JP2011198611A - Method for manufacturing plasma display panel - Google Patents

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Tomohiro Okumura
智洋 奥村
Takayuki Ashida
高之 芦田
Shuzo Tsuchida
修三 土田
Yukako Doi
由佳子 土居
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for achieving a plasma display panel having high-brightness display performance and capable of low-voltage driving.SOLUTION: A method for manufacturing a plasma display panel having: a front panel where an electrode A, a dielectric layer A and a protection layer are formed on a substrate A; and a rear panel where an electrode B, a dielectric layer B, a partition and a fluorescent layer is formed on a substrate B includes the steps of: (i) heating the front panel under vacuum; and (ii) cooling the front panel after the heating. In step (ii), inert gas starts to be supplied in a temperature range between 250°C and the highest temperature in step (i), to cool the front panel in the inert atmosphere.

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。より詳細には、本発明は、テレビやコンピュータ等の画像表示に用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel. More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel used for image display of a television or a computer.

プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと呼ぶ)は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、100インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、PDPにおいては、従来のNTSC方式に比べて走査線数が2倍以上の高精細テレビへの適用が進められており、エネルギー問題に対応してさらなる消費電力低減への取り組みや、環境問題に配慮した鉛成分を含まないPDPへの要求なども高まっている。   A plasma display panel (hereinafter referred to as a PDP) can realize a high definition and a large screen, and thus a 100-inch class television or the like has been commercialized. In recent years, PDP has been applied to high-definition televisions that have more than twice the number of scanning lines compared to the conventional NTSC system. In response to energy problems, efforts to further reduce power consumption and environmental issues There is also a growing demand for PDPs that do not contain lead components in consideration of the above.

PDPは、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、フロート法などにより製造された硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム(MgO)からなる保護層とで構成されている。   A PDP basically includes a front plate and a back plate. The front plate is a display electrode composed of a glass substrate of sodium borosilicate glass manufactured by a float method or the like, a striped transparent electrode formed on one main surface of the glass substrate, and a bus electrode; A dielectric layer that covers the display electrodes and functions as a capacitor, and a protective layer made of magnesium oxide (MgO) formed on the dielectric layer.

一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色及び青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。   On the other hand, the back plate is a glass substrate, stripe-shaped address electrodes formed on one main surface thereof, a base dielectric layer covering the address electrodes, a partition formed on the base dielectric layer, The phosphor layer is formed between the barrier ribs and emits red, green and blue light.

前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にネオン(Ne)−キセノン(Xe)の放電ガスが400Torr〜600Torr程度の圧力で封入されている。PDPでは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。   The front plate and the back plate are hermetically sealed with their electrode forming surfaces facing each other, and a discharge gas of neon (Ne) -xenon (Xe) is sealed at a pressure of about 400 Torr to 600 Torr in a discharge space partitioned by a partition wall. Has been. In a PDP, a video signal voltage is selectively applied to a display electrode to cause discharge, and ultraviolet rays generated by the discharge excite each color phosphor layer to emit red, green, and blue light, thereby realizing color image display. is doing.

また、このようなPDPの駆動方法としては、書き込みをしやすい状態に壁電荷を調整する初期化期間と、入力画像信号に応じて書き込み放電を行う書き込み期間と、書き込みが行われた放電空間で維持放電を生じさせることによって表示を行う維持期間を有する駆動方法が一般的に用いられている。これらの各期間を組み合わせた期間(サブフィールド)が、画像の1コマに相当する期間(1フィールド)内で複数回繰り返されることによってPDPの階調表示を行っている。   In addition, such a PDP driving method includes an initialization period in which wall charges are adjusted so that writing is easy, a writing period in which writing discharge is performed according to an input image signal, and a discharge space in which writing is performed. A driving method having a sustain period in which display is performed by generating a sustain discharge is generally used. A period (subfield) obtained by combining these periods is repeated a plurality of times within a period (one field) corresponding to one frame of an image, thereby performing PDP gradation display.

かかるPDPにつき、前面板の誘電体層上に形成される保護層の役割は、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護すること、また、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することなどである。イオン衝撃から誘電体層を保護することは、放電電圧の上昇を防ぐ点で重要な役割である一方、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することは、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスを防ぐ点で重要な役割である。   In such a PDP, the role of the protective layer formed on the dielectric layer of the front plate is to protect the dielectric layer from ion bombardment due to discharge, and to release initial electrons for generating address discharge, etc. It is. Protecting the dielectric layer from ion bombardment plays an important role in preventing an increase in discharge voltage, while emitting initial electrons to generate address discharge causes an address that causes image flickering. This is an important role in preventing discharge mistakes.

保護層からの初期電子の放出数を増加させて画像のちらつきを低減するために、例えば、MgO保護層に不純物を添加する例や、MgO粒子をMgO保護層上に形成した例が開示されている(例えば、特許文献1、2、3、4および5を参照のこと)。   In order to increase the number of initial electrons emitted from the protective layer and reduce image flickering, for example, examples of adding impurities to the MgO protective layer and examples of forming MgO particles on the MgO protective layer are disclosed. (See, for example, Patent Documents 1, 2, 3, 4 and 5).

PDPの動作電圧は、この保護層の2次電子放出係数に依存する。従って仕事関数が酸化マグネシウムよりも小さいアルカリ土類金属の酸化物(たとえば、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムなど)を保護層として用いることで、動作電圧を低電圧化することが考えられる。しかしながら、かかるアルカリ土類金属の酸化物は吸湿性が高く、保護層形成後に雰囲気中の水分と反応して水酸化物に変質し、結果的に不安定な放電特性となるということが懸念される。あるいは、炭酸化物に変質し、動作電圧が低電圧化し得ないといったことも懸念される。それゆえ、保護層形成工程後から封着工程までを乾燥雰囲気中で連続して行う方法(例えば、特許文献6を参照)や、保護層形成工程後から封着工程までを真空雰囲気中で連続して行う方法(例えば、特許文献7を参照)などが提案されている。また、吸着ガスを吸着剤に移動させる方法(例えば、特許文献8を参照)や、真空ベーキングなどの活性化処理を行う方法(例えば、特許文献9を参照)なども提案されている。   The operating voltage of the PDP depends on the secondary electron emission coefficient of the protective layer. Therefore, it is conceivable to reduce the operating voltage by using an alkaline earth metal oxide (for example, calcium oxide, strontium oxide, barium oxide, etc.) having a work function smaller than that of magnesium oxide as a protective layer. However, such alkaline earth metal oxides are highly hygroscopic, and there is concern that they will react with moisture in the atmosphere after the protective layer is formed and change to hydroxides, resulting in unstable discharge characteristics. The Alternatively, there is a concern that the operating voltage may not be lowered due to transformation into carbonate. Therefore, a method of continuously performing the process from the protective layer forming process to the sealing process in a dry atmosphere (see, for example, Patent Document 6), or the process from the protective layer forming process to the sealing process is continued in a vacuum atmosphere. And the like (see, for example, Patent Document 7). In addition, a method for moving the adsorbed gas to the adsorbent (for example, see Patent Document 8), a method for performing an activation process such as vacuum baking (for example, see Patent Document 9), and the like have been proposed.

特開2002−260535号公報JP 2002-260535 A 特開平11−339665号公報JP 11-339665 A 特開2006−59779号公報JP 2006-59779 A 特開平8−236028号公報JP-A-8-236028 特開平10−334809号公報JP-A-10-334809 特開2002−216620号公報JP 2002-216620 A 特開2002−231129号公報JP 2002-231129 A 特開2002−352703号公報JP 2002-352703 A 特開2004−134095号公報JP 2004-134095 A

テレビの高精細化、市場での低コスト・低消費電力化・高輝度のフルHD(ハイ・ディフィニション)(1920×1080画素:プログレッシブ表示)といったPDPの要求に鑑みると、保護層からの電子放出特性の制御が非常に重要となってきている。保護層からの電子放出特性はPDPの画質を決定するからである。   In light of the demands of PDPs such as high definition of TV, low cost, low power consumption, high brightness full HD (high definition) (1920 x 1080 pixels: progressive display) in the market, Control of electron emission characteristics has become very important. This is because the electron emission characteristics from the protective layer determine the image quality of the PDP.

この点、高精細化された画像を表示するためには、1フィールドの時間が一定にもかかわらず書き込みを行う画素の数が増えるため、サブフィールド中の書き込み期間において、アドレス電極へ印加するパルスの幅を狭くする必要が生じる。しかしながら、電圧パルスの立ち上がりから放電空間内で放電が発生するまでには「放電遅れ」と呼ばれるタイムラグの存在があるため、パルスの幅が狭くなれば書き込み期間内で放電が終了できる確率が低くなってしまう。その結果、点灯不良が生じ、ちらつきといった画質性能の低下という問題も生じてしまう。   In this regard, in order to display a high-definition image, the number of pixels to be written increases even though the time of one field is constant. Therefore, a pulse applied to the address electrode during the writing period in the subfield. It is necessary to reduce the width of the. However, there is a time lag called “discharge delay” from the rise of the voltage pulse to the occurrence of discharge in the discharge space, so if the pulse width is narrowed, the probability that the discharge can be completed within the writing period is low. End up. As a result, lighting failure occurs, and the problem of deterioration in image quality performance such as flickering occurs.

このようにPDPの高精細化や低消費電力化を進めるにあたっては、放電電圧が高くならないようにすることと、さらに、点灯不良を低減して画質を向上させることを、同時に実現させなければならないという課題がある。   As described above, in order to advance the high definition and low power consumption of the PDP, it is necessary to simultaneously realize that the discharge voltage is not increased and that the image quality is improved by reducing defective lighting. There is a problem.

ここで、上述の「保護層の水酸化や炭酸化を防ぐために保護層形成工程後から封着工程までを乾燥雰囲気中で連続して行う方法」は、保護層表面に変質層を形成させないことを意図したものであるものの、乾燥空気中にはある量の水分や二酸化炭素が含まれており、その含有量が十分小さくない限り、数十分〜数時間の曝露によって変質層が形成されてしまう(例えば、露点−20℃の乾燥空気中には0.1%、露点−40℃の乾燥空気中には0.013%、露点−60℃の乾燥空気中には0.0011%(11ppm)の水分が含まれている)。PDPの製造工程においては、一般に、保護層形成工程から封着工程までには数時間分以上の工程在庫があるため、仮に極めて露点の低い(−60℃以下の)乾燥空気を用いたとしても、変質層の形成は避けられないといえる。また、上述の「保護層形成工程後から封着工程までを真空雰囲気中で連続して行う方法」は、搬送系及び封着装置の構成が極めて複雑となり、実現は容易ではない。また、広大な空間を常時真空に保つ必要があり、多大のコストを要する。更に、上述の「吸着ガスを吸着剤に移動させる方法」は大気圧で処理するため、次に述べる真空ベーキングほどの活性化は望めないと考えられる。そして、その「真空ベーキングにより活性化処理」については、水酸化層や炭酸化層を除去することができ、非常に清浄な保護層を得ることができる。しかしながら、本願発明者らが鋭意検討した結果、真空ベーキングにより活性化処理を行う方法は、活性化処理後に前面板が真空中で冷却される過程で、保護層に炭化水素系ガスが多量に吸着し、封着後のパネルにおいて蛍光輝度が低下する、といったパネル品質の劣化が生じることが判明した。   Here, the above-mentioned “method of continuously performing the protective layer formation step after the protective layer formation step to the sealing step in a dry atmosphere in order to prevent the protective layer from being hydroxylated or carbonated” does not form an altered layer on the surface of the protective layer. However, the dry air contains a certain amount of moisture and carbon dioxide, and unless the content is sufficiently small, an altered layer is formed by exposure for several tens of minutes to several hours. (For example, 0.1% in dry air having a dew point of −20 ° C., 0.013% in dry air having a dew point of −40 ° C., and 0.0011% (11 ppm in dry air having a dew point of −60 ° C.) ) Contains water). In the manufacturing process of PDP, since there is generally a process inventory of several hours or more from the protective layer forming process to the sealing process, even if dry air with a very low dew point (−60 ° C. or less) is used. It can be said that the formation of an altered layer is inevitable. In addition, the above-described “method of continuously performing the process from the protective layer forming step to the sealing step in a vacuum atmosphere” is extremely difficult to realize because the configuration of the transport system and the sealing device is extremely complicated. Moreover, it is necessary to always keep a vast space in a vacuum, which requires a great deal of cost. Furthermore, since the above-described “method of moving the adsorbed gas to the adsorbent” is performed at atmospheric pressure, it is considered that activation as high as the vacuum baking described below cannot be expected. And about the "activation process by vacuum baking", a hydroxide layer and a carbonation layer can be removed and a very clean protective layer can be obtained. However, as a result of intensive studies by the present inventors, the method of performing the activation treatment by vacuum baking is a method in which a large amount of hydrocarbon-based gas is adsorbed on the protective layer in the process of cooling the front plate in vacuum after the activation treatment. As a result, it has been found that the panel quality is deteriorated such that the fluorescent luminance is lowered in the panel after sealing.

本発明は、上記事情に鑑みて為されたものである。即ち、本発明の課題は、高輝度の表示性能を備え、かつ低電圧駆動が可能なPDPを実現する方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above circumstances. That is, an object of the present invention is to provide a method for realizing a PDP having high luminance display performance and capable of being driven at a low voltage.

上記課題を解決するため、本発明では、基板A上に電極Aと誘電体層Aと保護層とが形成された前面板、および、基板B上に電極Bと誘電体層Bと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板を有して成るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前面板および背面板を封着処理に付すに先立って、(i)前面板を真空下において加熱する工程、および(ii)その加熱の後で前面板を冷却する工程を実施し、
工程(ii)では、工程(i)の加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度域にて不活性ガスの供給を開始し、前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法が提供される。
In order to solve the above problems, in the present invention, a front plate in which an electrode A, a dielectric layer A, and a protective layer are formed on a substrate A, and an electrode B, a dielectric layer B, a barrier rib, and a fluorescent light on a substrate B are provided. A plasma display panel manufacturing method comprising a back plate on which a body layer is formed,
Prior to subjecting the front plate and the rear plate to the sealing treatment, (i) heating the front plate under vacuum, and (ii) cooling the front plate after the heating,
In the step (ii), the supply of the inert gas is started in the temperature range of not more than the maximum temperature at the time of heating in the step (i) to 250 ° C. or more, and the front plate is cooled in an inert gas atmosphere. A method for manufacturing a plasma display panel is provided.

本発明は、真空下において加熱した前面板を冷却するに際して、その加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度域より前面板を不活性ガスに曝露しつつ冷却することを特徴の1つとする。ここで、本発明における「加熱時の最高温度」とは例えば450℃以上560℃以下の温度である。   One feature of the present invention is that when the front plate heated under vacuum is cooled, the front plate is cooled while being exposed to an inert gas from a temperature range of not more than the maximum temperature during heating to 250 ° C. or more. . Here, the “maximum temperature during heating” in the present invention is, for example, a temperature of 450 ° C. or more and 560 ° C. or less.

本明細書において「前面板」とは、映像を見る人から見て表面側となるパネル基板を指しており、実質的には、蛍光体層および隔壁が存在していない側のパネル基板を指している(換言すれば、蛍光体層および隔壁が存在する“背面板”と対向配置されるパネル基板が“前面板”であるといえる)。   In this specification, the “front plate” refers to a panel substrate on the surface side as viewed from the person viewing the image, and substantially refers to the panel substrate on the side where the phosphor layer and the partition wall are not present. (In other words, it can be said that the “front plate” is the panel substrate disposed opposite to the “back plate” in which the phosphor layers and the barrier ribs are present).

また、本明細書において「不活性ガス供給を開始する」とは、前面板が不活性ガス雰囲気に曝されるように該不活性ガスの供給を行うことを意味している。別の表現を用いれば、「不活性ガス供給を開始する」とは、前面板が配置されている実質的な閉空間に対して不活性ガスを供給し始めることを意味している。例えば、工程(i)においてチャンバ内の真空雰囲気下で前面板が加熱される場合では、そのチャンバ内に不活性ガスを供給し始めることを意味している。   Further, in this specification, “starting the supply of inert gas” means that the inert gas is supplied so that the front plate is exposed to the inert gas atmosphere. In other words, “start the inert gas supply” means to start supplying the inert gas to the substantially closed space where the front plate is disposed. For example, when the front plate is heated in the vacuum atmosphere in the chamber in step (i), this means that an inert gas starts to be supplied into the chamber.

ある好適な態様では、不活性ガス供給を工程(i)の加熱時の最高温度以下〜300℃以上の温度域にて開始する。つまり、工程(ii)においては、工程(i)の真空下での加熱時の最高温度以下〜300℃以上の温度域にて不活性ガス供給を開始し、それによって、前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却する。   In a preferred embodiment, the supply of the inert gas is started in a temperature range of not more than the maximum temperature during heating in step (i) to not less than 300 ° C. That is, in the step (ii), the inert gas supply is started in the temperature range of the maximum temperature or lower to 300 ° C. or higher at the time of heating in the vacuum in the step (i). Cool under atmosphere.

別のある好適な態様では、工程(ii)の実施に際して、100℃以下の温度にまで前面板を冷却する。つまり、真空下において加熱した前面板を、不活性ガスに曝しつつ冷却するが、最終的には前面板を100℃以下にまで冷却する。   In another preferred embodiment, the front plate is cooled to a temperature of 100 ° C. or lower when performing the step (ii). That is, the front plate heated under vacuum is cooled while being exposed to an inert gas, but finally the front plate is cooled to 100 ° C. or lower.

更に別の好適な態様では、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物であって、X線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する金属酸化物から前面板の保護層を形成する。   In still another preferred embodiment, the metal oxide is composed of at least two oxides selected from magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide and barium oxide. A protective layer for the front plate is formed from a metal oxide having a peak between the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle generated from a single oxide constituting the object.

ちなみに、本発明の製造方法で用いる不活性ガスとしては、窒素ガスまたは希ガスが好ましい。   Incidentally, nitrogen gas or rare gas is preferable as the inert gas used in the production method of the present invention.

また、本発明の製造方法では、上記の工程(i)および(ii)を実施した後に保護層に清浄化処理を施すことが好ましい。具体的には、以下の工程(a)〜(c)を実施することが好ましい:
(a)基板Aまたは基板Bの周縁領域にガラスフリット材料を供して、ガラスフリット封着部材を形成する工程、
(b)ガラスフリット封着部材を挟むように前面板と背面板とを対向配置する工程、および
(c)前面板と背面板とが封着されるように封着部材の軟化点以上の温度にまで前面板と背面板を加熱する工程であって、かかる加熱処理の開始から封着部材の軟化点(または場合によっては軟化点以上の温度)に至るまでの間において「対向配置された前面板と背面板との間」に清浄化ガス(例えば窒素ガスや希ガスなど)を流す工程。
Moreover, in the manufacturing method of this invention, it is preferable to perform a cleaning process to a protective layer, after implementing said process (i) and (ii). Specifically, it is preferable to carry out the following steps (a) to (c):
(A) A step of forming a glass frit sealing member by providing a glass frit material to the peripheral region of the substrate A or the substrate B;
(B) a step of arranging the front plate and the back plate so as to sandwich the glass frit sealing member; and (c) a temperature equal to or higher than the softening point of the sealing member so that the front plate and the back plate are sealed. Between the start of the heat treatment and the softening point of the sealing member (or in some cases, the temperature above the softening point). A process of flowing a cleaning gas (for example, nitrogen gas or rare gas) between the face plate and the back plate.

本発明によれば、保護層の二次電子放出特性を向上させ、高輝度で低電圧駆動が可能な表示性能に優れたPDPを実現することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the secondary electron emission characteristic of a protective layer can be improved, and PDP excellent in the display performance which can be driven by high-intensity and low voltage is realizable.

つまり、「真空下において加熱した前面板を冷却するに際して、その加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度域より前面板を不活性ガスに曝露しつつ冷却する」といった特徴に起因して、保護層における炭化水素系ガス吸着が効果的に減じられた前面板を得ることができる。また、そのような冷却処理に起因して、パネル封着時の清浄化処理に際して、前面板保護層の変質層除去効果がより向上することになる。従って、2次電子放出係数などの点で好ましい保護層材質を得ることができ、高輝度の表示性能を備えかつ低電圧駆動が可能なPDPを実現できる。   In other words, due to the feature of “when cooling the front plate heated under vacuum, the front plate is cooled while being exposed to an inert gas from a temperature range of not more than the maximum temperature of the heating to 250 ° C. or more” It is possible to obtain a front plate in which hydrocarbon gas adsorption in the protective layer is effectively reduced. Further, due to such a cooling process, the effect of removing the deteriorated layer of the front plate protective layer is further improved during the cleaning process when sealing the panel. Therefore, a preferable protective layer material can be obtained in terms of the secondary electron emission coefficient and the like, and a PDP having high luminance display performance and capable of being driven at a low voltage can be realized.

特に、本発明では、そのように保護層に対して冷却処理ないしは清浄化処理を実施するので、保護層をパネル特性にとって特に好適な成分から形成することができる点にも留意されたい。「パネル特性にとって特に好適な成分」とは、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物であって、X線回折分析において、特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する金属酸化物のことを指している。このような金属酸化物は、パネルの放電開始電圧がより低下し、放電遅れが小さくなり放電が特に安定するので好ましいものの、水、炭酸ガス等の不純物ガスとの反応性が特に高い。つまり、そのような金属酸化物が保護層成分に用いられることは、一般的には、保護層が水、二酸化炭素と反応して放電特性の劣化を引き起こしかないといえる。この点、本発明においては、上述したように「前面板の冷却処理」および「パネル封着時の清浄化処理」などを好適に実施するので、かかる不都合を回避することができ、所望の保護層成分を積極的に用いることができる。   In particular, in the present invention, since the cooling process or the cleaning process is performed on the protective layer as described above, it should be noted that the protective layer can be formed from components particularly suitable for the panel characteristics. “A component particularly suitable for panel characteristics” is a metal oxide composed of at least two oxides selected from magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide, and has a specific orientation in X-ray diffraction analysis. It refers to a metal oxide having a peak between the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle generated from the simple substance of the oxide constituting the metal oxide on the surface. Although such a metal oxide is preferable because the discharge start voltage of the panel is further reduced, the discharge delay is reduced, and the discharge is particularly stable, the reactivity with water and an impurity gas such as carbon dioxide is particularly high. In other words, the use of such a metal oxide as a protective layer component generally means that the protective layer only reacts with water and carbon dioxide to cause deterioration of discharge characteristics. In this respect, in the present invention, as described above, the “front plate cooling process” and the “cleaning process at the time of panel sealing” are preferably performed, so that such inconvenience can be avoided and desired protection can be achieved. Layer components can be used positively.

本発明の製造方法を概念的に示した斜視断面図The perspective sectional view which showed the manufacturing method of the present invention notionally PDPの構成を模式的に示した図(図2(a):PDPの概略構成を模式的に示した斜視図、図2(b):PDP前面板を模式的に示した断面図)The figure which showed the structure of PDP typically (FIG. 2 (a): The perspective view which showed the schematic structure of PDP typically, FIG.2 (b): The sectional view which showed the PDP front plate typically) 真空ベーキング装置におけるベーキングチャンバの断面図Sectional view of baking chamber in vacuum baking equipment 本発明の工程(i)および(ii)の実施に伴う温度・圧力トレンドの一例を示すグラフThe graph which shows an example of the temperature and pressure trend accompanying implementation of process (i) and (ii) of this invention 真空ベーキング装置の全体構成を概略的に示す平面図The top view which shows roughly the whole structure of a vacuum baking apparatus 封着処理時の態様を模式的に示した図The figure which showed the mode at the time of sealing processing typically 炭化水素系ガス吸着量に関して不活性ガス供給開始温度の依存性を表したグラフGraph showing the dependence of inert gas supply start temperature on hydrocarbon gas adsorption 活性化サイトに吸着した水分量に関して不活性ガス供給開始温度の依存性を表したグラフGraph showing the dependence of the inert gas supply start temperature on the amount of moisture adsorbed on the activation site PDP保護層の下地膜におけるX線回折結果を示す図The figure which shows the X-ray-diffraction result in the base film of a PDP protective layer PDP保護層の他の構成の下地膜におけるX線回折結果を示す図The figure which shows the X-ray-diffraction result in the base film of the other structure of a PDP protective layer PDP保護層の凝集粒子を説明するための拡大図Enlarged view for explaining aggregated particles of PDP protective layer PDPの放電遅れと保護層中のカルシウム(Ca)濃度との関係を示す図The figure which shows the relationship between the discharge delay of PDP and the calcium (Ca) density | concentration in a protective layer PDPの電子放出性能と電荷保持性能について調べた結果を示す図The figure which shows the result of having investigated about the electron emission performance and charge retention performance of PDP PDPに用いた結晶粒子の粒径と電子放出特性の関係を示す特性図Characteristic diagram showing the relationship between the particle size of crystal grains used in PDP and electron emission characteristics

以下にて、図面を参照して、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法を詳細に説明する。図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。   Hereinafter, a method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the various elements shown in the drawings are merely schematically shown for understanding of the present invention, and the dimensional ratio, appearance, and the like may differ from the actual ones.

プラズマディスプレイパネルの構成
まず、本発明の製造方法を経ることによって最終的に得られるプラズマディスプレイパネルを簡単に説明する。図2(a)に、PDPの構成を断面斜視図で模式的に示すと共に、図2(b)にPDPの前面板の断面図を模式的に示す。
[ Configuration of plasma display panel ]
First, a plasma display panel finally obtained through the manufacturing method of the present invention will be briefly described. FIG. 2A schematically shows the structure of the PDP in a sectional perspective view, and FIG. 2B schematically shows a sectional view of the front plate of the PDP.

本発明のPDP(100)の構成は、図2(a)に示すように、「基板A(10)に電極A(11)と誘電体層A(15)と保護層(16)とが設けられた前面板(1)」および「基板B(20)上に電極B(21)と誘電体層B(22)と隔壁(23)と蛍光体層(25)とが設けられた背面板(2)」からなる。   As shown in FIG. 2 (a), the PDP (100) of the present invention has a structure in which an electrode A (11), a dielectric layer A (15), and a protective layer (16) are provided on a substrate A (10). The front plate (1) ”and the back plate (on which the electrode B (21), the dielectric layer B (22), the partition wall (23), and the phosphor layer (25) are provided on the substrate B (20)). 2) ".

図示するように、前面板(1)では基板A(10)上に電極A(11)が設けられ、電極A(11)を覆うように誘電体層A(15)が基板A(10)上に設けられ、また、誘電体層A(15)上に保護層(16)が設けられている。背面板(2)では基板B(20)上に電極B(21)が設けられ、電極B(21)を覆うように誘電体層B(22)が基板B(20)上に設けられ、誘電体層B(22)上に隔壁(23)および蛍光体層(25)が設けられている。前面板(1)と背面板(2)とは、保護層(16)と蛍光体層(25)とが互いに向き合うように対向配置されている。前面板(1)および背面板(2)の周縁部は、例えば低融点フリットガラス材料などから成る封着部材によって気密封着されている(図示せず)。前面板(1)と背面板(2)との間に形成された放電空間(30)には放電ガス(ヘリウム、ネオンまたはキセノンなど)が例えば20kPa〜80kPa程度の圧力で封入されている。   As shown in the figure, the front plate (1) is provided with the electrode A (11) on the substrate A (10), and the dielectric layer A (15) is disposed on the substrate A (10) so as to cover the electrode A (11). In addition, a protective layer (16) is provided on the dielectric layer A (15). In the back plate (2), an electrode B (21) is provided on the substrate B (20), and a dielectric layer B (22) is provided on the substrate B (20) so as to cover the electrode B (21). A partition wall (23) and a phosphor layer (25) are provided on the body layer B (22). The front plate (1) and the back plate (2) are arranged to face each other so that the protective layer (16) and the phosphor layer (25) face each other. The peripheral portions of the front plate (1) and the back plate (2) are hermetically sealed by a sealing member made of, for example, a low melting point frit glass material (not shown). A discharge space (30) formed between the front plate (1) and the back plate (2) is filled with a discharge gas (such as helium, neon, or xenon) at a pressure of about 20 kPa to 80 kPa, for example.

更に具体的に、本発明のPDP(100)を説明していく。本発明のPDP(100)の前面板(1)は、上述したように、基板A(10)、電極A(11)、誘電体層A(15)および保護層(16)を有して成る。基板A(10)は、透明で絶縁性を有する基板(厚さは例えば約1.0mm以上かつ約3mm以下)である。基板A(10)としては、例えば、フロート法などで製造されたフロートガラス基板を挙げることができる他、ソーダライムガラス基板またはホウケイ酸塩ガラス基板などを挙げることができる。電極A(11)は、基板A(10)上にストライプ状に平行に複数配置されるものであり、例えば、走査電極(12)および維持電極(13)から成る表示電極である。この場合、走査電極(12)および維持電極(13)は、それぞれ「酸化インジウム(ITO)または酸化スズ(SnO)などから成る透明導電膜である透明電極(12a、13a)」、および、かかる透明電極上に形成された「銀を主成分としたバス電極(12b、13b)」から構成される(図2(b)参照)。透明電極(12a、13a)は、蛍光体層で発生した可視光を透過させる電極として主に機能する一方、バス電極(12b、13b)は、透明電極の長手方向に導電性を付与するための電極として主に機能する。透明電極(12a、13a)の厚さは、好ましくは約50nm〜約500nmである。また、バス電極(12b、13b)の厚さは、好ましくは約1μm以上かつ約20μm以下である。尚、図2(a)に示すように、基板A(10)上にはブラックストライプ(14)(遮光層)もパターン形成され得る。 More specifically, the PDP (100) of the present invention will be described. As described above, the front plate (1) of the PDP (100) of the present invention includes the substrate A (10), the electrode A (11), the dielectric layer A (15) and the protective layer (16). . The substrate A (10) is a transparent and insulating substrate (having a thickness of about 1.0 mm or more and about 3 mm or less). Examples of the substrate A (10) include a float glass substrate manufactured by a float process or the like, and a soda lime glass substrate or a borosilicate glass substrate. A plurality of electrodes A (11) are arranged in parallel in the form of stripes on the substrate A (10), and are, for example, display electrodes including scan electrodes (12) and sustain electrodes (13). In this case, the scanning electrode (12) and the sustaining electrode (13) are respectively “transparent electrodes (12a, 13a) which are transparent conductive films made of indium oxide (ITO) or tin oxide (SnO 2 )” and the like. It is comprised from "the bus electrode (12b, 13b) which has silver as a main component" formed on the transparent electrode (refer FIG.2 (b)). The transparent electrodes (12a, 13a) mainly function as electrodes that transmit visible light generated in the phosphor layer, while the bus electrodes (12b, 13b) provide conductivity in the longitudinal direction of the transparent electrodes. Mainly functions as an electrode. The thickness of the transparent electrodes (12a, 13a) is preferably about 50 nm to about 500 nm. The thickness of the bus electrodes (12b, 13b) is preferably about 1 μm or more and about 20 μm or less. As shown in FIG. 2A, a black stripe (14) (light-shielding layer) can also be patterned on the substrate A (10).

誘電体層A(15)は、基板A(10)の表面に形成された電極A(11)を覆うように設けられている。かかる誘電体層A(15)は、主としてガラス成分およびビヒクル成分(=バインダ樹脂および有機溶剤を含んだ成分)から成る誘電体原料ペーストを塗布および熱処理して得られるガラス組成から成る膜である。誘電体層A(15)の上には、例えば酸化マグネシウム(MgO)などから成る保護層(16)が形成されている(厚さは例えば約0.5μm以上かつ約1.5μm以下)。   The dielectric layer A (15) is provided so as to cover the electrode A (11) formed on the surface of the substrate A (10). The dielectric layer A (15) is a film made of a glass composition obtained by applying and heat-treating a dielectric raw material paste mainly composed of a glass component and a vehicle component (= a component containing a binder resin and an organic solvent). On the dielectric layer A (15), a protective layer (16) made of, for example, magnesium oxide (MgO) is formed (thickness is about 0.5 μm or more and about 1.5 μm or less).

一方、本発明のPDPの背面板(2)は、上述したように、基板B(20)、電極B(21)、誘電体層B(22)、隔壁(23)および蛍光体層(25)を有して成る。基板B(20)は、透明で絶縁性を有する基板(厚さは例えば約1.0mm以上かつ約3mm以下)であることが好ましく、例えば、フロート法などで製造されたフロートガラス基板を挙げることができる他、ソーダライムガラス基板、ホウケイ酸塩ガラス基板または各種セラミック基板などを挙げることができる。電極B(21)は、基板B(20)上にストライプ状に複数形成される銀を主成分とした電極(厚さは例えば約1μm以上かつ約10μm以下)であり、例えば、アドレス電極(またはデータ電極)である。アドレス電極は、各放電セルを選択的に放電させる機能を主に有している。   On the other hand, as described above, the back plate (2) of the PDP of the present invention includes the substrate B (20), the electrode B (21), the dielectric layer B (22), the partition wall (23), and the phosphor layer (25). It has. The substrate B (20) is preferably a transparent and insulating substrate (thickness is, for example, not less than about 1.0 mm and not more than about 3 mm), for example, a float glass substrate manufactured by a float method or the like. In addition, a soda lime glass substrate, a borosilicate glass substrate, various ceramic substrates, and the like can be given. The electrode B (21) is an electrode (thickness is about 1 μm or more and about 10 μm or less) made mainly of silver and formed in stripes on the substrate B (20). Data electrode). The address electrode mainly has a function of selectively discharging each discharge cell.

誘電体層B(22)は、下地誘電体層と一般に呼ばれるものであり、基板B(20)の表面に形成された電極B(21)を覆うように設けられている。かかる誘電体層B(22)は、主としてガラス成分およびビヒクル成分(=バインダ樹脂および有機溶剤を含んだ成分)から成る誘電体原料ペーストを塗布および熱処理して得られるガラス組成から成る膜である。誘電体層B(22)の厚さは、例えば約5μm以上かつ約50μm以下である。誘電体層B(22)の上には、蛍光体材料を主成分とした蛍光体層(25)が形成されている(厚さは例えば約5μm以上かつ約20μm以下程度)。蛍光体層(25)は、放電によって放射された紫外線を可視光線に変換する機能を主に有している。かかる蛍光体層(25)は、赤色、緑色および青色を発する蛍光体層を構成単位としており、それぞれが隔壁(23)で区切られている。隔壁(23)は、放電空間をアドレス電極(21)毎に区画する目的で、ストライプ状または井桁状に誘電体層B(22)上に形成されている。かかる隔壁(23)は、ガラス成分、ビヒクル成分およびフィラー等を含んで成るペースト原料から形成される。   The dielectric layer B (22) is generally called a base dielectric layer, and is provided so as to cover the electrode B (21) formed on the surface of the substrate B (20). The dielectric layer B (22) is a film made of a glass composition obtained by applying and heat-treating a dielectric material paste mainly composed of a glass component and a vehicle component (= a component containing a binder resin and an organic solvent). The thickness of the dielectric layer B (22) is, for example, not less than about 5 μm and not more than about 50 μm. On the dielectric layer B (22), a phosphor layer (25) mainly composed of a phosphor material is formed (the thickness is, for example, about 5 μm or more and about 20 μm or less). The phosphor layer (25) mainly has a function of converting ultraviolet rays emitted by the discharge into visible light. The phosphor layer (25) has phosphor layers emitting red, green and blue as structural units, and each is separated by a partition wall (23). The barrier ribs (23) are formed on the dielectric layer B (22) in a stripe shape or in a grid pattern for the purpose of partitioning the discharge space for each address electrode (21). The partition wall (23) is formed from a paste raw material including a glass component, a vehicle component, a filler, and the like.

本発明のPDP(100)では、前面板(1)の表示電極(11)と背面板(2)のアドレス電極(21)とが直交するように、前面板(1)と背面板(2)とが放電空間(30)を挟んで対向して配置されている。このようなPDP(100)では、隔壁(23)によって仕切られ、アドレス電極(21)と表示電極(11)とが交差する放電空間(30)が放電セル(32)として機能することになる。換言すれば、マトリクス状に配列されている放電セルが画像表示領域を構成している。従って、外部駆動回路から表示電極(11)に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電ガスを放電させ、かかる放電によって生じる紫外線によって、各色の蛍光体層を励起させて赤色、緑色および青色の可視光を発生させると、カラー画像表示が実現される。   In the PDP (100) of the present invention, the front plate (1) and the back plate (2) are arranged so that the display electrode (11) of the front plate (1) and the address electrode (21) of the back plate (2) are orthogonal to each other. Are arranged opposite to each other across the discharge space (30). In such a PDP (100), the discharge space (30) partitioned by the partition wall (23) and intersecting the address electrode (21) and the display electrode (11) functions as a discharge cell (32). In other words, the discharge cells arranged in a matrix form an image display area. Accordingly, the discharge gas is discharged by selectively applying the video signal voltage from the external drive circuit to the display electrode (11), and the phosphor layers of the respective colors are excited by the ultraviolet rays generated by the discharge, thereby red, green, and blue. When visible light is generated, color image display is realized.

PDPの一般的な製造方法
次に、PDPの一般的な製造方法について簡潔に説明する。特に言及しない限り、本発明に係るPDPは、原則、一般的なPDP製造法に基づいて得ることができる。また、特に言及しない限り、各種構成部材の原材料(原料ペースト)/構成材料なども一般的なPDP製造法で常套的に用いられているものであってよい。
[ General manufacturing method of PDP ]
Next, a general method for manufacturing a PDP will be briefly described. Unless otherwise stated, the PDP according to the present invention can be obtained based on a general PDP manufacturing method in principle. Unless otherwise specified, raw materials (raw material pastes) / constituent materials of various constituent members may also be those conventionally used in general PDP manufacturing methods.

まず、ガラス基板である基板A(10)上に、電極Aとして走査電極(12)と維持電極(13)とから構成される表示電極(11)を形成する。走査電極(12)および維持電極(13)のそれぞれの透明電極(12a、13a)とバス電極(12b、13b)とは、露光・現像するフォトリソグラフィ法などを用いてパターニングできる。透明電極(12a、13a)は薄膜プロセスなどを用いて形成でき、バス電極(12b、13b)は銀(Ag)材料を含むペーストを乾燥(100〜200℃程度)および焼成(400〜600℃程度)に付すことによって形成できる。また、電極Aの形成に際して、遮光層(14)も形成してよく、黒色顔料を含んだ原料ペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料を含んだ原料をガラス基板の全面に設けた後、露光・現像するフォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することによって形成できる。次いで、走査電極(12)、維持電極(13)および遮光層(14)を覆うように基板A(10)上に、ガラス成分(SiO、Bなどから形成される材料)とビヒクル成分とを主成分とした誘電体原料ペーストをダイコート法または印刷法などにより塗布して誘電体ペースト層を形成する。塗布した後、所定の時間放置すると塗布された誘電体ペーストの表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成すると誘電体層A(15)が形成される。誘電体層A(15)を形成した後、かかる誘電体層A(15)上に保護膜(16)を形成する。保護膜(16)は、一般的には、真空蒸着法、CVD法またはスパッタリング法などを用いて形成できる。 First, on the substrate A (10) which is a glass substrate, the display electrode (11) composed of the scan electrode (12) and the sustain electrode (13) is formed as the electrode A. The transparent electrodes (12a, 13a) and the bus electrodes (12b, 13b) of the scan electrode (12) and the sustain electrode (13) can be patterned using a photolithography method that exposes and develops. The transparent electrodes (12a, 13a) can be formed by using a thin film process or the like, and the bus electrodes (12b, 13b) are obtained by drying (about 100 to 200 ° C.) and baking (about 400 to 600 ° C.) a paste containing a silver (Ag) material. ). Further, when forming the electrode A, a light shielding layer (14) may also be formed. After the raw material paste containing the black pigment is screen-printed or the raw material containing the black pigment is provided on the entire surface of the glass substrate, exposure / It can be formed by patterning using a photolithography method for development and baking. Next, a glass component (material formed from SiO 2 , B 2 O 3, etc.) and a vehicle on the substrate A (10) so as to cover the scan electrode (12), the sustain electrode (13), and the light shielding layer (14). A dielectric material paste mainly composed of components is applied by a die coating method or a printing method to form a dielectric paste layer. After application, if left for a predetermined time, the surface of the applied dielectric paste is leveled to form a flat surface. Thereafter, when the dielectric paste layer is fired, a dielectric layer A (15) is formed. After forming the dielectric layer A (15), a protective film (16) is formed on the dielectric layer A (15). The protective film (16) can be generally formed by using a vacuum deposition method, a CVD method, a sputtering method, or the like.

以上の工程により、基板A(10)上に所定の構成部材である電極A(走査電極(12)および維持電極(13))、誘電体層A(15)および保護層(16)が形成され、前面板(1)が完成する。   Through the above steps, electrodes A (scanning electrode (12) and sustaining electrode (13)), dielectric layer A (15) and protective layer (16), which are predetermined constituent members, are formed on substrate A (10). The front plate (1) is completed.

一方、背面板(2)は次のようにして形成する。まず、ガラス基板である基板B(20)上に、電極Bとしてアドレス電極(21)を形成する。具体的には、銀(Ag)材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、銀を主成分とした金属膜を全面に形成した後、露光・現像するフォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによって前駆体層を形成し、それを所望の温度(例えば約400〜約600℃)で焼成することによりアドレス電極(21)を形成する。この「アドレス電極」は、クロム/銅/クロムの3層薄膜上にフォトレジストを塗布したものをフォトリソグラフィ及びウェットエッチングによりパターニングして形成してもよい。次いで、アドレス電極(21)が形成された基板B(20)上に、下地誘電体層となる誘電体層B(22)を形成する。まず、「ガラス成分(SiO、Bなどから形成される材料)およびビヒクル成分などを主成分とした誘電体原料ペースト」をダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト層を形成する。そして、かかる誘電体ペースト層を焼成することで誘電体層B(22)を形成できる。次いで、隔壁(23)を形成する。具体的には、誘電体層B(22)上に隔壁形成用原料ペーストを塗布して所定の形状にパターニングすることにより、隔壁材料層を形成し、その後、それを焼成に付して隔壁(23)を形成する。例えば、低融点ガラス材料、ビヒクル成分およびフィラー等を主成分とした原料ペーストをダイコート法または印刷法によって塗布して約100℃〜200℃の乾燥に付した後、露光・現像するフォトリソグラフィ法でパターニングし、次いで、約400℃〜約600℃の焼成に付すことによって隔壁(23)を形成する。尚、隔壁(23)は、サンドブラスト法、エッチング法または成型法などを用いることによっても形成できる。次いで、蛍光体層(25)を形成する。隣接する隔壁(23)間の誘電体層B(22)上および隔壁(23)の側面に蛍光体材料を含む蛍光体原料ペーストを塗布し、焼成することによって蛍光体層(25)を形成する。より具体的には、蛍光体粉末およびビヒクル成分等を主成分とした原料ペーストをダイコート法、印刷法、ディスペンス法またはインクジェット法などによって塗布し、次いで、約100℃の乾燥に付すことによって蛍光体層(25)を形成する。 On the other hand, the back plate (2) is formed as follows. First, the address electrode (21) is formed as the electrode B on the substrate B (20) which is a glass substrate. Specifically, a method of screen printing a paste containing a silver (Ag) material, a method of patterning using a photolithography method in which a metal film mainly composed of silver is formed on the entire surface, and then exposed and developed are used. An address electrode (21) is formed by forming a precursor layer and firing it at a desired temperature (eg, about 400 to about 600 ° C.). This “address electrode” may be formed by patterning a chrome / copper / chromium three-layer thin film coated with a photoresist by photolithography and wet etching. Next, a dielectric layer B (22) serving as a base dielectric layer is formed on the substrate B (20) on which the address electrodes (21) are formed. First, a “dielectric material paste mainly composed of a glass component (a material formed from SiO 2 , B 2 O 3 or the like) and a vehicle component” is applied by a die coating method or the like to form a dielectric paste layer. And dielectric layer B (22) can be formed by baking this dielectric paste layer. Next, a partition wall (23) is formed. Specifically, a partition wall forming raw material paste is applied onto the dielectric layer B (22) and patterned into a predetermined shape to form a partition wall material layer, which is then fired to form a partition wall ( 23). For example, by a photolithography method in which a raw material paste mainly composed of a low-melting glass material, a vehicle component and a filler is applied by a die coating method or a printing method, dried at about 100 ° C. to 200 ° C., and then exposed and developed. The partition wall (23) is formed by patterning and then baking at about 400 ° C. to about 600 ° C. The partition wall (23) can also be formed by using a sandblast method, an etching method, a molding method, or the like. Next, a phosphor layer (25) is formed. A phosphor raw material paste containing a phosphor material is applied on the dielectric layer B (22) between the adjacent barrier ribs (23) and on the side surfaces of the barrier ribs (23), and baked to form the phosphor layer (25). . More specifically, the phosphor paste is prepared by applying a raw material paste mainly composed of phosphor powder and a vehicle component by a die coating method, a printing method, a dispensing method, an ink jet method or the like, and then drying at about 100 ° C. A layer (25) is formed.

以上の工程により、基板B(20)上に、所定の構成部材たる電極B(アドレス電極(21))、誘電体層B(22)、隔壁(23)および蛍光体層(25)が形成され、背面板(2)が完成する。   Through the above steps, the electrode B (address electrode (21)), the dielectric layer B (22), the partition wall (23), and the phosphor layer (25), which are predetermined constituent members, are formed on the substrate B (20). The back plate (2) is completed.

このようにして所定の構成部材を備えた前面板(1)と背面板(2)とは、表示電極(11)とアドレス電極(21)とが直交するように対向配置させる。次いで、前面板(1)と背面板(2)の周囲をガラスフリットで封着すると共に、形成される放電空間(30)に放電ガス(ヘリウム、ネオンまたはキセノンなど)を封入することによってPDP(100)が完成する。   In this way, the front plate (1) and the back plate (2) provided with predetermined constituent members are arranged to face each other so that the display electrodes (11) and the address electrodes (21) are orthogonal to each other. Next, the periphery of the front plate (1) and the back plate (2) is sealed with a glass frit, and a discharge gas (helium, neon, xenon, etc.) is sealed in the discharge space (30) to be formed. 100) is completed.

本発明の製造方法
本発明は、上述のPDP製造工程の中でも、特に前面板の形成後からパネル封着までの製造工程に特色を有している。
[ Production method of the present invention ]
The present invention is particularly characterized in the manufacturing process from the formation of the front plate to the panel sealing, among the above-mentioned PDP manufacturing processes.

本発明の製造方法では、まず、基板A上に電極Aと誘電体層Aと保護層とが形成された前面板を準備する。かかる前面板の準備は、上述の[PDPの一般的な製造方法]で説明しているので、重複を避けるために説明を省略する。ちなみに、保護層は、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物から形成することが好ましい。本発明では、かかる金属酸化物は、X線回折分析において特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するものであることが特に好ましい点に留意されたい。このような保護層成分を用いると、パネルの放電開始電圧が低下し、放電遅れが小さくなり放電が安定するからである。前記の金属酸化物は、水、炭酸ガス等の不純物ガスとの反応性が高いので、そのような金属酸化物が保護層成分に用いられていることは、一般的には、保護層が水、二酸化炭素と反応して放電特性の劣化を引き起こしかねないといえる。この点、本発明においては、後述するように「前面板の真空下の加熱処理・不活性ガス雰囲気下の冷却処理」および「パネル封着時の清浄化処理」を実施するので、上述のような不都合な反応は回避され、上記金属酸化物を積極的に用いることができる。   In the manufacturing method of the present invention, first, a front plate in which an electrode A, a dielectric layer A, and a protective layer are formed on a substrate A is prepared. Since the preparation of the front plate has been described in the above-mentioned [General manufacturing method of PDP], description thereof is omitted to avoid duplication. Incidentally, the protective layer is preferably formed from a metal oxide composed of at least two oxides selected from magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide and barium oxide. In the present invention, such a metal oxide has a peak between the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle generated from the simple substance of the oxide constituting the metal oxide in a specific orientation plane in X-ray diffraction analysis. Note that it is particularly preferred. When such a protective layer component is used, the discharge start voltage of the panel is lowered, the discharge delay is reduced, and the discharge is stabilized. Since the metal oxide has high reactivity with impurity gases such as water and carbon dioxide, the metal oxide is generally used as a protective layer component. It can be said that it may react with carbon dioxide and cause deterioration of discharge characteristics. In this regard, in the present invention, as described later, “the heat treatment under vacuum of the front plate / cooling treatment under an inert gas atmosphere” and “cleaning treatment at the time of panel sealing” are performed. Such an inconvenient reaction is avoided, and the metal oxide can be positively used.

本発明では、準備された前面板を、背面板と対向配置させて封着処理に付すことになるが、その封着処理に先立って、前面板を真空雰囲気下で加熱処理し、引き続いて冷却処理を実施する(以下において、真空雰囲気下の加熱処理を「真空ベーキング」とも称する)。   In the present invention, the prepared front plate is placed opposite to the back plate and subjected to a sealing treatment. Prior to the sealing treatment, the front plate is heated in a vacuum atmosphere and subsequently cooled. Processing is performed (hereinafter, heat treatment in a vacuum atmosphere is also referred to as “vacuum baking”).

図1を参照して説明すると、本発明では以下の工程(i)および(ii)を実施する:
工程(i):前面板をチャンバ内に仕込んだ後、チャンバ内雰囲気を真空状態して前面板を加熱する(図1(a)参照)
工程(ii):前面板の加熱を終了し、チャンバ内にて前面板の冷却を開始する。そして、加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度域にて不活性ガスの供給を開始し、前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却させる(図1(b)参照)。
Referring to FIG. 1, the present invention performs the following steps (i) and (ii):
Step (i) : After preparing the front plate in the chamber, the atmosphere in the chamber is evacuated and the front plate is heated (see FIG. 1 (a)).
Step (ii) : The heating of the front plate is finished, and cooling of the front plate is started in the chamber. And supply of an inert gas is started in the temperature range below the maximum temperature at the time of heating-250 degreeC or more, and a front board is cooled in inert gas atmosphere (refer FIG.1 (b)).

本発明にいう「真空雰囲気下」とは、大気圧より減圧された雰囲気圧力のことを実質的に意味している。例えば、前面板が仕込まれているチャンバの内部雰囲気について0.00001Pa以上0.1Pa以下程度の圧力が本発明の“真空”に相当する。図3に示すような真空ベーキング装置(40)を用いる態様を想定すると、排気ポンプ(42)によりベーキングチャンバ(41)内を排気処理することによって、チャンバ(41)の内部雰囲気を“真空”にできる。排気ポンプ(42)としては、クライオポンプやターボ分子ポンプなど、排気速度の高いポンプを用いることが好ましい。   In the present invention, “under a vacuum atmosphere” substantially means an atmospheric pressure reduced from atmospheric pressure. For example, a pressure of about 0.00001 Pa to 0.1 Pa corresponds to the “vacuum” of the present invention with respect to the internal atmosphere of the chamber in which the front plate is charged. Assuming an embodiment using a vacuum baking apparatus (40) as shown in FIG. 3, the inside atmosphere of the chamber (41) is made "vacuum" by exhausting the inside of the baking chamber (41) by the exhaust pump (42). it can. As the exhaust pump (42), it is preferable to use a pump having a high exhaust speed such as a cryopump or a turbo molecular pump.

真空雰囲気下における前面板の加熱は、保護層から不純物ガス成分を脱離させることを意図している。従って、かかる加熱処理時の最高温度は、保護層から不純物ガス成分が脱離することになるのであれば、原則的に制限はない。但し、最も効果的な脱離や他の構成部材に与える影響などを考慮すると、加熱処理時の最高温度は450℃以上560℃以下であることが好ましい。加熱処理時の最高温度が450℃未満であると真空ベーキングによる“不純物ガス成分の脱離”が不十分となり得る一方、加熱処理時の最高温度が560℃を超えると誘電体層が軟化・溶融し得るからである。   The heating of the front plate in a vacuum atmosphere is intended to desorb impurity gas components from the protective layer. Therefore, the maximum temperature during the heat treatment is not limited in principle as long as the impurity gas component is desorbed from the protective layer. However, in consideration of the most effective desorption and the influence on other components, the maximum temperature during the heat treatment is preferably 450 ° C. or higher and 560 ° C. or lower. If the maximum temperature during heat treatment is less than 450 ° C., “desorption of impurity gas components” due to vacuum baking may be insufficient. On the other hand, if the maximum temperature during heat treatment exceeds 560 ° C., the dielectric layer softens and melts. Because it can.

本発明の工程(i)では、チャンバ(41)内にて前面板(1)を加熱する。加熱手段としては、図3に示すように、チャンバ(41)内に設置された「ランプ(43)」および「反射板(44)」を用いてよい。かかる場合、ランプ(43)への電極供給に起因してランプから発せられる熱が熱源として用いられ、この熱が反射板(44)によって効率的に前面板(1)へと伝えられることになる。   In step (i) of the present invention, the front plate (1) is heated in the chamber (41). As the heating means, as shown in FIG. 3, a “lamp (43)” and a “reflector (44)” installed in the chamber (41) may be used. In such a case, the heat generated from the lamp due to the electrode supply to the lamp (43) is used as a heat source, and this heat is efficiently transmitted to the front plate (1) by the reflector (44). .

工程(i)の加熱処理では、上述したように、好ましくは前面板を450℃〜560℃の最高温度にまで加熱するが、この加熱処理時の最高温度は1〜30分程度保持することが好ましい。   In the heat treatment of step (i), as described above, the front plate is preferably heated to a maximum temperature of 450 ° C. to 560 ° C., but the maximum temperature during this heat treatment can be maintained for about 1 to 30 minutes. preferable.

加熱処理後においては、工程(ii)として前面板の冷却を実施する。図3に示す態様では、まず、ランプ(43)の電力供給を停止する。これにより、前面板(1)の温度が徐々に低下することになる。本発明においては、かかる冷却に際して、加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度域にて不活性ガスの供給を開始し、前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却する。これにより、保護層から不純物ガス成分が効果的に除去された前面板を得ることができるからである。加熱処理で保護層から脱離した不純物ガス成分のうち炭化水素ガス成分(例えば一例を挙げればCHガスやCガスなど)は、冷却過程で保護層に吸着される可能性があるものの、本発明では、加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度域より前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却しており、その結果、炭化水素ガス成分の冷却過程での吸着は効果的に防止される(かかる本発明の効果については後述する)。 After the heat treatment, the front plate is cooled as step (ii). In the mode shown in FIG. 3, first, the power supply of the lamp (43) is stopped. Thereby, the temperature of a front plate (1) falls gradually. In the present invention, at the time of such cooling, the supply of the inert gas is started in a temperature range of the maximum temperature or lower to 250 ° C. or higher during heating, and the front plate is cooled in an inert gas atmosphere. This is because a front plate from which the impurity gas component is effectively removed from the protective layer can be obtained. Of the impurity gas components desorbed from the protective layer by the heat treatment, hydrocarbon gas components (for example, CH 4 gas and C 2 H 6 gas) can be adsorbed to the protective layer during the cooling process. However, in the present invention, the front plate is cooled in an inert gas atmosphere from the temperature range of the maximum temperature or lower to 250 ° C. or higher during heating, and as a result, the adsorption of hydrocarbon gas components during the cooling process is effective. (The effects of the present invention will be described later).

冷却過程で行う不活性ガスの供給は、加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度範囲の所定温度から行う。つまり、冷却を開始して250℃に降温するまでにチャンバ41内へと不活性ガスを供給し始め、その後かかる供給を継続する。図3に示す真空ベーキング装置(40)では、流量コントローラ(45)からバルブ(46)を介して不活性ガスをベーキングチャンバ(41)内へと供給する。用いる不活性ガスは、特に制限されるわけではないが、例えば、窒素ガスや希ガス(He、Ne、Ar、Xeなど)であってよい。供給する不活性ガスの温度についても特に制限はなく、2℃〜35℃程度であってよく、例えば常温(例示すると約25℃程度)である。   The supply of the inert gas performed in the cooling process is performed from a predetermined temperature in a temperature range of not more than the maximum temperature during heating to not less than 250 ° C. That is, the inert gas starts to be supplied into the chamber 41 before the cooling is started and the temperature is lowered to 250 ° C., and then the supply is continued. In the vacuum baking apparatus (40) shown in FIG. 3, an inert gas is supplied into the baking chamber (41) from the flow controller (45) through the valve (46). The inert gas to be used is not particularly limited, but may be, for example, nitrogen gas or a rare gas (He, Ne, Ar, Xe, etc.). There is no restriction | limiting in particular also about the temperature of the inert gas supplied, For example, it may be about 2 degreeC-35 degreeC, for example, it is normal temperature (about 25 degreeC will illustrate).

特により好ましい態様では、前面板が300℃に降温するまでに不活性ガスの供給を開始する。つまり、加熱時の最高温度以下〜300℃以上の温度域にて不活性ガスの供給を開始し、それによって、前面板を不活性ガス雰囲気下にさらしつつ冷却する。かかる態様では、“冷却過程における炭化水素ガス成分の保護層への再吸着”をより効果的に防止できる(かかる効果についても後述する)。   In a particularly more preferable aspect, the supply of the inert gas is started before the temperature of the front plate drops to 300 ° C. That is, the supply of the inert gas is started in the temperature range of the maximum temperature or lower to 300 ° C. or higher during heating, thereby cooling the front plate while exposing it to the inert gas atmosphere. In such an embodiment, “re-adsorption of hydrocarbon gas components to the protective layer during the cooling process” can be more effectively prevented (this effect will also be described later).

なお、不活性ガス供給を継続することによってチャンバ内部圧力は増加することなる。そして、最終的にはチャンバの内部圧力は実質的に大気圧と同じになる。チャンバ内の雰囲気圧力が大気圧程度になり、前面板の冷却温度が所望の温度に達したら、チャンバから前面板が取り出されて封着処理に供される。チャンバからの取り出しに際しては、前面板を100℃以下にまで冷却しておくことが好ましい。HOやCOに曝露された際に生じ得る保護層表面の変質層化(即ち水酸化または炭酸化)を効果的に減じる又は防止することができるからである。 In addition, the chamber internal pressure increases by continuing the inert gas supply. Finally, the internal pressure of the chamber becomes substantially the same as the atmospheric pressure. When the atmospheric pressure in the chamber reaches about atmospheric pressure and the cooling temperature of the front plate reaches a desired temperature, the front plate is taken out from the chamber and subjected to a sealing process. When taking out from the chamber, the front plate is preferably cooled to 100 ° C. or lower. This is because alteration layer formation (that is, hydroxylation or carbonation) on the surface of the protective layer that may occur when exposed to H 2 O or CO 2 can be effectively reduced or prevented.

本発明の工程(i)および(ii)の実施に伴う温度・圧力の経時変化の一例を図4に模式的に示す。図4を参照すると、「前面板を真空雰囲気下で加熱処理した後に冷却処理するに際して、加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度域にて不活性ガスの供給を開始し、前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却する」といった本発明の特徴的なプロセスを理解できるであろう。尚、本発明の工程(ii)での冷却メカニズムについて触れておく。最高加熱温度から不活性ガス供給開始温度までの間は、主として輻射により前面板が冷却される。つまり、輻射により前面板から反射板への熱の移動が起きる。前面板は支持機構(図示せず)によって中空に保持されているので、ごく僅かだが支持機構を介した熱伝導によっても前面板は冷却されるものの、その影響は無視できるほど小さい。また、真空排気されているので、ガスを介した熱伝達もほぼ無視できる。一方、不活性ガスの供給開始後では、上記の輻射に加え、不活性ガスを介した熱伝達によっても前面板は冷却される。その影響が無視できないので、不活性ガス供給開始温度を境に、冷却速度が若干向上することになる。   FIG. 4 schematically shows an example of the change over time in temperature and pressure associated with the implementation of steps (i) and (ii) of the present invention. Referring to FIG. 4, “When the front plate is heat-treated in a vacuum atmosphere and then cooled, the supply of the inert gas is started in the temperature range from the highest temperature during heating to 250 ° C. or higher. The characteristic process of the present invention such as “cooling under an inert gas atmosphere” will be understood. The cooling mechanism in the step (ii) of the present invention will be described. Between the maximum heating temperature and the inert gas supply start temperature, the front plate is cooled mainly by radiation. That is, heat is transferred from the front plate to the reflecting plate by radiation. Since the front plate is held hollow by a support mechanism (not shown), the front plate is cooled by heat conduction through the support mechanism, but its influence is negligibly small. In addition, since the air is evacuated, the heat transfer through the gas can be almost ignored. On the other hand, after the start of the supply of the inert gas, the front plate is cooled by heat transfer via the inert gas in addition to the above radiation. Since the influence cannot be ignored, the cooling rate is slightly improved with the inert gas supply start temperature as a boundary.

図5は、本発明の製造方法に使用できる真空ベーキング装置の全体構成を概略的に示している。図示する真空ベーキング装置態様では、ロードロックチャンバ(49)がゲート(48)を介してベーキングチャンバ(41)と連通可能な状態で設けられている。かかる図5および前述の図3を用いて「前面板の保護層形成後から封着処理前のプロセス態様」を経時的に説明しておく。   FIG. 5 schematically shows the overall configuration of a vacuum baking apparatus that can be used in the production method of the present invention. In the illustrated vacuum baking apparatus aspect, the load lock chamber (49) is provided in a state where it can communicate with the baking chamber (41) via the gate (48). With reference to FIG. 5 and FIG. 3 described above, the “process mode after forming the protective layer of the front plate and before the sealing process” will be described over time.

まず、保護層が形成された前面板(1)は、ロードロックチャンバ(49)内に置かれたトレー(図示せず)上に載置させる。次いで、搬送系(図示せず)を用いて、前面板(1)をトレーと共にゲート(48)を通過させてベーキングチャンバ(41)へと搬送する。搬送後、ゲート(48)を閉めて、ベーキングチャンバ(41)内をポンプ(42)を用いて排気する。排気によってベーキングチャンバの内部雰囲気が減圧される。チャンバ内部雰囲気が所定の真空圧力(例えば0.001Pa以下)に達すると、ベーキングチャンバ(41)内に設けられたランプ(43)に電力を供して前面板(1)の加熱を開始する。加熱により前面板(1)の温度が上昇し始める。最終的には或る所定温度(例えば、約500℃)に達するまで前面板を加熱し、その到達最高温度を数分間(例えば2分間程度)保持する。引き続いて、ランプ(43)の電力を切り、前面板(1)の冷却を開始する。この冷却過程において、前面板の温度が徐々に下がることになる。そして、前面板(1)が250℃を下回る温度に降温するまでに不活性ガスの供給を開始する。具体的には、流量コントローラ(45)からバルブ(46)を介して不活性ガスをベーキングチャンバ(41)内へと供給する。これにより、前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却することができる。不活性ガスの供給によってベーキングチャンバ(41)内の雰囲気圧力は徐々に増加し、最終的には大気圧と同程度の圧力に達する。そして、前面板の温度が100℃以下に達するまで前面板の冷却を継続する。前面板(1)の冷却が終了すると、前面板(1)をトレーと共にロードロックチャンバ(49)へと搬送する。そして、搬送後の前面板(1)は、ロードロックチャンバ(49)から取り出され、次工程の封着処理へと供される。   First, the front plate (1) on which the protective layer is formed is placed on a tray (not shown) placed in the load lock chamber (49). Next, using a transport system (not shown), the front plate (1) is transported to the baking chamber (41) through the gate (48) together with the tray. After the transfer, the gate (48) is closed, and the inside of the baking chamber (41) is evacuated using the pump (42). The internal atmosphere of the baking chamber is depressurized by the exhaust. When the atmosphere inside the chamber reaches a predetermined vacuum pressure (for example, 0.001 Pa or less), electric power is supplied to the lamp (43) provided in the baking chamber (41) to start heating the front plate (1). The temperature of the front plate (1) begins to rise due to heating. Finally, the front plate is heated until a certain predetermined temperature (for example, about 500 ° C.) is reached, and the maximum temperature reached for several minutes (for example, about 2 minutes). Subsequently, the lamp (43) is turned off and cooling of the front plate (1) is started. In this cooling process, the temperature of the front plate gradually decreases. Then, the supply of the inert gas is started until the temperature of the front plate (1) falls below 250 ° C. Specifically, an inert gas is supplied from the flow rate controller (45) through the valve (46) into the baking chamber (41). Thereby, the front plate can be cooled in an inert gas atmosphere. By supplying the inert gas, the atmospheric pressure in the baking chamber (41) gradually increases, and finally reaches a pressure approximately equal to the atmospheric pressure. And cooling of a front plate is continued until the temperature of a front plate reaches 100 degrees C or less. When the cooling of the front plate (1) is completed, the front plate (1) is transferred to the load lock chamber (49) together with the tray. Then, the transported front plate (1) is taken out from the load lock chamber (49) and used for the sealing process in the next step.

(封着処理について)
前面板を上記の加熱処理・冷却処理に付した後において、即ち、ロードロックチャンバから前面板を取りだした後においては、封着処理を実施する。つまり、ガラスフリット封着部材を介して前面板と背面板とを対向配置させて封着処理を行う。前面板に対向配置されることになる背面板は、基板B上に電極Bと誘電体層Bと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板である。背面板の準備については、上述の[PDPの一般的な製造方法]で説明しているので、重複を避けるために説明を省略する。
(About sealing process)
After the front plate is subjected to the above heat treatment / cooling treatment, that is, after the front plate is taken out from the load lock chamber, the sealing treatment is performed. That is, the sealing process is performed by arranging the front plate and the back plate to face each other through the glass frit sealing member. The back plate to be disposed opposite to the front plate is a back plate in which an electrode B, a dielectric layer B, a partition wall, and a phosphor layer are formed on a substrate B. Since the preparation of the back plate has been described in the above-mentioned [General manufacturing method of PDP], description thereof is omitted to avoid duplication.

封着処理およびその封着処理に伴って実施され得る清浄化処理について図6を参照して具体的に説明しておく。まず、この前面板(1)と背面板(2)とを、アライメント装置内で位置合わせし、2枚の基板をガラスフリット封着部材(86)を介して密着させ把持する。次いで、背面板(2)に設けられた貫通穴(29)に合わせてチップ管(55)を取り付ける。次いで、チップ管(55)から前面板(1)と背面板(2)との間の空間へと清浄化ガス(例えば窒素ガス)を吹込みながら、2枚の基板を封着排気炉にて加熱する。清浄化ガスを吹込みながら前面板(1)および背面板(2)を封着排気炉内で加熱することによって、ガラスフリット封着部材(86)が溶融して2枚の基板が封着される。清浄化ガスを吹き込まずに封着工程を実施すると、空気中の水分や二酸化炭素の影響で、保護層の水酸化・炭酸化が生じ得ることに起因して、最終的に得られるPDPにおいて放電開始電圧が高くなる。これを避けるために、封着工程に際して清浄化処理として窒素ガスなどを前面板と背面板との間の空間へと吹き込む。このような清浄化ガスの吹き込みは、基板温度がガラスフリット封着部材の軟化点に達した時点で停止させる。つまり、ガラスフリット封着部材が軟化して前面板と背面板との周囲が完全に封着された時点で、清浄化ガスの吹き込みを停止する。   The sealing process and the cleaning process that can be performed along with the sealing process will be specifically described with reference to FIG. First, the front plate (1) and the back plate (2) are aligned in the alignment apparatus, and the two substrates are brought into close contact with each other via the glass frit sealing member (86). Next, the tip tube (55) is attached in accordance with the through hole (29) provided in the back plate (2). Next, the two substrates are sealed in a sealed exhaust furnace while a cleaning gas (for example, nitrogen gas) is blown from the tip tube (55) into the space between the front plate (1) and the back plate (2). Heat. By heating the front plate (1) and the back plate (2) in the sealing exhaust furnace while blowing the cleaning gas, the glass frit sealing member (86) is melted and the two substrates are sealed. The If the sealing process is carried out without blowing the cleaning gas, the protective layer may be hydroxylated and carbonated due to the influence of moisture and carbon dioxide in the air. The starting voltage increases. In order to avoid this, nitrogen gas or the like is blown into the space between the front plate and the back plate as a cleaning process in the sealing step. Such blowing of the cleaning gas is stopped when the substrate temperature reaches the softening point of the glass frit sealing member. That is, when the glass frit sealing member is softened and the periphery of the front plate and the back plate is completely sealed, the blowing of the cleaning gas is stopped.

清浄化ガスについて付言しておく。用いられる清浄化ガスは、保護層に対して不活性なガスであることが好ましい。例えば、窒素ガスを挙げることができる。また、ヘリウム、アルゴン、ネオンまたはキセノン等の希ガスを用いてもよい。ちなみに、吹き込まれる清浄化ガスは、少なくとも、水蒸気をほとんど含まないガスであることが望まれる。例えば、吹き込まれる清浄化ガスの水分濃度は1ppm以下が好ましい。ここでいう「ガスの水分濃度(ppm)」は、ガスの全体積(0℃1気圧の標準状態)に占める水分(水蒸気)の体積割合を百万分率で示したものであり、常套の露点計で測定することによって得られる値を指している。窒素ガスは比較的高価であるので、乾燥空気を用いるとコスト的に効率の良いPDP製造法が実現できる。吹込まれる清浄化ガスの流量は、パネルの大きさ、サイズ、ガラスフリット材料部材の厚さやその頂部凹凸の大きさ等によって最適値は変わってくるものの、概ね0.1SLM〜10SLMの範囲である(SLM:気体の標準状態において1分間に供給したガスの量をリットルで示す単位)。ガス流量が少なすぎると外部の大気が混入したり、清浄化が不十分になるおそれがある一方、逆にガス流量が多すぎるとコスト的に不利になり得る。尚、環状に形成されたガラスフリット封着部材の頂部と基板とは接触しているとはいえ、環状ガラスフリット封着部材の頂部は完全な平面ではなく数十〜百μm程度の凹凸が存在している。つまり、環状ガラスフリット封着部材の頂部と前面板表面との接触界面には、上記凹凸に起因して僅かな隙間が形成されている。従って、「前面板と背面板との間の空間」へと吹き込まれた清浄化ガスは、ガラスフリット封着部材が軟化するまでは、環状ガラスフリット封着部材と基板との間の隙間領域から排出されることになる。   A note about the cleaning gas. The cleaning gas used is preferably a gas inert to the protective layer. For example, nitrogen gas can be mentioned. Further, a rare gas such as helium, argon, neon, or xenon may be used. Incidentally, it is desirable that the cleaning gas to be blown in is a gas containing almost no water vapor. For example, the moisture concentration of the cleaning gas to be blown is preferably 1 ppm or less. The “gas moisture concentration (ppm)” here is the volume fraction of moisture (water vapor) in the total volume of gas (standard state at 0 ° C. and 1 atm) expressed in parts per million. It refers to the value obtained by measuring with a dew point meter. Since nitrogen gas is relatively expensive, a cost-effective PDP manufacturing method can be realized by using dry air. The flow rate of the cleaning gas to be injected is generally in the range of 0.1 SLM to 10 SLM, although the optimum value varies depending on the size and size of the panel, the thickness of the glass frit material member and the size of the top unevenness, and the like. (SLM: unit of liters for the amount of gas supplied per minute in the standard state of gas). If the gas flow rate is too small, external air may be mixed in or the cleaning may be insufficient. Conversely, if the gas flow rate is too high, it may be disadvantageous in terms of cost. The top of the annular glass frit sealing member and the substrate are in contact with each other, but the top of the annular glass frit sealing member is not a perfect plane and has an unevenness of several tens to hundreds of micrometers. is doing. That is, a slight gap is formed at the contact interface between the top of the annular glass frit sealing member and the surface of the front plate due to the unevenness. Accordingly, the cleaning gas blown into the “space between the front plate and the back plate” is removed from the gap region between the annular glass frit sealing member and the substrate until the glass frit sealing member is softened. Will be discharged.

封着後においては、前面板と背面板とを封着処理時の温度よりも若干低温に保持しながら、前面板と背面板との間を真空排気する。具体的には、前面板および背面板を封着時よりも低温(即ち、ガラスフリット封着部材の固化状態が維持される温度であって、ガラスフリットの溶融温度よりも10〜50℃程度低い温度)に保持しながら、前面板と背面板との間の空間が真空状態になるまでチップ管を介してガス排気する。排気後、前面板および背面板をほぼ常温になるまで冷却させた後、「表面板と背面板との間の空間」に放電ガスを導入し、所定の圧力に達した時点で放電ガスの導入を停止する(封入完了)。そして、最終的にはチップ管を溶かしてガス封止・切断することよりPDPが完成する。   After sealing, the space between the front plate and the back plate is evacuated while maintaining the front plate and the back plate at a temperature slightly lower than the temperature during the sealing process. Specifically, the temperature is lower than when the front plate and the rear plate are sealed (that is, the temperature at which the solidified state of the glass frit sealing member is maintained, and is about 10 to 50 ° C. lower than the melting temperature of the glass frit. While maintaining the temperature, gas is exhausted through the tip tube until the space between the front plate and the back plate is in a vacuum state. After evacuation, cool the front and back plates to near room temperature, then introduce the discharge gas into the "space between the front and back plates", and introduce the discharge gas when the specified pressure is reached. Stop (enclosed). Finally, the PDP is completed by melting the chip tube and sealing and cutting the gas.

前面板の冷却工程における不活性ガス供給
次に、本発明の特徴の1つである“前面板冷却時の不活性ガス供給の開始温度”について説明する。この“前面板冷却時の不活性ガス供給の開始温度”は、以下で説明する図7および図8のグラフに基づいたものである。図7および図8のグラフは、真空ベーキング後の前面板を冷却に付して得られた実験結果である。かかる実験結果を通じて、本願発明者らは、『保護層に吸着した不純物ガスは、真空ベーキングによりより一旦は脱離する。しかしながら、不純物ガスのうち特に炭化水素系ガスは、その後の冷却操作いかんによっては保護層に再度吸着してしまう』という現象を見出している。
[ Inert gas supply in front plate cooling process ]
Next, the “starting temperature of the inert gas supply when the front plate is cooled”, which is one of the features of the present invention, will be described. This “starting temperature of the inert gas supply when the front plate is cooled” is based on the graphs of FIGS. 7 and 8 described below. The graphs of FIG. 7 and FIG. 8 are experimental results obtained by subjecting the front plate after vacuum baking to cooling. Through this experimental result, the inventors of the present application stated that “the impurity gas adsorbed on the protective layer is once desorbed by vacuum baking. However, it has been found that the hydrocarbon gas, among the impurity gases, is adsorbed again on the protective layer depending on the subsequent cooling operation.

(炭化水素系ガス吸着量の不活性ガス供給開始温度依存性)
図7は、「炭化水素系ガス吸着量の不活性ガス供給開始温度依存性を表したグラフ」である(グラフを得た実験については“実施例”にて後述する)。かかるグラフでは、不活性ガス供給開始温度(℃)と炭化水素系ガスの脱ガス強度(a.u)との相関関係が示されている。「不活性ガス供給開始温度(℃)」は、真空ベーキング後の前面板の冷却に際して不活性ガスの供給を始めた温度である。脱ガス強度(a.u)は、前面板の保護層における炭化水素系ガスの吸着量を示唆している。即ち、脱ガス強度(a.u)の値が大きいほど、冷却時に前面板の保護層に再吸着した炭化水素系ガス吸着量が多いことを意味している。
(Dependence of hydrocarbon gas adsorption amount on inert gas supply start temperature)
FIG. 7 is a “graph showing the dependence of the hydrocarbon gas adsorption amount on the inert gas supply start temperature” (the experiment for obtaining the graph will be described later in “Examples”). In this graph, the correlation between the inert gas supply start temperature (° C.) and the degassing strength (au) of the hydrocarbon-based gas is shown. “Inert gas supply start temperature (° C.)” is a temperature at which supply of an inert gas is started when the front plate is cooled after vacuum baking. The degassing strength (au) suggests the amount of adsorption of hydrocarbon gas in the protective layer of the front plate. That is, it means that the larger the value of the degassing strength (au), the larger the amount of adsorption of hydrocarbon-based gas that is re-adsorbed on the protective layer of the front plate during cooling.

図7を参照すると、真空ベーキング後に前面板を常温(25℃)まで冷却してから不活性ガスを供給した場合では(図7のグラフに示す“1”)脱ガス強度が8.14となるのに対して、真空ベーキング後の冷却過程において不活性ガスを供給した場合、即ち、前面板の温度が400℃、350℃、300℃および250℃となる段階で不活性ガスを供給した場合では(図7のグラフに示す“2”)脱ガス強度が0.301〜0.54となる。つまり、図7に基づくと、真空ベーキング後の冷却に際して前面板を400℃、350℃、300℃および250℃と降温させる途中で不活性ガスの供給を開始すると、最終的に得られる前面板では、“保護層に再吸着する炭化水素系ガス量”を顕著に減少させることができる。それゆえ、本発明の特徴の1つである「前面板を真空雰囲気下で加熱処理した後に冷却処理するに際して、加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度域にて不活性ガスの供給を開始し、前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却することによって、前面板の保護層の炭化水素系ガス吸着量を減らす」といった態様を理解できるであろう。   Referring to FIG. 7, when the inert gas is supplied after the front plate is cooled to room temperature (25 ° C.) after vacuum baking (“1” shown in the graph of FIG. 7), the degassing strength is 8.14. On the other hand, when an inert gas is supplied in the cooling process after vacuum baking, that is, when an inert gas is supplied at a stage where the temperature of the front plate reaches 400 ° C., 350 ° C., 300 ° C. and 250 ° C. ("2" shown in the graph of FIG. 7) The degassing strength is 0.301 to 0.54. That is, according to FIG. 7, when the supply of the inert gas is started in the middle of lowering the temperature of the front plate to 400 ° C., 350 ° C., 300 ° C. and 250 ° C. during cooling after vacuum baking, , “The amount of hydrocarbon gas resorbed on the protective layer” can be significantly reduced. Therefore, one of the features of the present invention is that when the front plate is subjected to a heat treatment in a vacuum atmosphere and then subjected to a cooling treatment, the inert gas is supplied in a temperature range from the highest temperature during heating to 250 ° C. or higher. It will be understood that by starting and cooling the front plate under an inert gas atmosphere, the amount of adsorption of hydrocarbon gas in the protective layer of the front plate is reduced.

ここで、真空ベーキングされてHO、CO、炭化水素などの不純物ガスが脱離した保護層は、活性化された吸着サイトを有し得る。特に、多量の不純物ガスが脱離した保護層ほど、多くの活性化サイトを有することになる。そのように活性化されたサイトが大気に曝されると、かかるサイトに対して大気中の水分が吸着され得る。従って、この吸着された水分の量を調べることによって、保護層の活性化サイトの量を把握することができ、ひいては、脱離した不純物ガス量を間接的に把握することができる。 Here, the protective layer from which impurity gases such as H 2 O, CO 2 , and hydrocarbon are desorbed by vacuum baking may have an activated adsorption site. In particular, the protective layer from which a large amount of impurity gas has been detached has more activation sites. When such activated sites are exposed to the atmosphere, atmospheric moisture can be adsorbed to such sites. Therefore, by examining the amount of adsorbed moisture, the amount of the activation site of the protective layer can be grasped, and consequently the amount of the desorbed impurity gas can be indirectly grasped.

図8は、「活性化サイトに吸着した水分量の不活性ガス供給開始温度依存性を表したグラフ」である(グラフを得た実験については“実施例”にて後述する)。かかるグラフでは、不活性ガス供給開始温度(℃)と水分ガスの脱ガス強度(a.u)との相関関係が示されている。「不活性ガス供給開始温度(℃)」は、上述したように、真空ベーキング後の前面板の冷却に際して不活性ガスの供給を始めた温度である。水分ガスの脱ガス強度(a.u)は、活性化サイトに吸着した水分ガス量を示しており、その脱ガス強度(a.u)の値が大きいほど、前面板の保護層に吸着した水分ガス吸着量が多いこと、即ち、脱離した不純物ガス量が多いことを示している。   FIG. 8 is a “graph showing the dependency of the amount of moisture adsorbed on the activation site on the inert gas supply start temperature” (the experiment for obtaining the graph will be described later in “Examples”). In this graph, the correlation between the inert gas supply start temperature (° C.) and the degassing strength (a.u) of the moisture gas is shown. As described above, the “inert gas supply start temperature (° C.)” is a temperature at which the supply of the inert gas is started when the front plate is cooled after the vacuum baking. The degassing strength (au) of the moisture gas indicates the amount of moisture gas adsorbed at the activation site. The larger the degassing strength (au) value, the more the moisture gas adsorption amount adsorbed on the protective layer of the front plate. This indicates that there is a large amount of impurity gas, that is, the amount of desorbed impurity gas is large.

図8を参照すると、真空ベーキング後に前面板を400℃、350℃、300℃へと冷却する過程で不活性ガスを供給した場合では(図8のグラフに示す“5”)脱ガス強度が4.0〜5.0の範囲にあるのに対して、真空ベーキング後に前面板を250℃まで冷却してから不活性ガスを供給した場合では(図8のグラフに示す“4”)脱ガス強度が3.0〜4.0となる。つまり、図8に基づくと、真空ベーキング後の冷却に際して前面板温度が300℃に降温するまでに不活性ガス供給を行う場合の方が、前面板温度が250℃にまで降温してから不活性ガス供給を行う場合よりも、脱ガス強度が大きく、活性化サイトに吸着した水分ガス量がより多いことが分かる。ここで、上述したように、“活性化サイトに吸着された水分ガス量”は「脱離した不純物ガス量」と同一視して考えることができるものである。従って、より高い温度で不活性ガス供給を開始した方が冷却時に保護層に再吸着する炭化水素系ガスを減らすことができ、特に、前面板温度が300℃に降温するまでに不活性ガス供給を開始する場合の方が、前面板温度が250℃に降温してから不活性ガス供給を開始する場合よりも、真空ベーキング後の冷却過程で保護層に再吸着する炭化水素系ガス量を減少させることができる。以上より、本発明の特徴の1つである「前面板を真空雰囲気下で加熱処理した後に冷却処理するに際して、加熱時の最高温度以下〜300℃以上の温度域にて不活性ガスの供給を開始し、前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却することによって、前面板の保護層の炭化水素系ガス吸着量を更に減らす」といった態様を理解できるであろう。   Referring to FIG. 8, when an inert gas is supplied in the process of cooling the front plate to 400 ° C., 350 ° C., and 300 ° C. after vacuum baking (“5” shown in the graph of FIG. 8), the degassing strength is 4 When the inert gas is supplied after cooling the front plate to 250 ° C. after vacuum baking (“4” shown in the graph of FIG. 8), the degassing strength is in the range of .0 to 5.0. Becomes 3.0 to 4.0. That is, based on FIG. 8, when the inert gas supply is performed until the front plate temperature is lowered to 300 ° C. during cooling after vacuum baking, the inertness is reduced after the front plate temperature is lowered to 250 ° C. It can be seen that the degassing strength is higher than that in the case of supplying gas, and the amount of moisture gas adsorbed at the activation site is larger. Here, as described above, the “amount of moisture gas adsorbed at the activation site” can be considered to be the same as the “amount of desorbed impurity gas”. Therefore, starting the inert gas supply at a higher temperature can reduce the hydrocarbon-based gas that is re-adsorbed to the protective layer during cooling, and in particular, supply the inert gas until the temperature of the front plate drops to 300 ° C. The amount of hydrocarbon gas that is re-adsorbed on the protective layer during the cooling process after vacuum baking is reduced compared to when the inert gas supply is started after the front plate temperature is lowered to 250 ° C. Can be made. From the above, one of the features of the present invention is that when the front plate is subjected to a heat treatment in a vacuum atmosphere and then subjected to a cooling treatment, the inert gas is supplied in a temperature range from a maximum temperature during heating to 300 ° C. or higher. It will be understood that by starting and cooling the front plate under an inert gas atmosphere, the amount of adsorption of hydrocarbon gas in the protective layer of the front plate is further reduced.

尚、真空ベーキングに起因した活性化サイトを有する保護層を大気に曝露すると、活性化サイトに大気中の水分が吸着され得るものの、かかる水分は非常に脱離しやすい形態で吸着されることには留意されたい。つまり、比較的低温の加熱によって容易に「吸着した水分」が脱離し得る。従って、上述の清浄化処理に際して、即ち、清浄化ガスとして窒素ガスを前面板と背面板との間に吹込みながら封着排気炉内で加熱するに際して、保護層から吸着水分が容易に脱離することになるので、最終的には水分ガス成分が効果的に脱離した保護層を得ることができる(真空ベーキング後に大気曝露後された保護層に対して吸着した水分につき、脱離温度は200℃以上かつ300℃以下の範囲にピークを有することを本願発明者らは見出している)。つまり、本発明の製造方法に従えば、最終的には炭化水素系ガスのみならず、水分ガスなども効果的に脱離した保護層を得ることができる。   In addition, when the protective layer having an activation site due to vacuum baking is exposed to the atmosphere, moisture in the atmosphere can be adsorbed to the activation site, but such moisture is adsorbed in a form that is very easily desorbed. Please keep in mind. That is, “adsorbed moisture” can be easily desorbed by heating at a relatively low temperature. Therefore, during the above-described cleaning treatment, that is, when heating in a sealed exhaust furnace while blowing nitrogen gas as a cleaning gas between the front plate and the back plate, adsorbed moisture is easily desorbed from the protective layer. As a result, it is possible to finally obtain a protective layer from which moisture gas components are effectively desorbed (the desorption temperature is about the moisture adsorbed to the protective layer exposed to the atmosphere after vacuum baking). The inventors of the present application have found that there is a peak in the range of 200 ° C. or more and 300 ° C. or less). In other words, according to the production method of the present invention, it is possible to finally obtain a protective layer from which not only hydrocarbon gas but also moisture gas is effectively desorbed.

冷却終了温度
本発明では、真空雰囲気下で加熱処理した前面板を冷却処理に付すに際して、加熱時の最高温度以下〜250℃以上(好ましくは300℃以上)の温度域にて不活性ガスの供給を開始し、前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却する。ここで、前面板は最終的には100℃以下の温度にまで冷却することが好ましい。具体的には、図3に示すようなベーキングチャンバ(41)から前面板(1)を取り出すに際しては、予め100℃以下の温度にまで冷却することが好ましい。これは、保護層が常温より高い温度で大気雰囲気に曝露されると、大気中のHOやCOとの反応により保護層の表面領域の水酸化ないしは炭酸化が促進され得るからである。従って、本発明の工程(ii)の実施に際しては、100℃以下の温度にまで前面板を最終的に冷却することが好ましい。ちなみに、この「100℃以下」というのは、特に水の沸点(100℃)を踏まえている。
[ Cooling end temperature ]
In the present invention, when the front plate heat-treated in a vacuum atmosphere is subjected to a cooling treatment, the supply of the inert gas is started in a temperature range from the maximum temperature during heating to 250 ° C. or higher (preferably 300 ° C. or higher). The front plate is cooled in an inert gas atmosphere. Here, it is preferable that the front plate is finally cooled to a temperature of 100 ° C. or lower. Specifically, when taking out the front plate (1) from the baking chamber (41) as shown in FIG. 3, it is preferable to cool to a temperature of 100 ° C. or less in advance. This is because when the protective layer is exposed to an air atmosphere at a temperature higher than normal temperature, hydroxylation or carbonation of the surface region of the protective layer can be promoted by reaction with H 2 O or CO 2 in the air. . Therefore, when carrying out step (ii) of the present invention, it is preferable that the front plate is finally cooled to a temperature of 100 ° C. or lower. Incidentally, this “100 ° C. or lower” is based on the boiling point of water (100 ° C.).

本発明における保護層]
次に、本発明の特徴部分の1つとなる“保護層”について詳述する。保護層(16)は、図2(b)に示すように、誘電体層(15)上に形成した下地膜(16a)と、下地膜(16a)上に酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子(16b)が複数個凝集させた凝集粒子(16b’)とから構成されていることが好ましい。また、保護層(16)において、下地膜(16a)は、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)および酸化バリウム(BaO)から選ばれる金属酸化物により形成されていることが好ましいが、更にいえば、本発明では、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、及び酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成されていることが望ましい。
[ Protective layer in the present invention]
Next, the “protective layer” which is one of the characteristic portions of the present invention will be described in detail. As shown in FIG. 2B, the protective layer (16) includes a base film (16a) formed on the dielectric layer (15), and magnesium oxide (MgO) crystal particles (MgO) on the base film (16a). 16b) is preferably composed of agglomerated particles (16b ′) obtained by aggregating a plurality of particles. In the protective layer (16), the base film (16a) is formed of a metal oxide selected from magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO). More preferably, in the present invention, a metal comprising at least two oxides selected from magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO). It is desirable that it be formed of an oxide.

下地膜(16a)は、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、及び酸化バリウム(BaO)の単独材料のペレットや、それらの材料を混合したペレットを用いて薄膜成膜方法によって形成できる。薄膜成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の方法を適用することができる。例えば、スパッタリング法では約1Pa、蒸着法の一例である電子ビーム蒸着法では約0.2Paが実際上取り得る圧力の上限と考えられる。また、下地膜(16a)の成膜時の雰囲気としては、水分付着や不純物の吸着を防止するために外部と遮断された密閉状態で行うことが好ましく、成膜時の雰囲気を調整することにより、所定の電子放出特性を有する金属酸化物よりなる下地膜(16a)を形成することができる。   The base film (16a) is formed of a single material pellet of magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO), or a pellet formed by mixing these materials. It can be formed by a film method. As a thin film forming method, a known method such as an electron beam evaporation method, a sputtering method, or an ion plating method can be applied. For example, about 1 Pa in the sputtering method and about 0.2 Pa in the electron beam vapor deposition method, which is an example of the vapor deposition method, can be considered as the upper limit of the pressure that can actually be taken. In addition, the atmosphere during film formation of the base film (16a) is preferably performed in a sealed state that is blocked from the outside in order to prevent moisture adhesion and adsorption of impurities, and by adjusting the atmosphere during film formation A base film (16a) made of a metal oxide having predetermined electron emission characteristics can be formed.

次に、下地膜(16a)上に付着形成する酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子(16b)の凝集粒子(16b’)について述べる。これらの結晶粒子(16b)は、気相合成法または前駆体焼成法のいずれかで製造することができる。気相合成法では、不活性ガスが満たされた雰囲気下で純度が99.9%以上のマグネシウム金属材料を加熱し、さらに、雰囲気に酸素を少量導入することによって、マグネシウムを直接酸化させることができ、酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子(16b)を作製することができる。   Next, the agglomerated particles (16b ') of the magnesium oxide (MgO) crystal particles (16b) deposited on the base film (16a) will be described. These crystal particles (16b) can be produced by either a gas phase synthesis method or a precursor firing method. In the gas phase synthesis method, magnesium metal material having a purity of 99.9% or more is heated in an atmosphere filled with an inert gas, and magnesium is directly oxidized by introducing a small amount of oxygen into the atmosphere. And crystal grains (16b) of magnesium oxide (MgO) can be produced.

一方、前駆体焼成法では、酸化マグネシウム(MgO)の前駆体を約700℃以上の高温で均一に焼成し、これを徐冷して酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子(16b)を得ることができる。前駆体としては、例えば、マグネシウムアルコキシド(Mg(OR))、マグネシウムアセチルアセトン(Mg(acac)2)、水酸化マグネシウム(Mg(OH))、炭酸マグネシウム(MgCO)、塩化マグネシウム(MgCl)、硫酸マグネシウム(MgSO)、硝酸マグネシウム(Mg(NO) )、シュウ酸マグネシウム(MgC)の内のいずれか1種以上の化合物を選ぶことができる。なお選択した化合物によっては、水和物の形態をとり得るが、本発明ではこのような水和物を用いることもできる。上記の化合物は、焼成後に得られる酸化マグネシウム(MgO)の純度が99.95%以上、望ましくは99.98%以上になるように調整する。これらの化合物中に、各種アルカリ金属、B、Si、Fe、Alなどの不純物元素が一定量以上混じっていると、熱処理時に不要な粒子間癒着や焼結を生じ、高結晶性の酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子を得にくいためである。このため、不純物元素を除去するなどにより予め前駆体を調整することが必要となる。 On the other hand, in the precursor firing method, a magnesium oxide (MgO) precursor is uniformly fired at a high temperature of about 700 ° C. or higher, and this is gradually cooled to obtain magnesium oxide (MgO) crystal particles (16b). it can. Examples of the precursor include magnesium alkoxide (Mg (OR) 2 ), magnesium acetylacetone (Mg (acac) 2), magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ), magnesium carbonate (MgCO 2 ), magnesium chloride (MgCl 2 ). ), Magnesium sulfate (MgSO 4 ), magnesium nitrate (Mg (NO 3 ) 2 ), or magnesium oxalate (MgC 2 O 4 ). Depending on the selected compound, it may take the form of a hydrate, but such a hydrate can also be used in the present invention. The above compound is adjusted so that the purity of magnesium oxide (MgO) obtained after firing is 99.95% or more, preferably 99.98% or more. If these compounds contain a certain amount or more of various impurity elements such as alkali metals, B, Si, Fe, and Al, unnecessary interparticle adhesion and sintering occur during heat treatment, and highly crystalline magnesium oxide ( This is because it is difficult to obtain MgO) crystal particles. For this reason, it is necessary to adjust the precursor in advance by removing the impurity element.

上記いずれかの方法で得られた酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子(16b)を、溶媒に分散させ、その分散液をスプレー法やスクリーン印刷法、スリットコート法、静電塗布法などによって下地膜(16a)の表面に分散散布させる。その後、乾燥・焼成工程を経て溶媒除去を図ることによって、酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子(16b)を下地膜(16a)の表面に定着させることができる。   Magnesium oxide (MgO) crystal particles (16b) obtained by any one of the above methods are dispersed in a solvent, and the dispersion liquid is sprayed, screen-printed, slit-coated, electrostatically applied, or the like as a base film (16a) is dispersed and dispersed on the surface. Thereafter, by removing the solvent through a drying / firing process, the magnesium oxide (MgO) crystal particles (16b) can be fixed on the surface of the base film (16a).

なお、酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子(16b)を下地膜(16a)の表面に分散、定着させる方法としては、下地膜(16a)の不純物との反応を抑制する観点から約400℃以下の低温で実施することが望ましい。   As a method for dispersing and fixing the magnesium oxide (MgO) crystal particles (16b) on the surface of the base film (16a), a temperature of about 400 ° C. or less is used from the viewpoint of suppressing the reaction with the impurities of the base film (16a). It is desirable to carry out at a low temperature.

更に、本発明の特徴部分の1つとなる“保護層”を詳述していく。本発明の製造方法では、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物であって、X線回折分析において、特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する金属酸化物を含んで成る保護層を形成することが好ましいが、特に、保護層の下地膜(16a)をかかる金属酸化物から形成することが好ましい。換言すれば、保護層の下地膜(16a)を、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、及び酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成し、金属酸化物が下地膜(16a)面のX線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにする。   Further, a “protective layer” which is one of the characteristic portions of the present invention will be described in detail. In the production method of the present invention, a metal oxide comprising at least two oxides selected from magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide, the metal oxide having a specific orientation plane in X-ray diffraction analysis. It is preferable to form a protective layer comprising a metal oxide in which a peak exists between the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle generated from the simple substance of the oxide constituting the object. It is preferable to form the base film (16a) from such a metal oxide. In other words, the base film (16a) of the protective layer is made of at least two oxides selected from magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO). In the X-ray diffraction analysis of the surface of the base film (16a) formed by a metal oxide, the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle generated from a single oxide constituting the metal oxide in a specific orientation plane Make sure there are peaks between them.

図9は、本発明の実施の形態におけるPDPの保護層(16)を構成する下地膜(16a)面におけるX線回折結果を示す図である。また、図9中には、酸化マグネシウム(MgO)単体、酸化カルシウム(CaO)単体、酸化ストロンチウム(SrO)単体、及び酸化バリウム(BaO)単体のX線回折分析の結果も示す。   FIG. 9 is a diagram showing an X-ray diffraction result on the surface of the base film (16a) constituting the protective layer (16) of the PDP in the embodiment of the present invention. FIG. 9 also shows the results of X-ray diffraction analysis of magnesium oxide (MgO) alone, calcium oxide (CaO) alone, strontium oxide (SrO) alone, and barium oxide (BaO) alone.

図9において、横軸はブラッグの回折角(2θ)であり、縦軸はX線回折波の強度である。回折角の単位は1周を360度とする度で示し、強度は任意単位(arbitrary unit)で示している。図中には特定方位面である結晶方位面を括弧付けで示している。図9に示すように、結晶方位面の(111)では、酸化カルシウム(CaO)単体では回折角32.2度、酸化マグネシウム(MgO)単体では回折角36.9度、酸化ストロンチウム単体では回折角30.0度、酸化バリウム単体では回折角27.9度にピークを有していることがわかる。   In FIG. 9, the horizontal axis represents the Bragg diffraction angle (2θ), and the vertical axis represents the intensity of the X-ray diffraction wave. The unit of the diffraction angle is shown in degrees when one round is 360 degrees, and the intensity is shown in an arbitrary unit. In the figure, the crystal orientation plane which is a specific orientation plane is shown in parentheses. As shown in FIG. 9, with respect to the crystal orientation plane (111), the diffraction angle is 32.2 degrees for calcium oxide (CaO) alone, the diffraction angle is 36.9 degrees for magnesium oxide (MgO) alone, and the diffraction angle is for strontium oxide alone. It can be seen that 30.0 degrees and barium oxide alone has a peak at a diffraction angle of 27.9 degrees.

図9には、下地膜(16a)を構成する単体成分が2成分の場合についてのX線回折結果が示されている。すなわち、酸化マグネシウム(MgO)と酸化カルシウム(CaO)の単体を用いて形成した下地膜(16a)のX線回折結果をA点、酸化マグネシウム(MgO)と酸化ストロンチウム(SrO)の単体を用いて形成した下地膜(16a)のX線回折結果をB点、さらに、酸化マグネシウム(MgO)と酸化バリウム(BaO)の単体を用いて形成した下地膜(16a)のX線回折結果をC点で示している。   FIG. 9 shows an X-ray diffraction result when the single component constituting the base film (16a) is two components. That is, the X-ray diffraction result of the base film (16a) formed using magnesium oxide (MgO) and calcium oxide (CaO) alone is shown as point A, using magnesium oxide (MgO) and strontium oxide (SrO) alone. The X-ray diffraction result of the formed base film (16a) is B point, and further, the X-ray diffraction result of the base film (16a) formed using a simple substance of magnesium oxide (MgO) and barium oxide (BaO) is C point. Show.

図示するX線回折結果から分かるように、A点は特定方位面としての結晶方位面の(111)において、単体の酸化物の最大回折角となる酸化マグネシウム(MgO)単体の回折角36.9度と、最小回折角となる酸化カルシウム(CaO)単体の回折角32.2度との間である回折角36.1度にピークが存在している。同様に、B点、C点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の35.7度、35.4度にピークが存在している。   As can be seen from the X-ray diffraction results shown in the figure, the point A is a diffraction angle 36.9 of magnesium oxide (MgO) alone, which is the maximum diffraction angle of a single oxide at (111) of the crystal orientation plane as a specific orientation plane. There is a peak at a diffraction angle of 36.1 degrees, which is between 1 degree and the diffraction angle of calcium oxide (CaO) alone, which is the minimum diffraction angle, of 32.2 degrees. Similarly, peaks at points B and C exist at 35.7 degrees and 35.4 degrees between the maximum diffraction angle and the minimum diffraction angle, respectively.

図10に、図9と同様に、下地膜(16a)を構成する単体成分が3成分以上の場合のX線回折結果を示している。すなわち、図10には、単体成分として酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)及び酸化ストロンチウム(SrO)を用いた場合の結果をD点、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)及び酸化バリウム(BaO)を用いた場合の結果をE点、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)及び酸化バリウム(BaO)を用いた場合の結果をF点で示している。   FIG. 10 shows the X-ray diffraction result when the single component constituting the base film (16a) is three or more components, as in FIG. That is, FIG. 10 shows the results obtained when magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), and strontium oxide (SrO) are used as the single component, point D, magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), and oxidation. The results when barium (BaO) is used are indicated by point E, and the results when calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO) and barium oxide (BaO) are used are indicated by point F.

図示するX線回折結果から分かるように、D点は特定方位面としての結晶方位面の(111)において、単体の酸化物の最大回折角となる酸化マグネシウム(MgO)単体の回折角36.9度と、最小回折角となる酸化ストロンチウム(SrO)単体の回折角30.0度との間である回折角33.4度にピークが存在している。同様に、E点、F点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の32.8度、30.2度にピークが存在している。   As can be seen from the X-ray diffraction results shown in the figure, the point D is the diffraction angle 36.9 of magnesium oxide (MgO) alone, which is the maximum diffraction angle of a single oxide at the crystal orientation plane (111) as the specific orientation plane. There is a peak at a diffraction angle of 33.4 degrees, which is between 1 degree and the diffraction angle of 30.0 degrees of strontium oxide (SrO) alone, which is the minimum diffraction angle. Similarly, peaks at points E and F exist at 32.8 degrees and 30.2 degrees between the maximum diffraction angle and the minimum diffraction angle, respectively.

このように、本発明におけるPDP保護層の下地膜(16a)では、単体成分として2成分であれ、3成分であれ、下地膜(16a)を構成する金属酸化物のX線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生するピークの最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。   As described above, the base film (16a) of the PDP protective layer according to the present invention is specified in the X-ray diffraction analysis of the metal oxide constituting the base film (16a), whether it is a two-component or three-component component. A peak is present between the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle of a peak generated from a single oxide constituting the metal oxide on the orientation plane.

なお、上記の説明では特定方位面としての結晶方位面として(111)を対象として説明したが、他の結晶方位面を対象とした場合も金属酸化物のピークの位置が上記と同様である。   In the above description, (111) has been described as the crystal orientation plane as the specific orientation plane, but the peak position of the metal oxide is the same as that described above when other crystal orientation planes are also targeted.

酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、及び酸化バリウム(BaO)の真空準位からの深さは酸化マグネシウム(MgO)と比較して浅い領域に存在する。そのため、PDPを駆動する場合において、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)のエネルギー準位に存在する電子がキセノン(Xe)イオンの基底状態に遷移する際に、オージェ効果により放出される電子数が、酸化マグネシウム(MgO)のエネルギー準位から遷移する場合と比較して多くなると考えられる。   The depth from the vacuum level of calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO) exists in a shallow region as compared with magnesium oxide (MgO). Therefore, when driving a PDP, when electrons existing at the energy levels of calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO) transition to the ground state of the xenon (Xe) ion, Auger It is considered that the number of electrons emitted due to the effect increases as compared with the case of transition from the energy level of magnesium oxide (MgO).

X線回折分析の結果が、図9及び図10に示す特徴を有する金属酸化物は、そのエネルギー準位もそれらを構成する単体の酸化物の間に存在している。したがって、下地膜(16a)のエネルギー準位も単体の酸化物の間に存在し、オージェ効果により他の電子が獲得するエネルギー量が真空準位を超えて放出されるに十分な量とすることができる。   As a result of X-ray diffraction analysis, the metal oxides having the characteristics shown in FIGS. 9 and 10 have their energy levels between the single oxides constituting them. Therefore, the energy level of the base film (16a) is also present between the single oxides, and the amount of energy acquired by other electrons by the Auger effect is sufficient to be released beyond the vacuum level. Can do.

結果的に、下地膜(16a)では、酸化マグネシウム(MgO)単体と比較して、良好な二次電子放出特性を発揮することができ、それゆえ、放電維持電圧を低減することができる。つまり、特に輝度を高めるために放電ガスとしてのキセノン(Xe)分圧を高めた場合に、放電電圧を低減し、低電圧でなおかつ高輝度のPDPを実現することが可能となる。   As a result, the base film (16a) can exhibit better secondary electron emission characteristics compared to magnesium oxide (MgO) alone, and therefore, the discharge sustaining voltage can be reduced. That is, particularly when the xenon (Xe) partial pressure as the discharge gas is increased in order to increase the luminance, it becomes possible to reduce the discharge voltage and realize a low-voltage and high-luminance PDP.

ここで、本発明の製造方法で得られるPDPにおいて、下地膜(16a)の構成を変えた場合のPDPの放電維持電圧について説明する。まず、本発明によるサンプルとして、サンプルA(下地膜が酸化マグネシウムと酸化カルシウムによる金属酸化物)、サンプルB(下地膜が酸化マグネシウムと酸化ストロンチウムによる金属酸化物)、サンプルC(下地膜が酸化マグネシウムと酸化バリウムによる金属酸化物)、サンプルD(下地膜が酸化マグネシウム、酸化カルシウム及び酸化ストロンチウムによる金属酸化物)、サンプルE(下地膜が酸化マグネシウム、酸化カルシウム及び酸化バリウムによる金属酸化物)を準備し、また比較例として、下地膜を酸化マグネシウム単体で構成したものを準備した。   Here, in the PDP obtained by the manufacturing method of the present invention, the discharge sustaining voltage of the PDP when the configuration of the base film (16a) is changed will be described. First, as a sample according to the present invention, Sample A (underlying film is a metal oxide of magnesium oxide and calcium oxide), Sample B (underlying film is a metal oxide of magnesium oxide and strontium oxide), Sample C (underlying film is magnesium oxide) And sample D (metal oxide of magnesium oxide, calcium oxide and strontium oxide) and sample E (metal oxide of magnesium oxide, calcium oxide and barium oxide) are prepared. As a comparative example, a base film made of magnesium oxide alone was prepared.

そして、これらのサンプルA〜Eについて、放電維持電圧を測定すると、比較例を100とした場合、サンプルAは90、サンプルBは87、サンプルCは85、サンプルDは81、サンプルEは82の値を示した。   When the discharge sustaining voltage is measured for these samples A to E, when the comparative example is 100, sample A is 90, sample B is 87, sample C is 85, sample D is 81, and sample E is 82. The value is shown.

放電ガスのキセノン(Xe)の分圧を10%から15%へと高めた場合には輝度が約30%上昇するが、下地膜(16a)が酸化マグネシウム(MgO)単体の場合の比較例では、放電維持電圧が約10%上昇する。一方、本発明の製造方法で得られるPDPでは、サンプルA、サンプルB、サンプルC、サンプルD、サンプルEともに、放電維持電圧を比較例に比較して約10%〜20%低減することができるため、通常動作範囲内の放電開始電圧とすることができ、高輝度で低電圧駆動のPDPを実現することができるといえる。   When the partial pressure of the discharge gas xenon (Xe) is increased from 10% to 15%, the luminance increases by about 30%, but in the comparative example in which the base film (16a) is made of magnesium oxide (MgO) alone. The sustaining voltage increases by about 10%. On the other hand, in the PDP obtained by the manufacturing method of the present invention, the discharge sustaining voltage can be reduced by about 10% to 20% in all of the sample A, sample B, sample C, sample D, and sample E compared to the comparative example. Therefore, it can be said that the discharge start voltage is within the normal operating range, and it can be said that a high-luminance and low-voltage driven PDP can be realized.

なお、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)は、単体では反応性が高いために不純物と反応しやすく、そのために電子放出性能が低下しやすいものの、それらの金属酸化物の構成とすることによって、反応性を低減し、不純物の混入や酸素欠損の少ない結晶構造で形成される。つまり、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)を金属酸化物の構成とすることによって、PDPの駆動時に電子が過剰放出されるのが抑制され、低電圧駆動と二次電子放出性能の両立効果に加えて、適度な電子保持特性の効果も発揮される。この電荷保持特性は、特に初期化期間に貯めた壁電荷を保持しておき、書込期間において書込不良を防止して確実な書込放電を行う上で有効である。   Calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO) are highly reactive as a single substance, and thus easily react with impurities. By using the structure of the product, the reactivity is reduced, and a crystal structure with few impurities and oxygen vacancies is formed. That is, by using calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO) as a metal oxide structure, excessive emission of electrons during driving of the PDP is suppressed, and low voltage driving and two-way driving are possible. In addition to the effect of achieving secondary electron emission performance, the effect of moderate electron retention characteristics is also exhibited. This charge retention characteristic is particularly effective for retaining wall charges stored during the initialization period and preventing write defects during the write period to perform reliable write discharge.

次に、下地膜(16a)上に設けた、酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子(16b)が複数個凝集した凝集粒子(16b’)について詳述する。酸化マグネシウム(MgO)の凝集粒子(16b’)は、本願発明者の実験により、主として書込放電における「放電遅れ」を抑制する効果と、「放電遅れ」の温度依存性を改善する効果が確認されている。そこで本発明では、凝集粒子(16b’)が下地膜(16a)に比べて高度な初期電子放出特性に優れる性質を利用して、放電パルス立ち上がり時に必要な初期電子供給部として配設している。   Next, the agglomerated particles (16b ') formed by aggregating a plurality of magnesium oxide (MgO) crystal particles (16b) provided on the base film (16a) will be described in detail. Magnesium oxide (MgO) agglomerated particles (16b ') have been confirmed by experiments of the present inventor mainly to suppress the "discharge delay" in the write discharge and to improve the temperature dependence of the "discharge delay". Has been. Therefore, in the present invention, the aggregated particles (16b ′) are disposed as an initial electron supply unit required at the time of rising of the discharge pulse by utilizing a property that is superior in advanced initial electron emission characteristics compared to the base film (16a). .

「放電遅れ」は、放電開始時において、トリガーとなる初期電子が下地膜(16a)表面から放電空間中に放出される量が不足することが主原因と考えられる。そこで、放電空間に対する初期電子の安定供給に寄与するため、酸化マグネシウム(MgO)の凝集粒子(16b’)を下地膜(16a)の表面に分散配置する。これによって、放電パルスの立ち上がり時に放電空間中に電子が豊富に存在し、放電遅れの解消が図られる。したがって、このような初期電子放出特性により、PDPが高精細の場合などにおいても放電応答性の良い高速駆動ができるようになっている。なお下地膜(16a)の表面に金属酸化物の凝集粒子(16b’)を配設する構成では、主として書込放電における「放電遅れ」を抑制する効果に加え、「放電遅れ」の温度依存性を改善する効果も得られる。   The “discharge delay” is considered to be mainly caused by a shortage of the amount of initial electrons that serve as a trigger emitted from the surface of the base film (16a) into the discharge space at the start of discharge. Therefore, in order to contribute to the stable supply of initial electrons to the discharge space, the aggregated particles (16b ') of magnesium oxide (MgO) are dispersedly arranged on the surface of the base film (16a). As a result, abundant electrons are present in the discharge space when the discharge pulse rises, and the discharge delay can be eliminated. Therefore, such initial electron emission characteristics enable high-speed driving with good discharge response even when the PDP has a high definition. In the configuration in which the metal oxide aggregated particles (16b ′) are disposed on the surface of the base film (16a), in addition to the effect of mainly suppressing the “discharge delay” in the write discharge, the temperature dependence of the “discharge delay”. The effect which improves can also be acquired.

以上のように、本発明の製造方法で得られるPDPでは、低電圧駆動と電荷保持の両立効果を奏する下地膜(16a)と、放電遅れの防止効果を奏する酸化マグネシウム(MgO)の凝集粒子(16b’)とにより保護層を構成することによって、高精細なPDPでも高速駆動を低電圧で実現でき、且つ、点灯不良を抑制した高品位な画像表示性能を実現できる。   As described above, in the PDP obtained by the production method of the present invention, the base film (16a) that achieves both the low voltage driving and the charge retention effect, and the magnesium oxide (MgO) agglomerated particles (MgO) that have the effect of preventing discharge delay ( 16b ′), a high-definition PDP can realize high-speed driving at a low voltage and a high-quality image display performance with suppressed lighting failure.

ちなみに、本発明の好適な実施形態では、下地膜(16a)上に、結晶粒子(16b)が数個凝集した凝集粒子(16b’)を離散的に散布させ、全面に亘ってほぼ均一に分布するように複数個付着させる。図11は凝集粒子(16b’)を説明する拡大図である。   Incidentally, in a preferred embodiment of the present invention, the aggregated particles (16b ′) in which several crystal particles (16b) are aggregated are discretely dispersed on the base film (16a) and distributed almost uniformly over the entire surface. A plurality are attached so as to. FIG. 11 is an enlarged view for explaining the aggregated particles (16b ').

図11に示すように、凝集粒子(16b’)とは、所定の一次粒径の結晶粒子(16b)が凝集またはネッキングした状態のものである。すなわち、固体として大きな結合力を持って結合しているのではなく、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合体の体をなしているもので、超音波などの外的刺激により、その一部または全部が一次粒子の状態になる程度で結合しているものである。凝集粒子の粒径としては、約1μm程度のもので、結晶粒子としては、14面体や12面体などの7面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。   As shown in FIG. 11, the aggregated particles (16b ') are those in which crystal particles (16b) having a predetermined primary particle size are aggregated or necked. In other words, it is not bonded as a solid with a large bonding force, but a plurality of primary particles form an aggregate body due to static electricity, van der Waals force, etc., and due to external stimuli such as ultrasound , Part or all of them are bonded to such a degree that they become primary particles. The particle diameter of the aggregated particles is about 1 μm, and the crystal particles preferably have a polyhedral shape having seven or more faces such as a tetrahedron and a dodecahedron.

また、結晶粒子(16b)の一次粒子の粒径は、結晶粒子(16b)の生成条件によって制御できる。例えば、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどのMgO前駆体を焼成して生成する場合、焼成温度や焼成雰囲気を制御することで粒径を制御することができる。一般的に、焼成温度は700℃〜1500℃の範囲で選択できるが、焼成温度を比較的高い約1000℃以上にすることで、その粒径を0.3〜2μm程度に制御することが可能である。さらに、結晶粒子(16b)をMgO前駆体を加熱して得ることにより、その生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集またはネッキングと呼ばれる現象により結合して凝集粒子(16b’)を得ることができる。   Moreover, the particle size of the primary particles of the crystal particles (16b) can be controlled by the generation conditions of the crystal particles (16b). For example, when an MgO precursor such as magnesium carbonate or magnesium hydroxide is calcined and produced, the particle size can be controlled by controlling the calcining temperature and the calcining atmosphere. Generally, the firing temperature can be selected in the range of 700 ° C. to 1500 ° C., but the particle size can be controlled to about 0.3 to 2 μm by making the firing temperature relatively higher than about 1000 ° C. It is. Further, by obtaining crystalline particles (16b) by heating the MgO precursor, a plurality of primary particles are bonded together by a phenomenon called agglomeration or necking in the production process to obtain agglomerated particles (16b ′). Can do.

図12は、本発明の実施の形態におけるPDPのうち、酸化マグネシウム(MgO)と酸化カルシウム(CaO)との金属酸化物で構成した下地膜(16a)を用いた場合の放電遅れと保護層中のカルシウム(Ca)濃度との関係を示す図である。下地膜(16a)として酸化マグネシウム(MgO)と酸化カルシウム(CaO)とからなる金属酸化物で構成し、金属酸化物は、下地膜(16a)面におけるX線回折分析において、酸化マグネシウム(MgO)のピークが発生する回折角と酸化カルシウム(CaO)のピークが発生する回折角との間にピークが存在するようにしている。なお、図12には、保護層として下地膜(16a)のみの場合と、下地膜(16a)上に凝集粒子(16b’)を配置した場合とについて示し、放電遅れは、下地膜(16a)中にカルシウム(Ca)が含有されていない場合を基準として示している。   FIG. 12 shows the discharge delay and the inside of the protective layer when the base film (16a) made of a metal oxide of magnesium oxide (MgO) and calcium oxide (CaO) is used in the PDP in the embodiment of the present invention. It is a figure which shows the relationship with calcium (Ca) density | concentration. The base film (16a) is composed of a metal oxide composed of magnesium oxide (MgO) and calcium oxide (CaO), and the metal oxide is magnesium oxide (MgO) in X-ray diffraction analysis on the surface of the base film (16a). A peak is present between the diffraction angle at which the peak is generated and the diffraction angle at which the calcium oxide (CaO) peak is generated. FIG. 12 shows the case where only the base film (16a) is used as the protective layer and the case where the aggregated particles (16b ′) are arranged on the base film (16a). The discharge delay is shown in FIG. The case where calcium (Ca) is not contained is shown as a reference.

電子放出性能は、大きいほど電子放出量が多いことを示す数値で、表面状態及びガス種とその状態によって定まる初期電子放出量によって表現する。初期電子放出量については表面にイオン、あるいは電子ビームを照射して表面から放出される電子電流量を測定する方法で測定できるが、PDPの前面板表面の評価を非破壊で実施することは困難を伴う。そこで、特開2007−48733号公報に記載されている方法を用いた。すなわち、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値を測定し、その逆数を積分すると初期電子の放出量と線形に対応する数値になる。つまり、かかる数値を用いて評価している。放電時の遅れ時間とは、パルスの立ち上がりから放電が遅れて行われる放電遅れの時間を意味し、放電遅れは、放電が開始される際にトリガーとなる初期電子が保護層表面から放電空間中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。   The electron emission performance is a numerical value indicating that the larger the electron emission amount, the larger the electron emission performance, and it is expressed by the initial electron emission amount determined by the surface state, the gas type and the state. Although the initial electron emission amount can be measured by a method of measuring the amount of electron current emitted from the surface by irradiating the surface with ions or an electron beam, it is difficult to evaluate the front surface of the PDP in a non-destructive manner. Accompanied by. Therefore, the method described in JP 2007-48733 A was used. That is, among the delay times at the time of discharge, a numerical value called a statistical delay time, which is a measure of the likelihood of occurrence of discharge, is measured, and when the reciprocal is integrated, a numerical value corresponding to the initial electron emission amount is obtained. That is, evaluation is performed using such numerical values. The delay time at the time of discharge means the time of the delay of discharge that is delayed after the rise of the pulse, and the discharge delay is the time when the initial electrons that trigger when the discharge starts from the surface of the protective layer to the discharge space. It is considered that the main factor is that it is difficult to be released.

図12より明らかなように、下地膜(16a)のみの場合と、下地膜(16a)上に凝集粒子(16b’)を配置した場合とにおいて、下地膜(16a)のみの場合はカルシウム(Ca)濃度の増加とともに放電遅れが大きくなるのに対し、下地膜(16a)上に凝集粒子(16b’)を配置することによって放電遅れを大幅に小さくすることができ、カルシウム(Ca)濃度が増加しても放電遅れはほとんど増大しないことがわかる。   As is clear from FIG. 12, in the case of only the base film (16a) and the case where the aggregated particles (16b ′) are arranged on the base film (16a), the case of only the base film (16a) is calcium (Ca ) While the discharge delay increases with increasing concentration, the discharge delay can be significantly reduced by arranging the aggregated particles (16b ′) on the base film (16a), and the calcium (Ca) concentration increases. It can be seen that the discharge delay hardly increases.

次に、本発明の実施の形態における凝集粒子(16b’)を有する保護層の効果を確認するために行った実験結果について説明しておく。まず、構成の異なる下地膜(16a)と下地膜(16a)上に設けた凝集粒子(16b’)を有するPDPを試作した。試作品1は酸化マグネシウム(MgO)の下地膜(16a)のみの保護層を形成したPDP、試作品2は酸化マグネシウム(MgO)にAl、Siなどの不純物をドープした下地膜(16a)のみの保護層を形成したPDP、試作品3は酸化マグネシウム(MgO)による下地膜(16a)上に酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子(16b)の一次粒子のみを散布し付着させた保護層を形成したPDPである。   Next, the results of experiments conducted to confirm the effect of the protective layer having aggregated particles (16b ′) in the embodiment of the present invention will be described. First, a PDP having a base film (16a) having a different structure and agglomerated particles (16b ') provided on the base film (16a) was experimentally manufactured. Prototype 1 is a PDP in which a protective layer made only of a magnesium oxide (MgO) base film (16a) is formed. Prototype 2 is only a base film (16a) in which magnesium oxide (MgO) is doped with impurities such as Al and Si. PDP with a protective layer, Prototype 3, formed a protective layer in which only primary particles of magnesium oxide (MgO) crystal particles (16b) were sprayed and adhered on a base film (16a) made of magnesium oxide (MgO). PDP.

一方、試作品4は本発明の製造方法で得られるPDPであり、保護層として、前述のサンプルAを用いている。すなわち、保護層は、酸化マグネシウム(MgO)と酸化カルシウム(CaO)との金属酸化物で構成した下地膜(16a)と、下地膜(16a)上に結晶粒子(16b)を凝集させた凝集粒子(16b’)を全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させている。なお、下地膜(16a)は、下地膜(16a)面のX線回折分析において、下地膜(16a)を構成する酸化物の単体より発生するピークの最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。すなわち、この場合の最小回折角は酸化カルシウム(CaO)の32.2度、最大回折角は酸化マグネシウム(MgO)の36.9度であり、下地膜91の回折角のピークが36.1度に存在するようにしている。   On the other hand, prototype 4 is a PDP obtained by the production method of the present invention, and uses sample A described above as a protective layer. That is, the protective layer includes a base film (16a) made of a metal oxide of magnesium oxide (MgO) and calcium oxide (CaO), and aggregated particles obtained by aggregating crystal particles (16b) on the base film (16a). (16b ′) is attached so as to be distributed almost uniformly over the entire surface. In addition, the base film (16a) is between the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle of the peak generated from a single oxide constituting the base film (16a) in the X-ray diffraction analysis of the surface of the base film (16a). A peak is present. That is, the minimum diffraction angle in this case is 32.2 degrees for calcium oxide (CaO), the maximum diffraction angle is 36.9 degrees for magnesium oxide (MgO), and the peak of the diffraction angle of the base film 91 is 36.1 degrees. To exist.

これらのPDPについて、その電子放出性能と電荷保持性能を調べ、その結果を図13に示す。電子放出性能は上述の方法で評価し、電荷保持性能は、その指標として、PDPとして作製した場合に電荷放出現象を抑えるために必要とする走査電極に印加する電圧(以下Vscn点灯電圧と呼称する)の電圧値を用いた。すなわち、Vscn点灯電圧の低い方が電荷保持能力の高いことを示す。このことは、PDPを設計する上で、電源や各電気部品として、耐圧及び容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのMOSFETなどの半導体スイッチング素子には、耐圧150V程度の素子が使用されており、Vscn点灯電圧としては、温度による変動を考慮して約120V以下に抑えるのが望ましい。   These PDPs were examined for their electron emission performance and charge retention performance, and the results are shown in FIG. The electron emission performance is evaluated by the above-described method, and the charge retention performance is measured by using a voltage (hereinafter referred to as Vscn lighting voltage) applied to the scan electrode necessary for suppressing the charge emission phenomenon when the PDP is manufactured. ) Voltage value was used. That is, a lower Vscn lighting voltage indicates a higher charge retention capability. This makes it possible to use components having a low withstand voltage and a small capacity as the power source and each electrical component in designing the PDP. In a current product, an element having a withstand voltage of about 150 V is used as a semiconductor switching element such as a MOSFET for sequentially applying a scanning voltage to a panel, and the Vscn lighting voltage is about 120 V in consideration of variation due to temperature. It is desirable to keep it below.

図13から明らかなように、本発明の実施形態における下地膜(16a)に酸化マグネシウム(MgO)の単結晶粒子(16b)を凝集させた凝集粒子(16b’)を散布して全面に亘って均一に分布させた試作品4は、電荷保持性能の評価において、Vscn点灯電圧を120V以下にすることができ、なおかつ電子放出性能が酸化マグネシウム(MgO)のみの保護層の場合の試作品1に比べて格段に良好な特性を得ることができる。   As is apparent from FIG. 13, aggregated particles (16b ′) obtained by aggregating single crystal particles (16b) of magnesium oxide (MgO) are sprayed on the entire surface of the base film (16a) in the embodiment of the present invention. Uniformly distributed prototype 4 can be used as prototype 1 in the case where the Vscn lighting voltage can be set to 120 V or less and the electron emission performance is a protective layer made of only magnesium oxide (MgO). Compared to this, much better characteristics can be obtained.

一般的にはPDPの保護層の電子放出能力と電荷保持能力は相反する。例えば、保護層の製膜条件を変更することや、保護層中にAlやSi、Baなどの不純物をドーピングして製膜することにより電子放出性能を向上することは可能であるが、副作用としてVscn点灯電圧も上昇してしまう。   In general, the electron emission capability and the charge retention capability of the protective layer of the PDP are contradictory. For example, it is possible to improve the electron emission performance by changing the film forming conditions of the protective layer, or by forming a film by doping impurities such as Al, Si, and Ba in the protective layer. The Vscn lighting voltage also increases.

本発明実施の形態における試作品4のPDPにおいては、電子放出能力としては、酸化マグネシウム(MgO)のみの保護層を用いた試作品1の場合に比べて8倍以上の特性を有し、電荷保持能力としてはVscn点灯電圧が120V以下のものを得ることができる。したがって、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さいPDPに対しては有用で、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させて、放電遅れを低減して良好な画像表示を実現することができる。   In the PDP of the prototype 4 in the embodiment of the present invention, the electron emission capability is more than eight times that of the prototype 1 using a protective layer made only of magnesium oxide (MgO), As a holding capability, a Vscn lighting voltage of 120 V or less can be obtained. Therefore, it is useful for PDPs with a large number of scanning lines and a small cell size due to high definition, satisfying both electron emission capability and charge retention capability, and reducing discharge delay and good image display Can be realized.

次に、結晶粒子(16b)の粒径についても詳細に説明しておく。なお、以下の説明において、粒径とは平均粒径を意味し、平均粒径とは、体積累積平均径(D50)のことを意味している。   Next, the particle size of the crystal particles (16b) will be described in detail. In the following description, the particle diameter means an average particle diameter, and the average particle diameter means a volume cumulative average diameter (D50).

図14は、上記図13で説明した本発明の試作品4において、結晶粒子(16b)の粒径を変化させて電子放出性能を調べた実験結果を示すものである。なお、図14において、結晶粒子(16b)の粒径は、結晶粒子をSEM観察することで測長した。図14に示すように、粒径が0.3μm程度に小さくなると、電子放出性能が低くなり、ほぼ0.9μm以上であれば、高い電子放出性能が得られることがわかる。   FIG. 14 shows an experimental result of examining the electron emission performance in the prototype 4 of the present invention described with reference to FIG. 13 by changing the grain size of the crystal particles (16b). In FIG. 14, the particle diameter of the crystal particle (16b) was measured by SEM observation of the crystal particle. As shown in FIG. 14, it can be seen that when the particle size is reduced to about 0.3 μm, the electron emission performance is lowered, and when it is approximately 0.9 μm or more, high electron emission performance is obtained.

ところで、放電セル内での電子放出数を増加させるためには、下地膜上の単位面積あたりの結晶粒子(16b)の数は多い方が望ましいが、本発明者らの実験によれば、前面板の保護層と密接に接触する背面板の隔壁の頂部に相当する部分に結晶粒子が存在することで、隔壁の頂部を破損させ、その材料が蛍光体の上に乗るなどによって、該当するセルが正常に点灯消灯しなくなる現象が発生することが分かった。この隔壁破損の現象は、結晶粒子(16b)が隔壁頂部に対応する部分に存在しなければ発生しにくいことから、付着させる結晶粒子(16b)の数が多くなれば隔壁の破損発生確率が高くなる。このような観点からは、結晶粒子径が2.5μm程度に大きくなると、隔壁破損の確率が急激に高くなり、2.5μmより小さい結晶粒子径であれば、隔壁破損の確率は比較的小さく抑えることができる。   By the way, in order to increase the number of electrons emitted in the discharge cell, it is desirable that the number of crystal particles (16b) per unit area on the base film is large. Corresponding cells may be formed by the crystal particles existing in the portion corresponding to the top of the partition wall of the back plate that is in close contact with the protective layer of the face plate, so that the top of the partition wall is damaged and the material gets on the phosphor. It has been found that a phenomenon occurs in which the LED does not turn on and off normally. This phenomenon of partition wall breakage is unlikely to occur unless the crystal particles (16b) are present at the portion corresponding to the top of the partition wall. Therefore, if the number of attached crystal particles (16b) increases, the probability of partition wall breakage increases. Become. From this point of view, when the crystal particle diameter is increased to about 2.5 μm, the probability of partition wall breakage increases rapidly, and when the crystal particle diameter is smaller than 2.5 μm, the probability of partition wall breakage is kept relatively small. be able to.

以上の結果より、本発明の製造方法においては、保護層に用いる結晶粒子(16b)として、粒径が0.9μm〜2μmの範囲にあるものを使用すれば、上述した本発明の効果を安定的に得られることがわかった。なお、結晶粒子(16b)として酸化マグネシウム(MgO)粒子を用いて説明したが、この他の単結晶粒子でも、酸化マグネシウム(MgO)同様に高い電子放出性能を持つSr、Ca、Ba、Alなどの金属酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができるため、粒子種としては酸化マグネシウム(MgO)に限定されるものではない。   From the above results, in the production method of the present invention, if the crystal particles (16b) used for the protective layer are those having a particle size in the range of 0.9 μm to 2 μm, the above-described effects of the present invention can be stabilized. It was found that it can be obtained. In addition, although demonstrated using the magnesium oxide (MgO) particle | grains as a crystal particle (16b), other single crystal particle | grains have Sr, Ca, Ba, Al, etc. which have high electron emission performance similarly to magnesium oxide (MgO). Since the same effect can be obtained even if crystal particles of the metal oxide are used, the particle type is not limited to magnesium oxide (MgO).

“本発明における保護層”について、総括的に述べれば、上述の知見に基づいて保護層が形成されたPDPでは、保護層における二次電子放出特性が向上しており、輝度を高めるために放電ガスのXeガス分圧を大きくした場合であっても放電開始電圧を低減することが可能となっている。つまり、本発明で得られるPDPは、高精細画像でも高輝度で低電圧駆動が可能な表示性能に優れたものとなり得る。   In general, the “protective layer in the present invention” has a secondary electron emission characteristic in the protective layer improved in the PDP in which the protective layer is formed based on the above-described knowledge. Even when the Xe gas partial pressure of the gas is increased, the discharge start voltage can be reduced. That is, the PDP obtained by the present invention can be excellent in display performance capable of being driven with high brightness and low voltage even in a high-definition image.

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、あくまでも典型例を例示したに過ぎない。従って、本発明はこれに限定されず、種々の改変がなされ得ることを当業者は容易に理解されよう。例えば以下の変更態様を挙げることができる。   As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, it has only illustrated the typical example to the last. Therefore, those skilled in the art will readily understand that the present invention is not limited thereto and various modifications can be made. For example, the following modifications can be mentioned.

● 上記説明では、ベーキングチャンバ内で前面板を冷却する態様を例示したが、ロードロックチャンバ内で前面板を冷却してもよい。この場合の具体的なプロセス態様を図3および図5を参照して説明しておく。保護層が形成された前面板を、まずロードロックチャンバ(49)内に置かれたトレー(図示せず)上に載置させる。次いで、搬送系(図示せず)を用いて、トレーと前面板(1)とをゲート(48)を通過させてベーキングチャンバ(41)へと搬送する。搬送後、ゲート(48)を閉めて、ベーキングチャンバ(41)内をポンプ(42)を用いて排気する。排気によってベーキングチャンバの内部雰囲気が所定の真空圧力(例えば0.001Pa以下)に達すると、ベーキングチャンバ(41)内のランプ(43)に電力を供して前面板の加熱を開始する。加熱により前面板の温度が上昇するが、最終的には或る所定温度(例えば、約500℃)に達するまで加熱し、その到達最高温度を数分間(例えば2分間程度)保持する。かかる保持の後、ランプ(43)に供する電力を切ることによって、前面板(1)の冷却を開始する。前面板(1)の温度が所定の温度(250℃以上500℃以下)にある間、バルブ(47)を閉め、流量コントローラ(45)を用いて、ベーキングチャンバ(41)内へと窒素ガスを供給し、ベーキングチャンバ(41)内の圧力を大気圧にする。そして、トレーと前面板とを、不活性ガスとして窒素ガスで満たされたロードロックチャンバ(49)へと搬送し、かかるロードロックチャンバ(49)内において前面板温度が100℃以下になるまで前面板の冷却を行う。 In the above description, the mode in which the front plate is cooled in the baking chamber has been illustrated, but the front plate may be cooled in the load lock chamber. A specific process mode in this case will be described with reference to FIGS. The front plate on which the protective layer is formed is first placed on a tray (not shown) placed in the load lock chamber (49). Next, the tray and the front plate (1) are transferred to the baking chamber (41) through the gate (48) using a transfer system (not shown). After the transfer, the gate (48) is closed, and the inside of the baking chamber (41) is evacuated using the pump (42). When the internal atmosphere of the baking chamber reaches a predetermined vacuum pressure (for example, 0.001 Pa or less) by evacuation, electric power is supplied to the lamp (43) in the baking chamber (41) to start heating the front plate. Although the temperature of the front plate rises due to heating, it is heated until it reaches a certain predetermined temperature (for example, about 500 ° C.), and the maximum temperature reached for several minutes (for example, about 2 minutes). After this holding, the cooling of the front plate (1) is started by turning off the power supplied to the lamp (43). While the temperature of the front plate (1) is at a predetermined temperature (250 ° C. or more and 500 ° C. or less), the valve (47) is closed, and nitrogen gas is introduced into the baking chamber (41) using the flow rate controller (45). The pressure in the baking chamber (41) is set to atmospheric pressure. Then, the tray and the front plate are transferred to a load lock chamber (49) filled with nitrogen gas as an inert gas, and the front plate temperature in the load lock chamber (49) is reduced to 100 ° C. Cool the face plate.

● あるいは、次のようなプロセス態様も可能である(図3および図5を参照して説明しておく)。まず、保護層が形成された前面板を、ロードロックチャンバ(49)内に置かれたトレー上に載置される。次いで、ロードロックチャンバ(49)内をポンプを用いて排気する。排気によってロードロックチャンバ(49)内が所定の圧力(例えば、10Pa以下)まで到達したら、ゲート(48)を開き、予め真空排気されているベーキングチャンバ(41)とロードロックチャンバ(49)とを連通させる。そして、搬送系を用いて、トレーと前面板(1)を、ゲート(48)を通過させてベーキングチャンバ(41)へと搬送する。ゲート(48)を閉めた後、ベーキングチャンバ(41)内が所定の圧力(例えば、0.001Pa以下)になったら、ランプ(43)に電力を供し、前面板(1)を約500℃まで加熱する。その500℃の最高加熱温度で数分間(例えば、2分間)保持した後、ランプ(43)供する電力を切り、前面板を冷却する。前面板の温度が所定の温度(例えば、450℃以下)になったら、ゲート(48)を開き、真空排気されているロードロックチャンバ(49)とベーキングチャンバ(41)とを連通させる。そして、搬送系(図示せず)を用いて、トレーと前面板とを、ゲート(48)を通過させてロードロックチャンバ(49)へと搬送する。次いで、ゲート(48)を閉じ、ロードロックチャンバ(49)内にガス供給系(図示せず)を用いて不活性ガスを供給し、ロードロックチャンバ(49)内を大気圧にする。そして、前面板の温度が100℃以下になるまで冷却した後、前面板を取り出す。このようなプロセス態様を採用すると、設備構成の点で最も高価となるベーキングチャンバ内における前面板の滞在時間が短くなるので、真空ベーキング装置の価格をより抑えることが可能となる。 Alternatively, the following process mode is possible (described with reference to FIGS. 3 and 5). First, the front plate on which the protective layer is formed is placed on a tray placed in the load lock chamber (49). Next, the load lock chamber (49) is evacuated using a pump. When the inside of the load lock chamber (49) reaches a predetermined pressure (for example, 10 Pa or less) by evacuation, the gate (48) is opened, and the baking chamber (41) and the load lock chamber (49), which have been evacuated in advance, are opened. Communicate. Then, using the transport system, the tray and the front plate (1) are transported to the baking chamber (41) through the gate (48). After the gate (48) is closed, when the pressure in the baking chamber (41) reaches a predetermined pressure (for example, 0.001 Pa or less), power is supplied to the lamp (43), and the front plate (1) is brought to about 500 ° C. Heat. After holding at the maximum heating temperature of 500 ° C. for several minutes (for example, 2 minutes), the power supplied to the lamp (43) is turned off, and the front plate is cooled. When the temperature of the front plate reaches a predetermined temperature (for example, 450 ° C. or lower), the gate (48) is opened, and the load lock chamber (49) and the baking chamber (41) that are evacuated are communicated. Then, using a transfer system (not shown), the tray and the front plate are transferred to the load lock chamber (49) through the gate (48). Next, the gate (48) is closed, an inert gas is supplied into the load lock chamber (49) using a gas supply system (not shown), and the inside of the load lock chamber (49) is brought to atmospheric pressure. And after cooling until the temperature of a front plate will be 100 degrees C or less, a front plate is taken out. When such a process mode is adopted, the stay time of the front plate in the baking chamber, which is the most expensive in terms of the equipment configuration, is shortened, so that the price of the vacuum baking apparatus can be further suppressed.

● 上記説明では、前面板を冷却するに際して不活性ガスを供給する態様を例示したが、供給する不活性ガスの圧力は10Pa以上大気圧以下であることが好ましい。圧力が低すぎると、ベーキングチャンバの内壁面などにごく微量ながら付着している炭化水素系堆積物の沸点が上がる効果と、不活性ガスにより炭化水素系ガスが希釈される効果が低減するためである(後述の“実施例”を参照のこと)。 In the above description, an example in which an inert gas is supplied when the front plate is cooled is illustrated, but the pressure of the supplied inert gas is preferably 10 Pa or more and atmospheric pressure or less. If the pressure is too low, the effect of increasing the boiling point of hydrocarbon deposits adhering to the inner wall of the baking chamber, etc., and the effect of diluting hydrocarbon gases with inert gas will be reduced. Yes (see “Examples” below).

● 上記説明では、ベーキングチャンバ内が0.001Pa以下に到達した後、ランプに電力を供する態様を例示した。この到達圧力が低いほど、保護層の清浄化は促進される。しかしながら、あまりに低い圧力を実現しようとすると、非現実的な超大排気能力を有するポンプが必要となる。したがって、この到達圧力は、0.00001Pa以上0.1Pa以下であることが好ましいといえる。 In the above description, an example in which power is supplied to the lamp after the inside of the baking chamber reaches 0.001 Pa or less is illustrated. The lower this ultimate pressure, the easier the cleaning of the protective layer. However, if an excessively low pressure is to be realized, a pump having an unrealistic super-large exhaust capacity is required. Therefore, it can be said that this ultimate pressure is preferably 0.00001 Pa or more and 0.1 Pa or less.

● 上記説明では、酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子を、溶媒に分散させ、その分散液を下地膜の表面に分散散布し、その後、乾燥・焼成工程を経て溶媒除去を図り、酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子を下地膜(16a)の表面に定着させた後に保護層を真空ベーキングする態様を例示したが、焼成工程を省略して真空ベーキングすることにより、酸化マグネシウム(MgO)の結晶粒子の下地膜の表面への定着と、保護層(とくに下地膜)の清浄化とを一度に行うことも可能である。このようなプロセス態様では、大掛かりな焼成設備の不要化につながるだけでなく、製造に要するエネルギーを低減でき、PDPの製造コストを低減できる利点がある。 In the above description, magnesium oxide (MgO) crystal particles are dispersed in a solvent, and the dispersion liquid is dispersed and dispersed on the surface of the base film. Thereafter, the solvent is removed through a drying and firing process, and magnesium oxide (MgO) In the above embodiment, the protective layer is vacuum-baked after fixing the crystal particles on the surface of the base film (16a). However, by performing the vacuum baking without the firing step, the crystal grains of magnesium oxide (MgO) It is also possible to fix the base film to the surface and clean the protective layer (particularly the base film) at once. Such a process mode has the advantage that not only large-scale firing facilities are unnecessary, but also the energy required for production can be reduced and the production cost of the PDP can be reduced.

● 上記説明では、保護層が酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから成る群から選択される少なくとも1種類以上の酸化金属を含んで成る態様を主に前提としてきたが、本発明は必ずしもかかる態様に限定されるわけではない。たとえば、保護層が特開2004−47193に開示されているようなものであってもよく(例示すれば、保護層が酸化ランタン、酸化セリウムなどのランタノイド酸化物などから形成されたものであってもよい)、かかる場合であっても本発明の効果としては変わりはない。 In the above description, the protective layer has been mainly premised on an embodiment comprising at least one metal oxide selected from the group consisting of magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide. It is not necessarily limited to such an embodiment. For example, the protective layer may be as disclosed in JP-A-2004-47193 (for example, the protective layer is formed of a lanthanoid oxide such as lanthanum oxide or cerium oxide) Even in such a case, the effect of the present invention is not changed.

● 本発明の効果として変わりない点でいえば、保護層が電子ビーム蒸着法により形成されたものの他、微細な金属酸化物粒子を含むペーストを塗布・乾燥することによって形成されたPDPの製造法についても、本発明を好適に適用することができる。ベーキングチャンバ(41)内がポンプ(42)により排気され、真空に保持することができる。 ● In terms of the effect of the present invention, a method for producing a PDP formed by applying and drying a paste containing fine metal oxide particles in addition to a protective layer formed by an electron beam evaporation method The present invention can also be suitably applied to. The inside of the baking chamber (41) is evacuated by the pump (42) and can be kept in a vacuum.

● 前面板に形成する誘電体層は、第1誘電体層と第2誘電体層から構成される2層構造となっていてもよい。この場合、第1誘電体層の誘電体材料は、酸化ビスマス(Bi)を20重量%〜40重量%、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種を0.5重量%〜12重量%含み、酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)、酸化セリウム(CeO)、二酸化マンガン(MnO)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含んで成るものが好ましい。なお、酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)、酸化セリウム(CeO)、二酸化マンガン(MnO)に代えて、酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr)、酸化コバルト(Co)、酸化バナジウム(V)、酸化アンチモン(Sb)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含ませてもよい。また、上記以外の成分として、酸化亜鉛(ZnO)を0重量%〜40重量%、酸化硼素(B)を0重量%〜35重量%、酸化硅素(SiO)を0重量%〜15重量%、酸化アルミニウム(Al)を0重量%〜10重量%など、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよい。このような組成から成る第1誘電体層用ペーストを、表示電極を覆うように前面ガラス基板にダイコート法あるいはスクリーン印刷法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の575℃〜590℃で焼成することによって、第1誘電体層を形成することができる。
一方、第2誘電体層は、酸化ビスマス(Bi)を11重量%〜20重量%、さらに、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種を1.6重量%〜21重量%含み、酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)、酸化セリウム(CeO)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含んで成るものが好ましい。なお、酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)、酸化セリウム(CeO)に代えて、酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr)、酸化コバルト(Co)、酸化バナジウム(V)、酸化アンチモン(Sb)、酸化マンガン(MnO)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含ませてもよい。また、上記以外の成分として、酸化亜鉛(ZnO)を0重量%〜40重量%、酸化硼素(B)を0重量%〜35重量%、酸化硅素(SiO)を0重量%〜15重量%、酸化アルミニウム(Al)を0重量%〜10重量%など、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよい。このような組成から成る第2誘電体層用ペーストを、第1誘電体層上にスクリーン印刷法あるいはダイコート法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の550℃〜590℃で焼成することによって、第2誘電体層を形成することができる。このようにして製造されたPDPは、表示電極に銀(Ag)材料を用いても、前面ガラス基板の着色現象(黄変)が少なくて、なおかつ、誘電体層中に気泡の発生などがなく、絶縁耐圧性能に優れた誘電体層を実現することができる。
● The dielectric layer formed on the front plate may have a two-layer structure including a first dielectric layer and a second dielectric layer. In this case, the dielectric material of the first dielectric layer is selected from 20% to 40% by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO). At least one selected from molybdenum oxide (MoO 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), cerium oxide (CeO 2 ), and manganese dioxide (MnO 2 ). Those comprising 0.1 wt% to 7 wt% are preferred. In place of molybdenum oxide (MoO 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), cerium oxide (CeO 2 ), manganese dioxide (MnO 2 ), copper oxide (CuO), chromium oxide (Cr 2 O 3 ), cobalt oxide At least one selected from (Co 2 O 3 ), vanadium oxide (V 2 O 7 ), and antimony oxide (Sb 2 O 3 ) may be contained in an amount of 0.1 wt% to 7 wt%. Further, as components other than the above, zinc oxide (ZnO) is 0 wt% to 40 wt%, boron oxide (B 2 O 3 ) is 0 wt% to 35 wt%, and silicon oxide (SiO 2 ) is 0 wt% to A material composition that does not contain a lead component, such as 15 wt% and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) 0 wt% to 10 wt% may be included. The first dielectric layer paste having such a composition is printed on the front glass substrate by a die coating method or a screen printing method so as to cover the display electrodes and dried, and then a temperature slightly higher than the softening point of the dielectric material. The first dielectric layer can be formed by firing at 575 ° C. to 590 ° C.
On the other hand, the second dielectric layer contains at least 1 selected from bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) at 11 wt% to 20 wt%, and further selected from calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO). 1.6 wt% to 21 wt% of seeds, 0.1 wt% to 7 wt% of at least one selected from molybdenum oxide (MoO 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), and cerium oxide (CeO 2 ) Is preferred. Note that instead of molybdenum oxide (MoO 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), and cerium oxide (CeO 2 ), copper oxide (CuO), chromium oxide (Cr 2 O 3 ), cobalt oxide (Co 2 O 3 ), At least one selected from vanadium oxide (V 2 O 7 ), antimony oxide (Sb 2 O 3 ), and manganese oxide (MnO 2 ) may be contained in an amount of 0.1 wt% to 7 wt%. Further, as components other than the above, zinc oxide (ZnO) is 0 wt% to 40 wt%, boron oxide (B 2 O 3 ) is 0 wt% to 35 wt%, and silicon oxide (SiO 2 ) is 0 wt% to A material composition that does not contain a lead component, such as 15 wt% and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) 0 wt% to 10 wt% may be included. The second dielectric layer paste having such a composition is printed on the first dielectric layer by a screen printing method or a die coating method and then dried, and then, a temperature slightly higher than the softening point of the dielectric material is 550 ° C. By baking at ˜590 ° C., the second dielectric layer can be formed. The PDP manufactured in this way has little coloring phenomenon (yellowing) of the front glass substrate even when a silver (Ag) material is used for the display electrode, and there is no generation of bubbles in the dielectric layer. In addition, it is possible to realize a dielectric layer having excellent withstand voltage performance.

最後に、本発明における「温度」について付言しておく。本発明に関連する温度(例えば、250℃や300℃あるいは100℃)は、原則、前面板の温度(特に前面板の保護層の温度)を指している。しかしながら、そのような温度を直接的に把握できない場合には、チャンバ内温度(例えば“ベーキングチャンバの雰囲気温度”)を便宜的に採用してもよい。このとき、あらかじめ前面板の温度とチャンバ内温度との相関関係を測っておくことが好ましい。尚、本発明において、このような“前面板温度”や“チャンバ内温度”は熱電対または放射温度計などの温度計測機を用いて測定されたものである点に留意されたい。   Finally, “temperature” in the present invention will be added. The temperature related to the present invention (for example, 250 ° C., 300 ° C. or 100 ° C.) basically indicates the temperature of the front plate (particularly the temperature of the protective layer of the front plate). However, when such temperature cannot be directly grasped, the temperature in the chamber (for example, “atmosphere temperature of the baking chamber”) may be adopted for convenience. At this time, it is preferable to measure the correlation between the temperature of the front plate and the temperature in the chamber in advance. In the present invention, it should be noted that such “front plate temperature” and “in-chamber temperature” are measured using a thermometer or a radiation measuring instrument such as a radiation thermometer.

本発明の特徴に関して試験(真空ベーキング試験)を行った。特に、本願発明者らは、以下で説明する試験を通じて、真空ベーキングによる活性化後に保護層を含む前面板が冷却される過程で保護層に炭化水素系ガスが多量に吸着し、封着処理後のパネルにおいて蛍光輝度の低下によりパネル品質の劣化が生じることを見出している(より具体的には、完成したパネルにおいては、吸着した炭化水素系ガスが脱離して、すす状の堆積物が蛍光体層に付着し、それによって、輝度劣化が生じるものと考えられる)。   A test (vacuum baking test) was performed on the features of the present invention. In particular, the inventors of the present invention, through the test described below, adsorb a large amount of hydrocarbon gas to the protective layer in the process of cooling the front plate including the protective layer after activation by vacuum baking, and after the sealing treatment It has been found that the panel quality is deteriorated due to the decrease in the fluorescence brightness (more specifically, in the completed panel, the adsorbed hydrocarbon gas is desorbed and soot-like deposits are fluorescent. It is thought that it adheres to the body layer and thereby causes luminance degradation).

真空ベーキング試験は、図3で示すような真空ベーキング装置(40)を用いて行った。かかる真空ベーキング装置(40)では、ベーキングチャンバ(41)内がポンプ(42)により排気され、真空に保持することができるようになっている。前面板の加熱手段として、ベーキングチャンバ(41)内にはランプ(43)、反射板(44)が設けられている。流量コントローラ(45)から不活性ガスとして窒素ガスが、バルブ(46)を介してベーキングチャンバ(41)内に供給される。ベーキングチャンバ(41)とポンプ(42)との間にはバルブ(47)が設けられ、排気のON/OFFが切り替え可能なようになっている。   The vacuum baking test was performed using a vacuum baking apparatus (40) as shown in FIG. In such a vacuum baking apparatus (40), the inside of the baking chamber (41) is evacuated by the pump (42) and can be kept in a vacuum. As a heating means for the front plate, a lamp (43) and a reflection plate (44) are provided in the baking chamber (41). Nitrogen gas is supplied from the flow controller (45) as an inert gas into the baking chamber (41) through the valve (46). A valve (47) is provided between the baking chamber (41) and the pump (42) so that ON / OFF of exhaust can be switched.

真空ベーキング試験では、真空ベーキング後に前面板を冷却するときのベーキングチャンバ内の雰囲気に着目し、不活性ガス中で冷却する検討を行った。着眼点は以下の2点である。
(1)不活性ガス中では真空中に比べて、炭化水素系ガスの発生源と考えられる、ベーキングチャンバの内壁面などに、ごく微量ながら付着している炭化水素系堆積物の沸点が上がる。したがって、冷却中の雰囲気における炭化水素系ガスの絶対量が減ることが期待される。
(2) 不活性ガス中で冷却する場合は、真空中で冷却する場合に比べて、炭化水素系ガスの濃度が下がる。これは、不活性ガスにより炭化水素系ガスが希釈されるためである。
In the vacuum baking test, attention was paid to the atmosphere in the baking chamber when the front plate was cooled after the vacuum baking, and cooling in an inert gas was studied. There are the following two points.
(1) In inert gas, the boiling point of hydrocarbon deposits adhering to the inner wall surface of a baking chamber, which is considered to be a source of hydrocarbon gas, is extremely small compared to vacuum. Therefore, it is expected that the absolute amount of hydrocarbon gas in the cooling atmosphere will be reduced.
(2) When cooling in an inert gas, the concentration of the hydrocarbon-based gas is lower than when cooling in a vacuum. This is because the hydrocarbon-based gas is diluted with an inert gas.

真空ベーキングにより500℃まで昇温された前面板(最高加熱温度500℃における加熱時間は約2分間)を冷却するに際して、ベーキングチャンバ内に窒素ガスを供給する実験を行い、かかる不活性ガスの供給開始温度に対する前面板への炭化水素系ガスの吸着量を、昇温脱離法(TDS:Thermal Desorption Spectroscopy)により測定した。結果を図7に示す。炭化水素系ガスの吸着量はCH(=質量数15)の脱ガス強度により評価した。なお、不活性ガスとしての窒素ガスはベーキングチャンバ内が大気圧になるまで供給し、その後供給を停止した。 When cooling the front plate heated to 500 ° C. by vacuum baking (the heating time at the maximum heating temperature of 500 ° C. is about 2 minutes), an experiment was conducted to supply nitrogen gas into the baking chamber, and supply of such inert gas. The amount of adsorption of the hydrocarbon-based gas on the front plate relative to the start temperature was measured by a temperature desorption method (TDS: Thermal Desorption Spectroscopy). The results are shown in FIG. The amount of adsorption of the hydrocarbon-based gas was evaluated by the degassing strength of CH 3 (= mass number 15). Nitrogen gas as an inert gas was supplied until the pressure in the baking chamber reached atmospheric pressure, and then the supply was stopped.

図7を参照すると、常温(25℃)まで真空中で冷却した場合(1)に、保護層9に炭化水素系ガスが多量に吸着している(脱ガス強度=8.14)のに対して、真空冷却温度が250℃以上の場合(2)には、吸着量が激減している(脱ガス強度=0.301〜0.543)ことが分かった。したがって、前面板を真空中で最高加熱温度(500℃)に加熱した後、前面板を冷却するに際して、250℃以上で、かつ、最高加熱温度以下の温度域より前面板を不活性ガスに曝露しつつ冷却することが好ましいということが判明した。   Referring to FIG. 7, when the vacuum is cooled to room temperature (25 ° C.) (1), a large amount of hydrocarbon gas is adsorbed on the protective layer 9 (degassing strength = 8.14). When the vacuum cooling temperature was 250 ° C. or higher (2), it was found that the amount of adsorption was drastically reduced (degassing strength = 0.301 to 0.543). Therefore, after the front plate is heated to the maximum heating temperature (500 ° C) in vacuum and then cooled, the front plate is exposed to an inert gas from a temperature range of 250 ° C or higher and lower than the maximum heating temperature. However, it has been found that cooling is preferable.

ところで、真空ベーキングにより清浄化された保護層は、大気に曝露されると、活性化された吸着サイトが露出しているので、そのサイトに大気中の水分が吸着する。ただし、非常に脱離しやすい形態で吸着することがわかっている。つまり、窒素ガスを吹込みながら封着するときに、その大半が脱離し、2枚の基板間の空間から外部へ速やかに排出されることになる。昇温脱離法による評価では、真空ベーキング後に大気曝露された保護層から脱離する水分の脱離温度は、200℃以上300℃以下の範囲にピークを有する。しかしながら、真空中で低温まで冷却された場合は、真空中で活性化された吸着サイトに炭化水素系ガスが吸着してしまったため、大気曝露後の水分の吸着量が低減し、200℃以上300℃以下の範囲にピークが現れなかった。   By the way, when the protective layer cleaned by vacuum baking is exposed to the atmosphere, the activated adsorption site is exposed, so that moisture in the atmosphere is adsorbed on the site. However, it is known that it adsorbs in a form that is very easy to desorb. In other words, when sealing while blowing nitrogen gas, most of it is desorbed and quickly discharged from the space between the two substrates to the outside. In the evaluation by the temperature programmed desorption method, the desorption temperature of moisture desorbed from the protective layer exposed to the atmosphere after vacuum baking has a peak in the range of 200 ° C. or higher and 300 ° C. or lower. However, when cooled to a low temperature in a vacuum, the hydrocarbon-based gas has been adsorbed on the adsorption sites activated in the vacuum, so that the amount of moisture adsorbed after exposure to the air is reduced to 200 ° C. to 300 ° C. No peak appeared in the range below ℃.

図8は、図7を得た実験において、水分の吸着量を、HO(=質量数18)の脱ガス強度により評価した結果である。ただし、常温(25℃)まで真空中で冷却した場合(3)は、ピークが表れなかったので、250℃における脱離ガス強度をプロットしており、その他の不活性ガス供給開始温度が250℃の場合(4)及び300℃以上の場合(5)は、200℃以上300℃以下の範囲に現れた、水分の脱離強度のピーク値をプロットしている。図8より、不活性ガス供給開始温度が250℃の場合(4)は、不活性ガス供給開始温度が300℃以上の場合(5)に比べて水分の吸着量が少ないことがわかった。つまり、不活性ガス供給開始温度が250℃の場合(4)は、不活性ガス供給開始温度が300℃以上の場合(5)に比べて保護層の清浄度が少し悪いことがわかった。したがって、前面板を真空中で最高加熱温度(約500℃)に加熱した後、前面板を冷却するに際して、300℃以上で、かつ、最高加熱温度以下の温度域より前面板を不活性ガスに曝露しつつ冷却することがより好ましいということが判明した。 FIG. 8 shows the results of evaluating the moisture adsorption amount based on the degassing strength of H 2 O (= mass number 18) in the experiment obtained in FIG. However, when cooling in vacuum to room temperature (25 ° C) (3), no peak appeared, so the desorption gas intensity at 250 ° C was plotted, and the other inert gas supply start temperature was 250 ° C. In the case of (4) and the case of (5) above 300 ° C., the peak value of the desorption intensity of water that appears in the range of 200 ° C. to 300 ° C. is plotted. From FIG. 8, it was found that when the inert gas supply start temperature is 250 ° C. (4), the amount of moisture adsorbed is smaller than when the inert gas supply start temperature is 300 ° C. or higher (5). That is, when the inert gas supply start temperature was 250 ° C. (4), it was found that the degree of cleanliness of the protective layer was slightly worse than when the inert gas supply start temperature was 300 ° C. or higher (5). Therefore, when the front plate is cooled to the maximum heating temperature (about 500 ° C.) in a vacuum and then cooled, the front plate is changed to an inert gas from a temperature range of 300 ° C. or higher and lower than the maximum heating temperature. It has been found that cooling with exposure is more preferred.

尚、上記実施例で取得した各温度は、熱電対をセラミックスボンドで前面板に接着することによって測定したものである。   In addition, each temperature acquired in the said Example was measured by adhere | attaching a thermocouple on a front plate with a ceramic bond.

本発明の製造方法を通じて最終的に得られるPDPは、高輝度で消費電力が低いので、一般家庭向けのプラズマテレビおよび商業用プラズマテレビとして好適に用いることができる他、その他の各種表示デバイスとしても好適に用いることができる。   Since the PDP finally obtained through the manufacturing method of the present invention has high luminance and low power consumption, it can be suitably used as a plasma television for general homes and a commercial plasma television, and also as various other display devices. It can be used suitably.

1 前面板
2 背面板
10 前面板側の基板A
11 前面板側の電極A(表示電極)
12 走査電極
12a 透明電極
12b バス電極
13 維持電極
13a 透明電極
13b バス電極
14 ブラックストライプ(遮光層)
15 前面板側の誘電体層A
16 保護層
16a 保護層の下地膜
16b 保護層の下地膜上に配された結晶粒子
16b’ 結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子
20 背面板側の基板B
21 背面板側の電極B(アドレス電極)
22 背面板側の誘電体層B
23 隔壁
25 蛍光体層
29 貫通孔(ガス供給開口部/清浄化ガスの吹込み開口部)
30 放電空間
32 放電セル
40 真空ベーキング装置
41 ベーキングチャンバ
42 排気ポンプ
43 ランプ
44 反射板
45 流量コントローラ
46 バルブ
47 バルブ
48 ゲート
49 ロードロックチャンバ
55 チップ管(排気管)
56 フリットリング
57 チャックヘッド
68 配管
70 クリップ
86 ガラスフリット封着部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front board 2 Back board 10 Board | substrate A by the front board side
11 Front panel side electrode A (display electrode)
12 Scan electrode 12a Transparent electrode 12b Bus electrode 13 Sustain electrode 13a Transparent electrode 13b Bus electrode 14 Black stripe (light shielding layer)
15 Dielectric layer A on the front plate side
DESCRIPTION OF SYMBOLS 16 Protective layer 16a Base film of protective layer 16b Crystal particle | grains 16b 'arrange | positioned on the base film of a protective layer
21 Back plate side electrode B (address electrode)
22 Dielectric layer B on the back plate side
23 partition wall 25 phosphor layer 29 through hole (gas supply opening / cleaning gas blowing opening)
30 Discharge Space 32 Discharge Cell 40 Vacuum Baking Device 41 Baking Chamber 42 Exhaust Pump 43 Lamp 44 Reflector 45 Flow Controller 46 Valve 47 Valve 48 Gate 49 Load Lock Chamber 55 Chip Tube (Exhaust Tube)
56 Frit ring 57 Chuck head 68 Piping 70 Clip 86 Glass frit sealing member

Claims (4)

基板A上に電極Aと誘電体層Aと保護層とが形成された前面板、および、基板B上に電極Bと誘電体層Bと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板を有して成るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記前面板および前記背面板を封着処理に付すに先立って、(i)前記前面板を真空下において加熱する工程、および(ii)前記加熱の後で前記前面板を冷却する工程を実施し、
前記工程(ii)では、前記工程(i)の加熱時の最高温度以下〜250℃以上の温度域にて不活性ガス供給を開始し、前記前面板を不活性ガス雰囲気下で冷却することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
It has a front plate on which an electrode A, a dielectric layer A and a protective layer are formed on a substrate A, and a back plate on which an electrode B, a dielectric layer B, a partition and a phosphor layer are formed on a substrate B. A plasma display panel manufacturing method comprising:
Prior to subjecting the front plate and the back plate to the sealing treatment, (i) a step of heating the front plate under vacuum, and (ii) a step of cooling the front plate after the heating. ,
In the step (ii), an inert gas supply is started in a temperature range of not more than the maximum temperature during heating in the step (i) to 250 ° C. or more, and the front plate is cooled in an inert gas atmosphere. A method for manufacturing a plasma display panel.
前記不活性ガス供給を前記工程(i)の加熱時の最高温度以下〜300℃以上の温度域にて開始することを特徴とする、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。   2. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the inert gas supply is started in a temperature range of not more than a maximum temperature during heating in the step (i) to not less than 300 ° C. 3. 前記工程(ii)において、100℃以下の温度にまで前記前面板を冷却することを特徴とする、請求項1または2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。   3. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein in the step (ii), the front plate is cooled to a temperature of 100 ° C. or lower. 酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物であって、X線回折分析において、特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する金属酸化物から前記前面板の前記保護層を形成することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。   A metal oxide comprising at least two oxides selected from magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide, the oxide constituting the metal oxide in a specific orientation plane in X-ray diffraction analysis The said protective layer of the said front plate is formed from the metal oxide in which a peak exists between the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle which generate | occur | produce from the single substance of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. Of manufacturing a plasma display panel.
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