JP2011100016A - Pellicle for lithography - Google Patents

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JP2011100016A JP2009255132A JP2009255132A JP2011100016A JP 2011100016 A JP2011100016 A JP 2011100016A JP 2009255132 A JP2009255132 A JP 2009255132A JP 2009255132 A JP2009255132 A JP 2009255132A JP 2011100016 A JP2011100016 A JP 2011100016A
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Susumu Shirasaki
享 白崎
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pellicle for lithography, which can suppress decline of transmittance, even when being used for a long period. <P>SOLUTION: The pellicle 5 for lithography having a frame 6, and a pellicle film 7 stuck on one surface of the frame 6 is constituted so that the pellicle film 7 is stuck on one surface of the frame 6 by an adhesive layer comprising an adhesive having a low creep resistance, and that tension of the pellicle film 7 is lowered gradually as the time elapses. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、リソグラフィー用ペリクルに関するものであり、さらに詳細には、使用中に、光劣化によって膜厚が薄くなって、透過率が低下することを防止することができるリソグラフィー用ペリクルに関するものである。   The present invention relates to a pellicle for lithography, and more particularly to a pellicle for lithography that can prevent a decrease in transmittance due to light degradation during use. .

LSI、超LSIなどの半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造するにあたっては、半導体ウエハーあるいは液晶用原板に、フォトマスクを介して、露光用の光が照射されて、フォトマスクのパターンが転写される。   In manufacturing a semiconductor device such as an LSI or a VLSI or a liquid crystal display, exposure light is irradiated onto a semiconductor wafer or a liquid crystal original plate via a photomask, and a photomask pattern is transferred.

したがって、この場合に、フォトマスクにゴミなどの異物が付着していると、フォトマスクの表面に付着したゴミなどの異物によって、露光用の光が反射され、あるいは、吸収されるため、半導体ウエハーあるいは液晶用原板に転写されたパターンが変形したり、パターンのエッジ部分が不鮮明になり、半導体ウエハーあるいは液晶用原板に、所望のように、フォトマスクのパターンを転写することができず、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイの性能が低下し、歩留まりが悪化するという問題があった。   Therefore, in this case, if foreign matter such as dust adheres to the photomask, the exposure light is reflected or absorbed by foreign matter such as dust attached to the surface of the photomask. Alternatively, the pattern transferred to the liquid crystal master plate is deformed, or the edge portion of the pattern becomes unclear, and the photomask pattern cannot be transferred to the semiconductor wafer or the liquid crystal master plate as desired. Or there was a problem that the performance of the liquid crystal display deteriorated and the yield deteriorated.

かかる問題を防止するために、半導体ウエハーあるいは液晶用原板の露光は、クリーンルーム内で行われるが、それでも、フォトマスクの表面に異物が付着することを完全に防止することは困難であるため、通常は、フォトマスクの表面に、露光用の光に対し高い透過率を有するペリクルと呼ばれる防塵カバーを取り付けて、半導体ウエハーあるいは液晶用原板を露光するように構成されている。   In order to prevent such a problem, the exposure of the semiconductor wafer or the liquid crystal master plate is performed in a clean room, but it is still difficult to completely prevent foreign matter from adhering to the surface of the photomask. Is configured such that a dust-proof cover called a pellicle having a high transmittance with respect to light for exposure is attached to the surface of a photomask to expose a semiconductor wafer or a liquid crystal master.

ペリクルは、一般に、ニトロセルロース、酢酸セルロースなどのセルロース系樹脂やフッ化樹脂などによって、露光用の光に対し高い透過率を有するペリクル膜を作製し、アルミニウム、ステンレス、ポリエチレンなどによって形成されたフレームの一方の表面に、ペリクル膜を接着し、フレームの他方の表面に、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂などからなる粘着層を形成し、粘着層の表面に、粘着層を保護する保護シートを付着させることによって作製されている。   A pellicle is generally a frame formed of aluminum, stainless steel, polyethylene, or the like by producing a pellicle film having a high transmittance with respect to light for exposure using a cellulose resin such as nitrocellulose or cellulose acetate, or a fluororesin. A pellicle film is adhered to one surface of the frame, an adhesive layer made of polybutene resin, polyvinyl acetate resin, acrylic resin, or the like is formed on the other surface of the frame, and the adhesive layer is protected on the surface of the adhesive layer. It is made by attaching a sheet.

このように構成されたペリクルをフォトマスクの表面に取り付けて、半導体ウエハーあるいは液晶用原板を露光する場合には、ゴミなどの異物は、ペリクルの表面に付着し、フォトマスクの表面には直接付着しないため、フォトマスクに形成されたパターン上に、焦点が位置するように、露光用の光を照射すれば、ゴミなどの異物の影響を除去することが可能になる。   When a pellicle configured in this way is attached to the surface of a photomask and a semiconductor wafer or liquid crystal master is exposed, foreign substances such as dust adhere to the surface of the pellicle and directly adhere to the surface of the photomask. Therefore, if the exposure light is irradiated so that the focal point is positioned on the pattern formed on the photomask, the influence of foreign matters such as dust can be removed.

しかしながら、短波長の光を用いて、半導体ウエハーあるいは液晶用原板を露光する場合には、時間経過とともに、ペリクル膜の透過率が著しく低下するため、使用期間が一定期間に達するたびに、ペリクルを新たなペリクルに取り替えることが必要で、コストが嵩むだけでなく、ペリクルを取り替えるために、多大な労力を要するという問題があった。 However, when a semiconductor wafer or liquid crystal master is exposed using short-wavelength light, the transmittance of the pellicle film decreases significantly over time. There is a problem that it is necessary to replace the pellicle with a new pellicle, which not only increases the cost, but also requires much labor to replace the pellicle.

特開2000−347388号公報(特許文献1)は、ペリクル膜の膜厚と透過率との間に相関関係があるという知見に基づき、ペリクル膜の平均膜厚が、ペリクル膜の膜厚と透過率との相関曲線における透過率極大値に対応する厚さよりも厚くすることによって、かかる問題を解決するためを図っている。   Japanese Patent Laid-Open No. 2000-347388 (Patent Document 1) discloses that the average film thickness of the pellicle film is related to the film thickness of the pellicle film and the transmission based on the knowledge that there is a correlation between the film thickness of the pellicle film and the transmittance. In order to solve this problem, the thickness is made thicker than the thickness corresponding to the transmittance maximum value in the correlation curve with the rate.

特開2000−347388号公報JP 2000-347388 A

特開2000−347388号公報(特許文献1)に開示されているように、ペリクル膜の厚さを大きく設定した場合には、従来に比して、より長期間にわたって、ペリクル膜を使用することが可能になるが、ペリクル膜の厚さを大きく設定した場合でも、ペリクル膜の厚さが、使用中に、光劣化によって徐々に薄くなり、それにともなって、ペリクル膜の透過率が徐々に低下することは避けられず、そのため、使用期間が一定期間に達するたびに、ペリクルを新たなペリクルに取り替えることが依然として必要であり、従来と同様に、コストが嵩み、ペリクルを取り替えるために、多大な労力を要するという問題を解決することはできなかった。 As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-347388 (Patent Document 1), when the thickness of the pellicle film is set to be large, the pellicle film should be used for a longer period of time than in the past. However, even when the pellicle film thickness is set large, the thickness of the pellicle film gradually decreases due to light degradation during use, and accordingly the transmittance of the pellicle film gradually decreases. For this reason, it is still necessary to replace the pellicle with a new pellicle every time the usage period reaches a certain period. The problem of requiring a lot of labor could not be solved.

したがって、本発明は、長期間にわたって使用をしても、透過率の低下を抑制することができるリソグラフィー用ペリクルを提供することを目的とするものである。 Therefore, an object of the present invention is to provide a pellicle for lithography that can suppress a decrease in transmittance even when used for a long period of time.

本発明者は、かかる目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、ペリクル膜の張力が徐々に低下すると、それにともなって、ペリクル膜の厚さが、徐々に厚くなる現象に着目し、ペリクル膜が、使用中に、光劣化によって徐々に薄くなることを、ペリクル膜の張力を徐々に低下させることによって補償し、使用中に、光劣化によってペリクル膜が徐々に薄くなることに起因するペリクル膜の透過率の低下を防止し得ることを見出した。 As a result of intensive research to achieve such an object, the present inventor has paid attention to a phenomenon in which the thickness of the pellicle film gradually increases as the tension of the pellicle film gradually decreases. The film is gradually thinned by light degradation during use, and is compensated by gradually reducing the tension of the pellicle film. The pellicle is caused by gradually thinning the pellicle film by light degradation during use. It has been found that a decrease in membrane permeability can be prevented.

本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明の前記目的は、ペリクル膜の張力が徐々に低下するように構成されたリソグラフィー用ペリクルによって達成される。 The present invention is based on such knowledge, and the object of the present invention is achieved by a lithography pellicle configured so that the tension of the pellicle film gradually decreases.

本発明によれば、使用中に、光劣化によってペリクル膜は徐々に薄くなるが、ペリクル膜の張力が徐々に低下すると、ペリクル膜の厚さが徐々に厚くなるため、リソグラフィー用ペリクルの張力が徐々に低下するように構成しておけば、使用中の光劣化によるペリクル膜の薄膜化を、張力低下によるペリクル膜の膜厚増大によって補償することができるから、使用中の光劣化によるペリクル膜の薄膜化に起因するペリクル膜の透過率の低下を抑制することが可能になり、したがって、ペリクルをより長時間にわたって使用することができ、経済的であるだけでなく、ペリクルを取り替えるための労力を大幅に軽減することが可能になる。 According to the present invention, the pellicle film gradually becomes thinner due to photodegradation during use, but when the tension of the pellicle film gradually decreases, the thickness of the pellicle film gradually increases. If it is configured to gradually decrease, the thinning of the pellicle film due to light degradation during use can be compensated by the increase in film thickness of the pellicle film due to the decrease in tension, so the pellicle film due to light degradation during use It is possible to suppress the decrease in the transmittance of the pellicle membrane due to the thinning of the pellicle, so that the pellicle can be used for a longer time and is not only economical, but also the effort to replace the pellicle Can be greatly reduced.

本発明の好ましい実施態様においては、リソグラフィー用ペリクルは、フレームと、前記フレームの一方の表面に接着された前記ペリクル膜を有し、前記ペリクル膜が、耐クリープ性の低い接着剤によって、前記フレームの一方の端面に接着され、時間経過とともに、前記ペリクル膜の張力が徐々に低下するように構成されている。 In a preferred embodiment of the present invention, a pellicle for lithography has a frame and the pellicle film bonded to one surface of the frame, and the pellicle film is bonded to the frame by an adhesive having low creep resistance. The pellicle film is configured so that the tension of the pellicle film gradually decreases with time.

本発明の好ましい実施態様によれば、ペリクル膜が、耐クリープ性の低い接着剤によって、フレームの一方の表面に接着されているから、時間経過とともに、接着層が徐々に伸張し、その結果、ペリクル膜の張力が徐々に低下し、ペリクル膜の厚さが徐々に厚くなるため、使用中の光劣化によるペリクル膜の薄膜化を、張力低下によるペリクル膜の膜厚増大によって補償することができるから、使用中の光劣化によるペリクル膜の薄膜化に起因するペリクル膜の透過率の低下を抑制することが可能になり、したがって、ペリクルをより長時間にわたって使用することができ、経済的であるだけでなく、ペリクルを取り替えるための労力を大幅に軽減することが可能になる。 According to a preferred embodiment of the present invention, since the pellicle film is adhered to one surface of the frame by an adhesive having low creep resistance, the adhesive layer gradually expands over time, and as a result, Since the tension of the pellicle film gradually decreases and the thickness of the pellicle film gradually increases, the thinning of the pellicle film due to light degradation during use can be compensated by the increase in the thickness of the pellicle film due to the decrease in tension. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the transmittance of the pellicle film due to the thinning of the pellicle film due to light degradation during use, and therefore, the pellicle can be used for a longer time and is economical. In addition, the labor for replacing the pellicle can be greatly reduced.

本発明において、ペリクル膜をフレームの一方の表面に接着させる耐クリープ性の低い接着剤は、耐クリープ性の低いものであれば、とくに限定されるものではないが、たとえば、アクリル系接着剤を使用することができる。通常、接着剤は主剤と硬化剤とで構成され、主剤に十分な量の硬化剤を混ぜることによって、十分な耐クリープ性を生じさせるが、本発明においては、硬化剤の量を意図的に不十分な状態で、または、硬化剤を添加しない状態で、接着剤を硬化させることにより、接着剤の耐クリープ性を低下させることが可能になる。したがって、主剤自体の持つクリープ特性を考慮して、主剤に混ぜる硬化剤の量を制御することにより、接着剤の耐クリープ量を制御することが可能になる。 In the present invention, the low creep resistance adhesive for bonding the pellicle film to one surface of the frame is not particularly limited as long as it has low creep resistance. For example, an acrylic adhesive is used. Can be used. Usually, an adhesive is composed of a main agent and a curing agent, and a sufficient amount of a curing agent is mixed with the main agent to produce sufficient creep resistance. In the present invention, the amount of the curing agent is intentionally set. By curing the adhesive in an insufficient state or without adding a curing agent, the creep resistance of the adhesive can be reduced. Therefore, it is possible to control the creep resistance of the adhesive by controlling the amount of the curing agent mixed with the main agent in consideration of the creep characteristics of the main agent itself.

また、接着剤の中でも、一般に粘着剤と呼ばれる感圧接着剤においては、硬化した後も、適度な耐クリープ性を持つものがあり、耐クリープ性の低い接着剤として、必要な耐クリープ性を実現する粘着剤を選ぶこともできる。この場合でも、粘着剤の反応触媒もしくは硬化剤の量を制御することによって、接着剤層により好ましい耐クリープ性を持たせることが可能になる。 In addition, among adhesives, pressure-sensitive adhesives generally called pressure-sensitive adhesives have moderate creep resistance even after being cured, and as a low creep resistance adhesive, they have the necessary creep resistance. You can also choose the adhesive you want to realize. Even in this case, by controlling the amount of the reaction catalyst or the curing agent of the pressure-sensitive adhesive, it is possible to give a preferable creep resistance to the adhesive layer.

本発明によれば、使用中の光劣化によるペリクル膜の薄膜化を、張力低下によるペリクル膜の膜厚増大によって補償することができるから、長期間にわたって使用をしても、透過率の低下を抑制することができるリソグラフィー用ペリクルを提供することが可能になる。 According to the present invention, since the thinning of the pellicle film due to light degradation during use can be compensated by the increase in the thickness of the pellicle film due to the decrease in tension, the transmittance can be reduced even when used for a long period of time. A pellicle for lithography that can be suppressed can be provided.

図1は、半導体ウエハーあるいは液晶用原板を露光するリソグラフィー工程を示す略正面図である。FIG. 1 is a schematic front view showing a lithography process for exposing a semiconductor wafer or a liquid crystal original plate. 図2は、本発明の好ましい実施態様にかかるペリクルの詳細を示す略側面図である。FIG. 2 is a schematic side view showing details of a pellicle according to a preferred embodiment of the present invention.

図1は、半導体ウエハーあるいは液晶用原板を露光するリソグラフィー工程を示す略正面図であり、図2は、本発明の好ましい実施態様にかかるペリクル5の詳細を示す略側面図である。   FIG. 1 is a schematic front view showing a lithography process for exposing a semiconductor wafer or a liquid crystal master, and FIG. 2 is a schematic side view showing details of a pellicle 5 according to a preferred embodiment of the present invention.

図1に示されるように、レーザ光源1から発せられたレーザビーム2は、凸レンズ3によって平行光とされて、表面にペリクル5が取り付けられたフォトマスク10に照射される。フォトマスク10を透過したレーザビーム2は投影レンズ15によって、半導体ウエハー20あるいは液晶用原板20の表面に形成されたフォトレジスト25に結像させる。   As shown in FIG. 1, a laser beam 2 emitted from a laser light source 1 is converted into parallel light by a convex lens 3 and irradiated onto a photomask 10 having a pellicle 5 attached to the surface. The laser beam 2 transmitted through the photomask 10 is imaged by a projection lens 15 onto a photoresist 25 formed on the surface of the semiconductor wafer 20 or the liquid crystal original plate 20.

このように、ペリクル5をフォトマスク10の表面に取り付けて、半導体ウエハーあるいは液晶用原板を露光するように構成されているから、ゴミなどの異物は、ペリクル5の表面に付着し、フォトマスク10の表面には直接付着しないため、フォトマスク10に形成されたパターン上に、焦点が位置するように、露光用の光を照射すれば、ゴミなどの異物の影響を除去することが可能になり、半導体ウエハー20あるいは液晶用原板20の表面に形成されたフォトレジスト25にレーザビーム2を結像させることによって、フォトマスク10のパターンを、所望のように、フォトレジスト25に転写することが可能になる。   Since the pellicle 5 is attached to the surface of the photomask 10 and the semiconductor wafer or the liquid crystal master is exposed as described above, foreign matters such as dust adhere to the surface of the pellicle 5 and the photomask 10 Since it does not adhere directly to the surface of the film, it is possible to remove the influence of foreign matters such as dust by irradiating the exposure light so that the focal point is positioned on the pattern formed on the photomask 10. The pattern of the photomask 10 can be transferred to the photoresist 25 as desired by forming an image of the laser beam 2 on the photoresist 25 formed on the surface of the semiconductor wafer 20 or the liquid crystal master 20. become.

しかしながら、フォトマスク10の表面に取り付けられた従来のペリクル5にあっては、レーザビーム2の照射時間が長くなるにしたがって、光劣化によって、ペリクル膜7の膜厚が徐々に薄くなり、その結果として、ペリクル膜7の透過率が徐々に低下するため、所定の期間が経過するたびに、ペリクルを取り替えることが必要であり、コストが嵩むだけでなく、ペリクルを取り替えるために、多大な労力を要するという問題があった。   However, in the conventional pellicle 5 attached to the surface of the photomask 10, as the irradiation time of the laser beam 2 becomes longer, the film thickness of the pellicle film 7 is gradually reduced due to light degradation. As the transmittance of the pellicle membrane 7 gradually decreases, it is necessary to replace the pellicle every time a predetermined period elapses, which not only increases the cost, but also requires great effort to replace the pellicle. There was a problem that it took.

本発明はかかる問題を解決するものであり、本発明の好ましい実施態様においては、図2に示されるように、ペリクル5は、アルミニウム、ステンレス、ポリエチレンなどによって形成されたフレーム6の一方の表面に、接着剤層8を介して、ペリクル膜7を接着させ、フレーム6のもう一方の表面に、ペリクル5をフォトマスク10に貼り付けるための粘着剤層9を形成することによって、作製されている。   The present invention solves such a problem. In a preferred embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, the pellicle 5 is formed on one surface of a frame 6 made of aluminum, stainless steel, polyethylene or the like. The pellicle film 7 is adhered via the adhesive layer 8, and the pressure-sensitive adhesive layer 9 for attaching the pellicle 5 to the photomask 10 is formed on the other surface of the frame 6. .

本実施態様においては、接着剤層8を形成する接着剤として、耐クリープ性の低い接着剤が用いられている。   In this embodiment, an adhesive having low creep resistance is used as the adhesive that forms the adhesive layer 8.

したがって、本実施態様においては、ペリクル5は、フレーム6の一方の端面に、耐クリープ性の低い接着剤よりなる接着剤層8を介して、ペリクル膜7を接着することによって作製されているから、使用時間が長くなるにしたがって、フレーム6の一方の端面とペリクル膜7との間に形成された接着剤層9は徐々に伸び、それにともなって、ペリクル膜7の張力は徐々に低下し、ペリクル膜7の膜厚が徐々に増大する。   Therefore, in this embodiment, the pellicle 5 is produced by adhering the pellicle film 7 to one end face of the frame 6 via the adhesive layer 8 made of an adhesive having low creep resistance. As the use time increases, the adhesive layer 9 formed between one end face of the frame 6 and the pellicle film 7 gradually expands, and accordingly, the tension of the pellicle film 7 gradually decreases. The film thickness of the pellicle film 7 gradually increases.

その結果、ペリクル膜7にレーザビーム2を照射することにより生じる光劣化によって、ペリクル膜7の膜厚が徐々に薄くなることを補償することができ、使用時間にしたがって、光劣化によってペリクル膜7が徐々に薄くなることに起因するペリクル膜7の透過率の低下を防止することが可能になる。 As a result, it can be compensated that the film thickness of the pellicle film 7 gradually decreases due to light degradation caused by irradiating the pellicle film 7 with the laser beam 2. It is possible to prevent a decrease in the transmittance of the pellicle film 7 due to the gradual thinning.

このように、ペリクル膜7はレーザビーム2の照射時間が長くなるにしたがって、光劣化によって、徐々に薄くなるが、本実施態様においては、ペリクル5は、フレーム6の一方の表面に、耐クリープ性の低い接着剤よりなる接着剤層8を介して、ペリクル膜7を接着して作製されているから、使用中の光劣化によって生じるペリクル膜7の薄膜化を、ペリクル膜7の張力低下に起因するペリクル膜7の膜厚増大によって、補償することが可能になるから、長期間にわたって使用をしても、ペリクル膜7の透過率の低下を抑制することが可能になる。 As described above, the pellicle film 7 gradually becomes thinner due to light degradation as the irradiation time of the laser beam 2 becomes longer. In the present embodiment, the pellicle film 5 is creep-resistant on one surface of the frame 6. Since the pellicle film 7 is bonded via an adhesive layer 8 made of a low-adhesive adhesive, the thinning of the pellicle film 7 caused by light degradation during use can be reduced by reducing the tension of the pellicle film 7. Since the compensation can be made by the increase in the thickness of the pellicle film 7 due to this, it is possible to suppress a decrease in the transmittance of the pellicle film 7 even if it is used for a long time.

実施例1
アルミニウム合金製のペリクルフレーム(外形サイズ149mm×113mm×4.5mm、肉厚2mm)を純水で洗浄後、その一方の表面に信越化学株式会社製のシリコーン粘着剤(商品名:X−40−3122)を塗布し、直後に、電磁誘導加熱により、ペリクルフレームを150℃に加熱した。
Example 1
An aluminum alloy pellicle frame (outside size: 149 mm × 113 mm × 4.5 mm, wall thickness: 2 mm) was washed with pure water, and then a silicone adhesive made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (trade name: X-40-) 3122) was applied, and immediately thereafter, the pellicle frame was heated to 150 ° C. by electromagnetic induction heating.

ペリクルフレームの粘着剤が塗布された側の表面とは反対側の表面に、接着剤として綜研化学株式会社製のアクリル樹脂(商品名:SKダイン1223)に硬化剤L−45を、1kgのSKダイン1223に対し、6gの比で混合し、その後、回転脱法したものを塗布し、130℃で、ペリクルフレームを加熱し、接着剤を硬化させた。 On the surface of the pellicle frame opposite to the surface on which the adhesive is applied, an acrylic resin (trade name: SK Dyne 1223) manufactured by Soken Chemical Co., Ltd. is used as an adhesive, and 1 kg of SK. The mixture was mixed at a ratio of 6 g to dyne 1223, and then the rotationally-disintegrated one was applied, and the pellicle frame was heated at 130 ° C. to cure the adhesive.

その後、上記ペリクルフレームよりも大きなアルミニウム枠に形成した旭硝子株式会社製フッ素樹脂(商品名:サイトップCTX−S)よりなるペリクル膜に、上記ペリクルフレームの粘着層が形成された側の表面を貼り付け、ペリクルフレームよりも外側の部分を除去し、ペリクルを完成させた。ペリクル膜の膜厚は830nmで、193nmの波長の光に対する透過率は99.7%%であった。   Thereafter, the surface of the pellicle frame on which the adhesive layer is formed is pasted on a pellicle film made of a fluororesin (trade name: CYTOP CTX-S) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. formed in an aluminum frame larger than the pellicle frame. The pellicle was completed by removing the part outside the pellicle frame. The thickness of the pellicle film was 830 nm, and the transmittance for light having a wavelength of 193 nm was 99.7%%.

このペリクルにArFレーザー光を照射して、ペリクル膜の変化を観察した。   This pellicle was irradiated with ArF laser light, and the change of the pellicle film was observed.

ここに、ArFレーザー光の強度は0.1mJ/cm/パルスで、レーザーの発振周波数は400Hz、照射面積は10mm×10mmであった。ArFレーザー光の照射時間は500時間で、総照射エネルギーは72000J/cmであった。 Here, the intensity of ArF laser light was 0.1 mJ / cm 2 / pulse, the laser oscillation frequency was 400 Hz, and the irradiation area was 10 mm × 10 mm. The irradiation time of ArF laser light was 500 hours, and the total irradiation energy was 72000 J / cm 2 .

照射後に、レーザー照射部の膜厚を測定したところ、829nmであり、透過率は99.6%と殆ど変化していなかった。一方、レーザー未照射部の膜厚を測定したところ、834nmに増大していた。 When the film thickness of the laser irradiation part was measured after irradiation, it was 829 nm, and the transmittance was almost unchanged at 99.6%. On the other hand, when the film thickness of the laser non-irradiated part was measured, it was increased to 834 nm.

実施例2
アルミニウム合金製のペリクルフレーム(外形サイズ149mm×113mm×4.5mm、肉厚2mm)を純水で洗浄後、その一方の表面に信越化学株式会社製のシリコーン粘着剤(商品名:X−40−3122)を塗布し、直後に、電磁誘導加熱により、ペリクルフレームを150℃に加熱した。
Example 2
An aluminum alloy pellicle frame (outside size: 149 mm × 113 mm × 4.5 mm, wall thickness: 2 mm) was washed with pure water, and then a silicone adhesive made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (trade name: X-40-) 3122) was applied, and immediately after that, the pellicle frame was heated to 150 ° C. by electromagnetic induction heating.

ペリクルフレームの粘着層が形成された側の表面とは反対側の表面に、接着剤として綜研化学株式会社製のアクリル樹脂(商品名:SKダイン1223)に硬化剤L−45を、1kgのSKダイン1223に対し、0.6gの比で混合し、その後、回転脱法したものを塗布し、130℃で、ペリクルフレームを加熱し、接着剤を硬化させた。 On the surface opposite to the surface on which the adhesive layer of the pellicle frame is formed, an acrylic resin (trade name: SK Dyne 1223) manufactured by Soken Chemical Co., Ltd. is used as an adhesive, and 1 kg of SK. A mixture of 0.6 g in dyne 1223 was mixed and then subjected to rotational removal, and the pellicle frame was heated at 130 ° C. to cure the adhesive.

その後、上記ペリクルフレームよりも大きなアルミニウム枠に形成した旭硝子株式会社製フッ素樹脂(商品名:サイトップCTX−S)よりなるペリクル膜に、上記ペリクルフレームの粘着層が形成された側の表面を貼り付け、ペリクルフレームよりも外側の部分を除去し、ペリクルを完成させた。ペリクル膜の膜厚は830nmで、193nmの波長の光に対する透過率は99.7%%であった。   Thereafter, the surface of the pellicle frame on which the adhesive layer is formed is pasted on a pellicle film made of a fluororesin (trade name: CYTOP CTX-S) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. formed in an aluminum frame larger than the pellicle frame. The pellicle was completed by removing the part outside the pellicle frame. The thickness of the pellicle film was 830 nm, and the transmittance for light having a wavelength of 193 nm was 99.7%%.

このペリクルにArFレーザー光を照射して、ペリクル膜の変化を観察した。   This pellicle was irradiated with ArF laser light, and the change of the pellicle film was observed.

ここに、ArFレーザー光の強度は0.1mJ/cm/パルスで、レーザーの発振周波数は400Hz、照射面積は10mm×10mmであった。ArFレーザー光の照射時間は500時間で、総照射エネルギーは72000J/cmであった。 Here, the intensity of ArF laser light was 0.1 mJ / cm 2 / pulse, the laser oscillation frequency was 400 Hz, and the irradiation area was 10 mm × 10 mm. The irradiation time of ArF laser light was 500 hours, and the total irradiation energy was 72000 J / cm 2 .

照射後に、レーザー照射部の膜厚を測定したところ、830nmであり、透過率は99.7%と変化していなかった。一方、レーザー未照射部の膜厚を測定したところ、835nmに増大していた。 When the film thickness of the laser irradiation part was measured after irradiation, it was 830 nm and the transmittance | permeability did not change with 99.7%. On the other hand, when the film thickness of the non-laser irradiated part was measured, it was increased to 835 nm.

実施例3
アルミニウム合金製のペリクルフレーム(外形サイズ149mm×113mm×4.5mm、肉厚2mm)を純水で洗浄後、その一方の表面に信越化学株式会社製のシリコーン粘着剤(商品名:X−40−3122)を塗布し、直後に、電磁誘導加熱により、ペリクルフレームを150℃に加熱した。
Example 3
An aluminum alloy pellicle frame (outside size: 149 mm × 113 mm × 4.5 mm, wall thickness: 2 mm) was washed with pure water, and then a silicone adhesive made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (trade name: X-40-) 3122) was applied, and immediately thereafter, the pellicle frame was heated to 150 ° C. by electromagnetic induction heating.

ペリクルフレームの粘着層が形成された側の表面とは反対側の表面に、接着剤として、信越化学株式会社製のシリコーン樹脂(商品名:KE−76SR)に別のシリコーン樹脂(商品名:X−40−3264)を4:1の比で混合し、さらに、硬化触媒PL50Tを混合し、回転脱法したものを塗布し、その後、150℃で、ペリクルフレームを加熱し、接着剤を硬化させた。 A silicone resin (trade name: KE-76SR) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is used as an adhesive on the surface opposite to the surface on which the adhesive layer of the pellicle frame is formed. -40-3264) was mixed at a ratio of 4: 1, and further, the curing catalyst PL50T was mixed, and the rotationally-rotated method was applied, and then the pellicle frame was heated at 150 ° C. to cure the adhesive. .

その後、上記ペリクルフレームよりも大きなアルミニウム枠に形成した旭硝子株式会社製フッ素樹脂(商品名:サイトップCTX−S)よりなるペリクル膜に、上記ペリクルフレームの粘着層が形成された表面を貼り付け、ペリクルフレームよりも外側の部分を除去し、ペリクルを完成させた。ペリクル膜の膜厚は830nmで、193nmの波長の光に対する透過率は99.7%%であった。   Thereafter, the surface on which the adhesive layer of the pellicle frame is formed is attached to a pellicle film made of a fluororesin (trade name: Cytop CTX-S) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., which is formed on an aluminum frame larger than the pellicle frame. The part outside the pellicle frame was removed to complete the pellicle. The thickness of the pellicle film was 830 nm, and the transmittance for light having a wavelength of 193 nm was 99.7%%.

このペリクルにArFレーザー光を照射して、ペリクル膜の変化を観察した。   This pellicle was irradiated with ArF laser light, and the change of the pellicle film was observed.

ここに、ArFレーザー光の強度は0.1mJ/cm/パルスで、レーザーの発振周波数は400Hz、照射面積は10mm×10mmであった。ArFレーザー光の照射時間は500時間で、総照射エネルギーは72000J/cmであった。 Here, the intensity of ArF laser light was 0.1 mJ / cm 2 / pulse, the laser oscillation frequency was 400 Hz, and the irradiation area was 10 mm × 10 mm. The irradiation time of ArF laser light was 500 hours, and the total irradiation energy was 72000 J / cm 2 .

照射後に、レーザー照射部の膜厚を測定したところ、829nmであり、透過率は99.6%とほとんど変化していなかった。一方、レーザー未照射部の膜厚を測定したところ、834nmに増加していた。 When the film thickness of the laser irradiation part was measured after irradiation, it was 829 nm, and the transmittance was almost unchanged at 99.6%. On the other hand, when the film thickness of the non-laser irradiated part was measured, it was increased to 834 nm.

実施例4
アルミニウム合金製のペリクルフレーム(外形サイズ149mm×113mm×4.5mm、肉厚2mm)を純水で洗浄後、その一方の表面に信越化学株式会社製のシリコーン粘着剤(商品名:X−40−3122)を塗布し、直後に、電磁誘導加熱により、ペリクルフレームを150℃に加熱した。
Example 4
An aluminum alloy pellicle frame (outside size: 149 mm × 113 mm × 4.5 mm, wall thickness: 2 mm) was washed with pure water, and then a silicone adhesive made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (trade name: X-40-) 3122) was applied, and immediately thereafter, the pellicle frame was heated to 150 ° C. by electromagnetic induction heating.

ペリクルフレームの粘着層が形成された側の表面とは反対側の表面に、接着剤として、信越化学株式会社製のシリコーン樹脂(商品名:KE−76SR)に別のシリコーン樹脂(商品名:X−40−3264)を6:1の比で混合し、さらに、硬化触媒PL50Tを混合し、回転脱法したものを塗布し、その後、150℃で、ペリクルフレームを加熱し、接着剤を硬化させた。 A silicone resin (trade name: KE-76SR) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is used as an adhesive on the surface opposite to the surface on which the adhesive layer of the pellicle frame is formed. -40-3264) at a ratio of 6: 1, and further, the curing catalyst PL50T was mixed, and the rotationally-rotated method was applied, and then the pellicle frame was heated at 150 ° C. to cure the adhesive. .

その後、上記ペリクルフレームよりも大きなアルミニウム枠に形成した旭硝子株式会社製フッ素樹脂(商品名:サイトップCTX−S)よりなるペリクル膜に、上記ペリクルフレームの粘着層が形成された側の表面を貼り付け、ペリクルフレームよりも外側の部分を除去し、ペリクルを完成させた。ペリクル膜の膜厚は830nmで、193nmの波長の光に対する透過率は99.7%%であった。   Thereafter, the surface of the pellicle frame on which the adhesive layer is formed is pasted on a pellicle film made of a fluororesin (trade name: CYTOP CTX-S) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. formed in an aluminum frame larger than the pellicle frame. The pellicle was completed by removing the part outside the pellicle frame. The thickness of the pellicle film was 830 nm, and the transmittance for light having a wavelength of 193 nm was 99.7%%.

このペリクルにArFレーザー光を照射して、ペリクル膜の変化を観察した。   This pellicle was irradiated with ArF laser light, and the change of the pellicle film was observed.

ここに、ArFレーザー光の強度は0.1mJ/cm/パルスで、レーザーの発振周波数は400Hz、照射面積は10mm×10mmであった。ArFレーザー光の照射時間は500時間で、総照射エネルギーは72000J/cmであった。 Here, the intensity of ArF laser light was 0.1 mJ / cm 2 / pulse, the laser oscillation frequency was 400 Hz, and the irradiation area was 10 mm × 10 mm. The irradiation time of ArF laser light was 500 hours, and the total irradiation energy was 72000 J / cm 2 .

照射後に、レーザー照射部の膜厚を測定したところ、831nmであり、透過率は99.6%とほとんど変化していなかった。一方、レーザー未照射部の膜厚を測定したところ、836nmに増加していた。 When the film thickness of the laser irradiation part was measured after irradiation, it was 831 nm, and the transmittance was almost unchanged at 99.6%. On the other hand, when the film thickness of the non-laser irradiated part was measured, it was increased to 836 nm.

比較例
アルミニウム合金製のペリクルフレーム(外形サイズ149mm×113mm×4.5mm、肉厚2mm)を純水で洗浄後、その一方の表面に、信越化学株式会社製のシリコーン粘着剤(商品名:X−40−3122)を塗布し、直後に、電磁誘導加熱により、ペリクルフレームを150℃に加熱した。
Comparative Example A pellicle frame made of aluminum alloy (outer size: 149 mm × 113 mm × 4.5 mm, wall thickness: 2 mm) was washed with pure water, and then a silicone adhesive made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (trade name: X −40-3122) was applied, and immediately thereafter, the pellicle frame was heated to 150 ° C. by electromagnetic induction heating.

ペリクルフレームの粘着層が形成された側の表面とは反対側の表面に、接着剤として、旭硝子株式会社製フッ素樹脂(商品名:サイトップCTX−A)を塗布し、その後、130℃で、ペリクルフレームを加熱し、接着剤を硬化させた。 As an adhesive, a fluororesin (trade name: Cytop CTX-A) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. was applied as an adhesive to the surface opposite to the surface on which the adhesive layer of the pellicle frame was formed. The pellicle frame was heated to cure the adhesive.

その後、上記ペリクルフレームよりも大きなアルミニウム枠に形成した旭硝子株式会社製フッ素樹脂(商品名:サイトップCTX−S)よりなるペリクル膜に、上記ペリクルフレームの粘着層が形成された側の表面を貼り付け、ペリクルフレームよりも外側の部分を除去し、ペリクルを完成させた。ペリクル膜の膜厚は830nmで、193nmの波長の光に対する透過率は99.7%%であった。   Thereafter, the surface of the pellicle frame on which the adhesive layer is formed is pasted on a pellicle film made of a fluororesin (trade name: CYTOP CTX-S) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. formed in an aluminum frame larger than the pellicle frame. The pellicle was completed by removing the part outside the pellicle frame. The thickness of the pellicle film was 830 nm, and the transmittance for light having a wavelength of 193 nm was 99.7%%.

このペリクルにArFレーザー光を照射して、ペリクル膜の変化を観察した。   This pellicle was irradiated with ArF laser light, and the change of the pellicle film was observed.

ここに、ArFレーザー光の強度は0.1mJ/cm/パルスで、レーザーの発振周波数は400Hz、照射面積は10mm×10mmであった。ArFレーザー光の照射時間は500時間で、総照射エネルギーは72000J/cmであった。 Here, the intensity of ArF laser light was 0.1 mJ / cm 2 / pulse, the laser oscillation frequency was 400 Hz, and the irradiation area was 10 mm × 10 mm. The irradiation time of ArF laser light was 500 hours, and the total irradiation energy was 72000 J / cm 2 .

照射後に、レーザー照射部の膜厚を測定したところ、824nmにまで薄くなり、193nmの光に対する透過率は99.0%にまで低下していた。一方、レーザー未照射部の膜厚を測定したところ、830nmで、ArFレーザー光照射前と変化がなかった。 When the film thickness of the laser irradiated part was measured after irradiation, the film thickness was as thin as 824 nm, and the transmittance for 193 nm light was reduced to 99.0%. On the other hand, when the film thickness of the laser non-irradiated part was measured, it was 830 nm and there was no change from before ArF laser light irradiation.

本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。 The present invention is not limited to the above embodiments and examples, and various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims, and these are also included in the scope of the present invention. It goes without saying that it is a thing.

1 レーザ光源
2 レーザビーム
3 凸レンズ
5 ペリクル
6 フレーム
7 ペリクル膜
8 接着剤層
9 粘着剤層
10 フォトマスク
15 投影レンズ
20 半導体ウエハーあるいは液晶用原板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser light source 2 Laser beam 3 Convex lens 5 Pellicle 6 Frame 7 Pellicle film 8 Adhesive layer 9 Adhesive layer 10 Photomask 15 Projection lens 20 Semiconductor wafer or liquid crystal original plate

Claims (2)

ペリクル膜の張力が徐々に低下するように構成されたことを特徴とするリソグラフィー用ペリクル。 A pellicle for lithography, characterized in that the tension of the pellicle film gradually decreases. フレームと、前記フレームの一方の表面に接着された前記ペリクル膜を有し、前記ペリクル膜が、耐クリープ性の低い接着剤によって、前記フレームの一方の表面に接着され、時間経過とともに、前記ペリクル膜の張力が徐々に低下するように構成されたことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィー用ペリクル。

A pellicle film bonded to one surface of the frame and the pellicle film, and the pellicle film is bonded to one surface of the frame by an adhesive having low creep resistance. 2. The pellicle for lithography according to claim 1, wherein the tension of the film gradually decreases.

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