JP2011101795A - High potential introducing probe device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、災顔等の皮膚に高電位導入するための高電位導入プローブ装置に関する。The present invention relates to a high potential introduction probe device for introducing a high potential into skin such as a disaster face.
従来の電位治療器は、図1に示すように電位治療器本体10と、人体の肩等の部位に当てる通電導子12とを備えている。電源本体10は、高周波・高圧発生回路14を備え、そして通電導子12は、通電体11を備える。電源本体10と患者の肩等に直接当たる通電導子12とは高電圧用コード13を用いて接続されている。この場合、通電導子を持つことで使用者の人体は、常に高電位となり、顔に接触させても人体の電位が高くなるのみで肩との接触部分は電位よりも微電流が手に持った通電導子から導入される。使用者の人体の高電位は、アース側としての部屋の天井、床あるいは壁との間で生じ、よって、使用場所で人体の電位分布が変化されやすく、不安定となり再現性や常に同じ効果が得られなくなり、所定の部位に安定した有効な治療に必要な電位を印加することができない。さらに、通電導子を持って治療する施術者には、常に電位がかかった状態となり好ましくはない。本体10と通電導子12とは、高電圧用コード13を用いて接続されていたため高耐圧用のコネクタを用いる必要があった。As shown in FIG. 1, a conventional potential treatment device includes a potential treatment device
また、図2及び図3に示すように、電位治療器に温熱効果を備えた電源本体10の場合、電源本体10と通電導子12との接続において、電源本体10に内蔵されている高周波・高圧発生回路14と通電導子12内の通電体11とは高電圧用コード13で接続され、温熱用ヒータ回路16と通電導子12内の発熱体15とは一般用の低電圧用コード17でそれぞれ別々に接続されている。一方、図3に示すように、高電圧用コード13と低電圧用コード17とは一体化された特殊なコード18により接続されている。このように特殊コード18は、電位差のある2本のコードを近接して一体化して配設しているため、本来施術者に流れる電流が、温熱側のコードに漏れ、漏れ電流が大きくなり、また電磁誘導が生じて集中電位が生じにくく所定の部位に有効な治療電位を印加できない欠点があった。As shown in FIGS. 2 and 3, in the case of the power supply
本発明の目的は、従来の欠点を鑑みてなされたもので、高電位導入プローブに高電位導入部とアース電位形成部とを設け、使用者が握る握持部にアース電位を形成することにより、高電位は周囲の環境に影響されずに安定して人体の局部位の表皮に高電位を効率良く導入でき、よって皮膚組織内部のイオン交換又は電子交換によるイオン分子振動又は電位刺激の効果を得ることができる。所定の部位に安定した有効な治療に必要な電位を印加することができない。さらに、通電導子を持って治療する施術者には、常に電位が帯電しない状態となり施術者にとって好ましい。The object of the present invention has been made in view of the conventional drawbacks, by providing a high potential introduction probe with a high potential introduction portion and a ground potential forming portion, and forming a ground potential at a gripping portion gripped by a user. The high potential can be stably introduced without being influenced by the surrounding environment, and the high potential can be efficiently introduced into the epidermis of the local part of the human body, and thus the effect of ion molecule vibration or potential stimulation by ion exchange or electron exchange inside the skin tissue can be achieved. Obtainable. A potential necessary for stable and effective treatment cannot be applied to a predetermined site. Furthermore, for a practitioner who treats with a current-carrying conductor, the potential is not always charged, which is preferable for the practitioner.
さらに電源本体と高電位導入プローブとを接続するコードに高電圧用コードを用いる必要がなくなり通常の低電圧用コードを使用することができるため高耐圧用コネクタが不要となり装置自身が安価になる。また、高電位が導入される通電導子に温熱作用をもたせる場合でも、電源本体と高電位導入プローブとを接続するコードは、それぞれ低電圧用コードを2本用いればよく、高電圧用コードと低電圧用コードを用いる従来に比べてコード間の漏れ電流をほとんどなくすことができ、効率の良い電位治療、さらには温熱治療を行うことができる顔の皮膚等へ高電位導入を導入するための高電位導入プローブ装置を提供することを目的とする。Further, it is not necessary to use a high-voltage cord for the cord connecting the power source main body and the high-potential introduction probe, and a normal low-voltage cord can be used. In addition, even when an energizing conductor to which a high potential is introduced has a thermal action, two low-voltage cords may be used for the cord connecting the power source body and the high-potential introduction probe. Compared to the conventional method using a low-voltage cord, the leakage current between cords can be almost eliminated, and the introduction of a high potential into the skin of the face where efficient potential treatment and thermal treatment can be performed. An object is to provide a high-potential introduction probe device.
請求項1に係る高電位導入プローブ装置は、電源本体と、高電位導入プローブとを備え、前記電源本体と前記高電位導入プローブの電源入力端とは低電圧用コードを介して接続され、かつ前記高電位導入プローブは、入力端子に印加される電圧により駆動して高周波を出力する発振回路と、該発振回路に接続されて200V〜800Vに昇圧された高電位を出力するための高電位生成トランスとを備える高電位導入形成回路とを備え、該高電位導入形成回路からの高電圧出力を高電圧用導線を介して高電位導入通電導子に印加し、かくして高電位導入形成回路と高電位導入通電導子との間が高電位側となり、一方高電位導入形成回路と電源入力端との間が低電圧側となり、人体の表面に集中して高電位を導入する。The high potential introduction probe device according to claim 1 includes a power supply body and a high potential introduction probe, and the power supply body and a power input terminal of the high potential introduction probe are connected via a low voltage cord, and The high potential introduction probe is driven by a voltage applied to an input terminal to output a high frequency, and a high potential generation for outputting a high potential boosted to 200 V to 800 V connected to the oscillation circuit. A high potential introduction forming circuit including a transformer, and a high voltage output from the high potential introduction formation circuit is applied to a high potential introduction energizing conductor via a high voltage lead, thus the high potential introduction formation circuit and the high potential introduction circuit Between the potential introduction energizing conductor is the high potential side, while between the high potential introduction forming circuit and the power supply input end is the low voltage side, the high potential is concentrated on the surface of the human body.
請求項2に係る高電位導入プローブ装置において、前記高電位導入通電導子は、前記高電位導入プローブに連結されていることを特徴とする。3. The high potential introduction probe device according to claim 2, wherein the high potential introduction energizing conductor is connected to the high potential introduction probe.
請求項3に係る高電位導入プローブ装置において、前記高電位側と前記低電圧側との境界となる高電位生成トランスが配置される位置にフィンガー・ガイドを設けることを特徴とする。The high-potential introduction probe device according to claim 3 is characterized in that a finger guide is provided at a position where a high-potential generation transformer serving as a boundary between the high-potential side and the low-voltage side is disposed.
請求項4に係る高電位導入プローブ装置において、前記高電位生成トランスは、前記高電位導入プローブの入力端子を電源入力端側に、その出力端子を前記通電体側に配置することを特徴とする。5. The high potential introducing probe device according to claim 4, wherein the high potential generating transformer is configured such that an input terminal of the high potential introducing probe is disposed on a power input end side and an output terminal thereof is disposed on the energizing body side.
請求項5に係る高電位導入プローブ装置において、前記電源入力端と前記高電位生成トランスの入力端子との間にアース電位形成部が形成され、該アース電位形成部に握持部を設けることを特徴とする。6. The high potential introducing probe device according to claim 5, wherein a ground potential forming portion is formed between the power input end and the input terminal of the high potential generating transformer, and a gripping portion is provided in the ground potential forming portion. Features.
請求項6に係る高電位導入プローブ装置において、前記通電体は、樹脂等の外装体の中に設けられており、該通電体から外装体表面までの間隔は、2mm〜5mmを有することを特徴とする。The high-potential introduction probe device according to claim 6, wherein the energization body is provided in an exterior body such as a resin, and a distance from the energization body to the exterior body surface is 2 mm to 5 mm. And
図4は、本発明に係る高電位導入プローブ装置を示す基本構成図である。高電位導入プローブ装置は、電源本体10と高電位導入プローブ20とを備え、電源本体10と高電位導入プローブ20とは、低電圧用コード17で接続されている。高電位導入プローブ20は、高電位導入形成回路30と通電体24を備える。高電位導入形成回路30と通電体24とは高電圧用導線28で接続されている。図5において、高電位導入プローブ20は、高電位導入形成回路30と通電体の他に発熱体15を備える。この場合でも高電位導入形成回路30と通電体24とは高電圧用導線28で接続されている。そして、電源本体は、高電位導入形成回路30及び発熱体15とそれぞれ低電圧用コードの一般コード17で接続される。なお、高電位導入プローブ20とは切り離して別に通電体24を内蔵した通電導子12を設けてもよい。FIG. 4 is a basic configuration diagram showing a high potential introducing probe device according to the present invention. The high potential introduction probe device includes a
本発明に係る高電位導入プローブによれば、高電位導入プローブに高電位導入機能とアース電位形成機能を持たせ、このアース電位形成部23を使用者が握ることにより高電位導入プローブ20に高電位部とアース電位部とを形成させる。高電位導入機能とアース電位形成機能との距離を接近させることができ、よって高電位は周囲の環境に影響されずに安定にすることにより人体の局部位の表皮に高電位を効率良く導入でき皮膚組織内部のイオン交換又は電子交換によるイオン分子振動又は電位刺激の効果を得ることができる。特にハンディタイプの美顔器等においては、より効率良く表皮に高電位を導入できる。According to the high potential introduction probe according to the present invention, the high potential introduction probe is provided with a high potential introduction function and a ground potential formation function, and the user holds the ground
以下、本発明に係る高電位導入プローブ装置を図面を参照して詳述する。
図6は、本発明に係る高電位導入プローブ装置の高電位導入プローブの概略図を示す。高電位導入プローブ20は、電源本体10と低電圧用コード17で接続され、使用者が手で握るための握持部22と、握持部22の先端側に設けられたヘッド部21とを備える。ヘッド部21には通電導電子12が取り付けられている。握持部22領域外のヘッド部21には高周波・高電圧を形成する高電位導入形成回路30が組み込まれており、通電導子12には、通電体24とその高電位導入用通電回路32が組み込まれている。高電位導入プローブのヘッド部21と握持部22とは樹脂等で一体成形して作られている。高電位導入形成回路30と高電位導入用通電用回路32とは入出端子44、46を介して高電圧用導線28で接続されている。なお、高電位導入形成回路30は、ヘッド部21でなく通電導子12に設けてもよい。Hereinafter, a high potential introducing probe device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 6 shows a schematic diagram of a high potential introduction probe of the high potential introduction probe device according to the present invention. The high-
高電位導入形成回路30と通電導子12との間が高電位側となり、一方高電位導入形成回路30と電源入力端34との間が低電圧側となる。握持部22は、高電位の対極となる低電位を形成するアース電位形成部23が形成される。高電位側と低電位側との間、すなわち高電位導入プローブの高電位導入形成回路30と握持部22のアース電位形成部23との間にフィンガー・ガイド(電位バリヤー)19を設けてもよい。使用者が、アース電位形成部23を手で握持することで人体がア−ス電位となる。よって、高電位部とアース電位部とが完全に分かれた形で高電位差が確立される。そのため安定した高電位導入効果が得られる。なお、握持部22に高電位の対極となるアース電位を形成するために握持部22の内面に銅箔等のフィルムを取り付けてもよい。高電位導入形成回路30は、握持部22のアース電位形成部23からできるだけ離れた位置に配設されることが好ましい。The high
通電導子12は、円盤形状を有し、顔等の皮膚に高電位を導入するための通電体24が組み込まれている。通電体24は、高電位導入プローブのヘッド部21と連結されており、外装体26としての樹脂等で囲ぎょうされている。導電体と外装体表面とは、2mm〜5mmの間隔をもって設けられていることが好ましい。この間隔が近いほど局所電位集中がしやすいが、加工の制約上2mm〜5mmの間隔をもって作られている。The energizing
図7は、顔等の皮膚に高電位を導入するための他の通電導子12の要部断面図を示す、通電導子12は、通電体24と銅薄製の電極25とをプラスチック製の外装体26の内部に組み込んで形成される。かくして、マイナスに帯電した通電体24は、電極25を介して皮膚にマイナスの電位を与えることができる。FIG. 7 shows a cross-sectional view of the main part of another energizing
図8は、他の高電位導入プローブのヘッド部の概略断面図を示す。ヘッド部は、ベース基板となるアクリル板上に通電体24を固定して載置して、その周囲に高電圧用導線28を配置して、樹脂等の外装体26内に組み込まれている。なお、図6及び図8の高電位導入プローブ20に発熱体を組み込む場合は、プローブもしくはヘッド部に通電体の他に発熱体を組み込むことで得られる。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the head portion of another high potential introduction probe. The head portion is mounted in an
図9は、図8の高電位導入プローブの概略平面図を示す。高電位導入プローブ20は、高電位導入形成回路を組込んだ握持部22と楕円形状のヘッド部21とを備える。ヘッド部21に通電体24が組み込まれており、電位導入形成回路30の入出力端子44、46と通電体24の高電位導入用通電回路32とは高電圧用導線28で接続されている。高電圧用導線28は、ヘッド部21の楕円形状に沿って配設されている。FIG. 9 shows a schematic plan view of the high potential introduction probe of FIG. The high
図10は、高電位導入プローブの高電位導入形成回路及び高電位導入用通電回路を示す。高電位導入形成回路30は、発振回路36と、コンデンサ37と、高電位生成トランス38とを備える。電源本体から低電圧用コード17を介して高電位導入プローブの電源入力端子34に入った12ボルトの直流電圧は、インバータトランジスタからなる発振回路36を駆動して高周波45kHzら58kHz、この好ましくは55〜60kHzを出力し、そしてコンデンサ37を介して該出力により高周波高電位生成トランス38を駆動して200V〜800Vに昇圧された高電位を出力する。さらにインバータトランジスタ36が同時に駆動するのを防ぐためのチョークコイル40と、高電位導入形成回路30が動作時に点灯するLED42とを備える。高電位導入形成回路30からの高電圧出力の出力端44と導電体24の入力端46とが高電圧用導線28を介して接続され、高電位が通電体24に印加される。高電位生成トランス38は、その入力端子を前記アース電位形成部側に、その出力端子を高出力側に配置する。アース電位形成部23は、高電位導入形成回路30の高電位生成トランス38と電源入力端子34との間の低電圧側の手で握持する領域に形成される。FIG. 10 shows a high potential introduction forming circuit and a high potential introduction energizing circuit of the high potential introduction probe. The high potential
図11は、太陽電池を組み込んだ高電位導入プローブの高電位導入形成回路の駆動を行うための回路を示す。
太陽電池を組み込んだ回路は、太陽電池60の電力を蓄電するための蓄電用コンデンサ62と、定電圧用ダイオード64と、逆流防止ダイオード66と、出力用スイッチ68とを備え、太陽電池の出力は、蓄電用コンデンサ62を介してインバータで構成されるトランジスタからなる発振回路36に接続されている。なお、高電位導入プローブの高電位導入形成回路30の駆動は、上記図10と説明と同じであるので省略する。FIG. 11 shows a circuit for driving a high potential introduction forming circuit of a high potential introduction probe incorporating a solar cell.
The circuit incorporating the solar cell includes a
図12は、他の実施例を示す高電位導入プローブの内部構造の配置概略図である。該図は、上部カバー74、下部カバー76を備え、上部カバーには、電位動作を表示する電位動作表示用のLED42と、アース電位形成部23を構成するアルミ箔を配設している。下部カナー76の内部にはヘッド部21に微振動を与えるための振動モータ70が、ヘッド部21の下方位置に配設されている。振動モータは、駆動源である下部カバー内に配設されたDC電位及びモータ用トランスに接続されている。この下部カバー内には、上述した高電位生成トランス38、アース電位形成部23であるアルミ箔を配設している。 FIG. 12 is an arrangement schematic diagram of the internal structure of a high-potential introduction probe showing another embodiment. The figure includes an
美顔のマッサージ、皮膚のマッサージ、肩や腰の疲労改善、Facial massage, skin massage, shoulder and lower back fatigue,
電源本体10
通電体11
通電導子12
高電圧用コード13
高周波・高圧発生回路14
発熱体15
温熱用ヒータ回路16
低電圧用コード17
特殊コード18
フィンガー・ガード19
高電位導入プローブ20
ヘッド部21
握持部22
アース電位形成部23
通電体24
電極25
外装体26
皮膚27
高圧用導線28
高電位導入回路30
高電位導入用導電体回路32
電源入力端34
発振回路36
コンデンサ37
高電位生成トランス38
チョークコイル40
LED42
出力端44
入力端46
デジタルサーモセンサ48
サーモスタット50
抵抗52
太陽電池60
蓄電用コンデンサ62
定電圧用ダイオード64
逆流防止ダイオード66
出力用スイッチ68
振動モータ70
DC電位及びモータ用トランス72
上部カバー74
下部カバー76
Conductor 11
High frequency / high
High
Earth
High
High
LED42
DC potential and
Claims (8)
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JP2009254428 | 2009-10-16 | ||
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