JP2011085407A - Vibrating pressure sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は差圧伝送器や圧力伝送器に用いて好適な振動式圧力センサに関し、詳しくは、半導体微細加工技術を用いてシリコン基板に形成した振動子を、その固有振動数で振動させておき、基板に加えられる力または環境変化に対応して振動子に生ずる振動周波数の変化を検出する方式の振動式圧力センサに関するものである。 The present invention relates to a vibration type pressure sensor suitable for use in a differential pressure transmitter or a pressure transmitter, and more specifically, a vibrator formed on a silicon substrate using a semiconductor micromachining technique is vibrated at its natural frequency. The present invention relates to a vibration type pressure sensor that detects a change in vibration frequency generated in a vibrator in response to a force applied to a substrate or a change in environment.
従来の振動式圧力センサは特開昭６０−１８６７２５、特公平４−６８５７５に記載されているようにダイアフラムの中心部と周縁部に、半導体微細加工の技術を用いて振動子が１個ずつ形成されている構成である。 In the conventional vibration type pressure sensor, as described in JP-A-60-186725 and JP-B-4-68575, one vibrator is formed at the center and the peripheral part of the diaphragm by using a semiconductor microfabrication technique. It is the structure which is done.
図６は上記の先行特許文献に記載された振動圧力センサの平面（ａ）および（ａ）図のＡ−Ａ'断面図（ｂ）である。図６（ａ，ｂ）において、１０は矩形状のシリコン基板であり、中央部に８角形状の受圧ダイアフラム１４が形成されている。 FIG. 6 is a plan (a) and AA ′ cross-sectional view (b) of the vibration pressure sensor described in the above-mentioned prior patent document. 6A and 6B, reference numeral 10 denotes a rectangular silicon substrate, in which an octagonal pressure receiving diaphragm 14 is formed at the center.
この受圧ダイアフラム１４はシリコン基板１０の一方の面をエッチングすることにより形成され、このエッチング面はベース２０と張り合わされて空洞部１４ａが形成されている。２１は圧力を空洞部１４ａに導入するための導入孔である。
The pressure receiving diaphragm 14 is formed by etching one surface of the silicon substrate 10, and this etched surface is bonded to the
１１，１２はダイアフラム１４上に両端が形成された振動子でＣ振動子１１はダイアフラム１４のほぼ中央部に、Ｒ振動子１２はダイアフラム１４の周辺部に公知の方法によりそれぞれ形成されている。このように形成された振動子は例えば長さｌ＝１ｍｍ、厚さｈ＝５μｍ、幅ｄ＝３５μｍ程度に形成されている。 Reference numerals 11 and 12 denote vibrators having both ends formed on the diaphragm 14. The C vibrator 11 is formed at a substantially central portion of the diaphragm 14, and the R vibrator 12 is formed at a peripheral portion of the diaphragm 14 by a known method. The vibrator formed in this way is formed to have a length l = 1 mm, a thickness h = 5 μm, and a width d = 35 μm, for example.
Ｃ振動子１１およびＲ振動子１２は、例えば選択エピタキシャル成長、犠牲層エッチング、封止のためのエピタキシャル成長などによって、シリコンのカバー１４ｂで覆われており、その内部空間１４ｃを真空状態（シェル構造）に保持している。なお、図６（ａ）ではカバー１４ｂは省略している。
以上の構成において、中心部の振動子の固有振動数をｆｃ、周縁部の振動子の固有振動数をｆｒとすると、このダイアフラムに差圧が印加された場合、両者の固有振動数は変化するが、その変化の方向は逆となる（逆相）。
The C vibrator 11 and the R vibrator 12 are covered with a
In the above configuration, when the natural frequency of the vibrator at the center is fc and the natural frequency of the vibrator at the peripheral part is fr, when a differential pressure is applied to the diaphragm, the natural frequency of both changes. However, the direction of the change is reversed (reverse phase).
また、静圧が印加された場合は、振動子を内蔵するシェル構造が圧縮されるため、ｆｃ、ｆｒともその振動数が低下する（同相）。さらにダイアフラムが形成されたシリコン基板は通常、硼珪酸ガラス（パイレックス（登録商標）ガラスなど）からなるベースに接合されているため、半導体基板との熱膨張率差によって、温度変化に伴いシリコン基板上に歪が発生し、この歪はｆｃ、ｆｒに同相に影響する。 Further, when a static pressure is applied, the shell structure containing the vibrator is compressed, so that the frequency of both fc and fr decreases (in-phase). Further, since the silicon substrate on which the diaphragm is formed is usually bonded to a base made of borosilicate glass (such as Pyrex (registered trademark) glass), due to the difference in thermal expansion coefficient from the semiconductor substrate, Distortion occurs, and this distortion affects fc and fr in phase.
ｆｃ、ｆｒに対し、差圧入力は逆相、静圧入力と温度変化に対しては同相に変化するのでｆｃ、ｆｒの差信号を取ることで、差圧のみに感度を有する（温度と静圧によらない）差圧センサを構成している。さらに、ｆｃとｆｒの和信号を取ることで差圧の影響を除去し、静圧信号を取りだしている。 With respect to fc and fr, the differential pressure input is in the opposite phase, and the static pressure input and the temperature change in the same phase. Therefore, taking the difference signal of fc and fr has sensitivity only to the differential pressure (temperature and static pressure). (It does not depend on pressure) It constitutes a differential pressure sensor. Furthermore, by taking the sum signal of fc and fr, the influence of the differential pressure is removed, and the static pressure signal is taken out.
上記従来の技術は、温度入力に対しｆｃとｆｒは同相に動くため、和信号を取ると温度依存性も残ってしまい、その信号は静圧入力＋温度変化に対する出力となり、静圧のみの（差圧にも温度にも依存しない）出力が得られないという問題があった。このため、実際には温度センサを設けて、これによって更に補正を行っていた。
従って本発明の目的は振動式の圧力センサであって、静圧や温度によらない差圧センサと共に、温度や差圧によらず静圧のみに感度を有する静圧センサを実現することを目的としている。
In the above conventional technique, fc and fr move in phase with respect to the temperature input. Therefore, if the sum signal is taken, the temperature dependence remains, and the signal becomes an output for the static pressure input + temperature change, and only the static pressure ( There was a problem in that no output was obtained (which did not depend on the differential pressure or temperature). For this reason, a temperature sensor is actually provided and further correction is performed.
Accordingly, an object of the present invention is to realize a vibration type pressure sensor, which is a differential pressure sensor that does not depend on static pressure or temperature, and a static pressure sensor that is sensitive only to static pressure regardless of temperature or differential pressure. It is said.
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、請求項１に記載の振動式圧力センサの発明においては、
弾性を有する半導体基板の所定の領域に形成された受圧ダイアフラムと、該受圧ダイアフラムの表面の中心部と周縁部に形成された振動子と、前記半導体基板の裏面に接合されたベースを有する振動式圧力センサにおいて、前記受圧ダイアフラムが形成された領域外の前記半導体基板と前記ベースとの間に空隙部を設け、前記空隙部に位置する領域に少なくとも一つの振動子を配置したことを特徴とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and in the invention of the vibration type pressure sensor according to
Vibration type having a pressure receiving diaphragm formed in a predetermined region of a semiconductor substrate having elasticity, a vibrator formed in a center portion and a peripheral portion of the surface of the pressure receiving diaphragm, and a base bonded to the back surface of the semiconductor substrate In the pressure sensor, a gap is provided between the semiconductor substrate and the base outside the area where the pressure receiving diaphragm is formed, and at least one vibrator is disposed in the area located in the gap. .
請求項２に記載の振動式圧力センサの発明においては、
請求項１記載の振動式圧力センサにおいて、前記半導体基板は矩形状とされ、半導体基板と前記ベースとの間に形成した空隙部が、前記半導体基板外周の一辺に設けられたことを特徴とする。
In the invention of the vibration type pressure sensor according to claim 2,
2. The vibration type pressure sensor according to
請求項３に記載の振動式圧力センサの発明においては、
請求項１記載の圧力センサにおいて、前記半導体基板と前記ベースとの空隙部の領域が、前記半導体基板の四隅のうち少なくとも一隅に設けられたことを特徴とする。
In the invention of the vibration type pressure sensor according to claim 3,
2. The pressure sensor according to
請求項４に記載の振動式圧力センサの発明においては、
請求項１記載の圧力センサにおいて、前記空隙部の領域はベースの一部に段差を設けて形成したことを特徴とする。
In the invention of the vibration type pressure sensor according to claim 4,
2. The pressure sensor according to
請求項５に記載の振動式圧力センサの発明においては、
請求項１記載の振動式圧力センサにおいて、前記空隙部の領域は半導体基板の一部に段差を設けて形成したことを特徴とする。
In the invention of the vibration type pressure sensor according to claim 5,
2. The vibration type pressure sensor according to
請求項６に記載の振動式圧力センサの発明においては、
請求項１記載の振動式圧力センサにおいて、前記空隙部の領域は前記ベースの一部に貫通穴を設けて形成したことを特徴とする。
In the invention of the vibration type pressure sensor according to claim 6,
2. The vibration type pressure sensor according to
請求項７に記載の振動式圧力センサの発明においては、
請求項１記載の圧力センサにおいて、前記ダイアフラムの中心に配置された振動子の固有振動数と周縁部に形成された振動子の固有振動数から差圧を算出する演算手段と、前記空隙部の領域に形成された振動子の固有振動数から静圧を算出する演算手段とを備えたことを特徴とする。
In the invention of the vibration type pressure sensor according to
2. The pressure sensor according to
本発明の請求項１乃至７記載の発明によれば、振動式圧力センサにおいて温度に依存しない静圧信号を得ることが可能になる。さらに従来の静圧センサのような温度補正を必要とせず信号処理の簡略化が可能となる。このセンサを振動式圧力伝送器に用いることで、より高精度な差圧、圧力伝送器が実現できる。 According to the first to seventh aspects of the present invention, it is possible to obtain a static pressure signal independent of temperature in the vibration type pressure sensor. Furthermore, signal processing can be simplified without requiring temperature correction as in a conventional static pressure sensor. By using this sensor in a vibration pressure transmitter, a more accurate differential pressure and pressure transmitter can be realized.
本発明の請求項２記載の発明によれば、コーナー部のスペースに静圧用振動子１３を設けることで、シリコン基板のサイズを小型化できる利点がある。 According to the second aspect of the present invention, by providing the static pressure vibrator 13 in the corner space, there is an advantage that the size of the silicon substrate can be reduced.
本発明の請求項３記載の発明によれば、シリコン基板１０側に段差を設けている。そのためダイアフラム１４を形成するエッチング工程で同時に段差もエッチング加工できるため、工程の簡略化が可能となる。
本発明の請求項４記載の発明によれば、貫通孔（２２）は、ベース導圧口２１を明けるのと同じ工程で明けることができ、簡単な加工で形成できる利点がある。
According to invention of Claim 3 of this invention, the level | step difference is provided in the silicon substrate 10 side. Therefore, the step can also be etched at the same time in the etching process for forming the diaphragm 14, so that the process can be simplified.
According to the invention described in claim 4 of the present invention, the through hole (22) can be opened in the same process as that for opening the base pressure guiding port 21, and there is an advantage that it can be formed by simple processing.
図１は本発明の実施形態の一例を示す平面図（ａ）、（ａ）図のＡ−Ａ’断面図（ｂ）、（ａ）図のＢ−Ｂ’断面図（ｃ）である。
図１において、半導体（シリコン）基板１０の表面にＣ振動子１１、Ｒ振動子１２、Ｓ振動子１３が形成され、裏面側はアルカリエッチング液(ＫＯＨ、ＴＭＡＨ水溶液など)によってシリコン基板１０がエッチングされ、ダイアフラム１４が形成されている。
FIG. 1 is a plan view (a), an AA ′ cross-sectional view (b) of FIG. 1 (a), and a BB ′ cross-sectional view (c) of FIG.
In FIG. 1, a C vibrator 11, an R vibrator 12, and an S vibrator 13 are formed on the surface of a semiconductor (silicon) substrate 10, and the silicon substrate 10 is etched on the back side by an alkaline etchant (KOH, TMAH aqueous solution, etc.). Thus, the diaphragm 14 is formed.
Ｃ振動子１１はこのダイアフラムの中心部に、Ｒ振動子１２はダイアフラムの周縁部に配置される。また、シリコン基板１０は硼珪酸ガラス（パイレックス（登録商標）ガラスなど）からなるベース２０に陽極接合などの手段で接合される。このベース２０の接合面の一辺は接合前にダイサー加工やエッチングにより削られ、シリコン基板１０との間に接合されない空隙部２２が形成されている。
The C vibrator 11 is disposed at the center of the diaphragm, and the R vibrator 12 is disposed at the peripheral edge of the diaphragm. The silicon substrate 10 is bonded to a base 20 made of borosilicate glass (such as Pyrex (registered trademark) glass) by means such as anodic bonding. One side of the bonding surface of the
シリコン基板１０のサイズが数ミリとすれば、その削り幅は数百ミクロン、削り深さは、加工方法によっても異なるが、十ミクロン程度〜数百ミクロン程度の寸法である。Ｓ振動子１３はこの空隙部２２上のシリコン基板１０上に形成される。Ｓ振動子１３を空隙部２２上に設けることで、シリコン基板１０とベース２０の熱膨張率差による歪はほとんど無視できる程小さくなり、固有振動数ｆｓは温度影響を受けず、静圧にのみ感度を有するようになる。
If the size of the silicon substrate 10 is several millimeters, the cutting width is several hundred microns, and the cutting depth varies depending on the processing method, but is about 10 to several hundred microns. The S vibrator 13 is formed on the silicon substrate 10 on the gap 22. By providing the S vibrator 13 on the gap 22, the strain due to the difference in thermal expansion coefficient between the silicon substrate 10 and the
以下数式を用いて簡単に説明する。一般に振動子の固有振動数をｆとすると、以下のように表現することができる。
ｆ＝ｆ0（１＋ｋ・ε）0.5 -----（１）
ここで、ｆ0＝振動子に加わる歪がゼロの場合の固有振動数（振動子の材質（弾性係数）、形状で決まる値）。
ε＝振動子にかかる歪。
ｋ＝比例定数（振動子の形状によって決まる定数）。
This will be briefly described below using mathematical expressions. In general, when the natural frequency of the vibrator is f, it can be expressed as follows.
f = f0 (1 + k · ε) 0.5 ----- (1)
Here, f0 = the natural frequency when the strain applied to the vibrator is zero (value determined by the material (elastic coefficient) and shape of the vibrator).
ε = strain applied to the vibrator.
k = proportional constant (a constant determined by the shape of the vibrator).
歪εは、圧力センサの製作プロセスで発生する初期歪ε0、差圧に起因する歪εdp、静圧に起因する歪εsp、温度に起因する歪εtの和からなるものである。
ｆc2／ｆ02＝１＋ｋc・（ε0＋εdp＋εsp＋εt） -----（２）
入力差圧dp＝0、静圧sp=0、基準温度（室温Rt）での発振周波数をfc0とすると、
ｆc02／ｆ02＝１＋ｋc・（ε0＋εRT） -----（３）
となる。よって、Ｃ振動子のｆｃとfc0の比は、
（fc/fc0）2＝1＋ｋｃ・（εdp＋εsp＋εt―εRT） -----（４）
と表せる。一方Ｒ振動子では、
ｆr2／ｆ02＝１＋ｋr・（ε0―εdp＋εsp＋εt） -----（５）
ｆc02／ｆ02＝１＋ｋr・（ε0＋εRT） -----（６）
となるから、これらの比は、
（fr/fr0）2＝1＋ｋr・（−εdp＋εsp＋εt―εRT） -----（７）
である。（４）式と（７）式から、
((fc／fc0)2−１)/kc−((fr／fr0)2−１)/kr＝2εdp -----（８）
差圧に起因する歪εdpはダイアフラムの厚さ、径、弾性係数、ポアソン比によって定まる係数をαとして、差圧dＰに比例する。
εdp＝α・ｄP -----（９）
（８）式から、差圧dＰは以下により求まる。
ｄP＝（1／2α）・〔((fc／fc0)2−１)/kc−((fr／fr0)2−１)/kr〕 -----（10）
次に、Ｓ振動子について考察する。
Ｓ振動子は、差圧や温度にほとんど依存しないため、初期歪と静圧歪の関数として、
ｆs2／ｆ02＝１＋ｋs・（ε0＋εsp） -----（11）
と書ける。静圧入力sp=0の発振周波数をfs0とすると、
ｆs02／ｆ02＝１＋ｋs・（ε0） -----（12）
よって、fsとfs0の比は、
（ｆs／ｆs0）2＝１＋ｋs・（εsp） -----（13）
となり、静圧spのみの関数となる。静圧歪εspはシエルの厚さ、サイズ、弾性係数などによって定まる定数をβとして、静圧spに比例する。
εsp＝β・SP -----（14）
(13)式から、静圧SPは、温度と差圧に依らず、以下のようになる。
ＳＰ＝（１／βks）・〔（ｆs／ｆs0）2−１〕 -----（15）
The strain ε is composed of the sum of an initial strain ε0 generated in the pressure sensor manufacturing process, a strain εdp due to a differential pressure, a strain εsp due to a static pressure, and a strain εt due to temperature.
fc 2 /
When the input differential pressure dp = 0, static pressure sp = 0, and the oscillation frequency at the reference temperature (room temperature Rt) is fc0,
fc0 2 / f0 2 = 1 + kc · (ε 0 + ε RT ) ----- (3)
It becomes. Therefore, the ratio of fc and fc0 of the C vibrator is
(Fc / fc0) 2 = 1 + kc · (ε dp + ε sp + ε t -ε RT ) ----- (4)
It can be expressed. On the other hand, in the R vibrator,
fr 2 /
fc0 2 / f0 2 = 1 + kr · (ε 0 + ε RT ) ----- (6)
So these ratios are
(Fr / fr0) 2 = 1 + kr · (-ε dp + ε sp + ε t- ε RT ) ----- (7)
It is. From equations (4) and (7)
((fc / fc0) 2 -1) / kc-((fr / fr0) 2 -1) / kr = 2ε dp ----- (8)
The strain ε dp caused by the differential pressure is proportional to the differential pressure dP, where α is a coefficient determined by the thickness, diameter, elastic coefficient, and Poisson's ratio of the diaphragm.
ε dp = α · dP ----- (9)
From the equation (8), the differential pressure dP is obtained as follows.
dP = (1 / 2α) · [((fc / fc0) 2 −1) / kc − ((fr / fr0) 2 −1) / kr] ----- (10)
Next, the S vibrator will be considered.
Since the S vibrator hardly depends on the differential pressure or temperature, as a function of the initial strain and the static pressure strain,
fs 2 / f0 2 = 1 + ks · (ε 0 + ε sp ) ----- (11)
Can be written. If the oscillation frequency of the static pressure input sp = 0 is fs0,
fs0 2 / f0 2 = 1 + ks · (ε 0 ) ----- (12)
Therefore, the ratio of fs to fs0 is
(Fs / fs0) 2 = 1 + ks · (ε sp ) ----- (13)
And is a function of only the static pressure sp. The static pressure strain ε sp is proportional to the static pressure sp, where β is a constant determined by the thickness, size, elastic modulus, etc. of the shell.
ε sp = β · SP ----- (14)
From equation (13), the static pressure SP is as follows regardless of the temperature and the differential pressure.
SP = (1 / βks) · [(fs / fs0) 2 −1] ----- (15)
図２は上述の演算式を演算手順に従って示すものであり、Ｃ振動子とＲ振動子の振動周波数から差圧信号を、Ｓ振動子の振動周波数から静圧信号を演算するための演算手段の手順を示す図である。 FIG. 2 shows the above-described calculation formula according to the calculation procedure. The calculation means for calculating the differential pressure signal from the vibration frequency of the C vibrator and the R vibrator and the static pressure signal from the vibration frequency of the S vibrator. It is a figure which shows a procedure.
始めに差圧信号を求めるに際しては、手順（ａ）において振動子（Ｃ，Ｒ，Ｓ）の固有周波数（fc，fc0，fr，fr0，ｆs，ｆs0）を求め、手順（ｂ）においてfc/fc0，fr/fr0，ｆs/ｆs0の演算を行い、結果を２乗する。手順（ｃ）において２乗した値を各振動子の比例乗数（ひずみ感度係数）ｋで除算する。次に差圧信号を求める手順（ｄ）においては除算したＣ振動子の結果からＲ振動子の結果を減算してその差分を求める。 First, when the differential pressure signal is obtained, the natural frequencies (fc, fc0, fr, fr0, fs, fs0) of the vibrator (C, R, S) are obtained in the procedure (a), and fc / Calculate fc0, fr / fr0, fs / fs0, and square the result. The value squared in step (c) is divided by the proportional multiplier (strain sensitivity coefficient) k of each vibrator. Next, in the procedure (d) for obtaining the differential pressure signal, the result of the R vibrator is subtracted from the result of the divided C vibrator to obtain the difference.
次に手順（ｅ）において手順（ｄ）により求めた差分にダイアフラム形状による係数を乗じ、手順（ｆ）にて差圧信号として出力する。
一方、静圧信号を求めるに際しては手順（ｃ）において２乗した値を各振動子の比例乗数（ひずみ感度係数）ｋで除算したＳ振動子の値をシェル形状による係数βで除して静圧信号として出力する。
Next, in step (e), the difference obtained in step (d) is multiplied by a coefficient based on the diaphragm shape, and output as a differential pressure signal in step (f).
On the other hand, when obtaining the static pressure signal, the value of the S vibrator obtained by dividing the squared value in step (c) by the proportional multiplier (strain sensitivity coefficient) k of each vibrator is divided by the coefficient β of the shell shape to obtain a static pressure signal. Output as a pressure signal.
参考のため、従来の静圧信号は、以下の式によって静圧を求めていた。
1/2｛（（fc/fc0）2−１）／kc＋(fr/fr0）2−１）／kr｝
＝εsp＋εt―εRT＋ε0 -----（16）
この式では、明らかに温度に依存する項を含み、静圧のみの信号を取り出すことはできず、温度補正を必要とすることがわかる。
For reference, a conventional static pressure signal is obtained by the following formula.
1/2 {(((fc / fc0) 2 -1) / kc + (fr / fr0) 2 -1) / kr}
= Ε sp + ε t- ε RT + ε 0 ----- (16)
It can be seen that this equation clearly includes a temperature-dependent term, and it is not possible to extract a signal of only static pressure, and temperature correction is required.
従って、本発明によれば、振動式の圧力センサにおいて温度に依存しない静圧信号を得ることが可能になる。さらに従来の静圧センサのような温度補正を必要とせず信号処理の簡略が可能となる。このセンサを伝送器に用いることで、より高精度な差圧、圧力伝送器が実現できる。 Therefore, according to the present invention, it is possible to obtain a static pressure signal independent of temperature in a vibration type pressure sensor. Furthermore, signal processing can be simplified without requiring temperature correction as in the conventional static pressure sensor. By using this sensor for a transmitter, a more accurate differential pressure / pressure transmitter can be realized.
図２は他の実施例を示す平面図（ａ）、（ａ）図のＡ−Ａ’断面図（ｂ）である。
静圧検出用のＳ振動子１３はシリコン基板１０の角部に配置され、空隙部２２もその振動子１３を含むエリアの角部に形成されたものである。
ダイアフラム１４を例えば８角形とした場合、コーナー部にスペースがあり、ここに静圧用振動子１３を設けることで、シリコン基板１０のサイズを小型化できる利点がある。
FIG. 2 is a plan view (a) of another embodiment, and is a cross-sectional view (b) taken along the line AA ′ of FIG.
The S transducer 13 for detecting static pressure is disposed at the corner of the silicon substrate 10, and the gap 22 is also formed at the corner of the area including the transducer 13.
When the diaphragm 14 is, for example, an octagon, there is a space in the corner portion, and providing the static pressure vibrator 13 there is an advantage that the size of the silicon substrate 10 can be reduced.
図３は他の実施例を示す断面図である。この実施例は空隙部２２の形成方法を変えた例を示している。図１，図２に示す実施例では、ベース２０の一部を削って空隙部２２を設けたが、この実施例では、シリコン基板１０側に段差を設けている。このような構造は、ダイアフラム１４を形成するエッチング工程で同時にエッチング加工できるため、工程の簡略化が可能となる。
図４は他の実施例を示す断面図である。この実施例は空隙部２２を貫通孔とした例である。この貫通孔（２２）は、ベース導圧口２１を明けるのと同じ工程で明けることができ、簡単な加工で形成できる利点がある。
FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment. This embodiment shows an example in which the method for forming the gap 22 is changed. In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, a part of the
FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment. In this embodiment, the gap 22 is a through hole. The through hole (22) can be formed in the same process as the base pressure inlet 21 is opened, and has an advantage that it can be formed by simple processing.
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
従って本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形を含むものである。
The above description merely shows a specific preferred embodiment for the purpose of explanation and illustration of the present invention.
Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes many changes and modifications without departing from the essence thereof.
１０ 半導体（シリコン）基板
１１ 振動子
１２ 振動子
１３ 振動子
１４ ダイアフラム
１４ａ 空洞部
１４ｂ カバー
１４ｃ 内部空間
２０ ベース
２１ 導圧孔
２２ 空隙部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor (silicon | silicone) board | substrate 11 vibrator | oscillator 12 vibrator | oscillator 13 vibrator | oscillator 14
Claims (7)
請求項１記載の振動式圧力センサ。 The vibration type pressure sensor according to claim 1, wherein the space portion is formed by providing a step in a part of the semiconductor substrate.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012242123A (en) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Yokogawa Electric Corp | Vibration type pressure transducer |
| WO2014136388A1 (en) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | パナソニック株式会社 | Strain-detection device |
-
2009
- 2009-10-13 JP JP2009236252A patent/JP2011085407A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012242123A (en) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Yokogawa Electric Corp | Vibration type pressure transducer |
| WO2014136388A1 (en) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | パナソニック株式会社 | Strain-detection device |
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