JP2011099720A - Analyzer, autofocus device, and autofocusing method - Google Patents

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彰 前川
Naoshi Itabashi
直志 板橋
Masatoshi Narahara
正俊 奈良原
Satoshi Takahashi
智 高橋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To detect a focus deviation direction in a contrast detection type autofocusing. <P>SOLUTION: A plurality of structures having different height or a digging is disposed near an observation target, and their respective focus evaluation values are calculated each. A focus deviation direction is identified by a difference in the focus evaluation values. By distinguishing the focus deviation direction, it is possible to continue to observe the observation target without losing images. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、遺伝子診断/解析装置などの核酸分析装置において、光学センサ素子による反応の観察を行うための、反応デバイスへのオートフォーカス装置およびそれを備えた分析装置に関する。   The present invention relates to an autofocus apparatus for a reaction device and an analysis apparatus including the same for observing a reaction by an optical sensor element in a nucleic acid analyzer such as a genetic diagnosis / analysis apparatus.

近年の核酸分析装置では、ガラス基板等で作製された反応デバイスに多数のDNAプローブもしくはポリメラーゼを固定し、ここで塩基伸長反応を行い、配列を決定する方法が提案されている。この固定および反応を行う領域を以下反応スポットと呼ぶ。反応スポットは、単一分子を固定する場合(単分子方式)もあれば、同一種複数分子を固定する場合(複数分子方式)もある。また多数の反応スポットを配置し、各々の反応スポットで並列に塩基伸長および配列決定を行う超並列方式核酸分析装置が開発されている。   In recent nucleic acid analyzers, a method has been proposed in which a large number of DNA probes or polymerases are immobilized on a reaction device made of a glass substrate or the like, and a base extension reaction is performed here to determine the sequence. The region where this fixation and reaction is performed is hereinafter referred to as a reaction spot. A reaction spot may be a single molecule immobilized (single molecule system) or a plurality of molecules of the same species (multiple molecule system). A massively parallel nucleic acid analyzer has been developed in which a large number of reaction spots are arranged and base extension and sequencing are performed in parallel at each reaction spot.

反応スポットに単一分子を固定した具体的な例である非特許文献1では、全反射エバネッセント照射検出方式を用いた単分子レベルのDNA配列解読を行っている。励起光として波長532nmおよび635nmのレーザを用い、それぞれ蛍光体Cy3および蛍光体Cy5の蛍光励起に用いている。屈折率境界平面上の溶液層側に、単一のターゲットDNA分子をビオチン−アビジンのタンパク質結合を利用して固定化し、反応スポットを形成する。溶液中にCy3標識されたプライマを溶液交換によって導入すると、単一の蛍光標識プライマ分子がターゲットDNA分子にハイブリダイズする。ある一定時間このハイブリダイズ反応を行った後に、未反応の余剰なプライマを洗い流す。その後、励起光532nmを用いた全反射エバネッセント照射するとCy3はエバネッセント場に存在するため、ターゲットDNA分子の結合位置を蛍光検出によって確認することができる。確認後、Cy3を高出力の励起光で照射することによって蛍光退色させ、以降の蛍光発光を抑制する。次に、溶液中に、ポリメラーゼ、およびCy5一分子で標識された一種類の塩基のdNTP(NはA,C,G,Tのいずれか)を、溶液交換によって導入すると、ターゲットDNA分子に対して相補関係である場合に限り、蛍光標識dNTP分子がプライマ分子の伸長鎖に取り込まれる。ある一定時間この伸長反応を行った後に、未反応の余剰なdNTPを洗い流す。その後、励起光633nmを用いた全反射エバネッセント照射すると、Cy5はエバネッセント場に存在するため、ターゲットDNA分子の結合位置における蛍光検出によって相補関係を確認することができる。確認後、Cy5を高出力の励起光で照射することによって蛍光退色させ、以降の蛍光発光を抑制する。以上のdNTPの取り込み反応プロセスを、塩基の種類を例えばA→C→G→T→A→のように順次段階的に繰り返すことによって(段階的伸長反応)、ターゲットDNA分子と相補関係にある塩基配列を決定することが可能である。蛍光計測する検出器が一度に観察できる領域(以下、計測視野とする)内に複数の反応スポットを形成し、各反応スポットには異なるターゲットDNA分子が存在する状態で、上記のdNTPの取り込み反応プロセスを並列処理することによって、複数のターゲットDNA分子の同時DNAシーケンシングが可能となる。この際の同時並列処理数は、従来の電気泳動をベースにしたDNAシーケンシングと比較して飛躍的に大きくすることできると期待されている。   In Non-Patent Document 1, which is a specific example in which a single molecule is fixed to a reaction spot, DNA sequence decoding at a single molecule level using a total reflection evanescent irradiation detection method is performed. Lasers with wavelengths of 532 nm and 635 nm are used as excitation light, and are used for fluorescence excitation of the phosphors Cy3 and Cy5, respectively. A single target DNA molecule is immobilized on the side of the solution layer on the refractive index boundary plane using biotin-avidin protein binding to form a reaction spot. When a Cy3-labeled primer is introduced into the solution by solution exchange, a single fluorescently labeled primer molecule hybridizes to the target DNA molecule. After this hybridization reaction for a certain period of time, unreacted excess primer is washed away. After that, when total reflection evanescent irradiation using excitation light of 532 nm is performed, Cy3 is present in the evanescent field, so that the binding position of the target DNA molecule can be confirmed by fluorescence detection. After confirmation, Cy3 is irradiated with high-output excitation light to cause fluorescence fading, and subsequent fluorescence emission is suppressed. Next, when a polymerase and dNTP of one kind of base labeled with one molecule of Cy5 (N is any one of A, C, G, and T) are introduced by solution exchange, the target DNA molecule is introduced. Only when they are complementary, the fluorescently labeled dNTP molecule is incorporated into the extended strand of the primer molecule. After this extension reaction is performed for a certain period of time, excess unreacted dNTP is washed away. After that, when total reflection evanescent irradiation using excitation light of 633 nm is performed, Cy5 exists in the evanescent field, so that the complementary relationship can be confirmed by fluorescence detection at the binding position of the target DNA molecule. After the confirmation, Cy5 is irradiated with high-power excitation light to cause fluorescence fading, and subsequent fluorescence emission is suppressed. Bases complementary to the target DNA molecule are obtained by repeating the above-described dNTP incorporation reaction process in a step-by-step manner such as A → C → G → T → A → (step extension reaction). It is possible to determine the sequence. A plurality of reaction spots are formed in a region (hereinafter referred to as a measurement visual field) that can be observed at one time by a detector for measuring fluorescence, and each of the reaction spots contains a different target DNA molecule. By processing the processes in parallel, simultaneous DNA sequencing of a plurality of target DNA molecules becomes possible. It is expected that the number of simultaneous parallel processes at this time can be dramatically increased as compared with the conventional DNA sequencing based on electrophoresis.

さらに先端的な研究では、1分子単位でのDNA塩基配列解読において、プラズモン共鳴等を発生させるための微細構造を有する半導体チップを組み合わせたものがある。この例として特許文献1では、局在型表面プラズモンの数倍から数十倍程度の蛍光増強効果を利用している。蛍光増強の影響が及ぶ範囲は10nmから20nm程度である。ターゲットDNAを固定した金属の微細構造体の表面で、局在型表面プラズモンが発生すれば、ターゲットDNAに取り込まれた蛍光標識dNTPだけが蛍光増強の恩恵を受け、浮遊する蛍光標識dNTPとは数倍から数十倍以上の蛍光強度の差がもたらされる。この方式により、未反応の蛍光標識dNTPを除去しなくとも、塩基伸長反応を計測することが可能となる。   Further, some advanced researches include a combination of semiconductor chips having a fine structure for generating plasmon resonance or the like in decoding of a DNA base sequence in a single molecule unit. As an example, Patent Document 1 uses a fluorescence enhancement effect that is several to several tens of times that of localized surface plasmons. The range to which the effect of fluorescence enhancement is about 10 nm to 20 nm. If localized surface plasmons are generated on the surface of the metal microstructure on which the target DNA is immobilized, only the fluorescently labeled dNTP incorporated into the target DNA will benefit from fluorescence enhancement. The fluorescence intensity difference is doubled to several tens of times or more. This method makes it possible to measure the base extension reaction without removing unreacted fluorescently labeled dNTP.

一方、ターゲット分子を任意の形状,配置に整列する様々な方法も提案されている。非特許文献2では、始めに基板上に所望のパターンの電極を設け、PLL-g-PEG(Poly-L-Lysin-g-polyethylene glycol)を基板全面に塗布する。その後、前記電極に電圧を印加することで、前記電極部PLL-g-PEGを退ける。これにより、蛍光分子などを電極部のみに特異的に吸着する方法を提示している。また、非特許文献5では、基板に光解離性の分子を塗布後、近接場走査光によるリソグラフィ手法を用いて、ナノスケールのターゲット分子の固定領域パターンを作製している。これらの手法では、基板上に100nm以下のDNAもしくはタンパク質のパターンを作製する方法が示されている。   On the other hand, various methods for aligning target molecules in an arbitrary shape and arrangement have been proposed. In Non-Patent Document 2, an electrode having a desired pattern is first provided on a substrate, and PLL-g-PEG (Poly-L-Lysin-g-polyethylene glycol) is applied to the entire surface of the substrate. Thereafter, a voltage is applied to the electrode to retract the electrode part PLL-g-PEG. This presents a method for specifically adsorbing fluorescent molecules only on the electrode part. In Non-Patent Document 5, after applying photodissociable molecules to a substrate, a nanoscale target molecule fixed region pattern is produced using a lithography technique using near-field scanning light. In these techniques, a method of producing a DNA or protein pattern of 100 nm or less on a substrate is shown.

さらに、伸長反応はポリメラーゼによるdNTPの取り込みで進行するが、最近の研究によりdNTPの取り込みが連続的かつ自動的に行われる反応系が種々提唱されている。このような、新しく研究が行われている反応方式では、スループットおよび信頼性向上を目的として、1回の観察で読み取る塩基数を数1000塩基程度まで伸ばす研究も行われている。読み取り塩基数を伸ばすには、反応方式の改良はもとより、反応を観察する検出装置も安定して連続観察ができなければならない。   Furthermore, although the extension reaction proceeds by dNTP uptake by a polymerase, recent researches have proposed various reaction systems in which dNTP uptake is continuously and automatically performed. In such a reaction system that has been newly researched, for the purpose of improving throughput and reliability, research has been conducted to extend the number of bases read in one observation to about several thousand bases. In order to increase the number of bases to be read, it is necessary not only to improve the reaction method, but also to stably and continuously observe a detection device that observes the reaction.

これらの核酸分析装置では、レンズや検出器で構成される光学検出系によりDNAの伸長反応を正しく捉えることが重要であり、このためには特にDNAの伸長反応が起こる標識蛍光体近傍に正確に焦点を合わせることが必須となる。さらに塩基伸長反応をステップ制御せずに行う、いわゆるリアルタイム反応系では、塩基伸長反応の一旦停止は困難である。このため観察を開始した後は、伸長反応が終了するまで観察を停止させることが不可能である。この間にも、ナノオーダーでの物体の観察では、室温の微妙な変化や周囲の地面の振動などの影響を敏感に受け、刻々と合焦位置が変化する場合がある。   In these nucleic acid analyzers, it is important to correctly capture the DNA elongation reaction using an optical detection system composed of a lens and a detector. It is essential to focus. Further, in a so-called real-time reaction system in which the base extension reaction is performed without step control, it is difficult to temporarily stop the base extension reaction. For this reason, after starting the observation, it is impossible to stop the observation until the extension reaction is completed. In the meantime, in the observation of the object on the nano order, the in-focus position may be changed every moment sensitively to the influence of a subtle change in room temperature or the vibration of the surrounding ground.

このため、対象物を観察しながら、それと並行して常にフォーカスずれ量を検出し、そのずれを補正しつづけるオートフォーカスを行うことが必要となる。この方式として、赤外線などの補助光を用いたオートフォーカス方式(以下、アクティブ方式オートフォーカスという)が一般的に用いられている。本方式では、赤外線などの補助光を観察対象物に照射し、その反射光の特性、あるいは位相からフォーカスずれ量を確認するものである。この例として、特開昭61−112112がある。この発明では、撮像レンズを通じて被写体に赤外光を照射し、その反射光を結像させた際のスポット位置シフト量でずれ量を検出する。本方式によれば、フォーカスずれ量および方向を検出できるため、ずれ量を補正する方向にレンズ繰り出し量を修正することにより、常に焦点を持った状態で対象物の観察が可能である。   For this reason, while observing the object, it is necessary to always detect the amount of focus deviation in parallel with it and perform autofocus to continue correcting the deviation. As this method, an autofocus method using auxiliary light such as infrared rays (hereinafter referred to as an active method autofocus) is generally used. In this method, auxiliary light such as infrared rays is irradiated onto an observation object, and the amount of focus deviation is confirmed from the characteristics or phase of the reflected light. An example of this is JP-A-61-112112. In this invention, a subject is irradiated with infrared light through an imaging lens, and a shift amount is detected based on a spot position shift amount when the reflected light is imaged. According to this method, since the amount and direction of focus deviation can be detected, the object can always be observed in a focused state by correcting the lens extension amount in the direction in which the amount of deviation is corrected.

しかしながら、この方式では追加の光学系および発光素子,検出素子が必要であるため、構造が複雑となりコストも増大する。また観察対象へオートフォーカスのための光を照射する必要があるため、その光が観察対象への無用な影響を及ぼさないよう、波長および強度には十分配慮する必要がある。本発明が対象とするような核酸分析装置では、複数の蛍光およびそれらを励起する励起光を用いるため、微弱な反応信号の検出に影響を及ぼす場合がある。   However, this method requires an additional optical system, a light emitting element, and a detecting element, which makes the structure complicated and increases the cost. In addition, since it is necessary to irradiate the observation target with light for autofocusing, it is necessary to give sufficient consideration to the wavelength and intensity so that the light does not have an unnecessary influence on the observation target. The nucleic acid analyzer as the object of the present invention uses a plurality of fluorescence and excitation light that excites them, and may affect the detection of a weak reaction signal.

特開昭61−112112号公報JP 61-112112 A 特開2007−171158号公報JP 2007-171158 A P.N.A.S. 2003, Vol. 100, pp. 3960-3964.P.N.A.S. 2003, Vol. 100, pp. 3960-3964. Analytical Chemistry, Vol.78, No.3, February 1, 2006, pp. 711-717Analytical Chemistry, Vol.78, No.3, February 1, 2006, pp. 711-717

前述の課題を原理的に持たないオートフォーカス方式として、コントラスト検出方式オートフォーカスがある。この方式では、カメラで取得した画像から高周波成分を抽出し、高周波成分の強度の大小をフォーカス評価値として定義する。そして画像を撮影しつつフォーカス評価値が最も高くなるようレンズ繰り出し量を調整する。画像中の高周波成分は、主に撮影対象物の輪郭等であり、これらが最も強く検出される点が合焦点であることに基づいている。   As an autofocus method that does not have the above-described problem in principle, there is a contrast detection type autofocus. In this method, a high frequency component is extracted from an image acquired by a camera, and the magnitude of the strength of the high frequency component is defined as a focus evaluation value. Then, the lens extension amount is adjusted so that the focus evaluation value becomes the highest while photographing an image. The high-frequency component in the image is mainly the contour of the object to be photographed, and the point at which these are detected most strongly is based on the focal point.

核酸分析装置へ本方式を適用する場合、観察のための光学系および検出器がそのまま利用可能であるため、追加の光学系や検出器が不要となり安価にオートフォーカスを実現することが可能である。またアクティブ方式オートフォーカスのように補助光を入射させる必要がないため、観察対象への影響は皆無である。   When this method is applied to a nucleic acid analyzer, the optical system and detector for observation can be used as they are, so that no additional optical system or detector is required, and autofocus can be realized at low cost. . In addition, since there is no need to make auxiliary light incident unlike active type autofocus, there is no influence on the observation target.

このような利点から、コントラスト検出方式によるオートフォーカスは核酸分析装置に好適であるが、適用の際の課題として、合焦点から外れている場合には、そのずれ方向がどちらにずれているか不明であるという欠点があった。   Because of these advantages, autofocus by contrast detection is suitable for nucleic acid analyzers. However, as a problem to be applied, when it is out of focus, it is unclear which direction the deviation is. There was a drawback of being.

アクティブ方式オートフォーカスでは、対象物に当たって反射した戻り光から、たとえばナイフエッジ法などにより、ずれ方向を検出することができる。これにより、対象物と焦点の位置関係が遠すぎるか、あるいは近すぎるのかが判別可能であった。これに対しコントラスト検出方式では、フォーカスがずれているということは分かるものの、そのずれ方向は不明であり、レンズの繰り出し量をいずれかの方向へ移動し、フォーカス評価値の変化を試行的に調べ、フォーカスずれ方向を推定するしか方法がなかった。   In the active type autofocus, the shift direction can be detected from the return light reflected upon the object by, for example, the knife edge method. This makes it possible to determine whether the positional relationship between the object and the focal point is too far or too close. On the other hand, in contrast detection method, although it is known that the focus is shifted, the direction of the shift is unknown, and the lens extension amount is moved in either direction, and the change in the focus evaluation value is examined on a trial basis. The only way to estimate the direction of defocus was.

レンズの繰り出し量を変化させた場合、それが仮にフォーカスをはずす方向であった場合には観察の継続が不能となり、観察中の塩基伸長反応の情報を失うこととなる。このため、コントラスト検出方式オートフォーカスを核酸分析装置に適用するためには、フォーカスずれ方向がどちら方向なのかを知ることができる手段を有することが必須である。   When the amount of lens extension is changed, if it is in the direction of defocusing, observation cannot be continued, and information on the base extension reaction during observation is lost. For this reason, in order to apply the contrast detection type autofocus to the nucleic acid analyzer, it is essential to have a means capable of knowing which direction the focus shift direction is.

前記課題に対し、本発明の手法は、観察対象の近傍、たとえば反応基板上に高さが異なる複数の凸部、あるいは凹部を配置し、それらコントラスト検出部位のフォーカス評価値をそれぞれ算出する。これらのフォーカス評価値の差異により、フォーカスずれ方向を識別する。   In order to solve the above problem, the method of the present invention arranges a plurality of convex portions or concave portions having different heights in the vicinity of the observation target, for example, on the reaction substrate, and calculates the focus evaluation values of these contrast detection portions. The focus shift direction is identified by the difference between these focus evaluation values.

以上のような構造とすることで、観察対象物である塩基伸長反応による蛍光発光を捉えつつ、フォーカス位置を確認できる。またフォーカス位置が何らかの影響により変化した場合には、そのずれ方向が判別できる。このため、反応観察を停止することなくフォーカス位置を再調整することができ、長時間にわたる安定した観察が可能となる。   By adopting the structure as described above, the focus position can be confirmed while capturing the fluorescence emission due to the base extension reaction that is the observation object. Further, when the focus position changes due to some influence, the shift direction can be determined. For this reason, the focus position can be readjusted without stopping the reaction observation, and a stable observation over a long period of time becomes possible.

本方式を利用することにより、アクティブ方式オートフォーカスのような追加の光学系および発光素子、検出素子が不要となるため、検出光学系の構造が簡単となり調整箇所も少なくなる。また対象物に不要な補助光を照射しないため、光化学的影響をまったく与えることなく対象物への合焦状態を維持することができる。   By using this method, an additional optical system such as the active method autofocus, a light emitting element, and a detection element are not required, so that the structure of the detection optical system is simplified and adjustment points are reduced. Further, since unnecessary auxiliary light is not irradiated onto the object, the focused state on the object can be maintained without any photochemical effect.

本発明の最も基本的な構成の例。An example of the most basic configuration of the present invention. 塩基配列解読を行う装置の例。An example of a device that performs base sequence decoding. 反応基板101および2次元センサカメラ221周辺の詳細。Details around the reaction substrate 101 and the two-dimensional sensor camera 221. 本発明で用いることができる構造体の製作手順。Procedure for manufacturing a structure that can be used in the present invention. フォーカス位置判別方法の概念図。The conceptual diagram of a focus position determination method. 撮影条件が異なった場合での問題を解決できる構造体例。An example of a structure that can solve problems when shooting conditions are different. コントラスト検出方式でのフォーカス位置判別方法の概念図。The conceptual diagram of the focus position determination method by a contrast detection system. フォーカスずれ量を検出可能な反応基板構造。Reaction board structure that can detect the amount of focus shift. ビーズ等を使ったオートフォーカスターゲットの例。An example of an autofocus target using beads. オートフォーカス用ビーズによるフォーカス位置判別方法の概念図。The conceptual diagram of the focus position discrimination method by the bead for autofocus.

本発明を実施するに最良の形態を以下に示す。なお、本形態は発明の理解のために用いるものであり、本実施例の形態に権利範囲を限定するものではない。   The best mode for carrying out the present invention will be described below. Note that this embodiment is used for understanding the invention and does not limit the scope of rights to the embodiment.

本実施形態では、反応基板上に(1)基板平面と同一の高さの照準(2)基板を掘り込んだ位置の照準(3)基板平面から突出した位置の照準の3種の照準を作成する。(2)および(3)の構造は、いずれか一方でも良い。このような構造を作製した上で、実際の観察段階では、反応基板を上部から観察し、3種あるいは2種の照準のフォーカス評価値を個別に算出する。表面より突出しているコントラスト検出部位のフォーカス評価値が高い場合には、合焦位置が手前方向にあると判断できる。このため、フォーカスを再調整するためにはより遠方に合焦するようレンズ繰り出し量を調整すればよい。また、反応基板上に配置した掘り込み構造の底面部位のフォーカス評価値が高い場合、合焦位置が遠方にあると判断できる。このため、フォーカスを再調整するためにはより近方に合焦するようレンズ繰り出し量を調整すればよい。   In this embodiment, three types of sights are created on the reaction substrate: (1) sight of the same height as the substrate plane, (2) sight at the position where the substrate is dug, and (3) sight at the position protruding from the substrate plane. To do. Either one of the structures (2) and (3) may be used. After producing such a structure, in the actual observation stage, the reaction substrate is observed from above, and the focus evaluation values of three or two types of aim are calculated individually. When the focus evaluation value of the contrast detection part protruding from the surface is high, it can be determined that the in-focus position is in the front direction. For this reason, in order to readjust the focus, it is only necessary to adjust the lens extension amount so as to focus farther. Further, when the focus evaluation value of the bottom surface portion of the digging structure arranged on the reaction substrate is high, it can be determined that the in-focus position is far away. For this reason, in order to readjust the focus, it is only necessary to adjust the lens extension amount so as to focus closer.

コントラスト検出部位となる照準の形状は、フォーカス評価値を算出できる形状であれば特に限定はなく、任意の形状で生成すればよい。また他の目的により配置した構造体をコントラスト検出部位として兼用してもよい。コントラスト検出部位の凹凸の高さは、光学的分解能から導き出される被写用深度より、例えば10nm以上、100μm以下が望ましい。またコントラスト検出部位の配置については、理想的には基板表面に加え、表面より高い位置、および低い位置を準備することが望ましいが、構造の簡略化のために、高さが高い位置のみ、あるいは低い位置のみでもかまわない。   There is no particular limitation on the shape of the sight that becomes the contrast detection region as long as the focus evaluation value can be calculated, and it may be generated in an arbitrary shape. A structure arranged for other purposes may also be used as a contrast detection part. The height of the unevenness of the contrast detection portion is preferably 10 nm or more and 100 μm or less, for example, from the depth of field derived from the optical resolution. As for the arrangement of the contrast detection parts, ideally, it is desirable to prepare a position higher and lower than the surface in addition to the substrate surface, but for simplification of the structure, only the position where the height is high or It does not matter even if it is in a low position.

さらに発展させた形態として、コントラスト検出部位の高さを小刻みに変化させ、複数の高さの照準を配置することにより、フォーカスずれ量を推定できる構造とすることもできる。具体的には、例えば反応基板平面に対し1μmピッチで±5μmの範囲で、高さが異なる照準を作成する。観察の際に、例えば+2μmの位置の照準が最もフォーカス評価値が高ければ、それはおよそ+2μmだけフォーカスずれを起こしていると推定できる。このため、レンズ繰り出し量をマイナス方向に2μm分繰り出せば、不要な動きをすることなく瞬時に合焦させることが可能となる。   As a further developed form, the height of the contrast detection part can be changed in small increments, and a structure capable of estimating the amount of focus deviation can be obtained by arranging a plurality of aiming heights. Specifically, for example, sights having different heights are created in a range of ± 5 μm at a pitch of 1 μm with respect to the reaction substrate plane. When observing, for example, if the aim at the position of +2 μm has the highest focus evaluation value, it can be estimated that the focus has shifted by about +2 μm. For this reason, if the lens extension amount is extended by 2 μm in the minus direction, it becomes possible to focus instantaneously without unnecessary movement.

図1は本発明の最も基本的な構成の例である。反応基板101上には、遺伝子配列または遺伝子多型を解析するためのナノ構造体あるいはパッド104がグリッド上,ハニカム上、あるいはランダムに配置されている。この領域の例えば中心にオートフォーカス用ターゲット103が配置されている。この領域は、上面から見たときには上部に異なる材質で作製された十字ターゲットが確認できる構造となっており、また側面から見たときは、掘り込み部102の底面に配置されている構造となっており、高さ方向の差異が付く構造となっている。   FIG. 1 shows an example of the most basic configuration of the present invention. On the reaction substrate 101, nanostructures or pads 104 for analyzing gene sequences or gene polymorphisms are arranged on a grid, on a honeycomb, or randomly. For example, an autofocus target 103 is arranged at the center of this region. This region has a structure in which a cross target made of a different material can be confirmed at the top when viewed from the top surface, and has a structure disposed on the bottom surface of the dug portion 102 when viewed from the side surface. It has a structure with a difference in height.

この十字ターゲットは励起光を照射すると、蛍光を発する金属で形成されている。この十字ターゲットは、励起光を照射すると、蛍光を発しない金属であって、蛍光色素を吸着させたものでもよい。   This cross target is made of a metal that emits fluorescence when irradiated with excitation light. The cross target may be a metal that does not emit fluorescence when irradiated with excitation light and has a fluorescent dye adsorbed thereto.

また、本反応デバイスを使い塩基配列解読を行う装置の例を図2に示す。図2の装置例は単分子DNAシーケンサの一例であり、分析装置240と解析用コンピュータ222からなる。分析装置240では反応基板214での反応を2次元センサカメラ221で観測する。反応基板214への試薬の供給は、試薬保管ユニット216内の各容器に格納された試薬を分注ユニット217によって分注し、送液チューブ218によって行う。また供給した試薬は反応を進行させるのに最適な温度となるよう温度制御ユニット215により適切に温度調整される。反応が完了した後の廃液は、廃液チューブ219を経由し廃液容器220へ廃棄される。   FIG. 2 shows an example of an apparatus for performing base sequence decoding using this reaction device. The apparatus example of FIG. 2 is an example of a single molecule DNA sequencer, and includes an analyzer 240 and an analysis computer 222. In the analyzer 240, the reaction on the reaction substrate 214 is observed with the two-dimensional sensor camera 221. The reagent is supplied to the reaction substrate 214 by dispensing the reagent stored in each container in the reagent storage unit 216 with the dispensing unit 217 and using the liquid feeding tube 218. In addition, the temperature of the supplied reagent is appropriately adjusted by the temperature control unit 215 so that the temperature is optimal for the reaction to proceed. The waste liquid after the reaction is completed is discarded into the waste liquid container 220 via the waste liquid tube 219.

このような装置に利用する前記反応基板は、たとえばエバネッセント光による計測が行われる場合には全反射プリズム229に光学的に結合され、励起光用レーザーユニット224,225による全反射照明により照明される。励起光を照射すると、基板上面側の屈折率境界平面上で全反射が起こるが、このとき、およそ入射光の1波長程度までの高さだけ低媒質側の内部に電磁波が浸透する。これにより、金属構造体を含めた極々限られた領域のみが照明される。この領域をエバネッセント場と呼ぶ。   The reaction substrate used in such an apparatus is optically coupled to the total reflection prism 229 when measured by evanescent light, for example, and illuminated by total reflection illumination by the excitation light laser units 224 and 225. . When the excitation light is irradiated, total reflection occurs on the refractive index boundary plane on the upper surface side of the substrate. At this time, the electromagnetic wave penetrates into the low medium side by the height of about one wavelength of incident light. Thereby, only an extremely limited region including the metal structure is illuminated. This area is called an evanescent field.

本装置上で、前述した方法により塩基伸長反応を進行させると、反応基板214の構造体上に取り付けられたターゲットDNAおよびポリメラーゼにより取り込まれた蛍光色素が、レーザ光により励起され発光する。これを、蛍光波長のみを透過する光学フィルターである蛍光波長フィルター232および結像レンズ233、および2次元センサカメラ221からなる光学検出系により2次元画像として捉える。   When the base extension reaction proceeds on this apparatus by the above-described method, the target DNA attached on the structure of the reaction substrate 214 and the fluorescent dye incorporated by the polymerase are excited by the laser light to emit light. This is captured as a two-dimensional image by an optical detection system including a fluorescence wavelength filter 232 and an imaging lens 233 that are optical filters that transmit only the fluorescence wavelength, and a two-dimensional sensor camera 221.

上記の十字ターゲットも同じ2次元センサカメラ221で検出することができる。この2次元センサカメラ221は、塩基伸長反応の蛍光観察中、常に十字ターゲットの蛍光の観察を行っている。   The above cross target can also be detected by the same two-dimensional sensor camera 221. This two-dimensional sensor camera 221 always observes the fluorescence of the cross target during the fluorescence observation of the base extension reaction.

反応基板101および2次元センサカメラ221周辺の詳細を図3に示す。ナノ構造体あるいはパッド104が配置されている反応基板101で塩基伸長反応を行った際の蛍光信号を、対物レンズユニット310で集光し、2次元センサカメラ221で観測する。対物レンズユニット310は、図2に示す対物レンズ231,蛍光波長フィルター232、および結像レンズ233を1つのユニットとしたものである。オートフォーカスのためのフォーカス位置駆動は、反応基板を移動301する、あるいは対物レンズユニットを移動302する方法がある。本発明の方式は何れのフォーカス位置駆動方式にも適用可能である。   Details of the reaction substrate 101 and the periphery of the two-dimensional sensor camera 221 are shown in FIG. The fluorescence signal when the base extension reaction is performed on the reaction substrate 101 on which the nanostructure or the pad 104 is arranged is collected by the objective lens unit 310 and observed by the two-dimensional sensor camera 221. The objective lens unit 310 includes the objective lens 231, the fluorescence wavelength filter 232, and the imaging lens 233 shown in FIG. For focus position driving for auto-focusing, there are methods of moving the reaction substrate 301 or moving the objective lens unit 302. The method of the present invention can be applied to any focus position driving method.

図4に、本発明で用いることができるコントラスト検出部位の製作手順を示す。本発明の基板は図示および以下に説明する手順により製作が可能である。   FIG. 4 shows a procedure for manufacturing a contrast detection portion that can be used in the present invention. The substrate of the present invention can be manufactured by the procedures shown and described below.

(1)レジスト塗布1
石英あるいはシリコン等の平滑な支持基体401上にレジスト402を塗布する。レジスト402としては、電子線用のネガ型ポジストを用いることができる。具体的には、TEBN−1(株式会社トクヤマ社製)が挙げられる。レジストをスピンナーで塗布した後、ホットプレートで2〜5分程度プリベイクする。
(1) Resist application 1
A resist 402 is applied on a smooth support base 401 such as quartz or silicon. As the resist 402, a negative positive for electron beam can be used. Specifically, TEBN-1 (made by Tokuyama Co., Ltd.) is mentioned. After applying the resist with a spinner, it is pre-baked with a hot plate for about 2 to 5 minutes.

(2)パターニング1
加速電圧50〜100KVの電子線で描画した後、乳酸エチル,イソプロパノール、またはエタノールで現像する。
(2) Patterning 1
After drawing with an electron beam having an acceleration voltage of 50 to 100 KV, development is performed with ethyl lactate, isopropanol, or ethanol.

(3)エッチング1
パターニングされたレジストをマスクとして支持基体401をエッチングする。このエッチングで作成する掘りこみは、オートフォーカス時のフォーカス評価値参照用に用いるのみであるため、深さおよび寸法の精度はあまり必要としない。このため、深さおよそ500nm±10%程度の精度で十分であり、掘りこみ深さの制御はエッチングレートから算出されるエッチング時間で簡易に管理すればよい。
(3) Etching 1
The support base 401 is etched using the patterned resist as a mask. Since the digging created by this etching is only used for referring to the focus evaluation value at the time of autofocusing, the depth and dimensional accuracy are not so required. For this reason, an accuracy of about 500 nm ± 10% in depth is sufficient, and the control of the digging depth may be easily managed by the etching time calculated from the etching rate.

(4)レジスト除去1
レジスト除去には、広く一般的に用いられるオゾンアッシングのプロセスを用いることができる。
(4) Resist removal 1
For the resist removal, a widely and commonly used ozone ashing process can be used.

(5)金属膜形成
金属膜403を形成する。この膜の厚さは、最終的に生成されるナノ構造体421の高さを制御するものである。局在型表面プラズモンを利用する場合は、金属体の高さが効果的に生じる厚さは、計測時に用いる励起波長により異なるものの、望ましい厚さは1000nm以下である。薄膜形成方法としては、蒸着,スパッタリング,CVD,PVDなどを用いることができる。
(5) Metal film formation A metal film 403 is formed. The thickness of this film controls the height of the finally formed nanostructure 421. When using the localized surface plasmon, the thickness at which the height of the metal body is effectively generated varies depending on the excitation wavelength used at the time of measurement, but the desirable thickness is 1000 nm or less. As a thin film forming method, vapor deposition, sputtering, CVD, PVD, or the like can be used.

(6)レジスト塗布2
手順(1)と同様の手法によりレジストを塗布する。
(6) Resist application 2
A resist is applied by the same method as in the procedure (1).

(7)パターニング2
このパターニングでは、塩基伸長反応観察に必要なナノ構造体421の形状を描画すると同時に、オートフォーカスでのフォーカス評価値を算出するためのターゲット422を描画する。このときのターゲットの大きさは、レンズ性能や光学系構築精度等による分解能の低下、およびターゲットを自動探索する際の容易性を考慮し、少なくとも5μm平方以上の寸法とすることが望ましい。
(7) Patterning 2
In this patterning, the shape of the nanostructure 421 necessary for base extension reaction observation is drawn, and at the same time, a target 422 for calculating a focus evaluation value in autofocus is drawn. In this case, the size of the target is desirably at least 5 μm square in consideration of a reduction in resolution due to lens performance, optical system construction accuracy, and the like, and ease of automatic search for the target.

(8)エッチング2
パターニングされたレジストをマスクとして金属膜403をエッチングする。これにより、塩基伸長反応観察に必要なナノ構造体421およびオートフォーカスでのフォーカス評価値を算出するためのターゲット422が残されたまま、それ以外の金属膜が除去される。
(8) Etching 2
The metal film 403 is etched using the patterned resist as a mask. As a result, the other metal film is removed while the nanostructure 421 necessary for observation of the base extension reaction and the target 422 for calculating the focus evaluation value in autofocus remain.

(9)レジスト除去2
最後に不要となったレジストを除去する。(4)と同様の手法により除去可能である。
(9) Resist removal 2
Finally, unnecessary resist is removed. It can be removed by the same method as in (4).

以上の手法により、本発明に最適な反応基板を生成することができる。   The reaction substrate optimal for the present invention can be generated by the above method.

本例では、オートフォーカス用ターゲットを形成することを目的としたプロセスを追加したが、特願2009−084002に示されているような複雑な構造を持つ反応基板を生成する際には、各プロセス間の位置合わせのために反応基板上にアライメントマークを掘り込む必要がある。このような場合においては、あえてこれらのマークを実際に分析を行う際の観察視野内に配置し、コントラスト検出部位として兼用することで、プロセス数を削減することが可能である。   In this example, a process for forming an autofocus target is added. However, when generating a reaction substrate having a complicated structure as shown in Japanese Patent Application No. 2009-088002, each process is performed. It is necessary to dig an alignment mark on the reaction substrate for alignment between them. In such a case, it is possible to reduce the number of processes by placing these marks in an observation field when actually analyzing and also serving as a contrast detection part.

また、本方法で作成した反応基板へのDNAプローブの固定方法、または局在型表面プラズモンを利用した蛍光増強構造体の配置などについては、特開2007−171158,特願2009−084002、等に示されている方法を用いればよい。   For the method of fixing the DNA probe to the reaction substrate prepared by the present method or the arrangement of the fluorescence enhancement structure using localized surface plasmons, refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-171158, Japanese Patent Application No. 2009-084002, etc. The method shown may be used.

オートフォーカス用ターゲット103による、コントラスト検出方式でのフォーカス位置判別方法の概念図を図5に示す。オートフォーカス用ターゲット103を、反応基板上にフォーカスが合焦した状態で観察した場合、図5の良に示す通り、パッドは合焦した状態で、またオートフォーカス用ターゲットはわずかにデフォーカスした状態で観察される。このときのそれぞれのフォーカス評価値の大小関係は、図示の通りである。仮に、反応基板表面が良好なフォーカス位置より近い場合には、次第にオートフォーカス用ターゲットのフォーカス評価値が上昇し、その一方でパッドのフォーカス評価値は低下する。これとは逆に、反応基板表面が良好なフォーカス位置より遠い場合には、図5の近に示すように、パッドおよびオートフォーカス用ターゲットのいずれもフォーカス評価値が低下する。   FIG. 5 shows a conceptual diagram of a focus position determination method in the contrast detection method using the autofocus target 103. When the autofocus target 103 is observed with the focus on the reaction substrate, the pad is in focus and the autofocus target is slightly defocused as shown in FIG. Observed at. The magnitude relationship between the focus evaluation values at this time is as illustrated. If the reaction substrate surface is closer to a good focus position, the focus evaluation value of the autofocus target gradually increases, while the pad focus evaluation value decreases. On the other hand, when the reaction substrate surface is far from the good focus position, the focus evaluation value of both the pad and the autofocus target decreases as shown in the vicinity of FIG.

このフォーカス評価値の変化の傾向により、フォーカスが何れの方向にずれているかを検出することができ、合焦させる方向へ間違いなく駆動することが可能である。   Based on the tendency of the change in the focus evaluation value, it is possible to detect in which direction the focus is shifted, and it is possible to drive without fail in the in-focus direction.

これらの処理を行うためには、撮影した画像から当該十字ターゲットを自動探索する機能があると望ましい。しかしながら、機器組み込み用コンピュータなどでは画像処理に関する性能が十分でない場合があり、十字ターゲットを自動探索する機能の実現が難しい場合もある。このような場合には、予め画像上の特定の座標位置に十字ターゲットが撮影されるよう、正確な位置合わせを行える装置構造とし、画像中の座標領域固定でオートフォーカス位置判定処理することも可能である。   In order to perform these processes, it is desirable to have a function of automatically searching for the cross target from the captured image. However, there are cases where performance relating to image processing is not sufficient in a device embedded computer or the like, and it may be difficult to realize a function of automatically searching for a cross target. In such a case, the device structure can be accurately aligned so that the cross target is captured in advance at a specific coordinate position on the image, and the autofocus position determination process can be performed with the coordinate area fixed in the image. It is.

繰り返しになるが、本実施例によれば、界面の蛍光のオートフォーカス評価値と、ターゲットのオートフォーカス評価値の値と、両者の関係からフォーカスがずれている場合でも、どちらにずれているのか(近いのか、遠いのか)を知ることができる。例えば、ターゲットが一つで、かつ、光学センサとの距離が界面よりも遠い場合には、次の通りである。ターゲットのオートフォーカス評価値>界面の蛍光のオートフォーカス評価値の場合には、光学センサと界面との距離が近すぎる。また、ターゲットのオートフォーカス評価値<界面の蛍光のオートフォーカス評価値で、かつ界面の蛍光のオートフォーカス評価値が所定の閾値以下の場合には、光学センサと界面との距離が遠すぎる。それ以外の場合には、フォーカスが合っている。   Again, according to this example, even if the focus is shifted due to the relationship between the autofocus evaluation value of the interface fluorescence and the value of the target autofocus evaluation value, whichever is shifted? (Whether it is near or far). For example, when there is one target and the distance to the optical sensor is farther than the interface, the following is performed. If target autofocus evaluation value> interface fluorescence autofocus evaluation value, the distance between the optical sensor and the interface is too short. Further, when the target autofocus evaluation value <the interface fluorescence autofocus evaluation value and the interface fluorescence autofocus evaluation value is equal to or smaller than a predetermined threshold, the distance between the optical sensor and the interface is too long. In other cases, it is in focus.

なお、図5の丸印で示されるナノ構造体は、100nmであり、一方、伸長反応で伸びる距離は1baseあたり0.5nmとナノ構造体に比して非常に小さいため、伸長反応により、取り込まれた蛍光色素の位置が変化する影響はほとんどない。   Note that the nanostructure shown by the circle in FIG. 5 is 100 nm, while the distance extended by the extension reaction is 0.5 nm per base, which is very small compared to the nanostructure, so that it is incorporated by the extension reaction. There is almost no effect of changing the position of the fluorescent dye.

また、本実施例では、簡単のため、反応基板上に観察視野が一つとして説明した。このように観察視野が一つの場合には十字ターゲットは一つで良いが、反応基板上に複数の観察視野がある場合には、その観察視野毎に十字ターゲットが必要となる。この点は、以下説明する他の実施例でも同じである。   Further, in this embodiment, for the sake of simplicity, the description has been made assuming that there is one observation field on the reaction substrate. In this way, when there is one observation field, only one cross target is required, but when there are a plurality of observation fields on the reaction substrate, a cross target is required for each observation field. This is the same in other embodiments described below.

なお、本実施例では、伸長反応の際に取り込まれる蛍光色素も、フォーカスに用いたが、これ以外にも、上述した十字ターゲット以外に該十字ターゲットとは垂直方向の距離が異なる別の十字ターゲットを設け、これをフォーカスに用いてもよい。   In this example, the fluorescent dye incorporated during the extension reaction was also used for focusing. In addition to this, another cross target having a vertical distance different from the cross target other than the cross target described above. May be used for focusing.

実施例1では、オートフォーカス用ターゲットを掘りこみ位置に配置し、反応基板表面との高さの差異を利用しフォーカスずれ方向を識別した。この方式ではフォーカス位置が近い方向にずれた場合、適当な位置でのフォーカス評価値と比較し、パッド、およびターゲット共にフォーカス評価値が低下することで判別した。しかしながらフォーカス評価値は、照明法や画面全体の輝度等が一定である場合にのみ、その値の直接比較が可能であるが、撮影条件が異なった場合には絶対値としての比較は意味をなさない。この問題を解決できるオートフォーカス用ターゲット例を図6に示す。   In Example 1, the autofocus target was placed at the digging position, and the defocus direction was identified using the height difference from the reaction substrate surface. In this method, when the focus position is deviated in the near direction, the focus evaluation value at the appropriate position is compared with the focus evaluation value at an appropriate position. However, the focus evaluation value can be directly compared only when the illumination method, the brightness of the entire screen, etc. are constant, but the comparison as an absolute value does not make sense when the shooting conditions are different. Absent. An example of an autofocus target that can solve this problem is shown in FIG.

図6に示す反応基板では、実施例1での構造と比較し、掘りこみ部ターゲット603は同一であるが、それに加え、反応基板平面と同一高さのターゲット601および突起部ターゲット602を追加している。   In the reaction substrate shown in FIG. 6, the digging portion target 603 is the same as the structure in the first embodiment, but in addition to that, a target 601 and a projection target 602 having the same height as the reaction substrate plane are added. ing.

この構造をもった反応基板を製作するには、(5)金属膜形成の時点で異なる2種の金属膜を形成しておき、突起部オートフォーカス用ターゲットの作成のためのレジスト塗布,パターニング,エッチングおよびレジスト除去を行い、この後パッドおよび掘りこみ部ターゲット作成のためのレジスト塗布,パターニング,エッチングおよびレジスト除去を行えばよい。   In order to manufacture a reaction substrate having this structure, (5) two different metal films are formed at the time of metal film formation, and resist coating, patterning, Etching and resist removal may be performed, and then resist coating, patterning, etching, and resist removal for pad and digging portion target creation may be performed.

本構造を用いたコントラスト検出方式でのフォーカス位置判別方法の概念図を図7に示す。本方式の構造を持つ反応基板において、フォーカス位置が適切な状態でターゲットを捉えた場合、反応基板表面にある中心部の十字ターゲットのフォーカス評価値bが最も高くなり、反応基板表面と高さが異なる十字ターゲットのフォーカス評価値aおよびcは低くなる。仮に、反応基板表面が良好なフォーカス位置より近い場合には、図7の近に示すように突起部として作成されている十字ターゲットのフォーカス評価値aが最も高くなり、反応基板平面と同一高さの十字ターゲットのフォーカス評価値bおよび掘り込み部の十字ターゲットのフォーカス評価値cは、より低い値となる。これとは逆に、反応基板表面が良好なフォーカス位置より遠い場合には、突起部として作成されている十字ターゲットのフォーカス評価値aが最も低くなり、反応基板平面と同一高さの十字ターゲットのフォーカス評価値bおよび掘り込み部の十字ターゲットのフォーカス評価値cの順でフォーカス評価値が高くなる。   FIG. 7 shows a conceptual diagram of a focus position determination method in the contrast detection method using this structure. In a reaction substrate having the structure of this method, when a target is captured with an appropriate focus position, the focus evaluation value b of the cross target at the center of the reaction substrate surface is the highest, and the height of the reaction substrate surface is The focus evaluation values a and c of different cross targets are low. If the reaction substrate surface is closer to a good focus position, the focus evaluation value a of the cross target created as the protrusion is the highest as shown in FIG. 7 and is the same height as the reaction substrate plane. The focus evaluation value b of the cross target and the focus evaluation value c of the cross target of the digging portion are lower values. On the contrary, when the reaction substrate surface is far from a good focus position, the focus evaluation value a of the cross target created as the protrusion is the lowest, and the cross target of the same height as the reaction substrate plane The focus evaluation value increases in the order of the focus evaluation value b and the focus evaluation value c of the cross target in the digging portion.

本方式を用いることで、照明の状態や輝度などの撮影条件が頻繁に変化する場合においても、これら3点のフォーカス評価値の相対比較のみでフォーカスずれ方向を判別することができる。   By using this method, even when photographing conditions such as illumination state and brightness frequently change, it is possible to determine the focus shift direction only by relative comparison of these three focus evaluation values.

本実施例によれば、上記のように、界面の両側に界面よりも撮影機構との距離が近いターゲット部材と、界面よりも撮影機構との距離が遠いターゲット部材を設けることにより、明るさが変わったとしても、その大小関係を見るだけで、どちらにずれているかを正確に把握することができる。   According to the present embodiment, as described above, the brightness is improved by providing the target member closer to the photographing mechanism than the interface and the target member farther from the photographing mechanism than the interface on both sides of the interface. Even if it has changed, it is possible to accurately grasp which one has shifted by simply looking at the magnitude relationship.

なお、本実施例でも、伸長反応の際に取り込まれる蛍光色素も、フォーカスに用いたが、これ以外にも、2つの十字ターゲット以外に2つの十字ターゲットとは垂直方向の距離が異なる別の(第3の)十字ターゲットを設け、これをフォーカスに用いてもよい。   In this example, the fluorescent dye incorporated during the extension reaction was also used for focusing. In addition to this, in addition to the two cross targets, the distances in the vertical direction are different from the two cross targets ( A third) cross target may be provided and used for focusing.

実施例1および2では、フォーカスずれ方向は判別できたものの、ずれ量がどのくらいであるかは不明であった。この問題を解決し、フォーカスずれ量を検出可能な反応基板構造を図8に示す。   In Examples 1 and 2, although the focus shift direction could be determined, it was unknown how much the shift amount was. FIG. 8 shows a reaction substrate structure that can solve this problem and detect the amount of defocus.

本方法では、高さが異なる5点,7点,9点、あるいはさらに他の点数のオートフォーカス用ターゲット801を配置する。図8では反応基板802の平面と同一高さのターゲットを含め9点のターゲットを作成した構造例を示している。このような構造例は、前述の半導体製作プロセスか、あるいはその発展技術であるMEMS技術、あるいはナノインプリント技術等を使って作成してもよい。   In this method, five, seven, nine, or even other numbers of autofocus targets 801 having different heights are arranged. FIG. 8 shows an example of a structure in which nine targets including a target having the same height as the plane of the reaction substrate 802 are created. Such a structural example may be created by using the above-described semiconductor manufacturing process, or the MEMS technology or nanoimprint technology which is an advanced technology thereof.

このようなオートフォーカス用ターゲット801に対し、各々のフォーカス評価値を算出すると、距離に応じ図8に示す近,良,遠のようなフォーカス評価値プロファイルを得ることができる。このプロファイルをGaussフィットあるいは2次関数での最小二乗近似などによりピーク位置を算出することで、フォーカスずれ量に比例したずれ距離係数を算出することができる。例えば、各ターゲットの高さの差がすべて100μmであり、かつ図8の近のパターンでのGaussフィット時のピークが−1.8であった場合、−1.8×100μmから、およそ180μmだけ近い位置にフォーカス位置がずれていると判別できる。この場合、レンズ繰り出し量を180μm分だけ遠距離方向にずらすことにより、最も良好なフォーカス位置へ短時間に移動することができる。   When each focus evaluation value is calculated for such an autofocus target 801, focus evaluation value profiles such as near, good, and far shown in FIG. 8 can be obtained according to the distance. By calculating the peak position of this profile by Gaussian fitting or least square approximation with a quadratic function, a shift distance coefficient proportional to the focus shift amount can be calculated. For example, if the difference in height of each target is 100 μm and the peak at the time of Gauss fitting in the near pattern in FIG. 8 is −1.8, only about 180 μm from −1.8 × 100 μm. It can be determined that the focus position is shifted to a close position. In this case, it is possible to move to the best focus position in a short time by shifting the lens extension amount by 180 μm in the long distance direction.

本方式における各オートフォーカス用ターゲットの高さの変化量は、単調増加だけでなく、多項式的、あるいは指数関数的でもよい。例えば前記実施形態のケースにおいて、各ターゲットの高さを−800μm,−400μm,−200μm,−100μm,0μm,100μm,200μm,400μm,800μmとする。このように配置することで、高さの変化量が大きい場合には、フォーカスずれがより広範囲に捕捉できる。しかしながら、合焦位置が0μmより遠くなるに従い、位置分解能が粗くなりずれ量算出精度が低下する。このように指数関数的変化量とすることで、より広範囲のフォーカスずれに対応しつつ、かつ合焦目標付近での高精度なオートフォーカスを両立することが可能である。   The amount of change in the height of each autofocus target in this method may be not only monotonically increased but also polynomial or exponential. For example, in the case of the above embodiment, the height of each target is set to −800 μm, −400 μm, −200 μm, −100 μm, 0 μm, 100 μm, 200 μm, 400 μm, and 800 μm. By arranging in this way, when the amount of change in height is large, focus deviation can be captured in a wider range. However, as the in-focus position becomes farther than 0 μm, the position resolution becomes coarse and the deviation amount calculation accuracy decreases. By using an exponential change amount in this way, it is possible to achieve both autofocus with high accuracy near the in-focus target while accommodating a wider range of defocus.

なお、本実施例でも、伸長反応の際に取り込まれる蛍光色素も、フォーカスに用いたが、実施例1,2と同様に、別のターゲット部材を設け、これをフォーカス用に用いてもよい。   In this embodiment, the fluorescent dye incorporated during the extension reaction is also used for focusing. However, as in the first and second embodiments, another target member may be provided and used for focusing.

反応基板へ高さが異なるオートフォーカス用ターゲットを作成するためには、電子線描画、あるいはフォトリソグラフィなどでマスクを作成し、エッチングする工程を複数回繰り返す必要がある。このため、他の構造体作成のための工程とオートフォーカス用ターゲットの作成工程を兼用できない場合には、オートフォーカス用ターゲット作成のために製造プロセスを追加する必要があり、反応基板製造コストが増大する。   In order to create autofocus targets having different heights on the reaction substrate, it is necessary to repeat a process of creating and etching a mask by electron beam drawing or photolithography a plurality of times. For this reason, when the process for creating other structures and the process for creating the autofocus target cannot be combined, it is necessary to add a manufacturing process to create the autofocus target, which increases the manufacturing cost of the reaction substrate. To do.

コスト増大が問題となる場合、より安価な方法で本方式を実現することが望まれる。核酸分析装置においては、例えば反応基板上にビーズ等をバラまき、これをオートフォーカス用ターゲットとして用いることにより実現することが可能である。図9にこの例を示す。反応スポット903と比較し、フォーカス評価値に差異が得られる程度のオートフォーカス用ビーズ901を用意する。このビーズの大きさは、例えば直径が100nm〜10μm程度、好ましくは1μm程度のマイクロビーズを用いる。ビーズ材質はアクリル系,セラミック,ポリスチレン,ポリプロピレンなどが利用可能である。   When the increase in cost becomes a problem, it is desired to realize this method by a cheaper method. The nucleic acid analyzer can be realized by, for example, separating beads on a reaction substrate and using this as an autofocus target. FIG. 9 shows this example. Compared with the reaction spot 903, an autofocus bead 901 having a difference in focus evaluation value is prepared. As the size of the beads, for example, microbeads having a diameter of about 100 nm to 10 μm, preferably about 1 μm are used. As the bead material, acrylic, ceramic, polystyrene, polypropylene or the like can be used.

このようなビーズを、試薬導入にあわせ流路内へ導入し、反応基板902上の任意の位置、あるいは化学的結合を利用し特異的に吸着させる、あるいは磁性ビーズを用いることで特定位置に固定する。またはフローセル内の流路を2系統とし、片方をビーズ導入専用として反応スポットとビーズの配置を全く別個にしてもよい。ただしこの場合においても、反応スポット平面とビーズ配置平面は同一高さでなければならない。   Such beads are introduced into the flow path in accordance with the introduction of the reagent, and are adsorbed specifically at any position on the reaction substrate 902 or using chemical bonds, or fixed at a specific position by using magnetic beads. To do. Alternatively, the flow path in the flow cell may be divided into two systems, and one of them may be dedicated to bead introduction, and the arrangement of reaction spots and beads may be completely separate. However, even in this case, the reaction spot plane and the bead arrangement plane must have the same height.

オートフォーカス用ビーズ901による、フォーカス位置判別方法の概念図を図10に示す。反応基板上にフォーカスが合焦した状態で、オートフォーカス用ビーズ901を観察した場合、図10の良に示す通り、反応スポットは合焦した状態で、またオートフォーカス用ビーズ901はわずかにデフォーカスした状態で観察される。このときのそれぞれのフォーカス評価値の大小関係は、図示の通りである。   FIG. 10 shows a conceptual diagram of a focus position determination method using the autofocus beads 901. When the autofocus bead 901 is observed with the focus on the reaction substrate, the reaction spot is in focus and the autofocus bead 901 is slightly defocused as shown in FIG. Observed as observed. The magnitude relationship between the focus evaluation values at this time is as illustrated.

仮に、反応基板表面が良好なフォーカス位置より近い場合には、図10の近に示すように、パッドおよびオートフォーカス用ターゲットのいずれもフォーカス評価値が低下する。これとは逆に、反応基板表面が良好なフォーカス位置より遠い場合には、次第にオートフォーカス用ビーズ901のフォーカス評価値が上昇し、その一方でパッドのフォーカス評価値は低下する。   If the reaction substrate surface is closer than a good focus position, the focus evaluation values of both the pad and the autofocus target are lowered as shown in FIG. On the other hand, when the reaction substrate surface is far from a good focus position, the focus evaluation value of the autofocus beads 901 gradually increases, while the focus evaluation value of the pad decreases.

このフォーカス評価値の変化の傾向により、フォーカスが何れの方向にずれているかを検出することができ、合焦させる方向へ間違いなく駆動することが可能である。   Based on the tendency of the change in the focus evaluation value, it is possible to detect in which direction the focus is shifted, and it is possible to drive without fail in the in-focus direction.

このオートフォーカス用ターゲットビーズも蛍光を発する金属、または、励起光を照射すると、蛍光を発しない金属であって、蛍光色素を吸着させたもので形成することができる。   This autofocus target bead can also be formed of a metal that emits fluorescence, or a metal that does not emit fluorescence when irradiated with excitation light and has a fluorescent dye adsorbed thereto.

大きさの異なるオートフォーカス用のマイクロビーズを複数用い、これらを基にフォーカスを行ってもよい。つまり、必ずしも反応スポットはフォーカス用に用いる必要は無い。   A plurality of autofocus microbeads having different sizes may be used, and focusing may be performed based on these. That is, the reaction spot is not necessarily used for focusing.

本明細書では、ターゲットは十字について説明したが、エッジのコントラストが検出できる形状であればよく、線状,円形,ドーナツ型などでもよい。   In the present specification, the target has been described as a cross. However, the target may be a shape that can detect the contrast of the edge, and may be a linear shape, a circular shape, a donut shape, or the like.

101,214,802,902 反応基板
102 掘り込み部
103 オートフォーカス用ターゲット
104 ナノ構造体あるいはパッド
215 温度制御ユニット
216 試薬保管ユニット
217 分注ユニット
218 送液チューブ
219 廃液チューブ
220 廃液容器
221 2次元センサカメラ
222 解析用コンピュータ
223 装置制御用コンピュータ
224 励起光用レーザーユニット1
225 励起光用レーザーユニット2
226 λ/4波長版
227 ミラー
228 ダイクロイックミラー
229 全反射プリズム
230 計測光路
231 対物レンズ
232 蛍光波長フィルター
233 結像レンズ
234 カメラコントローラ
240 分析装置
301 反応基板を移動
302 対物レンズユニットを移動
310 対物レンズユニット
401 支持基体
402 レジスト
403 金属膜
421 ナノ構造体
422 ターゲット
601 反応基板平面と同一高さのターゲット
602 突起部ターゲット
603 掘りこみ部ターゲット
801 オートフォーカス用ターゲット
901 オートフォーカス用ビーズ
903 反応スポット
101, 214, 802, 902 reaction substrate 102 digging part 103 autofocus target 104 nanostructure or pad 215 temperature control unit 216 reagent storage unit 217 dispensing unit 218 liquid feeding tube 219 waste liquid tube 220 waste liquid container 221 two-dimensional sensor Camera 222 Analysis computer 223 Device control computer 224 Excitation light laser unit 1
225 Laser unit 2 for excitation light
226 λ / 4 wavelength plate 227 Mirror 228 Dichroic mirror 229 Total reflection prism 230 Measuring optical path 231 Objective lens 232 Fluorescence wavelength filter 233 Imaging lens 234 Camera controller 240 Analyzer 301 Move reaction substrate 302 Move objective lens unit 310 Objective lens unit 401 Support base 402 Resist 403 Metal film 421 Nanostructure 422 Target 601 Target 602 having the same height as the reaction substrate plane Projection target 603 Dimming target 801 Autofocus target 901 Autofocus bead 903 Reaction spot

Claims (44)

光透過性基板上で塩基伸長反応させ、取り込まれた蛍光色素の蛍光をエバネッセント場を利用して観察する分析装置であって、
光透過性基板へ励起光を全反射照射する照射機構と、
塩基伸長反応で取り込まれた蛍光色素を撮影する撮影機構とを有し、
光透過性基板上には、撮影機構との垂直方向の距離が反応界面とは異なる位置に、励起光を照射すると蛍光を発するターゲット部材を備え、
少なくともターゲット部材から得られるフォーカス評価値を基に少なくともフォーカスずれ方向を検出し、光透過性基板と照射機構との距離を変更することを特徴とする、分析装置。
An analyzer that performs base extension reaction on a light-transmitting substrate and observes fluorescence of the incorporated fluorescent dye using an evanescent field,
An irradiation mechanism for totally reflecting the excitation light to the light-transmitting substrate;
A photographing mechanism for photographing the fluorescent dye incorporated by the base extension reaction,
On the light transmissive substrate, a target member that emits fluorescence when irradiated with excitation light at a position where the distance in the vertical direction to the imaging mechanism is different from the reaction interface,
An analyzer characterized by detecting at least a focus shift direction based on at least a focus evaluation value obtained from a target member and changing a distance between the light transmissive substrate and the irradiation mechanism.
光透過性基板上で塩基伸長反応させ、取り込まれた蛍光色素の蛍光をエバネッセント場を利用して観察する分析装置であって、
光透過性基板へ励起光を全反射照射する照射機構と、
塩基伸長反応で取り込まれた蛍光色素を撮影する撮影機構とを有し、
光透過性基板上には、光透過性基板上に対して垂直方向の撮影機構との距離が反応界面とは異なる位置に、励起光を照射すると蛍光を発する、ターゲット部材を備えていることを特徴とする、分析装置。
An analyzer that performs base extension reaction on a light-transmitting substrate and observes fluorescence of the incorporated fluorescent dye using an evanescent field,
An irradiation mechanism for totally reflecting the excitation light to the light-transmitting substrate;
A photographing mechanism for photographing the fluorescent dye incorporated by the base extension reaction,
A light-transmitting substrate is provided with a target member that emits fluorescence when irradiated with excitation light at a position where the distance from the imaging mechanism in the vertical direction with respect to the light-transmitting substrate is different from the reaction interface. Characteristic analyzer.
光透過性基板上でナノ構造体を塩基伸長反応させ、取り込まれた蛍光色素の蛍光をエバネッセント場を利用して観察する分析装置であって、
光透過性基板へ励起光を全反射照射する照射機構と、
塩基伸長反応でナノ構造体に取り込まれた蛍光色素を撮影する撮影機構とを有し、
光透過性基板上には、光透過性基板上に対して垂直方向の撮影機構との距離がナノ構造体とは異なる位置に、励起光を照射すると蛍光を発するターゲット部材を備え、
少なくともターゲット部材から得られるフォーカス評価値を基に少なくともフォーカスずれ方向を検出し、光透過性基板と照射機構との距離を変更することを特徴とする、分析装置。
An analyzer for performing base extension reaction of a nanostructure on a light-transmitting substrate and observing fluorescence of the incorporated fluorescent dye using an evanescent field,
An irradiation mechanism for totally reflecting the excitation light to the light-transmitting substrate;
And a photographing mechanism for photographing the fluorescent dye incorporated into the nanostructure by the base extension reaction,
On the light transmissive substrate, a target member that emits fluorescence when irradiated with excitation light at a position where the distance from the imaging mechanism in the vertical direction on the light transmissive substrate is different from the nanostructure,
An analyzer characterized by detecting at least a focus shift direction based on at least a focus evaluation value obtained from a target member and changing a distance between the light transmissive substrate and the irradiation mechanism.
光透過性基板上でナノ構造体を塩基伸長反応させ、取り込まれた蛍光色素の蛍光をエバネッセント場を利用して観察する分析装置であって、
光透過性基板へ励起光を全反射照射する照射機構と、
塩基伸長反応でナノ構造体に取り込まれた蛍光色素を撮影する撮影機構とを有し、
光透過性基板上には、光透過性基板上に対して垂直方向の撮影機構との距離がナノ構造体とは異なる位置に、励起光を照射すると蛍光を発する、ターゲット部材を備えていることを特徴とする、分析装置。
An analyzer for performing base extension reaction of a nanostructure on a light-transmitting substrate and observing fluorescence of the incorporated fluorescent dye using an evanescent field,
An irradiation mechanism for totally reflecting the excitation light to the light-transmitting substrate;
And a photographing mechanism for photographing the fluorescent dye incorporated into the nanostructure by the base extension reaction,
A light-transmitting substrate has a target member that emits fluorescence when irradiated with excitation light at a position where the distance from the imaging mechanism in the direction perpendicular to the light-transmitting substrate is different from that of the nanostructure. An analysis device characterized by.
請求項1または2において、
光透過性基板の反応界面とターゲット部材との、光透過性基板に対して垂直方向の距離は、10nm以上100μm以下であることを特徴とする、分析装置。
In claim 1 or 2,
A distance between a reaction interface of a light transmissive substrate and a target member in a direction perpendicular to the light transmissive substrate is 10 nm or more and 100 μm or less.
請求項1または2において、
ナノ構造体とターゲット部材との、光透過性基板に対して垂直方向の距離は、10nm以上100μm以下であることを特徴とする、分析装置。
In claim 1 or 2,
The distance between the nanostructure and the target member in the direction perpendicular to the light-transmitting substrate is 10 nm or more and 100 μm or less.
請求項1から4のいずれかに記載の分析装置であって、
ターゲット部材は、金属であることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
The analyzer is characterized in that the target member is a metal.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
ターゲット部材は、蛍光色素を吸着させた物質であることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
An analysis apparatus, wherein the target member is a substance on which a fluorescent dye is adsorbed.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
光透過性基板上に凸部が設けられており、凸部の頂上にターゲット部材が設けられていることを特徴とする分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
An analyzer, wherein a convex portion is provided on a light-transmitting substrate, and a target member is provided on the top of the convex portion.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
光透過性基板上に凹部が設けられており、凹部の底部に前記ターゲット部材が設けられていることを特徴とする分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
An analyzer, wherein a recess is provided on a light-transmitting substrate, and the target member is provided at the bottom of the recess.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
ターゲット部材は、撮影機構の反応視野毎に設けられていることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
An analysis apparatus, wherein the target member is provided for each reaction visual field of the imaging mechanism.
請求項1または2に記載の分析装置であって、
ターゲット部材が撮影機構の一つの反応視野に複数設けられ、互いに撮影機構との垂直方向の距離が異なることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 1 or 2,
An analysis apparatus, wherein a plurality of target members are provided in one reaction field of an imaging mechanism, and the vertical distances from the imaging mechanism are different from each other.
請求項12に記載の分析装置であって、
反応界面よりも撮影機構との距離が近いターゲット部材と、反応界面よりも撮影機構との距離が遠いターゲット部材が設けられ、これらのターゲット部材の間に反応界面が配置されていることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 12, comprising:
A target member closer to the photographing mechanism than the reaction interface and a target member farther from the photographing mechanism than the reaction interface are provided, and the reaction interface is arranged between these target members. Analytical device.
請求項13に記載の分析装置であって、
反応界面よりも撮影機構との距離が近いターゲット部材と、反応界面よりも撮影機構との距離が遠いターゲット部材が、それぞれ複数設けられ、反応界面から遠くなるにつれて、反応界面よりも撮影機構との距離が近いターゲット部材は撮影機構との距離が近くなり、反応界面よりも撮影機構との距離が遠いターゲット部材は撮影機構との距離が遠くなることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 13,
A plurality of target members that are closer to the imaging mechanism than the reaction interface and a plurality of target members that are further to the imaging mechanism than the reaction interface are provided, and as the distance from the reaction interface increases, An analyzer characterized in that a target member having a short distance is close to the photographing mechanism, and a target member having a distance farther from the photographing mechanism than the reaction interface is far from the photographing mechanism.
請求項12に記載の分析装置であって、
ナノ構造体よりも撮影機構との距離が近いターゲット部材と、ナノ構造体よりも撮影機構との距離が遠いターゲット部材が設けられ、これらのターゲット部材の間にナノ構造体が配置されていることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 12, comprising:
A target member closer to the imaging mechanism than the nanostructure and a target member farther from the imaging mechanism than the nanostructure are provided, and the nanostructure is disposed between these target members An analysis device characterized by.
請求項15に記載の分析装置であって、
ナノ構造体よりも撮影機構との距離が近いターゲット部材と、ナノ構造体よりも撮影機構との距離が遠いターゲット部材が、それぞれ複数設けられ、反応界面から遠くなるにつれて、ナノ構造体よりも撮影機構との距離が近いターゲット部材は撮影機構との距離が近くなり、ナノ構造体よりも撮影機構との距離が遠いターゲット部材は撮影機構との距離が遠くなることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 15, wherein
Multiple target members that are closer to the imaging mechanism than the nanostructure, and more target members that are farther to the imaging mechanism than the nanostructure, are provided. An analysis apparatus, wherein a target member that is close to the mechanism is closer to the imaging mechanism, and a target member that is farther from the imaging mechanism than the nanostructure is farther from the imaging mechanism.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
ターゲット部材として、半導体製造プロセスによる金属構造体を配置することを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
An analysis apparatus comprising a metal structure formed by a semiconductor manufacturing process as a target member.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
核酸の配列解読を行うことを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
An analysis apparatus characterized by performing nucleic acid sequence decoding.
請求項9に記載の分析装置であって、
凸部は、液体流路形成にも用いることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 9, wherein
The convex device is also used for forming a liquid flow path.
請求項10に記載の分析装置であって、
凹部は、液体流路形成にも用いることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 10, wherein
The concave portion is also used for forming a liquid flow path.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
撮影機構は、少なくとも対物レンズ,光学フィルター、および結像レンズを備え、
フォーカスの制御は、これら対物レンズ,光学フィルター、および結像レンズを垂直方向へ移動させることにより行うことを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
The photographing mechanism includes at least an objective lens, an optical filter, and an imaging lens,
The analyzer is characterized in that the focus is controlled by moving the objective lens, the optical filter, and the imaging lens in the vertical direction.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
撮影機構は、少なくとも対物レンズ,光学フィルター、および結像レンズを備え、
フォーカスの制御は、光透過性基板を垂直方向へ移動させることにより行うことを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
The photographing mechanism includes at least an objective lens, an optical filter, and an imaging lens,
The analyzer is characterized in that the focus is controlled by moving the light transmissive substrate in the vertical direction.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
ターゲット部材を自動探索する機能を備えていることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
An analyzer having a function of automatically searching for a target member.
請求項1または3において、
少なくともターゲット部材から得られるフォーカス評価値を基に少なくともフォーカスずれ方向を検出し、光透過性基板と照射機構との距離を変更することを特徴とする、分析装置。
In claim 1 or 3,
An analyzer characterized by detecting at least a focus shift direction based on at least a focus evaluation value obtained from a target member and changing a distance between the light transmissive substrate and the irradiation mechanism.
請求項1〜4のいずれかに記載の分析装置であって、
ターゲット部材は、マイクロビーズであることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to any one of claims 1 to 4,
The analyzer is characterized in that the target member is a microbead.
請求項25に記載の分析装置であって、
マイクロビーズの直径は、100nm以上10μm以下であることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 25, wherein
The diameter of a microbead is 100 nm or more and 10 micrometers or less, The analyzer characterized by the above-mentioned.
請求項25に記載の分析装置であって、
マイクロビーズの材質は、アクリル系,セラミック,ポリスチレン、またはポリプロピレンのいずれかであることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 25, wherein
The analyzer is characterized in that the material of the microbead is acrylic, ceramic, polystyrene, or polypropylene.
請求項1または2に記載の分析装置であって、
光透過性基板上には、撮影機構との垂直方向の距離が反応界面と同じ位置に別のターゲット部材が配置されていることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 1 or 2,
An analysis apparatus, wherein another target member is disposed on a light-transmitting substrate at a position where the distance in the vertical direction to the imaging mechanism is the same as the reaction interface.
請求項3または4に記載の分析装置であって、
光透過性基板上には、撮影機構との垂直方向の距離がナノ構造体と同じ位置に別のターゲット部材が配置されていることを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 3 or 4,
An analysis apparatus, wherein another target member is disposed on a light-transmitting substrate at a position where the distance in the vertical direction to the imaging mechanism is the same as that of the nanostructure.
請求項1または3に記載の分析装置であって、
塩基伸長反応で取り込まれた蛍光色素と、ターゲット部材のそれぞれから得られるフォーカス評価値を基に少なくともフォーカスずれ方向を検出し、光透過性基板と照射機構との距離を変更することを特徴とする、分析装置。
The analyzer according to claim 1 or 3, wherein
It is characterized in that at least the defocus direction is detected based on the fluorescent dye incorporated by the base extension reaction and the focus evaluation value obtained from each of the target members, and the distance between the light transmitting substrate and the irradiation mechanism is changed. ,Analysis equipment.
光透過性基板上で塩基伸長反応させ、取り込まれた蛍光色素の蛍光をエバネッセント場を利用して観察する分析装置に用いるオートフォーカス装置であって、
塩基伸長反応で取り込まれた蛍光色素を撮影する撮影機構とを有し、
光透過性基板上には、撮影機構との垂直方向の距離が反応界面とは異なる位置に、励起光を照射すると蛍光を発するターゲット部材を備え、
少なくともターゲット部材から得られるフォーカス評価値を基に少なくともフォーカスずれ方向を検出し、光透過性基板と照射機構との距離を変更することを特徴とする、オートフォーカス装置。
An autofocus device used in an analyzer that undergoes base extension reaction on a light-transmitting substrate and observes fluorescence of the incorporated fluorescent dye using an evanescent field,
A photographing mechanism for photographing the fluorescent dye incorporated by the base extension reaction,
On the light transmissive substrate, a target member that emits fluorescence when irradiated with excitation light at a position where the distance in the vertical direction to the imaging mechanism is different from the reaction interface,
An autofocus device characterized by detecting at least a focus shift direction based on at least a focus evaluation value obtained from a target member and changing a distance between the light transmissive substrate and the irradiation mechanism.
光透過性基板上で塩基伸長反応させ、取り込まれた蛍光色素の蛍光をエバネッセント場を利用して観察する分析装置に用いるオートフォーカス装置であって、
塩基伸長反応で取り込まれた蛍光色素を撮影する撮影機構とを有し、
光透過性基板上には、光透過性基板上に対して垂直方向の撮影機構との距離が反応界面とは異なる位置に、励起光を照射すると蛍光を発する、ターゲット部材を備えていることを特徴とする、オートフォーカス装置。
An autofocus device used in an analyzer that undergoes base extension reaction on a light-transmitting substrate and observes fluorescence of the incorporated fluorescent dye using an evanescent field,
A photographing mechanism for photographing the fluorescent dye incorporated by the base extension reaction,
A light-transmitting substrate is provided with a target member that emits fluorescence when irradiated with excitation light at a position where the distance from the imaging mechanism in the vertical direction with respect to the light-transmitting substrate is different from the reaction interface. Features an autofocus device.
光透過性基板上でナノ構造体を塩基伸長反応させ、取り込まれた蛍光色素の蛍光をエバネッセント場を利用して観察する、オートフォーカス装置であって、
光透過性基板上には、光透過性基板上に対して垂直方向の撮影機構との距離がナノ構造体とは異なる位置に、励起光を照射すると蛍光を発するターゲット部材を備え、
少なくともターゲット部材から得られるフォーカス評価値を基に少なくともフォーカスずれ方向を検出し、光透過性基板と照射機構との距離を変更することを特徴とする、オートフォーカス装置。
An autofocus device that causes a base structure of a nanostructure on a light-transmitting substrate and observes the fluorescence of the incorporated fluorescent dye using an evanescent field,
On the light transmissive substrate, a target member that emits fluorescence when irradiated with excitation light at a position where the distance from the imaging mechanism in the vertical direction on the light transmissive substrate is different from the nanostructure,
An autofocus device characterized by detecting at least a focus shift direction based on at least a focus evaluation value obtained from a target member and changing a distance between the light transmissive substrate and the irradiation mechanism.
光透過性基板上でナノ構造体を塩基伸長反応させ、取り込まれた蛍光色素の蛍光をエバネッセント場を利用して観察する、オートフォーカス装置であって、
塩基伸長反応でナノ構造体に取り込まれた蛍光色素を撮影する撮影機構とを有し、
光透過性基板上には、光透過性基板上に対して垂直方向の撮影機構との距離がナノ構造体とは異なる位置に、励起光を照射すると蛍光を発する、ターゲット部材を備えていることを特徴とする、オートフォーカス装置。
An autofocus device that causes a base structure of a nanostructure on a light-transmitting substrate and observes the fluorescence of the incorporated fluorescent dye using an evanescent field,
And a photographing mechanism for photographing the fluorescent dye incorporated into the nanostructure by the base extension reaction,
A light-transmitting substrate has a target member that emits fluorescence when irradiated with excitation light at a position where the distance from the imaging mechanism in the direction perpendicular to the light-transmitting substrate is different from that of the nanostructure. An autofocus device characterized by
光透過性基板上の蛍光を観察する装置であって、蛍光反応を行う界面と、前記界面を撮影することを目的とする光学センサと、前記界面近傍に保持され、前記撮影界面と距離を異にしたオートフォーカス用ターゲットと、該光学センサと前記界面の距離を可変できる機構を有する、分析装置。   An apparatus for observing fluorescence on a light-transmitting substrate, comprising an interface that performs a fluorescence reaction, an optical sensor that is intended to image the interface, and is held in the vicinity of the interface and has a different distance from the imaging interface. An analyzer having an autofocus target and a mechanism capable of varying a distance between the optical sensor and the interface. 請求項35の分析装置であって、
撮影界面とオートフォーカス用ターゲット1箇所を有し、前記撮影界面を第2のオートフォーカス用ターゲットとして兼用することを特徴としたオートフォーカス機構を有する、分析装置。
36. The analyzer of claim 35, wherein
An analyzer having an autofocus mechanism having an imaging interface and one autofocus target, wherein the imaging interface is also used as a second autofocus target.
請求項35の分析装置であって、
該オートフォーカス用ターゲットとして半導体製造プロセスによる金属構造体を配置することを特徴とする、分析装置。
36. The analyzer of claim 35, wherein
An analysis apparatus, wherein a metal structure formed by a semiconductor manufacturing process is disposed as the autofocus target.
請求項35の分析装置であって、
該オートフォーカス用ターゲットとして金属、あるいは樹脂のビーズを配置することを特徴とする、分析装置。
36. The analyzer of claim 35, wherein
An analyzer comprising metal or resin beads as the autofocus target.
請求項35の分析装置であって、
核酸を分析することを特徴とする、分析装置。
36. The analyzer of claim 35, wherein
An analyzer for analyzing a nucleic acid.
光透過性基板上の蛍光を観察する装置であって、蛍光反応を行う界面と、前記界面を撮影する光学センサと、前記界面近傍に保持される、光学センサとの距離の差を有する2つ以上のオートフォーカス用ターゲットと、該光学センサと前記界面の距離を可変できる機構を含み、該オートフォーカス用ターゲット各々の距離差を利用しオートフォーカスを行うことを特徴とする、オートフォーカス方法。   An apparatus for observing fluorescence on a light-transmitting substrate, which has two distance differences between an interface that performs a fluorescence reaction, an optical sensor that images the interface, and an optical sensor that is held near the interface An autofocus method comprising the above autofocus target and a mechanism capable of varying a distance between the optical sensor and the interface, and performing autofocus using a distance difference between the autofocus targets. 請求項40のオートフォーカス方法であって、
界面への液体の保持を目的とした保護材を該オートフォーカス用ターゲットとして兼用することを特徴とした、オートフォーカス方法。
41. The autofocus method of claim 40, wherein
An autofocus method characterized in that a protective material for holding liquid at the interface is also used as the autofocus target.
請求項40のオートフォーカス方法であって、
液体流路形成のための掘りこみ、あるいは突起を該オートフォーカス用ターゲットとして兼用することを特徴とした、オートフォーカス方法。
41. The autofocus method of claim 40, wherein
2. An autofocus method characterized by digging or forming a protrusion for forming a liquid flow path as the autofocus target.
請求項40の分析装置であって、
観察界面と、距離が異なる他の観察対象の距離差を利用することを特徴とした、オートフォーカス方法。
41. The analyzer of claim 40, wherein
An autofocus method characterized by using a distance difference between an observation interface and another observation object having a different distance.
請求項40〜43のいずれかに記載オートフォーカス方法であって、
合焦状態を保持するためのフォーカスずれ方向を検出することを特徴とする、オートフォーカス方法。
The autofocus method according to any one of claims 40 to 43, wherein
An autofocus method characterized by detecting a defocus direction for maintaining a focused state.
JP2009253579A 2009-11-05 2009-11-05 Analyzer, autofocus device, and autofocusing method Pending JP2011099720A (en)

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