JP2011065118A - Fpd array self-checking circuit and inspection method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、アクティブマトリックス型のアレイ基板およびその検査方法に関する。 The present invention relates to an active matrix type array substrate and an inspection method thereof.
近年、表示装置の主流はアクティブマトリックス型液晶表示装置になりつつある。このアクティブマトリックス型液晶表示装置が従来のブラウン管テレビにかわり液晶テレビとして普及するにつれて、表示画面の大型化とともに価格競争も厳しくなりつつあり、製造コストを低減する必要がある。 In recent years, the mainstream of display devices is becoming an active matrix type liquid crystal display device. As this active matrix type liquid crystal display device becomes widespread as a liquid crystal television in place of the conventional cathode ray tube television, the price competition is becoming more severe as the display screen becomes larger, and it is necessary to reduce the manufacturing cost.
表示画面の大型化に伴い、表示装置あたりの画素数が増加し、画素電極の配列ピッチは年々微細なものとなりつつある、その結果、不良が生じやすくなる。また、配列ピッチが微細となり、画素数が増加すると、検査装置も大掛かりで高価なものとなり、検査のために基板に電気的に接触するためのプローブも微細で、プローブのピンの本数が増加するために高価なものとなる。結果として、製造コストを低減するためには、検査コストの低減が重要な課題となっている。 As the display screen increases in size, the number of pixels per display device increases, and the pixel electrode arrangement pitch is becoming finer year by year. As a result, defects tend to occur. Further, when the arrangement pitch becomes fine and the number of pixels increases, the inspection apparatus becomes large and expensive, and the probe for electrically contacting the substrate for inspection becomes fine, and the number of probe pins increases. Therefore, it becomes expensive. As a result, in order to reduce manufacturing costs, reducing inspection costs has become an important issue.
このような状況下において、製造コストを低減するためには、製品の機能や製造歩留まりの改善が必要であり、検査方法を考慮した設計をし、高額な検査装置の必要性を最小限にすることが重要な課題である。 Under these circumstances, in order to reduce the manufacturing cost, it is necessary to improve the product function and the manufacturing yield, design in consideration of the inspection method, and minimize the need for expensive inspection equipment. This is an important issue.
この課題に対して、
文献1にアクティブマトリックス型液晶パネルの各データ線(文献1の図1の3)に検査用のスイッチング素子(文献1の図1の26a)を配設し、データ線検査用の信号を送るデータ線検査用表示信号線とスイッチング素子を導通または遮断するためのデータ線検査用制御信号線を設置し、赤緑青の色表示を行いつつ、点灯検査をすることによって、欠陥輝点、データ線間のリーク等を検査する検査方法が開示されている。For this issue,
Data for transmitting a data line inspection signal by arranging a switching element for inspection (26a in FIG. 1 of Reference 1) on each data line (3 in FIG. 1 of Reference 1) of the active matrix type liquid crystal panel in Reference 1. By installing a display signal line for line inspection and a control signal line for data line inspection for conducting or blocking the switching element, and performing a lighting inspection while displaying red, green, and blue colors, between the defective bright spot and the data line An inspection method for inspecting leaks and the like is disclosed.
しかし、この検査方法では隣接するデータ線間の短絡等の欠陥をデジタル的に容易に検査し特定できない等の問題がある。 However, this inspection method has a problem that a defect such as a short circuit between adjacent data lines cannot be easily digitally inspected and identified.
また、文献2にアクティブマトリックス型液晶パネルの検査に関して、アクティブマトリックス型液晶パネルの各画素に順次、検査用の情報を書き込み、水平方向に走査回路を設け(文献2の図1、符号番号2参照)各画素情報を読み出すことにより、各画素の欠陥を検出する検査装置・検査方法が開示されている。 Further, regarding the inspection of the active matrix liquid crystal panel in
しかし、この検査回路・検査方法によると検査時間が長く、また画素の蓄積容量内の電荷が微小な場合に問題があると思われる。 However, according to this inspection circuit / inspection method, there is a problem when the inspection time is long and the charge in the storage capacitor of the pixel is very small.
さらに、文献3にアクティブマトリックス型液晶パネルのすべての画素に順次、検査用の情報を書き込み、一定時間後に、順次情報を読み出すことにより各画素データをセンスアンプで読み取り、それをAD変換(アナログデジタル変換)して、デジタルに変換されたデータをシフトレジスターに移して、順次、シフトアウトすることにより、欠陥画素を特定する方法が開示されている。 Further, information for inspection is sequentially written in all pixels of the active matrix type liquid crystal panel in Reference 3, and each pixel data is read by a sense amplifier by sequentially reading the information after a predetermined time, and converted into analog-digital (analog-digital). And converting the digitally converted data to a shift register and sequentially shifting it out, thereby identifying a defective pixel.
しかしながら、AD変換をおこなうことは現実的ではなく、また、具体的な検査回路が開示されていない。 However, it is not realistic to perform AD conversion, and a specific inspection circuit is not disclosed.
さらに、文献4には前記文献1と同様に、アクティブマトリックス型液晶パネルの信号線のペアに対してセンスアンプを配置し、前記文献1に類似した検査方法が開示されている。 Further, similar to Reference 1, Reference 4 discloses a test method similar to Reference 1 in which a sense amplifier is disposed for a pair of signal lines of an active matrix liquid crystal panel.
しかし、この検査方法では、画素の諧調表示に問題があり、十分な検査はできない。 However, this inspection method has a problem in the gradation display of the pixels and cannot perform a sufficient inspection.
そこで、発明者は、アクティブマトリックス型TFT基板を設計する際に、該基板に検査を容易にする回路を付加し、該基板に対して簡易な検査用装置から検査用の信号を印加することにより、欠陥の有無と、欠陥の位置を把握し得る該基板およびその検査方法の開発に努力した。 Therefore, when designing an active matrix TFT substrate, the inventor adds a circuit that facilitates inspection to the substrate, and applies an inspection signal to the substrate from a simple inspection device. The present inventors have made efforts to develop the substrate and the inspection method capable of grasping the presence / absence of a defect and the position of the defect.
第1のアイデアとして、アクティブマトリックス型TFT基板の信号線毎に検査用画素を設置し、全ての画素に検査用のデータを書き込み、該検査用画素と表示領域の画素に書き込まれたデータをゲートラインに接続される画素毎に比較して、デジタル的に良否の判定し、検査の結果を一時的にシフトレジスターに格納し、不良画素が検知された場合にはシフトレジスター内のデータをシフトアウトすることにより、全画素の良否を、迅速に検査するアクティブマトリックス型TFT基板と検査方法を考案した。 As a first idea, an inspection pixel is provided for each signal line of an active matrix TFT substrate, inspection data is written to all the pixels, and the data written to the inspection pixel and the pixels in the display area are gated. Compared to each pixel connected to the line, digitally pass / fail judgment, the result of inspection is temporarily stored in the shift register, and if a defective pixel is detected, the data in the shift register is shifted out By doing so, an active matrix TFT substrate and an inspection method for quickly inspecting the quality of all pixels were devised.
しかしながら、この第1のアイデアでは、シフトレジスターを形成する必要があり、検査以外には、本来は不必要なトランジスター等の能動素子を設置しなければならないという欠点があった。 However, in the first idea, it is necessary to form a shift register, and there is a drawback that an active element such as a transistor that is originally unnecessary must be installed other than inspection.
第2のアイデアとして、該シフトレジスターの代わりにCCDを利用するというアイデアもある。この場合にはトランジスター等の能動素子を要しないという利点がある。しかし、すべての画素のデータを送出して検査しなければならないという欠点があった。 As a second idea, there is an idea of using a CCD instead of the shift register. In this case, there is an advantage that an active element such as a transistor is not required. However, there is a drawback that all pixel data must be transmitted and inspected.
そこで、発明者は、原則的には第1および第2のアイデアと同様に、各信号線に検査用画素を設置して、検査用画素と全ての画素に検査用のデータを書き込み、該検査用画素と表示領域の画素に書き込まれたデータをゲートラインに接続される画素毎に比較する点では同様であるが、第1のアイデアのようにシフトレジスターを構成する必要もなく、第2のアイデアのように、すべてのゲートラインに接続された画素のデータを送出して検査しなければならないという欠点のない検査用の回路を最小限にすることが可能な検査装置と検査方法を考案した。以下該検査装置と検査方法をシフトセレクト型TFT基板及び検査方法ともいう。 Therefore, in principle, the inventor installs inspection pixels in each signal line, writes inspection data to the inspection pixels and all the pixels, as in the first and second ideas. This is the same in that the data written in the pixels for display and the pixels in the display area are compared for each pixel connected to the gate line, but there is no need to configure a shift register as in the first idea, and the second As in the idea, we devised an inspection device and inspection method that can minimize the circuit for inspection without sending out the data of the pixels connected to all gate lines and inspecting them . Hereinafter, the inspection apparatus and the inspection method are also referred to as a shift select type TFT substrate and an inspection method.
前記目的を達成するために、請求項1に記載された発明は、アレイTFT基板であって、絶縁基板上に画素電極、前記電極に個別に接続される画素スイッチング素子、前記画素スイッチング素子を介して画素電極を駆動する、格子状に配設された複数の走査線及びデータ線を有するアクティブマトリックス基板において、前記複数のデータ線毎に接続された検査用のセンスアンプと基準キャパシターと、を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, an invention described in claim 1 is an array TFT substrate, comprising a pixel electrode on an insulating substrate, a pixel switching element individually connected to the electrode, and the pixel switching element. An active matrix substrate having a plurality of scanning lines and data lines arranged in a grid pattern for driving a pixel electrode, and having a test sense amplifier and a reference capacitor connected to each of the plurality of data lines It is characterized by that.
請求項2に記載された発明は、請求項1に記載のアクティブマトリックス型基板に係り、検査の基準とする期待値を送るための比較信号線と、前記比較信号線からの信号と前記複数の検査用センス・アンプの出力との排他的論理和をとるEOR回路と、前記複数の走査線を走査する走査線走査回路と、を有することを特徴とするアクティブマトリックス型基板。 The invention described in
請求項3に記載された発明は、請求項2に記載のアクティブマトリックス型基板に係り、前記複数のデータ線を走査するデータ線走査回路と、すべての前記複数のEOR回路の出力と前記データ線走査回路との論理和を出力する出力ライン部を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板 A third aspect of the present invention relates to the active matrix substrate according to the second aspect, wherein the data line scanning circuit scans the plurality of data lines, the outputs of all the plurality of EOR circuits, and the data lines. An active matrix substrate having an output line portion for outputting a logical sum with a scanning circuit
請求項4に記載された発明は、請求項3に記載のアクティブマトリックス型基板に係り、すべての前記複数のEOR回路の出力を接続することにより論理和回路を形成する出力ライン部を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板 The invention described in claim 4 relates to the active matrix substrate according to claim 3, and has an output line portion that forms an OR circuit by connecting the outputs of all the plurality of EOR circuits. Characteristic active matrix substrate
請求項5に記載された発明は、請求項4に記載のアクティブマトリックス型基板に係り、奇数番目のデータ線と偶数番目のデータ線に独立の検査データを書き込む回路を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the active matrix substrate according to the fourth aspect, further comprising a circuit for writing independent test data into the odd-numbered data lines and the even-numbered data lines. Matrix substrate
請求項6に記載された発明は、請求項5に記載のアクティブマトリックス型基板に係り、奇数番目のデータ線と偶数番目のデータ線に検査信号を印加し走査線走査回路により画素に検査データを書き込むステップと、検査用基準画素に基準電位を与えるステップと、走査線走査回路により画素から順次データを読み出すステップと、読み出した電位をセンスアンプにより増幅・保持するステップと、センスアンプ出力と期待値を比較するステップと比較結果を出力するステップ、を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板の検査方法。 A sixth aspect of the present invention relates to the active matrix substrate according to the fifth aspect, wherein inspection signals are applied to odd-numbered data lines and even-numbered data lines, and inspection data is applied to pixels by a scanning line scanning circuit. A step of writing, a step of applying a reference potential to the reference pixel for inspection, a step of sequentially reading data from the pixel by a scanning line scanning circuit, a step of amplifying and holding the read potential by a sense amplifier, a sense amplifier output and an expected value And a step of outputting a comparison result. An inspection method for an active matrix substrate, comprising:
請求項7に記載された発明は、請求項6に記載のアクティブマトリックス型基板の検査方法に係り、請求項4に記載の比較EOR回路出力が期待値との不一致を示した場合、請求項3の論理積に不一致が出力されるデータ線走査回路の入力クロックカウントによりデータ線アドレスを特定するとともに、請求項2に記載の走査線走査回路の入力クロックカウントにより走査線アドレスを特定する事により、不良画素の場所を一意に確定する検査方法。 The invention described in claim 7 relates to the inspection method of the active matrix substrate according to claim 6, and when the output of the comparison EOR circuit according to claim 4 shows a mismatch with an expected value, By specifying the data line address by the input clock count of the data line scanning circuit that outputs a mismatch in the logical product of the above, and by specifying the scanning line address by the input clock count of the scanning line scanning circuit according to
アレイ基板に簡易な検査用の回路を付加するのみで、画素数が増加しても、検査装置が大掛かりで高価なものとなることを防止でき、検査のために基板に電気的に接触するための微細で高価なプローブに要する費用も最小限にでき、また検査に要する時間を短縮でき、結果として、製造コストを相当に低減することが可能となる。By simply adding a simple inspection circuit to the array substrate, it is possible to prevent the inspection apparatus from becoming large and expensive even if the number of pixels increases, and to make electrical contact with the substrate for inspection. The cost required for such a fine and expensive probe can be minimized, and the time required for inspection can be shortened. As a result, the manufacturing cost can be considerably reduced.
(実施の形態1)
以下、図を参照しつつ、本発明を実施するための実施の形態1につき説明する。
本発明を実施するための実施の形態1は本発明に係るシフトセレクタ型の検査回路が付加されたアレイ基板と該検査方法に係るものである。(Embodiment 1)
Hereinafter, a first embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
Embodiment 1 for carrying out the present invention relates to an array substrate to which a shift selector type inspection circuit according to the present invention is added and the inspection method.
図1は本発明の実施の形態1に係るアレイ基板と該検査方法の概要を示す説明図である。
図1において、100は通常の画像が表示される画素マトリックスである。
理解の容易のために、4 x 4の画素マトリックスとして図示しているが、実際にはこの数字には限定されない。
131乃至134は検査用基準画素である。
190は画素マトリックス内のデータ線(一般に、信号線ともいわれる)を選択する信号線セレクターである。128は画素マトリックス内のゲート線(一般に、走査線ともいわれる)を選択するゲート線セレクターである。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an overview of an array substrate and an inspection method according to Embodiment 1 of the present invention.
In FIG. 1,
For ease of understanding, it is illustrated as a 4 × 4 pixel matrix, but is not limited to this number in practice.
101はデータ線であり、102もデータ線であり、103もデータ線であり、104もデータ線である。191はゲート線であり、192もゲート線であり、193もゲート線であり、194もゲート線である。
151乃至154はセンスアンプである。101 is a data line, 102 is a data line, 103 is a data line, and 104 is a data line. 191 is a gate line, 192 is a gate line, 193 is a gate line, and 194 is also a gate line.
センスアンプ151は、データ線101を通じて、ゲート線191乃至194の内から選択されたゲート線に接続された画素のデータをセンスして増幅する。
センスアンプ152乃至154についても、それぞれ同様である。The
The same applies to the
161乃至164はEOR(排他的論理和)比較回路である。
180は比較信号線である。
171乃至174はOR(論理和)出力回路である。
181は出力ラインであり、OR(論理和)出力回路の出力が接続されワイアードオア(論理和)を形成している。Reference numerals 171 to 174 denote OR (logical sum) output circuits.
An
次に、本発明の実施の形態1に係るアレイ基板と該検査方法の概要について図に基づいて説明する。 Next, an outline of the array substrate and the inspection method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図2は図1に示された本発明の実施の形態に係るアクティブマトリックス型基板の回路図を例示的に示した模式図である。
図2において、231は検査用基準画素(図1の131に対応する検査用基準画素)である。251はセンスアンプであり、261はEOR(排他的論理和)比較回路である。299は検査対象の画素である。291は出力ラインであり、ワイアード・オアを形成している。FIG. 2 is a schematic view exemplarily showing a circuit diagram of the active matrix substrate according to the embodiment of the present invention shown in FIG.
In FIG. 2,
ただし、図2に示した回路は本発明を実現するための例示的な回路であり、同様の機能を果たす回路であれば、他の回路であっても良い。 However, the circuit shown in FIG. 2 is an exemplary circuit for realizing the present invention, and may be another circuit as long as the circuit performs a similar function.
なお、図2に示した検査回路において、注意すべき事項としては、検査用基準画素の作成においては検査用の信号線の寄生容量を考慮する。信号線の寄生容量として、検査用基準画素の略50%を付加する方法が考えられる。 Note that in the inspection circuit shown in FIG. 2, the parasitic capacitance of the inspection signal line is taken into consideration when creating the inspection reference pixel. A method of adding approximately 50% of the reference pixel for inspection as the parasitic capacitance of the signal line is conceivable.
ゲートカップリングの影響を等価にするために、検査用基準画素は表示領域以外の場所で検査用信号線と交差させる。検査用基準画素に関する寄生容量を検査対象の画素の容量の略50%とする場合には、検査用基準画素と検査される画素への書き込み電圧に差を設けて調整する。 In order to make the influence of gate coupling equivalent, the inspection reference pixel intersects with the inspection signal line at a place other than the display area. When the parasitic capacitance related to the inspection reference pixel is set to approximately 50% of the capacitance of the pixel to be inspected, adjustment is made by providing a difference between the writing voltage to the inspection reference pixel and the pixel to be inspected.
図3は本発明を実施するための形態にかかるフローチャートである。
最初にアレイ基板の表示領域の全画素へデータを書き込む(ステップ301)。次に各データ線毎に設置された検査用基準画素に検査用のデータを書き込む(ステップ302)。ただし、この工程(ステップ302)は基板の製造方法によっては必要でない場合もある。FIG. 3 is a flowchart according to an embodiment for carrying out the present invention.
First, data is written to all pixels in the display area of the array substrate (step 301). Next, test data is written to the test reference pixels installed for each data line (step 302). However, this step (step 302) may not be necessary depending on the substrate manufacturing method.
次に、順次走査線を選択し,選択された走査線に接続された画素のデータと、該データ線に設置された検査用基準画素のデータとを、比較・増幅する(ステップ303)。 Next, the scanning lines are sequentially selected, and the data of the pixels connected to the selected scanning lines and the data of the inspection reference pixels installed on the data lines are compared and amplified (step 303).
次に、該センスアンプの出力と比較信号線からの信号との排他的論理和(EOR)比較回路の論理和をとる(ステップ304)。 Next, the exclusive OR (EOR) comparison circuit of the output of the sense amplifier and the signal from the comparison signal line is ORed (step 304).
ここで、該排他的論理和(EOR)比較回路の論理和の出力は出力ライン接続され、ワイアードオア(ワイアード論理和)を形成しているので、出力ラインがアクティブの場合(ステップ305のYes)には、該走査線に接続された画素に不良があると考えられ、信号線セレクターとゲート線セレクターの状態等に基づいて故障解析(ステップ306)をする。出力ラインがアクティブでない場合(ステップ305のNo)には、該走査線に接続された画素に不良はないと考えられ、この場合には、まだ、選択されていないゲート線がある場合(ステップ307のYes)には、残りのゲート線を選択(ステップ308)して、該選択されたゲート線に接続された画素の検査をする。
選択されていないゲート線がない場合(ステップ307のNo)には検査を終了する。Here, since the output of the logical sum of the exclusive OR (EOR) comparison circuit is connected to the output line to form a wired OR (wired logical sum), the output line is active (Yes in step 305). In this case, it is considered that a pixel connected to the scanning line is defective, and failure analysis is performed based on the state of the signal line selector and the gate line selector (step 306). If the output line is not active (No in Step 305), it is considered that there is no defect in the pixel connected to the scanning line. In this case, there is still a gate line that is not selected (Step 307). (Yes), the remaining gate lines are selected (step 308), and the pixels connected to the selected gate lines are inspected.
If there is no unselected gate line (No in step 307), the inspection is terminated.
以上のように、本発明に係るTFTアレイ・ビルトイン・シフトセレクタ型検査方法の場合には、画素へのデータのかきこみや、不良画素が検出された場合であっても、シフトレジスターを使用する必要が無いために、トランジスター等のアクティブであって検査終了後は必要がない回路を最小化でき、更に、検査や、故障解析に必要な時間を短縮できるという利点がある。
(実施の形態2)
実施の形態2は本発明に係るシフトセレクタ型の検査回路が付加された実施の形態1に係るアレイ基板と該検査方法にさらに、シフトセレクタ型の検査回路の外周に、固有なショートリングを加えて、特に隣接するデータ線間の不良をさらに効果的に検査することを可能とするものである。図に基づいて説明する。As described above, in the TFT array built-in shift selector inspection method according to the present invention, it is necessary to use a shift register even when data is written into a pixel or a defective pixel is detected. Therefore, there is an advantage that it is possible to minimize a circuit which is active such as a transistor and is unnecessary after the inspection is completed, and further, it is possible to shorten a time required for the inspection and the failure analysis.
(Embodiment 2)
In the second embodiment, in addition to the array substrate according to the first embodiment to which the shift selector type inspection circuit according to the present invention is added and the inspection method, an inherent short ring is added to the outer periphery of the shift selector type inspection circuit. In particular, it is possible to more effectively inspect defects between adjacent data lines. This will be described with reference to the drawings.
図4は本発明に係るシフトセレクタ型の検査回路に隣接するデータ線用の検査回路が付加された実施の形態2の概略を示す説明図である。
図4において、100は通常の画像が表示される画素マトリックスである。
101乃至104は画素マトリックス100のデータ線であり、191乃至194はゲート線である。
461SW、462SW、63SWおよび464SWはデータ線検査用スイッチング素子である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an outline of the second embodiment in which a data line test circuit adjacent to the shift selector type test circuit according to the present invention is added.
In FIG. 4,
461SW, 462SW, 63SW and 464SW are switching elements for data line inspection.
421と422とは所謂ショートリングの役割も果たし、421は奇数番目のデータ線101およびデータ線103に接続している(以下、421を「データ線側奇数ショートリング」ともいう)。422は偶数番目のデータ線102およびデータ線104に接続している。(以下、422を「データ線側偶数ショートリング」ともいう)。421 and 422 also serve as a so-called short ring, and 421 is connected to odd-numbered
なお、図4においては、データ線は4本であるが本数は4本に限定されるわけではなく、画素マトリクッスのデータ線の本数による。
461SWは画素マトリックス100のデータ線のうち、図4の画素マトリックス100の左端から数えて奇数番目のデータ線101に接続されており、462SWは画素マトリックス100データ線のうち左から数えて偶数番データ線102に接続されており、463SWは画素マトリックス100のデータ線のうち奇数番目のデータ線103に接続されており、464SWは画素マトリックス100のデータ線のうち偶数番目データ104に接続されている。In FIG. 4, the number of data lines is four, but the number is not limited to four, and depends on the number of data lines of the pixel matrix.
461SW is connected to an odd-numbered
以下461SWのように画素マトリックス100のデータ線のうち奇数番目データ線に接続されているものを「奇数番目データ検査用スイッチング素子」ともいい、462SWのように画素マトリックス100のデータ線のうち偶数番目データ線に接続されているものを「偶数番目データ線検査用スイッチング素子」ともいう。 Hereinafter, the data lines connected to the odd-numbered data lines among the data lines of the
400は画素マトリックス100のデータ線に接続されているデータ検査用スイッチング素子のゲートに共通に接続されて、全てのデータ線検査用スイッチング素子を一斉に導通または遮断するデータ線検査用スイッチング素子制御線である。
(実施の形態2)
実施の形態2に係る検査回路の検査方法の発明は実施の形態に係る検査回路の検査方法に各データ線にデータ線検査用スイッチング素子を設けて、所謂ショートリングとも呼ばれる線を2本とし、さらに全てのデータ線検査用スイッチング素子に接続されて、一斉にスイッチング素子の開閉をおこなうデータ線検査用スイッチング制御線を設置し、2本のショートリング線の一方には奇数葉番目のデータ線を接続し、残りの1本のショートリング線には番目のデータ線を接続して、特に隣接するデータ線間の不良を効率よく検査できる機能を付加したものである。(Embodiment 2)
In the inspection circuit inspection method according to the second embodiment, the inspection circuit inspection method according to the second embodiment is provided with a data line inspection switching element for each data line, so that two lines called so-called short rings are provided. In addition, a switching control line for data line inspection, which is connected to all the switching elements for data line inspection and simultaneously opens and closes the switching elements, is installed, and an odd-numbered data line is connected to one of the two short ring lines. The first data line is connected to the remaining one short ring line, and in particular, a function for efficiently inspecting a defect between adjacent data lines is added.
以下、実施の形態2に係る検査回路の検査方法のうち、実施の形態1に係る発明に付加された部分について説明する。
ショートリング421は奇数番目データ線検査用スイッチング素子を介して画素マトリックス100のデータ線のうち奇数番目のデータ線に接続される。以下「奇数番目データ線検査用ショートリング」ともいう。具体的には、データ線101はデータ線検査用スイッチング素子461SWのソース側に接続されており、データ線検査用スイッチング素子461SWがデータ線検査用制御線400からの信号により導通すれば、ショートリング421に接続する。Hereinafter, of the inspection circuit inspection method according to the second embodiment, a part added to the invention according to the first embodiment will be described.
The
同様にデータ線103は奇数番目データ線検査用スイッチング素子463SWのソース側に接続されており、データ線検査用スイッチング素子463SWがデータ線検査用制御線400からの信号により導通すれば、ショートリング421に接続する。 Similarly, the
ショートリング422は、偶数番目データ線検査用スイッチング素子を介して画素マトリックス100のデータ線のうち偶数番目のデータ線に接続される。以下「偶数番目データ線検査用ショートリング」ともいう。データ線102はデータ線検査用スイッチング素子462SWのソース側に接続されており、データ線検査用スイッチング素子462SWがデータ線検査用制御線400からの信号により導通すれば、ショートリング422に接続する。
同様にデータ線104はデータ線検査用スイッチング素子464SWのソース側に接続されており、データ線検査用スイッチング素子464SWがデータ線検査用制御400からの信号により導通すれば、ショートリング422に接続する。The
Similarly, the
なお、図4においては、データ線は4本であるが本数は4本に限定されるわけではなく、画素マトリクッスのデータ線の本数による。データ線検査用スイッチング素子の数についても同様である・
アレイテストの際は、奇数ショートリング421と偶数ショートリング422を利用することにより、欠陥を生じやすい隣接するデータ線に独立した検査信号を供給することができ、特に隣接するデータ線間の欠陥を容易に発見し、特定することの可能性を向上させることができる。
(実施の形態3)
実施の形態3に係る検査回路の検査方法の発明は実施の形態1または2に係る検査回路の検査方法に各走査線に走査線検査用スイッチング素子を設けて、所謂ショートリングとも呼ばれる線を2本とし、さらに全ての走査線検査用スイッチング素子に接続されて、一斉にスイッチング素子の開閉をおこなう走査線検査用スイッチング制御線を設置し、2本のショートリング線の一方には奇数番目の走査線を接続し、残りの1本のショートリング線には偶数番目の走査線を接続して、特に隣接する走査線間の不良を効率よく検査できる機能を付加したものである。奇数番目の走査線が接続されたショートリング線を走査線側奇数ショートリング線といい、偶数番目の走査線が接続されたショートリング線を走査線側偶数ショートリング線ともいう。
その結果走査線についても、アレイテストの際は、奇数ショートリング線と偶数ショートリング線を利用することにより、欠陥を生じやすい隣接する走査線に独立した検査信号を供給することができ、特に隣接する走査線間の欠陥を容易に発見し、欠陥場所の特定の効率を向上させることができる。In FIG. 4, the number of data lines is four, but the number is not limited to four, and depends on the number of data lines of the pixel matrix. The same applies to the number of switching elements for data line inspection.
In the array test, by using the odd
(Embodiment 3)
In the inspection circuit inspection method according to the third embodiment, a scanning line inspection switching element is provided for each scanning line in the inspection circuit inspection method according to the first or second embodiment. In addition, a switching control line for scanning line inspection, which is connected to all the switching elements for scanning line inspection and simultaneously opens and closes the switching elements, is installed, and one of the two short ring lines has an odd-numbered scan. Lines are connected, and the remaining one short ring line is connected with even-numbered scanning lines, and in particular, a function for efficiently inspecting defects between adjacent scanning lines is added. The short ring line to which the odd-numbered scanning lines are connected is called a scanning line-side odd short ring line, and the short ring line to which the even-numbered scanning lines are connected is also called the scanning line-side even short ring line.
As a result, in the case of an array test, an independent inspection signal can be supplied to adjacent scanning lines that are prone to defects by using odd short ring lines and even short ring lines. It is possible to easily find a defect between scanning lines to improve the specific efficiency of the defect location.
フラットディスプレイ表示装置に用いられるアレイ基板を効果的に検査でき、製造コストを低減できる。The array substrate used in the flat display display device can be effectively inspected, and the manufacturing cost can be reduced.
100 通常の画像が表示される画素マトリックス
101 データ線
102 データ線
103 データ線
104 データ線
131 検査用基準キャパシター
132 検査用基準キャパシター
133 検査用基準キャパシター
134 検査用基準キャパシター
151 センスアンプ
152 センスアンプ
153 センスアンプ
154 センスアンプ
161 EOR(排他的論理和)比較回路
162 EOR(排他的論理和)比較回路
163 EOR(排他的論理和)比較回路
164 EOR(排他的論理和)比較回路
171 OR(論理和)出力回路
172 OR(論理和)出力回路
173 OR(論理和)出力回路
174 OR(論理和)出力回路
191 ゲート線
192 ゲート線
193 ゲート線
194 ゲート線
180 比較信号線
181 出力ライン
128 ゲート線走査回路
190 データ線走査回路100 Pixel Matrix Displaying
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- 2009-09-18 JP JP2009238717A patent/JP2011065118A/en active Pending
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