JP2011146270A - Flat cable - Google Patents

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裕 岡崎
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flat cable capable of improving transmission characteristics of a high frequency signal. <P>SOLUTION: In the flat cable 10 having a first insulator 30, a conductor 20 laminated on the first insulator 30, a second insulator 40 laminated on the conductor 20 with at least one end of the conductor 20 in a state exposed, and shields 50, 60 laminated on the conductor 20 through the first insulator 30 or both the first and the second insulators 30, 40 and electrically shielding the conductor 20, a thickness H<SB>2</SB>of the first insulator 30 at a terminal section 12 where the conductor 20 is exposed and a thickness H<SB>1</SB>of the first insulator 30 at a body section 11 where the second insulator 40 is laminated are different from each other. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、高周波信号の伝送に用いられるフラットケーブルに関するものである。   The present invention relates to a flat cable used for transmission of a high-frequency signal.

高周波回路に接続され、高周波信号を伝送するフレキシブルフラットケーブルとして、導体を両側から絶縁体を介して金属層で挟み込んだものが知られている(例えば特許文献1参照)。   As a flexible flat cable connected to a high-frequency circuit and transmitting a high-frequency signal, a cable in which a conductor is sandwiched between metal layers via an insulator from both sides is known (see, for example, Patent Document 1).

このフレキシブルフラットケーブルでは、絶縁層の誘電率を調整することで、フレキシブルフラットケーブルのインピーダンスを、高周波回路のインピーダンスに整合させている。   In this flexible flat cable, the impedance of the flexible flat cable is matched with the impedance of the high-frequency circuit by adjusting the dielectric constant of the insulating layer.

特開2003−31033号公報JP 2003-31033 A

しかしながら、上記のフレキシブルフラットケーブルでは、高周波回路とのインピーダンス整合についてのみ検討され、フレキシブルフラットケーブル内におけるインピーダンス整合については検討されていない。このため、このフレキシブルフラットケーブルは、高周波信号の伝送特性に劣る場合があった。   However, in the above-described flexible flat cable, only impedance matching with a high-frequency circuit is studied, and impedance matching in the flexible flat cable is not studied. For this reason, this flexible flat cable may have inferior high-frequency signal transmission characteristics.

本発明が解決しようとする課題は、フラットケーブルにおける高周波信号の伝送特性の向上を図ることである。   The problem to be solved by the present invention is to improve the transmission characteristics of a high-frequency signal in a flat cable.

本発明に係るフラットケーブルは、第1の絶縁体と、前記第1の絶縁体に積層された導電体と、前記導電体の少なくとも一方の端部を露出させた状態で、前記導電体に積層された第2の絶縁体と、前記第1の絶縁体、又は、前記第1の絶縁体と前記第2の絶縁体の両方、を介して前記導電体に積層され、前記導電体を電気的に遮へいするシールドと、を備えたフラットケーブルであって、前記導電体が露出した端末部における前記第1の絶縁体の厚さと、前記第2の絶縁体が積層された本体部における前記第1の絶縁体の厚さと、が相違していることを特徴とする。   The flat cable according to the present invention is laminated on the conductor with the first insulator, the conductor laminated on the first insulator, and at least one end of the conductor exposed. The second insulator and the first insulator, or both the first insulator and the second insulator, and stacked on the conductor to electrically connect the conductor. A flat cable having a shield that shields the first insulator in the end portion where the conductor is exposed, and the first body in the body portion in which the second insulator is laminated. It is characterized in that the thickness of the insulator is different.

上記発明において、前記端末部における前記第1の絶縁体の厚さは、前記本体部における前記第1の絶縁体の厚さよりも相対的に薄くてもよい。   In the above invention, the thickness of the first insulator in the terminal portion may be relatively thinner than the thickness of the first insulator in the main body portion.

上記発明において、前記第1の絶縁体は、一以上の絶縁層を有し、前記端末部における前記絶縁層の数は、前記本体部における前記絶縁層の数と相違していてもよい。   In the above invention, the first insulator may have one or more insulating layers, and the number of the insulating layers in the terminal portion may be different from the number of the insulating layers in the main body portion.

上記発明において、前記端末部のインピーダンスは、前記本体部のインピーダンスと実質的に同一であってもよい。   In the above invention, the impedance of the terminal portion may be substantially the same as the impedance of the main body portion.

本発明によれば、端末部における第1の絶縁体の厚さが、本体部における第1の絶縁体の厚さと相違しているので、フラットケーブル内におけるインピーダンスが整合し、フラットケーブルにおける高周波信号の伝送特性が向上する。   According to the present invention, since the thickness of the first insulator in the terminal portion is different from the thickness of the first insulator in the main body portion, the impedance in the flat cable is matched and the high-frequency signal in the flat cable is matched. The transmission characteristics are improved.

図1は、本発明の第1実施形態におけるフラットケーブルの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a flat cable according to the first embodiment of the present invention. 図2は、図1のII−II線に沿った断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 図3は、図2のIII部の拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion III in FIG. 図4は、本発明の第1実施形態の作用を説明するフラットケーブルの概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a flat cable for explaining the operation of the first embodiment of the present invention. 図5は、本発明の第1実施形態におけるフラットケーブルの変形例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a modification of the flat cable in the first embodiment of the present invention. 図6は、本発明の第2実施形態におけるフラットケーブルの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a flat cable according to the second embodiment of the present invention. 図7は、図6のVII部の拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of a portion VII in FIG.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<<第1実施形態>>
図1は本実施形態におけるフラットケーブルの斜視図、図2は図1のII−II線に沿った断面図、図3は図2のIII部の拡大断面図である。
<< first embodiment >>
FIG. 1 is a perspective view of a flat cable according to the present embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion III in FIG.

本実施形態におけるフレキシブルフラットケーブル(FFC:Flexible Flat Cable)10は、例えば液晶テレビやプラズマテレビ等の画像インターフェースや内部配線として、高周波信号を伝送するケーブルである。   A flexible flat cable (FFC: Flexible Flat Cable) 10 in the present embodiment is a cable that transmits a high-frequency signal as an image interface or internal wiring of a liquid crystal television or a plasma television, for example.

また、このフラットケーブル10は、図2及び図3に示すように、導電体20と、第1の絶縁体30と、第2の絶縁体40と、第1のシールド50と、第2のシールド60と、を備えている。このフラットケーブル10は、中央に位置する本体部11において、第1及び第2の絶縁体30,40と第1及び第2のシールド50,60によって導電体20が両側から被覆されているのに対し、本体部11の端に位置する端末部12では、導電体20が第2の絶縁体40と第2のシールド60から露出している。   Further, as shown in FIGS. 2 and 3, the flat cable 10 includes a conductor 20, a first insulator 30, a second insulator 40, a first shield 50, and a second shield. 60. In the flat cable 10, the conductor 20 is covered from both sides by the first and second insulators 30 and 40 and the first and second shields 50 and 60 in the main body 11 located at the center. On the other hand, in the terminal part 12 located at the end of the main body part 11, the conductor 20 is exposed from the second insulator 40 and the second shield 60.

導電体20は、図1に示すように、例えばフラットケーブル10の長手方向に沿った平角軟銅線から構成されている。本実施形態では、6つの導電体20がフラットケーブル10の短手方向において所定のピッチで配列されている。なお、導電体20の数は、特に限定されない。   As shown in FIG. 1, the conductor 20 is composed of, for example, a flat annealed copper wire along the longitudinal direction of the flat cable 10. In the present embodiment, the six conductors 20 are arranged at a predetermined pitch in the short direction of the flat cable 10. The number of conductors 20 is not particularly limited.

導電体20は、図2及び図3に示すように、図中下側の第1の主面21と、図中上側の第2の主面22と、を有している。第1の主面21には、本体部11から端末部12に亘って第1の絶縁体30(後述)が積層されているのに対し、第2の主面22には、本体部11のみに第2の絶縁体40(後述)が積層されている。すなわち、フラットケーブル10の端末部12では、導電体20の両端部20a,20bが第2の絶縁体40から露出し、フラットケーブル10が他の電子機器と電気的に接続できるようになっている。   2 and 3, the conductor 20 has a first main surface 21 on the lower side in the drawing and a second main surface 22 on the upper side in the drawing. A first insulator 30 (described later) is laminated on the first main surface 21 from the main body portion 11 to the terminal portion 12, whereas only the main body portion 11 is formed on the second main surface 22. In addition, a second insulator 40 (described later) is laminated. That is, in the terminal portion 12 of the flat cable 10, both end portions 20a and 20b of the conductor 20 are exposed from the second insulator 40, and the flat cable 10 can be electrically connected to other electronic devices. .

第1の絶縁体30は、図2及び図3に示すように、導電体20の第1の主面21に積層されている。この第1の絶縁体30は、第1の接着層31と、第1の絶縁層32と、第2の接着層33と、第2の絶縁層34と、第3の接着層35と、を有している。   As shown in FIGS. 2 and 3, the first insulator 30 is laminated on the first main surface 21 of the conductor 20. The first insulator 30 includes a first adhesive layer 31, a first insulating layer 32, a second adhesive layer 33, a second insulating layer 34, and a third adhesive layer 35. Have.

第1の接着層31は、導電体20と第1の絶縁層32(後述)とを接着しており、導電体20の第1の主面21において、フラットケーブル10の全体(本体部11及び端末部12)に亘って積層されている。第1の接着層31は、例えばポリエステル(polyester)からなる熱可塑性の接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第1の接着層31の厚さをhとする。 The first adhesive layer 31 bonds the conductor 20 and the first insulating layer 32 (described later), and on the first main surface 21 of the conductor 20, the entire flat cable 10 (the main body portion 11 and the main cable 11). It is laminated over the terminal part 12). The first adhesive layer 31 is made of a thermoplastic adhesive made of, for example, polyester. In the present embodiment, the thickness of the first adhesive layer 31 and h 1.

第1の絶縁層32は、導電体20を保護しており、導電体20の第1の主面21において、第1の接着層31を介して、フラットケーブル10の全体に亘って積層されている。この第1の絶縁層32は、例えばポリエチレンテレフタレート(PET:polyethylene terephthalate)等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されたフィルムである。なお、本実施形態において、第1の絶縁層32の厚さをhとする。 The first insulating layer 32 protects the conductor 20 and is laminated over the entire flat cable 10 via the first adhesive layer 31 on the first main surface 21 of the conductor 20. Yes. The first insulating layer 32 is a film made of a flexible and insulating material such as polyethylene terephthalate (PET). In the present embodiment, the thickness of the first insulating layer 32 and h 2.

第2の接着層33は、第1の絶縁層32と第2の絶縁層34(後述)とを接着している。第2の接着層33は、本体部11における第1の絶縁層32のみに積層されているのに対し、端末部12における第1の絶縁層32には積層されていない。第2の接着層33は、第1の接着層31と同様に、例えばポリエステルからなる接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第2の接着層33の厚さをhとする。 The second adhesive layer 33 bonds the first insulating layer 32 and the second insulating layer 34 (described later). The second adhesive layer 33 is stacked only on the first insulating layer 32 in the main body portion 11, but is not stacked on the first insulating layer 32 in the terminal portion 12. Similar to the first adhesive layer 31, the second adhesive layer 33 is made of an adhesive made of polyester, for example. In the present embodiment, the thickness of the second adhesive layer 33 and h 3.

第2の絶縁層34は、図2及び図3に示すように、第2の接着層33を介して、本体部11における第1の絶縁層32に積層されている。なお、この第2の絶縁層34は、端末部12における第1の絶縁層32には積層されていない。この第2の絶縁層34は、第1の絶縁層32と同様に、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されたフィルムである。なお、本実施形態において、第2の絶縁層34の厚さをhとする。 As shown in FIGS. 2 and 3, the second insulating layer 34 is laminated on the first insulating layer 32 in the main body portion 11 via the second adhesive layer 33. Note that the second insulating layer 34 is not stacked on the first insulating layer 32 in the terminal portion 12. Similar to the first insulating layer 32, the second insulating layer 34 is a film made of a flexible and insulating material such as polyethylene terephthalate. In the present embodiment, the thickness of the second insulating layer 34 and h 4.

第3の接着層35は、図2及び図3に示すように、本体部11において第2の絶縁層34と第1のシールド50(後述)とを接着し、端末部12において第1の絶縁層32と第1のシールド50とを接着している。この第3の接着層35は、本体部11における第2の絶縁層34から端末部12における第1の絶縁層32に亘って積層されている。第3の接着層35は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第3の接着層35の厚さをhとする。 As shown in FIGS. 2 and 3, the third adhesive layer 35 adheres the second insulating layer 34 and the first shield 50 (described later) in the main body 11, and the first insulation in the terminal portion 12. The layer 32 and the first shield 50 are bonded. The third adhesive layer 35 is laminated from the second insulating layer 34 in the main body portion 11 to the first insulating layer 32 in the terminal portion 12. The third adhesive layer 35 is made of a thermoplastic adhesive made of polyester, for example. In the present embodiment, the thickness of the third adhesive layer 35 and h 5.

以上のように、第1の絶縁体30は、本体部11においては、2層の絶縁層32,34と、3層の接着層31,33,35と、を有しているのに対し、端末部12においては、1層の絶縁層32と、2層の接着層31,35を有している。このため、第1の絶縁体30では、本体部11における第1の厚さH(H=h+h+h+h+h)に対して、端末部12における第2の厚さH(H=h+h+h)が相対的に薄くなっている(H<H)。 As described above, the first insulator 30 has the two insulating layers 32 and 34 and the three adhesive layers 31, 33, and 35 in the main body portion 11. The terminal portion 12 has a single insulating layer 32 and two adhesive layers 31 and 35. Therefore, in the first insulator 30, the second thickness in the terminal portion 12 with respect to the first thickness H 1 in the main body portion 11 (H 1 = h 1 + h 2 + h 3 + h 4 + h 5 ). H 2 (H 2 = h 1 + h 2 + h 5 ) is relatively thin (H 2 <H 1 ).

第2の絶縁体40は、図2及び図3に示すように、導電体20の両端部20a,20bを露出させた状態で、導電体20の第2の主面22に積層されている。すなわち、第2の絶縁体40は、フラットケーブル10の本体部11のみに積層されている。なお、特に図示しないが、第2の絶縁体40を、導電体20の一方の端部20a,20bのみを露出させた状態で、導電体20の第2の主面22に積層させてもよい。   As shown in FIGS. 2 and 3, the second insulator 40 is stacked on the second main surface 22 of the conductor 20 with both end portions 20 a and 20 b of the conductor 20 being exposed. That is, the second insulator 40 is laminated only on the main body 11 of the flat cable 10. Although not particularly illustrated, the second insulator 40 may be laminated on the second main surface 22 of the conductor 20 with only one end 20a, 20b of the conductor 20 exposed. .

この第2の絶縁体40は、第4の接着層41と、第3の絶縁層42と、第5の接着層43と、を有している。 The second insulator 40 includes a fourth adhesive layer 41, a third insulating layer 42, and a fifth adhesive layer 43.

第4の接着層41は、図2及び図3に示すように、フラットケーブル10の本体部11において、導電体20と第3の絶縁層42(後述)とを接着している。第4の接着層41は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the fourth adhesive layer 41 bonds the conductor 20 and the third insulating layer 42 (described later) in the main body 11 of the flat cable 10. The fourth adhesive layer 41 is made of a thermoplastic adhesive made of polyester, for example.

第3の絶縁層42は、第2の主面22側から導電体20を保護している。第3の絶縁層42は、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されたフィルムである。   The third insulating layer 42 protects the conductor 20 from the second main surface 22 side. The third insulating layer 42 is a film made of a flexible and insulating material such as polyethylene terephthalate.

第5の接着層43は、図2及び図3に示すように、第3の絶縁層42と第2のシールド60(後述)とを接着している。この第5の接着層43は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the fifth adhesive layer 43 bonds the third insulating layer 42 and the second shield 60 (described later). The fifth adhesive layer 43 is made of a thermoplastic adhesive made of polyester, for example.

ここで、第2の絶縁体40の厚さHは、第4の接着層41の厚さと、第3の絶縁層42の厚さと、第5の接着層43の厚さと、を加算した厚さであり、第1の絶縁体30の第1の厚さHと実質的に同一となっている(H≒H)。 Here, the thickness H 0 of the second insulator 40 is the sum of the thickness of the fourth adhesive layer 41, the thickness of the third insulating layer 42, and the thickness of the fifth adhesive layer 43. And substantially the same as the first thickness H 1 of the first insulator 30 (H 0 ≈H 1 ).

第1のシールド50は、図2及び図3に示すように、導電体20を電気的に遮へいしており、第1の絶縁体30を介して導電体20に積層されている。なお、第1のシールド50は、第1の主面21側から導電体20の全体(本体部11と端末部12の全て)を電気的に遮へいするように、第1の絶縁体30の全体(本体部11と端末部12の全て)に亘って積層されている。この第1のシールド50は、テープ状となっており、第1のシールド導電層51と、第1のシールド絶縁層52と、を有している。   As shown in FIGS. 2 and 3, the first shield 50 electrically shields the conductor 20 and is laminated on the conductor 20 via the first insulator 30. In addition, the 1st shield 50 is the whole 1st insulator 30 so that the whole conductor 20 (all the main-body part 11 and the terminal part 12) may be electrically shielded from the 1st main surface 21 side. It is laminated over (the main body part 11 and the terminal part 12). The first shield 50 has a tape shape, and includes a first shield conductive layer 51 and a first shield insulating layer 52.

第1のシールド導電層51は、図2及び図3に示すように、第1の絶縁体30の第3の接着層35に積層されている。この第1のシールド導電層51は、例えばアルミニウム箔、銅箔や錫メッキ等の導電性を有する材料で構成されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the first shield conductive layer 51 is laminated on the third adhesive layer 35 of the first insulator 30. The first shield conductive layer 51 is made of a conductive material such as aluminum foil, copper foil, or tin plating.

第1のシールド絶縁層52は、第1のシールド導電層51に積層されている。この第1のシールド絶縁層52は、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されている。   The first shield insulating layer 52 is stacked on the first shield conductive layer 51. The first shield insulating layer 52 is made of a flexible and insulating material such as polyethylene terephthalate.

このように、本実施形態におけるフラットケーブル10では、端末部12を含むフラットケーブル10の全体に亘って第1のシールド50が積層されているので、導電体20が発生するノイズによる電磁障害(EMI:electromagnetic interference)を抑制することができる。   As described above, in the flat cable 10 according to the present embodiment, the first shield 50 is laminated over the entire flat cable 10 including the terminal portion 12, and therefore, electromagnetic interference (EMI : electromagnetic interference) can be suppressed.

第2のシールド60は、図2及び図3に示すように、本体部11における導電体20を電気的に遮へいしており、第2の絶縁体40を介して導電体20に積層されている。この第2のシールド60は、テープ状となっており、第2のシールド導電層61と、第2のシールド絶縁層62と、を有している。   As shown in FIGS. 2 and 3, the second shield 60 electrically shields the conductor 20 in the main body 11, and is laminated on the conductor 20 via the second insulator 40. . The second shield 60 has a tape shape and has a second shield conductive layer 61 and a second shield insulating layer 62.

第2のシールド導電層61は、図2及び図3に示すように、第2の絶縁体40の第5の接着層43に積層されている。この第2のシールド導電層61は、例えばアルミニウム箔、銅箔や錫メッキ等の導電性を有する材料で構成されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the second shield conductive layer 61 is laminated on the fifth adhesive layer 43 of the second insulator 40. The second shield conductive layer 61 is made of a conductive material such as aluminum foil, copper foil, or tin plating.

第2のシールド絶縁層62は、第2のシールド導電層61に積層されている。この第2のシールド絶縁層62は、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されている。   The second shield insulating layer 62 is laminated on the second shield conductive layer 61. The second shield insulating layer 62 is made of a flexible and insulating material such as polyethylene terephthalate.

次に、本実施形態におけるフラットケーブル10の作用について説明する。   Next, the effect | action of the flat cable 10 in this embodiment is demonstrated.

図4は本実施形態の作用を説明するフラットケーブルの概略断面図、図5は本実施形態におけるフラットケーブルの変形例を示す断面図である。   FIG. 4 is a schematic sectional view of a flat cable for explaining the operation of the present embodiment, and FIG. 5 is a sectional view showing a modification of the flat cable in the present embodiment.

フラットケーブル10の本体部11では、図4に示すように、導電体20が第1及び第2の主面21,22から第1及び第2の絶縁体30,40を介して第1及び第2のシールド50,60で挟み込まれており、伝送線路の構造がストリップラインとなっている。一方、フラットケーブル10の端末部12では、同図に示すように、導電体20が第2の絶縁体40及び第2のシールド60から露出しており、伝送線路の構造がマイクロストリップラインとなっている。ここで、ストリップライン(本体部11)のインピーダンスZについては、下記(1)式で求めることができ、マイクロストリップライン(端末部12)のインピーダンスZについては、下記(2)式で求めることができる。 In the main body 11 of the flat cable 10, as shown in FIG. 4, the conductor 20 extends from the first and second main surfaces 21, 22 via the first and second insulators 30, 40. The transmission line structure is a strip line. On the other hand, in the terminal portion 12 of the flat cable 10, as shown in the figure, the conductor 20 is exposed from the second insulator 40 and the second shield 60, and the structure of the transmission line becomes a microstrip line. ing. Here, the impedance Z 1 of the strip line (main body 11) can be calculated by the following equation (1), the impedance Z 2 of the microstrip line (terminal 12) is obtained by the following equation (2) be able to.

Figure 2011146270
Figure 2011146270
なお、上記(1)式及び(2)式において、Hは本体部11における第1の絶縁体30の第1の厚さであり、Hは端末部12における第1の絶縁体30の第2の厚さであり、Tは導電体20(例えば平角軟銅線)の厚さであり、Wは導電体20(例えば平角軟銅線)の幅であり、Erは第1及び第2の絶縁体30,40の比誘電率である。
Figure 2011146270
Figure 2011146270
In the above formulas (1) and (2), H 1 is the first thickness of the first insulator 30 in the main body portion 11, and H 2 is the first thickness of the first insulator 30 in the terminal portion 12. The second thickness, T is the thickness of the conductor 20 (for example, flat soft copper wire), W is the width of the conductor 20 (for example, flat soft copper wire), and Er is the first and second insulations. It is the relative dielectric constant of the bodies 30 and 40.

ここで、例えばインピーダンスが50Ωの高周波回路にフラットケーブル10を接続させる場合には、第1の接着層31の厚さhの一例として20μm、第1の絶縁層32の厚さhの一例として142μm、第2の接着層33の厚さhの一例として25μm、第2の絶縁層34の厚さhの一例として130μm、第3の接着層35の厚さhの一例として3μmを挙げることができる。この場合には、第1の絶縁体30の第1の厚さH(H=h+h+h+h+h)は320μmとなり、第1の絶縁体30の第2の厚さH(H=h+h+h)は165μmとなる。 Here, for example, when the flat cable 10 is connected to a high-frequency circuit with an impedance of 50Ω, an example of the thickness h 1 of the first adhesive layer 31 is 20 μm, and an example of the thickness h 2 of the first insulating layer 32 is 142 μm, 25 μm as an example of the thickness h 3 of the second adhesive layer 33, 130 μm as an example of the thickness h 4 of the second insulating layer 34, and 3 μm as an example of the thickness h 5 of the third adhesive layer 35 Can be mentioned. In this case, the first thickness H 1 (H 1 = h 1 + h 2 + h 3 + h 4 + h 5 ) of the first insulator 30 is 320 μm, and the second thickness of the first insulator 30 is The height H 2 (H 2 = h 1 + h 2 + h 5 ) is 165 μm.

なお、第4の接着層41の厚さの一例として20μm、第3の絶縁層42の厚さの一例として297μm、第5の接着層43の厚さの一例として3μmを挙げることができる。この場合には、第2の絶縁体40の厚さHは、320μmとなり、第1の絶縁体30の第1の厚さHと同一となる(H=H)。 An example of the thickness of the fourth adhesive layer 41 is 20 μm, an example of the thickness of the third insulating layer 42 is 297 μm, and an example of the thickness of the fifth adhesive layer 43 is 3 μm. In this case, the thickness H 0 of the second insulator 40 is 320 μm, which is the same as the first thickness H 1 of the first insulator 30 (H 0 = H 1 ).

また、導電体20の厚さTの一例として35μm、導電体20の幅Wの一例として300μm、第1及び第2の絶縁体30,40の比誘電率Erの一例として3.4を挙げることができる。この場合における本体部11のインピーダンスZは、上記(1)式より50.1Ωとなり、端末部12のインピーダンスZは、上記(2)式より50.7Ωとなる。このように、上記一例におけるフラットケーブル10では、高周波回路とフラットケーブル10全体のインピーダンスが整合していると共に、フラットケーブル10内のインピーダンスZ,Zが実質的に同一となっており(Z≒Z)、高周波信号に対する伝送特性に優れている。 Further, 35 μm is an example of the thickness T of the conductor 20, 300 μm is an example of the width W of the conductor 20, and 3.4 is an example of the relative dielectric constant Er of the first and second insulators 30 and 40. Can do. In this case, the impedance Z 1 of the main body portion 11 is 50.1Ω from the above equation (1), and the impedance Z 2 of the terminal portion 12 is 50.7Ω from the above equation (2). Thus, in the flat cable 10 in the above example, the impedances of the high frequency circuit and the flat cable 10 are matched, and the impedances Z 1 and Z 2 in the flat cable 10 are substantially the same (Z 1 ≈ Z 2 ), which is excellent in transmission characteristics for high-frequency signals.

ここで仮に、端末部12における第1の絶縁体30の第2の厚さHを、320μmとし(例えば、端末部12にも第2の接着層33と第2の絶縁層34とを積層する。)、本体部11における第1の絶縁体30の第1の厚さHと同一とすると、端末部12のインピーダンスZ´は、約77Ωとなり、高周波回路のインピーダンス(50Ω)や本体部11のインピーダンスZ(50.1Ω)と大きく相違してしまう。 Here if, the second thickness H 2 of the first insulator 30 in the terminal unit 12, and 320 .mu.m (e.g., laminating a second adhesive layer 33 in the terminal portion 12 and the second insulating layer 34 If the first thickness H 1 of the first insulator 30 in the main body portion 11 is the same, the impedance Z 2 ′ of the terminal portion 12 is about 77Ω, and the impedance (50Ω) of the high-frequency circuit and the main body This is greatly different from the impedance Z 1 (50.1Ω) of the portion 11.

これに対し、本実施形態におけるフラットケーブル10では、図3に示すように、端末部12における第1の絶縁体30の第2の厚さHが、本体部11における第1の絶縁体30の第1の厚さHよりも相対的に薄くなっているので、端末部12のインピーダンスZを、本体部11と端末部12における第1の絶縁体30の厚さH,Hが同一である場合の端末部12のインピーダンスZ´よりも小さくすることができ、フラットケーブル10内におけるインピーダンスZ,Zを整合させることができる。これにより、フラットケーブル10の高周波信号に対する伝送特性を向上させることができる。 On the other hand, in the flat cable 10 according to the present embodiment, as shown in FIG. 3, the second thickness H 2 of the first insulator 30 in the terminal portion 12 is equal to the first insulator 30 in the main body portion 11. since the first thinner relatively than the thickness H 1 of the impedance Z 2 of the terminal portion 12, body portion 11 and the thickness H 1 of the first insulator 30 in the terminal section 12, H 2 Can be made smaller than the impedance Z 2 ′ of the terminal portion 12 when they are the same, and the impedances Z 1 and Z 2 in the flat cable 10 can be matched. Thereby, the transmission characteristic with respect to the high frequency signal of the flat cable 10 can be improved.

また、本実施形態におけるフラットケーブル10では、端末部12における第1の絶縁体30には1層の絶縁層32が積層され、本体部11における第1の絶縁体30には2層の絶縁層32,34が積層さている。また、この第1の絶縁体30には、これらの絶縁層32,34を積層するために接着層31,33,35が積層されている。すなわち、端末部12における第1の絶縁体30が3層で構成されているのに対し、本体部11における第1の絶縁体30は5層で構成されている。
これにより、第2の厚さHが第1の厚さHよりも薄くなり、インピーダンスZ,Zが整合している。
Further, in the flat cable 10 according to the present embodiment, one insulating layer 32 is laminated on the first insulator 30 in the terminal portion 12, and two insulating layers are formed on the first insulator 30 in the main body portion 11. 32 and 34 are laminated. In addition, adhesive layers 31, 33, and 35 are stacked on the first insulator 30 in order to stack these insulating layers 32 and 34. That is, the first insulator 30 in the terminal portion 12 is composed of three layers, whereas the first insulator 30 in the main body portion 11 is composed of five layers.
As a result, the second thickness H 2 becomes thinner than the first thickness H 1 , and the impedances Z 1 and Z 2 are matched.

本実施形態では、このようにフラットケーブル10内のインピーダンスZ,Zの整合に際して、本体部11と端末部12とで絶縁層の数を相違させればよく、インピーダンスZ,Zの整合が容易である。 In the present embodiment, when the impedances Z 1 and Z 2 in the flat cable 10 are matched in this way, the number of insulating layers may be different between the main body 11 and the terminal 12, and the impedances Z 1 and Z 2 Easy to align.

なお、本実施形態におけるフラットケーブル10では、端末部12における第1の絶縁体30に1層の絶縁層32が積層され、本体部11における第1の絶縁体30に2層の絶縁層32,34が積層されているが、特に限定されず、端末部12における第1の絶縁体30の絶縁層と、第1の絶縁体30の本体部11における絶縁層と、をそれぞれ2層以上としてもよい。例えば、端末部12における第1の絶縁体30に2層の絶縁層を積層し、本体部11における第1の絶縁体30に3層或いは4層以上の絶縁層を積層してもよい。   In the flat cable 10 according to the present embodiment, one insulating layer 32 is laminated on the first insulator 30 in the terminal portion 12, and two insulating layers 32, 34 is laminated, but is not particularly limited, and the insulating layer of the first insulator 30 in the terminal portion 12 and the insulating layer in the main body portion 11 of the first insulator 30 may each have two or more layers. Good. For example, two insulating layers may be stacked on the first insulator 30 in the terminal portion 12, and three or four or more insulating layers may be stacked on the first insulator 30 in the main body portion 11.

また、本実施形態におけるフラットケーブル10では、第1の絶縁体30において、端末部12の絶縁層の数を、本体部11の絶縁層の数よりも相対的に少なくしているが、特に限定されず、端末部12の絶縁層の数を、本体部11の絶縁層の数よりも相対的に多くし、端末部12の第2の厚さHを、本体部11の第1の厚さHよりも相対的に厚くしてもよい。 Further, in the flat cable 10 according to the present embodiment, in the first insulator 30, the number of insulating layers of the terminal portion 12 is relatively smaller than the number of insulating layers of the main body portion 11, but is particularly limited. However, the number of insulating layers of the terminal portion 12 is relatively larger than the number of insulating layers of the main body portion 11, and the second thickness H 2 of the terminal portion 12 is set to the first thickness of the main body portion 11. and it may be relatively thicker than H 1.

また、本実施形態では、第1及び第2の絶縁体30,40の両方に第1及び第2のシールド50,60が積層されているが、特に限定されず、図5に示すように、第1の絶縁体30のみに第1のシールド50を積層してもよい。   Further, in the present embodiment, the first and second shields 50 and 60 are laminated on both the first and second insulators 30 and 40, but there is no particular limitation, and as shown in FIG. The first shield 50 may be stacked only on the first insulator 30.

このように、第2のシールド60が積層されていない構成であっても、本体部11に第2の絶縁体40が積層されていることで、本体部11と端末部12とにおいて、インピーダンスZ,Zが不整合となる場合がある。このような場合に、第1の絶縁体30において、第2の厚さHを第1の厚さHよりも相対的に薄くすることで、フラットケーブル10内のインピーダンスZ,Zの整合を図ることができ、高周波信号に対する伝送特性を向上させることができる。 As described above, even if the second shield 60 is not laminated, the impedance Z can be reduced between the main body 11 and the terminal 12 because the second insulator 40 is laminated on the main body 11. 1, there is a case where Z 2 is inconsistent. In such a case, the first insulator 30, by relatively thin than the second thickness H 2 first thickness H 1, the impedance Z 1 of the flat cable within 10, Z 2 Therefore, transmission characteristics for high frequency signals can be improved.

<<第2実施形態>>
次に、第2実施形態について説明する。
<< Second Embodiment >>
Next, a second embodiment will be described.

図6は本実施形態におけるフラットケーブルの断面図、図7は図6のVII部の拡大断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view of the flat cable in the present embodiment, and FIG.

本実施形態におけるフラットケーブル10aは、第1の絶縁体70の構成において第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は、第1実施形態と同様である。以下に、第1実施形態と相違する点についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成である部分については同一の符号を付して説明を省略する。   The flat cable 10a in the present embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the first insulator 70, but the other configurations are the same as those in the first embodiment. Only the differences from the first embodiment will be described below, and portions having the same configuration as in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

本実施形態における第1の絶縁体70は、第6の接着層71と、第4の絶縁層72と、第7の接着層73と、を有している。   The first insulator 70 in the present embodiment has a sixth adhesive layer 71, a fourth insulating layer 72, and a seventh adhesive layer 73.

第6の接着層71は、導電体20と第4の絶縁層72(後述)を接着しており、導電体20の第1の主面21において、フラットケーブル10aの全体(本体部11及び端末部12)に亘って積層されている。この第6の接着層71は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第6の接着層71の厚さをhとする。 The sixth adhesive layer 71 adheres the conductor 20 and the fourth insulating layer 72 (described later), and the entire flat cable 10a (the main body 11 and the terminal) on the first main surface 21 of the conductor 20. Part 12). The sixth adhesive layer 71 is made of a thermoplastic adhesive made of polyester, for example. In the present embodiment, the thickness of the adhesive layer 71 of the sixth and h 6.

第4の絶縁層72は、第6の接着層71に積層されている。この第4の絶縁層72は、例えばポリエチレンテレフタレート等の可撓性及び絶縁性を有する材料で構成されている。   The fourth insulating layer 72 is laminated on the sixth adhesive layer 71. The fourth insulating layer 72 is made of a flexible and insulating material such as polyethylene terephthalate.

この第4の絶縁層72は、端末部12における厚さhが本体部11における厚さhよりも相対的に薄くなっている(h<h)。このような第4の絶縁層72は、例えば、第4の絶縁層72となる材料の塗布(積層)に際して、端末部12の塗布回数を本体部11の塗布回数よりも相対的に少なくすることで形成することができる。 The fourth insulating layer 72 has a thickness h 8 in the terminal section 12 is thinner relatively than the thickness h 7 of the main body 11 (h 8 <h 7) . For example, such a fourth insulating layer 72 is configured so that the number of times of application of the terminal portion 12 is relatively smaller than the number of times of application of the main body portion 11 when the material to be the fourth insulating layer 72 is applied (laminated). Can be formed.

第7の接着層73は、第4の絶縁層72と第1のシールド50とを接着しており、第4の絶縁体72の全体(本体部11及び端末部12)に亘って積層されている。この第7の接着層73は、例えばポリエステルからなる熱可塑性の接着剤で構成されている。なお、本実施形態において、第7の接着層73の厚さをhとする。 The seventh adhesive layer 73 bonds the fourth insulating layer 72 and the first shield 50, and is laminated over the entirety of the fourth insulator 72 (the main body portion 11 and the terminal portion 12). Yes. The seventh adhesive layer 73 is made of a thermoplastic adhesive made of polyester, for example. In the present embodiment, the thickness of the adhesive layer 73 of the seventh and h 9.

以上のように、本実施形態におけるフラットケーブル10aでは、端末部12における第1の絶縁体70の第4の厚さH(H=h+h+h)が、本体部11における第1の絶縁体70の第3の厚さH(H=h+h+h)よりも相対的に薄くなっている(H<H)。 As described above, in the flat cable 10 a according to the present embodiment, the fourth thickness H 4 (H 4 = h 6 + h 8 + h 9 ) of the first insulator 70 in the terminal portion 12 is the same as that in the main body portion 11. The first insulator 70 is relatively thinner than the third thickness H 3 (H 3 = h 6 + h 7 + h 9 ) (H 4 <H 3 ).

ここで、本実施形態においても、第1実施形態と同様に、フラットケーブル10aの本体部11がストリップラインとなっており、フラットケーブル10aの端末部12がマイクロストリップラインとなっている。また、本体部11(ストリップライン)のインピーダンスZについては、下記(3)式で求めることができ、端末部12(マイクロストリップライン)のインピーダンスZについては、下記(4)式で求めることができる。 Here, also in the present embodiment, as in the first embodiment, the main body portion 11 of the flat cable 10a is a strip line, and the terminal portion 12 of the flat cable 10a is a micro strip line. The impedance Z 3 of the main body 11 (strip line) can be obtained by the following equation (3), and the impedance Z 4 of the terminal portion 12 (microstrip line) can be obtained by the following equation (4). Can do.

Figure 2011146270
Figure 2011146270
なお、上記(3)式及び(4)式において、Hは本体部11における第1の絶縁体70の第3の厚さであり、Hは端末部12における第1の絶縁体70の第4の厚さである。
Figure 2011146270
Figure 2011146270
In the above formulas (3) and (4), H 3 is the third thickness of the first insulator 70 in the main body portion 11, and H 4 is the first thickness of the first insulator 70 in the terminal portion 12. The fourth thickness.

ここで、例えばインピーダンスが50Ωの高周波回路にフラットケーブル10aを接続させる場合には、第6の接着層71の厚さhの一例として20μm、本体部11における第4の絶縁層72の厚さhの一例として297μm、端末部12における第4の絶縁層72の厚さhの一例として142μm、第7の接着層73の厚さhの一例として3μmをあげることができる。このような場合には、本体部11における第1の絶縁体70の第3の厚さHが320μmとなり、端末部12における第1の絶縁体70の第4の厚さHが165μmとなる。 Here, for example, when the flat cable 10a is connected to a high-frequency circuit having an impedance of 50Ω, the thickness h 6 of the sixth adhesive layer 71 is 20 μm as an example, and the thickness of the fourth insulating layer 72 in the main body 11 is the same. An example of h 7 is 297 μm, an example of the thickness h 8 of the fourth insulating layer 72 in the terminal portion 12 is 142 μm, and an example of the thickness h 9 of the seventh adhesive layer 73 is 3 μm. In such a case, the third thickness H 3 of the first insulator 70 in the main body portion 11 is 320 μm, and the fourth thickness H 4 of the first insulator 70 in the terminal portion 12 is 165 μm. Become.

また、上記(3)式及び(4)式により、本体部11のインピーダンスZは50.1Ωとなり、端末部12のインピーダンスZは50.7Ωとなる。このように、上記一例におけるフラットケーブル10では、高周波回路とフラットケーブル10a全体のインピーダンスが整合していると共に、インピーダンスZ,Zが実質的に同一となっており(Z≒Z)、高周波信号に対する伝送特性に優れている。 Further, according to the above equations (3) and (4), the impedance Z 3 of the main body 11 is 50.1Ω, and the impedance Z 4 of the terminal 12 is 50.7Ω. Thus, in the flat cable 10 in the above example, the impedances of the high frequency circuit and the entire flat cable 10a are matched, and the impedances Z 3 and Z 4 are substantially the same (Z 3 ≈Z 4 ). Excellent transmission characteristics for high frequency signals.

このように、本実施形態においても、端末部12における第2の絶縁体70の第4の厚さHが、本体部11における第2の絶縁体70第3の厚さHよりも相対的に薄くなっていることで、インピーダンスZ,Zの整合を図ることができ、フラットケーブル10aの高周波信号に対する伝送特性が向上する。 Thus, also in this embodiment, fourth thickness H 4 of the second insulator 70 in the terminal section 12, second insulator 70 third relative than the thickness H 3 of the main body 11 As a result, the impedances Z 3 and Z 4 can be matched, and the transmission characteristic of the flat cable 10a with respect to the high-frequency signal is improved.

なお、本実施形態では、第4の絶縁層72の厚さh,hが、本体部11と端末部12とで相違しているが、第6の接着層71の厚さを、本体部11と端末部12とで相違させてもよい。例えば、端末部12における第6の接着層71の厚さが、本体部11における第6の接着層71の厚さよりも相対的に薄くなっていてもよい。このようにして、端末部12における第1の絶縁体70の第4の厚さHを、本体部11における第1の絶縁体70の第3の厚さHよりも相対的に薄くしてもよい。 In the present embodiment, the thicknesses h 7 and h 8 of the fourth insulating layer 72 are different between the main body portion 11 and the terminal portion 12, but the thickness of the sixth adhesive layer 71 is different from that of the main body portion 11. The unit 11 and the terminal unit 12 may be different. For example, the thickness of the sixth adhesive layer 71 in the terminal portion 12 may be relatively thinner than the thickness of the sixth adhesive layer 71 in the main body portion 11. In this way, the fourth thickness H 4 of the first insulator 70 in the terminal portion 12 is made relatively thinner than the third thickness H 3 of the first insulator 70 in the main body portion 11. May be.

なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiment described above is described for facilitating the understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

10,10a…フラットケーブル
11…本体部
12…端末部
20…導電体
30,40,70…絶縁体
32,34,42,72…絶縁層
31,33,35,41,43,71,73…接着層
50,60…シールド
51,61…シールド導電層
52,62…シールド絶縁層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,10a ... Flat cable 11 ... Main-body part 12 ... Terminal part 20 ... Conductor 30,40,70 ... Insulator 32,34,42,72 ... Insulating layer 31,33,35,41,43,71,73 ... Adhesive layer 50, 60 ... Shield 51, 61 ... Shield conductive layer 52, 62 ... Shield insulation layer

Claims (4)

第1の絶縁体と、
前記第1の絶縁体に積層された導電体と、
前記導電体の少なくとも一方の端部を露出させた状態で、前記導電体に積層された第2の絶縁体と、
前記第1の絶縁体、又は、前記第1の絶縁体と前記第2の絶縁体の両方、を介して前記導電体に積層され、前記導電体を電気的に遮へいするシールドと、を備えたフラットケーブルであって、
前記導電体が露出した端末部における前記第1の絶縁体の厚さと、前記第2の絶縁体が積層された本体部における前記第1の絶縁体の厚さと、が相違していることを特徴とするフラットケーブル。
A first insulator;
A conductor laminated on the first insulator;
A second insulator stacked on the conductor with at least one end of the conductor exposed; and
A shield that is stacked on the conductor via the first insulator or both the first insulator and the second insulator and electrically shields the conductor; A flat cable,
The thickness of the first insulator in the terminal portion where the conductor is exposed is different from the thickness of the first insulator in the main body portion where the second insulator is laminated. And flat cable.
請求項1記載のフラットケーブルであって、
前記端末部における前記第1の絶縁体の厚さは、前記本体部における前記第1の絶縁体の厚さよりも相対的に薄いことを特徴とするフラットケーブル。
The flat cable according to claim 1,
The flat cable characterized in that a thickness of the first insulator in the terminal portion is relatively thinner than a thickness of the first insulator in the main body portion.
請求項1又は2記載のフラットケーブルであって、
前記第1の絶縁体は、一以上の絶縁層を有し、
前記端末部における前記絶縁層の数は、前記本体部における前記絶縁層の数と相違していることを特徴とするフラットケーブル。
The flat cable according to claim 1 or 2,
The first insulator has one or more insulating layers;
The number of the said insulating layers in the said terminal part differs from the number of the said insulating layers in the said main-body part, The flat cable characterized by the above-mentioned.
請求項1〜3の何れかに記載のフラットケーブルであって、
前記端末部のインピーダンスは、前記本体部のインピーダンスと実質的に同一であることを特徴とするフラットケーブル。
The flat cable according to any one of claims 1 to 3,
The flat cable according to claim 1, wherein the impedance of the terminal portion is substantially the same as the impedance of the main body portion.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013058448A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Hitachi Cable Fine Tech Ltd Shielded flat cable and cable harness using the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009146694A (en) * 2007-12-13 2009-07-02 Sumitomo Electric Ind Ltd Shield flat cable
JP2010170933A (en) * 2009-01-26 2010-08-05 Bando Densen Kk Flexible flat cable

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009146694A (en) * 2007-12-13 2009-07-02 Sumitomo Electric Ind Ltd Shield flat cable
JP2010170933A (en) * 2009-01-26 2010-08-05 Bando Densen Kk Flexible flat cable

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013058448A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Hitachi Cable Fine Tech Ltd Shielded flat cable and cable harness using the same
US8975521B2 (en) 2011-09-09 2015-03-10 Hitachi Metals, Ltd. Shielded flat cable and cable harness using the same

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