JP2011079057A - レーザ加工装置およびレーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】加工能力が高く、かつ加工品質にも優れたレーザ加工装置、レーザ加工方法を得る。
【解決手段】レーザ発振器1101と、レーザ発振器1101から出射されるビームを複数ビームに分岐する位相格子1107と、位相格子1107によって分岐された複数ビームをそれぞれ集光し、被加工物1109に照射する集光レンズ1108を備え、位相格子1107は、被加工物1109の加工に不要な高次回折光の発生を抑制するように設計された凹凸形状を表面に有し、凹凸形状の断面はいたるところで連続的である。
【選択図】図3
【解決手段】レーザ発振器1101と、レーザ発振器1101から出射されるビームを複数ビームに分岐する位相格子1107と、位相格子1107によって分岐された複数ビームをそれぞれ集光し、被加工物1109に照射する集光レンズ1108を備え、位相格子1107は、被加工物1109の加工に不要な高次回折光の発生を抑制するように設計された凹凸形状を表面に有し、凹凸形状の断面はいたるところで連続的である。
【選択図】図3
Description
本発明は、レーザ加工装置およびレーザ加工方法に関する。
レーザ加工装置としては、CO2レーザを使った金属板の切断・穴あけ加工や、YAGレーザによる金属薄板の精密加工が広く知られている。とくに、小型でメンテナンス性が良く、直径数10μmの集光スポットが容易に得られるという理由から、YAGレーザは各種の精密加工に適している。さらに、YAGレーザでは第2高調波(波長532nm)が得られるので、アブレーション効果を利用した微細な薄膜加工へも応用できる。レーザアブレーションとは、高分子材料にエキシマレーザやYAG高調波などの短波長・短パルスレーザを照射した時に、瞬時に分解・気化・飛散が起こり、局所的に材料が除去される現象のことである。事実、半導体製造用マスクの欠陥修正、薄膜センサの検出部のパターンニング、液晶パネルの電極パターンニング等に、QスイッチYAGレーザが利用され始めた。Qスイッチを用いる理由は、パルス幅が短くピークパワーが大きいビームを利用することにより、被加工部材への熱的損傷がない高品質な加工が実現できるからである。
液晶パネルの電極のパターンニングは、一般には、透光性導電膜が被着した基板をレーザビームに対して移動させながら、導電膜を所定の間隔で切断することにより行う。この時の加工品質すなわち導電膜の電気特性は、QスイッチYAGレーザの特性(主にピークパワー)から決まる。そして、レーザの特性はQスイッチ周波数に左右される。すなわち、Qスイッチ周波数を低くすると、パルス幅が狭くなり、ピークパワーは大きくなる。逆に、Qスイッチ周波数を高くすると、パルス幅が広がり、ピークパワーは小さくなる。
加工品質の観点からは、Qスイッチ周波数を低くして、ビームのピーク強度を高めることが望ましい。こうすると、アブレーション効果を介して、瞬間的に加工部位を除去することができ、加工部近傍や膜基板へ熱的損傷を与えることがない。
しかし、これらの加工方法には、生産性の点に問題がある。なぜならば、Qスイッチ周波数を下げることは、そのぶんだけ、ステージの送り速度を遅らせることにつながり、その結果として加工速度が著しく低下するからである。
他方、加工速度の観点からは、Qスイッチ周波数を高くしてステージをすばやく移動させることが望ましい。しかし、Qスイッチ周波数を高くすると、ピークパワーが低下し、パルス幅が広がる。このために、液晶パネルの電極をパターンニングする時に、電極基板であるガラスに熱的損傷を与え、微小なクラックやくぼみを発生させる。このクラックやくぼみは、液晶パネルの表示品質を損ねる要因となる。また、ガラスに微小量含まれているアルカリ金属イオンがクラック及びくぼみから液晶中に溶出し、このことが液晶パネルの表示不良の原因となる。
この問題を解決するため、特許文献1に開示されたレーザ加工装置では、位相変調作用を有する回折光学素子でレーザ発振器からのビームを複数本に分岐し、被加工物表面の複数部位を同時に加工することで加工能力を大きく向上させている。すなわち、ビーム分岐数をNとすると、1本のビームで加工した場合に比べN倍の加工能力を達成することができる。特許文献1では、回折光学素子には、ほぼ矩形の断面形状を有する表面凹凸型2値位相格子を用いている。
しかし、2値位相格子を用いてレーザビームを分岐すると、高次回折光へのエネルギー漏れが多くなる。加工に不要な高次回折光が被加工物に照射されると、被加工物の表面にダメージを与える場合がある。このため、従来は不要なビームを遮るための遮光マスクを設けていた。しかし、加工中に発生する除去物が遮光マスクのへりに堆積し、加工用ビームの光路を遮ってビームの強度分布を乱したり、堆積した除去物が被加工物の表面に落下して被加工物を汚染したりする場合があった。このような弊害を回避するためには加工の途中で遮光マスクを交換する必要があるが、この作業にはレーザ光学系の調整が伴うため多くの時間とコストを要していた。また、レーザ光学系の調整のために装置の稼動を停止することは加工能力の低下につながる。
本発明の目的は、加工能力が高く、かつ加工品質にも優れたレーザ加工装置、レーザ加工方法を得ることである。
本発明のレーザ加工装置は、レーザ発振器と、上記レーザ発振器から出射されるビームを複数ビームに分岐して、被加工物に照射する回折光学素子を備え、上記回折光学素子は、上記被加工物の加工に不要な高次回折光の発生を抑制するように設計された凹凸形状を表面に有し、上記凹凸形状は素子上のいたるところで連続的なものである。
いたるところで連続的な断面形状を持つ回折光学素子を用いると、高次回折光へのエネルギー漏れが少ないため、加工に不要なビームによる弊害を回避できる。これにより、加工能力が高く、かつ加工品質にも優れたレーザ加工装置を得ることができる。
また、上記回折光学素子によって分岐された複数ビームをそれぞれ集光し、被加工物に照射する集光レンズを備えるようにしてもよい。
いたるところで連続的な断面形状を持つ回折光学素子を用いると、高次回折光へのエネルギー漏れが少ないため、加工に不要なビームによる弊害を回避できる。これにより、加工能力が高く、かつ加工品質にも優れたレーザ加工装置を得ることができる。
また、上記回折光学素子によって分岐された複数ビームをそれぞれ集光し、被加工物に照射する集光レンズを備えるようにしてもよい。
また、上記回折光学素子から生じる回折ビームのうち加工へ用いる複数の回折ビームの最大回折次数がNであるとき、上記回折光学素子の凹凸形状が有する空間周波数νが、
ν≦2NΔ/λf (Δはビーム分岐ピッチ、λはビーム波長、fは回折光学素子から被加工物までの距離)を満たすように設計することにより、高次回折光の発生を抑える回折光学素子を得ることができる。
ν≦2NΔ/λf (Δはビーム分岐ピッチ、λはビーム波長、fは回折光学素子から被加工物までの距離)を満たすように設計することにより、高次回折光の発生を抑える回折光学素子を得ることができる。
本発明のレーザ加工方法は、レーザ発振器からビームを出射する工程と、いたるところで連続的な凹凸形状を表面に有する回折光学素子によって、被加工物の加工に不要な高次回折光の発生を抑制しながら上記ビームを複数ビームに分岐する工程を有する。
いたるところで連続的な断面形状を持つ回折光学素子を用いると、高次回折光へのエネルギー漏れが少ないため、加工に不要なビームによる弊害を回避できる。これにより、加工能力が高く、かつ加工品質にも優れたレーザ加工装置を得ることができる。
また、各々の複数ビームを集光レンズによって集光し、上記被加工物に照射する工程を有するようにしてもよい。
いたるところで連続的な断面形状を持つ回折光学素子を用いると、高次回折光へのエネルギー漏れが少ないため、加工に不要なビームによる弊害を回避できる。これにより、加工能力が高く、かつ加工品質にも優れたレーザ加工装置を得ることができる。
また、各々の複数ビームを集光レンズによって集光し、上記被加工物に照射する工程を有するようにしてもよい。
また、上記回折光学素子から生じる回折ビームのうち加工へ用いる複数の回折ビームの最大回折次数がNであるとき、上記回折光学素子の凹凸形状が有する空間周波数νが、
ν≦2NΔ/λf (Δはビーム分岐ピッチ、λはビーム波長、fは回折光学素子から被加工物までの距離)を満たすように設計することにより、高次回折光の発生を抑える回折光学素子を得ることができる。
ν≦2NΔ/λf (Δはビーム分岐ピッチ、λはビーム波長、fは回折光学素子から被加工物までの距離)を満たすように設計することにより、高次回折光の発生を抑える回折光学素子を得ることができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
本発明のレーザ加工装置の構成を図1に示す。レーザ発振器1101はQスイッチYAGレーザであり、直線偏光のTEM00モードを出射する。レーザ発振器1101のQスイッチ周波数は、Qスイッチドライバ1102により制御される。
エクスパンダコリメータ1104によりレーザ発振器1101から出射されるビーム1103を拡大し、光路折り曲げミラー1105でビーム1103の光路を折り曲げる。波長板1106によりビームの偏光を楕円偏光にした後に、ビームを位相格子1107へ入射させる。位相格子1107は、1本の入射ビームを複数の回折ビームに分岐する作用を有する。位相格子1107から出射された複数のビームは、集光レンズ1108を介して、精密ステージ1110の上に保持された被加工物に照射される。ここでは、透光性導電膜(ITO膜)基板1109の表面に複数の集光スポット1111を等しい間隔で形成し、精密ステージ1110を移動することにより、直線状あるいは曲線状にITO膜を切断する。
本発明のレーザ加工装置の構成を図1に示す。レーザ発振器1101はQスイッチYAGレーザであり、直線偏光のTEM00モードを出射する。レーザ発振器1101のQスイッチ周波数は、Qスイッチドライバ1102により制御される。
エクスパンダコリメータ1104によりレーザ発振器1101から出射されるビーム1103を拡大し、光路折り曲げミラー1105でビーム1103の光路を折り曲げる。波長板1106によりビームの偏光を楕円偏光にした後に、ビームを位相格子1107へ入射させる。位相格子1107は、1本の入射ビームを複数の回折ビームに分岐する作用を有する。位相格子1107から出射された複数のビームは、集光レンズ1108を介して、精密ステージ1110の上に保持された被加工物に照射される。ここでは、透光性導電膜(ITO膜)基板1109の表面に複数の集光スポット1111を等しい間隔で形成し、精密ステージ1110を移動することにより、直線状あるいは曲線状にITO膜を切断する。
図2は、本発明のレーザ加工装置による切断加工を模式的に示した図である。図に示すように、位相格子1107で分岐された複数のビーム(ここでは13本)が集光レンズ1108でそれぞれ集光され、透光性導電膜基板1109上に、図中の挿入図Aに示すような13個の集光スポットを形成する。精密ステージ1110を図中の矢印方向に移動させることにより、13箇所同時に切断することができる。
位相格子1107は1次元の表面凹凸型位相格子である。位相格子1107の主要な設計事項は、1周期の長さ、全体の大きさ、1周期内の位相分布の3つである。1周期の長さは加工形状によって決まる。すなわち、ここではITO膜上に形成する開溝の間隔から決まる。全体の大きさは入射ビーム径から決まる。1周期内の位相分布は、所要のビーム分岐数及び所要のビーム強度の均一性から決まる。
回折理論から、位相格子の周期pは次式で与えられる。
p=mλf/Δ (1)
ただし、m=1(ビーム分岐数が奇数の時)、m=2(ビームの分岐数が偶数の時)、λはビーム波長(532nm)、fは集光レンズ1110の焦点距離、Δはビーム分岐ピッチ(開溝の間隔)である。例えば、分岐数を偶数として、f=100mm、Δ=200μmとすると、p=532μmとなる。
p=mλf/Δ (1)
ただし、m=1(ビーム分岐数が奇数の時)、m=2(ビームの分岐数が偶数の時)、λはビーム波長(532nm)、fは集光レンズ1110の焦点距離、Δはビーム分岐ピッチ(開溝の間隔)である。例えば、分岐数を偶数として、f=100mm、Δ=200μmとすると、p=532μmとなる。
位相格子の全体の大きさDは、波動光学の理論から次式の条件を満たす必要がある。
D>d=2f・tan[sin−1(2λ/πw)] (2)
ただし、dは入射ビーム径(l/e2)、wは所要の集光スポット径(l/e2)である。例えば、f=100mm、w=10μmとすると、D>d=4mmとなる。
D>d=2f・tan[sin−1(2λ/πw)] (2)
ただし、dは入射ビーム径(l/e2)、wは所要の集光スポット径(l/e2)である。例えば、f=100mm、w=10μmとすると、D>d=4mmとなる。
位相格子の位相分布の計算には、例えばシミュレーテッドアニーリング法(Science 220,671−680(1983)、以後、SA法と略す)を用いることができる。SA法の運用に必要なルールの構築には経験が必要であり、このルールの出来不出来により位相格子の光学性能が決まる。
SA法を用いて位相格子を設計するには、少なくとも評価関数の定義と重みの設定、温度スケジューリング、平衡状態の判定について、運用のルールを定めなければならない。なお、評価関数とは位相格子の性能に関する推定値と目標値の差に対応する量であり、この関数値が最も小さくなる時の解が最適解である。本実施例で用いる位相格子1107に要求される光学性能は、レーザ発振器の出力、加工閾値、要求される加工均一性に基づいて決定され、例えば以下のようになる。
(1)光利用効率が80%以上であること。
(2)分岐後のビーム強度均一性が0.90以上であること。
ここで、光利用効率とは、所要の回折次数のビームに供給し得る光エネルギーの割合を意味する。また、ビーム強度均一性とは、分岐された複数の回折ビームにおける強度の最小と最大の比を意味する。
(1)光利用効率が80%以上であること。
(2)分岐後のビーム強度均一性が0.90以上であること。
ここで、光利用効率とは、所要の回折次数のビームに供給し得る光エネルギーの割合を意味する。また、ビーム強度均一性とは、分岐された複数の回折ビームにおける強度の最小と最大の比を意味する。
実際の計算では、(1)と(2)の条件を評価関数の中に取り入れ、(1)と(2)の条件を満足する解の中から、位相格子の作製に使用するフォトマスク描画装置、露光・現像装置、及びエッチング装置の各装置のパターン転写能力を考慮して決められる。
図3は、上記の方法で設計した位相格子1107の位相分布(1周期分)を模式的に示した図であり、位相格子1107の断面形状を示している。図に示すように、位相格子1107の断面形状は滑らかな形状を有しており、いたるところで連続的になっている。
位相格子1107の断面形状は三角関数の重ね合わせにより表現される。位相格子1107による最大回折次数をNとすると、位相格子1107の空間周波数νは、概ね以下の条件を満たしている。
ν≦2NΔ/λf (3)
ただし、ここでΔはビーム分岐ピッチ、λはビーム波長、fは回折光学素子から被加工物までの距離である。
ν≦2NΔ/λf (3)
ただし、ここでΔはビーム分岐ピッチ、λはビーム波長、fは回折光学素子から被加工物までの距離である。
また、図4は、上記の方法で設計した、比較例による1次元の表面凹凸型2値位相格子の鳥瞰図である。比較例の位相格子の断面形状はほぼ矩形であり、いわゆる2値位相格子として分類されるものである。
図5(a)、(b)は、位相格子1107により再生される回折光の強度分布を示した図である。また、図6(a)、(b)は、上記の比較例の位相格子により再生される回折光の強度分布を示した図である。
図から分かるように、比較例の2値位相格子では、加工に必要な13本のビームの外側に、高次回折光のピークが現れている。一方、位相格子1107では、加工に必要な13本のビームの外側に、高次回折光のピークが現れていない。両者の光学性能を比べてみると、比較例の2値位相格子では光利用効率78%、分岐均一性0.95、位相格子1107では光利用効率97%、分岐均一性0.99となっており、2値位相格子は光利用効率が低い。すなわち、位相格子1107ではわずか3%のエネルギーが高次回折光へ漏れているのに対し、2値位相格子では22%のエネルギーが高次回折光へ漏れている。このため、加工に用いる分岐光と不要な高次回折光の強度比を表すSN比が、2値位相格子では高々5程度であるのに対し、位相格子1107では40近くまで向上している。
図から分かるように、比較例の2値位相格子では、加工に必要な13本のビームの外側に、高次回折光のピークが現れている。一方、位相格子1107では、加工に必要な13本のビームの外側に、高次回折光のピークが現れていない。両者の光学性能を比べてみると、比較例の2値位相格子では光利用効率78%、分岐均一性0.95、位相格子1107では光利用効率97%、分岐均一性0.99となっており、2値位相格子は光利用効率が低い。すなわち、位相格子1107ではわずか3%のエネルギーが高次回折光へ漏れているのに対し、2値位相格子では22%のエネルギーが高次回折光へ漏れている。このため、加工に用いる分岐光と不要な高次回折光の強度比を表すSN比が、2値位相格子では高々5程度であるのに対し、位相格子1107では40近くまで向上している。
上記の2値位相格子を用いた場合、高次回折光が被加工物にダメージを与える場合がある。図7は、高次回折光によって被加工物に与えられるダメージを説明する図である。図に示すように、所要の切断溝の外側に高次回折光に起因する不要な切断溝が生じてしまう場合がある。
これを回避するため、2値位相格子を用いる場合には、図8(a)に示すように、被加工物の表面上に遮光マスクを設けて、高次回折光が被加工物を照射するのを防ぐ必要がある。しかし、各回折光の間隔は100〜200μm程であるため、高次回折光を遮断するためには遮光マスクを加工領域のごく近傍に配置しなければならない。
このため、加工が進むにつれ、加工により発生する除去物が遮光マスクのエッジ8001に堆積し、図8(b)に示すように、堆積物が加工用回折光の光路を遮って強度分布を乱すことが起こりうる。また、堆積物が被加工物上に落下し、被加工物を汚染することも起こりうる。
このため、加工が進むにつれ、加工により発生する除去物が遮光マスクのエッジ8001に堆積し、図8(b)に示すように、堆積物が加工用回折光の光路を遮って強度分布を乱すことが起こりうる。また、堆積物が被加工物上に落下し、被加工物を汚染することも起こりうる。
一方、滑らかな断面形状を持つ位相格子1107を用いる場合には、高次回折光へ漏れるエネルギーが小さく、高次回折光によるダメージを考慮する必要が無いので遮光マスクを設ける必要がない。また、光利用効率が向上するのでビーム分岐数を増やすことができ、加工スループットを高めることができる。
本発明のレーザ加工装置は、例えば、インクジェットヘッドの製造におけるインクキャビティの形成や、液晶パネルの製造における帯電防止用導電膜の切断分離に利用することができる。
これらの加工用途においては、装置の構成上の制約から、遮光マスクを設けることが困難な場合があるが、上記のレーザ加工装置を用いることにより、高次回折光によるダメージを抑制することができることから、高い加工能力で、高品質な、インクキャビティや液晶パネル等を得ることができる。
これらの加工用途においては、装置の構成上の制約から、遮光マスクを設けることが困難な場合があるが、上記のレーザ加工装置を用いることにより、高次回折光によるダメージを抑制することができることから、高い加工能力で、高品質な、インクキャビティや液晶パネル等を得ることができる。
1101 レーザ発振器、1102 Qスイッチドライバ、1103 ビーム、1104 エクスパンダコリメータ、1105 光路折り曲げミラー、1106 波長板、1107 位相格子(回折光学素子)、1108 集光レンズ、1109 透光性導電膜基板(被加工物)、1110 精密ステージ、1111 集光スポット
Claims (6)
- レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出射されるビームを複数ビームに分岐して、被加工物に照射する回折光学素子を備え、
前記回折光学素子は、前記被加工物の加工に不要な高次回折光の発生を抑制するように設計された凹凸形状を表面に有し、前記凹凸形状は素子上のいたるところで連続的なレーザ加工装置。 - 前記回折光学素子によって分岐された複数ビームをそれぞれ集光し、被加工物に照射する集光レンズを備えた請求項1記載のレーザ加工装置。
- 前記回折光学素子から生じる回折ビームのうち加工へ用いる複数の回折ビームの最大回折次数がNであるとき、前記回折光学素子の凹凸形状が有する空間周波数νが、
ν≦2NΔ/λf (Δはビーム分岐ピッチ、λはビーム波長、fは回折光学素子から被加工物までの距離)
を満たす請求項1または請求項2記載のレーザ加工装置。 - レーザ発振器からビームを出射する工程と、
いたるところで連続的な凹凸形状を表面に有する回折光学素子によって、被加工物の加工に不要な高次回折光の発生を抑制しながら前記ビームを複数ビームに分岐する工程を有するレーザ加工方法。 - 各々の複数ビームを集光レンズによって集光し、前記被加工物に照射する工程を有する請求項4記載のレーザ加工方法。
- 前記回折光学素子から生じる回折ビームのうち加工へ用いる複数の回折ビームの最大回折次数がNであるとき、前記回折光学素子の凹凸形状が有する空間周波数νが、
ν≦2NΔ/λf (Δはビーム分岐ピッチ、λはビーム波長、fは回折光学素子から被加工物までの距離)
を満たす請求項4または請求項5記載のレーザ加工方法。
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