JP2011169639A - Terahertz spectroscopic device, method for manufacturing the same, and terahertz spectrometer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To well measure the terahertz transmission spectrum of a substance highly absorbent for terahertz waves, without using an extremely thin liquid cell, a prism optical system, a silicon rod, and the like. <P>SOLUTION: The terahertz spectroscopic device is equipped with the gap part formed in a substrate 30 and an air clad type wave guide 34 circumferentially surrounded by the gap part so as to propagate terahertz waves between an input terminal 35 and an output terminal 33 in the substrate 30. A housing part (first and second housing parts 31A and 31B) for housing a measuring target is formed to a region, which contains a region through which the terahertz waves propagating through the waveguide 34 propagate as evanescent waves, in the periphery of the waveguide 34. Further, the gap part forming the air clad type waveguide 34 also has the function as the housing part. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、テラヘルツ波を用いた液体試料のスペクトル分析を行うのに好適なテラヘルツ分光用デバイスおよびその製造方法、ならびにテラヘルツ分光装置に関する。   The present invention relates to a terahertz spectroscopic device suitable for performing spectrum analysis of a liquid sample using terahertz waves, a manufacturing method thereof, and a terahertz spectroscopic apparatus.

近年、テラヘルツ波を利用した技術が注目を集めており、テラヘルツ波を用いた分光やイメージングが産業応用として期待されている。例えば、テラヘルツ波の応用分野として、フォトンエネルギーがX線に比べて極めて小さいことを利用して安全な透視検査装置としてテラヘルツイメージングを行う技術や、分子の振動準位や回転準位に起因する物質の吸収スペクトルや複素誘電率を求めて物質の状態や同定を行う分光技術がある。また、半導体基板のキャリア濃度や移動度の評価、またLSIチップにフェムト秒レーザを照射することにより発生するテラヘルツから配線欠陥位置を検知する技術などが開発されている。   In recent years, technology using terahertz waves has attracted attention, and spectroscopy and imaging using terahertz waves are expected as industrial applications. For example, as a field of application of terahertz waves, a technology that performs terahertz imaging as a safe fluoroscopic inspection device using the fact that photon energy is extremely small compared to X-rays, and substances caused by molecular vibrational levels and rotational levels There is a spectroscopic technique for determining the state and identification of substances by obtaining the absorption spectrum and complex permittivity. Further, techniques for evaluating the carrier concentration and mobility of a semiconductor substrate and detecting a wiring defect position from terahertz generated by irradiating an LSI chip with a femtosecond laser have been developed.

中でも特許文献1ないし3に開示されているように、テラヘルツ波を用いて分光光学的手法により物質を分析する方法が知られている。これは、テラヘルツ波を被測定対象試料に照射し、透過もしくは反射したテラヘルツ波のスペクトルを得ることで分析を行うものである。   In particular, as disclosed in Patent Documents 1 to 3, a method for analyzing a substance by a spectroscopic technique using a terahertz wave is known. This analysis is performed by irradiating a sample to be measured with a terahertz wave and obtaining a spectrum of the transmitted or reflected terahertz wave.

特許第4154388号公報Japanese Patent No. 4154388 特許第4002173号公報Japanese Patent No. 4002173 特開2007−71610号公報JP 2007-71610 A

Hideki Hirori, et al., "Attenuated total reflection spectroscopy in time domain using terahertz coherent pulses," Jpn.J.Appl.Phys, 43, L1287(2004).Hideki Hirori, et al., "Attenuated total reflection spectroscopy in time domain using terahertz coherent pulses," Jpn.J.Appl.Phys, 43, L1287 (2004). Li Cheng, et al., "Terahertz-wave absorption in liquids measured using the evanescent filed of a silicon waveguide," Appl.Phys.Lett, 92, 181104 (2008).Li Cheng, et al., "Terahertz-wave absorption in liquids measured using the evanescent filed of a silicon waveguide," Appl. Phys. Lett, 92, 181104 (2008).

ところで水は、テラヘルツ波のうち0.3THzから30THzの周波数領域に非常に強い吸収スペクトルを有しているため、水を多く含む試料のテラヘルツ分光には数μm〜数10μm程度のごく薄い液体セルを用意しなければならない。さらに時間領域でのテラヘルツ分光を行う場合には、試料界面での反射や試料内での干渉の影響を考慮すると共に、試料厚さの正確な測定が必要となる。このため水を含む試料のテラヘルツ透過スペクトルを得ることは従来では困難であった。   By the way, since water has a very strong absorption spectrum in the frequency range of 0.3 THz to 30 THz among terahertz waves, a very thin liquid cell of about several μm to several tens of μm is used for terahertz spectroscopy of a sample containing a lot of water. Must be prepared. Furthermore, when performing terahertz spectroscopy in the time domain, it is necessary to take into account the effects of reflection at the sample interface and interference within the sample, and to accurately measure the sample thickness. For this reason, it has been difficult to obtain a terahertz transmission spectrum of a sample containing water.

そこで、水などの非常に強い吸収スペクトルをテラヘルツ領域に持つ物質の中に含まれる分子などの吸収スペクトルや複素誘電率を求める方法として、非特許文献1に開示されているような全反射減衰分光法と呼ばれる方法が知られている。これは、プリズムを用いた光学系での全反射時に発生するテラヘルツエバネッセント波を利用する方法である。エバネッセント波は、波数ベクトル方向に指数関数的に減衰する電磁場であり、この方法によりテラヘルツ吸収係数を実効的に低減させることで水などの非常に強いテラヘルツ吸収物質中の分子などの分光分析が可能となっている。しかしプリズム光学系を用いた方法では、装置構成が複雑であり、かつ高精度の組み立て技術が必要である。   Therefore, as a method for obtaining an absorption spectrum and a complex dielectric constant of molecules contained in a substance having a very strong absorption spectrum such as water in the terahertz region, total reflection attenuation spectroscopy as disclosed in Non-Patent Document 1 is used. A method called law is known. This is a method using a terahertz evanescent wave generated at the time of total reflection in an optical system using a prism. An evanescent wave is an electromagnetic field that decays exponentially in the direction of the wave vector, and this method effectively reduces the terahertz absorption coefficient, allowing spectroscopic analysis of molecules in very strong terahertz absorbing materials such as water. It has become. However, the method using the prism optical system has a complicated apparatus configuration and requires a highly accurate assembly technique.

それに対して非特許文献2に開示されているようにシリコンのロッドをテラヘルツ導波路として、導波路周囲に発生するエバネッセント波をも用いる方法が提案されている。しかしながらこの方法では、シリコンロッドの高精度加工が要求されることや、エバネッセント波の発生条件を容易には調整できないこと、またシリコンロッドの保持が難しい、という問題があり装置構成の複雑化や組み立て技術の高精度化が避けられない。   On the other hand, as disclosed in Non-Patent Document 2, a method has been proposed in which a silicon rod is used as a terahertz waveguide and an evanescent wave generated around the waveguide is also used. However, this method has problems that it requires high-precision machining of the silicon rod, that the conditions for generating the evanescent wave cannot be adjusted easily, and that it is difficult to hold the silicon rod. High precision of technology is inevitable.

また特許文献1に開示されているような導波路構造と流路の組み合わせを利用して、流路に充填した液体試料のテラヘルツ波透過スペクトルを得る方法が知られているが、テラヘルツ波伝播方向の流路の厚みを正確に調整しなければならないため、高精度の組み立て技術が必要である。   Further, a method for obtaining a terahertz wave transmission spectrum of a liquid sample filled in a channel using a combination of a waveguide structure and a channel as disclosed in Patent Document 1 is known. Since the thickness of the flow path must be accurately adjusted, a highly accurate assembly technique is required.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、極薄い液体セル、プリズム光学系、およびシリコンロッドなどを用いずに、テラヘルツ波に対して大きな吸収を有する物質のテラヘルツ透過スペクトル測定を良好に行うことを可能にするテラヘルツ分光用デバイスおよびその製造方法、ならびにテラヘルツ分光装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a terahertz transmission spectrum of a substance having a large absorption with respect to a terahertz wave without using an ultrathin liquid cell, a prism optical system, and a silicon rod. An object of the present invention is to provide a terahertz spectroscopic device and a method for manufacturing the same, and a terahertz spectroscopic device that can perform measurement satisfactorily.

本発明によるテラヘルツ分光用デバイスは、テラヘルツ波が入力される入力端とテラヘルツ波が出力される出力端とを含む基板と、基板内に形成された空隙部と、基板において、入力端と出力端との間でテラヘルツ波が伝搬されるように、周囲が空隙部に囲まれることによって形成されたエアクラッド型の導波路と、導波路の周囲において、導波路を伝搬するテラヘルツ波がエバネッセント波として伝搬する領域を含む領域に形成され、被測定対象物が収容される収容部とを備えたものである。   A device for terahertz spectroscopy according to the present invention includes a substrate including an input end to which a terahertz wave is input and an output end from which the terahertz wave is output, a gap formed in the substrate, and an input end and an output end in the substrate. An air-clad waveguide formed by being surrounded by an air gap so that a terahertz wave is propagated between the terahertz wave and the terahertz wave propagating through the waveguide as an evanescent wave around the waveguide. It is formed in a region including a propagating region, and is provided with a storage unit that stores a measurement target object.

本発明によるテラヘルツ分光装置は、テラヘルツ波を発生する発生手段と、発生手段で発生されたテラヘルツ波が入力されるテラヘルツ分光用デバイスと、テラヘルツ分光用デバイスを伝搬した後のテラヘルツ波を検出する検出手段とを備えている。
そして、そのテラヘルツ分光用デバイスを、上記本発明のテラヘルツ分光用デバイスで構成したものである。
A terahertz spectrometer according to the present invention includes a generating unit that generates a terahertz wave, a terahertz spectroscopic device that receives the terahertz wave generated by the generating unit, and a detection that detects the terahertz wave after propagating through the terahertz spectroscopic device Means.
Then, the terahertz spectroscopy device is constituted by the terahertz spectroscopy device of the present invention.

本発明によるテラヘルツ分光用デバイスまたはテラヘルツ分光装置では、エアクラッド型の導波路にテラヘルツ波を伝搬させることで、その導波路の近傍にエバネッセント波を発生させる。そのエバネッセント波が伝搬する領域を含む領域に収容部を形成し、被測定対象物を収容することで、テラヘルツ波と被測定対象物とを相互作用させる。これにより、プリズム光学系やシリコンロッドを用いずとも、水などの強いテラヘルツ吸収物質によるテラヘルツ吸収係数を実効的に小さくすることが可能となり、水などの強いテラヘルツ吸収物質中の分子などの吸収スペクトルを良好に得ることが可能となる。   In the terahertz spectroscopic device or the terahertz spectroscopic device according to the present invention, an evanescent wave is generated in the vicinity of the waveguide by propagating the terahertz wave through the air-clad waveguide. A housing part is formed in a region including a region where the evanescent wave propagates, and the object to be measured is accommodated, whereby the terahertz wave interacts with the object to be measured. This makes it possible to effectively reduce the terahertz absorption coefficient of strong terahertz absorbers such as water without using a prism optical system or silicon rod, and absorption spectra of molecules in strong terahertz absorbers such as water. Can be obtained satisfactorily.

本発明によるテラヘルツ分光用デバイスの製造方法は、上記本発明のテラヘルツ分光用デバイスを、紫外線硬化樹脂を含む材料を用いて、インプリント成型または光造形により製造するようにしたものである。   The method for producing a terahertz spectroscopy device according to the present invention is such that the terahertz spectroscopy device of the present invention is produced by imprint molding or stereolithography using a material containing an ultraviolet curable resin.

本発明によるテラヘルツ分光用デバイスの製造方法では、上記本発明のテラヘルツ分光用デバイスを、インプリント成型または光造形により大量生産することが可能となる。インプリント成型または光造形により製造可能であるのは、本発明のテラヘルツ分光用デバイスが、例えば数μmの基板製造誤差が分光性能に大きな影響を与えるということはなく、基板製造時の寸法公差による分光性能への影響を低減できるような構造とされているためである。本発明のテラヘルツ分光用デバイスで用いられているテラヘルツ領域でのエアクラッド型の導波路構造は、例えば光通信帯のフォトニック結晶構造と比べて導波路部分のコア径が数10倍から数100倍であるため紫外線硬化樹脂を含む材料を用いた光造形やインプリント成型による大量製造生産が可能である。   In the method for manufacturing a terahertz spectroscopy device according to the present invention, the terahertz spectroscopy device of the present invention can be mass-produced by imprint molding or stereolithography. The terahertz spectroscopic device of the present invention can be manufactured by imprint molding or stereolithography. For example, a substrate manufacturing error of several μm does not have a great influence on spectral performance, and depends on a dimensional tolerance at the time of manufacturing the substrate. This is because the structure can reduce the influence on the spectral performance. The air clad type waveguide structure in the terahertz region used in the terahertz spectroscopy device of the present invention has a core diameter of several tens to several hundreds of times compared with, for example, a photonic crystal structure in an optical communication band. Since it is twice, mass production and production by stereolithography or imprint molding using a material containing an ultraviolet curable resin is possible.

本発明のテラヘルツ分光用デバイスまたはテラヘルツ分光装置によれば、エアクラッド型の導波路にテラヘルツ波を伝搬させ、またそれによって発生したエバネッセント波が伝搬する領域を含む領域に収容部を形成して、テラヘルツ波と被測定対象物とを相互作用させるようにしたので、プリズム光学系やシリコンロッドを用いずとも、水などの強いテラヘルツ吸収物質によるテラヘルツ吸収係数を実効的に小さくすることが可能となる。これにより、極薄い液体セル、プリズム光学系、およびシリコンロッドなどを用いずに、テラヘルツ波に対して大きな吸収を有する物質のテラヘルツ透過スペクトル測定を良好に行うことが可能となる。   According to the terahertz spectroscopic device or the terahertz spectroscopic device of the present invention, the terahertz wave is propagated in the air-clad type waveguide, and the accommodating portion is formed in a region including the region where the evanescent wave generated thereby propagates. Since the terahertz wave interacts with the object to be measured, it is possible to effectively reduce the terahertz absorption coefficient by a strong terahertz absorbing material such as water without using a prism optical system or a silicon rod. . This makes it possible to satisfactorily perform terahertz transmission spectrum measurement of a substance having a large absorption with respect to terahertz waves without using an extremely thin liquid cell, prism optical system, silicon rod, or the like.

本発明のテラヘルツ分光用デバイスの製造方法によれば、上記本発明のテラヘルツ分光用デバイスを、紫外線硬化樹脂を含む材料を用いて、インプリント成型または光造形により製造するようにしたので、大量生産が可能である。これは、上記本発明のテラヘルツ分光用デバイスが、例えば光通信用のフォトニック結晶構造に比べて高精度な製造公差が要求されないことなどによる。   According to the method for manufacturing a terahertz spectroscopic device of the present invention, the terahertz spectroscopic device of the present invention is manufactured by imprint molding or stereolithography using a material containing an ultraviolet curable resin. Is possible. This is due to the fact that the terahertz spectroscopy device of the present invention does not require high-precision manufacturing tolerances compared to, for example, a photonic crystal structure for optical communication.

本発明の一実施の形態に係るテラヘルツ分光用デバイスの構成例を示す平面図である。It is a top view which shows the structural example of the device for terahertz spectroscopy which concerns on one embodiment of this invention. 図1に示したテラヘルツ分光用デバイスの寸法の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the dimension of the device for terahertz spectroscopy shown in FIG. 図1に示したテラヘルツ分光用デバイスを組み込んだテラヘルツ分光装置の一例を示す構成図である。It is a block diagram which shows an example of the terahertz spectroscopy apparatus incorporating the device for terahertz spectroscopy shown in FIG. 図1に示したテラヘルツ分光用デバイスをテラヘルツ分光装置に導入する場合の設置方法の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the installation method in the case of introduce | transducing the terahertz spectroscopy device shown in FIG. 1 into a terahertz spectroscopy apparatus. (A)は図4に示したテラヘルツ分光装置によって検出されるテラヘルツ波の検出結果の一例を示す波形図であり、(B)は(A)の波形に基づいて得られるテラヘルツ波のスペクトル波形を示す波形図である。(A) is a waveform diagram showing an example of the detection result of the terahertz wave detected by the terahertz spectrometer shown in FIG. 4, and (B) shows the spectrum waveform of the terahertz wave obtained based on the waveform of (A). FIG. 図1に示したテラヘルツ分光用デバイスの収容部に被測定対象物が収容されていない状態で得られるテラヘルツ波のスペクトル波形の一例を示す波形図である。FIG. 2 is a waveform diagram illustrating an example of a spectrum waveform of a terahertz wave obtained in a state where an object to be measured is not accommodated in the accommodating portion of the terahertz spectroscopy device illustrated in FIG. 1. 図1に示したテラヘルツ分光用デバイスの収容部に被測定対象物を収容した状態で得られるテラヘルツ波のスペクトル波形の一例を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows an example of the spectrum waveform of the terahertz wave obtained in the state which accommodated the to-be-measured object in the accommodating part of the device for terahertz spectroscopy shown in FIG. 図6のスペクトル波形と図7のスペクトル波形とから求められる被測定対象物のテラヘルツ波に対する吸収スペクトル波形を示す波形図である。FIG. 8 is a waveform diagram showing an absorption spectrum waveform for a terahertz wave of an object to be measured obtained from the spectrum waveform of FIG. 6 and the spectrum waveform of FIG. 7.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[テラヘルツ分光用デバイス1の構成]
図1は、本発明の一実施の形態に係るテラヘルツ分光用デバイス1の構成例を示している。また図2は、このテラヘルツ分光用デバイス1の具体的な寸法例を示している。このテラヘルツ分光用デバイス1は、測定を行おうとするテラヘルツ波の波長に対して透明もしくは所定の透過率を持つ材料からなる基板30を備えている。基板30は、全体として例えば単一の材料(紫外線硬化樹脂を含む材料等)からなる。基板30は全体として平板状であり、図2に示したように、厚みが例えば0.1mm〜10mm程度、横方向および縦方向の長さが例えば10mm〜300mm程度となっている。
[Configuration of Terahertz Spectroscopy Device 1]
FIG. 1 shows a configuration example of a terahertz spectroscopy device 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows an example of specific dimensions of the terahertz spectroscopy device 1. The terahertz spectroscopy device 1 includes a substrate 30 made of a material that is transparent or has a predetermined transmittance with respect to the wavelength of the terahertz wave to be measured. The substrate 30 is made of, for example, a single material (such as a material containing an ultraviolet curable resin) as a whole. The board | substrate 30 is flat form as a whole, and as shown in FIG. 2, thickness is about 0.1 mm-10 mm, and the length of a horizontal direction and a vertical direction is about 10 mm-300 mm.

基板30には、入力端35および出力端33と、入力端35と出力端33との間でテラヘルツ波の伝搬を行うエアクラッド型の導波路34(コア)とが設けられている。入力端35には、例えばフェムト秒レーザと光伝導アンテナとを用いて発生させたテラヘルツ波36が入力される。出力端33からは導波路34を伝搬した後のテラヘルツ波32が出力される。   The substrate 30 is provided with an input end 35 and an output end 33, and an air-clad waveguide 34 (core) that propagates terahertz waves between the input end 35 and the output end 33. For example, a terahertz wave 36 generated by using a femtosecond laser and a photoconductive antenna is input to the input terminal 35. A terahertz wave 32 after being propagated through the waveguide 34 is output from the output end 33.

基板30には、被測定対象物(例えば液体試料)が収容される第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bが設けられている。第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bには、例えば注射器などを用いて液体試料が注入される。第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bは、導波路34の周囲において、導波路34を伝搬するテラヘルツ波がエバネッセント波として伝搬する領域を含む領域に形成されている。図1の例では、平面形状および断面形状が矩形状の収容部が設けられている構造例を示しているが、被測定対象物を充填させるための空間となっていれば良く、その形状は矩形状に限るものではない。   The substrate 30 is provided with a first accommodating portion 31A and a second accommodating portion 31B in which an object to be measured (for example, a liquid sample) is accommodated. A liquid sample is injected into the first storage unit 31A and the second storage unit 31B using, for example, a syringe. 31 A of 1st accommodating parts and the 2nd accommodating part 31B are formed in the area | region including the area | region where the terahertz wave which propagates the waveguide 34 propagates as an evanescent wave around the waveguide 34. FIG. In the example of FIG. 1, an example of a structure in which a container having a rectangular planar shape and cross-sectional shape is provided, it is sufficient that the space for filling the object to be measured is provided. It is not limited to a rectangular shape.

第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bは、基板30における第1の面(表面)側が開放されると共に、第1の面に対向する第2の面(裏面)側が閉じた領域とされた掘り込み型の構造を有している。第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bにおける第2の面側の厚みは、テラヘルツ波の波長未満の厚みとされていることが好ましい。テラヘルツ波の波長未満の厚みとすることで、第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bにおけるテラヘルツ波の放射損失を最低限に抑えることができる。   31 A of 1st accommodating parts and the 2nd accommodating part 31B are the area | regions where the 2nd surface (back surface) side facing the 1st surface was closed while the 1st surface (front surface) side in the board | substrate 30 was open | released. It has a digging-type structure. It is preferable that the thickness of the second surface side in the first housing portion 31A and the second housing portion 31B is less than the wavelength of the terahertz wave. By setting the thickness to less than the wavelength of the terahertz wave, the radiation loss of the terahertz wave in the first housing portion 31A and the second housing portion 31B can be minimized.

第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bは、エアクラッド型の導波路34を形成するための空隙部としての機能を兼ねている。このため、第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bは、基板30において入力端35と出力端33との間で、テラヘルツ波が伝搬されるエアクラッド型の導波路34が形成されるように、導波路34の周囲を囲む(挟み込む)ようにして設けられている。   The first accommodating portion 31A and the second accommodating portion 31B also function as a gap for forming the air-clad waveguide 34. For this reason, in the first accommodating portion 31A and the second accommodating portion 31B, an air-clad waveguide 34 through which the terahertz wave is propagated is formed between the input end 35 and the output end 33 in the substrate 30. Thus, it is provided so as to surround (pinch) the periphery of the waveguide 34.

導波路34は、テラヘルツ波を伝搬させるために、図2に示したように、断面積(テラヘルツ波の進行方向に直交する方向の断面の面積)が100mm2未満の矩形の棒状コアとなっている。導波路34は、入力端35および出力端33の近傍で基板30と繋がっていることで基板30に保持される両持ち梁構造となっている。なお、導波路34をエアクラッド型のテラヘルツ導波路として機能させるためには、測定に用いるテラヘルツ波の波長に応じて必要な屈折率の材料とコア径などのコア形状を決める。これには例えばビーム伝搬法や時間領域有限差分法などの数値計算手法により設計を行う。本実施の形態では、クラッド部を持たない導波路構造によってテラヘルツエバネッセント波を発生させることが目的であるので、形状と寸法は上述したものに限るものではない。 In order to propagate the terahertz wave, the waveguide 34 is a rectangular rod-shaped core having a cross-sectional area (area of a cross section perpendicular to the traveling direction of the terahertz wave) of less than 100 mm 2 as shown in FIG. Yes. The waveguide 34 is connected to the substrate 30 in the vicinity of the input end 35 and the output end 33, thereby having a doubly supported beam structure held by the substrate 30. In order for the waveguide 34 to function as an air-clad terahertz waveguide, a material having a necessary refractive index and a core shape such as a core diameter are determined according to the wavelength of the terahertz wave used for measurement. For example, the design is performed by a numerical calculation method such as a beam propagation method or a time domain finite difference method. In the present embodiment, since the purpose is to generate a terahertz evanescent wave by a waveguide structure having no cladding, the shape and dimensions are not limited to those described above.

[テラヘルツ分光用デバイス1による作用および効果]
このテラヘルツ分光用デバイス1では、単一の基板30内に存在するエアクラッド型の導波路34によりテラヘルツ波を伝搬させることで、その導波路34の近傍にエバネッセント波を発生させる。そのエバネッセント波が伝搬する領域を含む領域に第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bを形成し、被測定対象物を収容することで、テラヘルツ波と被測定対象物とを相互作用させる。ここで発生するテラヘルツエバネッセント波は、波数ベクトル方向に指数関数的に減衰する電磁波であるが、エアクラッド型の導波路の設計パラメータであるコア形状およびコア径、そして用いる材料によりその減衰距離の制御が可能である。このため、上述の第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bで起こるテラヘルツ波と被測定対象物との相互作用の大小を制御することが可能である。
[Operation and Effect of Terahertz Spectroscopy Device 1]
In the terahertz spectroscopy device 1, an evanescent wave is generated in the vicinity of the waveguide 34 by propagating the terahertz wave through the air clad type waveguide 34 existing in the single substrate 30. The first accommodating portion 31A and the second accommodating portion 31B are formed in a region including the region where the evanescent wave propagates, and the terahertz wave interacts with the measurement target object by accommodating the measurement target object. . The terahertz evanescent wave generated here is an electromagnetic wave that decays exponentially in the direction of the wave vector, but the core shape and core diameter, which are the design parameters of the air-clad waveguide, and the attenuation distance are controlled by the material used. Is possible. For this reason, it is possible to control the magnitude of the interaction between the terahertz wave and the object to be measured that occurs in the first housing portion 31A and the second housing portion 31B.

このような方法により、プリズム光学系やシリコンロッドなどを用いずとも、水などの強いテラヘルツ吸収物質によるテラヘルツ吸収係数を実効的に小さくすることが可能となり、水などの強いテラヘルツ吸収物質中の分子などの吸収スペクトルを良好に得ることが可能となる。この場合、例えば数μmの基板製造誤差が分光性能に大きな影響を与えるということはなく、基板製造時の寸法公差による分光性能への影響を低減できる。また、このテラヘルツ分光用デバイス1で用いられているテラヘルツ領域でのエアクラッド型の導波路構造は、例えば光通信帯のフォトニック結晶構造と比べて導波路部分のコア径が数10倍から数100倍であるため、比較的高精度な製造公差は要求されず、紫外線硬化樹脂を含む材料を用いた光造形やインプリント成型による大量製造生産が可能である。   This method makes it possible to effectively reduce the terahertz absorption coefficient of a strong terahertz absorbing material such as water without using a prism optical system or a silicon rod, and molecules in a strong terahertz absorbing material such as water. It is possible to obtain a good absorption spectrum. In this case, for example, a substrate manufacturing error of several μm does not greatly affect the spectral performance, and the influence on the spectral performance due to the dimensional tolerance at the time of manufacturing the substrate can be reduced. Further, the air clad type waveguide structure in the terahertz region used in the terahertz spectroscopy device 1 has a core diameter of several tens of times to several tens of times as compared with, for example, a photonic crystal structure in an optical communication band. Since it is 100 times, relatively high-precision manufacturing tolerances are not required, and mass production and production by optical modeling or imprint molding using a material containing an ultraviolet curable resin is possible.

以上のように本実施の形態に係るテラヘルツ分光用デバイス1によれば、極薄い液体セル、プリズム光学系、およびシリコンロッドなどを用いずに、テラヘルツ波に対して大きな吸収を有する物質のテラヘルツ透過スペクトル測定を良好に行うことが可能となる。   As described above, according to the terahertz spectroscopy device 1 according to the present embodiment, a terahertz transmission of a substance having a large absorption with respect to a terahertz wave can be achieved without using an extremely thin liquid cell, a prism optical system, a silicon rod, or the like. It becomes possible to perform spectrum measurement satisfactorily.

[テラヘルツ分光装置への適用例]
図3は、テラヘルツ分光用デバイス1を用いたテラヘルツ分光装置の一例を示している。このテラヘルツ分光装置は、フェムト秒レーザ90と、ビームスプリッタ91と、光伝導アンテナ92A,92Bと、シリコンレンズ93A,93Bと、放物面鏡94,96と、シリコンレンズ95A,95Bと、反射鏡97と、時間遅延器98とを備えている。
フェムト秒レーザ90と光伝導アンテナ92Aは、本発明における「発生手段」の一具体例に相当する。また、主として光伝導アンテナ92Bが、本発明における「検出手段」の一具体例に相当する。
[Example of application to terahertz spectrometer]
FIG. 3 shows an example of a terahertz spectrometer using the terahertz spectrometer device 1. This terahertz spectrometer includes a femtosecond laser 90, a beam splitter 91, photoconductive antennas 92A and 92B, silicon lenses 93A and 93B, parabolic mirrors 94 and 96, silicon lenses 95A and 95B, and a reflecting mirror. 97 and a time delay unit 98 are provided.
The femtosecond laser 90 and the photoconductive antenna 92A correspond to a specific example of “generating means” in the present invention. The photoconductive antenna 92B mainly corresponds to a specific example of “detecting means” in the present invention.

図4は、図1に示したテラヘルツ分光用デバイス1を図3に示したテラヘルツ分光装置に導入する場合の設置方法の一例を示している。テラヘルツ分光用デバイス1は、エバネッセント波を用いた測定を行うため、例えばデバイスの底面が床面に密着または密接した状態で測定を行うと、放射損失によって測定に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで、デバイスの底面および表面近傍には、障害物が無い状態で測定を行うことが好ましい。例えば導波路34および収容部31A,31Bから離れた位置において基板30を部分的に支持することにより、テラヘルツ分光用デバイス1を空間中に浮かせた状態で測定を行うことが好ましい。図4に示した設置例では、土台用基板40の上で、柱状の支持部41によって四隅でテラヘルツ分光用デバイス1を部分的に支持することによりデバイス全体を空間中に浮かせた状態にしている。支持部41は、導波路34を伝搬するテラヘルツ波が発生するエバネッセント波が及ばない十分な距離(例えば10mm以上)離して設置する。なお、図4の設置例では、デバイスの下側から支持部41で支持する構造であるが、上側からデバイスを支持する構造であっても良い。例えば図4の設置例とは上下逆に、土台用基板40を最も上側に配置して、そこから支持部41を介してデバイス全体を吊り下げるような構造であっても良い。   FIG. 4 shows an example of an installation method when the terahertz spectroscopy device 1 shown in FIG. 1 is introduced into the terahertz spectroscopy apparatus shown in FIG. Since the terahertz spectroscopy device 1 performs the measurement using the evanescent wave, for example, if the measurement is performed in a state where the bottom surface of the device is in close contact with or in close contact with the floor surface, the measurement may be adversely affected by radiation loss. Therefore, it is preferable to perform measurement in the state where there are no obstacles on the bottom surface and the vicinity of the surface of the device. For example, it is preferable to perform measurement in a state where the terahertz spectroscopy device 1 is floated in the space by partially supporting the substrate 30 at a position away from the waveguide 34 and the accommodating portions 31A and 31B. In the example of installation shown in FIG. 4, the terahertz spectroscopy device 1 is partially supported at four corners by columnar support portions 41 on the base substrate 40, so that the entire device is floated in space. . The support portion 41 is installed at a sufficient distance (for example, 10 mm or more) that the evanescent wave generated by the terahertz wave propagating through the waveguide 34 does not reach. In addition, in the installation example of FIG. 4, although it is the structure supported by the support part 41 from the lower side of a device, the structure which supports a device from the upper side may be sufficient. For example, a structure in which the base substrate 40 is disposed on the uppermost side and the entire device is suspended through the support portion 41 may be used upside down from the installation example of FIG.

[テラヘルツ分光装置による測定動作]
図3に示したテラヘルツ分光装置において、フェムト秒レーザ90から100fs(フェムト秒)程度のパルス幅を持つレーザパルスを発生させる。そのレーザパルスをビームスプリッタ91で分け、一方を低温成長させたGaAs(ガリウムヒ素)等で作製され、バイアスされた光伝導アンテナ92Aのギャップ部に照射してテラヘルツ波を発生させる。そのテラヘルツ波を、光伝導アンテナ92Aの直後に設置したシリコンレンズ93Aで集め、放物面鏡94およびシリコンレンズ95Aを経て、テラヘルツ分光用デバイス1の入力端35(図1)に入射させ、内部の導波路34に結合する。テラヘルツ分光用デバイス1に入力されたテラヘルツ波は、導波路34を伝搬する間に、上述したようにエバネッセント波によって被測定対象物との相互作用がなされて、出力端33から出力される。テラヘルツ分光用デバイス1から出力されたテラヘルツ波は、シリコンレンズ95B、放物面鏡96、およびシリコンレンズ93Bを経て光伝導アンテナ92Bに結合する。
[Measurement operation by terahertz spectrometer]
In the terahertz spectrometer shown in FIG. 3, a laser pulse having a pulse width of about 100 fs (femtosecond) is generated from the femtosecond laser 90. The laser pulse is divided by a beam splitter 91, one of which is made of GaAs (gallium arsenide) or the like grown at low temperature, and irradiated to a gap portion of a biased photoconductive antenna 92A to generate a terahertz wave. The terahertz waves are collected by a silicon lens 93A installed immediately after the photoconductive antenna 92A, and incident on the input end 35 (FIG. 1) of the terahertz spectroscopy device 1 through the parabolic mirror 94 and the silicon lens 95A. The waveguide 34 is coupled. While propagating through the waveguide 34, the terahertz wave input to the terahertz spectroscopy device 1 is interacted with the object to be measured by the evanescent wave as described above, and is output from the output end 33. The terahertz wave output from the terahertz spectroscopy device 1 is coupled to the photoconductive antenna 92B through the silicon lens 95B, the parabolic mirror 96, and the silicon lens 93B.

一方で、ビームスプリッタ91で分割された他方のレーザパルスが、時間遅延器98、および反射鏡97を経て、到達時間がずれた状態で光伝導アンテナ92Bに結合する。この到達時間のずらされた各遅延時間における光伝導アンテナ92Bからの光電流を測定することで、例えば図5(A)に示したようなテラヘルツ波の電界時間波形100を得ることができる。これをフーリエ変換することで、例えば図5(B)に示したようなテラヘルツ波のスペクトル101を得ることができる。   On the other hand, the other laser pulse divided by the beam splitter 91 passes through the time delay unit 98 and the reflecting mirror 97 and is coupled to the photoconductive antenna 92B in a state where the arrival time is shifted. By measuring the photocurrent from the photoconductive antenna 92B at each delay time shifted in arrival time, for example, a terahertz electric field time waveform 100 as shown in FIG. 5A can be obtained. By performing a Fourier transform on this, for example, a terahertz wave spectrum 101 as shown in FIG. 5B can be obtained.

次に、図6〜図8を参照して、被測定対象物のスペクトルが得られる測定手順を説明する。図6は、テラヘルツ分光用デバイス1の第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bに被測定対象物が収容されていない状態で、図3のテラヘルツ分光装置によって得られるテラヘルツ波のスペクトル波形20を模式的に示している。図7は、テラヘルツ分光用デバイス1の第1の収容部31Aおよび第2の収容部31Bに被測定対象物を収容した状態で得られるテラヘルツ波のスペクトル波形21を模式的に示している。   Next, with reference to FIGS. 6-8, the measurement procedure in which the spectrum of a to-be-measured object is obtained is demonstrated. 6 shows a spectrum waveform of the terahertz wave obtained by the terahertz spectrometer of FIG. 3 in a state where the measurement target object is not accommodated in the first accommodation unit 31A and the second accommodation unit 31B of the terahertz spectroscopy device 1. 20 is shown schematically. FIG. 7 schematically shows a spectrum waveform 21 of a terahertz wave obtained in a state where the measurement target is accommodated in the first accommodating portion 31A and the second accommodating portion 31B of the terahertz spectroscopy device 1.

このように、被測定対象物が収容されていない状態で得られたスペクトル波形20と、被測定対象物を収容した状態で得られたスペクトル波形21とを測定し、さらにそれらの比を求める。これにより、例えば図8に示したように、被測定対象物のテラヘルツ波に対する吸収スペクトル波形22を得ることができる。   Thus, the spectrum waveform 20 obtained in a state where the measurement target object is not accommodated and the spectrum waveform 21 obtained in a state where the measurement target object is accommodated are measured, and the ratio thereof is obtained. Thereby, for example, as shown in FIG. 8, an absorption spectrum waveform 22 for the terahertz wave of the measurement object can be obtained.

なお、図7に示したスペクトル波形21を測定する際には、第1の収容部31Aと第2の収容部31Bとの双方に被測定対象物を収容しても良いし、片方の収容部のみに被測定対象物を収容しても良い。   When measuring the spectral waveform 21 shown in FIG. 7, the measurement object may be accommodated in both the first accommodating portion 31A and the second accommodating portion 31B, or one accommodating portion. The object to be measured may be accommodated only in the area.

<他の実施の形態>
本発明は、上記実施の形態に限定されず種々の変形実施が可能である。
例えば、テラヘルツ波の発生手段は、図3に示したようなフェムト秒レーザ90と光伝導アンテナ92Aとを用いたものに限らない。例えば量子カスケードレーザや光パラメトリック発振によって発生させたものを用いても良い。
<Other embodiments>
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
For example, the terahertz wave generating means is not limited to the one using the femtosecond laser 90 and the photoconductive antenna 92A as shown in FIG. For example, a laser generated by a quantum cascade laser or optical parametric oscillation may be used.

1…テラヘルツ分光用デバイス、30…基板、31A…第1の収容部(空隙部)、31B…第2の収容部(空隙部)、33…出力端、34…導波路(コア)、35…入力端、32,36…テラヘルツ波、40…土台用基板、41…支持部、90…フェムト秒レーザ、91…ビームスプリッタ、92A,92B…光伝導アンテナ、93A,93B…シリコンレンズ、94,96…放物面鏡、95A,95B…シリコンレンズ、97…反射鏡、98…時間遅延器。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Terahertz spectroscopy device, 30 ... Board | substrate, 31A ... 1st accommodating part (gap part), 31B ... 2nd accommodating part (gap part), 33 ... Output end, 34 ... Waveguide (core), 35 ... Input end, 32, 36 ... terahertz wave, 40 ... base substrate, 41 ... support, 90 ... femtosecond laser, 91 ... beam splitter, 92A, 92B ... photoconductive antenna, 93A, 93B ... silicon lens, 94, 96 ... Parabolic mirror, 95A, 95B ... Silicon lens, 97 ... Reflector, 98 ... Time delay.

Claims (8)

テラヘルツ波が入力される入力端と前記テラヘルツ波が出力される出力端とを含む基板と、
前記基板内に形成された空隙部と、
前記基板において、前記入力端と前記出力端との間で前記テラヘルツ波が伝搬されるように、周囲が前記空隙部に囲まれることによって形成されたエアクラッド型の導波路と、
前記導波路の周囲において、前記導波路を伝搬するテラヘルツ波がエバネッセント波として伝搬する領域を含む領域に形成され、被測定対象物が収容される収容部と
を備えたテラヘルツ分光用デバイス。
A substrate including an input end to which a terahertz wave is input and an output end from which the terahertz wave is output;
A void formed in the substrate;
In the substrate, an air-cladding type waveguide formed by being surrounded by the gap so that the terahertz wave is propagated between the input end and the output end;
A terahertz spectroscopic device comprising: a housing portion that is formed in a region including a region where a terahertz wave propagating through the waveguide propagates as an evanescent wave around the waveguide, and that accommodates an object to be measured.
前記空隙部が、前記収容部としての機能を兼ねている
請求項1に記載のテラヘルツ分光用デバイス。
The device for terahertz spectroscopy according to claim 1, wherein the gap portion also functions as the housing portion.
前記導波路は、断面積が100mm2未満である
請求項1に記載のテラヘルツ分光用デバイス。
The device for terahertz spectroscopy according to claim 1, wherein the waveguide has a cross-sectional area of less than 100 mm 2 .
前記収容部は、前記基板における第1の面側が開放されると共に、前記第1の面に対向する第2の面側が閉じた領域とされた掘り込み型の構造を有し、
前記収容部における前記第2の面側の厚みは、前記テラヘルツ波の波長未満の厚みとされている
請求項1に記載のテラヘルツ分光用デバイス。
The accommodating portion has a digging-type structure in which a first surface side of the substrate is opened and a second surface side facing the first surface is a closed region;
The device for terahertz spectroscopy according to claim 1, wherein a thickness of the housing portion on a side of the second surface is less than a wavelength of the terahertz wave.
前記基板は、前記テラヘルツ波を透過する単一の材料からなる
請求項1ないし4のいずれか1項に記載のテラヘルツ分光用デバイス。
The device for terahertz spectroscopy according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate is made of a single material that transmits the terahertz wave.
テラヘルツ波を発生する発生手段と、
前記発生手段で発生されたテラヘルツ波が入力されるテラヘルツ分光用デバイスと、
前記テラヘルツ分光用デバイスを伝搬した後のテラヘルツ波を検出する検出手段と
を備え、
前記テラヘルツ分光用デバイスは、
前記テラヘルツ波が入力される入力端と前記テラヘルツ波が出力される出力端とを含む基板と、
前記基板内に形成された空隙部と、
前記基板において、前記入力端と前記出力端との間で前記テラヘルツ波が伝搬されるように、周囲が前記空隙部に囲まれることによって形成されたエアクラッド型の導波路と、
前記導波路の周囲において、前記導波路を伝搬するテラヘルツ波がエバネッセント波として伝搬する領域を含む領域に形成され、被測定対象物が収容される収容部と
を有するテラヘルツ分光装置。
Generating means for generating terahertz waves;
A terahertz spectroscopic device to which the terahertz wave generated by the generating means is input;
Detecting means for detecting a terahertz wave after propagating through the terahertz spectroscopic device;
The terahertz spectroscopy device is
A substrate including an input end to which the terahertz wave is input and an output end from which the terahertz wave is output;
A void formed in the substrate;
In the substrate, an air-cladding type waveguide formed by being surrounded by the gap so that the terahertz wave is propagated between the input end and the output end;
A terahertz spectrometer having a housing portion that is formed in a region including a region where a terahertz wave propagating through the waveguide propagates as an evanescent wave around the waveguide, and that accommodates an object to be measured.
前記導波路および前記収容部から離れた位置において前記基板を部分的に支持することにより、前記テラヘルツ分光用デバイスを空間中に浮かせた状態で測定を行う
請求項6に記載のテラヘルツ分光装置。
The terahertz spectrometer according to claim 6, wherein measurement is performed in a state where the terahertz spectroscopy device is floated in a space by partially supporting the substrate at a position away from the waveguide and the housing portion.
テラヘルツ波が入力される入力端と前記テラヘルツ波が出力される出力端とを含む基板と、
前記基板内に形成された空隙部と、
前記基板において、前記入力端と前記出力端との間で前記テラヘルツ波が伝搬されるように、周囲が前記空隙部に囲まれることによって形成されたエアクラッド型の導波路と、
前記導波路の周囲において、前記導波路を伝搬するテラヘルツ波がエバネッセント波として伝搬する領域を含む領域に形成され、被測定対象物が収容される収容部と
を備えたテラヘルツ分光用デバイスを、
紫外線硬化樹脂を含む材料を用いて、インプリント成型または光造形により製造する
テラヘルツ分光用デバイスの製造方法。
A substrate including an input end to which a terahertz wave is input and an output end from which the terahertz wave is output;
A void formed in the substrate;
In the substrate, an air-cladding type waveguide formed by being surrounded by the gap so that the terahertz wave is propagated between the input end and the output end;
A terahertz spectroscopic device comprising: a housing portion in which a terahertz wave propagating in the waveguide is formed in a region including a region in which the terahertz wave propagating through the waveguide is propagated as an evanescent wave and in which the measurement target is accommodated.
A method for manufacturing a terahertz spectroscopic device manufactured by imprint molding or stereolithography using a material containing an ultraviolet curable resin.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110989207A (en) * 2019-11-20 2020-04-10 郑州大学 Bidirectional mechanically tuned terahertz wave modulator and preparation method and application thereof

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