ° C. or higher.

第三の工程で用いる塩基性添加剤としては特に限定されないが、例えば第一の工程で用いる塩基性反応助剤の説明において例示したものが挙げられる。中でも、酸性物質と形成する塩の揮発温度が高くなり、酸性物質の揮発を抑制できる点から強塩基が好ましく、更に金属元素を含まない点から、上記一般式(2)で表される第4級アンモニウム塩が好ましく、具体的には、テトラメチルアンモニウムハイドライド、テトラメチロールアンモニウムハイドライド、テトラエチルアンモニウムハイドライド、テトラn−ブチルアンモニウムハイドライド、テトラsec−ブチルアンモニウムハイドライド、テトラt−ブチルアンモニウムハイドライド等のアンモニウムヒドロキシド化合物が挙げられる。
塩基性添加剤は、塩基性反応助剤と同一であってもよいし、異なる種類であってもよい。また、1種単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
Although it does not specifically limit as a basic additive used at a 3rd process, For example, what was illustrated in description of the basic reaction adjuvant used at a 1st process is mentioned. Among them, a strong base is preferable from the viewpoint that the volatilization temperature of the salt formed with the acidic substance becomes high and volatilization of the acidic substance can be suppressed. A quaternary ammonium salt is preferable, specifically, ammonium hydroxide such as tetramethylammonium hydride, tetramethylol ammonium hydride, tetraethylammonium hydride, tetra n-butylammonium hydride, tetrasec-butylammonium hydride, tetra-t-butylammonium hydride, etc. Compounds.
The basic additive may be the same as or different from the basic reaction aid. Moreover, you may use individually by 1 type and may mix and use 2 or more types by arbitrary ratios.

塩基性添加剤を加える際は、第二の工程においてイオン交換法により塩基性物質を除去した場合には、その後の反応混合物溶液をそのまま用いることができる。
また、第二の工程後の反応混合物が固体状である場合は、上述した水性媒体に、反応混合物を所望の固形分濃度になるように溶解させ、反応混合物溶液として用いるのが好ましい。
When adding the basic additive, if the basic substance is removed by the ion exchange method in the second step, the subsequent reaction mixture solution can be used as it is.
When the reaction mixture after the second step is solid, it is preferable to dissolve the reaction mixture in the above-described aqueous medium so as to have a desired solid content concentration and use it as a reaction mixture solution.

塩基性添加剤の添加方法としては特に限定されず、任意の温度および添加速度で反応混合物に添加することができるが、通常は反応混合物溶液を室温に保持し、攪拌しながら塩基性添加剤を加えるのが好ましい。
なお、本発明において「室温」とは25℃のことである。
The method for adding the basic additive is not particularly limited, and can be added to the reaction mixture at an arbitrary temperature and addition rate. Usually, the basic additive is added while stirring the reaction mixture solution at room temperature. It is preferable to add.
In the present invention, “room temperature” means 25 ° C.

塩基性添加剤の添加量は、詳しくは後述するが、得られる導電性樹脂組成物のpHが所望の値になるように調節すればよいが、通常は反応混合物100質量部に対して0.1〜50質量部が好ましく、0.3〜10質量部がより好ましく、0.3〜0.9質量部が特に好ましい。塩基性添加剤の添加量が0.1質量部以上であれば、導電性樹脂組成物を用いてレジスト上に導電膜を形成した際に、加熱によって導電膜から酸性物質が発生するのを十分に抑制できる。一方、塩基性添加剤の添加量が50質量部以下であれば、加熱によって導電膜から塩基性物質が発生するのを十分に抑制できる。   Although the amount of the basic additive added will be described later in detail, it may be adjusted so that the pH of the obtained conductive resin composition becomes a desired value. 1-50 mass parts is preferable, 0.3-10 mass parts is more preferable, 0.3-0.9 mass part is especially preferable. If the addition amount of the basic additive is 0.1 parts by mass or more, it is sufficient that an acidic substance is generated from the conductive film by heating when the conductive film is formed on the resist using the conductive resin composition. Can be suppressed. On the other hand, if the addition amount of the basic additive is 50 parts by mass or less, generation of a basic substance from the conductive film by heating can be sufficiently suppressed.

第三の工程の後の反応混合物は、水性媒体に溶解した状態(反応混合物溶液)であるが、この反応混合物溶液をそのまま導電性樹脂組成物として用いることができる。
また、エバポレータなどで反応混合物溶液から水性媒体を除去して得られる反応混合物を導電性樹脂組成物としてもよいし、さらに、該反応混合物を上述した水性媒体に溶解させて導電性樹脂組成物としてもよい。反応混合物は可溶性を有するので、水性媒体に容易に溶解する。ただし、水性媒体の説明において先に例示した水溶性有機溶媒の中には、1種単独で用いると反応混合物が溶解しにくいものもある(例えばメタノールなど)。そのような場合には、水との混合溶媒に反応混合物を溶解させればよい。
The reaction mixture after the third step is in a state dissolved in an aqueous medium (reaction mixture solution), but this reaction mixture solution can be used as it is as a conductive resin composition.
Further, the reaction mixture obtained by removing the aqueous medium from the reaction mixture solution with an evaporator or the like may be used as the conductive resin composition, and further, the reaction mixture is dissolved in the above-mentioned aqueous medium to form the conductive resin composition. Also good. Since the reaction mixture is soluble, it is readily soluble in aqueous media. However, among the water-soluble organic solvents exemplified above in the description of the aqueous medium, there are those in which the reaction mixture is difficult to dissolve when used alone (for example, methanol). In such a case, the reaction mixture may be dissolved in a mixed solvent with water.

このようにして得られる導電性樹脂組成物は、25℃におけるpHが2.5〜6.0であることが好ましい。pHが2.5以上であれば、導電性樹脂組成物を用いてレジスト上に導電膜を形成した際に、加熱によって導電膜から酸性物質が発生するのを十分に抑制できる。一方、pHが6.0以下であれば、加熱によって導電膜から塩基性物質が発生するのを十分に抑制できる。   The conductive resin composition thus obtained preferably has a pH of 2.5 to 6.0 at 25 ° C. If pH is 2.5 or more, when a conductive film is formed on a resist using a conductive resin composition, generation of an acidic substance from the conductive film by heating can be sufficiently suppressed. On the other hand, if pH is 6.0 or less, it can fully suppress that a basic substance generate | occur | produces from a electrically conductive film by heating.

導電性樹脂組成物のpHは、第三の工程で反応混合物に添加する塩基性添加剤の添加量によって調節できる。具体的には、塩基性添加剤の添加量が多くなると導電性樹脂組成物のpHは高くなる傾向にある。
なお、導電性樹脂組成物のpHは、溶媒として水性媒体を含み、固形分濃度が2質量%である導電性樹脂組成物を、液温25℃でpHメータにより測定したときの値である。
The pH of the conductive resin composition can be adjusted by the amount of basic additive added to the reaction mixture in the third step. Specifically, when the amount of the basic additive added increases, the pH of the conductive resin composition tends to increase.
The pH of the conductive resin composition is a value obtained by measuring a conductive resin composition containing an aqueous medium as a solvent and having a solid content concentration of 2% by mass with a pH meter at a liquid temperature of 25 ° C.

本発明の導電性樹脂組成物は、一般の塗料に用いられる方法によって基材表面に塗工される。
導電性樹脂組成物の塗工方法としては、例えばグラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等の塗布方法、スプレーコーティング等の噴霧方法、ディップ等の浸漬方法等が挙げられるが、通常はスピンコーターを用いてシリコンウハー、石英マスク基板などに塗布されたレジスト上へ塗工する。
なお、塗工性を向上する目的で、導電性樹脂組成物にアルコール、界面活性剤などを添加してもよい。
The conductive resin composition of the present invention is applied to the surface of a substrate by a method used for general paints.
Examples of the coating method for the conductive resin composition include a gravure coater, roll coater, curtain flow coater, spin coater, bar coater, reverse coater, kiss coater, phantom coater, rod coater, air doctor coater, knife coater, blade coater. Application methods such as cast coater and screen coater, spraying methods such as spray coating, dipping methods such as dip, etc., are usually applied onto a resist coated on a silicon wafer, quartz mask substrate, etc. using a spin coater. Apply.
In addition, you may add alcohol, surfactant, etc. to a conductive resin composition in order to improve applicability | paintability.

以上説明したように、本発明によれば、加熱による酸性物質や塩基性物質の発生が少ない導電性樹脂組成物が得られる。該導電性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法において、レジストへの酸性物質および塩基性物質の移行が抑制されるので、感度変動が少なく、良好なレジストパターン形状を形成できる。   As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a conductive resin composition that generates less acidic substances and basic substances by heating. In the conductive resin composition, particularly in a pattern formation method using a charged particle beam using a chemically amplified resist, transfer of an acidic substance and a basic substance to the resist is suppressed. Pattern shapes can be formed.

本発明により得られる導電性樹脂組成物の用途としては、化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法のレジスト表面に用いる帯電防止膜、コンデンサ、透明電極、および半導体材料等が挙げられる。
このうち、化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法のレジスト表面に用いる帯電防止膜として用いる場合は、本発明の導電性樹脂組成物を各種塗工方法にてレジスト表面に塗工した後、荷電粒子線によるパターン形成を行うことで、解像度の高いパターン形状を得ることができる。
Applications of the conductive resin composition obtained by the present invention include an antistatic film, a capacitor, a transparent electrode, and a semiconductor material used on the resist surface of a pattern forming method using a charged particle beam using a chemically amplified resist. .
Among these, when used as an antistatic film used on a resist surface in a pattern formation method by a charged particle beam using a chemically amplified resist, the conductive resin composition of the present invention is applied to the resist surface by various coating methods. After that, pattern formation with a charged particle beam is performed, whereby a pattern shape with high resolution can be obtained.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、実施例および比較例における各種測定・評価方法は以下の通りである。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these Examples.
The various measurement / evaluation methods in Examples and Comparative Examples are as follows.

<測定・評価方法>
(pHの測定)
株式会社堀場製作所製のpHメータ(型式F−55S)および超精密用ガラス電極(型式6367−10D)を用い、液温25℃の条件で導電性樹脂組成物のpHを測定した。
<Measurement and evaluation method>
(Measurement of pH)
Using a pH meter (model F-55S) manufactured by HORIBA, Ltd. and a glass electrode for ultraprecision (model 6367-10D), the pH of the conductive resin composition was measured at a liquid temperature of 25 ° C.

<揮発成分の分析>
(塩基性物質の評価)
EGA−MS法を用い、塩基性物質の分析を実施した。
具体的には、導電性樹脂組成物を減圧乾燥機により40℃で2時間乾燥して得られた固体物より試料を1mg採取し、試料カップに入れた。ついで、流量50mL/分のヘリウム雰囲気中の熱分解装置(フロンティア・ラボ株式会社製、「PY−2010D」)に導入し、昇温速度5℃/分で50℃から200℃まで昇温させた。このときに発生した熱分解ガスを全量の1/50の量、採取した。そして、1mL/分のヘリウムをキャリアガスとして用いた、300℃のガスクロマトグラフ(Agilent社製、「6890型GC」)のカラムに採取した熱分解ガスを送り込み、質量分析計(Agilent社製、「5973N型」)にて分析を実施した。
カラムとしては、液相なしで長さ2.5m、直径0.15mm(Ultra Alloy DTM)のものを用いた。質量分析は質量範囲(m/Z)=17〜500までを検出範囲とした。各塩基性物質のマススペクトルで特徴的なイオン(ピリジン:m/Z=79、トリエチルアミン:m/Z=86、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)由来成分:m/Z=85、テトラエチルアンモニウムハイドライド(TEAH)由来成分:m/Z=86)の発生(揮発)開始温度を確認し、以下の評価基準にて塩基性物質の発生を評価した。
◎:140℃では、いずれのイオンの揮発も確認されない。
○:130℃以上、140℃未満の間で、いずれかのイオンの揮発が確認された。
△:120℃以上、130℃未満の間で、いずれかのイオンの揮発が確認された。
×:120℃未満で、いずれかのイオンの揮発が確認された。
<Analysis of volatile components>
(Evaluation of basic substances)
The basic substance was analyzed using the EGA-MS method.
Specifically, 1 mg of a sample was collected from a solid material obtained by drying the conductive resin composition at 40 ° C. for 2 hours with a vacuum dryer, and placed in a sample cup. Subsequently, it was introduced into a thermal decomposition apparatus (frontier lab, “PY-2010D”) in a helium atmosphere at a flow rate of 50 mL / min, and the temperature was increased from 50 ° C. to 200 ° C. at a temperature increase rate of 5 ° C./min. . The pyrolysis gas generated at this time was collected in an amount of 1/50 of the total amount. Then, the pyrolysis gas collected into a column of a 300 ° C. gas chromatograph (manufactured by Agilent, “6890 type GC”) using 1 mL / min of helium as a carrier gas is fed into a mass spectrometer (manufactured by Agilent, “ 5997N ")).
As the column, a column having a length of 2.5 m and a diameter of 0.15 mm (Ultra Alloy DTM) without a liquid phase was used. Mass spectrometry set the mass range (m / Z) = 17 to 500 as the detection range. Characteristic ions (pyridine: m / Z = 79, triethylamine: m / Z = 86, tetramethylammonium hydride (TMAH) -derived components: m / Z = 85, tetraethylammonium hydride (TEAH) in the mass spectrum of each basic substance ) Origin component: m / Z = 86) The generation (volatilization) start temperature was confirmed, and the occurrence of basic substances was evaluated according to the following evaluation criteria.
A: At 140 ° C., no volatilization of any ions is confirmed.
○: Volatilization of any ions was confirmed between 130 ° C. and 140 ° C.
(Triangle | delta): Volatilization of either ion was confirmed between 120 degreeC or more and less than 130 degreeC.
X: Volatilization of any ion was confirmed at less than 120 ° C.

(酸性物質の評価)
塩基性物質の評価と同様にして、EGA−MS法を用い、質量分析計にて酸性物質の分析を実施した。
質量分析は質量範囲(m/Z)=17〜500までを検出範囲とした。酸性物質のマススペクトルで特徴的なイオン(スルホン酸由来成分:m/Z=64)の発生(揮発)開始温度を確認し、以下の評価基準にて酸性物質の発生を評価した。
◎:140℃では、揮発が確認されない。
○:130℃以上、140℃未満の間で、揮発が確認された。
△:120℃以上、130℃未満の間で、揮発が確認された。
×:120℃未満で、揮発が確認された。
(Evaluation of acidic substances)
In the same manner as the evaluation of basic substances, acidic substances were analyzed with a mass spectrometer using the EGA-MS method.
Mass spectrometry set the mass range (m / Z) = 17 to 500 as the detection range. Generation (volatilization) start temperature of characteristic ions (sulfonic acid-derived component: m / Z = 64) was confirmed in the mass spectrum of the acidic substance, and the generation of the acidic substance was evaluated according to the following evaluation criteria.
A: Volatilization is not confirmed at 140 ° C.
○: Volatilization was confirmed between 130 ° C. and less than 140 ° C.
(Triangle | delta): Volatilization was confirmed between 120 degreeC or more and less than 130 degreeC.
X: Volatilization was confirmed at less than 120 ° C.

[実施例1]
<第一の工程>
2−アミノアニソール−4−スルホン酸1molを、4mol/L濃度のピリジンの水/アセトニトリル=3:7の溶液300mL(ピリジン0.36mol)に0℃で溶解し、モノマー溶液を得た。
別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム1molを、水/アセトニトリル=3:7の溶液1Lに溶解し、酸化剤溶液を得た。
ついで、酸化剤溶液を5℃に冷却しながら、モノマー溶液を滴下した。滴下終了後、25℃で12時間さらに攪拌して、導電性樹脂を得た。その後、得られた導電性樹脂を含む反応混合物を遠心濾過器にて濾別した。さらに、メタノールにて洗浄した後乾燥させ、粉末状の反応混合物(a−0)を185g得た。
得られた反応混合物(a−0)20gを、純水940gと2−プロパノール40gの混合溶媒に溶解させ、固形分濃度2質量%の反応混合物溶液(a−1)を1000g得た。
[Example 1]
<First step>
1 mol of 2-aminoanisole-4-sulfonic acid was dissolved in 300 mL of pyridine in water / acetonitrile = 3: 7 at a concentration of 4 mol / L (0.36 mol of pyridine) at 0 ° C. to obtain a monomer solution.
Separately, 1 mol of ammonium peroxodisulfate was dissolved in 1 L of a solution of water / acetonitrile = 3: 7 to obtain an oxidant solution.
Subsequently, the monomer solution was dropped while the oxidant solution was cooled to 5 ° C. After completion of dropping, the mixture was further stirred at 25 ° C. for 12 hours to obtain a conductive resin. Thereafter, the obtained reaction mixture containing the conductive resin was separated by a centrifugal filter. Furthermore, it was made to dry after wash | cleaning with methanol, and 185g of powdery reaction mixture (a-0) was obtained.
20 g of the obtained reaction mixture (a-0) was dissolved in a mixed solvent of 940 g of pure water and 40 g of 2-propanol to obtain 1000 g of a reaction mixture solution (a-1) having a solid content concentration of 2% by mass.

<第二の工程>
超純水により洗浄した陽イオン交換樹脂(オルガノ株式会社製、「アンバーライトIR−120H」)500mLをカラムに充填した。このカラムに、反応混合物溶液(a−1)800gを、50mL/分(SV=6)の速度で通過させて、塩基性物質が除去された反応混合物溶液(a−2)を700g得た。
なお、1スベルドラップ(SV)は 1×10/s(1GL/s)と定義される。
<Second step>
500 mL of a cation exchange resin (manufactured by Organo Corporation, “Amberlite IR-120H”) washed with ultrapure water was packed in a column. 800 g of the reaction mixture solution (a-1) was passed through this column at a rate of 50 mL / min (SV = 6) to obtain 700 g of the reaction mixture solution (a-2) from which the basic substance was removed.
One swedl lap (SV) is defined as 1 × 10 6 m 3 / s (1GL / s).

<第三の工程>
反応混合物溶液(a−2)100gを室温に保持し、攪拌しながらTMAHの10質量%水溶液を3.6g加え、導電性樹脂組成物(A−1)を得た。
<Third step>
While maintaining 100 g of the reaction mixture solution (a-2) at room temperature, 3.6 g of a 10% by mass aqueous solution of TMAH was added with stirring to obtain a conductive resin composition (A-1).

各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。
また、得られた導電性樹脂組成物(A−1)について、各種測定および評価を行った。結果を表2に示す。
Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step.
Moreover, various measurement and evaluation were performed about the obtained conductive resin composition (A-1). The results are shown in Table 2.

[実施例2]
第三の工程において、TMAHの10質量%水溶液の添加量を5.4gに変更した以外は、実施例1と同様にして導電性樹脂組成物(A−2)を調製し、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Example 2]
In the third step, a conductive resin composition (A-2) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of the 10% by mass aqueous solution of TMAH was changed to 5.4 g, and various measurements and evaluations were made. Went. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[実施例3]
第三の工程において、TMAHの10質量%水溶液の代わりに、TEAHの10質量%水溶液を5.8g加えた以外は、実施例1と同様にして導電性樹脂組成物(A−3)を調製し、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Example 3]
In the third step, a conductive resin composition (A-3) was prepared in the same manner as in Example 1, except that 5.8 g of a 10% by weight aqueous solution of TEAH was added instead of the 10% by weight aqueous solution of TMAH. Various measurements and evaluations were performed. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[実施例4]
第三の工程において、TMAHの10質量%水溶液の代わりに、TEAHの10質量%水溶液を8.7g加えた以外は、実施例1と同様にして導電性樹脂組成物(A−4)を調製し、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Example 4]
In the third step, a conductive resin composition (A-4) was prepared in the same manner as in Example 1 except that 8.7 g of a 10% by mass aqueous solution of TEAH was added instead of the 10% by mass aqueous solution of TMAH. Various measurements and evaluations were performed. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[実施例5]
第三の工程において、TMAHの10質量%水溶液の代わりに、TEAHの10質量%水溶液を9.0g加えた以外は、実施例1と同様にして導電性樹脂組成物(A−5)を調製し、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Example 5]
In the third step, a conductive resin composition (A-5) was prepared in the same manner as in Example 1 except that 9.0 g of a 10% by mass aqueous solution of TEAH was added instead of the 10% by mass aqueous solution of TMAH. Various measurements and evaluations were performed. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[実施例6]
第三の工程において、TMAHの10質量%水溶液の代わりに、TEAHの10質量%水溶液を9.7g加えた以外は、実施例1と同様にして導電性樹脂組成物(A−6)を調製し、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Example 6]
In the third step, a conductive resin composition (A-6) was prepared in the same manner as in Example 1 except that 9.7 g of a 10% by mass aqueous solution of TEAH was added instead of the 10% by mass aqueous solution of TMAH. Various measurements and evaluations were performed. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[実施例7]
<第一の工程>
塩基性反応助剤として、4mol/L濃度のピリジンの代わりに、4mol/L濃度のトリエチルアミンを用いた以外は、実施例1の第一の工程と同様にして粉末状の反応混合物(b−0)を185g得た。
得られた反応混合物(b−0)20gを、純水940gと2−プロパノール40gの混合溶媒に溶解させ、固形分濃度2質量%の反応混合物溶液(b−1)を1000g得た。
[Example 7]
<First step>
A powdery reaction mixture (b-0) was prepared in the same manner as in the first step of Example 1, except that 4 mol / L concentration of triethylamine was used as a basic reaction aid instead of 4 mol / L concentration of pyridine. ) Was obtained.
20 g of the obtained reaction mixture (b-0) was dissolved in a mixed solvent of 940 g of pure water and 40 g of 2-propanol to obtain 1000 g of a reaction mixture solution (b-1) having a solid content concentration of 2% by mass.

<第二の工程>
反応混合物溶液(a−1)の代わりに、反応混合物溶液(b−1)を800g用いた以外は、実施例1の第二の工程と同様にして塩基性物質が除去された反応混合物溶液(b−2)を700g得た。
<Second step>
Instead of the reaction mixture solution (a-1), except that 800 g of the reaction mixture solution (b-1) was used, the reaction mixture solution (in which the basic substance was removed in the same manner as in the second step of Example 1) ( 700 g of b-2) was obtained.

<第三の工程>
反応混合物溶液(a−2)の代わりに、反応混合物溶液(b−2)を100g用い、TMAHの10質量%水溶液の添加量を5.4gに変更した以外は、実施例1の第三の工程と同様にして導電性樹脂組成物(B−1)を調製し、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
<Third step>
Instead of the reaction mixture solution (a-2), 100 g of the reaction mixture solution (b-2) was used, and the addition amount of the 10% by mass aqueous solution of TMAH was changed to 5.4 g. A conductive resin composition (B-1) was prepared in the same manner as in the steps, and various measurements and evaluations were performed. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[実施例8]
実施例7の第一の工程と同様にして、反応混合物(b−0)を185g得た。
ついで、第二の工程において、反応混合物(b−0)15gを、1mol/L濃度のp−トルエンスルホン酸のアセトン溶液中で1時間攪拌した後、濾別した。さらに、メタノールにて洗浄した後乾燥させ、塩基性物質が除去された粉末状の反応混合物(b−2−1)を14g得た。
得られた反応混合物(b−2−1)2gを、純水98gに室温で溶解させ、固形分濃度2質量%の反応混合物溶液(b−2−2)を100g得た。
ついで、第三の工程において、反応混合物溶液(a−2)の代わりに、反応混合物溶液(b−2−2)を100g用い、TMAHの10質量%水溶液の添加量を5.4gに変更した以外は、実施例1の第三の工程と同様にして導電性樹脂組成物(B−2)を調製し、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Example 8]
In the same manner as in the first step of Example 7, 185 g of a reaction mixture (b-0) was obtained.
Subsequently, in the second step, 15 g of the reaction mixture (b-0) was stirred in an acetone solution of 1 mol / L p-toluenesulfonic acid for 1 hour and then filtered off. Furthermore, it was made to dry after wash | cleaning with methanol, and 14g of powdery reaction mixtures (b-2-1) from which the basic substance was removed were obtained.
2 g of the obtained reaction mixture (b-2-1) was dissolved in 98 g of pure water at room temperature to obtain 100 g of a reaction mixture solution (b-2-2) having a solid content concentration of 2% by mass.
Next, in the third step, 100 g of the reaction mixture solution (b-2-2) was used instead of the reaction mixture solution (a-2), and the addition amount of the 10% by mass aqueous solution of TMAH was changed to 5.4 g. Except for the above, a conductive resin composition (B-2) was prepared in the same manner as in the third step of Example 1, and various measurements and evaluations were performed. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[比較例1]
実施例1で得られた反応混合物溶液(a−1)を導電性樹脂組成物とし、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Comparative Example 1]
Various measurements and evaluations were performed using the reaction mixture solution (a-1) obtained in Example 1 as a conductive resin composition. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[比較例2]
実施例7で得られた反応混合物溶液(b−1)を導電性樹脂組成物とし、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Comparative Example 2]
Various measurements and evaluations were performed using the reaction mixture solution (b-1) obtained in Example 7 as a conductive resin composition. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[比較例3]
実施例1で得られた反応混合物溶液(a−2)を導電性樹脂組成物とし、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Comparative Example 3]
Various measurements and evaluations were performed using the reaction mixture solution (a-2) obtained in Example 1 as a conductive resin composition. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[比較例4]
実施例7で得られた反応混合物溶液(b−2)を導電性樹脂組成物とし、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Comparative Example 4]
Various measurements and evaluations were performed using the reaction mixture solution (b-2) obtained in Example 7 as a conductive resin composition. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[比較例5]
実施例8で得られた反応混合物溶液(b−2−2)を導電性樹脂組成物とし、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Comparative Example 5]
Various measurements and evaluations were performed using the reaction mixture solution (b-2-2) obtained in Example 8 as a conductive resin composition. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

[比較例6]
実施例7の第一の工程と同様にして、反応混合物溶液(b−1)を1000g得た。
ついで、第二の工程は実施せず、第三の工程において、反応混合物溶液(a−2)の代わりに、反応混合物溶液(b−1)を100g用い、TMAHの10質量%水溶液の添加量を5.4gに変更した以外は、実施例1の第三の工程と同様にして導電性樹脂組成物(B−3)を調製し、各種測定および評価を行った。各工程で得られた反応混合物、反応混合物溶液、および導電性樹脂組成物の種類を表1に示す。また、各種測定および評価結果を表2に示す。
[Comparative Example 6]
In the same manner as in the first step of Example 7, 1000 g of a reaction mixture solution (b-1) was obtained.
Next, the second step is not carried out. In the third step, 100 g of the reaction mixture solution (b-1) is used instead of the reaction mixture solution (a-2), and the addition amount of a 10% by mass aqueous solution of TMAH. The conductive resin composition (B-3) was prepared in the same manner as in the third step of Example 1 except that the value was changed to 5.4 g, and various measurements and evaluations were performed. Table 1 shows types of the reaction mixture, reaction mixture solution, and conductive resin composition obtained in each step. Various measurements and evaluation results are shown in Table 2.

Figure 2011219680
Figure 2011219680

Figure 2011219680
Figure 2011219680

表2から明らかなように、第一の工程と、第二の工程と、第三の工程とを経て得られた各実施例の導電性樹脂組成物は、加熱したときに120℃付近において塩基性物質および酸性物質の揮発が抑制された。特に、第二の工程における塩基性物質の除去方法としてイオン交換法を用いた実施例1〜7の場合、130℃未満では塩基性物質が揮発しなかった。
従って、各実施例で得られた導電性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法の場合、PEB処理時における微量な酸性物質や塩基性物質のレジスト側への移行が抑制されることから、感度変動が少なく良好なパターン形状を形成できることが示された。各実施例の結果から、特に、pHが2.5〜6.0である導電性樹脂組成物が好適であると言える。
また、当該導電性樹脂組成物は、その他各種電子デバイス用途等にも適用の可能が広がる。
As is clear from Table 2, the conductive resin composition of each Example obtained through the first step, the second step, and the third step was a base at around 120 ° C. when heated. Volatilization of acidic substances and acidic substances was suppressed. In particular, in Examples 1 to 7 using the ion exchange method as the method for removing the basic substance in the second step, the basic substance was not volatilized at a temperature lower than 130 ° C.
Therefore, the conductive resin composition obtained in each example is applied to the resist side of a very small amount of acidic substance or basic substance during PEB treatment, particularly in the case of a pattern formation method using a charged particle beam using a chemically amplified resist. From this, it was shown that a good pattern shape can be formed with little sensitivity fluctuation. From the results of each Example, it can be said that a conductive resin composition having a pH of 2.5 to 6.0 is particularly suitable.
In addition, the conductive resin composition can be applied to various other electronic device applications.

一方、第二の工程および第三の工程を行わずに得られた比較例1、2の導電性樹脂組成物は、加熱したときに120℃未満で塩基性物質および酸性物質が揮発した。
第三の工程を行わずに得られた比較例3〜5の導電性樹脂組成物は、第二の工程で塩基性物質を除去したので、加熱したときに120℃付近における塩基性物質の揮発は抑制できたものの、120℃未満で酸性物質が揮発した。
第二の工程を行わずに得られた比較例6の導電性樹脂組成物は、第三の工程で塩基性添加剤を加えたので、加熱したときに140℃での酸性物質の揮発は抑制できたものの、120℃未満で塩基性物質が揮発した。
従って、各比較例で得られた導電性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法の場合、PEB処理時において微量な酸性物質や塩基性物質がレジスト側へ移行しやすく、感度が変動したり、パターン形状が変化したりしやすいことが示された。
On the other hand, in the conductive resin compositions of Comparative Examples 1 and 2 obtained without performing the second step and the third step, the basic substance and the acidic substance were volatilized at a temperature lower than 120 ° C. when heated.
In the conductive resin compositions of Comparative Examples 3 to 5 obtained without performing the third step, the basic material was removed in the second step. Therefore, the basic material volatilized at around 120 ° C. when heated. Was suppressed, but the acidic substance volatilized below 120 ° C.
In the conductive resin composition of Comparative Example 6 obtained without performing the second step, the basic additive was added in the third step, so that the volatilization of the acidic substance at 140 ° C. was suppressed when heated. Although it was made, the basic substance volatilized below 120 ° C.
Therefore, the conductive resin compositions obtained in the respective comparative examples are such that, in the case of a pattern formation method using a charged particle beam using a chemically amplified resist, a small amount of acidic substance or basic substance is transferred to the resist side during PEB treatment. It was shown that it was easy to shift, the sensitivity was likely to change, and the pattern shape was likely to change.

Claims (5)

塩基性反応助剤の存在下、酸性基置換アニリンを酸化剤により重合させて導電性樹脂を得る第一の工程と、得られた導電性樹脂を含む反応混合物から塩基性物質を除去する第二の工程と、反応混合物に塩基性添加剤をさらに加える第三の工程とを含む導電性樹脂組成物の製造方法。   A first step of polymerizing acidic group-substituted aniline with an oxidizing agent in the presence of a basic reaction aid to obtain a conductive resin, and a second step of removing the basic substance from the reaction mixture containing the obtained conductive resin. And a third step of adding a basic additive to the reaction mixture, and a method for producing a conductive resin composition. 前記塩基性物質の除去が、イオン交換法による請求項1に記載の導電性樹脂組成物の製造方法。   The method for producing a conductive resin composition according to claim 1, wherein the basic substance is removed by an ion exchange method. 前記塩基性添加剤が、第4級アンモニウム塩である請求項1または2に記載の導電性樹脂組成物の製造方法。   The method for producing a conductive resin composition according to claim 1, wherein the basic additive is a quaternary ammonium salt. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の導電性樹脂組成物の製造方法より得られた導電性樹脂組成物。   The conductive resin composition obtained from the manufacturing method of the conductive resin composition as described in any one of Claims 1-3. 25℃におけるpHが2.5〜6.0である請求項4に記載の導電性樹脂組成物。   The conductive resin composition according to claim 4, which has a pH at 2.5 ° C. of 2.5 to 6.0.
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