JP2011124152A - Method for manufacturing organic electroluminescence display apparatus and the organic electroluminescence display apparatus - Google Patents

Method for manufacturing organic electroluminescence display apparatus and the organic electroluminescence display apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an organic electroluminescence display apparatus that can eliminate short-circuiting between a positive electrode and a negative electrode in a panel state, and to provide the organic electroluminescence display apparatus. <P>SOLUTION: The method is used for manufacturing the organic EL display apparatus 1. The method includes a step of starting irradiating an organic layer 30 close to a section where the positive electrode 11 and the negative electrode 16 are short-circuited by a laser 25 in pixel 2; and a step of eliminating short-circuiting, by forming a space 26 filled with vapor between the positive electrode 11 and the negative electrode 16 that are short-circuited, by using the vapor generated by at least the vaporization of a part of the organic layer 30 irradiated with the laser 25. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence display device and an organic electroluminescence display device.

従来、アノード(陽極)とカソード(陰極)との間に有機層が介在されてなる有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと称する)素子を備えた有機EL表示装置において、製造工程で有機EL素子に導電性の異物が付着または混入してアノードとカソードとが短絡した場合に、短絡した部分にレーザー照射を行うことで、短絡した部分をリペア(解消)する方式がある(例えば、特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, in an organic EL display device having an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element in which an organic layer is interposed between an anode (anode) and a cathode (cathode), There is a method of repairing (resolving) a short-circuited portion by irradiating the short-circuited portion with a laser when a conductive foreign material adheres or enters and the anode and the cathode are short-circuited (see, for example, Patent Document 1). ).

特許文献1では、有機EL表示装置において、有機EL素子に付着した導電性の異物を検出し、この異物の周辺領域の有機層にレーザー照射を行うことにより、異物が付着した有機EL素子のアノードとカソードとの間の有機層を絶縁化し、高抵抗領域を形成して、異物によるアノードとカソードの短絡を解消している。   In Patent Document 1, in an organic EL display device, conductive foreign matter adhering to an organic EL element is detected, and laser irradiation is performed on an organic layer in a peripheral region of the foreign matter, whereby the anode of the organic EL element to which the foreign matter is attached is disclosed. The organic layer between the cathode and the cathode is insulated to form a high resistance region, thereby eliminating the short circuit between the anode and the cathode caused by foreign matter.

特開2004−227852号公報JP 2004-227852 A

図14は、従来技術における一般的な有機EL表示装置200の断面概略図である。同図に示すように、有機EL表示装置200は、平坦化膜210上に、陽極211と、正孔注入層212と、発光層213と、隔壁214と、電子注入層215と、陰極216と、薄膜封止217と、封止用樹脂219と、透明ガラス218とを備えている。ここで、正孔注入層212、発光層213、電子注入層215を合わせて有機層230と称する。陽極211、有機層230、陰極216を備えた構成は、有機EL素子の基本構成である。このような構成により、陽極211と陰極216との間に適当な電圧が印加されると、陽極211側から正孔、陰極216側から電子がそれぞれ発光層213に注入される。これらの注入された正孔および電子が発光層213で再結合して生じるエネルギーにより、発光層213の発光材料が励起され発光する。   FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of a general organic EL display device 200 in the prior art. As shown in the figure, the organic EL display device 200 includes an anode 211, a hole injection layer 212, a light emitting layer 213, a partition wall 214, an electron injection layer 215, a cathode 216, on a planarizing film 210. , Thin film sealing 217, sealing resin 219, and transparent glass 218. Here, the hole injection layer 212, the light emitting layer 213, and the electron injection layer 215 are collectively referred to as an organic layer 230. A configuration including the anode 211, the organic layer 230, and the cathode 216 is a basic configuration of the organic EL element. With such a configuration, when an appropriate voltage is applied between the anode 211 and the cathode 216, holes are injected from the anode 211 side and electrons are injected from the cathode 216 side into the light emitting layer 213, respectively. By the energy generated by recombination of the injected holes and electrons in the light emitting layer 213, the light emitting material of the light emitting layer 213 is excited and emits light.

ここで、図15は、陽極211と陰極216との間に異物220が混入した有機EL表示装置200の断面概略図である。図15に示すように、有機EL表示装置200の製造工程において、陽極211と陰極216との間に異物220が混入し、陽極211と陰極216とが短絡されるという問題が生じ得る。陽極211と陰極216とが短絡されると、陽極211と陰極216との間の電位差がなくなり、有機EL素子に駆動電流が流れなくなるので、この画素202は滅点画素となる。そこで、陽極211と陰極216の短絡を解消するために、有機EL素子にレーザーを照射する方法が用いられる。   Here, FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of the organic EL display device 200 in which the foreign material 220 is mixed between the anode 211 and the cathode 216. As shown in FIG. 15, in the manufacturing process of the organic EL display device 200, a foreign material 220 is mixed between the anode 211 and the cathode 216, and the anode 211 and the cathode 216 may be short-circuited. When the anode 211 and the cathode 216 are short-circuited, the potential difference between the anode 211 and the cathode 216 disappears, and the drive current does not flow to the organic EL element, so that the pixel 202 becomes a dark spot pixel. Therefore, in order to eliminate the short circuit between the anode 211 and the cathode 216, a method of irradiating the organic EL element with a laser is used.

ここで、特許文献1のように、レーザー照射により異物220の周囲の有機層230を絶縁化して陽極211と陰極216との短絡を解消する方法では、異物220の周囲の有機層230を絶縁化させるので、異物220の大きさが有機層230の膜厚未満である場合の短絡の解消には有効であるが、異物220の大きさが有機層230の膜厚以上である場合には、上記した方法で陽極211と陰極216との短絡を解消することが難しいという問題がある。   Here, as in Patent Document 1, in the method of insulating the organic layer 230 around the foreign material 220 by laser irradiation to eliminate the short circuit between the anode 211 and the cathode 216, the organic layer 230 around the foreign material 220 is insulated. Therefore, it is effective for eliminating a short circuit when the size of the foreign material 220 is less than the thickness of the organic layer 230, but when the size of the foreign material 220 is greater than or equal to the thickness of the organic layer 230, There is a problem that it is difficult to eliminate the short circuit between the anode 211 and the cathode 216 by the above method.

また、有機EL素子から異物220を排除して陽極211と陰極216との短絡を解消しようとしても、異物220、陽極211、陰極216は薄膜封止217や透明ガラス218で挟まれた密閉空間にあるため、パネル状態のままでは陽極211と陰極216との短絡を解消することができず、製造した後にパネルを分解するなど、密閉空間を破壊しなければ異物を排除することができない。   Further, even if the foreign material 220 is removed from the organic EL element to eliminate the short circuit between the anode 211 and the cathode 216, the foreign material 220, the anode 211, and the cathode 216 are placed in a sealed space sandwiched between the thin film sealing 217 and the transparent glass 218. Therefore, in the panel state, the short circuit between the anode 211 and the cathode 216 cannot be eliminated, and foreign matters cannot be excluded unless the sealed space is destroyed, for example, the panel is disassembled after manufacturing.

また、異物220に直接レーザーを照射して異物220を破壊する方法も考えられるが、レーザーを照射された異物220がレーザーのエネルギーを吸収して振動し、当該有機EL素子の陽極211や陰極216が破壊されたり、破壊された部分から発光層213や陰極216が酸素や水蒸気にさらされて劣化(酸化)しパネル全体にダメージを与えたりするおそれがある。   A method of destroying the foreign material 220 by directly irradiating the foreign material 220 with a laser is also conceivable. However, the foreign material 220 irradiated with the laser absorbs the energy of the laser and vibrates, and the anode 211 and the cathode 216 of the organic EL element. May break down, or the light emitting layer 213 and the cathode 216 may be exposed to oxygen or water vapor from the broken portion to deteriorate (oxidize) and damage the entire panel.

本発明は、上記問題点に鑑み、パネル状態で、陽極と陰極との短絡を解消することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および表示装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the manufacturing method and display apparatus of an organic electroluminescent display apparatus which can eliminate the short circuit of an anode and a cathode in a panel state in view of the said problem.

上記課題を解決するために、本発明の一形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、前記画素内において前記陽極と前記陰極とが短絡した部分の近傍の前記有機層にレーザーの照射を開始する工程と、前記レーザーを照射された前記有機層の一部が気化されることにより発生した気体によって、前記短絡した部分に前記気体が充満した空間を形成し、前記短絡を解消する工程とを含むことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to an aspect of the present invention includes: irradiating the organic layer near the portion where the anode and the cathode are short-circuited in the pixel. A step of starting, forming a space filled with the gas in the short-circuited portion by a gas generated by vaporizing a part of the organic layer irradiated with the laser, and eliminating the short-circuit. It is characterized by including.

本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置によれば、パネル状態で、陽極と陰極との短絡を解消することができる。   According to the method for manufacturing an organic electroluminescence display device and the organic electroluminescence display device according to the present invention, it is possible to eliminate a short circuit between the anode and the cathode in the panel state.

実施の形態1における有機EL表示装置の断面概略図である。1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL display device in Embodiment 1. FIG. 短絡された有機EL表示装置の断面概略図である。It is a cross-sectional schematic diagram of a short-circuited organic EL display device. 有機EL表示装置の短絡を解消する工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process of eliminating the short circuit of an organic electroluminescence display. レーザーの照射位置を示す有機EL表示装置の上面図である。It is a top view of the organic electroluminescence display which shows the irradiation position of a laser. 有機EL表示装置の短絡を解消する工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of eliminating the short circuit of an organic electroluminescence display. 有機EL表示装置の短絡を解消する工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of eliminating the short circuit of an organic electroluminescence display. 短絡された有機EL表示装置の断面のSEM写真である。It is a SEM photograph of the section of a short-circuited organic EL display. 短絡が解消された有機EL表示装置の断面のSEM写真である。It is a SEM photograph of the section of an organic electroluminescence display where a short circuit was canceled. 実施の形態1の変形例における有機EL表示装置の断面図である。6 is a cross-sectional view of an organic EL display device according to a modification of the first embodiment. FIG. 実施の形態2における有機EL表示装置の断面概略図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an organic EL display device in a second embodiment. 有機EL表示装置の短絡を解消する工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of eliminating the short circuit of an organic electroluminescence display. 有機EL表示装置の短絡を解消する工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of eliminating the short circuit of an organic electroluminescence display. 本発明の有機EL表示装置を備えたテレビシステムの外観図である。It is an external view of a television system provided with the organic EL display device of the present invention. 本発明の課題を説明するための有機EL表示装置の断面概略図である。It is a section schematic diagram of an organic EL display for explaining a subject of the present invention. 本発明の課題を説明するための有機EL表示装置の断面概略図である。It is a section schematic diagram of an organic EL display for explaining a subject of the present invention.

請求項1に記載の態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とを含む画素を備えた、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記画素内において前記陽極と前記陰極とが短絡した部分の近傍の前記有機層にレーザーの照射を開始する工程と、前記レーザーを照射された前記有機層の少なくとも一部が気化されることにより発生した気体によって、前記短絡した前記陽極と前記陰極との間に前記気体が充満した空間を形成し、前記短絡を解消する工程とを含むものである。   The method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 1 is a method of manufacturing an organic electroluminescence display device including a pixel including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode. Generated by starting laser irradiation of the organic layer in the vicinity of a portion where the anode and the cathode are short-circuited in the pixel, and evaporating at least a part of the organic layer irradiated with the laser Forming a space filled with the gas between the short-circuited anode and the cathode, and eliminating the short-circuit.

本態様によると、短絡した部分近傍の有機層のみを気化させ、気化した気体の圧力により短絡した部分(ショート接点)を離反して空間を形成することにより、陽極および陰極にはダメージを与えることなく、短絡を解消することができる。これにより、陽極と陰極の間の有機層に電圧が印加され、陽極と有機層と陰極とを含む当該画素の発光が回復される。また、有機EL表示装置の表面にレーザーを照射することにより短絡を解消するので、製造後の有機EL表示装置を分解することなく、パネル状態で簡便に短絡を解消することができる。パネル状態で短絡した画素の滅点不良を解消することができるので、有機EL表示装置の歩留まりを向上させることが可能となる。   According to this embodiment, only the organic layer in the vicinity of the short-circuited portion is vaporized, and the space is formed by separating the short-circuited portion (short contact) by the vaporized gas pressure, thereby damaging the anode and the cathode. And short circuit can be eliminated. Thereby, a voltage is applied to the organic layer between the anode and the cathode, and light emission of the pixel including the anode, the organic layer, and the cathode is recovered. Moreover, since a short circuit is eliminated by irradiating the surface of the organic EL display device with a laser, the short circuit can be easily eliminated in a panel state without disassembling the organic EL display device after manufacture. Since the dark spot defect of the pixel short-circuited in the panel state can be eliminated, the yield of the organic EL display device can be improved.

請求項2に記載の態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記短絡した部分は、導電性の異物を介して前記陽極と前記陰極とが短絡しているものである。   The method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 2 is the method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the short-circuited portion is connected to the anode via a conductive foreign matter. The cathode is short-circuited.

本態様によると、異物の大きさが陽極と陰極の間隔よりも大きい場合であっても、異物による陽極と陰極との短絡を解消することができる。   According to this aspect, even when the size of the foreign matter is larger than the distance between the anode and the cathode, a short circuit between the anode and the cathode due to the foreign matter can be eliminated.

請求項3に記載の態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、さらに、前記導電性の異物を検出する工程を含み、該導電性の異物周辺の前記有機層に前記レーザーを照射するものである。   The method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to an aspect of claim 3 further includes a step of detecting the conductive foreign matter in the method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 2, The laser is irradiated to the organic layer around the alien substance.

異物にレーザーを照射すると、異物がレーザーのエネルギーを吸収して振動し、有機EL素子を含む画素にダメージを与えるおそれが生じるが、本態様によると、異物周辺にレーザーを照射するので、画素にダメージを与えることなく短絡を解消することができる。   When a foreign object is irradiated with a laser, the foreign object absorbs the laser energy and vibrates, possibly causing damage to the pixel including the organic EL element. However, according to this aspect, the laser is applied to the periphery of the foreign object. Short circuit can be eliminated without causing damage.

請求項4に記載の態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記短絡した部分は、前記陽極と前記陰極とが直接接触して短絡しているものである。   The method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 4 is the method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the anode and the cathode are in direct contact with each other at the short-circuited portion. Are short-circuited.

本態様によると、表示装置の形成過程でピンホールが形成されたことにより陽極と陰極が直接接触して短絡した場合であっても、短絡した部分近傍の有機層にレーザーを照射して有機層を気化することで、気化により発生した気体によって陽極と陰極との間に空間を形成することにより、陽極と陰極を離反して短絡を解消することができる。   According to this aspect, even when the anode and the cathode are in direct contact and short-circuited due to the formation of pinholes in the process of forming the display device, the organic layer near the short-circuited portion is irradiated with laser. By vaporizing, a space is formed between the anode and the cathode by the gas generated by the vaporization, whereby the anode and the cathode can be separated to eliminate the short circuit.

請求項5に記載の態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記有機層は、電子注入層または電子輸送層を含むものである。   The method for producing an organic electroluminescence display device according to an aspect of the present invention is the method for producing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the organic layer includes an electron injection layer or an electron transport layer.

本態様によると、陽極と陰極の間に設けられる電子注入層または電子輸送層にレーザーを照射して気化させるので、気化させるための層を新たに設けることなく、簡便に短絡した部分のリペアを行うことができる。   According to this aspect, since the electron injection layer or the electron transport layer provided between the anode and the cathode is vaporized by irradiating the laser, the repair of the short-circuited portion can be easily performed without newly providing a layer for vaporization. It can be carried out.

請求項6に記載の態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記レーザーは、出力エネルギーが15〜35μJのYAGレーザーであるものである。   The method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 6 is the method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the laser is a YAG laser having an output energy of 15 to 35 μJ. It is.

本態様によると、使用されるYAGレーザーの出力エネルギーが15μJ以上であるため有機層が確実に気化され、かつ、YAGレーザーの出力エネルギーが35μJ以下であるため薄膜封止が破壊されることなく、短絡を解消することができる。   According to this aspect, since the output energy of the YAG laser used is 15 μJ or more, the organic layer is surely vaporized, and since the output energy of the YAG laser is 35 μJ or less, the thin film sealing is not broken. Short circuit can be eliminated.

請求項7に記載の態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記レーザーは、極短パルスレーザーであるものである。   The method for producing an organic electroluminescence display device according to an aspect of the present invention is the method for producing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the laser is an ultrashort pulse laser.

本態様によると、使用する極短パルスレーザーは波長が1.5μm程度であり、カラーフィルターを透過することができるため、カラーフィルターを介して短絡を解消することができる。   According to this aspect, since the ultrashort pulse laser to be used has a wavelength of about 1.5 μm and can pass through the color filter, a short circuit can be eliminated through the color filter.

請求項8に記載の態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とを含む画素を備えた、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記画素内において前記陽極と前記陰極とが短絡した部分の近傍の前記有機層にレーザーが照射され、該有機層の少なくとも一部が気化されることにより発生した気体によって、前記短絡した前記陽極と前記陰極との間に前記気体が充満した空間が形成されて、前記短絡が解消されているものである。   The organic electroluminescence display device according to claim 8 is an organic electroluminescence display device including a pixel including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode, wherein the anode is disposed in the pixel. The organic layer near the portion where the cathode is short-circuited is irradiated with laser, and the gas generated by vaporizing at least part of the organic layer causes the short-circuit between the anode and the cathode to be short-circuited. A space filled with the gas is formed, and the short circuit is eliminated.

本態様によると、短絡した部分近傍の有機層のみが気化され空間を形成することにより、陽極および陰極にダメージを与えることなく短絡が解消された有機EL表示装置を提供することができる。   According to this aspect, only the organic layer near the short-circuited portion is vaporized to form a space, thereby providing an organic EL display device in which the short-circuit is eliminated without damaging the anode and the cathode.

以下、本発明の実施の形態にかかる有機EL表示装置の製造方法および有機EL表示装置について図面に基づき説明する。なお、以下では、全ての図を通じて同一または相当する要素には同じ符号を付して、その重複する説明を省略する。   Hereinafter, an organic EL display device manufacturing method and an organic EL display device according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same or corresponding elements are denoted by the same reference symbols throughout all the drawings, and redundant description thereof is omitted.

(実施の形態1)
以下に、本発明の実施の形態1について、図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 1)
Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本実施の形態にかかる有機EL表示装置の製造方法により製造された有機EL表示装置1の断面概略図である。同図に示した有機EL表示装置1は、陽極、陰極、および当該両極で挟まれた有機発光層を有する有機EL素子を備えた有機機能デバイスである。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL display device 1 manufactured by the method for manufacturing an organic EL display device according to the present embodiment. The organic EL display device 1 shown in FIG. 1 is an organic functional device including an organic EL element having an anode, a cathode, and an organic light emitting layer sandwiched between the two electrodes.

図1に示すように、有機EL表示装置1は、平坦化膜10上に、陽極11と、正孔注入層12と、発光層13と、隔壁14と、電子注入層15と、陰極16と、薄膜封止17と、封止用樹脂19と、透明ガラス18とを備えている。   As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes an anode 11, a hole injection layer 12, a light emitting layer 13, a partition wall 14, an electron injection layer 15, and a cathode 16 on a planarizing film 10. , A thin film seal 17, a sealing resin 19, and a transparent glass 18.

平坦化膜10は、一例として、絶縁性の有機材料からなり、例えば駆動用の薄膜トランジスタ(TFT)などを含む基板上に形成されている。   For example, the planarization film 10 is made of an insulating organic material, and is formed on a substrate including, for example, a driving thin film transistor (TFT).

陽極11は、正孔が供給される、つまり、外部回路から電流が流れ込むアノードであり、例えば、透明電極であるITO(Indium Tin Oxide)が平坦化膜10上に積層された構造となっている。なお、陽極11は、例えばITOと銀合金APCからなる2層構造であってもよい。   The anode 11 is an anode to which holes are supplied, that is, current flows from an external circuit. For example, ITO (Indium Tin Oxide), which is a transparent electrode, is laminated on the planarizing film 10. . The anode 11 may have a two-layer structure made of, for example, ITO and a silver alloy APC.

正孔注入層12は、正孔注入性の材料を主成分とする層である。正孔注入性の材料とは、陽極11側から注入された正孔を安定的に、または正孔の生成を補助して発光層13へ注入する機能を有する材料であり、例えば、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)、アニリンなどの化合物が使用される。   The hole injection layer 12 is a layer mainly composed of a hole injecting material. The hole injecting material is a material having a function of injecting holes injected from the anode 11 side into the light emitting layer 13 stably or by assisting the generation of holes. For example, PEDOT (polyethylene) Compounds such as dioxythiophene) and aniline are used.

発光層13は、陽極11および陰極16間に電圧が印加されることにより発光する層であり、例えば、下層としてα−NPD(Bis[N−(1−naphthyl)−N−phenyl]benzidine)、上層としてAlq3(tris−(8−hydroxyquinoline)aluminum)が積層された構造となっている。   The light emitting layer 13 is a layer that emits light when a voltage is applied between the anode 11 and the cathode 16. For example, α-NPD (Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl] benzidine), As the upper layer, Alq3 (tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum) is laminated.

電子注入層15は、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、陰極16から注入された電子を安定的に、または電子の生成を補助して発光層13へ注入する機能を有する材料であり、例えば、ポリフェニレンビニレン(PPV)が使用される。   The electron injection layer 15 is a layer mainly composed of an electron injecting material. The electron injecting material is a material having a function of injecting electrons injected from the cathode 16 into the light emitting layer 13 in a stable manner or assisting the generation of electrons. For example, polyphenylene vinylene (PPV) is used. Is done.

陰極16は、電子が供給される、つまり、外部回路へ電流が流れ出すカソードであり、例えば、Al、Ag、Mg等の材料により形成されている。   The cathode 16 is a cathode to which electrons are supplied, that is, a current flows out to an external circuit, and is made of, for example, a material such as Al, Ag, or Mg.

隔壁14は、発光層13を複数の発光領域に分離するための壁であり、例えば、感光性の樹脂からなる。   The partition wall 14 is a wall for separating the light emitting layer 13 into a plurality of light emitting regions, and is made of, for example, a photosensitive resin.

薄膜封止17は、例えば、窒化珪素からなり、上記した発光層13や陰極16を水蒸気や酸素から遮断する機能を有する。発光層13そのものや陰極16が、水蒸気や酸素にさらされることにより劣化(酸化)してしまうことを防止するためである。   The thin film sealing 17 is made of, for example, silicon nitride and has a function of blocking the light emitting layer 13 and the cathode 16 from water vapor and oxygen. This is to prevent the light emitting layer 13 itself or the cathode 16 from being deteriorated (oxidized) by being exposed to water vapor or oxygen.

封止用樹脂19は、アクリルまたはエポキシ系の樹脂であり、上述した基板上に形成された平坦化膜10から薄膜封止17までの一体形成された層と、透明ガラス18とを接合する機能を有する。   The sealing resin 19 is an acrylic or epoxy resin, and has a function of bonding the layer formed integrally from the planarization film 10 to the thin film sealing 17 formed on the substrate and the transparent glass 18. Have

透明ガラス18は、発光パネルの発光表面を保護する基板であり、例えば、厚みが0.5mmである透明の無アルカリガラスである。   The transparent glass 18 is a substrate that protects the light emitting surface of the light emitting panel, and is, for example, a transparent alkali-free glass having a thickness of 0.5 mm.

上記した陽極11、発光層13、陰極16の構成は有機EL素子の基本構成であり、このような構成により、陽極11と陰極16との間に適当な電圧が印加されると、陽極11側から正孔、陰極16側から電子がそれぞれ発光層13に注入される。これらの注入された正孔および電子が発光層13で再結合して生じるエネルギーにより、発光層13の発光材料が励起され発光する。   The configuration of the anode 11, the light emitting layer 13, and the cathode 16 described above is a basic configuration of the organic EL element. With such a configuration, when an appropriate voltage is applied between the anode 11 and the cathode 16, the anode 11 side To holes and electrons from the cathode 16 side are respectively injected into the light emitting layer 13. By the energy generated by recombination of these injected holes and electrons in the light emitting layer 13, the light emitting material of the light emitting layer 13 is excited and emits light.

なお、正孔注入層12および電子注入層15の材料は本発明では限定されるものではなく、周知の有機材料または無機材料が用いられる。   The materials of the hole injection layer 12 and the electron injection layer 15 are not limited in the present invention, and a well-known organic material or inorganic material is used.

また、有機EL表示装置1の構成として、正孔注入層12と発光層13との間に正孔輸送層があってもよいし、電子注入層15と発光層13との間に電子輸送層があってもよい。正孔輸送層とは、正孔輸送性の材料を主成分とする層である。正孔輸送性の材料とは、電子ドナー性を持ち陽イオン(正孔)になりやすい性質と、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、陽極11から発光層13までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。また、電子輸送層は、電子輸送性の材料を主成分とする層である。電子輸送性の材料とは、電子アクセプター性を有し陰イオンになりやすい性質と、発生した電子を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、陰極16から発光層13までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。   In addition, as a configuration of the organic EL display device 1, there may be a hole transport layer between the hole injection layer 12 and the light emitting layer 13, or an electron transport layer between the electron injection layer 15 and the light emitting layer 13. There may be. The hole transport layer is a layer mainly composed of a material having a hole transport property. The hole transporting material has both the property of having an electron donor property and being easily converted to a cation (hole) and the property of transmitting the generated holes by intermolecular charge transfer reaction. It is a material that has suitability for up to charge transport. The electron transport layer is a layer mainly composed of an electron transport material. The electron transporting material has both the property of being an electron acceptor and easily becoming an anion, and the property of transmitting the generated electrons by a charge transfer reaction between molecules, and for charge transport from the cathode 16 to the light emitting layer 13. It is a material that has appropriateness to it.

また、有機EL表示装置1は、さらに、隔壁14で分離された各発光領域を覆うように、透明ガラス18の下面に、赤、緑および青の色調整を行うカラーフィルターを備える構成であってもよい。   The organic EL display device 1 further includes a color filter that adjusts red, green, and blue colors on the lower surface of the transparent glass 18 so as to cover each light emitting region separated by the partition wall 14. Also good.

なお、本発明において、正孔注入層12、発光層13、電子注入層15を合わせて有機層30と称する。また、正孔輸送層、電子輸送層を有する場合には、これらの層も有機層30に含まれる。有機層30の厚さは、一例として、100〜200nmである。また、隔壁14で分離された発光領域に配置された平坦化膜10、陽極11、有機層30、陰極16、薄膜封止17、透明ガラス18を、画素2と称する。   In the present invention, the hole injection layer 12, the light emitting layer 13, and the electron injection layer 15 are collectively referred to as an organic layer 30. In addition, when the hole transport layer and the electron transport layer are included, these layers are also included in the organic layer 30. As an example, the thickness of the organic layer 30 is 100 to 200 nm. Further, the planarization film 10, the anode 11, the organic layer 30, the cathode 16, the thin film sealing 17, and the transparent glass 18 that are disposed in the light emitting region separated by the partition wall 14 are referred to as pixels 2.

さらに、図1に示した有機EL表示装置1は、製造工程において、陽極11と陰極16との間に導電性の異物20が混入し、異物20を介して陽極11と陰極16とが短絡している。そして、異物20の周囲に空間26を形成することにより、異物20により短絡された陽極11と陰極16とを離反して短絡を解消した構成となっている。短絡した部分のリペアの工程については、後に説明する。   Furthermore, in the organic EL display device 1 shown in FIG. 1, in the manufacturing process, conductive foreign matter 20 is mixed between the anode 11 and the cathode 16, and the anode 11 and the cathode 16 are short-circuited via the foreign matter 20. ing. Then, by forming a space 26 around the foreign material 20, the anode 11 and the cathode 16 short-circuited by the foreign material 20 are separated from each other, thereby eliminating the short circuit. The repair process for the short-circuited portion will be described later.

次に、有機EL表示装置1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the organic EL display device 1 will be described.

はじめに、有機EL素子の形成工程について説明する。図2は、形成された有機EL素子の概略断面図であり、短絡された有機EL表示装置の断面構造を示している。まず、TFTを含む基板上に、絶縁性の有機材料からなる平坦化膜10が形成され、その後、平坦化膜10上に陽極11が形成される。   First, the formation process of an organic EL element is demonstrated. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the formed organic EL element, and shows a cross-sectional structure of the short-circuited organic EL display device. First, a planarizing film 10 made of an insulating organic material is formed on a substrate including a TFT, and then an anode 11 is formed on the planarizing film 10.

陽極11は、例えば、スパッタリング法により平坦化膜10上にITOが300nm成膜され、その後、フォトリソグラフィーとウエットエッチングによるパターニング工程を経ることにより形成される。   The anode 11 is formed, for example, by depositing 300 nm of ITO on the planarizing film 10 by a sputtering method, and then performing a patterning process by photolithography and wet etching.

正孔注入層12は、陽極11上に、例えば、PEDOTをキシレンよりなる溶剤に溶かし、このPEDOT溶液をスピンコートすることにより形成される。   The hole injection layer 12 is formed on the anode 11 by, for example, dissolving PEDOT in a solvent made of xylene and spin-coating this PEDOT solution.

次に、正孔注入層12の上に、例えば、真空蒸着法によりα−NPD、Alq3が積層され、発光層13が形成される。   Next, α-NPD and Alq3 are stacked on the hole injection layer 12 by, for example, a vacuum deposition method, and the light emitting layer 13 is formed.

次に、発光層13の上に、例えば、ポリフェニレンビニレン(PPV)を例えばキシレンまたはクロロホルムよりなる溶剤に溶かしてスピンコートすることにより、電子注入層15が形成される。   Next, the electron injection layer 15 is formed on the light emitting layer 13 by, for example, dissolving polyphenylene vinylene (PPV) in a solvent made of, for example, xylene or chloroform and performing spin coating.

続けて、電子注入層15が形成された基板を大気曝露させることなく、電子注入層15の上に、例えば、スパッタリング法によりAlが100nm積層されることにより、陰極16が形成される。   Subsequently, the cathode 16 is formed by laminating 100 nm of Al on the electron injection layer 15 by sputtering, for example, without exposing the substrate on which the electron injection layer 15 is formed to the atmosphere.

上記のような製造工程により、発光素子としての機能をもつ有機EL素子が形成される。なお、正孔注入層12の形成工程と発光層13の形成工程との間に、表面感光性樹脂からなる隔壁14が所定位置に形成される。   By the manufacturing process as described above, an organic EL element having a function as a light emitting element is formed. A partition 14 made of a surface photosensitive resin is formed at a predetermined position between the step of forming the hole injection layer 12 and the step of forming the light emitting layer 13.

次に、陰極16の上に、例えば、プラズマCVD法により窒化珪素が500nm積層され、薄膜封止17が形成される。薄膜封止17は、陰極16の表面に接して形成されるので、特に、保護膜としての必要条件を厳しくすることが好ましく、上述した窒化珪素に代表されるような非酸素系無機材料が好ましい。また、例えば、酸化珪素(SiXY)や酸窒化珪素(SiXYZ)のような酸素系無機材料や、これらの無機材料が複数層形成された構成であってもよい。また、形成方法は、プラズマCVD法に限らず、アルゴンプラズマを用いたスパッタリング法など、その他の方法であってもよい。 Next, 500 nm of silicon nitride is laminated on the cathode 16 by, for example, plasma CVD to form a thin film seal 17. Since the thin film seal 17 is formed in contact with the surface of the cathode 16, it is particularly preferable that the necessary conditions as a protective film are tightened, and a non-oxygen-based inorganic material represented by the above-described silicon nitride is preferable. . Further, for example, an oxygen-based inorganic material such as silicon oxide (Si x O y ) or silicon oxynitride (Si x O y N z ), or a structure in which a plurality of these inorganic materials are formed may be used. Further, the forming method is not limited to the plasma CVD method, and may be other methods such as a sputtering method using argon plasma.

次に、薄膜封止17の表面に、封止用樹脂19が塗布される。その後、塗布された封止用樹脂19上に透明ガラス18が配置される。ここで、有機EL表示装置1にカラーフィルターが配置される場合には、透明ガラス18の主面にあらかじめカラーフィルターが形成され、カラーフィルターが形成された面を下方にして、塗布された封止用樹脂19上に透明ガラス18が配置される。   Next, a sealing resin 19 is applied to the surface of the thin film sealing 17. Thereafter, the transparent glass 18 is disposed on the applied sealing resin 19. Here, when a color filter is disposed in the organic EL display device 1, a color filter is formed in advance on the main surface of the transparent glass 18, and the coated seal is applied with the surface on which the color filter is formed facing downward. A transparent glass 18 is disposed on the resin 19.

最後に、透明ガラス18が上面側から下方に加圧され、熱またはエネルギー線が付加されて封止用樹脂19が硬化され、透明ガラス18と薄膜封止17とが接着される。   Finally, the transparent glass 18 is pressed downward from the upper surface side, heat or energy rays are applied to cure the sealing resin 19, and the transparent glass 18 and the thin film sealing 17 are bonded.

このような形成方法により、図2に示す有機EL表示装置1が形成される。   By such a forming method, the organic EL display device 1 shown in FIG. 2 is formed.

なお、陽極11、正孔注入層12、発光層13、電子注入層15、陰極16の形成工程は、本発明により限定されるものではない。   In addition, the formation process of the anode 11, the hole injection layer 12, the light emitting layer 13, the electron injection layer 15, and the cathode 16 is not limited by this invention.

図2は、製造工程において、陽極11と陰極16との間に導電性の異物20が混入し、異物20を介して陽極11と陰極16とが短絡された有機EL表示装置1の断面図を示している。異物20は、例えば、陽極11の材料であるITOが、陽極11の形成後、陽極11上に付着し、続けて、正孔注入層12、発光層13、電子注入層15、陰極16が積層されたために生じたものである。異物20により陽極11と陰極16が短絡されるので、この画素2では有機EL素子は発光せず、滅点画素となる。   FIG. 2 is a sectional view of the organic EL display device 1 in which conductive foreign matter 20 is mixed between the anode 11 and the cathode 16 and the anode 11 and the cathode 16 are short-circuited through the foreign matter 20 in the manufacturing process. Show. As the foreign material 20, for example, ITO, which is the material of the anode 11, is deposited on the anode 11 after the formation of the anode 11, and then the hole injection layer 12, the light emitting layer 13, the electron injection layer 15, and the cathode 16 are laminated. It was because it was done. Since the anode 11 and the cathode 16 are short-circuited by the foreign matter 20, the organic EL element does not emit light in this pixel 2 and becomes a dark spot pixel.

次に、上記した異物20により陽極11と陰極16とが短絡した有機EL表示装置1において、短絡した部分のリペアの工程について説明する。図3に、短絡のリペア工程のフローチャートを示す。   Next, in the organic EL display device 1 in which the anode 11 and the cathode 16 are short-circuited by the foreign matter 20 described above, a repair process for the short-circuited portion will be described. FIG. 3 shows a flowchart of the short repair process.

短絡した部分のリペアは、上記した正孔注入層12、発光層13、電子注入層15からなる有機層30にレーザーを照射することにより行われる。具体的には、異物20により短絡した部分、または、混入した異物20そのものを検出し(ステップS10)、画素2内において短絡した部分の近傍または異物20の周辺の有機層30に、透明ガラス18側からレーザーの照射を開始する(ステップS11)。そして、レーザーを照射された有機層30の一部が気化され(ステップS12)、該気化により発生した気体によって、短絡した部分に気体が充満した空間26を形成し、短絡を解消する(ステップS13)。   Repair of the short-circuited portion is performed by irradiating the organic layer 30 including the hole injection layer 12, the light emitting layer 13, and the electron injection layer 15 with a laser. Specifically, a portion short-circuited by the foreign matter 20 or the mixed foreign matter 20 itself is detected (step S10), and the transparent glass 18 is formed on the organic layer 30 in the vicinity of the short-circuited portion in the pixel 2 or around the foreign matter 20. Laser irradiation is started from the side (step S11). Then, a part of the organic layer 30 irradiated with the laser is vaporized (step S12), and the gas generated by the vaporization forms a space 26 filled with gas in the short-circuited portion, thereby eliminating the short-circuit (step S13). ).

短絡した部分または異物20の検出は、各画素2に中間輝度階調に対応した輝度信号電圧を入力することにより、正常画素の発光輝度に比べて低輝度の画素を目視により検出する。なお、短絡した部分または異物20の検出は、上記した方法に限らず、例えば、有機EL素子の陽極11および陰極16の間に流れる電流値を測定し、電流値の大きさに基づいて検出してもよい。この場合、順バイアス電圧を印加すると正常画素と同等の電流値が得られ、逆バイアスの電圧を印加するとリーク発光が観測される部分を、短絡した部分または異物20が混入した部分であると判断してもよい。   To detect the short-circuited part or the foreign object 20, by inputting a luminance signal voltage corresponding to the intermediate luminance gradation to each pixel 2, a pixel having a lower luminance than that of a normal pixel is visually detected. Note that the detection of the short-circuited part or the foreign material 20 is not limited to the above-described method. For example, the current value flowing between the anode 11 and the cathode 16 of the organic EL element is measured and detected based on the magnitude of the current value. May be. In this case, when a forward bias voltage is applied, a current value equivalent to that of a normal pixel is obtained, and when a reverse bias voltage is applied, a portion where leakage light emission is observed is determined to be a short-circuited portion or a portion where foreign matter 20 is mixed. May be.

図4は、有機EL表示装置1の上面図であり、異物20に対するレーザーの照射領域を示している。同図において、領域22がレーザーの照射位置である。また、図5および図6は、有機EL表示装置1の短絡を解消する工程を示す断面図である。   FIG. 4 is a top view of the organic EL display device 1 and shows a laser irradiation region on the foreign material 20. In the figure, a region 22 is a laser irradiation position. 5 and 6 are cross-sectional views showing a process of eliminating the short circuit of the organic EL display device 1. FIG.

異物20の検出後、図4および図5に示すように、異物20を挟んで等間隔の、例えば異物から1μm離れた両側の位置に、平行に設定された長さ1μm程度の領域22にレーザー25が照射される。レーザー25の焦点は、有機層30の例えば電子注入層15に合わせて設定される。なお、有機層30が電子輸送層を備える場合には、電子輸送層にレーザー25の焦点を設定してもよい。   After the detection of the foreign object 20, as shown in FIGS. 4 and 5, the laser is applied to a region 22 having a length of about 1 μm set in parallel at equal intervals, for example, 1 μm away from the foreign object. 25 is irradiated. The focal point of the laser 25 is set in accordance with, for example, the electron injection layer 15 of the organic layer 30. If the organic layer 30 includes an electron transport layer, the focus of the laser 25 may be set on the electron transport layer.

照射されるレーザー25の種類は、例えば、出力エネルギーが15〜35μJで、パルス幅が数十nmのYAGレーザーが用いられる。レーザー25の種類は上記した例に限らず、例えば、パルス幅が10ps以下の極短パルスレーザーなどを用いてもよいし、有機層30に吸収されやすい波長のレーザーを選択してもよい。また、レーザー25の出力エネルギーは、上記した範囲に限らず、有機層30が気化され、かつ、薄膜封止17が破壊されない程度の出力エネルギーであればよい。   As the type of the laser 25 to be irradiated, for example, a YAG laser having an output energy of 15 to 35 μJ and a pulse width of several tens of nm is used. The type of the laser 25 is not limited to the above-described example. For example, an ultrashort pulse laser having a pulse width of 10 ps or less may be used, or a laser having a wavelength that is easily absorbed by the organic layer 30 may be selected. Further, the output energy of the laser 25 is not limited to the above range, and any output energy may be used as long as the organic layer 30 is vaporized and the thin film sealing 17 is not broken.

また、図4に示した領域23は、領域22に照射されたレーザーにより、影響を受ける有機層30の範囲を示している。領域22に照射されたレーザーの熱エネルギーは、領域22の周囲の、例えば、レーザーを照射した位置から1μm程度離れた範囲(領域23)に広がり、融点以上の温度に上昇した有機層30が液化され、さらに気化されて気体が発生する。この気体により異物20の周囲に気体が充満された空間26が形成され、陽極11と陰極16の短絡が解消される。なお、気体の発生は、有機層30が液化され、さらに気化される状態変化に限らず、有機層30を形成する材料の種類により、有機層30の昇華による気化、有機層30の分解による気化などであってもよい。   In addition, a region 23 illustrated in FIG. 4 indicates a range of the organic layer 30 that is affected by the laser irradiated to the region 22. The thermal energy of the laser irradiated to the region 22 spreads in a range (region 23) around the region 22, for example, about 1 μm away from the position irradiated with the laser, and the organic layer 30 that has risen to a temperature higher than the melting point is liquefied. Is further vaporized to generate gas. This gas forms a space 26 filled with gas around the foreign matter 20, and the short circuit between the anode 11 and the cathode 16 is eliminated. The generation of gas is not limited to the state change in which the organic layer 30 is liquefied and further vaporized, but depending on the type of material forming the organic layer 30, vaporization by sublimation of the organic layer 30 and vaporization by decomposition of the organic layer 30. It may be.

図6は、レーザー25を照射して有機層30が気化した後の有機EL表示装置1の断面図を示している。同図に示すように、異物20により陽極11と短絡されていた陰極16および薄膜封止17は、気化により発生した気体の圧力により押し上げられ、変形される。つまり、異物20と陰極16の間に気体が充満した空間26が形成され、異物20と陰極16の短絡した部分が離反され、短絡が解消される。これにより、当該画素2の発光が回復されることとなる。   FIG. 6 shows a cross-sectional view of the organic EL display device 1 after the organic layer 30 is vaporized by irradiation with the laser 25. As shown in the figure, the cathode 16 and the thin film seal 17 short-circuited with the anode 11 by the foreign matter 20 are pushed up and deformed by the pressure of the gas generated by vaporization. That is, a space 26 filled with gas is formed between the foreign matter 20 and the cathode 16, the short-circuited portion between the foreign matter 20 and the cathode 16 is separated, and the short circuit is eliminated. Thereby, the light emission of the pixel 2 is recovered.

図7および図8は、有機EL表示装置1の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した断面写真を示しており、図7はレーザーの照射により短絡を解消する工程の前、図8はレーザーの照射により短絡を解消する工程の後の有機EL表示装置1を示している。なお、図7および図8に示す有機EL表示装置1は、観察の都合上異なるものである。   7 and 8 show cross-sectional photographs obtained by observing the cross section of the organic EL display device 1 with a scanning electron microscope (SEM). FIG. 7 shows a step before the short circuit is eliminated by laser irradiation. The organic electroluminescence display 1 after the process of eliminating a short circuit by laser irradiation is shown. The organic EL display device 1 shown in FIGS. 7 and 8 is different for the convenience of observation.

図7に示すレーザー照射前の有機EL表示装置1の断面写真では、陽極11と陰極16の間に混入した異物20により、陽極11および陰極16が短絡されている様子が観察されている。一方、図8に示すレーザー照射後の有機EL表示装置1の断面写真では、陽極11と陰極16の間に異物20が混入しているものの、陰極16および薄膜封止17が押し上げられて変形され、異物20と陰極16との間に空間26が形成されている様子が観察されている。この空間26により、陽極11と陰極16の短絡が解消されている。   In the cross-sectional photograph of the organic EL display device 1 before laser irradiation shown in FIG. 7, it is observed that the anode 11 and the cathode 16 are short-circuited by the foreign matter 20 mixed between the anode 11 and the cathode 16. On the other hand, in the cross-sectional photograph of the organic EL display device 1 after laser irradiation shown in FIG. 8, although the foreign material 20 is mixed between the anode 11 and the cathode 16, the cathode 16 and the thin film sealing 17 are pushed up and deformed. It has been observed that a space 26 is formed between the foreign material 20 and the cathode 16. By this space 26, the short circuit between the anode 11 and the cathode 16 is eliminated.

図7に示した有機EL表示装置1では、異物20の大きさは、一例として直径が600nm、高さが300nm程度である。また、図8に示すように、陰極16および薄膜封止17は、レーザー25の照射により一例として300〜400nm押し上げられている。なお、図8に示したSEM観察写真より、押し上げられた陰極16および薄膜封止17は、いったん変形されるとその形状が保持されるものと考えられる。   In the organic EL display device 1 shown in FIG. 7, the size of the foreign material 20 is, for example, a diameter of about 600 nm and a height of about 300 nm. Further, as shown in FIG. 8, the cathode 16 and the thin film seal 17 are pushed up by 300 to 400 nm as an example by irradiation with a laser 25. From the SEM observation photograph shown in FIG. 8, it is considered that the pushed-up cathode 16 and thin film seal 17 are maintained in their shapes once deformed.

なお、空間26は、異物20と陰極16との間に限らず、陽極11と陰極16との短絡が解消されるのであれば、陽極11と異物20との間に形成されてもよい。また、レーザーが照射される領域22は、上記したように異物20を挟むように設けられた平行な2領域に限らず、例えば、異物20の片側に直線状に設けられてもよいし、異物20の周囲を囲むように設けられてもよい。また、レーザー25の焦点も、電子注入層15に限らず発光層13や正孔注入層12に設定されてもよい。   The space 26 is not limited to between the foreign material 20 and the cathode 16, and may be formed between the anode 11 and the foreign material 20 as long as the short circuit between the anode 11 and the cathode 16 is eliminated. Further, the region 22 irradiated with the laser is not limited to the two parallel regions provided so as to sandwich the foreign material 20 as described above, and may be provided linearly on one side of the foreign material 20, for example. It may be provided so as to surround 20. Further, the focal point of the laser 25 may be set not only on the electron injection layer 15 but also on the light emitting layer 13 and the hole injection layer 12.

(実施の形態1の変形例)
次に、実施の形態1の変形例について説明する。本変形例では、有機EL表示装置1に照射されるレーザーの照射領域が実施の形態1と異なる。
(Modification of Embodiment 1)
Next, a modification of the first embodiment will be described. In this modification, the irradiation area of the laser irradiated on the organic EL display device 1 is different from that in the first embodiment.

図9は、本変形例における有機EL表示装置1の断面図であり、陽極11と陰極16とが短絡された部分にレーザー35を照射したときの、有機EL表示装置1の断面図を示す。   FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display device 1 in the present modification, and shows a cross-sectional view of the organic EL display device 1 when the portion where the anode 11 and the cathode 16 are short-circuited is irradiated with the laser 35.

図9に示すように、本変形例では、異物20を含む所定領域の有機層30にレーザー35が照射される。異物20にレーザー35を照射すると、異物20がレーザー35のエネルギーを吸収して振動し、画素2にダメージを与えるおそれが生じるが、異物20の周囲の有機層30にレーザー35の焦点を設定することにより、異物20にレーザーのエネルギーが吸収されるのを抑制して、異物20の周囲の有機層30を気化することができる。   As shown in FIG. 9, in the present modification, a laser 35 is irradiated on the organic layer 30 in a predetermined region including the foreign material 20. When the foreign matter 20 is irradiated with the laser 35, the foreign matter 20 absorbs the energy of the laser 35 and vibrates to cause damage to the pixels 2. However, the focus of the laser 35 is set on the organic layer 30 around the foreign matter 20. By this, it can suppress that the energy of a laser is absorbed by the foreign material 20, and the organic layer 30 around the foreign material 20 can be vaporized.

したがって、気化により発生した気体により陰極16および薄膜封止17が押し上げられて変形され、異物20と陰極16との間に空間36が形成される。これにより、陽極11と陰極16の短絡が解消され、当該画素2の発光が回復される。   Accordingly, the cathode 16 and the thin film seal 17 are pushed up and deformed by the gas generated by the vaporization, and a space 36 is formed between the foreign matter 20 and the cathode 16. Thereby, the short circuit between the anode 11 and the cathode 16 is eliminated, and the light emission of the pixel 2 is recovered.

なお、レーザー35の種類、波長、出力エネルギーは、上記した実施の形態1と同様に、有機層30が気化され、かつ、薄膜封止17が破壊されないのであれば、どのように変更してもよい。   Note that the type, wavelength, and output energy of the laser 35 can be changed in any manner as long as the organic layer 30 is vaporized and the thin film sealing 17 is not broken, as in the first embodiment. Good.

(実施の形態2)
次に、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態が上記した実施の形態1と異なる点は、陽極と陰極が直接短絡した有機EL表示装置において、短絡した部分のリペアを行う点である。
(Embodiment 2)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The present embodiment is different from the above-described first embodiment in that the shorted portion is repaired in the organic EL display device in which the anode and the cathode are directly short-circuited.

図10は、本実施の形態における有機EL表示装置100の断面概略図である。同図に示した有機EL表示装置100は、実施の形態1で示した有機EL表示装置1と同様に、平坦化膜110上に、陽極111と、正孔注入層112と、発光層113と、隔壁114と、電子注入層115と、陰極116と、薄膜封止117と、封止用樹脂119と、透明ガラス118とを備えている。各構成は、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。なお、実施の形態1と同様に、本実施の形態においても、正孔注入層112、発光層113、電子注入層115を合わせて有機層130と称する。また、正孔輸送層、電子輸送層を有する場合には、これらの層も有機層130に含まれる。また、隔壁114で分離された発光領域に配置された平坦化膜110、陽極111、有機層130、陰極116、薄膜封止117、透明ガラス118を、画素102と称する。   FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the organic EL display device 100 in the present embodiment. Similar to the organic EL display device 1 shown in the first embodiment, the organic EL display device 100 shown in FIG. , A partition wall 114, an electron injection layer 115, a cathode 116, a thin film sealing 117, a sealing resin 119, and a transparent glass 118. Since each structure is the same as that of Embodiment 1, description is abbreviate | omitted. Note that the hole injection layer 112, the light emitting layer 113, and the electron injection layer 115 are collectively referred to as an organic layer 130 in this embodiment as in Embodiment 1. In the case where a hole transport layer and an electron transport layer are provided, these layers are also included in the organic layer 130. Further, the planarization film 110, the anode 111, the organic layer 130, the cathode 116, the thin film sealing 117, and the transparent glass 118 arranged in the light emitting region separated by the partition wall 114 are referred to as a pixel 102.

図10では、陽極111と陰極116が、短絡箇所120において直接接触して短絡されている。これは、例えば、有機層130の形成工程において短絡箇所120の位置にピンホールが形成され、その後、陰極116の形成工程において当該ピンホールに陰極116を構成する材料が流入されて陰極116が形成されたために、このような短絡が発生したものである。   In FIG. 10, the anode 111 and the cathode 116 are directly contacted and short-circuited at the short-circuit portion 120. This is because, for example, a pinhole is formed at the position of the short-circuited portion 120 in the formation process of the organic layer 130, and then a material constituting the cathode 116 is introduced into the pinhole in the formation process of the cathode 116 to form the cathode 116. Therefore, such a short circuit has occurred.

次に、上記した陽極111と陰極116とが短絡した短絡箇所120のリペアの工程について説明する。   Next, the process of repairing the short circuit location 120 where the anode 111 and the cathode 116 are short-circuited will be described.

短絡箇所120のリペアは、実施の形態1と同様に、短絡箇所120の近傍の有機層130にレーザー125を照射することにより行われる。具体的には、画素102内において短絡箇所120の近傍の有機層130に、透明ガラス18側からレーザー125を照射し、有機層130の一部を気化させて、該気化により発生した気体の圧力によって、陰極116、薄膜封止117が押し上げられ、短絡箇所120に気体が充満した空間126を形成し、陽極111と陰極116とを離反する。照射されるレーザー125の種類は、例えば、出力エネルギーが15〜35μJで、パルス幅が数十nmのYAGレーザーが用いられる。   The repair of the short-circuit portion 120 is performed by irradiating the organic layer 130 in the vicinity of the short-circuit portion 120 with the laser 125 as in the first embodiment. Specifically, a laser 125 is irradiated from the transparent glass 18 side to the organic layer 130 in the vicinity of the short-circuited portion 120 in the pixel 102 to vaporize a part of the organic layer 130, and the pressure of the gas generated by the vaporization As a result, the cathode 116 and the thin film seal 117 are pushed up to form a space 126 filled with gas in the short-circuited portion 120, and the anode 111 and the cathode 116 are separated from each other. As the type of the laser 125 to be irradiated, for example, a YAG laser having an output energy of 15 to 35 μJ and a pulse width of several tens of nm is used.

図11および図12は、有機EL表示装置の短絡箇所120のリペアの工程を示す断面図である。   FIG. 11 and FIG. 12 are cross-sectional views showing a repair process of the short-circuited portion 120 of the organic EL display device.

図11は、レーザー125を照射したときの有機EL表示装置100の断面概略図である。レーザー125は、短絡箇所120を含む所定領域の有機層130に照射される。また、照射されたレーザーの熱エネルギーは、レーザー125が照射された領域の周囲の所定範囲に広がり、例えば、融点以上の温度に上昇した有機層130が液化され、さらに気化されて気体が発生する。   FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of the organic EL display device 100 when the laser 125 is irradiated. The laser 125 irradiates the organic layer 130 in a predetermined region including the short-circuit portion 120. Further, the thermal energy of the irradiated laser spreads over a predetermined range around the region irradiated with the laser 125. For example, the organic layer 130 that has risen to a temperature equal to or higher than the melting point is liquefied and further vaporized to generate gas. .

この気体により、図12に示すように、短絡箇所120を含む所定の領域に空間126が形成され、この空間126により、陽極111と陰極116の短絡が解消され、当該有機EL素子の発光が回復される。なお、気体の発生は、有機層130が液化されてさらに気化される状態変化に限らず、有機層130を形成する材料の種類により、有機層130の昇華による気化、有機層130の分解による気化などであってもよい。   With this gas, as shown in FIG. 12, a space 126 is formed in a predetermined region including the short-circuit portion 120, and the short circuit between the anode 111 and the cathode 116 is eliminated by this space 126, and the light emission of the organic EL element is recovered. Is done. Note that the generation of gas is not limited to the state change in which the organic layer 130 is further liquefied by being liquefied, but vaporization by sublimation of the organic layer 130 and vaporization by decomposition of the organic layer 130 depending on the type of material forming the organic layer 130. It may be.

なお、実施の形態1と同様に、短絡箇所120を挟んで等間隔の両側に平行にレーザー125が照射されてもよい。また、短絡箇所120のリペアの工程の前に、短絡箇所120を検出する工程を設けてもよい。   Note that, similarly to the first embodiment, the laser 125 may be irradiated in parallel on both sides at equal intervals across the short-circuit portion 120. Moreover, you may provide the process of detecting the short circuit location 120 before the repair process of the short circuit location 120. FIG.

なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形を行ってもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various improvements and modifications may be made without departing from the gist of the present invention.

例えば、レーザーの種類は上記した例に限らず、例えば、パルス幅が10ps以下の極短パルスレーザーなどを用いてもよい。また、レーザーの出力エネルギーは、上記した範囲に限らず、有機層が気化され、かつ、薄膜封止が破壊されない程度の出力エネルギーであればよい。   For example, the type of laser is not limited to the above example, and for example, an ultrashort pulse laser having a pulse width of 10 ps or less may be used. Further, the output energy of the laser is not limited to the above range, and any output energy may be used as long as the organic layer is vaporized and the thin film sealing is not broken.

また、有機EL表示装置の構成である平坦化膜、陽極、正孔注入層、発光層、隔壁、電子注入層、陰極、薄膜封止、封止用樹脂、透明ガラスは、上記した実施の形態に示した構成に限らず、材料や構成、形成方法を変更してもよい。例えば、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層があってもよいし、電子注入層と発光層との間に電子輸送層があってもよい。また、隔壁で分離された各発光領域を覆うように、透明ガラスの下面に、赤、緑および青の色調整を行うカラーフィルターを備える構成であってもよい。また、有機層の気化は、有機層が液化されてさらに気化される状態変化に限らず、有機層の昇華による気化、有機層の分解による気化などであってもよく、気化の状態変化の種類にかかわらず、有機層を形成する材料の種類を変更してもよい。   Further, the planarization film, anode, hole injection layer, light emitting layer, partition wall, electron injection layer, cathode, thin film sealing, sealing resin, and transparent glass, which are the configurations of the organic EL display device, are described in the above embodiments. The material, the configuration, and the forming method are not limited to the configuration shown in FIG. For example, a hole transport layer may be provided between the hole injection layer and the light emitting layer, or an electron transport layer may be provided between the electron injection layer and the light emitting layer. Moreover, the structure provided with the color filter which performs the color adjustment of red, green, and blue on the lower surface of transparent glass so that each light emission area | region isolate | separated by the partition may be covered may be sufficient. Further, the vaporization of the organic layer is not limited to the state change in which the organic layer is liquefied and further vaporized, but may be vaporization by sublimation of the organic layer, vaporization by decomposition of the organic layer, and the like. Regardless, the type of material forming the organic layer may be changed.

また、レーザーの照射位置は、上記した実施の形態に限定されず、異物や短絡箇所の両側に平行に設けられなくてもよく、例えば、異物や短絡箇所の片側に直線状に設けられてもよいし、異物や短絡箇所の周囲を囲むように設けられてもよい。   Further, the laser irradiation position is not limited to the above-described embodiment, and may not be provided in parallel on both sides of the foreign object or the short-circuited part. For example, the laser irradiation position may be provided linearly on one side of the foreign object or the short-circuited part. Alternatively, it may be provided so as to surround a foreign object or a short-circuited portion.

また、本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。例えば、図13に示すような、本発明にかかる有機EL表示装置を備えた薄型フラットテレビシステムも本発明に含まれる。   In addition, various modifications that are conceivable by those skilled in the art and forms constructed by combining components in different embodiments are also within the scope of the present invention without departing from the spirit of the present invention. included. For example, a thin flat TV system including the organic EL display device according to the present invention as shown in FIG. 13 is also included in the present invention.

本発明にかかる有機EL表示装置の製造方法および有機EL表示装置は、特に、大画面および高解像度が要望される薄型テレビおよびパーソナルコンピュータのディスプレイなどの技術分野に有用である。   The method for producing an organic EL display device and the organic EL display device according to the present invention are particularly useful in technical fields such as a flat-screen television and a personal computer display that require a large screen and high resolution.

1、100、200 有機EL表示装置
2、102、202 画素
11、111、211 陽極
12、112、212 正孔注入層(有機層)
13、113、213 発光層(有機層)
15、115、215 電子注入層(有機層)
16、116、216 陰極
20、220 異物
25、35、125 レーザー
26、36、126 空間
30、130、230 有機層
120 短絡箇所
1, 100, 200 Organic EL display device 2, 102, 202 Pixel 11, 111, 211 Anode 12, 112, 212 Hole injection layer (organic layer)
13, 113, 213 Light emitting layer (organic layer)
15, 115, 215 Electron injection layer (organic layer)
16, 116, 216 Cathode 20, 220 Foreign matter 25, 35, 125 Laser 26, 36, 126 Space 30, 130, 230 Organic layer 120 Short-circuited point

Claims (8)

陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とを含む画素を備えた、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記画素内において前記陽極と前記陰極とが短絡した部分の近傍の前記有機層にレーザーの照射を開始する工程と、
前記レーザーを照射された前記有機層の少なくとも一部が気化されることにより発生した気体によって、前記短絡した前記陽極と前記陰極との間に前記気体が充満した空間を形成し、前記短絡を解消する工程とを含む
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
An organic electroluminescence display device comprising a pixel including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode,
Starting the laser irradiation of the organic layer in the vicinity of the portion where the anode and the cathode are short-circuited in the pixel;
The gas generated by vaporizing at least a part of the organic layer irradiated with the laser forms a space filled with the gas between the shorted anode and the cathode, and the short circuit is eliminated. The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus including the process to do.
前記短絡した部分は、導電性の異物を介して前記陽極と前記陰極とが短絡している
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
2. The method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the shorted portion is a short circuit between the anode and the cathode via a conductive foreign substance.
さらに、前記導電性の異物を検出する工程を含み、
該導電性の異物周辺の前記有機層に前記レーザーを照射する
請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
Further, the method includes a step of detecting the conductive foreign matter,
The method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 2, wherein the organic layer around the conductive foreign matter is irradiated with the laser.
前記短絡した部分は、前記陽極と前記陰極とが直接接触して短絡している
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
The method for manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the short-circuited portion is short-circuited by direct contact between the anode and the cathode.
前記有機層は、電子注入層または電子輸送層を含む
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
The method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the organic layer includes an electron injection layer or an electron transport layer.
前記レーザーは、出力エネルギーが15〜35μJのYAGレーザーである
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
The method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the laser is a YAG laser having an output energy of 15 to 35 μJ.
前記レーザーは、極短パルスレーザーである
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
The method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the laser is an ultrashort pulse laser.
陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とを含む画素を備えた、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記画素内において前記陽極と前記陰極とが短絡した部分の近傍の前記有機層にレーザーが照射され、該有機層の少なくとも一部が気化されることにより発生した気体によって、前記短絡した前記陽極と前記陰極との間に前記気体が充満した空間が形成されて、前記短絡が解消されている
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
An organic electroluminescence display device comprising a pixel including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode,
In the pixel, the organic layer near the portion where the anode and the cathode are short-circuited is irradiated with laser, and the short-circuited anode and the gas are generated by vaporizing at least a part of the organic layer. An organic electroluminescence display device in which a space filled with the gas is formed between the cathode and the short circuit is eliminated.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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