JP2011193362A - Antenna - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a compact and high-gain antenna for two frequency bands. <P>SOLUTION: This antenna 101 is equipped with: a radiation element RE; a series inductor L2; an inductor L1; and a capacitor C1. The series inductor L2 is serially connected to the radiation element RE. The inductor L1 and the capacitor C1 form a parallel resonance circuit. The inductance of the series inductor L2 is a value by which a resonance frequency by the series inductor L2 and the radiation element RE is set at a frequency f0 between a VHF high band (207.5-222 MHz) being a first frequency band and a one-segment broadcasting frequency band (470-770 MHz) being a second frequency band. The parallel resonance circuit splits the resonance frequency f0 of the circuit when viewing the radiation element RE side from a power feed end FP into a center frequency f1 of the first frequency band and a center frequency f2 of the second frequency band by using the resonance frequency of the parallel resonance circuit as a boundary by splitting a resonance point by the series inductor L2 and the radiation element RE into two. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、二つの周波数帯域を対象とする小型で高利得なアンテナに関するものである。   The present invention relates to a small and high gain antenna for two frequency bands.

放射素子に可変容量性素子を含む整合回路を付加して所定の周波数帯域に対応させるようにしたアンテナが特許文献1、特許文献2に開示されている。   Patent Documents 1 and 2 disclose an antenna in which a matching circuit including a variable capacitive element is added to a radiating element so as to correspond to a predetermined frequency band.

ここで特許文献1のアンテナの構成を、図1を基に説明する。図1に示すアンテナは、放射素子1、第1誘導性素子11、第2誘導性素子13、及び可変容量性素子14で構成されている。第1誘導性素子11は、放射素子1のリアクタンス成分を増加させることにより放射素子1の基本共振周波数を放射素子1単体での周波数よりも低い周波数に変位させる。第2誘導性素子13と可変容量性素子14は可変リアクタンス回路を構成していて、可変容量性素子14は、印加電圧に応じてキャパシタンスが変化して、放射素子1と第1誘導性素子11との合成リアクタンスを低減し、放射素子1の基本共振周波数を所定の周波数を含む範囲で変動させる。   Here, the configuration of the antenna of Patent Document 1 will be described with reference to FIG. The antenna shown in FIG. 1 includes a radiating element 1, a first inductive element 11, a second inductive element 13, and a variable capacitive element 14. The first inductive element 11 shifts the fundamental resonance frequency of the radiating element 1 to a frequency lower than the frequency of the radiating element 1 alone by increasing the reactance component of the radiating element 1. The second inductive element 13 and the variable capacitive element 14 constitute a variable reactance circuit. The variable capacitive element 14 changes its capacitance according to the applied voltage, and the radiating element 1 and the first inductive element 11. And the basic resonance frequency of the radiating element 1 is varied within a range including a predetermined frequency.

特許文献2に示されているアンテナは、2つの離れた共振周波数f1,f2で動作させたい場合に、その二つの共振周波数f1,f2の間に共振周波数が来るように放射素子(ホイップアンテナ)長を調整し、その放射素子の途中にLC並列共振回路を挿入し、前記共振周波数をf1とf2とに分裂させるものである。   The antenna disclosed in Patent Document 2 is a radiating element (whipped antenna) so that the resonance frequency comes between the two resonance frequencies f1 and f2 when operating at two separate resonance frequencies f1 and f2. The length is adjusted, an LC parallel resonance circuit is inserted in the middle of the radiating element, and the resonance frequency is divided into f1 and f2.

特開2008−113233号公報JP 2008-113233 A 実公平07−046969号公報No. 07-046969

特許文献1のアンテナは、単一の周波数帯に対して同調させる同調回路を付加するものであり、離れた2つの周波数帯域をカバーするものではない。また、並列共振回路の設計方法が明確には示されていない。   The antenna of Patent Document 1 adds a tuning circuit for tuning with respect to a single frequency band, and does not cover two separate frequency bands. Also, the design method of the parallel resonant circuit is not clearly shown.

特許文献2のアンテナは、集中定数回路を直接放射素子に挿入するため、組立工程が煩雑で、バラツキが発生しやすい。また、並列共振回路の設計方法が明確に示されていない。   In the antenna of Patent Document 2, since the lumped constant circuit is directly inserted into the radiating element, the assembling process is complicated and variations tend to occur. Moreover, the design method of a parallel resonant circuit is not clearly shown.

本発明の目的は、二つの周波数帯域を対象とする小型で高利得なアンテナを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a small and high-gain antenna for two frequency bands.

本発明は、放射素子と、当該放射素子と給電端との間に接続された整合回路とを備え、第1の周波数帯であるVHFハイバンド(207.5〜222MHz)と第2の周波数帯であるワンセグ放送周波数帯(470〜770MHz)の二つの周波数帯域を対象とするアンテナであって、
前記整合回路は、前記放射素子に直列接続された直列インダクタ(L2)と、このインダクタ(L2)に対して直列接続された、インダクタ(L1)とキャパシタ(C1)の並列共振回路と、を備え、
前記直列インダクタ(L2)のインダクタンスは、当該直列インダクタ(L2)と前記放射素子とによる共振周波数が、前記第1の周波数帯と前記第2の周波数帯との間の周波数(f0)になる値であり、
前記並列共振回路は、前記直列インダクタ(L2)と前記放射素子とによる共振点を前記並列共振回路の共振周波数(反共振点)を境にして二つに分裂させて、前記給電端から放射素子側を見た回路の共振周波数が、前記第1の周波数帯の中心周波数(f1)と第2の周波数帯の中心周波数(f2)とする回路であり、
前記並列共振回路の、前記第1の周波数帯の中心周波数(215MHz)でのリアクタンスの変化率dX/dfは2.5以下であり、且つ第2の周波数帯の低域端の周波数(470MHz)でのリアクタンス変化率dX/dfは1以下の範囲になるように、前記直列インダクタ(L2)のインダクタンスを選択したことを特徴としている。
The present invention includes a radiating element and a matching circuit connected between the radiating element and a feeding end, and includes a VHF high band (207.5 to 222 MHz) as a first frequency band and a second frequency band. An antenna for two frequency bands of a one-segment broadcasting frequency band (470 to 770 MHz),
The matching circuit includes a series inductor (L2) connected in series to the radiating element, and a parallel resonant circuit of an inductor (L1) and a capacitor (C1) connected in series to the inductor (L2). ,
The inductance of the series inductor (L2) is such that the resonance frequency of the series inductor (L2) and the radiating element is a frequency (f0) between the first frequency band and the second frequency band. And
The parallel resonant circuit divides a resonance point by the series inductor (L2) and the radiating element into two with a resonance frequency (antiresonance point) of the parallel resonant circuit as a boundary, and the radiating element from the feeding end A circuit having a resonance frequency of the circuit viewed from the side, the center frequency (f1) of the first frequency band and the center frequency (f2) of the second frequency band;
The reactance change rate dX / df at the center frequency (215 MHz) of the first frequency band of the parallel resonant circuit is 2.5 or less and the frequency at the lower end of the second frequency band (470 MHz) The inductance of the series inductor (L2) is selected so that the reactance change rate dX / df in FIG.

このことにより、一般的なワンセグ用の100〜120mm程度のモノポール放射素子(GND電極面積、約45×100mm)に対して、比帯域の大きく異なるISDB−Tmm(VHFハイバンド、207.5〜222MHz)、ワンセグ帯(UHF帯、470〜770MHz)のそれぞれの帯域について、整合回路の通過損失を抑えつつバランス良く同時に整合できる。   As a result, the ISDB-Tmm (VHF high band, 207.5- 222 MHz) and one-segment band (UHF band, 470 to 770 MHz) can be matched simultaneously in a balanced manner while suppressing the passage loss of the matching circuit.

前記放射素子は、例えば長さが100mm乃至120mmの範囲内の線状アンテナである。   The radiating element is, for example, a linear antenna having a length in a range of 100 mm to 120 mm.

前記放射素子は、先端に放射電極の折り返し部が形成されたものとすることができる。このことにより、直列インダクタL2値を低減でき、直列インダクタL2でのロスが低減でき、アンテナ効率が向上する。また、整合回路のバラツキが低減できる。   The radiating element may have a radiating electrode folded portion formed at a tip. As a result, the value of the series inductor L2 can be reduced, the loss in the series inductor L2 can be reduced, and the antenna efficiency is improved. In addition, variations in the matching circuit can be reduced.

前記放射素子が、伸縮可能な多段式放射素子であり、放射素子の1段目にヘリカル状の放射電極が形成された構造とすれば、直列インダクタL2のインダクタンス値を低減でき、直列インダクタL2でのロスが低減でき、アンテナ効率が向上する。また、整合回路のバラツキが低減できる。   If the radiating element is a multistage radiating element that can be expanded and contracted and a helical radiating electrode is formed in the first stage of the radiating element, the inductance value of the series inductor L2 can be reduced. Loss can be reduced, and antenna efficiency is improved. In addition, variations in the matching circuit can be reduced.

前記放射素子が、円筒状の樹脂基材の表面に放射電極が形成されたものであれば、アンテナ自体の製造が容易で、無線装置への組立も容易となる。   If the radiating element has a radiating electrode formed on the surface of a cylindrical resin base material, the antenna itself can be easily manufactured and assembled into a wireless device.

本発明によれば、第1の使用周波数で共振させるのに必要なλ/4長よりも短い放射素子を用いながらも第1の周波数帯と第2の周波数帯の両帯域について同時に整合でき、且つ整合回路の通過損失を抑えることができる。そのため、小型で高利得なアンテナが構成できる。   According to the present invention, it is possible to simultaneously match both the first frequency band and the second frequency band while using a radiating element shorter than the λ / 4 length necessary for resonating at the first use frequency, In addition, the passage loss of the matching circuit can be suppressed. Therefore, a small and high gain antenna can be configured.

特許文献1のアンテナの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the antenna of patent document 1. FIG. 第1の実施形態に係るアンテナ101のブロック図である。1 is a block diagram of an antenna 101 according to a first embodiment. 図3(A)は、図2に示した放射素子RE単体で実測した反射係数(S11)の周波数特性を示す図である。図3(B)は、図2に示した放射素子REに対して直列インダクタL2を接続した状態での反射係数(S11)の周波数特性図である。図3(C)は、放射素子REに、第1の周波数帯の帯域端(207.5MHzと222MHz)で均等な整合がとれるに要するインダクタンスを計算により求めた反射係数(S11)の周波数特性図である。図3(D)は、放射素子に、第2の周波数帯の帯域端(470MHzと770MHz)で均等な整合がとれるに要するコンデンサを計算により求めた反射係数(S11)の周波数特性図である。図3(E)は、第1の周波数帯の中心周波数(214.75MHz)でインダクタL0のインダクタンスとなり、且つ第2の周波数帯の低域端の周波数(470MHz)でキャパシタC0のキャパシタンスとなるような、インダクタL1のインダクタンス及びキャパシタC1のキャパシタンスを決定し、その状態での図2に示したアンテナ101の反射係数(S11)の周波数特性図である。FIG. 3A is a diagram illustrating the frequency characteristics of the reflection coefficient (S11) measured with the radiation element RE alone shown in FIG. FIG. 3B is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) in a state where the series inductor L2 is connected to the radiating element RE illustrated in FIG. FIG. 3C is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) obtained by calculating the inductance required for the radiation element RE to be evenly matched at the band ends (207.5 MHz and 222 MHz) of the first frequency band. It is. FIG. 3D is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) obtained by calculation of a capacitor required for the radiation element to be evenly matched at the band ends (470 MHz and 770 MHz) of the second frequency band. FIG. 3E shows the inductance of the inductor L0 at the center frequency (214.75 MHz) of the first frequency band, and the capacitance of the capacitor C0 at the lower frequency (470 MHz) of the second frequency band. 3 is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) of the antenna 101 shown in FIG. 2 in which the inductance of the inductor L1 and the capacitance of the capacitor C1 are determined. インダクタL1及びキャパシタC1による並列共振回路のリアクタンスXとその変化率dX/dfを示す図である。It is a figure which shows the reactance X of the parallel resonant circuit by the inductor L1 and the capacitor C1, and its change rate dX / df. 図5(A)は、アンテナの反射係数(S11)の周波数特性図、図5(B)は、アンテナへの順方向伝送係数(S21)の周波数特性図である。5A is a frequency characteristic diagram of an antenna reflection coefficient (S11), and FIG. 5B is a frequency characteristic diagram of a forward transmission coefficient (S21) to the antenna. リアクタンス変化率dX/dfに対する帯域内損失平均値の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship of the loss average value in a band with the reactance change rate dX / df. 並列共振回路のインダクタL1とキャパシタC1の組み合わせによるリアクタンスの周波数特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency characteristic of the reactance by the combination of the inductor L1 and capacitor C1 of a parallel resonant circuit. 図8(A)はそれぞれ異なる3つのホイップアンテナを用いたときのアンテナの反射係数(S11)の周波数特性図、図8(B)はそのアンテナの順方向伝送係数(S21)の周波数特性図である。8A is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) of the antenna when three different whip antennas are used, and FIG. 8B is a frequency characteristic diagram of the forward transmission coefficient (S21) of the antenna. is there. 第3の実施形態に係るアンテナで用いる放射素子(ホイップアンテナ)の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the radiation element (whipped antenna) used with the antenna which concerns on 3rd Embodiment. 折り返しの有無による、アンテナの反射係数(S11)の周波数特性図である。It is a frequency characteristic figure of the reflection coefficient (S11) of an antenna by the presence or absence of return. 図11(A)はアンテナ効率の周波数特性図、図11(B)は図11(A)の207〜222MHz部分の拡大図である。11A is a frequency characteristic diagram of antenna efficiency, and FIG. 11B is an enlarged view of a portion 207 to 222 MHz in FIG. 11A. 第4の実施形態に係るアンテナに用いる放射素子の平面図である。It is a top view of a radiation element used for an antenna concerning a 4th embodiment. 第5の実施形態に係るアンテナに用いる放射素子の平面図である。It is a top view of a radiation element used for an antenna concerning a 5th embodiment.

《第1の実施形態》
第1の実施形態に係るアンテナについて、図2〜図7を参照して説明する。
図2は第1の実施形態に係るアンテナ101のブロック図である。このアンテナ101は、放射素子RE、直列インダクタL2、インダクタL1及びキャパシタC1を備えている。直列インダクタL2は放射素子REに直列接続されている。インダクタL1とキャパシタC1は並列共振回路を構成し、この並列共振回路が直列インダクタL2と給電端FPとの間に直列に挿入されている。
<< First Embodiment >>
The antenna according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 2 is a block diagram of the antenna 101 according to the first embodiment. The antenna 101 includes a radiating element RE, a series inductor L2, an inductor L1, and a capacitor C1. The series inductor L2 is connected in series with the radiating element RE. The inductor L1 and the capacitor C1 constitute a parallel resonance circuit, and this parallel resonance circuit is inserted in series between the series inductor L2 and the power supply end FP.

前記直列インダクタL2のインダクタンスは、この直列インダクタL2と放射素子REとによる共振周波数が、第1の周波数帯と第2の周波数帯との間の周波数f0になる値である。   The inductance of the series inductor L2 is a value at which the resonance frequency of the series inductor L2 and the radiating element RE becomes a frequency f0 between the first frequency band and the second frequency band.

前記並列共振回路は、直列インダクタL2と放射素子REとによる共振点を、並列共振回路の共振周波数(反共振点)を境にして、給電端FPから放射素子RE側を見た回路の共振周波数f0を、第1の周波数帯の中心周波数f1と第2の周波数帯の中心周波数f2とに分裂させる回路である。   The parallel resonant circuit has a resonance point of the circuit when the radiating element RE side is viewed from the feeding end FP, with a resonance point of the series inductor L2 and the radiating element RE as a boundary from a resonance frequency (antiresonance point) of the parallel resonance circuit. This circuit divides f0 into a center frequency f1 in the first frequency band and a center frequency f2 in the second frequency band.

なお、直列インダクタL2は放射素子REに対して電気的に直列接続されていればよく、また、インダクタL1とキャパシタC1との並列共振回路はインダクタL2に対して直列接続されていればよいので、インダクタL1とキャパシタC1との並列共振回路が放射素子RE側に接続され、直列インダクタL2が給電端FP側に接続されていてもよい。すなわち、並列共振回路と直列インダクタL2の順は逆であってもよい。   Note that the series inductor L2 only needs to be electrically connected in series to the radiating element RE, and the parallel resonant circuit of the inductor L1 and the capacitor C1 only needs to be connected in series to the inductor L2. A parallel resonance circuit of the inductor L1 and the capacitor C1 may be connected to the radiating element RE side, and the series inductor L2 may be connected to the power supply end FP side. That is, the order of the parallel resonant circuit and the series inductor L2 may be reversed.

直列インダクタL2及び前記並列共振回路の設計は、次に述べる順序で行う。
(1)放射素子REに、第1の周波数帯の帯域端(207.5MHzと222MHz)で均等な整合がとれるに要する、直列インダクタL2に対して直列に追加すべきインダクタL0のインダクタンスを求める。
The series inductor L2 and the parallel resonant circuit are designed in the following order.
(1) The inductance of the inductor L0 to be added in series with respect to the series inductor L2, which is required for the radiation element RE to be evenly matched at the band ends (207.5 MHz and 222 MHz) of the first frequency band, is obtained.

ここで、「均等な整合」とは、暗室での測定誤差程度であり、通常、入力電力で±5%以内である。   Here, “equal matching” is about the measurement error in the dark room and is usually within ± 5% of the input power.

(2)放射素子REに、第2の周波数帯の帯域端(470MHzと770MHz)で均等な整合がとれるに要する、直列インダクタL2に対して直列に追加すべきキャパシタC0のキャパシタンスを求める。 (2) The capacitance of the capacitor C0 to be added in series with respect to the series inductor L2, which is required for the radiation element RE to be evenly matched at the band ends (470 MHz and 770 MHz) of the second frequency band, is obtained.

(3)第1の周波数帯の中心周波数(214.75MHz)で前記インダクタL0のインダクタンスとなり、且つ第2の周波数帯の低域端の周波数(470MHz)でキャパシタC0のキャパシタンスとなるような、インダクタL1のインダクタンス及びキャパシタC1キャパシタンスを、後に示す式3,式4から決定する。 (3) An inductor that becomes the inductance of the inductor L0 at the center frequency (214.75 MHz) of the first frequency band and the capacitance of the capacitor C0 at the lower frequency (470 MHz) of the second frequency band. The inductance of L1 and the capacitance of capacitor C1 are determined from equations 3 and 4 shown later.

但し、第1の周波数帯の中心周波数(214.75MHz)での、並列共振回路のリアクタンスの変化率dX/dfが2.5以下であり、且つ第2の周波数帯の低域端周波数(470MHz)でのリアクタンス変化率dX/dfが1以下となるように、直列インダクタL2のインダクタンスを選択する。   However, the reactance change rate dX / df of the parallel resonant circuit at the center frequency (214.75 MHz) of the first frequency band is 2.5 or less, and the low frequency end frequency (470 MHz) of the second frequency band. The inductance of the series inductor L2 is selected so that the reactance change rate dX / df at 1) is 1 or less.

以上の手順で直列インダクタL2及び並列共振回路の設計を行う。   The series inductor L2 and the parallel resonant circuit are designed by the above procedure.

次に、インダクタL1、キャパシタC1による並列共振回路と直列インダクタL2の作用とそれぞれの値の決定方法について、図3を参照して具体的に示す。
図3(A)は、図2に示した放射素子RE単体で実測した反射係数(S11)の周波数特性を示す図である。ここで放射素子REはいわゆる多段式アンテナであり、最も伸張した120mmの状態である。この放射素子REでは、第1の周波数帯と第2の周波数帯の間の周波数である480MHz付近でリターンロスのディップが生じている。
Next, the action of the parallel resonant circuit and the series inductor L2 by the inductor L1 and the capacitor C1 and the method of determining the respective values will be specifically described with reference to FIG.
FIG. 3A is a diagram illustrating the frequency characteristics of the reflection coefficient (S11) measured with the radiation element RE alone shown in FIG. Here, the radiating element RE is a so-called multistage antenna, which is in the most extended state of 120 mm. In this radiating element RE, a return loss dip occurs in the vicinity of 480 MHz, which is a frequency between the first frequency band and the second frequency band.

図3(B)は、図2に示した放射素子REに対して直列インダクタL2を接続した状態での反射係数(S11)の周波数特性図である。曲線Cは計算結果、曲線Mは実測値である。直列インダクタL2と放射素子REとによる共振周波数が、第1の周波数帯と第2の周波数帯との間の周波数f0(約350MHz)になるように直列インダクタL2のインダクタンス値を求める。ここで、直列インダクタL2のインダクタンスは39nHである。この直列インダクタL2の作用により、前記周波数f0を中心としてリターンロスが生じる。   FIG. 3B is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) in a state where the series inductor L2 is connected to the radiating element RE illustrated in FIG. Curve C is a calculation result, and curve M is an actual measurement value. The inductance value of the series inductor L2 is obtained so that the resonance frequency by the series inductor L2 and the radiating element RE becomes a frequency f0 (about 350 MHz) between the first frequency band and the second frequency band. Here, the inductance of the series inductor L2 is 39 nH. Due to the action of the series inductor L2, a return loss occurs around the frequency f0.

図3(C)は、放射素子REに、第1の周波数帯の帯域端(207.5MHzと222MHz)で均等な整合がとれるに要するインダクタンスを計算により求めた反射係数(S11)の周波数特性図である。具体的には、直列インダクタL2に対してさらに直列に追加すべきインダクタL0のインダクタンスを求める。ここではL2のインダクタンスは39nH、L0のインダクタンスは82nHである。この状態で、207.5MHzと222MHzで均等なリターンロスが生じている。   FIG. 3C is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) obtained by calculating the inductance required for the radiation element RE to be evenly matched at the band ends (207.5 MHz and 222 MHz) of the first frequency band. It is. Specifically, the inductance of the inductor L0 to be added in series with respect to the series inductor L2 is obtained. Here, the inductance of L2 is 39 nH, and the inductance of L0 is 82 nH. In this state, an equal return loss occurs at 207.5 MHz and 222 MHz.

図3(D)は、放射素子REに、第2の周波数帯の帯域端(470MHzと770MHz)で均等な整合がとれるに要するキャパシタンスを計算により求めた反射係数(S11)の周波数特性図である。具体的には、直列インダクタL2に対して直列に追加すべきキャパシタC0のキャパシタンスを求める。ここではL2のインダクタンスは39nH、C0のキャパシタンスは3pFである。この状態で、470MHzと770MHzで均等なリターンロスが生じている。   FIG. 3D is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) obtained by calculation of the capacitance required for the radiation element RE to be evenly matched at the band ends (470 MHz and 770 MHz) of the second frequency band. . Specifically, the capacitance of the capacitor C0 to be added in series with the series inductor L2 is obtained. Here, the inductance of L2 is 39 nH, and the capacitance of C0 is 3 pF. In this state, an equal return loss occurs at 470 MHz and 770 MHz.

図3(E)は、第1の周波数帯の中心周波数(214.75MHz)で前記インダクタL0のインダクタンスとなり、且つ第2の周波数帯の低域端の周波数(470MHz)でキャパシタC0のキャパシタンスとなるような、インダクタL1のインダクタンス及びキャパシタC1のキャパシタンスを決定し、その状態での図2に示したアンテナ101の反射係数(S11)の周波数特性図である。曲線Cは計算結果、曲線Mは実測値である。   FIG. 3E shows the inductance of the inductor L0 at the center frequency (214.75 MHz) of the first frequency band, and the capacitance of the capacitor C0 at the lower frequency (470 MHz) of the second frequency band. FIG. 3 is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) of the antenna 101 shown in FIG. 2 in which the inductance of the inductor L1 and the capacitance of the capacitor C1 are determined. Curve C is a calculation result, and curve M is an actual measurement value.

以上の手順で直列インダクタL2のインダクタンス、並列共振回路のインダクタL1のインダクタンス、キャパシタC1のキャパシタンスをそれぞれ求めることによって、並列共振回路の作用で共振が二つに分裂された結果生じる二つのリターンロスのディップが、第1の周波数帯と第2の周波数帯にそれぞれ現れることになる。   By calculating the inductance of the series inductor L2, the inductance of the inductor L1 of the parallel resonant circuit, and the capacitance of the capacitor C1 by the above procedure, the two return losses resulting from the splitting of the resonance into two by the action of the parallel resonant circuit are obtained. A dip appears in each of the first frequency band and the second frequency band.

次に、前記並列共振回路のリアクタンスとその変化率について示す。
図4は前記インダクタL1及びキャパシタC1による並列共振回路のリアクタンスXとその変化率dX/dfを示す図である。ここで横軸は周波数、縦軸はリアクタンス及びその変化率である。
Next, the reactance of the parallel resonant circuit and the rate of change thereof will be described.
FIG. 4 is a diagram showing the reactance X of the parallel resonant circuit including the inductor L1 and the capacitor C1 and the rate of change dX / df. Here, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents reactance and its rate of change.

リアクタンスX(ω)は次式で表される。   The reactance X (ω) is expressed by the following equation.

ここでωは角周波数、すなわちω=2πfである。   Here, ω is an angular frequency, that is, ω = 2πf.

また、リアクタンスの変化率dX(ω)/dωは次式で表される。   The reactance change rate dX (ω) / dω is expressed by the following equation.

また、第1の周波数帯の中心周波数(214.75MHz)で前記インダクタL0のインダクタンスとなり、且つ第2の周波数帯の低域端の周波数(470MHz)でキャパシタC0のキャパシタンスとなるような、インダクタL1のインダクタンス及びキャパシタC1のキャパシタンスは、次式で表される。   Further, the inductor L1 has an inductance of the inductor L0 at the center frequency (214.75 MHz) of the first frequency band and a capacitance of the capacitor C0 at the lower frequency (470 MHz) of the second frequency band. And the capacitance of the capacitor C1 are expressed by the following equations.

ここでω1は並列共振回路で実現したいインダクタンスを満たす周波数f1に2πを掛けた値2πf1、ω2は並列共振回路の反共振周波数f2に2πを掛けた値2πf2、である。   Here, ω1 is a value 2πf1 obtained by multiplying the frequency f1 satisfying the inductance desired to be realized by the parallel resonance circuit by 2π, and ω2 is a value 2πf2 obtained by multiplying the antiresonance frequency f2 of the parallel resonance circuit by 2π.

次に、直列インダクタL2、並列共振回路のインダクタL1及びキャパシタC1の値を変化させたときの、アンテナの反射係数(S11)と順方向伝送係数(S21)について、図5を参照して説明する。
図5(A)は、アンテナの反射係数(S11)の周波数特性図、図5(B)はアンテナの順方向伝送係数(S21)の周波数特性図である。ここで、アンテナの順方向伝送係数(S21)は、アンテナの効率を100%とし、整合回路での損失について求めている。各特性曲線[1],[2],[3]の条件は次のとおりである。
Next, the antenna reflection coefficient (S11) and forward transmission coefficient (S21) when the values of the series inductor L2, the inductor L1 of the parallel resonant circuit, and the capacitor C1 are changed will be described with reference to FIG. .
5A is a frequency characteristic diagram of the antenna reflection coefficient (S11), and FIG. 5B is a frequency characteristic diagram of the antenna forward transmission coefficient (S21). Here, the forward transmission coefficient (S21) of the antenna is obtained for the loss in the matching circuit with the efficiency of the antenna as 100%. The conditions of each characteristic curve [1], [2], [3] are as follows.

これらは何れも上記設計手順(1)〜(3)の条件を満足している。   All of these satisfy the conditions of the design procedures (1) to (3).

[1]の条件は、第1の周波数帯の中心周波数(214.75MHz)での、並列共振回路のリアクタンスの変化率dX/dfが2.5以下であり、且つ第2の周波数帯の低域端周波数(470MHz)でのリアクタンス変化率dX/dfは1以下である。図5(A)、図5(B)及び表1から明らかなように、[1]の条件であると、第1の周波数帯と第2の周波数帯の両帯域についてバランス良く整合でき、且つ整合回路の通過損失を抑えることができる。一方、[2],[3]は、214.75MHzでの並列共振回路のリアクタンスの変化率dX/dfが2.50以下、470MHzでの変化率dX/df=1以下の条件が同時に満たせていないため、S21,S11共にバランスが悪くなっている。   The condition [1] is that the rate of change dX / df of reactance of the parallel resonant circuit at the center frequency (214.75 MHz) of the first frequency band is 2.5 or less and the low frequency of the second frequency band is low. The reactance change rate dX / df at the band edge frequency (470 MHz) is 1 or less. As is clear from FIGS. 5A and 5B and Table 1, when the condition [1] is satisfied, both the first frequency band and the second frequency band can be matched with good balance, and The passage loss of the matching circuit can be suppressed. On the other hand, in [2] and [3], the reactance change rate dX / df of 214.75 MHz is 2.50 or less, and the condition of change rate dX / df = 1 or less at 470 MHz is simultaneously satisfied. Therefore, both S21 and S11 are in poor balance.

一般的に並列共振回路は、その反共振点に近づくほどQ値が劣化し、損失が大きくなるが、上記の条件を満たす並列共振回路のリアクタンス(インダクタL1のインピーダンス及びキャパシタC1のキャパシタンス)を選択することで、反共振点の上下に位置するISDB−Tmm帯、ワンセグ帯における反共振点周波数でのロスを最小限に抑えつつ、両帯域の整合をとることができる。   In general, the Q value of the parallel resonant circuit degrades and the loss increases as it approaches the antiresonance point, but the reactance of the parallel resonant circuit that satisfies the above conditions (the impedance of the inductor L1 and the capacitance of the capacitor C1) is selected. By doing so, it is possible to match both bands while minimizing the loss at the anti-resonance point frequency in the ISDB-Tmm band and the one-segment band located above and below the anti-resonance point.

なお、ワンセグ帯での並列共振回路のリアクタンスは、470MHzでの変化率が最も急峻であり、それ以上の周波数では低インピーダンス(ショート)に近づくので、第2の周波数帯の「中心周波数」ではなく、上述のとおり、「低域端」である470MHzでのキャパシタンスを考慮すればよい。   The reactance of the parallel resonant circuit in the one-seg band has the steepest rate of change at 470 MHz and approaches a low impedance (short) at higher frequencies, so it is not the “center frequency” of the second frequency band. As described above, the capacitance at 470 MHz, which is the “low end”, may be considered.

図6は、リアクタンス変化率dX/dfに対する帯域内損失平均値の関係を示す図である。ここで、近似直線LBは第1の周波数帯(207〜222MHz)での特性、近似直線HBは第2の周波数帯(ワンセグ帯で最も整合回路損失が大きい区間である470〜500MHz)での特性である。なお、整合回路の損失は反射電力による損失分を補正して算出している。   FIG. 6 is a diagram showing the relationship of the in-band loss average value to the reactance change rate dX / df. Here, the approximate line LB is a characteristic in the first frequency band (207 to 222 MHz), and the approximate line HB is a characteristic in the second frequency band (470 to 500 MHz, which is the section with the largest matching circuit loss in the one-segment band). It is. The loss of the matching circuit is calculated by correcting the loss due to the reflected power.

また図7は、並列共振回路のインダクタL1とキャパシタC1の組み合わせによるリアクタンスの周波数特性を示す図である。   FIG. 7 is a diagram showing frequency characteristics of reactance by the combination of the inductor L1 and the capacitor C1 of the parallel resonant circuit.

例えばL2=56nH、L1=51nH、C1=4pFなら、214.75MHzでの並列共振回路のリアクタンスの変化率は約1.1で、207〜222MHzでの平均損失は約2.0dBであり、470MHzでの変化率は約1.5で、470〜500MHzでの平均損失は約1.0dBである。すなわち、両バンドについての整合にバランスがとれている。   For example, if L2 = 56 nH, L1 = 51 nH, and C1 = 4 pF, the rate of change of reactance of the parallel resonant circuit at 214.75 MHz is about 1.1, the average loss from 207 to 222 MHz is about 2.0 dB, and 470 MHz The rate of change at about 1.5 is about 1.5, and the average loss at 470 to 500 MHz is about 1.0 dB. That is, the matching for both bands is balanced.

また、L2=27nH、L1=33nH、C1=13pFなら、214.75MHzでの並列共振回路のリアクタンスの変化率は約7.7で、207〜222MHzでの平均損失は約3.8dBであり、470MHzでの変化率は約0.1で、470〜500MHzでの平均損失は約0.5dBである。すなわち、207〜222MHzでの損失がやや大きい。   If L2 = 27 nH, L1 = 33 nH, and C1 = 13 pF, the change rate of reactance of the parallel resonant circuit at 214.75 MHz is about 7.7, and the average loss at 207 to 222 MHz is about 3.8 dB. The rate of change at 470 MHz is about 0.1, and the average loss at 470 to 500 MHz is about 0.5 dB. That is, the loss at 207 to 222 MHz is slightly large.

このように、215MHzと470MHzでのリアクタンスの変化率dX/dfと損失とはトレード・オフの関係にあることが分かる。   Thus, it can be seen that the reactance change rate dX / df and loss at 215 MHz and 470 MHz are in a trade-off relationship.

このように、アンテナ長120mmでの207〜222MHz間、及び470〜500MHz間(ワンセグ帯で最も整合回路損失が大きい区間)の整合回路による帯域内損失平均値は、リアクタンスの変化率dX/dfが214.75MHzで4.7以下、470MHzで3.7以下であれば、平均損失はそれぞれ−3dB以内に収まる。   As described above, the average loss in the band by the matching circuit between 207 to 222 MHz at the antenna length of 120 mm and between 470 to 500 MHz (the section with the largest matching circuit loss in the one-segment band) is expressed by the reactance change rate dX / df. If it is 4.7 or less at 214.75 MHz and 3.7 or less at 470 MHz, the average loss is within -3 dB.

図6において、横軸をx、縦軸をyで表すと、直線LBは、
y=−0.273x −1.71
直線HBは、
y=−0.689x −0.433
でそれぞれ表される。
In FIG. 6, when the horizontal axis is represented by x and the vertical axis is represented by y, the straight line LB is
y = −0.273x−1.71
The straight line HB is
y = −0.689x−0.433
Respectively.

《第2の実施形態》
第2の実施形態ではホイップアンテナの長さを変化させたときの特性変化について示す。
図8(A)はそれぞれ異なる3つのホイップアンテナを用いたときのアンテナの反射係数(S11)の周波数特性図、図8(B)はそのアンテナの順方向伝送係数(S21)の周波数特性図である。
<< Second Embodiment >>
In the second embodiment, characteristic changes when the length of the whip antenna is changed will be described.
8A is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) of the antenna when three different whip antennas are used, and FIG. 8B is a frequency characteristic diagram of the forward transmission coefficient (S21) of the antenna. is there.

各特性曲線[1][2][3]の条件は次のとおりである。
これらは何れも上記設計手順(1)〜(3)の条件を満足している。
The conditions of each characteristic curve [1] [2] [3] are as follows.
All of these satisfy the conditions of the design procedures (1) to (3).

また、上記3つのアンテナについて整合回路の各帯域内損失平均値は次のとおりである。   In addition, the average loss value in each band of the matching circuit for the three antennas is as follows.

この結果から明らかなように、ワンセグチューナー用アンテナの平均的な長さである100〜120mmのホイップアンテナであれば、並列共振回路のリアクタンス変化率が、少なくとも214.75MHzで2.5以下、470MHzで1以下の範囲であれば、整合回路の通過損失が3dB以内に十分に収まっている。ここで「3dB」はあくまで目安である。リアクタンスの変化率dX/dfと損失とはトレード・オフの関係にあるので、3dBという数字に大意はない。   As is apparent from this result, if the whip antenna has an average length of one-segment tuner antenna of 100 to 120 mm, the reactance change rate of the parallel resonant circuit is at least 214.75 MHz and 2.5 or less, 470 MHz. In the range of 1 or less, the passing loss of the matching circuit is well within 3 dB. Here, “3 dB” is a guide only. Since the reactance change rate dX / df and the loss are in a trade-off relationship, the number of 3 dB is not significant.

上述の第2の実施形態で示した結果と、第1の実施形態で図6に示した、変化率に対する帯域内損失平均値の関係とを合わせて、設計範囲と定義する。   The design range is defined by combining the result shown in the second embodiment and the relationship between the average loss value in the band and the change rate shown in FIG. 6 in the first embodiment.

すなわち、並列共振回路の第1の周波数帯の中心周波数(215MHz)でのリアクタンスの変化率dX/dfが2.5以下、且つ第2の周波数帯の低域端の周波数(470MHz)でのリアクタンス変化率dX/dfが1以下の範囲になるように、直列インダクタL2のインダクタンスを選択すればよい。   That is, the reactance change rate dX / df at the center frequency (215 MHz) of the first frequency band of the parallel resonant circuit is 2.5 or less and the reactance at the lower frequency (470 MHz) of the second frequency band. The inductance of the series inductor L2 may be selected so that the rate of change dX / df is in a range of 1 or less.

なお、整合回路に用いるインダクタL1,L2は巻線タイプのインダクタであってもよいし、積層タイプのインダクタであってもよい。損失の絶対値が異なるだけであり、考え方は同じである。   The inductors L1 and L2 used in the matching circuit may be winding type inductors or multilayer type inductors. The only difference is the absolute value of the loss, and the idea is the same.

《第3の実施形態》
第3の実施形態では、放射素子(ホイップアンテナ)の折り返しの効果について示す。
図9は、第3の実施形態に係るアンテナで用いる放射素子(ホイップアンテナ)の形状を示す図である。この放射素子REは先端の折り返し部TEで所定長だけ折り返している。
<< Third Embodiment >>
In 3rd Embodiment, it shows about the effect of folding of a radiation element (whipped antenna).
FIG. 9 is a diagram illustrating the shape of a radiating element (whipped antenna) used in the antenna according to the third embodiment. The radiating element RE is folded back by a predetermined length at the folded portion TE at the tip.

この折り返しの有無によって、必要となる直列インダクタL2のインダクタンス値は異なる。折り返し無しの場合、第1・第2の実施形態で示したとおり、L2のインダクタンスは33nHである。折り返しを設けると、インダクタンス成分が増大することに伴い、直列インダクタL2のインダクタンス値は24nHとなる。   The required inductance value of the series inductor L2 varies depending on the presence or absence of the folding. In the case of no folding, as shown in the first and second embodiments, the inductance of L2 is 33 nH. When folding is provided, the inductance value of the series inductor L2 becomes 24 nH as the inductance component increases.

図10は、折り返しの有無による、アンテナの反射係数(S11)の周波数特性図である。図11(A)はアンテナ効率の周波数特性図、図11(B)は図11(A)の207〜222MHz部分の拡大図である。図中、特性曲線[1]は折り返し無しの特性、特性曲線[2]は折り返し有りの特性、をそれぞれ示している。   FIG. 10 is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient (S11) of the antenna depending on the presence or absence of folding. 11A is a frequency characteristic diagram of antenna efficiency, and FIG. 11B is an enlarged view of a portion 207 to 222 MHz in FIG. 11A. In the figure, a characteristic curve [1] indicates a characteristic without folding and a characteristic curve [2] indicates a characteristic with folding.

これらの特性から明らかなように、放射素子の先端部を折り返すことによって、直列インダクタL2のインダクタンス値を低減でき、直列インダクタL2による損失が低減できる。また、直列インダクタL2のインダクタンス値が小さくなる分、直列インダクタL2のインダクタンス値のバラツキによる特性のばらつきが低減される。   As is apparent from these characteristics, by folding back the tip of the radiating element, the inductance value of the series inductor L2 can be reduced, and the loss due to the series inductor L2 can be reduced. Further, as the inductance value of the series inductor L2 becomes smaller, the variation in characteristics due to the variation in the inductance value of the series inductor L2 is reduced.

《第4の実施形態》
図12は、第4の実施形態に係るアンテナに用いる放射素子の平面図である。この放射素子は2段の引き伸ばし可能な構造を備える。根元側は金属棒51、先端側は円筒状の樹脂成形体であり、この樹脂成形体に沿って折り返し形状の放射電極521が形成されている。放射電極521の一方端521Cは金属棒51に導通し、他方は開放端521Tとなっている
このように二段の引き伸ばし型であっても折り返し部を備えることができ、そのことによって、第3の実施形態で述べたと同様の効果を奏する。しかも、円筒状の樹脂基材の表面に放射電極が形成されたものであれば、アンテナ自体の製造が容易で、無線装置への組立が容易となる。
<< Fourth Embodiment >>
FIG. 12 is a plan view of a radiating element used for the antenna according to the fourth embodiment. The radiating element has a two-stage stretchable structure. The base side is a metal rod 51 and the tip side is a cylindrical resin molded body, and a radiating electrode 521 having a folded shape is formed along the resin molded body. One end 521C of the radiation electrode 521 is electrically connected to the metal rod 51, and the other is an open end 521T. Thus, even if it is a two-stage stretch type, it can be provided with a folded portion. The same effects as described in the embodiment are obtained. In addition, if the radiation electrode is formed on the surface of the cylindrical resin base material, the antenna itself can be easily manufactured and assembled into a wireless device.

《第5の実施形態》
図13は、第5の実施形態に係るアンテナに用いる放射素子の平面図である。根元側は樹脂成形体61にヘリカル状の放射電極611が形成されている。先端側は金属棒62であり、ヘリカル状の放射電極611の端部と導通している。
<< Fifth Embodiment >>
FIG. 13 is a plan view of a radiating element used for the antenna according to the fifth embodiment. On the base side, a helical radiation electrode 611 is formed on a resin molded body 61. The tip side is a metal rod 62 and is electrically connected to the end of the helical radiation electrode 611.

このように、根元部にヘリカル状の放射電極が形成された構造とすれば、直列インダクタL2のインダクタンス値を低減でき、直列インダクタL2でのロスが低減でき、アンテナ効率が向上する。また、整合回路のバラツキが低減できる。   Thus, if it is set as the structure where the helical radiation electrode was formed in the root part, the inductance value of the series inductor L2 can be reduced, the loss in the series inductor L2 can be reduced, and antenna efficiency improves. In addition, variations in the matching circuit can be reduced.

また、このように、円筒状の樹脂基材の表面に放射電極を形成されたものであれば、アンテナ自体の製造が容易で、無線装置への組立が容易となる。
なお、放射電極はインサート成形によって樹脂成形体内に設けてもよい。
In addition, if the radiation electrode is formed on the surface of the cylindrical resin base in this way, the antenna itself can be easily manufactured and assembled into a wireless device.
The radiation electrode may be provided in the resin molded body by insert molding.

L1…インダクタ
L2…直列インダクタ
RE…放射素子
51…金属棒
62…金属棒
61…樹脂成形体
101…アンテナ
521…放射電極
521C…一方端
521T…開放端
611…放射電極
L1 ... inductor L2 ... series inductor RE ... radiation element 51 ... metal rod 62 ... metal rod 61 ... resin molded body 101 ... antenna 521 ... radiation electrode 521C ... one end 521T ... open end 611 ... radiation electrode

Claims (5)

放射素子と、当該放射素子と給電端との間に接続された整合回路とを備え、第1の周波数帯であるVHFハイバンドと第2の周波数帯であるワンセグ放送周波数帯の二つの周波数帯域を対象とするアンテナであって、
前記整合回路は、前記放射素子に電気的に直列接続された直列インダクタと、このインダクタに対して直列接続された、インダクタとキャパシタの並列共振回路と、を備え、
前記直列インダクタのインダクタンスは、当該直列インダクタと前記放射素子とによる共振周波数が、前記第1の周波数帯と前記第2の周波数帯との間の周波数になる値であり、
前記並列共振回路は、前記直列インダクタと前記放射素子とによる共振点を前記並列共振回路の共振周波数を境にして二つに分裂させて、前記給電端から放射素子側を見た回路の共振周波数が、前記第1の周波数帯の略中心周波数と前記第2の周波数帯の略中心周波数とする回路であり、
前記並列共振回路の、前記第1の周波数帯の中心周波数でのリアクタンスの変化率dX/dfは2.5以下であり、且つ、第2の周波数帯の低域帯の周波数でのリアクタンスの変化率dX/dfは1以下の範囲になるように、前記直列のインダクタのインダクタンスを選択してなる、アンテナ。
Two frequency bands including a radiating element and a matching circuit connected between the radiating element and the feeding end, a VHF high band as a first frequency band and a one-segment broadcasting frequency band as a second frequency band An antenna for which
The matching circuit includes a series inductor electrically connected in series to the radiating element, and a parallel resonant circuit of an inductor and a capacitor connected in series to the inductor,
The inductance of the series inductor is a value at which the resonance frequency by the series inductor and the radiating element is a frequency between the first frequency band and the second frequency band,
The parallel resonance circuit divides a resonance point by the series inductor and the radiating element into two with a resonance frequency of the parallel resonance circuit as a boundary, and a resonance frequency of a circuit when the radiating element side is viewed from the feeding end. Is a circuit having a substantially center frequency of the first frequency band and a substantially center frequency of the second frequency band,
The reactance change rate dX / df at the center frequency of the first frequency band of the parallel resonant circuit is 2.5 or less, and the reactance change at a low frequency in the second frequency band An antenna obtained by selecting an inductance of the series inductor so that a rate dX / df is in a range of 1 or less.
前記放射素子は、長さが100mm乃至120mmの範囲内の線状アンテナである、請求項1に記載のアンテナ。   The antenna according to claim 1, wherein the radiating element is a linear antenna having a length in a range of 100 mm to 120 mm. 前記放射素子は、先端に放射電極の折り返し部が形成された、請求項1又は2に記載のアンテナ。   The antenna according to claim 1, wherein the radiating element has a folded portion of a radiating electrode formed at a tip. 前記放射素子は、伸縮可能な多段式放射素子であり、放射素子の1段目にヘリカル状の放射電極が形成された、請求項1乃至3の何れかに記載のアンテナ。   The antenna according to any one of claims 1 to 3, wherein the radiating element is an expandable / contractible multistage radiating element, and a helical radiating electrode is formed on a first stage of the radiating element. 前記放射素子は、円筒状の樹脂基材の表面に放射電極が形成された、請求項1乃至4の何れかに記載のアンテナ。   The antenna according to any one of claims 1 to 4, wherein the radiation element has a radiation electrode formed on a surface of a cylindrical resin base material.
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