JP2011202865A

JP2011202865A - Substrate treatment device

Info

Publication number: JP2011202865A
Application number: JP2010069895A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Murata; 等村田; Tetsuya Kosugi; 哲也小杉; Shinobu Sugiura; 忍杉浦
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2010-03-25
Filing date: 2010-03-25
Publication date: 2011-10-13

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the shape capable of suppressing disconnection and the like of a heating element, and further suppressing deformation of a holding body due to self weight and the like of the heating element.SOLUTION: This substrate treatment device includes a treatment chamber disposed in a heating chamber for treating a substrate, and a heating device for heating the inside of the heating chamber. The heating device includes the heating element 42 configured so that a plurality of peak sections 42a and trough sections 42b are lined respectively at upper and lower ends and its both ends are fixed, a heat insulator 33 configuring a part of the heating chamber and disposed on an outer periphery of the heating element 42, and a holding body 41 fixed to the heat insulator 33 and holding the heating element 42, at least a part of the peak sections 42a of the heating element 42 is bent to a heat insulator 33 side, and the heat insulator 33 includes a projecting section 51 projecting toward a heating element 42 side at a part opposing to the trough sections 42a of the heating element 42 and supporting the holding body 41.

Description

本発明は、加熱装置、基板を処理する基板処理装置、及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a heating apparatus, a substrate processing apparatus for processing a substrate, and a method for manufacturing a semiconductor device.

ＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法の一工程として、シリコンウエハ等の基板を加熱して処理する基板処理工程が実施されている。係る工程は、加熱室内に設けられ、基板を処理する処理室と、前記加熱室内を加熱する加熱装置と、を備えた基板処理装置により実施されている。前記加熱装置は、上下端のそれぞれに山部と谷部とが交互に複数連なることで蛇行状に形成され、両端が固定される環状の発熱体と、前記加熱室の一部を構成し、前記発熱体の外周に設けられる断熱体と、前記断熱体に固定され、前記発熱体を保持する保持体と、を備えていた（例えば特許文献１参照）。 As one step of a method for manufacturing a semiconductor device such as a DRAM, a substrate processing step of heating and processing a substrate such as a silicon wafer is performed. Such a process is performed by a substrate processing apparatus provided in a heating chamber and including a processing chamber for processing a substrate and a heating device for heating the heating chamber. The heating device is formed in a meandering shape by alternately connecting a plurality of crests and troughs to each of the upper and lower ends, and constitutes a part of the heating chamber, an annular heating element in which both ends are fixed, A heat insulator provided on the outer periphery of the heat generator, and a holding body that is fixed to the heat insulator and holds the heat generator (see, for example, Patent Document 1).

特開２００７−８８３２５号公報JP 2007-88325 A

しかしながら、上述の構成では、昇温に伴い環状の発熱体の直径が広がるように熱膨張（すなわち、発熱体の外周が延長するように熱膨張）すると、発熱体に応力が加わり、発熱体が変形して断線等する恐れが生じる。 However, in the above-described configuration, when the thermal expansion is performed so that the diameter of the annular heating element increases as the temperature rises (that is, thermal expansion so that the outer periphery of the heating element extends), stress is applied to the heating element, There is a risk of deformation and disconnection.

そこで、発熱体の少なくとも山部の一部を断熱体側に折り曲げるように構成して発熱体の強度を高めることが考えられる。この構成により、発熱体の変形を抑制して発熱体が断線等することを抑制することができる。 Therefore, it is conceivable to increase the strength of the heat generating element by bending at least a part of the peak of the heat generating element toward the heat insulating body. With this configuration, it is possible to suppress the heat generating element from being disconnected by suppressing the deformation of the heat generating element.

しかしながら、発熱体の少なくとも山部の一部を断熱体側に折り曲げると、その分発熱体と断熱体との距離が長くなる。これに伴い、発熱体を保持する保持体を長く構成すると、発熱体の自重等により保持体が変形してしまう恐れが生じる。 However, if at least a part of the peak portion of the heat generating element is bent toward the heat insulating body, the distance between the heat generating element and the heat insulating element increases accordingly. Along with this, if the holding body that holds the heating element is configured to be long, the holding body may be deformed due to its own weight or the like.

本発明は、発熱体の断線等を抑制し、発熱体の自重等による保持体の変形を抑制することが可能な加熱装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a heating apparatus, a substrate processing apparatus, and a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing disconnection of the heating element and the like, and suppressing deformation of the holding body due to the weight of the heating element. To do.

本発明の第１の態様によれば、加熱室内に設けられ、基板を処理する処理室と、前記加熱室内を加熱する加熱装置と、を有し、前記加熱装置は、上下端のそれぞれに山部と谷部とが複数連なるように形成され、両端が固定される発熱体と、前記発熱体の外周に設けられる断熱体と、前記断熱体に固定され、前記発熱体を保持する保持体と、を備え、前記発熱体の前記山部の少なくとも一部が前記断熱体側に折り曲げられ、前記断熱体は、前記発熱体の前記谷部に相対する部分が前記発熱体側に向って突き出され、前記保持体を支持する突出部を備える基板処理装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a processing chamber provided in a heating chamber for processing a substrate and a heating device for heating the heating chamber, and the heating device has a mountain on each of upper and lower ends. A heating element that is formed so that a plurality of portions and troughs are continuous, and both ends are fixed, a heat insulating body that is provided on an outer periphery of the heating element, and a holding body that is fixed to the heat insulating body and holds the heating element Wherein at least a part of the peak portion of the heat generating body is bent toward the heat insulating body, and the heat insulating body is protruded toward the heat generating body with a portion facing the valley portion of the heat generating body, There is provided a substrate processing apparatus including a protruding portion that supports a holding body.

本発明の第２の態様によれば、加熱室内を加熱する加熱装置であって、上下端のそれぞれに山部と谷部とが複数連なるように形成され、両端が固定される発熱体と、前記発熱体の外周に設けられる断熱体と、前記断熱体に固定され、前記発熱体を保持する保持体と、
を備え、前記発熱体の前記山部の少なくとも一部が前記断熱体側に折り曲げられ、前記断熱体は、前記発熱体の前記谷部に相対する部分が前記発熱体側に向って突き出され、前記保持体を支持する突出部を備える加熱装置が提供される。 According to the second aspect of the present invention, a heating device for heating a heating chamber, wherein a heating element is formed so that a plurality of ridges and valleys are connected to each of upper and lower ends, and both ends are fixed; A heat insulator provided on an outer periphery of the heat generator, a holding body fixed to the heat insulator and holding the heat generator,
At least a part of the peak portion of the heat generating body is bent toward the heat insulating body, and the heat insulating body protrudes toward the heat generating body side at a portion facing the valley portion of the heat generating body A heating device is provided that includes a protrusion that supports the body.

本発明の第３の態様によれば、加熱室内に設けられる処理室内に基板を搬入する工程と、上下端のそれぞれに山部と谷部とが複数連なるように形成され、両端が固定される発熱体と、前記発熱体の外周に設けられる断熱体と、前記断熱体に固定され、前記発熱体を保持する保持体と、を備え、前記発熱体の前記山部の少なくとも一部が前記断熱体側に折り曲げられ、前記断熱体は、前記発熱体の前記谷部に相対する部分が前記発熱体側に向って突き出され、前記保持体を支持する突出部を備える加熱装置により前記加熱室内を加熱し、前記処理室内の前記基板を加熱処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 According to the third aspect of the present invention, the step of carrying the substrate into the processing chamber provided in the heating chamber, and a plurality of peaks and valleys are formed in each of the upper and lower ends, and both ends are fixed. A heat generating body, a heat insulating body provided on an outer periphery of the heat generating body, and a holding body that is fixed to the heat insulating body and holds the heat generating body, wherein at least a part of the mountain portion of the heat generating body is the heat insulating member. The heat insulator is heated in the heating chamber by a heating device including a protruding portion that supports the holding body, and a portion of the heat generating body that protrudes toward the heat generating body is protruded toward the heat generating body. And a step of heat-treating the substrate in the processing chamber.

本発明に係る加熱装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法によれば、発熱体の断線等を抑制し、発熱体の自重等による保持体の変形を抑制できる。 According to the heating device, the substrate processing apparatus, and the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, it is possible to suppress disconnection of the heating element and the like, and to suppress deformation of the holding body due to the weight of the heating element.

本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の垂直断面図である。1 is a vertical sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係るヒータユニットの斜視図である。It is a perspective view of the heater unit which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係るヒータユニットの部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the heater unit which concerns on the 1st Embodiment of this invention. （ａ）は本発明の第１の実施形態に係る環状部を構成する線状材料を例示する概略図であり、（ｂ）は該環状部を構成する板状材料を例示する概略図である。(A) is schematic which illustrates the linear material which comprises the cyclic | annular part which concerns on the 1st Embodiment of this invention, (b) is schematic which illustrates the plate-shaped material which comprises this cyclic | annular part . （ａ）は本発明の第１の実施形態に係る環状部及び保持体の部分拡大図であり、（ｂ）は拡大部分の側面図である。(A) is the elements on larger scale of the cyclic | annular part and holding body which concern on the 1st Embodiment of this invention, (b) is a side view of an enlarged part. 本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の垂直断面図である。It is a vertical sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第２の実施形態に係る環状部及び保持体の部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the annular part and holding body which concern on the 2nd Embodiment of this invention. 図７の状態から熱膨張した環状部及び保持体の部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the cyclic | annular part thermally expanded from the state of FIG. 7, and a holding body. （ａ）は、突出部を形成していない断熱体（側壁部）に固定されている保持体及びこの保持体により保持される環状部の部分拡大図であり、（ｂ）は拡大部分の側面図である。(A) is the elements on larger scale of the holding | maintenance body currently fixed to the heat insulating body (side wall part) which does not form the protrusion part, and the cyclic | annular part hold | maintained by this holding body, (b) is a side surface of an expansion part. FIG. （ａ）は、図９（ａ）の状態から保持体が環状部の自重により変形した際の保持体及びこの保持体により保持される環状部の部分拡大図であり、（ｂ）は拡大部分の側面図である。FIG. 9A is a partial enlarged view of the holding body and the annular portion held by the holding body when the holding body is deformed by the dead weight of the annular part from the state of FIG. 9A, and FIG. FIG.

＜第１の実施形態＞
以下に本発明の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明する。 <First Embodiment>
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の垂直断面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係るヒータユニット３０の斜視図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係るヒータユニット３０の部分拡大図である。図４（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る環状部４２Ｒを構成する線状材料を例示する概略図であり、図４（ｂ）は環状部４２Ｒを構成する板状材料を例示する概略図である。図５（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る環状部４２Ｒの部分拡大図であり、図５（ｂ）は拡大部分の側面図である。 FIG. 1 is a vertical sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of the heater unit 30 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a partially enlarged view of the heater unit 30 according to the first embodiment of the present invention. 4A is a schematic view illustrating a linear material constituting the annular portion 42R according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B illustrates a plate-like material constituting the annular portion 42R. FIG. FIG. 5A is a partially enlarged view of the annular portion 42R according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a side view of the enlarged portion.

（１）基板処理装置の構成 (1) Configuration of substrate processing apparatus

以下、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の構成について説明する。本実施形
態に係る基板処理装置は、図１に例示するようにバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ（ＣｈａｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置として構成されている。 Hereinafter, the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described. The substrate processing apparatus according to the present embodiment is configured as a batch type vertical hot wall type low pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus as illustrated in FIG.

本実施形態に係る基板処理装置は、垂直に支持された縦形のプロセスチューブ１１を備えている。プロセスチューブ１１は、アウタチューブ１２とインナチューブ１３とを備えている。アウタチューブ１３及びインナチューブ１３は、例えば石英（ＳｉＯ_２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い材料によってそれぞれ一体成形されている。アウタチューブ１２は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ１３は、上下両端が開口した円筒形状に形成されている。アウタチューブ１２の内径は、インナチューブ１３の外径よりも大きく構成されている。アウタチューブ１２は、インナチューブ１３の外側を取り囲むように、インナチューブ１３に対して同心円状に設けられている。インナチューブ１３内には、基板保持具としてのボート２２によって水平姿勢で多段に積層されたウエハ１を収納して処理する処理室１４が形成されている。インナチューブ１３の下端開口は、ボート２２を出し入れするための炉口１５を構成している。 The substrate processing apparatus according to this embodiment includes a vertical process tube 11 that is vertically supported. The process tube 11 includes an outer tube 12 and an inner tube 13. The outer tube 13 and the inner tube 13 are each integrally formed of a material having high heat resistance such as quartz (SiO ₂ ) or silicon carbide (SiC). The outer tube 12 is formed in a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. The inner tube 13 is formed in a cylindrical shape with both upper and lower ends opened. The inner diameter of the outer tube 12 is configured to be larger than the outer diameter of the inner tube 13. The outer tube 12 is provided concentrically with the inner tube 13 so as to surround the outer side of the inner tube 13. In the inner tube 13, a processing chamber 14 is formed for storing and processing the wafers 1 stacked in multiple stages in a horizontal posture by a boat 22 as a substrate holder. The lower end opening of the inner tube 13 constitutes a furnace port 15 for taking in and out the boat 22.

アウタチューブ１２とインナチューブ１３との間の下端部は、円形リング形状に形成されたマニホールド１６によってそれぞれ気密に封止されている。マニホールド１６は、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）により形成される。マニホールド１６は、インナチューブ１３およびアウタチューブ１２についての交換等のために、インナチューブ１３およびアウタチューブ１２にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド１６がヒータベース１９により水平姿勢で支持されることで、プロセスチューブ１１は垂直に据え付けられた状態になっている。 Lower ends between the outer tube 12 and the inner tube 13 are hermetically sealed by a manifold 16 formed in a circular ring shape. The manifold 16 is made of, for example, stainless steel (SUS). The manifold 16 is detachably attached to the inner tube 13 and the outer tube 12 for replacement of the inner tube 13 and the outer tube 12, respectively. Since the manifold 16 is supported in a horizontal posture by the heater base 19, the process tube 11 is installed vertically.

マニホールド１６の側壁には、排気管１７の上流端が接続されている。排気管１７内は、インナチューブ１３とアウタチューブ１３との間に円筒形状の中空体（隙間）として形成された排気路１８内に連通している。排気路１８の横断面形状は、例えば一定幅の円形リング形状になっている。排気管１７は、円筒形状の中空体である排気路１８の最下端部に接続された状態になっている。排気管１７には、上流から順に、圧力センサ１７ａ、圧力調整バルブとしてのＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ１７ｂ、真空排気装置１７ｃが設けられている。真空排気装置を作動させつつ、圧力センサにより検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブの開度を制御することで、処理室１４内の圧力が所定の圧力（真空度）とすることが可能なように構成されている。主に排気管１７、圧力センサ１７ａ、ＡＰＣバルブ１７ｂ、真空排気装置１７ｃにより、処理室１４内の雰囲気を排気する排気ラインが構成されている。圧力センサ１７ａ、ＡＰＣバルブ１７ｂ、真空排気装置１７ｃは、制御部としてのコントローラ２８０に接続されている。コントローラ２８０は、圧力センサ１７ａにより検出された圧力情報に基づいて、ＡＰＣバルブ１７ｂの弁開度を制御することで、処理室１４内の圧力を所定の処理圧力とすることが可能なように構成されている。 An upstream end of the exhaust pipe 17 is connected to the side wall of the manifold 16. The exhaust pipe 17 communicates with an exhaust path 18 formed as a cylindrical hollow body (gap) between the inner tube 13 and the outer tube 13. The cross-sectional shape of the exhaust path 18 is, for example, a circular ring shape with a constant width. The exhaust pipe 17 is in a state of being connected to the lowermost end portion of the exhaust path 18 which is a cylindrical hollow body. The exhaust pipe 17 is provided with a pressure sensor 17a, an APC (Auto Pressure Controller) valve 17b as a pressure adjusting valve, and a vacuum exhaust device 17c in order from the upstream. By controlling the opening degree of the APC valve based on the pressure detected by the pressure sensor while operating the vacuum exhaust device, the pressure in the processing chamber 14 can be set to a predetermined pressure (degree of vacuum). It is configured. An exhaust line for exhausting the atmosphere in the processing chamber 14 is mainly configured by the exhaust pipe 17, the pressure sensor 17a, the APC valve 17b, and the vacuum exhaust device 17c. The pressure sensor 17a, the APC valve 17b, and the vacuum exhaust device 17c are connected to a controller 280 as a control unit. The controller 280 is configured to control the valve opening degree of the APC valve 17b based on the pressure information detected by the pressure sensor 17a so that the pressure in the processing chamber 14 can be set to a predetermined processing pressure. Has been.

マニホールド１６には、マニホールド１６の下端開口を閉塞する円盤形状のシールキャップ２０が、垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２０の外径は、アウタチューブ１２、マニホールド１６の外径と略等しく構成されている。シールキャップ２０は、プロセスチューブ１１の外部に設備されたボートエレベータ２１（一部のみが図示されている。）によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２０の下方には回転機構２５が設けられている。回転機構２５の回転軸はシールキャップ２０を垂直に貫通している。回転機構２５の回転軸上には、上述のボート２２が垂直に立脚されて支持されている。上述したように、ボート２２は、複数枚のウエハ１を水平姿勢かつ互いに中心を揃えた状態で多段に積層させて保持するように構成されている。回転機構２５を作動させることで、処理室１４内でボート２２を回転させることが可能な
ように構成されている。 A disk-shaped seal cap 20 that closes the lower end opening of the manifold 16 is brought into contact with the manifold 16 from the lower side in the vertical direction. The outer diameter of the seal cap 20 is substantially equal to the outer diameter of the outer tube 12 and the manifold 16. The seal cap 20 is configured to be raised and lowered in the vertical direction by a boat elevator 21 (only a part of which is shown) provided outside the process tube 11. A rotation mechanism 25 is provided below the seal cap 20. The rotating shaft of the rotating mechanism 25 passes through the seal cap 20 vertically. On the rotating shaft of the rotating mechanism 25, the above-described boat 22 is vertically supported and supported. As described above, the boat 22 is configured to hold a plurality of wafers 1 stacked in multiple stages in a horizontal posture with the centers aligned. The boat 22 can be rotated in the processing chamber 14 by operating the rotating mechanism 25.

シールキャップ２０には、ガス導入管２３が垂直方向に接続されている。ガス導入管２３の上流側端（下端）には、原料ガス供給装置２３ａおよびキャリアガス供給装置２３ｂがそれぞれ接続されている。ガス導入管２３の下流側端（上端）は、処理室１４内に向けてガスを供給（噴出）するように構成されている。ガス導入管２３から処理室１４内（インナチューブ１３内）に供給されたガスは、処理室１４内に保持された各ウエハ１の表面を流通した後、インナチューブ１３の上端開口から排気路１８内に流出して排気管１７から排気される。主に、ガス導入管２３、原料ガス供給装置２３ａ、キャリアガス供給装置２３ｂにより、処理室１４内にガスを供給するガス供給ラインが構成されている。原料ガス供給装置２３ａ、キャリアガス供給装置２３ｂは、コントローラ２８０に接続されている。コントローラ２８０は、原料ガス供給装置２３ａおよびキャリアガス供給装置２３ｂを制御することで、処理室１４内へ所定のタイミングで所定の流量の原料ガス及びキャリアガスを供給することが可能なように構成されている。 A gas introduction pipe 23 is connected to the seal cap 20 in the vertical direction. A source gas supply device 23 a and a carrier gas supply device 23 b are connected to the upstream side end (lower end) of the gas introduction pipe 23. The downstream end (upper end) of the gas introduction pipe 23 is configured to supply (spout) gas into the processing chamber 14. The gas supplied from the gas introduction pipe 23 into the processing chamber 14 (inner tube 13) flows through the surface of each wafer 1 held in the processing chamber 14, and then is exhausted from the upper end opening of the inner tube 13. It flows out into the exhaust pipe 17 and is exhausted from the exhaust pipe 17. A gas supply line for supplying gas into the processing chamber 14 is mainly configured by the gas introduction pipe 23, the raw material gas supply device 23a, and the carrier gas supply device 23b. The source gas supply device 23 a and the carrier gas supply device 23 b are connected to the controller 280. The controller 280 is configured to control the source gas supply device 23a and the carrier gas supply device 23b so as to supply the source gas and the carrier gas at a predetermined flow rate into the processing chamber 14 at a predetermined timing. ing.

また、アウタチューブ１２とインナチューブ１３との間の隙間には、温度センサ２４が鉛直方向に配設されている。温度センサ２４は、コントローラ２８０に接続されている。コントローラ２８０は、温度センサ２４により検出された温度情報に基づいて、後述するヒータユニット３０が備える各発熱体４２への通電具合（一対の給電部４５，４６による電力供給）を制御することで、処理室１４内に保持されているウエハ１の表面温度を所定の処理温度とすることが可能ように構成されている。 A temperature sensor 24 is disposed in the vertical direction in the gap between the outer tube 12 and the inner tube 13. The temperature sensor 24 is connected to the controller 280. Based on the temperature information detected by the temperature sensor 24, the controller 280 controls the energization state (power supply by the pair of power supply units 45 and 46) to each heating element 42 included in the heater unit 30 described later. The surface temperature of the wafer 1 held in the processing chamber 14 is configured to be a predetermined processing temperature.

（２）ヒータユニットの構成
アウタチューブ１２の外部には、プロセスチューブ１１の内部を加熱する加熱装置としてのヒータユニット３０が、アウタチューブ１２の周囲を囲うように設けられている。ヒータユニット３０は、ケース３１と、発熱体４２と、断熱体３３と、保持体４１と、を備えている。 (2) Configuration of Heater Unit A heater unit 30 as a heating device for heating the inside of the process tube 11 is provided outside the outer tube 12 so as to surround the outer tube 12. The heater unit 30 includes a case 31, a heating element 42, a heat insulating body 33, and a holding body 41.

ケース３１は、断熱体３３の外周を囲うように設けられている。ケース３１は、例えば上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。ケース３１は、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）により形成されている。断熱体３３の外周面とケース３１の内周面との間の隙間３２は、空冷のための空間として機能する。なお、天井壁部３４およびケース３１の天井壁を貫通する排気口を設け、断熱体３３とアウタチューブ１２との間の雰囲気を強制空冷させるように構成してもよい。 The case 31 is provided so as to surround the outer periphery of the heat insulator 33. The case 31 is formed in, for example, a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. The case 31 is made of, for example, stainless steel (SUS). A gap 32 between the outer peripheral surface of the heat insulator 33 and the inner peripheral surface of the case 31 functions as a space for air cooling. In addition, you may comprise so that the exhaust port which penetrates the ceiling wall part 34 and the ceiling wall of case 31 may be provided, and the atmosphere between the heat insulating body 33 and the outer tube 12 may be forced-air-cooled.

発熱体４２は、アウタチューブ１２の周囲を囲うように、鉛直方向に少なくとも１つ以上設けられている。図２、図３に示すように、発熱体４２は、環状部４２Ｒと、一対の給電部４５，４６と、をそれぞれ備えている。環状部４２Ｒは、アウタチューブ１２の外周を囲うように環状に構成されている。環状部４２Ｒの両端部は、接触することなく近接して固定されており、電気的には非接触の状態となっている。すなわち、環状部４２Ｒは、電気的には完全な円形ではなく、例えばＣ字状のリング形状に構成されている。環状部４２Ｒを構成する材料としては、例えばＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、ＭｏＳｉ_２、ＳｉＣ等の抵抗発熱材料を用いることが可能であり、その形状は、図４（ａ）に示すような線状材料であっても良く、図４（ｂ）に示すような板状材料であっても良い。なお、図４（ｂ）に示す板状材料は、図４（ａ）に示す線状材料に比べ、断面積に対して表面積が大きいので、熱の輻射効率が良く、急速な昇降温に有効である。 At least one heating element 42 is provided in the vertical direction so as to surround the outer tube 12. As shown in FIGS. 2 and 3, the heating element 42 includes an annular portion 42 R and a pair of power feeding portions 45 and 46. The annular portion 42 R is configured in an annular shape so as to surround the outer periphery of the outer tube 12. Both end portions of the annular portion 42R are fixed in close proximity without being in contact with each other, and are in an electrically non-contact state. That is, the annular portion 42R is not electrically completely circular but is configured in a C-shaped ring shape, for example. As a material constituting the annular portion 42R, for example, a resistance heating material such as Fe—Cr—Al alloy, MoSi ₂ , SiC or the like can be used, and the shape thereof is a linear shape as shown in FIG. A material may be sufficient and a plate-shaped material as shown in FIG.4 (b) may be sufficient. Note that the plate-like material shown in FIG. 4 (b) has a larger surface area than the linear material shown in FIG. 4 (a), so the heat radiation efficiency is good and effective for rapid temperature rise and fall. It is.

図５（ａ）に、環状部４２Ｒの中心側から見た（プロセスチューブ１１側から見た）環状部４２Ｒの部分拡大図（平面図）を示す。環状部４２Ｒの上下端には、山部４２ａと谷部４２ｂとがそれぞれ交互に複数連なっている。すなわち、環状部４２Ｒは蛇行状（波状
）に形成されている。環状部４２Ｒの上下端に設けられた各谷部４２ｂの末端（谷底部）には、例えば楕円状の切り欠け部として形成された保持体受け部４２ｃが設けられている。なお、山部４２ａは、図５（ａ）に示すように外線を楕円状に形成しても良いし、角状、例えば長方形状に形成しても良いし、角状、例えば、長方形状に形成しかつ角部を湾曲させるように形成しても良い。 FIG. 5A shows a partially enlarged view (plan view) of the annular portion 42R viewed from the center side of the annular portion 42R (viewed from the process tube 11 side). A plurality of peak portions 42a and valley portions 42b are alternately connected to the upper and lower ends of the annular portion 42R. That is, the annular portion 42R is formed in a meandering shape (wave shape). At the ends (valley bottoms) of the valley portions 42b provided at the upper and lower ends of the annular portion 42R, for example, holding body receiving portions 42c formed as elliptical cutout portions are provided. As shown in FIG. 5A, the peak portion 42a may have an outer line formed in an elliptical shape, may be formed in a rectangular shape, for example, a rectangular shape, or may be formed in a rectangular shape, for example, a rectangular shape. You may form so that it may form and a corner | angular part may be curved.

なお、本実施形態では、好適な形態として環状部４２Ｒが保持体４１により保持されて固定されているが、昇温時に環状部４２Ｒが熱膨張した際に、万が一にも保持体４１が断熱体３３から抜けたり、破損したりしないように、保持体受け部４２ｃの幅を谷部４２ｂの幅よりも広く構成して環状部４２Ｒの動き代を確保している。すなわち、環状部４２Ｒは、環状部４２Ｒの周方向に沿って最大で保持体受け部４２ｃの幅ｂ分に相当する動き代が確保されつつ固定される。また、環状部４２Ｒの半径方向に沿って所定の大きさの動き代が確保される。すなわち、環状部４２Ｒの半径方向に沿って最大で幅ｃに相当する動き代が確保されつつ固定される。尚、本実施形態では、保持体受け部４２ｃの幅を谷部４２ｂの幅よりも広く構成して環状部４２Ｒの動き代を確保しているが、これに限らず、保持体受け部４２ｅの幅を谷部４２ｂの幅と同等以下で構成しても良い。 In the present embodiment, the annular portion 42R is held and fixed by the holding body 41 as a preferred form. However, when the annular portion 42R is thermally expanded at the time of temperature rise, the holding body 41 should be insulative. The width of the holder receiving portion 42c is made wider than the width of the trough portion 42b so as to prevent the annular portion 42R from moving, so that it does not come off or break. That is, the annular portion 42R is fixed while securing a motion allowance corresponding to the width b of the holder receiving portion 42c at the maximum along the circumferential direction of the annular portion 42R. Further, a movement allowance of a predetermined size is ensured along the radial direction of the annular portion 42R. That is, the movement portion corresponding to the width c at the maximum is secured while being secured along the radial direction of the annular portion 42R. In the present embodiment, the width of the holding body receiving portion 42c is configured to be wider than the width of the valley portion 42b to secure the movement allowance of the annular portion 42R. The width may be equal to or less than the width of the valley portion 42b.

一対の給電部４５，４６は、後述する断熱体３３（側壁部３５）を貫通して断熱体３３に固定されると共に、その端部が環状部４２Ｒの両端部にそれぞれ接続されている。一対の給電部４５，４６は、金属などの導電性材料により構成されている。一対の給電部４５，４６を介して環状部４２Ｒの一端から他端に向けて電流を流すことで、環状部４２Ｒが加熱されてプロセスチューブ１１内が昇温されるように構成されている。一対の給電部４５，４６は、コントローラ２８０に接続されている。 The pair of power feeding portions 45 and 46 penetrates a heat insulator 33 (side wall portion 35) described later and is fixed to the heat insulator 33, and end portions thereof are respectively connected to both end portions of the annular portion 42R. A pair of electric power feeding parts 45 and 46 is comprised by electroconductive materials, such as a metal. By passing a current from one end to the other end of the annular portion 42R through the pair of power supply portions 45 and 46, the annular portion 42R is heated and the temperature in the process tube 11 is increased. The pair of power feeding units 45 and 46 is connected to the controller 280.

断熱体３３は、環状部４２Ｒの外周を囲うように設けられている。断熱体３３は、上下端が開口した円筒状の側壁部３５と、側壁部３５の上部開口を覆う天井壁部３４と、を備えており、下端が開口した円筒形状に形成されている。断熱体３３は、アウタチューブ１２及び環状部４２Ｒに対してそれぞれ同心円状に設けられている。側壁部３５と天井壁部３４とは、例えば、繊維状または球状のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）やシリカ（ＳｉＯ_２）等の断熱材料により形成されている。側壁部３５と天井壁部３４は、それぞれ例えばバキュームフォーム法等によって一体成形されている。なお、側壁部３５は、一体成型されている場合に限らず、複数の円形の断熱材が複数積み上げられることで構成されていてもよい。このように構成することで、側壁部３５に応力が加わったときの側壁部３５の破損を抑制したり、メンテナンス性を向上させたりすることが可能となる。 The heat insulator 33 is provided so as to surround the outer periphery of the annular portion 42R. The heat insulator 33 includes a cylindrical side wall portion 35 whose upper and lower ends are open, and a ceiling wall portion 34 that covers an upper opening of the side wall portion 35, and is formed in a cylindrical shape with its lower end opened. The heat insulator 33 is provided concentrically with respect to the outer tube 12 and the annular portion 42R. The side wall portion 35 and the ceiling wall portion 34 are formed of a heat insulating material such as fibrous or spherical alumina (Al ₂ O ₃ ) or silica (SiO ₂ ), for example. The side wall portion 35 and the ceiling wall portion 34 are integrally formed by, for example, a vacuum foam method or the like. The side wall portion 35 is not limited to being integrally molded, and may be configured by stacking a plurality of circular heat insulating materials. By comprising in this way, it becomes possible to suppress the damage of the side wall part 35 when stress is added to the side wall part 35, or to improve maintainability.

図５（ａ），（ｂ）に示すように、各保持体４１は、環状部４２Ｒに設けられた保持体受け部４２ｃ内に配置されて、断熱体３３に固定されるように構成されている。保持体４１は、例えばブリッジ型（鎹（かすがい）形状）のピンとして構成されている。ブリッジ型のピンとして構成された保持体４１の両端は、環状部４２Ｒの中心側から外側（側壁部３５側）に向けて、隣接する保持体受け部４２ｃ内にそれぞれ挿入され、断熱体３３（側壁部３５）の内周面（突出部５１）から背面側に貫通して固定される。なお、保持体４１は、上述のブリッジ型に限定されず、その一端部が断熱体３３（側壁部３５）の内周面に挿入されて固定されるＬ字型のピンとして構成されていてもよく、その中央部が断熱体３３（側壁部３５）の内周面に挿入されて固定されるＴ字型のピンとして構成されていてもよい。 As shown in FIGS. 5A and 5B, each holding body 41 is arranged in a holding body receiving portion 42c provided in the annular portion 42R and is configured to be fixed to the heat insulating body 33. Yes. The holding body 41 is configured as, for example, a bridge-type pin. Both ends of the holding body 41 configured as a bridge-type pin are inserted into the adjacent holding body receiving portions 42c from the center side to the outside (side wall portion 35 side) of the annular portion 42R, and the heat insulating body 33 ( The side wall portion 35) is fixed by penetrating from the inner peripheral surface (projecting portion 51) to the back surface side. The holding body 41 is not limited to the bridge type described above, and may be configured as an L-shaped pin whose one end is inserted and fixed to the inner peripheral surface of the heat insulating body 33 (side wall part 35). In addition, the central portion may be configured as a T-shaped pin that is inserted into and fixed to the inner peripheral surface of the heat insulator 33 (side wall portion 35).

なお、昇温に伴い環状部４２Ｒの直径が広がるように熱膨張すると（環状部４２Ｒが周方向に熱膨張すると）、環状部４２Ｒに応力が加わり変形してしまう。特に、図４（ｂ）に示した板状材料は、図４（ａ）に示した線状材料に比べて、長手方向に応力が加わると変形し易い。そこで本実施形態では、環状部４２Ｒの各山部４２ａの少なくとも一部であ
る先端部４２ｆを、断熱体３３側に折り曲げるように構成している。このような構成により、環状部４２Ｒの強度を高め、環状部４２Ｒの変形を抑制することができる。 In addition, when the thermal expansion is performed so that the diameter of the annular portion 42R is increased as the temperature rises (when the annular portion 42R is thermally expanded in the circumferential direction), stress is applied to the annular portion 42R to be deformed. In particular, the plate-like material shown in FIG. 4B is more easily deformed when stress is applied in the longitudinal direction than the linear material shown in FIG. Therefore, in the present embodiment, the front end portion 42f, which is at least a part of each peak portion 42a of the annular portion 42R, is configured to be bent toward the heat insulator 33 side. With such a configuration, the strength of the annular portion 42R can be increased and deformation of the annular portion 42R can be suppressed.

但し、環状部４２Ｒは、断熱体３３側に折り曲げられている分、環状部４２Ｒの半径方向外側（断熱体３３側）に延出している。このため、環状部４２Ｒが周方向に熱膨張すると（環状部４２Ｒの直径が広がるように熱膨張すると）、環状部４２Ｒと断熱体３３とが接触し易くなってしまう。そこで本実施形態では、環状部４２Ｒの熱膨張量に加え、環状部４２Ｒの半径方向外側（断熱体３３側）への延出量を考慮して、各保持体４１の長さを定めている。すなわち、本実施形態に係る各保持体４１は、環状部４２Ｒが熱膨張したとき、折り曲げられた各山部４２ａの先端４２ｇが断熱体３３（側壁部３５）に接触しないように、所定の距離を保って環状部４２Ｒを保持するように構成されている。 However, the annular portion 42R extends to the outside in the radial direction (insulating body 33 side) of the annular portion 42R by the amount bent to the insulating body 33 side. For this reason, when the annular portion 42R is thermally expanded in the circumferential direction (when the annular portion 42R is thermally expanded so that the diameter of the annular portion 42R is widened), the annular portion 42R and the heat insulator 33 are likely to come into contact with each other. Therefore, in the present embodiment, the length of each holding body 41 is determined in consideration of the amount of extension of the annular portion 42R to the radially outer side (the heat insulating body 33 side) in addition to the amount of thermal expansion of the annular portion 42R. . That is, each holding body 41 according to the present embodiment has a predetermined distance so that the tip 42g of each bent peak portion 42a does not contact the heat insulating body 33 (side wall portion 35) when the annular portion 42R is thermally expanded. And the annular portion 42R is held.

しかしながら、発熱体４２（環状部４２Ｒ）と断熱体３３との距離を長く構成すると、すなわち環状部４２Ｒを保持する保持体４１を長く構成すると、環状部４２Ｒの自重により保持体４１が変形してしまう恐れが生じる。そこで本実施形態では、発熱体４２の谷部４２ｂに相対する断熱体３３の部分（山部４２ａの先端部４２ｆを除く中央部４２ｅに相対する部分）が発熱体４２側に向って突き出され、保持体４１を支持する突出部５１を備える。言い換えれば、断熱体３３（側壁部３５）の内周面には、環状部４２Ｒの先端部４２ｆに相対する部分に溝部５２が形成されている（図１参照）。これにより、保持体４１は、断熱体３３（側壁部３５）の内周面からの突出部５１の突出高さ分、短く構成することができる。そして、発熱体４２の自重等による保持体４１の変形を抑制することができる。 However, if the distance between the heat generating body 42 (the annular portion 42R) and the heat insulating body 33 is increased, that is, if the holding body 41 that holds the annular portion 42R is configured longer, the holding body 41 is deformed by the weight of the annular portion 42R. There is a risk that it will end. Therefore, in the present embodiment, the portion of the heat insulator 33 (the portion facing the central portion 42e excluding the tip portion 42f of the peak portion 42a) facing the valley 42b of the heat generating body 42 is projected toward the heat generating body 42 side, The protrusion part 51 which supports the holding body 41 is provided. In other words, the groove part 52 is formed in the inner peripheral surface of the heat insulating body 33 (side wall part 35) in the part facing the front-end | tip part 42f of the cyclic | annular part 42R (refer FIG. 1). Thereby, the holding body 41 can be comprised short by the protrusion height of the protrusion part 51 from the internal peripheral surface of the heat insulation body 33 (side wall part 35). And the deformation | transformation of the holding body 41 by the dead weight etc. of the heat generating body 42 can be suppressed.

（３）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置により実施される基板処理工程の一例としての成膜工程を簡単に説明する。以下の説明において、基板処理装置の各部の動作はコントローラ２８０によって制御される。 (3) Substrate Processing Step Next, a film forming step as an example of a substrate processing step performed by the above-described substrate processing apparatus will be briefly described. In the following description, the operation of each part of the substrate processing apparatus is controlled by the controller 280.

図１に示すように、複数枚のウエハ１を装填（ウエハチャージ）したボート２２を、ボートエレベータ２１によって持ち上げて処理室１４内に搬入（ボートローディング）する。この状態で、シールキャップ２０はマニホールド１６の下端開口をシールした状態となる。 As shown in FIG. 1, a boat 22 loaded with a plurality of wafers 1 (wafer charging) is lifted by a boat elevator 21 and loaded into a processing chamber 14 (boat loading). In this state, the seal cap 20 is in a state where the lower end opening of the manifold 16 is sealed.

プロセスチューブ１１の内部が所定の圧力（真空度）となるように排気管１７を介して真空排気する。また、プロセスチューブ１１の内部が所定の温度となるようにヒータユニット３０によって加熱する。すなわち、一対の給電部４５，４６を介して環状部４２Ｒの一端から他端に向けて電流を流すことで、蛇行状の環状部４２Ｒを加熱してプロセスチューブ１１内を昇温する。この際、処理室１４内が所定の温度分布となるように、温度センサ２４が検出した温度情報に基づきヒータユニット３０の発熱体４２への通電具合をフィードバック制御する。続いて、ボート２２を回転機構２５によって回転させて、ウエハ１を回転させる。 The process tube 11 is evacuated through the exhaust pipe 17 so that the inside of the process tube 11 has a predetermined pressure (degree of vacuum). Further, the process tube 11 is heated by the heater unit 30 so that the inside of the process tube 11 becomes a predetermined temperature. That is, by passing a current from one end to the other end of the annular portion 42R through the pair of power supply portions 45 and 46, the meandering annular portion 42R is heated to raise the temperature in the process tube 11. At this time, feedback control of the state of energization to the heating element 42 of the heater unit 30 is performed based on the temperature information detected by the temperature sensor 24 so that the inside of the processing chamber 14 has a predetermined temperature distribution. Subsequently, the boat 22 is rotated by the rotation mechanism 25 to rotate the wafer 1.

ここで、昇温時、ヒータユニット３０の環状部４２Ｒは、蛇行状に形成されているので、環状部４２Ｒが熱膨張すると、応力がかかる。本実施形態では、各山部４２ａの先端部４２ｆが断熱体３３側に折り曲げられて構成されているので、強度が高くなり変形が抑制される。 Here, when the temperature is raised, the annular portion 42R of the heater unit 30 is formed in a meandering shape, so that stress is applied when the annular portion 42R is thermally expanded. In this embodiment, since the front end portion 42f of each peak portion 42a is bent toward the heat insulator 33, the strength is increased and deformation is suppressed.

また、環状部４２Ｒが熱膨張により半径方向に伸びても、保持体４１は、環状部４２Ｒの折り曲げられた各山部４２ａの先端４２ｇと、断熱体３３の側壁部３５の内周面とを、所定の間隔（環状部４２Ｒの半径方向に沿った幅ｃ）で保持しているので、係る伸び量が
最大で幅ｃ未満であれば、環状部４２Ｒと断熱体３３の側壁部３５とが干渉（接触）してしまうことが抑制される。また、保持体４１は、上述した所定間隔の幅ｃを保ちつつ、突出部５１に設けられているので、短く構成している。このため、環状部４２Ｒ（発熱体４２）の自重等による保持体４１の変形を抑制することができる。 Further, even if the annular portion 42R extends in the radial direction due to thermal expansion, the holding body 41 has a tip 42g of each bent ridge portion 42a of the annular portion 42R and an inner peripheral surface of the side wall portion 35 of the heat insulator 33. Since it is held at a predetermined interval (width c along the radial direction of the annular portion 42R), if the elongation amount is less than the width c at the maximum, the annular portion 42R and the side wall portion 35 of the heat insulating body 33 are Interference (contact) is suppressed. Further, the holding body 41 is configured to be short because it is provided on the protruding portion 51 while maintaining the above-described width c of the predetermined interval. For this reason, it is possible to suppress the deformation of the holding body 41 due to its own weight or the like of the annular portion 42R (heating element 42).

次いで、所定の流量に制御された原料ガスを、処理室１４内へガス導入管２３を通じて導入する。導入した原料ガスは、処理室１４内を流通した後、インナチューブ１３の上端開口から排気路１８内に流出して排気管１７から排気される。原料ガスは処理室１４内を通過する際にウエハ１の表面と接触し、この際に、ウエハ１が処理され、例えば熱ＣＶＤ反応によってウエハ１の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。 Next, the raw material gas controlled to a predetermined flow rate is introduced into the processing chamber 14 through the gas introduction pipe 23. The introduced source gas flows through the processing chamber 14, then flows out from the upper end opening of the inner tube 13 into the exhaust path 18 and is exhausted from the exhaust pipe 17. The raw material gas contacts the surface of the wafer 1 as it passes through the processing chamber 14. At this time, the wafer 1 is processed, and a thin film is deposited (deposited) on the surface of the wafer 1 by, for example, a thermal CVD reaction. .

予め設定された処理時間が経過したら、不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスを供給し、処理室１４内を不活性ガスに置換するとともに、処理室１４内の圧力を常圧に復帰する。 When a preset processing time has elapsed, an inert gas is supplied from an inert gas supply source (not shown), the inside of the processing chamber 14 is replaced with an inert gas, and the pressure in the processing chamber 14 is set to normal pressure. Return to.

その後、ボートエレベータ２１によりシールキャップ２０を下降して、マニホールド１６の下端を開口するとともに、処理済のウエハ１を保持したボート２２を、マニホールド１６の下端からプロセスチューブ１１の外部に搬出（ボートアンローディング）する。その後、処理済のウエハ１をボート２２から取り出す（ウエハディスチャージ）。 Thereafter, the seal cap 20 is lowered by the boat elevator 21 to open the lower end of the manifold 16, and the boat 22 holding the processed wafer 1 is unloaded from the lower end of the manifold 16 to the outside of the process tube 11 (boat unloading). Loading). Thereafter, the processed wafer 1 is taken out from the boat 22 (wafer discharge).

（４）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果を奏する。 (4) Effects according to the present embodiment According to the present embodiment, the following one or more effects are achieved.

（ａ）本実施形態によれば、環状部４２Ｒの各山部４２ａの先端部４２ｆが断熱体３３側に折り曲げられて構成されている。これにより、環状部４２Ｒは、昇温に伴い熱膨張しても強度が高くなり変形が抑制される。結果として、環状部４２Ｒは、変形が抑制されるので、断線等を抑制することができる。 (A) According to this embodiment, the front end portion 42f of each peak portion 42a of the annular portion 42R is bent toward the heat insulator 33. Thereby, even if the annular portion 42R is thermally expanded as the temperature rises, the strength is increased and deformation is suppressed. As a result, the annular portion 42 R is suppressed from being deformed, so that disconnection or the like can be suppressed.

（ｂ）本実施形態によれば、発熱体４２の谷部４２ｂに相対する断熱体３３の部分（山部４２ａの先端部４２ｆを除く中央部４２ｅに相対する部分）が発熱体４２側に向って突き出され、保持体４１を支持する突出部５１を備える。これにより、保持体４１は、断熱体３３（側壁部３５）の内周面からの突出部５１の突出高さ分、短く構成することができる。従って、保持体４１を短く構成できるので、発熱体４２の自重による保持体４１の変形を抑制することができる。なお、支持体４１を太く構成して強度を高めることが考えられるが、支持体４１が太いと支持体４１の熱容量が増加し、環状部４２Ｒ（発熱体４２）の昇降温性能が低下する。また支持体４１の加工が困難となってしまう。 (B) According to the present embodiment, the portion of the heat insulating body 33 (the portion facing the central portion 42e excluding the tip portion 42f of the peak portion 42a) facing the valley 42b of the heating body 42 faces the heating body 42 side. And a protrusion 51 that supports the holding body 41. Thereby, the holding body 41 can be comprised short by the protrusion height of the protrusion part 51 from the internal peripheral surface of the heat insulation body 33 (side wall part 35). Accordingly, since the holding body 41 can be configured to be short, deformation of the holding body 41 due to the weight of the heating element 42 can be suppressed. Although it is conceivable to increase the strength by configuring the support body 41 to be thick, if the support body 41 is thick, the heat capacity of the support body 41 increases, and the temperature raising / lowering performance of the annular portion 42R (heating element 42) decreases. In addition, the processing of the support body 41 becomes difficult.

なお、参考までに、突出部５１を形成していない断熱体３３Ｙ（側壁部３５Ｙ）に固定されている保持体４１Ｙの様子を、図９及び図１０を用いて説明する。 For reference, the state of the holding body 41Y fixed to the heat insulating body 33Y (side wall part 35Y) that does not form the protruding part 51 will be described with reference to FIGS.

図９（ａ）は、突出部５１を形成していない断熱体３３Ｙ（側壁部３５Ｙ）に固定されている保持体４１Ｙ及びこの保持体４１Ｙにより保持される環状部４２Ｒの部分拡大図であり、（ｂ）は拡大部分の側面図である。また、図１０（ａ）は、図９（ａ）の状態から保持体４１Ｙが環状部４２Ｒの自重により変形（垂れ下がり）した際の保持体４１Ｙ及びこの保持体４１Ｙにより保持される環状部４２Ｒの部分拡大図であり、（ｂ）は拡大部分の側面図である。 FIG. 9A is a partially enlarged view of the holding body 41Y fixed to the heat insulating body 33Y (side wall part 35Y) that does not form the protruding part 51 and the annular part 42R held by the holding body 41Y. (B) is a side view of an enlarged portion. FIG. 10A shows the state of the holding body 41Y and the annular portion 42R held by the holding body 41Y when the holding body 41Y is deformed (hangs down) by the weight of the annular portion 42R from the state of FIG. 9A. It is a partial enlarged view, (b) is a side view of an enlarged part.

図９（ｂ）に示すように、保持体４１Ｙは、突出部５１を形成していない断熱体３３Ｙ（側壁部３５Ｙ）の内周面表面に直接固定される。保持体４１Ｙは、環状部４２Ｒの熱膨張量に加え、環状部４２Ｒの半径方向外側（断熱体３３側）への延出量を考慮して、折り
曲げられた各山部４２ａの先端４２ｇが断熱体３３（側壁部３５）に接触しないように、所定の距離を保って環状部４２Ｒを保持するように発熱体４２（環状部４２Ｒ）と断熱体３３との距離を長く構成されている。このように構成される保持体４１Ｙは、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、発熱体４２の自重等により保持体４１が変形してしまう。 As shown in FIG. 9B, the holding body 41Y is directly fixed to the inner peripheral surface of the heat insulating body 33Y (side wall part 35Y) that does not form the protruding part 51. In consideration of the amount of thermal expansion of the annular portion 42R and the amount of extension of the annular portion 42R toward the outer side in the radial direction (on the side of the heat insulating body 33), the holding body 41Y is insulated from the tip 42g of each bent ridge portion 42a. The distance between the heating element 42 (annular part 42R) and the heat insulating body 33 is configured to be long so as to hold the annular part 42R while maintaining a predetermined distance so as not to contact the body 33 (side wall part 35). As shown in FIGS. 10A and 10B, the holding body 41 Y configured as described above is deformed by the weight of the heating element 42.

本実施形態では、上述したように断熱体３３（側壁部３５）の内周面に保持体４１を支持する突出部５１を設けている。これにより、保持体４１は、断熱体３３（側壁部３５）の内周面からの突出部５１の突出高さ分、短く構成することができる。従って、保持体４１を短く構成できるので、発熱体４２の自重等による保持体４１の変形を抑制することができる。 In this embodiment, the protrusion part 51 which supports the holding body 41 is provided in the internal peripheral surface of the heat insulation body 33 (side wall part 35) as mentioned above. Thereby, the holding body 41 can be comprised short by the protrusion height of the protrusion part 51 from the internal peripheral surface of the heat insulation body 33 (side wall part 35). Therefore, since the holding body 41 can be configured to be short, deformation of the holding body 41 due to the weight of the heating element 42 can be suppressed.

（ｃ）本実施形態によれば、断熱体３３の突出部５１表面から突出部５１の反対側面である断熱体３３の外周側壁面を貫通して保持体４１を取り付けている。これにより、保持体４１が断熱体３３を貫通していない場合に比べて断熱体３３を貫通している場合は、てこの原理により保持体４１にかかる発熱体４２の自重に抗する力が増大し、発熱体４２を支持する力が増大する。従って、発熱体４２の自重等による保持体４１の変形を抑制することができる。 (C) According to the present embodiment, the holding body 41 is attached from the surface of the protruding portion 51 of the heat insulating body 33 through the outer peripheral side wall surface of the heat insulating body 33 which is the opposite side surface of the protruding portion 51. As a result, when the holding body 41 penetrates the heat insulating body 33 as compared with the case where the holding body 41 does not penetrate the heat insulating body 33, the force against the dead weight of the heating element 42 applied to the holding body 41 is increased by the lever principle. As a result, the force for supporting the heating element 42 increases. Therefore, deformation of the holding body 41 due to the weight of the heating element 42 can be suppressed.

（ｄ）本実施形態によれば、保持体受け部４２ｃの幅を谷部４２ｂの幅よりも広く構成して環状部４２Ｒの動き代を確保している。これにより、昇温時に環状部４２Ｒが熱膨張した際に、万が一にも保持体４１が断熱体３３から抜けたり、破損したりすることを抑制できる。 (D) According to the present embodiment, the width of the holding body receiving portion 42c is configured to be wider than the width of the valley portion 42b to secure the movement allowance of the annular portion 42R. Thereby, when the annular portion 42R is thermally expanded at the time of temperature rise, it is possible to prevent the holding body 41 from being detached from the heat insulating body 33 or being damaged.

＜第２の実施形態＞
以下に、本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。 <Second Embodiment>
Below, the 2nd Embodiment of this invention is described, referring drawings.

図６は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の垂直断面図である。図７は、本発明の第２の実施形態に係る環状部４２Ｒ及び保持体４１の部分拡大図である。図８は、図７の状態から熱膨張した環状部４２Ｒ及び保持体４１の部分拡大図である。 FIG. 6 is a vertical sectional view of a substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 7 is a partially enlarged view of the annular portion 42R and the holding body 41 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a partially enlarged view of the annular portion 42 R and the holding body 41 that are thermally expanded from the state of FIG. 7.

（１）発熱体及び断熱体の構成
本実施形態に係る基板処理装置は、発熱体４２及び断熱体３３の構成が上述の実施形態と異なる。その他の構成は上述の実施形態とほぼ同じである。 (1) Configuration of Heating Element and Heat Insulator The substrate processing apparatus according to this embodiment is different from the above-described embodiment in the structure of the heating element 42 and the heat insulating body 33. Other configurations are substantially the same as those of the above-described embodiment.

本実施形態にかかる断熱体３３は、上述の実施形態と同様に、環状部４２Ｒの外周面を囲うように筒状に形成されている。本実施形態に係る断熱体３３が上述の実施形態と異なる点は、図６、図７に示すように、例えばドーナツ形状の断熱ブロック３６により垂直方向に複数積層されて側壁部３５を構成していることである。 The heat insulator 33 according to the present embodiment is formed in a cylindrical shape so as to surround the outer peripheral surface of the annular portion 42R, as in the above-described embodiment. As shown in FIGS. 6 and 7, the heat insulator 33 according to this embodiment differs from the above-described embodiment in that, for example, a plurality of layers are vertically stacked by a donut-shaped heat insulating block 36 to form a side wall portion 35. It is that you are.

断熱ブロック３６は、例えば繊維状または球状のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）やシリカ（ＳｉＯ_２）等の断熱材料により形成されている。断熱ブロック３６は、例えばバキュームフォーム法等によって一体成形されている。このように、断熱体３３の側壁部３５が複数の断熱ブロック３６により構成されることで、ヒータユニット３０の組み立てが容易になると共に、側壁部３５に応力が加わったときの側壁部３５（断熱ブロック３６）の破損を抑制することが可能となる。また、多段に積層された断熱ブロック３６や発熱体４２の一部を部分的に取り出して交換したりメンテナンスしたりすることも容易となる。但し、側壁部３５はこのような構成に限らず、一体成型されていてもよい。また、断熱ブロック３６は一体成型される場合に限らず、複数のドーナツ形状の断熱材により構成されていてもよい。 The heat insulating block 36 is formed of a heat insulating material such as fibrous or spherical alumina (Al ₂ O ₃ ) or silica (SiO ₂ ). The heat insulating block 36 is integrally formed by, for example, a vacuum foam method or the like. As described above, the side wall portion 35 of the heat insulating body 33 is configured by the plurality of heat insulating blocks 36, so that the heater unit 30 can be easily assembled and the side wall portion 35 (heat insulation) when stress is applied to the side wall portion 35. It becomes possible to suppress the breakage of the block 36). In addition, it becomes easy to partially take out and replace or maintain a part of the heat insulating blocks 36 and the heating elements 42 stacked in multiple stages. However, the side wall 35 is not limited to such a configuration, and may be integrally molded. Further, the heat insulating block 36 is not limited to being integrally molded, and may be constituted by a plurality of donut-shaped heat insulating materials.

また、図７に示すように、断熱体３３（側壁部３５）の内周面からの突出部５１の突出高さｅは、環状部４２Ｒの折り曲げられた山部４２ａの先端４２ｇと、環状部４２Ｒの谷部４２ｂと、の高低差ｄよりも小さく構成されている。これにより、図８に示すように、昇温に伴い、環状部４２Ｒが熱膨張して断熱体３３側に移動し、環状部４２Ｒの山部４２ａの先端４２ｇが万が一にも先に断熱体３３に接触することにより、環状部４２Ｒの谷部４２ｂが断熱体３３に接触することを抑制することができる。 Further, as shown in FIG. 7, the protrusion height e of the protrusion 51 from the inner peripheral surface of the heat insulator 33 (side wall part 35) is such that the tip 42g of the bent peak 42a of the annular part 42R and the annular part It is configured to be smaller than the height difference d between the valley portion 42b of 42R. As a result, as shown in FIG. 8, as the temperature rises, the annular portion 42R thermally expands and moves toward the heat insulator 33, so that the tip 42g of the peak portion 42a of the annular portion 42R should be moved first. It can suppress that the trough part 42b of the annular part 42R contacts the heat insulation body 33 by contacting.

なお、好ましくは、保持体４１を断熱体３３の外周側壁面から貫通して延出している延出部分が折り曲げられて外周側壁面に掛け止めるように構成すると良い。これにより、保持体４１は、断熱体３３に対して保持体４１の抜けが防止される。 Preferably, the holding body 41 may be configured such that the extending portion extending through the outer peripheral side wall surface of the heat insulating body 33 is bent and hooked to the outer peripheral side wall surface. Thereby, the holding body 41 is prevented from coming off from the heat insulating body 33.

（２）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す効果のうち一つ又は複数の効果を奏する。 (2) Effects according to the present embodiment According to the present embodiment, one or more of the following effects are achieved.

（ａ）本実施形態によれば、断熱体３３の突出部５１の突出高さｅは、環状部４２Ｒの折り曲げられた山部４２ａの先端４２ｇと、環状部４２Ｒの谷部４２ｂと、の高低差ｄよりも小さく構成されている。これにより、昇温時、環状部４２Ｒの谷部４２ｂが断熱体３３に接触することを抑制することができる。その結果、（電流が流れやすく温度上昇等の温度制御に寄与する）谷部４２ｂが断熱体３３に接触することによる温度低下を抑制することができる。また、環状部４２Ｒが断熱体３３に接触することによる環状部４２Ｒの局所的な温度上昇（異常温度上昇）や環状部４２Ｒの溶断を回避でき、環状部４２Ｒや断熱体３３の寿命を延ばすことが可能となる。 (A) According to the present embodiment, the protruding height e of the protruding portion 51 of the heat insulating body 33 is the height of the bent end 42g of the annular portion 42R and the valley 42b of the annular portion 42R. It is configured to be smaller than the difference d. Thereby, it can suppress that the trough part 42b of the annular part 42R contacts the heat insulation body 33 at the time of temperature rising. As a result, it is possible to suppress a decrease in temperature due to the valley portion 42b (which contributes to temperature control such as a temperature increase such that current easily flows) contacting the heat insulator 33. Moreover, the local temperature rise (abnormal temperature rise) of the annular part 42R and the fusing of the annular part 42R due to the annular part 42R coming into contact with the thermal insulator 33 can be avoided, and the life of the annular part 42R and the thermal insulator 33 is extended. Is possible.

（ｂ）本実施形態によれば、断熱体３３の側壁部３５が断熱ブロック３６により垂直方向に複数積層されて構成されている。これにより、ヒータユニット３０の組み立てが容易になると共に、側壁部３５に応力が加わったときの側壁部３５（断熱ブロック３６）の破損を抑制することが可能となる。また、多段に積層された断熱ブロック３６や発熱体４２の一部を部分的に取り出して交換したりメンテナンスしたりすることも容易となる。 (B) According to the present embodiment, a plurality of side wall portions 35 of the heat insulating body 33 are stacked in the vertical direction by the heat insulating block 36. As a result, the heater unit 30 can be easily assembled, and damage to the side wall 35 (the heat insulating block 36) when stress is applied to the side wall 35 can be suppressed. In addition, it becomes easy to partially take out and replace or maintain a part of the heat insulating blocks 36 and the heating elements 42 stacked in multiple stages.

＜本発明の他の実施形態＞
尚、上述した発明の実施形態では、発熱体の形態として、上下端にそれぞれに山部と谷部とが交互に複数連なることで蛇行状に形成され、両端が固定される発熱体として例示したが、発熱量等が若干劣る形態として例えば谷部と山部とをそれぞれ鉛直方向同一位置とし、ひょうたん型が複数連なるように形成しても良い。すなわち、上下端にそれぞれ山部と谷部とがそれぞれ鉛直方向同一位置において形成されることでひょうたん状の形態が複数連なるように形成し、谷部に保持体を設けるようにしても良い。つまり、上下端のそれぞれに山部と谷部とが複数連なるように形成され、両端が固定される発熱体に適用することができる。 <Other Embodiments of the Present Invention>
In the above-described embodiment of the invention, the form of the heating element is exemplified as a heating element that is formed in a meandering shape by alternately connecting a plurality of peaks and valleys to the upper and lower ends, and both ends are fixed. However, as a form in which the heat generation amount is slightly inferior, for example, the valley and the mountain may be formed at the same position in the vertical direction, and a plurality of gourds may be formed. That is, it is also possible to form a plurality of gourd-like forms by forming a crest and a trough at the same position in the vertical direction on the upper and lower ends, respectively, and provide a holding body in the trough. That is, the present invention can be applied to a heating element in which a plurality of crests and troughs are connected to each of the upper and lower ends and both ends are fixed.

本発明は半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であっても好適に適用できる。また、プロセスチャンバの構成も上述の実施形態に限定されない。すなわち、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。さらには、フォトリソグラフィで実施される露光処理や、レジスト液やエッチング液の塗布処理であってもよい。 The present invention is not limited to a semiconductor manufacturing apparatus, and can be suitably applied to an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD apparatus. Further, the configuration of the process chamber is not limited to the above-described embodiment. That is, the specific content of the substrate processing is not questioned, and it may be processing such as annealing processing, oxidation processing, nitriding processing, and diffusion processing as well as film forming processing. The film formation process may be, for example, a process for forming a CVD, PVD, oxide film, or nitride film, or a process for forming a film containing a metal. Furthermore, it may be an exposure process performed by photolithography or a coating process of a resist solution or an etching solution.

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, Various changes are possible in the range which does not deviate from the summary.

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。 <Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

本発明の第１の態様は、
加熱室内に設けられ、基板を処理する処理室と、
前記加熱室内を加熱する加熱装置と、を有し、
前記加熱装置は、
上下端のそれぞれに山部と谷部とが複数連なるように形成され、両端が固定される発熱体と、
前記発熱体の外周に設けられる断熱体と、
前記断熱体に固定され、前記発熱体を保持する保持体と、
を備え、
前記発熱体の前記山部の少なくとも一部が前記断熱体側に折り曲げられ、
前記断熱体は、前記発熱体の前記谷部に相対する部分が前記発熱体側に向って突き出され、前記保持体を支持する突出部を備える
基板処理装置が提供される。 The first aspect of the present invention is:
A processing chamber provided in the heating chamber for processing the substrate;
A heating device for heating the heating chamber,
The heating device is
A heating element that is formed such that a plurality of peaks and valleys are connected to each of the upper and lower ends, and both ends are fixed,
A heat insulator provided on the outer periphery of the heating element;
A holding body fixed to the heat insulator and holding the heating element;
With
At least a part of the peak portion of the heating element is bent toward the heat insulator,
A portion of the heat generator that is opposed to the valley of the heat generator protrudes toward the heat generator, and a substrate processing apparatus is provided that includes a protrusion that supports the holder.

本発明の第２の態様は、
加熱室内を加熱する加熱装置であって、
上下端のそれぞれに山部と谷部とが複数連なるように形成され、両端が固定される発熱体と、
前記発熱体の外周に設けられる断熱体と、
前記断熱体に固定され、前記発熱体を保持する保持体と、
を備え、
前記発熱体の前記山部の少なくとも一部が前記断熱体側に折り曲げられ、
前記断熱体は、前記発熱体の前記谷部に相対する部分が前記発熱体側に向って突き出され、前記保持体を支持する突出部を備える
加熱装置が提供される。 The second aspect of the present invention is:
A heating device for heating the heating chamber,
A heating element that is formed such that a plurality of peaks and valleys are connected to each of the upper and lower ends, and both ends are fixed,
A heat insulator provided on the outer periphery of the heating element;
A holding body fixed to the heat insulator and holding the heating element;
With
At least a part of the peak portion of the heating element is bent toward the heat insulator,
The heat insulator is provided with a heating device including a protruding portion that supports the holding body, with a portion of the heat generating body facing the valley portion protruding toward the heat generating body.

本発明の第３の態様は、
加熱室内に設けられる処理室内に基板を搬入する工程と、
上下端のそれぞれに山部と谷部とが複数連なるように形成され、両端が固定される発熱体と、前記発熱体の外周に設けられる断熱体と、前記断熱体に固定され、前記発熱体を保持する保持体と、を備え、前記発熱体の前記山部の少なくとも一部が前記断熱体側に折り曲げられ、前記断熱体は、前記発熱体の前記谷部に相対する部分が前記発熱体側に向って突き出され、前記保持体を支持する突出部を備える加熱装置により前記加熱室内を加熱し、前記処理室内の前記基板を加熱処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。 The third aspect of the present invention is:
Carrying a substrate into a processing chamber provided in the heating chamber;
A heating element formed such that a plurality of crests and valleys are connected to each of the upper and lower ends, both ends are fixed, a heat insulator provided on the outer periphery of the heat generator, and the heat generator fixed to the heat insulator. And at least a part of the peak portion of the heat generating body is bent toward the heat insulating body, and the heat insulating body has a portion facing the valley portion of the heat generating body on the heat generating body side. A step of heating the heating chamber by a heating device provided with a protruding portion that protrudes toward and supports the holding body, and heat-treats the substrate in the processing chamber;
A method of manufacturing a semiconductor device having the above is provided.

好ましくは、前記保持体は、前記発熱体が熱膨張したとき、前記折り曲げられた山部の先端が前記断熱体に接触しないように所定の距離を保って前記発熱体を保持する。 Preferably, the holding body holds the heating element at a predetermined distance so that a tip of the bent peak portion does not contact the heat insulator when the heating element is thermally expanded.

また、好ましくは、前記断熱体の前記突出部の突出高さは、前記発熱体の前記折り曲げられた山部の先端と、前記発熱体の谷部と、の高低差よりも小さい。 Preferably, the protruding height of the protruding portion of the heat insulator is smaller than the difference in height between the tip of the bent ridge of the heating element and the valley of the heating element.

また、好ましくは、前記保持体は、前記断熱体の前記突出部表面から該突出部の反対側の前記断熱体の外周側壁面を貫通して取り付けられている。 Preferably, the holding body is attached through the outer peripheral side wall surface of the heat insulator opposite to the protrusion from the surface of the protrusion of the heat insulator.

また、好ましくは、前記保持体は、前記発熱体の前記谷部内に配置される。 Preferably, the holding body is disposed in the valley portion of the heating element.

また、好ましくは、
前記発熱体は、前記山部と前記谷部とが交互に複数連なる箇所で環状部が形成されると共に、該環状部が前記断熱体側に折り曲げられ、
前記断熱体は、前記環状部の外周面を囲うように筒状に形成される。 Also preferably,
In the heating element, an annular portion is formed at a place where a plurality of the peak portions and the valley portions are alternately arranged, and the annular portion is bent toward the heat insulator,
The heat insulator is formed in a cylindrical shape so as to surround the outer peripheral surface of the annular portion.

また、好ましくは、
前記断熱体を貫通して該断熱体に固定され、前記環状部の両端にそれぞれ接続される一対の給電部を有する。 Also preferably,
It has a pair of electric power feeding parts which penetrate the said heat insulating body, are fixed to this heat insulating body, and are respectively connected to the both ends of the said annular part.

また、好ましくは、
前記発熱体の前記谷部の末端にそれぞれ設けられ、該谷部の幅よりも大きな幅を有する切り欠け部として形成された保持体受け部を有し、
前記保持体は、前記保持体受け部内に配置されて前記断熱体に固定される。 Also preferably,
A holding body receiving portion provided as a notch portion provided at each end of the valley portion of the heating element and having a width larger than the width of the valley portion;
The holding body is disposed in the holding body receiving portion and fixed to the heat insulating body.

また、好ましくは、前記断熱体は、筒状に形成される複数のブロックにより構成される。 Preferably, the heat insulator is composed of a plurality of blocks formed in a cylindrical shape.

本発明の他の態様は、
加熱室内を加熱する加熱装置であって、
上下端のそれぞれに山部と谷部とが複数連なるように形成され、両端が固定される発熱体と、
前記発熱体の外周に設けられる断熱体と、
前記断熱体に固定され、前記発熱体を保持する保持体と、
を備え、
前記発熱体の前記山部の少なくとも一部が前記断熱体側に折り曲げられ、
前記断熱体は、前記発熱体が熱膨張したとき、前記折り曲げられた山部の先端が前記断熱体に接触しないように前記折り曲げられた山部に相対する部分に溝部を形成している
加熱装置が提供される。 Another aspect of the present invention is:
A heating device for heating the heating chamber,
A heating element that is formed such that a plurality of peaks and valleys are connected to each of the upper and lower ends, and both ends are fixed,
A heat insulator provided on the outer periphery of the heating element;
A holding body fixed to the heat insulator and holding the heating element;
With
At least a part of the peak portion of the heating element is bent toward the heat insulator,
The heat insulator has a groove formed in a portion facing the bent peak so that a tip of the bent peak does not contact the heat insulator when the heating element is thermally expanded. Is provided.

好ましくは、前記断熱体の前記溝部の深さは、前記発熱体の前記折り曲げられた山部の先端と、前記発熱体の谷部と、の高低差よりも小さい。 Preferably, the depth of the groove portion of the heat insulator is smaller than a height difference between the bent peak portion of the heat generating body and the valley portion of the heat generating body.

１ウエハ（基板）
１４処理室
３０ヒータユニット（加熱装置）
３３断熱体
４１保持体
４２発熱体
４２Ｒ環状部
４２ａ山部
４２ｂ谷部
４２ｇ先端 1 Wafer (substrate)
14 Processing chamber 30 Heater unit (heating device)
33 Heat Insulator 41 Holding Body 42 Heating Element 42R Annular Part 42a Mountain Part 42b Valley Part 42g Tip

Claims

A processing chamber provided in the heating chamber for processing the substrate;
A heating device for heating the heating chamber,
The heating device is
A heating element that is formed such that a plurality of peaks and valleys are connected to each of the upper and lower ends, and both ends are fixed,
A heat insulator provided on the outer periphery of the heating element;
A holding body fixed to the heat insulator and holding the heating element;
With
At least a part of the peak portion of the heating element is bent toward the heat insulator,
The said heat insulation body is provided with the protrusion part which the part facing the said trough part of the said heat generating body protrudes toward the said heat generating body side, and supports the said holding body. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.

A heating device for heating the heating chamber,
A heating element that is formed such that a plurality of peaks and valleys are connected to each of the upper and lower ends, and both ends are fixed,
A heat insulator provided on the outer periphery of the heating element;
A holding body fixed to the heat insulator and holding the heating element;
With
At least a part of the peak portion of the heating element is bent toward the heat insulator,
The said heat insulation body is provided with the protrusion part which the part facing the said trough part of the said heat generating body protrudes toward the said heat generating body side, and supports the said holding body. The heating apparatus characterized by the above-mentioned.

Carrying a substrate into a processing chamber provided in the heating chamber;
A heating element formed such that a plurality of crests and valleys are connected to each of the upper and lower ends, both ends are fixed, a heat insulator provided on the outer periphery of the heat generator, and the heat generator fixed to the heat insulator. And at least a part of the peak portion of the heat generating body is bent toward the heat insulating body, and the heat insulating body has a portion facing the valley portion of the heat generating body on the heat generating body side. A step of heating the heating chamber by a heating device provided with a protruding portion that protrudes toward and supports the holding body, and heat-treats the substrate in the processing chamber;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising: