JP2011090169A - Mask inspection method and mask inspection device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask inspection device that can improve the defect detection sensitivity. <P>SOLUTION: The mask inspection device 100 includes: a light source 10 irradiating a mask 20 having a first pattern and a second pattern formed therein, which are approximately the same, with approximately the same plurality of illumination beams; photodetectors detecting a plurality of exiting beams from the first pattern and the second pattern each irradiated with the plurality of illumination beams; and a determination unit 17, which calculates a first defect determination signal by using one of exiting beams from the first pattern and one of exiting beams from the second pattern in the plurality of exiting beams, calculates a second defect determination signal by using one of exiting beams from the first pattern except for the exiting beam used for calculation of the first defect determination signal, and by using one of exiting beams from the second pattern, and determines a defect by using the first defect determination signal and the second defect determination signal. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体製造工程で利用されるフォトマスク(あるいはレチクルとも呼ばれる。以下、単にマスクと呼ぶ。)における欠陥を検出する際に利用されるマスク検査方法及び装置に関する。   The present invention relates to a mask inspection method and apparatus used when detecting defects in a photomask (also referred to as a reticle, hereinafter simply referred to as a mask) used in a semiconductor manufacturing process.

一般に、パターンが形成されたマスクの欠陥検査法には、マスクパターンと設計データとの比較検査法(一般にDie-to-Database比較法と呼ばれる。)と、2つのマスクにおけるパターン比較検査法(一般にDie-to-Die比較法と呼ばれる。)との2通りの方法が広く知られている。   In general, there are two types of defect inspection methods for masks with patterns: a comparison inspection method (generally called die-to-database comparison method) between a mask pattern and design data, and a pattern comparison inspection method (generally called a die-to-database comparison method). There are two widely known methods, called Die-to-Die comparison methods.

これらの検査方法では、いずれもマスクパターンにおける微小な一部分(以下、視野領域と呼ぶ。)が対物レンズによって拡大される。その拡大された光学像は、CCD(Charge Coupled Device)センサーやTDI(Time Delay Integration)センサー等の光検出器で検出され、比較検査が行われる。なお、マスク検査装置に関しては、例えば、非特許文献1に概説されている。   In any of these inspection methods, a small part of the mask pattern (hereinafter referred to as a visual field region) is magnified by the objective lens. The enlarged optical image is detected by a photodetector such as a CCD (Charge Coupled Device) sensor or a TDI (Time Delay Integration) sensor, and subjected to a comparative inspection. The mask inspection apparatus is outlined in, for example, Non-Patent Document 1.

また、視野領域を照明するための光源としては、紫外域で連続動作するレーザや紫外域にスペクトルを有する点光源ランプが用いられている。これらのレーザやランプから取り出される紫外光をマスクに対して対物レンズと反対側から照射する照明方式は、透過照明と呼ばれている。これに対して、マスクに対して対物レンズ側から照明する照明方式は、反射照明と呼ばれている。   As a light source for illuminating the visual field region, a laser that continuously operates in the ultraviolet region or a point light source lamp having a spectrum in the ultraviolet region is used. An illumination system in which ultraviolet light extracted from these lasers and lamps is irradiated from the side opposite to the objective lens with respect to the mask is called transmitted illumination. On the other hand, the illumination system that illuminates the mask from the objective lens side is called reflective illumination.

また、Die-to-Die比較法(以下、DD比較法と呼ぶ。)において、欠陥検査性能を高めるため、即ち、検査感度を向上するために、TDIセンサーを2台用いて、反射照明による検査と、透過照明による検査とを同時に行うことができる検査装置が提案されている。これに関しては、例えば、特許文献1に記載されている。また、特許文献2には、2台のTDIセンサーを用いて、   In addition, in the Die-to-Die comparison method (hereinafter referred to as the DD comparison method), in order to improve defect inspection performance, that is, to improve inspection sensitivity, two TDI sensors are used for inspection by reflected illumination. And an inspection apparatus capable of simultaneously performing inspection using transmitted illumination. This is described in Patent Document 1, for example. Patent Document 2 uses two TDI sensors,

マスク検査の検査感度を高めるために検出できる欠陥サイズを小さくしようとすると、その小さな欠陥部分を照明する照明光の光量が少なくなる。この結果、照明光の光量バラツキ(輝度ムラ)が検査結果に大きく影響するようになる。   If an attempt is made to reduce the size of a defect that can be detected in order to increase the inspection sensitivity of the mask inspection, the amount of illumination light that illuminates the small defect portion decreases. As a result, the variation in the amount of illumination light (unevenness in luminance) greatly affects the inspection result.

すなわち、光検出器で検出されるパターンの検出信号には、光検出器内で発生するショットノイズや、光源としてレーザを用いる場合に発生するスペックルノイズが含まれる。欠陥部分から発生する欠陥検出信号の光量が少なくなると、これらのノイズに欠陥検出信号が埋もれることとなる。   That is, the detection signal of the pattern detected by the photodetector includes shot noise generated in the photodetector and speckle noise generated when a laser is used as the light source. When the light amount of the defect detection signal generated from the defective portion is reduced, the defect detection signal is buried in these noises.

つまり、DD比較検査では、比較する2つのパターンを撮像したそれぞれの検出信号の輝度に閾値以上の差があれば、そこを欠陥として判断する。このため、ショットノイズやスペックルノイズよりも高いレベルに閾値を設定し、この閾値よりも大きい輝度差がある場合だけ、欠陥として識別している。このため、欠陥を検出することが困難となり、検出感度を向上させることができなかった。   That is, in the DD comparison inspection, if there is a difference equal to or greater than the threshold in the luminance of each detection signal obtained by imaging the two patterns to be compared, this is determined as a defect. For this reason, a threshold value is set at a level higher than that of shot noise or speckle noise, and the defect is identified only when there is a luminance difference larger than this threshold value. For this reason, it becomes difficult to detect defects, and the detection sensitivity cannot be improved.

特開2006−145989号公報JP 2006-145989 A 特許第4185037号公報Japanese Patent No. 4185037

東芝レビュー、第58巻、第7号、第58〜61頁、2003年Toshiba Review, Vol. 58, No. 7, pp. 58-61, 2003

本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、本発明の目的は、欠陥検出感度を向上させることができるマスク検査方法及びマスク検査装置を提供することである。   The present invention has been made against the background of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a mask inspection method and a mask inspection apparatus capable of improving the defect detection sensitivity.

本発明の第1の態様に係るマスク検査方法は、略同一の第1パターン、第2パターンが形成されたマスクに略同一の複数の照明光を照射し、前記複数の照明光がそれぞれ照射されたときの前記第1パターン、第2パターンからの複数の出射光を検出し、前記複数の出射光のうち前記第1パターンからの出射光の一つと前記第2パターンからの出射光の一つとを用いて、第1欠陥判定信号を算出し、前記第1欠陥判定信号の算出に用いた出射光以外の前記第1パターンからの出射光の一つと前記第2パターンからの出射光の一つとを用いて、第2欠陥判定信号を算出し、前記第1欠陥判定信号と前記第2欠陥判定信号とを用いて欠陥の判定を行う。このように2回の比較検査を行うことにより、欠陥検出感度を向上させることが可能となる。   The mask inspection method according to the first aspect of the present invention irradiates a plurality of substantially the same illumination light onto a mask on which substantially the same first pattern and second pattern are formed, and each of the plurality of illumination lights is irradiated. A plurality of emitted lights from the first pattern and the second pattern are detected, and one of the emitted light from the first pattern and one of the emitted light from the second pattern among the plurality of emitted lights; The first defect determination signal is calculated by using one of the emitted light from the first pattern other than the emitted light used for the calculation of the first defect determination signal and one of the emitted light from the second pattern. Is used to calculate a second defect determination signal, and a defect is determined using the first defect determination signal and the second defect determination signal. By performing the comparison inspection twice in this way, it becomes possible to improve the defect detection sensitivity.

本発明の第2の態様に係るマスク検査方法は、上記の方法において、前記複数の照明光のうちの第1照明光が照射されたときの前記第1パターン、前記第2パターンからのそれぞれの出射光を第1光検出部で検出し、前記複数の照明光のうちの前記第1照明光と異なる第2照明光が照射されたときの前記第1照明パターン、前記第2照明パターンからのそれぞれの出射光を前記第1光検出部と異なる第2光検出部で検出することを特徴とする。   In the mask inspection method according to the second aspect of the present invention, in the above method, each of the first pattern and the second pattern when the first illumination light of the plurality of illumination lights is irradiated. The emitted light is detected by the first light detection unit, and the second illumination pattern from the first illumination pattern and the second illumination pattern when the second illumination light different from the first illumination light among the plurality of illumination lights is irradiated. Each outgoing light is detected by a second light detection unit different from the first light detection unit.

本発明の第3の態様に係るマスク検査方法は、上記の方法において、前記第1照明光を対物レンズの視野の一部に入射させ、前記第2照明光を前記対物レンズの他の一部に入射させ、前記対物レンズにより前記第1照明光及び前記第2照明光を前記マスクに集光して、1回のスキャンで前記第1照明光及び前記第2照明光による前記第1パターン及び前記第2のパターンからの出射光を検出することを特徴とする。これにより、1回のスキャンで2回の比較検査を行うことができ、検査にかかる時間の増大を抑制することが可能である。   In the mask inspection method according to a third aspect of the present invention, in the above method, the first illumination light is incident on a part of the field of view of the objective lens, and the second illumination light is applied to the other part of the objective lens. And the first illumination light and the second illumination light are condensed on the mask by the objective lens, and the first pattern and the first illumination light and the second illumination light in one scan The light emitted from the second pattern is detected. Thereby, two comparative inspections can be performed in one scan, and an increase in time required for the inspection can be suppressed.

本発明の第4の態様に係るマスク検査方法は、上記の方法において、前記第1照明光及び前記第2照明光は、いずれも反射照明光であり、前記マスクはEUVマスクであることを特徴とする。本発明は、このような場合に特に有効である。   In the mask inspection method according to a fourth aspect of the present invention, in the above method, the first illumination light and the second illumination light are both reflected illumination light, and the mask is an EUV mask. And The present invention is particularly effective in such a case.

本発明の第5の態様に係るマスク検査装置は、略同一の第1パターン、第2パターンが形成されたマスクに略同一の複数の照明光を照射する照明光学系と、前記複数の照明光がそれぞれ照射されたときの前記第1パターン、第2パターンからの複数の出射光を検出する光検出器と、前記複数の出射光のうち前記第1パターンからの出射光の一つと前記第2パターンからの出射光の一つとを用いて第1欠陥判定信号を算出し、前記第1欠陥判定信号の算出に用いた出射光以外の前記第1パターンからの出射光の一つと前記第2パターンからの出射光の一つとを用いて第2欠陥判定信号を算出し、前記第1欠陥判定信号と前記第2欠陥判定信号とを用いて欠陥の判定を行う判定部とを備えるものである。このように2回の比較検査を行うことにより、欠陥検出感度を向上させることが可能となる。   A mask inspection apparatus according to a fifth aspect of the present invention includes an illumination optical system that irradiates a plurality of substantially identical illumination lights onto a mask on which substantially identical first and second patterns are formed, and the plurality of illumination lights. Detecting a plurality of emitted lights from the first pattern and the second pattern, and one of the emitted lights from the first pattern and the second of the plurality of emitted lights. The first defect determination signal is calculated using one of the emitted lights from the pattern, and one of the emitted lights from the first pattern other than the emitted light used for the calculation of the first defect determining signal and the second pattern And a determination unit that calculates a second defect determination signal using one of the emitted light from the first and determines a defect using the first defect determination signal and the second defect determination signal. By performing the comparison inspection twice in this way, it becomes possible to improve the defect detection sensitivity.

本発明の第6の態様に係るマスク検査装置は、上記の装置において、前記光検出器は、前記複数の照明光のうちの第1照明光が照射されたときの前記第1パターン、前記第2パターンからのそれぞれの出射光を検出する第1光検出部と、前記複数の照明光のうちの前記第1照明光と異なる第2照明光が照射されたときの前記第1照明パターン、前記第2照明パターンからのそれぞれの出射光を検出する第2光検出部とを備えるものである。   The mask inspection apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the mask inspection apparatus according to the above aspect, wherein the photodetector is the first pattern when the first illumination light of the plurality of illumination lights is irradiated. A first light detection unit for detecting respective emitted light from two patterns, and the first illumination pattern when the second illumination light different from the first illumination light among the plurality of illumination lights is irradiated, And a second light detection unit that detects each light emitted from the second illumination pattern.

本発明の第7の態様に係るマスク検査装置は、上記の装置において、前記第1照明光、前記第2照明光を前記マスクに集光する対物レンズを備え、前記第1照明光を前記対物レンズの視野の一部の領域に入射させ、前記第2照明光を前記対物レンズの視野の他の一部の領域に入射させ、1回のスキャンで前記第1照明光及び前記第2照明光による前記第1パターン及び前記第2のパターンからの出射光を検出することを特徴とするものである。これにより、1回のスキャンで2回の比較検査を行うことができ、検査にかかる時間の増大を抑制することが可能である。   A mask inspection apparatus according to a seventh aspect of the present invention includes the objective lens for condensing the first illumination light and the second illumination light on the mask in the above apparatus, wherein the first illumination light is the objective light. The first illumination light and the second illumination light are incident on a partial area of the field of view of the lens, and the second illumination light is incident on another partial area of the field of view of the objective lens. The light emitted from the first pattern and the second pattern is detected. Thereby, two comparative inspections can be performed in one scan, and an increase in time required for the inspection can be suppressed.

本発明の第8の態様に係るマスク検査装置は、上記の装置において、前記第1照明光及び前記第2照明光は、いずれも反射照明光であり、前記マスクはEUVマスクであることを特徴とするものである。本発明は、このような場合に特に有効である。   In the mask inspection apparatus according to an eighth aspect of the present invention, in the above apparatus, the first illumination light and the second illumination light are both reflected illumination light, and the mask is an EUV mask. It is what. The present invention is particularly effective in such a case.

本発明によれば、欠陥検出感度を向上させることができるマスク検査方法及びマスク検査装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the mask inspection method and mask inspection apparatus which can improve a defect detection sensitivity can be provided.

実施の形態1に係るマスク検査装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the mask inspection apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 検査対象となるマスクの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the mask used as test object. 実施の形態1に係るマスク検査装置における対物レンズの視野内の視野領域を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the visual field area | region in the visual field of the objective lens in the mask inspection apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1に係るマスク検査装置のTDIセンサー17aで得られるパターンP1、P2それぞれの検出信号の輝度分布の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the luminance distribution of each detection signal of the patterns P1 and P2 obtained with the TDI sensor 17a of the mask inspection apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 図4に示すパターンP1、P2それぞれの検出信号の輝度差(P2a−P1a)を示す図である。It is a figure which shows the brightness | luminance difference (P2a-P1a) of each detection signal of the patterns P1 and P2 shown in FIG. 実施の形態1に係るマスク検査装置のTDIセンサー17bで得られるパターンP1、P2それぞれの検出信号の輝度分布の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the luminance distribution of each detection signal of the patterns P1 and P2 obtained with the TDI sensor 17b of the mask inspection apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 図6に示すパターンP1、P2それぞれの検出信号の輝度差(P2b−P1b)を示す図である。It is a figure which shows the luminance difference (P2b-P1b) of each detection signal of the patterns P1 and P2 shown in FIG. 実施の形態1に係る検査方法を説明するための図である。5 is a diagram for explaining an inspection method according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態2に係るマスク検査装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the mask inspection apparatus which concerns on Embodiment 2. FIG.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The following description shows preferred embodiments of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following embodiments. In the following description, the same reference numerals indicate substantially the same contents.

実施の形態1.
本発明の実施の形態1に係るマスク検査装置について、図1を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係るマスク検査装置100の構成を示す図である。ここでは、検査対象が、ペリクル24付きのマスク20の例について説明する。
Embodiment 1 FIG.
A mask inspection apparatus according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a mask inspection apparatus 100 according to the present embodiment. Here, an example in which the inspection target is the mask 20 with the pellicle 24 will be described.

まず、検査対象となるマスク20の構成について、図2を参照して説明する。マスク20は、半導体等の露光工程で使用されるフォトマスクであり、レチクルとも呼ばれる。マスク20は、基板21、パターン22、ペリクルフレーム23、ペリクル24を有する。   First, the configuration of the mask 20 to be inspected will be described with reference to FIG. The mask 20 is a photomask used in an exposure process of a semiconductor or the like, and is also called a reticle. The mask 20 includes a substrate 21, a pattern 22, a pellicle frame 23, and a pellicle 24.

基板21はガラス、石英等の透明基板である。基板21上には、露光時に転写されるパターン22が形成されている。パターン22は、遮光パターンの他、ハーフトーンパターンや位相シフトパターン等であってもよい。   The substrate 21 is a transparent substrate such as glass or quartz. A pattern 22 to be transferred at the time of exposure is formed on the substrate 21. The pattern 22 may be a halftone pattern, a phase shift pattern, or the like in addition to the light shielding pattern.

図2に示すように、ここでは、基板21上に略同一のコの字型の第1パターンP1と第2パターンP2が形成されている例について説明する。第1パターンP1、第2パターンP2はハーフトーンパターンであり、例えば、MoSiが用いられる。   As shown in FIG. 2, here, an example in which substantially the same U-shaped first pattern P1 and second pattern P2 are formed on the substrate 21 will be described. The first pattern P1 and the second pattern P2 are halftone patterns, and for example, MoSi is used.

基板21のパターン面側には、枠状のペリクルフレーム23が装着されている。ペリクルフレーム23は、パターン22が形成されている領域を囲むように取り付けられている。ペリクルフレーム23の基板21と反対側には、ペリクル24が貼着されている。すなわち、ペリクル24は、ペリクルフレーム23を介してマスク20に装着されている。   A frame-like pellicle frame 23 is mounted on the pattern surface side of the substrate 21. The pellicle frame 23 is attached so as to surround an area where the pattern 22 is formed. A pellicle 24 is attached to the side of the pellicle frame 23 opposite to the substrate 21. That is, the pellicle 24 is mounted on the mask 20 via the pellicle frame 23.

パターン22は、基板21、ペリクルフレーム23、ペリクル24で囲まれた閉空間(ペリクル空間)内に配置される。これにより、外部から飛来する異物がパターン22面に付着するのを防ぐことができる。   The pattern 22 is arranged in a closed space (pellicle space) surrounded by the substrate 21, the pellicle frame 23, and the pellicle 24. Thereby, it can prevent that the foreign material which flies from the outside adheres to the pattern 22 surface.

マスク検査装置100では、パターン22が形成された面に付着する欠陥を検査するものである。ここでは、欠陥として、照明光に対して不透明な汚れ(ヘイズ25)が第2パターンP2に付着しているものとする。なお、欠陥は、ヘイズに限らず、パーティクル等のパターン22上にあってはいけない異物やパターン不良等をさす。   The mask inspection apparatus 100 inspects defects that adhere to the surface on which the pattern 22 is formed. Here, it is assumed that dirt (haze 25) that is opaque to the illumination light is attached to the second pattern P2 as a defect. Note that the defect is not limited to haze, but refers to a foreign substance, a pattern defect, or the like that should not be on the pattern 22 such as a particle.

なお、ここではマスク20の一例としてペリクル24付きのものについて説明するが、マスク検査装置100の検査対象はこのようなマスク20に限定されず、ペリクルが設けられていないマスクにも適用可能である。   Here, an example with the pellicle 24 will be described as an example of the mask 20, but the inspection target of the mask inspection apparatus 100 is not limited to such a mask 20, and can be applied to a mask without a pellicle. .

図1に示すように、マスク検査装置100は、光源10、ミラー11a、11b、コンデンサレンズ12、対物レンズ13、投影レンズ14、分割ミラー15、TDIセンサー16a、16b、判定部17を備えている。   As shown in FIG. 1, the mask inspection apparatus 100 includes a light source 10, mirrors 11a and 11b, a condenser lens 12, an objective lens 13, a projection lens 14, a split mirror 15, TDI sensors 16a and 16b, and a determination unit 17. .

光源10は、第1パターンP1、第2パターンP2が形成されたマスク20に対し、照明光を照射する。光源10としては、例えば、波長193nmのレーザ光を出射する紫外レーザ装置を用いることができる。マスク検査装置100では、光源10から取り出される光を透過照明光L1として用いている。   The light source 10 irradiates the mask 20 on which the first pattern P1 and the second pattern P2 are formed with illumination light. As the light source 10, for example, an ultraviolet laser device that emits laser light having a wavelength of 193 nm can be used. In the mask inspection apparatus 100, the light extracted from the light source 10 is used as the transmitted illumination light L1.

透過照明光L1はマスク20の下側まで導かれ、ミラー11aで反射して上方に進む。そして、透過照明光L1はコンデンサレンズ12を通った後、基板21内を通過し、マスク20のパターン面におけるに照射される。   The transmitted illumination light L1 is guided to the lower side of the mask 20, reflected by the mirror 11a, and proceeds upward. Then, the transmitted illumination light L1 passes through the substrate 21 after passing through the condenser lens 12 and is irradiated on the pattern surface of the mask 20.

検査領域から発生する光は、対物レンズ13を通り、投影レンズ14を通過した後、分割ミラー15で2つに分割される。本実施の形態ではマスク検査装置100では、検査領域から発生する光を検出する光検出器として、2台のTDIセンサー16a、16bが設けられている。   The light generated from the inspection region passes through the objective lens 13, passes through the projection lens 14, and is divided into two by the division mirror 15. In the present embodiment, in mask inspection apparatus 100, two TDI sensors 16a and 16b are provided as photodetectors for detecting light generated from the inspection region.

分割ミラー15で分割された一方の光は、TDIセンサー16aで受光される。また、分割ミラー15で分割された他方の光は、ミラー11bで反射され、TDIセンサー16bで受光される。TDIセンサー16a、16bから出力される検出信号は、判定部17に入力される。判定部17は、TDIセンサー16a、16bからの検出信号を用いて、マスク20のどの位置に欠陥が存在するかを判定する。   One light split by the split mirror 15 is received by the TDI sensor 16a. The other light split by the split mirror 15 is reflected by the mirror 11b and received by the TDI sensor 16b. Detection signals output from the TDI sensors 16 a and 16 b are input to the determination unit 17. The determination unit 17 determines at which position of the mask 20 the defect exists using detection signals from the TDI sensors 16a and 16b.

ここで、図3を参照して、本実施の形態に係るマスク検査装置における対物レンズの視野内の視野領域について説明する。一般に、Die-to-Die比較法(DD比較法)では、2つの同一のパターンが並ぶ方向にマスク20をスキャンする。すなわち、第1パターンP1、第2パターンP2が並ぶ方向に照明光を移動させる。そして、それぞれのパターンを対物レンズ13で観察する。   Here, with reference to FIG. 3, the field region in the field of the objective lens in the mask inspection apparatus according to the present embodiment will be described. In general, in the Die-to-Die comparison method (DD comparison method), the mask 20 is scanned in the direction in which two identical patterns are arranged. That is, the illumination light is moved in the direction in which the first pattern P1 and the second pattern P2 are arranged. Each pattern is observed with the objective lens 13.

本実施の形態では、TDIセンサー16aで検査する視野領域AとTDIセンサー16bで検査する視野領域Bとが、対物レンズ13の視野内において、マスク20のスキャン方向に沿って並べられている。このため、1回のスキャンで、視野領域Aでの第1パターンP1と第2パターンP2の検査と、視野領域Bでの第1パターンP1と第2パターンP2の検査とを行うことができる。すなわち、1回のスキャンで、2つの同じパターンを2回比較検査することができる。   In the present embodiment, the visual field region A inspected by the TDI sensor 16a and the visual field region B inspected by the TDI sensor 16b are arranged along the scanning direction of the mask 20 in the visual field of the objective lens 13. Therefore, the inspection of the first pattern P1 and the second pattern P2 in the visual field area A and the inspection of the first pattern P1 and the second pattern P2 in the visual field area B can be performed by one scan. That is, two identical patterns can be compared and inspected twice in one scan.

例えば、視野領域Aで取得された第1パターンP1、第2パターンP2のそれぞれの検出信号を用いたDD比較検査、視野領域Bで取得された第1パターンP1、第2パターンP2のそれぞれの検出信号を用いたDD比較検査の2回のDD比較検査を行うことができる。これによりマスクの検査にかかる時間の増大を抑制することが可能となる。   For example, DD comparison inspection using each detection signal of the first pattern P1 and the second pattern P2 acquired in the visual field area A, and detection of each of the first pattern P1 and the second pattern P2 acquired in the visual field area B Two DD comparison inspections using a signal can be performed. Thereby, it is possible to suppress an increase in the time required for the mask inspection.

なお、視野領域Aでの第1パターンP1の検出信号と視野領域Bでの第2パターンP2の検出信号とを比較し、視野領域Bでの第1パターンP1の検出信号と視野領域Aでの第2パターンP2の検出信号とを比較しても良い。   The detection signal of the first pattern P1 in the visual field region A and the detection signal of the second pattern P2 in the visual field region B are compared, and the detection signal of the first pattern P1 in the visual field region B and the detection signal in the visual field region A are compared. You may compare with the detection signal of the 2nd pattern P2.

ここで、本発明に係るマスク検査方法について説明する。図4は、視野領域Aで得られた第1パターンP1の検出信号P1aと、第2パターンP2の検出信号P2aを示す。図5は、第1パターンP1の検出信号P1aと第2パターンP2の検出信号P2aとの差分(P2a−P1a)を示す。   Here, the mask inspection method according to the present invention will be described. FIG. 4 shows the detection signal P1a of the first pattern P1 and the detection signal P2a of the second pattern P2 obtained in the visual field region A. FIG. 5 shows a difference (P2a−P1a) between the detection signal P1a of the first pattern P1 and the detection signal P2a of the second pattern P2.

図6は、視野領域Bで得られた第1パターンP1の検出信号P1bと、第2パターンP2の検出信号P2bを示す。図7は、第1パターンP1の検出信号P1bと第2パターンP2の検出信号P2bとの差分(P2b−P1b)を示す。   FIG. 6 shows the detection signal P1b of the first pattern P1 and the detection signal P2b of the second pattern P2 obtained in the visual field region B. FIG. 7 shows a difference (P2b−P1b) between the detection signal P1b of the first pattern P1 and the detection signal P2b of the second pattern P2.

なお、ここでは、検出信号は、光源10から透過照明光L1を照射したときに第1パターンP1、第2パターンP2から発生した光をTDIセンサー16a、16bの各ピクセルが受光した輝度信号を数値化した信号である。図4、6においては、判りやすい様に、検出信号の最大値を99とした。   Here, the detection signal is a numerical value of a luminance signal obtained by each pixel of the TDI sensors 16a and 16b receiving light generated from the first pattern P1 and the second pattern P2 when the transmitted illumination light L1 is irradiated from the light source 10. Signal. 4 and 6, the maximum value of the detection signal is set to 99 for easy understanding.

なお、図4、6において、第1パターンP1、第2パターンP2が設けられている部分を破線で示している。また、図5、7に示す、輝度差(P2a−P1a)、輝度差(P2b−P1b)をそれぞれ欠陥判定信号とする。   4 and 6, portions where the first pattern P1 and the second pattern P2 are provided are indicated by broken lines. Also, the luminance difference (P2a-P1a) and the luminance difference (P2b-P1b) shown in FIGS.

本実施の形態では、基板21の部分は照射される光を透過する。図4、6に示すように、基板21部分の検出信号の値は、95〜99である。また、パターン22の部分はハーフトーンパターンであるため、照射される光の一部が遮光され、基板21の部分よりも輝度が低下する。パターン22部分の検出信号の値は、18〜23である。   In the present embodiment, the portion of the substrate 21 transmits the irradiated light. As shown in FIGS. 4 and 6, the value of the detection signal of the substrate 21 portion is 95 to 99. Further, since the pattern 22 portion is a halftone pattern, part of the irradiated light is shielded, and the luminance is lower than that of the substrate 21 portion. The value of the detection signal in the pattern 22 portion is 18-23.

一方、ヘイズ25が生成した部分は、基板21部分よりも輝度が低く、パターン22部分よりも輝度が高くなる。この例では、ヘイズ25が発生した部分の検出信号の値は、91〜92である。図4、6から分かるように、同じ材質からなる基板21の部分でも、検出信号は場所によって95〜99までばらついている。また、同じMoSiからなるパターン22でも、検出信号は場所によって18〜23までばらついている。これは、透過照明光L1に含まれるスペックルノイズや、TDIセンサー16a、16bでのショットノイズに起因している。   On the other hand, the portion where the haze 25 is generated has lower brightness than the substrate 21 portion and higher brightness than the pattern 22 portion. In this example, the value of the detection signal in the portion where the haze 25 is generated is 91 to 92. As can be seen from FIGS. 4 and 6, even in the portion of the substrate 21 made of the same material, the detection signal varies from 95 to 99 depending on the location. Further, even in the pattern 22 made of the same MoSi, the detection signal varies from 18 to 23 depending on the location. This is due to speckle noise included in the transmitted illumination light L1 and shot noise in the TDI sensors 16a and 16b.

各視野領域A、Bでのスキャンが終了した後、P2a−P1a、P2b−P1bの演算を行って輝度差を算出し、欠陥判定信号を得る。図5、7に示すように、欠陥判定信号は−4から4までの値をとる。ヘイズ25が付着した微小な欠陥部分に対応する輝度差は−4(絶対値4)になっている。   After the scanning in each of the visual field areas A and B is completed, the luminance difference is calculated by calculating P2a-P1a and P2b-P1b, and a defect determination signal is obtained. As shown in FIGS. 5 and 7, the defect determination signal takes values from −4 to 4. The luminance difference corresponding to the minute defect portion to which the haze 25 is attached is -4 (absolute value 4).

従来は、1つの視野領域で得られた第1パターンP1の検出信号と第2パターンP2の検出信号とを比較して欠陥検査を行っていた。すなわち、従来のDD検査では、1つのTDIセンサーで撮像された2つの同じパターンにおける輝度差が、ある一定値(スライスレベル)より大きい場合に欠陥があると判定していた。   Conventionally, the defect inspection is performed by comparing the detection signal of the first pattern P1 and the detection signal of the second pattern P2 obtained in one visual field region. That is, in the conventional DD inspection, it is determined that there is a defect when the luminance difference in two identical patterns imaged by one TDI sensor is larger than a certain value (slice level).

例えば、P2a−P1aの欠陥判定信号(図5)とスライスレベルとを比較し、欠陥の判定を行っていた。この場合、ヘイズ25を検出するには、スライスレベル(閾値)を4以下にする必要がある。しかし、マスクに照射される照明光にスペックルノイズが存在したり、TDIセンサー内でショットノイズ等が生じたりすることにより、欠陥が全く存在しない部分でも輝度差は完全に0(ゼロ)にならず、僅かに残る。   For example, the defect determination signal (FIG. 5) of P2a-P1a is compared with the slice level to determine the defect. In this case, in order to detect haze 25, the slice level (threshold) needs to be 4 or less. However, due to the presence of speckle noise in the illumination light applied to the mask or shot noise in the TDI sensor, the luminance difference is completely zero even in a portion where there is no defect. It remains slightly.

図5に示す例では、ヘイズ25が付着していない基板21のみの部分でも、輝度差の絶対値が4の部分がある。この結果、実際には欠陥がないにもかかわらず、欠陥があると判断される疑似欠陥が検出されていた。このように、従来は、微小な欠陥を正確に検出することは、従来のDD比較法では不可能であった。   In the example shown in FIG. 5, there is a portion where the absolute value of the luminance difference is 4 even in the portion of only the substrate 21 to which the haze 25 is not attached. As a result, a pseudo defect that is determined to be defective is detected even though there is actually no defect. As described above, conventionally, it is impossible to accurately detect a minute defect by the conventional DD comparison method.

これに対して、本発明に係る検査方法では、2回のDD比較検査を行う。すなわち、上述したように、視野領域Aで得られた第1パターンP1と第2パターンP2のそれぞれの検出信号を用いて、図5に示す第1欠陥判定信号を算出する。また、視野領域Bで得られた第1パターンP1と第2パターンP2のそれぞれの検出信号を用いて、図7に示す第2欠陥判定信号を算出する。   In contrast, in the inspection method according to the present invention, two DD comparison inspections are performed. That is, as described above, the first defect determination signal shown in FIG. 5 is calculated using the detection signals of the first pattern P1 and the second pattern P2 obtained in the visual field region A. Further, the second defect determination signal shown in FIG. 7 is calculated using the detection signals of the first pattern P1 and the second pattern P2 obtained in the visual field region B.

図5、7を参照すると、微小な欠陥であるヘイズ25が付着した部分に対応する輝度差の絶対値はいずれも4である。しかし、図5においてヘイズ25が付着した部分以外で輝度差が4となる部分は、図7においてヘイズ25が付着した部分以外で輝度差が4となる部分と位置が異なっている。   Referring to FIGS. 5 and 7, the absolute value of the luminance difference corresponding to the portion where the haze 25 which is a minute defect is attached is 4. However, the portion where the luminance difference is 4 except for the portion where the haze 25 is attached in FIG. 5 is different in position from the portion where the luminance difference is 4 except for the portion where the haze 25 is attached in FIG.

これは、スペックルノイズやショットノイズはランダムに発生するものであるため、これらのノイズに基づいて輝度が変化する部分が、2回のDD比較検査において全く同じ位置に生じることはきわめて稀であるからである。   This is because speckle noise and shot noise are randomly generated, and it is extremely rare that a portion whose luminance changes based on these noises occurs at exactly the same position in two DD comparison inspections. Because.

本実施の形態においては、2回のDD比較検査において、2回とも輝度差の絶対値が4以上となる位置だけに欠陥が存在すると判定することができる。これにより、疑似欠陥を排除し、正確に欠陥を検出することが可能となる。   In the present embodiment, in two DD comparison inspections, it can be determined that a defect exists only at a position where the absolute value of the luminance difference is 4 or more in both cases. As a result, pseudo defects can be eliminated and defects can be accurately detected.

また、スライスレベルを下げることも可能である。例えば、スライスレベルを3として2回のDD比較検査を行う。図8(a)、(b)に、スライスレベルを3にしたときの、DD比較検査の検査結果を示す。図8(a)は1回目のDD比較検査の検査結果であり、図8(b)は2回目のDD比較検査の検査結果である。図8(a)、(b)において、横軸は視野領域中の位置を示しており、縦軸は輝度差を示している。   It is also possible to lower the slice level. For example, two DD comparison inspections are performed with a slice level of 3. 8A and 8B show the DD comparison inspection results when the slice level is set to 3. FIG. FIG. 8A shows the inspection result of the first DD comparison inspection, and FIG. 8B shows the inspection result of the second DD comparison inspection. 8A and 8B, the horizontal axis indicates the position in the visual field region, and the vertical axis indicates the luminance difference.

図8(a)に示すように、1回目のDD比較検査では、実際に存在する欠陥に加えて、ノイズにより欠陥があると判断される疑似欠陥が検出される。上述したように、ノイズは多くの場合異なる位置に発生するため、2回目のDD比較検査において、1回目の疑似欠陥が検出された位置と同じ位置に疑似欠陥が発生する可能性は極めて低い。   As shown in FIG. 8A, in the first DD comparison inspection, in addition to the actually existing defects, pseudo defects that are determined to be defective due to noise are detected. As described above, since noise is often generated at different positions, in the second DD comparison inspection, the possibility that a pseudo defect is generated at the same position as the position where the first pseudo defect is detected is extremely low.

従って、判定部17は、図8(a)に示す1回目のDD比較検査において欠陥が検出された位置と、図8(b)に示す2回目のDD比較検査において欠陥が検出された位置とが同じである場合に、その位置に真の欠陥が存在すると判断する。これにより、スペックルノイズやショットノイズによる影響を排除して、実際に欠陥が存在する真の欠陥を検出することが可能である。   Accordingly, the determination unit 17 determines the position where the defect is detected in the first DD comparison inspection shown in FIG. 8A and the position where the defect is detected in the second DD comparison inspection shown in FIG. Are the same, it is determined that a true defect exists at that position. As a result, it is possible to detect a true defect that actually has a defect while eliminating the influence of speckle noise and shot noise.

このように、本発明に係るマスクの検査方法では、スライスレベルをスペックルノイズやショットノイズによる輝度差の最大値よりも低い値に設定できる。このため、極めて微小な欠陥まで検出することが可能である。   Thus, in the mask inspection method according to the present invention, the slice level can be set to a value lower than the maximum value of the luminance difference due to speckle noise or shot noise. For this reason, it is possible to detect even very minute defects.

なお、本実施の形態では、DD比較検査を2回行う例について説明したが、これに限定されるものではない。2回より多くのDD比較検査を行ってもよい。これにより、検査精度を向上させることが可能である。   In this embodiment, the example in which the DD comparison inspection is performed twice has been described. However, the present invention is not limited to this. More than two DD comparison tests may be performed. Thereby, it is possible to improve inspection accuracy.

実施の形態2.
本発明の実施の形態2に係るマスク検査装置の構成について、図9を参照して説明する。図9は、本実施の形態に係るマスク検査装置200の構成を示す図である。図9において、図1と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
Embodiment 2. FIG.
The configuration of the mask inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a mask inspection apparatus 200 according to the present embodiment. 9, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

図9に示すように、マスク検査装置200は、光源10、対物レンズ13、投影レンズ14、分割ミラー15、TDIセンサー16a、TDIセンサー16b、判定部17、波長板18、偏光ビームスプリッタ19を備えている。マスク検査装置200は、特にパターンが微細化しているEUVマスクの検査に有効である。   As shown in FIG. 9, the mask inspection apparatus 200 includes a light source 10, an objective lens 13, a projection lens 14, a split mirror 15, a TDI sensor 16a, a TDI sensor 16b, a determination unit 17, a wave plate 18, and a polarization beam splitter 19. ing. The mask inspection apparatus 200 is particularly effective for inspecting an EUV mask having a fine pattern.

光源10は、波長193nmの直線偏光のレーザ光を出射する。マスク検査装置200では、この直線偏光のレーザ光をEUVマスク30のパターン面側から照射し、反射照明光として用いている。また、マスク検査装置200においても、実施の形態1と同様に、パターンからの検査光を検出する光検出器として、2台のTDIセンサー16a、16bを用いている。   The light source 10 emits linearly polarized laser light having a wavelength of 193 nm. In the mask inspection apparatus 200, this linearly polarized laser light is irradiated from the pattern surface side of the EUV mask 30 and used as reflected illumination light. In the mask inspection apparatus 200, as in the first embodiment, two TDI sensors 16a and 16b are used as photodetectors for detecting inspection light from the pattern.

光源10から出射された反射照明光はS波となっており、偏光ビームスプリッタ19で反射され下方に進む。その後、偏光ビームスプリッタ19で反射された光は、波長板18で円偏光に変換され、対物レンズ13を通り、検査対象であるEUVマスク30に照射される。   The reflected illumination light emitted from the light source 10 is an S wave, which is reflected by the polarization beam splitter 19 and travels downward. Thereafter, the light reflected by the polarization beam splitter 19 is converted into circularly polarized light by the wave plate 18, passes through the objective lens 13, and is irradiated on the EUV mask 30 to be inspected.

EUVマスク30で反射された光、すなわち視野領域から発生する光は、反対方向の円偏光となる。このため、対物レンズ13を通過した後、波長板18を通過するとP偏光となる。波長板18でP偏光となった光は、偏光ビームスプリッタ19を通過して上方に進む。   The light reflected by the EUV mask 30, that is, the light generated from the visual field area becomes circularly polarized light in the opposite direction. For this reason, after passing through the objective lens 13 and passing through the wave plate 18, it becomes P-polarized light. The light that has been P-polarized by the wave plate 18 passes through the polarization beam splitter 19 and travels upward.

この上方に進む光は、投影レンズ14を通過した後、分割ミラー15で分割される。分割ミラー15で分割された一方の光は、TDIセンサー16aで受光される。また、分割ミラー15で分割された他方の光は、ミラー11bで反射され、TDIセンサー16bで受光される。   The light traveling upward passes through the projection lens 14 and is then split by the split mirror 15. One light split by the split mirror 15 is received by the TDI sensor 16a. The other light split by the split mirror 15 is reflected by the mirror 11b and received by the TDI sensor 16b.

実施の形態1と同様に、本実施の形態においても、図3に示すように、TDIセンサー16aで検査する領域とTDIセンサー16bで検査する領域とはが、EUVマスク30のスキャン方向に沿って並べられている。このため、1回のスキャンによって、2つの略同じパターンを2回DD比較検査することができる。これにより、検査に係る時間を短縮することができる。   Similar to the first embodiment, also in the present embodiment, as shown in FIG. 3, the region inspected by the TDI sensor 16a and the region inspected by the TDI sensor 16b are along the scanning direction of the EUV mask 30. Are lined up. For this reason, two substantially identical patterns can be subjected to DD comparison inspection twice by one scan. Thereby, the time concerning an inspection can be shortened.

また、判定部17では、2回のDD比較検査を行うことにより、真の欠陥を判定するため、スペックルノイズやショットノイズに起因する疑似欠陥を除外することができ、微小な実欠陥のみを検出することができる。   In addition, since the determination unit 17 determines the true defect by performing the DD comparison inspection twice, the pseudo defect caused by speckle noise or shot noise can be excluded, and only a minute actual defect is detected. Can be detected.

EUVマスク30は、従来のArFマスク等に比べてパターンが微細化されている。このため、ArFマスクでは問題とならなかった微小な欠陥であっても、問題となることがある。複数回のDD比較検査を行う本発明に係るマスク検査方法でEUVマスク30の欠陥検査を行うことにより、より小さな欠陥を検出することができる。   The EUV mask 30 has a finer pattern than a conventional ArF mask or the like. For this reason, even a minute defect that does not cause a problem with an ArF mask may cause a problem. By performing defect inspection of the EUV mask 30 by the mask inspection method according to the present invention in which multiple DD comparison inspections are performed, smaller defects can be detected.

さらに、従来のArFマスク等の場合、例えば、特開2008−190938号公報に記載されているように、2台のTDIセンサーを用いて、透過照明と反射照明とを同時に照明して検査する方法が用いられることがあった。EUVマスクは照明光を透過させることができないため、反射照明による検査しか適用できない。   Further, in the case of a conventional ArF mask or the like, for example, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-190938, a method of inspecting by illuminating transmitted illumination and reflected illumination simultaneously using two TDI sensors Was sometimes used. Since an EUV mask cannot transmit illumination light, only inspection by reflected illumination can be applied.

ArFマスク等を対象として2台のTDIセンサーが搭載されたマスク検査装置を用いて、EUVマスクを検査しようとしても、透過照明による検査を行うTDIセンサーが余ってしまう。これに対して、本発明では、この余ったTDIセンサーを有効に利用することができる。   Even if an EUV mask is to be inspected using a mask inspection apparatus in which two TDI sensors are mounted for an ArF mask or the like, there remains a TDI sensor that performs inspection by transmitted illumination. In contrast, in the present invention, the remaining TDI sensor can be used effectively.

すなわち、2台のTDIセンサーのそれぞれで、反射照明によるDD比較検査を行うことができる。これにより、2台のTDIセンサーを利用して、検査装置のコストアップを抑制することができると共に、検査精度を向上させることが可能となる。   That is, DD comparison inspection by reflected illumination can be performed by each of the two TDI sensors. Thereby, using two TDI sensors, it is possible to suppress the cost increase of the inspection apparatus and improve the inspection accuracy.

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、2台のTDIセンサーを設けず、1台のTDIセンサーでマスクから発生する光を受光しても構わない。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, two TDI sensors may not be provided and light generated from the mask may be received by one TDI sensor.

10 光源
11a ミラー
11b ミラー
12 コンデンサレンズ
13 対物レンズ
14 投影レンズ
15 分割ミラー
16a TDIセンサー
16b TDIセンサー
17 判定部
18 波長板
19 偏光ビームスプリッタ
20 マスク
21 基板
22 パターン
23 ペリクルフレーム
24 ペリクル
25 ヘイズ
30 EUVマスク
100 マスク検査装置
200 マスク検査装置
P1 第1パターン
P2 第2パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light source 11a Mirror 11b Mirror 12 Condenser lens 13 Objective lens 14 Projection lens 15 Split mirror 16a TDI sensor 16b TDI sensor 17 Judgment part 18 Wave plate 19 Polarizing beam splitter 20 Mask 21 Substrate 22 Pattern 23 Pellicle frame 24 Pellicle 25 Haze 30 EUV mask DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Mask inspection apparatus 200 Mask inspection apparatus P1 1st pattern P2 2nd pattern

Claims (8)

略同一の第1パターン、第2パターンが形成されたマスクに略同一の複数の照明光を照射し、
前記複数の照明光がそれぞれ照射されたときの前記第1パターン、第2パターンからの複数の出射光を検出し、
前記複数の出射光のうち前記第1パターンからの出射光の一つと前記第2パターンからの出射光の一つとを用いて、第1欠陥判定信号を算出し、
前記第1欠陥判定信号の算出に用いた出射光以外の前記第1パターンからの出射光の一つと前記第2パターンからの出射光の一つとを用いて、第2欠陥判定信号を算出し、
前記第1欠陥判定信号と前記第2欠陥判定信号とを用いて欠陥の判定を行うマスク検査方法。
Irradiating a plurality of substantially the same illumination light onto the mask on which the substantially identical first pattern and second pattern are formed,
Detecting a plurality of emitted lights from the first pattern and the second pattern when each of the plurality of illumination lights is irradiated;
Using one of the emitted light from the first pattern and one of the emitted light from the second pattern among the plurality of emitted lights, a first defect determination signal is calculated,
Using one of the emitted light from the first pattern other than the emitted light used for the calculation of the first defect determining signal and one of the emitted light from the second pattern, a second defect determining signal is calculated,
A mask inspection method for determining a defect using the first defect determination signal and the second defect determination signal.
前記複数の照明光のうちの第1照明光が照射されたときの前記第1パターン、前記第2パターンからのそれぞれの出射光を第1光検出部で検出し、
前記複数の照明光のうちの前記第1照明光と異なる第2照明光が照射されたときの前記第1照明パターン、前記第2照明パターンからのそれぞれの出射光を前記第1光検出部と異なる第2光検出部で検出することを特徴とする請求項1に記載のマスク検査方法。
The first light detection unit detects each emitted light from the first pattern and the second pattern when the first illumination light of the plurality of illumination lights is irradiated,
Light emitted from the first illumination pattern and the second illumination pattern when the second illumination light different from the first illumination light among the plurality of illumination lights is irradiated with the first light detection unit. 2. The mask inspection method according to claim 1, wherein detection is performed by different second light detection units.
前記第1照明光を対物レンズの視野の一部に入射させ、前記第2照明光を前記対物レンズの他の一部に入射させ、
前記対物レンズにより前記第1照明光及び前記第2照明光を前記マスクに集光して、1回のスキャンで前記第1照明光及び前記第2照明光による前記第1パターン及び前記第2のパターンからの出射光を検出することを特徴とする請求項2に記載のマスク検査方法。
Making the first illumination light incident on a part of the field of view of the objective lens, making the second illumination light incident on the other part of the objective lens,
The first illumination light and the second illumination light are condensed on the mask by the objective lens, and the first pattern and the second pattern by the first illumination light and the second illumination light in one scan. The mask inspection method according to claim 2, wherein light emitted from the pattern is detected.
前記複数の照明光は、いずれも反射照明光であり、
前記マスクはEUVマスクであることを特徴とする請求項1、2又は3に記載のマスク検査方法。
The plurality of illumination lights are all reflected illumination lights,
The mask inspection method according to claim 1, wherein the mask is an EUV mask.
略同一の第1パターン、第2パターンが形成されたマスクに略同一の複数の照明光を照射する照明光学系と、
前記複数の照明光がそれぞれ照射されたときの前記第1パターン、第2パターンからの複数の出射光を検出する光検出器と、
前記複数の出射光のうち前記第1パターンからの出射光の一つと前記第2パターンからの出射光の一つとを用いて第1欠陥判定信号を算出し、前記第1欠陥判定信号の算出に用いた出射光以外の前記第1パターンからの出射光の一つと前記第2パターンからの出射光の一つとを用いて第2欠陥判定信号を算出し、前記第1欠陥判定信号と前記第2欠陥判定信号とを用いて欠陥の判定を行う判定部と、
を備えるマスク検査装置。
An illumination optical system that irradiates a plurality of substantially identical illumination lights to a mask on which substantially the same first pattern and second pattern are formed;
A photodetector for detecting a plurality of emitted lights from the first pattern and the second pattern when the plurality of illumination lights are respectively irradiated;
A first defect determination signal is calculated using one of the emitted light from the first pattern and one of the emitted light from the second pattern among the plurality of emitted lights, and is used to calculate the first defect determination signal. A second defect determination signal is calculated using one of the emitted light from the first pattern and one of the emitted light from the second pattern other than the used emitted light, and the first defect determining signal and the second defect are calculated. A determination unit that determines a defect using the defect determination signal;
A mask inspection apparatus comprising:
前記光検出器は、
前記複数の照明光のうちの第1照明光が照射されたときの前記第1パターン、前記第2パターンからのそれぞれの出射光を検出する第1光検出部と、
前記複数の照明光のうちの前記第1照明光と異なる第2照明光が照射されたときの前記第1照明パターン、前記第2照明パターンからのそれぞれの出射光を検出する第2光検出部と、
を備える請求項5に記載のマスク検査装置。
The photodetector is
A first light detection unit for detecting respective emitted light from the first pattern and the second pattern when the first illumination light of the plurality of illumination lights is irradiated;
A second light detection unit that detects each of the emitted light from the first illumination pattern and the second illumination pattern when the second illumination light different from the first illumination light among the plurality of illumination lights is irradiated. When,
A mask inspection apparatus according to claim 5.
前記第1照明光、前記第2照明光を前記マスクに集光する対物レンズを備え、
前記第1照明光を前記対物レンズの視野の一部の領域に入射させ、前記第2照明光を前記対物レンズの視野の他の一部の領域に入射させ、1回のスキャンで前記第1照明光及び前記第2照明光による前記第1パターン及び前記第2のパターンからの出射光を検出することを特徴とする請求項6に記載のマスク検査装置。
An objective lens for condensing the first illumination light and the second illumination light on the mask;
The first illumination light is incident on a partial region of the objective lens field of view, and the second illumination light is incident on another partial region of the objective lens field of view, and the first illumination light is scanned once. The mask inspection apparatus according to claim 6, wherein light emitted from the first pattern and the second pattern by illumination light and the second illumination light is detected.
前記第1照明光及び前記第2照明光は、いずれも反射照明光であり、
前記マスクはEUVマスクであることを特徴とする請求項5、6又は7に記載のマスク検査装置。
The first illumination light and the second illumination light are both reflected illumination light,
The mask inspection apparatus according to claim 5, wherein the mask is an EUV mask.
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