JP2011066137A - Projector - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プロジェクターに関する。 The present invention relates to a projector.
スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ：Super Luminescent Diode、以下「ＳＬ
Ｄ」ともいう）は、発光ダイオードと同様に低コヒーレント性を示し、広帯域な発光スペクトルを示しながら、半導体レーザーと同程度の出力を得ることが可能な光半導体素子である。ＳＬＤは、一般的に、半導体レーザーから共振器構造を取り除いて、レーザー発振を抑制した構造を有している。レーザー発振を抑制するためには、素子端面における光反射率を抑制する必要がある。素子端面の光反射率を低減する方法としては、例えば、利得領域を素子端面の垂線に対して傾ける構造が知られている（特許文献１参照）。
Super Luminescent Diode (SLD)
D ”) is an optical semiconductor element that exhibits low coherence like a light emitting diode and can obtain an output comparable to that of a semiconductor laser while exhibiting a broad emission spectrum. An SLD generally has a structure in which laser oscillation is suppressed by removing a resonator structure from a semiconductor laser. In order to suppress laser oscillation, it is necessary to suppress the light reflectance at the element end face. As a method for reducing the light reflectivity of the element end face, for example, a structure in which the gain region is inclined with respect to the normal of the element end face is known (see Patent Document 1).
プロジェクターやディスプレイなどの表示装置の光源用の発光素子として、ＳＬＤを用いる場合、ＳＬＤの光出力が高いことが望ましい。光出力を高めるための１つの方法としては、例えば、誘導放出による増幅利得を増大させる方法がある。 When an SLD is used as a light emitting element for a light source of a display device such as a projector or a display, it is desirable that the light output of the SLD is high. As one method for increasing the optical output, for example, there is a method of increasing the amplification gain by stimulated emission.
しかしながら、誘導放出による増幅利得を増大させるために、半導体レーザーの共振器長に相当する素子奥行き長を長くすることは、発光素子が大きくなってしまうため、プロジェクターが大型化してしまうという問題がある。 However, increasing the element depth length corresponding to the cavity length of the semiconductor laser in order to increase the amplification gain due to stimulated emission increases the size of the light-emitting element, which increases the size of the projector. .
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、小型化および高出力化を図ることができるプロジェクターを提供することにある。 One of the objects according to some aspects of the present invention is to provide a projector that can be reduced in size and output.
本発明に係るプロジェクターは、
発光素子を有する発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記発光素子は、スーパールミネッセントダイオードであって、第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれた活性層を備える積層構造体を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面および第２面は、互いに対向する位置関係であり、
前記利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、直線状に、前記第１面側の端面から前記第２面側の端面まで、前記第１面の垂線に対して傾いた所定の方向に向かって設けられ、
前記第２面側の端面は、前記活性層の積層方向から平面視して、前記所定の方向に対して直交し、
前記第２面側の端面には、反射部が設けられ、
前記利得領域に生じる光の一部は、前記第２面側の端面において反射して、前記第１面側の端面から出射される。
The projector according to the present invention is
A light emitting device having a light emitting element;
A light modulation device that modulates light emitted from the light emitting device according to image information;
A projection device for projecting an image formed by the light modulation device;
Including
The light-emitting element is a superluminescent diode, and has a stacked structure including an active layer sandwiched between a first cladding layer and a second cladding layer,
At least a part of the active layer constitutes a gain region serving as a current path of the active layer,
In the laminated structure, the first surface and the second surface of the exposed surfaces of the active layer are in a positional relationship facing each other.
The gain region has a predetermined shape that is linearly inclined with respect to a normal to the first surface from an end surface on the first surface side to an end surface on the second surface side in plan view from the stacking direction of the active layer. Provided in the direction of
The end surface on the second surface side is orthogonal to the predetermined direction in plan view from the stacking direction of the active layer,
A reflection portion is provided on the end surface on the second surface side,
Part of the light generated in the gain region is reflected from the end surface on the second surface side and emitted from the end surface on the first surface side.
このようなプロジェクターによれば、前記発光素子を備えるため、小型化および高出力化を図ることができる。 According to such a projector, since the light emitting element is provided, it is possible to reduce the size and increase the output.
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記反射部は、分布ブラッグ反射型ミラーであることができる。
In the projector according to the present invention,
The reflection unit may be a distributed Bragg reflection type mirror.
このようなプロジェクターによれば、前記第２面側の端面の反射率を高くすることができる。 According to such a projector, the reflectance of the end surface on the second surface side can be increased.
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記分布ブラッグ反射型ミラーは、所定の間隔で配置された複数の溝部で構成されていることができる。
In the projector according to the present invention,
The distributed Bragg reflection type mirror may be composed of a plurality of grooves arranged at a predetermined interval.
このようなプロジェクターによれば、簡易な工程で、前記反射部を形成することができる。 According to such a projector, the reflection portion can be formed by a simple process.
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記溝部は、前記第２クラッド層および前記活性層を貫通していることができる。
In the projector according to the present invention,
The groove may pass through the second cladding layer and the active layer.
このようなプロジェクターによれば、前記第２面側の端面の反射率をより高くすることができる。 According to such a projector, the reflectance of the end surface on the second surface side can be further increased.
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記分布ブラッグ反射型ミラーは、前記所定の方向に、高屈折率層と低屈折率層が交互に積層された誘電体多層膜で構成されていることができる。
In the projector according to the present invention,
The distributed Bragg reflection mirror may be composed of a dielectric multilayer film in which high refractive index layers and low refractive index layers are alternately stacked in the predetermined direction.
このようなプロジェクターによれば、前記第２面側の端面の反射率を高くすることができる。 According to such a projector, the reflectance of the end surface on the second surface side can be increased.
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記反射部は、金属ミラーであることができる。
In the projector according to the present invention,
The reflection part may be a metal mirror.
このようなプロジェクターによれば、前記第２面側の端面の反射率を高くすることができる。 According to such a projector, the reflectance of the end surface on the second surface side can be increased.
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記第１面側の端面には、反射防止膜が設けられていることができる。
In the projector according to the present invention,
An antireflection film may be provided on the end surface on the first surface side.
このようなプロジェクターによれば、前記第１面側の端面の反射率を低くすることができる。 According to such a projector, the reflectance of the end surface on the first surface side can be lowered.
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記利得領域は、複数配列されていることができる。
In the projector according to the present invention,
A plurality of the gain regions may be arranged.
このようなプロジェクターによれば、より高出力化を図ることができる。 According to such a projector, higher output can be achieved.
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
１． プロジェクター
まず、本実施形態に係るプロジェクター１０００について、図面を参照しながら説明する。図１は、プロジェクター１０００を模式的に示す図である。なお、図１では、便宜上、プロジェクター１０００を構成する筐体は省略している。プロジェクター１０００は、本発明に係る発光素子を有する発光装置を含む。以下では、本発明に係る発光装置として、発光装置９００を用いた例について説明する。
1. Projector First, a projector 1000 according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram schematically showing a projector 1000. In FIG. 1, for convenience, the casing constituting the projector 1000 is omitted. The projector 1000 includes a light emitting device having the light emitting element according to the present invention. Below, the example using the light-emitting device 900 is demonstrated as a light-emitting device which concerns on this invention.
プロジェクター１０００において、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源（発光装置）９００Ｒ，緑色光源（発光装置）９００Ｇ、青色光源（発光装置）９００Ｂは、上述した発光装置９００である。 In the projector 1000, the red light source (light emitting device) 900R, the green light source (light emitting device) 900G, and the blue light source (light emitting device) 900B that emit red light, green light, and blue light are the light emitting devices 900 described above.
プロジェクター１０００は、光源９００Ｒ，９００Ｇ，９００Ｂから出射された光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂと、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）１０１０に投射する投射レンズ（投射装置）１００８と、を備えている。また、プロジェクター１０００は、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂから出射された光を合成して投写レンズ１００８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）１００６を備えていることができる。 The projector 1000 includes transmissive liquid crystal light valves (light modulation devices) 1004R, 1004G, and 1004B that modulate light emitted from the light sources 900R, 900G, and 900B in accordance with image information, and liquid crystal light valves 1004R, 1004G, and 1004B, respectively. A projection lens (projection device) 1008 for enlarging and projecting the image formed on the screen (display surface) 1010. In addition, the projector 1000 can include a cross dichroic prism (color light combining unit) 1006 that combines the light emitted from the liquid crystal light valves 1004R, 1004G, and 1004B and guides the light to the projection lens 1008.
さらに、プロジェクター１０００は、光源９００Ｒ，９００Ｇ，９００Ｂから出射された光の照度分布を均一化させるため、各光源９００Ｒ，９００Ｇ，９００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ，１００２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂを照明している。均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ、１００２Ｂは、例えば、ホログラム１００２ａおよびフィールドレンズ１００２ｂによって構成される。 Further, in order to make the illuminance distribution of the light emitted from the light sources 900R, 900G, and 900B uniform, the projector 1000 includes the uniformizing optical systems 1002R, 1002G, and 1002B on the downstream side of the light paths from the light sources 900R, 900G, and 900B. The liquid crystal light valves 1004R, 1004G, and 1004B are illuminated with light that has been provided and has a uniform illuminance distribution. The uniformizing optical systems 1002R, 1002G, and 1002B are configured by, for example, a hologram 1002a and a field lens 1002b.
各液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム１００６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ１００６によりスクリーン１０１０上に投写され、拡大された画像が表示される。 The three colored lights modulated by the liquid crystal light valves 1004R, 1004G, and 1004B are incident on the cross dichroic prism 1006. This prism is formed by bonding four right-angle prisms, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are arranged in a cross shape on the inner surface thereof. These dielectric multilayer films combine the three color lights to form light representing a color image. The synthesized light is projected onto the screen 1010 by the projection lens 1006 which is a projection optical system, and an enlarged image is displayed.
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。 In the above example, a transmissive liquid crystal light valve is used as the light modulation device. However, a light valve other than liquid crystal may be used, or a reflective light valve may be used. Examples of such a light valve include a reflective liquid crystal light valve and a digital micromirror device. Further, the configuration of the projection optical system is appropriately changed depending on the type of light valve used.
また、発光装置９００を、発光装置９００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の発光装置（光源装置）にも適用することが可能である。 Further, the light emitting device 900 scans the light from the light emitting device 900 on the screen so that the light emitting device 900 includes a scanning unit that is an image forming apparatus that displays an image of a desired size on the display surface. The present invention can also be applied to a light emitting device (light source device) of a device (projector).
プロジェクター１０００によれば、光源として、本発明に係る発光装置（発光素子）を用いることができるため、小型化および高出力化を図ることができる。プロジェクター１０００に用いる発光素子および発光装置の構成等については、以下に説明する。 According to the projector 1000, since the light-emitting device (light-emitting element) according to the present invention can be used as the light source, downsizing and high output can be achieved. The configuration of the light emitting element and the light emitting device used in the projector 1000 will be described below.
２． 発光素子
次に、本実施形態に係るプロジェクター１０００に用いる発光素子１００について、図面を参照しながら説明する。図２は、発光素子１００を模式的に示す斜視図である。図３は、発光素子１００を模式的に示す平面図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線断面図であり、図５は、図３のＶ−Ｖ線断面図である。なお、図２では、活性層１０８、反射部１５０、及び反射防止膜１６０以外の部材については、便宜上、その図示を省略している。また、ここでは、発光素子１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）の半導体発光素子である場合について説明する。
2. Light Emitting Element Next, the light emitting element 100 used in the projector 1000 according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a perspective view schematically showing the light emitting device 100. FIG. 3 is a plan view schematically showing the light emitting element 100. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line V-V in FIG. In FIG. 2, members other than the active layer 108, the reflective portion 150, and the antireflection film 160 are not shown for convenience. Here, a case where the light emitting element 100 is an InGaAlP-based (red) semiconductor light emitting element will be described.
発光素子１００は、図２〜図５に示すように、積層構造体１１３と、反射部１５０と、第１電極１２０と、第２電極１２２と、を含むことができる。積層構造体１１３は、基板１０２と、バッファー層１０４と、第１クラッド層１０６と、活性層１０８と、第２クラッド層１１０と、コンタクト層１１２と、を含むことができる。 As illustrated in FIGS. 2 to 5, the light emitting device 100 may include a laminated structure 113, a reflection unit 150, a first electrode 120, and a second electrode 122. The laminated structure 113 can include a substrate 102, a buffer layer 104, a first cladding layer 106, an active layer 108, a second cladding layer 110, and a contact layer 112.
基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。 As the substrate 102, for example, a first conductivity type (for example, n-type) GaAs substrate or the like can be used.
バッファー層１０４は、例えば図４に示すように、基板１０２上に形成されていることができる。バッファー層１０４は、例えば、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。バッファー層１０４としては、例えば、基板１０２よりも結晶性の良好な（例えば欠陥密度の低い）第１導電型（ｎ型）のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。 The buffer layer 104 can be formed on the substrate 102, for example, as shown in FIG. The buffer layer 104 can improve the crystallinity of a layer formed thereabove, for example. As the buffer layer 104, for example, a first conductivity type (n-type) GaAs layer, InGaP layer, or the like having better crystallinity (for example, lower defect density) than the substrate 102 can be used.
第１クラッド層１０６は、バッファー層１０４上に形成されている。第１クラッド層１０６は、例えば、第１導電型の半導体からなる。第１クラッド層１０６としては、例えばｎ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。 The first cladding layer 106 is formed on the buffer layer 104. The first cladding layer 106 is made of, for example, a first conductivity type semiconductor. As the first cladding layer 106, for example, an n-type AlGaP layer can be used.
活性層１０８は、第１クラッド層１０６上に形成されている。活性層１０８は、図示の例では、第１クラッド層１０６と第２クラッド層１１０とに挟まれている。活性層１０８は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。 The active layer 108 is formed on the first cladding layer 106. The active layer 108 is sandwiched between the first cladding layer 106 and the second cladding layer 110 in the illustrated example. The active layer 108 has, for example, a multiple quantum well (MQW) structure in which three quantum well structures each composed of an InGaP well layer and an InGaAlP barrier layer are stacked.
活性層１０８の一部は、活性層１０６の電流経路となる利得領域を構成している。利得領域１８０には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１８０内で利得を受けることができる。活性層１０８の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層１０８は、図２及び図３に示すように、第１面１０７及び第２面１０９を有する。第１面１０７および第２面１０９は、活性層１０８の面のうち第１クラッド層１０６または第２クラッド層１１０に接していない面であり、積層構造体１１３において露出している面である。第１面１０７および第２面１０９は、活性層１０８の側面ともいえる。第１面１０７および第２面１０９は、互いに対向しており、図示の例では、平行である。 A part of the active layer 108 constitutes a gain region that becomes a current path of the active layer 106. The gain region 180 can generate light, and this light can receive gain within the gain region 180. The shape of the active layer 108 is, for example, a rectangular parallelepiped (including a cube). As shown in FIGS. 2 and 3, the active layer 108 has a first surface 107 and a second surface 109. The first surface 107 and the second surface 109 are surfaces that are not in contact with the first cladding layer 106 or the second cladding layer 110 among the surfaces of the active layer 108, and are exposed in the multilayer structure 113. It can be said that the first surface 107 and the second surface 109 are side surfaces of the active layer 108. The first surface 107 and the second surface 109 face each other, and are parallel in the illustrated example.
利得領域１８０は、第１面１０７側の第１端面１４０と、第２面１０９側の第２端面１４２と、を有する。第１端面１４０は、第１面１０７に設けられることができる。第２端面１４２は、図２に示すように、活性層１０８の形成された領域の任意の場所に設けられている。すなわち、利得領域１８０は、図示の例では、第２面１０９に到達しておらず、第２端面１４２は、第２面１０９には設けられていない。第２端面１４２は、図３に示すように、活性層１０８の積層方向から平面視して（活性層１０８の厚み方向から平面視して）、後述する第１方向Ａに対して、直交するように設けられている。利得領域１８０に生じる光の波長帯において、第２端面１４２の反射率は、第１端面１４０の反射率よりも高い。第２端面１４２の反射率は、１００％あるいはそれに近いことが望ましい。これに対して、第１端面１４０の反射率は、０％あるいはそれに近いことが望ましい。第１端面１４０には、例えば、反射防止膜１６０が設けられていることにより、低い反射率を得ることができる。反射防止膜１６０は、図示の例のように、第１面１０７の全部に設けられていてもよいし、第１端面１４０にのみ設けられていてもよい。反射防止膜１６０としては、例えばＡｌ２Ｏ３単層、または、ＳｉＯ２層、ＳｉＮ層、Ｔａ２Ｏ５層や、これらの多層膜などを用いることができる。第２端面１４２は、後述する反射部１５０を設けることにより、高い反射率を得ることができる。 The gain region 180 has a first end surface 140 on the first surface 107 side and a second end surface 142 on the second surface 109 side. The first end surface 140 may be provided on the first surface 107. As shown in FIG. 2, the second end surface 142 is provided at an arbitrary location in the region where the active layer 108 is formed. That is, the gain region 180 does not reach the second surface 109 in the illustrated example, and the second end surface 142 is not provided on the second surface 109. As shown in FIG. 3, the second end surface 142 is orthogonal to a first direction A, which will be described later, in plan view from the stacking direction of the active layer 108 (in plan view from the thickness direction of the active layer 108). It is provided as follows. In the wavelength band of light generated in the gain region 180, the reflectance of the second end surface 142 is higher than the reflectance of the first end surface 140. The reflectance of the second end surface 142 is desirably 100% or close thereto. On the other hand, the reflectance of the first end face 140 is preferably 0% or close thereto. By providing the first end surface 140 with, for example, an antireflection film 160, a low reflectance can be obtained. The antireflection film 160 may be provided on the entire first surface 107 as in the illustrated example, or may be provided only on the first end surface 140. As the antireflection film 160, for example, an Al 2 O 3 single layer, a SiO 2 layer, a SiN layer, a Ta 2 O 5 layer, or a multilayer film thereof can be used. The second end surface 142 can obtain a high reflectivity by providing a reflecting portion 150 described later.
利得領域１８０は、図３に示すように、活性層１０８の積層方向から平面視して（活性層１０８の厚み方向から平面視して）、直線状に、第１端面１４０から第２端面１４２まで、第１面１０７の垂線Ｐに対して傾いた所定の方向に向かって設けられている。図示の例では、利得領域１８０は、垂線Ｐに対して角度θで傾いた第１方向Ａに向かって設けられている。利得領域１８０が、第１面１０７の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられていることにより、利得領域１８０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。すなわち、発光素子１００は、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ：Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）であることができる。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。 As shown in FIG. 3, the gain region 180 is linearly viewed from the stacking direction of the active layer 108 (planarly viewed from the thickness direction of the active layer 108) and linearly from the first end surface 140 to the second end surface 142. Up to a predetermined direction inclined with respect to the normal P of the first surface 107. In the illustrated example, the gain region 180 is provided in the first direction A that is inclined with respect to the perpendicular P at an angle θ. By providing the gain region 180 in a direction inclined with respect to the normal line P of the first surface 107, laser oscillation of light generated in the gain region 180 can be suppressed or prevented. In other words, the light emitting element 100 can be a super luminescent diode (SLD). Unlike a semiconductor laser, an SLD can prevent laser oscillation by suppressing the formation of a resonator due to end face reflection. Therefore, speckle noise can be reduced.
反射部１５０は、利得領域１８０の第２端面１４２に設けられている。反射部１５０は、分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラー（以下、ＤＢＲミラーともいう）であることができる。反射部１５０は、図視の例では、所定の間隔で配置された複数の溝部１５２で構成されている。したがって、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて簡易な工程により形成することができる。溝部１５２の平面形状は、例えば、矩形である。図３に示すように、溝部１５２の対向する１組の辺（図３の例では、長辺）が、第２端面１４２に対して平行に設けられている。溝部１５２の底面の位置は、図５の例では、活性層１０８の下面の位置より下に設けられている。すなわち、溝部１５２は、第２クラッド層１１０および活性層１０８を貫通している。したがって、溝部１５２が活性層１０８を貫通していない場合と比べて、第２端面１４２の反射率をより高くすることができる。溝部１５２の内部は、空洞であってもよいし、絶縁材料で埋めこまれていてもよい。溝部１５２は、幅ａが、（２ｍａ−１）λ／４ｎａであり、間隔ｂが、（２ｍｂ−１）λ／４ｎｂであるように配置されることができる。なお、ｍａ、ｍｂは、自然数であり、λは、利得領域１８０に生じる光の波長であり、ｎａは、溝部１５２における屈折率であり、ｎｂは、活性層１０８における屈折率である。このように、所定の幅を有する溝部１５２が所定の間隔で設けられることにより、ＤＢＲミラーを構成することができる。溝部１５２は、図示の例では、５つ設けられているが、その数は限定されない。溝部１５２の数を増やすことで、より高い反射率を得ることができる。 The reflector 150 is provided on the second end surface 142 of the gain region 180. The reflection unit 150 may be a distributed Bragg reflection (DBR) mirror (hereinafter also referred to as a DBR mirror). In the example shown in the figure, the reflecting portion 150 is composed of a plurality of groove portions 152 arranged at a predetermined interval. Therefore, it can be formed by a simple process using a photolithography technique and an etching technique. The planar shape of the groove 152 is, for example, a rectangle. As shown in FIG. 3, a pair of opposing sides (long sides in the example of FIG. 3) of the groove 152 are provided in parallel to the second end surface 142. In the example of FIG. 5, the position of the bottom surface of the groove 152 is provided below the position of the lower surface of the active layer 108. That is, the groove 152 penetrates the second cladding layer 110 and the active layer 108. Therefore, the reflectance of the second end surface 142 can be made higher than when the groove 152 does not penetrate the active layer 108. The interior of the groove 152 may be a cavity or may be embedded with an insulating material. Groove 152 has a width a is a (2m a -1) λ / 4n a, distance b is, may be arranged such that (2m b -1) λ / 4n b. Incidentally, m a, m b are natural numbers, lambda is the wavelength of light generated in the gain region 180, n a is the refractive index in the groove 152, n b is the refractive index in the active layer 108 is there. Thus, the DBR mirror can be configured by providing the groove portions 152 having a predetermined width at predetermined intervals. In the illustrated example, five grooves 152 are provided, but the number is not limited. By increasing the number of the grooves 152, a higher reflectance can be obtained.
第２クラッド層１１０は、活性層１０８上に形成されている。第２クラッド層１１０は、例えば第２導電型（例えばｐ型）の半導体からなる。第２クラッド層１１０としては、例えばｐ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。 The second cladding layer 110 is formed on the active layer 108. The second cladding layer 110 is made of, for example, a second conductivity type (eg, p-type) semiconductor. As the second cladding layer 110, for example, a p-type AlGaP layer can be used.
例えば、ｐ型の第２クラッド層１１０、不純物がドーピングされていない活性層１０８、及びｎ型の第１クラッド層１０６により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０６及び第２クラッド層１１０の各々は、活性層１０８よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０８は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１０６及び第２クラッド層１１０は、活性層１０８を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。 For example, the p-type second cladding layer 110, the active layer 108 not doped with impurities, and the n-type first cladding layer 106 constitute a pin diode. Each of the first cladding layer 106 and the second cladding layer 110 is a layer having a larger forbidden band width and a smaller refractive index than the active layer 108. The active layer 108 has a function of amplifying light. The first cladding layer 106 and the second cladding layer 110 have a function of confining injected carriers (electrons and holes) and light with the active layer 108 interposed therebetween.
発光素子１００では、第１電極１２０と第２電極１２２との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０８の利得領域１８０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１８０内で光の強度が増幅される。例えば、図２に示すように、利得領域１８０に生じる光の一部１０は、第２端面１４２において反射して、第１端面１４０から出射光１３０として出射されるが、その間に光強度が増幅される。なお、利得領域１８０に生じる光には、直接、第１端面１４０から出射光１３０として出射されるものもある。 In the light emitting element 100, when a forward bias voltage of a pin diode is applied between the first electrode 120 and the second electrode 122, recombination of electrons and holes occurs in the gain region 180 of the active layer 108. This recombination causes light emission. With this generated light as a starting point, stimulated emission occurs in a chain, and the light intensity is amplified in the gain region 180. For example, as shown in FIG. 2, a part of the light 10 generated in the gain region 180 is reflected by the second end surface 142 and is emitted from the first end surface 140 as the emitted light 130, while the light intensity is amplified. Is done. Note that some of the light generated in the gain region 180 is directly emitted from the first end face 140 as the emitted light 130.
コンタクト層１１２は、例えば図４に示すように、第２クラッド層１１０上に形成されていることができる。コンタクト層１１２としては、第２電極１２２とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１２は、例えば第２導電型の半導体からなる。コンタクト層１１２としては、例えばｐ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。 The contact layer 112 can be formed on the second cladding layer 110, for example, as shown in FIG. As the contact layer 112, a layer in ohmic contact with the second electrode 122 can be used. The contact layer 112 is made of, for example, a second conductivity type semiconductor. As the contact layer 112, for example, a p-type GaAs layer can be used.
第１電極１２０は、例えば図４に示すように、基板１０２の下の全面に形成されている。第１電極１２０は、該第１電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と接していることができる。第１電極１２０は、基板１０２及びバッファー層１０４を介して、第１クラッド層１０６と電気的に接続されている。第１電極１２０は、発光素子１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１２０としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。なお、第１クラッド層１０６とバッファー層１０４との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、ドライエッチングなどにより該第２コンタクト層を露出させ、第１電極１２０を第２コンタクト層上に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。この形態は、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。絶縁性の基板１０２としては、例えば、半絶縁性ＧａＡｓ基板などが挙げられる。第２コンタクト層としては、例えばｎ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。また、図示しないが、例えば、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）法、レーザーリフトオフ法などを用いて、基板１０２とその上に設けられた部材とを切り離すことができる。即ち、発光素子１００は、基板１０２を有しないこともできる。この場合には、例えばバッファー層１０４の直接下に第１電極１２０を形成することができる。この形態も、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。 For example, as shown in FIG. 4, the first electrode 120 is formed on the entire lower surface of the substrate 102. The first electrode 120 can be in contact with a layer that is in ohmic contact with the first electrode 120 (the substrate 102 in the illustrated example). The first electrode 120 is electrically connected to the first cladding layer 106 through the substrate 102 and the buffer layer 104. The first electrode 120 is one electrode for driving the light emitting element 100. As the first electrode 120, for example, an electrode in which a Cr layer, an AuGe layer, a Ni layer, and an Au layer are stacked in this order from the substrate 102 side can be used. Note that a second contact layer (not shown) is provided between the first cladding layer 106 and the buffer layer 104, the second contact layer is exposed by dry etching or the like, and the first electrode 120 is connected to the second contact layer. It can also be provided above. Thereby, a single-sided electrode structure can be obtained. This form is particularly effective when the substrate 102 is insulative. Examples of the insulating substrate 102 include a semi-insulating GaAs substrate. For example, an n-type GaAs layer can be used as the second contact layer. Although not shown, the substrate 102 and the member provided thereon can be separated using, for example, an epitaxial lift-off (ELO) method, a laser lift-off method, or the like. That is, the light emitting element 100 may not have the substrate 102. In this case, for example, the first electrode 120 can be formed directly below the buffer layer 104. This form is also particularly effective when the substrate 102 is insulative.
第２電極１２２は、コンタクト層１１２上に形成されている。第２電極１２２は、コンタクト層１１２を介して、第２クラッド層１１０と電気的に接続されている。第２電極１２２は、発光素子１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１２２としては、例えば、コンタクト層１１２側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。第２電極１２２の下面は、図３に示すように、利得領域１８０と同様の平面形状を有している。図示の例では、第２電極１２２とコンタクト層１１２との接触面の平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０の平面形状が決定されることができる。なお、図示しないが、例えば、第１電極１２０と基板１０２との接触面が、利得領域１８０と同じ平面形状を有していてもよい。 The second electrode 122 is formed on the contact layer 112. The second electrode 122 is electrically connected to the second cladding layer 110 through the contact layer 112. The second electrode 122 is the other electrode for driving the light emitting element 100. As the second electrode 122, for example, an electrode in which a Cr layer, an AuZn layer, and an Au layer are stacked in this order from the contact layer 112 side can be used. The lower surface of the second electrode 122 has the same planar shape as that of the gain region 180, as shown in FIG. In the illustrated example, the current path between the electrodes 120 and 122 is determined by the planar shape of the contact surface between the second electrode 122 and the contact layer 112, and as a result, the planar shape of the gain region 180 can be determined. . Although not shown, for example, the contact surface between the first electrode 120 and the substrate 102 may have the same planar shape as the gain region 180.
発光素子１００は、例えば、以下の特徴を有する。 For example, the light emitting element 100 has the following characteristics.
発光素子１００では、上述したように、利得領域１８０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。従って、スペックルノイズを低減させることができる。さらに、発光素子１００では、利得領域１８０に生じる光は、利得領域１８０内において利得を受けながら進行して、外部に出射されることができる。従って、従来の一般的なＬＥＤよりも高い出力を得ることができる。以上のように、発光素子１００によれば、スペックルノイズを低減でき、かつ高い光出力を得ることができる。 In the light emitting element 100, as described above, laser oscillation of light generated in the gain region 180 can be suppressed or prevented. Therefore, speckle noise can be reduced. Further, in the light emitting element 100, light generated in the gain region 180 can travel while receiving gain in the gain region 180 and can be emitted to the outside. Therefore, it is possible to obtain a higher output than conventional general LEDs. As described above, according to the light emitting element 100, speckle noise can be reduced and high light output can be obtained.
一般的に、レーザー光でない光を発する発光素子は、レーザー発振を抑制または防止するために、利得領域の出射部となる端面と対向する他方の端面には、吸収部が設けられる。発光素子１００では、上述の通り、吸収部を有することなく、レーザー発振を抑制または防止することができる。したがって、発光素子１００によれば、吸収部を設けることなくレーザー発振を抑制または防止することができるため、第２端面１４２に反射部１５０を設けることができる。 In general, in a light emitting element that emits light that is not laser light, an absorption portion is provided on the other end surface that faces the end surface that is the emission portion of the gain region in order to suppress or prevent laser oscillation. In the light emitting element 100, as described above, laser oscillation can be suppressed or prevented without having an absorption portion. Therefore, according to the light emitting element 100, since the laser oscillation can be suppressed or prevented without providing the absorbing portion, the reflecting portion 150 can be provided on the second end surface 142.
発光素子１００では、利得領域１８０に生じる光の一部１０は、第２端面１４２において反射して、再び利得領域１８０内において、利得を受けながら進行することができる。従って、発光素子１００によれば、例えば、第２端面１４２において積極的に反射させないような場合に比べ、光強度の増幅距離が長くなるため、高い光出力を得ることができる。 In the light emitting element 100, a part of the light 10 generated in the gain region 180 can be reflected by the second end surface 142 and travel while receiving gain in the gain region 180 again. Therefore, according to the light emitting element 100, for example, compared with a case where the light is not actively reflected at the second end surface 142, the amplification distance of the light intensity becomes long, so that a high light output can be obtained.
発光素子１００によれば、第２端面１４２において積極的に反射させないような場合に比べ、少なくとも同程度の光出力を保ちつつ、活性層１０８の第１面１０７と第２面１０９との間の距離を小さくすることができる。すなわち、光出力は、光が利得領域内を進行する距離に依存するため、第２端面１４２において積極的に反射させないような場合では、発光素子１００と同じ光出力を得ようとすると、活性層１０８の第１面１０７と第２面１０９との間の距離が大きくなってしまう。したがって、発光素子１００によれば、小型化を図ることができ、設計の自由度を向上させることができる。 According to the light emitting device 100, the light output between the first surface 107 and the second surface 109 of the active layer 108 is maintained while maintaining at least the same level of light output as compared with the case where the second end surface 142 is not actively reflected. The distance can be reduced. In other words, since the light output depends on the distance that the light travels in the gain region, in the case where the light is not actively reflected at the second end face 142, if the same light output as that of the light emitting element 100 is to be obtained, The distance between the first surface 107 and the second surface 109 of 108 becomes large. Therefore, according to the light emitting element 100, the size can be reduced, and the degree of freedom in design can be improved.
発光素子１００では、反射部１５０は、複数の溝部１５２で構成されたＤＢＲミラーであることができる。したがって、反射部１５０を簡易な工程で形成することができる。また、発光素子１００によれば、例えば、反射部が発光素子の外部に設けられた場合と比較して、装置を小型化することができ、さらに、利得領域１８０と反射部１５０との間の光の損失を抑制することができる。 In the light emitting element 100, the reflection unit 150 may be a DBR mirror configured with a plurality of groove portions 152. Therefore, the reflection part 150 can be formed by a simple process. Further, according to the light emitting element 100, for example, the apparatus can be reduced in size as compared with the case where the reflecting portion is provided outside the light emitting element, and further, between the gain region 180 and the reflecting portion 150. Light loss can be suppressed.
３． 発光素子の製造方法
次に、発光素子１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
3. Method for Manufacturing Light-Emitting Element Next, a method for manufacturing the light-emitting element 100 will be described with reference to the drawings.
図６は、発光素子１００の製造工程を模式的に示す断面図であり、図４に示す断面図に対応している。 FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of the light-emitting element 100, and corresponds to the cross-sectional view shown in FIG.
まず、例えば、図６に示すように、基板１０２上に、バッファー層１０４、第１クラッド層１０６、活性層１０８、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。 First, for example, as shown in FIG. 6, the buffer layer 104, the first cladding layer 106, the active layer 108, the second cladding layer 110, and the contact layer 112 are epitaxially grown in this order on the substrate 102. As a method for epitaxial growth, for example, MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) method, MBE (Molecular Beam Epitaxy) method or the like can be used.
次に、図５に示すように、第２端面１４２に反射部１５０を構成する溝部１５２を形成する。溝部１５２は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。 Next, as shown in FIG. 5, a groove 152 constituting the reflecting portion 150 is formed on the second end surface 142. The groove 152 is formed by patterning using, for example, a photolithography technique and an etching technique.
次に、例えば、図２及び図３に示すように、第１端面１４０に反射防止膜１６０を形成することができる。反射防止膜１６０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着(Ion Assisted Deposition)法などにより形成される。 Next, for example, as shown in FIGS. 2 and 3, an antireflection film 160 can be formed on the first end surface 140. The antireflection film 160 is formed by, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a sputtering method, an ion assisted deposition (Ion Assisted Deposition) method, or the like.
次に、例えば、図４に示すように、コンタクト層１１２上に第２電極１２２を形成する。第２電極１２２は、例えば、真空蒸着法により全面に導電層を形成した後、該導電層をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、第２電極１２２は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組み合わせ等により、所望の形状に形成されることもできる。なお、溝部１５２は、電極材料が入り込まないように、例えば、マスク層（図示しない）で覆われていることができる。 Next, for example, as shown in FIG. 4, the second electrode 122 is formed on the contact layer 112. The second electrode 122 is formed, for example, by forming a conductive layer on the entire surface by a vacuum deposition method and then patterning the conductive layer using a photolithography technique and an etching technique. The second electrode 122 can also be formed in a desired shape by, for example, a combination of a vacuum deposition method and a lift-off method. In addition, the groove part 152 can be covered with a mask layer (not shown), for example so that an electrode material may not enter.
次に、例えば、図４に示すように、基板１０２の下面下に第１電極１２０を形成する。第１電極１２０の製法は、例えば、上述した第２電極１２２の製法の例示と同じである。なお、第１電極１２０及び第２電極１２２の形成順序は、特に限定されない。 Next, for example, as shown in FIG. 4, the first electrode 120 is formed under the lower surface of the substrate 102. The manufacturing method of the 1st electrode 120 is the same as the illustration of the manufacturing method of the 2nd electrode 122 mentioned above, for example. Note that the order of forming the first electrode 120 and the second electrode 122 is not particularly limited.
以上の工程により、発光素子１００が得られる。 Through the above steps, the light-emitting element 100 is obtained.
４． 発光素子の変形例
次に本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光素子の変形例について説明する。なお、上述した図２〜図５に示す発光素子１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
4). Next, a modification of the light emitting element used in the projector according to the present embodiment will be described. Note that members having the same functions as those of the components of the light emitting element 100 shown in FIGS. 2 to 5 described above are given the same reference numerals, and detailed descriptions thereof are omitted.
（１） 第１の変形例
まず、第１の変形例について説明する。
(1) First Modification First, a first modification will be described.
図７は、本変形例に係る発光素子２００を模式的に示す断面図である。なお、図７に示す断面図は、図５に対応している。 FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device 200 according to this modification. The cross-sectional view shown in FIG. 7 corresponds to FIG.
発光素子１００の例では、図５に示すように、溝部１５２の底面の位置が、活性層１０８の下面の位置より下に設けられている場合について説明した。これに対し、本変形例では、例えば、図７に示すように、溝部１５２の底面の位置は、活性層１０８の上面の位置より上に設けられていることができる。本変形例によれば、発光素子１００の例と同様に、反射部１５０が、溝部１５２で構成されたＤＢＲミラーであることができる。 In the example of the light emitting element 100, as illustrated in FIG. 5, the case where the position of the bottom surface of the groove 152 is provided below the position of the lower surface of the active layer 108 has been described. On the other hand, in the present modification, for example, as shown in FIG. 7, the position of the bottom surface of the groove 152 can be provided above the position of the upper surface of the active layer 108. According to this modification, the reflection part 150 can be a DBR mirror configured with the groove part 152 as in the example of the light emitting element 100.
（２） 第２の変形例
次に、第２の変形例について説明する。
(2) Second Modification Next, a second modification will be described.
図８は、本変形例に係る発光素子３００を模式的に示す平面図である。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線断面図である。 FIG. 8 is a plan view schematically showing a light emitting device 300 according to this modification. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
発光素子１００の例では、反射部１５０が、複数の溝部１５２によって構成されたＤＢＲミラーである場合について説明した。これに対し、本変形例では、反射部１５０が、第１方向Ａに、高屈折率層３５２Ｈと低屈折率層３５２Ｌが交互に積層された誘電体多層膜３５２で構成されたＤＢＲミラーであることができる。高屈折率層３５２Ｈとしては、例えば、ＳｉＮ層、Ｔａ２Ｏ５層、ＴｉＯ２層、ＺｒＯ２層を用いることができる。低屈折率層３５２Ｌとしては、例えば、ＳｉＯ２層、ＭｇＦ２層を用いることができる。高屈折率層３５２Ｈと低屈折率層３５２Ｌを１ペアとした場合、図示の例では、４ペアであるが、そのペア数は特に限定されない。高屈折率層３５２Ｈの膜厚は、（２ｍＨ−１）λ／４ｎＨであることができる。低屈折率層３５２Ｌの膜厚は、（２ｍＬ−１）λ／４ｎＬであることができる。なお、ｍＨ、ｍＬは、自然数であり、λは、利得領域１８０に生じる光の波長であり、ｎＨは、高屈折率層３５２Ｈの屈折率であり、ｎＬは、低屈折率層３５２Ｌの屈折率である。 In the example of the light emitting element 100, the case where the reflection unit 150 is a DBR mirror including a plurality of groove portions 152 has been described. On the other hand, in the present modification, the reflecting portion 150 is a DBR mirror composed of a dielectric multilayer film 352 in which high refractive index layers 352H and low refractive index layers 352L are alternately stacked in the first direction A. be able to. As the high refractive index layer 352H, for example, a SiN layer, a Ta 2 O 5 layer, a TiO 2 layer, or a ZrO 2 layer can be used. As the low refractive index layer 352L, for example, an SiO 2 layer or an MgF 2 layer can be used. When the high refractive index layer 352H and the low refractive index layer 352L form one pair, in the illustrated example, there are four pairs, but the number of pairs is not particularly limited. The film thickness of the high refractive index layer 352H can be (2m H −1) λ / 4n H. The film thickness of the low refractive index layer 352L can be (2m L −1) λ / 4n L. M H and m L are natural numbers, λ is the wavelength of light generated in the gain region 180, n H is the refractive index of the high refractive index layer 352H, and n L is the low refractive index layer. The refractive index is 352L.
本変形例によれば、反射部１５０が、誘電体多層膜３５２で構成されたＤＢＲミラーであることができる。これにより、発光素子１００と同様に、第２端面１４２の反射率を高くすることができる。 According to this modification, the reflection unit 150 can be a DBR mirror composed of the dielectric multilayer film 352. Thereby, the reflectance of the 2nd end surface 142 can be made high similarly to the light emitting element 100. FIG.
発光素子３００の製造方法について説明する。 A method for manufacturing the light emitting element 300 will be described.
まず、発光素子１００の場合と同様に、基板１０２上に、バッファー層１０４、第１クラッド層１０６、活性層１０８、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２を、この順でエピタキシャル成長させる。 First, as in the case of the light emitting device 100, the buffer layer 104, the first cladding layer 106, the active layer 108, the second cladding layer 110, and the contact layer 112 are epitaxially grown in this order on the substrate 102.
次に、図８に示すように、第２面１０９から平面的に見て、少なくとも第２端面１４２となる領域を露出させるように、第２端面１４２から第２面１０９まで、第１方向Ａに沿った領域をエッチングする。エッチングの深さは、図９の例では、第１クラッド層１０６の下面だが、少なくとも第１クラッド層１０６の上面に達する深さであればよい。エッチングは、例えば、ドライエッチングにより行われる。 Next, as shown in FIG. 8, when viewed in plan from the second surface 109, the first direction A extends from the second end surface 142 to the second surface 109 so as to expose at least a region that becomes the second end surface 142. Etch the region along. In the example of FIG. 9, the etching depth is the lower surface of the first cladding layer 106, but may be a depth that reaches at least the upper surface of the first cladding layer 106. Etching is performed, for example, by dry etching.
次に、図９に示すように、誘電体多層膜３５２を形成する。具体的には、第２面１０９側から、低誘電体層３５２Ｌ、高誘電体層３５２Ｈを交互に成膜することにより形成することができる。成膜は、例えば、第２端面１４２に対して均一に積層されるような向きに基板１０２を固定して行うことができる。成膜は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法を用いることができる。 Next, as shown in FIG. 9, a dielectric multilayer film 352 is formed. Specifically, the low dielectric layer 352L and the high dielectric layer 352H can be formed alternately from the second surface 109 side. The film formation can be performed, for example, by fixing the substrate 102 in such a direction as to be uniformly stacked on the second end surface 142. For film formation, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or a sputtering method can be used.
その他の工程については、発光素子１００と同様に行うことができるため、その詳細な説明は、省略する。 Since other steps can be performed in the same manner as the light emitting element 100, detailed description thereof is omitted.
以上の工程により、本変形例の発光素子３００が得られる。 Through the above steps, the light-emitting element 300 of the present modification is obtained.
（３） 第３の変形例
次に、第３の変形例について説明する。
(3) Third Modification Next, a third modification will be described.
図１０は、本変形例に係る発光素子４００を模式的に示す断面図である。図１０に示す断面図は、図５に対応している。 FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device 400 according to this modification. The cross-sectional view shown in FIG. 10 corresponds to FIG.
発光素子１００の例では、反射部１５０が、複数の溝部１５２によって構成されたＤＢＲミラーである場合について説明した。これに対し、本変形例では、反射部１５０が、金属ミラーであることができる。金属ミラーは、第２端面１４２に設けられた金属薄膜４５２からなることができる。金属薄膜４５２は、少なくとも第２端面１４２を覆うように設けられている。金属薄膜４５２の材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金などを用いることができる。 In the example of the light emitting element 100, the case where the reflection unit 150 is a DBR mirror including a plurality of groove portions 152 has been described. On the other hand, in this modification, the reflection part 150 can be a metal mirror. The metal mirror can be formed of a metal thin film 452 provided on the second end surface 142. The metal thin film 452 is provided so as to cover at least the second end surface 142. As a material of the metal thin film 452, for example, aluminum, silver, gold, or the like can be used.
金属薄膜４５２は、例えば、スパッタ法で成膜される。本変形例に係る発光素子３００の製造方法は、発光素子１００，２００と同様の製造方法で製造できるためその詳細な説明を省略する。 The metal thin film 452 is formed by sputtering, for example. Since the manufacturing method of the light emitting element 300 according to this modification can be manufactured by the same manufacturing method as the light emitting elements 100 and 200, detailed description thereof is omitted.
本変形例によれば、反射部１５０が、誘電体多層膜３５２で構成されたＤＢＲミラーであることができる。これにより、発光素子１００と同様に、第２端面１４２の反射率を高くすることができる。 According to this modification, the reflection unit 150 can be a DBR mirror composed of the dielectric multilayer film 352. Thereby, the reflectance of the 2nd end surface 142 can be made high similarly to the light emitting element 100. FIG.
（４） 第４の変形例
次に、第４の変形例について説明する。
(4) Fourth Modification Next, a fourth modification will be described.
図１１は、本変形例に係る発光素子５００を模式的に示す平面図である。図１１に示す平面図は、図３に対応している。 FIG. 11 is a plan view schematically showing a light emitting device 500 according to this modification. The plan view shown in FIG. 11 corresponds to FIG.
発光素子１００の例では、利得領域１８０が１つである場合について説明した。これに対し、本変形例では、利得領域１８０が、複数（図１１の例では５つ）設けられていることができる。複数の利得領域１８０の第２端面１４２の各々には、反射部１５０が設けられていることができる。図示の例では、反射部１５０が溝部１５２で構成されたＤＢＲミラーであるが、反射部１５０は、例えば、上述した変形例に係る誘電体多層膜３５２からなるＤＢＲミラーおよび金属薄膜４５２からなる金属ミラーであってもよい。複数の利得領域１８０の設けられている方向は、利得領域１８０ごとに同じ方向（図示の例）であってもよいし、異なる方向であってもよい。 In the example of the light emitting element 100, the case where there is one gain region 180 has been described. On the other hand, in this modification, a plurality of gain regions 180 (five in the example of FIG. 11) can be provided. Each of the second end surfaces 142 of the plurality of gain regions 180 may be provided with a reflection unit 150. In the example shown in the figure, the reflection part 150 is a DBR mirror in which the groove part 152 is configured. However, the reflection part 150 is, for example, a DBR mirror made of the dielectric multilayer film 352 and a metal made of the metal thin film 452 according to the above-described modification. It may be a mirror. The direction in which the plurality of gain regions 180 are provided may be the same direction (example shown) for each gain region 180, or may be different directions.
本変形例によれば、発光素子１００の例に比べ、発光素子全体の高出力化を図ることができる。 According to this modification, the output of the entire light emitting element can be increased as compared with the example of the light emitting element 100.
（５） 第５の変形例
次に、第５の変形例について説明する。
(5) Fifth Modification Next, a fifth modification will be described.
図１２は、本変形例に係る発光素子６００を模式的に示す断面図である。なお、図１２に示す断面図は、図４に示す断面図に対応している。 FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device 600 according to this modification. The cross-sectional view shown in FIG. 12 corresponds to the cross-sectional view shown in FIG.
発光素子１００の例では、図３及び図４に示すように、第２電極１２２の上面も下面も、利得領域１８０と同じ平面形状を有する場合について説明した。これに対し、本変形例では、図１２に示すように、第２電極１２２の上面は、利得領域１８０と異なる平面形状を有することができる。本変形例では、コンタクト層１１２上に、開口部を有する絶縁層６０２を形成し、該開口部を埋め込む第２電極１２２を形成することができる。第２電極１２２は、開口部内および絶縁層（開口部含む）６０２上に形成されている。本変形例では、第２電極１２２の下面は、利得領域１８０と同じ平面形状を有し、第２電極１２２の上面は、絶縁層６０２上の全面である。 In the example of the light emitting element 100, the case where the upper surface and the lower surface of the second electrode 122 have the same planar shape as the gain region 180 has been described, as shown in FIGS. On the other hand, in the present modification, as shown in FIG. 12, the upper surface of the second electrode 122 can have a planar shape different from that of the gain region 180. In this modification, the insulating layer 602 having an opening can be formed over the contact layer 112, and the second electrode 122 filling the opening can be formed. The second electrode 122 is formed in the opening and on the insulating layer (including the opening) 602. In this modification, the lower surface of the second electrode 122 has the same planar shape as the gain region 180, and the upper surface of the second electrode 122 is the entire surface on the insulating layer 602.
絶縁層６０２としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁層６０２は、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより成膜される。 As the insulating layer 602, for example, a SiN layer, a SiO 2 layer, a polyimide layer, or the like can be used. The insulating layer 602 is formed by, for example, a CVD method or a coating method.
本変形例によれば、発光素子１００の例に比べ、第２電極１２２の体積が増えるため、放熱性に優れた発光素子６００を提供することができる。 According to this modification, since the volume of the second electrode 122 is increased as compared to the example of the light emitting element 100, the light emitting element 600 having excellent heat dissipation can be provided.
（６） 第６の変形例
次に、第６の変形例について説明する。
(6) Sixth Modification Next, a sixth modification will be described.
発光素子１００の例では、ＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、本変形例では、発光利得領域が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。本変形例では、基板１０２として、例えばＧａＮ基板などを用いることができる。また、本変形例では、例えば有機材料などを用いることもできる。 In the example of the light emitting element 100, the case of the InGaAlP system has been described. However, in this modification, any material system capable of forming the light emission gain region can be used. As the semiconductor material, for example, an AlGaN-based, InGaN-based, GaAs-based, InGaAs-based, GaInNAs-based, or ZnCdSe-based semiconductor material can be used. In this modification, for example, a GaN substrate can be used as the substrate 102. Moreover, in this modification, an organic material etc. can also be used, for example.
（７） 第７の変形例
次に、第７の変形例について説明する。
(7) Seventh Modification Next, a seventh modification will be described.
図１３は、発光素子７００を模式的に示す平面図であり、図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線断面図である。 13 is a plan view schematically showing the light emitting device 700, and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line XIV-XIV in FIG.
発光素子１００の例では、図４に示すように、利得領域１８０がそのまま導波領域となる利得導波型について説明した。これに対し、本変形例では、図１４に示すように、絶縁部７０２と、絶縁部７０２が形成されていない領域、すなわち柱状部７１０を形成している領域に屈折率差を設けて、光を閉じ込める屈折率導波型であることができる。 In the example of the light emitting element 100, as shown in FIG. 4, the gain waveguide type in which the gain region 180 is directly used as the waveguide region has been described. On the other hand, in this modified example, as shown in FIG. 14, a refractive index difference is provided in the region where the insulating portion 702 and the insulating portion 702 are not formed, that is, the region where the columnar portion 710 is formed. The refractive index can be confined.
コンタクト層１１２は、図１３の例では、第２端面１４２より第２面１０９側の領域（溝部１５２を除く）に形成されていることができる。さらに、コンタクト層１１２は、第２電極１２２が形成された領域において、利得領域１８０と同じ平面形状を有していることができる。図１４に示すように、例えば、少なくともコンタクト層１１２のうちの第２電極１２２との接触面側の部分（コンタクト層１１２の上部）が、柱状の半導体堆積体（以下「柱状部」という）７１０を構成することができる。例えば、第１クラッド層１０６、活性層１０８、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２が、柱状部７１０を構成することもできる。また、図１４に示すように、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２が、柱状部７１０を構成することもできる。 In the example of FIG. 13, the contact layer 112 can be formed in a region (excluding the groove 152) closer to the second surface 109 than the second end surface 142. Further, the contact layer 112 may have the same planar shape as the gain region 180 in the region where the second electrode 122 is formed. As shown in FIG. 14, for example, at least a portion of the contact layer 112 on the contact surface side with the second electrode 122 (upper part of the contact layer 112) is a columnar semiconductor deposited body (hereinafter referred to as “columnar portion”) 710. Can be configured. For example, the first cladding layer 106, the active layer 108, the second cladding layer 110, and the contact layer 112 can constitute the columnar portion 710. Further, as shown in FIG. 14, the second cladding layer 110 and the contact layer 112 may constitute a columnar portion 710.
絶縁部７０２は、図１４に示すように、柱状部７１０の側方に設けられている。絶縁部７０２は、例えば、柱状部７１０の第２電極１２２側とは反対側に接する層（図示の例では第２クラッド層１１０）の上に形成されている。絶縁部７０２は、図１４に示すように、柱状部７１０の側面に接している。電極１２０，１２２間の電流は、絶縁部７０２を避けて、該絶縁部７０２に挟まれた柱状部７１０を流れることができる。例えば、柱状部７１０の平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０の平面形状が決定される。なお、図示しないが、柱状部７１０及び絶縁部７０２は、基板１０２側に形成されることもできる。絶縁部７０２としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁部７０２は、平面的に見て、少なくとも柱状部７１０の周辺の領域に設けられることができる。絶縁部７０２は、図１３の例では、柱状部７１０の領域を除いた電極１２２と同様の領域に設けられていることができる。 As shown in FIG. 14, the insulating portion 702 is provided on the side of the columnar portion 710. For example, the insulating portion 702 is formed on a layer (second clad layer 110 in the illustrated example) that is in contact with the opposite side of the columnar portion 710 to the second electrode 122 side. As shown in FIG. 14, the insulating part 702 is in contact with the side surface of the columnar part 710. The current between the electrodes 120 and 122 can flow through the columnar portion 710 sandwiched between the insulating portions 702, avoiding the insulating portion 702. For example, the current path between the electrodes 120 and 122 is determined by the planar shape of the columnar portion 710, and as a result, the planar shape of the gain region 180 is determined. Although not shown, the columnar portion 710 and the insulating portion 702 can also be formed on the substrate 102 side. As the insulating part 702, for example, a SiN layer, a SiO 2 layer, a polyimide layer, or the like can be used. The insulating portion 702 can be provided at least in a region around the columnar portion 710 when seen in a plan view. In the example of FIG. 13, the insulating portion 702 can be provided in the same region as the electrode 122 excluding the region of the columnar portion 710.
絶縁部７０２は、例えば、少なくとも活性層１０８の側面（但し、利得領域１８０の第１端面１４０及び第２端面１４２以外の面）を覆うこともできる。例えば、柱状部７１０の側面のうち、第１端面１４０側および第２端面１４２側以外の側面は、絶縁部７０２により覆われていることができる。絶縁部７０２は、活性層１０８の屈折率よりも低い屈折率を有することができる。これにより、活性層１０８内に効率良く光を閉じ込めることができる。 For example, the insulating portion 702 can cover at least a side surface of the active layer 108 (however, a surface other than the first end surface 140 and the second end surface 142 of the gain region 180). For example, of the side surfaces of the columnar portion 710, the side surfaces other than the first end surface 140 side and the second end surface 142 side can be covered with the insulating portion 702. The insulating part 702 can have a refractive index lower than that of the active layer 108. Thereby, light can be efficiently confined in the active layer 108.
第２電極１２２は、例えば図１３および図１４に示すように、柱状部７１０及び絶縁部７０２の上の全面に形成されている。これにより、上述した発光素子１００の例に比べ、第２電極１２２の体積が増えるため、放熱性に優れた発光素子７００を提供することができる。 For example, as shown in FIGS. 13 and 14, the second electrode 122 is formed on the entire surface of the columnar portion 710 and the insulating portion 702. Thereby, since the volume of the 2nd electrode 122 increases compared with the example of the light emitting element 100 mentioned above, the light emitting element 700 excellent in heat dissipation can be provided.
本変形例によれば、発光素子１００と同様に、小型化および高出力化を図ることができる発光素子を提供することができる。 According to this modification, as with the light emitting element 100, a light emitting element that can be reduced in size and increased in output can be provided.
次に、発光素子７００の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the light emitting element 700 will be described.
図１５は、発光素子７００の製造工程を模式的に示す断面図であり、図１５に示す断面図に対応している。 FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of the light-emitting element 700, and corresponds to the cross-sectional view shown in FIG.
まず、基板１０２上に、バッファー層１０４、第１クラッド層１０６、活性層１０８、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２を形成する。 First, the buffer layer 104, the first cladding layer 106, the active layer 108, the second cladding layer 110, and the contact layer 112 are formed on the substrate 102.
次に、図１５に示すように、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２をパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などを用いて行われる。本工程により、柱状部７１０を形成することができる。 Next, as shown in FIG. 15, the second cladding layer 110 and the contact layer 112 are patterned. The patterning is performed using, for example, a photolithography technique and an etching technique. Through this step, the columnar portion 710 can be formed.
次に、例えば、図１３に示すように、溝部１５２を形成する。溝部１５２の形成は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などを用いて行われる。 Next, for example, as shown in FIG. The groove 152 is formed using, for example, a photolithography technique and an etching technique.
次に、図１４に示すように、柱状部７１０の側面を覆うように絶縁部７０２を形成する。具体的には、まず、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより、第２クラッド層１１０の上方（コンタクト層１１２上を含む）に絶縁層（図示せず）を成膜する。次に、例えば、エッチング技術などを用いて、コンタクト層１１２の上面を露出させる。以上の工程により、絶縁部７０２を得ることができる。なお、溝部１５２は、絶縁層の成膜工程で埋め込まれてもよいし、埋め込まれなくてもよい。例えば、溝部１５２の領域をレジスト等でマスク（図示しない）することで溝部１５２に絶縁層を埋め込まないことができる。 Next, as shown in FIG. 14, an insulating portion 702 is formed so as to cover the side surface of the columnar portion 710. Specifically, first, an insulating layer (not shown) is formed above the second cladding layer 110 (including on the contact layer 112) by, for example, a CVD method or a coating method. Next, the upper surface of the contact layer 112 is exposed using, for example, an etching technique. Through the above steps, the insulating portion 702 can be obtained. Note that the groove 152 may or may not be embedded in the insulating layer deposition step. For example, the insulating layer can not be embedded in the groove 152 by masking the region of the groove 152 with a resist or the like (not shown).
次に、第１電極１２０、及び第２電極１２２を形成する。第２電極１２２は、図１３に示すように、柱状部７１０及び絶縁部７０２の上に成膜されればよいため、微細なパターニングが不要となり、第２電極１２２の断線リスクを低減することができる。 Next, the first electrode 120 and the second electrode 122 are formed. As shown in FIG. 13, the second electrode 122 only needs to be formed on the columnar portion 710 and the insulating portion 702, so that fine patterning is not necessary and the risk of disconnection of the second electrode 122 can be reduced. it can.
以上の工程により、発光素子７００が得られる。 Through the above steps, the light-emitting element 700 is obtained.
５． 発光装置
次に、本実施形態に係るプロジェクター１０００に用いる発光装置９００について、図面を参照しながら説明する。図１６は、発光装置９００を模式的に示す断面図である。
5). Next, a light emitting device 900 used in the projector 1000 according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing the light emitting device 900.
発光装置９００は、図１６に示すように、例えば発光素子１００と、ベース９１０と、サブマウント９２０と、を有することができる。 As shown in FIG. 16, the light emitting device 900 can include, for example, a light emitting element 100, a base 910, and a submount 920.
ベース９１０は、例えば、サブマウント９２０を介して、間接的に発光素子１００を支持することができる。ベース９１０としては、例えば、板状（直方体形状）の部材を用いることができる。ベース９１０の材質としては、例えば、セラミックス、銅、アルミニウムなどを列挙することができる。ベース９１０は、例えば、ヒートシンクとして機能してもよい。ベース９１０は、例えば、ペルチェ素子であってもよい。サブマウント９２０は、ベース９１０上に設けられ、発光素子１００を支持している。 For example, the base 910 can indirectly support the light emitting element 100 via the submount 920. As the base 910, for example, a plate-shaped (cuboid shape) member can be used. Examples of the material of the base 910 include ceramics, copper, and aluminum. The base 910 may function as a heat sink, for example. The base 910 may be a Peltier element, for example. The submount 920 is provided on the base 910 and supports the light emitting element 100.
サブマウント９２０は、例えば、銅、アルミニウムなどの導電性材料からなることができる。これにより、発光素子１００の電極１２０，１２２に電流を供給することができる。発光素子１００は、サブマウント９２０に挟まれて、ベース９１０上に支持されている。図示の例では、発光素子１００は、発光素子１００の厚み方向（活性層１０６の厚み方向）に、２つ配列されているが、その数は特に限定されない。複数の発光素子１００は、例えば、同じ方向に光１３０を出射することができる。 The submount 920 can be made of a conductive material such as copper or aluminum. Thereby, a current can be supplied to the electrodes 120 and 122 of the light emitting element 100. The light emitting element 100 is supported on the base 910 by being sandwiched between the submounts 920. In the illustrated example, two light emitting elements 100 are arranged in the thickness direction of the light emitting element 100 (the thickness direction of the active layer 106), but the number is not particularly limited. For example, the plurality of light emitting elements 100 can emit the light 130 in the same direction.
発光装置９００によれば、発光素子１００を備えるため、小型化および高出力化を図ることができる。 Since the light emitting device 900 includes the light emitting element 100, it is possible to reduce the size and increase the output.
なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。 In addition, embodiment mentioned above and a modification are examples, Comprising: It is not necessarily limited to these. For example, it is possible to combine the embodiment and each modification as appropriate.
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail as described above, those skilled in the art will readily understand that many modifications are possible without substantially departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention.
１００ 発光装置、１０２ 基板、１０４ バッファー層、１０６ 第１クラッド層、
１０７ 第１面、１０８ 活性層、１０９ 第２面、１１０ 第２クラッド層、
１１２ コンタクト層、１１３ 積層構造体、１２０ 第１電極、１２２ 第２電極、
１３０ 出射光、１４０ 第１端面、１４２ 第２端面、１５０ 反射部、
１５２ 溝部、１６０ 反射防止膜、１８０ 利得領域、２００ 発光装置、
３００ 発光装置、３５２ 誘電体多層膜、４００ 発光装置、４５２ 金属薄膜、
５００ 発光装置、６００ 発光装置、６０２ 絶縁層、７００ 発光装置、
７０２ 絶縁部、７１０ 柱状部、
９００ 発光装置、９１０ ベース、９２０ サブマウント、
１０００ プロジェクター、１００２ 均一化光学系、１００２ａ ホログラム、
１００２ｂ フィールドレンズ、１００４ 液晶ライトバルブ、
１００６ クロスダイクロイックプリズム、１００８ 投写レンズ、
１０１０ スクリーン
100 light emitting device, 102 substrate, 104 buffer layer, 106 first cladding layer,
107 first surface, 108 active layer, 109 second surface, 110 second cladding layer,
112 contact layer, 113 laminated structure, 120 first electrode, 122 second electrode,
130 outgoing light, 140 first end face, 142 second end face, 150 reflector,
152 groove portion, 160 antireflection film, 180 gain region, 200 light emitting device,
300 light emitting device, 352 dielectric multilayer film, 400 light emitting device, 452 metal thin film,
500 light emitting device, 600 light emitting device, 602 insulating layer, 700 light emitting device,
702 Insulating part, 710 Columnar part,
900 light emitting device, 910 base, 920 submount,
1000 projector, 1002 homogenizing optical system, 1002a hologram,
1002b field lens, 1004 liquid crystal light valve,
1006 Cross dichroic prism, 1008 projection lens,
1010 screen
Claims (8)
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記発光素子は、スーパールミネッセントダイオードであって、第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれた活性層を備える積層構造体を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面および第２面は、互いに対向する位置関係であり、
前記利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、直線状に、前記第１面側の端面から前記第２面側の端面まで、前記第１面の垂線に対して傾いた所定の方向に向かって設けられ、
前記第２面側の端面は、前記活性層の積層方向から平面視して、前記所定の方向に対して直交し、
前記第２面側の端面には、反射部が設けられ、
前記利得領域に生じる光の一部は、前記第２面側の端面において反射して、前記第１面側の端面から出射される、プロジェクター。 A light emitting device having a light emitting element;
A light modulation device that modulates light emitted from the light emitting device according to image information;
A projection device for projecting an image formed by the light modulation device;
Including
The light-emitting element is a superluminescent diode, and has a stacked structure including an active layer sandwiched between a first cladding layer and a second cladding layer,
At least a part of the active layer constitutes a gain region serving as a current path of the active layer,
In the laminated structure, the first surface and the second surface of the exposed surfaces of the active layer are in a positional relationship facing each other.
The gain region is a predetermined shape that is inclined with respect to a normal to the first surface from an end surface on the first surface side to an end surface on the second surface side in a straight line in plan view from the stacking direction of the active layer. Provided in the direction of
The end surface on the second surface side is orthogonal to the predetermined direction in plan view from the stacking direction of the active layer,
A reflection portion is provided on the end surface on the second surface side,
Part of the light generated in the gain region is reflected by the end surface on the second surface side and emitted from the end surface on the first surface side.
前記反射部は、分布ブラッグ反射型ミラーである、プロジェクター。 In claim 1,
The said reflection part is a projector which is a distributed Bragg reflection type mirror.
前記分布ブラッグ反射型ミラーは、所定の間隔で配置された複数の溝部で構成されている、プロジェクター。 In claim 2,
The distributed Bragg reflection type mirror is a projector configured with a plurality of grooves arranged at a predetermined interval.
前記溝部は、前記第２クラッド層および前記活性層を貫通している、プロジェクター。 In claim 3,
The said groove part is a projector which has penetrated the said 2nd clad layer and the said active layer.
前記分布ブラッグ反射型ミラーは、前記所定の方向に、高屈折率層と低屈折率層が交互に積層された誘電体多層膜で構成されている、プロジェクター。 In claim 2,
The distributed Bragg reflection mirror is a projector composed of a dielectric multilayer film in which high refractive index layers and low refractive index layers are alternately stacked in the predetermined direction.
前記反射部は、金属ミラーである、プロジェクター。 In claim 1,
The reflection unit is a projector that is a metal mirror.
前記第１面側の端面には、反射防止膜が設けられている、プロジェクター。 In any one of Claims 1 thru | or 6,
A projector in which an antireflection film is provided on an end surface on the first surface side.
前記利得領域は、複数配列されている、プロジェクター。 In any one of Claims 1 thru | or 7,
A projector in which a plurality of gain regions are arranged.
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