JP2011138967A - Generating method, program, light source for exposure, and exposure apparatus - Google Patents

Generating method, program, light source for exposure, and exposure apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2011138967A
JP2011138967A JP2009298854A JP2009298854A JP2011138967A JP 2011138967 A JP2011138967 A JP 2011138967A JP 2009298854 A JP2009298854 A JP 2009298854A JP 2009298854 A JP2009298854 A JP 2009298854A JP 2011138967 A JP2011138967 A JP 2011138967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
image
optical system
incident
initial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2009298854A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisanori Kita
尚憲 北
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2009298854A priority Critical patent/JP2011138967A/en
Publication of JP2011138967A publication Critical patent/JP2011138967A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To generate a light source image of an exposure apparatus by a simple method. <P>SOLUTION: A generating method of generating the light source image to be formed in an illumination light incident from a light source so that a desired illumination distribution is formed in an incident light entering an illumination optical system of the exposure apparatus having the illumination optical system guiding the illumination light to a mask includes: a calculating step of calculating a plurality of optimized light source images corresponding to an exposure pattern by the light source mask optimization technique; an acquisition step of acquiring a plurality of basis images perpendicular to one another from the plurality of optimized light source images by the principal component analysis; a composition step of composing a basis image subset by excluding a part of the plurality of basis images; an initial irradiation step of emitting an initial light source image onto the illumination optical system; a measuring step of measuring an incident image entering the illumination optical system; and a generation step of generating a corrected image by correcting the initial light source image based on a difference of coefficients in a case where the initial light source image and the incident image are developed into the basis image subsets. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、生成方法、プログラム、露光用光源および露光装置に関する。   The present invention relates to a generation method, a program, an exposure light source, and an exposure apparatus.

照明光に任意の強度分布を形成できる露光装置がある(特許文献1参照)。このような露光装置を用いて、マスクパターン(レチクルパターン)と光源画像とを併せて最適化し、微細なパターンを精度よく露光する光源マスク最適化法(SMO:Source and Mask Optimization)がある。   There is an exposure apparatus that can form an arbitrary intensity distribution in illumination light (see Patent Document 1). There is a light source mask optimization method (SMO: Source and Mask Optimization) in which a mask pattern (reticle pattern) and a light source image are optimized using such an exposure apparatus and a fine pattern is exposed with high accuracy.

特開2002−353105号公報JP 2002-353105 A

しかしながら、光源マスク最適化法により算出された最適化光源画像を用いても、光学素子の特性等により、計算通りの照射パターンが得られるとは限らない。その際、照明光を二次元画像情報のままで最適化光源画像に近づけようとすると、多大な計算処理と時間とが求められた。   However, even if the optimized light source image calculated by the light source mask optimization method is used, the calculated irradiation pattern is not always obtained due to the characteristics of the optical element. At that time, if the illumination light was to be brought close to the optimized light source image while maintaining the two-dimensional image information, a large amount of calculation processing and time were required.

上記課題を解決すべく、本発明の第一態様として、照明光をマスクに導く照明光学系を有する露光装置において、照明光学系に入射する入射光に求められた照度分布が形成されるように、光源から入射した照明光に形成する光源画像を生成する生成方法であって、光源マスク最適化法により露光パターンに応じた複数の最適化光源画像を算出する算出ステップと、主成分解析により複数の最適化光源画像から互いに直交する複数の基底画像を獲得する獲得ステップと、複数の基底画像の一部を除外して基底画像サブセットを組成する組成ステップと、初期光源画像を照明光学系に照射する初期照射ステップと、照明光学系に入射した入射画像を計測する計測ステップと、初期光源画像および入射画像のそれぞれを基底画像サブセットに展開した場合の係数の差に基づいて初期光源画像を補正した補正画像を生成する生成ステップとを含む生成方法が提供される。   In order to solve the above-mentioned problems, as a first aspect of the present invention, in an exposure apparatus having an illumination optical system that guides illumination light to a mask, an illuminance distribution required for incident light incident on the illumination optical system is formed. A generation method for generating a light source image to be formed on illumination light incident from a light source, a calculation step for calculating a plurality of optimized light source images according to an exposure pattern by a light source mask optimization method, and a plurality of components by principal component analysis An acquisition step of acquiring a plurality of orthogonal base images from the optimized light source image, a composition step of excluding a part of the plurality of base images and composing a base image subset, and irradiating the illumination optical system with the initial light source image The initial irradiation step, the measurement step for measuring the incident image incident on the illumination optical system, and the initial light source image and the incident image are each expanded into a base image subset. Generating method comprising a generating step of generating a corrected image obtained by correcting the initial source image is provided based on the difference in coefficient when.

また、本発明の第二態様として、上記生成方法を処理装置に実行させるプログラムが提供される。更に、本発明の第三態様として、上記生成方法を実行する露光用光源が提供される。また更に、本発明の第四態様として、上記生成方法を実行する露光装置が提供される。   As a second aspect of the present invention, there is provided a program that causes a processing device to execute the generation method. Furthermore, the light source for exposure which performs the said production | generation method is provided as 3rd aspect of this invention. Furthermore, as a fourth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that executes the above generation method.

上記発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。これら特徴群のサブコンビネーションもまた発明となり得る。   The above summary of the present invention does not enumerate all necessary features of the present invention. A sub-combination of these feature groups can also be an invention.

露光装置100全体の構造を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing the overall structure of an exposure apparatus 100. FIG. 反射鏡222の個別の構造を模式的に示す断面図である。3 is a cross-sectional view schematically showing an individual structure of a reflecting mirror 222. FIG. 空間光変調器220の模式的な斜視図である。3 is a schematic perspective view of a spatial light modulator 220. FIG. 空間光変調器220の動作を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the operation of the spatial light modulator 220. 光源画像Iの生成手順を示すフローチャートである。It is a flowchart showing the generation procedure of the source image I 2. 最適化光源画像群620および基底画像群630を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the optimized light source image group 620 and the base image group 630. FIG. 基底画像群630の算出方法を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a calculation method of a base image group 630. 基底画像群630の算出方法を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a calculation method of a base image group 630. 基底画像群630の算出方法を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a calculation method of a base image group 630. 基底画像群630の算出方法を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a calculation method of a base image group 630. マイクロデバイスの製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of a microdevice. 基板処理ステップの内容を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the content of a board | substrate process step.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明する。以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定しない。実施の形態において説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention. The following embodiments do not limit the invention according to the claims. Not all combinations of features described in the embodiments are essential for the solution of the invention.

図1は、露光装置100全体の構造を示す模式図である。露光装置100は、光源部200、照明光学系300および投影光学系400を備える。   FIG. 1 is a schematic diagram showing the overall structure of the exposure apparatus 100. The exposure apparatus 100 includes a light source unit 200, an illumination optical system 300, and a projection optical system 400.

光源部200は、光源110、制御部210、空間光変調器220、プリズム230、結像光学系240、ビームスプリッタ250および計測部260を含む。光源110は、照明光Lを発生する。光源110が発生した照明光Lは、光源110の発光機構の特性に応じた照度分布を有する。このため、照明光Lは、照明光Lの光路と直交する断面において原画像Iを有する。 The light source unit 200 includes a light source 110, a control unit 210, a spatial light modulator 220, a prism 230, an imaging optical system 240, a beam splitter 250, and a measurement unit 260. The light source 110 generates illumination light L. The illumination light L generated by the light source 110 has an illuminance distribution according to the characteristics of the light emitting mechanism of the light source 110. For this reason, the illumination light L has the original image I 1 in a cross section orthogonal to the optical path of the illumination light L.

光源110から出射された照明光Lは、プリズム230に入射する。プリズム230は、照明光Lを空間光変調器220に導いた後、再び外部に出射させる。   The illumination light L emitted from the light source 110 is incident on the prism 230. The prism 230 guides the illumination light L to the spatial light modulator 220 and then emits the light again to the outside.

空間光変調器220は、制御部210の制御の下に入射した照明光Lを変調する。空間光変調器220の構造と動作については、他の図を参照して後述する。   The spatial light modulator 220 modulates the illumination light L incident under the control of the control unit 210. The structure and operation of the spatial light modulator 220 will be described later with reference to other drawings.

空間光変調器220を経てプリズム230から出射された照明光Lは、結像光学系240を経て、後段の照明光学系300に入射される。結像光学系240は、照明光学系300の入射面312に照明光画像Iを形成する。 The illumination light L emitted from the prism 230 via the spatial light modulator 220 is incident on the illumination optical system 300 at the subsequent stage via the imaging optical system 240. The imaging optical system 240 forms an illumination light image I 3 on the incident surface 312 of the illumination optical system 300.

ビームスプリッタ250は、結像光学系240および照明光学系の間において、照明光Lの光路上に配される。ビームスプリッタ250は、照明光学系300に入射する前の照明光Lの一部を分離して計測部260に導く。   The beam splitter 250 is disposed on the optical path of the illumination light L between the imaging optical system 240 and the illumination optical system. The beam splitter 250 separates a part of the illumination light L before entering the illumination optical system 300 and guides it to the measurement unit 260.

計測部260は、照明光学系300の入射面312と光学的に共役な位置で照明光Lの画像を計測する。これにより、計測部260は、照明光学系300に入射する照明光画像Iと同じ画像を計測する。よって、制御部210は、計測部260により計測される照明光画像Iを参照して、空間光変調器220を帰還制御できる。 The measurement unit 260 measures the image of the illumination light L at a position optically conjugate with the incident surface 312 of the illumination optical system 300. Thereby, the measurement unit 260 measures the same image as the illumination light image I 3 incident on the illumination optical system 300. Therefore, the control unit 210 can feedback control the spatial light modulator 220 with reference to the illumination light image I 3 measured by the measurement unit 260.

照明光学系300は、フライアイレンズ310、コンデンサ光学系320、視野絞り330および結像光学系340を含む。照明光学系300の出射端には、露光マスク410を保持したマスクステージ420が配される。   The illumination optical system 300 includes a fly-eye lens 310, a condenser optical system 320, a field stop 330, and an imaging optical system 340. A mask stage 420 holding an exposure mask 410 is disposed at the exit end of the illumination optical system 300.

フライアイレンズ310は、並列的に緻密に配された多数のレンズ素子を備え、後側焦点面にレンズ素子の数と同数の照明光画像Iを含む2次光源を形成する。コンデンサ光学系320は、フライアイレンズ310から出射された照明光Lを集光して視野絞り330を重畳的に照明する。 The fly-eye lens 310 includes a large number of lens elements arranged densely in parallel, and forms a secondary light source including illumination light images I 3 as many as the number of lens elements on the rear focal plane. The condenser optical system 320 condenses the illumination light L emitted from the fly-eye lens 310 and illuminates the field stop 330 in a superimposed manner.

視野絞り330を経た照明光Lは、結像光学系340により、露光マスク410のパターン面に、視野絞り330の開口部の像である照射光画像Iを形成する。こうして、照明光学系300は、その出射端に配された露光マスク410のパターン面を、照射光画像Iによりケーラー照明する。 The illumination light L that has passed through the field stop 330 forms an irradiation light image I 4 that is an image of the opening of the field stop 330 on the pattern surface of the exposure mask 410 by the imaging optical system 340. Thus, the illumination optical system 300, the pattern surface of the exposure mask 410 disposed at its exit end, Koehler illuminated by illumination light image I 4.

なお、照明光学系300の入射面312でもあるフライアイレンズ310の入射端に形成される照度分布は、フライアイレンズ310の出射端に形成される2次光源全体の大局的な照度分布と高い相関を示す。よって、光源部200が照明光学系300に入射させる照明光画像Iは、照明光学系300が露光マスク410に照射する照明光Lの照度分布である照射光画像Iにも反映される。 Note that the illuminance distribution formed at the entrance end of the fly-eye lens 310 that is also the entrance surface 312 of the illumination optical system 300 is higher than the overall illuminance distribution of the entire secondary light source formed at the exit end of the fly-eye lens 310. Show correlation. Therefore, the illumination light image I 3 that the light source unit 200 enters the illumination optical system 300 is also reflected in the illumination light image I 4 that is the illuminance distribution of the illumination light L that the illumination optical system 300 irradiates the exposure mask 410.

投影光学系400はマスクステージ420の直後に配され、開口絞り430を備える。開口絞り430は、照明光学系300のフライアイレンズ310の出射端と光学的に共役な位置に配される。投影光学系400の出射端には、感光性材料を塗布された基板510を保持する基板ステージ520が配される。   The projection optical system 400 is disposed immediately after the mask stage 420 and includes an aperture stop 430. The aperture stop 430 is disposed at a position optically conjugate with the emission end of the fly-eye lens 310 of the illumination optical system 300. A substrate stage 520 that holds a substrate 510 coated with a photosensitive material is disposed at the exit end of the projection optical system 400.

マスクステージ420に保持された露光マスク410は、照明光学系300により照射された照明光Lを反射または透過する領域と吸収する領域とからなるマスクパターンを有する。よって、露光マスク410に照明光画像Iを照射することにより、露光マスク410のマスクパターンと照明光画像I自体の照度分布との相互作用により投影光画像Iが生成される。投影光画像Iは、基板510の感光性材料に投影されて、要求されたパターンを有するレジスト層を基板510の表面に形成する。 The exposure mask 410 held on the mask stage 420 has a mask pattern composed of a region that reflects or transmits the illumination light L irradiated by the illumination optical system 300 and a region that absorbs it. Therefore, by irradiating the illumination light image I 4 to the exposure mask 410, the projection light image I 5 produced by the interaction of the illuminance distribution of the illumination light image I 4 itself as a mask pattern of an exposure mask 410. The projected light image I 5 is projected onto the photosensitive material of the substrate 510 to form a resist layer having the required pattern on the surface of the substrate 510.

なお、図1では照明光Lの光路を直線状に描いているが、照明光Lの光路を屈曲させることにより露光装置100は小型化されている。また、図1は、照明光Lが露光マスク410を透過するように描いているが、反射型の露光マスク410が用いられる場合もある。   In FIG. 1, the optical path of the illumination light L is drawn in a straight line, but the exposure apparatus 100 is miniaturized by bending the optical path of the illumination light L. Although FIG. 1 depicts the illumination light L so that it passes through the exposure mask 410, a reflective exposure mask 410 may be used.

図2は、空間光変調器220の構造を説明する図であり、空間光変調器220の一部を拡大して示す。空間光変調器220は、反射鏡222、基板224、フレクチャ226および電極223、225を有する。反射鏡222は、基板224の下面に、フレクチャ226を介して吊り下げられる。フレクチャ226は変形容易な材料により形成される。よって、反射鏡222は、基板224に対して揺動自在に支持される。   FIG. 2 is a diagram illustrating the structure of the spatial light modulator 220, and shows a part of the spatial light modulator 220 in an enlarged manner. The spatial light modulator 220 includes a reflecting mirror 222, a substrate 224, a flexure 226, and electrodes 223 and 225. The reflecting mirror 222 is suspended from the lower surface of the substrate 224 via the flexure 226. The flexure 226 is formed of a material that can be easily deformed. Therefore, the reflecting mirror 222 is supported so as to be swingable with respect to the substrate 224.

一方の電極223は、基板224に対向して、反射鏡222の裏面に配される。他方の電極225は、反射鏡222の裏面に対向して、基板224の表面に配される。基板224に配された電極225は複数に分割されており、個別に電圧を印加できる。このような構造により、基板224上の電極225のいずれかに電圧を印加して反射鏡222の電極223との間で静電力を作用させ、反射鏡222に要求された傾きを与えることができる。   One electrode 223 is disposed on the back surface of the reflecting mirror 222 so as to face the substrate 224. The other electrode 225 is disposed on the surface of the substrate 224 so as to face the back surface of the reflecting mirror 222. The electrode 225 disposed on the substrate 224 is divided into a plurality of parts, and a voltage can be applied individually. With such a structure, a voltage can be applied to any of the electrodes 225 on the substrate 224 to cause an electrostatic force to act between the electrodes 223 of the reflecting mirror 222 and to give the required tilt to the reflecting mirror 222. .

図3は、空間光変調器220の模式的な斜視図である。図示のように、空間光変調器220は、上記のような反射鏡222および電極223、225を備えた構造物を、一枚の基板224に二次元的に複数配置して形成される。複数の反射鏡222は、制御部210の制御に応じて個別に揺動する。   FIG. 3 is a schematic perspective view of the spatial light modulator 220. As shown in the drawing, the spatial light modulator 220 is formed by two-dimensionally arranging a structure including the reflecting mirror 222 and the electrodes 223 and 225 as described above on a single substrate 224. The plurality of reflecting mirrors 222 individually swing according to the control of the control unit 210.

なお、図面を明瞭にする目的で、図3には、16枚の反射鏡222を備えた空間光変調器220を示した。しかしながら、露光装置100に実装される空間光変調器220は、形成するパターンの精度に応じて非常に多数の反射鏡222を備えている。   For the purpose of clarifying the drawing, FIG. 3 shows a spatial light modulator 220 including 16 reflecting mirrors 222. However, the spatial light modulator 220 mounted on the exposure apparatus 100 includes a large number of reflecting mirrors 222 according to the accuracy of the pattern to be formed.

図4は、光源部200の部分拡大図であって、空間光変調器220を含む光源部200の動作を示す。プリズム230は、一対の反射面232、234を有する。プリズム230に入射した照明光Lは、一方の反射面232により、空間光変調器220に向かって照射される。   FIG. 4 is a partially enlarged view of the light source unit 200 and shows the operation of the light source unit 200 including the spatial light modulator 220. The prism 230 has a pair of reflecting surfaces 232 and 234. The illumination light L incident on the prism 230 is irradiated toward the spatial light modulator 220 by the one reflecting surface 232.

既に説明した通り、空間光変調器220は、個別に揺動させることができる複数の反射鏡222を有する。よって、制御部210が空間光変調器220を制御することにより、要求に応じた任意の光源画像Iを形成できる。 As already described, the spatial light modulator 220 has a plurality of reflecting mirrors 222 that can be individually swung. Therefore, the control unit 210 controls the spatial light modulator 220 can be formed of any light source image I 2 corresponding to the request.

空間光変調器220から出射された光源画像Iは、プリズム230の他方の反射面234によりプリズム230から出射される。プリズム230から出射された光源画像Iは、結像光学系240により、照明光学系300の入射面312に照明光画像Iを形成する。 The light source image I 2 emitted from the spatial light modulator 220 is emitted from the prism 230 by the other reflecting surface 234 of the prism 230. The light source image I 2 emitted from the prism 230 forms an illumination light image I 3 on the incident surface 312 of the illumination optical system 300 by the imaging optical system 240.

次に、上記のような露光装置100において、空間光変調器220により生成する光源画像Iを生成する方法について説明する。 Next, a method for generating the light source image I 2 generated by the spatial light modulator 220 in the exposure apparatus 100 as described above will be described.

図5は、光源画像Iを生成する手順を示すフローチャートである。図示のように、光源画像Iの生成方法は、マスクパターン毎に実施される準備段階P201と、露光装置100の稼働期間を通じて反復される運用段階P202とが含まれる。 Figure 5 is a flowchart illustrating a procedure for generating source image I 2. As shown in the figure, the method for generating the light source image I 2 includes a preparation stage P 201 that is performed for each mask pattern, and an operation stage P 202 that is repeated throughout the operation period of the exposure apparatus 100.

図6は、図5に示した手順の対象となる画像の例を示す図である。図6には、基板510上に形成することを目的とするパターン610、パターン610に対して算出された複数の最適化光源画像622、624、626を含む最適化画像群620、最適化画像群620から獲得された基底画像群630が示される。以下、図6を随時参照しつつ、図5について準備段階P201を説明する。   FIG. 6 is a diagram illustrating an example of an image that is a target of the procedure illustrated in FIG. 5. FIG. 6 shows a pattern 610 intended to be formed on the substrate 510, an optimized image group 620 including a plurality of optimized light source images 622, 624, and 626 calculated for the pattern 610, and an optimized image group. A base image group 630 acquired from 620 is shown. Hereinafter, the preparation stage P201 will be described with reference to FIG.

まず、基板510上に形成することを目的とするパターン610に対して、当該パターン610を露光する場合に適切な光源画像Iを、光源マスク最適化法により算出する(ステップS201)。最適化光源画像群620は、例えば、下記の式[数1]のように表せる。
First, the pattern 610 for the purpose of forming on a substrate 510, a suitable light source image I 1 in the case of exposing the pattern 610 is calculated by a light source mask optimization method (step S201). The optimized light source image group 620 can be expressed by, for example, the following formula [Equation 1].

なお、この段階では、最適化条件を様々に変化させることにより、より多くの最適化光源画像を含む最適化光源画像群620が算出される。なお、変化させ得る最適化条件とは、例えば、露光したいマスクのうち、どの基本パターンを対象にするかという選択が挙げられる。また、光源マスク最適化法のアルゴリズムでは、光源の面積がより小さくなる解を求めようとする傾向がある場合があるので、エネルギー密度により決まる照明光源の最小面積をいくつまで許容するかということも、最適化条件の選択肢のひとつとして例示できる。   At this stage, the optimized light source image group 620 including more optimized light source images is calculated by changing the optimization conditions in various ways. Note that the optimization conditions that can be changed include, for example, selection of which basic pattern to be targeted among the masks to be exposed. In addition, the algorithm of the light source mask optimization method tends to seek a solution that reduces the area of the light source, so the maximum area of the illumination light source determined by the energy density is allowed. Can be exemplified as one of the optimization condition options.

次に、上記の最適化光源画像群620に含まれる複数の最適化光源画像を主成分解析することにより、互いに直交する複数の基底画像を含む基底画像群630を獲得する(ステップS202)。なお、この段階では、係数の小さいものも含めると、ここで獲得される基底画像の数は多い。理論上は、最適化光源画像のZ個の画素に対してZ個の基底画像が獲得され得る。   Next, a base image group 630 including a plurality of base images orthogonal to each other is obtained by principal component analysis of the plurality of optimized light source images included in the above-described optimized light source image group 620 (step S202). At this stage, the number of base images acquired here is large, including those with small coefficients. Theoretically, Z base images can be obtained for Z pixels of the optimized light source image.

図7から図10までは、上記ステップS202において、基底画像群630を獲得する手順の一例を説明する図である。まず、図7に示すように,ステップS201において算出された複数の最適化光源画像の各々[I(x,y)]を一定の規則に従って一次元的に配列する。これにより、複数の最適化光源画像相互の相関を、当該画像を形成する画素数を次元数とした高次元ベクトル[I]として統計解析できる。 7 to 10 are diagrams illustrating an example of a procedure for acquiring the base image group 630 in step S202. First, as shown in FIG. 7, respectively [I k (x, y) ] of a plurality of optimization the light source images calculated in step S201 one-dimensionally arranged in accordance with a certain rule. Thereby, the correlation between the plurality of optimized light source images can be statistically analyzed as a high-dimensional vector [I k ] with the number of pixels forming the image as the number of dimensions.

次に、上記高次元ベクトル[I]のひとつ(ここではベクトル[I])を縦ベクトルと見做し、当該ベクトル[I]を転置させた横ベクトルと掛け合わせる。これにより、図8に示すように、それぞれの成分を掛け合わせ値を成分とする二次元行列Mが形成される。 Then, the high-dimensional vector [I k] of one (here, vector [I 1]) regarded as a column vector and multiplying the horizontal vector obtained by transposing the vector [I 1]. Thus, as shown in FIG. 8, the two-dimensional matrix M 1 to a value multiplied by the respective component and component is formed.

こうした二次元行列Mの形成は、複数の最適化光源画像のそれぞれに対して実行される。これにより、最適化光源画像群620に含まれる最適化光源画像群の数に対応した二次元行列Mが形成される。 Formation of such a two-dimensional matrix M 1 is performed for each of the plurality of optimized source image. Thereby, a two-dimensional matrix Mk corresponding to the number of optimized light source image groups included in the optimized light source image group 620 is formed.

次に、下記の式[数2]により示すように、上記の処理で得られた複数の二次元行列Mを加算する。
Next, as shown by the following formula [Equation 2], a plurality of two-dimensional matrices M k obtained by the above processing are added.

こうして得られた行列はそれぞれの高次元ベクトル[I]の相関度を表す。以下、この共分散行列を用いて固有値解析を実行する。 The matrix thus obtained represents the degree of correlation of each high-dimensional vector [I 1 ]. Hereinafter, eigenvalue analysis is performed using this covariance matrix.

上記の処理により得られた行列は、対称行列として、下記の式[数3]のように、行列Uと、k個の固有値で形成される対角行列とで形成される積の形に分解できる。
The matrix obtained by the above processing is decomposed as a symmetric matrix into a product form formed by a matrix U and a diagonal matrix formed by k eigenvalues as shown in the following equation [Equation 3]. it can.

そこで、上記の行列Uを、横方向に並んだn個の縦ベクトルととらえると、下記の式[数4]に示すように、それぞれの固有値に対応したn個の固有ベクトル、即ち、行列Mの演算に対して固有値の単純積になるベクトルが得られる。
Therefore, if the matrix U is regarded as n vertical vectors arranged in the horizontal direction, n eigenvectors corresponding to the respective eigenvalues, that is, the matrix M, as shown in the following equation [Formula 4]. A vector is obtained that is a simple product of the eigenvalues for the operation.

次に、図9に示すように、上記で得られた固有ベクトルを、それぞれ、図7に示した操作と同じ規則に従って、2次元画像情報に戻すことができる。こうして、図10に示すように、n個の基底画像を獲得できる。なお、基底画像の獲得方法は上記の手順に限られるわけではない。例えば、特異値分解等の他の手法により、計算を高速化することもできる。   Next, as shown in FIG. 9, the eigenvectors obtained above can be returned to the two-dimensional image information according to the same rules as the operations shown in FIG. Thus, n base images can be acquired as shown in FIG. The base image acquisition method is not limited to the above procedure. For example, the calculation can be speeded up by other methods such as singular value decomposition.

上記のようにして得られた基底画像群630は、最も大きい固有値(または展開係数)を有する基底画像が、最も重みを有するという性質がある。そこで、基底画像群630に含まれる基底画像を、固有値の大きい方から順に並べ替えておくことにより基底画像群630を効率よく運用できる。   The base image group 630 obtained as described above has a property that the base image having the largest eigenvalue (or expansion coefficient) has the most weight. Therefore, the base image group 630 can be efficiently operated by rearranging the base images included in the base image group 630 in order from the largest eigenvalue.

即ち、後述するように、計測部260が計測した画像を評価する場合に、多くの画像は固有値の大きな基底画像により特徴が表される。よって、固有値の小さな基底画像を除いて処理することにより処理量を削減できる。そこで、再び図5を参照すると、基底画像群630において固有値の大きい方から基底画像を選択して、基底画像の数が少ない基底画像サブセット640(図6)を組成する(ステップS203)。   That is, as will be described later, when an image measured by the measurement unit 260 is evaluated, a feature of many images is represented by a base image having a large eigenvalue. Therefore, the processing amount can be reduced by processing by removing the base image having a small eigenvalue. Therefore, referring to FIG. 5 again, a base image is selected from the base image group 630 having a larger eigenvalue, and a base image subset 640 (FIG. 6) having a small number of base images is composed (step S203).

基底画像サブセット640は、例えば、式[数3]により示した固有値λ群を有する基底画像群630に含まれる基底画像のうち、最大固有値に対して1%未満の固有値に属する固有画像を対象外とすることにより組成できる。これは、任意の画像を基底画像で展開して代替表現できる近似精度が1%程度であることによる。しかしながら、適宜他の閾値を設定してサブセットを組成しても差し支えないことはもちろんである。   The base image subset 640 excludes, for example, eigenimages belonging to eigenvalues of less than 1% of the maximum eigenvalues among the base images included in the base image group 630 having the eigenvalue λ group expressed by the formula [Equation 3]. The composition can be obtained. This is because the approximate accuracy with which an arbitrary image can be developed and replaced with a base image is about 1%. However, it goes without saying that the subset may be composed by setting other threshold values as appropriate.

以下、得られた基底画像サブセット640の運用段階(P202)においては、光源画像Iを生成する手順について説明する。 Hereinafter, in the operational phase of the base image subset 640 obtained (P202), a description will be given of a procedure for generating a source image I 1.

まず、露光装置100の光源部200に初期値としての展開係数c01、c02、c03・・・を与える。初期値としては、例えば、最適化光源画像群620からひとつの最適化画像を選択して、基底画像サブセット640で展開した場合の展開係数を例示できる。この場合、初期値により形成される最適化画像のひとつを、照明光画像の目標画像のひとつとしてもよい。 First, expansion coefficients c 01 , c 02 , c 03 ... Are given as initial values to the light source unit 200 of the exposure apparatus 100. As the initial value, for example, an expansion coefficient when one optimized image is selected from the optimized light source image group 620 and expanded in the base image subset 640 can be exemplified. In this case, one of the optimized images formed with the initial value may be one of the target images of the illumination light image.

制御部210は、初期値c01、c02、c03・・・を用いて、下記の式[数5]に示す基底画像サブセット640の線形和として、初期の光源画像Iを発生する。
Using the initial values c 01 , c 02 , c 03 ..., The control unit 210 generates an initial light source image I 2 as a linear sum of the base image subset 640 represented by the following equation [Equation 5].

この初期の光源画像Iは、空間光変調器220により発生され、照明光学系300に照射される(ステップS204)。初期の光源画像Iが照明光学系300に照射された場合、計測部260は、ビームスプリッタ250により分岐された照明光Lの一部を受けて計測する(ステップS205)。計測部260が計測した画像は、照明光学系300に対する照射光画像Iと等しい。 Source image I 2 of the initial is generated by the spatial light modulator 220 is irradiated to the illumination optical system 300 (step S204). If the initial source image I 2 is irradiated to the illumination optical system 300, the measuring unit 260 measures receiving part of the illumination light L is split by the beam splitter 250 (step S205). The image measured by the measurement unit 260 is equal to the irradiation light image I 3 for the illumination optical system 300.

次に、計測部260が計測した画像を、下記の式[数6]のように、基底画像サブセット640に含まれる基底画像の線形和に展開する。これにより、照射光画像I固有の展開係数C(C=c11、c12、c13・・・)が算出される(ステップS206)。
Next, the image measured by the measurement unit 260 is developed into a linear sum of the base images included in the base image subset 640 as shown in the following equation [Formula 6]. Thereby, the expansion coefficient C (C = c 11 , c 12 , c 13 ...) Unique to the irradiation light image I 3 is calculated (step S206).

そこで、初期値としての展開係数c01、c02、c03・・・と、計測値としての展開係数c11、c12、c13・・・の相違に基づいて、計測された照射光画像Iを評価できる(ステップS207)。 Therefore, based on the difference between the expansion coefficients c 01 , c 02 , c 03 ... As the initial values and the expansion coefficients c 11 , c 12 , c 13. I 3 can be evaluated (step S207).

計測値と初期値とが等しいか、あるいは、十分に差が小さい場合(ステップS207:YES)、照射光画像Iは、初期値としての光源画像Iをよく反映していることが判る。より具体的には、例えば、下記の式[数7]を満たすような場合に、計測値と初期値との差が十分に小さいということができる(RSSは自乗和平方根を意味する)。
Or the measured value and the initial value are equal, or, if sufficiently small difference (step S207: YES), the irradiation light image I 3 is seen that well reflects the light source image I 2 as an initial value. More specifically, for example, when the following formula [Equation 7] is satisfied, it can be said that the difference between the measured value and the initial value is sufficiently small (RSS means the square sum of squares).

従って、初期値としての展開係数は補正しない。しかしながら、計測値と初期値が大きく相違した場合(ステップS207:NO)は、初期値を補正して補正値c21、c22、c23・・・を算出する(ステップS208)。 Therefore, the expansion coefficient as the initial value is not corrected. However, when the measured value and the initial value are significantly different (step S207: NO), the initial value is corrected to calculate correction values c 21 , c 22 , c 23 ... (Step S208).

補正値c21、c22、c23・・・を算出する方法としては、例えば、初期値と計測値との差分が、基底画像サブセット640の線形和全体で小さくなるような補正値c21、c22、c23・・・を算出して、当該補正値c21、c22、c23・・・に基づいて、空間光変調器220の反射鏡222を揺動させる方法が例示できる。これにより、非常に簡潔な処理で、照射光画像Iを、光源画像Iに近づけることができる。このような補正値21、c22、c23・・・の算出は、いったん算出した補正値を次の初期値として算出を繰り返すことにより、照明画像Iを光源画像Iに、一層厳密に近づけることができる。 As a method for calculating the correction values c 21 , c 22 , c 23 ..., For example, the correction values c 21 , such that the difference between the initial value and the measurement value becomes smaller in the entire linear sum of the base image subset 640. It calculates a c 22, c 23 ···, based on the correction value c 21, c 22, c 23 ···, a method of swinging the reflector 222 of the spatial light modulator 220 can be exemplified. Thus, a very simple process, the irradiation light image I 3, can be brought close to the light source image I 2. Such calculation of the correction values 21 , c 22 , c 23 ... Is more strictly performed by repeating the calculation using the calculated correction value as the next initial value, thereby changing the illumination image I 3 to the light source image I 2. You can get closer.

また、最適化光源画像としてステップS201において算出した最適化光源画像の固有値(展開係数)を予め算出して制御部210に保持させ、計測値における展開係数と比較してもよい。これにより、展開係数の分布が近い最適化光源画像を選択して、次の初期値として用いることができる。   Further, the eigenvalue (expansion coefficient) of the optimized light source image calculated in step S201 as the optimized light source image may be calculated in advance and held in the control unit 210, and compared with the expansion coefficient in the measurement value. Thereby, an optimized light source image with a close distribution of expansion coefficients can be selected and used as the next initial value.

例えば、初期値を生成する目的でひとつの最適化光源画像622を選択して照明光画像Iを計測し、得られた計測値としての展開係数c11、c12、c13・・・が他の最適化光源画像624に近かった場合は、当該最適化光源画像624を次の初期値生成のために選択することができる。これにより、補正値が収束するまでに求められる処理量および時間を短縮できる。 For example, for the purpose of generating an initial value, one optimized light source image 622 is selected to measure the illumination light image I 3, and expansion coefficients c 11 , c 12 , c 13. If it is close to another optimized light source image 624, the optimized light source image 624 can be selected for the next initial value generation. Thereby, the processing amount and time required until the correction value converges can be shortened.

こうして、計測値との相違を反映させた上で再び運用段階P202を実行することにより、照射光画像Iを目的のパターンに近づけていくことができる。また、いずれの場合も、光源画像Iまたは照明光画像Iの画素毎に帰還を掛けるような処理に対して、画像間の因果関係が判りやすく情報の処理量も少ない。よって、処理を高速化でき、露光装置100のスループット向上にも寄与する。 Thus, by executing the operational phase P202 again on that reflects the difference between the measured value, the illumination light image I 3 can be brought closer to the desired pattern. In either case, the causal relationship between the images is easy to understand and the amount of information processing is small compared to the process of performing feedback for each pixel of the light source image I 2 or the illumination light image I 3 . Therefore, the processing can be speeded up, which contributes to the improvement of the throughput of the exposure apparatus 100.

なお、初期値の補正方法が上記の方法に限られるわけではないことはもちろんである。また、上記の運用段階P202は、露光対象となる基板510のロットが更新される場合等、何らかの節目に繰り返し実行してもよい。これにより、ロットによるばらつきがなく、長期にわたって安定した露光プロセスを実行できる。   Of course, the correction method of the initial value is not limited to the above method. Further, the operation stage P202 may be repeatedly performed at some point, such as when the lot of the substrate 510 to be exposed is updated. Thereby, there is no variation among lots, and a stable exposure process can be executed over a long period of time.

更に、上記実施の形態では、上記方法を実行する制御部210を備えた露光装置100について説明した。しかしながら、光源画像Iを変化させることができるハードウェア資源を有する露光装置100を対象として、上記生成方法を実行させるプログラムを提供してもよい。また、そのような制御ブログラムを実装した制御部210を含む光源部200を、既存の露光装置100の光源部200と交換可能な形態で提供してもよい。 Furthermore, in the above-described embodiment, the exposure apparatus 100 including the control unit 210 that executes the above-described method has been described. However, as the target of the exposure apparatus 100 having the hardware resources that can change the light source image I 2, may be provided a program for executing the above-described generation method. Further, the light source unit 200 including the control unit 210 in which such a control program is mounted may be provided in a form that can be replaced with the light source unit 200 of the existing exposure apparatus 100.

また更に、上記の例では、照明光Lの照度分布について説明したが、照明光Lの空間周波数分布(バワースペクトル分布)に対しても、基底画像を用意して、その展開係数に基づいて計測値を評価することができる。即ち、フーリエ変換を通じて相関関数解析法に関連するパワースペクトル解析法を用いる場合に、上記の方法をパワースペクトル画像の評価に適用できる。   Furthermore, in the above example, the illuminance distribution of the illumination light L has been described. However, for the spatial frequency distribution (power spectrum distribution) of the illumination light L, a base image is prepared and measured based on the expansion coefficient. The value can be evaluated. That is, when the power spectrum analysis method related to the correlation function analysis method is used through Fourier transform, the above method can be applied to the evaluation of the power spectrum image.

図11は、上記生成方法を適用し得るマイクロデバイスの製造工程を示すフローチャートである。なお、マイクロデバイスとは、集積回路、大規模集積回路等の半導体装置、液晶表示パネル、CCD、C−MOS等のイメージセンサ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等を含む。   FIG. 11 is a flowchart showing a manufacturing process of a microdevice to which the above generation method can be applied. Note that a micro device includes a semiconductor device such as an integrated circuit or a large-scale integrated circuit, a liquid crystal display panel, an image sensor such as a CCD or C-MOS, a thin film magnetic head, a micromachine, or the like.

まず、目的とするマイクロデバイスの機能および性能が策定され、当該機能および性能を実現する構造が設計される(例えば、半導体デバイスの回路設計)。また、半導体基板等に形成されるパターンの設計も含まれる(ステップS101:設計ステップ)。   First, the function and performance of the target microdevice are determined, and a structure that realizes the function and performance is designed (for example, circuit design of a semiconductor device). Moreover, the design of the pattern formed in a semiconductor substrate etc. is also included (step S101: design step).

次に、上記設計ステップで設計された回路パターンを形成するマスクが作製される(ステップS102:マスク製作ステップ)。また、シリコン、化合物半導体、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板が製造される(ステップS103:基板製造ステップ)。   Next, a mask for forming the circuit pattern designed in the design step is manufactured (step S102: mask manufacturing step). Further, a substrate is manufactured using a material such as silicon, compound semiconductor, glass, ceramics (step S103: substrate manufacturing step).

続いて、基板製造ステップで製造された基板を、マスク作製ステップで作製されたマスクを用いて加工することにより回路基板が製造される(ステップS104:基板処理ステップ)。更に、基板処理ステップで処理された基板を用いてデバイスが組み立てられる(ステップS105:デバイス組立ステップ)。デバイス組立ステップには、ダイシング、ボンティングおよびパッケージング(チップ封入)等の処理が要求に応じて含まれる。   Subsequently, the circuit board is manufactured by processing the substrate manufactured in the substrate manufacturing step using the mask manufactured in the mask manufacturing step (step S104: substrate processing step). Furthermore, a device is assembled using the substrate processed in the substrate processing step (step S105: device assembly step). The device assembly step includes processes such as dicing, bonding, and packaging (chip encapsulation) as required.

上記のようにして組み立てられたデバイスは、動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を実行される(ステップS106:検査ステップ)。こうして検品されたマイクロデバイスが製品として出荷される。   The device assembled as described above is subjected to inspections such as an operation confirmation test and a durability test (step S106: inspection step). The microdevice thus inspected is shipped as a product.

図12は、基板処理ステップの内容を示すフローチャートである。即ち、図11に示したステップS104の詳細を示す図である。基板処理ステップにおいては、例えば、リソグラフィ技術によって、回路が基板上に形成される。   FIG. 12 is a flowchart showing the contents of the substrate processing step. That is, FIG. 12 is a diagram showing details of step S104 shown in FIG. In the substrate processing step, a circuit is formed on the substrate by lithography, for example.

以下に説明するステップS111〜ステップS114は、基板処理ステップの前処理工程を形成する。各ステップにおける処理は必須とは限らず、製造するマイクロデバイスの仕様に応じて適宜選択される。   Steps S111 to S114 described below form a pretreatment process of the substrate processing step. The processing in each step is not necessarily essential, and is appropriately selected according to the specifications of the microdevice to be manufactured.

前処理工程においては、まず、基板の表面が酸化されて酸化膜が形成される(ステップS111:酸化ステップ)。次に、基板の表面に絶縁膜が形成される(ステップS112:CVDステップ)。以下、例えば蒸着により電極が形成され(ステップS113:電極形成ステップ)、基板へのイオンの打ち込みも実施される(ステップS114:イオン打込みステップ)。   In the pretreatment process, first, the surface of the substrate is oxidized to form an oxide film (step S111: oxidation step). Next, an insulating film is formed on the surface of the substrate (step S112: CVD step). Hereinafter, for example, electrodes are formed by vapor deposition (step S113: electrode formation step), and ions are also implanted into the substrate (step S114: ion implantation step).

次いで、基板処理ステップにおける後処理工程が実行される。後処理工程においては、まず、感光性材料が基板に塗布される(ステップS115:レジスト形成ステップ)。次に、露光装置100により、目的とするパターンに応じた露光パターンで感光性材料が露光される(ステップS116:露光ステップ)。次いで、露光された感光性材料を現像して、基板の表面に、パターンを有するマスク層を形成する(ステップS117:現像ステップ)。   Next, a post-processing step in the substrate processing step is executed. In the post-processing step, first, a photosensitive material is applied to the substrate (step S115: resist formation step). Next, the photosensitive material is exposed by the exposure apparatus 100 with an exposure pattern corresponding to the target pattern (step S116: exposure step). Next, the exposed photosensitive material is developed to form a mask layer having a pattern on the surface of the substrate (step S117: development step).

次に、エッチングにより、マスク層から露出した領域を除去する(ステップS118:エッチングステップ)。更に、既に使用したマスク層を除去する(ステップS119:レジスト除去ステップ)。こうして、基板の表面に回路が形成されるが、上記前処理工程および上記後処理工程は繰り返し実行され、基板上には重層的な回路が形成される。   Next, the region exposed from the mask layer is removed by etching (step S118: etching step). Further, the already used mask layer is removed (step S119: resist removal step). In this way, a circuit is formed on the surface of the substrate, but the pre-processing step and the post-processing step are repeatedly executed, and a multi-layered circuit is formed on the substrate.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

なお、特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置の動作および方法における手順、ステップおよび段階等の実行順序は、「より前に」、「先立って」等と明示している場合、あるいは、前段の出力を後段で用いる場合を除いて任意の順序で実現し得る。特許請求の範囲、明細書および図面において便宜上「まず」、「次に」等を用いていたとしても、この順序による実行が必須であることを意味するとは限らない。   The execution order of the procedures, steps, stages, etc. in the operation and method of the apparatus shown in the claims, the specification, and the drawings is clearly indicated as “before”, “prior”, etc. Alternatively, it can be realized in any order except when the output of the previous stage is used in the subsequent stage. Even if “first”, “next”, and the like are used for convenience in the claims, the description, and the drawings, it does not necessarily mean that execution in this order is essential.

100 露光装置、110 光源、200 光源部、210 制御部、220 空間光変調器、222 反射鏡、223、225 電極、224 基板、226 フレクチャ、230 プリズム、232、234 反射面、240、340 結像光学系、250 ビームスプリッタ、260 計測部、300 照明光学系、312 入射面、310 フライアイレンズ、320 コンデンサ光学系、330 視野絞り、400 投影光学系、410 露光マスク、420 マスクステージ、430 開口絞り、510 基板、520 基板ステージ、610 パターン、620 最適化光源画像群、622、624、626 最適化照明画像、630 基底画像群、640 基底画像サブセット DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Exposure apparatus, 110 Light source, 200 Light source part, 210 Control part, 220 Spatial light modulator, 222 Reflection mirror, 223, 225 Electrode, 224 Substrate, 226 Flexure, 230 Prism, 232, 234 Reflection surface, 240, 340 Imaging Optical system, 250 beam splitter, 260 measuring unit, 300 illumination optical system, 312 entrance plane, 310 fly-eye lens, 320 condenser optical system, 330 field stop, 400 projection optical system, 410 exposure mask, 420 mask stage, 430 aperture stop , 510 substrate, 520 substrate stage, 610 pattern, 620 optimized light source image group, 622, 624, 626 optimized illumination image, 630 base image group, 640 base image subset

Claims (10)

照明光をマスクに導く照明光学系を有する露光装置において、前記照明光学系に入射する入射光に求められた照度分布が形成されるように、光源から入射した照明光に形成する光源画像を生成する生成方法であって、
光源マスク最適化法により露光パターンに応じた複数の最適化光源画像を算出する算出ステップと、
主成分解析により前記複数の最適化光源画像から互いに直交する複数の基底画像を獲得する獲得ステップと、
前記複数の基底画像の一部を除外して基底画像サブセットを組成する組成ステップと、
初期光源画像を前記照明光学系に照射する初期照射ステップと、
前記照明光学系に入射した入射画像を計測する計測ステップと、
前記初期光源画像および前記入射画像のそれぞれを前記基底画像サブセットに展開した場合の係数の差に基づいて前記初期光源画像を補正した補正画像を生成する生成ステップと
を含む生成方法。
In an exposure apparatus having an illumination optical system that guides illumination light to a mask, a light source image to be formed on the illumination light incident from the light source is generated so that the illuminance distribution required for the incident light incident on the illumination optical system is formed A generation method to
A calculation step of calculating a plurality of optimized light source images according to the exposure pattern by a light source mask optimization method;
Acquiring a plurality of base images orthogonal to each other from the plurality of optimized light source images by principal component analysis;
A composition step of excluding a portion of the plurality of base images and composing a base image subset;
An initial irradiation step of irradiating the illumination optical system with an initial light source image;
A measurement step of measuring an incident image incident on the illumination optical system;
A generation method including: generating a corrected image obtained by correcting the initial light source image based on a difference in coefficients when each of the initial light source image and the incident image is expanded into the base image subset.
前記組成ステップにおいて、固有値の小さな基底画像を除外する請求項1に記載の生成方法。   The generation method according to claim 1, wherein in the composition step, a base image having a small eigenvalue is excluded. 前記初期照射ステップにおいて、前記初期光源画像は、初期値としての係数を与えられて前記基底画像サブセットの線形和として発生される請求項1または請求項2に記載の生成方法。   3. The generation method according to claim 1, wherein, in the initial irradiation step, the initial light source image is generated as a linear sum of the base image subset given a coefficient as an initial value. 前記生成ステップにおいて、前記補正画像は、前記初期画像および前記入射画像の固有値の差分が前記基底画像サブセットの線形和全体で小さくなるように算出される請求項1から請求項3までのいずれかに記載の生成方法。   4. The correction image according to claim 1, wherein in the generation step, the corrected image is calculated so that a difference between eigenvalues of the initial image and the incident image is reduced in a whole linear sum of the base image subset. The generation method described. 前記組成ステップは、前記複数の最適化光源画像のそれぞれについて、前記基底画像サブセットで展開した線形和の係数を参照値として保存する保存ステップを更に含み、
前記生成ステップにおいて、前記計測画像の線形和に近い係数を有する前記複数の最適化光源画像のひとつが前記補正画像として選択される請求項1から請求項3までのいずれかに記載の生成方法。
The composition step further includes a storage step of storing, as a reference value, a linear sum coefficient developed in the base image subset for each of the plurality of optimized light source images.
4. The generation method according to claim 1, wherein in the generation step, one of the plurality of optimized light source images having a coefficient close to a linear sum of the measurement images is selected as the correction image.
前記算出ステップ、前記獲得ステップおよび前記組成ステップは、前記露光装置に装填されるマスク毎に実行される請求項1から請求項5までのいずれかに記載の生成方法。   The generation method according to claim 1, wherein the calculation step, the acquisition step, and the composition step are performed for each mask loaded in the exposure apparatus. 前記初期照射ステップ、前記計測ステップおよび前記生成ステップは、露光対象のロットが更新される毎に実行される請求項1から請求項6までのいずれかに記載の生成方法。   The generation method according to any one of claims 1 to 6, wherein the initial irradiation step, the measurement step, and the generation step are executed each time an exposure target lot is updated. 請求項1から請求項7までのいずれかに記載の生成方法を処理装置に実行させるプログラム。   A program that causes a processing apparatus to execute the generation method according to claim 1. 請求項1から請求項7までのいずれかに記載の生成方法を実行する露光用光源。   An exposure light source that executes the generation method according to claim 1. 請求項1から請求項7までのいずれかに記載の生成方法を実行する露光装置。   An exposure apparatus that executes the generation method according to claim 1.
JP2009298854A 2009-12-28 2009-12-28 Generating method, program, light source for exposure, and exposure apparatus Withdrawn JP2011138967A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009298854A JP2011138967A (en) 2009-12-28 2009-12-28 Generating method, program, light source for exposure, and exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009298854A JP2011138967A (en) 2009-12-28 2009-12-28 Generating method, program, light source for exposure, and exposure apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011138967A true JP2011138967A (en) 2011-07-14

Family

ID=44350091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009298854A Withdrawn JP2011138967A (en) 2009-12-28 2009-12-28 Generating method, program, light source for exposure, and exposure apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011138967A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102692814A (en) * 2012-06-18 2012-09-26 北京理工大学 Light source-mask mixed optimizing method based on Abbe vector imaging model
CN102707563A (en) * 2012-06-18 2012-10-03 北京理工大学 Light source and mask alternate optimization method based on Abbe vector imaging model
JP5842808B2 (en) * 2010-02-20 2016-01-13 株式会社ニコン How to adjust pupil intensity distribution
CN115469512A (en) * 2022-09-13 2022-12-13 武汉宇微光学软件有限公司 Light source calibration method and system in light source mask joint optimization
CN115598937A (en) * 2022-12-13 2023-01-13 华芯程(杭州)科技有限公司(Cn) Photoetching mask shape prediction method and device and electronic equipment

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5842808B2 (en) * 2010-02-20 2016-01-13 株式会社ニコン How to adjust pupil intensity distribution
CN102692814A (en) * 2012-06-18 2012-09-26 北京理工大学 Light source-mask mixed optimizing method based on Abbe vector imaging model
CN102707563A (en) * 2012-06-18 2012-10-03 北京理工大学 Light source and mask alternate optimization method based on Abbe vector imaging model
CN102692814B (en) * 2012-06-18 2013-09-11 北京理工大学 Light source-mask mixed optimizing method based on Abbe vector imaging model
CN115469512A (en) * 2022-09-13 2022-12-13 武汉宇微光学软件有限公司 Light source calibration method and system in light source mask joint optimization
CN115598937A (en) * 2022-12-13 2023-01-13 华芯程(杭州)科技有限公司(Cn) Photoetching mask shape prediction method and device and electronic equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4912241B2 (en) Inspection method and inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell, and device manufacturing method
TWI797362B (en) Method for determining an etch profile of a layer of a wafer for a simulation system
CN105452963B (en) Method and inspection equipment and computer program product for the reconstruct quality of the value of the parameter interested to evaluation structure
TWI609245B (en) Inspection method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
CN110832310A (en) Method and system for semiconductor metrology based on polychromatic soft x-ray diffraction
TWI583917B (en) Inspection method and apparatus, substrates for use therein and device manufacturing method
JP2017026638A (en) Inspection apparatus and method
US10634490B2 (en) Determining edge roughness parameters
KR20190089227A (en) Measurement Recipe Generation Using Predictive Measurement Image
JP7427772B2 (en) Method and system for semiconductor metrology based on wavelength-resolved soft X-ray reflectance measurements
TWI544287B (en) Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US20190049861A1 (en) Methods and Apparatus for Determining the Position of a Spot of Radiation, Inspection Apparatus, Device Manufacturing Method
US20160033880A1 (en) Photomask including focus metrology mark, substrate target including focus monitor pattern, metrology method for lithography process, and method of manufacturing integrated circuit device
JP2012527105A (en) Inspection method for lithography
KR20190113932A (en) Methods and devices for predicting the performance of measurement methods, measurement methods and devices
KR102600372B1 (en) Systems and methods for error reduction in metrology measurements
TW201011252A (en) A method of measuring overlay error and a device manufacturing method
JP2011138967A (en) Generating method, program, light source for exposure, and exposure apparatus
JP2019502161A (en) Optical system and method
US11204557B2 (en) Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
JP2022526625A (en) Probabilistic reticle defect handling
JP2005009941A (en) Library preparing method
JP2002203763A (en) Optical characteristic measuring method and device, signal sensitivity setting method, exposure unit and device manufacturing method
TWI723385B (en) Inspection tool, inspection method and computer program product
JP2009016612A (en) Measuring instrument, exposure apparatus, and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20130305